程表（会場別Ⅰ）

60
270
270
220
220
70
70
134
168
47
47
49
301
302
303
304
311
312
313
315
316
317
318
122
994
人数
収容
213
(211+212)
211
(メインホール)
MH
会場名
午後
午後
らす次世代再生可能エネルギー
システム－
らす次世代再生可能エネルギー
システム－
12.1 作製・構造制御
13:15 ~ 17:15
12.1 作製・構造制御
09:30 ~ 11:45
09:00 ~ 11:45
晶・エピタキシーの基礎
15.3 III-V族エピタキシャル結
13:15 ~ 17:45
イントシンポジウム
バイオセンシングに関するジョ
8.5 プラズマナノテクノロジー
09:00 ~ 11:30
8.6 プラズマライフサイエンス
S19 ナノバイオテクノロジーと 09:00 ~ 12:15
の材料・デバイス研究開発への
応用：現状と今後の展望
13:45 ~ 15:30
8.8 Plasma Electronics
English Session
09:00 ~ 12:00
15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶
15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶
ン：ビーム応用大分類
ン：ビーム応用大分類
ロセスおよび結晶成長
11.3 臨界電流，超伝導パワー応 11.2 薄膜，厚膜，テープ作製プ
用
09:00 ~ 12:00
CS.4 7. コードシェアセッショ
CS.4 7. コードシェアセッショ
13:15 ~ 17:30
11.1 基礎物性
13:15 ~ 16:15
1.3 新技術・複合新領域
バー
11.1 基礎物性
09:30 ~ 11:45
09:00 ~ 12:00
バー
13:00 ~ 16:45
13:45 ~ 16:00
源）ガスイオン顕微鏡技術とそ
S23 GFIS（電界電離ガスイオン
14:00 ~ 17:00
8.1 プラズマ生成・制御
8.3 プラズマ成膜・表面処理
合分野
8.7 プラズマ現象・新応用・融
12:45 ~ 17:00
／集積化技術」のコードシェア
「絶縁膜技術」,13.5「デバイス
CS.2 6.1「強誘電体薄膜」,13.3
13:00 ~ 17:00
09:00 ~ 13:00
8.4 プラズマエッチング
8.6 プラズマライフサイエンス
13:15 ~ 18:00
09:00 ~ 11:30
13:45 ~ 17:00
術
11.4 アナログ応用および関連技
11.5 接合，回路作製プロセスお 3.14 光制御デバイス・光ファイ 3.14 光制御デバイス・光ファイ
13:15 ~ 17:15
イス・プロセス技術
よびデジタル応用
イス・プロセス技術
13:15 ~ 16:00
6.5 表面物理・真空
13:15 ~ 17:45
イス・プロセス技術
09:30 ~ 11:45
イス・プロセス技術
13.8 化合物及びパワー電子デバ 13.8 化合物及びパワー電子デバ 13.8 化合物及びパワー電子デバ 13.8 化合物及びパワー電子デバ 11:30 ~ 12:15
13:30 ~ 18:00
09:00 ~ 12:15
3.1 光学基礎・光学新領域
3.1 光学基礎・光学新領域
13:15 ~ 18:30
13:15 ~ 16:00
09:30 ~ 11:30
09:00 ~ 12:00
3.6 超高速・高強度レーザー
3.6 超高速・高強度レーザー
6.4 薄膜新材料
12.2 評価・基礎物性
12.2 評価・基礎物性
12.2 評価・基礎物性
13:15 ~ 14:30
13:15 ~ 19:00
09:00 ~ 12:00
13:15 ~ 18:15
09:00 ~ 12:00
信頼配線技術
配線・MEMS・集積化技術
率・低コスト太陽光発電がもた
13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・ S20 長期保管メモリのための高率・低コスト太陽光発電がもた
S28 Photovoltaic 4.0 －高効
S28 Photovoltaic 4.0 －高効
13:15 ~ 18:30
ハウ～
際ジャーナルと英文執筆のノウ
13:15 ~ 18:00
13:00 ~ 18:00
09:15 ~ 11:30
MEMSデバイスと関連技術
S22 自動走行に資する車載
