サイプレス ロードマップ: フラッシュ メモリ 2016年第4四半期 002-02534 Rev. *B Owner: WIOB BUM: RHOE サイプレス ロードマップ: フラッシュ メモリ 1 NORフラッシュ メモリ ファミリ製品番号の 読み方 S 29 G L 128 S 技術: 1 = 63nm DRAM 128 = 128Mb 256 = 256Mb 512 = 512Mb 01G = 1Gb 02G = 2Gb 04G = 4Gb 08G = 8Gb 0AG = 16Gb 電圧: D = 2.5V L = 3.0V S = 1.8V ファミリ: A = 標準ADP (アドレス データ パラレル) C = バースト モードADP (アドレス データ パラレル) F = シリアル G = ページ モード J = 同時読み出し／書き込みADP (アドレス データ パラレル) K = HyperBus N = バースト モード同時読み出し／書き込みADM (アドレス データ多重化) P = ページ モード同時読み出し／書き込みADP (アドレス データ パラレル) V = バースト モード同時読み出し／書き込みADM (アドレス データ多重化) W = バースト モード同時読み出し／書き込みADP (アドレス データ パラレル) X = バースト モード同時読み出し／書き込みAADM (アドレス アドレス データ 多重化) 25 = SPI 26 = HyperFlash 27 = HyperRAM 29 = パラレル 70 = ダイ スタック 79 = Dual Quad SPI 接頭辞: Owner: WIOB BUM: RHOE N = 110nm MirrorBit (MB) P = 90nm MB R、S = 65nm MB T = 45nm MB メモリ容量: 008 = 8Mb 016 = 16Mb 032 = 32Mb 064 = 64Mb シリーズ: 002-02534 Rev. *B J = 110nmフローティング ゲート (FG) K = 90nm FG L = 65nm FG M = 50nm FG 0BG = 32Gb 0CG = 64Gb S サイプレス ロードマップ: フラッシュ メモリ Product Selector Guide 2 パラレルNORフラッシュ メモリ ロードマップ 製品ファミリ 1 メモリ容量 S29GL-T 45nm MB 3.0V 2Gb1 1Gb 512Mb S29GL-S 65nm MB 3.0V 2Gb1 1Gb 512Mb 256Mb 128Mb 64Mb S29GL-P 90nm MB 3.0V 2Gb1 1Gb 512Mb S29GL-P 90nm MB 3.0V 256Mb 128Mb S29GL-N 110nm MB 3.0V 64Mb 32Mb S29AS-J／S29AL-J 110nm FG 1.8V／3.0V 16Mb 8Mb S29JL-J 110nm FG 3.0V 64Mb 32Mb S29PL-J 110nm FG 3.0V 128Mb 64Mb 32Mb (量産) [廃止予定] 2016 Q1 Q2 Q3 2017 Q4 Q1 Q2 Q3 2018 Q4 Q1 Q3 Q4 企画中 Owner: WIOB BUM: RHOE Q1 Q2 Q3 2020 Q4 Q1 Q2 Q3 Q4 [Q3’17] [Q3’17] [Q3’17] S70シリーズ 002-02534 Rev. *B Q2 2019 サイプレス ロードマップ: フラッシュ メモリ サンプル出荷 量産 製品廃止 3 バーストNORフラッシュ メモリ ロードマップ 製品ファミリ メモリ容量 S29WS-P 90nm MB 1.8V 512Mb 256Mb 128Mb S29NS-P 90nm MB 1.8V 512Mb S29VS-R 65nm MB 1.8V 256Mb 128Mb 64Mb S29XS-R 65nm MB 1.8V 256Mb 128Mb 64Mb S29CD-J／S29CL-J 110nm MB 2.5V／3.0V 32Mb 16Mb (量産) [廃止予定] 2016 Q1 Q2 Q3 2017 Q4 Q1 Q2 Q3 2018 Q4 Q1 Q2 Q3 2019 Q4 企画中 002-02534 Rev. *B Owner: WIOB BUM: RHOE サイプレス ロードマップ: フラッシュ メモリ Q1 Q2 Q3 2020 Q4 サンプル出荷 Q1 Q2 量産 Q3 Q4 製品廃止 4 シリアルNORフラッシュ メモリ ロードマップ 製品ファミリ メモリ容量 (量産) [廃止予定] Q1 S25FS-S／S25FL-S 65nm MB1 1.8V／3.0V 1Gb3 512Mb 256Mb 128Mb 64Mb4 S79FL-S 65nm MB1 3.0V 1Gb5 512Mb5 256Mb5 S25FL-P 90nm MB1 3.0V 256Mb3 128Mb 64Mb 32Mb [Q4’17] [Q4’17] S25FL-L 65nm FG2 3.0V 256Mb 128Mb 64Mb (Q4’16) (Q1’17) (Q1’17) S25FL1-K 90nm FG2 3.0V 64Mb 32Mb 16Mb [Q4’19] [Q4’19] [Q4’19] S25FL2-K 90nm FG2 3.0V 8Mb [Q1’17] 1> 4KBセクタ 002-02534 Rev. *B 2 3 S70シリーズ 4KBセクタ Owner: WIOB BUM: RHOE 4 2016 Q2 1.8Vのみ Q3 2017 Q4 5 S79 Q1 Q2 Q3 2018 Q4 Q1 Dual Quad SPI サイプレス ロードマップ: フラッシュ メモリ Q2 Q3 2019 Q4 企画中 Q1 Q2 Q3 2020 Q4 サンプル出荷 Q1 Q2 量産 Q3 Q4 製品廃止 5 HyperFlashおよびHyperRAM NORフラッシュ メモリ ロードマップ 製品ファミリ 1 メモリ容量 (量産) [廃止予定] S26KS-S／S26KL-S 65nm MB1 1.8V／3.0V 1Gb2 512Mb 256Mb 128Mb (未定) S27KS-1／S27KL-1 63nm DRAM 1.8V／3.0V 256Mb2 128Mb2 64Mb (未定) (Q4’16) > 4KBセクタ 002-02534 Rev. *B 2 2016 Q1 Q2 Q3 2017 Q4 Q1 Q2 Q3 2018 Q4 Q1 Q3 Q4 企画中 S70シリーズ Owner: WIOB BUM: RHOE Q2 2019 サイプレス ロードマップ: フラッシュ メモリ Q1 Q2 Q3 2020 Q4 サンプル出荷 Q1 Q2 量産 Q3 Q4 製品廃止 6 パラレルNORフラッシュ メモリ ポートフォリオ S29AS-J S29AL-J S29JL-J1 S29PL-J1、2 S29GL-N2 S29GL-P2 S29GL-S2 S29GL-T2 110nm FG、1.8V 110nm FG、3.0V 110nm FG、3.0V 110nm FG、3.0V 110nm MB、3.0V 90nm MB、3.0V 65nm MB、3.0V 45nm MB、3.0V ≥ 256Mb メモリ容量 初期アクセス／ ページ アクセス * 温度範囲 特に記載がない限り、 すべての製品は 長期供給プログラムにより サポートされる ≤ 32Mb 64～128Mb 128Mb 60ns／20ns * I、A 16Mb 70ns／-* I、A 16Mb 55ns／-* I、A、N、M 8Mb 70ns／-* I、A 8Mb 55ns／-* I、A、N、M 64Mb 55ns／-* I、A 64Mb 55ns／20ns * I、A 64Mb 90ns／25ns * I、A 32Mb 60ns／-* I、A 32Mb 55ns／20ns * I、A 32Mb 90ns／25ns * I、A * I = 産業用: -40ºC～+85ºC A = 産業用、AEC-Q100グレード3: -40ºC～+85ºC V = 産業用プラス: -40ºC～+105ºC B = 産業用プラス、AEC-Q100グレード2: -40ºC～+105ºC N = 拡張温度範囲: -40ºC～+125ºC M = 拡張温度範囲、AEC-Q100グレード1: -40ºC～+125ºC 002-02534 Rev. *B Owner: WIOB BUM: RHOE 同時読み出し／書き込み動作に対応 ページ モードに対応 3 S70シリーズ (ダイ スタック製品) 2Gb3 Q317 110ns／25ns *I 2Gb3 110ns／20ns * I、A、V、B 2Gb3 110ns／20ns * I、A、V、B、N Q317 1Gb 110ns／25ns *I 1Gb 100ns／15ns * I、A、V、B 1Gb 100ns／15ns * I、A、V、B、N 512Mb Q317 100ns／25ns *I 512Mb 100ns／15ns * I、A、V、B 512Mb 100ns／15ns * I、A、V、B、N 256Mb 90ns／25ns *I 256Mb 90ns／15ns * I、A、V、B 128Mb 90ns／25ns *I 128Mb 90ns／15ns * I、A、V、B 64Mb 70ns／15ns * I、A、B、N 1 2 サイプレス ロードマップ: フラッシュ メモリ 企画中 状況 出荷予定 EOL (最終出荷) 開発中 サンプル出荷 量産中 QQYY QQYY QQYY 7 バーストNORフラッシュ メモリ ポートフォリオ S29WS-P1 90nm MB、1.8V S29VS-R2 65nm MB、1.8V S29XS-R3 65nm MB、1.8V 256Mb 80ns／104MHz *W 256Mb 80ns／108MHz * W、I 256Mb 80ns／108MHz * W、I 128Mb 80ns／104MHz *W 128Mb 80ns／108MHz * W、I 128Mb 80ns／108MHz * W、I 64Mb 80ns／108MHz * W、I 64Mb 80ns／108MHz * W、I * 温度範囲 特に記載がない限り、 すべての製品は 長期供給プログラムにより サポートされる 512Mb 80ns／104MHz *W 512Mb 80ns／83MHz *W メモリ容量 ≥ 256Mb 初期アクセス／SDRクロック ≤ 32Mb 64～128Mb S29NS-P2 90nm MB、1.8V * W = ワイヤレス: -25ºC～+85ºC I = 産業用: -40ºC～+85ºC A = 産業用、AEC-Q100グレード3: -40ºC～+85ºC N = 拡張温度範囲: -40ºC～+125ºC M = 拡張温度範囲、AEC-Q100グレード1: -40ºC～+125ºC 002-02534 Rev. *B Owner: WIOB BUM: RHOE (アドレス データ パラレル) バースト (アドレス データ多重化) バースト 3 AADM (上位アドレス、下位アドレス、データ多重化) バースト S29CD-J1 110nm FG、2.5V S29CL-J1 110nm FG、3.0V 32Mb 54ns／75MHz * I、A、N、M、H、T 32Mb 54ns／75MHz * I、A、N、M、H、T 16Mb 54ns／66MHz * I、A、N、M、H、T 16Mb 54ns／66MHz * I、A、N、M、H、T 1 ADP 2 ADM サイプレス ロードマップ: フラッシュ メモリ 企画中 状況 出荷予定 EOL (最終出荷) 開発中 サンプル出荷 量産中 QQYY QQYY QQYY 8 SPI NORフラッシュ メモリ ポートフォリオ S25FL-S 65nm MB、3.0V > 4KB2 S79FL-S3 65nm MB、3.0V > 4KB2 S25FS-S 65nm MB、1.8V > 4KB2 メモリ容量 SDRクロック／DDRクロック * 温度範囲 1Gb5 133MHz／80MHz * I、A、V、B 1Gb 133MHz／80MHz * I、A、V、B 1Gb5 133MHz／80MHz * I、A、V、B 特に記載がない限り、 すべての製品は 長期供給プログラムにより サポートされる 512Mb 133MHz／80MHz * I、A、V、B 512Mb 133MHz／80MHz * I、A、V、B 512Mb 133MHz／80MHz * I、A、V、B 256Mb 133MHz／80MHz * I、A、V、B 256Mb 133MHz／80MHz * I、A、V、B 64～128Mb ≥ 256Mb S25FL2-K1 90nm FG、3.0V 4KB2 S25FL1-K 90nm FG、3.0V 4KB2 64Mb 108MHz／-* I、A、V、B、N4、M4 S25FL-L 65nm FG、3.0V 4KB2 256Mb Q416 133MHz／66MHz * I、A、V、B、N、M 256Mb5 Q417 104MHz／-* I、A 256Mb 133MHz／80MHz * I、A、V、B、N、M 128Mb Q117 133MHz／66MHz * I、A、V、B、N、M 128Mb6 Q417 104MHz／-* I、A、V、B 128Mb8 133MHz／80MHz * I、A、V、B、N、M 128Mb7 Q417 104MHz／-* I、A、V、B 128Mb9 108MHz／-* I、A、V、B Q117 64Mb 108MHz／54MHz * I、A、V、B、N、M 32Mb 108MHz／-* I、A、V、B、N4、M4 ≤ 32Mb S25FL-P 90nm MB、3.0V > 4KB2 128Mb 