特別シンポジウム / Special Symposium
特別シンポジウム / Special Symposium
「超スマート社会へ向けた応用物理」～第 5 期科学技術基本計画への期待と課題～ / Applied Physics for Smart Society 5.0 ～ Expectations and Challenges in the 5th Science and Technology
Basic Plan ～
9/13(Tue.) 13:00 - 17:45 口頭講演 (Oral Presentation) C41 会場
13:00
招 13p-C41-1 はじめに
〇保立 和夫 1,2
1. 応用物理学会 会長 , 2. 東京大学　理事・副学長
13:10
招 13p-C41-2 基調講演：我が国の科学技術イノベーション政策－第 5 期科 〇久間 和生 1
1. 内閣府総合科学技術・イノベーション会議　常
学技術基本計画を中心に－
勤議員
1
14:00
招 13p-C41-3 ICT の潮流～本格化する AI/Big Data/CPS ～
〇佐相 秀幸
1.( 株 ) 富士通研究所　代表取締役会長
14:40
招 13p-C41-4 自動走行システムの実現に向けて
〇葛巻 清吾 1
1. トヨタ自動車 ( 株 ) 先進技術統括部安全技術企
―日本政府の取組みと今後の課題―
画　主査　SIP 自動走行システム　プログラムダ
イレクター、　内閣府
1
15:20
招 13p-C41-5 新しい材料から創る未来社会
〇細野 秀雄
1. 東京工業大学フロンティア研究センター　教授
16:00
休憩 /Break
招 13p-C41-6 総合討論：第 5 期科学技術基本計画への期待と課題
招 13p-C41-7 総合討論
17:40
招 13p-C41-8 おわりに
シンポジウム / Symposium
〇窪田 規一 1
1. ペプチドリーム ( 株 )　代表取締役社長
〇西川 恒一 1, 高井 まどか 2, 久間 和生 3, 佐相 秀幸 1. 豊田中央研究所 , 2. 東京大学 , 3. 内閣府 , 4. 富士
4
, 葛巻 清吾 5, 細野 秀雄 6, 窪田 規一 7, 保立 和夫 2 通研究所 , 5. トヨタ自動車 , 6. 東京工業大学 , 7. ペ
プチドリーム
〇財満 鎭明 1,2
1. 応用物理学会副会長 , 2. 名古屋大学 副総長
1 応用物理学一般 / Interdisciplinary Physics and Related Areas of Science and Technology
S.1 学習意欲向上のための授業改善　～能動的学習に向けた実践事例について～ / Development of Classes for Enhancing Learner's Motivation Practice Cases leading to Active Learning
9/13(Tue.) 13:45 - 16:45 口頭講演 (Oral Presentation) B10 会場
13:45
招 13p-B10-1 深い学びを促すアクティブ・ラーニングを広めよう
〇土佐 幸子 1
1. 新潟大教育
14:15
招 13p-B10-2 教員のアクティブ・ラーニング実施のための教授スキル向上に 〇上田 あゆ美 1
1. ウチダ人材開発センタ
ついて
14:30
招 13p-B10-3「学生をその気にさせる」学びの場のデザイン
〇濱村 道治 1
1. パワープレイス
14:45
招 13p-B10-4 アクティブ・ラーニングを意識した実験改革
〇信山 克義 1
1. 八工大工
－八戸工業大学工学部電気電子システム学科の取り組み－
15:15
休憩 /Break
15:30
招 13p-B10-5 八戸高専４学期制における自主探究学習 －学生の挑戦の３か
月間 －
16:00
招 13p-B10-6 CGI を使った Web レスポンスシステムの試作と大学化学教育
での利用例
16:30
13p-B10-7「想定読者」を意識した執筆指導の能動的学習としての効果
3 光・フォトニクス / Optics and Photonics
S.24 ナノフォトニクスと熱の融合 / Thermonanophotonics
9/13(Tue.) 13:45 - 18:00 口頭講演 (Oral Presentation) C302 会場
13:45
招 13p-C302-1 ナノフォトニクスによる熱輻射制御
14:15
招 13p-C302-2 メタフィラメントによる熱輻射制御とその応用
14:45
奨 13p-C302-3 高融点材料を用いたプラズモニック波長選択熱輻射体
15:00
15:15
15:30
15:45
16:15
16:45
17:15
17:30
〇工藤 隆男 1
1. 八戸高専産業システム工学科
〇武田 清 1
1. 鳴門教大
〇葛生 伸
1. 福井大工
1
〇宮崎 英樹 1
〇高原 淳一 1,2, 劉 天際 2, 豊田 紘史 2
〇 (PC) 横山 喬大 1,2, Thang Duy Dao1,2,
Kai Chen1,2, 石井 智 1,2, Ramu Pasupathi
Sugavaneshwar1,2, 長尾 忠昭 1,2,3
13p-C302-4 白金ドープ異方性銀ナノ粒子の光熱変換治療材料としての機能 〇須川 晃資 1, 加藤 真洋 1, 宇部 卓司 2, 石黒 孝 2,
性評価
大月 穣 1
13p-C302-5 マイクロ粒子添加による金ナノコロイドの高効率レーザー光誘 〇 (M2) 宮井 萌 1,2, 西村 勇姿 1,2, 床波 志保 2, 飯田
起集合化
琢也 1
休憩 /Break
招 13p-C302-6 高温フォトニクスによる太陽熱利用技術の高度化
招 13p-C302-7 両面一括製作法による太陽熱光発電用 Ni-W アブソーバ・エ
ミッタ
招 13p-C302-8 ナノ粒子の光学共鳴を利用した太陽光の高効率吸収とその熱応
用
13p-C302-9 穴開き MIM 構造による可視 - 赤外広帯域光吸収
13p-C302-10 プラズモン光捕捉における局所温度上昇と輸送現象の定量評価
17:45
〇湯上 浩雄 1, 清水 信 1
〇岩見 健太郎 1
1. 物材機構
1. 阪大フォトニクスセ , 2. 阪大院工
1. 物材機構 , 2.JST-CREST, 3. 北大院理
1. 日大理工 , 2. 東京理科大基礎工
1. 阪府大理 , 2. 阪府大工
1. 東北大院工
1. 農工大院工
〇石井 智 1,2, 長尾 忠昭 1,2
1. 物材機構 MANA, 2.JST CREST
〇鷹取 賢太郎 , 岡本 隆之 , 石橋 幸治
1. 理研 , 2. 東工大院
〇坪井 泰之 1, 伊藤 謙太 1, 東海林 竜也 1, 脇坂 優美 1. 阪市大院理 , 2. 北大院理・総合化学院
2
, 村越 敬 2
山本 賢 1, 外川 遼太郎 1, 藤村 隆史 1, 〇梶川 浩太郎 1. 東工大総合理工
1,2
1,2
1
13p-C302-11 ATR 法によるアンチストークス蛍光を用いた局所的な温度変
1
化の測定
6 薄膜・表面 / Thin Films and Surfaces
S.7 STM ノーベル賞 &AFM 発明 30 周年記念シンポジウム　～プローブ顕微鏡のこれまでとこれから～ / 30 years anniversary for Nobel prize of STM and development of AFM
9/13(Tue.) 13:15 - 17:30 口頭講演 (Oral Presentation) A31 会場
13:15
招 13p-A31-1 STM ノーベル賞と STM 研究の進展
〇橋詰 富博 1,2
1. 日立研開 , 2. 東工大
13:45
招 13p-A31-2 スピン偏極 STM による原子レベルでの磁性探索
〇山田 豊和 1
1. 千葉大院融合
1
1
1
2
14:15
招 13p-A31-3 近接場顕微分光手法の拡張とプラズモン研究への応用
〇井村 考平 , 今枝 佳祐 , 溝端 秀聡 , 西山 嘉男 , 1. 早稲田大理工 , 2. 金沢大 , 3. 分子研
岡本 裕巳 3
14:45
招 13p-A31-4 時間分解走査トンネル顕微鏡の開発と展望
〇吉田 昭二 1, Zi-han Wang1, 武内 修 1, 重川 秀実 1 1. 筑波大
15:00
休憩 /Break
15:15
15:45
16:15
16:30
招 13p-A31-5
招 13p-A31-6
招 13p-A31-7
招 13p-A31-8
原子分解能原子間力顕微鏡法の歴史と現状
原子スケール液中 AFM 技術の現状と今後の展望
高速 AFM の開発とそのバイオ応用
電気二重層トランジスタの微視的理解に向けた周波数変調
AFM 及び古典 MD 計算によるイオン液体 / 有機半導体界面の
構造評価
〇森田 清三 1
〇福間 剛士 1,2
〇古寺 哲幸 1,2, 内橋 貴之 1,3, 安藤 敏夫 1,3
〇横田 泰之 1, 原 援又 2, 森野 裕介 2, 坂東 賢一 2, 大
野 桜子 2, 宮本 洋雄 2, 今西 哲士 2, 稲垣 耕司 3, 森川
良忠 3, 岡田 悠悟 4, 松井 弘之 4, 植村 隆文 4, 竹谷 純
一 4, 福井 賢一 2
16:45
招 13p-A31-9 時分解静電気力顕微鏡による有機薄膜トランジスタのキャリア 〇小林 圭 1,2, 山田 啓文 2
ダイナミクス可視化
17:00
招 13p-A31-10 Si 及び Beyond Si トランジスタ動向と SPM 技術
〇臼田 宏治 1
S.8 薄膜・表面分野で活躍する女性研究者 / Active Woman Researchers in the Field of Surface and Thin Film
9/13(Tue.) 13:15 - 18:00 口頭講演 (Oral Presentation) A32 会場
13:15
招 13p-A32-1 薄膜・表面の物性科学
〇川合 眞紀 1,2
14:15
招 13p-A32-2 吸着分子におけるスピン物性の理論
〇南谷 英美 1
14:45
招 13p-A32-3 量子化と歪みでシリコンはどこまで変わるのか？ - 基礎物性の 〇武田 さくら 1
立場から 15:15
招 13p-A32-4 放射光ナノ顕微分光によるエネルギーデバイス界面のオペラン 〇永村 直佳 1, 堀場 弘司 2, 尾嶋 正治 3
ド測定
15:45
休憩 /Break
1. 阪大
1. 金大 , 2.JST/ACT-C
1. 金沢大理工 , 2.JST さきがけ , 3.JST CREST
1. 理研 , 2. 阪大院基礎工 , 3. 阪大院工 , 4. 東大院新
領域
1. 京大白眉セ , 2. 京大工
1. 東芝研開センター
1. 分子研 , 2. 東大新領域
1. 東大工
1. 奈良先端大
1. 物材機構 , 2.KEK 物構研 , 3. 東大放射光
特別シンポジウム / Special Symposium
16:20
16:30
シンポジウム / Symposium
16:00
招 13p-A32-5 立体側面を起点とした 3 次元ナノ構造造形
〇服部 梓 1,2
16:30
招 13p-A32-6 二次元超薄膜への可逆的非破壊・接触面積制御電気コンタクト 〇吉武 道子 1
17:00
招 13p-A32-7 金属ナノ微粒子の自己組織化とデバイス応用
〇玉田 薫 1
17:30
招 13p-A32-8 応用物理分野における女性研究者・技術者の活躍
〇為近 恵美 1
S.9 酸化物エレクトロニクスの未来展望を描く / Toward future applications of oxides electronics; past, present and future
9/13(Tue.) 13:15 - 18:15 口頭講演 (Oral Presentation) A22 会場
13:15
招 13p-A22-1 なぜ a-IGZO TFT が実用化されたのか
〇神谷 利夫 1, 細野 秀雄 1
14:15
招 13p-A22-2 半導体テクノロジーの進展に果たした High-k 酸化物の役割
〇福島 伸 1
15:15
休憩 /Break
15:30
16:30
シンポジウム / Symposium
17:00
招 13p-A22-3 ローパワーマイコン向け TaOx ReRAM の開発
招 13p-A22-4 酸化ガリウムエピ／基板開発の進展
休憩 /Break
1. 阪大産研 , 2.JST さきがけ
1. 物材機構
1. 九大先導研
1. 横浜国大
1. 東京工業大学
1. 東芝研開セ
〇魏 志強 1
〇佐々木 公平 1,2,3, 倉又 朗人 1,2, 増井 建和 1,2, 後藤
1. パナソニック
1. タムラ製作所 , 2. ノベルクリスタルテクノロ
健
, 富樫 理恵 , 村上 尚 , 熊谷 義直 , モネマー ジー , 3. 情通機構 , 4. 東京農工大院工 , 5. 東京農工
ボ 5,6, 東脇 正高 3, 山腰 茂伸 1,2
大 GIRO, 6. リンチョピン大学
1,2,4
4
4
4
17:15
招 13p-A22-5 エピタキシャル電極を用いた SAW デバイスの実用化
〇中川原 修 1
10 スピントロニクス・マグネティクス / Spintronics and Magnetics
S.13 弱磁性物質への磁場効果を利用した材料プロセス / Material processing using magnetic field effect on feeble magnetic
9/13(Tue.) 13:15 - 16:30 口頭講演 (Oral Presentation) A34 会場
13:15
招 13p-A34-1 カーボンナノチューブの磁気浮上配向と光学物性制御
〇藤原 昌夫 1
13:45
招 13p-A34-2 高磁場を利用した機能性セラミックスの開発
〇田中 諭 1
14:15
招 13p-A34-3 ２次元反応場における結晶析出に対する強磁場効果
〇山本 勲 1, 倉本 健一郎 1, 木元 沙絵 1, 千葉 能久 1,
尾野藤 哲也 1
14:45
休憩 /Break
15:00
招 13p-A34-4 光特性を磁場制御できる光機能ナノ材料の創製
1. 村田製作所
1. 広大院理
1. 長岡技科大
1. 横国大院工
〇米村 弘明 1, 新見 友樹 2, 中 祐二 2, 西野 光彦 2, 冨 1. 九大院工 , 2. 九大工府 , 3. 九大工
山 泰隆 3, 山田 淳 1
〇奥村 英之 1
1. 京大エネ科
〇廣田 憲之 1
1. 物材機構
15:30
招 13p-A34-5 不均一系光触媒反応における磁場効果
16:00
招 13p-A34-6 弱磁性物質挙動の高磁場中その場観察
12 有機分子・バイオエレクトロニクス / Organic Molecules and Bioelectronics
S.15 ナノバイオテクノロジーとバイオセンシングに関するジョイントシンポジウム / English session: Joint symposium on Nanobiotechnology and Biosensing
9/13(Tue.) 13:15 - 18:00 口頭講演 (Oral Presentation) B1 会場
13:15
招 E 13p-B1-1 Magnetic nanoparticles for medical diagnostics
〇 Adarsh Sandhu1
1.UEC, Tokyo
14:00
招 E 13p-B1-2 Functional analysis of biomolecules using single-molecule
〇 Yoshie Harada1
1.iCeMS, Kyoto Univ.
imaging technique
14:30
E 13p-B1-3 Molecularly imprinted polymer nanogels for drug delivery
Yukiya Kitayama1, Kazuko Toh2, Matsumoto Yu2,
1.Kobe Univ., 2.Grad. School Med. Univ. of Tokyo,
nanocarriers
Kataoka Kazunori2,3, 〇 Toshifumi Takeuchi1
3.Grad. School Eng. Univ. of Tokyo
1
1
2
14:45
奨 E 13p-B1-4 Development of Histamine-template Molecularly Imprinted
〇 Haoyue Yang , Shoichi Nishitani , Taira Kajisa , 1.Univ. of Tokyo, 2.PROVIGATE Inc., 3.Hiroshima
3
1
Polymer-based Field Effect Transistor for a Novel Allergy Test Yuki Yanase , Toshiya Sakata
Univ.
15:00
E 13p-B1-5 Development of Sugar Chain Targeted Molecularly Imprinted 〇 (M1)Shoichi Nishitani1, Taira Kajisa2, Toshiya
1.Univ. of Tokyo, 2.PROVIGATE Inc.
Polymer Coated-gate Field Effect Transistor for Cancer Cell
Sakata1
Detection
15:15
E 13p-B1-6 Computer Simulation of Electrochemical Impedance
〇 Shigeyasu Uno1, Kazuo Nakazato2
1.Ritsumeikan Univ., 2.Nagoya Univ.
Spectroscopy for Detection of Single-bacterial Cell using
Microelectrodes on CMOS LSI Chips
15:30
休憩 /Break
15:45
16:15
16:45
17:00
17:15
17:30
17:45
招 E 13p-B1-7 About the Potential of Proteinaceous Microfabrication in
Biomedical Applications
招 E 13p-B1-8 The Shoji Technique for Cell Adhesion Control and
Fabrication of Cell Sheets
E 13p-B1-9 Sensitivity enhancement of SERS-based immunosensors for
influenza A by 2D arrays of Au@Ag coreshell nanoparticles
E 13p-B1-10 High Resolution Fluorescence Imaging with the Metal
Nanoparticles Sheet for Interfacial Study of Adhesive Cells
E 13p-B1-11 A Nanobiosensor Based on Structural Analysis of
Nanobiomaterials in Solutions
E 13p-B1-12 Development of Tunnel-Current Identification by Nano-gap
Device Toward Single-Molecule Electrical Sequencing
E 13p-B1-13 Reconstitution of human ion channels in lipid bilayers formed
in microfabricated apertures
9/14(Wed.) 16:00 - 18:00 ポスター講演 (Poster Presentation) P23 会場
奨 E 14p-P23-1 Effect of Gold Nanoparticle Growth on Sensitivity of
Transmission Surface Plasmon Resonance IgG Immunosensor
E 14p-P23-2 Sensitivity Enhancement of Electrochemical-Surface Plasmon
Resonance IgG Immunosensor Based on Graphene Oxide/
Poly(2-Aminibensylamine) Film
E 14p-P23-3 Development of micro- and nano-structured LSPR chip for
label free single cell assay
E 14p-P23-4 Single Particle Compartmentalization in the Designed
Microfluidic Chip
E 14p-P23-5 Pulse-heating ionization for inorganic material
E 14p-P23-6 A fluorometric “sniff-cam” for breath ethanol to evaluate
alcohol metabolism
E 14p-P23-7 Multichannel detection of ionic currents through two nanopores
fabricated in integrated silicon nitride membranes
E 14p-P23-8 Analysis of Correlation between Physicochemical Properties
of Self-Assembled Monolayers and Protein Adsorption Using
Artificial Neural Network
E 14p-P23-9 Organic and Inorganic Nanocomposite Structure Using Protein
Moleculars
〇 Daniela Serien1
1.RIKEN
〇 Okeyo Omondi1, Kai Yamada1, Rina Yanaru1,
1.The Univ. of Tokyo
Osamu Kurosawa1, Hidehiro Oana1, Masao
Washizu1
〇 (D)Kullavadee Karnorachai1,2, Kenji Sakamoto1,
Rawiwan Laocharoensuk3, Suwussa Bamrungsap3,
Tararaj Dharakul3,4, Kazushi Miki1,2
〇 (M2)Shihomi Masuda1, Yuhki Yanase2, Sou
Ryuzaki1, Koichi Okamoto1, Kaoru Tamada1
〇 Sou Ryuzaki1, Makusu Tsutsui2, Takao Yasui3,
Kazumichi Yokota2, Kaoru Tamada1, Yoshinobu
Baba3, Masateru Taniguchi2
〇 Takahito Ohshiro1, Makusu Tsutsui1, Kazumichi
Yokota1, Masateru Taniguchi1
〇 Ayumi Hirano-Iwata1, Miyu Yoshida1, Shun
Araki1, Daisuke Tadaki1, Kenichi Ishibashi2, Kohei
Arata1, Ohori Takeshi3, Hideaki Yamamoto4,
Niwano Michio3
〇 (D)Theerasak JUAGWON1,2, Tanakorn
OSOTCHAN2, Toemsak SRIKHIRIN2, Chutiparn
LERTVACHIRAPAIBOON1, Kazunari SHINBO1,
Keizo KATO1, Futao KANEKO1, Akira BABA1
〇 (D)Chammari Pothipor1,2, Kontad Ounnunkad2,
Chutiparn Lertvachirapaiboon1, Kazunari Shinbo1,
Keizo Kato1, Futao Kaneko1, Akira Baba1
〇 (D)RiyazAhmad MohamedAli1, Masato Saito1,
Mizuho Murahashi1, Eiichi Tamiya1
〇 (P)Wilfred Espulgar1, Masato Saito1, Eiichi
Tamiya1
〇 Xi Luo1, Trong Tue Phan1, Yuzuru Takamura1
1.National Institute for Material Science,
2.University of Tsukuba, 3.NANOTEC, NSTDA,
4.Mahidol University
1.IMCE, 2.Hiroshima Univ.
1.Kyushu Univ., 2.Osaka Univ., 3.Nagoya Univ.
1.ISIR Osaka Univ
1.Grad. Sch. Biomed. Eng., Tohoku Univ., 2.Hangichi Corp., 3.RIEC, Tohoku Univ., 4.FRIS, Tohoku
Univ.
1.Niigata Univ., 2.Mahidol Univ.
1.Niigata Univ. for Niigata University, 2.Chiang
Mai Univ. for Chiang Mai University
1.Osaka Univ.
1.Osaka Univ.
1.JAIST
〇 Munira Nasirdin1, Toshiyuki Sato1, Kenta Iitani1, 1.Tokyo Medical and Dental Univ.
Koji Toma1, Takahiro Arakawa1, Kohji Mitsubayashi1
〇 Itaru Yanagi1, Rena Akahori1, Kunio Harada1,
1.Hitachi, R&D group
Mayu Aoki1, Ken-ichi Takeda1
1
1
〇 (M1)Rudolf Jason Kwaria , Tomohiro Hayashi
1.Tokyo Tech
〇 Tyou Ka1, Mutsunori Uenuma1, Naofumi
Okamoto1, Ichiro Yamashita1, Yukiharu Uraoka1
1.NAIST
シンポジウム / Symposium
E 14p-P23-10 Enhanced crystallization of proteins induced by laser trapping
at the air/water interface
E 14p-P23-11 Modification of Plasma-on-Chip Device for Stable Plasma
treatment of Cells
〇 Atsushi Miura1,2, Kyoko Ueda2, Izumi
Yoshimatsu2, Noboru Kitamura1,2
Tomohiro Okada1, Yusuke Nakanishi1, Mime
Kobayashi2, Tetsuji Shimizu3, Minoru Sasaki1, 〇
Shinya Kumagai1
S.25 ナノ界面現象と評価技術の現状と課題 / Current Trends and Issues in Nanointerface Phenomena and the CharacterizationTechniques
9/13(Tue.) 13:15 - 18:15 口頭講演 (Oral Presentation) B7 会場
13:15
13p-B7-1 オープニング ー ナノ界面現象と評価技術の現状と課題 ー
〇三浦 康弘 1
13:30
招 13p-B7-2 pMAIRS：非平滑・非晶質有機薄膜デバイスの分子配向を明ら 〇長谷川 健 1
かにする新技術
14:00
招 13p-B7-3 有機 EL 素子内で何が起こっているのか、その基礎的理解を目 〇梶 弘典 1
指して
14:30
13p-B7-4 テトラセン誘導体を用いた有機受発光素子の磁場効果の検討 〇梶井 博武 1, 尾山 広隆 1, 田中 慶佑 1, 景山 弘 2,
尾﨑 雅則 1, 大森 裕 1
14:45
休憩 /Break
16:30
招 13p-B7-5 有機デバイス界面の電気現象と電気的・光学的評価手法
〇岩本 光正 1
招 13p-B7-6 界面現象を利用した有機デバイスの高性能化
〇内藤 裕義 1
招 13p-B7-7 高感度紫外光電子分光による有機半導体のバルク・界面電子構 〇石井 久夫 1,2,3, 金城 拓海 2, 佐藤 友哉 2
造評価
休憩 /Break
1. 桐蔭横浜大院工
1. 京大化研
1. 京大化研
1. 阪大院工 , 2. 琉球大
1. 東工大
1. 大阪府大工
1. 千葉大先進 , 2. 千葉大融合 , 3. 千葉大 MCRC
16:45
17:15
招 13p-B7-8 結晶 Si/PEDOT:PSS 接合太陽電池
〇白井 肇 1, 劉 希明 1, 林 勉 2, 石川 良 1, 上野 啓司 1 1. 埼玉大理工研 , 2.KIS
奨 E 13p-B7-9 Effect of Metal Nanoparticles on Metallic Grating Electrodes in Thitirat Putnin1,2, 〇 (D)Sopit Phetsang1,2, Apichat 1.Niigata univ. for Niigata University, 2.Chiang Mai
Organic Thin-Film Solar Cells
Pangdam1, Pitchaya Mungkornasawakul2, Kontad
univ. for Chiang Mai university
Ounnunkad2, Chutiparn Lertvachirapaiboon1,
1
1
1
Kazunari Shinbo , Keizo Kato , Futao Kaneko ,
Akira Baba1
17:30
13p-B7-10 ナノ電解法による有機導電体ナノ単結晶の位置選択的形成とそ 〇長谷川 裕之 1
1. 情報通信研未来
のデバイス利用
17:45
13p-B7-11 ラングミュア・ブロジェット膜の高圧力下の電気抵抗測定
〇三浦 康弘 1, 長谷川 裕之 2, 鳥塚 潔 3, 上床 美也 3 1. 桐蔭横浜大院工 , 2. 情報通信研 , 3. 東大物性研
18:00
13p-B7-12 クロージング：シンポジウム閉会にあたって
〇梶井 博武 1
1. 阪大院工
13 半導体 / Semiconductors
S.26 多元系化合物の機能性評価技術の新展開 ―多元系デバイス開発への知見提供― / New characterization technologies for functional properties of multinary compounds - new insight into
development of multinary compound devices 9/13(Tue.) 13:30 - 18:00 口頭講演 (Oral Presentation) B9 会場
13:30
招 13p-B9-1 放射光 X 線を用いた多元系化合物の 3 次元原子イメージ
〇細川 伸也 1
1. 熊本大
14:00
招 13p-B9-2 ３次元アトムプローブ評価法による多元系磁性半導体の物性解 〇内富 直隆 1
1. 長岡技科大
明
14:30
E 13p-B9-3 Effect of Post-deposition Se-annealing on the defect distribution 〇 Muhammad Monirul Islam1, Akira Uedono1,
1.Tsukuba Univ., 2.Tech. Univ. Munchen, 3.Univ.
in CuGaSe2 Thin-films and Solar-cells
Takeaki Sakurai1, Christoph Hugenschmidt2, Werner Bundeswehr Munchen, 4.Martin Luther Univ.
Egger3, Roland Scheer4, Ayham Dalla4, Reinhard
Halle
Krause-Rehberg4, Katsuhiro Akimoto1
14:45
招 13p-B9-4 電気・光学的評価法による多元系化合物の物性解明
〇櫻井 岳暁 1, Islam Md.1, Hao Xia1, 秋本 克洋 1, 石 1. 筑波大数理 , 2. 産総研 , 3. ソーラーフロンティ
塚 尚吾 2, 反保 衆志 2, 柴田 肇 2, 仁木 栄 2, 酒井 紀 ア
行 3, 加藤 拓也 3, 杉本 広紀 3
15:15
13p-B9-5 P-KFM による CIGS 太陽電池の光起電力測定と照射光波長依 〇龍 顯得 1, 峯元 高志 3, 高橋 琢二 1,2
1. 東大生研 , 2. 東大ナノ量子機構 , 3. 立命館大理
存性
工
15:30
休憩 /Break
15:45
16:15
招 13p-B9-6 正・逆光電子分光法による多元化合物・デバイスの評価
〇寺田 教男 1
奨 13p-B9-7 ハイブリッドバッファ層導入による高バンドギャップ・高効率 〇梅原 猛 1, 小林 拓己 2, 中田 和吉 3, 山田 明 3
Ag(In,Ga)Se2 薄膜太陽電池の開発
16:30
招 13p-B9-8 光学的評価法による CIGS 系薄膜および太陽電池の評価
〇白方 祥 1
17:00
奨 13p-B9-9 Junction フォトルミネッセンス法を用いた CdTe 太陽電池にお 〇椎名 和由 1, 岡本 祥太 1, 岡本 保 1
ける Cu 添加効果の検討
17:15
13p-B9-10 分光感度スペクトル解析による Cu2ZnSn(S,Se)4 太陽電池の
〇中根 章裕 1, 反保 衆志 2, 金 江玟 2, 柴田 肇 2, 藤
キャリヤ収集長評価
原 裕之 1
17:30
招 13p-B9-11 ハロゲン化鉛ペロブスカイトの光物理
〇金光 義彦 1
15 結晶工学 / Crystal Engineering
S.19 古くて新しい点欠陥　～材料を越えた視点から見えてくるもの～ / Recent topics of point defects in semicondoctor crystals
9/13(Tue.) 13:45 - 18:00 口頭講演 (Oral Presentation) B8 会場
13:45
招 13p-B8-1 点欠陥研究の現状とその課題
〇米永 一郎 1
14:15
招 13p-B8-2 Si 結晶育成における点欠陥制御
〇宝来 正隆 1
14:45
招 13p-B8-3 超高温 RTP 技術による Si ウェーハの点欠陥制御
〇荒木 浩司 1, 須藤 治生 1, 青木 竜彦 1, 前田 進 1
15:15
13p-B8-4 シリコンウェーハ中のサーマルドナー形成におよぼす点欠陥の 〇鳥越 和尚 1, 小野 敏昭 1
影響
15:30
休憩 /Break
15:45
16:15
16:30
17:00
17:30
17:45
招 13p-B8-5 第一原理計算による半導体結晶中の真性点欠陥に関する研究
13p-B8-6 Si 中 Cu4 複合体と水素の不純物反応
招 13p-B8-7 陽電子消滅による点欠陥の評価 ～ Si、窒化物から金属、絶縁
体まで～
招 13p-B8-8 SiC の材料・デバイス特性から見た点欠陥
E 13p-B8-9 DLTS and Photoluminescence Analysis of Intentionally
B-doped 4H-SiC Epilayers
13p-B8-10 高品質 GaN 単結晶の絶対輻射量子効率測定 (3)
1. 鹿児島大
1. 東工大院理工 , 2. 東工大・工 , 3. 東工大工学院
1. 愛媛大工
1. 木更津高専
1. 岐阜大 , 2. 産総研
1. 京大化研
1. 東北大金研
1.SUMCO
1. ｸﾞﾛｰﾊﾞﾙｳｪｰﾊｽﾞ ･ ｼﾞｬﾊﾟﾝ
1. 株式会社 SUMCO
〇末岡 浩治 1
〇白井 光雲 1, 藤村 卓巧 1
〇上殿 明良 1, 石橋 章司 2
1. 岡山県大情報工
1. 阪大産研
1. 筑波大数理 , 2. 産総研 CD-FMat
〇木本 恒暢 1, 須田 淳 1
〇 Anli Yang1, Tetsuya Miyazawa1, Takeshi
Tawara2,3, Hidekazu Tsuchida1
〇小島 一信 1, 大友 友美 1, 斉藤 真 1,2, 池田 宏隆 2,
藤戸 健史 2, 秩父 重英 1
1. 京大工
1.CRIEPI, 2.AIST, 3.Fuji Electric Co., Ltd.
1. 東北大 多元研 , 2. 三菱化学 ( 株 )
2 放射線 / Ionizing Radiation
S.3 放射線医療現場における受動型検出器による計測手法の最近の進展 / Recent progress of radiaiton measurement by a passive-type detector in medical applications.
9/14(Wed.) 13:45 - 17:30 口頭講演 (Oral Presentation) B9 会場
13:45
招 14p-B9-1 蛍光ガラス線量計を使った医療分野における線量管理
〇牧 大介 1, 小口 靖弘 2, 松本 進 2
1. 京大炉 , 2.（株）千代田テクノル
14:15
招 14p-B9-2 CR-39 固体飛跡検出器を用いた治療用放射線からの二次粒子 〇小平 聡 1
1. 量研機構・放医研
の線量計測
1
14:45
招 14p-B9-3 ポリマーゲル線量計による 3 次元吸収線量評価に向けて
〇林 慎一郎
1. 広国大保
15:15
招 14p-B9-4 TLD による線量分布測定の高精度化 ～放射線治療の線量検証 〇眞正 浄光 1, 栁澤 伸 1, 古場 裕介 2, 齋藤 雄介 1, 角 1. 首都大院 , 2. 量研機構放医研 , 3. 千代田テクノル ,
システムを目指して～
田 瑞季 1, 松本 和樹 3, 牛場 洋明 3, 安藤 隆之 4
4. 千葉セラミック工業
15:45
休憩 /Break
16:00
招 14p-B9-5 シンチレータの自己放射化を用いた中性子検出技術とその応用 〇納冨 昭弘 1, 若林 源一郎 2
1. 九大医保 , 2. 近大原研
シンポジウム / Symposium
15:00
15:30
16:00
1.Hokkaido Univ., 2.Chem. Sci. Eng., Hokkaido
Univ.
1.Toyota Technol. Inst., 2.NAIST, 3.terraplasma,
GmbH
シンポジウム / Symposium
16:30
招 14p-B9-6 イメージングプレートを用いた BNCT ビーム成分測定の進展 〇田中 憲一 1
1. 広島大院工
17:00
招 14p-B9-7 過熱液滴型検出器の治療用炭素線に対する応答特性
〇松藤 成弘 1,2
1. 量研機構放医研 , 2. 東工大物理
3 光・フォトニクス / Optics and Photonics
S.4 フォトニクス分科会シンポジウム「フォトニクスの未来を担う研究者」/ Symposium of Photonics Division, "Researchers pioneering next-generation photonics"
9/14(Wed.) 13:15 - 18:00 口頭講演 (Oral Presentation) A41 会場
13:15
招 14p-A41-1 ナノ物質中電子系の光誘起協力現象とフォトサーマル・フルイ 〇飯田 琢也 1, 床波 志保 2
1. 大阪府大院理 , 2. 大阪府大院工
ディクス
13:45
招 14p-A41-2 半導体中 2 準位系の量子制御－高感度光検出磁気共鳴顕微鏡 〇早瀬 潤子 1
1. 慶大理工
の開発－
1,2
2
14:15
招 14p-A41-3 フォトニック結晶レーザによる偏光・位相・偏向制御とその展 〇北村 恭子 , 野田 進
1. 京都工繊 , 2. 京大院工
開
14:45
招 14p-A41-4 メタマテリアルによる将来のフォトニクス技術
〇雨宮 智宏 1, 荒井 滋久 1
1. 東工大
15:15
休憩 /Break
シンポジウム / Symposium
15:30
招 14p-A41-5 空間光変調器を用いて高精度に生成した光渦による微粒子マニ 〇兵土 知子 1, 安藤 太郎 1, 豊田 晴義 1
ピュレーション
16:00
招 14p-A41-6 化学イメージング 〜飛行時間型二次イオン質量分析（ToF〇青柳 里果 1
SIMS）イメージングと近接場赤外顕微鏡〜
16:30
招 14p-A41-7 光パルスを駆使して無染色生体顕微鏡を超高速化する
〇小関 泰之 1
17:00
招 14p-A41-8 高速レーザー分光法による太陽電池での光励起キャリアダイナ 〇沈 青 1
ミクスの解明
－量子ドット太陽電池とペロブスカイト太陽電池について－
17:30
招 14p-A41-9 フォトニクスが拓くミリ波・テラヘルツ波計測
〇久武 信太郎 1
S.5 量子技術へ向けたハイブリッドアプローチ / Hybrid Quantum Information Science and Technology
9/14(Wed.) 13:45 - 18:00 口頭講演 (Oral Presentation) B8 会場
13:45
招 14p-B8-1 オープニングリマーク
〇根本 香絵 1
14:00
招 14p-B8-2 電荷、スピン、核スピンを用いたハイブリッド量子系
〇平山 祥郎 1
14:30
招 14p-B8-3 ダイヤモンド中のスピン依存性電気特性
〇森下 弘樹 1,2, 水落 憲和 1,2
15:00
奨 14p-B8-4 ダイヤモンド単一 NV 中心におけるマイクロ波による電子と 〇 (B) 加納 浩輝 1, 関口 雄平 1, 黒岩 良太 1, 田中 統
核子の量子もつれ生成と光波による量子もつれ操作
太 1, 三島 将太 1, 中村 孝秋 1, 石田 直輝 1, 小坂 英
男1
15:15
奨 14p-B8-5 ダイヤモンド単一 NV 中心における縮退電子スピン量子ビット 〇石田 直輝 1, 中村 孝秋 1, 田中 統太 1, 三島 将太 1,
の光波による幾何学的量子回転操作
関口 雄平 1, 黒岩 良太 1, 加納 浩輝 1, 小坂 英男 1
15:30
休憩 /Break
15:45
16:15
16:45
招 14p-B8-6 強磁性体スピン励起 ‐ 超伝導量子ビットハイブリッド量子系
招 14p-B8-7 量子ドット - フォトニック結晶結合系によるハイブリッドアプ
ローチ
招 14p-B8-8 ナノ光ファイバブラッグ共振器を用いた光量子デバイスの実現
に向けて
1. 浜ホト中研
1. 成蹊大理工
1. 東大院工
1. 電通大基盤理工
1. 阪大院基礎工
1.NII
1. 東北大理
1. 京大化研 , 2.CREST
1. 横浜国大院工
1. 横浜国大院工
〇中村 泰信 1,2
〇岩本 敏 1,2, 高橋 駿 2, 太田 泰友 2, 荒川 泰彦 1,2
1. 東大先端研 , 2. 理研 CEMS
1. 東大生研 , 2. 東大ナノ量子機構
〇高島 秀聡 1,2,3, シェル アンドレアス 1, 藤田 慎司
1. 京大院工 , 2. 北大電子研 , 3. 阪大産研
朗 1, 福田 純 1, 大江 康子 1,2,3, 上岡 俊也 2,3, 藤原 正
澄 2,3, 竹内 繁樹 1,2,3
〇太田 竜一 1, 岡本 創 1, 山口 浩司 1
〇平山 祥郎 1
17:15
招 14p-B8-9 GaAs オンチップオプトメカニクス
1.NTT 物性研
17:45
招 14p-B8-10 クロージングリマーク
1. 東北大理
6 薄膜・表面 / Thin Films and Surfaces
S.10 DLC 膜の国際標準化　－標準化を支える先端評価技術と世界展開を睨んだ産業応用－ / Classification and designation on carbon based films as diamond-like carbon (DLC) films
-Advanced measurement technology to support the standardization, and industrial application aimed at the world market9/14(Wed.) 13:30 - 17:30 口頭講演 (Oral Presentation) A23 会場
13:30
招 14p-A23-1 DLC 膜と国際標準化の意義
〇齋藤 秀俊 1
1. 長岡技科大
14:00
招 14p-A23-2 DLC 膜の構造と分類
〇大竹 尚登 1
1. 東工大工
1
1
1
14:30
招 14p-A23-3 分光エリプソメトリーを用いた DLC 膜の光学特性評価
〇和才 容子 , 桜井 正行 , 森山 匠 , ナバトバーガ 1. 堀場製作所
バイン ナタリヤ 1
15:00
招 14p-A23-4 DLC 膜評価試験の国際標準化と適用事例
〇平塚 傑工 1
1. ナノテック
15:30
休憩 /Break
15:45
16:15
16:45
17:00
17:15
招 14p-A23-5 DLC 膜の生体適合性評価とバイオ応用
招 14p-A23-6 国際標準化に準じた DLC の産業応用動向
14p-A23-7 静電加速器の RBS/ERDA による DLC の水素定量
14p-A23-8 ダイヤモンド状炭素系膜の耐薬品性能評価
奨 14p-A23-9 BEMA 法及び NEXAFS 法を用いた DLC 膜の構造評価
〇平栗 健二 1
〇辻岡 正憲 1
〇鈴木 常生 1, 志田 暁雄 2, 片桐 一夫 2, 久保 彩佳 1,
磯 浩之 3
〇赤坂 大樹 1, 鈴木 常生 2, 中野 雅之 3, 神田 一浩 4,
大竹 尚登 1
〇 (D) 周 小龍 1, 荒川 悟 1, 鈴木 常生 1, 小松 啓志 1,
神田 一浩 2, 齋藤 秀俊 1
1. 東京電機大学工学部
1. 日本アイ・ティ・エフ
1. 長岡技大工 , 2. 長岡技大極限セ , 3. 放医研加速
器工
1. 東工大 , 2. 長岡技科大 , 3. 東京高専 , 4. 兵庫県大
1. 長岡技科大 , 2. 兵庫県立大
8 プラズマエレクトロニクス / Plasma Electronics
S.11 プロセスプラズマ診断の最前線 ~ 大気圧、気液混合プラズマの理解と制御にむけて ~ / Cutting-edge plasma diagnostics for deeper understanding and control of atmospheric and multiphase plasmas
9/14(Wed.) 13:30 - 17:45 口頭講演 (Oral Presentation) A22 会場
13:30
招 14p-A22-1 プラズマプロセス診断法の現状と課題
〇佐々木 浩一 1
1. 北大工
14:00
招 14p-A22-2 大気圧プラズマの発光分光診断の課題
〇赤塚 洋 1
1. 東工大 研究院
14:30
招 14p-A22-3 非平衡大気圧プラズマの電子密度計測
〇占部 継一郎 1
1. エア・リキード・ラボラトリーズ
1
1
1
1
15:00
招 14p-A22-4 気相プラズマ中及び液面近傍のラジカル診断
〇竹田 圭吾 , 石川 健治 , 田中 宏昌 , 関根 誠 , 堀 1. 名大
1
勝
15:30
休憩 /Break
15:45
招 14p-A22-5 大気圧プラズマ中のイオン計測
〇長門 研吉 1
16:15
招 14p-A22-6 プラズマ誘起液中化学反応における溶液中活性種の診断
〇北野 勝久 1, 井川 聡 2, 中島 陽一 2, 谷 篤史 3
16:45
招 14p-A22-7 時間分解分光による水溶液中放電プラズマ診断
〇伴野 元洋 1, 由井 宏治 1
17:15
招 14p-A22-8 和周波発生分光によるプラズマ−液相界面の計測
〇伊藤 剛仁 1
13 半導体 / Semiconductors
S.17 IV 族半導体薄膜の結晶化と欠陥制御 / Crystallization of IV element Semiconductor thin-film and Deffects control
9/14(Wed.) 12:30 - 19:15 口頭講演 (Oral Presentation) B7 会場
12:30
招 14p-B7-1 オープニング
〇野口 隆 1
12:45
招 14p-B7-2 ディスプレイ産業における LTPS-TFT 技術の展望
〇大島 弘之 1
13:15
招 14p-B7-3 スパッタ法による酸化膜とレーザ結晶化 Si 膜
〇芹川 正 1
13:45
招 14p-B7-4 大気圧プラズマによる IV 族半導体薄膜の結晶成長と欠陥制御 〇東 清一郎 1
14:15
14p-B7-5 青色半導体レーザアニールを用いた Si 膜の結晶化
〇岡田 竜弥 1, 野口 隆 1
14:30
14p-B7-6 フレキシブルガラス基板上アモルファスシリコン膜の熱プラズ 〇稗田 竜己 1, 新 良太 1, 花房 宏明 1, 東 清一郎 1
マジェット結晶化
14:45
招 14p-B7-7 アルミニウム誘起層交換成長法によるシリコン薄膜成長のカイ 〇宇佐美 徳隆 1
ネティクスと応用
1. 高知高専
1. 阪大工 , 2. 大阪産技研 , 3. 阪大理
1. 東理大理
1. 大阪大学
1. 琉球大
1.（株）ジャパンディスプレイ
1. 放送大学
1. 広大院先端研
1. 琉大工
1. 広大院先端研
1. 名大院工
シンポジウム / Symposium
15:15
15:30
15:45
16:15
16:45
17:15
14p-B7-8 IV 族半導体の金属誘起層交換成長
休憩 /Break
〇吉峯 遼太 1, 都甲 薫 1, 末益 崇 1
招 14p-B7-9
招 14p-B7-10
招 14p-B7-11
14p-B7-12
IV 族半導体中の構造欠陥とその制御
Ge 基板中の欠陥が FET 特性に及ぼす影響
IV 族半導体における点欠陥と拡散
界面ナノ構造埋め込みを利用した IV 族半導体結晶中へのドー
ピング法
招 14p-B7-13 a-Si, a-Ge 薄膜の低温固相結晶化と欠陥形成
14p-B7-14 a-Ge 膜の FLA 結晶化における場所依存性
15:15
15:45
招 14p-B1-4 IoT/IoE デバイス技術
14p-B1-5 超臨界 CO2 流体を用いた低誘電率薄膜のテンプレート除去
15:30
14p-A21-6 タイリング法による直径 7 インチ GaN 自立結晶の作製
15:45
14p-A21-7 STEM による GaN 層中の貫通転位芯の解析
1. 東北大金研
1. 東大院工
1. 慶大　理工、TCAD 研究開発センター
1. 物材機構 , 2. 筑波大数物 , 3.LCN, 4.UCL
1. 兵庫県立大 院 工
1. 兵庫県立大工 , 2. ウシオ電機 ( 株 )
1. 静大院工 , 2. 名古屋大院工 , 3. 学振特別研究員 ,
4.imec, 5. 名古屋大未来研
1. 九大院システム情報
1. 九大院システム情報科学
1. 東工大
1. 産総研
1. 東大マテ
〇宮下 桂 1, 島田 永吾 1
1. 東芝
〇 (M1C) 瀬川 紘幹 1, 近藤 英一 1, 渡邉 満洋 1,
1. 山梨大工 , 2.IMEC
Mikhail R. Baklanov2, Liping Zhang2
1
1
1
1
16:00
14p-B1-6 Accumulation-Mode 積層型ナノワイヤ CMOS デバイスのチャ 〇安重 英祐 , 大橋 匠 , 宗田 伊理也 , 角嶋 邦之 , 1. 東工大
ネル不純物濃度およびゲート電極仕事関数の依存性
筒井 一生 1, 若林 整 1
15 結晶工学 / Crystal Engineering
S.20 窒化物半導体の最前線　－欠陥のない結晶・デバイスを目指して－ / Recent Progress of Nitride Semiconductor -Toward Defectless Crystal and Devices9/14(Wed.) 13:00 - 19:00 口頭講演 (Oral Presentation) A21 会場
13:00
招 14p-A21-1 はじめに
〇天野 浩 1,2,3,4, 白石 賢二 1,2
1. 名大 IMaSS, 2. 名大院工 , 3. 名大 VBL, 4. 名大
ARC
13:15
招 14p-A21-2 窒化物デバイスの新展開
〇葛原 正明 1
1. 福井大院工
13:45
招 14p-A21-3 GaN バルク結晶成長の新展開
〇森 勇介 1, 今西 正幸 1, 吉村 政志 2, 今出 完 1
1. 大阪大学工学研究科 , 2. 大阪大学レーザー研
1
14:15
招 14p-A21-4 窒化物半導体における窒素極性成長
〇松岡 隆志
1. 東北大学金研
14:45
招 14p-A21-5 GaN 結晶成長シミュレーションの新展開：第一原理計算に基 〇寒川 義裕 1,2, 白石 賢二 2, 柿本 浩一 1
1. 九大応研 , 2. 名大未来研
づくアプローチ
15:15
休憩 /Break
16:00
16:30
17:00
17:30
招 14p-A21-8 GaN 系トランジスタにおける界面制御
招 14p-A21-9 GaN 縦型パワーデバイスの現状と課題
招 14p-A21-10 GaN 高周波デバイスの現状
休憩 /Break
17:45
招 14p-A21-11 [ 講演奨励賞受賞記念講演 ]
GaN-LED を用いた高密度光電子集積回路基盤技術の開発
招 14p-A21-12 P/N 混載 GaN パワー集積回路技術の現状
18:00
〇吉田 丈洋 1, 今西 正幸 2, 北村 寿朗 1, 大高 健治 1,
柴田 真佐知 1, 今出 完 2, 森 勇介 2
〇松原 徹 1,2, 杉本 浩平 1, 河原 慎 1, 岡田 成仁 1, 只
友 一行 1
〇橋詰 保 1
〇須田 淳 1
〇原 直紀 1, 牧山 剛三 1
14:15
休憩 /Break
招 14p-A24-4 太陽電池モジュールの劣化に及ぼす光照射の影響
15:00
招 14p-A24-5 レーザーテラヘルツエミッション顕微鏡（ LTEM ）を用いた
結晶 Si 太陽電池モジュールの電圧誘起劣化評価
15:30
奨 14p-A24-6 n 型 c-Si 太陽電池モジュールの電圧誘起劣化における飽和挙
動
奨 14p-A24-7 並列抵抗変化によるシリコン太陽電池 PID 挙動の解析
15:45
16:00
16:15
16:45
17:15
17:45
休憩 /Break
招 14p-A24-8
招 14p-A24-9
招 14p-A24-10
14p-A24-11
結晶 Si 太陽電池モジュール：信頼性評価と今後の展開の一例
シリコーン封止材による太陽電池モジュールの性能向上技術
太陽電池メーカーにおける信頼性試験方法の事例
CIGS モジュールの Damp Heat 試験：IEC 規格へのバイアス
電圧印加オプションの追加
1. 山口大学院・創成科学 , 2.UBE 科学分析センター
1. 北大量集センター
1. 京大院工
1. 富士通研
〇土山 和晃 1, 宇都宮 脩 1, 中川 翔太 1, 山根 啓補 1, 1. 豊技大工 , 2. 豊技大エレクトロニクス先端融合
関口 寛人 1, 岡田 浩 2,1, 若原 昭浩 1,2
研究所
〇中島 昭 1, 西澤 伸一 1, 大橋 弘通 1, 筒井 一生
1. 産総研 , 2. 東工大 , 3.Sheffield Univ.
2
2
2
2
3
, 岩井 洋 , 角嶋 邦之 , 若林 整 , Unni Vineet ,
3
Narayanan E. M. S.
〇牛田 泰久 1
1. 豊田合成
18:30
招 14p-A21-13 GaN 光デバイスの現状
16 非晶質・微結晶 / Amorphous and Microcrystalline Materials
S.22 太陽電池モジュール信頼性の現状と今後の展開 / Present status and future prospects on reliability of photovoltaic modules
9/14(Wed.) 13:00 - 18:00 口頭講演 (Oral Presentation) A24 会場
13:00
招 14p-A24-1 太陽電池モジュール信頼性の現状と今後の展開：はじめに
〇増田 淳 1
13:15
招 14p-A24-2 北杜メガソーラにおける各種太陽電池モジュールの長期発電性 〇植田 譲 1
能評価
13:45 招 E 14p-A24-3 A Detail Study on Failure Mechanism of Si-Photovoltaic:
〇 Mohammad Aminul Islam1, Kazuki Noguchi1,
Encapsulant to Solar Cells
Hidenari Nakahama2, Yasuaki Ishikawa1
14:30
1. サイオクス , 2. 阪大院工
1. 産総研
1. 理科大
1.Nara Inst. Sci. & Tech., 8916-5, Takayamacho,Ikoma, Nara 630-0192, Japan, 2.Nisshinbo
Mechatronics Inc., Miai-cho, Okazaki, Aichi, 4448560, Japan
〇青木 倫子 1, 辺田 祐志 1, Ngo Trang1, 土井 卓也
1. デュポン株式会社 , 2. 産総研 , 3.E.I. DuPont
, 増田 淳 2, Gambogi William3, Felder Thomas3,
Bradley Alexander3, Stika Katherine3, Terry
Mason3, Trout John3
〇北村 藤和 1, 松尾 清隆 1, 水端 稔 1, 中西 英俊 1, 川 1.SCREEN, 2. 阪大レーザー研 , 3. 産総研
山 巌 2, 斗内 政吉 2, 白澤 勝彦 3, 望月 敏光 3, 高遠
秀尚 3
〇山口 世力 1, 原 浩二郎 2, 増田 淳 2, 大平 圭介 1
1. 北陸先端大 , 2. 産総研
2
〇 (M2) 小野寺 幸貴 1, 安藤 大輔 1, 須藤 祐司 1, 小
池 淳一 1
1. 東北大院
〇原 浩二郎 1
〇大和田 寛人 1, 降籏 智欣 1, 原 浩二郎 2, 増田 淳 2
〇田中 和文 1
〇櫻井 啓一郎 1, 小川 錦一 1, 柴田 肇 1, 増田 淳 1,
冨田 仁 2, シュミッツ ダーシャン 2, 徳田 修二 2
1. 産総研太陽光セ
1. 信越化学工業（株）, 2. 産総研
1. 京セラ株式会社
1. 産総研 , 2. ソーラーフロンティア
シンポジウム / Symposium
〇米永 一郎 1
〇鳥海 明 1, 西村 知紀 1
〇植松 真司 1
〇三木 一司 1,2, 村田 晃一 1,2, Kirkham
Christopher2,3,4, David Bowler3,4
17:30
〇松尾 直人 1
18:00
〇吉岡 尚輝 1, 部家 彰 1, 松尾 直人 1, 中村 祥章 2,
横森 岳彦 2, 吉岡 正樹 2
18:15
招 14p-B7-15 GeSn 系 IV 族半導体薄膜における Sn 導入の制御と効果
〇志村 洋介 1, 池 進一 2,3, Gencarelli Federica4, 竹
内 和歌奈 2, 坂下 満男 2, 黒澤 昌志 2,5, Loo Roger4,
中塚 理 2, 財満 鎭明 2,5
18:45
14p-B7-16 AIC 法による Sn ドープ大粒径 Ge(100)/ 絶縁膜の低温形成
〇佐々木 雅也 1, 宮尾 正信 1, 佐道 泰造 1
19:00
14p-B7-17 クロージング
〇佐道 泰造 1
S.18 AI/ ディープラーニング時代に向けた IoT/IoE デバイス技術 / IoT/IoE Device Technologies for AI/Deep-Learning era
9/14(Wed.) 13:45 - 16:15 口頭講演 (Oral Presentation) B1 会場
13:45
招 14p-B1-1 IoT 時代に向けた低電力無線通信回路技術
〇伊藤 浩之 1, 道正 志郎 1, 石原 昇 1, 益 一哉 1
14:15
招 14p-B1-2 IoT ビッグデータ処理用 AI 計算機構築のためのデバイス技術 〇大内 真一 1
14:45
14p-B1-3 2 端子ニューロモルフィック素子に向けた酸化物中のプロトン 〇矢嶋 赳彬 1, 西村 知紀 1, 鳥海 明 1
揮発性の制御
15:00
休憩 /Break
1. 筑波大院 数理物質
シンポジウム / Symposium
シンポジウム / Symposium
17 ナノカーボン / Nanocarbon Technology
S.23 機能性原子薄膜材料の新展開－成膜技術－ / Trend of Functional Atomic Thin Film Research-Thin Film Growth9/14(Wed.) 13:15 - 18:15 口頭講演 (Oral Presentation) A33 会場
13:15
招 14p-A33-1 はじめに：遷移金属ダイカルコゲナイド原子薄膜の成膜技術 〇上野 啓司 1
13:30
招 14p-A33-2 二次元原子薄膜の CVD 成長とそのフロンティア
〇吾郷 浩樹 1,2
14:00
14p-A33-3 CVD 法による h-BN リボンの自己組織的形成
〇近藤 大雄 1,2, 林 賢二郎 1,2, 片岡 真紗子 1, 岩井 大
介 1, 佐藤 信太郎 1,2
14:15
奨 14p-A33-4 化学気相蒸着法による MoxNb1-xS2 薄膜の作製
〇渡邉 翔 1, 上原 史也 2, 柳瀬 隆 3, 長浜 太郎 3, 島
田 敏宏 3
14:30
14p-A33-5 c 面サファイア基板上 Mo 蒸着膜の硫化による MoS2 薄膜の合 〇浦上 法之 1,2, 木下 佳祐 1, 橋本 佳男 1,2
成
14:45
招 14p-A33-6 CVD 法による遷移金属ダイカルコゲナイド膜成長における基 〇林 賢二郎 1
板依存性
15:00
14p-A33-7 GaAs{111}A, B 表面上での MoSe2 単層膜成長
〇大竹 晃浩 1, 佐久間 芳樹 1
15:15
招 14p-A33-8 2 インチ GaAs ウエハー上に層数制御したＭＢＥ成長 MoSe2 〇小野満 恒二 1, Krajewska Aleksandra1, Neufeld
Ryan1, 前田 文彦 1, 熊倉 一英 1, 山本 秀樹 1
15:30
休憩 /Break
15:45
16:15
招 14p-A33-9 面内原子層ヘテロ接合の成長と評価
〇宮田 耕充 1
招 14p-A33-10 スパッタ MoS2 膜に対する有機硫黄化合物を用いた硫化アニー 〇石原 聖也 1,4, 日比野 祐介 1, 澤本 直美 1, 大橋 匠 2,
ル効果
松浦 賢太郎 2, 町田 英明 3, 石川 真人 3, 須藤 弘 3, 若
林 整 2, 小椋 厚志 1
16:30
奨 14p-A33-11 (t-C4H9)2S2 を用いた MoS2 薄膜作製および S/Mo 比の硫化条件 〇石原 聖也 1,4, 日比野 祐介 1, 澤本 直美 1, 大橋 匠
2
依存
, 松浦 賢太郎 2, 町田 英明 3, 石川 真人 3, 須藤 弘 3,
若林 整 2, 小椋 厚志 1
16:45
奨 14p-A33-12 Au(111) 上における MoS2、MoSe2 合成と局所電子状態評価
〇高橋 諒丞 1, 逢坂 凌 1, 保田 諭 1, 村越 敬 1
17:00 奨 E 14p-A33-13 Carrier transport properties of MoS2 field-effect transistors
〇 (DC)Sinae Heo1,2, Ryoma Hayakawa1, Yutaka
produced by multi-step chemical vapor deposition method
Wakayama1,2
17:15
招 14p-A33-14 パネルディスカッション －カルコゲナイド系層状物質薄膜成 〇島田 敏宏 1
長の現状と諸問題－
18:00
招 14p-A33-15 おわりに - 遷移金属ダイカルゴゲナイド原子層の成膜技術：現 〇佐藤 信太郎 1
状と展望 1 応用物理学一般 / Interdisciplinary Physics and Related Areas of Science and Technology
S.2 太陽光水素製造触媒の材料と物理 / Materials and Physics of Solar-Hydrogen Production Catalysts
9/15(Thu.) 13:00 - 17:30 口頭講演 (Oral Presentation) A24 会場
13:00
招 15p-A24-1 光触媒材料を用いた光エネルギー変換反応
〇工藤 昭彦 1
13:30
招 15p-A24-2 可視光水分解光触媒の実用化課題についての考察
〇瀬戸山 亨 1
14:00
招 15p-A24-3 酸化物系光触媒および光電極による水素と有用化学品製造
〇佐山 和弘 1
14:30
招 15p-A24-4 可視光水分解のための Z スキーム型光触媒系の開発
〇阿部 竜 1
15:00
休憩 /Break
15:15
15:45
16:15
16:45
17:00
招 15p-A24-5 鉄系酸化物半導体ヘテロ構造による光電極特性
招 15p-A24-6 カルコパイライト系光カソードによるソーラーフューエル生成
招 15p-A24-7 n 型 GaN 光電気化学水酸化反応における半導体－電解液界面
のキャリア移動モデルとその物理
15p-A24-8 n 型 GaN 光電極上の島状 NiO と NiO 層構造の光電気化学特
性
15p-A24-9 イオン注入によって作製した GaVN の電気化学特性
17:15
15p-A24-10 GaN における Open-Circuit-Potential (OCP) の光強度依存性
と表面処理の効果
3 光・フォトニクス / Optics and Photonics
S.6 フォトニックインテリジェンスの様相 / Aspects on Photonic Intelligence
9/15(Thu.) 13:15 - 17:00 口頭講演 (Oral Presentation) A32 会場
13:15
招 15p-A32-1 フォトニックインテリジェンスの様相：イントロダクトリー
13:30
14:00
14:30
〇田畑 仁 1
〇嶺岸 耕 1,2, 堂免 一成 1
〇藤井 克司 1,2,3, 小池 佳代 2, 後藤 武生 3
1. 埼玉大院理工
1. 九大産学連携センター , 2.JST さきがけ
1. 富士通研 , 2. 富士通
1. 北大院総化 , 2. 北大工 , 3. 北大院工
1. 信大 , 2. 信大カーボン研
1. 富士通研
1. 物材機構
1.NTT 物性研
1. 首都大理工
1. 明治大 , 2. 東工大 , 3. 気相成長 ( 株 ), 4. 学振特
別研究員
1. 明治大 , 2. 東工大 , 3. 気相成長 ( 株 ), 4. 学振特
別研究員
1. 北大院理
1.NIMS, 2.Kyushu Univ.
1. 北大
1. 富士通研
1. 東理大理
1. 三菱化学
1. 産総研
1. 京大院工
1. 東大院工
1. 東大工 , 2.JST/ さきがけ
1. 北九大環境研 , 2. 東大工 , 3. 理研
〇小池 佳代 1, 山本 和広 2, 大原 智 2, 杉山 正和 1,
1. 東大工 , 2. 阪大 , 3. 北九州市大
中野 義昭 1, 藤井 克司 3
〇田邉 真一 1, ジア チンシン 1, 熊 諳珂 1, 脇 一太郎 1. 昭和シェル中研
1
〇岩井 耀平 1, 中村 亮裕 1, 小池 佳代 1, 中野 義昭 1, 1. 東大工 , 2. 北九州市大
藤井 克司 2, 杉山 正和 1
〇山本 裕紹 1,2
14:45
招 15p-A32-2 時間極限イメージング
招 15p-A32-3 高速性がもたらす実世界把握・提示の新展開
15p-A32-4 高速 LED ディスプレイを用いたカメラ復号型ステガノグラ
フィーの周波数多重化
休憩 /Break
〇粟辻 安浩 1
〇渡辺 義浩 1
〇高橋 昌史 1, 山本 裕紹 1
15:00
15:30
16:00
招 15p-A32-5 ハイパースペクトル画像による空間・波長融合パーセプション 〇山口 雅浩 1
招 15p-A32-6 ピクセル偏光カメラのキャリブレーションとその応用
〇大谷 幸利 1, 柴田 秀平 1
招 15p-A32-7 光物質系の複雑ダイナミクスを用いた物理的強化学習
〇成瀬 誠 1, 青野 真士 2,3, 堀 裕和 4, 金 成主 5
1. 宇都宮大 , 2.JST, ERATO 美濃島知的光シンセサ
イザ
1. 京都工繊大
1. 東大
1. 宇大院工
1. 東工大工
1. 宇都宮大学
1. 情通機構 , 2. 東工大 , 3. さきがけ , 4. 山梨大 , 5. 物
材機構
16:30
招 15p-A32-8 ナノ光学・流体⼯学を基盤としたコンピューティング機能の物 〇斎木 敏治 1, 木原 雄也 1, 中村 政輝 1, 山口 慧 1, デ 1. 慶大理工
理実装
ブレ シリル 1, 比留川 悠介 1
10 スピントロニクス・マグネティクス / Spintronics and Magnetics
S.14 応用に向けた新規スピントロニクス現象の物理 / Physics of the New Spintronics Phenomena for Future Applications
9/15(Thu.) 13:15 - 17:00 口頭講演 (Oral Presentation) C41 会場
13:15
招 15p-C41-1 シリコン同位体量子コンピューティング
〇伊藤 公平 1
1. 慶大理工
13:45
招 15p-C41-2 半導体量子ドットの物理と量子情報技術への応用
〇樽茶 清悟 1
1. 東大工
14:15 招 E 15p-C41-3 Topological insulators as electrically controlled sources of
〇 Yong Chen1
1.Purdue Univ.
spin polarization
14:45
休憩 /Break
15:00
15:30
招 15p-C41-4 バルク及び界面スピン軌道相互作用が誘起するスピントロニク 〇安藤 和也 1,2
ス現象
招 E 15p-C41-5 THz spin waves in spin caloritronics
〇 Joseph Barker1, Gerrit Bauer1,2,3
16:00
招 15p-C41-6 キラル磁気秩序の物理と応用
〇戸川 欣彦
16:30
招 15p-C41-7 ノンコリニアなスピン構造の物理と応用
〇小野 輝男 1
1,2,3
1. 慶大理工 , 2.JST さきがけ
1.IMR Tohoku Univ., 2.WPI-AIMR Tohoku Univ.,
3.Kavli Institute of Nanoscience, Univ. Delft.
1. 大阪府大工 , 2. グラスゴー大物理天文 , 3.JST さ
きがけ
1. 京大化研
1.1 応用物理一般・学際領域 / Interdisciplinary and General Physics
16:15
16:45
17:15
17:45
18:15
招 15p-B11-6
招 15p-B11-7
招 15p-B11-8
招 15p-B11-9
光干渉型ＭＥＭＳセンサによるバイオセンシング
体内病院を目指すナノバイオデバイス開発
生体の神経系と共生する電子デバイスと集積回路方式
フレキシブル電子デバイスを用いた生体機能計測
休憩 /Break
〇高橋 一浩 1
〇一木 隆範 1,2
〇森江 隆 1
〇関野 正樹 1, キム ドンミン 1, 染谷 隆夫 1
1. 阪大院工
1. 奈良先端大
1. 明星大理工 , 2.NTT 物性基礎研
1. 東工大
1. 阪大産研
1. 豊橋技術科学大学
1. 東大院工 , 2. ナノ医療イノベーションセンター
1. 九工大生命体工
1. 東大工
18:30
招 15p-B11-10 バイオとデバイスが共生する未来はいつごろどんな形でやって 〇山下 一郎 1, 福田 武司 2, 手老 龍吾 3, 宮本 浩一郎 1. 阪大 , 2. 埼玉大 , 3. 豊橋技科大 , 4. 東北大
4
くるのか。IoT にバイオデバイスはどう寄与するのか
15 結晶工学 / Crystal Engineering
S.21 窒化物半導体特異構造の科学　～新機能の発現と理解～ / Materials Science and Advanced Elecronics Created by Singularity of Nitride Semiconductots
9/15(Thu.) 13:15 - 18:15 口頭講演 (Oral Presentation) A21 会場
13:15
招 15p-A21-1 イントロダクトリー ～特異構造の科学～
〇三宅 秀人 1, 藤岡 洋 2
1. 三重大地域イノベ , 2. 東大生研
13:30
招 15p-A21-2 非平衡状態の時間ドメイン制御による特異構造の創製
〇藤岡 洋 1,2, 上野 耕平 1, 小林 篤 1, 太田 実雄 1,3
1. 東大生研 , 2.JST-ACCEL, 3.JST-PRESTO
14:00
15p-A21-3 高品質 GaN 単結晶の絶対輻射量子効率測定 (2)
〇小島 一信 1, 大友 友美 1, 斉藤 真 1,2, 池田 宏隆 2, 1. 東北大 多元研 , 2. 三菱化学 ( 株 )
藤戸 健史 2, 秩父 重英 1
14:15
奨 15p-A21-4 ScAlMgO4(0001) 基板上 InxGa1-xN 薄膜における格子整合近傍 〇 (D) 尾崎 拓也 1, 船戸 充 1, 川上 養一 1
1. 京大院工
での組成引き込み効果
1
2
2
1
14:30
15p-A21-5 フォノンの吸放出による電子・励起子系エネルギーの励起過程 〇馬 ベイ , 三宅 秀人 , 平松 和政 , 石谷 善博
1. 千葉大工 , 2. 三重大工
14:45
休憩 /Break
15:00
15:30
16:00
16:15
16:30
16:45
招 15p-A21-6 窒化物半導体極性制御特異構造の非線形光学素子応用
招 15p-A21-7 結晶成長条件下における窒化物半導体非極性表面の安定性
15p-A21-8 r 面サファイア上への a 面 AlN 成長におけるバッファ層厚さ依
存性
15p-A21-9【注目講演】テラヘルツ波放射による m 面 GaN の自発分極の
評価
休憩 /Break
〇片山 竜二 1
〇伊藤 智徳 1
〇林 家弘 1, 玉置 真哉 1, 山下 泰弘 1, 三宅 秀人 1,2,
平松 和政 1
酒井 裕司 1, 〇川山 巌 1, 中西 英俊 2, 斗内 政吉 1
1. 阪大工
1. 三重大院工
1. 三重大院工 , 2. 三重大地域イノベ
1. 阪大レーザー研 , 2.SCREEN
15p-A21-10 逆メサ加工 GaN テンプレートを用いた GaN の選択成長
〇板垣 憲広 1, 永利 圭 1, 井本 良 1, 岡田 成仁 1, 西 1. 山口大学院・創成科学 , 2. サムコ ( 株 )
宮 智靖 2, 松尾 文晴 2, 只友 一行 1
17:00
15p-A21-11 GaN ナノワイヤ量子ドットからの直線偏光単一光子発生
〇 HOLMES Mark1, 加古 敏 2, 崔 琦鉉 1, 有田 宗貴 1. 東大ナノ量子機構 , 2. 東大生研
1
, 荒川 泰彦 1,2
17:15
招 15p-A21-12 窒化物系ナノワイヤーおよび量子殻構造の作製と、光デバイス 〇上山 智 1, 竹内 哲也 1, 岩谷 素顕 1, 赤﨑 勇 1,2
1. 名城大学理工 , 2. 名大赤﨑記念研究センター
応用
2,3,4
1
2
17:45
招 15p-A21-13 様々な成長法による窒化物半導体ナノ構造の作製とデバイス応 〇天野 浩
, 服部 達也 , Lekhal Kaddour , Bae 1. 名大電情シ , 2. 名大 IMaSS, 3. 名大 VBL, 4. 名大
用
Si-Young2
ARC
9 応用物性 / Applied Materials Science
S.12 熱電変換の現在と未来 : ZT はどこまで上がるのか？ / Thermoelectric conversion in the present and future: How much can we increase ZT?
