データシート

DTC363EU / DTC363EK / DTC363ES
トランジスタ
デジタルトランジスタ(抵抗内蔵トランジスタ)
DTC363EU / DTC363EK / DTC363ES
z外形寸法図 (Unit : mm)
2.0 +
− 0.2
1.3 +
− 0.1
0.9 +
− 0.1
0.65 0.65
(3)
0.3 +0.1
−0
0∼0.1
0.15 +
− 0.05
各端子とも同寸法
標印略記号 : H27
2.9 +
− 0.2
DTC363EK
0.8+
−0.1
0.95 0.95
(2)
1.6+0.2
−0.1
(1)
IN
R2
GND
0∼0.1
(3)
OUT
R1
2.8 +
−0.2
z内部等価回路図
(1) GND
(2) IN
(3) OUT
0.2
1.1+
−0.1
1.9 +
− 0.2
ROHM : SMT3
EIAJ : SC-59
+0.1
0.15 −0.06
0.4 +0.1
−0.05
各端子とも同寸法
0.3∼0.6
z構造
NPN デジタルトランジスタ
(抵抗内蔵トランジスタ)
ROHM : UMT3
EIAJ : SC-70
0.7+
− 0.1
(2)
2.1+
− 0.1
(1)
0.2
0.1∼0.4
DTC363EU
1.25+
−0.1
z特長
通常のデジタルトランジスタに加え以下
の特長があります。
1) VO (on) が低いので、ミューティング回
路に使用できる。
VO (on) =40mV (Typ.)
(IO / Il =50mA / 2.5mA)
2) 高電流値 (IC=600mA) で使用できる。
(1) GND
(2) IN
(3) OUT
標印略記号 : H27
OUT
4+
−0.2
DTC363ES
2+
−0.2
5
ROHM : SPT
EIAJ : SC-72
3Min.
3+
−0.2
GND
（15Min.）
IN
0.45 +0.15
−0.05
2.5+0.4
−0.1
(1) (2) (3)
0.5
0.45 +0.15
−0.05
(1) GND
(2) OUT
(3) IN
Rev.A
1/3
DTC363EU / DTC363EK / DTC363ES
トランジスタ
z絶対最大定格 (Ta=25°C)
Parameter
Limits(DTC363E□)
Symbol
U
K
Unit
S
電源電圧
VCC
20
入力電圧
VIN
−10 ∼ +10
V
出力電流
IC
600
mA
許容損失
Pd
接合部温度
Tj
150
℃
Tstg
−55 ∼ +150
℃
保存温度範囲
V
200
mW
300
z電気的特性 (Ta=25°C)
Symbol
Min.
Typ.
Max.
VI(off)
−
−
0.5
VI(on)
2
−
−
出力電圧
VO(on)
−
40
80
mV
IO/II=50mA/2.5mA
入力電流
II
−
−
1.3
mA
VI=5V
出力電流
IO(off)
−
−
0.5
µA
VCC=15V, VI=0V
GI
70
−
−
−
VO=5V, IO=50mA
入力抵抗
R1
4.76
6.8
8.84
kΩ
−
抵抗比率
R2/R1
0.8
1
1.2
−
−
利得帯域幅積
fT
−
200
−
MHz
出力ON抵抗
Ron
−
1.0
−
Ω
Parameter
入力電圧
直流電流増幅率
∗構成トランジスタの特性です。
z包装仕様
V
Conditions
VCC=5V, IO=100µA
VO=0.3V, IO=10mA
∗
VCE=10V, IE= −50mA, f=100MHz
VI=7V, RL=1kΩ, f=1kHz
zRon 測定回路図
パッケージ
Type
Unit
包装名
UMT3
SMT3
SPT
IN
RL
テーピングテーピングテーピング
T106
T146
TP
基本発注単位(個)
3000
3000
5000
DTC363EU
⃝
−
−
DTC363EK
−
⃝
−
DTC363ES
−
−
⃝
OUT
vi
v0
Vi
GND
V0
Ron = Vi−V RL
0
+
記号
Fig.1 入力ON抵抗(Ron) 測定回路
Rev.A
2/3
DTC363EU / DTC363EK / DTC363ES
トランジスタ
z電気的特性曲線
10m
5m
VO=0.3V
OUTPUT CURRENT : Io (A)
INPUT VOLTAGE : VI (on) (V)
50
20
10