09:00 ~ 12:15
配線・MEMS・集積化技術
13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・
SP1 『目指せ！論文掲載』～国
09:00 ~ 11:30
12.5 有機太陽電池
12.5 有機太陽電池
6.6 プローブ顕微鏡
12.5 有機太陽電池
12.5 有機太陽電池
13:15 ~ 16:00
09:00 ~ 12:15
13:30 ~ 18:00
09:30 ~ 11:45
13:00 ~ 18:00
09:00 ~ 11:45
09:15 ~ 12:00
の現状と課題
から「作りながら測る」へ－
12.5 有機太陽電池
クスにおける有機トランジスタ
察技術の展望－「作って測る」 12.4 有機EL・トランジスタ
12.4 有機EL・トランジスタ
12.4 有機EL・トランジスタ
09:00 ~ 13:30
12.4 有機EL・トランジスタ
S16 プリンテッドエレクトロニ
S18 有機薄膜素子作製その場観 09:00 ~ 12:00
13:15 ~ 16:30
13:15 ~ 17:00
13:15 ~ 18:45
13:30 ~ 17:00
15.6 IV族系化合物（SiC）
09:00 ~ 11:45
るプラズマ技術最前線
分科内招待講演
化物の役割
13:45 ~ 17:00
13:15 ~ 18:00
S12 エネルギー材料開発に資すドシェアセッション
8.9 プラズマエレクトロニクス
15.6 IV族系化合物（SiC）
S9 次世代ニューロモルフィック 09:00 ~ 12:15
13:15 ~ 18:30
12.2「評価・基礎物性」のコーハードウェアにおける機能性酸
CS.3 6.6「プローブ顕微鏡」,
その産業化ロードマップ
13:45 ~ 18:15
賞授賞式
8.10 プラズマエレクトロニクス 09:30 ~ 11:30
13:30 ~ 13:45
3.5 レーザー装置・材料
11:00 ~ 11:30
8.2 プラズマ診断・計測
ス・デバイス
ス・デバイス
セッション
14:30 ~ 19:00
16.1 基礎物性・評価・プロセ
16.1 基礎物性・評価・プロセ
ファイバー」のコードシェア
料」,3.14「光制御デバイス・光 09:30 ~ 11:30
CS.9 3.5「レーザー装置・材
ハーモニックイノベーションと
SP2 半導体とコンピュータとの
13:00 ~ 18:00
3.5 レーザー装置・材料
6.4 薄膜新材料
6.4 薄膜新材料
09:00 ~ 10:45
09:00 ~ 12:15
13:45 ~ 18:30
09:00 ~ 12:15
13:45 ~ 17:30
16.3 シリコン系太陽電池
16.3 シリコン系太陽電池
16.3 シリコン系太陽電池
16.3 シリコン系太陽電池
16.3 シリコン系太陽電池
3.9 テラヘルツ全般
3.9 テラヘルツ全般
3.9 テラヘルツ全般
13:15 ~ 14:15
13:30 ~ 16:45
09:45 ~ 11:45
13:15 ~ 18:15
価：応用物理と未来社会
SP6 いま問われる研究業績評
13:00 ~ 17:00
3月17日(金)
09:45 ~ 11:15
午前
13:30 ~ 18:15
SP5 健康なくらしと応用物理
13:00 ~ 17:55
3月16日(木)
09:00 ~ 12:30
らす結晶成長プロセスの革新
午前
13:30 ~ 18:15
S25 インフォマティクスがもた
午後
動運転の課題と応物への期待～
3月15日(水)
SP3 キントウンをつくる　～自
午前
13:45 ~ 17:30
午後
13:00 ~ 18:10
3月14日(火)
10:00 ~ 12:00
午前
日程表（会場別Ⅰ）
72
72
103
150
150
124
124
50
50
50
48
264
264
300
412
413
414
416
418
419
421
422
423
424
501
502
503
人数
収容
411
会場名
り面白い！～世界を牽引するメ
インプレイヤーから業界の今と
主体的なキャリア選択を学ぶ～
ト太陽電池の基礎およびその研
究最前線ー高効率化、耐久性、
Pb フリーー」
13:15 ~ 18:15
3.2 材料・機器光学
3.13 半導体光デバイス
9.2 ナノワイヤ・ナノ粒子
13:15 ~ 17:45
3.13 半導体光デバイス
9.2 ナノワイヤ・ナノ粒子
09:00 ~ 12:15
3.13 半導体光デバイス