9/16(Fri.) 8:45 - 12:15
口頭講演 (Oral Presentation) A34 会場
8:45
16a-A34-1 イントロダクトリートーク ～熱電変換の現在と未来：ZT はど 〇林 慶 1
1. 東北大院工
こまで上がるのか？～
9:00
招 16a-A34-2 未利用熱エネルギー活用技術としての熱電変換への期待と課題 〇小原 春彦 1
1. 産総研
9:30
招 16a-A34-3 マクロに見た熱電材料 ミクロに見る熱電変換
〇小矢野 幹夫 1, 宮田 全展 1, Pham Xuan Thi1
1. 北陸先端大
1
10:00
招 16a-A34-4 組織制御熱電材料の現状とこれから
〇池田 輝之
1. 茨大工
10:30
休憩 /Break
10:45
11:00
11:30
16a-A34-5 低コスト熱発電に向けた熱電物性－ 原理と課題
招 16a-A34-6 ZT > 2 を実現する条件と新しい熱電材料の開発
招 16a-A34-7 スクッテルダイト系熱電材料及び熱電デバイスの開発
12:00
招 16a-A34-8 熱電実学のすゝめ
〇矢澤 和明 1
〇竹内 恒博 1
〇郭 俊清 1, 聶 革 1, 富田 健稔 1, 住吉 篤郎 1, 越智
孝洋 1, 鈴木 尚吾 1, 菊地 昌晃 1
〇舟橋 良次 1
1. パデュー大学
1. 豊田工業大学
1. 古河機械金属
1. 産総研
1 応用物理学一般 / Interdisciplinary Physics and Related Areas of Science and Technology
シンポジウムのプログラムは p.35 ～ p.41 にございます
1.1 応用物理一般・学際領域 / Interdisciplinary and General Physics
9/14(Wed.) 16:00 - 18:00 ポスター講演 (Poster Presentation) P11 会場
14p-P11-1 塩によって誘起される有機溶媒水溶液のゲル的挙動
〇牧 広祥 1, 貞包 浩一朗 1, 剣持 貴弘 1
1. 同志社大生命医科
14p-P11-2 液体窒素中を推進する小型マシンの開発
〇二村 宗男 1, 進藤 諒 1, 武井 俊樹 2
1. 秋県大 , 2. 信大繊維
14p-P11-3 原子間力顕微鏡による ta-C 薄膜深紫外線損傷部の観察
〇神津 知己 1,3, 山口 誠 1, 川口 雅弘 2, 吉村 雅満 4
14p-P11-4 ヴァイオリンにおける顎あての有無による周波数特性の変化
〇松谷 晃宏 1
1. 秋田大学 , 2. 都立産技研センター , 3. イノコ株
式会社 , 4. 豊田工大
1. 東工大
14p-P11-5 変位電流法による金属／半導体界面でのキャリア注入障壁の測 〇佐藤 井一 1, 宮尾 文啓 1, 吉田 恵亮 1, 田島 裕之 1 1. 兵庫県立大院物質理
定
14p-P11-6 GeO、Cr などの中間層の形成が Pd/Ge の表面状態に及ぼす効 〇相沢 彰宏 1, 松下 浩一 1, 奥山 澄雄 1
1. 山形大院理工
果
1.2 教育 / Education
9/14(Wed.) 9:30 - 11:30 ポスター講演 (Poster Presentation) P1 会場
14a-P1-1 レゴ NXT を用いた極座標レコーダの開発
〇上杉 勇太 1, 青山 友幸 2, 福田 京也 1
1. 新居浜高専 , 2. 都立目黒高校
14a-P1-2 LEGO NXT を用いたレーザー光源安定化システム
〇仙波 良典 1, 福田 京也 1
14a-P1-3 ブレッドボードを用いた簡易的なストロボスコープ作製キット 〇 (M1) 手島 駿 1
の開発
14a-P1-4 電子回路設計実習
〇今園 浩之 1
1. 新居浜高専
1. 北大院理
1. 近畿能開大
14a-P1-5 ペンで体験しながら学べる電気回路 ～直列と並列～
〇酒井 大輔 1, 木田 彩佳 1, 原田 建治 1, 柴田 浩行 1 1. 北見工大
14a-P1-6 LED 光センサを利用した力学実験装置の授業実践と学生評価
〇河野 託也 1
1. 豊田高専
14a-P1-7 ものつくり教材としての電子顕微鏡 1
〇池田 一貴 1, 菅 洋志 1, 大野 輝昭 2
1. 千葉工大 , 2. テクネックス工房
1 応用物理学一般 / Interdisciplinary Physics and Related Areas of Science and Technology
12 有機分子・バイオエレクトロニクス / Organic Molecules and Bioelectronics
S.16 バイオと共生する電子デバイスを目指して / Electronic devices and biology: towards a prosperous symbiosis
9/15(Thu.) 13:45 - 19:00 口頭講演 (Oral Presentation) B11 会場
13:45
15p-B11-1 バイオと共生する電子デバイスを目指して
〇山下 一郎 1
14:00
招 15p-B11-2 埋植型光電子デバイスのバイオ医療への応用
〇太田 淳 1
14:30
招 15p-B11-3 グラフェンへのバイオインターフェース構築とタンパク質検出 〇古川 一暁 1,2, 上野 祐子 2
応用
15:00
招 15p-B11-4 2 次元ナノ材料上の自己組織化ペプチドによる電子界面
〇早水 裕平 1
15:30
招 15p-B11-5 グラフェン FET のバイオセンサー応用
〇松本 和彦 1
16:00
休憩 /Break
1 応用物理学一般 / Interdisciplinary Physics and Related Areas of Science and Technology
1.3 新技術・複合新領域 / Novel technologies and interdisciplinary engineering
14a-P1-8 組み込みシステム入門を目的としたモデルロケット教材の開発 〇平谷 雄二 1
1. 帝京大理工学
14a-P1-9 光計測システム構築のための教材開発
1. 沼津高専
〇大久保 進也 1
14a-P1-10 基本的な論理回路を使った３色 LED ストロボスコープ
〇高和 宏行 1,2, 古川 貴大 2, 木本 隆之 2, 阿部 昌浩 2 1. ユニオプト , 2. 麻布実教
14a-P1-11 パソコン制御による簡易な加法混色学習システム
王 宇熙 1, 〇小山 英樹 1
14a-P1-12 学生実験用の青色 LED 製作工程の開発
14a-P1-13 偏光板の回転を用いた偏光色教材
〇塩貝 一樹 1, 和田 直樹 1, 若原 昭浩 2, 山根 啓輔 2, 1. 新居浜高専 , 2. 豊橋技科大 , 3. 徳島大
酒井 士郎 3
〇松崎 俊樹 1, 原田 建治 1
1. 北見工大
14a-P1-14 CD-R とデジタルカメラを用いた分光器の試作
〇田所 利康 1
奨 14a-P1-15 砂糖水の旋光による透過光強度変化の測定及び理論的予測との 〇 (B) 徳光 聖茄 1, 長谷川 誠 1
比較
14a-P1-16 光速度不変原理の破綻 Ⅱ
〇土田 成能 1
1. 千歳科技大
1. ダビンチ研
〇荒川 真由美 1, 中野 寛之 1, 佐伯 平二 1
1. 愛工大
14a-P1-18 EDLC の充電電圧で動作するペットボトルウインドカーの教
材への応用
14a-P1-19 天然膨張黒鉛シートを正極とした金属空気電池の作製とエネル
ギー教育への利用Ⅲ
14a-P1-20 ロボット教室での電池コストマネジメントの検証
〇山口 静夫 1
1. 九共大総研
〇岡野 寛 1, 栗原 健太 2, 三崎 伸也 2, 細川 敏弘 2,
幸 哲也 2
〇谷野 順平 1, 中野 寛之 1, 水野 勝教 1
1. 香川高等専門学校 , 2. 東洋炭素株式会社
14a-P1-21 風力発電の実演とアクティブラーニングによる授業実践
〇川西 達也 1, 吉田 義昭 1
1. 広島工大
14a-P1-22 有機物共晶組織観察用教材の開発と学生実験での利用
〇瀧澤 周平 1, 近藤 英一 1
1. 山梨大工
14a-P1-23 高校地学で分かる食連星の物理量
〇佐々井 祐二 1
1. 津山高専
14a-P1-27 高専生へのアンケートを元にした理科離れ防止策の検討 I
14a-P1-28 大学生に対する科教育とその効果 - 看護学部の学生の場合 14a-P1-29 2016 年国際物理オリンピック参加に向けた実験研修の成果と
課題
14a-P1-30 高専生の専門英語力 UP に向けた国際交流事業の活用
1.3 新技術・複合新領域 / Novel technologies and interdisciplinary engineering
9/14(Wed.) 9:15 - 12:00 口頭講演 (Oral Presentation) D63 会場
9:15
14a-D63-1 物性相関図データベースと検索システムの構築
9:30
14a-D63-2 チャート画像の自動数値化ソフト開発
9:45
奨 14a-D63-3 金属酸化物粉末の電子トラップ密度のエネルギー分布解析と指
紋としての応用
10:00
14a-D63-4 Si3N4/SiO2/Si 基板上に作製した MOD 法プリカーサ薄膜の減
圧焼成で得た VOx 薄膜の特性評価
10:15
14a-D63-5 Al-Cu 共晶接合におけるθ相凝固組織の phase-field simulation
10:30
休憩 /Break
1. 旭川高専 , 2. 小山高専
1. 福岡大理 , 2. 九州大応力研
1. 東京電機大工
2
〇上月 具挙 1, 山中 仁昭 2, 寺重 隆視 1, 間島 利也 1,
出木原 裕順 1
〇中屋敷 勉 1, 江尻 有郷 2, 毛塚 博史 3, 佐藤 誠 4,
真梶 克彦 5, 鈴木 功 6, 並木 雅俊 7, 長谷川 修司 8,
深津 晋 8, 松本 益明 9, 光岡 薫 10
〇柳生 義人 1, 西口 廣志 1, 石貫 文子 1, 原口 和子 1
1. 広国大 , 2. 海上保安大
〇吉武 道子 1
〇吉武 道子 1, 柳生 進二郎 1
〇 (D) 新田 明央 1, 高瀬 舞 2, 高島 舞 1,3, 村上 直也 4,
大谷 文章 1,3
〇前田 幸平 1, 立木 隆 1, 内田 貴司 1
1. 物材機構
1. 物材機構
1. 北大院環境科学 , 2. 室蘭工大院工 , 3. 北大触媒研 ,
4. 九州工大院工
1. 防衛大電気電子
〇荻本 泰史 1, 佐藤 圭輔 1
1. 富士電機
14a-D63-6 時間領域応答波形観測のための時分割ロックイン検出法
14a-D63-7 金層堆積プラズモニックメンブレンの作製と光学特性評価
奨 14a-D63-8 ポリマー /TiO2 ハイブリッド型フォトニック結晶スラブを用い
た蛍光イオンセンシング
奨 14a-D63-9 透過光検出器を備えた光ディスク装置による大腸菌の検出
14a-A36-8 多物理シミュレ - ションによる燃料型ＴＰＶ発電装置の設計
14a-A36-9 III-V 族半導体三接合型太陽電池を用いたワイヤレス人工光合
成デバイスの開発
1. 愛工大
〇川崎 仁晴 1, 大島 多美子 1, 柳生 義人 1, 須田 義昭 1. 佐世保高専 , 2. 石川高専
〇瀬戸 啓介 1, 庭瀬 暁隆 2, 徳永 英司 1
〇遠藤 達郎 1, 長島 優 2, 岩田 淳 2, 山田 憲嗣 3
〇安藝 翔馬 1, 前野 権一 1, 久本 秀明 1, 末吉 健志 1,
遠藤 達郎 1
11:30
〇白水 秀幸 1, 黒田 千愛 1, 大木 義路 1,2, 島 隆之 3,
王 暁民 3, 藤巻 真 2,3
11:45
14a-D63-10 スンプ法により形成したセルロイド製単一細胞分離用プレート 〇松谷 晃宏 1, 髙田 綾子 2
による酵母細胞の分離
9/14(Wed.) 16:00 - 18:00 ポスター講演 (Poster Presentation) P12 会場
14p-P12-1 組織切片の伸展性応答を指標とする新奇な病理診断法の開発 〇中村 拓人 1, 檀野 圭右 1, 中村 直彦 2, 井口 公太 2,
池川 雅哉 1, 吉川 研一 1
14p-P12-2 半導体バンド曲がりを利用した波長依存型双極性光検出器の創 〇生野 孝 1,2, 長谷川 正樹 2
製
14p-P12-3 銀イオン含有ポリイオンコンプレックスによるガスセンサへの 〇森山 友加里 1, 柘植 洋祐 1, 都倉 勇貴 1, 白鳥 世明
1
応用
14p-P12-4 層状酸化マンガンナノシートのメチルメルカプタンガス吸着特 〇都倉 勇貴 1, 中田 弦徳 1, 緒明 佑哉 1, 今井 宏明 1,
性
白鳥 世明 1
1.4 エネルギー変換・貯蔵・資源・環境 / Energy conversion, storage, resources and environment
9/14(Wed.) 9:00 - 12:45 口頭講演 (Oral Presentation) A36 会場
9:00
14a-A36-1 遊星ボールミルを用いた金属ゲルマニウムと二酸化ゲルマニウ 田島 佳奈 1, 岡部 準子 1, 白井 勇祐 1, 〇小栗 和也 1
ムの反応 ( Ⅲ )
9:15
奨 14a-A36-2 CO 酸化反応に対する酸化スズクラスターのサイズ依存性
〇猪股 雄介 1, アルブレヒト 建 1, 山元 公寿 1
9:30
14a-A36-3 改良型ヘリウム置換法によるナノポーラスカーボンの密度測定 〇工藤 悠人 1, 菅間 由紀乃 1, 小松 啓志 1, 津田 欣範
1,2
のための空管容積の温度補正
, 齋藤 秀俊 1
9:45
14a-A36-4 炭酸カルシウムへのガス吸着評価
〇奥田 瑠惟 1, 小松 啓志 1, 齋藤 秀俊 1
10:00
14a-A36-5 ラマン分光法を用いた水吸着時のナノポーラスカーボンの構造 〇菅間 由紀乃 1, 奥田 瑠惟 1, 工藤 悠人 1, 津田 欣範
1,2
解析
, 小松 啓志 1, 齋藤 秀俊 1
10:15
14a-A36-6 クラウンエーテルを導入したレアメタル捕集用高分子ゲル
〇堀ノ内 俊介 1, 岡部 弘高 1, 日高 芳樹 1, 原 一広 1
10:30
奨 14a-A36-7 カザフスタンにおける水素エネルギー利用への展望 :
〇 (M2)Zholdayakova Saule1, 内田 晴久 1
Ti-Cr-Mn 系水素吸蔵合金の作製及び水素吸蔵特性の検討
10:45
休憩 /Break
11:00
11:15
1. テクノシナジー
14a-P1-17 教員支援の為の磁気遮蔽実験装置の開発
14a-P1-24 高専における電気・電子分野実験スキルの評価指標実質化の取 〇篁 耕司 1, 鈴木 真ノ介 2, 井口 傑 1, 小林 康浩 2,
三井 聡 1
り組み
14a-P1-25 初年次学生に対する高学年生による学習支援の試行Ⅱ
〇寺田 貢 1, 赤星 信 1, 福嶋 義博 1, 平松 信康 1, 井
戸垣 俊弘 1, 河辺 哲次 1, 香野 淳 1, 固武 慶 1, 眞砂
卓史 1, 御園 雅俊 1, 宮川 賢治 1, 守田 治 1, 永田 潔
文 1, 西村 秀紀 1, 大坪 慎一 1, 眞田 瑞穂 1, 武末 尚
久 1, 玉木 克美 1, 東藤 貢 2, 山本 大輔 1
14a-P1-26 大学生のための動機付け学習法
〇曽江 久美 1, 本橋 光也 1, 丹羽 雅昭 1, 田巻 明 1
10:45
11:00
11:15
1. 兵庫教育大院
〇角野 雅芳 1, 渋谷 明信 1, 眞子 隆志 1
〇岡本 慎也 1, 出口 正洋 1, 四橋 聡史 1
1. 岡山一宮高 , 2. 元琉球大 , 3. 東京工科大 , 4. 津山
高専 , 5. 筑波大附駒場中高 , 6. 高エ研 , 7. 高千穂大 ,
8. 東京大 , 9. 東京学芸大 , 10. 阪大超高圧センター
1. 佐世保高専
1. 東理大 , 2. 九大
1. 阪府大院工 , 2. 東大院医 , 3. 阪大院医
1. 阪府大院工
1. 早大先進理工 , 2. 早大材研 , 3. 産総研
1. 東工大マイクロプロセス , 2. 東工大バイオ
1. 同大生命医 , 2. 京大医
1. 東理大基礎工 , 2. 豊田中研
1. 慶大院理工
1. 慶大院理工
1. 東海大教養
1. 東工大化生研
1. 長岡技科大 , 2. ヒューズ・テクノネット
1. 長岡技科大
1. 長岡技科大 , 2. ヒューズ・テクノネット
1. 九大工
1. 東海大
1.NEC IoT デバイス研
1. パナソニック ( 株 )
1.5 計測技術・計測標準 / Instrumentation, measurement and Metrology
11:30
11:45
12:15
12:30
9/14(Wed.) 16:00 - 18:00 ポスター講演 (Poster Presentation) P13 会場
14p-P13-1 15 年を経過した太陽光発電装置の劣化調査
〇安田 仁 1, 佐藤 正志 1, 樋口 昌史 1, 淺香 隆 1, ブ
ンダリッヒ ビルフリド 1
〇松本 健俊 1, 喜村 勝矢 1, 小林 光 1, 西原 洋知 2,
粕壁 隆敏 2, 京谷 隆 2
1. 東海大工
〇 (D) 喜村 勝矢 1, 松本 健俊 1, 小林 光 1, 西原 洋
知 2, 粕壁 隆敏 2, 京谷 隆 2
〇梶田 徹也 1, 伊藤 隆 1
〇謝 睿 1, 瀬島 史也 1, 當麻 浩司 1, 荒川 貴博 1, 三
林 浩二 1
1. 阪大産研 , 2. 東北大多元研
1. 阪大産研 , 2. 東北大多元研
1. 東北大学際研
1. 東京医科歯科大学
〇重松 利信 1, 川崎 仁晴 2, 小野 文慈 3, 中島 賢治 2,
城野 祐生 2, 嶋田 英樹 2
14p-P13-2 ひずみイメージングによる全固体リチウムイオン二次電池の非 〇松下 友紀 1, 中山 慶祐 1, 中西 泰紀 1, 柴田 恭摩 1,
破壊イオン移動計測
高田 啓二 1
14p-P13-3 全固体リチウムイオン二次電池の電極活物質のひずみイメージ 〇大坂 隆馬 1, 今中 剛士 1, 山本 翔平 1, 上山 晴也 1,
ング
福島 宇宙 1, 高田 啓二 1
14p-P13-4 Si 廃棄物を用いた多孔質 Si の作製
〇安田 仁 1, 佐藤 正志 1, 樋口 昌史 1, 淺香 隆 1
1. 岡理大工 , 2. 佐世保高専 , 3. 佐大教育
14p-P13-5 Mg17Al12 の水素吸放出反応を利用した微細化 Al の作製
〇村上 拓 1, 樋口 昌史 1, 淺香 隆 1, 佐藤 正志 1
1. 東海大工
14p-P13-6 ゼオライトを添加した Mg の水素吸蔵特性
〇小野 優 1, 内田 晴久 1
1. 東海大
14p-P13-7 グラフェン含有炭素膜による燃料電池用セパレータの特性改善 〇 (M1C) 栗嶋 颯真 1, 内田 秀雄 1
1. 関西大院理工
1. 関西大院理工
1. 東海大工
1. 中部大学
14p-P13-8 溶存酸素抽出による液中動作型燃料電池の開発
〇 (M1) 山根 克明 1, 河合 晃 1
1. 長岡技科大
14p-P13-9 レーザー焼成金属ナノペーストを用いた空気電池の特性
〇 (M1) 増田 真一郎 1, 石井 隆太 1, 中岡 亮 1, 佐伯
拓1
〇白石 美佳 1, 白石 理沙 1, 安藤 圭祐 1, 松本 遥 2,
中川 清晴 3, 安藤 寿浩 4, 蒲生西谷 美香 2
1. 関西大シス理
14p-P13-10 Ni-Cu 触媒を用いたマリモカーボンの成長機構解明の試み
1.5 計測技術・計測標準 / Instrumentation, measurement and Metrology
9/15(Thu.) 13:30 - 15:30 ポスター講演 (Poster Presentation) P1 会場
15p-P1-1 重力波検出器 KAGRA の強度安定化レーザーシステム
〇 (PC) 土井 康平 1, KAGRA コラボレーション
15p-P1-2 TbP5O14、EuP5O14 を使った X 線検出器
〇勝亦 徹 1, 稲田 理歩 1, 島田 翼 1, 鈴木 颯 1, 相沢
宏明 1, 小室 修二 1
15p-P1-3 デュアルレーザー CRDS による N2 中微量水分の近赤外スペク 〇阿部 恒 1, 橋口 幸治 1
トル
15p-P1-4 Pd を用いた熱電式水素ガスセンサ
〇 (M1) 根岸 慧 1, 勝亦 徹 1, 相沢 宏明 1
15p-P1-5 HDD 主磁極の磁場誘起ひずみイメージング
1. 東洋大院理工 , 2. 東洋大理工 , 3. 関西大環境都
市工 , 4. 物材機構
1. 富山大理
1. 東洋大　理工
1. 産総研
1. 東洋大院理工
〇奥野 幸穂 1, 仏願 建太 1, 宮内 弘太郎 1, 平田 晃規 1. 関西大院理工
1
奨 15p-P1-6 ひずみ・光・熱複合センサを用いたマルチモーダル質感計測の 〇 (M2) 高橋 賢太 1, 佐藤 文哉 1, 安部 隆 1, 奥山 雅 1. 新潟大 , 2. 大阪大 , 3. 立命館大
基礎検討
則 2, 野間 春生 3, 寒川 雅之 1
奨 15p-P1-7 ポータブル型核四極共鳴装置の開発
〇大田垣 祐衣 1, 大平 龍太郎 1, 宮戸 祐治 1, 赤羽 英 1. 阪大院基礎工
夫1
15p-P1-8 低温度域における潤滑油の簡易粘度測定
〇小野 文慈 1, 重松 利信 2, 中島 賢治 3, 福田 孝貴 3 1. 佐賀大教育 , 2. 岡理大工 , 3. 佐世保高専
15p-P1-9 接着内部応力の直接・間接可視化相関
9/16(Fri.) 9:00 - 12:15
口頭講演 (Oral Presentation) C42 会場
9:00
招 16a-C42-1 [1．応用物理学一般　分科内招待講演 ]
可視光駆動型水分解に向けた複合型光触媒微粒子膜の開発
9:30
16a-C42-2 光ファイバーエタロン型低コヒーレンス干渉による幾何学量の
絶対測定
9:45
16a-C42-3 低コヒーレンス干渉計測法における周波数トレーサビリ
ティーの検討
10:00
16a-C42-4 2 軸直交グリッドプレート測定機
10:15
16a-C42-5 屋外使用時における温度安定型水晶振動子出力の安定性評価
10:30
16a-C42-6 有機分子／固体界面の液中周波数変調原子間力顕微鏡による解
析
10:45
招 16a-C42-7【注目講演】[ 講演奨励賞受賞記念講演 ]
熱応力誘起光散乱法によるマイクロクラック検出技術の研究開
発
11:00
奨 16a-C42-8 磁場分布の磁気光学カラーイメージング
〇寺崎 正 1, 藤尾 侑輝 1, 坂田 義太郎 1
1. 産総研
〇徳留 弘優 1, 奥中 さゆり 1
1.TOTO 株式会社
〇松本 弘一 1, 高増 潔 1, 杉村 彰紀 2
1. 東大工 , 2. アダマンド㈱
〇松本 弘一 1
1. 東大工
〇鍜島 麻理子 , 渡部 司 , 阿部 誠
〇鈴木 淳 1
〇湊 丈俊 1, 荒木 優希 2,3, 大西 洋 2
1
1
1
〇坂田 義太朗 1, 寺崎 正 1, 野中 一洋 1
〇長久保 洋介 1, 婁 庚健 1, 劉 琦 1, 馬場 勇至 1, 石
橋 隆幸 1
11:15
奨 16a-C42-9 多種ガス用微量水分発生装置におけるガス流量制御の安定性向 〇天野 みなみ 1, 阿部 恒 1
上に関する研究
11:30
16a-C42-10 過渡熱追尾法によるポリ塩化ビニル基板上の塗装斑の検出
〇牧田 祐樹 1, 青柳 稔 1
11:45
招 16a-C42-11 [1．応用物理学一般　分科内招待講演 ]
〇菊永 和也 1
静電気可視化技術の発展と展開
1.6 超音波 / Ultrasonics
9/13(Tue.) 10:00 - 12:00 口頭講演 (Oral Presentation) D63 会場
10:00
招 13a-D63-1 [ 講演奨励賞受賞記念講演 ]
〇早川 大智 1, 松浦 有祐 1, 美谷 周二朗 1, 酒井 啓司
1
前方光散乱を用いた微小飛翔液滴の高精度サイズ測定
10:15
13a-D63-2 血液粘度計測に向けたマイクロ粒子分散系の流動特性評価
〇平野 太一 1, 平野 美希 1, 酒井 啓司 1
10:30
13a-D63-3 超音波により誘起される電磁応答の位相検波
〇山田 尚人 1, 生嶋 健司 1
10:45
奨 13a-D63-4 LiNbO3・LiTaO3 薄板と高音速基板の接合によるリーキー系
〇 (M2) 五味 将史 1, 片岡 拓哉 1, 林 純貴 1, 垣尾 省
SAW の高結合化
司1
11:00
奨 13a-D63-5 チタン酸ストロンチウム基板上への圧電性 Ta2O5 薄膜の成膜と 〇 (M2) 菅谷 悠 1, 垣尾 省司 1
評価
11:15
13a-D63-6 超音波速度変化測定を目的とした固定ミラー型プローブの検討 〇青谷 悠平 1, 熊谷 勇汰 1, 堀 誠 1, 横田 大輝 1, 和
田 健司 1, 松中 敏行 1, 堀中 博道 1, 森川 浩安 2
11:30
13a-D63-7 血管不安定プラーク診断のための超音波速度変化画像測定用プ 〇熊谷 勇汰 1, 青谷 悠平 1, 堀 誠 1, 横田 大輝 1, 和
ローブ
田 健司 1, 松中 敏行 1, 堀中 博道 1
11:45
13a-D63-8 超音波診断装置評価用ファントムに用いる生体擬似物質の材料 〇佐藤 一石 1, 近藤 敏郎 , 安川 和宏 2
設計
1. 産総研
1. 産総研分析計測標準 RI
1. 京大産官学 , 2. 神戸大院理 , 3. 京大院工
1. 産総研
1. 長岡技科大
1. 産総研
1. 日本工大工
1. 産総研
1. 東大生研
1. 東大生研
1. 東京農工大学
1. 山梨大院医工
1. 山梨大院医工
1. 阪府大院・工 , 2. 阪市大院・医
1. 阪府大院・工
1. 徳文大理工 , 2. タキロン株式会社
1 応用物理学一般 / Interdisciplinary Physics and Related Areas of Science and Technology
12:00
14a-A36-10 Si 廃棄物を用いたナノサイズ Mg2Si の合成と電気化学的 Li 吸
蔵特性
14a-A36-11 切粉を原料としたシリコンナノ粒子を用いたリチウムイオン電
池負極の FEC 添加およびカーボンコートによる特性改善のメ
カニズム解明
奨 14a-A36-12 切粉から創製した Si ナノ粒子を用いたリチウムイオン電池電
極の充放電特性：Si サイズ依存性
14a-A36-13 アモルファス Ge 酸化物における Na イオン二次電池負極特性
14a-A36-14 グルコース酵素燃料電池に関する研究
1.6 超音波 / Ultrasonics
9/13(Tue.) 13:30 - 15:30 ポスター講演 (Poster Presentation) P1 会場
13p-P1-1 ScAlN/ 回転 Y-X LiTaO3 構造におけるリーキー SAW の理論解 〇垣尾 省司 1, 勝谷 信介 1, 保坂 桂子 1
析
13p-P1-2【注目講演】SAW フィルタを用いた多重通信システムの単相 3 〇 (M2) 久保 慶太 1, 金井 七重 1, 小林 史弥 1, 五箇
レベルインバータへの適用
繁善 1, 和田 圭二 1, 垣尾 省司 2
13p-P1-3 GaAs 基板上櫛型電極による表面弾性波の RF 励振特性―電極 〇三橋 大地 1, 松友 知将 1, 坂東 弘之 1, 松末 俊夫 1
指による弾性波の反射や不規則性の影響
13p-P1-4 弾性表面波を用いた霧化現象の周波数依存性
杉山 達也 1, 木村 尚史 1, 〇近藤 淳 1
1. 首都大理工 , 2. 山梨大工
1. 千葉大院融合
1. 静岡大学
佐藤 弘彬 1, 大石 将揮 1, 〇近藤 淳 1
1. 静岡大学
〇高柳 和也 1, 植田 健斗 1, 近藤 淳 1
1. 静岡大
13p-P1-7 SC-cut 水晶振動子を用いた QCM センサ
〇渡部 泰明 1, 近藤 淳 2
1. 首都大 , 2. 静岡大
13p-P1-8 純水を用いたシングルバブルそのルミネッセンスの発光測定
〇山田 量子 1, 松井 信 1, 伊藤 駿 1
1. 静岡大工
13p-P1-5 インピーダンス負荷 SAW センサを用いた振動周波数測定
奨 13p-P1-6 SH-SAW センサを用いた血液凝固測定に向けた基礎研究
2 放射線 / Ionizing Radiation
1. 山梨大院
9/13(Tue.) 16:00 - 18:00 口頭講演 (Oral Presentation) D63 会場
16:00
招 13p-D63-1 [1．応用物理学一般　分科内招待講演 ]
〇荻 博次 1
超音波による蛋白質の凝集制御：認知症の早期診断技術の確立
を目指して
16:30
13p-D63-2 Ce:La-GPS 結晶の弾性定数決定に関する検討
荒川 元孝 1, 〇大橋 雄二 2,3, 村上 力輝斗 4,2, 井上 憲
司 3, 庄子 育宏 4,2, 横田 有為 1, 山路 晃広 2, 黒澤 俊
介 1, 鎌田 圭 1,4, 吉川 彰 1,2,3,4
16:45
13p-D63-3 Ca3Nb(Ga,Al)3Si2O14 単結晶の音響特性に対する Al 置換量依存 〇大橋 雄二 1,2, 荒川 元孝 3, 横田 有為 3, 井上 憲司 2,
性
山路 晃広 1, 黒澤 俊介 3, 鎌田 圭 3,4,2, 吉川 彰 1,3,4,2
17:00
13p-D63-4 粘弾性体からなる 2 次元フォノニック結晶における弾性波伝播 〇田中 之博 1, 富岡 俊介 1, 下村 将隼 1, 西口 則彦 1
17:15
奨 13p-D63-5 カイラリティを有する波源形成と GHz 帯音響ウィスパリング 〇藤田 健太郎 1, Mezil Sylvain1, Clark Matt2, 友田
ギャラリーモードの励起
基信 1, Wright Oliver1, 松田 理 1
17:30
13p-D63-6 超音波併用薬剤送達デバイスの開発
〇井上 憲司 1, 佐藤 綾耶 2, 齋藤 竜太 2, Jia
Wenting2, 奥野 さおり 2, 大橋 雄二 3,1, 鎌田 圭 4,1,
吉川 彰 3,4,1, 冨永 悌二 2
17:45
13p-D63-7 超音波併用薬剤送達デバイスの開発 －高効率化・安定化によ 〇佐藤 綾耶 1, 井上 憲司 2, 齋藤 竜太 1, Jia
る効果実証－
Wenting1, 奥野 さおり 1, 大橋 雄二 3,2, 鎌田 圭 4,2,
吉川 彰 3,4,2, 冨永 悌二 1
1. 阪大基礎工
1. 東北大 NICHe, 2. 東北大金研 , 3.Piezo Studio,
4.C&A
1. 東北大金研 , 2.Piezo Studio, 3. 東北大 NICHe,
4.C&A
1. 北大院工
1. 北大工 , 2.Nottingham Univ.
1.Piezo Studio, 2. 東北大院医 , 3. 東北大金研 , 4. 東
北大 NICHe
1. 東北大院医 , 2.Piezo Studio, 3. 東北大金研 , 4. 東
北大 NICHe
2 放射線 / Ionizing Radiation
シンポジウムのプログラムは p.35 ～ p.41 にございます
9/15(Thu.) 16:00 - 18:00 ポスター講演 (Poster Presentation) P14 会場
15p-P14-1 CdF2 結晶シンチレータの特性評価
15p-P14-2
15p-P14-3
奨 15p-P14-4
15p-P14-5
15p-P14-6
15p-P14-7
15p-P14-8
15p-P14-9
15p-P14-10
15p-P14-11
15p-P14-12
15p-P14-13
15p-P14-14
15p-P14-15
15p-P14-16
15p-P14-17
〇柳田 健之 1, 藤本 裕 2, 越水 正典 2, 福田 健太郎 3,
岡田 豪 1, 河口 範明 1
Ce 添加 LiCaAlF6 シンチレータにおける LET 特性
〇柳田 健之 1, 越水 正典 2, 倉島 俊 3, 岩松 和宏 4,
木村 敦 3, 田口 光正 3, 福田 健太郎 5, 藤本 裕 2, 浅
井 圭介 2, 岡田 豪 1, 河口 範明 1
複合透明セラミックスシンチレータの PSD 特性
〇柳田 健之 1, 渡辺 賢一 2, 藤本 裕 3, 瓜谷 章 2, 八
木 秀喜 4, 柳谷 高公 4, 岡田 豪 1, 河口 範明 1
Pr を添加した 12CaO・7Al2O3 エレクトライド単結晶のシンチ 〇熊本 成美 1, 中内 大介 1, 岡田 豪 1, 河口 範明 1,
レーションおよびドシメータ特性
柳田 健之 1
Ce を添加した単結晶 Ga2O3 半導体シンチレータの開発
〇臼井 雄輝 1, 大矢 智久 1, 岡田 豪 1, 河口 範明 1,
柳田 健之 1
Ce 添加 (Gd8X2)(SiO4)6O2 (X=Mg,Ca,Sr,Ba) 結晶の光物性およ 〇井頭 卓也 1, 森 正樹 1, 岡田 豪 1, 河口 範明 1, 柳
び放射線誘起蛍光特性
田 健之 1
透明セラミックス CaF2 のシンチレーションおよびドシメータ 〇 (M1) 中村 文耶 1, 加藤 匠 1, 岡田 豪 1, 河口 範明
1
特性の評価
, 柳田 健之 1, 福田 健太郎 2
Ce 添加 30Zn3(PO4)2-70Al(PO3)3 ガラスのドシメータ特性
〇 (M1) 平野 翔太郎 1, 久良 智明 1, 岡田 豪 1, 河口
範明 1, 柳田 健之 1
Sm 添加 KBr 単結晶におけるラジオフォトルミネッセンス
〇岡田 豪 1, 藤本 裕 2, 田中 宏典 2, KASAP SAFA3,
柳田 健之 1
Sm 添加 BaF2-Al2O3-B2O3 結晶化ガラスにおける RPL
〇岡田 豪 1, 篠崎 健二 2, 小松 高行 3, KASAP
SAFA4, 柳田 健之 1
AlN セラミック板を用いた X 線イメージングプレート
〇岡田 豪 1, 福田 健太郎 2, KASAP SAFA3, 柳田 健
之1
Eu 添加 SrAl2O4 単結晶のシンチレーション特性評価
〇 (M2) 中内 大介 1, 岡田 豪 1, 越水 正典 2, 河口 範
明 1, 柳田 健之 1
Eu:BaSiO3 単結晶のシンチレーション特性評価
〇 (M2) 中内 大介 1, 岡田 豪 1, 河口 範明 1, 柳田 健
之1
Ce 添加 30MgO-50B2O3-20Al2O3 ガラスの放射線応答特性
〇 (M2) 中内 大介 1, 藤本 裕 2, 岡田 豪 1, 河口 範明
1
, 柳田 健之 1
Nd/Ce/Cr 共添加 Lu3Al5O12 単結晶のシンチレーション特性評 〇大矢 智久 1, 岡田 豪 1, 河口 範明 1, 柳田 健之 1
価
Nd:NaPO3­-Al(PO­3)3 ガラスのシンチレーションおよびドシメー 〇 (M2) 久良 智明 1, 岡田 豪 1, 河口 範明 1, 藤本 裕
2
タ特性評価
, 正井 博和 3, 柳田 健之 1
Eu 添加 BaO-Al2O3-B2O3 ガラスの放射線応答特性
〇加藤 匠 1, 岡田 豪 1, 河口 範明 1, 柳田 健之 1
1. 奈良先端大 , 2. 東北大 , 3. トクヤマ
1. 奈良先端大 , 2. 東北大 , 3. 量研機構高崎 , 4. ノー
トルダム大 , 5. トクヤマ
1. 奈良先端大 , 2. 名大工 , 3. 東北大工 , 4. 神島化学
工業
1. 奈良先端大
1. 奈良先端大
1. 奈良先端大
1. 奈良先端大 , 2. トクヤマ
1. 奈良先端大
1. 奈良先端大 , 2. 東北大 , 3. サスカチュワン大
1. 奈良先端大 , 2. 産総研 , 3. 長岡技科大 , 4. サスカ
チュワン大
1. 奈良先端大 , 2.( 株 ) トクヤマ , 3. サスカチュワ
ン大
1. 奈良先端大 , 2. 東北大工
1. 奈良先端大
1. 奈良先端大 , 2. 東北大工
1. 奈良先端大
1. 奈良先端大 , 2. 東北大工 , 3. 京大化研
1. 奈良先端大
15p-P14-18 Eu 添加 CaO セラミックスのシンチレーション特性評価
〇加藤 匠 , 岡田 豪 , 河口 範明 , 柳田 健之
1
1. 奈良先端大
15p-P14-19 C 添加による MgO 透明セラミックスのドシメータ特性改善
〇加藤 匠 1, 岡田 豪 1, 河口 範明 1, 柳田 健之 1
1. 奈良先端大
15p-P14-20 銀添加 Li3PO4-BPO4 ガラスの RPL 特性
1. 奈良先端大 , 2. 京大化研
15p-P14-21 Ce 添加 YAM の光物性およびシンチレーション特性
〇辰巳 浩規 1, 岡田 豪 1, 河口 範明 1, 正井 博和 2,
柳田 健之 1
〇森 正樹 1, 岡田 豪 1, 河口 範明 1, 柳田 健之 1
15p-P14-22 Tb 添加 NaPO3-Al(PO3)3 ガラスのシンチレーション特性
〇河口 範明 1, 久良 智明 1, 岡田 豪 1, 柳田 健之 1
1. 奈良先端大
1
1
1
1. 奈良先端大
15p-P14-23 LiF:W 及び LiCaAlF6:Eu シンチレーターの中性子応答特性比較 〇河口 範明 1, 岡田 豪 1, 柳田 健之 1, 福田 健太郎 2 1. 奈良先端大 , 2. トクヤマ
15p-P14-24 Eu 添加アルカリ土類アルミノホウ酸塩ガラスの放射線励起発
光
15p-P14-25 Sn 添加 ZnO-P2O5-B2O3 ガラスにおける PL,RL 特性
奨 15p-P14-26 Ce3+ ドープバリウムホウ酸塩ガラスの出発物質に依存した発
光特性調査
15p-P14-27 CsSrCl3:Ce 結晶の光学及びシンチレーション特性
〇河口 範明 1, 加藤 匠 1, 岡田 豪 1, 藤本 裕 2, 柳田
健之 1
〇正井 博和 1, 柳田 健之 2, 岡田 豪 2, 河口 範明 2,
壬生 攻 3
〇鳥本 彩 1, 正井 博和 1, 岡田 豪 2, 河口 範明 2, 柳
田 健之 2, 大窪 貴洋 3
〇藤本 裕 1, 矢幅 拓真 1, 中内 大介 2, 柳田 健之 2,
越水 正典 1, 浅井 圭介 1
1. 奈良先端大 , 2. 東北大
1. 京大化研 , 2. 奈良先端大 , 3. 名工大
1. 京大化研 , 2. 奈良先端大 , 3. 千葉大
1. 東北大院工 , 2. 奈良先端大
2 放射線 / Ionizing Radiation
15p-P14-28 CeCl3-7H2O 結晶の蛍光及びシンチレーション特性
1. 東北大院工 , 2. 奈良先端大
15p-P14-29
1. 東北大院工 , 2. 奈良先端大
15p-P14-30
15p-P14-31
15p-P14-32
15p-P14-33
15p-P14-34
15p-P14-35
15p-P14-37
15p-P14-38
15p-P14-39
15p-P14-40
15p-P14-41
15p-P14-42
15p-P14-43
15p-P14-44
15p-P14-45
15p-P14-46
15p-P14-47
15p-P14-48
奨 15p-P14-49
15p-P14-50
15p-P14-51
15p-P14-52
15p-P14-53
奨 E 15p-P14-54
15p-P14-55
15p-P14-56
15p-P14-57
15p-P14-58
15p-P14-59
15p-P14-60
15p-P14-61
15p-P14-62
15p-P14-63
15p-P14-64 加速器 BNCT ソースターム評価システムのための p-7Li 反応
放出中性子収量の実験的評価
1. 東北大工 , 2. 奈良先端大
1. 東北大院工 , 2. 奈良先端大
1. 東北大院工
1. 東北大院工
1. 東北大工 , 2. 奈良先端大
1. 東北大工 , 2. 奈良先端大
1. 東北大 , 2. 高エネ研 , 3. 放医研 , 4. 奈良先端大
1. 東北大 , 2. 高エネ研 , 3. 放医研 , 4. 奈良先端大
1. 東北大院工 , 2. 奈良先端大
1. 東北大院工 , 2. 奈良先端大
1. 東北大 , 2. 放医研 , 3.KEK, 4. 奈良先端大
1. 東北大 , 2. 放医研 , 3.KEK, 4. 奈良先端大
1. 東北大 , 2. 奈良先端大
1. 東北大院工 , 2. 東北大 NICHe, 3. 東北大多元研 ,
4. 東北大 WPI
1. 東北大院工 , 2. 奈良先端大
1. 東北大院工 , 2. 奈良先端大
1. 東北大院工 , 2. 東大院工 , 3. 阪大産研
1. 東北大院工 , 2.QST, 3. 奈良先端大 , 4. 神島化学
1. 東北大院工 , 2.QST, 3. 奈良先端大
1. 首都大 , 2. 量研機構放医研 , 3. 京大原子炉実験所 ,
4. 近大原研 , 5. 九大 , 6. 千葉セラ , 7. 千代田テクノ
ル
1. 首都大学東京 , 2. 量研機構放医研 , 3. 千代田テ
クノル , 4. 千葉セラミック
1. 首都大 , 2. 量研機構放医研 , 3. 千葉セラミック
1. 首都大学東京 , 2. 量研機構放医研
1. 首都大 , 2. 量研機構放医研 , 3. 千代田テクノル ,
4. 千葉セラミック工業
1.Education and Research Support Center,
Graduate School of Medicine, Gunma Univ.,
2.Graduate School of Science and Technology,
Gunma Univ., 3.National Institutes for Quantum
and Radiological Science and Technology
1. 東北工大 , 2. 東北大
1. 東北工大 , 2. 東北大
1. 静大院情 , 2. キエフ大学 , 3.ANSeeN
1. 静岡大学 , 2. 名古屋大 , 3. 赤崎リサーチセンター
1. 静岡大学 , 2. 株式会社 ANSeeN
1. 同志社大院理工 , 2. 京大化研
1. キヤノン株式会社 , 2. 東北大 NICHe, 3. 東北大
金研
1. 株式会社 C&A, 2. 東北大金研 , 3. 東北大 NICHe,
4. 名古屋大医
1. 新居浜高専
〇 (M2) 上原 圭太 1, 村田 勲 1, 帆足 英二 1, 佐藤 文 1. 阪大院工
信1
2 放射線 / Ionizing Radiation
15p-P14-36
〇藤本 裕 1, 矢幅 拓真 1, 中内 大介 2, 柳田 健之 2,
越水 正典 1, 浅井 圭介 1
高い発光量と大きな Zeff、優れたエネルギー分解能を有する
〇藤本 裕 1, 佐伯 啓一郎 1, 岡田 豪 2, 柳田 健之 2,
TlMgCl3 シンチレータの研究
越水 正典 1, 浅井 圭介 1
KCl 焼結体の輝尽蛍光における不純物イオンの正孔捕獲能力比 〇 (M1) 野田 沙矢佳 1, 藤本 裕 1, 越水 正典 1, 柳田
較
健之 2, 浅井 圭介 1
Na2O-Al2O3-B2O3 ガラスの線量応答性
〇大野 洋人 1, 藤本 裕 1, 矢幅 拓真 1, 柳田 健之 2,
田中 宏典 1, 越水 正典 1, 浅井 圭介 1
ポリスチレン膜中でのスピロピランの X 線照射による異性化 〇 (M1) 浅井 康平 1, 越水 正典 1, 藤本 裕 1, 浅井 圭
挙動
介1
YBa2Cu3Ox 及び MgB2 への X 線照射による磁気特性変化にお 〇 (M1) 黒田 勇樹 1, 越水 正典 1, 藤本 裕 1, 浅井 圭
ける線量依存性
介1
Ag 添加 NaPO3-RPO3(R=Li, K, Rb, Cs) 混合ガラスのラジオ
〇 (M2) 田中 宏典 1, 藤本 裕 1, 越水 正典 1, 柳田 健
フォトルミネッセンス特性
之 2, 佐伯 啓一郎 1, 矢幅 拓真 1, 浅井 圭介 1
Ag 添加 NaPO3-RnPO3(R=Sr, Al, B, Bi) 混合ガラスのラジオ
〇 (M2) 田中 宏典 1, 藤本 裕 1, 越水 正典 1, 柳田 健
フォトルミネッセンス特性
之 2, 佐伯 啓一郎 1, 矢幅 拓真 1, 浅井 圭介 1
有機修飾 Bi2O3 ナノ粒子を含有したプラスチックシンチレータ 〇樋山 史幸 1, 野口 多紀郎 1, 越水 正典 1, 岸本 俊
の X 線検出特性
二 2, 春木 理恵 2, 錦戸 文彦 3, 柳田 健之 4, 藤本 裕 1,
相田 努 1, 高見 誠一 1, 阿尻 雅文 1, 浅井 圭介 1
有機修飾 ZrO2 ナノ粒子を含有したプラスチックシンチレータ 〇樋山 史幸 1, 野口 多紀郎 1, 越水 正典 1, 岸本 俊
の X 線検出特性
二 2, 春木 理恵 2, 錦戸 文彦 3, 柳田 健之 4, 藤本 裕 1,
相田 努 1, 高見 誠一 1, 阿尻 雅文 1, 浅井 圭介 1
リチウムホウ酸塩 LBO バルク結晶の作製とシンチレーション 〇塚本 貴之 1, 越水 正典 1, 柳田 健之 2, 藤本 裕 1,
特性
矢幅 拓真 1, 浅井 圭介 1
Sn 添加 CsCaCl3 のシンチレーション特性
〇 (M2) 佐伯 啓一郎 1, 藤本 裕 1, 越水 正典 1, 柳田
健之 2, 中内 大介 2, 浅井 圭介 1
有機無機ハイブリットシンチレータの特性に対する有機蛍光体 〇近野 唯 1, 越水 正典 1, 錦戸 文彦 2, 春木 理恵 3,
分子の影響
岸本 俊二 3, 柳田 健之 4, 藤本 裕 1, 孫 彦 1, 浅井 圭
介1
有機無機ハイブリッドシンチレータの高エネルギー X 線検出 〇近野 唯 1, 越水 正典 1, 錦戸 文彦 2, 春木 理恵 3,
特性のハフニア濃度依存性
岸本 俊二 2, 柳田 健之 4, 藤本 裕 1, 孫 彦 1, 浅井 圭
介1
RbI の蛍光及びシンチレーション特性
〇 (B) 若井 勇騎 1, 佐伯 啓一郎 1, 藤本 裕 1, 越水 正
典 1, 柳田 健之 2, 中内 大介 2, 浅井 圭介 1
ニュートリノレス二重β崩壊検出を企図した 有機修飾
〇 (B) 白川 祐基 1, 野口 多紀郎 2, 相田 努 2, 高見 誠
CaMoO4 ナノ粒子装荷液体シンチレータの開発
一 3, 阿尻 雅文 4, 越水 正典 1, 藤本 裕 1, 浅井 圭介 1
Rb2AgI3 及び Cs2AgI3 結晶のシンチレーション特性
〇酒井 卓巳 1, 越水 正典 1, 藤本 裕 1, 矢幅 拓真 1,
中内 大介 2, 柳田 健之 2, 浅井 圭介 1
Tl3PbCl5 単結晶の蛍光及びシンチレーション特性
〇酒井 卓巳 1, 越水 正典 1, 藤本 裕 1, 矢幅 拓真 1,
中内 大介 2, 柳田 健之 2, 浅井 圭介 1
過渡吸収分光による alpha-Al2O3 中での励起状態緩和過程の解 〇越水 正典 1, 山下 真一 2, 室屋 裕佐 3, 山本 洋揮 3,
析
藤本 裕 1, 浅井 圭介 1
Ce:Gd3Al2Ga3O12 (GAGG) のシンチレーションにおける励起密 〇越水 正典 1, 倉島 俊 2, 木村 敦 2, 田口 光正 2, 柳
度効果の解析
田 健之 3, 八木 秀喜 4, 柳谷 高公 4, 藤本 裕 1, 浅井
圭介 1
Bi4Ge3O12 (BGO) のシンチレーションにおける励起密度効果の 〇越水 正典 1, 倉島 俊 2, 木村 敦 2, 田口 光正 2, 柳
解析
田 健之 3, 藤本 裕 1, 浅井 圭介 1
Al2O3:Cr セラミック TL スラブの中性子感度の検討
〇齋藤 雄介 1, 眞正 浄光 1, 古場 裕介 2, 田中 浩基 3,
若林 源一郎 4, 納冨 昭弘 5, 安藤 隆之 6, 松本 和樹 7,
牛場 洋明 7
Al2O3:Cr, B セラミック板の X 線に対する熱蛍光特性
〇 (B) 鈴木 柚香 1, 眞正 浄光 1, 古場 祐介 2, 齋藤 雄
介 1, 松本 和樹 3, 牛場 洋明 4, 安藤 隆之 4
Al2O3:Cr セラミック板の LET 依存性
〇 (B) 岡納 竜之介 1, 眞正 浄光 1, 古場 裕介 2, 張 維
珊 1,2, 栁澤 伸 1, 佐々木 大地 1, 安藤 隆之 3
CaSO4:Tm, 6Li と CaSO4:Tm, 7Li の X 線に対する高線量域での 〇相澤 若奈 1, 眞正 浄光 1, 古場 裕介 2, 齋藤 雄介 1,
線量応答性
栁澤 伸 1
X 線に対する Al2O3:Cr セラミック板の線量応答性
〇 (B) 白山 卓 1, 眞正 浄光 1, 栁澤 伸 1, 古場 裕介 2,
松本 和樹 3, 牛場 洋明 3, 安藤 隆之 4
Evaluation of Radio-photoluminescence Glass Beads Dosimeter 〇 (PC)RAJ KUMAR PARAJULI1, WATARU
using Micro-PIXE Analysis and Imaging
KADA2, MAKOTO SAKAI1, SHUNSUKE
KAWABATA2, YOSHINORI MATSUBARA2,
TOMIHIRO KAMIYA3, TAKAHIRO SATOH3,
KENTA MIURA2, OSAMU HANAIZUMI2
ヨウ化アンチモン放射線検出器の評価 (II)
〇小針 昂平 1, 小野寺 敏幸 1, 人見 啓太朗 2, 庄司 忠
良1
Cs3Bi2I9 放射線検出器の評価
〇浦山 一輝 1, 小野寺 敏幸 1, 望月 勝美 1, 人見 啓太
朗 2, 庄司 忠良 1
レーザー裏面照射による CdTe 内部へのダイオード形成
〇西澤 潤一 1, 青木 徹 1, 増澤 智昭 1, GNATYUK
Dmytro1, 中川 央也 1, ZELENSKA Kareryna2, 小池
昭史 3, 寺尾 剛 3, 都木 克之 3
III 族窒化物放射線検出器に向けた GaN 半導体α線検出特性の 〇中川 央也 1, 有川 卓弥 1, 望月 健 1, 宇佐美 茂佳 2,
評価
久志本 真希 2, 本田 善央 2, 天野 浩 2,3, 三村 秀典 1,
井上 翼 1, 中野 貴之 1, 青木 徹 1
スペクトラル CT に向けたフォトンカウンティングイメージン 〇 (M1) 木村 洸介 1, 増澤 智昭 1, 井村 ゆき乃 1, 小
グ
池 昭史 2, 青木 徹 1,2
焦電性結晶の熱励起により発生する X 線強度の安定性に及ぼ 〇西村 駿哉 1, 小川 友輔 1, 佐藤 祐喜 1, 伊藤 嘉昭 2,
す結晶形状の影響に関する研究
吉門 進三 1
相分離シンチレータと CMOS センサ一体型超高解像度 X 線検 〇安居 伸浩 1, 大橋 良太 1, 田 透 1, 鎌田 圭 2, 吉川
出器の開発
彰 2,3
ガンマ線イメージング用 Eu:SrI シンチレータアレーの試作
〇 (D) 吉野 将生 1,2, 鎌田 圭 1,3, 庄子 育宏 1,2, 黒澤
俊介 3, 横田 有為 3, 大橋 雄二 2, 吉川 彰 1,2,3, 山本 誠
一4
重粒子線照射に対する各種ターゲット形状の設計
〇白井 みゆき 1
2.1 放射線物理一般・検出器基礎 / Radiation physics and Detector fundamentals
15p-P14-65 パルス大強度相対論的電子ビーム照射による NaCl 単結晶の点
欠陥生成における入射エネルギー依存性
15p-P14-66 優れた放射線耐性の InGaP 太陽電池を用いたγ線測定および
線量評価
15p-P14-67 走査透過型電子顕微鏡搭載 TES 型マイクロカロリメータアレ
イのためのバイアス共通化読み出し回路のクロストーク評価
〇鳥羽 瞭太 1, 菊池 崇志 2, 今田 剛 1,3, 末松 久幸 1,
中山 忠親 1, 鈴木 常生 2, 新原 晧一 2
〇 (DC) 奥野 泰希 1, 奥田 修一 1
〇吉田 早耶香 1, 高野 彬 1, 前畑 京介 1, 伊豫本 直子
, 原 徹 2, 山本 亮 3, 千葉 旭 3, 満田 和久 3, 山崎 典
子3
15p-P14-68 走査透過型電子顕微鏡 EDS 用ポリキャピラリーレンズの特性 〇都留 由紀子 1, 高野 彬 1, 前畑 京介 1, 伊豫本 直子
1
評価
, 原 徹 2, 満田 和久 3, 山崎 典子 3, 田中 啓一 4
15p-P14-69 超伝導転移端センサを用いた X 線およびγ線の分光分析
〇安宗 貴志 1, 高崎 浩司 1, 中村 圭佑 1, 大野 雅史 2,
: モンテカルロシミュレーションを用いたエネルギースペクト 入松川 知也 2, 高橋 浩之 2
ルの解析
15p-P14-70 垂直磁気異方性 CoFeB-MgO 磁気トンネル接合の高速中性子 〇成田 克 1, 高橋 豊 1, 原田 正英 2, 大井 元貴 2, 及
耐性評価 (IV)
川 健一 2, 小林 大輔 3, 廣瀬 和之 3, 佐藤 英夫 4,5,6, 池
田 正二 4,5,6, 遠藤 哲郎 4,5,6,7, 大野 英男 4,5,6,8,9
2 放射線 / Ionizing Radiation
15p-P14-71 SHIEI での NRG 直接法の代替撮影法開発
2.1 放射線物理一般・検出器基礎 / Radiation physics and Detector fundamentals
9/14(Wed.) 9:00 - 10:30 口頭講演 (Oral Presentation) D61 会場
9:00
14a-D61-1 エックス線照射下における熱電特性の測定影響
9:15
14a-D61-2 重合度の異なるプラスチック飛跡検出器（ポリアリルジグリ
コールカーボネート）の赤外線吸収スペクトル分析
1
1. 九大工 , 2. 物質・材料研究機構 , 3. 宇宙航空研
究開発機構
1. 九大工 , 2. 物質・材料研究機構 , 3. 宇宙航空研
究開発機構 , 4. 日立ハイテクサイエンス
1. 原子力機構 , 2. 東大工
1. 山形大工 , 2. 原子力機構 J-PARC, 3.JAXA 宇宙研 ,
4. 東北大 CIES, 5. 東北大 CSIS, 6. 東北大 CSRN,
7. 東北大工 , 8. 東北大通研 LNS, 9. 東北大 WPIAIMR
〇鵜野 浩行 1, 上本 龍二 1, 曽我部 志郎 1, 日塔 光一 1. 住重試験 , 2.TNES
2
2
2
, 園田 幸夫 , 川島 正俊
〇春元 雅貴 1, 谷口 良一 1
〇寺下 佳孝 1, 楠本 多聞 1, 上田 隆裕 1, 上野 琢也
1
, 亀田 結貴 1, 金崎 真聡 1, 小田 啓二 1, 石川 一平 2,
山内 知也 1
9:30
14a-D61-3 顕微マッピング機能による放射線損傷パラメータの評価
〇上田 隆裕 1, 楠本 多聞 1, 小田 啓二 1, 金崎 真聡 1,
北村 尚 2, 小平 聡 2, 山内 知也 1
9:45
14a-D61-4 固体飛跡検出器としてのポリエチレンテレフタレートの特性研 〇上野 琢也 1, 楠本 多聞 1, 小田 啓二 1, 金崎 真聡 1,
究
北村 尚 2, 小平 聡 2, 山内 知也 1
10:00
14a-D61-5 PADC 検出器に対するエッチピット生成感度の深さ依存性
〇亀田 結貴 1, 金崎 真聡 1, 福田 祐仁 3, 神野 智史 2,
小田 啓二 1, 山内 知也 1
10:15
14a-D61-6 固体飛跡検出器を用いたレーザー加速陽子線のエネルギースペ 〇 (M1) 宇野 雅貴 1, 金崎 真聡 1, 福田 祐仁 2, 山内
クトル計測体系の設計
知也 1, 小田 啓二 1
9/15(Thu.) 9:00 - 11:45 口頭講演 (Oral Presentation) A37 会場
9:00
奨 15a-A37-1 タリウム系塩化物結晶シンチレータの研究
〇 (M2) 佐伯 啓一郎 1, 藤本 裕 1, 越水 正典 1, 柳田
健之 2, 中内 大介 2, 浅井 圭介 1
9:15
E 15a-A37-2 Measurements of Electron Response and Average Energy
〇 (D)Ngan NguyenThuy Tran1, Shinichi
Required per Scintillation Photon in Plastic Scintillators for
Sasaki1,2, Toshiya Sanami1,2, Yuji Kishimoto1,2, Eido
Gamma Rays
Shibamura3
9:30
15a-A37-3 Ce 添加 La(Cl,Br)3/AE(Cl,Br)2(AE=Mg, Ca, Sr) 共晶体の作製 〇鎌田 圭 1,2, 知場 啓志 3, 黒澤 俊介 1,3, 庄子 育宏 2,3,
とシンチレーション特性評価
横田 有為 1, 大橋 雄二 3, 吉川 彰 1,2,3
9:45
15a-A37-4 Ce 賦活 (Gd, La)2Si2O7 シンチレータの Y 置換効果
〇堀合 毅彦 1, 黒澤 俊介 2, 村上 力輝斗 3, 庄子 育
宏 1,3, 山路 晃広 1, 大橋 雄二 1, 荒川 元孝 2, 鎌田 圭
2,3
, 横田 有為 2, 石津 智洋 4, 大石 保生 4, 中谷 太亮 4,
吉川 彰 1,2,3
10:00
15a-A37-5 酸化物シンチレータの放射線耐性実験
〇黒澤 俊介 1, 山路 晃広 2, 堀合 毅彦 2, 村上 力輝斗
3
, 小玉 翔平 2, 庄子 育宏 2,3, 大橋 雄二 2, 荒川 元孝 1,
鎌田 圭 1,3, 横田 有為 1, 吉川 彰 1,2,3
10:15
15a-A37-6 Ce 添加 GAGG シンチレータにおける発光およびシンチレータ 〇山口 大聡 1, 鎌田 圭 2,3, 黒澤 俊介 3, 庄子 育宏 1,2,
特性に及ぼす共添加およびアニーリング効果
横田 有為 3, 大橋 雄二 1, 山路 晃広 1, 吉川 彰 1,2,3
10:30
15a-A37-7 銀活性リン酸塩ガラスの蛍光放射線飛跡の評価
〇黒堀 利夫 1, 柳田 由香 2, 小平 聡 3, 加田 渉 4, 川
端 駿介 4, 松原 良典 4, 佐藤 隆博 5
10:45
休憩 /Break
11:00
1. 長岡技大極限セ , 2. 長岡技大工 , 3. 新潟工科大
工
1. 阪府大
15a-A37-8 シリコンドライエッチングを用いた 4 インチ X 線光学系開発 〇中村 果澄 1, 江副 祐一郎 1, 石川 久美 2, 沼澤 正樹
1
の現状
, 武内 数馬 1, 寺田 優 1, 伊師 大貴 1, 藤谷 麻衣子 1,
野田 悠祐 1, 大橋 隆哉 1, 満田 和久 2
11:15
15a-A37-9 ヨウ化タリウムガンマ線検出器
〇小野寺 敏幸 1, 人見 啓太朗 2, 庄司 忠良 1
11:30
15a-A37-10 ピクセル型臭化タリウム半導体検出器を用いたコンプトンカメ 〇松村 基広 1, 山崎 淳 1, 渡辺 賢一 1, 吉橋 幸子 1,
ラの研究
瓜谷 章 1, 砂庭 広季 2, 長野 宣道 2, 人見 啓太朗 2
9/15(Thu.) 13:15 - 15:15 口頭講演 (Oral Presentation) A37 会場
13:15
15p-A37-1 チェレンコフ光測定による水中大線量線源の測定
〇谷口 良一 1, 宮丸 広幸 1, 伊藤 憲男 1, 豊蔵 悠史 1,
小嶋 崇夫 1, 岡本 賢一 1
13:30
招 15p-A37-2 [2．放射線　分科内招待講演 ]
〇南戸 秀仁 1
パッシブタイプ線量計用蓄光型蛍光体の機能設計
14:15
15p-A37-3 小型冷凍機を用いた HPGe ガンマ線分光計の軽量化
〇安達 拓人 1, 長谷部 信行 1,2, 長岡 央 2, 内藤 雅之 1
14:30
招 15p-A37-4 [2．放射線　分科内招待講演 ]
〇高橋 勲 1
フォトンカウンティング CT と放射線計測
2.2 検出器開発 / Detection systems
9/13(Tue.) 13:00 - 18:00 口頭講演 (Oral Presentation) B12 会場
13:00
13p-B12-1 比例モード Si-APD シンチレーション検出器による Ni-61 核共 〇 (D) 井上 圭介 1, 岸本 俊二 1,2, 春木 理恵 2, 依田
鳴散乱測定
芳卓 3, 小林 康浩 4, 瀬戸 誠 4, 越水 正典 5, 錦戸 文
彦6
13:15
奨 13p-B12-2 PHIS コードを用いたシリコン半導体検出器の重イオンに対す 〇 (M2) 猪股 雄一郎 1, 森本 幸司 2, 加治 大哉 2, 武
る応答の研究
山 美麗 2,3, 門叶 冬樹 3
13:30
奨 13p-B12-3 超重核実験用飛行時間検出器の開発
〇 (M2C) 石澤 倫 1, 森本 幸司 2, 加治 大哉 2, 門叶
冬樹 3
13:45
奨 13p-B12-4 ファネル型キャピラリープレートを用いた MPGD の開発
〇伊藤 龍太朗 1, 石澤 倫 1, 門叶 冬樹 1, 森谷 透 1,
杉山 浩之 2, 林 雅宏 2, 岡田 晃行 2, 近藤 治靖 2, 住
吉 孝行 3, 岸本 俊二 4
14:00
奨 13p-B12-5 coplanar 電極を用いた希ガス電離箱のエネルギー分解能
〇 (M1) 村上 航平 1, 岩崎 健太 1, 田中 直道 1, 草野
広樹 2, 宮島 光弘 1, 長谷部 信行 1,2
14:15
13p-B12-6 蛍光ガスの K 吸収端を利用した高解像 X 線イメージングの検 〇藤原 健 1, 三津谷 有貴 2, 岸本 俊二 3, 高橋 浩之 2,
討
豊川 弘之 1
14:30
休憩 /Break
1. 阪府大院工
1. 神大院海事 , 2. 舞鶴高専
1. 神大院海事 , 2. 量研機構
1. 神大院海事 , 2. 量研機構
1. 神大院海事 , 2. 東大院原子力専攻 , 3. 量研機構
関西
1. 神大院海事 , 2. 量研機構関西
1. 東北大院工 , 2. 奈良先端大
1.SOKENDAI, 2.KEK, 3.Waseda Univ.
1. 東北大 NICHe, 2. 株式会社 C&A, 3. 東北大金研
1. 東北大金研 , 2. 東北大 NICHe, 3. 株式会社 C&A,
4. 浜松ホトニクス株式会社
1. 東北大 NICHe, 2. 東北大金研 , 3.（株 )C&A
1. 東北大金研 , 2.C&A, 3. 東北大 NICHe
1. 金沢大院 , 2. 千代田テクノル , 3. 量研機構 / 放医
研 , 4. 群馬大学理工 , 5. 量研機構 / 高崎研
1. 首都大 , 2. 宇宙研
1. 東北工大 , 2. 東北大
1. 名古屋大 , 2. 東北大
1. 大阪府大放射線
1. 金沢工大高材センタ
1. 早大先進理工 , 2. 早大理工研
1. 日立
1. 総研大 , 2.KEK・物構研 , 3.JASRI, 4. 京都大 , 5. 東
北大 , 6. 量研機構
1. 山形大院理工 , 2. 理研仁科加速器研究セ , 3. 山
形大高感度加速器質量分析セ
1. 山形大理工 , 2. 理研仁科セ , 3. 山大理
1. 山形大理 , 2. 浜松ホトニクス , 3. 首都大東京理工 ,
4.KEK
1. 早大理工研究科 , 2. 早大理工研究所
1. 産総研 , 2. 東大工 , 3.KEK
2.3 放射線応用・発生装置・新技術 / Application, radiation generators, new technology
14:45
15:00
15:15
15:30
15:45
16:00
16:30
1. 群馬大理工 , 2. 量研機構高崎研 , 3.RBI, 4.CEALIST
奨 13p-B12-13 厚いメンブレン構造を持つガンマ線検出用 TES 型マイクロカ
ロリーメータの開発
1. 九大院工 , 2. 宇宙科学研究所
〇首藤 祐輝 1, 伊豫本 直子 1, 吉峰 郁海 1, 黒岩 健
宏 1, 前畑 京介 1, 高野 彬 1, 善本 翔大 1, 満田 和久 2,
永吉 賢一郎 2, 林 佑 2, 村松 はるか 2
16:45
13p-B12-14 誘電体マイクロカロリーメータによるアルファ線の検出
〇 (D) 善本 翔大 1, 前畑 京介 1, 伊豫本 直子 1, 満田
和久 2, 山崎 典子 2
17:00
13p-B12-15 STEM–TES 用ポリキャピラリーレンズの開発
〇高野 彬 1, 前畑 京介 1, 伊豫本 直子 1, 都留 由紀子
1
, 原 徹 2, 満田 和久 3, 山崎 典子 3, 田中 啓一 4
17:15
13p-B12-16 低加速 SEM のための STJ X 線検出器を用いた軟 X 線分光器の 〇藤井 剛 1, 浮辺 雅宏 1, 志岐 成友 1, 大久保 雅隆 1
開発
17:30
13p-B12-17 光ファイバ式小型線量計の高エネルギー X 線に対する検出特 〇畠山 修一 1, 上野 克宜 1, 上野 雄一郎 1, 田所 孝広
1
性評価
, 根本 善誉 2
17:45
13p-B12-18 モンテカルロシミュレーションの放射線モニタ装置設計への適 〇酒井 宏隆 1, 服部 可奈子 1, 杉原 圭 1, 梅村 憲弘 1
用
2.3 放射線応用・発生装置・新技術 / Application, radiation generators, new technology
9/16(Fri.) 9:00 - 12:15
口頭講演 (Oral Presentation) A37 会場
9:00
16a-A37-1 惑星探査搭載に向けた焦電結晶 X 線源の基礎開発
〇 (D) 内藤 雅之 1, 溝根 美穂 1, 草野 広樹 1, 長岡
央 1, 柴村 英道 1, 久野 治義 1, 長谷部 信行 1
9:15
16a-A37-2 ファンビーム X 線を用いたインフラ診断用後方散乱 X 線イメー 〇豊川 弘之 1, 藤原 健 1, 萬代 新一 2, 伊佐 英範 2,
ジング装置の開発
瓜谷 章 3, 渡辺 賢一 3, 山崎 淳 3, 大橋 和也 3
9:30
16a-A37-3 レーザー共鳴イオン化に基づく Zr 同位体分析に向けた高効率 〇中村 敦 1, 松井 大樹 1, 齋藤 浩介 1, Degner
イオン化スキームの開発
Vincent1,2, 大嶽 遼平 1, 大橋 雅也 1, Sonnenschein
Volker1, 富田 英生 1, 井口 哲夫 1, Naubereit Pascal2,
Wendt Klaus2
9:45
16a-A37-4 キャビティーリングダウン分光に基づく放射性炭素同位体分析 〇寺林 稜平 1, Sonnenschein Volker1, 林 紀善 1, 加
システムの開発 (2)
藤 修介 1, 富田 英生 1, 金 磊 1, 山中 真仁 1, 西澤 典
彦 1, 佐藤 淳史 2, 野沢 耕平 2, 橋爪 研太 2, 大原 利
成 2, 井口 哲夫 1
10:00
16a-A37-5 原子核乾板を用いた宇宙線ラジオグラフィ：ピラミッド内部透 〇久野 光慧 1, 森島 邦博 1,2, 西尾 晃 1, 毛登 優希 1,
視
眞部 裕太 1, 北川 暢子 1
10:15
16a-A37-6 蛍光板によるオートラジオグラフィ技術の開発
〇酒井 卓郎 1, 飯倉 寛 1, 松林 政仁 1, 栗田 圭輔 2,
河地 有木 2
10:30
休憩 /Break
10:45
11:00
11:15
11:30
11:45
12:00
16a-A37-7 平面型 transXend 検出器を用いたエネルギー分解 CT における
空間分解能の検討
奨 16a-A37-8 臨床用フラットパネル検出器を用いたエネルギー分解 CT 撮影
実験
奨 16a-A37-9 平面型 transXend 検出器を利用した尿路結石の成分解析
奨 16a-A37-10 積層型 transXend 検出器の固有応答関数を用いたアンフォール
ディング法の検討
16a-A37-11 OpenPET ガイド手術システムの提案と小型試作機による実証
16a-A37-12 頭部用 RF コイル一体型 PET 装置の 2 次試作機のイメージン
グ性能評価
3 光・フォトニクス / Optics and Photonics
シンポジウムのプログラムは p.35 ～ p.41 にございます
3.1 光学基礎・光学新領域 / Basic optics and frontier of optics
9/14(Wed.) 9:00 - 12:30 口頭講演 (Oral Presentation) B9 会場
9:00
14a-B9-1 マイクロバブル周辺の熱プラズモニック・マランゴニ対流に対
する脱気の効果
9:15
14a-B9-2 レーザートラップ支援局所的電気泳動堆積法における空間光変
調器を用いた単一ビーム制御による微細立体造形の高精度化
9:30
14a-B9-3 金属ナノトライマーを用いたナノ粒子光捕捉と運動解析
9:45
奨 14a-B9-4 プラズモン光ピンセットを用いた蛍光性色素会合体の選択的捕
捉の実現
10:00
奨 14a-B9-5 光捕捉と光伝搬の相互発展によるコロイド粒子の集合体形成
10:15
奨 14a-B9-6 スピン角運動量によるカイラルレリーフ創成
10:30
奨 14a-B9-7 光渦照射によるキラルマイクロファイバーの創成
10:45
11:00
11:15
11:30
11:45
12:00
12:15
休憩 /Break
14a-B9-8 高次径偏光ビームの軸方向電場を用いた共焦点イメージング
14a-B9-9 点欠陥ミラーを用いた He-Cd レーザーからの光渦生成
14a-B9-10 蛍光相関分光法によるポリエチレンイミンで安定化された蛍光
性白金ナノクラスターの構造評価
14a-B9-11 テーパ光ファイバからのエバネッセント光を用いたナノス
ケールセンシングの実現に向けて
14a-B9-12 サブ波長構造を用いた白色光再生円偏光光渦ホログラムの設計
14a-B9-13 強度干渉を利用した位相差増幅とその解釈
1. 東大工 , 2. シャープ
1. 名大工 , 2. 産総研 , 3.BEAMX
1. 防衛大応物
1. 名大工 , 2. 名大核燃料管理施設 , 3. 東京都市大
工
1. 東大工 , 2. 東北大 NICHe, 3. 東大医
1. 九州大工 , 2. 宇宙航空研究開発機構
1. 九大工 , 2.NIMS, 3.JAXA, 4. 日立ハイテクサイ
エンス
1. 産総研
1. 日立研開 , 2. 日立ひたちなか総合病院放射線治
療センター
1.（株）東芝
1. 早大理工
1. 産総研 , 2. ＢＥＡＭＸ , 3. 名大工
1. 名古屋大学 , 2. マインツ大学
1. 名古屋大学 , 2. 積水メディカル ( 株 )
1. 名大理 , 2. 名大高等研
1. 原子力機構物質科学 , 2. 量研機構高崎
〇神野 郁夫 1, 山内 一輝 1, 濵口 拓 1
1. 京大工
〇蔡 典修 1, 丸山 能央 1, 西松 大祐 1, 神野 郁夫 1,
門前 一 2, 霜村 康平 2, 小坂 浩之 2
〇西松 大祐 1, 神野 郁夫 1
〇 (M2) 丸山 能央 1, 神野 郁夫 1
1. 京大院工 , 2. 近大医
1. 京大院工
1. 京大院工
〇田島 英朗 1, 吉井 幸恵 1, 岩男 悠真 1, 吉田 英治 1, 1. 量研機構放医研
田桑 弘之 1, 脇坂 秀克 1, 山谷 泰賀 1
〇錦戸 文彦 1, 藤原 理伯 2, 菅 幹生 2, 清水 啓司 3,
1. 量研機構 , 2. 千葉大 , 3. 浜松ホトニクス
小畠 隆行 1, 田島 英朗 1, 吉田 英治 1, 山谷 泰賀 1
〇名村 今日子 1, Pilgrim Gregory A.1,2, 中嶋 薫 1, 鈴 1. 京大院・工 , 2. 学振外国人特別研究員
木 基史 1
〇松浦 敏樹 1, 高井 隆成 1, 岩田 太 1,2
1. 静岡大工 , 2. 静岡大電研
〇石田 周太郎 1, 笹木 敬司 1
〇東海林 竜也 1, 元辻 彩香 1, 八尾 浩史 2, 脇坂 優美
3
, 村越 敬 3, 坪井 泰之 1
〇 (PC) 工藤 哲弘 1, 王 順發 1, 柚山 健一 1, 増原 宏
1
1. 北大　電子研
1. 阪市大院理 , 2. 兵庫県立大院物質理 , 3. 北大院理・
北大院総化
1. 台湾国立交通大
〇中野 翔吾 1, 増田 圭吾 1, Juman Guzhaliavi1, 吉田 1. 千葉大院融合 , 2. 宇都宮大学工
一貴 1, 茨田 大輔 2, 宮本 克彦 1, 尾松 孝茂 1
〇豊嶋 駿亮 1, 李 俊享 1, 宮本 克彦 1, 有田 佳彦 2,
1. 千葉大院融合 , 2.St アンドリューズ大
Kishan Dholakia2
〇阪下 良太 1, 小澤 祐市 1, 佐藤 俊一 1
1. 東北大多元研
〇上杉 祐貴 1, 小澤 祐市 1, 佐藤 俊一 1
1. 東北大多元研
〇石飛 秀和 1,2, 細川 麻菜 2, Huang Xin1, 井上 康志 1. 阪大生命 , 2. 阪大院工
1,2
〇 (M1) 丸谷 浩永 1, 大江 康子 2, 高島 秀聡 1, 服部
梓 2, 田中 秀和 2, 竹内 繁樹 1
〇 (M2) 鈴木 良太朗 1, 茨田 大輔 1,2
〇白井 智宏 1
1. 京大院工 , 2. 阪大産研
1. 宇大院工 , 2. 宇大 CORE
1. 産総研
3 光・フォトニクス / Optics and Photonics
16:15
招 13p-B12-7 [ 講演奨励賞受賞記念講演 ]
〇加田 渉 1, 神谷 富裕 2, Grilj Veljko3, Skukan
超薄膜単結晶ダイヤモンドを利用した透過型荷電粒子検出器の Natko3, Sudić Ivan3, Pomorski Michal4, 牧野 高紘 2,
開発
安藤 裕士 1,2, 小野田 忍 2, 花泉 修 1, Jakšić Milko3,
大島 武 2
13p-B12-8 大型 X 線検出器に向けた IGZO-TFT プリアンプ及びカウン
〇島添 健次 1, 小山 晃広 1, 高橋 浩之 1, 三好 寿顕 2
ターの試作
13p-B12-9 後方散乱 X 線を用いた大型建造物の非破壊検査装置の空間分 〇大橋 和也 1, 瓜谷 章 1, 渡辺 賢一 1, 山崎 淳 1, 豊
解能に関する検討
川 弘之 2, 藤原 健 2, 萬代 新一 3, 伊佐 英範 3
13p-B12-10 減速材と 6Li 含有シンチレータを用いた可搬型速中性子イメー 〇松村 徹 1, 新川 孝男 1
ジャー
13p-B12-11 隠匿放射性物質探知のための全方向γ線イメージングシステム 〇一ノ瀬 裕一郎 1, 高橋 時音 1, 上間 康平 1, 富田 英
の開発
生 1, 井口 哲夫 1, 下山 哲矢 2, 河原林 順 3
奨 13p-B12-12 DPECT(Double Photon Emission Computed Tomography) に 〇吉原 有里 1, 島添 健次 1, 高橋 浩之 1, 鎌田 圭 2,
向けた二光子同時計測コンプトンイメージングシステムの開発 高橋 美和子 3
休憩 /Break
3.2 材料・機器光学 / Equipment optics and materials
9/14(Wed.) 13:30 - 15:30 ポスター講演 (Poster Presentation) P1 会場
14p-P1-1 屈折率 n の細円柱による光散乱の波跡
〇西山 善郎 1, 但馬 文昭 1
1. 横国大教
14p-P1-2 Pt または Au 極細パイプの複素屈折率の測定
〇但馬 文昭 1, 西山 善郎 1
1. 横国大教
14p-P1-3 FDTD-Q 法による分子振動緩和ダイナミクスの数値解析
〇宮脇 昌俊 1, 岡 寿樹 2
1. 新潟大自然研 , 2. 新潟大超域
14p-P1-4 Pump-dump 法による光異性化反応過程の FDTD-Q 解析
〇朝平 孝弘 1, 岡 寿樹 2
1. 新潟大自然研 , 2. 新潟大超域
14p-P1-5 臨界点近傍の不安定性を利用した光駆動ミクロポンプ
〇木村 宗斗 1, 貞包 浩一朗 1, ホールニング マルセ 1. 同志社大 , 2. 京都大
ル 2, 剣持 貴弘 1, 吉川 研一 1
〇原田 優吾 1, 小吉 圭祐 1, 作田 浩輝 1, 吉川 研一 1 1. 同志社大
14p-P1-6 油滴と金属複合体の定常レーザによる自律運動
3 光・フォトニクス / Optics and Photonics
14p-P1-7 溶液中マイクロスケール粒子のレーザーによる搬送
E 14p-P1-8 Surface plasmon resonance based fiber optic nicotine sensor
using gel entrapment technique
14p-P1-9 収差存在下における非回折光ニードルスポット形成
3.2 材料・機器光学 / Equipment optics and materials
9/15(Thu.) 13:45 - 16:45 口頭講演 (Oral Presentation) C42 会場
13:45
15p-C42-1 アゾポリマー薄膜における光誘起表面レリーフ形成の偏光依存
性 (II)
14:00
15p-C42-2 金ナノロッド / 非線形光学ポリマー複合系の放射する SHG 光
の偏光特性
14:15
15p-C42-3 ナノ微粒子ーポリマーコンポジットに記録されたデジタル
データページ再生忠実度のホログラム温度依存性
14:30
15p-C42-4 超高屈折率ハイパーブランチポリマーを用いたナノ微粒子 - ポ
リマーコンポジットの体積ホログラフィック記録感度の改善
14:45
15p-C42-5 クロスリンク EO ポリマーの光学特性と高温安定性
15:00
休憩 /Break
〇妹尾 駿佑 1, 松浦 弘智 1, 貞包 浩一朗 1, 剣持 貴弘 1. 同志社大
, 吉川 研一 1
〇 (D)rana tabassum1, Banshi D.Gupta1
1.I.I.T. Delhi, India
1
〇小澤 祐市 1,2, 佐藤 俊一 1
1. 東北大多元研 , 2.JST さきがけ
〇茨田 大輔 1,2,3, 福田 隆史 3
1. 宇大院工 , 2. 宇大 CORE, 3. 産総研電子光技術
〇松井 達也 1, 小野 篤史 1, 川田 善正 1, 杉田 篤史 1 1. 静大院工
〇富田 康生 1, 長屋 航汰 1
1. 電通大院基盤理工
〇武内 慎介 1, 小柳津 聡子 1, 富田 康生 1, 西村 直也 1. 電通大院　基盤理工 , 2. 日産化学
, 大土井 啓祐 2
〇大友 明 1, 青木 勲 1, 山田 千由美 1, 山田 俊樹 1
1. 情通機構
2
15:15
15p-C42-6 双方向反射分布関数測定のためのゴニオ・スタージェム散乱計 〇川手 悦男 1,2
1.( 有 ) トラス , 2. 産総研
の開発 Ⅶ
15:30
15p-C42-7 希土類酸化物結晶のラマン散乱スペクトル
〇 (M1C) 大西 勇也 1, 中村 俊博 1, 安達 定雄 1
1. 群馬大院理工
15:45
15p-C42-8 偏光依存性を有する液晶フレネルレンズの形成
〇野田 浩平 1, 松原 譲 1, 河合 孝太郎 1, 坂本 盛嗣 1, 1. 長岡技科大 , 2. 兵庫県立大 , 3. 日産化学工業（株）
1
1
2
3
佐々木 友之 , 岡本 浩行 , 川月 喜弘 , 後藤 耕平 ,
小野 浩司 1
16:00
15p-C42-9 フレネル型液晶偏向素子の試作と、ビーム偏向効果
〇澁谷 義一 1, 山野 翔平 1, 吉田 浩之 1, 尾﨑 雅則 1 1. 阪大院工
16:15
奨 15p-C42-10 輪帯電極及び高抵抗膜を用いた液晶レンズの光学位相差分布特 〇後藤 祐紀 1, 河村 希典 1, 佐藤 進 2
1. 秋田大院工 , 2. 液晶レンズ研究所
性
1
1
2
16:30
奨 15p-C42-11 TN 液晶セル及び液晶レンズを用いた顕微鏡システム
〇斉藤 慎太郎 , 河村 希典 , 佐藤 進
1. 秋田大院理工 , 2. 液晶レンズ研究所
9/16(Fri.) 9:30 - 11:30
ポスター講演 (Poster Presentation) P1 会場
16a-P1-1 ゾル - ゲル法とインプリント法による赤外用ワイヤグリッド偏 〇 (M1) 池田 優祐 1, 石原 吉朗 1, 山田 逸成 1
1. 滋賀県立大工
光子の作製
1
2
1
16a-P1-2 複屈折相殺効果のある三元共重合体を使ったポリマー光ファイ 〇 (M1C) 溝呂木 大地 , 二瓶 栄輔 , 古川 怜
1. 電通大情 , 2. 慶應大理
バーの作製
16a-P1-3 ＧＡによる新たな特性を有する偏光制御型回折格子の設計手法 〇岡本 浩行 1, 坂本 盛嗣 1, 野田 浩平 1, 佐々木 友之 1. 長岡技大
1
検討
, 小野 浩司 1
16a-P1-4 エタノール中のアゾ色素におけるシス‐トランス熱異性化反応 〇今野 雄貴 1, 矢野 篤子 1, 矢野 隆治 1
1. 室工大
16a-P1-5 偏光干渉非線形共焦点顕微鏡によるナノ微粒子の光学異方性測 〇 (M2) 鈴木 諒 1, 江上 力 1
定
16a-P1-6 微小球を用いた帯域制限マイクロホログラム
〇 (M1) 西尾 知哲 1, 江上 力 1
1. 静岡大工
〇 (M1) 中田 慎二 1, 江上 力 1
1. 静岡大工
〇 (DC) 小橋 淳二 1, 吉田 浩之 1,2, 尾崎 雅則 1
1. 阪大院工 , 2.JST さきがけ
〇 (M1) 池谷 海 1, 篠崎 一英 1, 山田 重樹 1
1. 横市大院生命ナノ
〇 (M1) 齋藤 匠 1, 佐々木 修己 1, 崔 森悦 1, 大平 恭
生1
〇 (DC) 大堀 大介 1, トーマス セドリック 2, 肥後
昭男 3, 寒川 誠二 2,3, 碇 哲雄 1, 福山 敦彦 1
〇久野 恭平 1, 宍戸 厚 1,2
1. 新潟大
〇伊藤 秀征 1, 山本 裕紹 1
〇黒川 菜緒 1, 小貫 健太 1, 山本 裕紹 1
1. 宇都宮大学
1. 宇都宮大学
〇池田 佳奈美 1, 鈴木 秀典 1, 渡邉 恵理子 1
1. 電通大
〇 (D) 信川 輝吉 1, 野村 孝徳 1
1. 和歌山大院システム工
〇五十嵐 俊亮 1, 中村 友哉 1, 山口 雅浩 1
〇長谷 栄治 1,2, 宮本 周治 1,2, 南川 丈夫 1,2, 山本 裕
紹 2,3, 安井 武史 1,2
1. 東工大院
1. 徳島大学 , 2.JST, ERATO 美濃島知的光シンセサ
イザ , 3. 宇都宮大学
〇堀 裕和 1
1. 山梨大
16a-P1-7 CW レーザ直接描画法を用いた液浸対物レンズによるフォトレ
ジスト膜への三次元微細加工
16a-P1-8 光パターン配向させたコレステリック液晶を利用した広帯域光
渦生成
16a-P1-9 赤色 LLP を示す Zn3(PO4)2 : Mn2+ の新しい発光挙動と特徴あ
る試料形状
16a-P1-10 プラスチック光ファイバープローブを用いたアゾ分子薄膜上の
エバネッセント波の位相計測
16a-P1-11 バイオテンプレート極限加工を用いた GaAs 量子ナノディスク
の発光再結合の温度依存性
16a-P1-12 光重合を利用したナノエンボス構造を有する高分子膜の作製
3.3 情報フォトニクス・画像工学 / Information photonics and image engineering
9/15(Thu.) 9:00 - 12:15 口頭講演 (Oral Presentation) C42 会場
9:00
15a-C42-1 偏光式 AIRR を利用した空中 2 層ディスプレイの輝度の向上
9:15
15a-C42-2 偏光を利用した再帰反射による空中結像 (pAIRR) の 2 回利用
による多層 LED 表示
9:30
15a-C42-3 深層畳み込みニューラルネットワークを導入した光相関による
スケッチベース 3 次元物体照合
9:45
奨 15a-C42-4 ディジタルホログラム技術を導入したホログラフィックメモリ
による位相多値情報の多層記録
10:00
奨 15a-C42-5 正射影光線 - 波面変換を用いたホログラムの高速並列計算
10:15
奨 15a-C42-6 次元変換光コムを用いたスキャンレス・フルフィールド
共焦点顕微鏡の開発（3）〜２次元共焦点イメージの取得〜
10:30
休憩 /Break
10:45
11:15
11:30
11:45
12:00
招 15a-C42-7 [3．光・フォトニクス　分科内招待講演 ]
３０分でわかる圏論の基礎と光科学技術の展開
15a-C42-8【注目講演】レーザーカオスを用いた超高速強化学習
15a-C42-9 ガイド用レーザー光を用いたディジタル位相共役鏡による散乱
体中の集光特性向上
15a-C42-10 再帰反射シートとアーク 3D を用いた運動視差を有する空中像
の形成
15a-C42-11 透明アクリルキューブを用いたステガノグラフィー型空中像の
形成
1. 静岡大工
1. 宮崎大工 , 2. 東北大流体研 , 3. 東北大 WPIAIMR
1. 東工大化生研 , 2.JST さきがけ
〇成瀬 誠 1, 寺島 悠太 2, 内田 淳史 2, 金 成主 3
1. 情通機構 , 2. 埼玉大 , 3. 物材機構
〇 (M1) 春風 圭佑 1, 中谷 徳幸 1,2, 仁田 功一 1, 的場 1. 神戸大院シス情 , 2.SCREEN ホールディングス
修1
〇河合 一樹 1, 山本 裕紹 1
1. 宇都宮大工
〇森田 渉吾 1, 小野瀬 翔 1, 岡本 智行 1, 山本 裕紹 1 1. 宇都宮大学
3.4 生体・医用光学 / Biomedical optics
9/16(Fri.) 9:30 - 11:30
ポスター講演 (Poster Presentation) P2 会場
16a-P2-1 線形位相符号化法を用いたホログラフィックメモリにおける
ページデータ同時再生手法
16a-P2-2 二波長強度輸送方程式によるインラインディジタルホログラ
フィの共役像の低減
16a-P2-3 光振動子による空間距離の識別：同調現象のモード分岐
〇柄池 正大 1, 最田 裕介 1, 信川 輝吉 1, 野村 孝徳 1 1. 和歌山大院システム工
〇 (D) 信川 輝吉 1, Ryle James P.2, Guo
Changliang2, Sheridan John T.2, 野村 孝徳 1
〇保田 祐輔 1
15:15
15:30
〇高橋 光稀 1, 本間 聡 1
〇西元 初夢 1, 藤村 隆史 2, 遠藤 政男 1, 梅垣 真祐 1,
志村 努 1
15:45
16p-C42-8 ディジタルフレネルホログラフィにおける高分解像再生法と適 〇原田 康浩 1, 長津 和也 1, 吉澤 千裕 1
用限界 (2)
16:00
16p-C42-9 レイリーゾンマーフェルト回折積分を用いたレンズレスフーリ 〇柏木 駿 1, 茨田 大輔 1,2, 藤村 隆史 2, 福田 隆史 3,
エディジタルホログラフィの分解能評価
川田 重夫 1,2, 谷田貝 豊彦 2
16:15
16p-C42-10 二波長で機能する回折光学素子の反復設計
〇尼子 淳 1
16:30
16p-C42-11 再帰反射による空中ディスプレイにおけるユーザー動作の観察 〇藤井 賢吾 1, 小貫 健太 1, 山本 裕紹 1
3.4 生体・医用光学 / Biomedical optics
9/14(Wed.) 13:15 - 19:00 口頭講演 (Oral Presentation) C42 会場
13:15
招 14p-C42-1 [ 講演奨励賞受賞記念講演 ]
〇川越 寛之 1, 山中 真仁 1, 巻田 修一 2, 安野 嘉晃 2,
波長 1.7 um 帯フルレンジ超高分解能スペクトルドメイン OCT 西澤 典彦 1
を用いた高侵達・高分解能イメージング
13:30
奨 14p-C42-2 OCT 法による植物組織内含水イメージングの試み
〇 (M1) 横田 涼子 1, 吾郷 友樹 1, 岩井 俊昭 2
13:45
14:00
14:15
14:30
14:45
15:00
15:15
15:30
16p-C42-6 ホログラフィックメモリのための 2 重位相コード方式
16p-C42-7 既知位相埋め込み型コリニアホログラフィックメモリー
1. 宇大 CORE, 2. 宇大院工 , 3. 大阪府産技研
1. 静大工
1. 北大工
1. 宇大院工 , 2. 宇大 CORE
1. 宇都宮大工
1. 梨大医工
1. 東大生研 , 2. 宇都宮大
1. 北見工大
1. 宇大院工 , 2. 宇大　CORE, 3. 産総研電子光技術
1. 東洋大理工
1. 宇都宮大
1. 名大院工 , 2. 筑波大 COG
1. 東京農工大 BASE, 2. 東京農工大工学研究院
BASE
奨 14p-C42-3 顕微 OCT イメージングにおける光源依存性の検討
〇 (M1) 徳永 悦子 1, 岩井 俊昭 2
1. 東京農工大学 BASE, 2. 東京農工大工学研究院
BASE
1
1
奨 14p-C42-4 In vivo でのマウス頭蓋骨透明化に向けた骨片透明化試験
〇鳴海 紘也 , 小野寺 宏
1. 東大工
14p-C42-5 T1 強調撮像のための磁石回転型 Field cycle MRI の開発
〇 (PC) 小林 竜馬 1, 飯倉 淳 2, 大久保 雄二 3, 梶原 1. 九大レドックスナビ , 2. 富士電機 , 3. メイコー ,
秀則 2, 内海 英雄 4
4.ReMI
14p-C42-6 広視野ヘテロダイン干渉振動計測法による生体表面の高速振動 〇崔 森悦 1,4, 鈴木 孝昌 2, 任 書晃 3,4, 日比野 浩 3,4
1. 新潟大工 , 2. 新潟大自然研 , 3. 新潟大医 ,
計測
4.AMED-CREST, AMED
14p-C42-7 In vivo imaging of hemodynamics during hepatic ischemiaアクター シャーミン 1, 川内 聡子 2, 佐藤 俊一 2, 青 1. 東京農工大院 BASE, 2. 防衛医大　防衛医学研究
reperfusion in rats based on spectrocolorimetry
笹 季文 3, 山本 順司 3, 〇西舘 泉 1
センター , 3. 防衛医大
休憩 /Break
奨 14p-C42-8 バンドル型チューブリーキーファイバによる赤外熱画像イ
メージング
奨 14p-C42-9 光誘起流体効果による高感度・迅速 DNA 検出法の開拓
15:45
16:00
16:15
16:30
14p-C42-10
14p-C42-11
14p-C42-12
14p-C42-13
16:45
14p-C42-14 極微弱生化学発光による放射線障害診断の基礎検討
17:00
バイオスペックルのフラクタル性に基づく血流イメージング
光電脈波の加速度成分解析による飲酒検知の検討
光ヘテロダイン検波による非侵襲血糖センシングの検討
生きた細胞に対する短波長可視レーザー光の毒性評価
休憩 /Break
17:15
奨 14p-C42-15 高輝度かつ均一発光のナノ光源による細胞イメージング
17:30
17:45
奨 14p-C42-16
E 14p-C42-17
18:00
14p-C42-18
18:15
14p-C42-19
18:30
18:45
14p-C42-20
14p-C42-21
9/15(Thu.) 9:30 - 11:30
奨 15a-P1-1
〇 (M2) 小林 拓矢 1, 片桐 崇史 2, 松浦 祐司 1
1. 東北大医工 , 2. 東北大工
〇 (D) 西村 勇姿 , 田村 守 , 伊都 将司 , 床波 志
保 2, 飯田 琢也 1
〇横井 直倫 1, 相津 佳永 2, 魚住 純 3
〇原田 恭輔 1, 大村 泰久 1
〇 (M1) 岡井 雅晃 1, 和田 健司 1, 堀中 博道 1
〇 (M1) 川原 翔平 1, 難波 慎太郎 1, 高橋 圭介 1, 和
田 健司 1, 松山 哲也 1, 堀中 博道 1, 川喜多 愛 2, 村
田 香織 2, 杉本 憲治 2
〇岡部 弘高 1, 木村 壮 1, 西村 倖輝 1, 日高 芳樹 1,
原 一広 1
1. 阪府大院理 , 2. 阪府大院工 , 3. 阪大院基礎工
1,2
1
3
1. 旭川高専 , 2. 室工大院 , 3. 北学園大
1. 関西大
1. 阪府大
1. 阪府大院工 , 2. 阪府大院生環
1. 九大工
〇福田 真大 1, 小野 篤史 2, 居波 渉 2, 川田 善正 2,
1. 静大院工 , 2. 静大電子研 , 3. 常葉大
寺川 進 3
非侵襲血糖モニタに向けたＣＷ差分光音響法の温度影響検討 〇田中 雄次郎 1, 田島 卓郎 1, 瀬山 倫子 1, 小泉 弘 1 1.NTT 先デ研
High-speed stimulated Raman scattering microscopy for single- 〇 Yuta Suzuki1, Yoshifumi Wakisaka1, Osamu
1.Univ. of Tokyo, 2.euglena Co., Ltd, 3.Keio Univ.,
cell analysis of metabolites in live Euglena gracilis
Iwata2, Ayaka Nakashima2, Kengo Suzuki2, Takuro 4.Chiba Univ., 5.UCLA, 6.JST
Ito3, Misa Hirose4, Ryota Domon4, Mai Sugawara4,
Norimichi Tsumura4, Hiroshi Watarai1, Tomoyoshi
Shimobaba4, Keisuke Goda1,5,6, Ozeki Yasuyuki1
Coherent Anti-stokes Raman Scattering 顕微鏡を用いた
〇 (M1) 松浦 康太 1, 伊藤 輝将 1, 小原 祐樹 1, 三沢 1. 農工大
麻酔薬分子の拡散測定
和彦 1
三光子励起蛍光を用いた干渉時空間集光顕微鏡
〇戸田 圭亮 1,2, 磯部 圭佑 1,3, 河野 弘幸 1, 宮脇 敦史 1. 理研 , 2. 埼大理工 , 3.JST さきがけ
1
, 緑川 克美 1,2
空間重なり変調法を用いた２色深部イメージング
〇磯部 圭佑 1,2, 河野 弘幸 1, 宮脇 敦史 1, 緑川 克美 1 1. 理研 , 2.JST さきがけ
ファイバレーザを用いた指紋の可視化装置の開発
〇秋葉 教充 1, 高橋 良弥 2, 市川 文彦 2, 虎尾 彰 2,
1. 科警研 , 2.JFE テクノリサーチ , 3. 早大理工総研 ,
中村 厚 3, 宗田 孝之 3,4, 角田 英俊 1, 井元 大輔 1, 土 4. 早大先進理工
屋 兼一 1, 黒沢 健至 1, 黒木 健郎 1
ポスター講演 (Poster Presentation) P1 会場
赤外量子カスケードレーザを用いたグルコース濃度測定
〇 (M1) 吉岡 希利子 1, 木野 彩子 2, 松浦 祐司 2
1. 東北大工 , 2. 東北大医工
奨 15a-P1-2 ガラスマルチキャピラリを用いた高感度バイオセンサ
〇 (M1) 奥山 泰平 1, 片桐 崇史 2, 松浦 祐司 1
1. 東北大医工 , 2. 東北大工
奨 15a-P1-3 マルチモードファイバの出射光スペックルパターンを用いた蛍
光分光イメージング
E 15a-P1-4 Raman Tweezers Study of Size Dependent Effect of Silver
Nanoparticles on RBCs
15a-P1-5 磁石回転型 Field Cycle MRI のための新規傾斜磁場コイル制御
法
15a-P1-6 光学過程と光学顕微鏡の解像限界の関係
〇 (M1) 中野 修平 1, 片桐 崇史 1, 松浦 祐司 2
1. 東北大工 , 2. 東北大医工
〇 (D)Surekha Barkur1, Aseefhali Bankapur1,
1.DAMP, Manipal Univ.
