CDZFH8.2B : ダイオード - Rohm

定電圧ダイオード
AEC-Q101準拠
CDZFH8.2B
●外形寸法図(Unit : mm)
●用途
定電圧制御用
●ランド寸法図(Unit : mm)
0.16±0.05
0.55
0.5
0.45
②
1.0±0.05
①
0.9±0.05
●特長
1)超小型2端子ミニモールドで
高密度実装タイプである。(VMN2)
2) 高信頼度
3)チップマウンターによる自動実装が可能
0.45
0.6±0.05
VMN2
0.156
●構造
シリコンエピタキシャルプレーナ型
0.37±0.03
0.35±0.1
●回路図
ROHM : VMN2
ドット(年週工場)+曜日
①
②
EX. CDZFH3.6B
●テーピング仕様(Unit : mm)
2±0.05
0.7±0.05
2±0.05
φ1.55
0.2±0.05
8.0±0.2
1.1±0.05
3.5±0.05
1.75±0.1
4±0.1
φ0.5
●絶対最大定格(Ta=25℃)
Parameter
許容損失
接合部温度
保存温度
動作温度
Symbol
P
Tj
Tstg
Topr
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Limits
100
150
-55~+150
-55~+150
1/4
0.52
4.0±0.1
Unit
mW
℃
℃
℃
2011.10 - Rev.B
CDZFH8.2B
Data Sheet
Electrical
(Ta=25C)
(Ta=25°C)
l 電気的特性characteristics
Symbol
Zener voltage: :Vz(V)
Vz(V)
ツェナー電圧
TYP.
CDZFH3.6B
CDZ 3.6B
CDZFH3.9B
CDZ 3.9B
CDZFH4.3B
CDZ 4.3B
CDZFH4.7B
CDZ 4.7B
CDZFH5.1B
CDZ 5.1B
CDZFH5.6B
CDZ 5.6B
CDZFH6.2B
CDZ 6.2B
CDZFH6.8B
CDZ 6.8B
CDZFH7.5B
CDZ 7.5B
CDZFH8.2B
CDZ 8.2B
CDZ 9.1B
CDZFH9.1B
CDZ 10B
CDZFH10B
CDZ 11B
CDZFH11B
CDZ 12B
CDZFH12B
CDZ 13B
CDZFH13B
CDZ 15B
CDZFH15B
CDZFH16B
CDZ 16B
MIN.
3.600
3.890
MAX.
3.845
4.160
4.170
4.550
4.980
5.490
6.060
6.650
7.280
8.020
8.850
9.770
10.760
11.740
12.910
14.340
15.850
4.430
4.750
5.200
5.730
6.330
6.930
7.600
8.360
9.230
10.210
11.220
12.240
13.490
14.980
16.510
Iz(mA)
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
Operating
resistance
:Zz(Ω)
: Zz(W)
動作抵抗
MAX.
100
100
100
100
80
60
60
40
30
30
30
30
30
30
37
42
50
Iz(mA)
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
Rising
operating
立ち上がり
resistance:Zz(Ω)
動作抵抗 : Zz(W)
Reverse current :
逆電流 : IR(uA)
IR(uA)
MAX.
1000.0
1000.0
MAX.
10.0
5.0
5.0
2.0
2.0
1.0
1.0
0.5
0.5
0.5
0.5
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
Iz(mA)
1.0
1.0
1.0
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
1000.0
800.0
500.0
200.0
100.0
60.0
60.0
60.0
60.0
60.0
60.0
80.0
80.0
80.0
80.0
VR(V)
1.0
1.0
1.0
1.0
1.5
2.5
3.0
3.5
4.0
5.0
6.0
7.0
8.0
9.0
10.0
11.0
12.0
Type
No. No.)
l 標印 (TYPE
形名
TYPE
CDZ 3.6B
CDZFH3.6B
CDZ 3.9B
CDZFH3.9B
CDZ 4.3B
CDZFH4.3B
CDZFH4.7B
CDZ 4.7B
CDZFH5.1B
CDZ 5.1B
CDZFH5.6B
CDZ 5.6B
CDZFH6.2B
CDZ 6.2B
CDZFH6.8B
CDZ 6.8B
CDZFH7.5B
CDZ 7.5B
TYPE NO.