Ta= −40℃
25℃
100℃
5
2
1
500m
200m
100m
5m 10m 20m
500µ
200µ
100µ
50µ
20µ
10µ
5µ
50m 100m 200m 500m
0
0.5
1
100
Ta=100℃
25℃
−40℃
100m
50m
20m
10m
5m
200
100
50
20
10
5
2.0
2.5
1
3.0
1m
2m
5m 10m 20m
50m 100m 200m 500m
OUTPUT CURRENT : IO (A)
Fig.4 直流電流増幅率−出力電流特性
Ta =25℃
f =1kHz
RL=1kΩ
GI =170（5V/50mA）
50
ON RESISTANCE : Ron (Ω)
OUTPUT VOLTAGE : VO (on) (V)
1.5
Fig.3 出力電流−入力電圧(OFF特性)
lO/lI=20
200m
20
10
5
2
1
500ｍ
200ｍ
2m
1m
1.0
INPUT VOLTAGE : VI（off) (V)
500m
Ta=100℃
25℃
−40℃
2
OUTPUT CURRENT : IO (A)
Fig.2 入力電圧−出力電流(ON特性)
VO=5V
500
Ta=100℃
25℃
−40℃
2m
1m
2µ
1µ
1m 2m
1k
VCC=5V
DC CURRENT GAIN : GI
100
1m
2m
5m 10m 20m
50m 100m 200m 500m
OUTPUT CURRENT : IO (A)
Fig.5 出力電圧−出力電流特性
100ｍ
100m 200m 500m
1
2
5
10 20
50 100
INPUT VOLTAGE : VI (V)
Fig.6 ON抵抗−入力電圧特性
3/3
Appendix
ご注意
● 本資料の一部または全部を弊社の許可なく、転載・複写することを堅くお断りします。
● 本資料の記載内容は改良などのため予告なく変更することがあります。
本資料に記載されている内容は製品のご紹介資料です。ご使用にあたりましては、別途仕様書
を必ずご請求の上、ご確認下さい。仕様書をご確認されることがなかった場合、万一ご使用機
器に瑕疵が生じましても、弊社はその責を負いかねますのでご了承下さい。
● 記載されております応用回路例やその定数などの情報につきましては、本製品の標準的な動
作や使い方を説明するものです。従いまして、量産設計をされる場合には、外部諸条件を考
慮していただきますようお願いいたします。
● ここに記載されております製品に関する応用回路例、情報、諸データは、あくまで一例を示
すものであり、これらに関します第三者の工業所有権等の知的財産権、及びその他の権利に
対して、権利侵害がないことの保証を示すものではございません。従いまして（1）上記第三
者の知的財産権の侵害の責任、又は、（2）これらの製品の使用により発生する責任につきまし
ては弊社は、その責を負いかねますのでご了承ください。
● 本資料に記載されている製品の販売に関し、その製品自体の使用、販売、その他の処分以外には
弊社の所有または管理している工業所有権など知的財産権またはその他のあらゆる権利
について明示的にも黙視的にも、その実施または利用を買主に許諾するものではありません。
● 本品は、特定の機器・装置用として特別に設計された専用品とみなされるため、その機器・
装置が外為法に定める規制貨物に該当するか否かを判断していただく必要があります。
● 本製品は「シリコン」を主材料として製造されております。
● 本製品は「耐放射線設計」はなされておりません。
本資料に掲載されている製品は、一般的な電子機器（AV機器、OA機器、通信機器、家電
製品、アミューズメント機器など）への使用を意図しています。極めて高度な信頼性が要求
され、その製品の故障や誤動作が直接人命に関わるような機器・装置（医療機器、輸送機器、
航空宇宙機、原子力制御、燃料制御、各種安全装置など）へのご使用を検討される際は、事前
に弊社営業窓口までご相談願います。
●日本における輸出貿易管理令について
本資料に掲載した製品は、輸出貿易管理令別表1の16項に定める関税定率法別表第85類の貨物の対象とな
りますので、輸出する場合には、大量破壊兵器などの不拡散のためのキャッチオール規制に基づく客観要
件又はインフォーム要件に該当するか否かを判定願います。
Appendix1-Rev1.0

Download Report