BIF付き電圧、温度モニタIC MM3757 Series

MITSUMI
BIF付き電圧、温度モニタIC
MM3757 Series
BIF付き電圧、温度モニタIC
MM3757 Series
概要
MM3757は電圧、温度モニター ICです。
充電回路を含めたソリューションにおいて、電池パック側のMM3757により電池電圧が正確に測定できます。
このソリューションによって、充電側のCC
(定電流)充電モードを最長化することで充電時間の短縮が可能となります。
また、通信インターフェースには国際的な機関MIPI® Allianceにより開発された電池のためのインターフェースである
MIPI® BIFを採用しています。
特長
(特記なき場合、Topr=+25℃)
(1)高精度な電池電圧および温度測定
(2)通信方式
MIPI® BIF準拠
用途
電圧モニタ
パッケージ
Top view
PLP-6H
1
6
2
5
3
4
端子番号
名称
入出力
1
2
3
4
5
6
VDD
VREG
VSS
CE
BCL
TEST
IN
OUT
機能
VDD端子
レギュレータ出力端子
VSS端子
IN
チップイネーブル端子
IN/OUT MIPI® BIFのBCL端子
テスト端子
• 記載された製品は改良などにより、 外観及び記載事項の一部を予告なく変更することがあります。
• 記載内容は実際にご注文される時点での個別の製品の仕様を保証するものではありませんので、ご使用にあたりましては、必ず製品仕様書・製品規格をご請求の上、確認して頂きますようお願い致します。
• Any products mentioned in this catalog are subject to any modification in their appearance and others for improvements without prior notification.
• The details listed here are not a guarantee of the individual products at the time of ordering. When using the products, you will be asked to check their specifications.
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BIF付き電圧、温度モニタIC
MM3757 Series
ブロック図
VDD
ADC
Digital
Filter
OTP
Register
Sequencer
BIF
BCL
VSS
Internal
Temperature
Sensor
VREG
Power Control
VREG
OSC
CE
TEST
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• 記載内容は実際にご注文される時点での個別の製品の仕様を保証するものではありませんので、ご使用にあたりましては、必ず製品仕様書・製品規格をご請求の上、確認して頂きますようお願い致します。
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BIF付き電圧、温度モニタIC
MM3757 Series
応用回路図
B+
P+
R3
MM3757
R1
R5
VDD
R6
BCL
BCL
MM3722
VREG
C5
VDD
V−
VSS
COUT
CS
DOUT
C1
C6
TEST
CE
C2
R2
C4
R7
VSS
DFET
D
CFET
B−
P−
Rsns
記号
R1
C1
R2
C2
C3
Rsns
C4
部品
Resistor
Capacitor
Resistor
Capacitor
Capacitor
Resistor
Capacitor
DFET
CFET
Nch MOS FET
R3
C5
C6
R5
R6
R7
DZ
Resistor
Capacitor
Capacitor
Resistor
Resistor
Resistor
Zener Diode
最小値
0.01μF
推奨値
100Ω
0.1μF
1.0kΩ
0.1μF
0.1μF
4mΩ
0.1μF
C3
最大値
1KΩ
1.0μF
1.0kΩ
目的
電源電圧変動対策、ESD対策
電源電圧変動対策
充電器逆接電流制限
ノイズ対策
ノイズ対策
電流検出抵抗
ノイズ対策
充放電制御
10Ω
1.0μF
0.1μF
100Ω
100Ω
1MΩ
6.8V
100Ω
100Ω
1MΩ
電源電圧変動対策、ESD対策
電源電圧変動対策
内部電源電圧変動対策
ESD対策
ESD対策
ESD対策
ESD保護ダイオード
本回路例および定数は、
動作を保証するものではありません。実際のアプリケーションで十分な評価を実施の上、
定数を設定してください。
• 記載された製品は改良などにより、 外観及び記載事項の一部を予告なく変更することがあります。
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MM3757 Series
使用上の注意点
· R1、C1によってICの電源変動を抑えています。しかし、R1を大きくすると保護ICの消費電流により検出電圧が大きく
なります。R1は1kΩ以下にしてください。また、安定動作させるために、C1の値は0.01μF以上にしてください。
· R1、R2は電池パックを逆充電した時や、保護ICの絶対最大定格以上の電圧の充電器を接続した時の電流制限抵抗に
なります。しかし、R1、R2を小さくすると許容損失を超える場合がありますので、R1とR2の和は1kΩ以上にしてください。
また、R2は1.0kΩにしてください。
· 過放電状態ではV-端子はRpuによりVDD端子へにプルアップされます。充電器が接続されると、P-端子はDFETの
寄生ダイオードによって約-0.7Vに引き下げられます。また、P+端子からP-端子へ電流Iv-が流れ、R1には⊿Vの電圧
降下が生じます。したがって過放電復帰時の電池電圧Vrel2'は次の式で表されます。
Vrel2' = Vdet2 +⊿VR1
= Vrel2 + R1 *Iv‒
= Vrel2 + R1 (Vdet2
*
+ 0.7)
/(R1 + Rpu + R2)
· C2、
C3は、
電圧変動や外来ノイズに対する耐量を向上させシステムを安定化させる効果があります。挿入の要否、
位置、
容量値は特性をご確認の上、選定してください。
· Rsnsを大きくすると電力ロスが多くなります。また、過電流により抵抗の許容損失を超える場合がありますので電池、
システムの仕様をご確認の上選定してください。
· C4の容量は、CS端子の外来ノイズに対する耐量を向上させ過電流の誤検出を防ぐ効果があります。
CS端子、VSS端子の近傍に配置してください。
· 放電過電流検出、短絡検出の電流閾値
(Idoc1、Ishort1、Ishort2)
は以下の式で表されます。
Idoc=Vdet3 / Rsns
Ishort1 = Vshort1 / Rsns
Ishort2 = Vshort2 /(Rsns + 2Ron)
*Ron : CFET、DFETのON抵抗
· 充電過電流検出の電流閾値
(Icoc)
は以下の式で表されます。
Icoc=‒Vdet4 / Rsns
· R3, C5によってMM3757の電源変動を抑えています。
· C6はMM3757の内蔵レギュレータ安定化のための容量です。
· R5, R6, R7, DZは通信端子をESD破壊から保護するための素子です。
• 記載された製品は改良などにより、 外観及び記載事項の一部を予告なく変更することがあります。
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