9.1 誘電材料・誘電体
学生にいかに伝えるか？」　～”
原子物理”に関連する授業を中心
CS.4 7. コードシェアセッショ
ン：ビーム応用大分類
ン：ビーム応用大分類
ドギャップ酸化物半導体材料・
デバイス」
ドギャップ酸化物半導体材料・
デバイス」
ドギャップ酸化物半導体材料・
デバイス」
15.4 III-V族窒化物結晶
09:00 ~ 12:15
21.1 合同セッションＫ「ワイ
21.1 合同セッションＫ「ワイ
～
学　～発光再結合の解明と制御
15.4 III-V族窒化物結晶
S24 窒化物半導体特異構造の科 09:00 ~ 12:15
13:45 ~ 17:45
09:00 ~ 12:15
13:45 ~ 17:45
超伝導・強相関
10.4 半導体スピントロニクス・
21.1 合同セッションＫ「ワイ
超伝導・強相関
10.4 半導体スピントロニクス・
14:45 ~ 15:45
リ・ストレージ技術
10.3 スピンデバイス・磁気メモ
13:45 ~ 17:00
09:00 ~ 12:15
13:45 ~ 16:30
15.4 III-V族窒化物結晶
09:00 ~ 12:30
15.4 III-V族窒化物結晶
13:45 ~ 18:00
15.4 III-V族窒化物結晶
製・評価技術）
10.1 新物質・新機能創成（作
15.4 III-V族窒化物結晶
デバイス」
ドギャップ酸化物半導体材料・
21.1 合同セッションＫ「ワイ
09:00 ~ 11:45
製・評価技術）
09:00 ~ 12:15
セス技術
S26 先進パワーデバイスのプロ
13:45 ~ 18:30
と応用の最前線
15.4 III-V族窒化物結晶
デバイス」
ドギャップ酸化物半導体材料・
21.1 合同セッションＫ「ワイ
09:00 ~ 12:15
バイス技術
13:15 ~ 15:00
6.3 酸化物エレクトロニクス
6.3 酸化物エレクトロニクス
10.2 スピン基盤技術・萌芽的デ S14 スピン伝導デバイスの進展 10.1 新物質・新機能創成（作
09:00 ~ 12:00
13:30 ~ 16:00
09:00 ~ 12:15
13:45 ~ 18:15
る
S27 金属酸化物の結晶物性に迫
13:45 ~ 18:00
ン操作方法および関連現象」
ドシェアセッション「新規スピ
CS.6 10.1,10.2,10.3,10.4コー
13:15 ~ 18:30
ン：ビーム応用大分類
ン：ビーム応用大分類
源・環境
ン：ビーム応用大分類
09:00 ~ 12:00
CS.4 7. コードシェアセッショ
CS.4 7. コードシェアセッショ
1.4 エネルギー変換・貯蔵・資
13:00 ~ 14:30
14:00 ~ 16:00
10:00 ~ 12:00
13:15 ~ 18:30
CS.4 7. コードシェアセッショ
1.5 計測技術・計測標準
09:00 ~ 12:15
English Session
3.16 Optics and Photonics
09:00 ~ 11:45
13:15 ~ 17:30
にして～
S1 「物理のおもしろさを生徒や
09:00 ~ 11:30
CS.4 7. コードシェアセッショ
13:15 ~ 16:15
13:15 ~ 17:00
09:30 ~ 12:15
リ・ストレージ技術
10.3 スピンデバイス・磁気メモ
09:00 ~ 12:00
13:15 ~ 16:30
09:00 ~ 11:30
13:15 ~ 18:15
09:00 ~ 12:15
用」
バイオイメージングの基礎と応
鏡と走査プローブ顕微鏡による
13:15 ~ 16:30
空技術の現状と展望
6.3 酸化物エレクトロニクス
6.3 酸化物エレクトロニクス
S7 加速器・宇宙科学における真
6.3 酸化物エレクトロニクス
チュートリアル「走査電子顕微
13:30 ~ 16:40
3.8 光計測技術・機器
3.8 光計測技術・機器
3.8 光計測技術・機器
09:00 ~ 12:15
13:15 ~ 16:45
09:00 ~ 11:45
13:15 ~ 17:45
12.3 機能材料・萌芽的デバイス
13:15 ~ 15:45
3.10 光量子物理・技術
13:15 ~ 17:00
3.8 光計測技術・機器
3.10 光量子物理・技術
09:00 ~ 11:45
12.3 機能材料・萌芽的デバイス 12.3 機能材料・萌芽的デバイス
09:00 ~ 11:45
6.3 酸化物エレクトロニクス
13:15 ~ 17:30
プロセスの基礎と応用
