三菱高周波デバイス I T 社 会 の 実 現 を サ ポ ートす る 三 菱 高 周 波 デ バ イス 高速インターネット・ビデオオンデマンド・高速データ通信など通信ネットワークは急速に発展しています。 三菱高周波デバイスは、衛星搭載用から基地局用まで幅広い製品ラインアップで、IT 社会の実現に向けて最適なソリューションを提供いたします。 セレクションマップ ■ 低雑音 GaAs HEMT 民生用 2.4GHz 4GHz 12GHz 20GHz 24GHz 雑音指数 NF セレクションマップ [d B ] 0.2 0.4 MGF4921AM MGF4937AM★ ■ MGF4921AM 0.6 ■ MGF4941AL MGF4935AM MGF4934CM MGF4964BL MGF4936AM 0.8 MGF4965BM 民生用モールドパッケージ（GD-32） 1.0 民生用 4 ピンミニモールドパッケージ（GD-30） 1.2 MGF4941CL G ain 用 途 G ain 衛星放送受信装置 通信受信装置 製品一覧表 ★：新製品 ★★：開発中 ■：AEC-Q101 準拠 FET：Field Effect Transistor HEMT：High Electron Mobility Transistor HBT：Heterojunction Bipolar Transistor ■ 小信号 GaAs FET/HEMT, InGaP HBT 民生用 出力電力 [dBm] ∼L/S/C 帯（∼8GHz） 産業用 ∼X/Ku 帯（∼14.5GHz） Ka 帯（24GHz） 12GHz 18 MGF3022AM★ ■ 14 MGF1941AL 10 MGF4841CL★★ MGF3021AM★ MGF1451A MGF4841AL★★ 応用例 用 途 マイクロ波リンク装置 衛星通信装置 ★：新製品 ★★：開発中 ■：AEC-Q101 準拠 ■ 高出力 GaN HEMT〈ディスクリート・内部整合型〉 ∼L/S/C 帯（∼5GHz） MGFC50G5867A★ 50 [ dB m ] 47 出力電力 C 帯（5.8∼6.7GHz） MGF0846G 44 MGF0843G GaN Ku 帯（13.75∼14.5GHz） MGFK49G3745★ MGFK47G3745★ MGFG5H1502★★/03★ 42 MGF0840G 40 38 用 途 ★：新製品 ★★：開発中 1 基地局 マイクロ波リンク装置 C 帯 衛星通信地上局 マイクロ波リンク装置 Ku 帯 衛星通信地上局 ■ ■ 高出力 GaAs FET〈ディスクリート〉 ∼X/Ku 帯 ∼L/S/C 帯（∼8GHz） （∼14.5GHz） 42 MGF0911A MGF0907B MGF0909A セレクションマップ 38 MGF0910A MGF0805A★ MGF0906B 34 MGF0905A 出力電力 [dBm] MGF0915A MGF0921A MGF2445A MGF0920A MGF0952P MGF2430A 30 MGF0913A MGF0904A MGF0951P MGF2415A MGF0918A MGF2407A 製品一覧表 MGF0953P 26 22 用 途 マイクロ波リンク装置 衛星通信装置 ★：新製品 ■ 高出力 GaAs FET〈内部整合型〉 C 帯 (4∼8GHz) X/Ku 帯 (8.0∼14.5GHz) 50 応用例 L/S 帯 (1∼2/2∼4GHz) MGFC47V/A 出力電力 [dBm] MGFS45V/B MGFC45V 44 MGFC44V 42 MGFC42V MGFK41A 40 MGFC40V MGFC39V 38 MGFX39V MGFK38A 36 用 途 MGFK44A MGFC36V-A 基地局 マイクロ波リンク装置 マイクロ波リンク装置 レーダーシステム MGFX36V 衛星通信装置 2 製品 一覧 表 ■ 低雑音 GaAs HEMT Type Number セレクションマップ MGF4921AM■ MGF4934CM MGF4935AM MGF4936AM MGF4937AM★ MGF4941AL MGF4964BL MGF4965BM MGF4941CL■ GD-30 Associated Gain [dB] Noise Figure [dB] Typ. Max. Min. Typ. 0.35 0.50 0.45 0.50 0.35 0.35 0.65 0.95 2.40 0.55 0.75 0.65 0.70 0.50 0.50 0.90 1.25 3.80 11.5 11.5 11.0 11.0 11.5 12.0 11.5 9.5 7.5 13.0 13.0 12.0 12.0 13.0 13.5 13.5 11.5 