133MHz／80MHz * I、A、V、B Q118 64Mb 104MHz／-* I、A、V、B 64Mb 133MHz／80MHz * I、A、V、B、N、M 32Mb 104MHz／-* I、A、V、B 16Mb 108MHz／-* I、A、V、B、N4、M4 8Mb 76MHz／-*I Q117 * I = 産業用: -40ºC～+85ºC A = 産業用、AEC-Q100グレード3: -40ºC～+85ºC V = 産業用プラス: -40ºC～+105ºC B = 産業用プラス、AEC-Q100グレード2: -40ºC～+105ºC N = 拡張温度範囲: -40ºC～+125ºC M = 拡張温度範囲、AEC-Q100グレード1: -40ºC～+125ºC 002-02534 Rev. *B Owner: WIOB BUM: RHOE 1 6 2 6 S25FL2-K Dual SPI 論理セクタ サイズ 3 S79シリーズ、Dual Quad SPI (ダイスタック製品) 4 営業問合せ 5 S70シリーズ (ダイスタック製品) S25FL129P Quad SPI S25FL128P Dual SPI 8 S25FL128S 133MHz SDR／ 80MHz DDR 9 S25FL127S 108MHz SDR サイプレス ロードマップ: フラッシュ メモリ 企画中 状況 出荷予定 EOL (最終出荷) 開発中 サンプル出荷 量産中 QQYY QQYY QQYY 9 HyperFlashおよびHyperRAMポートフォリオ HyperFlash S26KS-S1 65nm MB、1.8V HyperFlash S26KL-S1 65nm MB、3.0V HyperRAM S27KS-12 63nm DRAM、1.8V HyperRAM S27KL-12 63nm DRAM、3.0V 256Mb3 営業問合せ メモリ容量 初期アクセス／DDRクロック * 温度範囲 64～128Mb ≥ 256Mb 特に記載がない限り、 すべての製品は 長期供給プログラムにより サポートされる 1Gb3 96ns／166MHz * I、A、V、B、N、M 1Gb3 96ns／100MHz * I、A、V、B、N、M 512Mb 96ns／166MHz * I、A、V、B、N4、M4 512Mb 96ns／100MHz * I、A、V、B、N4、M4 256Mb 96ns／166MHz * I、A、V、B、N4、M4 256Mb 96ns／100MHz * I、A、V、B、N4、M4 256Mb3 営業問合せ 128Mb 96ns／166MHz * I、A、V、B、N4、M4 128Mb 96ns／100MHz * I、A、V、B、N4、M4 128Mb3 営業問合せ Q416 Q416 128Mb3 営業問合せ Q416 64Mb 36ns／166MHz * I、A、V、B * I = 産業用: -40ºC～+85ºC A = 産業用、AEC-Q100グレード3: -40ºC～+85ºC V = 産業用プラス: -40ºC～+105ºC B = 産業用プラス、AEC-Q100グレード2: -40ºC～+105ºC N = 拡張温度範囲: -40ºC～+125ºC M = 拡張温度範囲、AEC-Q100グレード1: -40ºC～+125ºC 002-02534 Rev. *B Owner: WIOB BUM: RHOE 64Mb 36ns／100MHz * I、A、V、B 1 S26 = HyperFlash = HyperRAM 3 S70シリーズ (ダイ スタック製品) 4 営業問合せ 2 S27 サイプレス ロードマップ: フラッシュ メモリ 企画中 状況 出荷予定 EOL (最終出荷) 開発中 サンプル出荷 量産中 QQYY QQYY QQYY 10 NANDファミリ製品番号の読み方 NAND S 34 M L 08G 2 1 マルチレベル 002-02534 Rev. *B 技術: 1 = 4x nm 2 = 32nm 3 = 16nm メモリ容量: 01G = 1Gb 02G = 2Gb 04G = 4Gb 08G = 8Gb 16G = 16Gb 電圧: L = 3.0V S = 1.8V ファミリ: M = NAND (アドレス データ多重化) S = セキュアNAND (アドレス データ多重化) シリーズ: 34 = NAND 接頭辞: S セル Owner: WIOB BUM: RHOE サイプレス ロードマップ: フラッシュ メモリ Product Selector Guide 11 NANDフラッシュ メモリ ロードマップ 製品ファミリ 