S6 多様な光源により進展する光
13:30 ~ 18:30
目指して～
トロニクス・機械分野の融合を
フトロボット　～材料・エレク
S17 柔らかい材料を利用したソ
向けて
の最新動向：IoT時代の実現に
S13 エナジーハーベスティング 09:00 ~ 12:15
09:00 ~ 11:30
バイオ分子実験」
験入門:意外と簡単に始められる
チュートリアル「ナノバイオ実
09:00 ~ 12:10
12.3 機能材料・萌芽的デバイス
12.1 作製・構造制御
13:15 ~ 18:00
3.4 生体・医用光学
3.4 生体・医用光学
13.3 絶縁膜技術
09:00 ~ 11:30
13:15 ~ 16:00
09:00 ~ 11:45
14:00 ~ 17:00
午後
13.3 絶縁膜技術
13:30 ~ 18:00
賞式
業績賞授賞式、分野別業績賞授
17:00～18:15
情報社会
S4 量子技術が支えるセキュアな
S21 エレクトロニクスはやっぱ
チュートリアル「ペロブスカイ
13:15 ~ 17:45
13:15 ~ 16:15
09:00 ~ 12:10
09:00 ~ 11:45
オセンシングの今
クス入門」
S5 顕微鏡領域における光波バイ
09:00 ~ 11:30
Award贈呈式
11:30～11:40　Exhibition
奨励賞贈呈式
11:00～11:30
に理解する光学機器」
と相関積分，畳込積分で統一的
チュートリアル「フーリエ変換
13:15 ~ 18:00
6.6 プローブ顕微鏡
6.6 プローブ顕微鏡
09:00 ~ 12:10
13:15 ~ 17:45
ンの最先端
S3 ナノ物質光マニピュレーショチュートリアル「スピントロニ
09:30 ~ 11:30
ミュレーション基礎」
セス制御のためのプラズマシ
チュートリアル「プラズマプロ
3月17日(金)
09:00 ~ 12:15
13.5 デバイス／集積化技術
13.5 デバイス／集積化技術
13:15 ~ 17:15
6.2 カーボン系薄膜
09:00 ~ 12:10
6.2 カーボン系薄膜
6.2 カーボン系薄膜
6.2 カーボン系薄膜
13:15 ~ 18:30
13:15 ~ 18:30
13:15 ~ 18:15
09:00 ~ 11:45
09:00 ~ 12:10
6.1 強誘電体薄膜
6.1 強誘電体薄膜
09:00 ~ 12:15
13.9 光物性・発光デバイス
13.9 光物性・発光デバイス
13:15 ~ 18:15
午前
13.9 光物性・発光デバイス
午後
09:00 ~ 12:15
3月16日(木)
13.9 光物性・発光デバイス
午前
09:00 ~ 12:00
午後
16:00 ~ 18:30
3月15日(水)
13:15 ~ 17:30
午前
09:15 ~ 11:45
午後
13:15 ~ 17:00
3月14日(火)
09:15 ~ 11:45
午前
日程表（会場別Ⅱ）
120
41
41
200
200
80
72
80
172
172
174
174
174
174
513
514
B5
B6
E204
E205
E206
F201
F202
F203
F204
F205
F206
人数
収容
512
会場名
結晶
13:45 ~ 18:15
9.4 熱電変換
09:00 ~ 12:15
9.4 熱電変換
09:00 ~ 12:15
13:45 ~ 16:45
9.3 ナノエレクトロニクス
13:45 ~ 17:30
10:00 ~ 12:00
9.3 ナノエレクトロニクス
09:15 ~ 12:15
学
学
17.3 層状物質
17.3 層状物質
学
10:00 ~ 12:15
学
14:00 ~ 17:45
ンエンジニアリング」
ンエンジニアリング」
ンエンジニアリング」
22.1 合同セッションM 「フォノ 22.1 合同セッションM 「フォノ 22.1 合同セッションM 「フォノ
13:45 ~ 18:00
バイオ応用まで
戦―量子通信, 量子センサから
S8 ダイヤモンドNV中心への挑
術
11.4 アナログ応用および関連技
09:00 ~ 12:00
3.3 情報フォトニクス・画像工
3.3 情報フォトニクス・画像工
13:30 ~ 17:30
09:30 ~ 12:15
13:45 ~ 17:45
09:00 ~ 12:15
12.6 ナノバイオテクノロジー
12.6 ナノバイオテクノロジー
12.7 医用工学・バイオチップ
12.7 医用工学・バイオチップ
13:45 ~ 19:00
09:00 ~ 12:15
