最終更新日 /2006/06/21/
【図１】 DC-SQUIDの素子構造について
フィードバック・コイル
Nb
ジョゼフソン接合
インプット・コイル
ジョゼフソン接合部
コイル層
酸化膜(絶縁)層
SQUIDリング層
シリコン基板層
最終更新日 /2006/06/21/
【図２】 DC-SQUIDの素子特性[I-V特性]について
４端子法ではかる！
I/V
ｺﾝﾊﾞｰﾀ
ﾌｧﾝｸｼｮﾝ
ｼﾞｪﾈﾚｰﾀ
計装用ア
ンプ
バイアス電流x
出力電圧y
Jはジョゼフソン接合
一般的にバイアス電流は５μAから５０μAで
超電導状態から電圧を発生する状態にな
る。
発生する電圧は数μV~数十μVのオーダー。
SQUIDの素子特性を取る場合にはSQUID
リングに環境磁界や電磁波が入らないように
厳重な遮蔽状態で行う必要がある。
電源は電池でなくともよいが、
３端子コンデンサ等を用いた
電磁波対策が必須。配線はア
ンテナと考えること。
横軸x
縦軸y
最終更新日 /2006/06/21/
【図３】 DC-SQUIDの素子特性[φｰV特性]について