Silicon On Insulator (SOI)
transistor TEGの照射前後の測定
L=0.15 L=0.30 L=0.50
L=0.30
L=0.50(um)
W=300 W=600 W=1000
W=600
W=1000
PMOS LowVt
L/W=0.3/600
L/W=0.15/300
L/W=0.5/1000
PMOS HighVt
L/W=0.3/600
L/W=0.15/300
L/W=0.5/1000
PMOS IO
L/W=0.5/1000
L/W=0.3/600
NMOS LowVt
L/W=0.3/600
L/W=0.15/300
L/W=0.5/1000
NMOS HighVt
L/W=0.3/600
L/W=0.15/300
L/W=0.5/1000
NMOS IO
L/W=0.3/600
L/W=0.5/1000
同様な結果がH3_6,H4_6,H6_6で得られた
Vd、Id
Vds
Vg
Vgs
NOT回路
Transistorのパラメータ
NOR回路
NOR ＊ NOT => AND

スライド 1

飽和領域 線形領域 V = 5V V = 4V V = 3V V I V = 0V オフ領域 遮断領域