13:45 ~ 18:45
ス」のコードシェアセッション
ス」,3.15「シリコンフォトニク 3.15 シリコンフォトニクス
3.15 シリコンフォトニクス
15.6 IV族系化合物（SiC）
15.6 IV族系化合物（SiC）
12.7 医用工学・バイオチップ
12.7 医用工学・バイオチップ
09:45 ~ 12:15
CS.1 3.13 「半導体光デバイ
09:15 ~ 12:15
13:45 ~ 18:45
13:45 ~ 18:00
09:00 ~ 12:15
13:30 ~ 19:00
のナノカーボン材料
17.1 カーボンナノチューブ，他
3.11 フォトニック構造・現象
09:00 ~ 12:30
配線・MEMS・集積化技術
09:00 ~ 12:15
17.3 層状物質
13:45 ~ 18:30
3.12 ナノ領域光科学･近接場光
10:15 ~ 12:15
14:00 ~ 17:00
3.12 ナノ領域光科学･近接場光
12.1 作製・構造制御
13.10 化合物太陽電池
09:00 ~ 12:30
13:30 ~ 15:15
09:30 ~ 12:30
13.10 化合物太陽電池
シミュレーション
13:15 ~ 15:45
配線・MEMS・集積化技術
13:45 ~ 18:00
マップと現状
S15 超伝導応用技術開発ロード
13:45 ~ 17:15
学
3.12 ナノ領域光科学･近接場光
15:45 ~ 18:30
御』
ラズモニック構造および熱制
セッション『フォトニック・プ
CS.8 3.11,3.12コードシェア
陥
09:00 ~ 12:45
技術
2.3 放射線応用・発生装置・新
09:00 ~ 13:00
13:45 ~ 15:30
午後
3.15 シリコンフォトニクス
13:45 ~ 17:00
配線・MEMS・集積化技術
13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・ 13.1 Si系基礎物性・表面界面・ 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・ 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・
13:45 ~ 18:30
2.2 検出器開発
2.2 検出器開発
09:00 ~ 12:15
13:30 ~ 15:30
09:45 ~ 12:30
晶・エピタキシーの基礎
15.3 III-V族エピタキシャル結
09:00 ~ 12:30
09:00 ~ 12:15
15.1 バルク結晶成長
09:00 ~ 12:30
学
3.12 ナノ領域光科学･近接場光
09:00 ~ 12:15
13:15 ~ 15:30
陥
15.7 結晶評価，不純物・結晶欠 15.7 結晶評価，不純物・結晶欠 15.7 結晶評価，不純物・結晶欠
現象,13.7ナノ構造・量子現象の
3.11 フォトニック構造・現象
コードシェアセッション
CS.7 3.11フォトニック構造・
09:00 ~ 12:15
13:15 ~ 19:15
の最先端応用
S2 シンチレーション検出器とそ
13.7 ナノ構造・量子現象
礎
技術
2.2 検出器開発
10:30 ~ 11:45
13:45 ~ 17:30
2.1 放射線物理一般・検出器基
17.2 グラフェン
17.2 グラフェン
13.10 化合物太陽電池
2.3 放射線応用・発生装置・新
17.2 グラフェン
17.2 グラフェン
13:45 ~ 18:15
13:30 ~ 17:15
13:30 ~ 17:45
10:15 ~ 12:00
理・職種・国籍の観点から～
09:30 ~ 12:15
13.2 探索的材料物性・基礎物性 13.2 探索的材料物性・基礎物性
理・職種・国籍の観点から～
イバーシティ推進～男女・文
イバーシティ推進～男女・文
SP4 科学技術の未来に向けたダ SP4 科学技術の未来に向けたダ 09:00 ~ 12:00
13:15 ~ 17:15
15.1 バルク結晶成長
13:45 ~ 17:45
16.2 エナジーハーベスティング
13:45 ~ 17:30
1.1 応用物理一般・学際領域
9.5 新機能材料・新物性
1.6 超音波
10:00 ~ 12:00
09:00 ~ 10:15
09:15 ~ 12:15
13:45 ~ 17:45
15.2 II-VI族結晶および多元系
Session
ジング
09:00 ~ 12:00
ジング
3月17日(金)
