1 4 Scientific Equipment Industrial Equipment 科学・ 産業機器 プラズマ装置 Gas Plasma Ashers, Cleaners, Etchers Contents プラズマリアクター Gas Plasma Reactors............................................................................................ プラズマドライクリーナー Gas Plasma Dry Cleaners..................................................................................... プラズマアッシャー Gas Plasma Ashers............................................................................................... 大気圧プラズマ装置 Atmospheric-pressure Plasma Cleaners............................................................ 169 172 175 178 概要 プラズマ装置 研究開発用からプロセス用まで 超微細加工、表面処理・改質等のニーズにお応えします プラズマ装置は、半導体をはじめ電子材料、ドライ洗浄の利用分野がますます広がっています。例えば、シリコンウエーハのレジスト剥離、 有機膜の除去、界面活性、マイクロ研磨、あるいはカーボン被膜の除去等、広くその効果を発揮しています。研究開発用はもとよりプロセス用 まで、ニーズに対応したプラズマ装置をヤマト科学はご提供します。 DP方式のバレル型 PR/PB型シリーズ バレル型の構造（DP） ガス ガス 電 極 電 極 ガス シリコンウエ ー ハ の レジスト 剥 離 を は じめ、O2またはArガスを使用した有機 膜の除去、界面活性、マイクロ研磨ある いはカーボン被膜の除去等、広くその 効果を発揮します。 マッチング マッチング ユニット ユニット 電 極 マッチング ユニット RF電源 RF電源 RF電源 石英反応室 石英反応室 エッチングトンネル (アルミメッシュ管) ウエーハ ウエーハ (架台付き) (架台付き) 排気 排気 エッチングトンネル エッチングトンネル (アルミメッシュ管) (アルミメッシュ管) ウエーハ (架台付き) 排気 石英反応室 RIE DP方式の平行平板型 PDC/V型シリーズ RIE方式とDP方式の2通りのプラズマ処 理モードで発生でき、シリコンウエーハ のエッチング、ドライクリーニングに使 用できます。センサ、サーマル各種COB 等のボンディングバットの表面洗浄、 活性化を行って、ワイヤボンディングの 前処理工程としてアルゴンプラズマ中 で基板洗浄し、ボンディングの信頼性 を高めます。 また、金属酸化物、金属水酸化物をアル ゴンプラズマでエッチングし、電極表面 の接合阻害物を除去できます。 167 ヤマト科学 プラズマ装置 平行平板型の構造（RIE） ガス ガス 電極間 電極間 可変 可変 電極間 可変 RF電源 RF電源 アルミ容器 アルミ容器 上部 ウエーハ ウエーハ シャワー電極 下部電極 下部電極 アルミ容器 ガス ウエーハ マッチング マッチング ユニット RF電源 ユニット 下部電極 排気 排気 マッチング ユニット 排気 ガス ガス 電極間 電極間 可変 可変 上部 上部 シャワー電極 シャワー電極 RF電源 RF電源 電極間 可変 マッチング マッチング ユニット RF電源 ユニット 排気 排気 マッチング ユニット 排気 www.yamato-net.co.jp テフロン テフロン 上部 上部 シャワー電極 シャワー電極 アルミ容器 テフロン アルミ容器 ウエーハ ウエーハ 上部 下部電極 下部電極 シャワー電極 (ステージ温度制御) (ステージ温度制御) アルミ容器 ガス ウエーハ 恒温水 