Santhosh Chidangil1
〇 (PC) 小林 竜馬 1
〇福武 直樹 1
1. 九大レドックスナビ
1. ニコン
15a-P1-7 パルスの波長切り替えによる高速マルチカラー誘導ラマン散乱 〇小林 航也 1, 鈴木 祐太 1, デン ディンハン 1, 脇坂 1. 東京大
佳史 1, 合田 圭介 1, 小関 泰之 1
顕微法
15a-P1-8 高速蛍光相関分光法による量子ドットの物性解析
〇 (M2) 大浦 真 1, 山本 条太郎 2, 金城 政孝 2
1. 北海道大生命 , 2. 北海道大先端生命
3 光・フォトニクス / Optics and Photonics
9/16(Fri.) 13:45 - 16:45 口頭講演 (Oral Presentation) C42 会場
13:45
16p-C42-1 球面調和関数変換を用いた球形計算機ホログラムの高速計算法 〇山東 悠介 3, 茨田 大輔 1,2, ボワス ジャッキン 1,
谷田貝 豊彦 1
14:00
16p-C42-2 ガウス振幅ビームを用いた走査型位相回復
〇中島 伸治 1
14:15
16p-C42-3 キャリア成分を含む干渉縞の位相変調部判別法
〇貫洞 大地 1, 富岡 智 1
14:30
16p-C42-4 並進走査遠赤外線アクティブサーマルトモグラフィによる内包 〇蛇沼 和人 1, 茨田 大輔 1,2, 川田 重夫 1,2, 谷田貝 豊
物の検出
彦2
14:45
16p-C42-5 放物面鏡を用いた空中ヒーターの実証実験
〇堀江 ひとみ 1, 岡本 智行 1, 糸井川 高穂 1, 山本 裕
紹1
15:00
休憩 /Break
1. 和歌山大院システム工 , 2. ユニバーシティ・カ
レッジ・ダブリン
1. 同大生命
3 光・フォトニクス / Optics and Photonics
3.5 レーザー装置・材料 / Laser system and materials
15a-P1-9 位相ホログラムを用いた二光子励起多点蛍光相関分光装置の開
発
15a-P1-10【注目講演】高速・高感度フォトサーマル顕微法の開発と脳内
の内因性色素のイメージング
3.5 レーザー装置・材料 / Laser system and materials
9/13(Tue.) 9:00 - 12:15 口頭講演 (Oral Presentation) B3 会場
9:00
13a-B3-1 パルスセロダイン変調法を用いた風計測ライダ向け送信光源の
開発
9:15
13a-B3-2 平面導波路型 Er,Yb リン酸ガラスによる 8 mJ パルス増幅器
9:30
奨 13a-B3-3 光コヒーレンストモグラフィ用 2.1 μ m 帯ガウス型スーパー
コンティニューム光源の開発
9:45
13a-B3-4 100mJ 級伝導冷却型 Q スイッチ Tm,Ho:YLF レーザーの高平
均出力動作
10:00
13a-B3-5 Fe2+:ZnSe 過飽和吸収体を用いた受動 Q スイッチ中赤外ファイ
バーレーザー
10:15
休憩 /Break
10:30
〇山本 条太郎 1, 北村 尚樹 2, 金城 政孝 1
1. 北大院先端生命 , 2. 北大院生命科学
〇宮崎 淳 1, 小林 孝嘉 2
1. 和歌山大シス工 , 2. 電通大脳科学センター
〇原口 英介 1, 尾野 仁深 1, 安藤 俊行 1
1. 三菱電機 ( 株 )
〇廣澤 賢一 1, 崎村 武司 1, 柳澤 隆行 1
1. 三菱電機 ( 株 )
〇佐藤 友哉 1, 川越 寛之 1, 山中 真仁 1, 西澤 典彦 1 1. 名大院工
〇佐藤 篤 1,2, 青木 誠 2, 石井 昌憲 2, 大塚 涼平 3,2, 水 1. 東北工大 , 2. 情通機構 , 3. 首都大
谷 耕平 2, 落合 啓 2
〇柿本 祥明 1, 松隈 啓 1, 時田 茂樹 1, 村上 政直 2,
1. 阪大レーザー研 , 2. 三星ダイヤモンド工業
清水 政二 2, 河仲 準二 1
13a-B3-6 2 パルスによる光学材料のレーザー損傷
〇竹村 有輝 1, 本越 伸二 2, 實野 孝久 3, 吉村 政志 3 1. 近畿大院工 , 2. レーザー総研 , 3. 阪大レーザー
研
10:45
奨 13a-B3-7 デュアルコム分光によるレーザー媒質の複素光学特性の高速測 〇近藤 健一 1,2, 浅原 彰文 1,2, 美濃島 薫 1,2
1. 電通大 , 2.JST, ERATO 美濃島知的光シンセサイ
定
ザ
11:00
13a-B3-8 太陽光励起レーザー用屈折率整合コンポジットロッドの発振特 〇長谷川 和男 1, 市川 正 1, 竹田 康彦 1, 池末 明生 2, 1. 豊田中研 , 2. 名大
性
伊藤 博 2, 元廣 友美 2
11:15
奨 13a-B3-9 放電プラズマ焼結を用いた透光性 Yb:Y2O3 セラミックスの開 〇中沢 俊亮 1, 古瀬 裕章 1, 吉田 英弘 2, 森田 孝治 2, 1. 北見工大 , 2. 物材機構
発
鈴木 達 2, 金 炳男 2, 川村 みどり 1, 目 義雄 2, 平賀
啓二郎 1,2
11:30
13a-B3-10 ミュオニウムの光解離用ライマンα光源
〇大石 裕 1,2, 中村 惇平 1, 足立 泰平 1, A. D. Pant1, 1. 高エネ研 , 2. 理研仁科 , 3. 理研光量子
斉藤 徳人 3, Louchev Oleg3, 三宅 康博 1, 和田 智之 3,
岩崎 雅彦 2
11:45
13a-B3-11 コンパクト ERL でのレーザー・コンプトン散乱を用いた狭帯 〇 (P) 小菅 淳 1, 赤木 智哉 1, 本田 洋介 1, 荒木 栄 1, 1. 高エネルギー加速器研究機構 , 2. 量子科学技術
域、高輝度 X 線発生のための高出力高繰り返しレーザーの開 浦川 順治 1, 照沼 信浩 1, 森 道昭 2, 永井 良治 2, 静 研究開発機構
発
間 俊行 2, 羽島 良一 2
12:00
E 13a-B3-12 Research and Design of Yb Fiber and Thin Disk Hybrid Laser 〇 Rui Zhang1,2, Xiangyu Zhou1,2, Takuya Natsui1,2, 1.KEK, 2.SOKENDAI
System for the Second RF Gun of SuperKEKB
Mitsuhiro Yoshida1,2, Yujiro Ogawa1,2
9/13(Tue.) 13:45 - 16:15 口頭講演 (Oral Presentation) B3 会場
13:45
13p-B3-1 半導体レーザー光増幅器を用いたサブナノ秒光パルスの整形 〇瀧澤 義順 1, 洪 瑞宏 1, 横山 弘之 1
1. 東北大　未来科学技術共同研究センター
14:00
13p-B3-2 PCSEL の短パルス発振による高出力化
〇西田 比呂 1, 郭 晓杨1,2, 時田 茂樹 1, 石崎 賢司 2,
1. 阪大レーザー研 , 2. 京大院工 , 3. 浜ホト
2
3
3
3
野田 進 , 廣瀬 和義 , 杉山 貴浩 , 渡邊 明佳 , 河
仲 準二 1
14:15
E 13p-B3-3 PCSEL pumped passively Q switched Yb:YAG laser
〇 (P)Xiaoyang Guo1,3, Shigeki Tokita1, Kazuyoshi 1.ILE, Osaka Univ., 2.Hamamatsu Photonics,
Hirose2, Takahiro Sugiyama2, Akiyoshi Watanabe2, 3.Kyoto Univ.
Kenji Ishizaki3, Susumu Noda3, Junji Kawanaka1
14:30
13p-B3-4 パルス動作高平均出力ファイバーレーザー (PCF) による高効 〇吉田 英次 1, 椿本 孝治 1, 宮永 憲明 1
1. 阪大レーザー研
率高調波変換
14:45
13p-B3-5 ロッド型フォトニック結晶ファイバーのモード不安定性の観測 〇北村 俊幸 1, コスロービアン ハイク 1, 椿本 孝治 2, 1. レーザー総研 , 2. 阪大レーザー研 , 3. 電通大レー
吉田 英次 2, 武者 満 3
ザー研
15:00
休憩 /Break
15:15
E 13p-B3-6 Generation of multi-nano-Joule 650 nm optical pulses based on 〇 Hung JuiHung1, Yi-Cheng Fang1, Tomomi
a synchronously driven gain-switched 1300 nm laser diode
Nemoto2, Shunichi Sato3, Lung-Han Peng4,
Hiroyuki Yokoyama1
15:30
奨 13p-B3-7 SESAM による 638nm 帯ナノ秒パルス Pr:DC-WPFGF レーザー 〇梶川 翔太 1,2, 寺尾 季倫 2, 吉田 実 1, 石井 修 3, 山
嵜 正明 3, 藤本 靖 2
15:45
13p-B3-8 光渦励起によるラマンレーザー
〇宮本 裕司 1, 西潟 由博 1, Cheng-Yeh Lee2, YungFu Chen2, 宮本 克彦 1, 尾松 孝茂 1
16:00
13p-B3-9 全固体高出力波長可変光渦レーザー
〇荒木 隼悟 1, 鈴木 健祐 1, Aizitiaili Abulikemu1,
Mamuti Roukuya1, 西田 滋紀 1, 宮本 克彦 1, 尾松 孝
茂1
9/14(Wed.) 13:30 - 15:30 ポスター講演 (Poster Presentation) P2 会場
14p-P2-1 Q スイッチ・セルフモードロック Nd/Cr:YAG セラミックパル 〇金森 真也 1, 廣田 夏 1, 佐伯 拓 1
スレーザーの開発
14p-P2-2 面発光レーザと集積したブラッグ反射鏡導波路増幅器の高シン 顧 暁冬 1, 〇許 在旭 1, 中濵 正統 1, 松谷 晃宏 2, 小
グルモード出力動作
山 二三夫 1
14p-P2-3 可視 NLO 色素を利用した DFB 型ポリマーレーザの波長可変 〇藤井 俊行 1, 中角 真也 1, 山下 兼一 1
特性
14p-P2-4 ポンプ変調による能動モード同期 Tm ファイバレーザ
〇王 宇 1, セット ジイヨン 1, 山下 真司 1
14p-P2-5 Tm:YAG パルスレーザー励起 Cr:CdSe レーザー
〇湯本 正樹 1, 斎藤 徳人 1, 和田 智之 1
CS.1 3.5 レーザー装置・材料，3.14 光制御デバイス・光ファイバーのコードシェアセッション / 3.5&3.14 Code-sharing session
9/14(Wed.) 9:30 - 12:15 口頭講演 (Oral Presentation) B3 会場
9:30
14a-B3-1 57- μ m CH3OD レーザー用の水晶波長板の開発
〇中山 和也 1, 岡島 茂樹 1, 秋山 毅志 2, 田中 謙治 2,
川端 一男 2
9:45
14a-B3-2 常温接合を用いた GaAs プレート多数枚積層擬似位相整合構造 〇新 裕貴 1, 窪田 輝充 1, 脇山 直也 1, 庄司 一郎 1
の作製
10:00
14a-B3-3 モノリシック PP-Mg:SLT デバイスによる 355nm 波長変換器 冨張 康弘 1, 土橋 一磨 1, 〇廣橋 淳二 1, 今井 浩一 1,
の開発
牧尾 諭 1
10:15
14a-B3-4 周期空間反転 GaAs/AlGaAs ダブルヘテロ構造 p-i-n ダイオー 〇鈴木 涼介 1, 松下 智紀 1,2, 近藤 高志 1,2
ドの作製
10:30
14a-B3-5 サンプリング PPLN 導波路を用いた広帯域中赤外発生
〇藤澤 涼平 1
10:45
休憩 /Break
11:00
11:15
11:30
11:45
14a-B3-6 反転多積層水晶による QPM 波長変換
14a-B3-7 KBBF 結晶を用いた位相整合による 150 nm 光発生
奨 14a-B3-8 CsLiB6O10 結晶を用いた高出力 355nm 紫外光発生
奨 E 14a-B3-9 Temperature tuning of YCOB crystal for giant-pulse green
micro-laser
〇石月 秀貴 1, 平等 拓範 1
〇 (PC) 中里 智治 1, 伊藤 功 2, 小林 洋平 2, Wang
Xiaoyang3, Chen Chuangtian3, 渡部 俊太郎 1
〇上田 健太郎 1, 折井 庸亮 2, 高橋 義典 1, 岡田 穣治
2
, 森 勇介 1, 吉村 政志 3
〇 Arvydas Kausas1, Pascal Loiseau2, Gerard Aka2,
Yanqing Zheng3, Takunori Taira1
1.NICHe, Tohoku Univ., 2.RIES, Hokkaido Univ.,
3.IMRAM, Tohoku Univ., 4.GIPO, National Taiwan
Univ.
1. 近大理工 , 2. 阪大レーザー研 , 3. 住田光学ガラ
ス
1. 千葉大院融合 , 2. 国立交通大
1. 千葉大院
1. 関西大学システム理工
1. 東工大未来研 , 2. 東工大技術部
1. 京工繊大工芸
1. 東京大学
1. 理研 光量子制御技術開発チーム
1. 中部大工 , 2. 核融合研
1. 中大理工
1. オキサイド
1. 東大工 , 2. 東大先端研
1. 東海大工
1. 分子研
1. 東理大総研 , 2. 東大物性研 , 3. 中国科学院
1. 阪大院工 , 2. スペクトロニクス , 3. 阪大レーザー
研
1.IMS, 2.IRCP, 3.SICCAS
3.6 超高速・高強度レーザー / Ultrashort-pulse and high-intensity lasers
12:00
奨 14a-B3-10 磁気ドメインを利用した薄膜 Q スイッチレーザー
〇後藤 太一 1,2, 森本 凌平 1, プリチャード ジョン 3, 1. 豊橋技科大 , 2.JST さきがけ , 3. アイオワ州立大 ,
高木 宏幸 1, 中村 雄一 1, リム パンボイ 1, 内田 裕久 4. 分子研
1
, ミナ マニ 3, 平等 拓範 4, 井上 光輝 1
10:45
11:00
14a-C32-6 α水晶中での高次高調波発生過程の第一原理シミュレーション 〇乙部 智仁 1
奨 14a-C32-7 外部複素スケーリングを用いた強レーザー場における多電子系 〇織茂 悠貴 1, 佐藤 健 1, 石川 顕一 1
第一原理計算の高速化
11:15
奨 14a-C32-8 高強度レーザー場によって駆動される固体中多電子状態ダイナ 〇池町 拓也 1, 篠原 康 2, 佐藤 健 2, 石川 顕一 2, 湯
ミクスの波動関数論的アプローチ
本 潤司 1, 五神 真 1
11:30
奨 14a-C32-9 赤外超短パルスのプラズモニック増強場を用いた非線形振動分 〇 (M2) 森近 一貴 1, 草 史野 2, 竹上 明伸 2, 芦原 聡
1
光
11:45
奨 14a-C32-10 固体プラズマハイブリッドターゲットによるレーザー加速電子 〇井上 峻介 1, 中宮 義英 1, 寺本 研介 1, 橋田 昌樹 1,
パルスの高強度化
阪部 周二 1
12:00
14a-C32-11 プラズマミラーの真空紫外領域における周波数分解光ゲート計 〇板倉 隆二 1, 赤木 浩 1, 和田 資子 1, 乙部 智仁 1
測
9/14(Wed.) 13:45 - 17:30 口頭講演 (Oral Presentation) C32 会場
13:45
招 14p-C32-1 [ 講演奨励賞受賞記念講演 ]
〇齋藤 成之 1, 石井 順久 1, 金井 輝人 1, 渡部 俊太郎
極紫外アト秒パルスの赤外電場によるストリーク計測とその応 2, 板谷 治郎 1
用
14:00
14p-C32-2 100 eV 帯域幅を持つ単一アト秒パルス発生
〇増子 拓紀 1, 小栗 克弥 1, 後藤 秀樹 1
14:15
14p-C32-3 アト秒多原子分子ダイナミクスのポンプ・プローブ計測のため 〇沖野 友哉 1,2, 鍋川 康夫 1, 緑川 克美 1
のフラグメント分解運動量画像法の開発
14:30
14p-C32-4 超高速光誘起現象の高繰り返しシングルショット分光
〇 (M1) 小林 真隆 1, Johnson Jeremy1,2, 南 康夫 1,
武田 淳 1, 片山 郁文 1
14:45
14p-C32-5 レーザー駆動イオン加速におけるクラスターターゲットに対す 〇神野 智史 1, 金崎 真聡 2, 宇野 雅貴 2, 福田 祐仁 3,4
るサイズ分布解析手法の開発
15:00
14p-C32-6 レーザー加速陽子線のためのエネルギースペクトロメータの設 〇金崎 真聡 1, 宇野 雅貴 1, 山内 知也 1, 小田 啓二 1,
計
福田 祐仁 2
15:15
奨 14p-C32-7 水素の四光波混合に基づく近赤外～可視領域におけるサブサイ 〇 (D) 中野 雄太 1, 今坂 藤太郎 2
クル光パルスの発生
15:30
奨 E 14p-C32-8 Arbitrary manipulation of amplitudes and phases of broadband 〇 (DC)CHUAN CHUAN ZHANG1, D.
optical waves and its application to generation of ultrashort
Tregubov1, K. Yoshii1,3, C. Ohae2,3, M. Suzuki1, K.
pulses
Minoshima1,2,3, M. Katsuragawa1,2,3
15:45
1. 京大理
1. 岡山大自然 , 2.JST- さきがけ , 3. 横国大院工
1. 横浜国立大学院大
1. 横国大院工 , 2. 東北大院工 , 3. 慶大理工
1. 東工大フロ材研 , 2. 分子研 , 3. チャップマン大
学
1. 量研機構
1. 東大院工
1. 東大院理 , 2. 東大院工
1. 東大生研 , 2. 東京農工大
1. 京大化研
1. 量研機構・関西研
1. 東大物性研 , 2. 東理大
1.NTT 物性基礎研
1. 理研光量子 , 2.JST さきがけ
1. 横浜国大 , 2. ブリガム・ヤング大
1. 東大院工 , 2. 神大院海事 , 3. 量研機構関西 , 4. 九
大総理工
1. 神大院海事 , 2. 量研機構関西
1. 九大院工 , 2. 九大未来セ
1.Graduate School of Informatics and Engeering,
UEC, 2.Inst. for Advanced Science, UEC, 3.JST,
ERATO MINOSHIMA Intelligent Optical
Synthesizer (IOS)
1. 北大院工
16:00
奨 14p-C32-9 光渦パルスのチャープ特性を利用したプログラマブル超高速回 〇柿澤 康平 1, 山根 啓作 1, 岡 和彦 1, 戸田 泰則 1,
転リング状光格子の生成
森田 隆二 1
休憩 /Break
16:15
〇高橋 考二 1, 伊藤 晴康 1, 渡辺 向陽 1, 井上 卓 1
1. 浜松ホトニクス
〇高橋 栄治 1, Fu Yuxi1, 緑川 克美 1
〇吉井 健登 1,2, 郭 晓杨1,3, 伊山 功一 1,4, 時田 茂樹 1,
吉田 実 2, 川嶋 利幸 4, 西岡 一 5, 河仲 準二 1
〇伊山 功一 1,2, 時田 茂樹 1, 西岡 一 3, 川嶋 利幸 2,
兒玉 了祐 1,4, 河仲 準二 1
〇高田 英行 1, 千葉 雄平 2, 吉富 大 1, 鳥塚 健二 1,
三沢 和彦 2
1. 理研
1. 阪大レーザー研 , 2. 近大 , 3. 京大 , 4. 浜ホト , 5. 電
通大
1. 阪大レーザー研 , 2. 浜松ホトニクス , 3. 電通大 ,
4. 阪大光科学センター
1. 産総研 , 2. 東京農工大
14p-C32-10 シェーパアシスト偏光直交型波形計測法による制御パルス光の
評価
16:30
14p-C32-11 DC-OPA を用いた 100 mJ 級超短パルス赤外光源の開発
16:45
14p-C32-12 部分重水素置換 KDP 結晶を用いた OPCPA システムの開発
―希ガス充填中空ファイバによる広帯域種光発生 ―
17:00
14p-C32-13 OPCPA 励起用 1 J, 100 Hz, sub-ns Yb:YAG レーザー増幅器の
開発
17:15
14p-C32-14 超短パルス Yb ファイバーレーザーシステムからの第２高調波
発生
9/15(Thu.) 9:30 - 11:30 ポスター講演 (Poster Presentation) P2 会場
15a-P2-1 中赤外超短パルスのプラズモニック電場増強特性の解析と制御
15a-P2-2 固体酸化物中重水素の励起緩和ダイナミクスの実時間観測
〇今坂 光太郎 1, 竹上 明伸 1,2, 草 史野 1,2, 志村 努 1, 1. 東大生研 , 2. 農工大院
芦原 聡 1
〇 (PC) 櫻井 敦教 1, 芦原 聡 1
1. 東大生研
1. 横浜国大工
〇井上 慶一 1, 片山 郁文 1, 南 康夫 1, 首藤 健一 1,
北島 正弘 1, 武田 淳 1
1
15a-P2-4 円偏光中にある誘電体の時間分解過渡吸収分光のための解析理 〇乙部 智仁
1. 量研機構
論
15a-P2-5 固体高次高調波の偏光解析
〇金島 圭佑 1, 石井 順久 1, 竹内 健悟 1, 板谷 治郎 1 1. 東大物性研
15a-P2-3 表面敏感コヒーレントフォノン分光
15a-P2-6 高強度レーザー場中の多電子ダイナミクス：時間依存波動関数 〇佐藤 健 1, 石川 顕一 1
理論の原子・分子への応用
15a-P2-7 高出力光シンセサイザーの開発 2
〇高橋 栄治 1, 田丸 裕基 1,2, Yuxi Fu1, Oliver
Muecke3, Franz Kaertner3, 須田 亮 2, 緑川 克美 1
CS.2 3.6 超⾼速・⾼強度レーザー，3.8 光計測技術・機器のコードシェアセッション / 3.6&3.8 Code-sharing session
9/15(Thu.) 10:30 - 12:15 口頭講演 (Oral Presentation) C301 会場
10:30
奨 15a-C301-1 Er 添加超短パルスファイバーレーザーを用いた
〇新家 俊輝 1, 野村 佳孝 1, 金 磊 1, 山中 真仁 1, 小
1.0-2.1um オクターブスパン・コヒーレント SC コムの開発及 関 泰之 2, Sonnenschein Volker1, 富田 英生 1, 井口
び特性評価
哲夫 1, 西澤 典彦 1
10:45
奨 15a-C301-2 単層カーボンナノチューブを用いた全偏波保持ファイバレー 〇冨樫 泉洸 1, 長池 健 1, 金 磊 1, 榊原 陽一 2, 面田
ザー光周波数コム光源の開発
恵美子 2, 片浦 弘道 2, 小関 泰之 3, 西澤 典彦 1
11:00
15a-C301-3 Multi-GHz 光周波数コムによるシリカファイバー内の音響フォ 〇 (P) 遠藤 護 1, 谷 峻太郎 1, 小林 洋平 1
ノン励起
11:15
15a-C301-4 超低雑音光周波数コムの実現に向けた磁気光学変調器
〇 (D) 中村 卓磨 1, 谷 峻太郎 1, 伊藤 功 1,2, 小林 洋
平 1,2
1. 東大院工
1. 理研 , 2. 東理大理工 , 3.DESY-CFEL
1. 名大工 , 2. 東大工
1. 名大院工 , 2. 産総研 , 3. 東大工
1. 東大物性研
1. 東大物性研 , 2.JST-ERATO
3 光・フォトニクス / Optics and Photonics
3.6 超高速・高強度レーザー / Ultrashort-pulse and high-intensity lasers
9/14(Wed.) 9:15 - 12:15 口頭講演 (Oral Presentation) C32 会場
9:15
14a-C32-1 内部転換により生じたホットなテトラメチルエチレン分子の異 佐藤 元樹 1, 〇足立 俊輔 1, 鈴木 俊法 1
性化反応
9:30
14a-C32-2 鉛ハライドペロブスカイト太陽電池の光劣化ダイナミクス
〇 (M2) 三宅 智也 1, 村上 寛虎 1, 溝手 翔太 1, 與田
将士 1, 羽田 真毅 1,2, 西川 亘 1, 山下 善文 1, 林 靖彦 1,
鈴木 貴之 3, 南 康夫 3, 片山 郁文 3, 武田 淳 3
9:45
14a-C32-3 広帯域パルス整形技術による SiC の高周波フォノンのコヒー 〇 (M2) 村上 恭介 1, 片山 郁文 1, 南 康夫 1, 武田 淳
1
レント制御
10:00
14a-C32-4 GeCu2Te3 の非熱的相変化のシングルショット実時間イメージ 〇鈴木 貴之 1, 片山 郁文 1, 南 康夫 1, 進藤 怜史 2,
ング
須藤 祐司 2, 斎木 敏治 3, 武田 淳 1
10:15
14a-C32-5 ダイヤモンド光学フォノンの波長分解型過渡透過率計測とコ 〇佐々木 寛弥 1, 田中 利歩 1, 萱沼 洋輔 1, 鹿野 豊 2,3,
ヒーレント制御
中村 一隆 1
10:30
休憩 /Break
3.7 レーザープロセシング / Laser processing
11:30
15a-C301-5 1um 帯スーパーコンティニュームを用いた高コヒーレンス波
長可変中赤外光周波数コム光源の開発
奨 15a-C301-6 Fabry-Perot 共振器を用いたモードフィルタリングによるデュ
アルコム分光の高感度化
12:00
奨 15a-C301-7 時間分解デュアルコム分光法による複素光学物性ダイナミクス
の精密計測
9/15(Thu.) 13:45 - 18:00 口頭講演 (Oral Presentation) C32 会場
13:45
招 15p-C32-1 [ 論文奨励賞受賞記念講演 ]
Ultra-broadband dual-comb spectroscopy across 1.0–1.9 µm
14:00
15p-C32-2 光コムと安定化レーザーによる分子吸収線形の観測
14:15
15p-C32-3 デュアルコム分光法を用いた高精度偏光計測装置の開発
3 光・フォトニクス / Optics and Photonics
11:45
14:30
招 15p-C32-4
14:45
E 15p-C32-5
15:00
E 15p-C32-6
15:15
15p-C32-7
15:30
15p-C32-8
15:45
16:00
16:15
16:30
16:45
17:00
〇金 磊 1, 山中 真仁 1, Sonnenschein Volker1, 富田
英生 1, 井口 哲夫 1, 佐藤 淳史 2, 大森 茜 2, 井手野
晃 2, 大原 利成 2, 西澤 典彦 1
〇 (M2) 吉田 悟 1,2, 西山 明子 1,2,3, 美濃島 薫 1,2
〇浅原 彰文 , 近藤 健一 , 美濃島 薫
1,2
1,2
1,2
〇大久保 章 1, 岩國 加奈 2, 稲場 肇 1, 保坂 一元 1, 大
苗 敦 1, 佐々田 博之 3, 洪 鋒雷 4
〇大苗 敦 1,2, 大久保 章 1,2, 清水 祐公子 1,2, 稲場 肇 1,2
〇住原 花奈 1, 大久保 章 2, 岡野 真人 1, 稲場 肇 2,
渡邉 紳一 1
[ 講演奨励賞受賞記念講演 ]
〇澁谷 九輝 1,2, 南川 丈夫 1,2, 水谷 康弘 2,3, 安井 武
スキャンレスデュアルコム分光イメージング法の提案
史 1,2, 岩田 哲郎 1,2
Spatial area shifting method for long depth object measurement 〇 Quang Duc Pham1, Yoshio Hayasaki1
using optical frequency comb laser based interferometers
Development of discrete frequency scanning laser for
〇 Tuan Cong Truong1, Tuan Quoc Banh1,2, Heui
interferometry
Hyeon Kim1, Tatsutoshi Shioda1
ファイバー光コム型超音波センサーに関する基礎研究
〇増岡 孝 1,2, 小倉 隆志 1, 南川 丈夫 1,2, 中嶋 善晶 2,3,
山岡 禎久 4, 美濃島 薫 2,3, 安井 武史 1,2
共焦点レーザー走査型光コムの開発
〇長谷 栄治 1,2, 宮本 周治 1,2, 山本 裕紹 2,3, 安井 武
史 1,2, 南川 丈夫 1,2
休憩 /Break
招 15p-C32-9 [ 講演奨励賞受賞記念講演 ]
チャープした光コムのスペクトル干渉による瞬時 3 次元計測
手法
15p-C32-10 チャープした光コムのスペクトル干渉によるワンショット形状
計測手法の多点化
奨 15p-C32-11 デュアルコム分光法を用いたルビジウム原子の光 - 光二重共鳴
分光
奨 15p-C32-12 光格子時計比較の安定度向上に向けた全偏波保持・単一ポート
エルビウムファイバコムの開発および安定度評価
15p-C32-13 天体の視線速度観測用高分散分光器の波長校正用光周波数コム
の開発 II - 岡山天体物理観測所への設置とテスト観測 -
17:15
〇加藤 峰士 1,2, 内田 めぐみ 1,2, 美濃島 薫 1,2
招 13a-C31-5【3．光・フォトニクス 分科内招待講演】
電気光学サンプリング法を用いた金属のレーザーアブレー
ションダイナミクスのサブピコ秒時間分解測定
11:15
13a-C31-6 LIBS による表面微量付着物の検出感度評価
11:30
13a-C31-7 Si のレーザー加工過程の振動数依存性
11:45
13a-C31-8 フェムト秒レーザー誘起衝撃力を用いた高速細胞分取システム
の性能評価
9/14(Wed.) 9:30 - 12:15 口頭講演 (Oral Presentation) C31 会場
9:30
14a-C31-1 フェムト秒レーザーによる体積型回折格子の作製と回折効率の
厚さ依存性
9:45
14a-C31-2 LCOS 型空間光位相変調器を用いたワンショット 3D レーザ加
工の検討
10:00
14a-C31-3 軸対象偏光パルス CO2 レーザーによる炭素繊維強化プラス
チック (CFRP) の穴あけ
10:15
14a-C31-4 ファイバーによる自己位相変調を用いたパルス圧縮によるマイ
クロチップレーザーの高強度短パルス化
10:30
14a-C31-5 ダブルパルスレーザーアブレーションでのプルーム衝突による
凝集構造への影響
10:45
休憩 /Break
11:00
14a-C31-6 液相 PLA 法を用いた CaIn2O4 の微粒子、薄膜化及び評価
11:15
14a-C31-7 ポリカーボネート上シリコーン膜表面に形成した F2 レーザー
11:30
11:45
12:00
誘起 SiO2 改質膜のクラック抑制
14a-C31-8 1030nm 発振ロングパルスレーザによる Si ウェハ上の
µ-Hillock 形成
14a-C31-9 真空紫外レーザーによるＡｌ薄膜への微細周期構造の形成
14a-C31-10 真空紫外レーザーによるシリコーンゴム表面への微細周期構造
の形成 (3)
1. 電通大 , 2.JST,ERATO 美濃島知的光シンセサイ
ザ , 3. 日本学術振興会
1. 電通大 , 2.JST, ERATO 美濃島知的光シンセサイ
ザ
1. 産総研 , 2. コロラド大 , 3. 慶大 , 4. 横国大
1. 産総研 , 2.JST, ERATO 美濃島 IOS
1. 慶大理工 , 2. 産総研
1. 徳島大院 , 2.JST, ERATO 美濃島知的光シンセサ
イザ , 3. 阪大院工
1.Utsunomiya Univ.
1.Saitama Univ., 2.Sevensix Inc
1. 徳島大 , 2.JST, ERATO, 3. 電通大 , 4. 佐賀大
1. 徳島大学 , 2.JST,ERATO 美濃島知的光シンセサ
イザ , 3. 宇都宮大学
1. 電通大 , 2.JST, ERATO 美濃島知的光シンセサイ
ザ
〇内田 めぐみ 1,2, 加藤 峰士 1,2, 美濃島 薫 1,2
1. 電通大 , 2.JST, ERATO 美濃島知的光シンセサイ
ザ
〇 (P) 西山 明子 1,2,3, 佐々田 博之 2,4, 中川 賢一 1, 大 1. 電通大 , 2.JST, ERATO 美濃島知的光シンセサイ
苗 敦 2,5, 美濃島 薫 1,2
ザ , 3.JSPS, 4. 慶応大 , 5. 産総研
〇大前 宣昭 1,2,3, 久世 直也 4, Fermann Martin5, 香 1. 東大院工 , 2. 理研 , 3.JST-ERATO, 4.IMRA BRL,
1,2,3
取 秀俊
5.IMRA America
〇中村 圭佑 1,5, 大久保 章 1,5, シュラム マルテ 3,5, 山 1. 産総研 , 2. 横国大 , 3. 国立天文台 , 4. 電通大 ,
本 宏樹 2,5, 石川 純 1, 洪 鋒雷 1,2,5, 大苗 敦 1,5, 美濃島 5.JST, ERATO 美濃島知的光シンセサイザ
薫 1,4,5, 筒井 寛典 3,5, 神戸 栄治 3,5, 泉浦 秀行 3,5, 稲
場 肇 1,5
〇伊藤 功 1,2, Silva Alissa1,2, 中村 卓磨 1,2, 小林 洋平 1. 東大物性研 , 2.JST-ERATO
15p-C32-14 Yb ファイバー光コムによる低熱膨張セラミック光共振器安定
1,2
化 CW レーザーの長期絶対周波数測定
17:30
15p-C32-15 2 台のモードロックレーザの簡便な方法による繰返し周波数の 〇永原 哲彦 1
同期
17:45
奨 15p-C32-16 キャリア位相とエンベロープを用いた光コム干渉計の開発
〇牧野 智大 1,2, 宮野 皓貴 1,2, 中嶋 善晶 1,2, 美濃島
薫 1,2
3.7 レーザープロセシング / Laser processing
9/13(Tue.) 9:30 - 12:00 口頭講演 (Oral Presentation) C31 会場
9:30
13a-C31-1 イットリア安定化ジルコニアセラミックスに形成されるフェム 〇欠端 雅之 1, 高橋 俊彦 2, 屋代 英彦 1, 大矢根 綾子
3
ト秒レーザー誘起周期構造のレーザー波長依存性
, 伊藤 敦夫 4, 西川 正 2, 鳥塚 健二 1
9:45
13a-C31-2 金属表面への超撥水性付与を最適化するレーザーパラメータの 〇田口 将大 1, 谷 峻太郎 1, 小林 洋平 1
探索
10:00
13a-C31-3 近紫外フェムト秒レーザによる溶融石英穿孔構造の内表面粗さ 〇白石 正彦 1, 合谷 賢治 2, 窪寺 昌一 1, 渡辺 一弘 1
評価
10:15
13a-C31-4 光ファイバセンサ化のためのフェムト秒レーザ内部加工による 〇知念 直樹 1, 白石 正彦 1, 合谷 賢治 2, 関 篤 1, 渡
光導波干渉現象の誘起
辺 一弘 1, 窪寺 昌一 1
10:30
休憩 /Break
10:45
1. 名大工 , 2. 積水メディカル ( 株 )
1. 京都工繊大
1. 電通大 , 2.JST, ERATO 美濃島知的光シンセサイ
ザ
1. 産総研　電子光技術 , 2. 東京電機大学 , 3. 産総
研　ナノ材料 , 4. 産総研　健康工学
1. 東大物性研
1. 創価大理工 , 2. 産総研
1. 創価大理工 , 2. 産総研
〇谷 峻太郎 1, 小林 洋平 1
1. 東大物性研
川口 喜三 1, 大村 英樹 1, 〇佐藤 正健 1
〇乙部 智仁 1
〇萩原 宏規 1, 飯野 敬矩 1, 洪 振益 1, 前野 貴則 1,
岡野 和宣 1, 細川 陽一郎 1
1. 産総研
1. 量研機構
1. 奈良先端大物質
〇松代 悠 1, 渡邉 歴 1
1. 立命大院理工
〇堀田 雄二 , 音羽 亮平 , 西立野 将史 , 桜井 康樹 1.santec, 2. 分子研
, 鄭 麗和 2, 山本 浩史 2, 平等 拓範 2
〇新谷 實海 1, 足立 幸謙 1, 遠藤 雅守 1, 宇野 和行 2 1. 東海大理 , 2. 山梨大工
1
1
1
1
〇大村 幸一郎 1, 山﨑 淳 1, 渡辺 賢一 1, 吉橋 幸子 1, 1. 名大工
瓜谷 章 1
〇片山 慶太 1, 吉田 岳人 2, 福岡 寛 3, 青木 珠緒 1,
1. 甲南理工 , 2. 阿南高専 , 3. 奈良高専
杉村 陽 1, 梅津 郁朗 1
〇 (M2) 今野 育 1, 中谷 一道 1, 小野 洋 1, 田中 勝己 1. 電通大先進理工
1
〇野尻 秀智 1,2, 大越 昌幸 1
1. 防衛大 , 2. レニアス
〇松田 大輔 , 天野 覚 , 後藤 信介 , 芳賀 一実 ,
多久島 裕一 2, 東 伸 2
〇松永 亮太 1
〇ウィスヌ パンブディ セティオ 1, 大越 昌幸 1, 野
尻 秀智 1, 山下 嗣人 2
1
1
1
1
1. 株式会社ナノシステムソリューションズ , 2. 株
式会社オプトクエスト
1. 防衛大電工
1. 防衛大学校 , 2. 関東学院大学
3.8 光計測技術・機器 / Optical measurement, instrumentation, and sensor
9/14(Wed.) 13:45 - 17:30 口頭講演 (Oral Presentation) C31 会場
13:45
奨 14p-C31-1 液中レーザー溶融法によるシリコンサブミクロン球状粒子の生
成
14:00
奨 14p-C31-2 液中レーザー溶融法における冷却効果を考慮した粒子温度の推
定
14:15
奨 14p-C31-3 気‐液界面レーザーアブレーションによる酸化銅シングルナノ
粒子創製
14:30
奨 14p-C31-4 Si 保護膜を用いた 4H-SiC への AlCl3 水溶液中レーザ照射によ
る Al ドーピング
14:45
休憩 /Break
15:00
15:15
15:45
16:00
16:15
16:30
16:45
17:00
17:15
奨 14p-C31-9 酸化ガリウム半導体内部への偏光依存ナノ周期構造形成とその
メカニズム解明
奨 14p-C31-10 フェムト秒レーザーを用いた Ti 表面へのナノ周期構造形成に
おける誘電率依存性
奨 14p-C31-11 金薄膜へのフェムト秒レーザー照射による微細構造作製
奨 14p-C31-12 超短パルスレーザーの 6 ビーム干渉パターンを用いた金薄膜の
加工
奨 14p-C31-13 空間光位相変調器を用いたビーム強度分布の整形
9/15(Thu.) 9:30 - 11:30 ポスター講演 (Poster Presentation) P3 会場
15a-P3-1 軸方向放電励起短パルス CO2 レーザーによる人の歯の切削
15a-P3-2 超臨界二酸化炭素雰囲気中レーザー穴あけ加工における自然対
流の効果に関する理論的考察
15a-P3-3【注目講演】レーザープラズマ EUV 光による PDMS シートへ
のマイクロ貫通孔の作製
15a-P3-4 ナノ秒レーザー干渉パターニングによる酸化亜鉛マイクロ
ドットアレイの作製
15a-P3-5 パルス YAG レーザーの三倍高調波を用いた TiN 薄膜の PLD
成膜
15a-P3-6 水中ミリ秒パルスレーザーアブレーションによる金属酸化物ナ
ノ粒子合成過程の考察
15a-P3-7 アルコール水溶液中で発生する光熱バブルの寿命に関する研究
1. 北大工
〇 (D) 榊 祥太 1, 越崎 直人 1, 池上 浩 2, 石川 善恵 3, 1. 北大工 , 2. 九大工 , 3. 産総研 , 4. 島根大工
辻 剛志 4
〇西 哲平 1, 高橋 直子 1, 秋元 祐介 1
1. 豊田中研
〇 (M1) 土屋 知大 1, 池上 浩 1, 諏訪 輝 1, 池田 晃裕 1. 九州大シス情
, 中村 大輔 1, 浅野 種正 1
1
〇水谷 彬 1, 中村 亮介 1, 森山 匡洋 2, 田丸 博晴 2,
1. 東大工 , 2. 東大理 , 3. 物性研
玄 洪文 3, 谷 俊太郎 3, 小林 洋平 3, 三尾 典克 1
〇政井 勇輝 1, 植木 智之 1, 田中 康弘 2, 富田 卓朗 1, 1. 徳島大工 , 2. 香川大工
岡田 達也 1
〇梅津 寛 1, 西山 宏昭 1
1. 山形大院理工
〇 (M2) 萩谷 将人 1, 宮地 悟代 1
1. 東京農工大
〇中西 佑太 1, 下間 靖彦 1, 坂倉 政明 2, 三浦 清貴 1 1. 京大院工 , 2. 京大産連本部
〇 (M1) 大賀 隆寛 1, 塚本 雅裕 2, 佐藤 雄二 2, 三宅
正誉志 1
〇高見 明裕 1, 中島 康貴 1, 寺川 光洋 1
〇 (M1) 吉田 匡孝 1, 大澤 一仁 1, 中田 芳樹 1, 宮永
憲明 1
〇大澤 一仁 1, 吉田 匡孝 1, 中田 芳樹 1, 宮永 憲明 1,
奈良崎 愛子 2, 東海林 竜也 3, 坪井 泰之 3
1. 慶應大院理工
1. 大阪大工
1. 大阪大工 , 2. 産総研 , 3. 阪市大工
〇山本 拓哉 1, 宇野 和行 1, 秋津 哲也 1, 實野 孝久 2 1. 山梨大工 , 2. 阪大レーザー研
〇 (PC) 吉木 啓介 1, 伊藤 杏奈 2, 高御堂 美佑紀 2,
古田 裕正 2, 神谷 東志一 2, 井上 尚三 1
〇浦井 ひかり 1, 小川 瑞生 1, 深見 慎太郎 1, 牧村 哲
也 1, 新納 弘之 2
〇中村 大輔 1, 高尾 修平 1, 東畠 三洋 1, 池上 浩 1,
岡田 龍雄 1
〇押鐘 寧 1, 中野 元博 1, 村井 健介 2
1. 兵県大 , 2. パナソニック デバイスＳＵＮＸ株式
会社
1. 筑波大数理 , 2. 産総研
〇近藤 崇博 , 尾鷲 竜樹 , 本田 光裕 , Kulinich
Sergei1, 岩森 暁 2, 山口 滋 1
〇柳谷 伸一郎 1, 吉田 篤志 1, 古部 昭広 1
1. 東海大 IIST, 2. 東海大工 , 3. 名工大物工
1
2
3
15a-P3-8 焼成アルミナノ多結晶板を用いたコア付きインダクターの試作 〇佐伯 拓 1, 飯田 幸雄 1, 稲田 貢 1, 増田 真一郎 1
15a-P3-9 プラズモニック Au ナノ粒子分散溶液でのフェムト秒レーザ還
元特性
15a-P3-10 フェムト秒レーザ照射による体積相転移ゲル内での金属粒子析
出
15a-P3-11 イットリア安定化ジルコニアセラミックス表面のフェムト秒
レーザー誘起周期構造形成の楕円偏光依存性
15a-P3-12 ホログラフィックデュアル偏光フェムト秒レーザー照射 を用
いたデブリ除去
15a-P3-13 回折型非球面レンズを用いたガラス内部へのフェムト秒レー
ザー加工
3.8 光計測技術・機器 / Optical measurement, instrumentation, and sensor
9/14(Wed.) 9:30 - 11:30 ポスター講演 (Poster Presentation) P2 会場
14a-P2-1 連続ウェーブレット変換を用いたスペクトラルドメイン干渉計
による段差計測
14a-P2-2 半導体レーザ干渉計による実時間高速微小振動計測
1. 阪大院工 , 2. 阪大接合研
1. 九大シス情
1. 阪大院工 , 2. 産総研
1. 徳島大
1. 関大システム理工
〇梅津 寛 1, 石丸 元気 2, 西山 宏昭 1
1. 山形大院理工 , 2. 山形大工
〇小田島 駿 1, 田端 航 2, 小川 雄也 1, 西山 宏昭 2
1. 山形大工 , 2. 山形大院理工
〇欠端 雅之 1, 屋代 英彦 1, 大矢根 綾子 2, 伊藤 敦夫 1. 産総研　電子光技術 , 2. 産総研　ナノ材料 , 3. 産
, 鳥塚 健二 1
総研　健康工学
〇阿部 哲也 1, 長谷川 智士 1, 高橋 秀知 2, 早崎 芳夫 1. 宇大 CORE, 2. アイシン精機
3
1
〇 (M1)CAO HOAI VU1
1. 宇都宮大学
〇 (DC) 芹澤 琢磨 1, 鈴木 孝昌 1, 崔 森悦 2, 佐々木 1. 新潟大自然研 , 2. 新潟大工
修己 2
〇田村 明之 1, 鈴木 孝昌 1, 崔 森悦 2
1. 新潟大自然研 , 2. 新潟大工
〇 (M2) 増子 豪 1, 鈴木 孝昌 1, 崔 森悦 2, 佐々木 修 1. 新潟大自然研 , 2. 新潟大工
己1
14a-P2-4 ウェーブレット変換を用いたフルフィールド SD-OCT による 〇吉田 匠 1, 鈴木 孝昌 1, 崔 森悦 2, 佐々木 修己 2
1. 新潟大自然研 , 2. 新潟大工
段差形状計測
14a-P2-5 デジタルホログラフィにおける位相シフトエラー補償
〇灘本 拓也 1, 本間 聡 1
1. 梨大医工
14a-P2-3 超音波偏向型外部共振器半導体レーザ光源の波長走査幅拡大
E 14a-P2-6 Optical feedback in a distributed feedback quantum cascade
〇 (PC)Volker Thomas Sonnenschein1, Ryohei
laser and linewidth reduction for cavity ring-down spectroscopy Terabasyashi1, Noriyoshi Hayashi1, Shuusuke Kato1,
Hideki Tomita1, Lei Jin1, Masahito Yamanaka1,
Norihiko Nishizawa1, Atsushi Sato2, Kohei Nozawa2,
Kenta Hashizume2, Toshinari Oh-Hara2, Tetsuo
Iguchi1
14a-P2-7 磁性積層膜における磁気光学キャビティ効果を利用した水素ガ 〇山根 治起 1, 山崎 裕 2, 住吉 研 2, 重村 幸治 2
スセンサの開発
14a-P2-8 フォトリフレクタンス分光における光強度規格化マイコン制御 〇小林 英一 1, 牧野 哲征 1, 橋本 明弘 1
システムの構築
14a-P2-9 CF4・O2 混合ガスを用いたドライエッチングによるポリマー側 〇 (M1) 丹所 祐貴 1, 小沼 将大 1, 松島 裕一 2, 石川
面ラフネス改善と表面プラズモン共鳴センサの高感度化
浩 1, 宇髙 勝之 1
14a-P2-10 光格子時計による標準時生成の精度についての検討
〇中川 史丸 1, 蜂須 英和 1, 井戸 哲也 1, 花土 ゆう子
1
1.Nagoya Univ., 2.Sekisui Med. ADME&Tox.
1. 秋田産技センター , 2.NLT テクノロジー
1. 福井大工
1. 早大理工 , 2.GCS 研究機構
1. 情報通信研究機構
14a-P2-11 低コヒーレント環境におけるホログラフィック Shack〇最田 裕介 1, 野村 孝徳 1
Hartmann 波面センサーによる波面計測の数値的評価
14a-P2-12 FPGA を用いた光子計数型位相変調方式蛍光寿命測定計の製作 〇多賀 貴規 1, 水野 孝彦 1, 岩田 哲郎 1
1. 和歌山大システム工
14a-P2-13 レーザーダイオードの周波数雑音を利用した測距法に関する研 〇土井 康平 1, 新井 秀明 2, 前原 進也 2, 佐藤 孝 2
究
1. 富山大理 , 2. 新潟大工
1. 徳島大
3 光・フォトニクス / Optics and Photonics
15:30
奨 14p-C31-5 レーザー切断した炭素繊維のラマンスペクトルによる熱影響評
価
奨 14p-C31-6 Al/ ダイヤモンド単結晶界面におけるフェムト秒レーザ照射誘
起改質
奨 14p-C31-7 酸化チタンナノ粒子添加溶液でのフェムト秒レーザ多光子還元
特性
奨 14p-C31-8 シリコン表面のフェムト秒レーザー励起プラズモンとアブ
レーション形状の変化の観測
休憩 /Break
〇若月 雄哉 1, 越崎 直人 1
CS.2 3.6 超⾼速・⾼強度レーザー，3.8 光計測技術・機器のコードシェアセッション / 3.6&3.8 Code-sharing session
9/15(Thu.) 9:00 - 12:15 口頭講演 (Oral Presentation) C32 会場
9:00
15a-C32-1 カラー撮像素子を用いた 3 バンド像面フーリエ分光映像法
9:15
15a-C32-2 シングルショット２次元コム干渉計測のための干渉次数判別法
の波長帯依存性
9:30
15a-C32-3 多波長走査型 en-face 干渉顕微鏡による生体内部の形状計測
9:45
10:00
10:15
10:30
3 光・フォトニクス / Optics and Photonics
10:45
11:00
11:15
11:30
11:45
谷口 祐太 1, 〇野村 孝徳 1
1. 和歌山大院システム工
〇 (M1C) 有谷 光 1, バン　クォック トゥアン 1, 塩 1. 埼大院理工
田 達俊 1
〇 (M1) 佐藤 敬太 1, 任 書晃 2,4, 日比野 浩 2,4, 崔 森 1. 新潟大自然研 , 2. 新潟大医 , 3. 新潟大工 ,
悦 3,4
4.AMED-CREST, AMED
15a-C32-4 ワイヤーグリッド偏光ピンホールを用いた高分解能点回折干渉 〇 (M2) 原田 和眞 1, 水谷 彰夫 1, 菊田 久雄 1
1. 大府大工
顕微鏡
15a-C32-5 2 波長合成レーザ干渉計測法による段差計測
〇宗村 章平 1, 崔 森悦 2, 鈴木 孝昌 1, 佐々木 修己 2 1. 新潟大院自然研 , 2. 新潟大工
15a-C32-6 簡便なシェアリング干渉計を用いた超短パルスレーザ発散角計 〇伊ヶ崎 泰則 1, 奥間 惇治 1
1. 浜松ホトニクス
測
休憩 /Break
奨 15a-C32-7 光周波数比較において環境が光ファイバー伝送系に与える影響 〇和田 雅人 1,2, 大久保 章 1,2, 稲場 肇 1,2
15a-C32-8 偏光子と位相子の二重回転による４検出器型偏光計の校正法
15a-C32-9 ４検出器型偏光計の入射角依存性と補正方法の検討
奨 15a-C32-10 波長計制御型 CRDS を用いたガス中微量水分の高感度長期安
定測定
15a-C32-11 光波マイクロホンを用いた光音響分光法の基礎研究
12:00
15a-C32-12 広帯域波長可変レーザーを用いた C O2 計測の高感度化
9/16(Fri.) 9:00 - 12:15
口頭講演 (Oral Presentation) C32 会場
9:00
16a-C32-1 表面再結合電荷によるシリコンフォトダイオードの応答非直線
性
9:15
16a-C32-2 光電子増倍管を用いた数百ピコワットからフェムトワットまで
の光パワーに対する絶対応答度評価法の開発
9:30
16a-C32-3 プラズモン導波路を用いた新規ナノ顕微鏡法
9:45
E 16a-C32-4 Optimal plasmonic microscopic sensing with TM-only
polarization
10:00
16a-C32-5 Shack-Hartmann 波面センサの温度特性評価
10:15
16a-C32-6 高速位相変調光を用いた振動変位計測―信号光強度変動の影響
についての実験的検証
10:30
休憩 /Break
12
10:45
11:00
11:15
11:30
11:45
12:00
18
〇高和 研利 1, 渋谷 猛久 1, 若木 守明 1, 高和 宏行 2
〇高和 研利 1, 渋谷 猛久 1, 若木 守明 1, 高和 宏行 2
〇橋口 幸治 1, Lisak Daniel2, 阿部 恒 1
〇佐藤 和秀 1, 前田 和夫 1, 鄭 和翊 1, 山口 滋 1, 園
田 義人 2
〇永井 龍太郎 1, 前田 和夫 1, 鄭 和翊 1, 山口 滋 1
1. 東海大院理 , 2. 東海大総理工
〇田辺 稔 1
1. 産総研 計測標準
〇田辺 稔 , 丹羽 一樹 , 木下 健一
1
1
1. 東海大院理
1. 産総研 計測標準
1
藤田 康彦 2, 猪瀬 朋子 1, 〇雲林院 宏 1,2
〇 Bei Zhang1, Le Wang2, Peng Yan1
1. 北海道大学電子科学研究所 , 2. ルーバン大学
1.Beihang University, 2.Renmin Uni of China
〇藤江 彰裕 1, 三輪 佳史 1, 遠藤 貴雄 1, 安藤 俊行 1 1. 三菱電機 株式会社
〇木村 亮祐 1, 土屋 光揮 1, 田中 洋介 1, 黒川 隆志 1 1. 農工大工
E 16a-C32-7 Enzymatic Detection of Sulfamethaxazole based on Fiber Optic 〇 (D)Anisha Pathak1, Banshi Gupta1
1.Indian Inst. of Tech., Delhi
SPR Sensor
16a-C32-8 凹面基板上の結晶性多層膜生成とその反射特性
〇井戸 哲也 1, 望月 和人 2, 赤羽 浩一 1
1. 情通機構 , 2. 電通大先進理工
16a-C32-9 光格子時計による時刻系実信号の生成
〇蜂須 英和 1, 中川 史丸 1, 花土 ゆう子 1, 井戸 哲也 1. 情通機構
1
16a-C32-10 回折像を用いた簡便な微粒子粒径計測
16a-C32-11 複素振幅型単一画素カメラを用いた物体形状計測
16a-C32-12 エリプソメトリ測定による Si ウェハ表面の粒子検出評価
9/16(Fri.) 13:45 - 16:00 口頭講演 (Oral Presentation) C32 会場
13:45
E 16p-C32-1 Brillouin Optical Correlation Domain Reflectometry with Pump
Light Frequency Sweeping Scheme
14:00
16p-C32-2 疑似逆行列を用いたサブピクセルシフト巡回型アダマールイ
メージング
14:15
16p-C32-3 Si-APD 二光子吸収応答による距離と FBG 歪みの同時測定
14:30
16p-C32-4 FPGA を用いた高効率光電子パルス列同時検出方式蛍光寿命計
14:45
E 16p-C32-5 Measuring viscosities by optical tweezers
〇椿 光太郎 1
〇 (M1) 太田 一毅 1
〇 (M1C) 鈴木 雄也 1, 近藤 英一 1, 渡邉 満洋 1, 金
蓮花 1, 濵田 聡美 2, 嶋 昇平 2, 檜山 浩國 2
1. 東洋大総情
1. 宇都宮大
1. 山梨大工 , 2. 荏原製作所
〇 (DC)YUGUO YAO1, MASATO KISHI1,
KAZUO HOTATE1
〇鉄野 翔太 1, 澁谷 九輝 1, 岩田 哲郎 1
1.The Univ. of Tokyo
〇根本 昌弥 , 山田 祥規 , 田中 洋介 , 黒川 隆志
〇 (D) 水野 孝彦 1, 多賀 貴規 1, 岩田 哲郎 1
〇 Anna Statsenko1, Yoshimasu Kawata1, Wataru
1
1
1
1. 徳島大
1
Inami1
16p-C32-6 水中レーザーリモートセンシングに向けた水溶存メタンのラマ 〇染川 智弘 1, 藤田 雅之 1,2
ン分光
15:15
16p-C32-7 レーザーによるインフラ構造物の表面計測技術開発
〇村上 武晴 1, 斉藤 徳人 1, 小町 祐一 1, 岡村 幸太郎
1
, 坂下 亨男 1, 木暮 繁 1, 加瀬 究 1, 和田 智之 1, 緑
川 克美 1
15:30
16p-C32-8 水蒸気観測用近距離用小型半導体ライダーの開発
〇内海 通弘 1
15:45
16p-C32-9 1.6 μ m DIAL による下層大気中の CO2 濃度と気温の鉛直分 〇柴田 泰邦 1, 長澤 親生 1, 阿保 真 1
布同時測定
CS.2 3.6 超⾼速・⾼強度レーザー，3.8 光計測技術・機器のコードシェアセッション / 3.6&3.8 Code-sharing session
9/15(Thu.) 10:30 - 12:15 口頭講演 (Oral Presentation) C301 会場
10:30
奨 15a-C301-1 Er 添加超短パルスファイバーレーザーを用いた
〇新家 俊輝 1, 野村 佳孝 1, 金 磊 1, 山中 真仁 1, 小
1.0-2.1um オクターブスパン・コヒーレント SC コムの開発及 関 泰之 2, Sonnenschein Volker1, 富田 英生 1, 井口
び特性評価
哲夫 1, 西澤 典彦 1
10:45
奨 15a-C301-2 単層カーボンナノチューブを用いた全偏波保持ファイバレー 〇冨樫 泉洸 1, 長池 健 1, 金 磊 1, 榊原 陽一 2, 面田
ザー光周波数コム光源の開発
恵美子 2, 片浦 弘道 2, 小関 泰之 3, 西澤 典彦 1
11:00
15a-C301-3 Multi-GHz 光周波数コムによるシリカファイバー内の音響フォ 〇 (P) 遠藤 護 1, 谷 峻太郎 1, 小林 洋平 1
ノン励起
11:15
15a-C301-4 超低雑音光周波数コムの実現に向けた磁気光学変調器
〇 (D) 中村 卓磨 1, 谷 峻太郎 1, 伊藤 功 1,2, 小林 洋
平 1,2
11:30
15a-C301-5 1um 帯スーパーコンティニュームを用いた高コヒーレンス波 〇金 磊 1, 山中 真仁 1, Sonnenschein Volker1, 富田
長可変中赤外光周波数コム光源の開発
英生 1, 井口 哲夫 1, 佐藤 淳史 2, 大森 茜 2, 井手野
晃 2, 大原 利成 2, 西澤 典彦 1
11:45
奨 15a-C301-6 Fabry-Perot 共振器を用いたモードフィルタリングによるデュ 〇 (M2) 吉田 悟 1,2, 西山 明子 1,2,3, 美濃島 薫 1,2
アルコム分光の高感度化
12:00
奨 15a-C301-7 時間分解デュアルコム分光法による複素光学物性ダイナミクス 〇浅原 彰文 1,2, 近藤 健一 1,2, 美濃島 薫 1,2
の精密計測
9/15(Thu.) 13:45 - 18:00 口頭講演 (Oral Presentation) C32 会場
13:45
招 15p-C32-1 [ 論文奨励賞受賞記念講演 ]
〇大久保 章 1, 岩國 加奈 2, 稲場 肇 1, 保坂 一元 1, 大
Ultra-broadband dual-comb spectroscopy across 1.0–1.9 µm 苗 敦 1, 佐々田 博之 3, 洪 鋒雷 4
14:00
15p-C32-2 光コムと安定化レーザーによる分子吸収線形の観測
〇大苗 敦 1,2, 大久保 章 1,2, 清水 祐公子 1,2, 稲場 肇 1,2
14:15
15p-C32-3 デュアルコム分光法を用いた高精度偏光計測装置の開発
〇住原 花奈 1, 大久保 章 2, 岡野 真人 1, 稲場 肇 2,
渡邉 紳一 1
14:30
招 15p-C32-4 [ 講演奨励賞受賞記念講演 ]
〇澁谷 九輝 1,2, 南川 丈夫 1,2, 水谷 康弘 2,3, 安井 武
スキャンレスデュアルコム分光イメージング法の提案
史 1,2, 岩田 哲郎 1,2
15:00
1. 産総研 , 2.JST, ERATO 美濃島知的光シンセサイ
ザ
1. 東海大工 , 2. ユニオプト
1. 東海大工 , 2. ユニオプト
1. 産総研 , 2. ニコラス・コペルニクス大学
1. 農工大工
1. 徳島大院
1.Shizuoka Univ.
1. レーザー総研 , 2. 阪大レーザー研
1. 理研光量子
1. 有明高専　創造工
1. 首都大院シスデザ
1. 名大工 , 2. 東大工
1. 名大院工 , 2. 産総研 , 3. 東大工
1. 東大物性研
1. 東大物性研 , 2.JST-ERATO
1. 名大工 , 2. 積水メディカル ( 株 )
1. 電通大 , 2.JST,ERATO 美濃島知的光シンセサイ
ザ , 3. 日本学術振興会
1. 電通大 , 2.JST, ERATO 美濃島知的光シンセサイ
ザ
1. 産総研 , 2. コロラド大 , 3. 慶大 , 4. 横国大
1. 産総研 , 2.JST, ERATO 美濃島 IOS
1. 慶大理工 , 2. 産総研
1. 徳島大院 , 2.JST, ERATO 美濃島知的光シンセサ
イザ , 3. 阪大院工
3.9 テラヘルツ全般 / Terahertz technologies
14:45
15:00
15:15
15:30
15:45
16:00
16:15
16:45
17:00
15p-C32-8 共焦点レーザー走査型光コムの開発
休憩 /Break
招 15p-C32-9 [ 講演奨励賞受賞記念講演 ]
チャープした光コムのスペクトル干渉による瞬時 3 次元計測
手法
15p-C32-10 チャープした光コムのスペクトル干渉によるワンショット形状
計測手法の多点化
奨 15p-C32-11 デュアルコム分光法を用いたルビジウム原子の光 - 光二重共鳴
分光
奨 15p-C32-12 光格子時計比較の安定度向上に向けた全偏波保持・単一ポート
エルビウムファイバコムの開発および安定度評価
15p-C32-13 天体の視線速度観測用高分散分光器の波長校正用光周波数コム
の開発 II - 岡山天体物理観測所への設置とテスト観測 -
17:15
〇 Quang Duc Pham1, Yoshio Hayasaki1
1.Utsunomiya Univ.
〇 Tuan Cong Truong1, Tuan Quoc Banh1,2, Heui
Hyeon Kim1, Tatsutoshi Shioda1
〇増岡 孝 1,2, 小倉 隆志 1, 南川 丈夫 1,2, 中嶋 善晶 2,3,
山岡 禎久 4, 美濃島 薫 2,3, 安井 武史 1,2
〇長谷 栄治 1,2, 宮本 周治 1,2, 山本 裕紹 2,3, 安井 武
史 1,2, 南川 丈夫 1,2
1.Saitama Univ., 2.Sevensix Inc
〇加藤 峰士 1,2, 内田 めぐみ 1,2, 美濃島 薫 1,2
1. 電通大 , 2.JST, ERATO 美濃島知的光シンセサイ
ザ
1. 電通大 , 2.JST, ERATO 美濃島知的光シンセサイ
ザ
〇 (P) 西山 明子 , 佐々田 博之 , 中川 賢一 , 大 1. 電通大 , 2.JST, ERATO 美濃島知的光シンセサイ
苗 敦 2,5, 美濃島 薫 1,2
ザ , 3.JSPS, 4. 慶応大 , 5. 産総研
〇大前 宣昭 1,2,3, 久世 直也 4, Fermann Martin5, 香 1. 東大院工 , 2. 理研 , 3.JST-ERATO, 4.IMRA BRL,
取 秀俊 1,2,3
5.IMRA America
〇中村 圭佑 1,5, 大久保 章 1,5, シュラム マルテ 3,5, 山 1. 産総研 , 2. 横国大 , 3. 国立天文台 , 4. 電通大 ,
2,5
1
1,2,5
1,5
本 宏樹 , 石川 純 , 洪 鋒雷 , 大苗 敦 , 美濃島 5.JST, ERATO 美濃島知的光シンセサイザ
薫 1,4,5, 筒井 寛典 3,5, 神戸 栄治 3,5, 泉浦 秀行 3,5, 稲
場 肇 1,5
〇伊藤 功 1,2, Silva Alissa1,2, 中村 卓磨 1,2, 小林 洋平 1. 東大物性研 , 2.JST-ERATO
1,2,3
2,4
1
14a-B2-7 電子ビーム－グレーデッド・グレーティング相互作用によるエ 〇松井 龍之介 1,2, 大村 和輝 1
アリービーム状テラヘルツ電磁波放射
11:00
奨 14a-B2-8 高強度テラヘルツ電場による銀ナノ粒子の接合
〇 (M2) 原田 寛史 1, 高野 恵介 1, 吉村 政志 1, 中嶋
誠1
11:15
奨 14a-B2-9 抵抗接続金属メッシュのブロードバンドテラヘルツ応答
〇 (M2) 花井 研一郎 1, 原田 寛史 1, 高野 恵介 1, 吉
村 政志 1, 中嶋 誠 1
11:30
奨 14a-B2-10 テラヘルツ集光ビーム照射時に発生する金属メッシュデバイス 〇 (M2) 三代 裕太 1, 三橋 雄大 1, 藤村 拓也 1, 菜嶋
の Dip 構造
茂喜 1, 近藤 孝志 2, 神波 誠治 2, 鈴木 哲仁 3, 小川
雄一 3
11:45
14a-B2-11 テラヘルツ波時間領域分光法による三角形構造メタマテリアル 〇 (M1) 植松 成将 1
の透過特性に関する研究
9/14(Wed.) 13:15 - 18:15 口頭講演 (Oral Presentation) B2 会場
13:15
招 14p-B2-1 [ 講演奨励賞受賞記念講演 ]
〇栗原 貴之 1, 中嶋 誠 1, 末元 徹 2
巨視的磁気秩序の高強度テラヘルツ近接磁場によるコヒーレン
ト制御
13:30
14p-B2-2 糖類のテラヘルツ波吸収スペクトルシミュレーション
〇高羽 洋充 1, 佐々木 勇人 1, 金子 健太 1, 大橋 タケ
ル 2, 佐藤 裕 2, 高橋 克巳 2
13:45
14p-B2-3 メタンハイドレートのテラヘルツ分光測定
〇竹家 啓 1, 高橋 亮平 1, 川瀬 晃道 1
14:00
14p-B2-4 4x4 行列法を用いたテラヘルツ帯磁気光学エリプソメトリー法 〇長島 健 1, 達 紘平 2, 荒木 努 2
の開発
14:15
奨 14p-B2-5 高複屈折性を有する延伸ポリ乳酸膜の作製
〇 (B) 中村 円香 1, 岩崎 穂積 1, 小松原 望 1, 岡野 真
人 1, 森脇 淳仁 1, 佐藤 春実 2, 渡邉 紳一 1
14:30
14p-B2-6 テラヘルツ偏光計測装置による黒色フッ素ゴム内部異方性検査 〇岡野 真人 1, 渡邉 紳一 1
14:45
奨 14p-B2-7 可視光不透過エラストマーの内部異方性イメージング
〇 (B) 森脇 淳仁 1, 岡野 真人 1, 渡邉 紳一 1
15:00
14p-B2-8 テラヘルツ時間領域分光法における位相情報を用いた細胞計測 〇福田 浩章 1, 南 翼 2, 川瀬 晃道 2
15:15
14p-B2-9 ポリエステルフィルムにおけるテラヘルツ帯での吸収の異方性 〇小高 大祐 1, 大木 義路 1,2
15:30
E 14p-B2-10 Absorption saturation of inter-molecular vibrational bands of
〇 (P)Khumaeni Ali1,2, Kitahara Hideaki1, Gotoh
molecular crystal observed by intense THz pulse irradiation
Daiki1, Furuya Takashi1, Yamamoto Kohji1, Tani
Masahiko1
15:45
16:00
16:15
16:30
奨 14p-B2-11 THz 光ドレスト励起子を利用したサブサイクル光学変調
休憩 /Break
E 14p-B2-12 Enhanced thermal sensitivity of a microelectromechanical
bolometer by introducing preloaded strain in the beam
structure
奨 14p-B2-13 TDTR 法を用いたテラヘルツ検出用 GaAs MEMS 両持ち梁構
造の熱時定数の評価
1. 徳島大学 , 2.JST,ERATO 美濃島知的光シンセサ
イザ , 3. 宇都宮大学
〇内田 めぐみ 1,2, 加藤 峰士 1,2, 美濃島 薫 1,2
15p-C32-14 Yb ファイバー光コムによる低熱膨張セラミック光共振器安定
1,2
化 CW レーザーの長期絶対周波数測定
17:30
15p-C32-15 2 台のモードロックレーザの簡便な方法による繰返し周波数の 〇永原 哲彦 1
同期
17:45
奨 15p-C32-16 キャリア位相とエンベロープを用いた光コム干渉計の開発
〇牧野 智大 1,2, 宮野 皓貴 1,2, 中嶋 善晶 1,2, 美濃島
薫 1,2
3.9 テラヘルツ全般 / Terahertz technologies
9/14(Wed.) 9:00 - 12:00 口頭講演 (Oral Presentation) B2 会場
9:00
14a-B2-1 高平均出力周波数可変ピコ秒テラヘルツ光源
〇佐野 和貴 1, 矢野 貴義 1, 山崎 智仁 1, 宮本 克彦 1,2,
尾松 孝茂 1,2
9:15
14a-B2-2 テラヘルツ波発生用有機非線形光学結晶のレーザー耐性非破壊 〇矢野 貴義 1, 内田 裕久 2, 佐野 和貴 1, 山崎 智仁 1,
計測
宮本 克彦 1,3, 尾松 孝茂 1,3
9:30
奨 14a-B2-3【注目講演】LiNbO3 光導波路を用いたテラヘルツ・エバネッ 〇 (M2) 木村 優基 1, 多田 純 1, 水津 光司 1, 諸橋 功
2
セント波分光によるガスセンシング
, 小川 洋 2, 中島 慎也 2, 関根 徳彦 2, 寶迫 巌 2
9:45
14a-B2-4 スペクトルフィルタリングによるヘテロダイン電気光学サンプ 後藤 大輝 1, 加藤 博之 1, 安本 拓朗 1, 北原 英明 1,
リングの感度増強
山本 晃司 1, 古屋 岳 1, エスタシオ エルマー 2, バク
ノフ マイケル 3, 〇谷 正彦 1
10:00
14a-B2-5 回転電気光学結晶法によるテラヘルツ電場ベクトル時間波形の 〇 (D) 小口 研一 1, 岡野 真人 1, 渡邉 紳一 1
復元
10:15
14a-B2-6 近赤外 OPCPA 超短パルス光源を用いた広帯域テラヘルツ波発 〇向井 佑 1, 石井 順久 2, 金島 圭佑 2, 内田 裕久 3,
生
板谷 治郎 2, 田中 耕一郎 4
10:30
休憩 /Break
10:45
1. 徳島大 , 2.JST, ERATO, 3. 電通大 , 4. 佐賀大
1. 京都工繊大
1. 電通大 , 2.JST, ERATO 美濃島知的光シンセサイ
ザ
1. 千葉大院融合 , 2. 千葉大分子キラリティー研
1. 千葉大院融合 , 2. アークレイ , 3. 千葉大分子キ
ラリティー研
1. 千葉工大工 , 2.NICT
1. 福井大遠赤セ , 2. フィリピン大 , 3. ニジニノブ
ゴロド大
1. 慶大理工
1. 京大 iCeMS, 2. 東大物性研 , 3. アークレイ ( 株 ),
4. 京大理
1. 三重大院工 , 2. 三重大極限ナノエレ
1. 阪大レーザー研
1. 阪大レーザー研
1. 大市大院工 , 2. 株式会社村田製作所 , 3. 京大院
農
1. 東大工
1. 阪大レーザー研 , 2. 豊田理研
1. 工学院大先進工 , 2.IHI
1. 名大院工
1. 摂南大理工 , 2. 立命館大理工
1. 慶大理工 , 2. 神戸大発達科学
1. 慶大理工
1. 慶大理工
1.( 株 ) リコー , 2. 名大院工
1. 早大先進理工 , 2. 早大材研
1.Research Center for Development of FarInfrared Region, University of Fukui, 2.Department
of Physics, Diponegoro University, Semarang,
Indonesia
〇内田 健人 1,2, 乙部 智仁 3, 望月 敏光 4, 金 昌秀 5, 1. 京大 iCeMS, 2. 京大院理 , 3. 量子科学技術開発
吉田 正裕 5, 秋山 英文 5, Loren Pfeiffer6, Ken West6, 機構 , 4. 産総研 , 5. 東大物性研 , 6. プリンストン大 ,
田中 耕一郎 1,2, 廣理 英基 1,7
7.JST-PRESTO
〇 (PC)Ya Zhang1, Suguru Hosono1, Naomi Nagai1, 1.IIS, University of Tokyo, 2.INQIE, University of
Kazuhiko Hirakawa1,2
Tokyo
〇細野 優 1, 張 亜 1, メーア ジェレミー 1, 長井 奈緒 1. 東大生研 , 2. 東北大 WPI-AIMR, 3. 東大院工 ,
美 1, 肥後 昭男 2, 中野 義昭 3, 野村 政宏 1,4, 平川 一 4. 東大ナノ量子機構
彦 1,4
3 光・フォトニクス / Optics and Photonics
16:30
E 15p-C32-5 Spatial area shifting method for long depth object measurement
using optical frequency comb laser based interferometers
E 15p-C32-6 Development of discrete frequency scanning laser for
interferometry
15p-C32-7 ファイバー光コム型超音波センサーに関する基礎研究
3.9 テラヘルツ全般 / Terahertz technologies
3 光・フォトニクス / Optics and Photonics
16:45
14p-B2-14 光 -THz 信号直接変換素子の周波数応答の測定
17:00
奨 14p-B2-15
17:15
14p-B2-16
17:30
14p-B2-17
17:45
奨 14p-B2-18
18:00
14p-B2-19
9/16(Fri.) 9:00 - 12:30
9:00
16a-B2-1
9:15
16a-B2-2
9:30
奨 16a-B2-3
9:45
奨 16a-B2-4
10:00
16a-B2-5
10:15
10:30
16a-B2-6
〇山崎 理司 1, 雨宮 智宏 1,2, 古澤 健太郎 3, 原 紳介 1. 東工大工 , 2. 未来研 , 3. 情報通信研
, 渡邊 一世 3, 関根 徳彦 3, 西山 伸彦 1,2, 笠松 章史 3,
荒井 滋久 1,2
高電子移動度トランジスタによる THz 検出器における雑音特 〇 (M2) 渋谷 哲 1, 礒部 結希 1, 鈴木 左文 1
1. 東工大
性の観測
1
1
2
ホーンアンテナと共鳴トンネルダイオードを用いたテラヘルツ 〇落合 孝典 , 田切 孝夫 , 向井 俊和
1. パイオニア（株）, 2. ローム（株）
波受信ラインセンサー
テラヘルツ受信器用 GaAsSb バックワードダイオードの雑音特 〇高橋 剛 1,2, 佐藤 優 1,2, 芝 祥一 1, 中舍 安宏 1,2, 原 1. 富士通研 , 2. 富士通
性改善
直紀 1,2, 岩井 大介 1, 岡本 直哉 1, 渡部 慶二 1
位相同期回路による共鳴トンネルダイオードテラヘルツ発振器 〇荻野 康太 1, 鈴木 左文 1, 浅田 雅洋 1
1. 東工大
の周波数安定化
波長 920 nm 近傍のゲート光で動作する光伝導アンテナ素子の 〇北田 貴弘 1, 太田 寛人 1, 盧 翔孟 1, 熊谷 直人 1,
1. 徳島大院理工
作製
井須 俊郎 1
口頭講演 (Oral Presentation) B2 会場
テラヘルツ波を用いた非侵襲血糖値診断方法
〇 (M1C) 鳥居 輝明 1, 田邉 匡生 2, 小山 裕 1
1. 東北大工 , 2. 東北大　NICHC
微小開口型テラヘルツチップによる血糖値の微量測定
〇岡田 航介 1, 芹田 和則 1, 村上 博成 1, 川山 巌 1,
1. 大阪大
斗内 政吉 1
テラヘルツ波飛行時間測定法による鳥皮膚組織への化粧液浸透 〇有澤 翼 1, 森本 大我 1, 堺 健司 1, 紀和 利彦 1, 塚 1. 岡山大自然
評価
田 啓二 1
時間領域分光法によるテラヘルツ波用中空光ファイバの伝搬特 〇 (M2) 伊藤 公聖 1, 片桐 崇史 2, 松浦 祐司 1
1. 東北大医工 , 2. 東北大工
性解析とリモート分光への応用
超短パルスレーザー加工によるテラヘルツ帯反射防止構造の評 〇ベイ 鐘石 1, 竹内 真皓 1, 余 希 1, 伊藤 亮祐 1, 伊 1. 名工大物理
価
藤 圭介 1, 小野 晋吾 1
0.1THz 帯雑音源を用いたテラヘルツイメージング
〇ベイ 鐘石 1, 山浦 悠史 1, 兪 熊斌 1, 莅戸 立夫 2
1. 名工大物理 , 2. 富山大
休憩 /Break
10:45
16a-B2-7 THz ボディスキャナによる物質識別のパッシブ測定とアク
ティブ測定の性能比較
11:00
16a-B2-8 サブテラヘルツ波による煙霧環境のアクティブイメージングに
おける煙の温度上昇の影響
11:15
16a-B2-9 動的 THz ガス分光とマルチピークフィッティングを用いた煙
混在ガスの定量分析
11:30
16a-B2-10 ２波長モード同期ファイバーレーザーを用いたデュアル THz
コム参照型 THz 絶対周波数計測
11:45
16a-B2-11 光ファイバ経由で伝送されたテラヘルツ基準信号による周波数
校正
12:00
奨 16a-B2-12 光熱起電力を用いたテラヘルツ帯検出器の熱解析及びイメージ
ング応用
12:15
16a-B2-13 単層カーボンナノチューブフィルムを用いたテラヘルツ波検出
器における熱電効果の向上
9/16(Fri.) 13:30 - 15:30 ポスター講演 (Poster Presentation) P1 会場
16p-P1-1 ダイポールアレイアンテナを集積した共鳴トンネルダイオード
テラヘルツ発振器の提案と作製およびそのアレイ動作
16p-P1-2 GaSb 系 THz-QCL におけるバレー間散乱の影響
16p-P1-3 テラヘルツ時間領域分光法における光源振幅ジッターの影響
3
〇廣本 宣久 1, 森 孝二 2
1. 静岡大創造院 , 2. 静岡大電研
〇清水 直文 1, 沖永 誠治 2, 松山 賢 2
1.NTT 先デ研 , 2. 東理大　火災科学研究センター
謝 宜達 1,2, 中村 翔太 1, 南川 丈夫 1,2, フランシス ヒ
ンデル 3, 〇安井 武史 1,2
〇水口 達也 1,2, 胡 国 庆3, 南川 丈夫 1,2, 郑 铮3, 安井
武史 1,2
〇熊谷 基弘 1, 長野 重夫 1, 入交 芳久 1, 花土 ゆう子
1
, 寶迫 巌 1
〇 (DC) 鈴木 大地 1,2, 小田 俊理 1, 河野 行雄 1
1. 徳大理工 , 2.JST,ERATO 美濃島知的光シンセサ
イザ , 3. リトラル・コート・ド・パール大学
1. 徳大理工 , 2.JST,ERATO 美濃島知的光シンセサ
イザ , 3. 北京航空航天大学
1. 情通機構
〇落合 雄輝 , 鈴木 大地 , 小田 俊理 , 河野 行雄
1. 東工大，未来研，工学院，電気電子系
1
1
1
1
〇笠木 浩平 1, 福間 慎太郎 1, 鈴木 左文 1, 浅田 雅洋 1. 東工大
1
〇安田 浩朗 1
1. 情報通信研究機構
〇 (M2) 北川 直昭 1, 松山 哲也 1, 和田 健司 1
1. 阪府大院工
16p-P1-4 レーザータイミングジッタを用いた高速テラヘルツ時間領域分 〇古屋 岳 1, 北原 英明 1, 山本 晃司 1, 谷 正彦 1
光装置の開発
16p-P1-5 DAST を用いたテラヘルツ波のヘテロダイン電気光学サンプリ 〇北原 英明 1, 安本 拓朗 1, 山本 晃司 1, 古屋 岳 1,
ング
野竹 孝志 2, 南出 泰亜 2, バクノフ ミハイエル 3, 谷
正彦 1
16p-P1-6 広帯域 THz 波光源実現に向けた有機非線形結晶 HMQ 類縁体 〇秋葉 拓也 1, 澁谷 孝幸 1, 矢野 貴義 2, 佐野 和貴 2,
の評価
山崎 智仁 2, Fabian Rotermund3, O-Pil Kwon3, 宮本
克彦 2, 尾松 孝茂 2
16p-P1-7 直交偏波励起テラヘルツ波表面発生の検証
〇橋野 風 1, 水津 光司 1, 諸橋 功 2, 小川 洋 2, 中島
慎也 2, 関根 徳彦 2, 寳迫 巌 2, Yuri H Avetisyan3
16p-P1-8 変調器型光コム発生器を用いた 100GHz 帯フリーランニング 〇桐ヶ谷 茉夕 1, 諸橋 功 2, 金子 優太 1, 片山 郁文
1
信号の検出
, 入交 芳久 2, 坂本 高秀 2, 関根 徳彦 2, 笠松 章史 2,
寳迫 厳 2
16p-P1-9 積層型メタルスリットアレイの光学共鳴モードの交差特性
〇坂口 浩一郎 1, 山口 祐生 1, 高野 恵介 2, 福嶋 丈浩
1
, 中嶋 誠 2, 徳田 安紀 1
16p-P1-10 マルチサイクル THz 波パルスの強度変調の起源について
〇浜崎 淳一 1, 小川 洋 1, 関根 徳彦 1, 笠松 章史 1,
管野 敦史 1, 山本 直克 1, 寶迫 巌 1
16p-P1-11 3D プリンターを用いたテラヘルツ領域の波長板の作成
〇坂田 諒一 1, 的場 みづほ 1, 有川 敬 1, 田中 耕一郎
1,2
奨 16p-P1-12 スペーサーを用いた二重ワイヤーグリッド偏光子の作製と評価 〇上田 誠矢 1, 鎌森 隆明 1, 菜嶋 茂喜 1
16p-P1-13 10 を越える高屈折率・低反射な 0.3THz 帯テラヘルツメタマテ
リアル
16p-P1-14 金属 V 溝構造におけるテラヘルツ波の超集束：動径方程式の
近似解析解
奨 16p-P1-15 ウィスパリングギャラリーモード共振器を用いたテラヘルツ波
増大の検討
16p-P1-16 テラヘルツ波時間領域分光法におけるメタマテリアルを用いた
ビタミン水溶液の測定テラヘルツ波時間領域分光法におけるメ
タマテリアルを用いたビタミン水溶液の測定
16p-P1-17 Sub-THz 電磁波集光の誘電体アパーチャによる評価と超収束
用の金属構造の設計
16p-P1-18 全反射減衰分光および数値計算による汗腺のテラヘルツ帯電磁
波応答の解析
16p-P1-19 サブテラヘルツジャイロトロン照射による発光現象の観測
1. 東工大　未来研 , 2. 学振 DC
1. 福井大・遠赤セ
1. 福井大遠赤センター , 2. 理化学研究所 , 3. ニジ
ニーノブゴロド大
1. 都産技研 , 2. 千葉大院融合 , 3. 亜州大学校
1. 千葉工大工 , 2.NICT, 3.Yerevan State Univ
1. 横国大工 , 2. 情報通信研究機構
1. 岡山県立大情報工 , 2. 阪大レーザ研
1. 情通機構
1. 京大院理 , 2. 京大物質―細胞統合システム拠点
1. 大市大院工
〇鈴木 健仁 1, 石原 功基 1
1. 茨城大院理工
〇栗原 一嘉 1, 草間 究 1, 山本 晃司 2, 桑島 史欣 3,
森川 治 4, 谷 正彦 2
〇中川 慶一 1, 村岡 勇宜 1, 菜嶋 茂喜 1
1. 福井大教育 , 2. 福井大遠赤セ , 3. 福井工大 , 4. 海
保大
1. 大市大院工
〇 (M2) 遠藤 寿晃 1, 田畑 仁 1
1. 東大工
〇森川 治 1, 山本 晃司 2, 栗原 一嘉 2, 桒島 史欣 3,
谷 正彦 2
〇長嶋 一樹 1, 水津 光司 1
1. 海保大 , 2. 福井大 , 3. 福井工大
〇 (P) 加藤 康作 1, 邱 紅松 1, Khutoryan Eduard M.2,
立松 芳典 2, 谷 正彦 2, 出原 敏孝 2, Empizo Melvin J.