1 メモリ容量 S34MS-1／S34ML-1 4x nm SLC、ONFI 1.0 1.8V／3.0V 8Gb1 4Gb 2Gb 1Gb S34MS-2／S34ML-2 32nm SLC、ONFI 1.0 1.8V／3.0V 16Gb 8Gb 4Gb 2Gb 1Gb S34SL-2 32nm SLC、ONFI 1.0 3.0V 4Gb 2Gb 1Gb (量産) [製品廃止] 2016 Q1 Q2 Q3 2017 Q4 Q1 Q2 Q3 2018 Q4 Q1 Q3 Q4 企画中 Owner: WIOB BUM: RHOE Q1 Q2 Q3 2020 Q4 Q1 Q2 Q3 Q4 [Q2’18] [Q2’18] [Q2’18] [Q2’18] 3.0Vのみ 002-02534 Rev. *B Q2 2019 サイプレス ロードマップ: フラッシュ メモリ サンプル出荷 量産 製品廃止 12 SLC NANDポートフォリオ S34ML-11 4x nm、3.0V SLC、ONFI 1.02 S34MS-11 4x nm、1.8V SLC、ONFI 1.02 S34ML-23 32nm、3.0V SLC、ONFI 1.02 S34MS-23 32nm、1.8V SLC、ONFI 1.02 16Gb；x8 40MBps * I、A5、V5、B5 S34SL-23、4 32nm、3.0V SLC、ONFI 1.02 S34ML-31 16nm、3.0V SLC、ONFI 1.02 S34MS-31 16nm、1.8V SLC、ONFI 1.02 16Gb；x8 40MBps * I、A5、V5、B5 16Gb；x8 40MBps * I、A、V、B 16Gb；x8 40MBps * I、A、V、B 8Gb；x8 40MBps * I、A、V、B 8Gb；x8 40MBps * I、A、V、B 8Gb；x8 40MBps * I、A、V、B 8Gb；x8 40MBps * I、A、V、B 特に記載がない限り、 すべての製品は 長期供給プログラムにより サポートされる 1Gb～4Gb 8Gb～16Gb メモリ容量；バス幅 インターフェース帯域幅 * 温度範囲 8Gb；x8 Q218 40MBps * I、A、V5、B Q218 4Gb；x8／16 40MBps * I、A、V 、B 4Gb；x8 Q218 40MBps * I、A5、V、B 4Gb；x8／16 40MBps * I、A、V、B 4Gb；x8／16 40MBps * I、A、V、B 4Gb；x8 40MBps * I、V 4Gb；x8 40MBps * I、A、V、B 4Gb；x8 40MBps * I、A、V、B Q218 2Gb；x8／16 40MBps * I、A、V、B Q218 2Gb；x8／16 40MBps * I、A5、V、B 2Gb；x8／16 40MBps * I、A5、V5、B5 2Gb；x8／16 40MBps * I、A5、V5、B5 2Gb；x8 40MBps * I、V5 2Gb；x8 40MBps * I、A、V、B 2Gb；x8 40MBps * I、A、V、B Q218 Q218 1Gb；x8／16 40MBps * I、A5、V、B 1Gb；x8／16 40MBps * I、A、V、B 1Gb；x8／16 40MBps * I、A、V、B 1Gb；x8 40MBps * I、V 1Gb；x8 40MBps * I、A、V、B 1Gb；x8 40MBps * I、A、V、B 1Gb；x8 40MBps * I、A、V、B * I = 産業用: -40ºC～+85ºC A = 産業用、AEC-Q100グレード3: -40ºC～+85ºC V = 産業用プラス: -40ºC～+105ºC B = 産業用プラス、AEC-Q100グレード2: -40ºC～+105ºC 002-02534 Rev. *B Owner: WIOB BUM: RHOE エラー訂正コード (ECC) インターフェース 3 4ビット エラー訂正コード (ECC) 4 SecureNAND™: 全容量の揮発性と不揮発性ブロック保護機 能を備えたサイプレスのSLC NANDフラッシュ メモリ 5 営業問合せ 1 1ビット 2 オープンNANDフラッシュ サイプレス ロードマップ: フラッシュ メモリ 企画中 状況 出荷予定 EOL (最終出荷) 開発中 サンプル出荷 量産中 QQYY QQYY QQYY 13 フラッシュおよびRAM MCP製品番号 の読み方 S 71 N S 512 R D RAM容量: A = 16Mb B = 32Mb C = 64Mb D = 128Mb E = 256Mb