恒温水 下部電極 循環装置 循環装置 (ステージ温度制御) (チラー) (チラー) 恒温水 循環装置 (チラー) 0120-405-525 ルミ容器 部 エーハ ャワー電極 部電極 ルミ容器 テージ温度制御) エーハ 部電極 テージ温度制御) ウエーハ Si基板 酸化膜の膜付け 酸化膜 ウエーハ ダイジェスト Gas PlasmaO2Ashers, Cleaners,CO Etchers 2 Si基板 レジスト膜 レジスト(薬品)塗布 O2 PLASMA SUPER CLEANER 酸化膜の膜付け 膜のエッチング ICパッケージ技術 レジスト(薬品)塗布 ●BGA/（Ball Grid Array） ●CSP/（Chip膜のエッチング Size Package） ●映像デバイス組み立て 樹脂ペースト ICチップ ビアホール モールディング アッシング O2 ソルダ レジスト レジストのアッシング 基板 ●成形品離形剤 ●ハンダフラックス残渣 ●オイル・グリース （薄膜） ●ワックス （薄膜） ワイヤボンディング アッシング O2 BGA（Ball Grid Array Package） BGAタイプLSI BGAパッケージの プラズマ洗浄効果 ＜処理前＞ ＜処理前＞ ＜処理前＞ ＜処理前＞ Ar＋H2 RIE ウエーハ 反応性イオン 酸化膜の膜付け 有機膜 絶緑膜 SiO2 酸化膜の膜付け Si基板 有機膜 レジスト(薬品)塗布 絶緑膜 レジスト(薬品)塗布 膜のエッチング Ar＋H2 Ar＋H2 Si基板 平坦面 絶緑膜 酸化膜 再堆積 ●素材表面 ＋ Ar ■表面エッチング RIE Cu2O ■金属酸化物除去 RIE Cu2O Cu2RIE O 金属 プラズマ装置によるエッチング・クリーニング技術(例) Cu2O ICパッケージはセラミックからモールド樹脂に、またリード線はNi、AIからCuへと変 化しています。これらの進歩をより確実なものとするのがプラズマによるエッチン Ar ＋ グ・クリーニング技術です。 RIE ニッケル化合物 RIE ニッケル化合物 Ni F+ Au 基板 反応性イオン + 基板 平坦面 ボンディングバット モールディング 基板 チップ ボンディングバット モールディング Si基板 SiO 2 測定位置 ④ ② Ar Ar 恒温水 循環装置 汚れ H2 Ar 汚れ H2 加熱器 Ar 汚れ H2 Ar CF4 CF3 減圧・加圧 ポンプ 乳化・撹拌・ 振とう器 CO2 HF H2O HF CO2 造粒 乾燥装置 CO2 HF 洗浄器 HF CO2 送液ポンプ HF フィルター H2O H2O H2O H2O Ar Ar＋ Ar Ar＋ Ar ＋ Cu Ar Ar Cu Ar＋ Ar Cu 分析・計測・ 試験機器 ボン CuO2 CuO2 CCuuO2 CCuuO2 CC uuO2 Ar 細胞関連 装置 Ar CF2 O2 レジスト 再堆積 SiO2 レジスト SiO2 SiO2 Si Si 遠心 分離機 SiO2 レジスト レジスト SiO2 SiO2 Si 科学エッチング （等方性） ＋ 平行平板電極 ステージΦ350 電極間距離60mm 500W 5分 500sccm 100Pa 180℃ 金属自然酸化物 金属自然酸化物 測定位置 ① ② ③ ④ ⑤ 平均値 ini（Å） 40290 40540 40930 40620 40670 40610 after（Å） 18350 19980 15930 16150 16690 17420 ini-after（Å） 21940 20560 25000 24470 23980 23190 reta（Å/min） 4388 4112 5000 4894 4796 4638 ⑤ 金属 金属 最大値 5000 0120-405-525 環境・プロセス 関連装置 合成・ Si 前処理装置 物理エッチング （異方性） 試料レジスト：シリコンウェーハ 8インチ レジスト：ポジタイプ 電極 RF出力 処理時間 ガス流量 圧力 ステージ温度 冷凍庫・ 冷蔵庫 試験機器 試料レジスト：シリコンウェーハ 8インチ レジスト：ポジタイプ Ar A10nm r