10.0 Frequency GD-32 Drain-Source Voltage [V] Drain Current [GHz] [mA] Package Outline 4 12 12 12 12 12 20 20 24 2 2 2 2 2 2 2 2 1.5 10 10 10 10 10 10 10 10 Idss GD-30 GD-30 GD-30 GD-30 GD-30 GD-32 GD-32 GD-30 GD-32 Ta=25℃ ★：新製品 ■：AEC-Q101 準拠 ■ 小信号 GaAs FET/HEMT, InGaP HBT 製品一覧表 Type Number MGF1451A▲ MGF1941AL MGF4841AL★★ MGF4841CL★★ MGF3021AM★ MGF3022AM★■ Output Power at 1dB Gain Compression Output Power [dBm] Min. Typ. 11.0 11.0 11.5 9.5 14.0 13.0 15.0 14.5 11.5 11.0 16.5 [dBm] - Linear Power Gain GD-4 3rd Order IM Distortion [dBc] [dB] Min. Typ. 10.5 10.0 12.0 8.5 22.0 18.0 - - GD-30 Power DrainDrain Added Frequency Source Current Efficiency [GHz] Voltage [A] [%] - [V] 12 12 12 24 2.4 2.4 3 3 2.5 1.5 3 3 0.03 0.03 0.025 Idss 0.014 0.033 GD-32 Thermal Resistance [°C/W] Typ. Max. - - Package Outline GD-4 GD-32 GD-32 GD-32 GD-30 GD-30 Ta=25℃ ★：新製品 ★★：開発中 ■：AEC-Q101 準拠 ▲：産業用 応用例 ■ 高出力 GaN HEMT〈ディスクリート〉 Type Number MGF0840G MGF0843G MGF0846G Output Power at 3dB Gain Compression Output Power [dBm] Min. Typ. 39 42 45 40 43 46 [dBm] - Linear Power Gain GF-7 3rd Order IM Distortion [dBc] [dB] Min. Typ. 14 13 12 - - DrainDrain Drain Source Current Efficiency Frequency [GHz] Voltage [%] [A] [V] 60 60 60 2.6 2.6 2.6 47 47 47 0.09 0.18 0.35 Thermal Resistance [°C/W] Typ. Max. 5 3 2.2 - Package Outline GF-7 GF-7 GF-7 Ta=25℃ ■ 衛星通信用高出力 Type Number MGFC50G5867A★ MGFK47G3745★ MGFK49G3745★ MGFG5H1502★★ MGFG5H1503★ GaN HEMT〈内部整合型〉 Output Power at 3dB Gain Compression Output Power [dBm] Min. Typ. 49 - 50 - [dBm] 47 49 43 43 Linear Power Gain GF-8 3rd Order IM Distortion [dBc] [dB] Min. Typ. 10 9 7.5 20 20 -25 -25 - Power DrainDrain Added Frequency Source Current Efficiency [GHz] Voltage [A] [%] 40 30 28 12 12 [V] 5.8~6.7 13.75~14.5 13.75~14.5 13.75~14.5 13.75~14.5 GF-65 GF-38 40 24 24 24 24 1.92 1.05 2.1 1.8 2.7 Thermal Resistance [°C/W] Typ. Max. 0.6 1.1 0.4 0.8 1.4 0.6 TBD 1.2 Ta=25℃ ★：新製品 ★★：開発中 MGFG5H1502：50W+80W GaN HEMT 用ドライバ、MGFG5H1503：50W GaN HEMT 用ドライバ（P10. 