フラッシュ技術: N = 110nm MirrorBit (MB) P = 90nm MB R、 S = 65nm MB フラッシュ容量: 032 = 32Mb 064 = 64Mb 128 = 128Mb 256 = 256Mb 512 = 512Mb 01G = 1Gb 電圧: L = 3.0V S = 1.8V ファミリ: シリーズ: G = ページ モード K = HyperFlash N = バースト モード同時読み出し／書き込みADM (アドレス データ多重化) V = バースト モード同時読み出し／書き込みADM (アドレス データ多重化) W = バースト モード同時読み出し／書き込みADP (アドレス データ パラレル) X = バースト モード同時読み出し／書き込みAADM (アドレス アドレス データ多重化) 71、98 = NORフラッシュ + pSRAM 72 = NORフラッシュ + DRAM 接頭辞: S メモリ タイプ: 2 = NAND SLC、x16 NAND、x16 LPDDR1、200MHz DDR、1.8V RAM容量: 9 = 512Mb S 76 M S A 9 2 フラッシュ容量: A = 1Gb 002-02534 Rev. *B 電圧: L = 3.0V ファミリ: M = NAND シリーズ: 76 = NANDフラッシュ + DRAM 接頭辞: S Owner: WIOB BUM: RHOE S = 1.8V サイプレス ロードマップ: フラッシュ メモリ Product Selector Guide 14 フラッシュおよびRAM MCPフラッシュ メモリ ロードマップ 製品ファミリ フラッシュ／RAM 2016 フラッシュ容量 (量産) ／RAM容量 [製品廃止] Q1 Q2 Q3 S71WS-P 90nm MB／pSRAM 1.8V 256Mb／64Mb S71NS-P 90nm MB／pSRAM 1.8V 512Mb／128Mb S71VS-R 65nm MB／pSRAM 1.8V 256Mb／128Mb 256Mb／64Mb 128Mb／64Mb 128Mb／32Mb 64Mb／32Mb S72VS-R 65nm MB／DRAM 1.8V 256Mb／256Mb S72XS-P 65nm MB／DRAM 1.8V 256Mb／256Mb 2017 Q4 Q1 Q2 Q3 2018 Q4 Q1 Q2 Q3 2019 Q4 Q1 Q2 Q3 2020 Q4 Q1 Q2 Q3 Q4 S98GL-N 110nm MB／pSRAM 64Mb／32Mb 3.0V S76MS NAND／DRAM 1.8V 1Gb／512Mb S71KS-S／S71KL-S 512Mb／64Mb HyperFlash／ 256Mb／64Mb HyperRAM 128Mb／64Mb 1.8V／3.0V (Q3’16) (未定) (未定) 企画中 002-02534 Rev. *B Owner: WIOB BUM: RHOE サイプレス ロードマップ: フラッシュ メモリ サンプル出荷 量産 製品廃止 15 フラッシュおよびRAM MCPメモリ ポートフォリオ S71WS-P1 90nm MB、 1.8V S71NS-P2 90nm MB、 1.8V フラッシュ容量 RAM容量 * 温度範囲 特に記載がない限り、 すべての製品は 長期供給プログラム によりサポートされる S71VS-R2 65nm MB、 1.8V S72VS-R3 65nm MB、 1.8V S72XS-R3 65nm MB、 1.8V S98GL-N4 110nm MB、 3.0V S76MS5 32nm MB、 1.8V S71KS-S6 65nm MB、 1.8V S71KL-S6 65nm MB、 3.0V ≥ 256Mb 1Gb 512Mb *I 512Mb 64Mb9 * I、A、V、B 512Mb Q316 64Mb9 * I、A、V、B 256Mb 64Mb *W 256Mb 64Mb9 * I、A、V、B 256Mb 64Mb9 * I、A、V、B 128Mb 64Mb *W 128Mb 64Mb9 * I、A、V、B 128Mb 64Mb9 * I、A、V、B 512Mb 128Mb *W 256Mb 256Mb7 *I 256Mb 128Mb *W 64～128Mb 256Mb 64Mb *W 256Mb 256Mb *W 256Mb 256Mb8 * W、I 128Mb 32Mb *W 64Mb 32Mb *W * W = ワイヤレス: -25ºC ～+85ºC I = 産業用: -40ºC ～+85ºC A = 