3・3不純物準位 • 水素原子類似 固体中では比誘電率、有効質量を用いて近似する。 • ドナー準位は伝導帯下縁よりイオン化電圧だけ下。 • アクセプタ準位は価電子帯よりイオン化電圧だけ上。 3・4不純物半導体のキャリヤ 密度とフェルミ準位 • 電子は価電子帯からとドナー準位から供給される。 • 低温ではドナーから供給 • 常温ではドナーからの供給は飽和 ドナーは全て電離 • 高温では価電子帯から供給 真性半導体と同じ • n形半導体のフェルミ準位の温度依存性 温度上昇とともにフェルミ準位はドナー準位近辺から 禁制帯中央に下がる。 • P形半導体のフェルミ準位は逆に上がる。 演習問題 • 教科書(3.24)式から(3.25)式を導出せよ。
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