037 工学部
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環境
エネルギー
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次世代型太陽電池を目指した要素技術開発
環境エネルギーシステム専攻 准教授・吉田 憲充、電気電子・情報工学科 助教・大橋 史隆
E-mail
[email protected]
概要
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内容
(a) Vac. anneal:
400 °C, 3 h
 20
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Cu K
20
30
NaSi(600)
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NaSi(400, 311)
㻤㻌
Si(111)
Ar anneal:
580 °C, 48 h
NaSi(200)
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: Si(111) substrate
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NaSi(202)
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Intensity [a.u.]
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: Type II clathrate
NaSi(404)
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40
50
60
Diffraction angle: 2 [°]
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[1] P. E. Nordal and S. O. Kanstad, Physica Scripta, 20 (1979) 659.
[2] P. E. Nordal and S. O. Kanstad, Appl.Phys.Lett., 38 (1981) 486.
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アピールポイント
中高生のみなさんへ
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産業界・地域の方へ
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29
30

研 究 課 題 名 ガラス上における高品質 Ge 層の化学気相成長

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