13.6 Semiconductor English
展と展開
午前
13:45 ~ 17:45
12:30 ~ 18:15
陥
午後
13:45 ~ 17:00
3月16日(木)
S10 ナノインプリント技術の進 S11 薄膜・多層膜の界面イメー S11 薄膜・多層膜の界面イメー
09:00 ~ 12:15
午前
13:45 ~ 15:45
09:30 ~ 11:30
10.5 磁場応用
09:00 ~ 11:30
午後
13:30 ~ 18:00
3月15日(水)
09:00 ~ 11:15
3.7 レーザープロセシング
3.7 レーザープロセシング
3.7 レーザープロセシング
午前
09:00 ~ 12:15
午後
13:45 ~ 18:00
3月14日(火)
09:00 ~ 12:15
午前
日程表（会場別Ⅲ）
P会場奥
3.13 半導体光デバイス
1.6 超音波
3.5 レーザー装置・材料
3.11 フォトニック構造・現象
ティクス
10 スピントロニクス・マグネ
8 プラズマエレクトロニクス
9.3 ナノエレクトロニクス
16.3 シリコン系太陽電池
ン
15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶
1.1 応用物理一般・学際領域
ョ
ッ
P22
6.3 酸化物エレクトロニクス
1.5 計測技術・計測標準
17 ナノカーボン
13.1 Si系基礎物性・表面界面・
シミュレーション
13.2 探索的材料物性・基礎物性
13.10 化合物太陽電池
13.3 絶縁膜技術
3.8 光計測技術・機器
1.3 新技術・複合新領域
1.4 エネルギー変換・貯蔵・資
源・環境
16.1 基礎物性・評価・プロセ
ス・デバイス
6.5 表面物理・真空
午後
13.9 光物性・発光デバイス
6.1 強誘電体薄膜
デバイス」
ドギャップ酸化物半導体材料・
21.1 合同セッションＫ「ワイ
13:30-15:30
3月16日(木)
12.3 機能材料・萌芽的デバイス
16:00-18:00
3.4 生体・医用光学
イントシンポジウム
1.2 教育
3.10 光量子物理・技術
3.1 光学基礎・光学新領域
9.2 ナノワイヤ・ナノ粒子
アセッション
15.6 IV族系化合物（SiC）
12.6 ナノバイオテクノロジー
12:30-18:00
応物キャリア相談会
産学協働の広場
ンエンジニアリング」
22.1 合同セッションM 「フォノ
学
3.12 ナノ領域光科学･近接場光
2 放射線
バー
ハーベスティングのコードシェ
3.2 材料・機器光学
CS.5 9.4熱電変換,16.2エナジー 3.14 光制御デバイス・光ファイ 12.4 有機EL・トランジスタ
English Session
3.16 Optics and Photonics
3.6 超高速・高強度レーザー
3.7 レーザープロセシング
09:30-11:30
午後
晶・エピタキシーの基礎
15.3 III-V族エピタキシャル結
15.4 III-V族窒化物結晶
結晶
15.2 II-VI族結晶および多元系
13:30-15:30
3月17日(金)
バイオセンシングに関するジョ
12.2 評価・基礎物性
12.7 医用工学・バイオチップ
午前
S19 ナノバイオテクノロジーと 12.5 有機太陽電池
6.6 プローブ顕微鏡
イス・プロセス技術
13.8 化合物及びパワー電子デバ 6.2 カーボン系薄膜
09:30-11:30
午前
13:30-17:00
学
3.3 情報フォトニクス・画像工
7 ビーム応用
13.5 デバイス／集積化技術
16:00-18:00
13.7 ナノ構造・量子現象
12.1 作製・構造制御
3.9 テラヘルツ全般
6.4 薄膜新材料
15.1 バルク結晶成長
9.1 誘電材料・誘電体
配線・MEMS・集積化技術
13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・ 11 超伝導
9.5 新機能材料・新物性
3.15 シリコンフォトニクス
09:30-11:30
午後
15.7 結晶評価，不純物・結晶欠
13:30-15:30
3月15日(水)
陥
午前
8 プラズマエレクトロニクス
午後
13:30-15:30
3月14日(火)
16:00-18:00
セ
～
午前
シ
ー
タ
ス
ポ
人数
収容
P1
会場名
日程表（会場別Ⅳ）

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