F.1, 山ノ井 航平 1, 清水 俊彦 1, 高野 恵介 1, 猿倉 信
彦 1, 福田 承生 3, 吉村 政志 1, 中嶋 誠 1
16p-P1-20 Cu2ZnSnS4 系太陽電池材料のテラヘルツ吸収スペクトルの評価 〇安田 新 1, 森谷 克彦 1, 田中 久仁彦 2, 粟飯原 直也
2
, 佐々木 哲朗 3
16p-P1-21 テラヘルツ波によるポリマー碍子内部欠陥診断
〇李 大治 1, 本越 伸二 1
1. 千葉工大工
1. 阪大レーザー研 , 2. 福井大遠赤センター , 3. 福
田結晶
1. 鶴岡高専創造工 , 2. 長岡技科大 , 3. 静大電研
1. レーザー総研
3.10 光量子物理・技術 / Optical quantum physics and technologies
3.10 光量子物理・技術 / Optical quantum physics and technologies
9/13(Tue.) 13:45 - 17:00 口頭講演 (Oral Presentation) B2 会場
13:45
13p-B2-1 利得変調した分布帰還型半導体レーザーの時間ジッター抑制
13p-B2-2
14:15
13p-B2-3
14:30
13p-B2-4
14:45
13p-B2-5
15:00
13p-B2-6
15:15
15:30
15:45
13p-B2-7 損失媒質中を伝搬する光波の量子力学的取扱い
13p-B2-8 周波数領域マッハツェンダー干渉計を用いた光干渉実験
16:00
奨 13p-B2-9
16:15
16:30
16:45
13p-B2-10
13p-B2-11
13p-B2-12
〇井上 恭 1
〇 (M2) 山崎 大輔 1, 小林 俊輝 1, 松木 賢一郎 1, 生
田 力三 1, 山本 俊 1, 小芦 雅斗 2, 井元 信之 1
高次元 Time-bin 量子もつれに対する量子状態トモグラフィの 〇生田 拓也 1, 武居 弘樹 1
実装
全光ファイバ系による低損失単一光子バッファ
〇 (D) 多田 彬子 1, 行方 直人 1, 井上 修一郎 1
位相非同期 MDI-DPS-QKD のシステム性能
〇山本 利龍 1, 井上 恭 1
可変形鏡による補償光学を用いた量子認証
〇大矢 正人 1, 行方 直人 1, 西川 淳 2,3,4, 井上 修一郎
9/15(Thu.) 9:30 - 11:30 ポスター講演 (Poster Presentation) P4 会場
15a-P4-1 10 GHz クロック縮退光パラメトリック発振器
15a-P4-2 カスケード SFG/SPDC 法を用いた通信波長帯 WDM time-bin
量子もつれ光発生
3.11 フォトニック構造・現象 / Photonic structures and phenomena
9/14(Wed.) 16:00 - 18:00 ポスター講演 (Poster Presentation) P14 会場
14p-P14-1 フォノンを介した縮退四光波混合によるナノ共振モードのスク
イージング
14p-P14-2 フォトニック結晶を導入した超薄膜単結晶シリコン太陽電池の
検討 (III)
14p-P14-3 プラズモニック・メタマテリアル用銀薄膜の光学特性
1
17:15
17:30
17:45
18:00
18:15
18:30
18:45
1. 福井工大 , 2. 福井大遠赤セ , 3. 福井大教育 , 4. 海
保大 , 5. 摂南大 , 6. 阪大レーザー研
1. 京大院工 , 2. 物材機構
1. 京大院工 , 2. 物材機構
1. 阪大基礎工 , 2. 情通機構 , 3. 東大工
1. 阪大工
1. 阪大基礎工 , 2. 東大工
1.NTT 物性研
1. 日大量科研
1. 阪大工
1. 日大量化研 , 2. 国立天文台 , 3. 総研大 , 4. アスト
ロバイオロジーセンター
1.NTT 物性研
〇荒平 慎 1, 村井 仁 1, 佐々木 浩紀 1
1. 沖電気
〇乾 善貴 1, 浅野 卓 1, 野田 進 1
1. 京大院工
〇 (P) 田 昇愚 1, 石崎 賢司 1, 田中 良典 1, 野田 進 1 1. 京大院工
1. 東北工大工 , 2. サウサンプトン大学
1. 京大院工 , 2. 学振特別研究員
1. 浜松ホトニクス , 2. 京大院工
1. 京大院工 , 2. 京大白眉 , 3. 三菱電機先端総研
1.NTT ナノフォトニクスセンタ , 2.NTT 物性科学
基礎研究所
1. 京大院工 , 2. 大阪ガス , 3. 京大白眉
1. 京大院工 , 2. 学振特別研究員 DC, 3. 成均館大
1.NTT ﾅﾉﾌｫﾄﾆｸｽｾﾝﾀ , 2.NTT 物性基礎研
〇新家 昭彦 1,2, 石原 亨 3, 井上 弘士 4, 野崎 謙悟 1,2, 1.NTT ナノフォトセンタ , 2.NTT 物性基礎研 , 3. 京
納富 雅也 1,2
都大学 , 4. 九州大学
9/15(Thu.) 15:45 - 19:00 口頭講演 (Oral Presentation) B4 会場
15:45
15p-B4-9 表面にフォトニック結晶構造を有する µc-Si 太陽電池 －変換効 〇石崎 賢司 1, 元平 暉人 1, 田中 良典 1, 長谷川 創 1,
率向上に向けた膜構造・フォトニック結晶構造の検討－
野田 進 1
16:00
15p-B4-10 金属―誘電体積層構造を用いた高温用太陽光選択吸収材料
〇清水 信 1, 阿久津 宏樹 1, 津田 慎一郎 1, 井口 史匡
1
, 湯上 浩雄 1
16:15
奨 15p-B4-11 Si フォトニック結晶熱輻射光源を用いた熱光発電の性能検討 〇末光 真大 2, 堤 達紀 1, 浅野 卓 1, De Zoysa
Menaka1,3, 野田 進 1
16:30
15p-B4-12 熱輸送効率向上による太陽熱光起電力発電システムの高効率化 〇小桧山 朝華 1, 清水 信 1, 湯上 浩雄 1
16:45
E 15p-B4-13 Metasurface-based three dimensional sky radiator and auxiliary 〇 (DC)Tianji Liu1, Hideaki Hatada1, Junichi
heat mirror
Takahara1,2
17:00
1. 新潟工大 , 2. 早大理工 , 3. 東理大理工
〇武居 弘樹 1, 稲垣 卓弘 1
〇 (M2) 小岩 匡 1, Fedotov Vassili. A2, Ou Jun-Yu2,
内野 俊 1
14p-P14-4 光ナノ共振器間の結合強度の動的制御 ―電気的制御の導入― 〇 (D) 鴻池 遼太郎 1,2, 仲代 匡弘 1, 田中 良典 1, 浅
野 卓 1, 野田 進 1
14p-P14-5 三角形ダブルホール格子点をもつフォトニック結晶レーザの作 〇渡邉 明佳 1, 廣瀬 和義 1, 杉山 貴浩 1, 北川 均 2,
製（Ⅳ）
野田 進 2
14p-P14-6 フォトニック結晶レーザにおける面内引き込み現象に関する検 〇小林 大河 1, De Zoysa Menaka1,2, 吉田 昌宏 1, 河
討(Ⅱ)
崎 正人 3, 北川 均 1, 初田 蘭子 1, 石崎 賢司 1, 田中
良典 1, 野田 進 1
14p-P14-7 金属表面に配置した通信波長帯 InAs/InP マイクロワイヤレー 〇滝口 雅人 1,2, 章 国強 1,2, 小野 真証 1,2, 北 翔太 1,2,
ザの室温動作評価
サージェント シルバン 1,2, ジョン カレブ 2, 舘野 功
太 1,2, 横尾 篤 1,2, 納富 雅也 1,2
14p-P14-8 Si ロッド型熱輻射光源への透明酸化物コーティングによる耐 〇堤 達紀 1, 末光 真大 2, 浅野 卓 1, De Zoysa
熱性向上
Menaka1,3, 野田 進 1
奨 14p-P14-9 高 Q 値 SiC フォトニック結晶ナノ共振器における第二高調波 〇山口 祐樹 1,2, 田 昇愚 1, 宋 奉植 3, 浅野 卓 1, 野田
発生 (2)
進1
14p-P14-10 シリコン細線導波路にドープしたベリリウム等電子中心
〇角倉 久史 1,2, 倉持 栄一 1,2, 納富 雅也 1,2
14p-P14-11 光パスゲート論理に基づく光演算回路 (II)
1. 阪府大院工
15p-B4-14 GaN/AlGaN 量子井戸 · フォトニック結晶熱輻射光源の開発 (2) 〇 (D)Kang Daniel Dongyeon1, 井上 卓也 1,2, 浅野
―低屈折率基板を利用した大面積化の検討―
卓 1, 野田 進 1
休憩 /Break
1. 京大院工
1. 東北大院工
1. 京大院工 , 2. 大阪ガス , 3. 京大白眉
1. 東北大院工
1.Graduate School of Eng., Osaka Univ.,
2.Photonics Advanced Research Center, Osaka
Univ.
1. 京大院工 , 2. 学振特別研究員 PD
15p-B4-15 フォトニック結晶レーザの大面積化のための格子点構造の設計 〇中川 翔太 1, 田中 良典 1, 北川 均 1, 野田 進 1
1. 京大院工
(Ⅱ)
奨 15p-B4-16 円形ダブルホールフォトニック結晶レーザの作製
〇吉田 昌宏 1, De Zoysa Menaka1,2, 河﨑 正人 3, 初 1. 京大院工 , 2. 京大白眉 , 3. 三菱電機先端総研
田 蘭子 1, 田中 良典 1, 野田 進 1
15p-B4-17 半導体－空気周期ブラッグ反射膜を有するナノワイヤ共振器構 〇館林 潤 1, 岩本 敏 1,2, 荒川 泰彦 1,2
1. 東大ナノ量子機構 , 2. 東大生研
造の検討
奨 15p-B4-18 フォトニック結晶レーザの表面加工による光渦ビームの生成と 〇 (M1) 北澤 美紀 1, 北村 恭子 1,2, 野田 進 2
1. 京都工芸繊維大学 , 2. 京都大学
その特性評価
E 15p-B4-19 Fabrication and Optical Properties of ZnO-nanowire-induced
〇 Sylvain SERGENT1,2, Masato Takiguchi1,2,
1.NTT NPC, 2.NTT BRL, 3.NTT DTL
nanocavities in grooved SiN photonic crystals
Atsushi Yokoo1,2, Hideaki Taniyama1,2, Akihiko
Shinya1,2, Eichi Kuramochi1,2, Tai Tsuchizawa1,3,
Tetsuya Akasaka2, Masaya Notomi1,2
15p-B4-20 フォトニック結晶レーザの面内回折効果と閾値利得差について 〇田中 良典 1, 中川 翔太 1, 野田 進 1
1. 京大院工
の考察
3 光・フォトニクス / Optics and Photonics
14:00
〇 (M1) 水谷 亮一 1, 北川 直昭 1, 松山 哲也 1, 和田
健司 1
疑似ランダム信号印加半導体レーザーカオスの軌道不安定性の 〇海老澤 賢史 1,2, 石成 迪人 3, 前田 譲治 3, 小松 進
向上と抑制
一2
レーザーカオスと金属 V 溝導波路による高効率 THz 分光ｼｽﾃﾑ 〇桑島 史欣 1, 白尾 拓也 1, 赤峰 勇佑 1, 岩尾 憲幸
1
, 大井 真夏 1, 坂上 直哉 1, 白崎 拓郎 1, 合田 汐里 1,
谷 正彦 2, 栗原 一嘉 3, 山本 晃司 2, 森川 治 4, 長島
健 5, 中嶋 誠 6
非同軸発生させた周波数もつれ光子対による和周波光子発生 〇菅野 駿太 1, 岡本 亮 1, 出口 樹 1, 岡野 真之 1,
Hwan Hong Lim2, 栗村 直 2, 竹内 繁樹 1
スラブ導波路型擬似位相整合素子による光子対発生
〇 (M2) 末澤 舜 1, 岡本 亮 1, 岡野 真之 1, Hwan
Hong Lim2, 栗村 直 2, 竹内 繁樹 1
時間分解測定による GHZ 状態の生成実験
〇 (M2) 岩崎 延雄 1, 逵本 吉朗 1, 田中 元基 1, 生田
力三 1, 三木 茂人 2, 山下 太郎 2, 寺井 弘高 2, 山本
俊 1, 小芦 雅斗 3, 井元 信之 1
休憩 /Break
CS.5 3.11 フォトニック構造・現象，13.7 ナノ構造・量⼦現象のコードシェアセッション / 3.11&13.7 Code-sharing session
9/16(Fri.) 9:00 - 12:45
口頭講演 (Oral Presentation) B4 会場
9:00
招 16a-B4-1【3．光・フォトニクス 分科内招待講演】
フォトニック結晶ディスクレンズ
9:30
16a-B4-2 多モード干渉型フォトニック結晶導波路レンズ
9:45
10:00
〇川嶋 貴之 1, 居城 俊和 1, 川上 彰二郎 2
1. フォトニックラティス , 2. 仙台応情研
〇居城 俊和 1, 川嶋 貴之 1, 川上 彰二郎 2
1.( 株 ) フォトニックラティス , 2.( 公財 ) 仙台応情
研
16a-B4-3 ボトル型微小光共振器を用いた 3 次高調波発生の観測
〇小守 匠一 , 浅野 元紀 , Ozdemir Sahin , 生田 力 1. 阪大基礎工 , 2. ワシントン大
三 1, Yang Lan2, 井元 信之 1, 山本 俊 1
奨 16a-B4-4 ボトル型微小光共振器における機械振動子モードの高 fQ 積の 〇浅野 元紀 1, Chen Weijian2, Ozdemir Sahin
1. 阪大基礎工 , 2. ワシントン大
実現
Kaya2, 生田 力三 1, Yang Lan2, 井元 信之 1, 山本 俊
1
1
2
1
10:15
3 光・フォトニクス / Optics and Photonics
10:30
10:45
奨 16a-B4-5 1310/1550nm 波長帯で動作する高 Q 値ナノ共振器の 1 チップ 〇 (M1) 桑原 充輝 1, 高橋 和 1, 野田 進 2
集積
16a-B4-6【注目講演】高効率ビーム偏向メタ表面のコヒーレント制御
〇北 翔太 1,2, 高田 健太 1,2, 小野 真証 1,2, 野崎 謙悟
1,2
, 倉持 栄一 1,2, 武田 浩司 1,3, 納富 雅也 1,2
休憩 /Break
11:00
16a-B4-7 結合 L2 ナノ共振器による大規模フォトニック結晶リングメタ 〇倉持 栄一 1,2, 新家 昭彦 1,2, 野崎 謙悟 1,2, 高田 健
共振器
太 1,2, 納富 雅也 1,2
11:15
16a-B4-8 低屈折率媒質埋め込み型高 Q 値ダブルスロット光ナノ共振器 〇 (M1) 仲代 匡宏 1, 鴻池 遼太郎 1,2, 田中 良典 1, 浅
の作製
野 卓 1, 野田 進 1
11:30
16a-B4-9 相転移薄膜材料を用いたナノ共振器の形成と制御の検討
〇千葉 永 1,2, 納富 雅也 1,2,3
11:45
16a-B4-10 順バイアス電圧下で 40-Gbit/s 応答可能なフォトニック結晶導 〇野崎 謙悟 1,2, 松尾 慎治 1,3, 藤井 拓郎 1,3, 武田 浩
波路型受光器
司 1,3, 新家 昭彦 1,2, 倉持 栄一 1,2, 納富 雅也 1,2
12:00
16a-B4-11 マイクロリング可変遅延線の連続遅延走査を用いたオンチップ 〇板垣 健佑 1, 衣笠 駿 1, 馬場 俊彦 1
光相関計
12:15
16a-B4-12 二光子吸収フォトダイオードアレイを用いた光相関計 (II) --- 〇近藤 圭祐 1, 馬場 俊彦 1
実験的実証
12:30
16a-B4-13 量子ドットを含む直列ヘテロ接合型フォトニック結晶導波路に 〇 (M2) 内田 翔 1, 尾崎 信彦 1, 小田 久哉 2, 池田 直
おける多波長発光増強と光伝搬特性の評価
樹 3, 杉本 喜正 3
CS.5 3.11 フォトニック構造・現象，13.7 ナノ構造・量⼦現象のコードシェアセッション / 3.11&13.7 Code-sharing session
9/15(Thu.) 9:00 - 12:15 口頭講演 (Oral Presentation) B4 会場
9:00
15a-B4-1 Er3+ 超微細構造準位の観測
〇俵 毅彦 1,2, Giacomo Mariani1, 清水 薫 1, 尾身 博
雄 1,2, 足立 智 3, 後藤 秀樹 1
9:15
15a-B4-2 フォトニック結晶ナノ共振器縮退モードを用いた量子ドットか 〇岩本 敏 1,2, 太田 泰友 2, 荒川 泰彦 1,2
らの光軌道角運動量の生成
9:30
15a-B4-3 発光源と光導波路が集積された三次元フォトニック結晶の作製 〇田尻 武義 1, 高橋 駿 2, 太田 泰友 2, 渡邉 克之 2,
と光学特性評価
岩本 敏 2,1, 荒川 泰彦 2,1
9:45
15a-B4-4 一次元フォノニック結晶における弾性波のトポロジカル境界状 〇金 仁基 1, 岩本 敏 1,2, 荒川 泰彦 1,2
態
10:00
15a-B4-5 二次元 PT 対称性構造における光伝搬特性の解析
〇谷山 秀昭 1,2, 高田 健太 1,2, 納富 雅也 1,2
10:15
15a-B4-6 グラフェンを装荷したディープサブ波長プラズモニック導波路 〇小野 真証 1,2, 常川 雅人 2,3, 角倉 久史 1,2, 倉持 栄
の作製
一 1,2, 谷山 秀昭 1,2, 納富 雅也 1,2,3
10:30
E 15a-B4-7 Optomechnical actuator driven and probed by mechanically〇 Feng Tian1,2, Hisashi Sumikura1,2, Eiichi
linked optical nanocavities
Kuramochi1,2, Hideaki Taniyama1,2, Masato
Takiguchi1,2, Masaya Notomi1,2
10:45
奨 15a-B4-8 結合機械振動子における複数モードの同時フィードバック制御 〇太田 竜一 1, 岡本 創 1, 山口 浩司 1
11:00
15a-B4-9 ３つの SiN 機械共振器のパラメトリック強結合
〇岡本 創 1, シリング ライアン 2, シュッツ ヘンド
リック 2, スドゥヒア ヴィヴィシェク 2, ウィルソン
ダルツィエル 2, キッペンベルグ トビアス 2, 山口
浩司 1
11:15
奨 15a-B4-10 3 次元フォトニック結晶におけるギャップ中減衰モードの考察 〇 (DC) 権平 皓 1,2, 石﨑 賢司 1, 北野 圭輔 1,2, 浅野
卓 1, 野田 進 1
11:30
15a-B4-11 近接場熱輻射伝達による狭帯域熱輻射増強
〇井上 卓也 1,2, 浅野 卓 1, 野田 進 1
11:45
15a-B4-12 量子井戸のサブバンド間遷移とフォトニック結晶共振器の強結 〇井上 卓也 1,2, 浅野 卓 1, Faist Jerome3, 野田 進 1
合系の熱輻射特性
12:00
15a-B4-13 熱光子によりポンプされたナノ共振器ラマン系の数値解析
〇乾 善貴 1, 浅野 卓 1, 高橋 和 2, 野田 進 1
9/15(Thu.) 13:45 - 15:45 口頭講演 (Oral Presentation) B4 会場
13:45
15p-B4-1 DBR 上ナノワイヤ量子ドットレーザにおける閾値特性の向上 〇館林 潤 1, 太田 泰友 1, 岩本 敏 1,2, 荒川 泰彦 1,2
14:00
15p-B4-2 ナノ共振器シリコンラマンレーザの時間領域測定（Ⅱ）
〇山下 大喜 1, 高橋 和 1, 浅野 卓 2, 野田 進 2
14:15
15p-B4-3 単一 GaAs 液滴量子ドットの磁気発光測定
〇鍜治 怜奈 1, 冨永 隆宏 1, 間野 高明 2, 小田島 聡 3,
黒田 隆 2, 笹倉 弘理 1, 足立 智 1
14:30
奨 15p-B4-4 チャープパルスを用いた量子ドット集合体のポピュレーション 〇青沼 直登 1, 佐藤 嘉高 1, 赤羽 浩一 2, 早瀬 潤子 1
反転実験
14:45
15p-B4-5 量子ドットもつれ光子源の安定性について
〇黒田 隆 1, 間野 高明 1, ハ ヌル 1, 劉 祥明 1, 佐久
間 芳樹 1, 迫田 和彰 1
15:00
E 15p-B4-6 Entangled photon emitting diode based on GaAs droplet
〇 (P)Neul Ha1, Takaaki Mano1, Yoshiki Sakuma1,
quantum dots
Kazuaki Sakoda1, Takashi Kuroda1
15:15
15p-B4-7 量子ドット - 結合共振器系におけるもつれ二光子 N00N 状態生 〇上出 健仁 1, 太田 泰友 1, 岩本 敏 1,2, 荒川 泰彦 1,2
成の理論
15:30
15p-B4-8 量子ドット励起子分子 - ナノ共振器系における Feshbach 共鳴 〇太田 泰友 1, 上出 健仁 1, 岩本 敏 1,2, 荒川 泰彦 1,2
を用いた光子 - 光子相関制御の検討
3.12 ナノ領域光科学 ･ 近接場光学 / Nanoscale optical science and near-field optics
9/15(Thu.) 9:30 - 11:30 ポスター講演 (Poster Presentation) P5 会場
15a-P5-1 四量体 プラズモニック結晶による四重極子場の形成
〇菅原 翔太郎 1, 酒井 恭輔 1, 大村 竜矢 1, 笹木 敬司
1
15a-P5-2 チタン窒化物ナノ構造による表面増強ラマン散乱特性の検討
15a-P5-3 ダイアフラム構造を用いた紫光励起プラズモンの動的制御
15a-P5-4 アパーチャーレス走査型近接場光学顕微鏡における円偏光変調
法の検討
15a-P5-5 エレクトロスプレーで生成した液晶ドロップレットの相転移の
観測
15a-P5-6 液晶 / 水界面におけるローダミン分子の光移動
15a-P5-7 近接場光局所励起・観察によるキャリア輸送現象の解明
1. 大阪府大院工 , 2. 京大院工
1.NTT ナノフォトニクスセンタ , 2.NTT 物性研 ,
3.NTT 先デ研
1. ＮＴＴ ＮＰＣ , 2. ＮＴＴ物性基礎研
1. 京大院工 , 2. 学振特別研究員
1.NTT 物性研 , 2. 東工大院理工 , 3.NTT NPC
1.NTT NPC, 2.NTT 物性研 , 3.NTT 先デ研
1. 横国大工・院工
1. 横国大院工
1. 和歌山大シス工 , 2. 千歳科技大 , 3. 物材機構
1.NTT 物性基礎研 , 2.NTT ナノフォトニクスセン
タ , 3. 北大院工
1. 東大生研 , 2. 東大ナノ量子機構
1. 東大生研 , 2. ナノ量子機構
1. 東大生研 , 2. 東大ナノ量子機構
1.NTT 物性研 , 2.NTT NPC
1.NTT ナノフォトニクスセンタ , 2.NTT 物性科学
基礎研 , 3. 東工大院理工
1.NTT NPC, 2.NTT BRL
1.NTT 物性研
1.NTT 物性基礎研 , 2. スイス連邦工科大学ローザ
ンヌ校
1. 京大院工 , 2. 学振研究員
1. 京大院工 , 2. 学振特別研究員 PD
1. 京大院工 , 2. 学振特別研究員 PD, 3.ETH Zurich
1. 京大院工 , 2. 阪府大院
1. 東大ナノ量子機構 , 2. 東大生研
1. 大阪府大院工 , 2. 京大院工
1. 北大院工 , 2. 物材機構 , 3. 八戸工大
1. 慶應大 , 2. 情報通信研究機構
1. 物材機構
1.NIMS
1. 東大ナノ量子機構 , 2. 東大生研
1. 東大ナノ量子 , 2. 東大生研
1. 北大電子研
〇江本 智 1, 平井 悠司 1, 松尾 保孝 2, 三友 秀之 2,
新倉 謙一 2, 居城 邦治 2
〇遅澤 伸宏 1, 佐藤 七海 2, 西山 宏昭 1
1. 千歳科技大 , 2. 北大電子研
〇横山 太一 1, 馬場 勇至 1, 石橋 隆幸 1
1. 長岡技大
1. 山形大院理工 , 2. 山形大工
〇 (M1) 田邉 侑大 1, 川上 貴浩 1, 岡 寿樹 1, 新保 一 1. 新潟大
成 1, 大平 泰生 1
〇 (M1) 厚谷 康洋 1, 川上 貴浩 1, 新保 一成 1, 大平 1. 新潟大
泰生 1
〇岩本 亘平 1, 酒井 優 1, 石川 陽 1, 堀 裕和 1, 岸野 1. 山梨大院工 , 2. 上智大理工
克巳 2, 小林 潔 1
3.12 ナノ領域光科学 ･ 近接場光学 / Nanoscale optical science and near-field optics
15a-P5-8 上下プローブ SNOM を用いたフォトクロミック結晶中の経路 〇中込 亮 1, 堀 裕和 1, 内山 和治 1, 久保田 悟 1
探索機能の観測
15a-P5-9 薄膜光導波路付シリコンカンチレバーによる 2 波長近接場計測 〇張 開鋒 1, 立崎 武弘 2, 山川 市朗 1, 谷口 伸一 1
15a-P5-10 一次元金属回折格子を用いた表面プラズモンセンサーの周期及
び入射角度依存性
15a-P5-11 単結晶グラフェンで保護したスパッタ銀薄膜の表面増強ラマン
散乱
15a-P5-12 表面増強ラマン分光法によるびらん剤の高感度検出
15a-P5-13
15a-P5-14
14:15
14:30
15p-B12-3
15p-B12-4
14:45
15p-B12-5
15:00
15:15
15p-B12-6
15:30
15:45
16:00
16:15
15p-B12-7
15p-B12-8
15p-B12-9
15p-B12-10
16:30
16:45
17:00
17:15
17:30
17:45
18:00
18:15
〇伊藤 民武 1, 山本 裕子 2,3, 瀬戸 康雄 4, 大類 保彦 4,
名児耶 友樹 4, 今井 裕一 5, 福岡 隆夫 5
三次元分散したスプリットリングからなる光メタマテリアルの 〇岩切 一彦 1, 谷川 紘太 1, 岡本 敏弘 1, 原口 雅宣 1
作製
サブ波長構造中の固有モード波数分散関係を用いた屈折率検出 〇高島 祐介 1,2, 原口 雅宣 1, 直井 美貴 1
の高感度化
口頭講演 (Oral Presentation) B12 会場
単一プラズモニックナノプリズムによる 3 方向光散乱制御
〇田中 嘉人 1,2, 志村 努 1
局在表面プラズモン共鳴における金ナノ三角柱の偏光分解第二 〇余語 宏文 1, 二橋 俊介 1, 小野 篤史 1, 川田 善正 1,
高調波分光
杉田 篤史 1
一次元・二次元金ナノロッド配列系の第二高調波発生
〇二橋 俊介 1, 小野 篤史 1, 川田 善正 1, 杉田 篤史 1
白色光全反射照明による高次プラズモンモード干渉効果の観測 〇織田 洋彰 1, 藤原 英樹 1, 酒井 恭輔 1, 石田 周太郎
1
, 笹木 敬司 1
金ナノディスク・プラズモニック結晶の特性解析 – 入射ビー 〇大村 竜矢 1, 酒井 恭輔 1, 菅原 翔太郎 1, 笹木 敬司
1
ム依存性 –
プラズモニックナノ渦場と擬似分子の相互作用
〇井手 柾希 1, 酒井 恭輔 1, 笹木 敬司 1
休憩 /Break
２次元金ナノ構造体の局所円二色性測定
金属ナノホール列における多重 Fano 共鳴
半導体上金属グレーティングの光学特性解析
MIM 型プラズモニック導波路による非平衡 Mach-Zehnder 干
渉計の光透過特性
15p-B12-11 金スプリットリング共振器からなる積層型メタマテリアルの光
学特性
奨 15p-B12-12 GHz 振動モードによるスプリットリング共振器の超高速光学
変調
休憩 /Break
〇成島
〇西田
〇吉川
〇鎌田
哲也 1,2, 岡本 裕巳 1
宗弘 1, 角屋 豊 1
遼 1, 島谷 省伍 1, 角屋 豊 1, 西田 宗弘 1
隼 1, 岡本 敏弘 1, 原口 雅宣 1
〇 (DC) 今出 悠太 1, Ulbricht Ronald1, 友田 基
信 1, 松田 理 1, Seniutinas Gediminas2, Juodkazis
Saulius2, Wright Oliver B.1
1
18:30
15p-B12-18 陽極酸化ポーラスアルミナをテンプレートとした電析法による
Al ナノワイヤーアレイの形成と局在表面プラズモン特性
18:45
15p-B12-19 陽極酸化ポーラスアルミナにもとづいた低損失同軸ナノケーブ
ルアレーの形成と光伝搬特性評価
9/16(Fri.) 9:00 - 12:15
口頭講演 (Oral Presentation) B12 会場
9:00
奨 16a-B12-1 LED を用いた近接場光エッチング
9:15
奨 16a-B12-2 近接場光エッチングのモデリング
9:30
奨 16a-B12-3 ドレスト光子フォノンを用いた Si LED の発光スペクトルの加
工条件依存性
9:45
16a-B12-4 ドレスト光子フォノン援用アニールされたシリコン中のボロン
黒澤 裕之 1, 〇岩長 祐伸 1
〇 (P)Thang DAO1,2, Satoshi Ishii1,2, Takahiro
Yokoyama1,2, Tomomi Sawada1,2, Ramu Pasupathi
Sugavaneshwar1,2, Kai Chen1,2, Yoshiki Wada1,
Toshihide Nabatame1,2, Tadaaki Nagao1,2,3
11:15
11:30
11:45
12:00
9/16(Fri.) 13:45 - 16:30 口頭講演 (Oral Presentation) B12 会場
13:45 招 E 16p-B12-1 [Young Scientist Presentation Award Speech]
Tip-enhanced THz-Raman spectroscopy: an all-optical
method for precise determination and control of local
temperature at the nanoscale
14:00
16p-B12-2 単一銀ナノワイヤー 2 量体間隙の一次元 SERS ホットスポット
における色素分子とプラズモンとの電磁気学的強結合
1. 静大院工
1. 北大電子研
1. 北大電子研
1. 北大電子研
1. 分子研・総研大 , 2. ＪＳＴさきがけ
1. 広大先端研
1. 広島大先端研
1. 徳島大学工
1. 北大工 , 2.Swinburne Univ.
1. 東工大 , 2. 東工大技術部マイクロプロセス部門 ,
3. 理化学研究所
1. 東工大物創 , 2.ERATO プロジェクト , 3. 防衛医
大 , 4. 九大先導研 , 5. 理研
1. 東工大総合理工 , 2. 芝浦工大理工
1. 首都大都市環境
〇 (M2) 西岡 克紘 1, Soppera Olivier2, 八井 崇 1
〇 (M2) 斉藤 弘司 1, 西岡 克紘 1, 八井 崇 1
〇 (P) 金 俊亨 1, 川添 忠 2, 大津 元一 1
1. 東大院工 , 2.IS2M
1. 東大院
1. 東大院工 , 2.NPO ナノフォト
16a-B12-7 表面プラズモンの散乱確率と有機 EL 素子の発光増倍度
16a-B12-8 Film - coupled nanoparticle 構造におけるシリコンナノ結晶の
発光特性 ( Ⅱ )
奨 16a-B12-9 プラズモニック光電変換電極における電子移動過程の解明
16a-B12-10 顕微鏡の照射角制御によって最適化されたプラズモニック
チップ上のナノ粒子の蛍光増強度
16a-B12-11 パッシブ近接場顕微計測に対する探針配置の影響
16a-B12-12 金属表面に電流で誘起される電磁エバネッセント波
1. 東大生研 , 2.JST- さきがけ
1. 静大院工
〇山岸 翔一 1, 近藤 敏彰 1, 柳下 崇 1, 益田 秀樹 1
10:45
11:00
1. 徳島大 , 2. 学振特別研究員
〇近藤 敏彰 1, 佐野 知美 1, 柳下 崇 1, 益田 秀樹 1
10:30
10:15
1. 産総研 , 2. 学振 RPD, 3. 香川大工 , 4. 科警研 , 5. ス
トローブ
1. 徳島大院
1. 物材機構
1.International Center for Materials
Nanoarchitectonics (MANA), National Institute
for Materials Science (NIMS), 1-1 Namiki,
Tsukuba, Ibaraki 305-0044, Japan, 2.CREST, Japan
Science and Technology Agency, 4-1-8 Honcho,
Kawaguchi, Saitama 332-0012, Japan, 3.Department
of Condensed Matter Physics, Graduate School of
Science, Hokkaido University, Sapporo 060-0810,
Japan
1. 首都大都市環境
〇川添 忠 1, 金 俊亨 2, 大津 元一 2,1
ドーパント分布の規則性
16a-B12-5 量子ドットの精微な集積構造に由来する近接場光相互作用の特 〇 (PC) 野村 航 1, 竪 直也 2
性評価
16a-B12-6 色素分散樹脂を用いた波長変換薄膜の ZnO 量子ドットによる 〇山岸 亙 1, 川添 忠 1
効率向上
休憩 /Break
10:00
1. 三重大院工 , 2. 三重大院地域イノベ , 3. 三重大
極限ナノエレセンター
1. 豊田工大
谷川 紘太 1, 〇岡本 敏弘 1, 岩切 一彦 1, 原口 雅宣 1 1. 徳島大院
15p-B12-13 Si/SiO2 上金ナノ円盤の表面電位の光照射による変化およびそ 〇 (M1) 江崎 智太郎 1, 松谷 晃宏 2, 西岡 國生 2, 庄
の構造依存性
司 大 2, 佐藤 美那 2, 岡本 隆之 3, 磯部 敏宏 1, 中島
章 1, 松下 祥子 1
15p-B12-14 珪藻をテンプレートとした金ナノホールチップ
〇 (M2) 藤原 太郎 1, 朴 貞子 2, 彌田 智一 1,2, 鎌田
香織 2,3, 奥村 泰志 4, 田中 拓男 1,5
15p-B12-15 トリミリスチン表面を鋳型に用いた黒体メタマテリアル
〇古澤 崇哉 1, 築田 大輝 2, 下条 雅幸 2, 梶川 浩太郎
15p-B12-16 近赤外色素分子に対するメタ表面の増強効果
奨 E 15p-B12-17 Hole Array Perfect Absorbers for Spectrally Selective
Midwavelength Infrared Pyroelectric Detectors
1.( 株 ) 日立製作所 研開 , 2. 東海大工
1. ナノフォト推進機構 , 2. 東大工
1. 九大 LP 分シ , 2. 九大シス情
1. ナノフォト推進機構
〇石黒 汰一 1, 溝口 雄太 1, 米田 拓也 1, 笠原 健一 1, 1. 立命館大理工 , 2. 物質・材料研究機構
池田 直樹 2, 杉本 喜正 2
〇八嶋 志保 1, 高階 寛之 1, 杉本 泰 1, 藤井 稔 1
1. 神戸大院工
〇南本 大穂 1, 戸田 貴大 1, 保田 諭 1, 村越 敬 1
泉 章太 1, 當麻 真奈 1, 細川 千絵 2, 〇田和 圭子 1,2
1. 北大院理
1. 関西学院大学 , 2. 産総研
〇林 冠廷 1, 小宮山 進 2, 金 鮮美 1, 梶原 優介 1
〇根間 裕史 1, 林 冠廷 1, 金 鮮美 1, 小宮山 進 2, 梶
原 優介 1
1. 東大生研 , 2. 東大総文
1. 東大生産研 , 2. 東大総合文化
〇 Maria Balois1, Norihiko Hayazawa1,2, Francesca 1.Photon Team - RIKEN, 2.SISL - RIKEN, 3.Osaka
Celine Catalan2, Satoshi Kawata3, Takuo Tanaka1, Univ., 4.Tokyo Inst. of Tech.
Taka-aki Yano4, Tomohiro Hayashi4
〇伊藤 民武 1, 山本 裕子 2,3, 北濱 康孝 4, バラチャ
ンドラン ジャヤデワン 5
1. 産総研健工 , 2. 学振 RPD, 3. 香大工 , 4. 関学理工 ,
5. 滋賀県大工
3 光・フォトニクス / Optics and Photonics
9/15(Thu.) 13:45 - 19:00
13:45
15p-B12-1
14:00
15p-B12-2
〇 (M1) 伊藤 優佑 1, 元垣内 敦司 1,3, 三宅 秀人 2,3,
平松 和政 1,3
〇 (PC) 鈴木 誠也 1, 吉村 雅満 1
1. 山梨大工
3.13 半導体光デバイス / Semiconductor optical devices
14:15
14:30
14:45
15:00
16p-B12-3 金属ナノ微粒子と共鳴モードの結合に基づいた深紫外プラズモ
ニクス
16p-B12-4 高屈折率誘電体ナノ構造間に作用する特異的光誘起力：プラズ
モニックナノ構造の場合との決定的な違い
16p-B12-5 銀ナノ粒子の安定性：銀塩写真の視点からの検討
休憩 /Break
〇岡本 晃一 1, 西田 知句 1, 田中 大輔 2, 大藏 孝太 1, 1. 九大先導研 , 2. 大分高専 , 3. 九大分子シスセ
立石 和隆 1, 王 胖胖 3, 龍崎 奏 1, 玉田 薫 1
〇矢野 隆章 1,2, 土本 悠太 1, 原 正彦 1,2
1. 東工大 , 2. 理研
〇谷 忠昭 1, 菅 亮太 2, 山野 侑香 2, 内田 孝幸 2
3 光・フォトニクス / Optics and Photonics
15:15
15:30
16p-B12-6 ナノインプリントによるプラズモニックカラーデバイスの作製 〇大木 麻衣 1, 川下 雅史 1
16p-B12-7 In2O3:Sn ナノ粒子間界面からの赤外プラズモン励起と応力制 〇松井 裕章 1, 田畑 仁 1
御
15:45
16p-B12-8 光熱変形時における金属ナノ構造の吸収スペクトル特性
〇 (M1) 柴田 祥平 1, 藤村 隆史 1,2
16:00
16p-B12-9 プラズモンによる二酸化バナジウムの可逆的相転移操作
〇久保 若奈 1, 田中 拓男 2
16:15
16p-B12-10 六方晶タングステンブロンズ微粒子におけるプラズモンと
〇町田 佳輔 1, 岡田 美香 2, 足立 健治 1
ポーラロンの共存
3.13 半導体光デバイス / Semiconductor optical devices
9/15(Thu.) 9:30 - 11:30 ポスター講演 (Poster Presentation) P6 会場
15a-P6-1 光センシング用 SLD の利得波長帯域を拡大する InGaAs,
〇今村 優雅 1, 神門 雅也 1, 荒井 昌和 1
InGaAsN 量子井戸の複合構造の検討
15a-P6-2 高反射分布反射器を有する中赤外量子カスケードレーザの開発 〇吉永 弘幸 1, 村田 誠 1, 辻 幸洋 1, 森 大樹 1, 塩崎
学 1, 橋本 順一 1, 江川 満 1, 猪口 康博 1, 勝山 造 1
15a-P6-3 導波路と結合した金属クラッド共振器における Q 値向上に向 〇 (PC) 西本 昌哉 1, Feng Kaiyin1, 種村 拓夫 1, 中野
けた検討
義昭 1
15a-P6-4 ZnO/NiO を用いた透明太陽電池の作製及び評価
〇永沼 裕文 1, 佐藤 和弥 1, 趙 新為 1, 小室 修二 2
1. 日本写真学会 , 2. 東京工芸大工
1. 凸版印刷
1. 東京大工
1. 宇大院工 , 2. 宇大 CORE
1. 東京農工大学 , 2. 理研
1. 住友金属鉱山 , 2. 大口電子
1. 宮崎大工
1. 住友電工
1. 東大工
1. 東理大理 , 2. 東洋大理工
15a-P6-5 スローライト効果を用いた半導体薄膜光検出器の周波数帯域の 〇顧 之チン 1, 井上 大輔 1, 平谷 拓生 1, 雨宮 智宏 1,2, 1. 東工大工 , 2. 東工大科創研
西山 伸彦 1,2, 荒井 滋久 1,2
検討
15a-P6-6 丸型レイアウトを用いた CMOS APD の暗電流特性の改善
〇 (B) 八賀 慧人 1, 秋山 正弘 1
1. 長野高専
9/16(Fri.) 9:00 - 11:45
口頭講演 (Oral Presentation) A35 会場
9:00
16a-A35-1 InAs/GaAs 量子ドット中間バンド型太陽電池における電子の
熱脱出過程の解明
9:15
16a-A35-2 Dot-in-well 中間バンド型太陽電池における長い電子寿命の観
測
9:30
16a-A35-3 相変化材料被覆ナノワイヤを用いた InAs 量子ドットの発光偏
光特性制御
9:45
E 16a-A35-4 Semiconductor Core Optical Fibers for Mid-IR Transmission
10:00
10:15
〇平尾 和輝 1, 渡辺 翔 1, 朝日 重雄 1, 海津 利行 1,
原田 幸弘 1, 喜多 隆 1
〇寺西 陽之 1, 朝日 重雄 1, 海津 利行 1, 喜多 隆 1
1. 神戸大院工
〇山村 有慶 , 山口 慧 , Nicolas Chauvin , Michel
Gendry3, 斎木 敏治 1
〇 (D)Mustafa Ordu1, Jicheng Guo1, Boyin Tai1,
1. 慶大院理工 , 2. 国立応科院リヨン校 , 3. エコール・
サントラル・ドゥ・リヨン
1.Boston Univ.
1
1
2
Shyamsunder Erramilli1, Siddharth Ramachandran1,
Soumendra Basu1
16a-A35-5 結晶セレンフォトダイオードにおける密着層膜厚の減少による 〇為村 成亨 1, 峰尾 圭忠 1, 本田 悠葵 1, 萩原 啓 1,
1.NHK 技研
暗電流特性の改善
渡部 俊久 1, 宮川 和典 1, 難波 正和 1, 大竹 浩 1, 久
保田 節 1
休憩 /Break
10:30
16a-A35-6 ボロンレーザードーピングによる Si フォトダイオード及びそ 〇木村 友 1, 池田 吉紀 1, 城 尚志 1,2
の分光感度制御
10:45
16a-A35-7 Si 上 Ge フォトダイオードの暗電流に対する Ge 初期成長条件 〇 (M1) 伊藤 和貴 1, 宮坂 裕司 1, 石川 靖彦 1
の影響
11:00
16a-A35-8 量子ドットアレイセンサーによる鉱物の赤外分光イメージング 〇黄 晨暉 1, 田中 朋 1, 各務 惣太 1,4, 二宮 芳樹 2, 角
田 雅弘 4, 渡邉 克之 5, 井上 晴 3, 難波 兼二 3, 五十
嵐 悠一 1,4, 田能村 昌宏 1, 南部 芳弘 1,4, 山本 剛 1,4,
渋谷 明信 1, 萬 伸一 1,4, 荒川 泰彦 4,5
11:15
16a-A35-9 裏面入射による電荷敏感型赤外光子検出器 (CSIP) の量子効率 〇金 鮮美 1, 小宮山 進 2,3, パトラシン ミハイル 3,
向上
林 冠廷 1, 根間 裕史 1, 山中 和之 1, 梶原 優介 1
11:30
16a-A35-10 InP 光集積フェーズドアレイの試作と評価
〇小松 憲人 1, 福田 将治 1, 種村 拓夫 1, 中野 義昭 1
9/16(Fri.) 13:15 - 15:30 口頭講演 (Oral Presentation) A35 会場
13:15
16p-A35-1 光無線給電高効率化のための III-V 族化合物太陽電池の応用
田中 文明 1, 秋葉 駿希 1, 庄子 敬宏 1, 代 盼 2, 陆 书
龙2, 〇内田 史朗 1
13:30
13:45
14:15
16p-A35-2 光給電の高効率化に向けた基礎的検討
16p-A35-3 光無線給電高効率化のための自然放出光利用 VCSEL アレイに
関する研究
16p-A35-4 Talbot 効果による面発光レーザアレイ位相同期への横マルチ
モードの影響解析
16p-A35-5 結合共振器による二波長面発光レーザの温度依存性
14:30
16p-A35-6 面発光レーザ構造を用いた波長分波器の光増幅特性
14:45
15:00
16p-A35-7 Penrose 共振器における波動カオスモード
16p-A35-8 量子ドットファブリ - ペロー型レーザによる 25Git/s 信号
1000m シングルモードファイバ伝送
16p-A35-9 1.0 μ m 帯広帯域量子ドットリッジ導波路型 LD の開発
14:00
15:15
3.14 光制御デバイス・光ファイバー / Optical control devices and optical fibers
9/14(Wed.) 13:45 - 16:30 口頭講演 (Oral Presentation) B3 会場
13:45
14p-B3-1 KTN 光偏向器内蔵波長掃引光源へのベッセル光線の適用
14:00
14:15
14:30
14:45
15:00
15:15
15:30
15:45
1. 神戸大院
〇谷沢 元春 , 上田 将也 , 丸山 武男
〇須田 義久 1, 宮本 智之 1
1
1
1
1. 帝人株式会社 , 2. ナノグラムコーポレーション
1. 東大院工
1.NEC ID 研 , 2. 産総研 , 3.NEC もの統本 , 4. 東大
ナノ量子機構 , 5. 東大生研
1. 東大生研 , 2. 東大総文 , 3. 情通研
1. 東大院工
1. 千葉工大 , 2. 蘇州ナノテク研
1. 金沢大
1. 東工大未来研
〇小森 雄貴 1, 宮本 智之 1
1. 東工大未来研
〇 (M2) 太田 寛人 1, 盧 翔孟 1, 熊谷 直人 2, 北田 貴
弘 1, 井須 俊郎 1
〇中濱 正統 1, 顧 暁冬 1, 松谷 晃宏 2, 坂口 孝浩 1,
小山 二三夫 1
〇福嶋 丈浩 1, 坂口 浩一郎 1, 徳田 安紀 1
〇羽鳥 伸明 1, 鄭 錫煥 1, 田中 有 1
1. 徳大院理工 , 2. 産総研
1. 東工大未来研 , 2. 東工大技術部
1. 岡山県立大情報工
1.PETRA
〇吉沢 勝美 1, 沢渡 義規 1, 赤羽 浩一 2, 山本 直克 2 1. パイオニアマイクロテクノロジー ( 株 ), 2. 情報
通信研究機構
〇長沼 和則 1, 豊田 誠治 2, 阪本 匡 2, 湯本 潤司 1
1. 東大院理 , 2. 日本電信電話 NTT デバイスイノ
ベーションセンタ
14p-B3-2 リレーレンズを用いた KTN 光偏向器の広偏向角動作
〇豊田 誠治 , 八木 生剛 , 菅井 栄一 , 佐々木 雄三 1.NTT デバイスイノベーションセンタ , 2.NTT ア
1
, 小林 潤也 1, 阪本 匡 1
ドバンステクノロジ
奨 14p-B3-3 ダブルサーミスタ温度制御による KTN 光偏向器の環境温度依 〇辰己 詔子 1, 山口 城治 1, 佐々木 雄三 1, 豊田 誠治 1.NTT DIC, 2.NTT-AT
1
存性改善
, 阪本 匡 1, 牛山 幸彦 2, 米山 幸司 2, 菅井 栄一 2
14p-B3-4 一軸結晶および等軸結晶のカー係数の絶対符号の決定
〇滝澤 國治 1, 金 蓮花 2
1. 浜松ホト中研 , 2. 山梨大
休憩 /Break
1
2
2
14p-B3-5 金微粒子添加コアファイバーにおける偏光状態の光強度依存性 〇山田 英幸 1, 益子 晧 1, 木下 岳司 1
14p-B3-6 静電塗布を用いた膨潤性ポリマクラッドの 2 層化による POF 〇中村 耀 1, 鈴木 裕 1, 森澤 正之 1
アルカンセンサの感度向上
奨 14p-B3-7 カスケード型チャープ長周期光ファイバグレーティングを用い 〇永塚 真弓 1, 小泉 雅佳 1, 齋藤 隼輝 1, 田中 哲 1,
たひずみと温度の同時測定の多重化の検討
和田 篤 1, 高橋 信明 1
14p-B3-8 光ファイバーの光学長測定にもとづく高分解能温度センシング 〇石黒 敦己 1, 田中 天翔 1, 松山 哲也 1, 和田 健司 1
Ⅱ
1. 慶大理工
1. 山梨大院工
1. 防衛大学校
1. 阪府大院工
CS.1 3.5 レーザー装置・材料，3.14 光制御デバイス・光ファイバーのコードシェアセッション / 3.5&3.14 Code-sharing session
16:00
16:15
14p-B3-9 共振周波数の異なる光導波型アコースティック・エミッション 〇久我 祐介 1, 小山 卓耶 2, 大河 正志 2, 佐藤 孝 2
1. 新潟大大学院自然研 , 2. 新潟大工
センサの応答特性
14p-B3-10 近赤外光センシング用広帯域スペクトル整形装置の検討
〇音羽 亮平 1, 西立野 将史 1, 堀田 雄二 1, 桜井 康樹 1.santec
1
9/15(Thu.) 9:30 - 11:30 ポスター講演 (Poster Presentation) P7 会場
15a-P7-1 アニール ･ プロトン交換 128° Y カット LiNbO3 光導波路の電 〇 (M1) 平松 裕也 1, 垣尾 省司 1
1. 山梨大院医工農
気光学定数
15a-P7-2 PPLN リッジ導波路による利得 20 dB 以上の位相感応増幅
〇岸本 直 1,2, 稲船 浩司 1, 小川 洋 2, 関根 徳彦 2, 村 1. 沖電気工業 , 2. 情通機構
井 仁 1, 佐々木 浩紀 1
15a-P7-3 電界制御型多モード干渉カプラの分岐比・位相調整特性
〇植山 翔太 1, 川崎 直道 1, 盧 柱亨 1, 荒川 太郎 1
1. 横国大院工
15a-P7-4 構造性複屈折を考慮した量子井戸光偏波スイッチの設計
〇鈴木 啓大 1, 平山 智輝 1, 荒川 太郎 1, 國分 泰雄 1 1. 横国大院工
〇雨宮 嘉照 1, サナ アムリタ クマル 1, 平田 智士 1, 1. 広島大
小野 竜義 1, 中島 悠人 1, 横山 新 1
15a-P7-6 3 次元光インターコネクション用ポリマー縦型マッハツェンダ 〇 (M2) 木村 優一 1, 江間 絢生 1, 松島 裕一 2, 石川 1. 早大 , 2.GCS 機構
型光スイッチの作製
浩 1, 宇高 勝之 1
15a-P7-7 偏波保持型 FBG ファブリ・ペロー干渉計による温度変化と振 〇和田 篤 1, 田中 哲 1, 髙橋 信明 1
1. 防衛大
動の分離計測の試み
15a-P7-8 DFB レーザーアレイを用いた二波長 Pump-Probe 法による
〇黒田 圭司 1, 北沢 美紗紀 1, 吉國 裕三 1
1. 北里大理
EDFA の利得回復計測
15a-P7-9 吸収 pump-probe 法によるエルビウムイオン準安定状態の寿命 〇 (M1) 仲村渠 まみ 1, 近藤 理子 1, 黒田 圭司 1, 吉 1. 北里大理
計測
國 裕三 1
E 15a-P7-10 Fiber Acoustic Sensor Based on Cascaded Taper Mach-Zehnder 〇 (D)Sumit Dass1, Rajan Jha1
1.IIT Bhubaneswar
Interferometer
CS.1 3.5 レーザー装置・材料，3.14 光制御デバイス・光ファイバーのコードシェアセッション / 3.5&3.14 Code-sharing session
9/14(Wed.) 9:30 - 12:15 口頭講演 (Oral Presentation) B3 会場
9:30
14a-B3-1 57- μ m CH3OD レーザー用の水晶波長板の開発
〇中山 和也 1, 岡島 茂樹 1, 秋山 毅志 2, 田中 謙治 2, 1. 中部大工 , 2. 核融合研
川端 一男 2
9:45
14a-B3-2 常温接合を用いた GaAs プレート多数枚積層擬似位相整合構造 〇新 裕貴 1, 窪田 輝充 1, 脇山 直也 1, 庄司 一郎 1
1. 中大理工
の作製
1
1
1
1
10:00
14a-B3-3 モノリシック PP-Mg:SLT デバイスによる 355nm 波長変換器 冨張 康弘 , 土橋 一磨 , 〇廣橋 淳二 , 今井 浩一 , 1. オキサイド
の開発
牧尾 諭 1
10:15
14a-B3-4 周期空間反転 GaAs/AlGaAs ダブルヘテロ構造 p-i-n ダイオー 〇鈴木 涼介 1, 松下 智紀 1,2, 近藤 高志 1,2
1. 東大工 , 2. 東大先端研
ドの作製
1
10:30
14a-B3-5 サンプリング PPLN 導波路を用いた広帯域中赤外発生
〇藤澤 涼平
1. 東海大工
10:45
休憩 /Break
15a-P7-5 マイクロ流路を用いた光変調素子用ナノ粒子制御の検討
〇石月 秀貴 1, 平等 拓範 1
〇 (PC) 中里 智治 1, 伊藤 功 2, 小林 洋平 2, Wang
Xiaoyang3, Chen Chuangtian3, 渡部 俊太郎 1
11:30
奨 14a-B3-8 CsLiB6O10 結晶を用いた高出力 355nm 紫外光発生
〇上田 健太郎 1, 折井 庸亮 2, 高橋 義典 1, 岡田 穣治
2
, 森 勇介 1, 吉村 政志 3
11:45
奨 E 14a-B3-9 Temperature tuning of YCOB crystal for giant-pulse green
〇 Arvydas Kausas1, Pascal Loiseau2, Gerard Aka2,
micro-laser
Yanqing Zheng3, Takunori Taira1
12:00
奨 14a-B3-10 磁気ドメインを利用した薄膜 Q スイッチレーザー
〇後藤 太一 1,2, 森本 凌平 1, プリチャード ジョン 3,
高木 宏幸 1, 中村 雄一 1, リム パンボイ 1, 内田 裕久
1
, ミナ マニ 3, 平等 拓範 4, 井上 光輝 1
CS.3 3.14 光制御デバイス・光ファイバー，3.15 シリコンフォトニクスのコードシェアセッション / 3.14&3.15 Code-sharing session
9/15(Thu.) 13:30 - 17:30 口頭講演 (Oral Presentation) B8 会場
13:30
奨 E 15p-B8-1 Ge Passive Waveguide Components on Ge-on-Insulator Wafer 〇 (DC)Jian Kang1,2, Mitsuru Takenaka1,2, Shinichi
for Mid-Infrared Integrated Photonics
Takagi1,2
13:45
15p-B8-2 Ge-on-Insulator 基板を用いた熱光学スイッチの検討
〇 (B) 藤垣 匠 1, 亢 健 2,3, 竹中 充 1,2,3, 高木 信一 1,2,3
14:00
15p-B8-3 マイケルソン干渉計型シリコン導波路多波長変調器の初期検討 〇 (M1) 関根 海斗 1, 三浦 謙吾 1, 庄司 雄哉 1,2, 水本
哲弥 1,2
14:15
15p-B8-4 フォトニック結晶スローライト移相器を用いた 16QAM 変調器 〇北條 惠子 1, 寺田 陽佑 1, 馬場 俊彦 1
14:30
15p-B8-5 in-situ B ドーピングした歪 SiGe 層を用いた Si 光変調器の検討 〇藤方 潤一 1, 野口 将高 1, 韓 在勲 2, 高橋 重樹 1,
(Ⅱ)
竹中 充 2, 中村 隆宏 1
14:45
休憩 /Break
15:00
15:15
15:30
15:45
16:00
16:15
16:30
14a-B3-6 反転多積層水晶による QPM 波長変換
14a-B3-7 KBBF 結晶を用いた位相整合による 150 nm 光発生
15p-B8-6 光導波路とエバネッセント結合した GdFe 薄膜の磁気光学応答
II
15p-B8-7 強磁性金属 / 貴金属積層プラズモン導波路とシリコン導波路間
の非相反結合と消光比の解析
15p-B8-8 光磁気記録を用いた不揮発性導波路型光メモリの提案
15p-B8-9 メタマテリアルを用いた Si 導波路型光バッファの提案
15p-B8-10 有機薄膜光集積回路：各素子の特性解析
休憩 /Break
15p-B8-11 光アンテナを搭載した量子井戸構造での反射率測定
1. 分子研
1. 東理大総研 , 2. 東大物性研 , 3. 中国科学院
1. 阪大院工 , 2. スペクトロニクス , 3. 阪大レーザー
研
1.IMS, 2.IRCP, 3.SICCAS
1. 豊橋技科大 , 2.JST さきがけ , 3. アイオワ州立大 ,
4. 分子研
1.Tokyo Univ., 2.JST-CREST
1. 東大工 , 2. 東大院工 , 3.JST-CREST
1. 東工大工学院電気電子系 , 2. 未来産業技術研究
所
1. 横浜国大・院工
1. 光電子融合基盤技術研究所 , 2. 東京大学
〇西林 一彦 1, 岩崎 大和 1, 久我 淳 2, 宗片 比呂夫 1 1. 東工大 , 2.NHK 放送技研
〇清水 大雅 1, 福田 登 1
1. 農工大工
〇村井 俊哉 1, 庄司 雄哉 1, 水本 哲弥 1
〇雨宮 智宏 1, 山崎 理司 1, 金澤 徹 1, 平谷 拓生 1,
鈴木 純一 1, 西山 伸彦 1, 荒井 滋久 1
〇雨宮 智宏 1, 金澤 徹 1, 平谷 拓生 1, 井上 大輔 1,
顧 之琛 1, 浦上 達宣 2, 荒井 滋久 1
1. 東工大
1. 東工大
〇梅森 信行 1, 笠原 健一 1, 山本 悠人 1, 宮田 純一 1,
尾崎 信彦 2, 池田 直樹 3, 杉本 喜正 3
16:45
15p-B8-12 導波光入力カプラ兼用共振器集積導波モード共鳴フィルタ
〇辻 篤史 1, 井上 純一 1, 金高 健二 2, 西尾 謙三 1,
裏 升吾 1
17:00
15p-B8-13 DBR 基板上に集積した CRIGF の反射特性
〇柳田 謙一 1, 森 一輝 1, 中田 昌宏 1, 井上 純一 1,
金髙 健二 2, 裏 升吾 1
17:15
15p-B8-14 シリコングレーティングカプラの波長特性ばらつきに及ぼす製 〇堀川 剛 1,2, 牛田 淳 1, 蘇武 洋平 1, 志村 大輔 1, 椎
造誤差の影響
名 明美 1, 徳島 正敏 1, 鄭 錫煥 1, 木下 啓藏 1, 最上
徹1
3.15 シリコンフォトニクス / Silicon photonics
9/14(Wed.) 10:30 - 11:45 口頭講演 (Oral Presentation) B4 会場
10:30
14a-B4-1 シリカクラッドフォトニック結晶導波路の入出射構造の最適化 〇宮坂 健司 1, 田村 卓也 1, 近藤 圭祐 1, 寺田 陽祐 1,
馬場 俊彦 1
10:45
14a-B4-2 櫛形 PN 接合型 Si 光変調器におけるイオン注入による横方向 〇 (M2) 武内 和治 1,2, 韓 在勲 1,2, 竹中 充 1,2, 高木
不純物分布の影響
信一 1,2
11:00
E 14a-B4-3 High-speed silicon optical modulator using α -Si:H strip
〇 Guangwei Cong1, Yuriko Maegami1, Morifumi
loaded waveguide
Ohno1, Makoto Okano1, Koji Yamada1
11:15
14a-B4-4 波形 p-n 接合を導入した Si フォトニック結晶スローライト変 〇寺田 陽祐 1, 建部 知紀 1, 馬場 俊彦 1
調器
1. 東工大 , 2. 三井化学
1. 立命館大理工 , 2. 和歌山大システム工学 , 3. 物質・
材料研究機構
1. 京都工芸繊維大学 , 2. 産業技術総合研究所
1. 京都工繊大 , 2.( 独 ) 産総研
1.PETRA, 2. 産総研
1. 横国大院工
1. 東大院工 , 2.JST-CREST
1.AIST
1. 横国大院工
3 光・フォトニクス / Optics and Photonics
11:00
11:15
CS.3 3.14 光制御デバイス・光ファイバー，3.15 シリコンフォトニクスのコードシェアセッション / 3.14&3.15 Code-sharing session
11:30
14a-B4-5 Si フォトニック結晶スローライト変調器の光 - 電気位相整合
9/14(Wed.) 13:45 - 18:00 口頭講演 (Oral Presentation) B4 会場
13:45
14p-B4-1 InP-Si MOS 構造光変調器の作製と評価
14:00
14:15
14:30
14:45
3 光・フォトニクス / Optics and Photonics
15:00
15:15
15:30
15:45
16:00
16:15
〇開 達郎 1,2, 相原 卓磨 1, 長谷部 浩一 1,2, 武田 浩司 1. ＮＴＴ先端集積デバイス研 , 2. ナノフォトニク
, 藤井 拓郎 1,2, 土澤 泰 1,2, 硴塚 孝明 1,2, 山本 剛 1, スセンタ
松尾 慎治 1,2
奨 14p-B4-2 貼り合わせ InGaAsP/Si ハイブリッド MOS 型光変調器に関す 〇 (D) 韓 在勲 1,2,3, 竹中 充 1,2, 高木 信一 1,2
1. 東大院工 , 2.JST-CREST, 3. 学振特別研究員
る検討
E 14p-B4-3 InGaAsP variable optical attenuator on III-V CMOS photonics 〇 JinKwon Park1,2,3, JaeHoon Han1,2,3, Mitsuru
1.Univ.of Tokyo, 2.JST-CREST, 3.JSPS
platform
Takenaka1,2, Shinichi Takagi1,2
1,2
1,3
1,3
14p-B4-4 フォトニック結晶型 InGaAsP-EA 変調器における動作エネル 〇野崎 謙悟 , 松尾 慎治 , 藤井 拓郎 , 武田 浩 1.NTT NPC, 2.NTT 物性研 , 3.NTT 先デ研
ギーの見積もり
司 1,3, 新家 昭彦 1,2, 倉持 栄一 1,2, 納富 雅也 1,2
休憩 /Break
14p-B4-5 直接貼付 InP/Si 基板上結晶成長膜の InP テンプレート膜厚依
存性
14p-B4-6 直接貼付 InP/Si 基板上 GaInAsP ダブルヘテロレーザの発振特
性
14p-B4-7 広い波長範囲を有するシリコンフォトニック波長可変レーザ
奨 14p-B4-8 エバネッセント型ハイブリッドシリコン量子ドットレーザ
14p-B4-10 シリコンフォトニクススローライト LiDAR の検討
16:45
14p-B4-11 Si フォトニック結晶導波路を用いたコヒーレント LiDAR 送受
信性能の見積もり
14p-B4-12 光マルチプレクサと回折格子による光集積回路型光スキャ
ナーの実現
14p-B4-13 光偏向器応用に向けた Si フォトニック結晶導波路構造の探索
14p-B4-14 表面回折格子装荷フォトニック結晶スローライト偏向器
17:15
17:30
1,2
〇 (M1) 大貫 雄也 1, 西山 哲央 1, 鎌田 直樹 1, 韓 旭
, 相川 政輝 1, 内田 和希 1, 杉山 滉一 1, 下村 和彦 1
〇 (M1) 鎌田 直樹 1, 西山 哲央 1, 大貫 雄也 1, 韓 旭
1
, 下村 和彦 1
〇 (M1) 佐藤 光 1, 北 智洋 1, 山田 博仁 1
〇張 奉鎔 1,2, 田辺 克明 2,3, 加古 敏 2, 岩本 敏 1,2, 土
沢 泰 4, 西 英隆 4, 羽鳥 伸明 5, 野口 将高 5, 中村 隆
宏 5, 武政 敬三 6, 菅原 充 6, 荒川 泰彦 1,2
E 14p-B4-9 10 Gbps Direct Modulation of Quantum Dot Lasers on Silicon 〇 YuanHsuan Jhang1, Reio Mochida2, Katsuaki
Tanabe2,3, Keizo Takemasa4, Mitsuru Sugawara4,
Satoshi Iwamoto1,2, Yasuhiko Arakawa1,2
休憩 /Break
16:30
17:00
〇雛倉 陽介 1, 寺田 陽祐 1, 新井 宏之 1, 馬場 俊彦 1 1. 横国大学院工
17:45
14p-B4-15 Si フォトニック結晶変調器による二つの変調信号間のビート
周波数の観測
9/15(Thu.) 9:30 - 11:30 ポスター講演 (Poster Presentation) P8 会場
15a-P8-1 残留歪とマイクロ構造を用いた SOI 上 Ge 成長膜の２軸伸張
歪の温度特性
奨 15a-P8-2 Sb ドープアモルファス Ge の局所溶融横方向液相エピタキシャ
ル成長による n 型 Ge 細線の作製と評価
15a-P8-3 ひずみ SiGe を用いた Si 上 Ge 層のバンドエンジニアリング
1
1. 上智大理工
1. 上智大理工
1. 東北大工
1. 東大生研 , 2. 東大ナノ量子 , 3. 京大工 , 4.NTT
先端集積デバイス研 , 5.PETRA, 6. QD レーザ
1.IIS, UT, 2.NanoQuine, UT, 3.Kyoto Univ., 4.QD
Laser, Inc
〇馬場 俊彦 1, 小山 二三夫 2, 西山 伸彦 2, 小林 功郎 1. 横国大・院工 , 2. 東工大・未来産技研 , 3.JST
3
〇阿部 紘士 1, 馬場 俊彦 1
1. 横国大院工
〇井上 大介 , 市川 正 , 河崎 朱里 , 山下 達弥
1
1
1
1
1. 豊田中研
〇竹内 萌江 1, 竹内 梧朗 1, 馬場 俊彦 1
1. 横国大院工
〇 (M1) 建部 知紀 1, 近藤 圭祐 1, 竹内 萌江 1, 馬場 1. 横国大
俊彦 1
〇雛倉 陽介 1, 古角 優弥 1, 阿部 紘士 1, 馬場 俊彦 1 1. 横国大院工
〇石田 悟己 1, 加古 敏 1,2, 小田 克矢 3, 岩本 敏 1,2, 荒
川 泰彦 1,2
〇冨田 崇史 1, 岡 博史 1, 小山 真広 1, 田中 章吾 1,
細井 卓治 1, 志村 考功 1, 渡部 平司 1
〇西村 道治 1, 石川 靖彦 1
1. 東大生産研・先端研 , 2. 東大ナノ量子機構 , 3. 日
立研開
1. 阪大院工
1. 東大院工
15a-P8-4 高濃度 n 型ドープ Ge マイクロディスクの共振フォトルミネセ 〇橋本 秀明 1, 徐 学俊 1, 澤野 憲太郎 1, 丸泉 琢也 1 1. 都市大総研
ンス
15a-P8-5 Ca 原子層を介した Si(111) 基板上 Ge エピタキシャル成長
〇安武 裕輔 1,2, 深津 晋 1
1. 東大院総合 , 2.JST さきがけ
15a-P8-6 GOI 上歪み円形マイクロブリッジの発光特性
〇大野 剛嗣 1, 徐 学俊 1, 澤野 憲太郎 1, 丸泉 琢也 1 1. 都市大総研
15a-P8-7 微結晶シリコン導波路におけるキャリア寿命測定
〇前川 佑一 1, 武井 亮平 2, 庄司 雄哉 1, 水本 哲弥 1, 1. 東工大 , 2. 産総研
亀井 利浩 2
〇藤原 裕士 1, 石川 敦 1, 松本 敦 2, 松島 裕一 1, 石 1. 早大理工 , 2. 情報通信研究機構
川 浩 1, 宇高 勝之 1
〇中村 文 1, 村松 喬介 , 津田 裕之 1
1. 慶應大
15a-P8-8 MMI 導波路型シリコン 2 × 2 光スイッチの作製
15a-P8-9 1 × 2 波面制御型 Si 波長選択光スイッチ
15a-P8-10 高速シリコン 2 × 2 マッハツェンダ型光スイッチの特性評価
15a-P8-11 方向性結合型 Si 偏波分離素子の設計
〇浅川 奨 1, 嶋田 裕介 1, 末廣 大輔 1, 清水 叶 1, 松
島 裕一 2, 石川 浩 1, 宇髙 勝之 1
〇酒井 滋彬 1, 岩本 直隆 1, 津田 裕之 1
15a-P8-12 TM モードの利用による矩形共振器型 SOI 屈折率センサの高 〇 (M1) 藤原 健 1, 高久 寛基 1, Manuel MendezAstudillo1, 岡山 秀彰 1,2, 中島 啓幾 1
感度化
CS.3 3.14 光制御デバイス・光ファイバー，3.15 シリコンフォトニクスのコードシェアセッション / 3.14&3.15 Code-sharing session
9/15(Thu.) 13:30 - 17:30 口頭講演 (Oral Presentation) B8 会場
13:30
奨 E 15p-B8-1 Ge Passive Waveguide Components on Ge-on-Insulator Wafer 〇 (DC)Jian Kang1,2, Mitsuru Takenaka1,2, Shinichi
for Mid-Infrared Integrated Photonics
Takagi1,2
13:45
15p-B8-2 Ge-on-Insulator 基板を用いた熱光学スイッチの検討
〇 (B) 藤垣 匠 1, 亢 健 2,3, 竹中 充 1,2,3, 高木 信一 1,2,3
14:00
15p-B8-3 マイケルソン干渉計型シリコン導波路多波長変調器の初期検討 〇 (M1) 関根 海斗 1, 三浦 謙吾 1, 庄司 雄哉 1,2, 水本
哲弥 1,2
14:15
15p-B8-4 フォトニック結晶スローライト移相器を用いた 16QAM 変調器 〇北條 惠子 1, 寺田 陽佑 1, 馬場 俊彦 1
14:30
15p-B8-5 in-situ B ドーピングした歪 SiGe 層を用いた Si 光変調器の検討 〇藤方 潤一 1, 野口 将高 1, 韓 在勲 2, 高橋 重樹 1,
(Ⅱ)
竹中 充 2, 中村 隆宏 1
14:45
休憩 /Break
15:00
15:15
15:30
15:45
16:00
16:15
15p-B8-6 光導波路とエバネッセント結合した GdFe 薄膜の磁気光学応答
II
15p-B8-7 強磁性金属 / 貴金属積層プラズモン導波路とシリコン導波路間
の非相反結合と消光比の解析
15p-B8-8 光磁気記録を用いた不揮発性導波路型光メモリの提案
15p-B8-9 メタマテリアルを用いた Si 導波路型光バッファの提案
15p-B8-10 有機薄膜光集積回路：各素子の特性解析
休憩 /Break
16:30
15p-B8-11 光アンテナを搭載した量子井戸構造での反射率測定
16:45
15p-B8-12 導波光入力カプラ兼用共振器集積導波モード共鳴フィルタ
17:00
15p-B8-13 DBR 基板上に集積した CRIGF の反射特性
1. 早大理工 , 2. 早大 GCS 機構
1. 慶應大工
1. 早大先進研 , 2. 沖電気工業
1.Tokyo Univ., 2.JST-CREST
1. 東大工 , 2. 東大院工 , 3.JST-CREST
1. 東工大工学院電気電子系 , 2. 未来産業技術研究
所
1. 横浜国大・院工
1. 光電子融合基盤技術研究所 , 2. 東京大学
〇西林 一彦 1, 岩崎 大和 1, 久我 淳 2, 宗片 比呂夫 1 1. 東工大 , 2.NHK 放送技研
〇清水 大雅 1, 福田 登 1
1. 農工大工
〇村井 俊哉 , 庄司 雄哉 , 水本 哲弥
〇雨宮 智宏 1, 山崎 理司 1, 金澤 徹 1, 平谷 拓生 1,
鈴木 純一 1, 西山 伸彦 1, 荒井 滋久 1
〇雨宮 智宏 1, 金澤 徹 1, 平谷 拓生 1, 井上 大輔 1,
顧 之琛 1, 浦上 達宣 2, 荒井 滋久 1
1. 東工大
1. 東工大
〇梅森 信行 1, 笠原 健一 1, 山本 悠人 1, 宮田 純一 1,
尾崎 信彦 2, 池田 直樹 3, 杉本 喜正 3
〇辻 篤史 1, 井上 純一 1, 金高 健二 2, 西尾 謙三 1,
裏 升吾 1
〇柳田 謙一 1, 森 一輝 1, 中田 昌宏 1, 井上 純一 1,
金髙 健二 2, 裏 升吾 1
1. 立命館大理工 , 2. 和歌山大システム工学 , 3. 物質・
材料研究機構
1. 京都工芸繊維大学 , 2. 産業技術総合研究所
1
1
1
1. 東工大 , 2. 三井化学
1. 京都工繊大 , 2.( 独 ) 産総研
4.1 Plasmonics
17:15
15p-B8-14 シリコングレーティングカプラの波長特性ばらつきに及ぼす製 〇堀川 剛 1,2, 牛田 淳 1, 蘇武 洋平 1, 志村 大輔 1, 椎 1.PETRA, 2. 産総研
造誤差の影響
名 明美 1, 徳島 正敏 1, 鄭 錫煥 1, 木下 啓藏 1, 最上
徹1
4 JSAP-OSA Joint Symposia 2016
13:45 招 E 14p-C302-1 [OSA Vice President Special Lecture]
Photonic Quantum Networks
9:45
10:00
10:15
10:30
10:30
E 14a-C302-5 Plasmonic Enhancement for Two-Color Ultrafast TimeResolved Photoemission
休憩 /Break
10:45 招 E 14a-C302-6 [JSAP-OSA Joint Symposia 2016 Invited Talk]
Plasmon-Induced Charge Separation: Fundamentals and
Applications
11:15 奨 E 14a-C302-7 Near-field absorption imaging by two color nano-light source
11:30 奨 E 14a-C302-8 White nano-light-source via plasmon nanofocusing for NSOM
11:45
E 14a-C302-9 Fast detection to single nanoparticle and virus by using surface
Plasmon scattering imaging
12:00 奨 E 14a-C302-10 Fabrication of Plasmonic Spectral Filter for Visible Light
Communication
9/14(Wed.) 15:00 - 18:00 口頭講演 (Oral Presentation) C302 会場
15:00 招 E 14p-C302-2 [JSAP-OSA Joint Symposia 2016 Invited Talk]
Manipulating Light with Nano Photonic Structures
15:30
E 14p-C302-3 Fabrication of Nanoparticle Arrays of Titanium Nitride by
Nanoimprint lithography and their Plasmonic Properties
15:45
E 14p-C302-4 Plasmon-assisted Phase Transition of VO2
16:00
E 14p-C302-5 Selective thermal emitters with Tamm plasmon polaritons
16:15
Akimoto1
Jin-Jei Wu1, Hsuan-Hao Tsai1, Hui-Yu Chen1, TienJung Chen1, King-Lien Lee1, 〇 Ja-Hon Lin1
〇 Hideaki Okayama1,2, Yosuke Onawa1,2, Daisuke
Shimura1,2, Hiroki Yaegashi1,2, Hironori Sasaki1,2
〇 Hideaki Okayama1,2, Yosuke Onawa1,2, Daisuke
Shimura1,2, Hiroki Yaegashi1,2, Hironori Sasaki1,2
〇 Chien-Jang Wu1
〇 Atsushi Ishikawa1
〇 (M2)Sang-Eun Mun1, Jeong-Geun Yun1,
Byoungho Lee1
E 13a-C302-3 Aluminum Plasmonic Full-color Meta-Hologram
〇 (D)MU KU CHEN1, Wei-Yi Tsai1, Yi-Hao Chen1,
Yao-Wei Huang1, Wei Ting Chen1, Pin Chieh Wu1,2,
Chih-Ming Wang3, Greg Sun4, Din Ping Tsai1,2
E 13a-C302-4 Plasmonic Growth of Patterned Silver Nanostructures with
〇 Nobuyuki Takeyasu1, Naoki Nishimura2, Bo Han
Fractal Geometry
Cheng3, Satoshi Kawata2
E 13a-C302-5 The controlling of transmittance and reflectance of a 2D metal 〇 Atsushi Motogaito1,3, Masanori Kito1, Hideto
periodic grating structure for cold filter application
Miyake2,3, Kazumasa Hiramatsu1,3
休憩 /Break
10:45 招 E 13a-C302-6 [JSAP-OSA Joint Symposia 2016 Invited Talk]
Fabrication of Planar Metamaterials for Transmission and
Absorption Control
11:15 奨 E 13a-C302-7 Improvement of photocatalytic activities of plasmonic Ag
nanostructure/P25 hybrid systems
11:30 奨 E 13a-C302-8 Surface Plasmon Coupling between Gold Nanoring and Silicon
Nanotube Substrate
11:45 奨 E 13a-C302-9 Suspended graphene with periodic dimer nanostructure on Si
cavities for surface-enhanced Raman scattering applications
9/14(Wed.) 9:00 - 12:15 口頭講演 (Oral Presentation) C302 会場
9:00 招 E 14a-C302-1 [JSAP-OSA Joint Symposia 2016 Invited Talk]
Plasmonic Nanogap-Enhanced Raman Scattering and
Biomedical Applications
9:30
E 14a-C302-2 Efficient TERS Tip with Multiple Metal Grains
9:45
E 14a-C302-3 Plasmonic near-fields by nano-post arrays for super-localization
microscopy
10:00
E 14a-C302-4 Visible light Photocurrent enhancement in STO thin films
through Nb doping and Au Plasmons
10:15
〇 Amrita Kumar Sana1, Yoshiteru Amemiya1,
Takeshi Ikeda1, Akio Kuroda1, Shin Yokoyama1
〇 (P)Katsumi Yamada1, Yuri Magori1, Saki
E 14p-C302-6 Localized surface plasmonic effect for Second harmonic
generation of silica coated ZnO
1.Hiroshima Univ.