産業用、AEC-Q100グレード3: -40ºC ～+85ºC V = 産業用プラス: -40ºC ～+105ºC B = 産業用プラス、AEC-Q100グレード2: -40ºC ～+105ºC 002-02534 Rev. *B Owner: WIOB BUM: RHOE 64Mb 32Mb *I (アドレス データ パラレル) バースト (アドレス データ多重化) バースト 3 AADM (上位アドレス、下位アドレス、 データ多重化) バースト 4 パラレル、ページ モード 5 NAND 6 HyperFlash 7 DRAMバージョン2 1 ADP 8 DRAMバージョン1 2 ADM 9 HyperRAM サイプレス ロードマップ: フラッシュ メモリ 企画中 状況 出荷予定 EOL (最終出荷) 開発中 サンプル出荷 量産中 QQYY QQYY QQYY 16 パラレルNORフラッシュ メモリ パッケージ ファミリ AS-J AL-J JL-J PL-J GL-N GL-P GL-S GL-T 002-02534 Rev. *B メモリ容量 デバイス 48ボール FBGA 48ボール FBGA 56ボール BGA 64ボール BGA 64ボール 強化BGA (0.8mmピッチ) (0.5mmピッチ) (0.8mmピッチ) (0.8mmピッチ) (1.0mmピッチ) S29AS008J 16Mb S29AS016J 8Mb S29AL008J 16Mb S29AL016J 32Mb S29JL032J 8Mb 48ピン TSOP 56ピン TSOP KGD 64Mb S29JL064J 32Mb S29PL032J 64Mb S29PL064J 128Mb S29PL127J 32Mb S29GL032N 64Mb S29GL064N 128Mb S29GL128P 256Mb 512Mb S29GL256P S29GL512P 1Gb S29GL01GP 2Gb S70GL02GP 64Mb S29GL064S 128Mb S29GL128S 256Mb S29GL256S 512Mb S29GL512S 1Gb S29GL01GS 2Gb S70GL02GS 512Mb S29GL512T 1Gb S29GL01GT 2Gb S70GL02GT Owner: WIOB BUM: RHOE サイプレス ロードマップ: フラッシュ メモリ 17 バーストNORフラッシュ メモリ パッケージ ファミリ WS-P NS-P VS-R XS-R 44ボール FBGA (0.5mmピッチ) 64ボール BGA (0.5mmピッチ) 80ボール FBGA (1.0mmピッチ) 80ピン PQFP KGD S29CD016J 32Mb S29CD032J 16Mb S29CL016J 32Mb S29CL032J デバイス 128Mb S29WS128P 256Mb S29WS256P 512Mb S29WS512P 512Mb S29NS512P 64Mb S29VS064R 128Mb S29VS128R 256Mb S29VS256R 64Mb S29XS064R 128Mb S29XS128R 256Mb S29XS256R 16Mb CD-J CL-J 002-02534 Rev. *B 84ボール 強化BGA (0.8mmピッチ) メモリ容量 Owner: WIOB BUM: RHOE サイプレス ロードマップ: フラッシュ メモリ 18 SPI NORフラッシュ メモリ パッケージ ファミリ メモリ容量 デバイス FL2-K 8Mb 16Mb 32Mb 64Mb 64Mb 128Mb 256Mb 32Mb 64Mb 128Mb 128Mb 256Mb 128Mb 128Mb 256Mb 512Mb 1Gb 256Mb 512Mb 1Gb 64Mb 128Mb 256Mb 512Mb 1Gb S25FL208K S25FL116K S25FL132K S25FL164K S25FL064L S25FL128L S25FL256L S25FL032P S25FL064P S25FL128P S25FL129P S70FL256P S25FL127S S25FL128S S25FL256S S25FL512S S70FL01GS S79FL256S S79FL512S S79FL01GS S25FS064S S25FS128S S25FS256S S25FS512S S70FS01GS FL1-K FL-L FL-P FL-S FL-S Dual Quad FS-S SOIC-8 150mil SOIC-8 208mil UD UD SOIC-16 