レイアウトアウトライン
TM2005/5/25
4層(500μ)200mmSQ.
ボンディング効率から半分の６４ｃｈ/chipとする
４個のVA1使用すると、合計２５６ｃｈある
GEM Spacer hole
3.2Φx４
（117x117)
250本のストリップライン
VA1ｘ８
チップ抵抗,
コンデンサー
エリア;
6.25mm２ｘ４
=25mm２
ストリップピッチ；
400μ
AC Couple?
4mm
30mm
１００mmSQ.
ストリップ幅
表面;80μ
裏面;340μ
プトン厚
50μ
2層 (50μ) 110mmSQ.
カ
TM2005/5/25
レイアウト
拡大
Ideas
VA1
128ch 6.12x4.04mm
t;0.6mm
50x90μ Pad size
１００mmSQ.
150μx3mmPads
表面拡大
3mm
80μ
320μ
340μ 60μ
裏面
TM2005/5/25
VA1 side
Bonding wire(25μAu)
150μx3mmPads
Teadrop
0.5mmSQ. Pad
千鳥
0.3Φスルーホール
180μ線幅
スルーホール詳細
340μ
60μ
TM2005/5/25
80μ線幅
表面
６本はGNDに
１００mmSQ.
GEM接続パッド
裏面
340μ線幅
接続パッド
TM2005/5/25
Ideas VA1
Die size;6.12mm x 4.04mm thickness;600μ
Input bonding pads;pad size;50μx90μ pad pitch;91.2μ
Output and power bonding pads;pad size;90μx90μ pad pitch;200μ
Radiatin hardness;1Mrad
Power rails;Vdd=2V ,Vss=‐2V
Gain;12.5mV/fC nominal with differential outputs each driving 500Ω
Current gain is about 10μA/fC. The gain depends on setting parameters like VFS,Sha-bias etc.
問題点
１）ベアチップと基板のワイヤーボンディング後のワイヤー保護
２）基板等の反りによるワイヤーへのストレス
３）量産時での対応
オプテカルセメント(belle;坪山氏）アラルダイト系
TM2005/5/25
VA1 Power,Control,DAQ etc.
-Vdd;2V Vss;-2V Power dissipation;68～177mW→544～1416mW
DC‐DC Converter; LT1963 , LM2991(1.5A,1A)
-External power tab?
-DAQ board(KEK-VME6U)
-Analogue-OUT(1kΩ/1kΩ termination) ; I to V
ADC
-CS ADC;camac,16CH RPC022
-V792(CAEN);vme,32ch,400pc,12bit Gain;100fC/count
-CS ADC;vme,16CH RPV170,-1000pc,12bit

MPGDƒfƒUƒCƒ“1

17VA uVSI Hvuv xNoA Jv