通信衛星用推奨ラインアップ 参照） 3 1.5 Package Outline GF-38 GF-8 GF-38 GF-65 GF-65 ■ 高出力 GaAs FET〈ディスクリート〉 Type Number Typ. 35.5 38.5 37.0 37.0 40.0 23.0 26.0 29.0 31.0 37.0 40.0 38.0 38.0 41.0 24.5 27.5 30.5 32.0 36.5 28.0 34.0 29.5 35.0 25.0 30.0 31.0 31.0 36.5 28.0 - 3rd Order IM Distortion Linear Power Gain [dBc] [dB] Min. Typ. 14.5 14.0 11.0 11.0 8.0 10.0 10.0 10.0 11.0 13.0 18.0 16.0 15.0 11.0 11.0 18.0 7.0 6.5 5.5 5.5 - -42 -42 - GF-21 GF-50 Power DrainDrain Added Frequency Source Current Efficiency [GHz] Voltage [A] [%] 55 40 40 40 37 45 37 40 48 50 45 45 40 50 50 40 30 29 27 20 [V] 10 8 8 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 1.9 1.65 1.65 2.3 2.3 2.3 2.3 2.3 1.9 1.9 1.9 1.9 1.9 2.15 2.15 2.15 14.5 14.5 14.5 12 0.4 0.2 0.8 1.2 2.4 1.3 1.3 2.6 0.2 0.8 0.15 0.4 0.5 0.2 0.7 0.15 0.075 0.15 0.3 0.45 GF-55 Thermal Resistance [°C/W] Typ. Max. 5 20 5 35 13 11 20 5 14 - 7 40 12.5 6.5 4 5 6 4.5 30 8 50 18 15 25 6 20 100 60 30 15 Package Outline GF-50 GF-7 GF-7 GF-21 GF-21 GF-7 GF-21 GF-21 GF-50 GF-50 GF-50 GF-50 GF-50 GF-55 GF-55 GF-55 GF-17 GF-17 GF-17 GF-17 製品一覧表 Min. [dBm] GF-17 セレクションマップ MGF0805A★ MGF0904A MGF0905A MGF0906B▲ MGF0907B▲ MGF0909A MGF0910A▲ MGF0911A▲ MGF0913A MGF0915A MGF0918A MGF0920A MGF0921A MGF0951P MGF0952P MGF0953P MGF2407A▲ MGF2415A▲ MGF2430A▲ MGF2445A▲ Output Power at 1dB Gain Compression Output Power [dBm] GF-7 Ta=25℃ ▲：産業用 ★：新製品 ■ L/S 帯 高出力 GaAs FET〈内部整合型〉 Type Number Min. Typ. 35 38 41.5 44 44 44 44 37 39.5 42.5 45 45 45 45 [dBm] 45 45 47 47 - 3rd Order IM Distortion Linear Power Gain [dBc] [dB] Min. Typ. 11 10 12 11 12 10.5 10.5 12 12 12 12 -42 -42 -42 -42 -42 -42 -42 -45 -45 -45 -45 -45 -45 -45 -45 -45 -45 -45 GF-53 Power DrainDrain Added Frequency Source Current Efficiency [GHz] Voltage [A] [%] 32 32 37 45 45 45 45 [V] 3.4~3.6 3.4~3.6 3.4~3.6 3.4~3.6 2.5~2.7 3.4~3.6 3.5~3.8 2.1~2.3 2.3~2.5 2.5~2.7 2.5~2.7 10 10 10 12 12 12 12 10 10 10 10 1.2 2.4 4.5 0.8 0.9 1.5 1.5 6.5 6.5 6.5 6.5 GF-60 Thermal Resistance [°C/W] Typ. Max. 5 3 1.25 1.25 1.25 0.8 6 3.5 1.9 1.9 1.9 1.2 1.2 1.5 1.5 1.5 1 Package Outline GF-8 GF-8 GF-18 GF-60 GF-60 GF-60 GF-60 GF-53 GF-53 GF-53 GF-53 応用例 