300mil USON 4 x 3mm WSON 4 x 4mm WSON 6 x 5mm CF CF UD UD UD UD CF WSON 8 x 6mm VSOP8 208mil UD LGA (CF) LGA (CF) CF BGA24 BGA24 8 x 6mm 8 x 6mm 5 x 5ボール 4 x 6ボール UD UD UD UD KGD CF = メーカー問合せ UD = 開発中 002-02534 Rev. *B Owner: WIOB BUM: RHOE サイプレス ロードマップ: フラッシュ メモリ 19 HyperFlashおよびHyperRAMパッケージ ファミリ KS-S KL-S KS-1 KL-1 BGA24 8 x 6mm 5 x 5ボール KGD S26KS128S CF 256Mb S26KS256S CF 512Mb S26KS512S CF 1Gb S70KS01GS 128Mb S26KL128S CF 256Mb S26KL256S CF 512Mb S26KL512S CF 1Gb S70KL01GS 64Mb S26KS0641 128Mb S70KS1281 256Mb S70KS2561 64Mb S26KL0641 128Mb S70KL1281 256Mb S70KL2561 メモリ容量 デバイス 128Mb CF CF CF = メーカー問合せ 002-02534 Rev. *B Owner: WIOB BUM: RHOE サイプレス ロードマップ: フラッシュ メモリ 20 SLC NANDパッケージ ファミリ ML-1 ML-2 ML-3 MS-1 MS-2 MS-3 002-02534 Rev. *B メモリ容量 デバイス 1Gb 2Gb 4Gb 8Gb 1Gb 2Gb 4Gb 8Gb 16Gb 1Gb 2Gb 4Gb 8Gb 16Gb 1Gb 2Gb 4Gb 1Gb 2Gb 4Gb 8Gb 16Gb 1Gb 2Gb 4Gb 8Gb 16Gb S34ML01G1 S34ML02G1 S34ML04G1 S34ML08G1 S34ML01G2 S34ML02G2 S34ML04G2 S34ML08G2 S34ML16G2 S34ML01G3 S34ML02G3 S34ML04G3 S34ML08G3 S34ML16G3 S34MS01G1 S34MS02G1 S34MS04G1 S34MS01G2 S34MS02G2 S34MS04G2 S34MS08G2 S34MS16G2 S34MS01G3 S34MS02G3 S34MS04G3 S34MS08G3 S34MS16G3 Owner: WIOB BUM: RHOE 63ボール BGA (0.8mmピッチ) サイプレス ロードマップ: フラッシュ メモリ 67ボール BGA (0.8mmピッチ) 48ピン TSOP 21 セキュアNANDパッケージ ファミリ SL-2 002-02534 Rev. *B 63ボール BGA (0.8mmピッチ) メモリ容量 デバイス 1Gb S34SL01G2 2Gb S34SL02G2 4Gb S34SL04G2 Owner: WIOB BUM: RHOE サイプレス ロードマップ: フラッシュ メモリ 153ボール FBGA (0.5mmピッチ) 100ボール LBGA (1.0mmピッチ) 22 フラッシュおよびRAM MCPメモリ パッケージ BGA24 8 x 6mm 5 x 5ボール 56ボール 超薄型FBGA (0.5mmピッチ) 56ボール FBGA (0.8mmピッチ) 84ボール FBGA (0.8mmピッチ) 130ボール BGA (0.65mmピッチ) 133ボール FBGA (0.5mmピッチ) フラッシュ 容量 RAM 容量 S71WS-P 256Mb 64Mb S71NS-P 512Mb 128Mb 256Mb 128Mb 256Mb 64Mb 128Mb 64Mb 128Mb 32Mb 64Mb 32Mb S72VS-R 256Mb 256Mb S72XS-R 256Mb 256Mb S98GL-N 64Mb 32Mb 1Gb 512Mb 128Mb 64Mb 256Mb 64Mb 512Mb 64Mb 128Mb 64Mb 256Mb 64Mb 512Mb 64Mb ファミリ S71VS-R S76MS S71KS-S S71KL-S 002-02534 Rev. *B Owner: WIOB BUM: RHOE サイプレス ロードマップ: フラッシュ メモリ 23
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