Silicon On Insulator (SOI)
transistor TEGの照射前後の測定
L=0.15 L=0.30 L=0.50
L=0.30
L=0.50(um)
W=300 W=600 W=1000
W=600
W=1000
gate0
gate3
gate6
Vds =Vd - Vs
Vd、Id
Vds
Vg
Vgs = Vg - Vs
Vs
Vgs
Transistorのパラメータ
Vgの値が変化するとVsの値も変化してしまう
H06_6 floatとB.Tの違い
PMOSgate0
PMOSgate3
<float>
<B.T>
PMOS gate6
NMOS gate0
<float>
<B.T>
nonirrad
sample
PMOS Low Vt
L=0.15(um),W=300(um)
PMOS Low Vt
L=0.30,W=600
PMOS High Vt
L=0.15,W=300<float>
PMOS IO
L=0.30,W=600
NMOS Low Vt
L=0.15(um),W=300(um)
NMOS High Vt
L=0.15,W=300
NMOS IO
L=0.30,W=600
back up
NMOS gate3
NMOS gate6

スライド 1

飽和領域 線形領域 V = 5V V = 4V V = 3V V I V = 0V オフ領域 遮断領域