MGFC36V3436 MGFC39V3436 MGFC42V3436 MGFC45B3436B MGFS45B2527B MGFC47B3436B MGFC47B3538B MGFS45V2123A MGFS45V2325A MGFS45V2527A MGFS45V2735 Output Power at 1dB Gain Compression Output Power [dBm] GF-18 GF-8 Ta=25℃ L 帯：0.5∼2GHz S 帯：2∼4GHz 高周波デバイス 形名のつけ方 ■ ディスクリート MGF 49 41 A L 半導体構造− 0x: MES FET, HEMT（L,S 帯 H/P） 1x: MES FET（小信号） 2x: MES FET（C∼Ku 帯 H/P） 3x: HBT 4x: MEMT チップ仕様 連番 補足記号 ■ 内部整合型 MGF C 50 G 5867 A 周波数帯− L, S, C, X, K, Ku 出力電力− ex.50 =50dBm=100W(typ.) 構造−A, B: HFET V: MES FET G: GaN HEMT 周波数− ex.5867=5.8GHz∼6.7GHz 連番 4 製品 一覧 表 ■ C 帯 高出力 GaAs FET〈内部整合型〉 Type Number セレクションマップ 製品一覧表 応用例 MGFC36V4450A MGFC36V5258 MGFC36V5964A MGFC36V6472A MGFC36V7177A MGFC39V3742A MGFC39V4450A MGFC39V5258 MGFC39V5964A MGFC39V6472A MGFC39V7177A MGFC39V7785A MGFC40V3742 MGFC40V4450 MGFC40V5258 MGFC40V5964 MGFC40V6472 MGFC40V7177 MGFC42V3742 MGFC42V4450 MGFC42V5258 MGFC42V5964A MGFC42V6472 MGFC42V6472A MGFC42V7177 MGFC42V7785A MGFC44V5964 MGFC44V6472 MGFC45V4450A MGFC45V5964A MGFC47A4450 MGFC47V5864 Output Power at 1dB Gain Compression [dBm] Linear Power Gain GF-18 GF-8 3rd Order IM Distortion [dBc] Power Added Efficiency Frequency Min. Typ. [dB] Min. Typ. [%] 35 35 35 35 35 38 38 38 38 38 38 38 39.5 39.5 39.5 39.5 39.5 39 41.5 41.5 41.5 41.5 41.5 41.5 41 41 43 43 44 44 46 46 37 36 37 37 36.5 39.5 39 39 39.5 39.5 39.5 39.5 40.5 40.5 40.5 40.5 40.5 40 42.5 42.5 42.5 42.5 42.5 42.5 42 42 44 44 45 45 47 47 9 9 9 8 8 9 8 8 8 7 7 6 9 9 8 8 7 7 9 9 8 8 7 7 7 6 8 7 9 8 9.5 8.5 -42 -42 -42 -42 -42 -42 -42 -42 -42 -42 -42 -42 -42 -42 -42 -42 -42 -42 -42 -42 -42 -42 -42 -42 -42 -42 - -45 -45 -45 -45 -45 -45 -45 -45 -45 -45 -45 -45 -49 -45 -45 -45 -45 -45 -45 -45 -45 -45 -45 -45 - 32 33 30 30 30 31 30 30 30 28 28 27 32 32 32 30 32 32 32 32 31 33 30 31 30 28 33 31 34 33 40 35 [GHz] DrainSource Voltage Drain Current 4.4~5.0 5.2~5.8 5.9~6.4 6.4~7.2 7.1~7.7 3.7~4.2 4.4~5.0 5.2~5.8 5.9~6.4 6.4~7.2 7.1~7.7 7.7~8.5 3.7~4.2 4.4~5.0 5.2~5.8 5.9~6.4 6.4~7.2 7.1~7.7 3.7~4.2 4.4~5.0 5.2~5.8 5.9~6.4 6.4~7.2 6.4~7.2 7.1~7.7 7.7~8.5 5.9~6.4 6.4~7.2 4.4~5.0 5.9~6.4 4.4~5.0 