DATASHEET SILICONTRANSISTOR GA1L3Z MEDIUM SPEEDSWITCHING RESISTOR BUILT-INTYPE NPNTRANSISTOR . FEATURES PACKAGE DIMENSIONS i nm i l l i m e t e r s H{ → ResistorB u i l t i nTYPE • R1 =4. 7k i l ComplementarytoGN1L3Z ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS AA vvvm m 。 MaximumVoltagesandCurrents(Ta=25 C) CollectorCurrent(DC) le P u l s e ) Collecto『 Current( le 60 50 5 1 0 0 200 PT 150 mW JunctionTemperature T』 150 StorageTemperatureRange T 5 1 9 。 c 。 c CollectortoBaseVoltage Vcso CollectortoEmitterVoltage Vceo EmittertoBaseVoltage . Veso MaximumPowerDissipation TotalPowerDissipation 。 a t25 C AmbientTemperature MaximumTemperatures -55to+150 ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T8=25。 C) CHARACTERISTIC SYMBOL MIN. TYP. MAX. UNIT 100 nA hFE1* 135 450 600 DCC u r r e n tGain hFE2* 100 C o l l e c t o rS a t u r a t i o nV o l t a g e VcE(sat)* 0. 04 0. 2 v lc=5 . 0mA.Is=0.25mA Low-LevelI n p u tV o l t a g e V1L* 0.54 0 . 5 v Vce=5 . ov.lc=100μA ト 4 』 g h L e v e lI n p u tV o l t a g e V1H* v Vee=0 . 2V,le=5. 0m A I n p u tR e s i s t or R1 Tum-onTime S t o r a g eTime C o l l e c t o rC u t o f fC u r r e n t lcso DCC u r r e n tGain T u r n o f fTime TESTCONDITIONS vc8=50v.l e=o VcE=5 . 0V,lc=5 . 0mA 380 0V,l c=50m A VcEm 5. 1. 2 0 . 7 1 3. 29 4 . 7 6. 1 1 t o n 0 . 0 3 0 . 2 / J S t s t g 3. 2 5. 0 / J S RL=1kU t of f 3. 4 / J S PW=2μ s,DutyC y c l e~ 2% 6 . 0 kn Vcc=5v.Vin=5v s ,DutyCycle孟2 % • ,Pulsed : PW壬350μ hFEC l a s s i f i c a t i o n M 盟 hFEl L36 L37 L38 135t o270 200t o400 300t o600 , 。 。 ・ NECcannotassumeanyr e s p o n s i b i l i t yf anyc l r c ui 恒 s hown rr ep r e sn tt h a t 帥 f romp a t e n ti n f r i n g e m e n t . t h e ya r ef r 。 NEC C o r p o 『a t i o n 1988 GA1L3Z n u E U TYPIC AL CHARACTERts: :ncs (Ta=25° C ) c00 TOTAL POWER DISSIPATION V$. L L AMBIENT TEMPERATURE a 』 ’ 』 E 』L 200 50 180 \ 140 附 花 Z 』 R V O L T A \ 60 G E \ | 40 v s 20 ' ¥ . 20 0 DMU2 υ12 80 ﹄ \匹、 。 − 100 T N T T 、 、 円 40 ﹄コ \ 120 F r e ea i r 4EHCE ω 160 一 Mea−帥帥−ロ包Eot 50 ↑l トa 主Elcc− C C T T O O R R T C O U 恥 E \ \ ト 20 0 。 20 40 60 80 JOO !20 140 160 180 Ta-Ambient Temperature−℃ 3000 2 . 0 4. 0 6 . 0 8 . 0 VcE-Collector to Emi t t e r Voltage V 10 s . D C CURRENT GAIN v COLLECTOR CURRENT Vc[-5.0V 1 ω回 2 一口﹀﹄22E凶 ﹀ 0. 4 − a コ − c 〉 | 〉 H 由 国 O 銅 山 ど E 1 1000 , / 10v. 0. 3 v / O︼ ﹄ 。 ち ω=。υ1 凶O﹀ ノ / / レ ~ シ 〆 〆! 0 . 2 J 〆 う~ ノ c : レ/~5V 』 』 コ 300 ι J 弘J L ム / . ; : : : ; 100 シ 予F . . . . . . : : ノ 。 c : ω g r J 0. 1 t 可 《 3 i i i " ' " " 20 40 60 80 100 le-Collector Current-m A 30 1 . 0 10 30 100 le-Collector Current m A COLLECTORSATURAT』O N VOLTAGE v s . COLLECTOR CURRENT 1 . 0 3. 0 20 INPUT VOLTAGE v s. COLLECTOR CURRENT i c 10・ 1 日 〉 CV 1 0 t l D ・ 口 f 電 3 d 0. 3 〉 5. 0 c : 0 占 ~ ' " 恒 』 : : > v " ' 0. 1 巳 刀 , ω 。 ι 』 - ; _ . _ 0. 03 V > ' " w − u ) 〉 0. 01 1 . 0 , ” . . -』 3 . 0 J v 10 〆 ./ / 1 . 0 開 ; 0 . 5 30 l e-Collector Current m A 2 2 . 0 , 』 口 】 ι J 100 0 . 2 i . o 3 . 0 10 30 l e-Collector C u r r e r i t-mA 100 GA1L3Z 1000 COLLECTOR CURRENTv s . INPUT VOLTAGE SWITCHING TIME v s . COLLECTOR CURRENT 5. 0 VeE 5 . 0V ミ ; ; :f 2 . 0 300 ド 、~ <( 100 Q) ~ ~ : : ; ) 0 』 0 J 30 に J ω 0 0 1 . 0 E ↑凶 C三u 由 − v−主的lH t : 帥司l : : t ~ 】 1 0 0 0. 5 d _/ 0. 2 ” 0. 1 ' I 3. 0 1 . 0 0 t o n 0. 05 」 .... ー 0. 2 0. 4 0 . 6 0. 8 V;n-lnput Voltage V 1 . 0 1 . 2 0. 02 1 . 0 3. 0 1 0 vee 5 . ov V;n=5.0V PW=2μs Dutyeycle=2% 30 100 200 l e Collector Current-mA 3 GA1L3Z TC-2168 A p r i l1988M P r i n t e di nJapan
© Copyright 2024 ExpyDoc