有限会社ディアックス Agナノペーストを使用したマイクロ波電力素子の放熱改善組立 放熱性改善点 IMタイプ電力素子 改善点 現行 改善 半導体チップマ ウント AuSn共晶半田 熱伝導率=57w/mK 厚さ∼20μｍ 焼結Ag接合層の採用 熱伝導率∼265w/mK 厚さ制御∼10-20μｍ 金属ベース板 高価なCu/Mo/Cu 熱伝導率=200300w/mK 半導体チップ ベース板 Ａ Ｂ 低温実装でCu系が使用可能！ 熱伝導率=330-390w/mK Cu-dia、Al-diaコンポジット 熱伝導率∼550w/mK 安価な製作工程* 組立工程 Agナノペースト印刷 各部品マウント Non-IMタイプ電力素子 セラミックフレームマ ウント Agナノ粒子焼結 ・200℃ ・部品、無加圧 ・フレーム、加圧 *特願2014-023615 有限会社ディアックス パッケージベース板と放熱の改善 評価1：Medium Power GaN HEMT(A社） 評価サンプル、評価法 Tｃｈ （℃） ● Cu(熱伝導率=390w/mK) ● Cu-diaコンポジット(550w/mK) @Pdc=20w パッケージベース板 ・Cuベース(390w/mK) ・Cu-diaコンポジット (550w/mK) Tf （℃） 評価3：Medium Power GaN HEMT(C社） 評価2：Medium Power GaN HEMT(B社） ● Cu(熱伝導率=390w/mK) ● Cu-diaコンポジット(550w/mK) Tｃｈ （℃） Tｃｈ （℃） ● Cu(熱伝導率=390w/mK) ● Cu-diaコンポジット(550w/mK) @Pdc=15w Tf （℃） @Pdc=20w Tf （℃） 有限会社ディアックス ダイボンド材(接合材）、ベース板形状と放熱特性 AuSnより焼結Agの優位性 Medium Power GaN HEMT @Pdc=20w ● AuSn ● 焼結Ag ○ 台座付ベース板 ○ 平坦なベース板 Tｃｈ （℃） Tｃｈ （℃） Medium Power GaN HEMT @Pdc=20w ベース板形状の放熱効果 ● Tf （℃） Tf （℃）：パッケージフランジ温度 接合材質 AuSn(Au:80%) 焼結Ag 材料 プリフォーム半田 Agナノペースト ディスペンス印刷、スキージ印刷 組立温度 300℃ 200℃ 熱伝導率 57W/m・K 265W/m・K (周期加熱放射測温法による実測値） 焼結Agの高い熱伝導の効果がある ○ ・ベース板：無酸素銅(熱伝導率 =390w/mK) ・Ceramic Flameのロウ付け台座とChip Mountの台座構造。全厚=1.5mm ○ ・べース板：Cu系(熱伝導率 =330w/mK) ・低温実装で平坦なベース板が可能 (厚さ=1mm) 平坦なベース板が放熱に有利 ⇒ 低温組立だから可能
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