5.8~6.4 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 1.2 1.2 1.2 [V] GF-53 GF-38 [A] 1.2 1.2 2.4 2.4 2.4 2.4 2.4 2.4 2.4 2.4 2.4 2.4 2.4 2.4 2.4 4.5 4.5 4.5 4.5 4.5 4.5 4.5 4.5 6.4 6.4 8 8 9.8 9.8 Thermal Resistance [°C/W] Typ. Max. 5 5 5 5 3 0.8 0.8 0.8 0.8 6 6 6 6 6 3.5 3.5 3.5 3.5 3.5 3.5 3.5 3.5 3.5 3.5 3.5 3.5 3.5 1.9 1.9 1.9 1.6 1.9 1.6 1.9 1.6 1.6 1.6 1 1 0.9 0.9 Package Outline GF-8 GF-8 GF-8 GF-8 GF-8 GF-8 GF-8 GF-8 GF-8 GF-8 GF-8 GF-8 GF-18 GF-18 GF-18 GF-18 GF-18 GF-18 GF-38 GF-18 GF-18 GF-38 GF-38 GF-38 GF-38 GF-38 GF-38 GF-38 GF-38 GF-38 GF-53 GF-53 Ta=25℃ C 帯：4∼8GHz ■ X/Ku 帯 高出力 GaAs FET〈内部整合型〉 Type Number MGFK38A3745 MGFK41A4045 MGFK44A4045 MGFX36V0717 MGFX39V0717 Output Power at 1dB Gain Compression [dBm] Linear Power Gain GF-27 GF-8 3rd Order IM Distortion [dBc] Power Added Efficiency Frequency Min. Typ. [dB] Min. Typ. [%] 37 40 43 34.5 37.5 38 41 44 36 39 7 6 5 8 7 -35 -35 -42 -42 - 30 25 17 32 26 [GHz] DrainSource Voltage Drain Current 13.75~14.5 14.0~14.5 14.0~14.5 10.7-11.7 10.7-11.7 10 10 10 10 10 1.5 3 6 1.2 2.4 [V] [A] GF-38 Thermal Resistance [°C/W] Typ. Max. 3.6 1.8 1.2 - 4 2.2 1.5 5.5 3.5 Package Outline GF-27 GF-8 GF-38 GF-27 GF-8 Ta=25℃ X 帯：8∼12GHz Ku 帯：12∼18GHz 三菱高周波デバイスは、すべての製品が RoHS 指令（2011/65/EU）に準拠しています。 RoHS：Restriction of the Use of Certain Hazardous Substances in Electrical and Electronic Equipment 5 応 用例 12GHz 帯コンバーター用推奨ラインアップ ②BS コンバーター 放送衛星 ①アンテナ AV テレビ ③BS チューナー 〈ビデオ〉 〈オーディオ〉 ANT ミキサー チューナーへ ２段目 初段 セレクションマップ 低雑音増幅器 中間周波数増幅器 発振器 BS コンバーターブロック図 コンバーター特性 初 段 2 段目 ミキサー 低雑音構成 MGF4937AM MGF4937AM MGF4934CM 標準構成 MGF4935AM MGF4936AM MGF4934CM 製品一覧表 マイクロ波回線用推奨ラインアップ 例：６.４∼７.２GHz マイクロ波送受信ユニット 50W 出力増幅器 −1dBm MGF1951A 13 +6dBm ダウンコンバーター 高出力増幅器 アップコンバーター MGF2407A 11 MGF2407A 11 MGF2445A 9 MGF2430A 10 信号処理システム MGFC42V 8 MGFC36V 8 MGFC47A 7 MGFC47V 8 47dBm 応用例 100W 出力増幅器 低雑音増幅器 MGFC50G 7 50dBm GaAs GaN 通信衛星用推奨ラインアップ VSAT マイクロ波送受信ユニット １４/１２GHz 通信衛星 40W 出力増幅器 0dBm MGF2407A 7 80W 出力増幅器 5dBm VSAT：Very Small Aperture Terminal ダウンコンバーター 高出力増幅器 アップコンバーター MGF2407A 7 MGF2407A 7 低雑音増幅器 MGF2407A 7 MGF2407A 