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薄膜ストレス測定装置
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科学・
産業機器
Thin Film Stress Measurement Systems
FLX シリーズ
恒温・乾燥器/
恒温恒湿器
高温炉・
パージガス
500℃温度サイクル用薄膜ス卜レス測定装置
室温から500℃までの温度範囲で、非接触・非破壊にて薄膜スト
レスを正確に測定することができます。
測定チャンバー内の温度を自由に設定できるため、実際のプロセス
およびIC動作時の環境下での薄膜特性をより正確に把握すること
ができます。また、ガラス基板測定用オプションも用意しています。
シリコンウエーハなどの基板上に薄膜を膜付けすると、基板と薄膜との物理定
数が異なるために、ストレスが生じ基板が変形します。均一に膜付けされた薄
膜による変形は、基板のそりとして現われるため、このそり(曲率半径)の変化
量によりストレスを測定することができます。FLXシリーズは、まず膜付けされ
た薄膜によって生じる基板の曲率半径の変化量を算出します。
曲率半径は、基板上を走査するレーザーの反射角度から計算されるので、膜付
けの前後で曲率半径を測定し、その差を算出することにより曲率半径の変化量
(R)を求めることができます。
Eh2
S=
(1-v )6Rt
●LED
●MEMS
●SOLAR
●SiC
プラズマ装置
恒温培養器
凍結乾燥・
冷却トラップ
滅菌器
■測定原理
■アプリケーション例
産業機器
純水製造
装置
恒温液槽
恒温水
循環装置
加熱器
濃縮器
減圧・加圧
ポンプ
乳化・撹拌・
振とう器
造粒
乾燥装置
E(1/ v)
:
基板の2軸弾性係数
(Pa)
(100)
シリコンでは1.805E11 Pa
h:基板の厚さ
(m)
t:薄膜の厚さ
(m)
R:基板の曲率半径
(m)
1/R=1/R2−1/R1
(R1:膜付け前の曲率半径、
R2:膜付け後の曲率)
S:薄膜ストレスの平均値
(Pa)
洗浄器
送液ポンプ
フィルター
分析・計測・
試験機器
天秤
pH 計
表面観察
装置
内部観察
装置
分光・発光・
蛍光装置
液体/ガス
クロマトグラフ
物性計測
装置
細胞関連
装置
遠心
分離機
冷凍庫・
冷蔵庫
環境・プロセス
関連装置
合成・
前処理装置
試験機器
電池・半導体・
LED 関連装置
3Dマッピング
計測機器
研究施設
ウェハ形状2D表示
システム
エンジニアリング
■仕様
型 式
FLX-2320-S
FLX-2320-R
測定範囲
温度
温度使用範囲
昇温速度
調整機構
サンプルサイズ
ウェハマッピング
スキャン範囲
1〜4000MPa(10,000Å薄膜でウェハ厚725μm)
室温〜500℃(オプション:−65℃〜500℃) 室温
〜25℃/分(Max.)
−
ゼロ調整機構内蔵
−
75〜200mmφ
手動
自動
200mm
価 格
お問い合せください
FLX-2000-A
手動
FLX-3300-T
ヒューム
フード
FLX-3300-R
1〜3500MPa
(10,000Å薄膜でウェハ厚725μm)
室温〜500℃(オプション:−65℃〜500℃) 室温
〜15℃/分
(Max.)
−
ゼロ調整機構内蔵
−
200mmφ、30mmφ
手動
自動
300mm
粉体封じ込め
システム
給排気
システム
実験台
保管・カート・
実験台用付属器具
環境制御・
実験施設
●仕様および外観は改良のため予告なく変更されることがありますのでご了承下さい。製品カラーは、撮影・印刷インキの関係で実際の色と異なって見えることがあります。
www.yamato-net.co.jp
0120-405-525
FLX シリーズ
ヤマト科学
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