半導体の接合（教科書 p. 154－173） 目 標 次の用語の意味を正しく理解すること ① ② ③ ④ ⑤ ⑥ ⑦ 仕事関数 電子親和力 空乏層 ショットキー接合 オーミック接合 pn接合 整流作用 ※pn接合の作り方は省略 ①仕事関数（教科書 p. 154－155） φ [eV] Pt 5.3 Ni 5.0 W 4.5 Cu 4.3 Ca 3.2 Ba 2.5 Cs 1.8 BaO 1.1 原子のイオン化エネルギー 基底状態にある気体状の原子から真空中で電子1個を取 り除いて陽イオンにするのに必要なエネルギー 高い（不安定） エネルギー 真空のエネルギー 原子のイオン化エネルギー 原子価軌道のエネルギー 価電子 低い（安定） = 0 とおく 第一イオン化エネルギー（参考） φ [eV] Pt 5.3 Ni 5.0 W 4.5 Cu 4.3 Ca 3.2 Ba 2.5 Cs 1.8 電極として良く使われる金属 n型→ Al, In p型→ Ni, Au Ni BaO 1.1 T > 0 K の仕事関数（教科書 p. 156） 0 eV 仕事関数 仕事関数の異なる金属接合（教科書 p. 156） 接合前 0 eV 仕事関数B 仕事関数A 仕事関数の異なる金属接合（教科書 p. 156） 接合直後 0 eV 仕事関数の異なる金属接合（教科書 p. 156） 遷移状態 障壁 接触電位差 仕事関数の異なる金属接合（教科書 p. 156） 接合完了 ④ショットキー接合（教科書 p. 157） 接合前 φMーφS > 0 0 eV 電子移動 ②電子親和力 ショットキー接合（教科書 p. 157） 接合完了 ③空乏層 順バイアス（教科書 p. 163） V +V 金属 n型半導体 V V 逆バイアス（教科書 p. 163） V -V 金属 n型半導体 V V ショットキーダイオード（教科書 p. 166） +V -V 金属 金属 n型半導体 n型半導体 ⑤ｵｰﾐｯｸ接合（教科書 p. 166－167） 接合前 φMーφS < 0 真空準位 電子移動 ｵｰﾐｯｸ接合（教科書 p. 166－167） ⑥pn接合（教科書 p. 171） 接合前のエネルギーバンド pn接合（教科書 p. 171） 接合後のエネルギーバンド 拡散電位 pn接合（教科書 p. 171） － B + As pn接合（教科書 p. 171） － B + As ⑦pn接合の整流作用（教科書 p. 169－173） p型半導体 p型半導体 n型半導体 n型半導体 順バイアス（教科書 p. 172） 逆バイアス（教科書 p. 172）
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