(Lab03-Polarización del BJT)

UNIVERSIDAD DE LA FRONTERA
FACULTAD DE INGENIERÍA Y CIENCIAS
DEPTO. INGENIERÍA ELÉCTRICA
LABORATORIO DE CIRCUITOS ELECTRÓNICOS I
TEMA Nº 3 : Polarización del Transistor Bipolar
Preparado por: J.I.Huircán
Profesor: J. Huircan
OBJETIVOS
Diseñar una red de polarización fija
Medir los puntos de operación
Obtener las curvas del transistor
Diseño de malla de polarización universal
INTRODUCCIÓN
En un transistor Bipolar (BJT), las variables IB e IC están relacionadas con el parámetro β,
mientras éste se encuentra trabajando en zona activa. Para que el dispositivo pueda operar
se debe establecer un punto de operación, punto de reposo o punto Q. Este punto consiste en
fel establecimiento de los valores de iC=ICQ y vCE=VCEQ del transistor.
El punto de operación puede ser muy sensible y puede variar, las causas de esta inestabilidad
del punto Q se deben básicamente a que:
Ico aumenta con la temperatura.
VBE varía en forma inversa con los cambios de temperatura.
El parámetro β es diferente para transistores del mismo tipo, lo que significa que las
curvas características son diferentes en transistores del mismo tipo y a una misma
temperatura.
Una de las principales utilidades del transistor es su uso como elemento amplificador dentro
de un circuito específico, ya sea como aplificador de corriente o de voltaje o en diferentes
circuitos de radiofrecuencia, audio, control, etc.
DESARROLLO TEÓRICO
1.
Para un transistor NPN-PNP ________. Diseñar una red de polarización fija de la Figura 1.
Considere VCC=5V, VBB=2V, VBE(ON)=0.7V. ICQ=_____mA y VCEQ=______V. Busque el valor
de β en el manual (Aparece como hFE). Revise el documento de polarización de
transistores [1].
Rev. 01-04-2015
Laboratorio Circuitos Electrónicos I- 2015
RC
RB
+
VBB
+
+
i
B
v
BE _
v
CE
+
iC
VCC
_
Figura 1. Circuito de polarización fija.
2.
Para un transistor definido en el punto 1 diseñe un circuito de polarización universal de la
Figura 2 (Revise el documento de polarización de transistores [1]) con las siguientes
características:
Vcc
±
[V]
ICQ
±
[mA]
VCEQ
±
[V]
R1||R2
Vcc
R1
RC
Q1
R2
RE
Figura 2. Circuito de polarización universal.
3.
Realizar una estandarización de los valores de resistencias del diseño1. Recalcular el
punto de trabajo con dichos valores.¿ En qué porcentaje varia el pto. De operación?
OBS:
La estandarización consiste en modificar loas valores de los resistores obtenidos a
valores estándares cercanos, por ejemplo si RE=210Ω, entonces se puede aproximar a
220Ω o 180Ω, esto implica recalcular el punto de operación, produciéndose una variación
respecto al solicitado.
Laboratorio Circuitos Electrónicos - 2014
4.
Realice una investigación respecto de los terminales del transistor, es decir, la
identificación de Base, Colector y Emisor. Esto está directamente relacionado con el
encapsulado del transistor. Revise los encapsulados T0-92 y T0-18. Incorpore para el
transistor elegido copia las hojas especificaciones de 2 fabricantes y los dos formatos
del transistor.
CUESTIONARIO COMPLEMENTARIO
1. Parámetros del transistor a pequeña señal
2. Investigue de acuerdo al datasheet del transistor los valores de los parámetros hfe y
hie.
Algunos Transistores disponibles:
2N2925
2N2905
2N3906
2N5458
2N3904
2N2219
2N3053
K105
2N2222
2N2484
2N3903
2N3724
2N3055
TIP147
PREINFORME
ִ
ִ
ִ
ִ
Diseño (partes 1, 2 y 3)
Cuestionario
Layout del montaje
Hoja de pedido
CARPETA DE TRABAJO INDIVIDUAL
ִ
Debe contener los datasheet de componentes a utilizar (al menos de dos fabricantes
por cada uno).
ִ
Copia de preinforme
BIBLIOGRAFÍA
APUNTES CLASES Electrónica
[1] Huircan, J. Polarización y estabilidad del Transistor.
Libros
[2] Savant, Diseño Electrónico,1992
Laboratorio Circuitos Electrónicos - 2014
[3] Schilling, Circuitos Electrónicos Discretos e Integrados, 1993
Manuales
National Semicoductor, Discrete Semicoductor Products DataBook, 1989
Texas Instruments, The transitor and Diode DataBook
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