1.Tokyo Polytechnic University
1.Dept Electroopt Engn. for Natl Taipei Univ
Technol.
1.OKI, 2.PETRA
1.OKI, 2.PETRA
1.National Taiwan Normal University
1.Okayama Univ.
1.Seoul National Univ.
1.National Taiwan Univ., 2.Academia Sinica,
3.National Dong Hwa Univ., 4.Univ. of
Massachusetts Boston
1.Okayama Univ., 2.Osaka Univ., 3.Nat. Taipei.
Univ. Tech.
1.Mie Univ., Graduate School of Eng., 2.Mie Univ.,
Graduate School of Reg. Innov., 3.MIE-CUTE
〇 Yoshiaki Kanamori1
1.Tohoku Univ.
〇 (P)Bo-Kai Chao1, Ti Li1, Yu-Lin Kuo2, ChunHway Hsueh1
〇 (M1)YiChen Lai1, LiWei Nien1, JiaHan Li1,
ChunHway Hsueh1
〇 (D)HsinChia Ho1, LiWei Nien1, JiaHan Li2,
ChunHway Hsueh1
1.Natnl. Taiwan Univ., 2.Natnl. Taiwan Univ.of Sci.
and Tech.
1.National Taiwan Univ.
〇 Jwa-Min Nam1
1.Seoul National Univ.
1.MSE, NTU, 2.ESOE, NTU
〇 Atsushi Taguchi1, Satoshi Kawata1
〇 (D)Hongki Lee1, Donghyun Kim1
1.Osaka Univ.
1.School of Electrical and Electronic Engineering,
Yonsei University, Seoul, South Korea
〇 (PC)Sugavaneshwar RamuPasupathi1,2,
1.MANA, NIMS, Japan, 2.CREST, JST, Japan,
1,2,3
1,2
Lakshminarayana Gandham , Thang Duy Dao , 3.Universiti putra, malaysia, 4.Hokkaido university,
1,2
1,2
1,2,4
Kai Chen , Satoshi Ishii , Tadaaki Nagao
Japan
〇 (D)Xiang Meng1, Jerry Dadap1, Nick Camillone2, 1.Columbia University, 2.Brookhaven National Lab
Richard Osgood1
〇 Tetsu Tatsuma1, Hiroyasu Nishi1, Koichiro
1.Univ. of Tokyo
〇 (M1)Ryo Kato1, Yuika Saito1,2, Prabhat Verma1
〇 (M1)Misaki Tanaka1, Takayuki Umakoshi2,
1.Osaka Univ., 2.Gakusyuin Univ.
1.Osaka Univ, 2.Kanazawa Univ
〇 Qihuang Gong1, Jiangjun Chen1, Hong Yang1,
1.Peking Univ.
Saito1
Prabhat Verma
〇 Xinchao Lu1, Hongyao Liu1, Xuqing Sun1, Yaqin 1.IME, CAS
Chen1, Wei Xiong1
〇 (M1)Tatsuya Nakashio1, Megumi Shiraishi1,
1.Osaka Univ., 2.AIST Kansai
Yasushi Oshikane1, Motohiro Nakano1, Claire
Heck2, Shoichi Mochizuki2, Kensuke Murai2
1
Xiaoyong Hu1
Ryosuke Kamakura1, 〇 Shunsuke Murai1,2, Koji
Fujita1, Katsuhisa Tanaka1
〇 WAKANA KUBO1, TAKUBO TANAKA2
〇 (D)Zih-Ying Yang1,2, Satoshi Ishii2,3, Takahiro
Yokoyama2,3, Thang Duy Dao2,3, Mao-Guo Sun4,
Tadaaki Nagao2,3, Kuo-Ping Chen4
〇 Jie Lin1, Hirotaka Tanada1, Kenta Odawara1,
Yasuhisa Fujita1
1.Kyoto University, 2.PRESTO-JST
1.TUAT, 2.RIKEN
1.Institute of Lighting and Energy Photonics,
National Chiao Tung University, Taiwan,
2.International Center for Materials
Nanoarchitectonics, NIMS, Japan, 3.CREST, Japan
Science and Technology Agency, Japan, 4.Institute
of Imaging and Biomedical Photonics, National
Chiao Tung University, Taiwan
1.Shimane univ.
4 JSAP-OSA Joint Symposia 2016
9/13(Tue.) 16:00 - 18:00 ポスター講演 (Poster Presentation) P6 会場
E 13p-P6-1 Prostate Specific Antigen Detection Using Photonic Crystal
Nanocavity Resonator
E 13p-P6-2 Electric Conductivity of Conductive Polymer 3D Microstructures Fabricated by Multi-photon Sensitized Polymerization
E 13p-P6-3 Ordinary and extraordinary refractive indices change of an inplane-switching blue phase liquid crystal cell
E 13p-P6-4 Loss reduction at slab-array interface in Si waveguide AWG
using local rib waveguide structure with minimum terrace area
E 13p-P6-5 Experiment on Si waveguide quarter-wave shift and sampled
polarization rotation Bragg gratings
E 13p-P6-6 Unidirectional Resonant Absorption in a Lossy Superconducting
Photonic Crystal
4.1 Plasmonics
9/13(Tue.) 9:00 - 12:00 口頭講演 (Oral Presentation) C302 会場
9:00 招 E 13a-C302-1 [JSAP-OSA Joint Symposia 2016 Invited Talk]
Plasmonic Metamaterials for Surface-Enhanced Infrared
Molecular Detection
9:30
E 13a-C302-2 Multi Fano Resonances in Optical Metamaterial
〇 Ian Walmsley1, J. Nunn1, B. J. Smith1, W. S.
1.Univ. of Oxford, 2.Univ. of Southampton
Kolthammer1, D. Saunders1, B. J. Metcalf1, S.
Barz1, J. Renema1, A. Eckstein1, P. Ledingham1, A.
Feizpour1, E. Poem1, B. Brecht1, H. Chrzanowski1,
P. C. Humphreys1, W. Clements1, K. Kazcmarek1, J.
H. D. Munns1, C. Qiu1, J. C. Gates2, P. G. R. Smith2
4.2 Bio-and Medical Photonics
4 JSAP-OSA Joint Symposia 2016
16:30
休憩 /Break
16:45 招 E 14p-C302-7 [JSAP-OSA Joint Symposia 2016 Invited Talk]
Shaping of Plasmonic Nano-Vortex Fields
17:15
E 14p-C302-8 SPR based Fiber Optic Histamine Sensor utilizing Molecular
Imprinting
17:30
E 14p-C302-9 All-dielectric Nanoantenna Sensors
〇 Keiji Sasaki1, Masaki Ide1, Shutaro Ishida1,
Kyosuke Sakai1
〇 (D)VIVEK semwal SEMWAL1, Anand M.
17:45
〇 (M1)Wen-Hui Xu1, Mong-Ying Lin1, Chen-Yu
Chen2, Che-Yuan Chang1, Kuo-ping Chen1
1.Institute of Imaging and Biomedical Photonics,
National Chiao-Tung Univesity
1.National Chiao-Tung University, College of
Photonics, No. 301 Gaofa 3rd Rd., Tainan, Taiwan,
2.Department of Obstetrics and Gynecology,
Mackay Memorial Hospital, Taipei 10449, Taiwan
〇 Nicolas Pavillon1, Nicholas Smith1
1.Osaka University
E 14p-C302-10 Tamm Plasmon Sensors
4.2 Bio-and Medical Photonics
9/15(Thu.) 9:15 - 12:15 口頭講演 (Oral Presentation) C31 会場
9:15
E 15a-C31-1 Full-field optical coherence tomography through digital
holography
9:30
奨 E 15a-C31-2 Deep tissue imaging with high-resolution optical coherence
microscopy at 1700 nm
9:45 招 E 15a-C31-3 [JSAP-OSA Joint Symposia 2016 Invited Talk]
Hybrid light microscopy methods for multi-dimensional
imaging of small animal models
10:15
E 15a-C31-4 Hybrid Fluorescence-Raman Microscopy for the Visualisation
of Protein-Metabolome Interaction in Living Cells
10:30
休憩 /Break
10:45
11:15
11:30
招 E 15a-C31-5 [JSAP-OSA Joint Symposia 2016 Invited Talk]
Superresolution Confocal Microscopy via Analogy with
Structured Illumination Microscopy
E 15a-C31-6 Speed Enhancement in Frequency-Division-Multiplexed
Confocal Microscopy by Multi-Line Focusing
E 15a-C31-7 Saturated excitation microscopy with extracting nonlinear
fluorescence signals by signal subtraction
11:45
E 15a-C31-8 Imaging actin filament network using random localized nearfields
12:00
E 15a-C31-9 3-D surface reconstruction of biological tissues through
multiple-polarization interference
9/15(Thu.) 13:45 - 16:45 口頭講演 (Oral Presentation) C31 会場
13:45 招 E 15p-C31-1 [JSAP-OSA Joint Symposia 2016 Invited Talk]
Rapid cancer imaging by rationally designed fluorescence
probes
14:15
E 15p-C31-2 Surface-enhanced Raman spectroscopic analysis of the cyclic
Arg–Gly–Asp peptide ligands of cells using plasmonic nanogap
antennas
14:30
E 15p-C31-3 Analysis of Raman Spectra Measured in Dynamic SERS
Imaging of Intracellular Transport
14:45
E 15p-C31-4 Development of A Localized Surface Plasmon Sensor with A
Fabricated Sensing Surface Toward Multi-Analyte Detection
15:00
15:15
15:45
16:00
16:15
16:30
休憩 /Break
招 E 15p-C31-5 [JSAP-OSA Joint Symposia 2016 Invited Talk]
Long-Term Cell Tracking and Nanoscale Temperature
Sensing with Fluorescent Nanodiamonds
E 15p-C31-6 In vivo imaging of cerebral hemodynamics and light scattering
parameter in rat brain with a digital red-green-blue camera
E 15p-C31-7 Geometrical Effect on Sensitivity of Guided-Mode-Resonance
Biosensors
E 15p-C31-8 A miniature imaging sensor with compact processing system
for detection of fluorescence changing of Nitric Oxide
E 15p-C31-9 Fiber Based Illumination for Miniature Endoscopy
4.3 Optical Micro-sensing, Manipulation, and Fabrications
9/14(Wed.) 13:45 - 14:45 口頭講演 (Oral Presentation) C302 会場
13:45 招 E 14p-C302-1 [OSA Vice President Special Lecture]
Photonic Quantum Networks
9/14(Wed.) 15:15 - 19:00 口頭講演 (Oral Presentation) C301 会場
15:15 招 E 14p-C301-1 [JSAP-OSA Joint Symposia 2016 Invited Talk]
Challenge of Evanescent Light Exposing
15:45
16:00
16:15
Microstereolithography
E 14p-C301-2 Real-time detection of focal position for high precision laser
micromachining
E 14p-C301-3 Auto-detection of focal position on a curved surface in laser
micromachining
休憩 /Break
16:30 招 E 14p-C301-4 [JSAP-OSA Joint Symposia 2016 Invited Talk]
Surface plasmon mediated high capacity information
technology
Shrivastav1, Banshi D. Gupta1
〇 (M1)Chi-Yin Yang1, Kuo-Ping Chen1
1.Hokkaido Univ.
1.Indian institute of Technology Delhi
〇 Tatsuhiro Teranishi , Masahito Yamanaka ,
Hiroyuki Kawagoe1, Norihiko Nishizawa1
〇 Nanguang Chen1, Yubo Duan1, Shilpa Pant1
1.Nagoya University
〇 (PC)Liangda Chiu1,2, Taro Ichimura3, Hideaki
Fujita3,4, Takeaki Ozawa1, Katsumasa Fujita2
1.The Univ. of Tokyo, 2.Osaka Univ., 3.RIKEN,
4.Osaka Univ. IFReC
〇 Shinichi Hayashi1
1.Olympus Corp.
〇 Hideharu Mikami1, Jeffrey Harmon1, Hirofumi
Kobayashi1, Yasuyuki Ozeki1, Keisuke Goda1,2,3
〇 (P)Yasunori Nawa1, Yasuo Yonemaru1, Atsushi
1.Univ. of Tokyo, 2.UCLA, 3.JST
1
1
Kasai2, Nicholas I. Smith3, Hitoshi Hashimoto2,
Satoshi Kawata1, Katsumasa Fujita1
〇 (D)Taehwang Son1, Youngin Oh1, Wonju Lee1,
Donghyun Kim1
〇 (D)Samik Saha1, Partha Roy Chaudhuri1
1.NUS
1.Osaka Univ.Eng., 2.Osaka Univ.Pharm., 3.Osaka
Univ. iFReC
1.Yonsei Univ.
1.IIT Kharagpur
〇 Mako Kamiya1,2, Yasuteru Urano1,3
1.Univ. of Tokyo, 2.JST PRESTO, 3.AMED CREST
〇 Takaaki Yano1, Alejandro Portela1, Christian
Santschi2, Olivier Martin2, Hitoshi Tabata3,
Masahiko Hara1
〇 (D)Kazuki Bando1, Jun Ando1, Nicholas Smith2,
Katsumasa Fujita1, Satoshi Kawata1
〇 (M2)Kento Chiba1, Kenichi Morigaki2, Akira
Ainai3, Hideki Hasegawa3, Koji Uwai1, Hiroshi
Kano1
1.Tokyo Tech., 2.EPFL, 3.Univ. Tokyo
〇 Huan-Cheng Chang1
1.Academia Sinica
〇 Izumi Nishidate1, Afrina Mustari1, Yoshika
Harasaki1, Satoko Kawauchi2, Shunichi Sato2,
Manabu Sato3, Yasuaki Kokubo4
1.Tokyo Univ. Agri. Tech. BASE, 2.National
Defense Medical College Research Institute,
3.Yamagata University, 4.Yamagata University
Faculty of Medicine
1.Nat. Chung Cheng Univ.
〇 (M2)I-Chen Liu1, Yu-Cheng Lin1, Guo-En
Chang1
〇 (D)Anek Wuthayavanich1, Makito Haruta1,
Hiroaki Takehara1, Toshihiko Noda1, Kiyotaka
Sasagawa1, Takashi Tokuda1, Jun Ohta1
〇 Fu-Jen Kao1, Ming-Kuan Lu1,3, Hsin-Yu Lin1,
Chih-Cheng Hsieh2
1.Applied Physics, Osaka Univ., 2.iFReC, Osaka
Univ.
1.Muroran Inst. of Technology, 2.Kobe Univ.,
3.National Inst. of Infectious Diseases
1.Nara Inst. of Sci. and Tech.
1.Yang Ming U,, 2.Veterans General H., 3.ChungHua Telecom
〇 Ian Walmsley1, J. Nunn1, B. J. Smith1, W. S.
1.Univ. of Oxford, 2.Univ. of Southampton
〇 Satoru Takahashi1
1.The Univ. of Tokyo
〇 Phuong Le Hoang1, Xuan Binh Cao2,3
1.Korea Advanced Institute of Science and
Technology, 2.University of Science and
Technology,Korea, 3.Korea Institute of Machinary
and Materials
1.University of Science and Technology, Korea,
2.Korea Institute of Machinery and Materials
Kolthammer1, D. Saunders1, B. J. Metcalf1, S.
Barz1, J. Renema1, A. Eckstein1, P. Ledingham1, A.
Feizpour1, E. Poem1, B. Brecht1, H. Chrzanowski1,
P. C. Humphreys1, W. Clements1, K. Kazcmarek1, J.
H. D. Munns1, C. Qiu1, J. C. Gates2, P. G. R. Smith2
〇 (DC)Binh Xuan Cao1,2, Jiwhan Noh1,2
〇 Xiangping Li1
1.Jinan University
4.4 Opto-electronics
17:00 招 E 14p-C301-5 [JSAP-OSA Joint Symposia 2016 Invited Talk]
DNA Sensing Based on Gold Nanoparticles and Silicon
Nanopores
17:30
E 14p-C301-6 Utilizing Efficient Light - Heat Conversion in Aluminum
Perfect Absorbers for Spectrally Selective Infrared Detectors
〇 Toshiharu Saiki1, Hirohito Yamazaki1, Takaha
Mizuguchi1, Keiko Esashika1
〇 (P)Thang DAO1,2, Takahiro Yokoyama1,2, Satoshi 1.International Center for Materials
Ishii1,2, Tomomi Sawada1,2, Kai Chen1,2, Yoshiki
Nanoarchitectonics (MANA), National Institute
Wada1, Toshihide Nabatame1,2, Tadaaki Nagao1,2,3
for Materials Science (NIMS), 1-1 Namiki,
Tsukuba, Ibaraki 305-0044, Japan, 2.CREST, Japan
Science and Technology Agency, 4-1-8 Honcho,
Kawaguchi, Saitama 332-0012, Japan, 3.Department
of Condensed Matter Physics, Graduate School of
Science, Hokkaido University, Sapporo 060-0810,
Japan
〇 Atsushi Taguchi1
1.Osaka Univ.
14:15
14:30
14:45
15:00
15:15
15:30
15:45
16:00
16:15
16:30
1.Nanjing Univ.
1.ISM Dhanbad, India
1.IMR Tohoku Univ., 2.NICHe Tohoku Univ.,
3.C&A, 4.CAS Phys.
1.Univ. of Cacutta
1.UC Berkeley
〇 Jie Bao1
1.Tsinghua Univ.
〇 Mitsuru Takenaka1,2, Shinichi Takagi1,2
1.Univ. of Tokyo, 2.JST-CREST
〇 (D)Subhabrata Ghosh1, Shivakiran Bhaktha B.N.1 1.IIT Kharagpur
〇 (PC)Sudip Kumar Chatterjee1, Saba Nashreen
Khan1, Partha Roy Chaudhuri1
〇 (D)Kanagaraj Nithyanandan1
1.IIT Kharagpur
〇 Toshihiko Baba1
1.Yokohama National Univ.
〇 Jin-Wei Shi
1.Dept. of EE, National Central Univ., Taiwan,
2.Dept. of ECE, Univ. of California Santa Barbara,
CA
1.IIT Roorkee, 2.RPS Degree College
1,2
1.Pondicherry Univ.
E 16p-C301-3 Light Extraction Efficiency enhancement in OLED by dielectric 〇 (D)Vidhi Mann1, Babita Hooda2, Vipul Rastogi1
nanoparticles
E 16p-C301-4 Integration of GaInAsP Laser Diode on Direct-Bonded Thin
〇 (D)Gandhi Kallarasan1, Tetsuo Nishiyama1,
1.Sophia Univ.
Film InP-Si Substrate
Naoki Kamada1, Yuya Onuki1, Kazuhiko
Shimomura1
E 16p-C301-5 White emission from GaON diode emitter
〇 Lung-Han PENG1, Ming-Yi YAN1, Hong-Chih
1.Natl Taiwan Univ, 2.Optotech Corp.
Tang1, C. F. Huang2, Ching-Yu Chen2
E 16p-C301-6 Construction of vacuum referred binding energy diagram
〇 Kazuki Asami1, Jumpei Ueda1, Mamoru Kitaura2, 1.Kyoto Univ., 2.Yamagata Univ.
for understanding electronic structure of Ce3+ doped
Setsuhisa Tanabe1
Gd3(Al,Ga)5O12 phosphors
休憩 /Break
E 16p-C301-7 Comprehensive Analysis of high bandwidth Bragg Fiber having
Arbitrary Core Profile for broadband and WDM networks
E 16p-C301-8 Selectively Excited Higher Order Mode in a Chemically Etched
Few-Mode Fiber for High Relative Humidity Measurement
E 16p-C301-9 Demonstration of etched fiber based twin-cantilever
configuration in simultaneous measurement of magnetic field
and magnetization
E 16p-C301-10 Transition dynamics of noise like pulse from net normal
dispersion Yb-doped fiber laser
E 16p-C301-11 A study on the Modulational Instability in delayed Saturable
Nonlinear Optical Media
16:45
E 16p-C301-12 Analysis of Flat Top Comb-Filter based on Photonic crystal
Fiber for DWDM
4.5 Information Photonics
9/13(Tue.) 9:00 - 12:15 口頭講演 (Oral Presentation) C301 会場
9:00
E 13a-C301-1 Underwater information display using aerial imaging by retroreflection (AIRR)
9:15
E 13a-C301-2 Forming Two Aerial Images on Both Sides of a Display
Equipment
9:30
E 13a-C301-3 Design of CMA to Improve Luminance of Aerial Image
9:45
1.nanoLambda, 2.NTUT
〇 (DC)vikram palodiya1, Sanjeev Kumar
Raghuwanshi1
〇 (DC)Saba Nashreen Khan1, Sudip Kumar
Chatterjee1, Partha Roy Chaudhuri1
〇 (D)SOMARPITA PRADHAN1, PARTHA ROY
CHAUDHURI1
1.Indian School of Mines, Department of
Electronics Engineering, Dhanbad, India-826004.
1.IIT Kharagpur
Sheng-Jie Li1, 〇 Ja-Hon Lin1, Chien-Lin Chen1,
Sheng Hung Lin1, Jin-Jei Wu1, Shwu-Yun Tsay1,
Yao-Hui Chen1
〇 (D)Kanagaraj Nithyanandan1
1.Dept Electroopt Engn. for Natl Taipei Univ
Technol.
〇 (D)vikram palodiya1, Sanjeev Kumar
Raghuwanshi1
1.ISM, Dhanbad, India
1.IIT KHARAGPUR
1.Pondicherry Univ.
〇 (M1)Kenta Onuki1, Ryosuke Kujime1,2, Hirotsugu 1.Utsunomiya Univ., 2.Tokushima Univ.
Yamamoto1
〇 Tomofumi Kobori1, Hirotsugu Yamamoto1
1.Utsunomiya Univ.
〇 (D)Ryosuke Kujime1,2, Haruki Mizushina2, Shiro 1.Utsunomiya Univ., 2.Tokushima Univ.
Suyama2, Hirotsugu Yamamoto1
E 13a-C301-4 The use of color in scattered light for 3D touchable holographic 〇 (M2)Soma Sakurai1, Tomoya Nakamura1,
1.Tokyo Tech
light-field display
Masahiro Yamaguchi1
4 JSAP-OSA Joint Symposia 2016
17:45 招 E 14p-C301-7 [JSAP-OSA Joint Symposia 2016 Invited Talk]
Deep-UV Plasmonics for Nanophotonics and Nanoimaging
18:15 招 E 14p-C301-8 [JSAP-OSA Joint Symposia 2016 Invited Talk]
〇 Bill Choi1, Minkyu Song1, Jihoon Kim1, Kwansik
nano spectrometer, an example of Convergence Science and Lee1, Seongsu Woo1, Rao Saifullah1, Seungchan
Technology
Shin1, Cheng-Chun Chang2, Chien-Ta Wu2, YungChi Chuang2
18:45
E 14p-C301-9 Controllable harmonic generation by couplings of horizontal〇 Qin Yiqiang1, Zhu Ding1, Zhang Chao1
and vertical- polarized components
4.4 Opto-electronics
9/16(Fri.) 9:00 - 12:00
口頭講演 (Oral Presentation) C301 会場
9:00
E 16a-C301-1 Sn Content Dependent Absorption in GeSn Quantum Well
〇 (D)Prakash Pareek1, Ravi Ranjan1, Mukul K.
Layer for Infrared Sensing
Das1
9:15
E 16a-C301-2 Temperature dependence of luminescent properties for
〇 Shohei Kodama1, Shunsuke Kurosawa2, Takahiko
Cs2HfCl6
Horiai1, Akihiro Yamaji1, Yuui Yokota2, Jan Pejchal4,
Yuji Ohashi1, Mototaka Arakawa2, Kei Kamada2,3,
Martin Nikl4, Akira Yoshikawa1,2,3
9:30
E 16a-C301-3 Exceptional Line Formation and Flip-of-States in Degenerate
〇 (PC)Somnath Ghosh1, Arnab Laha1
Optical Microcavities
9:45 奨 E 16a-C301-4 Control of Directional Coupling Based on Adiabatic Elimination 〇 Taiki Hatakeyama1, Michael Mrejen1, Haim
Suchowski1, Yuan Wang1, Xiang Zhang1
10:00
休憩 /Break
10:15 招 E 16a-C301-5 [JSAP-OSA Joint Symposia 2016 Invited Talk]
The quantum dot spectrometer--Exploiting the limitless
number of colors of QDs
10:45 招 E 16a-C301-6 [JSAP-OSA Joint Symposia 2016 Invited Talk]
Heterogeneous integration of SiGe/Ge and III-Vs on Si for
electronic-photonic integrated circuits
11:15
E 16a-C301-7 Fabrication of sol-gel derived hybrid glass-ceramic rib
waveguides on SiO2-HfO2-ZnO thin films
11:30
E 16a-C301-8 Evanescent field control in a dynamic waveguide composed of
gelatin coated few-layer fiber
11:45
E 16a-C301-9 A Theoretical Investigation on Supercontinuum Generation in
Saturable Optical Nonlinear Media
9/16(Fri.) 13:30 - 17:00 口頭講演 (Oral Presentation) C301 会場
13:30 招 E 16p-C301-1 [JSAP-OSA Joint Symposia 2016 Invited Talk]
Photonic crystal nanolaser biosensors
13:45 招 E 16p-C301-2 [JSAP-OSA Joint Symposia 2016 Invited Talk]
High-Power and Ultrafast Photodidoes at THz Regime
1.Keio Univ.
4.6 Nanocarbon and 2D Materials
10:00
10:15
10:30
E 13a-C301-5 Maxwellian-view Display Using Computer Generated Hologram 〇 Yasuhiro Takaki1, Naohiro Fujimoto1
E 13a-C301-6 Finger vein authentication system based on capture of moving 〇 Hiroyuki Suzuki1, Yu Okazawa1, Yusuke Suwa1,
images
Takashi Obi1, Nagaaki Ohyama1, Takashi Komuro2
休憩 /Break
10:45 招 E 13a-C301-7 [JSAP-OSA Joint Symposia 2016 Invited Talk]
Adaptive optics microscopy: Towards high resolution imaging
of the fertilization in living plants
11:15
E 13a-C301-8 Learning-based Classification and Imaging through Scattering
Media
11:30
E 13a-C301-9 Post-processing for single shot ghost imaging
11:45
E 13a-C301-10 Single Pixel Imaging with a High-Frame-Rate LED Array
4 JSAP-OSA Joint Symposia 2016
12:00
E 13a-C301-11
9/14(Wed.) 9:00 - 12:15
9:00 招 E 14a-C301-1
9:30
E 14a-C301-2
9:45
E 14a-C301-3
10:00
E 14a-C301-4
10:15
E 14a-C301-5
10:30
11:45 招 E 14a-C301-9 [JSAP-OSA Joint Symposia 2016 Invited Talk]
Spatial-Spectral Holographic Fluorescence Microscopy
4.6 Nanocarbon and 2D Materials
9/13(Tue.) 13:15 - 17:45 口頭講演 (Oral Presentation) A37 会場
13:15 招 E 13p-A37-1 [JSAP-OSA Joint Symposia 2016 Invited Talk]
Wafer-Scale Films and Devices of Spontaneously Aligned
Carbon Nanotubes
13:45
E 13p-A37-2 Chemical solution processed MoS2 on high-k oxide film
14:15
14:45
15:00
15:15
15:30
15:45
16:15
16:30
〇 Yosuke Tamada1,2, Masayuki Hattori1,3
1.Natl. Inst. Basic Biol., 2.Grad. Univ. Adv. Stud.,
3.Natl. Astron. Obs. Jpn.
〇 Ryoichi Horisaki1, Jun Tanida1
1.Osaka Univ.
〇 Kouichi Nitta1, Daiki Takeuchi1, Osamu Matoba1 1.Kobe univ.
〇 (M1)Sho Onose1, Masashi Takahashi1, Yasuhiro 1.Utsunomiya Univ., 2.JST, ERATO MINOSHIMA
Mizutani2,3, Takeshi Yasui2,4, Hirotsugu Yamamoto1,2 Intelligent Optical Synthesizer, 3.Osaka Univ.,
4.Tokushima Univ.
Accelerating computation of Appearance from Motion by using Ryota Domon1, Yuto Hirasawa1, Shoji Yamamoto2, 1.Chiba University, 2.Tokyo Metropolitan College
3
1
Omni-Directional Camera
Hiroshi Kintou , 〇 Norimichi Tsumura
of Industrial Technology, 3.Nikon Corporation
口頭講演 (Oral Presentation) C301 会場
[JSAP-OSA Joint Symposia 2016 Invited Talk]
〇 Nathan Hagen1
1.Utsunomiya Univ.
Snapshot spectral imaging: past, present, and future
Relationship between the image quality and constant phase
〇 Tatsuki Tahara1, Kaito Omae1, Reo Otani2,
1.Kansai Univ., 2.SIGMAKOKI CO., LTD., 3.Tokyo
shifts in phase-shifting interferometry selectively extracting
Yasuhiko Arai1, Yasuhiro Takaki3
Univ. Agri. Tech.
wavelength information
Multi-modal Digital Holographic Microscope with Dual〇 (D)Xiangyu Quan1, Osamu Matoba1, Kouichi
1.Kobe Univ., 2.Kyoto Inst. Tech., 3.Hyogo Pref.
wavelength Excitation and Dual-wavelength Phase Imaging
Nitta1, Yasuhiro Awatsuji2, Yukako Takizawa3
Inst. Tech.
1,2,3
Dual-wavelength digital holography using optical frequency
〇 (M2)Clement Trovato , Dahi Ghareab
1.Tokushima Univ., Japan, 2.Bordeaux Univ.,
synthesizer
Abdelsalam1,3, Takayuki Ogawa1,3, Takeo
France, 3.JST, ERATO MINOSHIMA IOS,
Minamikawa1,3, Hirotsugu Yamamoto3,4, Emmanuel 4.Utsunomiya Univ., 5.LOMA
Abraham2,5, Takeshi Yasui1,3
Three-dimensional mapping of fluorescence point sources using Ryosuke Abe1, 〇 Yoshio Hayasaki1
1.Utsunomiya Univ.
self-interferencedigital holography with space-division matching
method
休憩 /Break
10:45 招 E 14a-C301-6 [JSAP-OSA Joint Symposia 2016 Invited Talk]
Computational Projection Displays
11:15
E 14a-C301-7 Development of aerial heater that converges infrared lights by
use of WARM
11:30
E 14a-C301-8 Various imaging techniques using polarization color
14:00
1.Tokyo Univ. of Agri. and Tech.
1.Tokyo Tech. for Tokyo Institute of Technology,
2.Saitama Univ. for Saitama University
奨 E 13p-A37-3 Growth of Frost Column-like Carbon Nanotube Forest on
Alumina Layer
招 E 13p-A37-4 [JSAP-OSA Joint Symposia 2016 Invited Talk]
Electron energy-loss spectroscopy to probe the local optical
properties of low-dimensional materials
奨 E 13p-A37-5 Binding Energy of Locally Physisorbed Oxygen Molecules
in 2D Materials Measured by Laser Terahertz Emission
Microscopy
E 13p-A37-6 Simultaneous enhancement in phonon-assisted
photoluminescence and Raman scattering of an air-suspended
carbon nanotube
奨 E 13p-A37-7 Photoluminescence Quantum Yield and Effective Exciton
Radiative Lifetime in Monolayer Transition Metal
Dichalcogenides
休憩 /Break
招 E 13p-A37-8 [JSAP-OSA Joint Symposia 2016 Invited Talk]
Novel 2D interfaces with silicon, graphene, MoTe2 and Ca2N
E 13p-A37-9 hBN-encapsulated Group-VI TMDC van der Waals
Heterostructures : Fabrication and Optical properties
E 13p-A37-10 Modulation of Optical Properties of Monolayer MoSe2-
〇 Daisuke Iwai1
1.Osaka University
〇 (M1)Tomoyuki Okamoto , Kenta Onuki , Sho
Onose1, Takaho Itoigawa1, Hirotsugu Yamamoto1
〇 Kenji Harada1, Toshiki Matsuzaki1, Yusuke
Momoi1
〇 Yuan Luo1,2
1.Utsunomiya Univ.
Weil Gao1, Xiaowei He1, 〇 Junichiro Kono1
1.Rice Univ.
〇 (DC)Joonam Kim1, Kenichi Haga1, Koichi
Higashimine2, Eisuke Tokumitsu1
1.JAIST
1
1
1.Kitami Inst. of Tech.
1.Inst. of Medical Device and Imaging, Nat.
Taiwan Univ.., 2.Molecular Imaging Center, Nat.
Taiwan Univ.
〇 (M1)Hiroki Miyaji1, Adam Pander1, Akimitsu
1.Kochi Univ. Technol., 2.Center for Nanotechnol.,
Hatta1,2, Hiroshi Furuta1,2
Kochi Univ. Technol.
1,2
1
1,3
〇 Kazu Suenaga , YungChang Lin , Luiz Tizei , 1.AIST, 2.Tokyo Univ., 3.Univ. Paris-Sud
Ryosuke Senga1, Junhao Lin1
〇 (DC)Filchito Bagsican1, Iwao Kawayama1,
Andrew Winchester2, Sujoy Ghosh2, Xiang Zhang3,
Lulu Ma3, Minjie Wang3, Hironaru Murakami1,
Saikat Talapatra2, Robert Vajtai3, Pulickel Ajayan3,
Junichiro Kono3, Masayoshi Tonouchi1
〇 HISASHI SUMIKURA1,2, HIROSHI TAKAKI3,
HIDEYUKI MAKI3,4, MASAYA NOTOMI1,2
1.Osaka Univ., 2.Southern Illinois Univ.Carbondale, 3.Rice Univ.
〇 (D)Nur Baizura Mohamed1, Feijiu Wang1,
Sandhaya Koirala1, Hong En Lim1, Shinichiro
Mouri1, Yuhei Miyauchi1, Kazunari Matsuda1
1.Inst. of Advanced Energy, Kyoto Univ.
〇 Heejun Yang1
1.SKKU
〇 Mitsuhiro Okada1, Yusuke Kureishi1, Kenji
Watanabe2, Takashi Taniguchi2, Hisanori
Shinohara1, Ryo Kitaura1
〇 Shinichiro Mouri1,2, Wenjing Zhang1, Yuhei
Miyauchi1, Kazunari Matsuda1
〇 Kazuhiro Yanagi1
1.Nagoya Univ., 2.NIMS
1.NTT NPC, 2.NTT BRL, 3.Keio Univ., 4.JST
1.Kyoto Univ., 2.Ritumeikan Univ.
MoS2 Hetero-Structures
16:45 招 E 13p-A37-11 [JSAP-OSA Joint Symposia 2016 Invited Talk]
1.Tokyo Metropolitan Univ.
Optical and Photo-thermoelectric Properties of Fermi-level
Tuned Single-Walled Carbon Nanotubes with a Selected
Electronic Structure
17:15 奨 E 13p-A37-12 Multifunctional Phosphonic Acid Self-Assembled Monolayer for 〇 Wanjing Du1, Kawanago Takamasa1, Oda Shunri1 1.Tokyo Tech.QNERC
Metal Patterning and Ultrathin Gate Dielectrics in Fabrication
of MoS2 Field-Effect Transistors
17:30 奨 E 13p-A37-13 High Photosensitive Germanium Sulfide Photodetectors with
〇 (P)Dezhi Tan1, Yuhei Miyauchi1, Kazunari
1.Kyoto Univ.
Broad Spectral Response
Matsuda1
4.7 Terahertz Photonics
4.7 Terahertz Photonics
9/15(Thu.) 13:15 - 17:30 口頭講演 (Oral Presentation) C301 会場
13:15 招 E 15p-C301-1【Spotlight Talk】[JSAP-OSA Joint Symposia 2016 Invited
Talk]
Observation and Manipulation of Macromolecules by
Terahertz Waves
13:45 招 E 15p-C301-2 [JSAP-OSA Joint Symposia 2016 Invited Talk]
Recent Advances in Terahertz Biomedical Application
14:15 奨 E 15p-C301-3 Enhancement of Terahertz Magnetic Near-field by Tapered
Metallic Waveguide
14:30
15:00
15:15
16:45
E 15p-C301-10 Dependence of the generation efficiency of air-plasma based
ultrabroadband coherent infrared pulses on the thickness of
optical components
17:00
E 15p-C301-11 Chemical remote and in situ sensing based on a flexible
terahertz pipe waveguide
17:15
E 15p-C301-12 Enhanced Terahertz Wave Generation via Combination of
Cherenkov Phase Matching and Waveguide Crystal
4.8 Strong Light Excitation Phenomena Applied to Materials and Bio Engneering
9/13(Tue.) 13:45 - 18:00 口頭講演 (Oral Presentation) C301 会場
13:45 招 E 13p-C301-1 [JSAP-OSA Joint Symposia 2016 Invited Talk]
Nonlinear optics for in vivo experimental biology: cellular
imaging and manipulation
14:15 招 E 13p-C301-2 [JSAP-OSA Joint Symposia 2016 Invited Talk]
Femtosecond laser-based subtractive and additive
processing for bioapplications
14:45
E 13p-C301-3
15:00
E 13p-C301-4
15:15
奨 E 13p-C301-5
15:30
奨 E 13p-C301-6
17:15
17:30
17:45
1.Yonsei Univ. South Korea, 2.Univ. of Seoul
1.Osaka Univ., 2.Toyota Physical and Chemical
Research Inst., 3.Univ. of Fukui
1.Riken
1.Osaka Univ., 2.Rice Univ., 3.Brown Univ.
1.RIKEN RAP
〇 Ranjan Singh1
1.Nanyang Technological Univ.
〇 Takeshi Yasui
1.Tokushima Univ., 2.JST, ERATO MINOSHIMA
IOS
〇 Masaaki Tsubouchi1, Keisuke Nagashima1,
Fumiko Yoshida1, Yoshihiro Ochi1, Momoko
Maruyama1
〇 Eiichi Matsubara1,2, Masaya Nagai2, Masaaki
Ashida2
1.QST
〇 Borwen You1, Ja-Yu Lu2, Toshiaki Hattori1
1.Univ. of Tsukuba, 2.NCKU
〇 Kei Takeya1, Tsubasa Minami1, Kodo Kawase1
1.Nagoya Univ.
〇 Nozomi Nishimura1
1.BME, Cornell Univ.
1,2
1.Osaka Dental Univ., 2.Osaka Univ.
〇 Mitsuhiro Terakawa1, Akimichi Shibata1,
1.Keio University, 2.Leibniz University, 3.LZH
Shuhei Yada1, Manan Machida1, Maria Leilani
Torres-Mapa2, Dag Heinemann3, Alexander
Heisterkamp2
High-speed sorting of micro-objects in microfluidics by Yb
〇 (D)Zhen-Yi Hong1, Hiroki Hagihara1, Takanori 1.NAIST
femtosecond laser amplifier
Maeno1, Takanori Iino1, Kazunori Okano1, Yoichiroh
Hosokawa1
Synthesis of platinum based catalyst for methanol oxidation
〇 (DC)Muttaqin Muttaqin1, Takahiro Nakamura1, 1.IMRAM, Tohoku Univ.
reaction using nano-GO as capping agent by femtosecond laser Shunichi Sato1
pulse irradiation
Fabrication of of YVO4:Eu3+Nanoparticles by Laser ablation in 〇 (DC)HAOHAO WANG1, Osamu Odawara1,
1.Tokyo Tech.
Liquid
Hiroyuki Wada1
1
1
Monocrystalline Silicon Microsphere Fabricated by Optical
〇 (D)Alimiti Abulizi , Honami Fujiwara , Kai
1.Chiba Univ, 2.Hokkaido Univ
Vortex Laser Illumination
Izumisawa1, Katsuhiko Miyamoto1, Ryuji Morita2,
Takashige Omatsu1
休憩 /Break
16:00 招 E 13p-C301-7 [JSAP-OSA Joint Symposia 2016 Invited Talk]
Photoinduced self-assembly of nanostructure
16:30 招 E 13p-C301-8 [JSAP-OSA Joint Symposia 2016 Invited Talk]
Diamond quantum photonics platform enabled by
femtosecond laser processing
17:00
〇 Seung Jae Oh1, Young Bin Ji1, Joo-Hiuk Son2,
Jin-Suck Suh1
〇 (D)Hongsong Qiu1, Hirofumi Harada1, Kosaku
Kato1, Takayuki Kurihara1, Keisuke Takano1, Tohru
Suemoto2, Masahiko Tani3, Nobuhiko Sarukura1,
Masashi Yoshimura1, Makoto Nakajima1
E 15p-C301-4 Polymer Metamaterials for Terahertz Wave Devices
〇 (PC)Zhengli Han1, Yu Tokizane1, Kouji Nawata1,
Mio Koyama1, Karsaklian Dal Bosco Andreas1,
Yoichi Ogata1, Takashi Notake1, Yuma Takida1,
Hiroaki Minamide1
E 15p-C301-5 Terahertz Characterization of Ultrathin Conductive Materials
Manjakavahoaka Razanoelina1, 〇 (DC)Filchito
using Parallel Plate Waveguide Time Domain Spectroscopy
Bagsican1, Iwao Kawayama1, Hironaru Murakami1,
Robert Vajtai2, Pulickel Ajayan2, Junichiro Kono2,
Daniel Mittleman3, Masayoshi Tonouchi1
E 15p-C301-6 Development of Mueller-Matrix Polarimeter for Detailed
〇 Takashi Notake1, Kouji Nawata1, Yuma Takida1,
Analysis of Polarization Devices at Terahertz Frequency Range. Yu Tokizane1, Zhengli Han1, Mio Koyama1, Yoichi
Ogata1, Andreas Karsaklian Dal Bosco1, Hiroaki
Minamide1
休憩 /Break
15:30 招 E 15p-C301-7 [JSAP-OSA Joint Symposia 2016 Invited Talk]
High Q superconducting THz metamaterials
16:00 招 E 15p-C301-8 [JSAP-OSA Joint Symposia 2016 Invited Talk]
Discrete Fourier transform spectroscopy using precisely
periodic THz pulse train
16:30
E 15p-C301-9 Contact grating with Fabry-Perot resonator for effective THz
light generation
15:45
1.RIKEN
E 13p-C301-9 Wet etching on Rear Surface of a Silicon Substrate assisted by
an Infrared Femtosecond Laser
E 13p-C301-10 Ultrashort pulse laser slicing of wide bandgap 4H-SiC crystal
E 13p-C301-11 On-Demand Deposition of Gold Nanodots by Laser-Induced
Dot Transfer
E 13p-C301-12 Observation of stress dynamics after fs laser irradiation inside
diamond
〇 Yasuhiko Shimotsuma1, Masaaki Sakakura1,
Kiyotaka Miura1
〇 Toney Teddy Fernandez1, Vibhav Bharadwaj1,
1.Kyoto Univ.
1.IFN-CNR & Polimi, 2.Univ.Calgary, Canada,
Belen Sotillo1, J.P. Hadden2, Masaaki Sakakura3, 3.Kyoto Univ. Japan, 4.IFN-CNR, Trento
Andrea Chiappini4, Stefano Longhi1, Roberto
Osellame1, Gianluca Galzerano1, Yasuhiko
Shimotsuma3, Maurizio Ferrari4, Kiyotaka Miura3,
Roberta Ramponi1, Paul E Barclay2, Shane M
Eaton1
〇 (D)Khanh Phu Luong1, Rie Tanabe1, Yoshiro Ito1 1.Department of Mechanical Engineering, Nagaoka
University of Technology
〇 Eunho Kim1, Yasuhiko Shimotsuma1, Masaaki
1.Kyoto Univ., 2.Kyoto univ. SACI
Sakakura2, Kiyotaka Miura1
〇 Aiko Narazaki1, Yoshiki Nakata2, Tatsuya Shoji3, 1.AIST, 2.ILE Osaka Univ., 3.Osaka City Univ.
Yasuyuki Tsuboi3
〇 Masaaki Sakakura1, Takuro Okada2, Vibhav
1.Kyoto Univ. SACI, 2.Kyoto Univ. Eng., 3.Politec.
Bharadwaj3,4, Belen Sotillo3,4, Shane Eaton3,4,
Milano, 4.IFN-CNR, 5.Koc Univ.
Roberta Ramponi3,4, Toney Fernandez3,4, Ali
5
5
2
Serpenguzel , Ulas Gokay , Yasuhiko Shimotsuma ,
Kiyotaka Miura2
4 JSAP-OSA Joint Symposia 2016
14:45
〇 Hiromichi Hoshina1
6.1 強誘電体薄膜 / Ferroelectric thin films
6 薄膜・表面 / Thin Films and Surfaces
シンポジウムのプログラムは p.35 ～ p.41 にございます
6.1 強誘電体薄膜 / Ferroelectric thin films
9/13(Tue.) 10:00 - 11:45 口頭講演 (Oral Presentation) A23 会場
10:00
13a-A23-1 Si 基板上 c 軸配向 PMnN-PZT エピタキシャル急冷薄膜の面内
ひずみの高温 XRD 解析
10:15
奨 E 13a-A23-2 Deposition Temperature Dependency of Characteristics of
PMnN-PZT Epitaxial Thin Film on Si Prepared by Sputter
Deposition with Fast Cooling
10:30
13a-A23-3【注目講演】小型スパッタリング装置を用いた PZT 圧電膜の作
製と評価
10:45
13a-A23-4 圧電 MEMS 向けドライエッチングプロセスの開発
6 薄膜・表面 / Thin Films and Surfaces
11:00
11:15
11:30
E 13a-A23-5 Compositional dependence of BaTiO3-xBaSnO3 piezoelectric
thin films prepared by combinatorial sputtering
13a-A23-6 圧電 MEMS 振動発電への応用に向けた BiFeO3 薄膜の誘電特
性の改善
13a-A23-7 歩行運動を対象にした圧電発電の検討
9/13(Tue.) 13:30 - 16:45 口頭講演 (Oral Presentation) A23 会場
13:30 招 E 13p-A23-1 [2016 Fellow International Special Lectures]
Piezoresponse Force Microscopy - candid camera for the
nanoferroelectric world
14:00
奨 13p-A23-2 BiFeO3 薄膜の正圧電応答におけるドメイン壁の寄与
14:15
奨 13p-A23-3 面内分極軸優先配向 Pb(Zr,Ti)O3 薄膜のドメイン構造
14:30
14:45
15:00
15:15
15:30
15:45
16:00
16:15
16:30
〇吉田 慎哉 1, 田中 秀治 1
1. 東北大工
〇 (M2)Zhen Zhou1, Shinya Yoshida1, Shuji Tanaka1 1.Tohoku Univ.
〇木村 勲 1, 小林 宏樹 1, 露木 達郎 1, 神保 武人 1,
1. 株式会社アルバック , 2. アルバック九州株式会
鄒 弘綱 1, 杉田 浩志 2, 渡邉 憲志 2
社
〇山本 直志 1, 小林 宏樹 1, 神保 武人 1, 上村 隆一郎 1. アルバック半電研
1
Hongbo Cheng1,2, 〇 Takuya Teramoto1, Hirotaka
1.Kobe Univ., 2.Shandong Univ.
Hida1, Isaku Kanno1, Jun Ouyang2
〇荒牧 正明 1, 苅谷 健人 1, 吉村 武 1, 村上 修一 2,
1. 阪府院工 , 2. 阪府産技研
藤村 紀文 1
〇柿原 凌汰 1, 苅谷 健人 1, 松下 裕司 1, 桐谷 乃輔 1, 1. 阪府大院工
吉村 武 1, 藤村 紀文 1
〇 Alexei Gruverman1
1.University of Nebraska,Lincoln
〇苅谷 健人 1, 吉村 武 1, 藤村 紀文 1
〇一ノ瀬 大地 1, 江原 祥隆 1, 清水 荘雄 1, 坂田 修身
2,3
, 山田 智明 4,5, Alexei Gruverman6, 舟窪 浩 1
13p-A23-4 パターン化 SrTiO3 基板上への BiFeO3 薄膜の作製
〇瀬戸 翔太 1, 中嶋 誠二 1, 藤沢 浩訓 1, 清水 勝 1
E 13p-A23-5 Voltage-Pulse-Induced Expansion of Chalcogenide Superlattices 〇 Leonid Bolotov1, Tetsuya Tada1, Yuta Saito1,
Measured by Scanning Probe Microscopy
Junji Tominaga1
休憩 /Break
招 13p-A23-6 [ 講演奨励賞受賞記念講演 ]
ナノキャパシタの第一原理解析－ dead layer 効果と負のキャ
パシタンス
13p-A23-7 ReRAM 用 BaTiO3 薄膜の強誘電性と抵抗ヒステリシス特性の
関係の検討
13p-A23-8 Nd 添加 BFO 薄膜の抵抗スイッチングと光起電力
13p-A23-9 強誘電体薄膜における電気熱量効果の直接測定
13p-A23-10 (Pb,Y)(Sn,Zr)O3 薄膜の反強誘電特性とエネルギー貯蔵特性
13p-A23-11
9/14(Wed.) 9:00 - 11:45
9:00
14a-A23-1
9:15
14a-A23-2
9:30
奨 14a-A23-3
9:45
14a-A23-4
10:00
14a-A23-5
10:15
奨 14a-A23-6 HfO2 基強誘電体の結晶構造と特性の熱処理温度依存性
10:45
奨 14a-A23-7
11:00
11:15
14a-A23-8
14a-A23-9
11:30
奨 14a-A23-10
9/14(Wed.) 13:30 - 15:30
14p-P3-1
〇笠松 秀輔 1, 渡邉 聡 2, Han Seungwu3, Hwang
1. 東大物性研 , 2. 東大院工 , 3. ソウル大
〇杉江 敏幸 1, 前島 壮 1, 山下 馨 1, 野田 実 1
1. 京工繊工芸
Cheol Seong3
〇森本 章治 , 横田 雄介 , 川畑 創
〇松下 裕司 1, 後田 敦史 1, 吉村 武 1, 藤村 紀文 1
〇福田 繁規 1, 橋爪 洋一郎 1, 中嶋 宇史 1, 岡村 総一
郎1
遷移金属元素をドープした単一ドメイン BiFeO3 薄膜の異常光 〇 (M2) 高山 幸太 1, 中嶋 誠二 1, 藤沢 浩訓 1, 清水
起電力効果 ( Ⅲ )
勝1
口頭講演 (Oral Presentation) A23 会場
(0001)ZnO 基板上における巨大 c/a 比を有する BiFeO3 薄膜の 〇後田 敦史 1, 小前 智也 1, 吉村 武 1, 藤村 紀文 1
成長
マルチフェロイックヘテロ構造のための面内強誘電分極エピタ 〇 (PC) 小松 克伊 1, 鈴木 一平 1, 青木 巧 2, 濵嵜 容
キシャル BaTiO3 薄膜
丞 1, 伊藤 満 1, 谷山 智康 1
成長温度がスピネルとナノ相分離した Bi 層状ペロブスカイト 〇原田 龍馬 1, 川平 祐太 1, 丸山 伸伍 1, 松本 祐司 1
の安定性に及ぼす影響
電界印加による YO1.5-HfO2 基薄膜の結晶構造変化
〇清水 荘雄 1, 三村 和仙 1, 片山 きりは 1, 木口 賢紀
2
, 赤間 章裕 2, 今野 豊彦 2, 坂田 修身 3, 舟窪 浩 1
強誘電体 Pb(Zr,Ti)O3 ナノロッドの電荷遮蔽によるドメイン制 〇山田 智明 1, 伊藤 大介 1, Sluka Tomas2, Setter
御
Nava2, 坂田 修身 3,4, 生津 資大 5, 舟窪 浩 4, 吉野 正
人 1, 長崎 正雅 1
休憩 /Break
10:30
1
2
2
〇三村 和仙 1, 清水 荘雄 2, 内田 寛 3, 木口 賢紀 4,
赤間 章裕 4, 今野 豊彦 4, 坂田 修身 5, 舟窪 浩 1,2,6
PLD 法による配向制御したエピタキシャル (Bi,K)TiO3 膜の作 〇根本 祐一 1, 一ノ瀬 大地 2, 清水 荘雄 3, 内田 寛 4,
製
佐藤 祐介 5, 山岡 和希子 5, 舟窪 浩 1,2,3
チタン酸バリウム系ナノキューブ集積体の誘電特性
〇三村 憲一 1, 加藤 一実 1
VDF/TeFE 共重合体薄膜の非対称なドメインスイッチング特 〇中川 佑太 1, 榎本 尚人 1, 橋爪 洋一郎 1, 中嶋 宇史
1
性
, Gruverman Alexei2, 岡村 総一郎 1
Au / VDF-TrFE / 半導体 Si 接合 における分極誘起抵抗変化現 〇榎本 尚人 1, 中川 佑太 1, 橋爪 洋一郎 1, 中嶋 宇史
1
象
, 岡村 総一郎 1
ポスター講演 (Poster Presentation) P3 会場
KNN 薄膜を用いた光起電力特性評価
〇大地 優平 1, 肥田 博隆 1, 神野 伊策 1
14p-P3-2 強誘電体インクジェット成膜液の飛翔特性
1. 阪府大工院
1. 東工大 , 2.NIMS, 3.SPring-8, 4. 名大 , 5.PRESTO,
6. ネブラスカ大
1. 兵庫県立大工
1.AIST
〇山口 正樹 1,2, 松岡 勇汰 1, 増田 陽一郎 3
14p-P3-3 Si 基板上における Bi4-xLaxTi3O12 薄膜の結晶配向と MFS 構造 〇香野 淳 1, 田尻 恭之 1
の電気特性
6.2 カーボン系薄膜 / Carbon-based thin films
9/13(Tue.) 13:15 - 18:00 口頭講演 (Oral Presentation) A26 会場
13:15
13p-A26-1 ナノホールレジストマスクを用いた低エネルギーイオン注入に 〇東又 格 1, 岡田 拓真 1, 加賀美 理沙 1, 寺地 徳之 2,
よる量子センシングのための NV センター配列の作製
小野田 忍 3, 春山 盛善 3,5, 山田 圭介 3, 稲葉 優文 1,
山野 颯 1, Priyadharshini Balasubramanian4, Liam P
McGuinness4, Boris Naydenov4, Fedor Jelezko4, 大
島 武 3, 品田 高宏 6, 川原田 洋 1, 加田 渉 5, 花泉 修 5,
磯谷 順一 7, 谷井 孝至 1
13:30
13p-A26-2 ナノホールレジストマスクを用いた NV センター配列の作製Ⅱ 〇岡田 拓真 1, 東又 格 1, 加賀美 理沙 1, 寺地 徳之
2
, 小野田 忍 3, 山田 圭介 3, 春山 盛善 3,5, 稲葉 優文
1
, 山野 颯 1, Priyadharshini Balasubramanian4, Boris
Naydenov4, Liam McGuinness4, Fedor Jelezko4, 大
島 武 3, 品田 高宏 6, 川原田 洋 1, 加田 渉 5, 花泉 修 5,
磯谷 順一 7, 谷井 孝至 1
13:45
13p-A26-3 イオン飛跡に沿って形成される NV センターのスピン特性
〇小野田 忍 1, 立見 和雅 2, 春山 盛善 1,2, 寺地 徳之 3,
磯谷 順一 4, 山野 颯 5, 川原田 洋 5, 加田 渉 2, 花泉
修 2, 大島 武 1
1. 金沢大理工 , 2. 金沢大院自然
1. 大阪府立大学
1. 東理大理
1. 兵庫県立大学
1. 阪府大院工
1. 東工大 , 2.TDK
1. 東北大院工
1. 東工大 , 2. 東北大 , 3. 物材機構
1. 名古屋大 , 2. スイス連邦工科大 , 3. 物質・材料
研究機構 , 4. 東工大 , 5. 愛知工大
1. 東工大総理工 , 2. 東工大元素 , 3. 上智大理工 ,
4. 東北大金研 , 5.NIMS, 6. 東工大物院
1. 東工大総理工 , 2. 東工大物院工 , 3. 東工大元素 ,
4. 上智大理工 , 5.TDK 株式会社
1. 産総研
1. 東理大理 , 2. ネブラスカ大学リンカーン校
1. 東理大理
1. 神戸大工
1. 芝浦工大工 , 2. 芝浦工大 RCGI, 3. 八戸工大工
1. 福岡大理
1. 早大理工 , 2. 物材機構 , 3. 量研機構 , 4. ウルム大 ,
5. 群大 , 6. 東北大 , 7. 筑波大
1. 早大理工 , 2. 物材機構 , 3. 量研機構 , 4. ウルム大 ,
5. 群大 , 6. 東北大 , 7. 筑波大
1. 量研機構 , 2. 群馬大 , 3. 物材機構 , 4. 筑波大 , 5. 早
大
6.2 カーボン系薄膜 / Carbon-based thin films
14:00
14:15
14:30
14:45
奨 13p-A26-4 微細加工基板上に生成されたダイヤモンド中 NV 中心－微細加
工法による特性の違い－
13p-A26-5 ダイヤモンド中 NV 中心のコヒーレンス
－窒素核スピンの影響と同位体効果－
休憩 /Break
招 13p-A26-6 [ 優秀論文賞受賞記念講演 ]
Perfect selective alignment of nitrogen-vacancy centers in
diamond
奨 13p-A26-7
15:30
奨 13p-A26-8
15:45
奨 13p-A26-9
16:00
E 13p-A26-10
16:15
13p-A26-11
16:30
17:00
17:15
17:30
17:45
奨 13p-A26-12 ダイヤモンド中 NV 中心集合体のパルス光検出磁気共鳴イメー
ジング
奨 13p-A26-13 光検出磁気共鳴によるダイヤモンド NV アンサンブル膜中のス
トレス測定とその制御
奨 13p-A26-14 配向制御されたダイヤモンド NV 中心を用いた交流電流センシ
ング
〇岡崎 睦 1, 渡邊 幸志 2, 赤羽 浩一 3, 門内 靖明 1,
佐々木 健人 1, 伊藤 公平 1, 早瀬 潤子 1
〇小澤 勇斗 1,2, 田原 康佐 1,2, 石綿 整 1, 岩崎 孝之 1,2,
波多野 睦子 1,2
〇西條 蒼野 1, 藤田 留士郎 1, 花野 郁也 1, 北澤 清香
1
, 渡邊 幸志 2, 赤羽 浩一 3, 松崎 雄一郎 4, 早瀬 潤子
1
1. 阪大 , 2. 産総研 , 3. 金沢大 , 4. 東工大 , 5. 京大
1. 早大理工 , 2. 量研機構 , 3. 物材機構 , 4. 群馬大 ,
5. 筑波大 , 6. 早大材研
1. 早大 , 2. 量研機構 , 3. 物材機構 , 4. 群馬大 , 5. 筑
波大 , 6. 早大材研
1. 東工大 , 2.CREST
1.JAIST, 2.ICR Kyoto Univ.
1. 東工大 , 2.JST-CREST
1. 慶大理工 , 2. 産総研 , 3. 情報通信研究機構
1. 東工大 , 2.Crest
1. 慶大理工 , 2. 産総研 , 3. 情報通信機構 , 4.NTT
物性科学基礎研
13p-A26-15 イオン注入を用いた SiV センターの作製と生成収率のエネル
ギー依存性評価
奨 13p-A26-16
9/14(Wed.) 9:00 - 11:45
9:00
奨 14a-A26-1
9:15
奨 14a-A26-2
9:30
奨 14a-A26-3
9:45
14a-A26-4
10:00
14a-A26-5
10:15
10:30
〇福井 貴大 1, 土井 悠生 1, 宮崎 剛英 2, 宮本 良之 2,
加藤 宙光 2, 松本 翼 3, 牧野 俊晴 2, 山崎 聡 2, 森本
隆介 3, 徳田 規夫 3, 波多野 睦子 4, 坂川 優希 1, 森下
弘樹 5, 田嶌 俊之 1, 三輪 真嗣 1, 鈴木 義茂 1, 水落 憲
和5
表面酸化によるダイヤモンド中の浅い NV センターのコヒーレ 〇 (B) 河合 空 1, 山野 颯 1, 梶家 美貴 1, 加藤 かな
ンス特性
み 1, 蔭浦 泰資 1, 稲葉 優文 1, 岡田 拓真 1, 東又 格 1,
春山 盛善 2,4, 谷井 孝至 1, 山田 圭介 2, 小野田 忍 2,
寺地 徳之 3, 加田 渉 4, 花泉 修 4, 磯谷 順一 5, 川原
田 洋 1,6
DNA の NMR 検出に向けた NH2 終端ダイヤモンド中の浅い 〇 (B) 梶家 美貴 1, 加藤 かなみ 1, 河合 空 1, 山野 颯 1,
NV センター
Suaebah Evi1, 陰浦 泰資 1, 稲葉 優文 1, 東又 格 1, 春
山 盛善 2,4, 谷井 孝至 1, 山田 圭介 2, 小野田 忍 2, 寺
地 徳之 3, 加田 渉 4, 花泉 修 4, 磯谷 順一 5, 河野 省
三 1, 川原田 洋 1,6
高配向 NV センターデルタドープ薄膜を用いた NMR 計測
〇石綿 整 1, 田原 康佐 1,2, 小澤 勇斗 1,2, 岩崎 孝之 1,2,
波多野 睦子 1,2
Stray Magnetic Field Detection and Imaging from Magnetic
〇 (D)Dwi Prananto1, Daisuke Kikuchi1, Norikazu
Particle with an Ensemble of Nitrogen Vacancy Center in
Mizuochi2, Toshu An1
Diamond
交流磁場のイメージング計測に向けたマイクロ波アンテナの評 〇 (M1) 水野 皓介 1,2, 田原 康佐 1,2, 岩崎 孝之 1,2, 波
価
多野 睦子 1,2
休憩 /Break
〇加賀美 理沙 1, 東又 格 1, 岡田 拓真 1, 寺地 徳之 2, 1. 早大理工 , 2. 物材機構 , 3. 量研機構 , 4. 群大 , 5. 東
小野田 忍 3, 春山 盛善 3,4, 大島 武 3, 品田 高宏 5, 加 北大 , 6. 筑波大
田 渉 4, 花泉 修 4, 磯谷 順一 6, 谷井 孝至 1
ナノダイヤモンド中に形成した GeV センターからの単一光子 〇島本 祐輔 1,2, 須藤 建瑠 1,3, 波多野 睦子 睦子 1,3, 1. 東工大院電気電子系 , 2. 東工大未来研 , 3.CREST
放出
小田 俊理 1,2, 岩崎 孝之 1,3
口頭講演 (Oral Presentation) A26 会場
フィルタードパルスアーク蒸着法を用いた DLC 膜の作製と分 〇磯野 凌 1, 針谷 達 1, 飯島 佑史 1, 今井 貴大 1, 山 1. 豊橋技科大 , 2. 岐阜高専
析
野 将史 1, 須田 善行 1, 滝川 浩史 1, 羽渕 仁恵 2
水溶性ポリマー犠牲層を用いたスーパー DLC 自立膜の厚膜化 〇山野 将史 1, 針谷 達 1, 今井 貴大 1, 須田 善行 1,
1. 豊橋技科大 , 2. 伊藤光学 , 3. オンワード技研 ,
滝川 浩史 1, 神谷 雅男 2, 瀧 真 3, 長谷川 裕史 3, 辻 4. 原子力機構
3
4
4
4
信広 , 西内 満美子 , 榊 泰直 , 近藤 公伯
新規グラッシーカーボン薄膜の作製と光学特性および電気特性 〇上部 宏晃 1, 長谷川 幸樹 1, 柳瀬 隆 2, 長浜 太郎 2, 1. 北大院総化 , 2. 北大院工
の評価
島田 敏宏 2
ナノポーラスカーボンの糖吸着特性
〇久保 暢也 1, サラユット トゥンミー 1, 周 小龍 1, 1. 長岡技科大
小松 啓志 1, 齋藤 秀俊 1
ポリマー状炭素粉末の糖吸着特性
〇久保 暢也 1, サラユット トゥンミー 1, 周 小龍 1, 1. 長岡技科大
小松 啓志 1, 齋藤 秀俊 1
休憩 /Break
1. 産総研 , 2. 香川県産技セ , 3. 髙木綱業 ( 株 )
10:45
14a-A26-6 カーボン系材料の光化学修飾法を利用した海洋構造物係留用複 〇中村 挙子 1, 矢野 哲夫 1, 土屋 哲男 1, 白川 寛 2,
合化高機能繊維ロープの開発
寺田 英城 3, 藤岡 茂正 3, 檀原 秀誠 3, 髙木 敏光 3
14a-A26-7 各種 DLC 膜表面に対する酸素プラズマ処理効果の検討
河内 佑太 1, 平塚 傑工 2, 坪井 仁美 2, 中森 秀樹 2,
11:00
14a-A26-8
1. 産総研 , 2. 日本 ITF
11:15
奨 14a-A26-9
11:30
14a-A26-10
9/14(Wed.) 13:15 - 17:45
13:15
招 14p-A26-1
13:30
奨 14p-A26-2
13:45
E 14p-A26-3
14:00
14:15
14p-A26-4
奨 14p-A26-5
14:30
奨 14p-A26-6
14:45
15:00
15:15
15:30
15:45
本間 章彦 1, 平栗 健二 1, 〇大越 康晴 1
プラズマ利用イオン注入法およびアークイオンプレーティング 〇中尾 節男 1, 山田 保誠 1, 森口 秀樹 2
法で作製したダイヤモンド状炭素膜の比較
スパッタ法により作製した Si-DLC と Ti-DLC のドーパント効 〇石黒 菜々子 1, 賈 軍軍 1, 黒瀬 愛美 2, 待永 広宣 2,
果
重里 有三 1
希釈ガスとして H2 を用いたプラズマ CVD 法による DLC 膜 〇中村 和樹 1, 大橋 遼 1, 横山 大 2, 田島 圭一郎 2,
特性への Si および N 添加効果
遠藤 則史 2, 末光 眞希 2, 遠田 義晴 1, 中澤 日出樹 1
口頭講演 (Oral Presentation) A26 会場
[ 講演奨励賞受賞記念講演 ]
〇須藤 建瑠 1,2, 矢板 潤也 1,2, 岩崎 孝之 1,2, 波多野
3C-SiC(111)/Si(111) 上への高配向ダイヤモンドのヘテロエピ 睦子 1,2
タキシャル成長
高密度プラズマを用いた 3C-SiC/Si 上のダイヤモンドヘテロエ 〇矢板 潤也 1,2, 岩崎 孝之 1,2, Natal Meralys3,
ピタキシャル成長及び欠陥評価
Saddow Stephen3, 波多野 睦子 1,2
Study of TMB/CH4/O2/H2 plasmas for diamond doped
〇 Alexandre FIORI1, Tokuyuki TERAJI1
multilayers
高濃度リンドープ n 型ダイヤモンド薄膜の作製と評価
〇小泉 聡 1, 嶋岡 毅紘 1
固体挿入法により合成された Eu-B 多結晶ダイヤモンドの電気 〇 (M1) 高見 拓哉 1, 田村 貴大 1, 柳瀬 隆 1, 長浜 太
特性の評価
郎 1, 島田 敏宏 1
高温アニールによるダイヤモンド単結晶の積層欠陥の消滅
〇桝谷 聡士 1, 森林 朋也 1, 角谷 均 2, 嘉数 誠 1
休憩 /Break
14p-A26-7 界面顕微光応答法を用いた Au/p 形ダイヤモンドショットキー
接触の 2 次元評価
E 14p-A26-8 Hydrogenated diamond NOT and NOR logic gates composed
of enhancement-mode and depletion-mode MOSFETs
E 14p-A26-9 Fabrication of triple-gate fin-type hydrogenated diamond
MOSFETs
奨 14p-A26-10 C-H ダイヤモンド MOSFET の動作特性の温度依存性
1. 電機大 , 2. ナノテック（株）
1. 青学大理工 , 2. 日東電工
1. 弘前大院理工 , 2. 東北大通研
1. 東京工業大学 , 2.JST-CREST
1. 東京工業大学 , 2.JST-CREST, 3. 南フロリダ大学
1.NIMS
1. 物材機構
1. 北海道大学
1. 佐賀大院工 , 2. 住友電工アドバンストマテリア
ル研究所
〇青木 俊周 1, 寺地 徳之 2, 小出 康夫 2, 塩島 謙次 1 1. 福井大院工 , 2. 物質・材料研究機構
〇 Jiangwei LIU1, Meiyong Liao1, Masataka Imura1, 1.NIMS
Banal Ryan1, Yasuo Koide1
〇 Jiangwei LIU1, Hirotaka Oosato1, Xi Wang1,
1.NIMS
Meiyong Liao1, Yasuo Koide1
〇 (B) 大井 信敬 1, 工藤 拓也 1, 牟田 翼 1, 松村 大輔 1. 早大理工 , 2. 早大材研
1
, 大久保 智 1, 稲葉 優文 1, 平岩 篤 1, 川原田 洋 1,2
6 薄膜・表面 / Thin Films and Surfaces
15:15
16:45
〇花野 郁也 1, 藤田 留士郎 1, 渡邊 幸志 2, 赤羽 浩一 1. 慶大理工 , 2. 産総研 , 3. 情報通信研究機構
, 早瀬 潤子 1
〇藤田 留士郎 1, 花野 郁也 1, 上杉 周平 1, 渡邉 幸志 1. 慶応義塾大学 , 2. 産業技術総合研究所 , 3. 情報
2
, 松崎 雄一郎 3,4, 早瀬 潤子 1, 赤羽 浩一 3
通信研究機構 , 4.NTT 物性科学基礎研
3
6.3 酸化物エレクトロニクス / Oxide electronics
16:00
16:15
6 薄膜・表面 / Thin Films and Surfaces
16:30
E 14p-A26-11 Electrical properties of H-terminated diamond field effect
transistors with AlN gate material sputter-deposited under
Ar+N2 atmosphere
休憩 /Break
〇蔭浦 泰資 1, 日出幸 昌邦 1, 柴田 将暢 1, 笹間 陽介
, 山口 尚秀 2, 高野 義彦 2, 川原田 洋 1,3
16:45
奨 14p-A26-13 追成長を用いたステップエッジ構造ジョセフソン接合によるボ 〇 (B) 露崎 活人 1, 蔭浦 泰資 1, 日出幸 昌邦 1, 笹間
ロンドープダイヤモンド超伝導量子干渉計
陽介 2, 山口 尚秀 2, 高野 義彦 2, 川原田 洋 1,3
17:00
14p-A26-14 単結晶ダイヤモンド機械共振子の品質係数の向上
〇廖 梅勇 1, 戸田 雅也 2, 桑 立雯 1, 寺地 徳之 1, 井
村 将隆 1, 小出 康夫 1
17:15
奨 14p-A26-15 ダイヤモンド電解質溶液ゲート FET のしきい値
〇 (DC) 稲葉 優文 1, 五十嵐 圭為 1, 楢村 卓朗 1, 阿
部 修平 1, 柴田 将暢 1, 新谷 幸弘 2, 平岩 篤 1, 川原
田 洋 1,3
17:30
14p-A26-16 グラフェン／ダイヤモンド接合における光・熱誘起伝導度変化 〇植田 研二 1, 浅野 秀文 1
9/15(Thu.) 9:00 - 12:00 口頭講演 (Oral Presentation) A26 会場
9:00
15a-A26-1 大気圧窒素プラズマ法で合成した窒化炭素の XPS 分析
荻野 統行 1, 鬼丸 良太郎 1, 平井 正明 1, 安井 望 1,
〇財部 健一 1
9:15
15a-A26-2 グラファイト状窒化炭素薄膜の光伝導の観測
〇羽渕 仁恵 1, 青山 宏明 1, 安田 和史 1, 滝川 浩史 2
9:30
15a-A26-3 大気圧窒素プラズマ法を用いて作製された層状窒化炭素の光学 〇山本 淳司 1, 平井 正明 2, 安井 望 2, 財部 健一 2,
的性質における非晶質性と局在状態
松石 清人 1
9:45
15a-A26-4 レーザ照射処理をしたアモルファス窒化炭素の発光スペクトル 〇中村 圭佑 1, 福井 一俊 1, 山本 晃司 2, 財部 健一
3
の温度依存性
, 中村 重之 4, 伊藤 國雄 5, 山本 伸一 5, 澤畠 淳二 6,
佐竹 聖樹 7
10:00
15a-A26-5 層状窒化炭素化合物の NEXAFS スペクトル
〇岡島 敏浩 1, 瀬戸山 寛之 1, 財部 健一 2
10:15
10:30
10:45
11:00
11:15
奨 14p-A26-12（111）超伝導ボロンドープダイヤモンド中の歪み層と緩和層
〇 RYAN BANAL1, Masataka Imura1, Jiangwei Liu1, 1.NIMS
Meiyong Liao1, Yasuo Koide1
2
休憩 /Break
15a-A26-6 反応性スパッタリング法による窒化カーボン膜の作製と特性評
価
奨 15a-A26-7 フッ素化 DLC 薄膜表面への軟 X 線照射による膜特性変化
奨 15a-A26-8 PVD-CVD ハイブリッドプロセスによる窒素含有 DLC 膜の形
成
15a-A26-9 ケイ素添加によるアモルファス炭素系膜の耐食性能の向上
11:30
奨 15a-A26-10 軟 X 線照射による Si 含有水素化 DLC 膜の膜改質の温度依存
性
11:45
15a-A26-11 球表面へ形成した DLC 膜に対する a-BCN:H 膜の摩擦係数
9/15(Thu.) 13:30 - 15:30 ポスター講演 (Poster Presentation) P2 会場
15p-P2-1 大気圧熱分解法による Si-doped DLC 薄膜の作製と評価
〇太田 俊平 1, 布施 和志 1, 宮口 有典 1, 安 炯祐 1,
神保 武人 1
〇高松 大樹 1,2, 三浦 永理 1, 神田 一浩 1,2
〇飯島 佑史 1, 今井 貴大 1, 磯野 凌 1, 針谷 達 1, 須
田 善行 1, 滝川 浩史 1, 神谷 雅男 2, 瀧 真 3, 長谷川
祐史 3, 辻 信広 3, 金子 智 4, 國次 真輔 5, サム イッ
ク 6, アヴィ ベンデイビッド 6, フィル マーティン 6,
羽渕 仁恵 7
〇西川 純平 1, 中野 雅之 2, 稗田 純子 3, 大竹 尚登 1,
赤坂 大樹 1
〇田中 祥太郎 1, 岡田 真 1, 神田 一浩 1
1. 早大 , 2. 物材機構 , 3. 早大材研
1. 早大理工 , 2. 物材機構 , 3. 早大材研
1. 物質・材料研究機構 , 2. 東北大院工
1. 早大先進理工 , 2. 横河電機 , 3. 早大材研
1. 名大院工
1. 岡山理科大
1. 岐阜高専 , 2. 豊橋技科大
1. 筑波大数物 , 2. 岡山理大
1. 福井大工 , 2. 福井大遠赤セ , 3. 岡理大理 , 4. 津山
高専 , 5. 龍谷大工 , 6. 茨城高専 , 7. 明石高専
1. 九州シンクロトロン光研究センター , 2. 岡山理
大理
1.( 株 ) アルバック半電研
1. 兵庫県大院工 , 2. 高度研
1. 豊橋技科大 , 2. 伊藤光学 , 3. オンワード技研 ,
4. 神奈川産技セ , 5. 岡山工技セ , 6. オーストラリ
ア科産研 , 7. 岐阜高専
1. 東京工業大 , 2. 東京高専 , 3. 名古屋大
1. 兵県大高度研
〇河越 奈沙 1, 山本 哲也 2, 大竹 尚登 1, 赤坂 大樹 1 1. 東工大 , 2. 日本触媒
〇中山 廉平 1, 村田 悠馬 1, 小野 洋 1, 田中 勝己 1
1. 電通大先進理工
15p-P2-2 高周波プラズマ CVD による高窒素含有 a-CNx:H 薄膜の形成と 〇飯澤 仁規 1, 平松 拳也 1, 齋藤 秀俊 1, 伊藤 治彦 1 1. 長岡技科大工
構造解析
15p-P2-3 HMDS 導入 CVD 樟脳カーボン薄膜の原料 Si/C 比依存性
〇羽坂 奨馬 1, 西村 謙太 1, 石川 博康 1,2
1. 芝浦工大 , 2.SIT GI 研究センター
15p-P2-4 ポリマーフィルム上に堆積したアモルファス窒化炭素薄膜の光
誘起変形
15p-P2-5 反応性スパッタ法で作製したアモルファス窒化炭素薄膜の化学
結合状態と光エネルギー変換
15p-P2-6 DLC プラズマ処理に対する生体適合性の経時変化
15p-P2-7 荷電交換用カーボンフォイル蒸着のためのプラズマ源開発
15p-P2-8 超ナノ微結晶ダイヤモンド／水素フリーアモルファスカーボン
混相膜の超鋼へのハードコーティング
15p-P2-9 ニッケル中固溶炭素の析出を用いた自然剥離自立ダイヤモンド
膜作製
15p-P2-10 炭素固溶反応を用いた高速かつ異方性ダイヤモンド (100) エッ
チング
15p-P2-11 ダイヤモンドショットキーダイオードへの逆バイアス印加時に
おける EBIC 電流解析
15p-P2-12 強誘電体をゲート絶縁膜としたホウ素ドープダイヤモンド
FET 構造の作製
15p-P2-13 球型共振器構造 MPCVD を用いた高濃度ホウ素ドープダイヤ
モンド (100) 膜の高速成長
〇原田 人萌 1, 青野 祐美 1, 折原 大 1, 北沢 信章 1,
渡邉 芳久 1
〇青野 祐美 1, 原田 人萌 1, 宮崎 尚 1, 阿部 洋 1, 石
井 信伍 2, 佐藤 庸平 2, 寺内 正己 2
〇 (M1) 寺井 恭一 1, 大越 康晴 1, 尾関 和秀 2, 佐藤
慶介 1, 平栗 健二 1
〇金森 圭太 1, 吉本 政弘 2, 金正 倫計 2, 粕谷 俊郎 1,
和田 元 1
〇吉武 剛 1, エギザ モハメド 1,2, 楢木野 宏 1, 冨永
亜希 1, 村澤 功基 3, 権田 英修 3, 櫻井 正俊 3
〇 (M2) 伊藤 槙哉 1, 叶田 翔平 1, 松本 翼 1,2, 徳田
規夫 1,2, 加藤 宙光 2, 牧野 俊晴 2, 小倉 政彦 2, 竹内
大輔 2, 山崎 聡 2, 猪熊 孝夫 1
〇 (M1) 長井 雅嗣 1, 松本 翼 1, 徳田 規夫 1, 猪熊 孝
夫1
〇梅沢 仁 1,2,3, Driche Khaled2,3,4, 儀間 弘樹 5, 加藤
有香子 1, 吉武 剛 5, Gheeraert Etienne2,3,4, 杢野 由
明1
〇柄谷 涼太 1, 古市 浩幹 1, 馬場 一気 1, 森 陽介 1,
吉田 稜 1, 中島 宇史 2, 徳田 規夫 1, 川江 健 1
〇 (M1) 山本 貴大 1, 金田 大輝 1, 松本 翼 1, 有屋田
修 3, 小倉 政彦 2, 加藤 宙光 2, 山崎 聡 2, 徳田 規夫 1,
猪熊 孝夫 1
〇丸岡 憲史 1, 内藤 大樹 1, 毎田 修 1, 伊藤 利道 1
15p-P2-14 単結晶ダイヤモンドのレーザー切断 (001) 面における電気伝導
性及び CL スペクトルの表面処理依存性
15p-P2-15 ダイヤモンド (100) 表面における水素および酸素の反応経路解 〇堀江 隆之 1, 松本 翼 1, 徳田 規夫 1, 猪熊 孝夫 1
析
6.3 酸化物エレクトロニクス / Oxide electronics
9/13(Tue.) 9:00 - 11:45 口頭講演 (Oral Presentation) A31 会場
9:00
13a-A31-1 Ag(100) 上におけるバナジウム酸化物薄膜の合成
〇杉崎 裕一 1, 本山 寛大 1, 枝元 一之 1
9:15
13a-A31-2 ピエゾ素子上に転写した V2O3 薄膜の歪み誘起抵抗変調
〇坂井 穣 1, ネグレスク ベアトリス 1, バヴァンコッ
フ マキシム 1, リムレット パトリス 1, ヴォルフマ
ン ジェローム 1, 舟窪 浩 2
9:30
13a-A31-3 走査型ヘリウムイオン顕微鏡（HIM）を用いた試料温度・電 〇小川 真一 1, 飯島 智彦 1, 神吉 輝夫 2, 田中 秀和 2
圧制御下での二酸化バナジウム（VO2）膜ドメインの評価
9:45
13a-A31-4 ZnO/glass 上への反応性スパッタ法による VO2 薄膜の低温成 〇佐藤 賢太 1, 星野 寛明 1, モハメッド シュルズ ミ
長と特性評価
ヤ 1, 沖村 邦雄 1
10:00
13a-A31-5 VO2 薄膜への局所的な不純物ドープによる独立フォノンの形成 〇矢嶋 赳彬 1, 西村 知紀 1, 鳥海 明 1
10:15
13a-A31-6 高均一 TaOx 薄膜を用いた抵抗変化動作の局所的評価
〇福地 厚 1, 有田 正志 1, 片瀬 貴義 2, 太田 裕道 2,
高橋 庸夫 1
1. 防衛大材料
1. 防衛大材料 , 2. 東北大多元研
1. 東京電機大工 , 2. 茨城大工
1. 同志社大学 , 2. 原子力研究開発機構
1. 九大総理工 , 2. カフルシェイフ大 , 3. オーエス
ジー（株）
1. 金沢大院自然 , 2. 産総研
1. 金沢院自然
1. 産総研 , 2.Inst Neel, 3.Univ. Grenoble Alpes, 4. 筑
波大 , 5. 九大
1. 金沢大 , 2. 東京理科大
1. 金沢院自然 , 2. アリオス株式会社 , 3. 産総研
1. 阪大院工
1. 金沢大院自然
1. 立教大理
1. トゥール大 GREMAN, 2. 東工大物院
1. 産総研ナノエレ , 2. 阪大産研
1. 東海大院工
1. 東大マテ
1. 北大院情報 , 2. 北大電子研
6.3 酸化物エレクトロニクス / Oxide electronics
10:30
10:45
11:00
11:15
11:30
13a-A31-7 酸化タンタル薄膜の微構造と抵抗スイッチング時に生じる伝導
度の量子化の関係
13a-A31-8 ReRAM 用 BaTiO3 薄膜内酸素欠陥へ及ぼす窒素雰囲気焼成に
よる制御性の検討
13a-A31-9 多結晶遷移金属酸化物における抵抗変化機構の理論的検証
〇塩田 忠 1, 久保 朋也 1, 西山 昭雄 1, 櫻井 修 1, 篠
崎 和夫 1
〇前島 壮 1, 杉江 敏幸 1, 山下 馨 1, 野田 実 1
14a-A31-3
14a-A31-4
14a-A31-5
10:45
11:00
14a-A31-6
14a-A31-7
11:15
14a-A31-8
11:30
14a-A31-9
11:45
14a-A31-10
9/14(Wed.) 13:30 - 17:45
13:30
14p-A31-1
13:45
奨 14p-A31-2
14:00
奨 14p-A31-3
14:15
奨 14p-A31-4
14:30
14p-A31-5
14:45
奨 14p-A31-6
15:00
奨 14p-A31-7
15:15
15:30
奨 14p-A31-8
奨 14p-A31-9 Ag2S atomic switch based Tug of War devices for neuromorphic 〇 (D)Carolin Lutz1,2, Tsuyoshi Hasegawa1,
networks
Toyohiro Chikyow2
16:00
14p-A31-10 Li3PO4/Li(Ni0.5Mn1.5)O4 界面における空間電荷層の形成
〇河底 秀幸 1, 白木 将 1, 白澤 徹郎 2, 鈴木 竜 1, 一
杉 太郎 1,3
16:15
奨 14p-A31-11 Li(Ni0.5Mn1.5)O4 全固体薄膜電池における超高速充電
〇河底 秀幸 1, 白木 将 1, 鈴木 竜 1, 清水 亮太 2, 一
杉 太郎 1,2
16:30
奨 14p-A31-12 中性子反射率及び核応分析法による固体電解質中 Li 濃度分布 〇杉山 一生 1, 齋藤 正裕 2, 宮田 登 3, 花島 隆泰 3,
の決定
阿久津 和宏 3, 青木 靖仁 2, 大塚 祐二 2, 武田 全康 4,
清水 亮太 1, 一杉 太郎 1,5
16:45 奨 E 14p-A31-13 Growth of Crystalline BaSi2 Thin Films by Vacuum Evaporation 〇 (M2)Jefferson Adrian WIBOWO1, Yoshihiko
on Poly-Crystalline Silicon Fabricated by Aluminum Induced
NAKAGAWA1, Isao TAKAHASHI1, Kosuke O.