7 MGFG5H1503 20 MGFG5H1502 20 信号処理システム MGFK47G 5 MGFK47G 6 46dBm MGFK49G 4 49dBm GaAs GaN 6 三菱 高周波デバイス 半導体・デバイス事業部 〒100-8310 東京都千代田区丸の内 2丁目7番3号（東京ビル） （技術・資料お問い合わせ） お問い合わせ先 http://www.MitsubishiElectric.co.jp/semiconductors/〈三菱半導体ホームページ〉 （営業お問い合わせ窓口） （2014年9月1日現在） 特約店 三菱電機本社・支社・支店 本社地区 菱洋エレクトロ株式会社 大宮支店 八王子支店 横浜支店 松本支店 株式会社立花エレテック 東京支社 協栄産業株式会社 栃木営業所 日立営業所 群馬営業所 （03）5565-1511 （048）614-8841 （042）645-8531 （045）474-1011 （0263）36-8011 （03）5400-2509 （03）3481-2044 （028）683-3011 （029）272-3911 （027）327-4345 菱電商事株式会社 東京支社 神奈川支店 北関東支社 加賀デバイス株式会社 株式会社カナデン 株式会社たけびし 東京支店 萬世電機株式会社 東京支店 株式会社コシダテック 東海エレクトロニクス株式会社 東京支店 （03）5396-6224 （045）641-0977 （027）280-5515 （03）5657-0144 （03）3433-1227 （045）474-3259 （03）3219-1800 （03）5789-1615 （03）3704-2587 菱電商事株式会社 東北支社 仙台営業所 株式会社カナデン 東北支店 （024）933-8821 （022）217-5722 （022）266-3118 協栄産業株式会社 北海道支店 （011）642-6101 菱洋エレクトロ株式会社 仙台支店 郡山営業所 協栄産業株式会社 東北支店 （022）266-3800 （024）939-3188 （022）232-7711 協栄産業株式会社 新潟営業所 （025）281-1171 菱洋エレクトロ株式会社 名古屋支店 株式会社立花エレテック 名古屋支社 協栄産業株式会社 名古屋支店 菱電商事株式会社 名古屋支社 静岡支社 浜松営業所 岡谷鋼機株式会社 名古屋本店 刈谷支店 （052） 203-0277 （052）935-1619 （052）332-3861 （052）211-1217 （054）286-2215 （053）469-0576 （052）204-8302 （0566）21-3222 菱洋エレクトロ株式会社 大阪支店 京都営業所 株式会社立花エレテック 神戸支店 協栄産業株式会社 大阪営業所 菱電商事株式会社 関西支社 （06）6201-2245 （075）371-5751 （06）6539-2707 （078）332-7812 （06）6343-9663 （06）6399-3456 加賀デバイス株式会社 関西支店 株式会社カナデン 関西支社 株式会社たけびし 大阪支店 萬世電機株式会社 東海エレクトロニクス株式会社 大阪支店 （06）6105-0449 （06）6763-6809 （075）325-2211 （06）6341-5081 （06）6454-8233 （06）6310-6115 立花エレテック 北陸支店 協栄産業株式会社 北陸営業所 （076）233-3505 （076）234-6511 菱電商事株式会社 北陸営業所 （076）224-4102 菱電商事株式会社 広島支社 （082）227-5411 山陽三菱電機販売株式会社 （082）243-9300 菱電商事株式会社 四国支社 （087）885-3913 菱洋エレクトロ株式会社 福岡営業所 菱電商事株式会社 九州支社 （092）474-4311 （092）736-5759 中部支社地区 東海エレクトロニクス株式会社本社 津支店 小牧支店 中部三菱電機機器販売株式会社本社 エレックヒシキ株式会社本社 株式会社菱和 浜松支店 （052）261-3215 （059）226-0515 （0568）75-4701 （052）889-0032 （052）704-2121 （053）450-3162 関西支社地区 九州支社地区 株式会社カナデン 九州支店 株式会社たけびし 九州支店 （093）561-6483 （092）473-7580 HG-360T 北-1409（TOT） ©2014 MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION. 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