Ashing System ～Barrel Type～ Plasma System Division Y.A.C. Co., Ltd YIEL D OF AUT OMAT IC CONT ROL ES Line up • DES-220-459AVL（Ultima) φ8 inch 専用機 生産性を重視しWafer自動搬送機付き • DES-212-304AVLⅢ（304AV） φ6 inch 以下用装置 生産性を重視しWafer自動搬送機付き（AVLⅢ） • PACKⅠ・Ⅱ・Ⅲ・Ⅳ 1 チャンバーのシンプルな構成 minimum footprint, 低コストバージョン Plasma System Division Y.A.C. Co., Ltd YIEL D OF AUT OMAT IC CONT ROL ES 電極形状 対向電極方式 同軸電極方式 ガス導入 ガス導入 Wafer Wafer 給電電極 ウェーハボート 給電電極 Q'zチャンバー Q'zチャンバー GND電極 GND電極 ウェーハボート To pump アッシングレート チャージアップ Plasma System Division To pump 電極形状 対向電極方式 ＞ 同軸電極方式 対向電極方式 ＞ 同軸電極方式 Y.A.C. Co., Ltd YIEL D OF AUT OMAT IC CONT ROL ES DES-220-459AVL ULTIMAⅢ 処理基板サイズφ8 inch 100枚/2Chamber 処理 Wafer loader / unloader 搭載 同軸電極方式 アッシングレート： 350 [Å/min] 以上 均一性(面内）： ±20 [％] 均一性(バッチ内）： ±10 [%] Plasma System Division Y.A.C. Co., Ltd YIEL D OF AUT OMAT IC CONT ROL ES DES-220-459AVL ULTIMAⅢ チャンバー予備寸法 ウェーハ処理枚数 カセットステーション 電極構成 プロセスレシピ ステップ 装置寸法 装置重量 Plasma System Division φ450×900L [mm] 50枚(+2：dumy)/チャンバー 3 Stations 同軸型 20 レシピ 3 Staps 1600W×2150D×2100H [mm] 1300 [kg] Y.A.C. Co., Ltd YIEL D OF AUT OMAT IC CONT ROL ES DES-212-304AVLⅢ DES-212-304AV φ5 or 6 inch Wafer 処理装置 Wafer Loader / Unloader 搭載(AVLⅢのみ) 1バッチ50枚処理/チャンバー 2チャンバー構成 フットプリント 1290W×1470D×1980H [mm] (AVLⅢ) 1000W×900D×1730H [mm] (AV) ※写真はAVLⅢ Plasma System Division Y.A.C. Co., Ltd YIEL D OF AUT OMAT IC CONT ROL ES DES-212-304AVLⅢ DES-212-304AV ～Ashing Rate & Uniformity～ 処理基板サイズ：φ5 or 6 inch 電極構成：同軸電極方式 or 対向電極方式 電極形状 対向電極方式 同軸電極方式 ウェーハサイズ φ5 inch φ6 inch φ5 inch φ6 inch アッシングレート 400 350 350 300 面内均一性 25 30 20 20 バッチ内均一性 20 20 15 15 Plasma System Division 単位 [Å/min] % % Y.A.C. Co., Ltd YIEL D OF AUT OMAT IC CONT ROL ES PACK Series 1チャンバー構成 低Coo minimum footprint PACK Ⅰ PACK Ⅱ PACK Ⅲ PACK Ⅳ チャンバーサイズ φ250×400L φ300×400L 発振器パワー 500 [W] 1000 [W] 放電方式 対向電極方式 同軸電極方式 対向電極方式 同軸電極方式 外形寸法 805W×905D×1400H [mm] 850W×905D×1465H [mm] ※ 外形寸法は台を含む Plasma System Division Y.A.C. Co., Ltd YIEL D OF AUT OMAT IC CONT ROL ES Ashing Rate ～φ8inches Wafer Normal Resist Data～ Ashing Rate Unif.(W.f. to W.f.) Unif.(Within W.f.) 500 Ashing Rate Unif.(W.f. to W.f.) 100 Unif.(Within W.f.) 500 100 300 60 200 40 100 20 400 80 350 300 60 250 200 40 150 100 Uniformity [%] 80 Ashing Rate [Å/min] 400 Uniformity [%] Ashing Rate [Å/min] 450 20 50 0 200 400 600 800 1000 0 1200 Pressure [mTorr] ガス圧力依存性 Plasma System Division 0 0 500 1000 1500 2000 0 2500 Gas Flow Rate [SCCM] ガス流量依存性 Y.A.C. Co., Ltd YIEL D OF AUT OMAT IC CONT ROL ES Ashing Rate ～φ6inches Wafer Normal Resist Data～ 100 400 80 300 60 200 40 100 20 0 0 500 1000 0 1500 Pressure [mTorr] ガス圧力依存性 Plasma System Division Ashing Rate [Å/min] 500 Ashing Rate Ashing Rate Unif. Unif. 500 100 400 80 300 60 200 40 100 20 0 0 200 400 600 0 800 1000 Uniformity (Within Wafer) [%] 対向電極 同軸電極 対向電極 同軸電極 Ashing Rate Ashing Rate Unif. Unif. Uniformity (Within Wafer) [%] Ashing Rate [Å/min] 対向電極 同軸電極 対向電極 同軸電極 Gas Flow Rate [SCCM] ガス流量依存性 Y.A.C. Co., Ltd YIEL D OF AUT OMAT IC CONT ROL ES
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