Crystallization
HARA2, Noritaka USAMI1
17:00
奨 14p-A31-14 バルク敏感スピン分解光電子分光による CrO2 の本質的なハー 〇藤原 弘和 1, 砂川 正典 1, 寺嶋 健成 2, 橘高 朋子 1,
フメタル性の解明
尾形 誠 1, 脇田 高徳 2, 村岡 祐治 1,2, 横谷 尚睦 1,2
17:15
14p-A31-15 深さ分解光電子分光による CrO2 (001) 膜の金属的表面状態の 〇藤原 弘和 1, 砂川 正典 1, 橘高 朋子 1, 脇田 高徳 2,
観測
寺嶋 健成 2, 永山 貴将 1, 尾形 誠 1, 松浦 由佳 1, 吉
井 文哉 1, 出田 真一郎 3, 田中 清尚 3, 村岡 祐治 1,2,
横谷 尚睦 1,2
17:30
奨 14p-A31-16 SrIrO3 / SrRuO3 ヘテロ構造における異常ホール効果・トポロ 〇 (D) 大内 祐貴 1, 松野 丈夫 2, 小川 直毅 2, 小塚
ジカルホール効果の電場変調
裕介 1, 打田 正輝 1, 十倉 好紀 1,2, 川﨑 雅司 1,2
9/15(Thu.) 9:00 - 12:15 口頭講演 (Oral Presentation) A31 会場
9:00
15a-A31-1 RF スパッタによる酸化亜鉛薄膜作製及び基板依存性の分析
〇井本 健太郎 1, 侯 聖文 1, 李 朝陽 1,2
9:15
15a-A31-2 プラズマ発光制御を用いた反応性スパッタ法による酸化ニオブ 〇齋藤 真衣 1, 賈 軍軍 1, 中村 新一 1, ダニエル グロ
(NbOx) 成膜
ス 2, 重里 有三 1
9:30
15a-A31-3 TCO/Ag/TCO 積層透明導電膜の高性能化の検討
〇中澤 弘実 1, 石井 博 1, 歳森 悠人 1, 斎藤 淳 1
9:45
15a-A31-4 (111)(Ba,La)SnO3 エピタキシャル薄膜の電気伝導特性
〇三浦 光平 1, 桐谷 乃輔 1, 吉村 武 1, 芦田 淳 1, 藤
村 紀文 1
10:00
15a-A31-5 Ni1-x­MgxO 膜におけるギャップ内準位の観測とバンドギャップ 〇木下 和俊 1, 西谷 拓樹 1, 西田 智彦 1, 新宮原 正三
1
の評価
, 稲田 貢 1, 齊藤 正 1
10:15
15a-A31-6 電気化学堆積による透明 p 型半導体薄膜 NiOx の作製
〇トン バインガルディ 1, 市村 正也 1
10:30
15a-A31-7 電気化学製膜 Cu2O 薄膜の光電特性評価
〇 (DC) 滝口 雄貴 1, 折坂 葵 2, 宮島 晋介 2
10:45
15a-A31-8 対向ターゲットスパッタリングによる Cu2O 薄膜の作製と評価 〇渡邉 光 1, 竹井 雄太郎 2, 滝口 雄貴 2, 宮島 晋介 1
11:00
15a-A31-9 AZO/n 形 Zn1-XGeX-O/p 形 Cu2O:Na ヘテロ接合太陽電池の作 〇宮田 俊弘 1, 山崎 丞路 1, 渡辺 恭輔 1, 南 内嗣 1
製
11:15
15a-A31-10 エピタキシャル成長した Cu2O 薄膜を活性層に使用したホモ接 〇宮田 俊弘 1, 山崎 丞路 1, 渡辺 恭輔 1, 南 内嗣 1
合太陽電池の光起電力特性
11:30
15a-A31-11 電気泳動法により製膜した半導体負極を有する色素増感型太陽 〇小倉 咲夏 1
電池の作製と評価
1. 甲南大理工 , 2. 阪大院理 , 3. 産総研ナノ材料
1. 東大院工
1. 東工大
1. 北大院情報 , 2. 北大電子研
1. 北大院情報 , 2. 北大電子研 , 3. 東大総研
1. 東京大学
1.JFCC, 2.NIMS, 3. 東大総研 , 4. 名大工
1. 東大院理 , 2.KAST
1. 東工大 物質理工学院 , 2.KEK-PF, 3. 元素戦略
1. 東工大院 , 2. 東大先端研
1. 九大先導研
1. 青学大理工 , 2. フラウンホーファ研究所
1. 上智大 , 2.JAXA
1. 青学大理工 , 2. 九州シンクロトロン光研究セン
ター , 3. 日本電気硝子株式会社
1. 青学大理工 , 2. 九州シンクロトロン光研究セン
ター , 3. 日本電気硝子
1. 青学大理工 , 2. 日本電気硝子
1. 阪大院基礎工
1. 東北大院工
1.Waseda University, 2.NIMS
1. 東北大 AIMR, 2. 産総研 , 3. 東工大物質理工
1. 東北大 AIMR, 2. 東工大物質理工
1. 東京工業大学物質理工 , 2. 東レリサーチ ,
3.CROSS 東海 , 4. 原研 , 5. 東北大 AIMR
1.Nagoya Univ., 2.Univ. of Yamanashi
1. 岡山大院自然 , 2. 岡山大異分野基礎研
1. 岡山大院自然 , 2. 岡山大異分野基礎研 , 3. 分子
研 UVSOR
1. 東大院工 , 2. 理研 CEMS
1. 高知工科大 , 2. ナノテクノロジーセンター
1. 青学大理工 , 2. フラウンホーファ研究所
1. 三菱マテリアル ( 株 )
1. 阪府大院工
1. 関西大学
1. 名工大
1. 東工大院理工 , 2. 東工大工学院
1. 東工大工学院 , 2. 東工大院理工
1. 金沢工大
1. 金沢工大
1. 同志社大理工
6 薄膜・表面 / Thin Films and Surfaces
〇藤田 晃久 1, 小堀 裕己 1, 山崎 篤志 1, 谷口 年史 2,
清水 哲夫 3
〇山原 弘靖 1, 三橋 啓多 1, 村田 哲也 1, 関 宗俊 1,
田畑 仁 1
マルチフェロイック GaxFe2 − xO3 薄膜の磁気誘電特性
〇片山 司 1, 濱嵜 容丞 1, 安井 伸太郎 1, 伊藤 満 1
Sr1-xBaxCoO3- δ薄膜の強磁性転移温度
〇鈴木 雄喜 1, 片瀬 貴義 2, 太田 裕道 2
モット絶縁体超薄膜の熱電能
〇小野里 尚記 1, 片瀬 貴義 2, 張 雨橋 1, 藤平 哲也 3,
フウ ビン 3, 幾原 雄一 3, 太田 裕道 2
SrVO3/SrTiO3 超格子薄膜における金属絶縁体転移
〇片山 裕美子 1, 佐藤 洋平 1, 上野 和紀 1
欠陥構造に起因した歪みによる Nb-doped SrTiO3 薄膜の電子 〇小林 俊介 1, 大西 剛 2, 柴田 直哉 3, 幾原 雄一 1,3,
移動度向上
山本 剛久 1,4
パルスレーザー堆積法による EuNbO3 薄膜の合成と物性評価 〇丸山 敬裕 1, 近松 彰 1, 小野塚 智也 1, 山田 佳補 1,
長谷川 哲也 1,2
ダブルペロブスカイト型酸化物 La2CrMnO6 の薄膜合成と物性 〇石丸 純也 1, 吉松 公平 1, 堀場 弘司 2, 組頭 広志 2,3,
大友 明 1,3
金属 - 酸化物界面でのマイクロ波吸収特性における界面因子の 〇佐藤 友香 1, 米谷 真人 2, 椿 俊太郎 1, 鈴木 榮一 1,
影響
和田 雄二 1
口頭講演 (Oral Presentation) A31 会場
単結晶酸化物ナノワイヤの VLS 結晶成長における低温化の理 Zetao Zhu1, 長島 一樹 1, 鈴木 将 1, 金井 真樹 1, 〇
論設計指針
柳田 剛 1
インピーダンス制御を用いた反応性スパッタ法による n 型及 〇数金 拓巳 1, 賈 軍軍 1, 中村 新一 1, ダニエル グロ
び p 型 SnOx の高速成膜
ス 2, 重里 有三 1
宇宙機の汚染物質除去を目的とした二酸化チタン光触媒による 〇 (DC) 下迫 直樹 1, 島崎 一紀 2, 宮崎 英治 2, 坂間
真空環境における汚染物質分解
弘1
反応性スパッタ法による TiO2 薄膜の結晶構造制御 (1);
〇 (M1) 山本 晴香 1, 賈 軍軍 1, 古武 悠 1, 中村 新一
成膜パラメータによる、あるいは Sn ドープによるルチルの選 1, 岡島 敏浩 2, 伊村 正明 3, 金井 敏正 3, 重里 有三 1
択成長
反応性スパッタ法による TiO2 薄膜の結晶構造制御 (2);
〇西山 碩芳 1, 賈 軍軍 1, 中村 新一 1, 岡島 敏浩 2,
Nb, N ドープによるアナターゼの選択成長
伊村 正明 3, 金井 敏正 3, 重里 有三 1
反応性スパッタ法による TiO2/WO3 積層系可視光応答型光触 〇谷山 謙太 1, 宮澤 七海 1, 賈 軍軍 1, 伊村 正明 2,
媒の成膜
金井 敏正 2, 重里 有三 1
ルチル型 TiO2 単結晶の酸素空孔分布制御による可逆的抵抗変 〇 (M1) 清水 拓磨 1, 竹内 正太郎 1, 酒井 朗 1
化特性
イオン液体／アナターゼ TiO2 界面の電気化学特性
〇金井 茉莉子 1, 丸山 伸伍 1, 松本 祐司 1
休憩 /Break
とその磁気伝導特性
14a-A31-2 希土類ガーネット薄膜ヘテロ構造における磁気特性制御
10:00
10:15
10:30
15:45
1. 京工繊工芸
〇 (D) 森山 拓洋 1, 山崎 隆浩 2, 肥田 聡太 1, 大野
1. 鳥取大工 , 2. 物材機構 , 3.TiFREC
隆央 2, 岸田 悟 1,3, 木下 健太郎 1,3
13a-A31-10 Pt/NiO/Pt 積層構造素子における量子ポイントコンタクトの発 〇西 佑介 1, 篠倉 弘樹 1, 木本 恒暢 1
1. 京大院工
現
13a-A31-11 導電性ブリッジメモリにおける金属イオン添加イオン液体供給 〇阪口 敦 1, 山岡 弘貴 1, 伊藤 敏幸 1, 岸田 悟 1,2, 木 1. 鳥取大工 , 2.TiFREC
の影響
下 健太郎 1,2
9/14(Wed.) 9:30 - 12:00 口頭講演 (Oral Presentation) A31 会場
9:30
14a-A31-1 急速熱処理還元法による熱酸化 Si 基板上の Fe3O4 薄膜の作製
9:45
1. 東工大物質理工
6.3 酸化物エレクトロニクス / Oxide electronics
11:45
15a-A31-12 色素増感太陽電池フォト電極のチタニア - シリカ複合コーティ 〇鹿又 健作 1,2, 加藤 祐樹 1, 今井 貴大 1, 三浦 正範 1, 1. 山形大院 , 2.CREST
ング効果
有馬 ボシールアハンマド 1,2, 久保田 繁 1,2, 廣瀬 文
彦 1,2
12:00
15a-A31-13 V 置換α -Fe2O3 エピタキシャル薄膜の作製と可視・近赤外域 Sathe Ameya1, 石田 丈 1, 〇関 宗俊 1, 田畑 仁 1
1. 東大工
における光電気化学特性
9/15(Thu.) 13:30 - 15:30 ポスター講演 (Poster Presentation) P3 会場
15p-P3-1 SrTiO3 における光励起電気伝導特性のシミュレーション解析 〇大澤 尚幸 1, 高橋 竜太 1, Lippmaa Mikk1
1. 東大物性研
15p-P3-2 LaTiO3/SrTiO3 界面の磁気輸送特性
〇 (M2) 李 智蓮 1, 高橋 竜太 1, リップマー ミック 1 1. 東大物性研
〇 (B)Yuqiao Zhang1, Takayoshi Katase1, Takaki
1.Hokkaido Univ., 2.Univ. Tokyo, 3.Kyoto Univ.
Onozato1, Bin Feng2, Hiroyuki Hayashi3, Tetsuya
Tohei2, Isao Tanaka3, Yuichi Ikuhara2, Hiromichi
Ohta1
15p-P3-4 Nd:YAG レーザーの第 4 次高調波を用いた PLD 法によるホモ 〇富士原 巧 1, 小野寺 巧 1, 中村 基訓 1, 吉本 健一 1, 1. 旭川高専
エピタキシャル SrTiO3 薄膜のポストアニール効果
篁 耕司 1
15p-P3-5 BaTiO3/Sr2RuO4 ヘテロ構造の強誘電性
〇高橋 竜太 1, リップマー ミック 1
1. 東大物性研
6 薄膜・表面 / Thin Films and Surfaces
E 15p-P3-3 Hidden Electronic Phase Boundary in the SrTiO3 −
SrNbO3 Solid-solution System
15p-P3-6 A サイト秩序型ペロブスカイト構造 YBaCo2O6 薄膜の合成と巨
大磁気異方性、及びスピン状態遷移の観測
15p-P3-7 (La,Pr,Ca)MnO3 ナノウォール細線をチャネルとした電界効果
トランジスタの作製
15p-P3-8 VO2 フリースタンディングナノ細線における超省電力電子相ス
イッチング
15p-P3-9 価数制御した VO2 薄膜の金属－絶縁体転移と電子構造
15p-P3-10 スパッタ法により作製した V6O13 薄膜の電気特性と電子構造
15p-P3-11 Ta2O5 を用いたギャップ型原子スイッチの開発（１）
15p-P3-12 Ag/Ta2O5/Pt 素子動作におけるオン抵抗のオン電圧依存性
15p-P3-13 Ag/Ta2O5/Pt 素子動作電圧の Ta2O5 膜厚依存性
15p-P3-14 酸化タンタル中に形成される導電性フィラメントが示す量子化
コンダクタンス
15p-P3-15 抵抗変化メモリ (ReRAM) の導電性パス生成機構の検討
～ 電気的接触法による導電性パス生成の差異 ～
15p-P3-16 抵抗変化型メモリにおける信頼性の拡散イオン種及びメモリ層
材料依存性
15p-P3-17 ReRAM における供給溶媒のパラメータと抵抗変化特性の相関
関係
15p-P3-18 固体電解質 / 電極界面の界面抵抗発生起源の解明
〇片山 司 1, 近松 彰 2, 廣瀬 靖 2,3, 蓑原 誠人 4, 組頭 1. 東工大 , 2. 東大院理 , 3.KAST, 4. 高エネ研 ,
広志 4, 原山 勲 5, 関場 大一郎 5, 長谷川 哲也 2,3
5.UTTAC
〇中澤 密 1, 服部 梓 1,2, 山本 真人 1, 田中 秀和 1
1. 阪大産研 , 2.JST さきがけ
〇樋口 敬之 1, 神吉 輝夫 1, Luca Pellegrino2, Nicola 1. 阪大産研 , 2.CNR-SPIN, 3.Genova Univ., 4.Delft
Manca4, Daniele Marré2,3, 田中 秀和 1
Univ. of Tech.
〇丹野 友博 1, 土屋 敬志 2, 小林 正起 3, 簑原 誠人 3, 1. 東理大理 , 2. 物材機構 , 3. 高エネ研
堀場 弘司 3, 組頭 広志 3, 樋口 透 1
高橋 篤 1, 丹野 友博 1, 小林 正起 2, 蓑原 誠人 2, 堀 1. 東理大理 , 2. 高エネ研
場 弘司 2, 組頭 広志 2, 〇樋口 透 1
〇田中 努 1, バロブ イリア 2, 長谷川 剛 1
1. 早大先進理工 , 2. アーヘン工科大学
〇 (B) 石川 裕也 1, 葛西 亜衣 1, 鈴木 彩菜 1, 鶴岡 徹 1. 早大先進理工 , 2. 物材機構
, 長谷川 剛 1
〇 (B) 棚橋 直哉 1, 重岡 祐貴 1, 鶴岡 徹 2, 長谷川 剛 1. 早大先進理工 , 2. 物材機構
2
1
〇川嶋 祥太 1, 鶴岡 徹 2, 長谷川 剛 1
1. 早大先進理工 , 2. 物材機構
〇 (B) 肥田 聡太 1, 山崎 隆浩 2, 森山 拓洋 1, 大野 隆 1. 鳥取大工 , 2. 物材機構 , 3.TiFREC
央 2, 吉武 道子 2, 岸田 悟 1,3, 木下 健太郎 1,3
〇田中 新也 1, 木下 健太郎 1,2, 岸田 悟 1,2
1. 鳥取大工 , 2.TiFREC
1. 鳥取大工 , 2.TiFREC
15p-P3-21 Cu2O/ZnO ヘテロ接合太陽電池の電着法による作製と光蓄電
〇 (M2) 河野 公紀 1, 落合 克行 1, 岸田 悟 1,2, 木下
健太郎 1,2
〇白木 将 1, 白澤 徹郎 2, 鈴木 竜 1, 河底 秀幸 1, 清
水 亮太 3, 一杉 太郎 1,3
〇安原 颯 1, 茶島 圭介 2, 寺西 貴志 2, 勝矢 良雄 3,
坂田 修身 3, 安井 伸太郎 1, 谷山 智康 1, 伊藤 満 1
〇 (M2) 有馬 綾一 1, 中村 啓太 1, 野見山 輝明 1, 堀
江 雄二 1
〇税所 健 1, 前田 大輝 1, 野見山 輝明 1, 堀江 雄二 1
15p-P3-22
〇知識 洸 1
1. 鹿児島大工
15p-P3-19 エピタキシャル BaTiO3/LiCoO2 薄膜の界面状態と正極特性
15p-P3-20 TiO2 多孔膜への導電性高分子電着による 3 次元蓄電池の作製
15p-P3-23
15p-P3-24
15p-P3-25
池への応用
TiO2 ナノ粒子 /WO3 コアシース型ナノファイバの光蓄電電極
への応用
TiO2 ナノチューブと Pd 膜の二層メンブレン形成と光誘起水素
生成・分離特性の評価
ゾルゲル法を用いた TiO2 薄膜の作製と色素増感太陽電池への
応用
斜め入射堆積 Ti 薄膜の熱酸化による酸化チタン薄膜の作製 II
〇 (M1) 浅井 潤樹 , 野田 啓
1
1
1. 東北大 AIMR, 2. 産総研 , 3. 東工大物質理工
1. 東工大 , 2. 岡山大学 , 3.NIMS/SPring-8
1. 鹿児島大院理工
1. 鹿児島大学
1. 慶應大理工
〇 (M1) 和田 克也 1, 大谷 直毅 1
1. 同志社大院理工
〇安田 洋司 , 星 陽一
1. 神奈川県立産技短大 , 2. 東京工芸大工
1
2
15p-P3-26 透明酸化物半導体を用いた H ２及び CO2 センサの試作
〇田沼 涼 1, 中井 洋志 1, 中里 瞭汰 1, 杉山 睦 1
1. 東理大 理工 / 総研
15p-P3-27 分子プレカーサー溶液を用いた ESD 法による ZnO 膜の形成
条件の検討
15p-P3-28 塗布法による ZnO 多層透明導電膜の作製とドーパント添加量
依存性の評価
15p-P3-29 基板バイアス印加スパッタ法による ZnO 薄膜の配向制御
〇 (M1) 小澤 竜平 1, 工藤 幸寛 1, 永井 裕己 1, 佐藤
光史 1, 高橋 泰樹 1
〇森田 祐輔 1, 大谷 直毅 1
1. 工学院大
〇譲原 一樹 , 沖村 邦雄
1. 東海大院工
15p-P3-30 固相成長法で作製した NbO2 多結晶薄膜の電気・光学特性
15p-P3-31 可視光透過型太陽電池に向けた NiO:Li 薄膜の作製と評価Ⅲ
〇中尾 祥一郎 1, 神坂 英幸 2, 廣瀬 靖 1,2, 長谷川 哲 1. 神奈川科学技術アカデミー , 2. 東大理
也 1,2
〇佐藤 和弥 1, 永沼 裕文 1, 小室 修二 2, 趙 新為 1
1. 東理大理 , 2. 東洋大理工
15p-P3-32 金属・半導体ナノ粒子分散 SiO2 の形成と評価
〇出村 洋智 1, Ulyashin Alexander2, 永吉 浩 1
1. 東京高専 , 2.SINTEF
〇池田 稔 1, 大野 隆久 1,2
1. 物材機構 MANA, 2. 物材機構 GREEN
〇トン リチュ
〇木村 健二 1, 本山 宗主 1, 入山 恭寿 1
1. 計測エンジニアリング
1. 名大院工
〇佐藤 洋平 1, 大西 剛 2, 上野 和紀 1
1. 東大院総合 , 2. 物材機構
9/16(Fri.) 9:30 - 11:45
口頭講演 (Oral Presentation) A31 会場
9:30
16a-A31-1 cubic Li7La3Zr2O12/ アモルファス Li3BO3 複合電解質界面での
Li 拡散の第一原理計算による理論解析
9:45
16a-A31-2 全固体型リチウムイオン二次電池の２次元シミュレーション
10:00
16a-A31-3 振幅変調型 AFM を用いた Li+ 伝導性固体電解質薄膜の比誘電
率測定
10:15
16a-A31-4 固体リチウムイオン電解質薄膜を用いた SrTiO3 電気二重層ト
ランジスタ
10:30
16a-A31-5 層状酸化物固溶体の EXAFS 解析
10:45
16a-A31-6
11:00
16a-A31-7
11:15
11:30
16a-A31-8
16a-A31-9
1
1
1
1. 同志社大院理工
〇 (M2) 赤間 翔太 1, 天羽 薫 1, 小林 航 1,2,3, 丹羽 秀 1. 筑波大数理 ( 科 ), 2. 筑波大数理 ( 系 ), 3. 筑波大
治 1,2,3, 守友 浩 1,2,3
融合セ
O3 型 NaFe0.5Co0.5O2 固溶体の構造 - 電池特性相関
〇 (M1) 天羽 薫 1, 守友 浩 1,2,3, 小林 航 1,2,3
1. 筑波大数理物質科学研究科 , 2. 筑波大数理物質
系 , 3. 筑波大数理物質融合科学セ
層状酸化物 NaMO2 における起電力の静水圧効果
〇小林 航 1,2,3, 伊王野 慎司 2, 天羽 薫 2, 赤間 翔太 2, 1. 筑波大数理物質系 , 2. 筑波大数理物質科学研究
守友 浩 1,2,3
科 , 3. 筑波大数理物質融合科学セ
ナトリウムイオン電池用ルチル型 TiO2 負極の創製
〇薄井 洋行 1,2, 吉岡 翔 1,2, 道見 康弘 1,2, 坂口 裕樹 1,2 1. 鳥取大院工 , 2. 鳥取大 GSC 研究センター
高導電性高耐食性酸化膜を用いた燃料電池用金属セパレータへ 〇金子 健太郎 1, 高木 良輔 1, 田中 孝 2, 人羅 俊実 3, 1. 京大院工 , 2. アイテック株式会社 , 3. 株式会社
の応用
藤田 静雄 1
FLOSFIA
6.4 薄膜新材料 / Thin films and New materials
6.4 薄膜新材料 / Thin films and New materials
9/13(Tue.) 9:00 - 12:15 口頭講演 (Oral Presentation) D62 会場
9:00
E 13a-D62-1 Nanostructured zinc oxide thin films for thermoelectric
applications
9:15
E 13a-D62-2
9:30
E 13a-D62-3
9:45
E 13a-D62-4
10:00
E 13a-D62-5
10:15
奨 E 13a-D62-6
11:15
11:30
11:45
12:00
招 13a-D62-7 [6．薄膜・表面　分科内招待講演 ]
準安定酸化物薄膜に見られる磁気機能
13a-D62-8 化学合成 Co3-xFexO4 薄膜の配向制御と磁性
13a-D62-9 立方晶 MgxZn1 − xO 混晶薄膜および超格子構造の深紫外 CL 発
光特性
13a-D62-10 新規層状ペロブスカイト型酸フッ化物 Sr2RuO4-xF2x 薄膜の電子
状態
13a-D62-11 ルチル型 ReO2 エピタキシャル薄膜の合成及び特性評価
9/13(Tue.) 13:45 - 17:30 口頭講演 (Oral Presentation) D62 会場
13:45
招 13p-D62-1 [6．薄膜・表面　分科内招待講演 ]
WO3 ナノスポンジ光電極による水素及び高付加価値酸化生成
物の製造
14:00
13p-D62-2 ゾル・ゲル成膜による Au ナノ粒子分散 MgF2 複合膜の SERS
特性
14:15
13p-D62-3 スクリーンメッシュを鋳型とした透明銅グリッド電極の作製と
物性
14:30
13p-D62-4 反応性スパッタリング法による Fe3-xO4(001) 成膜時の RHEED
振動の観察
14:45
13p-D62-5 スピノーダル分解を用いた TiO2-VO2 系相分離膜の作製
15:00
13p-D62-6 スピノーダル分解を用いた TiO2-VO2 多層膜の作製
15:15
15:30
13p-D62-7 複合成膜により成膜された光学薄膜の応力特性
休憩 /Break
15:45
16:00
16:15
16:30
16:45
17:00
13p-D62-8
13p-D62-9
13p-D62-10
13p-D62-11
13p-D62-12
13p-D62-13
17:15
13p-D62-14
9/13(Tue.) 16:00 - 18:00
13p-P7-1
13p-P7-2
13p-P7-3
高温領域における Cr-N 薄膜ひずみセンサのゲージ率
完全酸化した Ni0.5Zn0.5Fe2O4 の高周波透磁率の評価
大気開放型 CVD 法による YSZ 膜の合成
EDTA 金属錯体を用いた LaSrFeOx(LSFO) 膜の合成
EDTA 金属錯体を出発原料にした Gd 添加 CeO2 膜の合成
EDTA 金属錯体溶液を用いた Gd 添加 CeO2 膜の乾燥制御剤の
影響
Zr-EDTA 錯体原料を用いたキレートフレーム法による ZrO2
膜の作製
ポスター講演 (Poster Presentation) P7 会場
赤外線センサ検知部材料のための Ta，W ドープ酸化バナジウ
ム膜の形成 ( Ⅴ )
ボロメータ型赤外線センサのためのニオブ・タングステンドー
プ酸化バナジウム膜の形成
VHF プラズマを用いた可視光応答性光触媒 NbON 薄膜合成
13p-P7-4 光 MOD による Cu2O 光電極の TiO2 複合化への雰囲気効果
13p-P7-5 CuSn 合金ナノツリー酸化物の形成と伝導特性評価
13p-P7-6 触媒反応支援 CVD 法による非極性 ZnO 膜の電気伝導特性
13p-P7-7 高耐熱抵抗器用電極金属多層膜の作製
13p-P7-8 水素化カルシウムを用いた SrRu0.5Cr0.5O3 薄膜の還元反応
13p-P7-9 RF スパッタ法による c 軸配向多結晶 ZnO 薄膜の TFT 応用
13p-P7-10 プロトン伝導性酸化物薄膜の Yttrium ドープ量依存性評価
〇田中 勝久 1, 藤田 晃司 1
1.Muroran Inst. Tech., 2.University of Utah,
3.Dillard University, 4.UNITEN
1.Muroran Inst Tech, 2.Shibaura Inst Tech
1.National Taiwan University
1.Budapest Univ. Tech., 2.Shizuoka Univ.
1.Shinshu Univ., 2.Center for Energy and
Environmental Science, 3.Tokyo Univ. Suwa
1.Kyoto Univ., 2.Univ. of Jena
1. 京大院工
〇 (M1) 林 兼輔 , 山田 啓介 , 嶋 睦宏
〇今別府 秀行 1, 大島 孝仁 1, 服部 真依 1, 中谷 道人
2
, 須山 敏尚 2, 吉松 公平 1, 大友 明 1,3
〇近松 彰 1, 河原 佳祐 1, 小野塚 智也 1, 簔原 誠人 2,
組頭 広志 2, 池永 英司 3, 長谷川 哲也 1,4
〇柴田 峻佑 1, 廣瀬 靖 1,2, 重松 圭 2, 中尾 祥一郎 2,
近松 彰 1, 池永 英司 3, 長谷川 哲也 1,2
1. 岐阜大工
1. 東工大物質理工 , 2. トクヤマ , 3. 元素戦略
〇中島 智彦 1, 萩野 文 1, 土屋 哲男 1, 佐山 和弘 1
1. 産総研
1
1
1
〇外川 裕基 1, 若木 守明 1, 渋谷 猛久 1
〇徳久 英雄 , 塚本 志帆 , 森田 智子 , 白川 直樹
1
1
1
1. 東大院理 , 2.KEK-PF, 3.JASRI/SPring-8, 4.KAST
1. 東大院理 , 2.KAST, 3.SPring-8
1. 東海大工
1
1. 産総研 FLEC
小島 泰介 1, 田結荘 健 1, ソニア シャーミン 1, 〇柳
原 英人 1
〇松浦 由佳 1, 吉井 文哉 1, 尾形 誠 1, 門脇 賢司 1,
井尻 政孝 1, 寺嶋 健成 1,2, 脇田 高徳 1,2, 竹元 嘉利 1,
横谷 尚睦 1,2, 村岡 祐治 1,2
〇吉井 文哉 1, 松浦 由佳 1, 尾形 誠 1, 門脇 賢司 1,
井尻 政孝 1, 脇田 高徳 1,2, 寺嶋 健成 1,2, 竹元 嘉利 1,
横谷 尚睦 1,2, 村岡 祐治 1,2
〇田島 直弥 1, 室谷 裕志 1, 松本 繁治 2, 本多 博光 2
1. 筑波大数理
〇丹羽 英二 1
〇安川 雪子 1, 中村 美咲 1, 平 翔太郎 1, 阿部 圭吾 1
〇小堀 泰佑 1, 小松 啓志 1, 齋藤 秀俊 1
〇王 宇 1, 小松 啓志 1, 中村 淳 1,2, 齋藤 秀俊 1
〇菊田 剛史 1, 中村 淳 2,1, 小松 啓志 1, 齋藤 秀俊 1
〇菊田 剛史 1, 中村 淳 2,1, 小松 啓志 1, 齋藤 秀俊 1
1. 電磁研
1. 千葉工大工
1. 長岡技科大
1. 長岡技科大 , 2. 中部キレスト
1. 長岡技科大 , 2. 中部キレスト
1. 長岡技科大 , 2. 中部キレスト
〇 (M1) 池田 裕 1, 中村 淳 2,1, 小松 啓志 1, 齋藤 秀
1. 長岡技科大 , 2. 中部キレスト
俊1
1. 岡山大学院自然科学 , 2. 岡山異分野基礎研
1. 岡山大院自然 , 2. 岡山大異分野基礎研
1. 東海大工 , 2.( 株 ) シンクロン
新井 大輝 1, 齋藤 和弘 1, 渡邊 良祐 1, 〇齋藤 洋司 1 1. 成蹊大院理工
北野 玲 1, 加藤 拓也 1, 渡邊 良祐 1, 〇齋藤 洋司 1
1. 成蹊大院理工
〇村瀬 英昭 1, 宮部 美紗 1, 永井 久雄 1, 菊地 諒介 1, 1. パナソニック株式会社
中村 透 1, 羽藤 一仁 1
〇瀬川 龍生 1, 西川 雅美 1, 中島 智彦 2, 土屋 哲男 2, 1. 長岡技大工 , 2. 産総研
齊藤 信雄 1
〇 (M1) 和田 卓十 1, 金子 直人 1, 清水 智弘 1, 伊藤 1. 関大シス理 , 2. 室大電工
健 1, 夛田 芳広 2, 新宮原 正三 1
〇田島 諒一 1, 池田 宗謙 1, 叶内 慎吾 1, 大石 耕一郎 1. 長岡技科大 , 2. 長岡高専
2
, 片桐 裕則 2, 玉山 泰宏 1, 安井 寛治 1
〇中島 智彦 1, 伊藤 武 2, 河野 桂子 1, 浦野 幸一 2,
1. 産総研 , 2. 株式会社 KOA, 3. 東大院工
田中 清志 2, 北中 佑樹 3, 中村 吉伸 3, 宮山 勝 3, 土
1
屋 哲男
〇山田 佳補 1, 近松 彰 1, 重松 圭 2, 簑原 誠人 3, 組 1. 東大院理 , 2.KAST, 3.KEK-IMSS, 4.JASRI/
頭 広志 3, 池永 英司 4, 長谷川 哲也 1,2
SPring-8
〇 (B) 高橋 崇典 1, 宝賀 剛 1, 内山 潔 1
1. 鶴岡高専
〇 (B) 山口 雅仁 1, 佐藤 智也 2, 井上 貴明 1, 内山 潔 1. 鶴岡高専 , 2. 東工大院
1
13p-P7-11 アークプラズマ蒸着法による酸化物成膜パラメータの基礎解析 〇竹内 健太 1, 渡邉 幸輝 1, 種村 眞幸 1
1. 名工大院工
13p-P7-12 ε -Fe2O3 薄膜の構造と磁気特性への Rh 置換効果
1. 東工大
13p-P7-14 MoSi2-Si 複合体薄膜の電気伝導機構
〇越阪部 拓也 1, 濵嵜 容丞 1, 片山 司 1, 安井 伸太郎
1
, 谷山 智康 1, 伊藤 満 1
〇松井 信衞 1, 赤石 陽太 1, 松本 敦 2, 赤羽 浩一 2,
松島 裕一 3, 石川 浩 1, 宇髙 勝之 1
〇下薗 宏祐 1, 木谷 遼介 1, 佐藤 祐喜 1, 吉門 進三 1
13p-P7-15 薄膜におけるパーフルオロアルキル系被覆面の撥水・防汚性能
発現のメカニズム解析
13p-P7-16 大気開放型 CVD 法を用いた酸化亜鉛層による表面プラズモン
共鳴センサの試作
1. キヤノンオプトロン
〇坂本 典子 1, 齋藤 崇 1, 須藤 健二 1, 堀江 幸弘 1,
大場 点 1
〇角田 直輝 1, ナッタポン ゴンクントッ 2, 小松 啓 1. 米子高専 , 2. スラナリ工科大 , 3. 長岡技科大
志 3, 齋藤 秀俊 3
13p-P7-13 陽電子消滅寿命測定を用いたイオン注入による点欠陥の分析
1. 早大理工 , 2. 情報通信研究機構 , 3. 早大 GCS 機
構
1. 同志社大院理工
6 薄膜・表面 / Thin Films and Surfaces
10:30
10:45
〇 Paolo Mele1, Shiv J. Singh1, Shrikant Saini2,
Ashutosh Tiwari2, Abdalla Darwish3, Malik I.
Adam4
Optimization of Thin Film Growth of Doped NEG-123
〇 (PC)Shiv Jee Singh1, Paolo Mele1, Miryala
Superconductor
Muralidhar2
Thin films size effect on anisotropy optical properties of gold
〇 (M2)MinHsueh Chiu1, JiaHan Li1, Tony
and silver
WenHann Sheu1
Preparation of high haze FTO glass with light refractive layer 〇 Viola Nagygyoergy1,2, Janos Madarasz1, Jun Sato2,
for dye-sensitized solar cell
Rieko Ono2, Masayuki Okuya2
Sol-gel dispersant-derived transparent and conductive SWCNT 〇 (D)Radovan Kukobat1, Takuya Hayashi1, Noboru
films
Ohashi3, Yasuyuki Watanabe3, Katsumi Kaneko2
Large Faraday effect of amorphous iron silicate thin films by
〇 (DC)Yuko Nakatsuka1, Kilian Pollok2, Falko
metallic iron
Langenhorst2, Lothar Wondraczek2, Shunsuke
Murai1, Koji Fujita1, Katsuhisa Tanaka1
休憩 /Break
6.5 表面物理・真空 / Surface Physics, Vacuum
13p-P7-17 TiO2 光触媒活性への格子歪効果
6 薄膜・表面 / Thin Films and Surfaces
9/14(Wed.) 9:00 - 11:45 口頭講演 (Oral Presentation) A37 会場
9:00
14a-A37-1 PLD 法により SiO ターゲットから作製した SiO2 薄膜の表面
〇西 慎太郎 1, 上岡 聡史 1, 谷脇 将太 1, 吉田 晴彦 1, 1. 兵庫県立大学
新船 幸二 1, 佐藤 真一 1, 堀田 育志 1
〇椎名 赳智 1, 室谷 裕志 1, 勝俣 力 2, 宝泉 俊寛 3
1. 東海大工 , 2. 株式会社パルメソ , 3. 株式会社レ
スカ
SrTiO3 基板上にエピタキシャル成長させた Pt 薄膜の結晶構造 〇葛西 昌弘 1, 土肥 英幸 1
1. 九州大水素センター
と電気化学特性
1
1
1
1
PLD 法による Si 基板上への (La1-xSrx)VO3 薄膜の作製および物 〇山口 瑠偉 , 村岡 敬太 , 堀田 育志 , 佐藤 真一 1. 兵庫県立大学
性評価
MOCVD 法による CeO2/SiO2 複合酸化膜の生成及び評価
〇菊地 健介 1, 古矢 智也 1, 鈴木 摂 2, 石橋 啓次 2,
1. 法政大理工 , 2. 株式会社コメット
山本 康博 1
1
1
1
1
水蒸気を反応ガスに用いた低温スパッタ法による酸化ニッケル 〇阿部 良夫 , 山内 駿 , 川村 みどり , 金 敬鎬 ,
1. 北見工大 , 2. 神戸製鋼所
薄膜の作製
木場 隆之 1, 奈良井 哲 2
休憩 /Break
9:15
ラフネス評価
14a-A37-2 TiO2 光学薄膜の結晶構造と機械的特性（３）
9:30
14a-A37-3
9:45
14a-A37-4
10:00
14a-A37-5
10:15
14a-A37-6
10:30
10:45
14a-A37-7 キレートフレーム法によるセメント硬化体に対するエルビア膜
堆積の試み
11:00
14a-A37-8 キレートフレーム法で SUS304 と Al 合金基板上に合成した
Er2O3 膜の断面観察
11:15
14a-A37-9 キレートフレーム法によるアルミニウム合金上のイットリア膜
の合成
11:30
14a-A37-10 キレートフレーム法による Gd 添加 CeO2 粒子の合成と構造評
価
9/14(Wed.) 13:15 - 17:45 口頭講演 (Oral Presentation) A37 会場
13:15
奨 14p-A37-1 アンドープとニッケルドープ酸化亜鉛ナノ構造体の構造的特性
評価
13:30
奨 14p-A37-2 モルフォ蝶型光輝フィルムの簡便な連続体剥離技術
13:45
14:00
14:15
14:30
14:45
15:00
15:15
〇西川 雅美 1, 由藤 宗一郎 1, 中島 智彦 2, 土屋 哲男 1. 長岡技大工 , 2. 産総研
2
, 齊藤 信雄 1
〇安部 慧太 1, 中村 淳 2,1, 小松 啓志 1, 齋藤 秀俊 1
〇淡 エンキン 1, 中村 淳 1,2, 小松 啓志 1, 齋藤 秀俊 1 1. 長岡技科大 , 2. 中部キレスト
〇小寿田 貴士 1, 中村 淳 2,1, 小松 啓志 1, 齋藤 秀俊 1 1. 長岡技科大 ( 院 ), 2. 中部キレスト
〇 (M1) 中村 祥太 1, 中村 淳 2,1, 小松 啓志 1, 齋藤
秀俊 1
〇 (M1) 吉原 佑哉 1, 金 敬鎬 1, 阿部 良夫 1, 川村 み
どり 1, 木場 隆之 1
〇大賀 順平 1, 石橋 幸成 1, 平井 義彦 2, 桑原 裕司 1,3,
齋藤 彰 1,3
奨 14p-A37-3 熱ナノインプリントプロセスを用いた金ナノ粒子埋め込み型原 〇後藤 里紗 1, 嶋田 航大 1, 小山 浩司 2, 金子 智 3,1,
子レベル超平坦ポリマー基板の作製
松田 晃史 1, 吉本 護 1
奨 14p-A37-4 固相エピタキシー法によるペロブスカイト酸窒化物 LaMnOxNy 〇 (M2) 柏 尚輝 1, 楊 長 1,2, 廣瀬 靖 1,2, 重松 圭 2, 中
の合成
尾 祥一郎 2, 原山 勲 3, 関場 大一郎 3, 長谷川 哲也 1,2
奨 14p-A37-5 パルスレーザー堆積法による逆ペロブスカイト型マンガン窒化 〇宮本 稜 1, 金澤 航己 1, 松本 利希 1, 畑野 敬史 1,
物薄膜の作製
飯田 和昌 1, 生田 博志 1
奨 14p-A37-6 PLD 法による負熱膨張物質 BiNi1-xFexO3 エピタキシャル薄膜 〇李 樹陽 1, 北條 元 1, 東 正樹 1
の作製
奨 14p-A37-7 PLD 法による V2O5-Bi2O3-GeO2 系ガラス薄膜の作製と光学・ 〇藤元 勇希 1, 高野 詩織 1, 金子 智 2, 松田 晃史 1,
電気特性評価
吉本 護 1
奨 14p-A37-8 Fe ドープ NiO エピタキシャル薄膜の室温作製と特性評価
〇高野 詩織 1, 藤元 勇希 1, 土嶺 信男 2, 金子 智 3,1,
松田 晃史 1, 吉本 護 1
休憩 /Break
15:30
奨 14p-A37-9 反応性マグネトロンスパッタ法を用いた単相 TiH2 薄膜のエピ 〇清水 亮太 1, 笹原 悠輝 1, 山本 邦子 2, 大口 裕之 2,
タキシャル成長
白木 将 2, 折茂 慎一 2,3, 一杉 太郎 1,2,4
15:45
奨 14p-A37-10 スピネル型 Mg, Ti 酸窒化物エピタキシャル薄膜の合成と物性 〇藤原 聡士 1, 高橋 純平 1, 廣瀬 靖 1,2, 重松 圭 2, 中
評価
尾 祥一郎 2, 長谷川 哲也 1,2
16:00
奨 14p-A37-11 一軸加圧下熱処理による MoOX 系エピタキシャル薄膜の結晶 〇難波 諒太郎 1, 土嶺 信男 2, 金子 智 3,1, 松田 晃史 1,
相及び特性の制御
吉本 護 1
16:15
奨 14p-A37-12 レーザーアニールによる不純物ドープβ -Ga2O3 薄膜の低温固 〇内田 啓貴 1, 中村 稀星 1, 土嶺 信男 2, 小山 浩司 3,
相エピタキシャル結晶化
金子 智 4,1, 松田 晃史 1, 吉本 護 1
16:30
奨 14p-A37-13 トポタクティックフッ素化反応を用いた鉄酸フッ化物／ルテニ 〇鈴木 雄介 1, 近松 彰 1, 小野塚 智也 1, 長谷川 哲也
1,2
ウム酸化物へテロ構造の作製
16:45
奨 14p-A37-14 擬 VLS 法による In2O3 のグラフォエピタキシャル成長
〇呉 東広平 1, 吉松 公平 1, 大友 明 1,2
17:00
奨 14p-A37-15 パルスレーザー液相エピタキシーによる 3C-SiC ヘテロエピタ 〇山王堂 尚輝 1, 大住 亜朱香 1, 山口 諒 1, 丸山 伸伍
1
キシャル成長
, 松本 祐司 1
17:15
奨 14p-A37-16 イオン液体真空蒸着重合法によるポリウレア薄膜の網目構造形 〇 (M1) 高橋 陸斗 1, 丸山 伸伍 1, 松本 祐司 1
成に及ぼすイオン液体効果
17:30
奨 14p-A37-17 イオン液体 - リチウム塩混合ナノ薄膜のその場イオン伝導度測 〇 (M1) 高澤 亮二 1, 鳥屋部 果穂 1, 丸山 伸伍 1, 松
定
本 祐司 1
6.5 表面物理・真空 / Surface Physics, Vacuum
9/15(Thu.) 16:00 - 18:00 ポスター講演 (Poster Presentation) P15 会場
15p-P15-1 六ホウ化ランタン (100) 面の原子構造解析
高村 優 1, 倉地 由季 2, 久保 直也 1, 浅井 泰尊 2, 村
田 英一 2, 〇六田 英治 2, 中川 剛志 1, 水野 清義 1,
大谷 茂樹 3
15p-P15-2 シリコン酸化膜上のグラフェン薄膜の熱的安定性の解析
〇小川 新 1, 大野 真也 2, 吉越 章隆 2
15p-P15-3 Graphene/Ir(111) の表面状態、鏡像状態を利用したスピン流
の生成
—高分解能 2 光子光電子分光による検証 15p-P15-4 放射光 XPS による Si(100)2 × 1 への CH3Cl 吸着反応の研究
9:30
16a-B3-3 ラマン分光と RBS を用いた Ar イオンを照射した Si 基板表面
分析
1. 長岡技科大 , 2. 中部キレスト
1. 北見工大
1. 阪大院工 , 2. 阪府大院工 , 3. 理研 /SPring-8
1. 東工大 , 2.( 株 ) 並木精密宝石 , 3. 神奈川県産技
セ
1. 東大院理 , 2.KAST, 3.UTTAC
1. 名大工
1. 東工大
1. 東工大物質理工 , 2. 神奈川県産技セ
1. 東工大物質理工 , 2.（株）豊島製作所 , 3. 神奈川
産技センター
1. 東工大物質理工 , 2. 東北大 AIMR, 3. 東北大金研 ,
4.JST-CREST
1. 東大院理 , 2.KAST
1. 東工大物質理工 , 2.( 株 ) 豊島製作所 , 3. 神奈川
県産技セ
1. 東工大 , 2.( 株 ) 豊島製作所 , 3.( 株 ) 並木精密宝石 ,
4. 神奈川県産技セ
1. 東大院理 , 2.KAST
1. 東工大物質理工学院 , 2. 元素戦略
1. 東北大院工
1. 東北大院工
1. 東北大院工
1. 九大総理工 , 2. 名城大理工 , 3. 物材機構
1. 横国大院工 , 2. 原子力機構
〇荒船 竜一 1, 中澤 武夫 2, 高木 紀明 2, 川合 眞紀 2, 1. 物材機構 MANA, 2. 東大新領域 , 3. 日大文理
石田 浩 3
〇塚田 千恵 1, 吉田 光 1, 岡田 美智雄 2, 吉越 章隆 1,
矢板 毅 1
15p-P15-5 陽極酸化印加電圧の変調によるポーラスアルミナ薄膜の屈折率 穴水 裕之 1, 〇川本 清 1
制御
E 15p-P15-6 Quartz Crystal Microbalance Gas Sensor Utilizing Graphene
〇 (M1)Pramudi Savidya Jayawardena1, Hirulak
Oxide / TiO2Composite
Dilshan Siriwardena2, Atsushi Kubono1,2, Masaru
Shimomura1,2
15p-P15-7 メッシュ型ヒーターを用いた高温その場観察法
寺澤 知潮 1,2, 菊池 章吾 1, 〇手面 学 1, 木塚 徳志 1
15p-P15-8 LaFeO3(001)FeO2 終端表面での NO 分子吸着と磁性の第一原
理計算〜酸素空孔の効果〜
9/16(Fri.) 9:00 - 10:30
口頭講演 (Oral Presentation) B3 会場
9:00
16a-B3-1 ３次元局在プラズモン理論の２次元物質への応用
9:15
16a-B3-2 RHEED による極性表面の識別
1. 長岡技科大 ( 院 ), 2. 中部キレスト
1. 原子力機構 , 2. 阪大理
1. 八戸工大
1.GSIST, Shizuoka Univ, 2.GSST, Shizuoka Univ
1. 筑波大 , 2. 名大
〇木崎 栄年 1,2, 森川 良忠 1,2
1. 阪大院工 , 2. 京大 ESICB
〇市川 昌和 1
〇堀尾 吉已 1, 柚原 淳司 2, 安部 功二 3, 高桑 雄二 4,
小川 修一 4
〇關 雅志 1, 田沼 千秋 2
1. 東大院工
1. 大同大工 , 2. 名大院工 , 3. 名工大院工 , 4. 東北大
多元研
1. 東芝テック , 2. 法政大学
6.6 プローブ顕微鏡 / Probe Microscopy
9:45
16a-B3-4 アトムプローブと t-EBSD による鉄鋼材料の粒界分析
10:00
16a-B3-5
10:15
16a-B3-6
9/16(Fri.) 13:45 - 16:15
13:45
奨 16p-B3-1
14:00
14:15
14:30
14:45
非破壊電気コンタクトプローブの評価
X 線光電子分光法を用いた触媒の価電子帯評価
口頭講演 (Oral Presentation) B3 会場
NO プローブ分子を用いた光電子分光法 (XPS/UPS) による
N-doped a-C 薄膜の表面構造の評価
奨 E 16p-B3-2 Manipulating the dynamic motion of confined
trimethylphosphine molecules in self-assembled pyrrole
molecular fences
奨 16p-B3-3 π電子相互作用により撥水液体を吸着した平坦表面
奨 16p-B3-4 Cs/GaAs 表面における表面処理と量子効率の関係 (III)
~ 昇温脱離法による NEA 表面の解析 ~
休憩 /Break
〇間山 憲仁 1, 太期 由貴子 1, 新井 納生美 1, 佐々木 1. 東芝ナノアナリシス
智一 1
〇吉武 道子 1, 塩見 俊樹 2, 木下 健太郎 2,3, 岸田 悟 2,3 1. 物材機構 , 2. 鳥取大工 , 3.TiFREC
〇三上 仁志 1, 廣瀬 哲 1, 堂坂 健児 1
1. 本田技術研究所
〇 (DC) 村田 悠馬 1, 中山 廉平 1, 小野 洋 1, チュウ 1. 電通大先進理工 , 2. 電通大国際交流
チャオキョン 2, 田中 勝己 1
〇 (D)Hirulak Dilshan Siriwardena1, Masaru
1.GSST, Shizuoka Univ.
Shimomura1
〇 (D) 天神林 瑞樹 1, 戸賀沢 稜 1, 白鳥 世明 1
1. 慶大院理工
〇稲垣 雄大 1, 池田 有希 1, 田中 紘大 1, 石川 大介 1, 1. 東理大理
志村 優丞 1, 飯島 北斗 1, 目黒 多加志 1
16p-B3-5 Si(111)-( √ 7 ×√ 3)-In の表面へのアクセプター分子およびド 〇角 直也 1, 長谷川 友里 1, 山田 洋一 1,2, 佐々木 正 1. 筑波大数物 , 2. 物材研
ナー原子の吸着による超伝導の制御
洋 1, 吉澤 俊介 2, 内橋 隆 2
15:15
16p-B3-6 金属酸化物表面の原子欠陥の反応
〇湊 丈俊 1,2,3, Pang Chi-Lun4, 浅尾 直樹 5, 山本 嘉 1. 東北大融合研 , 2. 理研 Kim 表面界面研 , 3. 京大
則 5, 中山 隆史 6, 川合 眞紀 7, 金 有洙 2
産官学 , 4.UCL, 5. 東北大 WPI-AIMR, 6. 千葉大院
理 , 7. 東大院新領域
1
1
1
15:30
16p-B3-7 Si(001) 表面上の CO 分子の吸着構造と振動モードの解析
〇大野 真也 , 清水 正太郎 , 田中 一馬 , 田中 正俊 1. 横国大院工 , 2. 東大物性研
1
, 吉本 真也 2, 吉信 淳 2
15:45
16p-B3-8 Si(113) 表面酸化における表面構造と電子状態の解析
〇小川 新 1, 田中 博也 1, 大野 真也 1, 田中 正俊 1,
1. 横国大院工 , 2. 物材機構 , 3. 東北大多元研
三木 一司 2, 小川 修一 3, 高桑 雄二 3
1,2
3
1
16:00
16p-B3-9 ヘテロエピタキシャル成長時における薄膜ストレス遷移と表面 〇魚住 雄輝 , 山崎 竜也 , 朝岡 秀人
1. 原子力機構 , 2. 日立パワー , 3. エイコー
形態の相関
6.6 プローブ顕微鏡 / Probe Microscopy
9/14(Wed.) 9:30 - 11:15 口頭講演 (Oral Presentation) A32 会場
9:30
招 14a-A32-1 [ 講演奨励賞受賞記念講演 ]
〇塩足 亮隼 1,2, 奥山 弘 1, 八田 振一郎 1, 有賀 哲也 1, 1. 京大院理 , 2. 東大新領域 , 3.DIPC, 4.CFM/MPC,
Cu 表面上の NO の価電子状態と非弾性トンネル分光の相関
Alducin Maite3,4, Frederiksen Thomas3,5
5.IKERBASQUE
9:45
奨 14a-A32-2 Fe3O4(001) 表面第二層の電荷秩序整列に関する研究
〇城地 雅史 1, 樋浦 諭志 1, 高橋 聡太朗 1, 山崎 陸 1, 1. 北大院情報科学 , 2. 北大創成研
Subagyo Agus1,2, 末岡 和久 1
10:00
奨 14a-A32-3 低温 O2 アニール処理を施した MgO(001) 基板上への Fe3O4 薄 〇高橋 聡太朗 1, 樋浦 諭志 1, 城地 雅史 1, 山崎 陸 1, 1. 北大院情報科学 , 2. 北大創成研
膜成長
Subagyo Agus1,2, 末岡 和久 1
10:15
奨 14a-A32-4 Au(111) および NiAl(110) 表面上に蒸着したキラルペリレン誘 〇矢島 奈実 1, Krukowski Pawel1, Chaunchaiyakul 1. 阪大院工
導体の STM 発光観察
Songpol1, 齊藤 彰 1, 赤井 恵 1, 桑原 裕司 1
10:30
奨 14a-A32-5 原子間力顕微鏡による単一原子の電気陰性度測定
〇 (PC) 小野田 穣 1,2, Ondracek Martin3, Jelinek
1. 東大新領域 , 2. 阪大院工 , 3. チェコ科学アカデ
Pavel3, 杉本 宜昭 1,2
ミー
1
1
1
10:45
奨 14a-A32-6 Au 球形探針 -Si 試料間のカシミール力測定に関する研究
〇吉田 尚樹 , 東野 一彦 , 末岡 和久
1. 北大院情報科学
11:00
奨 14a-A32-7 FM-AFM による層状ケイ酸塩鉱物表面のイオン交換に伴う水 〇 (PC) 荒木 優希 1, 佐藤 久夫 2, 大西 洋 3, 小林 圭 1. 京大工 , 2. 三菱マテリアル , 3. 神大理 , 4. 京大白
1,4
和構造変化の３次元イメージング
, 山田 啓文 1
眉セ
9/14(Wed.) 13:15 - 17:30 口頭講演 (Oral Presentation) A32 会場
1
1
13:15
14p-A32-1 Si(111)-(7x7) 表面上の位相境界における電気伝導評価
〇浜田 雅之 , 長谷川 幸雄
1. 東大物性研
13:30
14p-A32-2 SEM 内で動作するマルチプローブ AFM/KFM の開発とそれを 〇新ヶ谷 義隆 1, 樋口 倫太郎 1, Li Qiao1,2, Li Ming1, 1. 物材機構 WPI-MANA, 2. 筑波大
用いたネットワーク構造のポテンシャル分布計測
中山 知信 1,2
13:45
14p-A32-3 SNDM 線形誘電率ナノイメージングにおける高調波信号像
〇平永 良臣 1, 茅根 慎通 1, 長 康雄 1
1. 東北大通研
14:00
14p-A32-4 非接触走査型非線形誘電率ポテンショメトリによる Si(111)〇山末 耕平 1, 長 康雄 1
1. 東北大通研
(7x7) 表面における分極電荷密度の原子スケール観察
14:15
14p-A32-5 非接触原子間力顕微鏡による Al ナノクラスターの研究
〇 (M1) 宮嵜 洋記 1, 小野田 穣 1, 杉本 宜昭 1
1. 東大新領域
14:30
14p-A32-6 Co 探針での Co/Cu(110)-O 像の距離依存性
〇山田 純平 1, 尾崎 翔太 1, 内藤 賀公 1, 李 艶君 1,
1. 阪大院工
菅原 康弘 1
1
1
14:45
E 14p-A32-7 Investigation of Density of States and Local Contact Potential 〇 HUANFEI WEN , Yoshitaka Naitoh , YanJun
1.Osaka Univ.
Difference on Rutile TiO2(110) by STM/KPFM
Li1, Yasuhiro Sugawara1
15:00
14p-A32-8 アルミナ薄膜上の Pd クラスターへの CO 吸着の AFM 観察
〇多田 昌史 1, 渡邉 友啓 1, 内藤 賀公 1, 李 艶君 1,
1. 阪大院工
菅原 康弘 1
15:15
休憩 /Break
15:30
16:15
14p-A32-9 ヘテロダイン方式振幅変調法による光誘起力と熱振動アー
ティファクトの分離
14p-A32-10 マイクロ片持ち梁熱振動の 2 モード同時制振
14p-A32-11 走査型熱振動顕微鏡法を用いた高分子膜下の金ナノロッドの可
視化
14p-A32-12 イオン系表面の AFM シミュレーション
16:30
16:45
14p-A32-13
14p-A32-14
17:00
14p-A32-15
17:15
14p-A32-16
15:45
16:00
9/15(Thu.) 9:30 - 11:15
9:30
15a-A32-1
9:45
15a-A32-2
10:00
15a-A32-3
10:15
15a-A32-4
10:30
15a-A32-5
10:45
15a-A32-6
11:00
15a-A32-7
〇辻井 大明 1, 山西 絢介 1, 内藤 賀公 1, 李 艶君 1,
1. 阪大院工
菅原 康弘 1
〇鐘ヶ江 力 1, 辻家 祐介 1, 今井 秀和 2, 河村 良行 1,2 1. 福岡工大院工 , 2. 福岡工大工
〇野坂 俊太 1, 木村 邦子 1, 小林 圭 1,2, 山田 啓文 1 1. 京大工 , 2. 京大白眉セ
〇仙田 康浩 1, ブロンクビスト ヤンネ 2, ニエミネ
ン リスト 2
基板上に分散したナノ材料計測位置合わせ方法の開発
〇井藤 浩志 1, 青山 保之 1, 七里 元晴 1
走査トンネル顕微鏡と放射光による窒化鉄単原子層膜の原子ス 〇宮町 俊生 1, 高橋 文雄 1, 中島 脩平 1, Antonov
ケール表面磁性研究
Victor2, 高木 康多 3,4, 魚住 まどか 3,4, 横山 利彦 3,4,
Ernst Arthur2, 小森 文夫 1
原子間力顕微鏡による In/Si(111)-8 × 2 表面の測定
〇 (DC) 岩田 孝太 1, 山崎 詩郎 2, 塩足 亮隼 3, 杉本
宜昭 1,3
高湿度環境に暴露した TiO2(110)-(1 × 1) 表面の UHV-STM/ 〇笹原 亮 1,2, 富取 正彦 1
XPS 解析
口頭講演 (Oral Presentation) A32 会場
液中原子分解能 FM-AFM 計測に適した小型カンチレバー用探 〇宮澤 佳甫 1, 泉 久範 1, 中山 隆宏 2, 福間 剛士 1,3
針の作製
高速 FM-AFM 及び MD シミュレーションによるカルサイト溶 〇川越 祐太 1, 宮田 一輝 1, Spijker Peter2, Tracey
解過程の原子モデルの解明
John2, Haapasilta Ville2, 宮澤 佳甫 1, Foster Adam1,2,
福間 剛士 1,3
3D-FM-AFM を用いたイオン液体 3 次元溶媒和構造と分子種 〇 (PC) 梅田 健一 1,3, 小林 圭 2, 山田 啓文 1
の相関に関する研究
FM-AFM によるアルカンチオール自己組織化単分子膜の分子 〇藤田 朗人 1, 小林 圭 1,2, 山田 啓文 1
スケール水和構造計測
液中 FM-AFM による DNA 上における 3 次元フォースマッピ 〇木南 裕陽 1, 小林 圭 1,2, 山田 啓文 1
ング
濃度溶液中における Streptavidin 2 次元結晶の液中 FM-AFM 〇 (D) 崔 子鵬 1, 小林 圭 2, 平田 芳樹 3, 山田 啓文 1
高分解能構造観察 (2)
複数開口プローブを有する走査型イオン伝導顕微鏡を用いた帯 〇白澤 樹 1, 江口 由祐 1, 水谷 祐輔 2, 牛木 辰男 2,
電試料イメージング
岩田 太 1,3
1. 山口大学工 , 2. アールト大
1. 産総研
1. 東大物性研 , 2. マックスプランク研究所 , 3. 分
子研 , 4. 総研大
1. 阪大院工 , 2. 東工大理 , 3. 東大新領域
1. 北陸先端大 , 2. 神戸大
1. 金大院 , 2. 金大バイオ AFM セ , 3.ACT-C
1. 金沢大 , 2.Aalto 大 , 3.ACT-C
1. 京大院工 , 2. 京大白眉セ , 3. 東大新領域
1. 京大工 , 2. 京大白眉セ
1. 京大工 , 2. 京大白眉セ
1. 京大工 , 2. 京大白眉セ , 3. 産総研
1. 静岡大工 , 2. 新潟大医 , 3. 静大電研
6 薄膜・表面 / Thin Films and Surfaces
15:00
7.1 X 線技術 / X-ray technologies
7 ビーム応用 / Beam Technology and Nanofabrication
9/15(Thu.) 13:30 - 15:30 ポスター講演 (Poster Presentation) P4 会場
15p-P4-1 STM/STS を用いたトポロジカル絶縁体 BiSbTeSe2 電子構造の 〇細見 友香 1, 吉田 昭二 1, 武内 修 1, 鈴木 悠介 1,
評価
門脇 和夫 1, 重川 秀実 1
15p-P4-2 イオンビーム誘起堆積法により作成した Pt 配線の局所電位測 〇茂木 裕幸 1, 番場 隆文 1, 武内 修 1, 重川 秀実 1
定
15p-P4-3 VO2 金属相からの選択的 STM 発光
〇坂井 穣 1, 桑原 正史 2, 寶槻 雅樹 3, 片野 諭 3, 上
原 洋一 3
15p-P4-4 VO2 のポンプ - プローブ STM 発光分光
坂井 穣 1, 片野 諭 2, 桑原 正史 3, 〇上原 洋一 2
1. 筑波大数物
1. 筑波大数理
1. トゥール大 GREMAN, 2. 産総研 , 3. 東北大通研
1. トゥール大 GREMAN, 2. 東北大通研 , 3. 産総研
15p-P4-5 3DAP と STM の併用による複合測定手法の開発
〇山口 幸大 1, 黒川 修 1, 酒井 明 1
1. 京都大学
15p-P4-6 Ag 表面における C20 フラーレン重合体形成の可能性
〇 (M2) 平重 憲治 1, 黒川 修 1, 酒井 明 1
1. 京都大工
15p-P4-7 低温加熱下で作製したゲルマニウムナノ結晶の電子状態評価
1. 阪大院工
15p-P4-8
1. 阪大院工
15p-P4-9
15p-P4-10
15p-P4-11
15p-P4-12
15p-P4-13
15p-P4-14
〇中島 規晴 1, 遠藤 聡 1, 久家 隆太郎 1, 岩熊 征也 1,
田畑 博史 1, 久保 理 1, 片山 光浩 1
Al(111) 基板上で作製したゲルマネンの STM 測定
〇遠藤 聡 1, 中島 規晴 1, 久家 隆太郎 1, 岩熊 征也 1,
田畑 博史 1, 久保 理 1, 片山 光浩 1
TiO2(011)-(2 × 1) 表面の AFM/STM による研究
〇 (PC) 小野田 穣 1,2, Yurtsever Ayhan3, 阿部 真之 3,
Pang Chi Lun4, 杉本 宜昭 1,2
アナターゼ型 TiO2(001) 表面のフォースカーブ測定
〇勝部 大樹 1, 山下 隼人 1,2, 阿保 智 1, 若家 冨士男 1,
阿部 真之 1
溶媒蒸発を用いた Au(111) 上における分子ナノ複合体の作製 〇美濃 宏亮 1, 岡田 有史 1, 豊田 麗 1, 吉村 雅満 2,
角野 広平 1
電気化学ポテンシャル制御による硫化銀ナノドットからの銀原 〇 (M1) 田井 星翔郎 1, 長谷川 剛 1, バロブ イリア 2
子析出
原子操作による二硫化モリブデン表面の電子状態改変
〇 (M1) 田代 崇宏 1, ヨアヒム クリスチャン 2, 長谷
川 剛1
ＡＦＭによるマイカ表面上銀ナノアイランドの移動制御
〇 (M1) 島 貴明 1, 長谷川 剛 1
15p-P4-15 液体金属中ＡＦＭの開発（２）
1. 東大新領域 , 2. 阪大院工 , 3. 阪大基礎工 , 4.UCL
1. 阪大院基礎工 , 2.JST さきがけ
1. 京工繊大工芸 , 2. 豊田工大
1. 早大先理 , 2. アーヘン工大
1. 早大先進理工 , 2.CNRS
1. 早大先進理工
〇田飼 伸匡 1, 一井 崇 1, 宇都宮 徹 1, 杉村 博之 1
1. 京大院工
〇 Weiwei Zhang1, Jing Liu1, Guangcai Chang1,
Zhan Shi1, Ming Li1, Yuqi Ren2, Xiaowei Zhang1,
Futing Yi1, Peng Liu1, Weifan Sheng1
1.BSRF,IHEP, CAS, 2.SSRF, SINAP, CAS
7 ビーム応用 / Beam Technology and Nanofabrication
シンポジウムのプログラムは p.35 ～ p.41 にございます
7.1 X 線技術 / X-ray technologies
9/13(Tue.) 13:30 - 15:30 ポスター講演 (Poster Presentation) P2 会場
E 13p-P2-1 Large aperture prism-array lens for high energy X-ray focusing
9/13(Tue.) 13:45 - 17:00 口頭講演 (Oral Presentation) C31 会場
13:45
E 13p-C31-1 X-ray phase scanner using Talbot-Lau interferometry for nondestructive testing – III
14:00
14:15
13p-C31-2
13p-C31-3
14:30
13p-C31-4
14:45
15:00
13p-C31-5
13p-C31-6
15:15
15:30
16:00
16:15
16:30
〇 (P)Shivaji Bachche1, Masahiro Nonoguchi2,
Koichi Kato2, Masashi Kageyama2, Takafumi Koike2,
Masaru Kuribayashi2, Atsushi Momose1
波長 4.0 nm 斜入射ミラー用 Cr/Sc/Mo 多層膜の開発
〇羽多野 忠 1, 江島 丈雄 1
PF BL-11D における 5 – 10 nm 領域の回折格子の回折効率評 〇羽多野 忠 1, 小池 雅人 2, 浮田 龍一 3, 笹井 浩行 3,
価
長野 哲也 3
多価イオンプラズマ計測用軟 X 線射入射分光器の絶対較正
〇 (P) ヂン タンフン 1,4, 近藤 芳希 1, 田村 賢紀 1,
荒居 剛己 1, 牧村 哲也 2, 太田 茂 3, 北野 謙 3, 山本
洋一 4, 石野 雅彦 4, 錦野 将元 4, 江島 丈雄 5, 羽多野
忠 5, 東口 武史 1
軟Ｘ線発光分光器におけるトライデントミラーの効果
〇新部 正人 1, 竹平 徳崇 1, 徳島 高 2
マグネトロンスパッタに適用できる多層膜ミラーの周期長分布 〇 (M1) 金子 明誉 1, 豊田 光紀 1, 高田 昌樹 1
制御機構の開発
休憩 /Break
招 E 13p-C31-7 [2016 Fellow International Special Lectures]
Optics and Coherence at X-ray and EUV Wavelengths
13p-C31-8 相分離シンチレータと CMOS センサ一体型の超高解像度 X 線
検出器を用いた X 線位相イメージング
奨 13p-C31-9 振幅格子とピクセル検出器を用いたエネルギー分解 X 線位相
イメージングの検討
13p-C31-10 レーザー生成プラズマ源用 SnO2 バブルターゲットの開発
16:45
13p-C31-11 レーザー照射されたスズドロップレットのダイナミクス
7.2 電子ビーム応用 / Applications and technologies of electron beams
9/14(Wed.) 16:00 - 18:00 ポスター講演 (Poster Presentation) P15 会場
14p-P15-1 電子ビーム照射された絶縁体試料表面電位分布のワーキング
ディスタンスと印加バイアス依存性
14p-P15-2 電子ビーム照射による試料表面電位と電荷蓄積のシミュレー
ション
9/15(Thu.) 13:15 - 18:45 口頭講演 (Oral Presentation) B5 会場
13:15
招 15p-B5-1 [7．ビーム応用　分科内招待講演 ]
半導体光陰極を用いた次世代透過電子顕微鏡の開発
13:45
招 15p-B5-2 [ 講演奨励賞受賞記念講演 ]
BaTiO3 薄膜の陽イオン微小変位計測によるナノドメイン構造
14:00
解析
15p-B5-3 LiFePO4 の Li 脱離前後における最表面再構成構造
14:15
14:30
14:45
15:00
15p-B5-4
15p-B5-5
15p-B5-6
15p-B5-7
15:15
15:30
15:45
16:00
1. 東北大多元研
1. 東北大多元研 , 2. 量研機構量子ビーム , 3. 島津
製作所デバイス
1. 宇都宮大院工 , 2. 筑波大院数理 , 3. 真空光学 ,
4. 量研機構関西光研 , 5. 東北大多元研
1. 兵庫県大高度研 , 2. 理研 SR センタ
1. 東北大多元研
〇 David Attwood1
1.University of California,Berkeley
〇大橋 良太 1, 安居 伸浩 1, 田 透 1, 鎌田 圭 2, 吉川
彰 2,3
〇 (M1) 細野 凌 1, 佐野 壱成 1, 川端 智樹 2, 林田 清
2
, 土岐 貴弘 3, 細井 卓治 1, 渡部 平司 1, 志村 孝功 1
〇庄司 俊太郎 1,2, Musgrave Christopher2, 長井 圭
治 1,2
〇砂原 淳 1, 佐々木 明 2, 西原 功修 3
1. キヤノン株式会社 , 2. 東北大 NICHe, 3. 東北大
金研
1. 阪大院工 , 2. 阪大院理 , 3. 島津製作所
〇 (M2) 東海 昌司 1, 河本 拓也 1, 小寺 正敏 1
1. 大工大
〇 (M2) 福澤 諒大 , 小寺 正敏
1. 大阪工業大学
1
1
1. 東工大院 , 2. 東工大化生研
1. レーザー総研 , 2. 量子機構 , 3. 阪大レーザー研
〇桑原 真人 1,2, 青木 幸太 2, 鈴木 潤士 2, 宇治原 徹
1. 名古屋大未来研 , 2. 名古屋大工
, 齋藤 晃 1,2, 田中 信夫 1
1
1
1,2
1,3
〇小林 俊介 , 加藤 丈晴 , 幾原 雄一 , 山本 剛久 1.JFCC, 2. 東大総研 , 3. 名大工
1,2
〇小林 俊介 1, クレイグ フィッシャー 1, 加藤 丈晴 1,
平山 司 1, 桑原 彰秀 1, 右京 良雄 2, 幾原 雄一 1,3
LiMn2O4/NaxMnO2 界面の電子顕微鏡観察
〇橘田 晃宜 1, 秋田 知樹 1, 香山 正憲 1
噴水型低エネルギー二次電子検出器による絶縁体の観察
〇関口 隆史 1,2, 揚村 寿英 2, 木村 隆 1, 岩井 秀夫 1
実時間波動場再構成法を用いた試料厚さの動的解析
〇 (D) 田村 孝弘 1, 木村 吉秀 1, 高井 義造 1
Quasi-Bessel ビームと環状ピクセルディテクタを用いた STEM 〇川崎 忠寛 1,2,3, 石田 高史 2,3, 児玉 哲司 4, 松谷 貴
位相再生法の開発
臣 5, 丹司 敬義 2,3, 生田 孝 6
休憩 /Break
15p-B5-8 Cr/W<001> エミッタからの電界放出電子のスピン偏極度の測
定
15p-B5-9 トリエーテッドタングステン電界放射陰極におけるトリア還元
及び拡散課程の観察
15p-B5-10 表面拡散法によるナノピラミッド形成に伴う電界放出特性の変
化
1.Tohoku University, 2.Rigaku
1.JFCC, 2. 京大産官学 , 3. 東大総研
1. 産総研・電池技術
1. 物財機構 , 2. 筑波大数理
1. 阪大工
1.JFCC, 2. 名大 未来研 , 3.GREEN, 4. 名城大 , 5. 近
畿大 , 6. 大阪電通大
〇宮崎 健人 1, 阪井 那央哉 1, 永井 滋一 1,2, 岩田 達 1. 三重大院工 , 2. 三重大極限ナノセレセ
夫 1,2, 梶原 和夫 1,2, 畑 浩一 1,2
〇山梨 遼太郎 1, 根尾 陽一郎 1, 大野 輝昭 2, 三村 秀 1. 静岡大 電子工学研究所 , 2. テクネクス工房
典1
〇 (D) 浅井 泰尊 1, 熊谷 成輝 1, 村田 英一 1, 六田
1. 名城大
英治 1
7.3 微細パターン・微細構造形成技術 / Micro/Nano patterning and fabrication
16:15
16:30
16:45
17:00
17:15
17:30
18:00
18:15
18:30
休憩 /Break
奨 15p-B5-14 HEED-HARP 撮像板の幾何学歪の改善
15p-B5-15 エックス線照射下におけるフィールドエミッタアレイの電子放
出特性
15p-B5-16 耐放射線性 FEA 撮像素子用 CdTe/CdS 光電変換膜のガンマ線
照射下における電流電圧特性
15p-B5-17 ガンマ線照射前後での CdTe/CdS ダイオードの光電変換特性
比較
15p-B5-18 GOS(Graphene-Oxide-Semiconductor) 型電子放出素子の電子
放出特性
15p-B5-19 走査電子顕微鏡内におけるフォギング電子の加速電圧変化
7.3 微細パターン・微細構造形成技術 / Micro/Nano patterning and fabrication
9/13(Tue.) 9:00 - 12:15 口頭講演 (Oral Presentation) D61 会場
9:00
13a-D61-1 同期走査投影露光と化学エッチングによるマイクロ円筒部品の
製作
9:15
13a-D61-2 高強度発光ダイオードと正方形光ファイバを用いた投影露光装
置の性能評価
9:30
13a-D61-3 アセタール基で保護したノーリア誘導体に基づいたレジスト材
料の電子線照射に対する応答性の系統的な研究
9:45
奨 13a-D61-4 C-V 応答法による MIS 構造内レジスト膜への TMAH 現像液
の浸透解析
10:00
奨 13a-D61-5 コーン型マイクロチューブ内へのガス捕獲機能
10:15
13a-D61-6 Si ナノウォール構造の作製
10:30
10:45
11:00
11:15
11:30
11:45
休憩 /Break
奨 13a-D61-7 磁場アセンブリ法による 2 次元ナノギャップ配列構造の自発的
形成
13a-D61-8 バイオミメティクデザインによるディフューザの流体特性向上
の検討
13a-D61-9 ナノインプリント法にもとづくポリマースルーホールメンブレ
ンの形成
奨 13a-D61-10 熱ナノインプリント法によるポリマーシート上への原子ス
ケール形状転写における雰囲気・表界面状態の影響
13a-D61-11 ナノインプリントにおける離型材料の最適化
12:00
13a-D61-12 離型剤フリーレプリカモールドを用いた UV-NIL における繰
り返し転写耐久特性
9/14(Wed.) 16:00 - 18:00 ポスター講演 (Poster Presentation) P16 会場
14p-P16-1 集束イオンビーム励起表面反応における上方成長精密制御
奨 14p-P16-2 スピンコート法によるレジスト膜の自己組織化ネットワーク
(SAN) 構造の形成
14p-P16-3 リソグラフィ用レジスト材料の誘電分散特性
〇長尾 昌善 1, 辰巳 憲之 1, 村上 勝久 1, クンプアン
ソマワン 1,2, 原 史朗 1,2, 後藤 康仁 3
〇長尾 昌善 1, 後藤 康仁 2, 三村 秀典 3, 根尾 陽一郎
3
, クンプアン ソマワン 1,4, 原 史朗 1,4
〇 (M2) 光野 圭悟 1, 増澤 智昭 1, 畑中 義式 1, 細田
誠 1, 根尾 陽一郎 1, 三村 秀典 1
1. 産総研 , 2. ミニマルファブ , 3. 京大院工
〇小幡 一智 1, 岩崎 新吾 1, 秋山 周哲 2
1. パイオニア ( 株 ), 2. パイオニアマイクロテクノ
ロジー ( 株 )
1. 京大 , 2. 産総研 , 3. 大阪府大
〇後藤 康仁 1, 辻 博司 1, 長尾 昌善 2, 秋吉 優史 3,
高木 郁二 1
〇岡本 保 1, 猪狩 朋也 1, 後藤 康仁 2, 佐藤 信浩 2,
秋吉 優史 3, 高木 郁二 2
〇増澤 智昭 1, 根尾 陽一郎 1, 後藤 康仁 2, 岡本 保
3
, 長尾 昌善 4, 佐藤 信浩 2, 秋吉 優史 5, 高木 郁二 2,
三村 秀典 1
〇村上 勝久 1, 田中 駿丞 2, 長尾 昌善 1, 根本 善弘 3,
竹口 雅樹 3, 藤田 淳一 2
〇萩原 佳史 1,2, 野田 拓 1,2, 小寺 正敏 1, Raynald
Gauvin2
11:45
12:00
1. 静岡大 , 2. 京都大 , 3. 木更津高専 , 4. 産総研 , 5. 大
阪府立大
1. 産総研 , 2. 筑波大数理 , 3. 物材機構
1. 大阪工業大学 , 2.McGill 大学
1. 東京電機大院工
〇鈴木 佑汰 1, 渡辺 潤 1, 岩崎 順哉 1, 堀内 敏行 1
1. 東京電機大院工
〇山本 洋揮 1, 工藤 宏人 2, 古澤 孝弘 1
1. 阪大産研 , 2. 関西大学
〇白瀧 穂高 , 河合 晃
1. 長岡技科大
1
1
〇 (M1) 山根 克明 1, 丸山 智大 1, 河合 晃 1
1. 長岡技科大
〇篠塚 敦史 1, 徐 学俊 1, 澤野 憲太郎 1, 吉葉 修平 2, 1. 東京都市大学 , 2. 科学技術振興機構
2
1,2
1,2
平井 政和 , 市川 幸美 , 小長井 誠
〇瀧谷 昇哉 1, 青木 画奈 1, 藤井 稔 1
1. 神戸大学院工
〇宮崎 真理子 1, 平井 悠司 2, 守谷 浩志 1, 下村 政嗣 1. 日立研開 , 2. 千歳科技大
, 宮内 昭浩 1
〇柳下 崇 1, 田村 東子 1, 近藤 敏彰 1, 益田 秀樹 1
1. 首都大都市環境
2
〇木下 太一郎 1, 嶋田 航大 1, 小山 浩司 2, 三田 正弘 1. 東工大 , 2.（株）並木精密宝石 , 3. 協同インター
, 金子 智 4,1, 松田 晃史 1, 吉本 護 1
ナショナル , 4. 神奈川県産技セ
シャルワン フローリアン 1,2, 安田 雅昭 1, 川田 博昭 1. 阪府大工 , 2.ENSEA
1
, 〇平井 義彦 1
〇谷口 淳 1, 中川 元 1, 日和佐 伸 2
1. 東理大 , 2. オーテックス
3
〇関根 瑞恵 1, 前田 悦男 1, 米谷 玲皇 1
1. 東大院工
〇 (M1) 丸山 智大 1, 中野 弘基 1, 河合 晃 1
1. 長岡技科大
〇白瀧 穂高 1, 河合 晃 1, 大谷 翔吾 1, 笹崎 大生 1
1. 長岡技科大
1. 長岡技科大
1.BSRF, IIHEP, CAS
奨 14p-P16-6 マイクロヒータ / チャネルの作製と応用
〇 (M1C) 甲斐 一穂 1, 河合 晃 1
1. 長岡技科大
奨 14p-P16-7 マイクロチャネル / チューブ網における気泡トラップ解析
〇 (M1C) 矢木 菜摘 1, 河合 晃 1
1. 長岡技科学大
奨 14p-P16-8 光散乱法による微小バブル／微粒子系のゼータ電位解析
〇岸井 裕太 1, 河合 晃 1
1. 長岡技科大
〇桜井 健次 1,2, Jiang Jinxing2,1, 水沢 まり 3,1, 伊藤
崇芳 3, 阿久津 和宏 3, 笠井 聡 3, 宮田 登 3
〇鈴木 秀士 1, 向井 慎吾 2, 田 旺帝 3, 野村 昌治 4,
朝倉 清高 2
〇香野 淳 1, 田尻 恭之 1
〇矢代 航 1,2, 加藤 宏祐 3, 池田 進 4, 和田 恭雄 5, 鈴
木 芳生 6, 竹内 晃久 6
〇 (M2)Wenyang Zhao1,2, Kenji Sakurai2,1
1. 物材機構 , 2. 筑波大 , 3.CROSS 東海
〇松岡 秀樹 1
1. 京大院工
7.4 量子ビーム界面構造計測 / Buried interface sciences with quantum beam
9/13(Tue.) 9:00 - 12:30 口頭講演 (Oral Presentation) A25 会場
9:00
13a-A25-1 拡張した中性子反射率法による埋もれた薄膜界面のビジュアリ
ゼーション
9:15
13a-A25-2 XANAM による Ni ナノ粒子の X 線下 2D フォーススペクトル
測定
9:30
13a-A25-3 Si 基板上に形成したチタン酸ビスマス薄膜の結晶配向
9:45
13a-A25-4 Ｘ線回折格子干渉法による 100 ナノメートル以下の表面微小構
造解析に向けて
10:00
E 13a-A25-5 Time-resolved visualization of diffusion of elements in chemical
garden
10:15
招 13a-A25-6 [7．ビーム応用　分科内招待講演 ]
両イオン性ポリマーの水面での自己組織化と機能
10:45
休憩 /Break
11:30
1. 木更津高専 , 2. 京都大 , 3. 大阪府立大
〇伊藤 海樹 1, 鈴木 佑汰 1, 堀内 敏行 1
14p-P16-4 電子線照射／ UV 露光ハイブリッドリソグラフィによるレジス 河合 晃 1, 〇 (M1) 丸山 智大 1, 中野 弘基 1
トパターンの形成
E 14p-P16-5 Gas sensor based on ZnO film/ silica nanopillars
〇 Jing Liu1, Futing Yi1
11:00
1. 産総研 , 2. 京大院工 , 3. 静大電研 , 4. ミニマル
ファブ
1. 静岡大
招 13a-A25-7 [7．ビーム応用　分科内招待講演 ]
〇飯村 兼一 1
界面分子膜における自己組織化構造の解析と制御
E 13a-A25-8 Thermo-responsive switching of surface structure in poly-(N〇 Yuwei Liu1,2, Kenji Sakurai2,1
isopropylacrylamide) ultra thin film
13a-A25-9 シンクロトロンＸ線回折と硬Ｘ線光電子分光による MgxNi1-xO 〇坂田 修身 1,2, Chen Yanna1, 山内 諒輔 2, Yang
エピタキシャル薄膜の原子スケール構造と電子構造の解析
Anli1, L.S.R Kumara1, 宋 哲昊 1, Palina Natalia1, 松
田 晃史 2, 吉本 護 2
13a-A25-10 SuCSES 法を用いたチタン酸ナノシート /SiO2/Si 界面バンドダ 〇豊田 智史 1, 福田 勝利 1, 菅谷 英生 2, 森田 将史 1,
イアグラムの解析
中田 明良 1, 内本 喜晴 1, 松原 英一郎 1
1. 名大院工 , 2. 北大触媒研 , 3.ICU, 4.KEK-PF
1. 福岡大理
1. 東北大多元研 , 2.JST, ERATO, 3. 東北大院工 ,
4. 東北大原子分子 , 5. 慶大理工 , 6.JASRI
1.Tsukuba Univ., 2.NIMS
1. 宇都宮大院工
1.University of Tsukuba, 2.National Institute for
Materials Science
1. 物材機構 , 2. 東工大
1. 京大 , 2. パナソニック
7 ビーム応用 / Beam Technology and Nanofabrication
17:45
15p-B5-11 ミニマルファブを利用したスピント型フィールドエミッタアレ
イの試作
15p-B5-12 ボルケーノ構造スピント型 Ni フィールドエミッタアレイの長
時間動作
15p-B5-13 GaAs 負性電子親和力カソードの応答速度についてⅡ
7.5 イオンビーム一般 / Ion beams
12:15
13a-A25-11 時間分解電子線回折法で液晶の埋もれた構造を探る
〇羽田 真毅 1,2, 齊藤 尚平 2,3, 田中 誠一 4, 佐藤 竜馬 1. 岡大自然 , 2.JST- さきがけ , 3. 京大理 , 4. 東工大
, 松尾 恭平 6, 原 光生 7, 林 靖彦 1, 毛利 和弘 6, 吉村 理工 , 5. 筑波大計セ , 6. 名大理 , 7. 名大工 , 8. マッ
柾彦 6, 重田 育照 5, 山口 茂弘 6, 恩田 健 2,4, Miller
クス・プランク研 , 9. トロント大
R.J. Dwayne8,9
5
9/13(Tue.) 13:30 - 15:30 ポスター講演 (Poster Presentation) P3 会場
奨 13p-P3-1 ミクロ相分離単分子膜を鋳型としたシリカ前駆体による垂直成 〇枝 真住 1, 奈須野 恵理 1, 加藤 紀弘 1, 飯村 兼一 1 1. 宇都宮大院工
長構造体の X 線構造解析
7.5 イオンビーム一般 / Ion beams
9/13(Tue.) 13:30 - 15:30 ポスター講演 (Poster Presentation) P4 会場
13p-P4-1 竹炭エミッタを用いたイオン液体イオン源の開発
〇竹内 光明 1, 西 和哉 1, 龍頭 啓充 1
1. 京大院工
8 プラズマエレクトロニクス / Plasma Electronics
13p-P4-2 インジウム担持ゼオライト触媒活性のインジウムドース依存性 〇吉村 智 1, 西本 能弘 1, 木内 正人 1,2, 安田 誠 1
13p-P4-3 ヘリウムイオン顕微鏡技術を用いた Si・Au 表面での微細加工 〇前田 悦男 1, 米谷 玲皇 1, 飯島 智彦 2, 右田 真司 2,
小川 真一 2
の検討
13p-P4-4 ClF3 中性クラスタービームによる斜めピラー構造の作成
〇瀬木 利夫 1, 荘所 正 2, 小池 国彦 2, 山本 洋揮 3,
古澤 孝弘 3, 青木 学聡 1, 松尾 二郎 1
9/14(Wed.) 13:45 - 17:15 口頭講演 (Oral Presentation) B6 会場
13:45
招 14p-B6-1 [7．ビーム応用　分科内招待講演 ]
〇松尾 二郎 1
クラスターイオンビーム技術の新展開 : 半導体からソフトマテ
リアルまで
14:15
奨 14p-B6-2 金属多結晶を用いたスパッタリング収率の結晶方位依存性の評 〇 (M1) 平井 大陽 1, 長﨑 正雅 1, 吉野 正人 1, 山田
価（１）
智明 1
14:30
奨 14p-B6-3 陽子線照射した P(VDF/TrFE) 膜のウェットエッチング特性の 〇早川 志文 1, 林 秀臣 1, 小池 義和 1, 西川 宏之 1
照射量依存性
14:45
14p-B6-4 集束陽子線微細加工技術によるフレキシブル電子回路基板内部 〇高橋 龍平 1, 三浦 聡 1, 猿谷 良太 1, 川端 駿介 1,
への光導波路構造の埋込形成
三浦 健太 1, 加田 渉 1, 江夏 昌志 2, 佐藤 隆博 2, 神
谷 富裕 2, 花泉 修 1, Kumar Parajuli1
15:00
14p-B6-5 集束陽子マイクロビームにより PDMS 薄膜内部に埋め込み加 〇三浦 聡 1, 猿谷 良太 1, 川端 駿介 1, 三浦 健太
1
工された Mach-Zehnder 導波路型光スイッチング素子の開発
, 加田 渉 1, 江夏 昌志 2, 佐藤 隆博 2, 神谷 富裕 2,
Parajuli Raj Kumar1, 花泉 修 1
15:15
14p-B6-6 真空型帯電液滴およびクラスタービームによる二次イオン収率 〇二宮 啓 1, 十河 真生 2, 宮山 卓也 2, 坂井 大輔 2,
渡邉 勝己 2, チェン リーチュイン 1, 平岡 賢三 3
15:30
休憩 /Break
15:45
16:00
16:15
16:30
14p-B6-7 タンデム型 SIMS 装置を用いた生体材料の構造決定
〇鈴木 敢士 1, 草刈 将一 1, 瀬木 利夫 1, 青木 学聡 1,
松尾 二郎 1
14p-B6-8 タングステン針を用いたグリシンのアトムプローブ分析
〇羽路 祐紀 1, 入場 紀明 1, 西村 知紗 1, 曽根 輔 1,
辻 博司 1, 後藤 康仁 1
奨 14p-B6-9 画像処理によるアルゴンを用いた電界イオン顕微鏡の観察範囲 〇 (M1) 西村 知紗 1, 辻 博司 1, 後藤 康仁 1
の拡張
14p-B6-10 MeV イオン照射後に熱処理した Nd:YAG 結晶の白濁化
〇雨倉 宏 1, Akhamadaliev S.2, Zhou S.2, Chen F.3
16:45
17:00
14p-B6-11 ガスクラスターイオンビームを用いた表面活性化接合への応用 〇 (M2) 佐々木 智也 1, 豊田 紀章 1, 山田 公 1
14p-B6-12 ガスクラスターイオンビーム照射による PEEK 表面の細胞付 〇魚住 裕樹 1, 豊田 紀章 1, 山田 公 1
着性向上
7.6 原子・分子線およびビーム関連新技術 / Atomic/molecular beams and beam-related new technologies
9/14(Wed.) 16:00 - 18:00 ポスター講演 (Poster Presentation) P17 会場
14p-P17-1 レーザーによる Ca の同位体分離に関する研究
〇江崎 雄太 1, 寺西 叶 1, 藤田 拓馬 1, 橋詰 和昭 1,
玉川 洋一 1, 小川 泉 1, 仁木 秀明 1
14p-P17-2 X 線光電子分光法（HAXPES および GCIB-XPS）を用いたリ 〇稲葉 雅之 1, 三井所 亜子 1, 大園 洋史 1, 坪田 隆之
チウムイオン二次電池正極における活物質表面および内部の分 1
析（２）
14p-P17-3 Cu3Pd(111) 合金表面の初期酸化過程
〇津田 泰孝 1, 牧野 隆正 1, 塚田 千恵 2, 吉越 章隆 2,
福山 哲也 3, 岡田 美智雄 1
14p-P17-4 変位拡大機構を用いた高速超音速分子線バルブ
〇横田 久美子 1, 徐 世傑 2, 田川 雅人 1
1. 阪大工 , 2. 産総研
1. 東大工 , 2. 産総研
1. 京大院工 , 2. 岩谷産業 , 3. 阪大産研
1. 京大 QSEC
1. 名古屋大
1. 芝工大
1. 群馬大理工 , 2. 量研機構高崎研
1. 群馬大理工 , 2. 量研機構高崎研
1. 山梨大総合 , 2. アルバック・ファイ , 3. 山梨大
クリーン
1. 京大院工
1. 京大院工
1. 京都大学
1. 物材機構 , 2.HZ-Dresden-Rossendorf, 3. 山東大
学
1. 兵県大院工
1. 兵庫県大院工
1. 福井大工
1. コベルコ科研
1. 阪大理 , 2. 原子力機構 , 3. 日立研開
1. 神戸大 , 2. メカノトランスフォーマ
8 プラズマエレクトロニクス / Plasma Electronics
シンポジウムのプログラムは p.35 ～ p.41 にございます
8.9 プラズマエレクトロニクス分科内招待講演 / Plasma Electronics Invited Talk
9/13(Tue.) 13:00 - 14:30 口頭講演 (Oral Presentation) A41 会場
13:00 招 E 13p-A41-1 [Plasma Electronics Invited Lectures]
Advances in Industrial and Biomedical Applications of
Atmospheric-Pressure Plasma Jets
13:45 招 E 13p-A41-2 [Plasma Electronics Invited Lectures]
Role of Charged Nanoparticles in the Growth of Thin Films
and Nanostructures in Plasma and Non-Plasma CVD
9/14(Wed.) 11:00 - 11:30 口頭講演 (Oral Presentation) A22 会場
11:00
招 14a-A22-3 [8．プラズマエレクトロニクス　分科内招待講演 ]
ますます拡がる材料・デバイスとプラズマプロセス
8.10 プラズマエレクトロニクス賞受賞記念講演 / Plasma Electronics Award Ceremony
9/14(Wed.) 9:45 - 10:45 口頭講演 (Oral Presentation) A22 会場
9:45
招 14a-A22-1 [ プラズマエレクトロニクス賞受賞記念講演 ]
バンドギャップチューニング可能な ZnO 系新半導体材料の開
発
招 14a-A22-2 [ プラズマエレクトロニクス賞受賞記念講演 ]
プラズマ支援 CH4/CO2 改質のパルス診断
8.1 プラズマ生成・制御 / Plasma production and control
9/15(Thu.) 9:00 - 12:30 口頭講演 (Oral Presentation) B7 会場
9:00
奨 15a-B7-1 改良型導波管構造によるマイクロ波励起純窒素大気圧ラインプ
ラズマの生成
9:15
15a-B7-2 マイクロ波励起の水プラズマアッシングプロセスにおける時分
解発光分光計測
9:30
奨 15a-B7-3 磁気ノズルを有するマイクロ ECR プラズマスラスタの数値解
析
9:45
15a-B7-4 大気圧 He/H2O 直流グロー放電における密度分布と反応経路
の調査
10:00
奨 15a-B7-5 円筒キャビティと固体アンプを用いたマイクロ波プラズマの生
成Ⅲ
10:15
〇 Jong-Shinn Wu1
1.National Chiao Tung Univ.
