結晶成長解析セミナー低炭素化社会の実現のために、LEDやパワーデバイスの高効率化と低コスト化の研究開発が盛んに進められております。mmmmmmmmmmm 高効率化と低コスト化において、基板及びエピタキシャル膜の高品質結晶や高速成長・大口径化を目的とした数値解析技術を活用　した技術革新がなされております。 STRmグループは、本セミナーにてシリコンをはじめサファイア・SiC・GaN等の昨今の研究開発状況を踏まえた様々な結晶系でのmmmmm シミュレーション技術の活用事例と最新のソフトウェア開発情報を提供します。mmmmmmmmmmmmmmmmmmmmmmmmmmmmmmmmmmmmmmmmmmmmmmmmmmm 結晶成長やそれに関わる開発に携わっているか方はぜひご参加下さい。セミナー終了後は、懇親会（無料）も予定しております。 y Ib日（金）hI9bb～hA9bbmt懇親会hA9Gb～Ib9bbsmmmmmmmmmm 日時m9m平成Iy年月場所m9m横浜ビジネスパーク　ウェストタワーF階　中会議室主催m9mSTRmJapan株式会社m 参加費用m9【無料】（懇親会参加費を含む）要事前登録（y月hb日までにお願いしますs プログラム＊順不同講演h9m○大型のVB法サファイア結晶成長の種付け界面形状と温度分布 mt信州大学　宮川　千宏　様）講演I9m○窒化物半導体LED研究開発におけるSiLENSe活用事例の紹介（名城大学　竹内　哲也　様）講演G9m○デンソーにおけるSiC開発の取り組み（株式会社デンソー　原　一都　様）講演.：○窒化物半導体MOCVD装置開発におけるCVDcSim活用事例の紹介 mt大陽日酸株式会社　生方　映徳　様）講演z：○融液着浸時にシリコン種結晶に発生する転位と熱応力との関係 mtグローバルウェーハズ・ジャパン株式会社　日笠　光朗　様）講演y：○高温ガス法による.HcSiC単結晶の高速成長 mt電力中央研究所　星乃　紀博　様）講演F：○cNewmdevelopmentsminmmodelingmofmMOCVDmprocessmformopticalmandmelectronic mmmmmmmmmdevicemmanufacturing mmmmmmmmcModelingmofmevolutionmofmstressrmbowingrmandmstructuralmdefects mmmmmmmmminmgrowthmofmIIIcnitridemtemplatesmandmheterostructures mtSTRmGrouprIncumRomanmTalalaev）講演A：○cModelingmofmCzmcrystalmgrowthmwithmhorizontalmMFmusingmRANSrmLESrmandmDNS approaches mmmmmmmmcDevelopmentmofmchemicalmmodelsmformsiliconmandmsapphiremcrystalmgrowth cModelingmofmdislocationmdensitymandmresidualmstressesminmindustrial crystalmgrowth mtSTRmGrouprIncu　VladimirmKaraev）講演K9m○窒化物およびIIIcV族半導体エピタキシャル成長解析（STRmJapan株式会社　向山　裕次）講演hb：○冷却中のバルクSiC単結晶内の転位と応力の解析 mtSTRmJapan株式会社　向山　裕次） g予告なく講演内容が変更になる場合がございます。予めご了承下さい。 ○お申込み・お問い合わせ・・・お電話・FAX・e-mailにて、お名前、所属先、参加ご希望人数、懇親会参加の有無をお知らせ下さい。 STRoJapan株式会社o営業部oTEL:045(744)7511oFAX:045(744)7521oe-mail:[email protected]