ボン 物性計測 装置 SiF4 O2 + F pH 計 液体／ガス クロマトグラフ e F ボン 分光・発光・ 蛍光装置 Cu ●平行平板 ●スパッタ 天秤 最小値 均一性 4112 9.573092 電極 RF出力 処理時間 ガス流量 圧力 ステージ温度 測定位置 ① ② ③ ④ ⑤ 平均値 ini（Å） 40450 40480 40820 40780 40560 40618 after（Å） 25290 24780 24250 24640 23890 24570 ini-after（Å） 15160 15700 16570 16140 16670 16048 reta（Å/min） 3032 3140 3314 3228 3334 3209.6 プラズマ装置 電池・半導体・ LED 関連装置 計測機器 研究施設 平行平板電極 ステージΦ350 電極間距離60mm 500W 5分 500sccm 100Pa 160℃ 最大値 3334 ボン 表面観察 装置 ボン 内部観察 装置 Cu + CF2 濃縮器 CO2 ■平行平板電極 実験2 ③ www.yamato-net.co.jp e 恒温液槽 H2 H2 ■平行平板電極 実験1 シリコンウェーハ 8インチ ＋ ① 絶緑膜 Si基板 測定データ 〔例〕 基板 チップ 純水製造 装置 絶緑膜 再堆積 SiO2 絶緑膜 プラズマ RIE RIE F 有機膜 絶緑膜 有機膜 + F F+ SiF4 平坦面 反応性イオン ■基板のクリーニング （Vシリーズ/ISP型） プラズマ CF3 CF4 Ni 滅菌器 Ar＋ Cu ●バレル ●DP Au ＋ ＜処理後＞ ドライエッチングの仕組み Cu ■Arプラズマによる金属酸化物の除去（PDC/V/ISPシリーズ） Ar 凍結乾燥・ 冷却トラップ Cu2RIE O ●Cu2O,CuO ●Al2O3 アッシング O2 レジストのアッシング ＜処理後＞ 汚れ CーH O2＋CF4 CーH ＋ レジストのアッシング 恒温培養器 ＜処理後＞ 汚れ CーH O2＋CF4 CーH O2＋CF4 ●ガラスエポキシ ●ポリイミド アッシング 金属自然酸化物 金属 O2 プラズマ装置 ＜処理後＞ O2＋CF4 金属自然酸化物 RIE RIE 被洗浄物に より反応する 反応ガスは 被洗浄物に より反応する RIE CーH ■アッシング RIE 被洗浄物に より反応する 反応ガスは 被洗浄物に より反応する 反応ガスは RIE 産業機器 ＜処理後＞ O2＋CF4 レジスト膜再堆積 エッチング CF4+O2 4% エッチング CF4+O2 4% Si基板 Ar Ar＋H2 レジスト膜絶緑膜 SiO2 膜のエッチング RIE ■表面クリーニング Si基板 酸化膜 反応ガスは 被洗浄物に より反応する 反応ガスは Ar＋H2 平坦面 プラズマ装置によるエッチングおよびアッシング手法 BGA(Ball反応性イオン Grid Array Package) RIE ■エッチング ウエーハ 高温炉・ パージガス CO2 H2O ＜処理前＞ ●ポリエステル ●ポリプロピレン ●テフロン ●セラミックス ●ポリイミド 恒温・乾燥器/ RIE 恒温恒湿器 CO2 H2O CーH ■表面改質 ソルダボール 2 H2O CーH O2 CーH ■有機膜の除去 ダイアタッチ 配線 ボンディングワイヤ モールド樹脂 科学・ 産業機器RIE CO2 H2O CO プラズマ装置によるエッチングおよびアッシング手法 プラズマエッチング スーパークリーニング CF4+O2 4% レジストのアッシング 断面図 H2O CーH O2 CーH O2 酸化膜 エッチング BGA/(Ball Grid Array) CF4+O2 4% CSP/(Chip Size Package) レジスト膜 イントロ RIE ダクション RIE 最小値 均一性 3032 4.704636 ヤマト科学 システム エンジニアリング ヒューム フード 粉体封じ込め システム 給排気 システム 実験台 保管・カート・ 実験台用付属器具 環境制御・ 実験施設 168
© Copyright 2024 ExpyDoc