〇 Nong-Moon Hwang1
1.Seoul National Univ.
〇木下 啓藏 1
1.PETRA
〇板垣 奈穂 1, 松島 宏一 1, 山下 大輔 1, 徐 鉉雄 1, 古 1. 九大シス情
閑 一憲 1, 白谷 正治 1
〇亀島 晟吾 1, 田村 奎志朗 1, 石橋 裕太郎 1, 野崎 智 1. 東工大工
洋1
〇鈴木 陽香 1, 田村 宥人 1, 伊藤 仁 1,2, 関根 誠 1, 堀
勝 1, 豊田 浩孝 1
〇北野 卓也 1, 鈴木 宏明 1, 塩田 有波 1, 石島 達夫 1,
田中 康規 1, 上杉 喜彦 1
〇 (D) 上野 佳祐 1, 森 大輔 1, 鷹尾 祥典 1, 江利口
浩二 1, 斧 高一 1
〇岡村 航太 1, 内田 諭 1, 杤久保 文嘉 1
1. 名大 , 2. 東京エレクトロン
1. 金沢大
1. 京大院工
1. 首都大院理工
〇 (M2) 長谷川 雄一 1, 小川 大輔 1, 中村 圭二 1, パー 1. 中部大工 , 2. アプライドマテリアルズ , 3. 名産
ク スーナム 2, 小林 理 2, 菅井 秀郎 3
研
8.2 プラズマ診断・計測 / Plasma measurements and diagnostics
10:15
10:30
10:45
11:00
15a-B7-6 メタマテリアル効果を用いたマイクロ波プラズマでの高調波生
成の効率化 ( Ⅴ )
15a-B7-7 レーザー誘起プラズマを利用した静電加速推進機の開発
15a-B7-8 交番磁場印加による大気圧熱プラズマジェットの走査と半導体
基板の加熱
15a-B7-9 永久磁石を用いたミラー磁場閉じ込め ECR プラズマ源
〇岩井 亮憲 1, 中村 嘉浩 1, 酒井 道 2
1. 京都大院工 , 2. 滋賀県立大工
〇中村 祐輝 1, 加藤 大人 1, 堀澤 秀之 1
〇寺本 憲司 1, 花房 宏明 1, 東 清一郎 1
1. 東海大工
1. 広大先端研
〇後藤 哲也 1, 佐藤 圭一郎 2, 薮田 勇気 3, 須川 成利 1. 東北大未来研 , 2. コーテック , 3. 誠南工業
1
11:15
16p-P2-2 大気圧プラズマの移動度分離による農業分野への応用
16p-P2-3 同心円筒電極中における火炎の電流特性
〇松永 純哉 1, Ma Camille Lacdan1, 粕谷 俊郎 1, 和 1. 同志社大
田 元1
〇塚林 功 1,2, 佐藤 杉弥 2, 服部 邦彦 2
1. いろは理科工房 , 2. 日本工大
16p-P2-4 流動型液体電極を有する大気圧プラズマの特性評価と金属電極 〇白井 直機 1,2, 占部 継一郎 3, 富田 健太郎 4, 秋山
毅志 5, 村上 朝之 6
放電との比較
16p-P2-5 直流放電型イオンスラスタの推力測定
〇大谷 亮輔 1, 粕谷 俊郎 1, 和田 元 1
8.2 プラズマ診断・計測 / Plasma measurements and diagnostics
9/13(Tue.) 9:00 - 11:45 口頭講演 (Oral Presentation) B7 会場
9:00
13a-B7-1 プラズマ曝露中における GaN のダメージ形成過程の調査
9:15
13a-B7-2 半導体レーザーを用いた飽和吸収分光法による水素原子バル
マーα線のシース領域におけるシュタルク効果の観測
9:30
13a-B7-3 マイクロホローカソードプラズマの He 準安定原子計測に向け
たレーザー吸収分光
9:45
10:00
13a-B7-4 ICP 支援 DC マグネトロン放電中の気体温度と容器壁温度の
経時変化
奨 13a-B7-5 カーリングプローブの小型化の検討
10:15
10:30
奨 13a-B7-6
奨 13a-B7-7
10:45
奨 E 13a-B7-8
11:00
11:15
奨 13a-B7-9
奨 13a-B7-10
11:30
13a-B7-11
9/15(Thu.) 13:30 - 15:30
15p-P5-1
15p-P5-5 プラズマ溶射金属粒子の速度・温度の空間分布計測
8.3 プラズマ成膜・表面処理 / deposition of thin film and surface treatment
9/15(Thu.) 13:30 - 15:30 ポスター講演 (Poster Presentation) P6 会場
15p-P6-1 NdFeB/Ta 磁性薄膜のスパッタリング成膜
奨 15p-P6-2 ハイパワーインパルスマグネトロンスパッタリングにおける基
板入熱量
奨 15p-P6-3 ECR-MW プラズマ源イオンビームスパッタ法への RF 基板バ
イアス印加による Cu 薄膜形成
15p-P6-4 プラズマを重畳した反応性パルススパッタリングによる窒化物
薄膜の低温形成
15p-P6-5 プラズマプロセスによる水素脆性防止膜の作製と評価 I
15p-P6-6 バイポ－ラパルスバイアスシステムと組み合わせた反応性
HPPMS による Si 含有 DLC の成膜
15p-P6-7 ITO マグネトロンスパッタにおける酸素負イオンフラックス
評価
15p-P6-8 セシウム吸着熱電子放出表面形成におけるプラズマジェット前
処理の効果
奨 15p-P6-9 大気圧プラズマジェット処理によるアルミ表面粗化と樹脂密着
性評価
15p-P6-10 表面処理用高速ジェット式パルスプラズマ源の開発
奨 15p-P6-11
奨 15p-P6-12
15p-P6-13
15p-P6-14
〇 (M2) 伴野 良継 1, 小川 大輔 1, 中村 圭二 1
1. 中部大工
〇西山 修輔 1, 片山 健斗 1, 中野 治久 2, 後藤 基志 2, 1. 北大院工 , 2. 核融合研
佐々木 浩一 1
〇 (D) 上野 佳祐 1, 亀淵 健太 1, 角谷 仁郎 1, 松岡
1. 京大院工 , 2. 広大院工
雷士 2, 難波 愼一 2, 藤井 恵介 1, 四竈 泰一 1, 蓮尾
昌裕 1
〇松田 良信 1, 品川 恭賢 1, 筑紫 康弘 1, 篠原 正典 1 1. 長崎大工
〇 (M1) 堀田 将也 1, 小川 大輔 1, 中村 圭二 1, 菅井
秀郎 1
二温度分布を用いたミストプラズマの OH 回転温度測定
〇妻木 正尚 1, 伊藤 剛仁 1
レーザー誘起蛍光法による誘電体バリア放電の空間アフターグ 〇 (M2) 出口 祐世 1, 佐々木 浩一 1
ローガス中での OH ラジカル密度の空間分布計測
Analysis of Optical Emission Spectra from Microplasma in Sea 〇 (D)Vladislav Anatolyevich Gamaleev1, Hayato
Water
Morita1, Jun-Seok Oh1, Hiroshi Furuta1, Akimitsu
Hatta1
空気プラズマ活性ガス噴霧による液中活性種のその場計測
〇木村 豊 1, 嶋田 啓亮 1, 髙島 圭介 1, 金子 俊郎 1
軟 X 線光源用レーザー生成多価電離プラズマの診断手法の開 〇 (D) 佐藤 祐太 1, 富田 健太郎 1, 江口 寿明 1, 築山
発
晶一 1, 内野 喜一郎 1
電子密度計測用高調波干渉計の今後の展開
〇秋山 毅志 1
ポスター講演 (Poster Presentation) P5 会場
空間分解能の集積キャビティ出力分光法の感度向上率への影響 〇中島 大輔 1, 松井 信 1
15p-P5-2 レーザー誘起蛍光減光分光法を用いたアルゴングロー放電プラ
ズマ中の電場計測
奨 15p-P5-3 低周波大気圧プラズマジェットにより生成した活性酸素種が
TA による化学プローブ法に及ぼす影響の検討
15p-P5-4 大気圧プラズマジェットの熱流束分布
1. 北大 , 2. 首都大 , 3. 東大 , 4. 九大 , 5. 核融合研 ,
6. 成蹊大
1. 同志社大
1. 中部大工
1. 阪大院工
1. 北大工
1.Kochi Univ. of Tech
1. 東北大院工
1. 九大総理工
1. 核融合研
1. 静大工
〇岸田 新 1, 松井 信 1
1. 静大工
〇 (M1) 千葉 留偉 1, 石島 達夫 1, 田中 康規 1, 上杉
喜彦 1
〇松浦 寛人 1, 西岡 優樹 1, 陳 健 1
1. 金沢大
〇山形 幸彦 1, 小林 希 1, 川口 保幸 2, 山﨑 正文 2,
宮﨑 文宏 2, 村岡 克紀 2
1. 九大総理工 , 2. プラズワイヤー
1. 大阪府大
小玉 康太 1, 日巻 智裕 1, 篠原 正典 1, 〇松田 良信 1 1. 長崎大工
〇服部 克宏 1, 太田 貴之 1, 小田 昭紀 2, 上坂 裕之 3 1. 名城大理工 , 2. 千葉工大 , 3. 名大院工
〇針谷 達 1, 山野 将史 1, 今井 貴大 1, 飯島 佑史 1,
1. 豊橋技科大
磯野 凌 1, 須田 善行 1, 滝川 浩史 1
〇竹中 弘祐 1, 佐竹 義旦 1, 内田 儀一郎 1, 節原 裕一 1. 阪大接合研
1
〇川崎 仁晴 1, 大島 多美子 1, 柳生 義人 1, 猪原 武士 1. 佐世保高専
, 西口 廣志 1
鎌田 光速 1, 〇木村 高志 1, 中尾 節男 2, 東 欣吾 3
1. 名工大工 , 2. 産総研 , 3. 兵庫県大工
1
〇巣山 拓 1, Bae Hansin1, 瀬高 健太 1, 笹井 建典 1, 1. 名大工 , 2. 名大プラズマナノ工学研究センター
鈴木 陽香 1, 豊田 浩孝 1,2
〇村田 健二朗 1, 荻野 明久 1, 森岡 直也 2, 木村 裕治 1. 静大院工 , 2.( 株 ) デンソー
2
〇仁藤 裕登 1, 今村 浩太 1, 早川 邦夫 1, 永津 雅章 1,2 1. 静大総合科技研 , 2. 静大創造科技院
〇小笠原 大介 1, 川野 浩明 1, 掛川 賢 1, 宮原 秀一 1,
沖野 晃俊 1
キャピラリー大気圧プラズマジェットを用いた多機能バイオセ 〇金原 正寛 1, アブザイリ トミー 2,3, 永津 雅章 1,2
ンサーの開発
水蒸気添加 Ar ガス RF プラズマを用いたグラファイト被覆磁 〇大村 拓也 1, アンチュ ヴィスワン 2, 永津 雅章 2
気ナノ微粒子のカルボキシル基修飾とその定量的評価
酸素混合アルゴン表面波プラズマを用いた半導体エミッタの表 〇渡邉 孝俊 1, 中野 嘉紀 1, 荻野 明久 1, 森岡 直也 2,
面処理
木村 裕治 2
誘導結合プラズマ支援 RF スパッタリングによる ZnO(N) 薄膜 〇石井 優輝 1, 榊原 聖也 1, 金子 哲也 1, 沖村 邦雄 1,
への効果
進藤 春雄 1, 磯村 雅夫 1
1. 東工大未来研
1. 静大総合科技研 , 2. 創造科技院 , 3. インドネシ
ア大学
1. 静大総合科技研 , 2. 静大創造科技院
1. 静大院工 , 2.( 株 ) デンソー
1. 東海大院工
8 プラズマエレクトロニクス / Plasma Electronics
15a-B7-10 ＥＣＲ加熱プラズマにおける周波数間隔が異なる場合の二重周 〇北川 敦志 1, Racz Richard2, Biri Sandor2, 村松 正 1. 量研機構放医研 , 2.ATOMKI, 3. 阪大工
波数による多価イオン生成結果
幸 1, 加藤 裕史 3
11:30
15a-B7-11 鉄内包フラーレン合成用の各種純鉄蒸発源開発とその比較検討 〇萩野 尚吾 1, 大塚 拓郎 1, 渡辺 拓人 1, 津田 悠登 1, 1. 阪大院工 , 2. 放医研
村松 正幸 2, 北川 敦志 2, 加藤 裕史 1
11:45
15a-B7-12 C60 イオン生成用低パワーマイクロ波源を用いた ECR プラズ 〇渡辺 拓人 1, 大塚 拓郎 1, 萩野 尚吾 1, 津田 悠登 1, 1. 阪大院工
マ生成
加藤 裕史 1
12:00
15a-B7-13 多種イオンビーム生成 ECR イオン源における引き出し電極の 〇大塚 拓郎 1, 萩野 尚吾 1, 津田 悠登 1, 渡辺 拓人 1, 1. 阪大院工
改良
加藤 裕史 1
12:15
15a-B7-14 誘導結合型プラズマを用いて生成した水素ラジカルへの窒素の 〇 (M2) 堤 大耀 1,2, 岡本 裕二 2,3, 石垣 隆正 1, 角谷 1. 法政大 , 2. 物材機構 , 3. 筑波大
影響
正友 2
9/16(Fri.) 13:30 - 15:30 ポスター講演 (Poster Presentation) P2 会場
16p-P2-1 マイクロ波容量結合プラズマを用いた小型原子源の開発
〇島袋 祐次 1, 粕谷 俊郎 1, 和田 元 1
1. 同志社大理工
8.4 プラズマエッチング / Plasma etching
8 プラズマエレクトロニクス / Plasma Electronics
15p-P6-15 大気圧ペン型プラズマによる DLC の局所成膜
奨 15p-P6-16 NH3 添加 He/CH4 ガス DC アーク放電によるアミノ基修飾金
ナノ微粒子の作製
9/16(Fri.) 13:15 - 16:45 口頭講演 (Oral Presentation) B7 会場
13:15
16p-B7-1 パルス化したマイクロ波プラズマＣＶＤを用いたダイヤモンド
合成 - ２
13:30
16p-B7-2 電磁場シミュレーションによるＤＣマグネトロンスパッタの膜
厚分布予測
13:45
16p-B7-3 ITO 成膜でのハイブリッド対向スパッタと従来型対向スパッ
タの比較検討
14:00
16p-B7-4 O2/TEOS スロット型マイクロ波プラズマ CVD による SIO2 膜
形成
14:15
奨 16p-B7-5 p 層上に堆積した intrinsic a-Si:H 中の Si-H2/Si-H 結合比に対
する界面の影響
14:30
14:45
15:00
15:15
15:30
〇吉木 宏之 1, 佐賀井 佑馬 1,2
1. 鶴岡高専 , 2. オリックス・ファシリテ
〇古川 大貴 1, フ ルイ 2, 永津 雅章 1,2
1. 静大総合科技研 , 2. 静岡創造科技院
〇山田 英明 1, 茶谷原 昭義 1, 杢野 由明 1
1. 産総研
〇川嶋 邦裕
1.TPEC
1
〇諸橋 信一 1,2, 谷本 司 1, 辻田 圭祐 1
〇山本 匡毅 , 鈴木 陽香 , 豊田 浩孝
1
1
1. 山口大工 , 2. 産総研
1. 名大工 , 2. 名大プラズマナノ工学研究センター
1,2
〇 (M2) 毛屋 公孝 1, 田中 和真 1, 小島 尚 1, 都甲 将 1,
山下 大輔 1, 徐 鉉雄 1, 板垣 奈穂 1, 古閑 一憲 1, 白
谷 正治 1
奨 16p-B7-6 マルチホロー放電プラズマ下流における電場とクラスター輸送 〇小島 尚 1, 都甲 将 1, 毛屋 公孝 1, 田中 和真 1, 徐
の関係
鉉雄 1, 板垣 奈穂 1, 古閑 一憲 1, 白谷 正治 1
奨 16p-B7-7 狭ギャップ高密度水素プラズマによるオンサイト SiH4 生成装 〇 (M1) 武居 則久 1, 篠田 史也 1, 垣内 弘章 1, 安武
置を用いたシリコンエピ成長
潔 1, 大参 宏昌 1
奨 16p-B7-8 リモート窒素プラズマの照射による SiC の表面窒化特性のサ 〇嶋林 正晴 1, 栗原 一彰 2, 佐々木 浩一 1
ンプル温度依存性
休憩 /Break
16p-B7-9 大気圧プラズマ処理による表面改質とせん断引張強さの向上
15:45
16p-B7-10
16:00
16p-B7-11
16:15
16:30
16p-B7-12
16p-B7-13
〇荒岡 信隆 1, 山崎 顕一 1, 飯島 崇文 1, 今村 武 1,
安井 祐之 1
多層カーボンナノチューブを含むポリウレタンフィルムのプラ 〇 (M1) 吉田 晃也 1, 小川 大輔 1, 中村 圭二 1
ズマ曝露による機械的強度向上の要因調査
プラズマインジケータ TM を用いたラジカル・イオン挙動の解 〇菱川 敬太 1, 山川 裕 1, 竹岡 拓昭 1, 中村 慶子 1,
析
釆山 和弘 1
ニュートラル窒化処理装置の開発
〇半田 祥樹 1, アブラハ ペトロス 1
RePAC 法を用いたプラズマ窒化による c-BN 膜密着性の改善 〇野間 正男 1, 山下 満 2, 江利口 浩二 3, 長谷川 繁彦
4
8.4 プラズマエッチング / Plasma etching
9/13(Tue.) 9:00 - 11:45 口頭講演 (Oral Presentation) B9 会場
9:00
13a-B9-1 HFC-1234yf の電子物性と解離
9:15
奨 13a-B9-2 DC シンクロパルスプラズマを用いた最先端絶縁膜エッチン
グプロセスにおける電子の電極間密度分布およびアフターグ
ローでの挙動
9:30
13a-B9-3 吸引プラズマの精密エッチングレート制御
9:45
13a-B9-4
10:00
13a-B9-5
10:15
10:30
13a-B9-6
奨 13a-B9-7
10:45
奨 13a-B9-8
11:00
13a-B9-9
〇林 俊雄 1, 関根 誠 1, 石川 健治 1, 堀 勝 1
〇植山 稔正 1, 岩田 学 2, 福永 祐介 1, 堤 隆嘉 1, 竹
田 圭吾 1, 近藤 博基 1, 石川 健治 1, 関根 誠 1, 大矢
欣伸 2, 堀 勝 1, 菅井 秀郎 3
〇狩野 諒 1,3, 菅 洋志 1, 新堀 俊一郎 2, 高橋 賢 2, 宮
脇 淳 3, 久保 利隆 3, 安藤 淳 3, 清水 哲夫 3
SiN 原子層エッチングにおける表面反応分子動力学シミュレー 〇菅野 量子 1, 礒辺 倫郎 2, 浜口 智志 2
ション
フルオロカーボンプラズマによりエッチングされた Si 基板最 〇 (M1) 黒田 源斗 1, 高橋 和生 1, 西尾 弘司 1
表面における構造解析
Si トレンチ加工におけるプラズマダメージ分布の評価
〇久保井 宗一 1, 山華 雅司 1, 石川 諭 1
ITO 炭化水素プラズマエッチングにおける水素イオン照射の 〇李 虎 1, 唐橋 一浩 1, 深沢 正永 2, 長畑 和典 2, 辰
化学的効果
巳 哲也 2, 浜口 智志 1
一酸化炭素プラズマからのイオン照射によるニッケルスパッタ 〇熊本 顕人 1, Mauchamp Nicolas1, 礒部 倫郎 1, 溝
リングの解析
谷 浩平 1, 李 虎 1, 伊藤 智子 1, 唐橋 一浩 1, 浜口 智
志1
中性粒子ビーム励起錯体反応を用いた CoFeB エッチング
〇久保田 智広 1, 美山 遼 2, 菊地 良幸 2, 寒川 誠二 1,3
11:15
13a-B9-10 中性粒子ビーム励起錯体反応を用いた Ta エッチングのメカニ
ズム
11:30
13a-B9-11【注目講演】表面反応層の生成と熱脱離を用いた TiN の原子層
レベルエッチング
9/15(Thu.) 13:30 - 15:30 ポスター講演 (Poster Presentation) P7 会場
15p-P7-1 AlGaN 表面特性への酸素プラズマ照射効果
〇久保田 智広 , 久保 百司 , 寒川 誠二
1
2
1,3
〇篠田 和典 1, 三好 信哉 1, 小林 浩之 1, 栗原 優 1,
酒井 哲 2, 伊澤 勝 2, 石川 健治 3, 堀 勝 3
〇新部 正人 1, 川上 烈生 2, 中野 由崇 3, 田中 良 1,
荒木 佑馬 1, 東 知里 2, 向井 孝志 4
15p-P7-2 プラズマエッチング装置におけるチャンバー内壁上の堆積膜の 〇笠嶋 悠司 1, 上杉 文彦 1
監視
8.5 プラズマナノテクノロジー / nanotechnology.
9/16(Fri.) 9:00 - 11:30
口頭講演 (Oral Presentation) B7 会場
9:00
16a-B7-1 液体窒素中パルス細線放電法による CuNi 合金ナノ粒子の作製 〇床井 良徳 1, 村山 大河 1
9:15
奨 16a-B7-2 TiO2 ナノ粒子生成中のパルス変調型誘導熱プラズマに対する 〇兒玉 直人 1, 石坂 洋輔 1, 清水 光太郎 1, 田中 康規
1
コイル電流の変調効果の分光学的検討
, 上杉 喜彦 1, 石島 達夫 1, 末安 志織 2, 中村 圭太郎
1. 九州大学
1. 九州大学
1. 阪大院工
1. 北大工 , 2.IMEC/Toshiba
1. 東芝
1. 中部大工
1. ㈱サクラクレパス
1. 名城大理工
1. 神港精機㈱ , 2. 兵庫県立工業技術センター , 3. 京
大院工 , 4. 阪大産研
1. 名古屋大工
1. 名大院工 , 2. 東京エレクトロン宮城 , 3. 中部大
学
1. 千葉工大 , 2. 三友製作所 , 3. 産総研
1. 日立研開 , 2. 阪大工
1. 京都工繊大
1. 東芝生産技術センター
1. 阪大院工 , 2. ソニー
1. 阪大工
1. 東北大流体研 , 2. 東京エレクトロン , 3. 東北大
WPI-AIMR
1. 東北大流体研 , 2. 東北大金研 , 3. 東北大 WPIAIMR
1. 日立研開 , 2. 日立ハイテク , 3. 名大
1. 兵庫県大高度研 , 2. 徳島大院理工 , 3. 中部大工 ,
4. 日亜化学
1. 産総研
1. 長岡高専
1. 金沢大院自然 , 2. 日清製粉グループ本社
2
9:30
9:45
10:00
10:15
10:30
10:45
11:00
11:15
16a-B7-3 高周波ﾏｸﾞﾈﾄﾛﾝﾌﾟﾗｽﾞﾏを用いたグラフェンの CVD 成長
〇 (M1) 石徹白 智 1, 山田 隼也 1, 河村 侑馬 1, 林 康 1. 京都工繊大
明1
奨 16a-B7-4 C2F6/H2 プラズマにより成長したカーボンナノウォールの電気 〇 (D) 今井 駿 1, 近藤 博基 1, 石川 健治 1, 平松 美 1. 名大院工 , 2. 名城大理工
化学的耐久性能
根男 2, 関根 誠 1, 堀 勝 1
休憩 /Break
招 16a-B7-5 [ 講演奨励賞受賞記念講演 ]
PS-PVD による Ni エピタキシャル直接担持 Si ナノ粒子の Li
二次電池特性向上機構
E 16a-B7-6 Surface engineered doped silicon nanocrystals applied for
fabrication of transparent solar cells
16a-B7-7 離散的柱状構造化酸化スズ薄膜の近紫外域エレクトロクロ
ミック特性
16a-B7-8 C2H2/Ar rf プラズマにおける微粒子核発生時間に対するガス温
度と圧力の影響
16a-B7-9 反応性プラズマとナノ粒子の相互作用ゆらぎの時空間構造解析
〇深田 航平 1, 太田 遼至 1, 神原 淳 1
1. 東大院工
〇 Svrcek Vladimir1, Calum McDonald2,1, Mickael
Lozac'h1, Davide Mariotti2, Koji Matsubara1
住友 望 1, 仲尾 昌浩 1, 〇井上 泰志 1, 高井 治 2
1.AIST Tsukuba, 2.University of Ulster
〇林 嘉樹 , エノ マリ , オラバイエヴ サギ , ラ
イフャ ビュフェンディ 1, 高橋 和生 2
森 研人 1, 添島 雅大 1, 山下 大輔 1, 徐 鉉雄 1, 板垣
奈穂 1, 〇古閑 一憲 1, 白谷 正治 1
1.Lab.GREMI, 2. 京都工芸繊維大学 , 3.Al Farabi
Kazakh National Univ.
1. 九大シ情
1,2
1
3
1. 千葉工大工 , 2. 関東学院大材料表面研
8.6 プラズマライフサイエンス / Plasma life sciences
9/16(Fri.) 13:30 - 15:30 ポスター講演 (Poster Presentation) P3 会場
16p-P3-1 反応性ガス環境における斜入射蒸着およびスパッタリング膜の 〇 (M2) 仲尾 昌浩 1, 井上 泰志 1, 高井 治 2
微細構造シミュレーション
16p-P3-2 気液界面プラズマを用いた銅ナノ微粒子の合成
〇伊藤 滉 1, 太田 貴之 1, 堀 勝 2
8.6 プラズマライフサイエンス / Plasma life sciences
9/15(Thu.) 13:45 - 18:30 口頭講演 (Oral Presentation) B7 会場
13:45
奨 15p-B7-1 生酒中の酵素に及ぼすパルス電界印加の影響
14:00
奨 15p-B7-2 酸化窒素ラジカル照射による出芽酵母増殖への影響
14:15
14:30
奨 15p-B7-3 高水蒸気圧空気プラズマ活性ガスによる分生子発芽抑制効果
15p-B7-4 プラズマ処理水を用いた生鮮野菜の微生物制御
15:15
15:30
15:45
16:00
1. 名城大理工 , 2. 名大院工
〇 (M2) 八重樫 大朗 1, 奥村 賢直 1, 高橋 克幸 1, 高 1. 岩手大 , 2.（株）わしの尾
木 浩一 1, 首藤 文榮 , 工藤 朋 2
〇 (M1) 岡地 正嗣 1, 橋爪 博司 2, 堀 勝 2, 伊藤 昌文 1. 名城大 , 2. 名古屋大学
1
〇嶋田 啓亮 1, 木村 豊 1, 高島 圭介 1, 金子 俊郎 1
〇北野 勝久 1, 井川 聡 2, 増井 昭彦 2, 横山 高史 1,
友 公平 1
15p-B7-5 低 pH 法を用いたプラズマ処理水によるブタ皮表面の殺菌
〇横山 高史 1, 井川 聡 2, 北野 勝久 1
奨 15p-B7-6 ヒト抜去歯を用いたう蝕感染象牙質モデルのプラズマ処理水に 〇寺脇 大紘 1, 横山 高史 1, 田﨑 達也 2, 大島 朋子 2,1,
よる殺菌
井川 聡 3, 北野 勝久 1,2
奨 15p-B7-7 酸素ラジカル処理された滅菌水中の微生物不活性化効果
〇小林 剛士 1, 呉 準席 1, 橋爪 博司 2, 太田 貴之 1,
石川 健治 2, 掘 勝 2, 伊藤 昌文 1
奨 15p-B7-8 酸素ラジカル照射による殺菌効果のカビ種依存性
〇田中 優太 1, 橋爪 博司 2, 堀 勝 2, 伊藤 昌文 1
奨 15p-B7-9 水中放電を用いた水耕栽培溶液中の細菌失活化
〇 (P) 奥村 賢直 1, 高野 光平 1, 齊藤 義典 1, 高橋 克
幸 1, 高木 浩一 1, 颯田 尚哉 2, 藤尾 拓也 3
休憩 /Break
16:15
奨 15p-B7-10 メラノーマ細胞の生存活性に対する酸素ラジカル照射培養液の 〇 (M1) 小泉 貴義 1, 村田 富保 1, 堀 勝 2, 伊藤 昌文
1
影響
16:30
奨 15p-B7-11 酸素ラジカル照射溶液の人工脂質二重膜内分子拡散への効果 〇 (M1) 近藤 大成 1, 手老 龍吾 2, 橋爪 博司 3, 近藤
博基 3, 堀 勝 3, 伊藤 昌文 1
16:45
15p-B7-12 活性種照射条件に対する膜分子変性の系統的分子動力学解析 〇吉田 健人 1, 内田 諭 1, 杤久保 文嘉 1
17:00
奨 15p-B7-13 レーザー誘起プラズマによる培養液中の活性種生成と細胞応答 〇黒川 幸宏 1, 倉家 尚之 1, 竹田 圭吾 1, 石川 健治 1,
橋爪 博司 1, 田中 宏昌 1, 近藤 博基 1, 関根 誠 1, 堀
勝1
17:15
奨 15p-B7-14 細胞膜輸送に対する液相中プラズマの物理的・化学的刺激の効 〇保苅 雄太郎 1, 佐々木 渉太 1, 神崎 展 2, 佐藤 岳彦
3
果
, 金子 俊郎 1
17:30
15p-B7-15 細胞膜輸送制御に向けたプラズマ誘起活性種・電位分布計測 〇佐々木 渉太 1, 保苅 雄太郎 1, 高島 圭介 1, 熊田 亜
紀子 2, 神崎 展 3, 金子 俊郎 1
17:45
15p-B7-16 コレステロール含有脂質二重膜への大気圧プラズマ照射
〇湯佐 洸太 1, 須田 善行 1, 栗田 弘史 1, 水野 彰 1,
針谷 達 1, 滝川 浩史 1, 手老 龍吾 2,1
18:00
15p-B7-17 プラズマ照射による脂質二重膜の変形と分子透過過程の検討 〇永岩 秀憲 1, 山本 健太 1, 木戸 祐吾 1,2, 池田 善久 1,
本村 英樹 1, 佐藤 晋 1,3, 神野 雅文 1
18:15
奨 15p-B7-18 各種中性活性種による馬肉の色調変化
〇 (M1) 北田 悠人 1, 林 利哉 1, 石川 健治 2, 堀 勝 2,
伊藤 昌文 1
9/16(Fri.) 13:30 - 15:30 ポスター講演 (Poster Presentation) P4 会場
16p-P4-1 プラズマ生成されたフリーラジカルの殺菌作用
〇川端 宏輝 1, 藤山 貴友 2, 古田 雅一 2, 武村 祐一朗
1
1. 東北大院工
1. 阪大工 , 2. 大阪産技研
1. 阪大工 , 2. 大阪産技研
1. 阪大工 , 2. 鶴見大学歯 , 3. 大阪府立産業技術総
合研究所
1. 名城大理工 , 2. 名大
1. 名城大理工 , 2. 名大
1. 岩手大理工学部 , 2. 岩手大学農学部 , 3. 岩手県
農業研究センター
1. 名城大 , 2. 名古屋大
1. 名城大 , 2. 豊橋技科大 , 3. 名古屋大
1. 首都大理工
1. 名大院工
1. 東北大院工 , 2. 東北大院医工 , 3. 東北大流体研
1. 東北大院工 , 2. 東大院工 , 3. 東北大院医工
1. 豊技大院工 , 2. 豊技大 EIIRIS
1. 愛媛大院理工 , 2. パール工業 , 3. ワイズ
1. 名城大 , 2. 名古屋大
1. 近畿大院総理工 , 2. 大阪府大
16p-P4-2 ベルトコンベア型プラズマ連続殺菌装置の開発および殺菌特性 〇柳生 義人 1, 宮本 大毅 1, 山口 充洋 1, 作道 章一 2, 1. 佐世保高専 , 2. 琉大医学 , 3. 九大総理工
猪原 武士 1, 大島 多美子 1, 林 信哉 3, 川崎 仁晴 1
奨 16p-P4-3 大気圧非平衡プラズマを用いた窒素ガス雰囲気下における粉状 〇濱嶋 周平 1, 河村 直久 2, 間瀬 暢之 1, 佐藤 浩平 1, 1. 静大総合科技研 , 2. クメタ製作所
茶葉低温殺菌
永津 雅章 1
16p-P4-4 酸素プラズマ中の活性酸素種によるカテーテル内滅菌法の開発 〇 (M1) 三浦 翔悟 1, 坂井 靖広 1, 林 信哉 1
1. 九大総理工
奨 16p-P4-5 3D プリンタを用いた内視鏡治療用小型低温プラズマジェット
の開発
16p-P4-6 誘電体バリア放電により生成した活性種による口腔内がん細胞
の不活化効果
奨 16p-P4-7 抗体結合プラズマ修飾磁気ナノ粒子による液中大腸菌の検出
1. 東工大未来研 , 2. 神戸大医 , 3. 神戸芸工大
〇林 悠太 1, 川野 浩明 1, 野村 雄大 2, 高松 利寛 2,
宮原 秀一 1, 大田 尚作 3, 東 健 2, 沖野 晃俊 1
〇 (M1) 三根 圭介 1, 小野 大帝 1, 林 信哉 1, 合島 怜 1. 九州大総理工 , 2. 佐賀大医
央奈 2, 山下 佳雄 2, 後藤 昌昭 2
〇杉浦 邦昂 1, Viswan Anchu2, 永津 雅章 1,2
1. 静大院工 , 2. 静大創造院
奨 16p-P4-8 大気圧低温プラズマ照射により細胞培養液中に生成した長寿命 〇宮本 潤一郎 1, 内橋 義人 1, 栗田 弘史 1, 安田 八郎 1. 豊橋技科大
1
, 高島 和則 1, 水野 彰 1
活性種の解析
16p-P4-9 低圧高周波プラズマを用いたタンパク質分解機構の解明
〇山田 拓也 1
1. 九大総理工
16p-P4-10 プラズマ照射溶液中短寿命活性種に対する TRP チャネル介在 〇佐々木 渉太 1, 神崎 展 2, 金子 俊郎 1
細胞内カルシウム応答
奨 16p-P4-11 紫外吸収分光によるプラズマ処理水のその場分析－照射距離依 〇小川 広太郎 1, 呉 準席 2, 古田 寛 1,3, 八田 章光 1,3
存性－
16p-P4-12 水プラズマ照射による植物の成長促進
〇 (M1) 松本 光司 1, 小野 大帝 1, 渡辺 哲史 1, 林 信
哉1
16p-P4-13 酸素プラズマ中により誘導される植物のエピジェネティクス制 〇中野 陸 1, 小野 大帝 1, 田代 康介 1, 林 信哉 1
御
16p-P4-14 プラズマ照射によるメダカ魚卵への蛍光色素導入
〇池田 善久 1, 大野 雄貴 1, 西 雅明 1, 船越 健太 1,
木戸 祐吾 1,2, 斎藤 大樹 4, 後藤 理恵 4, 松原 孝博 4,
本村 英樹 1, 佐藤 晋 1,3, 神野 雅文 1
16p-P4-15 複数の針電極放電によるプラズマ遺伝子導入法
〇磯崎 勇希 1, 大西 章仁 1, 木戸 祐吾 1,2, 池田 善久 1,
本村 英樹 1, 佐藤 晋 1,3, 神野 雅文 1
16p-P4-16 多種細胞におけるプラズマ遺伝子導入法の導入傾向
〇 (M2) 中野 孝輝 1, 宮本 展寛 1, 木戸 祐吾 1,2, 池田
善久 1, 本村 英樹 1, 佐藤 晋 1,3, 神野 雅文 1
8.7 プラズマ現象・新応用・融合分野 / Plasma phenomena, emerging area of plasmas and their new applications
9/15(Thu.) 13:30 - 15:30 ポスター講演 (Poster Presentation) P8 会場
15p-P8-1 金属ターゲットを用いた高圧レーザー誘起プラズマによる二酸 〇後藤 拓 1, 小泉 仁人 1, 鈴木 裕貴 1, 近藤 崇博 1,
化炭素変換
伊藤 剛仁 1
奨 15p-P8-2 プルシアンブルー固定化磁気ナノ微粒子の液中セシウムイオン 〇高柳 俊也 1, 永津 雅章 1
の除去特性
15p-P8-3 アルゴン雰囲気中でのメチレンブルー水溶液への大気圧プラズ 〇内田 雅人 1, 磯村 雅夫 1, 桑畑 周司 1
マジェット照射 ( Ⅱ )
15p-P8-4 周辺ガス制御型大気圧プラズマジェット照射による純水中
〇伊藤 泰喜 1, 内田 儀一郎 1, 竹中 弘祐 1, 池田 純一
RNS/ROS 濃度比制御
郎 2, 節原 裕一 1
15p-P8-5 プラズマ層と誘電体層によるクローキング効果における散乱波 〇山口 修平 1, Alexandre Bambina1, 宮城 茂幸 1, 酒
の数値解析
井 道1
1. 東北大院工 , 2. 東北大院医工
1. 高知工科大 , 2. 名城大 , 3. 高知工科大総研ナノ
テク C
1. 九大総理工
1. 九州大学
1. 愛媛大院理工 , 2. パール工業 , 3. ワイ’ ズ , 4. 愛
媛大南予水産研
1. 愛媛大学大学院理工学研究科電子情報工学専攻 ,
2. パール工業 , 3. ワイ ´ ズ
1. 愛媛大院理工 , 2. パール工業 , 3. ワイ’ ズ
1. 阪大院工
1. 静大総合科技研
1. 東海大院工
1. 阪大接合研 , 2. 阪大院医
1. 滋賀県立大院工
8 プラズマエレクトロニクス / Plasma Electronics
14:45
15:00
1. 千葉工大工 , 2. 関東学院大
9 応用物性 / Applied Materials Science
8.8 Plasma Electronics English Session
9/16(Fri.) 9:00 - 11:45
口頭講演 (Oral Presentation) B13 会場
9:00
16a-B13-1 大気圧プラズマジェット照射による培地中 ROS，RNS 生成制
御
9:15
奨 16a-B13-2 Ni 触媒を用いた CO2-H2 プラズマによるメタン化反応
9:30
奨 16a-B13-3 ヘリコンプラズマを用いた低温低圧下における CO2 からの
CH4 生成
9:45
16a-B13-4 有機染料を用いた水中気泡内放電によるヒドロキシラジカル生
成量の定量評価
10:00
16a-B13-5 液中マイクロプラズマによる Tetrabromobisphenol-A,2,6
dibromophenol の分解
10:15
16a-B13-6 インラインマイクロ波プラズマの流路狭小化による液体処理性
能向上
10:30
16a-B13-7 液相レーザーアブレーション誘起キャビテーション気泡－針電
極間放電における針電極からの気泡の形成
10:45
16a-B13-8 電解質水溶液を電極とする大気圧直流ヘリウムグロー放電にお
ける液面のイメージング
11:00
16a-B13-9 液体電極放電を用いた磁性ナノ粒子合成における液中反応経路
の検討
11:15
16a-B13-10 水面へのプラズマ照射による気液界面水和電子反応シミュ
レーション
11:30
16a-B13-11 溶存酸素を考慮したグロー放電電解のシミュレーション
8.8 Plasma Electronics English Session
9/13(Tue.) 14:45 - 16:15 口頭講演 (Oral Presentation) A41 会場
14:45
奨 E 13p-A41-3 Effect of Width and Number of Slits in Faraday Shield on the
Performance of Inductively Coupled Plasma
15:00
E 13p-A41-4 A PIC-MCC plasma model created on COMSOL Multiphysics
15:15
E 13p-A41-5 Reactive Species Transfer into Liquid Phase through
Humidified Air Plasma Effluent
15:30
E 13p-A41-6 Time- and Space-resolved OES on Pin-to-Water-Surface He
DBD Jet
15:45
奨 E 13p-A41-7 Fabrication of highly concentrated amino group-functionalized
graphite encapsulated magnetic nanoparticles by one-step arc
discharge method
16:00
E 13p-A41-8 Characterisation of duplex treatment using Neutral nitriding for
High Speed Steel
9/16(Fri.) 13:30 - 15:30 ポスター講演 (Poster Presentation) P5 会場
E 16p-P5-1 Temperature Distribution of Diode Laser Sustained Plasma by
Emission Spectroscopy
E 16p-P5-2 Measurement of Oxygen Radicals using Ambient Mass
Spectrometry
9 応用物性 / Applied Materials Science
〇内田 儀一郎 1, 伊藤 泰喜 1, 竹中 弘祐 1, 池田 純一
郎 2, 節原 裕一 1
〇佐藤 史明 1, 飯塚 哲 1
〇都甲 将 1, 片山 龍 1, 谷田 知史 1, 古閑 一憲 1, 白
谷 正治 1
金野 良介 1, 〇高橋 克幸 1, 高木 浩一 1, 颯田 尚哉 1
1. 阪大接合研 , 2. 阪大院医
〇秋津 哲也 1, 小島 信一郎 2, 平山 けい子 1
1. 山梨大医学工学総合 , 2. 九州大院
1. 東北大院工
1. 九州大学
1. 岩手大学
〇滝藤 奨 , 伊藤 美智子 , 高島 成剛 , 野村 記生 , 1. 名大工 , 2. プラシア , 3. 三進製作所
北川 富則 3, 豊田 浩孝 1
〇佐々木 浩一 1, 高橋 裕太 1
1. 北大工
1
1,2
2
3
〇鈴木 崇久 1, 白井 直機 1, 西山 修輔 1, 佐々木 浩一 1. 北大工
1
〇山崎 裕也 1, 白井 直機 1,2, 内田 諭 1, 杤久保 文嘉 1 1. 首都大理工 , 2. 北大工
〇幾世 和将 1, 浜口 智志 1
1. 阪大工
〇杤久保 文嘉 1, 内田 諭 1
1. 首都大理工
〇 (M1)Makato Moriyama1, Daisuke Ogawa1, Ivan
Ganachev1,2, Keiji Nakamura1
〇 Ayuta Suzuki1, Satoru Kawaguchi2, Masaaki
Matsukuma1, Kazuki Denpoh1
〇 Keisuke Takashima1, Hideaki Konishi1, Keisuke
Shimada1, Yutaka Kimura1, Toshiro Kaneko1
〇 Tatsuru Shirafuji1, Kazuhiko Obana1, Shohei
Kito1
〇 (D)Hu Rui1,2, Xiangke Wang2, Masaaki Nagatsu1
1.Chubu Univ., 2.Shibaura Mechatronics
○ Seiichiro Shimizu1, Petros Abraha1
1.Meijo Univ.
1.Tokyo Electron Ltd., 2.Muroran Inst. of Technol.
1.Tohoku Univ.
1.Osaka City Univ.
1.Shizuoka Univ., 2.CAS
〇 Koji Nishimoto1, Makoto Matsui1, Takahiro Ono1 1.shizuoka Univ.
〇 (PC)JunSeok Oh1, Tsuyoshi Kobayashi1,
Takayuki Ohta1, Mineo Hiramatsu1, Masaru Hori2,
Masafumi Ito1
1.Meijo Univ., 2.Nagoya Univ.
シンポジウムのプログラムは p.35 ～ p.41 にございます
9.1 誘電材料・誘電体 / Dielectrics, ferroelectrics
9/15(Thu.) 9:30 - 11:45 口頭講演 (Oral Presentation) D62 会場
9:30
15a-D62-1 YAlO3 単結晶中の Eu3+ からのフォトルミネセンスの原因
〇 (DC) 森本 貴明 1, 大木 義路 1,2
1. 早大 先進理工 , 2. 早大 材研
9:45
E 15a-D62-2 Electroinduced domain structure in LiTaO3crystal controlled by 〇 (D)Siarhei Dmitrich Barsukou1,2, Jun Kondoh1, 1.Shizuoka University, 2.Gomel State University
crossed electrodes.
Sergey Khakhomov2
10:00
15a-D62-3 チタン酸バリウム薄膜における電子状態のパルス電場応答
〇小野 颯太 1, LU CONG1, 中島 伸夫 1, 足立 純一 2, 1. 広大院理 , 2. 高エネ研 , 3. 東工大フロ材
丹羽 尉博 2, 安井 伸太郎 3
10:15
15a-D62-4 圧電応答顕微鏡による LuFe2O4 の強誘電性の検証とドメイン 〇小西 伸弥 1, 鈴木 元也 2, 北條 元 3, 有馬 孝尚 4,
1. 京大院工 , 2. 東工大技術部分析支援センター ,
観察
田中 勝久 1
3. 東工大フロンティア材料研究所 , 4. 東大新領域
10:30
休憩 /Break
10:45
11:00
15a-D62-5 K(Ta,Nb)O3 結晶、BaTiO3 系セラミックスの電気熱量効果（Ⅱ）〇真岩 宏司 1
奨 15a-D62-6 放電プラズマ焼結による (K, Na)NbO3-(Bi Na)TiO3 系強誘電 〇 (M1) 椎熊 寛生 1, 井手本 康 1, 石田 直哉 1, 北村
体の強誘電特性、結晶構造の組成依存
尚斗 1
11:15
15a-D62-7 Ba(Zr,Ti)O3-(Ba,Ca)TiO3 系非鉛圧電セラミックスのハイパ
〇 (M2) 神垣 智也 1, 永田 肇 1, 竹中 正 1
ワー圧電特性に及ぼす Mn 添加効果
11:30
奨 15a-D62-8 低温プロセスによる導電体 / 絶縁体ファインコンポジットの開 〇上野 慎太郎 1, 服部 優哉 1, 垣内 博行 1, 中島 光一
2
発
, 和田 智志 1
9/15(Thu.) 16:00 - 18:00 ポスター講演 (Poster Presentation) P16 会場
15p-P16-1 酸素燃焼炎気中溶解 ( 酸素炎高温ガスバーナー ) 法で 1 秒以内 〇佐藤 敬蔵 1, 岡田 京子 2
作成ガラス
の解明と学際応用～微量元素添加による新機能性非晶質を目指
して～
15p-P16-2 酸化物ドープしたタングステンブロンズ系セラミックスの比誘 〇岩井 裕 1, 味方 陵 1, 梶原 雅 1, 梶原 優奈 1, 木村
電率温度特性
元紀 1
奨 15p-P16-3 放電プラズマ焼結による (0.4-y)Bi0.5K0.5TiO3-BiFeO3-yK(Nb,Ta) 〇 (M2) 岩渕 徹 1, 石田 直哉 1, 北村 尚斗 1, 井手本
O3 強誘電体の組成変化に伴なう強誘電特性と結晶構造
康1
E 15p-P16-4 Piezoelectric Enhancement of Thermally Annealed Barium
〇 (M2)Gopal Prasad Khanal1, Sangwook Kim1,
Titanate Ceramics
Shintaro Ueno1, Kouichi Nakashima2, Satoshi Wada1
15p-P16-5 BaTiO3 強誘電層を共存させた BaTiO3-Bi(Mg0.5Ti0.5)O3-BiFeO3 〇有泉 真 1, 上野 慎太郎 1, 中島 光一 2, 和田 智志 1
コンポジットセラミックスの作製とその電気特性
15p-P16-6 ソルボサーマル固化法を用いたチタン酸バリウム / ペロブスカ 〇渡邉 美紀 1, 上野 慎太郎 1, 中島 光一 2, 和田 智志
イトナノ複合セラミックスの作製条件の最適化及び誘電特性評 1
価
E 15p-P16-7 Microstructure Control of BT-BMT-BF Piezoelectric Ceramics 〇 (M1)Najwa Sarah1, Shintaro Ueno1, Kouchi
by Dopant Engineering
Nakashima2, Satoshi Wada1
15p-P16-8 低温プロセスによる常誘電体 / 常誘電体複合セラミックスへの 〇垣内 博行 1, 上野 慎太郎 1, 中島 光一 2, 和田 智志
1
歪導入とその誘電特性
E 15p-P16-9 Investigation of optimum preparation condition for (Bi0.5Na0.5) 〇 (D)MinSu Kim1, Ryo Itou1, Tohru S. Suzuki2,
TiO3-hexagonal BaTiO3 using electrophoretic deposition (EPD) Tetsuo Uchikoshi2, Satoshi Wada1
Method
1. 湘南工大工
1. 東理大理工
1. 東理大理工
1. 山梨大院 , 2. 茨城大院
1.( 株 ) ジェイテック , 2.SPring-8/JASRI
1. 長岡高専
1. 東理大理工
1.Univ. of Yamanashi, 2.Ibaraki Univ.
1. 山梨大院 , 2. 茨城大院
1. 山梨大院 , 2. 茨城大院
1.Yamanashi Univ., 2.Ibaraki Univ.
1. 山梨大院 , 2. 茨城大院
1.Univ. of Yamanashi, 2.NIMS
9.2 ナノワイヤ・ナノ粒子 / Nanowires and Nanoparticles
10:00
10:15
10:30
10:45
11:00
11:30
奨 E 14a-D62-10
11:45
E 14a-D62-11
12:00
14a-D62-12
9/14(Wed.) 13:30 - 19:00
13:30
奨 14p-D62-1
13:45
14p-D62-2
14:00
14:15
14p-D62-3
14p-D62-4
14:30
14p-D62-5
14:45
14p-D62-6
15:00
14p-D62-7
奨 14p-D62-8 横型 MnAs ナノワイヤの構造評価および磁区観察
15:45
16:00
16:15
奨 14p-D62-9 MnAs/InAs ヘテロ接合ナノワイヤの磁区制御
14p-D62-10 VLS 成長 GaP ナノワイヤの光電気化学的水分解
14p-D62-11 逆電解処理による GaAs ナノワイヤ TFT の移動度向上
17:00
1. 山梨大院 , 2. 茨城大院 , 3. 物質材料研究機構
〇井上 飛鳥 1, 杉本 泰 1, 藤井 稔 1
〇堀 祐輔 1, 杉本 泰 1, 藤井 稔 1
1. 神戸大院工
1. 神戸大院工
〇加納 伸也 1, 佐々木 誠仁 1, 藤井 稔 1
1
1
1
1. 山梨大学 , 2. 茨城大学 , 3. 本多電子株式会社
1. 山梨大院 , 2. 茨城大院
1. 神戸大院工
2
1. 神戸大院工 , 2. 京大化研
1. 帝人 , 2.NanoGram
1. 阪大超高圧電顕
〇河瀬 平雅 1, 牧原 克典 1, 大田 晃生 1, 池田 弥央 1, 1. 名大院工
宮崎 誠一 1
〇王 亜萍 1, 竹内 大智 1, 大田 晃生 1, 牧原 克典 1,
1. 名大院工
池田 弥央 1, 宮崎 誠一 1
1
1
2
イオンビーム照射した炭素担体と白金ナノ微粒子との界面電子 〇 (M1C) 垣谷 健太 , 木全 哲也 , 八巻 徹也 , 山 1. 東大院工 , 2. 量研機構高崎研 , 3. 理研
構造
本 春也 2, 毛 偉 1, 寺井 隆幸 1, 小林 知洋 3
Crystal Structure Analysis of La2CuO4Nanoparticles:
〇 (D)Faisal Budiman1, Yoichi Horibe1, Hirofumi
1.Kyushu Inst. of Tech.
High Pressure Phase Appeared under Air Pressure
Tanaka1
1
2
Field-Effect Transistors of Lead Chalcogenides Quantum Dot 〇 Satria Zulkarnaen Bisri , Daiki Shin , Maria
1.RIKEN-CEMS, 2.Univ. Tokyo, 3.ETH Zurich,
Nanocubes and Core@Shell Nanocrystals Assemblies
Ibanez3,4, Maksym Kovalenko3,4, Yoshihiro Iwasa1,2
4.EMPA
アルキルアミン保護銀ナノインクにおける特異な分散安定性の 〇 (M2) 青島 圭佑 1,2, 平川 友也 1, 冨樫 貴成 3, 栗原 1. 東大工 , 2. 産総研 FLEC, 3. 山形大
起源
正人 3, 荒井 俊人 1, 長谷川 達生 1,2
口頭講演 (Oral Presentation) D62 会場
Si 基板上 InGaAs ナノワイヤの組成制御
〇 (M1) 千葉 康平 1, 冨岡 克広 1,2, 石坂 文哉 1, 吉田 1. 北大院情報科学 , 2.JST さきがけ
旭伸 1, 本久 順一 1
自己触媒 VLS 法による InP/GaInAs/InP ヘテロ構造ナノワイ 〇 (M1) 高野 紘平 1, 朝倉 啓太 1, 善村 聡至 1, 石田 1. 上智大理工
ヤの成長
勝晃 1, 下村 和彦 1
Au/GaAs(111)B 界面に誘起される原子配列構造
〇高橋 正光 1, 佐々木 拓生 1
1. 量研機構
ウルツ鉱構造 InP/AlInP コアマルチシェルナノワイヤの構造 〇石坂 文哉 1, 平谷 佳大 1, 冨岡 克広 1,2, 本久 順一 1, 1. 北大院情報科学および量子集積センター , 2.JST
及び光学特性評価
福井 孝志 1
さきがけ
自己触媒 VLS 法による n-InP/ i-GaInAs/ p-InP コアマルチシェ 〇 (M2) 朝倉 啓太 1, 高野 紘平 1, 石田 勝晃 1, 善村 1. 上智大理工
1
1
ルナノワイヤの電流注入による光出力特性
聡至 , 下村 和彦
ボトムアップ的手法で作製した通信波長帯室温動作 InAs/InP 〇章 国強 1,2, 滝口 雅人 1,2, 舘野 功太 1,2, 後藤 秀樹 1 1.NTT 物性研 , 2.NTT ﾅﾉﾌｫﾄﾆｸｽｾﾝﾀ
マイクロワイヤレーザ
可視波長全域で発光する (Al,Ga)Ox マイクロワイヤ群
〇石川 史太郎 1, Corfdir Pierre2, Jahn Uwe2, Brandt 1. 愛媛大 , 2.Paul Drude Inst.
Oliver2
休憩 /Break
15:30
16:45
〇 (M1C) 抜水 一輝 1, 上野 慎太郎 1, 中島 光一 2,
熊田 伸弘 1, 和田 智志 1, 鈴木 達 3, 打越 哲郎 3
〇伊藤 亮 1, 上野 慎太郎 1, 中島 光一 2, 董 敦灼 3,
舞田 雄一 3, 和田 智志 1
〇 (M1C) 功刀 千香 1, 近田 司 1, 上野 慎太郎 1, 中
島 光一 2, 和田 智志 1
14a-D62-7 FePt ナノドットスタック構造における磁場印加後の電気伝導
特性評価
14a-D62-8 Ta 酸化物ナノドットの高密度・一括形成 (II)
奨 14a-D62-9
16:30
1.University of Yamanashi
〇松本 健 1, 上野 慎太郎 1, 中島 光一 2, 和田 智志 1 1. 山梨大院 , 2. 茨城大院
〇松田 聡 , 加納 伸也 , 藤井 稔 , 坂本 雅典 , 寺
西 利治 2
14a-D62-5 シリコンナノ粒子インクを用いたプリンタブル薄膜サーミスタ 〇添田 淳史 1, 池田 吉紀 1, 城 尚志 1,2
14a-D62-6 アモルファス Sb ナノ粒子における結晶化プロセスの超高圧電 〇保田 英洋 1
顕内マイクロ秒スケールその場観察
休憩 /Break
11:15
15:15
〇 (D)Sangwook Kim1, Gopal Khanal1, Satoshi
Wada1
14p-D62-12 中性粒子ビームエッチング技術によるシリコンナノピラー
-SiGe0.3 複合膜の作製と熱伝導率の評価
14p-D62-13 低温下における Ge/Si コアシェルナノワイヤの電気特性評価
休憩 /Break
〇堀口 竜麻 1, 加藤 弘晃 1, 椛本 恭平 1, 小平 竜太郎
, 原 真二郎 1
〇椛本 恭平 1, 小平 竜太郎 1, 原 真二郎 1
〇舘野 功太 1,2, 小野 陽子 3, 熊倉 一英 1
〇相川 慎也 1, 山田 航平 1, 橋本 英樹 1, 阿相 英孝 1,
小野 幸子 1
〇菊池 亜紀応 2,4, 八尾 章史 4, 毛利 勇 4, 小野 崇人 2,
寒川 誠二 1,3
〇高木 寛之 1,2, 野口 智弘 1,2, Simanullang
Marolop1,2, 宇佐美 浩一 1,2, 小寺 哲夫 2, 小田 俊理 1,2
1
1. 北大
1. 北大
1.NTT 物性研 , 2.NTT NPC, 3.NTT 先デ研
1. 工学院大
1. 東北大流体研 , 2. 東北大学院工 , 3. 東北大学
AIMR, 4. セントラル硝子
1. 東工大、未来研 , 2. 東工大、工学院電気電子系
17:15
17:30
14p-D62-14 急速熱酸化法による SiOx ナノワイヤーの形成
〇富野 泰介 1, 増田 翔 1, 小塩 明 1, 小海 文夫 1
1. 三重大院工
奨 14p-D62-15 VLS 法を用いた単結晶 SnO2 ナノワイヤにおける二つの結晶成 〇安西 宇宙 1, 長島 一樹 2, Meng Gang2, Zhuge
1. 九大総理工 , 2. 九大先導研 , 3. 大阪市大 , 4. 東大
長界面が決定する組成空間分布と電子輸送特性
Fuwei2, 鐘本 勝一 3, 関 岳人 4, 柴田 直哉 4, 柳田 剛 工
17:45
14p-D62-16 ナノスケール熱制御による高感度・省エネルギー酸化物ナノワ
イヤ分子センサ設計
14p-D62-17 陽極酸化ポーラスアルミナにもとづく規則 ZnO ナノロッドア
レーの作製
14p-D62-18 陽極酸化法による TiO2 ナノチューブの結晶性と光触媒活性
奨 14p-D62-19 化学気相成長法による Fe ナノワイヤの作製と特性評価
1,2
18:00
18:15
18:30
18:45
Meng Gang1, Zhuge Fuwei1, 〇長島 一樹 1, 金井 真 1. 九大先導研 , 2. 慶大理工
樹 1, 髙橋 綱己 2, 内田 建 2, 柳田 剛 1
〇中薗 貴志 1, 近藤 敏彰 1, 柳下 崇 1, 益田 秀樹 1
1. 首都大都市環境
〇 (M2) 森合 海瑠 1, 中島 伸夫 1
1. 広大院理
〇 (M1) 荻原 初夏 1, 柳瀬 隆 2, 長浜 太郎 2, 長島 一 1. 北大総化 , 2. 北大院工 , 3. 九大先導研
樹 3, 柳田 剛 3, 島田 敏宏 2
〇 (P)Ming Li1, Yoshitaka Shingaya1, Rintaro
1.MANA, NIMS
Higuchi1, Tomonobu Nakayama1
E 14p-D62-20 Resistive switching studies of a single silver nanowire junction
by multiple-probe AFM
9/15(Thu.) 9:30 - 11:30 ポスター講演 (Poster Presentation) P9 会場
15a-P9-1 その場 X 線回折による Au 触媒 InGaAs ナノワイヤの成長過程 〇佐々木 拓生 1, 高橋 正光 1
検討
15a-P9-2 Ge/Si コアシェル ナノワイヤの電気伝導率における径依存性 〇野口 智弘 1, Simanullang Marolop1, 宇佐美 浩一 1,
小寺 哲夫 1, 小田 俊理 1
15a-P9-3 Si/Ge コアシェルナノワイヤの結晶性およびホールガス蓄積制 〇西部 康太郎 1,2, Jevasuwan Wipakorn2, Subramani
御
Thiyagu2, 武井 俊朗 2, 深田 直樹 1,2
E 15a-P9-4 Al-Catalyzed Si Nanowires for Photovoltaic Application
〇 Wipakorn Jevasuwan1, Toshiaki Takei1, Naoki
Fukata1
E 15a-P9-5 Improvement of Silicon Nanowire Solar Cell Properties
〇 (DC)JUNYI CHEN1,2, Thiyagu Subramani2,
Wipakorn Jevasuwan2, Naoki Fukata1,2
1. 量研機構
1. 東工大 未来研 , 工学院電気電子系
1. 筑波大院 , 2. 物材機構
1.NIMS
1.Univ. of Tsukuba, 2.NIMS
9 応用物性 / Applied Materials Science
E 15p-P16-10 The Origin of the Thermal Treatment Effects on Crystal
Structure and Electrical Properties in BiFeO3-BaTiO3 Lead-free
System.
15p-P16-11 歪を導入した種々のチタン酸バリウム / ビスマス系圧電ナノ複
合セラミックスの低温作製及びその圧電特性
15p-P16-12 六方晶 - 正方晶比を制御した 2 相共存 BaTiO3 粒子により作製
した <111> 配向 BaTiO3 セラミックスの電気特性
15p-P16-13 反応性テンプレート粒子成長法による＜ 110 ＞配向 BaTiO3(Bi0.5Na0.5)TiO3 セラミックスの作製と圧電特性評価
15p-P16-14 粒径制御したニオブ酸ナトリウムナノキューブのマイクロ波加
熱ソルボサーマル合成
9.2 ナノワイヤ・ナノ粒子 / Nanowires and Nanoparticles
9/14(Wed.) 9:00 - 12:15 口頭講演 (Oral Presentation) D62 会場
9:00
14a-D62-1 シランカップリング反応によるシリコン量子ドットの表面修飾
9:15
14a-D62-2 化学ドーピングによるシリコンナノ結晶コロイドの光学特性評
価
9:30
奨 14a-D62-3 B,P 同時ドープシリコンナノ結晶塗布薄膜の光電流特性および
インピーダンス解析
9:45
14a-D62-4 シリコンナノ結晶・金ナノ結晶複合塗布薄膜の形成
9.3 ナノエレクトロニクス / Nanoelectronics
E 15a-P9-6 Selective area growth of well-ordered ZnO nanowires on (111) Pham Thi Huyen1, 〇 Masashi Akabori1
1.JAIST
oriented masked substrates by electrochemical method
15a-P9-7 AAO 鋳型を用いた制御可能なナノ構造を有する QCM の創製 〇浅井 直人 1, 伊藤 健 1, 清水 智弘 1, 新宮原 正三 1 1. 関西大理工
奨 15a-P9-8 無電解銅めっきナノファイバによる透明解氷ヒーター
15a-P9-9 ニッケルナノワイヤーのイオンマイグレーション定量評価
15a-P9-10 化学気相成長法によるニッケル化合物内包カーボンナノ
チューブの一段階形成
15a-P9-11 カチオン交換法による Ag/CuInS2 複合ナノ粒子の合成
9 応用物性 / Applied Materials Science
E
E
E
E
11:00
13a-C42-5 ３電極間に滴下法で作製した金ナノ粒子膜における単一帯電効
果
11:15
13a-C42-6 論理表現された 2 次元イジング計算機の FPGA による高速演
算
11:30
奨 13a-C42-7 スピン配列を利用したアルゴリズムによるグラフ彩色問題の検
討
11:45
奨 13a-C42-8 イジングスピンモデルの自然収束動作へのマッピングによる巡
回セールスマン問題の検討
9/13(Tue.) 13:30 - 16:00 口頭講演 (Oral Presentation) C42 会場
13:30
13p-C42-1 Au ナノギャップでのマイグレーション制御によるギャップ狭
窄化とトンネル抵抗特性
13:45
13p-C42-2 大気環境下でのマイグレーション制御による Au ナノギャップ
の通電狭窄化
14:00
13p-C42-3 ポリマー絶縁型原子スイッチネットワークの電気特性評価
14:15
E 13p-C42-4 Ionic Liquid Gating of Metal Quantum Point Contacts: Effect
of the Size of Ions.
14:30
休憩 /Break
15:15
13p-C42-5 電圧の極性反転プロセスを用いた Au 原子接合における量子化
コンダクタンスの自在制御
13p-C42-6 制御パラメータの自律的な設定手法を取り入れた
リアルタイム OS 駆動型エレクトロマイグレーションの検討
奨 13p-C42-7 直流電場下で駆動する微小コイル型モーター
15:30
奨 13p-C42-8
15:00
2
〇小川 高司 1, 小塩 明 1, 小海 文夫 1
1. 三重大院工
〇 (M2) 桑田 貴彦 1, 濱中 泰 1, 葛谷 俊博 2
1. 名工大 , 2. 室工大
15a-P9-12 水封入セルを用いた液中光照射誘起反応の TEM 内その場観察 〇大藤 功将 1, 五十嵐 直也 1, 石岡 準也 2, ジェーム
メルバート 1, 柴山 環樹 2, 渡辺 精一 2
15a-P9-13 パルス細線放電法による有機物皮膜付きマグネシウム粒子の作 〇田中 健太 1, Nguyen Duy Hiue1, 鈴木 常生 2, 中
製
山 忠親 1, 末松 久幸 1, 新原 晧一 2
15a-P9-14 In-depth understanding of atomic and electronic structure
〇 (PC)Rosantha Kumara1, Osami Sakata1,
properties of Ni-NP/MOF composites by synchrotron X-ray
Hirokazu Kobayashi2, Chulho Song1, Shinji Kohara1,
total scattering and high-resolution X-ray photoelectron
Kohei Kusada2, Hiroshi Kitagawa2
spectroscopy
15a-P9-15 One-pot synthesis of highly reduced graphene oxide decorated 〇 (D)Abdul Manaf Hahim1, Nur Suhaili Abd Aziz1
with silver nanoparticles
15a-P9-16 プラズマジェット CVD 法によるシリコンナノ粒子の高速作製 〇永井 祐輔 1, 細川 寛人 1, 西田 哲 1, 小宮山 正治 1,
栗林 志頭眞 1
15a-P9-17 Three-Dimensional Analysis of Phosphorus-Doped Si
〇清水 康雄 1, 韓 斌 1, Seguini Gabriele2, Arduca
Nanocrystals Embedded in SiO2 Matrix by Atom Probe
Elisa2,3, Castro Celia4, Ben Assayag Gerard4, 井上 耕
Tomography
治 1, 永井 康介 1, Schamm-Chardon Sylvie4, Perego
Michele2
15a-P9-18 カルボン酸塩終端によるポーラス Si の親水性の向上
〇榊原 将訓 1, 松本 公久 1, 神谷 和秀 1, 川端 繁樹 1,
鈴木 伸哉 2
15a-P9-19 Ion Release from Zn-Incorporated Polymer Nanosheets for
〇 (M1)Hafzan Qayyum Muhammad1, Takahiro
Biomedicine
Kondo2, Yosuke Okamura2, Sergei Kulinich2, Satoru
Iwamori1
15a-P9-20 Composition and Temperature Sensitive Conducting Gel
〇 (PC)Rekha Goswami Shrestha1, Rintaro
Higuchi1, Yoshitaka Shingaya1, Sadaki Samitsu2,
9.3 ナノエレクトロニクス / Nanoelectronics
9/13(Tue.) 9:45 - 12:00 口頭講演 (Oral Presentation) C42 会場
9:45
13a-C42-1 共通ゲート三重ドット単電子デバイスのポンプ動作の解明
10:00
E 13a-C42-2 Single-Electron Transistors made by Pt-based Narrow Line
Width Nanogap Electrodes
10:15
13a-C42-3 ナノ粒子単電子トランジスタにおけるゲート容量のナノ
ギャップ電極形状依存性
10:30
13a-C42-4 CdSe/ZnS ナノ粒子を用いた単電子デバイスの光応答特性
10:45
休憩 /Break
14:45
〇 (M1) 吉川 亮平 1, 松林 毅 1, 竹中 一生 1, 真部 研 1. 慶大院理工 , 2. ミラノ工科大
吾 1, Testa Andrea2, Magagnin Luka2, 白鳥 世明 1
〇竹田 裕孝 1, 分部 由梨 1, 吉永 輝政 1, 松原 英一郎 1. ユニチカ中研 , 2. 京大院工
15:45
13p-C42-9
9/15(Thu.) 16:00 - 18:00
15p-P17-1
15p-P17-2
Tomonobu Nakayama1
〇高野谷 怜音 1, 今井 茂 1
〇 (D)Yoonyoung Choi1, Yasuo Azuma1, Yutaka
Majima1
〇東 康男 1, 大沼 悠人 1, 坂本 雅典 2, 寺西 利治 2,
真島 豊 1
〇山下 竜司 1, 山本 真人 1, 野口 裕 1
1. 北大院工 , 2. 北大エネマテセンター
1. 長岡技大極限センター , 2. 長岡技大工
1.NIMS/SPring-8, 2.Kyoto Univ.
1.MJIIT, UTM
1. 岐阜大工
1. 東北大金研 , 2.IMM-CNR, 3.Universita degli
Studi di Milano, 4.CEMES-CNRS
1. 富山県立大学 , 2. 長野高等専門学校
1.Tokai University, 2.Tokai University Institute of
Innovative Science and Technology
1.Nano FIG, MANA, NIMS, 2.Separation
Functional Materials Group, NIMS
1. 立命館大学
1.Tokyo Inst. of Tech.
1. 東工大フロンティア研 , 2. 京大化研
1. 明治大理工
〇松本 和彦 1, Tran Huong1, 守屋 政隆 1, 島田 宏 1, 1. 電通大 , 2. 東京工科大 , 3. 東北大
木村 康夫 2, 平野 愛弓 3, 水柿 義直 1
〇酒井 正太郎 1, 塩村 真幸 1, 齋藤 孝成 1, 木原 裕介 1. 東京農工大院工
1
, 白樫 淳一 1
〇塩村 真幸 1, 齋藤 孝成 1, 木原 裕介 1, 白樫 淳一 1 1. 東京農工大院工
〇木原 裕介 1, 齋藤 孝成 1, 伊藤 光樹 1, 塩村 真幸 1, 1. 東京農工大院工
白樫 淳一 1
〇伊藤 智之 1, 井上 和貴 1, 木原 裕介 1, 岡田 憲昂 1,
齋藤 孝成 1, 白樫 淳一 1
〇井上 和貴 1, 伊藤 智之 1, 木原 裕介 1, 岡田 憲昂 1,
齋藤 孝成 1, 白樫 淳一 1
〇樋口 倫太郎 1, 新ヶ谷 義隆 1, 李 明 1, 中山 知信 1,2
〇 CHENYANG LI1, Kenji Shibata2, Kazuhiko
Hirakawa1
1. 東京農工大院工
1. 東京農工大院工
1. 物材機構 , 2. 筑波大院
1.Univ. of Tokyo, 2.Tohoku Ins. of Tech.