7
1
2
3
5
7
C
E
F
www.rohm.com
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○
形名
TYPE
CDZ
CDZFH8.2B
8.2B
CDZ
CDZFH9.1B
9.1B
CDZ 10B
CDZFH10B
CDZFH11B
CDZ
11B
CDZFH12B
CDZ 12B
CDZFH13B
CDZ 13B
CDZFH15B
CDZ 15B
CDZFH16B
CDZ 16B
TYPE NO.
H
J
K
L
N
S
C
E
2/4
2011.10 - Rev.B
CDZFH8.2B
Data Sheet
10
1
0.1
5.1
0.01
4.3
4.7
5.6
3.9
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
12
11
10
16
15
13
3.6
0.001
0
5
10
REVERSE SURGE MAXIMUM
POWER:PRSM(W)
PRSM
1000
100
80
60
40
20
0
25
50
75
100
125
150
AMBIENT TEMPERATURE:Ta(℃)
Pd-Ta CHARACTERISTICS
10
1
0.1
35
0.08
30
0.06
25
0.04
20
0.02
15
0
10
-0.02
5
-0.04
0
-0.06
-0.08
-5
0
10
20
30
ZENER VOLTAGE:Vz(V)
γz-Vz CHARACTERISTICS
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40
TRANSIENT
THAERMAL IMPEDANCE:Rth (℃/W)
40
TEMP.COEFFICIENCE:γz(mV/℃)
1000
0.12
t
100
0.1
0.001
0
TEMP.COEFFICIENCE:γz(%/℃)
20
10000
120
POWER DISSIPATION:Pd(W)
15
0.01
0.1
1
10
Rth(j-c)
100
10
100
TIME:t(ms)
PRSM-TIME CHARACTERISTICS
Rth(j-a)
ガラスエポキシ基板実装時
IM=1mA
1
1ms
IF=10mA
time
300us
0.1
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
TIME:t(s)
Rth-t CHARACTERISTICS
3/
2011.10 - Rev.B
CDZFH8.2B
Ta=125℃
0.1
0.01
0.001
7.5
8
8.5
9
REVERSE CURRENT:IR(nA)
10
Ta=75℃
1
Ta=25℃
0.1
0.01
Ta=-25℃
0.0001
1
0
2
3
4
5
0
8.3
8.2
AVE:8.212V
8.1
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
AVE:0.073nA
0.1
Vz DISPERSION MAP
3
4
5
Ta=25℃
f=1MHz
VR=0V
n=10pcs
90
80
70
60
50
40
30
20
AVE:36.38pF
10
0
8
2
100
Ta=25℃
VR=5.0V
n=30pcs
0.8
0.2
1
REVERSE VOLTAGE:VR(V)
VR-Ct CHARACTERISTICS
1
0.9
REVERSE CURRENT:IR(nA)
ZENER VOLTAGE:Vz(V)
1
REVERSE VOLTAGE:VR(V)
VR-IR CHARACTERISTICS
8.5
8.4
10
0.001
ZENER VOLTAGE:Vz(V)
Vz-Iz CHARACTERISTICS
Ta=25℃
IZ=5mA
n=30pcs
f=1MHz
100
CAPACITANCE BETWEEN
TERMINALS:Ct(pF)
ZENER CURRENT:Iz(mA)
Ta=75℃
Ta=-25℃
7
Ta=125℃
100
Ta=25℃
CAPACITANCE BETWEEN
TERMINALS:Ct(pF)
10
1
Data Sheet
0
IR DISPERSION MAP
Ct DISPERSION MAP
DYNAMIC IMPEDANCE:Zz(Ω)
100
10
1
0.1
1
ZENER CURRENT:Iz(mA)
Zz-Iz CHARACTERISTICS
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10
4/4
2011.10 - Rev.B
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R1120A