〇岩田 侑馬 1, 沼倉 憲彬 1, 佐藤 秀亮 1, 白樫 淳一 1 1. 東京農工大院工
〇沼倉 憲彬 1, 木原 裕介 1, 塩村 真幸 1, 加藤木 悠 1, 1. 東京農工大院工
佐藤 秀亮 1, 白樫 淳一 1
〇 (B) 小杉 健斗 1, 平松 和也 1, 山本 大吾 1, 塩井 章 1. 同志社大 , 2. 東工大
久 1, 鎌田 香織 2, 彌田 智一 2, 吉川 研一 1
金属探針表面局所電位変調による GaAs 表面トラップ位置の評 〇佐藤 将来 1,2, 殷 翔 1,2, 黒田 亮太 1,2, 葛西 誠也 1,2 1. 北大量集センター , 2. 北大院情報科学
価
マクスウェルの悪魔による電力の生成
〇知田 健作 1, 西口 克彦 1, 藤原 聡 1
1.NTT 物性研
ポスター講演 (Poster Presentation) P17 会場
1
1
2
Ag/Ag2S Core-Shell 微粒子配列による新規回路作製
〇 (M2) 川島 直晃 , 日高 百合奈 , 長谷川 剛 , 田 1. 九工大生命体 , 2. 早大理工
中 啓文 1
ミツバチの採餌行動を模倣した単電子回路の構築
〇田鍋 俊彦 1, 大矢 剛嗣 1
1. 横国大院工
15p-P17-3 単電子階層型ニューラルネットワーク回路への展望
〇高野 誠 1, 大矢 剛嗣 1
1. 横国大院工
15p-P17-4 粘菌の挙動を模倣した多層単電子情報処理回路の設計
〇 (M2) 里見 航汰 1, 大矢 剛嗣 1
1. 横国大院工
1. 千葉工大 , 2. 物材機構 , 3. 産総研
〇鈴木 博也 1, 菅 洋志 1, 塚越 一仁 2, 清水 哲夫 3,
内藤 泰久 3
1
1
2
2
15p-P17-6 電気化学エッチングにより作製した金属量子ポイントコンタク 〇阿部 千夏 , 柴田 憲治 , 吉田 健治 , 平川 一彦 1. 東北工大 , 2. 東大生研・ナノ量子機構
トの電界変調
15p-P17-7 強磁性ナノ接合における近藤効果の観測
〇吉田 健治 1, 平川 一彦 1
1. 東大生研・ナノ量子機構
15p-P17-5 白金ナノギャップ電極における遷移時間の温度依存性
15p-P17-8 銅ナノ粒子インクを用いた印刷型サーミスタの作製
〇松村 叡 1, 松浦 陽 2, 泉 小波 2,3, 吉田 泰則 2,3, 熊
木 大介 2,3, 時任 静士 2,3
1. 山形大工 , 2. 山形大院理工 , 3. 山形大 ROEL
9.4 熱電変換 / Thermoelectric conversion
9.4 熱電変換 / Thermoelectric conversion
9/15(Thu.) 9:00 - 12:00 口頭講演 (Oral Presentation) A35 会場
9:00
招 15a-A35-1 [ 講演奨励賞受賞記念講演 ]
摂動分子動力学法による層状酸化物のフォノン熱伝導機構の解
明
9:15
15a-A35-2 デラフォサイト型窒化物 CuMN2(M=Ta, Nb) の電子状態と熱
電輸送特性
9:30
15a-A35-3 ペロブスカイト酸化物 Pr1-xSrxFeO3(0 ≦ x ≦ 0.5) の P 型熱電特
性
9:45
15a-A35-4 ホモロガス構造をもつ In2O3(ZnO)m 薄膜の熱電特性
10:00
休憩 /Break
〇藤井 進 1, 吉矢 真人 1,2
1. 大阪大工 , 2.JFCC
〇大久保 勇男 1,2, 森 孝雄 1
1. 物材機構 , 2.JST- さきがけ
〇中津川 博 1, 石川 慈樹 1, 齋藤 美和 2, 岡本 庸一 3 1. 横国大理工 , 2. 神奈川大工 , 3. 防衛大材料
〇賈 軍軍 1, Hans Wardenga2, Andreas Klein2, 重里 1. 青山学院大 , 2. ダルムシュタット工科大
有三 1
10:15
15:15
15:30
15:45
16:00
15p-A35-7 熱電効果におけるバンド形状とヴィーデマン・フランツ則
奨 15p-A35-8 Zn4Sb3 におけるイオン伝導の電流依存性評価
16:45
15p-A35-9 電子構造から予測した FeVSb half-Heusler の熱電物性
奨 15p-A35-10 データ駆動スクリーニングによる高性能熱電変換材料 n 型
Mg3(Sb,Bi)2 の発見
15p-A35-11 遷移金属硫化物 V4-xTrxGeS8 の熱電物性と 3d 遷移金属置換効果
E 15p-A35-12 Synthesis and thermoelectric properties of quaternary Si
clathrate K8- δ GaxZnySi46-x-y
休憩 /Break
17:00
奨 15p-A35-13 Si(111) 基板上エピタキシャルβ -FeSi2 薄膜の熱電物性
16:15
16:30
1. 住友電工 , 2. 豊田工大 , 3. 東北大
1.Toyota Technological Institute, 2.Sumitomo
Electrical Industries Ltd.
1. 防大材料 , 2. 物材機構
1. 産総研 , 2. 埼玉大 , 3. 茨城大
1. 名大
1. 北大電子研 , 2. 北大院情報 , 3. 北大量集セ
1. 豊田工大 , 2. 名大工 , 3.JST- さきがけ
1.Nagoya Univ., 2.Toyota Tech. Inst.
1. トヨタ自動車
1. 東北大院工
1. 株式会社 IMCO, 2. 東北大学
1. 山陽小野田市立山口東理大
〇臼井 秀知 1, 黒木 和彦 1
1. 阪大理
〇 (M2) 國岡 春乃 1, 山本 淳 2, 飯田 努 1, 小原 春彦 1. 東京理科大 , 2. 産総研
2,1
〇 (PC) 山本 晃生 1, 山田 竜也 1, 竹内 恒博 1
〇玉置 洋正 1, 佐藤 弘樹 1, 菅野 勉 1
1. 豊田工大
1. パナソニック
〇 (D) 宮田 全展 1, 尾崎 泰助 2, 小矢野 幹夫 1
〇 (PC)Shiva Kumar Singh1, Motoharu Imai1
1. 北陸先端大 , 2. 東大物性研
1.NIMS, Tsukuba, Japan
〇谷口 達彦 1, 坂根 駿也 1, 青木 俊輔 1, 奥畑 亮 1,
渡辺 健太郎 1,2, 鈴木 健之 3, 藤田 武志 2,4, 澤野 健太
郎 5, 中村 芳明 1,2
17:15
奨 15p-A35-14 鉄シリサイドナノドット積層構造の制御による熱電物性向上 〇 (M2) 坂根 駿也 1, 渡辺 健太郎 1,2, 藤田 武志 3, 澤
野 憲太郎 4, 中村 芳明 1,2
17:30
奨 15p-A35-15 ZnO ナノワイヤ埋め込み構造の形成とその熱電特性
〇 (D) 石部 貴史 1, 渡辺 健太郎 1,2, 吉川 純 3, 藤田
武志 2,4, 中村 芳明 1,2
17:45
15p-A35-16 熱電変換応用に向けた二次元フォノニック結晶格子の検討
〇柳澤 亮人 1, 野村 政宏 1,2,3
CS.4 9.4 熱電変換，16.2 エナジーハーベスティングのコードシェアセッション / 9.4&16.2 Code-sharing session
9/14(Wed.) 9:30 - 11:30 口頭講演 (Oral Presentation) A25 会場
9:30
14a-A25-1 リン酸マンガンナトリウムガラスの特異な結晶化
〇本間 剛 1, 田邊 森人 1, 小松 高行 1
9:45
14a-A25-2 ファイバブラッググレーティングを用いた Nd3+ 添加 ZBLAN 〇鈴木 健伸 1, 津本 尚紀 1, 大石 泰丈 1, Bernier
ガラスファイバの太陽光励起レーザー発振
Martin2, Valley Real2
10:00
14a-A25-3 β -FeSi2/SiC 複合粒子の作製と光触媒効果による水からの水素 〇秋山 賢輔 1,2, 本泉 佑 1, 奥田 徹也 1, 舟窪 浩 2, 入
生成
江 寛 3, 松本 佳久 1
10:15
奨 E 14a-A25-4 Enhancement of Broadband Solar Light Absorption and
〇 (P)Satish Laxman Shinde1, Satoshi Ishii1,
Photocurrent Increase of C3N4 Nanoparticles Combined with
Tadaaki Nagao1
TiN and Carbon Nanoparticles
10:30
休憩 /Break
10:45
14a-A25-5 SrCuO2 スパッタ膜の光・熱誘起構造秩序化：熱流路パターニ 〇寺門 信明 1, 高橋 良輔 1, 山崎 芳樹 2, 高橋 儀宏 1,
ングと温度拡散イメージング
藤原 巧 1
11:00
14a-A25-6 SrCuO2 スパッタ膜の光・熱誘起構造秩序化：熱拡散率分布の 〇山崎 芳樹 1, 寺門 信明 2, 高橋 良輔 2, 高橋 儀宏 2,
推定
鈴木 茂 1, 藤原 巧 2
11:15
奨 14a-A25-7 高熱伝導性結晶を含むガラス複合材料の作製：熱物性及び構造 〇 (M1) 小澤 龍成 1, 寺門 信明 1, 高橋 儀宏 1, 藤原
調査
巧1
9/14(Wed.) 16:00 - 18:00 ポスター講演 (Poster Presentation) P22 会場
奨 14p-P22-1 高配向化したナノ結晶ビスマス・テルル薄膜の異方性評価
〇 (M1) 山内 和樹 1, 高尻 雅之 1
1. 阪大基礎工 , 2.CREST-JST, 3. 阪大産研 , 4. 東北
大 , 5. 東京都市大総研
1. 阪大院基礎工 , 2.CREST-JST, 3. 東北大 , 4. 東京
都市大
1. 阪大院基礎工 , 2.CREST-JST, 3. 物材機構 , 4. 東
北大学
1. 東大生研 , 2. ナノ量子機構 , 3.JST さきがけ
1. 長岡技科大
1. 豊田工大 , 2.Laval Univ.
1. 神奈川産技セ , 2. 東工大物質理工 , 3. 山梨大ク
リーンエネ
1.NIMS
1. 東北大院工 , 2. 東北大多元研
1. 東北大多元研 , 2. 東北大院工
1. 東北大院工
1. 東海大学院工
1. 住友電工 , 2. 豊田工大 , 3. 防衛大学校
14p-P22-2 ナノ構造熱電材料のための多重薄膜によるナノ構造制御の検討 〇足立 真寛 1, 藤井 俊輔 1, 木山 誠 1, 山本 喜之 1,
西野 俊佑 2, Omprakash Muthusamy2, 竹内 恒博 2,
岡本 庸一 3
14p-P22-3 ビスマスの格子変形が輸送特性に及ぼす影響
〇小峰 啓史 1, 青野 友祐 1, 村田 正行 2, 長谷川 靖洋 1. 茨大工 , 2. 産総研 , 3. 埼玉大院
3
14p-P22-4 PLD 法による Bi1-xSrxCuSeO 系薄膜の作製と熱電特性
〇 (M1) 石澤 衛 1, 内藤 智之 1, 藤代 博之 1, 伊藤 暁 1. 岩手大理工 , 2. 東北大金研
彦 2, 後藤 孝 2
9 応用物性 / Applied Materials Science
15a-A35-5 ナノ構造熱電材料開発のためのアモルファス Al-Mn-Si バルク 〇足立 真寛 1, 藤井 俊輔 1, 木山 誠 1, 山本 喜之 1,
の作製
西野 俊佑 2, Omprakash Muthusamy2, 竹内 恒博 2,
牧野 彰宏 3
10:30
E 15a-A35-6 Synthesize of amorphous Si1-xGexcontaining nano-sized
〇 (P)Omprakash Muthusamy1, Shunseuke
crystalline particlesby means of mechanical alloying for
Nishino1, Masahiro Adachi2, Tsunehiro Takeuchi1
thermoelectric application
10:45
15a-A35-7 Ge/Au 人工格子薄膜の再結晶化過程 - ナノ結晶生成を目指し 〇岡本 庸一 1,2, 芳賀 陽介 1, 宮﨑 尚 1
て11:00
15a-A35-8 石英ガラス中の直径 110 nm Bi ナノワイヤーへの端部電極形 〇村田 正行 1, 山本 淳 1, 長谷川 靖洋 2, 小峰 啓史 3
成
11:15
15a-A35-9 フェイス・トゥ・フェイス固相エピタキシャル成長法を用いた 〇辻岡 祐介 1, 一野 祐亮 1, 土屋 雄司 1, 吉田 隆 1
SnSe 薄膜の作製と評価
11:30
招 15a-A35-10【9．応用物性 分科内招待講演】
〇太田 裕道 1, 金木 奨太 2, 橋詰 保 3
熱電能電界変調法：AlGaN/GaN-MOSHEMT
9/15(Thu.) 13:30 - 18:00 口頭講演 (Oral Presentation) A35 会場
13:30
15p-A35-1 周期加熱法を用いた MnSi γ リボン状試料の熱伝導度測定
〇西野 俊佑 1, Swapnil Ghodke2, 山本 晃生 1, 竹内
恒博 1,2,3
13:45
E 15p-A35-2 Thermoelectric properties of super-saturated Cr-doped MnSiy 〇 (D)Swapnil Chetan Ghodke1, Akio yamamoto2,
M. Omprakash2, HIroshi Ikuta1, Tsunehiro
Takeuchi2
14:00
奨 15p-A35-3 n- 型ナノコンポジット Mg2Si/MgO 熱電材料の合成
〇山本 栄也 1, 須藤 裕之 1, 石切山 守 1
14:15
奨 15p-A35-4 Mg2Sn の格子間サイトにおける Mg の定量的評価
〇 (DC) 窪内 将隆 1, 小川 陽平 1, 林 慶 1, 高松 智寿
1
, 宮﨑 讓 1
14:30
15p-A35-5 IMCO 高温型熱電半導体デバイス
〇梶谷 剛 1,2, 鈴木 裕巳 1, 斎藤 政彦 1, 高橋 和宏 1,
奧 康一 1
14:45
奨 15p-A35-6 PEDOT-PSS を用いた面直有機熱電発電モジュールの
〇岡本 和也 1, 森田 晃規 1, 阿武 宏明 1, 戸嶋 直樹 1
内部抵抗低減による高出力化
15:00
休憩 /Break
9.5 新機能材料・新物性 / New functional materials and new phenomena
14p-P22-5 斜め蒸着法により作製したアンチモン・テルル薄膜の熱電性能 〇森川 聡 1, 高尻 雅之 1
解析
奨 14p-P22-6 a-InGaZnO 薄膜の熱電特性における膜厚とアニールの影響
〇多和 勇樹 1, 上沼 睦典 1, 藤本 裕太 1, 岡本 尚文 1,
石河 泰明 1, 山下 一郎 1, 浦岡 行治 1
14p-P22-7 融液成長法で成膜した SnSe 厚膜の評価
〇田橋 正浩 1, 辻岡 祐介 2, 寺社下 文也 1, 後藤 英雄
1
, 高橋 誠 1, 一野 祐亮 2, 吉田 隆 2
14p-P22-8 W または Nb を添加した CaMn1-xAxO3 の熱電特性
〇森 英喜 1, 吉田 晴彦 1
14p-P22-12 熱電応用のための Si1-xGex 及び Mg2Si1-xGex 結晶合成と特性評
価
14p-P22-13 パワー半導体冷却用 Si 単一ペルチェ素子における過度的熱移
動
14p-P22-14 高温薄膜熱電特性評価装置の開発Ⅲ
〇高須 隆太郎 1, Omprakash Muthusamy1, Misra
Shantanu1, 志村 洋介 1, 早川 泰弘 1, 立岡 浩一 1
〇古林 寛 1, 種平 貴文 2, 米盛 敬 2, 瀬尾 宣英 2, 黒
木 伸一郎 1
〇 (M2) 佐々木 一真 1, 内藤 智之 1, 藤代 博之 1
1. 静大院工
14p-P22-15 KFM を用いた局所温度測定
〇鈴木 悠平 1, 岡 晃人 1, 池田 浩也 1
1. 静大電研
〇大川 顕次郎 1, 加納 学 1, 並木 宏允 1, 笹川 崇男 1
1. 東工大フロンティア研
10 スピントロニクス・マグネティクス / Spintronics and Magnetics
14:15
13p-A25-3
14:30
14:45
13p-A25-4
13p-A25-5
15:00
13p-A25-6
15:15
13p-A25-7
16:15
16:30
16:45
1. 兵庫県立大院工
14p-P22-11 遷移金属を含む多元素置換 Si クラスレートの熱電特性
9.5 新機能材料・新物性 / New functional materials and new phenomena
9/13(Tue.) 13:45 - 17:00 口頭講演 (Oral Presentation) A25 会場
13:45
招 13p-A25-1 [ 講演奨励賞受賞記念講演 ]
非磁性半金属 InBi における相対論的電子構造と巨大磁気抵抗
14:00
13p-A25-2 非磁性遷移金属プニクタイド単結晶における巨大磁気抵抗
16:00
1. 中部大 , 2. 名古屋大
1. 日大理工 , 2. 摂南大理工 , 3. 広大放射光 , 4. 広大
院理
14p-P22-10 二重管封入式溶融凝固法を用いて作製した SnSe 結晶の評価
15:45
1. 奈良先端大
〇 (M2) 菅野 聖人 1, 石渡 聖也 1, 川本 晃己 1, 東谷
篤志 2, 生天目 博文 3, 谷口 雅樹 3, 佐藤 仁 3, アワベ
クリ ルスル 4, 高瀬 浩一 1, 渡辺 忠孝 1, 高野 良紀 1
〇辻岡 祐介 1, 田橋 正浩 2, 寺社下 文也 2, 後藤 英雄
2
, 土屋 雄司 1, 一野 祐亮 1, 吉田 隆 1
〇前島 理佐 1, 和田 雄大 1, 岡本 和也 1, 阿武 宏明 1
14p-P22-9 (LaO)CuTe, (BiO)CuTe の熱電特性の違い
15:30
1. 東海大学院工
〇中野 拓也 1, 高橋 敬成 1, 並木 宏允 1, 矢野 力三 1,
笹川 崇男 1
電気化学エッチングを利用した黒リンの電気二重層トランジス 〇佐藤 洋平 1, 高橋 敬成 2, 笹川 崇男 2, 上野 和紀 1
タ
ZrTe3 単結晶における電荷密度波と超伝導
〇大西 正記 1, 大川 顕次郎 2, 橘 和宗 2, 笹川 崇男 2
窒素ドープ炭素材料のボトムアップ合成と磁性
〇菊池 智史 1, 坂口 裕哉 1, 桒原 諒介 1, 萩原 政幸
2
, 木田 孝則 2, 酒井 政道 1, 福田 武司 1, 鎌田 憲彦 1,
本多 善太郎 1
フタロシアニンシートポリマーの合成、構造と磁性
〇田代 慎 1, 坂口 裕哉 1, 萩原 政幸 2, 木田 孝則 2,
酒井 政道 1, 福田 武司 1, 鎌田 憲彦 1, 本多 善太郎 1
有機分子保護 Au ナノクラスターの磁気特性
〇越田 樹 1, 松尾 晶 2, 山本 良之 3, 齊藤 正 1, 稲田
貢1
休憩 /Break
13p-A25-8 表面増大赤外吸収現象が発現する金ナノ粒子サイズ最値の波長
依存性Ⅱ
13p-A25-9 ナノ粒子配列によるバックグラウンド赤外吸収の SEIRA への
影響
13p-A25-10 RCWA を用いた金ナノ粒子配列の赤外透過スペクトルシミュ
レーション
13p-A25-11 MAl2O4 (M = Zn, Mg) の Co2+ 置換による結晶構造変化と分光
学的特徴
13p-A25-12 水熱合成 ZnAl2O4 ナノ粒子における前駆体の pH と触媒効果
9/14(Wed.) 9:30 - 11:30 ポスター講演 (Poster Presentation) P3 会場
14a-P3-1 Yb:YSAIG および Yb:GSAIG 結晶粒子の蛍光と磁性
14a-P3-2 Mn 酸化物を用いた宇宙機用放射率可変素子 (SRD) の研究
- 還元アニールによる電気抵抗率・帯磁率・放射率の変化 14a-P3-3 水／有機溶媒／拮抗的な塩からなる結晶構造
1. 名大 , 2. 中部大
1. 山陽小野田市立山口東理大工
1. 広島大ナノデバイス・バイオ融合科学研 , 2. マ
ツダ ( 株 )
1. 岩手大理工
1. 東工大フロンティア研
1. 東大院総合 , 2. 東工大フロンティア研
1. 東工大工 , 2. 東工大フロティア研
1. 埼玉大院理工 , 2. 阪大先端強磁場
1. 埼玉大院理工 , 2. 阪大先端強磁場
1. 関西大院 , 2. 東大物性研 , 3. 秋田大院
〇津島 将導 1, 中嶋 洋 1, 石郷 侑汰 1, 千葉 豪 1, 島
田 透 2, 鈴木 裕史 1
〇石郷 侑汰 1, 中嶋 洋 1, 津島 将導 1, 千葉 豪 1, 島
田 透 2, 鈴木 裕史 1
〇千葉 豪 1, 中嶋 洋 1, 石郷 侑汰 1, 津島 将導 1, 島
田 透 2, 鈴木 裕史 1
〇中根 茂行 1, 名嘉 節 1, 松下 能孝 1, 中山 美奈子 1,
石井 聡 2, 田口 実 3, 松下 明行 1
〇石井 聡 1, 中根 茂行 2, 内田 渉 1, 田中 優華 1, 名
嘉 節2
1. 弘前大院理工 , 2. 弘前大教育
〇 (M2) 近藤 慎吾 1, 山田 啓介 1, 嶋 睦宏 1
1. 岐阜大院工
1. 弘前大院理工 , 2. 弘前大教育
1. 弘前大院理工 , 2. 弘前大教育
1. 物材機構 , 2. 東京電機大 , 3. 中央大
1. 東京電機大理工 , 2. 物材機構
〇畑 真尋 1, 太刀川 純孝 2, 小田 涼佑 3, 野田 正亮 3, 1. 東理大理 , 2. 宇宙研 , 3. 上智大理工
桑原 英樹 3, 大川 万里生 1, 齋藤 智彦 1
〇伊藤 尚充 1, 貞包 浩一朗 1, 剣持 貴弘 1
1. 同志社大生命医科
10 スピントロニクス・マグネティクス / Spintronics and Magnetics
シンポジウムのプログラムは p.35 ～ p.41 にございます
CS.6 10.1，10.2，10.3，10.4 コードシェアセッション「新規スピン操作方法および関連現象」/ 10.1, 10.2, 10.3, 10.4 Code-sharing session[Emerging control-methods of magnetization and
related phenomena]
9/16(Fri.) 9:30 - 12:00
口頭講演 (Oral Presentation) C41 会場
9:30
奨 E 16a-C41-1 Sputtering condition dependence of spin-orbit torque induced 〇 (DC)Chaoliang Zhang1, Shunsuke Fukami1,2,3,4,
1.Laboratory for Nanoelectronics and Spintronics,
magnetization reversal in W/CoFeB/MgO heterostructure
Kyota Watanabe1, Ayato Ookawara1, Samik
RIEC, Tohoku Univ., 2.CSIS, Tohoku Univ., 3.CIES,
1
2,3,4
DuttaGupta , Hideo Sato , Fumihiro
Tohoku Univ., 4.CSRN, Tohoku Univ., 5.WPIMatsukura1,2,4,5, Hideo Ohno1,2,3,4,5
AIMR, Tohoku Univ.
9:45
奨 E 16a-C41-2 Current induced effective fields of Ta/CoFeB/MgO hetero
〇 Hiromu Gamou1, Kohda Makoto1, Junsaku Nitta1 1.Tohoku Univ.
structure depending on Ta crystal structures
10:00
E 16a-C41-3 Bistable magnetization switching induced by the spin-orbit
〇 Tomohiro Koyama1, Yicheng Guan1, Daichi
1.The Univ. of Tokyo
torque in Pt/Co/Pd structure against the thermal disturbance
Chiba1
10:15
E 16a-C41-4 Investigation of the spin-transfer torque generated by
〇 (P)Satoshi Iihama1, Kay Yakushiji1, Tomohiro
1.Spintronics Research Center, AIST, 2.Osaka Univ.
anomalous Hall effect
Taniguchi1, Hitoshi Kubota1, Sumito Tsunegi1,
1
1
Shingo Tamaru , Yoichi Shiota , Yoshishige
Suzuki1,2, Akio Fukushima1, Shinji Yuasa1
10:30
休憩 /Break
10:45
11:00
11:15
11:30
11:45
招 16a-C41-5 [ 論文奨励賞受賞記念講演 ]
Electric field modulation of magnetic anisotropy in
perpendicularly magnetized Pt/Co structure with a Pd top
layer
奨 E 16a-C41-6 Detection of voltage excited spin wave by pico-second timeresolved Kerr microscope
E 16a-C41-7 Perpendicular magnetic anisotropy and its electric field effect in
Fe/Mg-based oxide interfaces
E 16a-C41-8 Effects of fluorine introduction on the voltage control of
ferromagnetic CoFeB/Al2O3 interface magnetic anisotropy
E 16a-C41-9 Electric-field induced magnetization switching in CoFeB/MgO
magnetic tunnel junction with thick MgO barrier
〇日比野 有岐 1, 小山 知弘 1, 大日方 絢 1, 三輪 一元 1. 東大 , 2. 電中研
, 小野 新平 2, 千葉 大地 1
2
〇 (PC)Bivas Rana1, Yasuhiro Fukuma1,2, Katsuya
Miura3, Hiromasha Takahashi3, YoshiChika Otani1,4
Qingyi Xiang1,2, Hiroaki Sukegawa1, Shinya Kasai1,
〇 Seiji Mitani1,2
〇 (M2)Mykhailo Pankieiev1, Koji Kita1
1.CEMS, RIKEN, 2.Kyushu Inst. Tech., 3.Hitachi
Ltd., 4.Univ. of Tokyo
1.NIMS, 2.Univ. Tsukuba
〇 Shun Kanai1,2,3, Fumihiro Matsukura1,2,3,4, Hideo
1.LNS,RIEC,Tohoku Univ., 2.CSIS, Tohoku Univ.,
3.CSRN, Tohoku Univ., 4.WPI-AIMR, Tohoku
Univ., 5.CIES, Tohoku Univ.
Ohno1,2,3,4,5
1.Univ. of Tokyo
CS.6 10.1，
10.2，
10.3，
10.4コードシェアセッション
「新規スピン操作方法および関連現象」/ 10.1, 10.2, 10.3, 10.4 Code-sharing session[Emerging control-methods of magnetization and related phenomena]
9/13(Tue.) 16:00 - 18:00 ポスター講演 (Poster Presentation) P8 会場
E 13p-P8-1 Magnetic Skyrmions in Bilayer and Multilayer Nanotracks
奨 E 13p-P8-2
13p-P8-3
13p-P8-5
E 13p-P8-6
13p-P8-7
奨 13p-P8-8
13p-P8-9
13p-P8-10
E 13p-P8-11
E 13p-P8-12
奨 E 13p-P8-13
E 13p-P8-14
E 13p-P8-15
E 13p-P8-16
13p-P8-17
13p-P8-18
13p-P8-19
13p-P8-20
奨 E 13p-P8-21 Modulation of magnetic anisotropy in intentionally oxidized Co 〇 Takamasa Hirai1, Tomohiro Koyama1, Yuki
Hibino1, Aya Obinata1, Kazumoto Miwa2, Shimpei
thin film by ionic liquid gating
Ono2, Makoto Kohda3, Daichi Chiba1
13p-P8-22 NixFe4-xN(x = 1, 3) 薄膜の負の異方性磁気抵抗効果
〇 (M1) 高田 郁弥 1, 伊藤 啓太 1,2,3, 鹿原 和樹 2, 東
小園 創真 1, 具志 俊希 1, 都甲 薫 1, 角田 匡清 2, 末
益 崇1
13p-P8-23 Nd3-xBixFe5-yGayO12 薄膜に生じた応力誘導磁気異方性の評価
〇箸中 貴大 1, 佐々木 教真 1, 石橋 隆幸 1, 加藤 剛志
2
, 岩田 聡 2, 谷山 智康 3
13p-P8-24 高濃度 Bi 置換 Nd 鉄ガーネット薄膜の FMR 測定
〇 (D) 婁 庚健 1, 安達 信泰 2, 加藤 剛志 3, 岩田 聡 3,
松本 悠人 4, 枦 修一郎 4, 石山 和志 4, 石橋 隆幸 1
13p-P8-25 逆ペロブスカイト窒化物 Co3FeN/Mn3GaN ヘテロ構造の作製 〇黒木 庸次 1, 安藤 弘紀 1, 羽尻 哲也 1, 植田 研二 1,
と交換結合特性
浅野 秀文 1
13p-P8-26 MBE 法で作製したα’ -Fe16-xMnxN2 (x = 0, 1, 2) 薄膜の磁気特 〇東小薗 創真 1, 伊藤 啓太 1,2,3, 具志 俊希 1, 高田 郁
性
弥 1, 都甲 薫 1, 末益 崇 1
奨 13p-P8-27 MOD 法を用いた Co0.75-xMoxFe2.25O4 薄膜の作製と評価
〇 (M1) 猪狩 知樹 1, 目黒 燎 1, 柳原 英人 2, 喜多 英
治 2, 石橋 隆幸 1
13p-P8-28 窒素組成制御した MnGaN 薄膜の作製と評価
〇 (M2) ソ ジョンミン 1, 羽尻 哲也 1, 植田 研二 1,
浅野 秀文 1
13p-P8-29 EBSD 法等を用いたホウ化鉄合金の結晶組織観察
〇河原 正美 1, 翠簾野 敦 1
藤原 康睴 2, 井手 太星 2, 依田 浩平 2, 捧 峻太朗 2,
宮野 俊太 2, 石川 智也 1, 〇一柳 優子 1,2
〇石川 智也 1, 細貝 良行 2, 臼井 章仁 2, 町田 好男 2,
斉藤 春夫 2, 高野 真由美 2, 徳永 正之 2, 権田 幸祐 2,
一柳 優子 1
13p-P8-32 Fe3O4 ナノ粒子単層膜および多層膜の磁気光学カー効果特性 〇北條 大介 1, 鈴木 和也 1, 浅尾 直樹 2, 水上 成美 1,
評価Ⅱ
阿尻 雅文 1
奨 13p-P8-33 強磁性共鳴下で強磁性単層薄膜に発生する起電力に関する研究 〇金川 知誠 1, 手木 芳男 2, 仕幸 英治 1
13p-P8-30 Co-Zn ferrite 系磁気ナノ微粒子の交流磁化率とハイパーサーミ
ア効果
奨 13p-P8-31 Mn-Zn ferrite ナノ微粒子の磁気ハイパーサーミアおよび MR,
CT 造影効果
E 13p-P8-34 Voltage Controlled Magnetic Anisotropy Change in Different
Temperature Annealed Magnetic Tunnel Junctions
13p-P8-35 α -Fe2O3 薄膜のモーリン転移に対する重金属ドープの影響の
評価
E 13p-P8-36 X-ray spectroscopy of Pt and Bi atomic layers on Fe(001) under
external voltage
〇 (DC)Amit Kumar Shukla1, Minori Goto1, Kohei
Nawaoka1, Shinji Miwa1, Yoshishige Suzuki1
〇三神 和章 1, 安藤 聡伸 1, 田中 雅章 1, 壬生 攻 1
〇 (M1)Takuya Tsukahara1, Miyakaze Risa1,
Nawaoka Kohei1, Furuta Taishhi1, Shimose
Koki1, Goto Minori1, Suzuki Yoshishige1, Suzuki
Motohiro2, Miwa Shinji1
E 13p-P8-37 Detecting superficial cracks by using eddy current method and 〇 (DC)Zhenhu Jin1, Mikihiko Oogane1, Motoki
magnetic tunnel junction devices with varied size
Endo1, Kosuke Fujiwara1, Yasuo Ando1
1.Univ. of Hong Kong, 2.Nanjing Univ., 3.Shinshu
Univ., 4.Univ. of Tokyo
1.Univ. of Hong Kong, 2.Nanjing Univ., 3.Central
South Univ., 4.Shinshu Univ., 5.Beihang Univ.,
6.Univ. of Tokyo
1. 茨大工 , 2. 茨城高専
1. 東北大金研 , 2. 東北大 WPI-AIMR, 3.ERATOSQR, 4. 原研先端研
1. 産総研
1.Osaka Univ., 2.Kyoto Univ.
1. 東京電機大工 , 2.NHK 技研
1. 東海大工 , 2.NHK 放送技術研究所 , 3. 日本メク
トロン
1. 広島大学ナノデバイス・バイオ融合科学研究所
1. 広島大学ナノデバイス・バイオ融合科学研究所
1.IMR, Tohoku Univ., 2.ERATO-JST., 3.WPIAIMR, Tohoku Univ., 4.JAEA.
1.Kyushu univ., 2.JST, PREST
1.Tohoku Univ., 2.TDK corporation, 3.JASRI,
4.ImPACT program
1.RIES, Hokkaido Univ., 2.School of Engineering,
Hokkaido Univ.
1.Tohoku Univ., 2.CNRS/Thales
1.TUAT
1. 名工大工
1. 東北大院工
1. 東北大院工
1. 東北大 WPI-AIMR
1.The Univ. of Tokyo, 2.CRIEPI, 3.Tohoku Univ.
1. 筑波大数理物質 , 2. 東北大工 , 3. 学振
1. 長岡技科大 , 2. 名古屋大 , 3. 東工大
1. 長岡技科大 , 2. 名工大 , 3. 名大 , 4. 東北大
1. 名大院工
1. 筑波大数理物質 , 2. 東北大工 , 3. 学振
1. 長岡技大 , 2. 筑波大学
1. 名大院工
1.( 株 ) 高純度化学研
1. 横国大院工 , 2. 横国大理
1. 横国大院工 , 2. 東北大院医
1. 東北大 WPI-AIMR, 2. 信州大繊維
1. 大阪市大院工 , 2. 大阪市大院理
1.Osaka university
1. 名工大工
1.Osaka Univ., 2.JASRI/SPring-8
1.Tohoku Univ
10 スピントロニクス・マグネティクス / Spintronics and Magnetics
13p-P8-4
〇 (D)Xichao Zhang1,2, Xiaoxi Liu3, Motohiko
Ezawa4, Yan Zhou1,2
Control and Manipulation of a Magnetic Skyrmionium in
Xichao ZHANG1,2, 〇 Jing XIA1,2, Yan ZHOU1,2,
Nanostructures
Daowei WANG3, Xiaoxi LIU4, Weisheng ZHAO5,
Motohiko EZAWA6
フェリ磁性 TbFeCo 薄膜における異常ホール効果の強磁場特 〇小峰 啓史 1, 安藤 亮 1, 金田 真悟 2, 佐藤 汐莉 2,
性
原 嘉昭 2
非局所配置におけるマグノン拡散長の温度依存性
〇 (M2) 大柳 洸一 1, 井口 亮 1,3, 邱 志勇 2,3, 齊藤 英
治 1,2,3,4
スピントルク発振器を用いた媒体層の磁化反転磁場の減少
〇 (PC) 平松 亮 1, 久保田 均 1, 常木 澄人 1, 田丸 慎
吾 1, 薬師寺 啓 1, 福島 章雄 1, 湯浅 新治 1
Interfacial spin-orbit torque in Fe|MgO|V tunnel junctions
〇 Shinji Miwa1, Junji Fujimoto2, Philipp Risius1,
Minori Goto1, Yoshishige Suzuki1
電圧印加による Tb-Fe-Co/MgO/Gd-Fe TMR 素子の磁気異方 〇 (M1) 上野 鷹幸 1, 金城 秀和 2, 船橋 信彦 2, 麻生
性変化
慎太郎 2, 加藤 大典 2, 青島 賢一 2, 久我 淳 2, 本橋
光也 1, 町田 賢司 2
Gd-Fe 合金を用いた磁性細線の作製とその評価
〇 (M2) 高木 泰輝 1, 青島 賢一 2, 風間 達彦 3, 久我
淳 2, 船橋 信彦 2, 町田 賢司 2, 秋山 泰伸 1, 菊池 宏 2
MOD 法により作製した CexY3-xFe5O12 薄膜を用いたスピンゼー 〇平田 智士 1, 小野 竜義 1, 雨宮 嘉照 1, 田部井 哲夫
1
ベック素子
, 横山 新 1
異常ネルンスト効果を用いたスピンゼーベック素子の研究
〇小野 竜義 1, 平田 智士 1, 雨宮 嘉照 1, 田部井 哲夫
1
, 横山 新 1
Generation of spin current by spin pumping under nonlinear
〇 (M2)Shingo Watanabe1, Daichi Hirobe1, Yuki
magnetization dynamics
Shiomi1,2, Ryo Iguchi1, Eiji Saitoh1,2,3,4
Spin Mixing Conductance Enhancement by NiFe Insertion at
〇 Hiromi Fukuzawa Yuasa1,2, Kouki Tamae1,
YIG/Pt Interface
Norimasa Onizuka1
Spacer layer insertion effect on magnetic properties of Cr2O3/ 〇 Tomohiro Nozaki1, Satya Prakash Pati1, Tatsuo
Co exchange coupling system
Shibata2, Shougo Yonemura2, Tetsuya Nakamura3,
Yoshinori Kotani3, Muftah K O Al-Mahdawi1,
Shujun Ye1, Yohei Shiokawa1, Masashi Sahashi1,4
Current-induced effects on switching magnetic field in
〇 Michihiko Yamanouchi1, Tatsuro Oyamada2,
La0.67Sr0.33MnO3/SrTiO3
Takayoshi Katase1, Hiromichi Ohta1
Magnetoresistance in the Junction with Multiferroic BiFeO3
〇 (D)Tomohiro Ichinose1, Hiroshi Naganuma1,2,
Mikihiko Oogane1, Yasuo Ando1
Preparation and Characterization of Bi substituted gadolinium 〇 (D)AbdulWahid Danish1, Toshiyuki Morioka1,
iron garnet (Bi:GdIG) on glass substrates by MOD method
Hiromasa SHIMIZU1
with GdIG buffer layer
Co2FeGe ホイスラー合金 /Ag エピタキシャル多層膜の界面磁 〇中谷 規之介 1, 大久保 篤伺 1, 浅井 洵基 1, 田中 雅
気特性の作製温度依存性
章 1, 壬生 攻 1
半導体へのスピン注入へ向けた SrTiO3 基板上への
〇稲葉 仁 1, 小池 剛央 1, 大兼 幹彦 1, 安藤 康夫 1
Co2Fe0.4Mn0.6Si 薄膜の作製
ホイスラー合金 Co2-x(Fe0.4Mn0.6)1+xSi を用いた強磁性トンネル 〇堀内 伸一 1, 大兼 幹彦 1, 安藤 康夫 1
接合の作製
マンガン合金極薄膜のサブテラヘルツ帯磁化ダイナミクス
鈴木 和也 1, ランジバル レザ 1, 〇水上 成美 1
10.1 新物質創成（酸化物・ホイスラー・金属磁性体等）/ Emerging materials in spintronics and magnetics (excluding semiconductors)
奨 E 13p-P8-38 Size dependence of oscillation characteristic in Spin Torque
Oscillators
1.Denso Corp., 2.AIST spintronics center
奨 E 13p-P8-39
1.IST. Hokkaido Univ.
13p-P8-40
10 スピントロニクス・マグネティクス / Spintronics and Magnetics
E 13p-P8-41
13p-P8-42
13p-P8-43
13p-P8-44
13p-P8-45
〇 Kotaro Mizunuma1, Kono Yasushi1, Yoshihiko
Isobe1, Hiroyuki Wado1, Bochong Wang2, Sumito
Tsunegi2, Kay Yakushiji2, Shingo Tamaru2, Hitoshi
Kubota2, Akio Fukushima2
Evaluation of characteristics of single-electron transistor made 〇 (M2)Shusaku Honjo1, Takafumi Uchida1, Atsushi
of Fe-MgF2granular film
Fukuchi1, Masashi Arita1, Yasuo Takahashi1
(Zn,Sn,Mn)As2 エピタキシャル薄膜における磁気的パーコレー 〇 (PC) 日高 志郎 1, 豊田 英之 1, 間山 憲仁 2, 内田
ション
博 2, 内富 直隆 1
GaAs barrier insertion into MnAs/InAs hybrid heterostructures 〇 (DC)Earul Islam1, Masashi Akabori1
on GaAs(111)B for lateral spin valve device application
GdN モル分率 100% まで増大させた Ga1-xGdxN/GaN 超格子構 〇 (M2) 菅田 好人 1, 長谷川 繁彦 1
造の磁気および磁気光学特性
RF マグネトロンスパッタリングを用いて作製した Mn 添加
〇箕輪 直輝 1, 張 宇 1, 那須 菜穂 1, 趙 新為 1
ZnO 薄膜の評価
プラズマ支援分子線エピタキシー法により成長した GaSmN の 〇宮崎 雄太 1, 青松 裕美 1, 長谷川 繁彦 1
光学的・磁気特性に与える基板キャリア密度の影響
希薄磁性半導体に向けた Mn 添加 ZnO 薄膜の評価
〇那須 菜穂 1, 張 宇 1, 箕輪 直輝 1, 趙 新為 1
E 13p-P8-46 Magnetic properties in magnetron sputtering prepared ZnO
〇 Yu Zhang1, Nao Nasu1, Xinwei Zhao1
thin films
10.1 新物質創成（酸化物・ホイスラー・金属磁性体等）/ Emerging materials in spintronics and magnetics (excluding semiconductors)
9/13(Tue.) 9:00 - 12:00 口頭講演 (Oral Presentation) A22 会場
9:00
13a-A22-1 Ce 置換 YIG 薄膜の磁気光学効果・光吸収特性と製膜時の酸素 〇阿部 拓真 1, 遊部 健斗 1, 清水 大雅 1
流量比の関連性の評価
9:15
13a-A22-2 イットリウム鉄ガーネット上のグラフェンのスピン分極と異常 〇境 誠司 1,2,5, Sorokin Pavel B.3,1, 白 怜士 4, 山田 洋
ホール効果
一 5, 圓谷 志郎 1, 楢本 洋 1, Avramov Pavel V.6,1, 安
藤 和也 4, 山内 泰 2,1
9:30
E 13a-A22-3 Epitaxial NiFe2O4 films grown on Si(111) substrates
〇 Ryosho Nakane1,2, Masaaki Tanaka1,3
9:45
10:00
10:15
10:30
10:45
11:00
奨 E 13a-A22-4 Fabrication of Epitaxial Fe3O4 Film on Si(111) Substrate
奨 E 13a-A22-5 Fabrication of perpendicular magnetized spin-filter junctions
using ferromagnetic insulator CoFe2O4
奨 E 13a-A22-6 Stress-induced giant modulation of magnetic anisotropy in Ni
thin films deposited on a flexible substrate
休憩 /Break
奨 E 13a-A22-7 Perpendicular Magnetic Anisotropy in L10-Mn1-xCoxAl Thin
Films
E 13a-A22-8 Interfacial Exchange Coupling between Transition Metal and
MnGa Studied by X-ray Magnetic Circular Dichroism
13a-A22-9 Pt L2,3 端 XMCD により観測した L10 秩序型 FePt 薄膜の磁気
モーメントの異方性
〇 Nozomi Takahashi , Yuta Yamamoto , Takashi
Yanase1, Taro Nagahama1, Toshihiro Shimada1
〇 hiroki kajita1, Takashi Yanase1, Toshihiro
Shimada1, Taro Nagahama1
〇 Ryo Asai1, Shinya Ota1, Takahiro Namazu2,
Taishi Takenobu3, Tomohiro Koyama1, Daichi
Chiba1
1
1
〇 Kenta Watanabe1, Mikihiko Oogane1, Miho
Kubota1, Yasuo Ando1
〇 Jun Okabayashi1, Kazuya Suzuki2, Shigemi
Mizukami2
11:15
〇池田 啓祐 1, 芝田 悟朗 1, 関 剛斎 2, 石上 啓介 1,
堀尾 眞史 1, 坂本 祥哉 1, 野中 洋亮 1, 河村 直己 3,
鈴木 基寛 3, 高梨 弘毅 2, 藤森 淳 1
11:30
13a-A22-10 単層 h-BN 上における強磁性 Co ナノ粒子の作製
〇 (M2) 渡邉 貴弘 1, 山田 洋一 1, 佐々木 正洋 1, 小
出 明弘 2, 圓谷 志郎 3, 境 誠司 3
11:45
13a-A22-11 垂直磁気異方性を持つコバルト薄膜の CVD 成膜
〇大寺 泰章 1, 島田 拓哉 1, 門 昌輝 1, カンサ ミカエ
ル 1, 森瀬 博史 1, 中村 志保 1, 近藤 剛 1
10.2 スピントルク・スピン流・回路・測定技術 / Spin torque, spin current, circuits, and measurement technologies
9/14(Wed.) 9:00 - 10:30 口頭講演 (Oral Presentation) C41 会場
9:00
奨 E 14a-C41-1 Relationship between 3-terminal signals and a dead layer of Fe/ 〇 Shoichi Sato1, Nakane Ryosho1,2, Hada Takato1,
Mg/MgO/Si structure
Tanaka Masaaki3,1
9:15
E 14a-C41-2 Spin injection into silicon in Fe/Mg/SiNx/Si tunnel junctions
〇 (M2)Takato Hada1, Shoichi Sato1, Ryosho
Nakane1, Masaaki Tanaka1
9:30
奨 E 14a-C41-3 Prediction of the Enhanced Edelstein effect using the interband 〇 (M1)Kiminori Okamoto1, Atsushi Sawada1,
Rashba effect in InAlAs/InGaAs/InAlAs/InGaAs/InAlAs double Carlos Egues2, Takaaki Koga1
quantum wells
9:45
14a-C41-4 Electrical spin injection and detection inn+-Ge using Schottky 〇藤田 裕一 1, 山田 道洋 1, 山田 晋也 1, 金島 岳 1,
tunnel contacts
澤野 憲太郎 2, 浜屋 宏平 1
10:00
奨 14a-C41-5 トップゲート構造を有するスピン注入デバイスの製作
〇野村 航 1, 宮川 拓望 1, 山本 眞史 1, 植村 哲也 1
10:15
奨 E 14a-C41-6 Temperature dependence of spin transport properties in Si〇 Soobeom Lee1, Naoto Yamashita1, Yuichiro
based lateral spin valves
Ando1, Shinji Miwa2, Yoshishige Suzuki2, Hayato
Koike3, Masashi Shiraishi1
9/15(Thu.) 10:45 - 12:15 口頭講演 (Oral Presentation) C41 会場
10:45
E 15a-C41-7 Control of the nonreciprocity of magnetostatic surface wave in 〇 Kenji Kasahara1, Xiaorui Ya2, Kimihide
a ferromagnetic metal
Matsuyama2, Takashi Manago1
11:00
奨 15a-C41-8 イットリウム鉄ガーネットを用いたΨ型スピン波位相干渉器の 〇 (DC) 金澤 直輝 1, 後藤 太一 1,2, 高木 宏幸 1, 中村
作製
雄一 1, ロス キャロライン 3, グラノフスキー アレ
クサンダー 4, 関口 康爾 5,2, 内田 裕久 1, 井上 光輝 1
11:15
奨 E 15a-C41-9 Propagating Properties Depending on 80NiFe-Films Thickness 〇 Akira Kamimaki1, Yuta Sasaki1, Satoshi Iihama2,
for Pulse Laser-Induced Spin Wave
Yasuo Anod2, Shigemi Mizukami1
11:30
奨 15a-C41-10 遷移金属 Fe, Co, Ni 磁性体多数ライン両側電極構造の磁気特 〇櫻又 宏志朗 1, 中村 知己 1, 宮川 勇人 1, 高橋 尚志
2
性
, 鈴木 孝明 3
11:45
15a-C41-11 外部応力による FeCo 磁性細線上の磁壁移動
〇劉 小晰 1, 池田 智彦 1
12:00 奨 E 15a-C41-12 Scaling for the spin-electricity conversion on surface states of
〇 (M2)Keita Yamamoto1, Yuki Shiomi1,2, Kouji
topological insulators
Segawa3,4, Yoichi Ando3,5, Eiji Saitoh1,2,6,7
9/16(Fri.) 13:15 - 14:45 口頭講演 (Oral Presentation) C41 会場
13:15
招 16p-C41-1 [ 優秀論文賞受賞記念講演 ]
〇福島 章雄 1, 関 貴之 2, 薬師寺 啓 1, 久保田 均 1, 今
Spin dice: A scalable truly random number generator based 村 裕志 1, 湯浅 新治 1, 安藤 功兒 1
on spintronics
13:45
E 16p-C41-2 Theoretical analysis of spin torque oscillator having an in〇 Rie Matsumoto1, Hiroshi Imamura1
plane or conically magnetized free layer and an out-of-plane
magnetized polarizer layer under angled magnetic field
14:00
奨 E 16p-C41-3 Dependence of switching properties of CoFeB-MgO based
〇 (DC)Kyota Michael Watanabe1, Shunsuke
magnetic tunnel junctions on insertion layer material
Fukami1,2,3,4, Hideo Sato2,3,4, Fumihiro Matsukura1,2,3,5,
Ohno Hideo1,2,3,4,5
14:15
E 16p-C41-4 A coupled spin-Hall oscillator array for associative memories
〇 Kiwamu Kudo1, Takashi Morie2
1. 長岡技術科学大学 , 2. 東芝ナノアナリシス
1.Japan Adv. Inst. of Sci. and Tech.
1. 阪大産研
1. 東理大理
1. 阪大産研
1. 東理大理
1.Tokyo Univ. of Sci.
1. 農工大工
1. 量研機構 , 2. 物材機構 , 3. 科学技術大学 ( ロシア ),
4. 慶應大学 , 5. 筑波大学 , 6. 慶北大学 ( 韓国 )
1.EEIS, Univ. of Tokyo, 2.IIIE, Univ. of Tokyo,
3.CSRN, Univ. of Tokyo
1.Hokkaido Univ.
1.Hokkaido Univ.
1.Tokyo Univ., 2.AIT, 3.Nagoya Univ.
1.Tohoku Univ.
1.Univ. of Tokyo, 2.WPI, Tohoku Univ.
1. 東大理 , 2. 東北大金研 , 3. 高輝度光科学研究セ
ンター
1. 筑波大数物 , 2. 分子研 , 3. 量研機構
1. 東芝研究開発センター
1.EEIS Tokyo Univ., 2.IIIEE Tokyo Univ., 3.CSRN
Tokyo Univ.
1.The Univ. of Tokyo
1.Hokkaido Univ., 2.sao paulo Univ.
1. 阪大基礎工 , 2. 都市大工
1. 北大院情報
1.Kyoto Univ., 2.Osaka Univ., 3.TDK corp.
1.Fukuoka Univ., 2.Kyushu Univ.
1. 豊橋技科大 , 2.JST さきがけ , 3. マサチューセッ
ツ工科大 , 4. モスクワ大 , 5. 慶応大
1.WPI-AIMR, 2.Tohoku Univ.
1. 香川大工 , 2. 香川大教育 , 3. 群馬大工
1. 信州大工
1.IMR, 2.ERATO, 3.Osaka Univ., 4.Kyoto Sangyo
Univ., 5.Univ. of Cologne, 6.JAEA, 7.WPI AIMR
1. 産総研 , 2. キヤノンアネルバ
1.AIST
1.RIEC, Tohoku Univ., 2.CSIS, Tohoku Univ.,
3.CSRN, Tohoku Univ., 4.CIES, Tohoku Univ.,
5.WPI-AIMR, Tohoku Univ.
1.Toshiba Corp., 2.Kyushu Inst. of Tech.
10.3 GMR・TMR・磁気記録技術 / Giant magnetoresistance (GMR), tunnel magnetoresistance (TMR) and magnetic recording technologies
14:30
E 16p-C41-5 Exchange bias dependence of damping parameter in
antiferromagnetic multilayer
12:00
奨 E 14a-C41-12 Giant spin dependent transport characteristics in Fe-doped
ferromagnetic semiconductor p-n junctions
9/14(Wed.) 13:15 - 19:00 口頭講演 (Oral Presentation) C41 会場
13:15
招 14p-C41-1 [ 講演奨励賞受賞記念講演 ]
磁場勾配によるダイヤモンド中の NV スピンのナノスケール量
子制御
13:30
E 14p-C41-2 Bias-dependent magneto-conductance in n-type ferromagnetic
semiconductor (In,Fe)As-based Esaki diodes
13:45
奨 E 14p-C41-3 Origin of the large magnetoresistance in Ge1-xMnx granular thin
films
14:00
14:15
14:30
14:45
15:00
15:15
15:30
15:45
16:00
16:15
16:30
16:45
17:00
〇 Yuto Arakawa1, Tomohiro Otsuka1, Masaaki
Tanaka2, Pham Nam Hai1
〇荒井 慧悟 1, Lee Junghyun2, Zhang Huiliang1,
Belthangady Chinmay1, Walsworth Ronald1
〇 Anh Duc Le1, Nam Hai Pham2,3, Masaaki
Tanaka1,3
〇 Yuuki Wakabayashi1, Ryota Akiyama2, Yukiharu
Takeda3, Masafumi Horio2, Goro Shibata2, Shoya
Sakamoto2, Yoshisuke Ban1, Yuji Saitoh3, Hiroshi
Yamagami4, Atsushi Fujimori2, Masaaki Tanaka1,
Shinobu Ohya1
奨 14p-C41-4 面内伝導スピンバルブトランジスタのスピン依存伝導と電流変 〇 (D) 金木 俊樹 1, 小山 知弘 1, 千葉 大地 1, 大矢
調
忍 1,2, 田中 雅明 1,2
E 14p-C41-5 Ultrafast manipulation of the magnetization of ferromagnetic
〇 (DC)Tomoaki Ishii1, Hiromichi Yamakawa2,
semiconductor GaMnAs using a terahertz magnetic field
Toshiki Kanaki1, Tatsuya Miyamoto2, Noriaki Kida2,
Hiroshi Okamoto2, Masaaki Tanaka1,3, Shinobu
Ohya1,3
1.ICR
1.Tohoku Univ., 2.Konicaminolta
1.Tsukuba Univ., 2.NIMS
1.Tohoku Univ.WPI-AIMR, 2.Univ. Tokyo RCS,
3.Kyoto Inst. Tech., 4.Tohoku Univ.
1.Osaka Univ.
1.Tohoku University, 2.ImPact program
1. 日大理工
1. 阪大基礎工 , 2. 東京エレクトロン
1.Osaka Univ.
1.The Univ. of Tokyo, 2.CSRN
1.The Univ. of Tokyo, 2.Tokyo Inst. of Tech.,
3.JAEA, 4.Kyoto Sangyo Univ.
1. 東北大 WPI, 2. サウスダコタスクール M&T, 3. 東
北大院理 , 4. 東北大 CSRN, 5. 東北大 CSIS, 6. 東北
大通研 , 7. ポーランド科学アカデミー , 8. ワルシャ
ワ大
1.Tokyo Inst. Tech., 2.Univ. Tokyo.
1. ハーバード・スミソニアン , 2.MIT
1.EEIS, Tokyo Univ., 2.Tokyo Ins. Tech., 3.CSRN,
Tokyo Univ.
1.Eng. Univ. of Tokyo, 2.Phys. Univ. of Tokyo,
3.JAEA, 4.Kyoto Sangyo Univ.
1. 東大工 , 2. スピントロニクス学術連携研究教育
センター
1.Department of Electrical Engineering and
Information Systems, The Univ. of Tokyo,
2.Department of Advanced Materials Science,
Graduate School of Frontier Sciences, The Univ. of
Tokyo, 3.Center for Spintronics Research Network,
Graduate School of Engineering, The Univ. of
Tokyo
1. 東北大通研 , 2. 産総研
14p-C41-6 InAlGaAs 量子井戸面発光レーザにおける発振円偏光度の複屈 〇横田 信英 1, 竹内 隆太郎 1, 八坂 洋 1, 池田 和浩 2
折依存性
奨 E 14p-C41-7 Spatio-temporal Measurement of Spin Wave Transmission
〇 Isao Yoshimine1, Tsutomu Shimura2, Takuya
1.AIST, 2.Univ. of Tokyo, 3.Kyushu Univ.
through Air Gap Using Light Pulses
Satoh3
休憩 /Break
奨 E 14p-C41-8 Evaluation of spin-orbit coefficients under diffusive electron
motion in a (001)-oriented GaAs/AlGaAs quantum well
E 14p-C41-9 Room temperature spontaneous emission with pure circular
polarization on spin-LEDs
奨 E 14p-C41-10 Observation of spin relaxation in undoped InP bulk
〇 Daisuke Iizasa1, Asuka Aoki1, Makoto Kohda1,2,
Junsaku Nita1,2
〇 Nozomi Nishizawa1, Kazuhiro Nishibayashi1,
Hiro Munekata1
〇 Masayuki Iida1, Tanigawa Shiima1, Nakamura
Yoshiki1, Jiang Canyu1, Nakayama Kou1, Tackeuchi
Atsushi1
14p-C41-11 InGaAs/InAlAs(001) 多重量子井戸中の電子スピン緩和時間の 〇高岩 悠 1, 森田 健 1, 石谷 善博 1, 北田 貴弘 2, 井
外部光照射強度依存性
須 俊郎 2
奨 14p-C41-12 タイプ I トンネル双量子井戸におけるホールのスピン緩和の観 〇中山 航 1, ショウ サンウ 1, 中村 芳樹 1, 飯田 真之
1
測
, 谷川 詩馬 1, 武藤 俊一 2, 竹内 淳 1
休憩 /Break
奨 E 14p-C41-13 Period & well width dependences of spin relaxation time of
GaAs/GaAsP strain-compensated superlattice as highly spinpolarized electron source
奨 E 14p-C41-14 Drift-induced Modulation of Spin Precession Frequency due
to Spin-orbit Interaction Measured by Time-resolved Kerr
Rotation Microscopy
1.Tohoku Univ., 2.CSRN
1.Tokyo inst. of Tech.
1.Waseda Univ.
1. 千葉大工 , 2. 徳島大工
1. 早大先進理工 , 2. 北大院工
〇 shunsuke ohki1, Xiuguang Jin2, Tomoki Ishikawa1, 1.Waseda Univ., 2.KEK
Takuya Kamezaki1, Kizuku Yamada1, Atsushi
Tackeuchi1
〇 Takahito Saito1, Asuka Aoki1, Makoto Kohda1,2, 1.Tohoku Univ., 2.CSRN
Junsaku Nitta1,2
10 スピントロニクス・マグネティクス / Spintronics and Magnetics
〇 Michinari Kamiya1, Takahiro Moriyama1, Kento
Oda1, kensho Tanaka1, masashi kawaguchi1, Kab-JIn
Kim1, Teruo Ono1
10.3 GMR・TMR・磁気記録技術 / Giant magnetoresistance (GMR), tunnel magnetoresistance (TMR) and magnetic recording technologies
9/15(Thu.) 9:00 - 10:30 口頭講演 (Oral Presentation) C41 会場
9:00
E 15a-C41-1 Magnetic Tunnel Junction with Amorphous NiFeSiB Electrode 〇 Daiki Kato1, Mikihiko Oogane1, Kosuke
for Highly Sensitive Magnetic Field Sensor
Fujiwara1, Junichi Jono2, Hiroshi Naganuma1,
Masaaki Tsuchida2, Yasuo Ando1
9:15
奨 E 15a-C41-2 Realization of high quality epitaxial current-perpendicular-to〇 (DC)Jiamin CHEN1,2, Jun Liu2, Yuya Sakuraba2,
plane giant magnetoresistive pseudo spin-valves on Si(001)
Hiroaki Sukegawa2, Songtian Li2, Kazuhiro Hono2,1
wafer using NiAl buffer layer
9:30
E 15a-C41-3 Perpendicular magnetic tunnel junctions using ultra-thin
〇 Kazuya Suzuki1, Reza Ranjbar1, Jun Okabayashi2,
strained MnGa electrode
Yoshio Miura3, Atsushi Sugihara1, Hiroki Tsuchiura4,
Shigemi Mizukami1
9:45
E 15a-C41-4 Perpendicular magnetic anisotropy of epitaxially grown Fe/Bi/ 〇 Risa Miyakaze1, Kouhei Nawaoka1, Kazuhito
MgO multilayer
Tanaka1, Minoru Goto1, Yoshishige Suzuki1, Shinji
Miwa1
10:00
E 15a-C41-5 Observation of perpendicular exchange bias in Ir-doped Fe2O3/ 〇 ShuJun YE1, Satya Prakash Pati1, Yohei
Co thin film system
Shiokawa1, Muftah K.O Al-Mahdawi1, Tomohiro
Nozaki1, Masashi Sahashi1,2
10:15
15a-C41-6 r 面配向 Cr2O3 薄膜に積層させた Co/Pt 積層膜に関する交換バ 隅田 貴士 1, 平戸 剛志 1, 橋本 浩佑 1, 福井 慎二郎 1,
イアス磁場の電場磁場冷却効果
柳原 康宏 1, 永田 知子 1, 山本 寛 1, 〇岩田 展幸 1
10.4 半導体・有機・光・量子スピントロニクス / Semiconductors, organic, optical, and quantum spintronics
9/14(Wed.) 10:45 - 12:15 口頭講演 (Oral Presentation) C41 会場
10:45
14a-C41-7 エピタキシャル強磁性合金 /p-Ge/ 強磁性合金縦型構造におけ 〇山東 浩平 1, 河野 慎 1, 井川 昌彦 1, 酒井 宗一朗 1,
るスピン伝導
佐藤 浩 2, 山田 晋也 1, 金島 岳 1, 浜屋 宏平 1
11:00
E 14a-C41-8 Detection of hole spin transport in Ge using lateral spin-valve 〇 Makoto Kawano1, Kohei Santo1, Masahiko
structures
Ikawa1, Shinya Yamada1, Takeshi Kanashima1, Kohei
Hamaya1
11:15
奨 E 14a-C41-9 Tunneling magnetoresistance induced by spin-splitting of the
〇 Hiroshi Terada1, Shinobu Ohya1,2, Masaaki
valence band in GaMnAs
Tanaka1,2
11:30
E 14a-C41-10 Electronic Structure of the p-type Ferromagnetic Semiconductor 〇 (D)Shoya Sakamoto1, Thanh Tu Nguyen1,
(Ga,Fe)Sb
Yukiharu Takeda3, Shin-ichi Fujimori3, Nam Hai
Pham2, Duc Anh Le1, Yuki Wakabayashi1, Goro
Shibata1, Masafumi Horio1, Keisuke Ikeda1, Yuji
Saitoh3, Hiroshi Yamagami3,4, Masaaki Tanaka1,
Atsushi Fujimori1
11:45
14a-C41-11 In-situ 高分解能 ARPES でみる (Ga,Mn)As の価電子帯電子状 〇相馬 清吾 1,4, Lin Chen1, Rafal Oszwałdowski2, 佐
態
藤 宇史 3,4, 松倉 文礼 1,4,5,6, Tomasz Dietl1,4,7,8, 大野
英男 1,4,5,6, 高橋 隆 1,3,4
10.5 磁場応用 / Application of magnetic field
11 超伝導 / Superconductivity
17:15
14p-C41-15 InAs/GaSb 量子井戸における層厚制御によるバンド反転とそ
の定量評価
17:30 奨 E 14p-C41-16 A New Computing Architecture Using Ising Spin Model for
Solving Combinatorial Optimization Problems Implemented on
FPGA
17:45
14p-C41-17 MBE 成長した三元化合物 (Cr,Fe)Te 薄膜へのアニール処理の
効果
18:00
奨 14p-C41-18 SrTiO3(110) 基板上に成膜した La0.67Sr0.33MnO3/ 有機薄膜界面
で発現する大きなトンネル異方性磁気抵抗効果
18:15
14p-C41-19 希薄磁性半導体 (Zn,Fe)Te における Fe 凝集領域の形成と磁化
特性
18:30
奨 14p-C41-20 レピドクロサイト型層状チタン酸塩の Co, Fe ドーパント間距
離制御による磁気特性操作
18:45 奨 E 14p-C41-21 Spin-related magneto-transport in semiconducting Ce doped
p-type Si epitaxial films
10.5 磁場応用 / Application of magnetic field
9/13(Tue.) 10:45 - 12:15 口頭講演 (Oral Presentation) A34 会場
10:45
13a-A34-1 磁気電解エッチングによるキラル界面形成への特異吸着の効果
11:00
奨 E 13a-A34-2 Numerical approach of the weak localization model beyond the
diffusion approximation based on the return probability
11:15
13a-A34-3 液‐液界面析出法による氷の結晶作製に対する磁場効果Ⅲ
11:30
E 13a-A34-4 Crystallization of Lysozyme by LLIP Method under High
Magnetic Fields Ⅱ
〇秋保 貴史 1, 入江 宏 1, Couedo Francois1, 鈴木 恭 1.NTT 物性研
一 1, 小野満 恒二 1, 村木 康二 1
〇 Takanari Saito1, Yusuke Kihara1, Masayuki
1.Tokyo Univ. Agr. & Tech.
Shiomura1, Jun-ichi Shirakashi1
〇 (M2) 鶴岡 英晃 1, 金澤 研 1, 黒田 眞司 1
1. 筑波大院数理物質
〇神谷 建 1, 宮原 千紘 1, 夛田 博一 1
1. 阪大基礎工
〇杉村 悠 , 中邨 拓馬 , 金澤 研 , 黒田 眞司 , 三
留 正則 2, 板東 義雄 2
〇 (D) 岸本 史直 1, 高村 陽太 1, 中川 茂樹 1, 和田
雄二 1
〇 Yusuke Miyata1, Yoshimura Takeshi1, Ashida
Atsushi1, Fujimura Norifumi1
1. 筑波大院数理物質 , 2. 物材機構
〇茂木 巖 1, 青柿 良一 2, 高橋 弘紀 1
〇 (D)ATSUSHI SAWADA1, TAKAAKI KOGA1
1. 東北大金研 , 2. 職業大
1.Hokkaido Univ.
〇 (M1) 木元 沙絵 1, 中田 晃太朗 2, 尾野藤 哲也 1,
山本 勲 1
〇 (M2C)tetsuya onotou1, Isao Yamamoto1
1. 横国大院工 , 2. 横国大
1
1
1
1
1. 東工大院
1.Osaka Pref. Univ.
1.Yokohama Nat'l Univ.
11 超伝導 / Superconductivity
シンポジウムのプログラムは p.35 ～ p.41 にございます
9/14(Wed.) 9:30 - 11:30 ポスター講演 (Poster Presentation) P4 会場
14a-P4-1 FeSe への電気化学的アルカリ金属インターカレーション効果
〇梶田 徹也 1, 川股 隆行 2, 野地 尚 2, 畑田 武宏 2,
加藤 雅恒 2, 小池 洋二 2, 伊藤 隆 1
14a-P4-2 希土類系高温超伝導体の二軸磁場配向における印加磁場条件と 〇有本 樹 1, 堀井 滋 1, 西岡 寛広 1, 土井 俊哉 1
配向度の関係
14a-P4-3 超伝導転移温度の向上を目指した (Yb,Ca)Ba2Cu3O6 の合成
〇仲川 晃平 1, 住野 義樹 1, 加藤 雅恒 1, 野地 尚 1,
小池 洋二 1
14a-P4-4 高温 SPC 法を用いた RuGd1222 板状結晶の合成と特性評価
〇八巻 和宏 1, 番場 幸大 1, 入江 晃亘 1
1. 東北大学際研 , 2. 東北大院工
1. 京大院
1. 東北大工
1. 宇都宮大工
〇篠田 聖 1, Sklyarova Anastasia1, 鈴木 常生 2, 中山
忠親 1, 末松 久幸 1, 新原 浩一 2
14a-P4-6 銅酸化物超伝導体 Bi-2212 相における Sr サイトへの Ba 置換に 〇杉本 千明 1, 羅 添文 1, 加藤 雅恒 1, 野地 尚 1, 小
よる Tc 向上
池 洋二 1
14a-P4-7 衝撃圧縮法を用いた Bi 系酸化物超伝導体の作製と評価
〇 (D) 亀谷 崇樹 1, 真下 茂 1, 佐藤 匠 2, 鶴岡 誠 2,
毛塚 博史 2, 有沢 俊一 3
14a-P4-8 両面加工法で作製した Bi 系固有接合スタックの自己発熱効果 小野 佑太 1, 〇加藤 孝弘 1, 内富 直隆 1, 石橋 隆幸 1,
Ⅱ
川上 彰 2
14a-P4-9 固有ジョセフソン接合テラヘルツ波発振素子の内部ブランチ発 〇谷島 吉彦 1, 赤坂 圭司 1, 八巻 和宏 1, 入江 晃亘 1
振特性
14a-P4-10 円盤型単独メサ構造を用いた Bi2Sr2CaCu2O8+ δ固有ジョセフソ 〇 (M2) 坂本 和輝 1, 柏木 隆成 1, 久保 裕之 1, 渡辺
ン接合による THz 発振素子の開発 II
千春 1, 桂川 拓也 1, 田中 大河 1, 湯浅 拓実 1, 小守
優貴 1, 大田 隆晟 1, 桑野 玄気 1, 田辺 祐希 1, 中村
健人 1, 山本 卓 2, 辻本 学 1, 南 英俊 1, 門脇 和男 1
14a-P4-11 IJJ 素子からのテラヘルツ波放射観測実験
〇大内 琢郎 1, 日澤 光紘 1, 島影 尚 1
1. 長岡技大、極限セ , 2. 長岡技大工
14a-P4-12 ジョセフソン接合からのカオス発生シミュレーションにおける 〇日渡 涼 1, 田村 幸英 1, 島影 尚 1
素子パラメータ依存性
14a-P4-13 YBCO 薄膜を用いたパラメトリック増幅器の検討
〇後藤 隆志 1, 木村 寛太 1, 島影 尚 1, 武田 正典 2
1. 茨城大
14a-P4-5 Sr–Ca–Cu–O 系超伝導体の酸素制御による特性評価
14a-P4-14 超伝導中赤外光検出器用アンテナの検討Ⅰ
〇堀川 隼世 1, 川上 彰 2, 兵頭 政春 3, 島影 尚 4
14a-P4-15 極低温における酸化ニオブキャパシタの評価と特性解析
〇佐藤 楽 , Kroug Matthias , 酒井 剛 , 小嶋 崇文
1
2
1
1. 東北大工
1. 熊本大 , 2. 東京工科大 , 3. 物材機構
1. 長岡技術科学大学 , 2. 情報通信研究機構
1. 宇都宮大工
1. 筑波大数理物質 , 2. ウルム大
1. 茨城大
1. 茨城大学 , 2. 静岡大学
2
14a-P4-16 冷却プローブステーションを用いた SIS 接合のキャパシタンス 〇小嶋 崇文 1, Kroug Matthias1, 酒井 剛 2, 鵜澤 佳
徳3
測定
14a-P4-17 天文観測用 NbTiN 超伝導薄膜の動的 THz 光学特性
〇浅原 彰文 1,2,3, 西村 優里 1,4, 西谷 純一 1, 末元 徹 1,
山本 智 1
14a-P4-18 特性が異なる色素増感型太陽電池の HTS-SQUID を用いた磁 〇堺 健司 1, 木津 翼 1, 紀和 利彦 1, 塚田 啓二 1
場計測による電流特性分布評価
14a-P4-19 HTS-SQUID を用いた低周波渦電流探傷法による鋼板の裏面 〇塚本 晃 1, 波頭 経裕 1, 安達 成司 1, 押久保 靖夫 1,
亀裂検出の検討
程 衛英 2, 円福 敬二 3, 塚田 啓二 4, 田辺 圭一 1
14a-P4-20 変則二次微分型グラジオメータを用いた人工内耳装用者用脳磁 〇樋口 正法 1, 小山 大介 1, 河端 美樹 1, 河合 淳 1,
計
上原 弦 1
14a-P4-21 電気二重層と超伝導体との接合
〇成田 智絵 1, 石黒 亮輔 1, 髙柳 英明 2
1. 国立高専機構福井高専 , 2. 情通機構 , 3. 金沢大
理工 , 4. 茨城大学
1. 電通大 , 2. 国立天文台
1. 国立天文台 , 2. 電通大 , 3. 情報通信研究機構
1. 東大 , 2. 電通大 , 3.JST, ERATO 美濃島知的光シ
ンセサイザ , 4.JSPS
1. 岡山大自然
1. 超電導センシング組合 , 2. 発電技検 , 3. 九州大 ,
4. 岡山大
1. 金沢工大先端電子研
1. 日女大院理 , 2. 東理大 総研院
〇松島 孝 1, Ortlepp Thomas2, 竹内 尚輝 1, 山梨 裕 1. 横国大院工 , 2.CiS
希 1, 吉川 信行 1
14a-P4-23 カレントリサイクル技術を用いた単一磁束量子時間測定回路用 〇 (D) 佐野 京佑 1,2, 阿部 裕 1, 山梨 裕希 1, 吉川 信 1. 横国大院工 , 2. 学振特別研究員
バッファの大容量化
行1
14a-P4-24 パルスレーザー蒸着法の成膜条件が SmBa2Cu3Oy 薄膜の結晶 〇一野 祐亮 1, 島崎 直人 1, 吉田 隆 1
1. 名大院工
成長様式に与える影響
14a-P4-25 YBCO 超伝導線材のためのチタニア系導電性中間層作製条件 〇廣瀬 勝敏 1, 堀井 滋 1,2, 土井 俊哉 1,2
1. 京都大学 , 2.JST-ALCA
の検討
14a-P4-26 Nd:YAG パルスレーザ蒸着法による
〇前田 啓貴 1, 堀井 滋 1,2, 土井 俊哉 1,2
1. 京大院エネ科 , 2.JST-ALCA
Nb ドープ SrTiO3 薄膜の作製条件と導電性の関係
14a-P4-27 配向銅テープ上に SrTi0.85Nb0.15O3 導電性中間層を介した
〇森村 岳雄 1, 橋本 真幸 1, 堀井 滋 1,2, 土井 俊哉 1,2, 1. 京大 , 2.JST-ALCA, 3. 電中研
YBa2Cu3O7 薄膜の作製
一瀬 中 2,3
14a-P4-28 方向性電磁鋼板を基材とした REBCO 線材の 2 軸配向中間層 〇喜多村 康平 1, 田所 朋 1, 堀井 滋 1,2, 土井 俊哉 1,2, 1. 京大 , 2.JST-ALCA, 3. 電中研
の作製
一瀬 中 2,3
14a-P4-29 電子ビーム蒸着 MgB2 薄膜の超伝導特性に対する Ti ドープお 〇高畑 仁志 1, 下田 佑太郎 1, 堀井 滋 1, 土井 俊哉 1, 1. 京大院エネ科 , 2. 日立製作所 , 3. 電中研
よびアニールの効果
楠 敏明 2, 一瀬 中 3
14a-P4-30 フッ素フリー MOD-GdBCO 膜形成における Eu 添加依存性
〇 (M2) 山口 晶平 1, 喜多 隆介 1, 小林 夏輝 2, 久保 1. 静岡院工 , 2. 首都大院工
勇人 2, 三浦 大介 2
14a-P4-22 AQFP 回路の論理しきい値におけるグレーゾーンの測定
11.1 基礎物性 / Fundamental properties
14a-P4-31 液相アシスト MOD 法を用いた GdBCO 薄膜の成長温度の低
温化
14a-P4-32 液相アシスト有機金属塗布法を用いた希土類混晶化超伝導薄膜
の作製
14a-P4-33 フッ素フリー MOD 法を用いた (Dy,Eu)BCO 超伝導薄膜形成
における希土類混晶化効果の検討
14a-P4-34 YBa2Cu3O7-d ナノコンポジット薄膜の界面およびひずみ解析
14a-P4-35 エアロゾルデポジションによる酸化物高温超伝導体 YBCO 薄
膜の作製と評価
14a-P4-36 電気化学析出法による FeSe1-xTex の作製
14a-P4-37
14a-P4-38
14a-P4-40
14a-P4-41
〇渡辺 宣朗 1, 増井 孝彦 2, 小池 翔磨 1, 長船 貴大 1,
木内 浩平 1, 住吉 理愛 1
ab 面に対して傾斜した柱状欠陥を含む YBCO 薄膜の Jc の磁場 〇末吉 哲郎 1, 岩永 泰弥 1, 藤吉 孝則 1, 高井 洋輔 2,
角度依存性
向田 昌志 2
リング状バルク超電導体の空間磁場分布評価
〇赤坂 友幸 1, 恩地 太紀 1, 石原 篤 1, 福本 祐介 1,
富田 優 1, 関野 正樹 2, 大崎 博之 2
MgB2 バルク磁石の超電導特性の試料密度依存性
〇石原 篤 1, 赤坂 友幸 1, 恩地 太紀 1, 富田 優 1, 岸
尾 光二 2
伝導冷却による MgB2 線材の臨界電流特性評価
〇恩地 太紀 1, 石原 篤 1, 小林 祐介 1, 赤坂 友幸 1,
福本 祐介 1, 富田 優 1, 谷貝 剛 2, 平野 直樹 3, 新冨
孝和 4, 濱島 高太郎 5
縦磁界における量子化磁束の運動の数値シミュレーション
〇松野 哲也 1
11.1 基礎物性 / Fundamental properties
9/15(Thu.) 9:15 - 11:15 口頭講演 (Oral Presentation) D63 会場
9:15
15a-D63-1 ブリッジ型 Bi2212 固有ジョセフソン接合素子における FIB ダ
メージの TEM 観察
9:30
15a-D63-2 磁性体／固有ジョセフソン接合／磁性体サンドイッチ構造にお
ける伝導特性
9:45
15a-D63-3 高温超伝導体を用いたテラヘルツ波発振素子のウェットエッチ
ング法による作製
10:00
15a-D63-4
10:15
E 15a-D63-5
10:30
15a-D63-6
10:45
11:00
15a-D63-7
15a-D63-8
9/15(Thu.) 12:45 - 17:45
12:45
招 15p-D63-1
13:00
15p-D63-2
13:15
15p-D63-3
13:30
15p-D63-4
13:45
14:00
14:15
15p-D63-5
15p-D63-6
14:30
14:45
15:00
15:15
15:30
15:45
16:00
16:15
16:30
16:45
1. 静大院工 , 2. 首都大院工
1. 静大院工 , 2. 首都大院工
1. 九工大工 , 2. フロリダ州立大 ASC, 3. 九大工
1. 同志社大理工
1. 関東学院大理工 , 2. 近大理工
1. 熊大工 , 2. 九大
1. 鉄道総研 , 2. 東大
1. 鉄道総研 , 2. 東大院工
1. 鉄道総研 , 2. 上智大学 , 3. 中部電力 , 4. 高エネ研 ,
5. 前川製作所
1. 有明高専
柿崎 佳大 1, 小山 純平 1, 山口 彩未 1, 梅貝 俊平 1,
1. 青学大理工
鮎川 晋也 1, 〇北野 晴久 1
〇村田 健一郎 1, 荒川 雄太 1, 八巻 和宏 1, 入江 晃亘 1. 宇都宮大工
1
〇小守 優貴 1, 柴野 雄紀 1, 南 英俊 1, 渡邊 千春 1,
桂川 拓也 1, 久保 裕之 1, 坂本 和輝 1, 田中 大河 1,
湯浅 拓実 1, 中村 健人 1, 太田 隆晟 1, 桑野 玄気 1,
田邊 祐希 1, 柏木 隆成 1, 辻本 学 1, 門脇 和男 1
塩酸改質プロセスパラメータが Bi-2212 固有接合テラヘルツ放 〇加藤 孝弘 1, 川上 彰 2
射素子の特性に与える影響
Circularly-Polarized Terahertz Radiation from a High-Tc Bi〇 (D)Asem S Elarabi1, Yusuke Yoshioka1, Manabu
2212 Mesa
Tsujimoto2, Takuji Doi1, Itsuhiro Kakeya1
高温超伝導体 Bi2Sr2CaCu2O8+ δを用いた THz 波発振素子にお 〇湯浅 拓実 1, 柏木 隆成 1, 渡邊 千春 1, 久保 裕之
1
ける発振強度の厚さ依存性に関する研究
, 坂本 和輝 1, 桂川 拓也 1, 小守 優貴 1, 田中 大河
1
, 太田 隆晟 1, 桑野 玄気 1, 田邊 祐希 1, 中村 健人 1,
辻本 学 1, 山本 卓 2, 南 英俊 1, 門脇 和男 1
人工ピンを導入した YBCO 薄膜の磁場中マイクロ波表面抵抗 〇大嶋 重利 1, 高梨 直希 1, 成田 克 1, 齊藤 敦 1
YBCO 薄膜の表面抵抗の磁場依存性
〇高梨 直希 1, 成田 克 1, 松井 浩明 2, 齊藤 敦 1, 中
―印加磁場方向を膜面に平行 , 垂直及び 5 度傾けた場合―
島 健介 1, 大嶋 重利 1
口頭講演 (Oral Presentation) D63 会場
[ 講演奨励賞受賞記念講演 ]
〇岡田 達典 1, 鍋島 冬樹 1, 今井 良宗 2, 前田 京剛 1
乱れの多い鉄系超伝導体の磁束フロー
Cu 核スピンから見た超伝導性 Pr247 の CuO2 面
池田 宏輔 1, 坂井 祐大 1, 大滝 達也 1, 〇佐々木 進 2,
石川 文洋 3, 山田 裕 3, 下山 淳一 4
磁場中コロイドプロセスによる (Y,Er)Ba2Cu3Oy 二軸配向成型 〇堀井 滋 1, 西岡 寛弘 1, 有本 樹 1, 土井 俊哉 1, 下
体の作製
山 淳一 2
双晶を含む REBa2Cu3Oy 粉末の磁場配向挙動に与える粒度分布 〇西岡 寛広 1, 堀井 滋 1, 有本 樹 1, 土井 俊哉 1
の影響
Y(Sr,Ba)2Cu3Oz (z ≈ 7) における Mo および W 置換の効果
〇明坂 尭 1, 平野 翔也 1, 前田 敏彦 1
Ba-V-O 系酸化物の物性・結晶構造及び導電特性
井手本 康 1, 〇大場 亨太 1, 石田 直哉 1, 北村 尚斗 1
休憩 /Break
15p-D63-7 Nd2CuO4 構造を持つ Nd2PdO4 薄膜の合成
〇七尾 美子 1, 伊藤 陸 1, 稲葉 颯人 1, 内藤 方夫 1
15p-D63-8 A HAADF-STEM study of incongruent defects in Ca1-xSrxCuO2 〇池田 愛 1, Krockenberger Yoshiharu1, 山本 秀樹 1
奨 15p-D63-9 歪による無限層 Sr1-xLaxCuO2 スパッタ薄膜の超伝導特性制御 〇作間 啓太 1, 伊藤 雅崇 2, 羽尻 哲也 2, 植田 研二 2,
三浦 正志 1, 浅野 秀文 2
15p-D63-10 高圧力下磁気測定用の SQUID-VCM システムの開発
〇美藤 正樹 1, 入江 邦彦 1, 高木 精志 1, 石塚 守 2
奨 15p-D63-11 ダイヤモンド電極導入型 DAC による超伝導体の高圧力下電気 〇松本 凌 1,2, 山下 愛智 1,2, 笹間 陽介 1,2, 鈴木 皓司
1,2
抵抗測定
, 入舩 徹男 3, 田中 将嗣 1, 竹屋 浩幸 1, 高野 義彦 1,2
奨 15p-D63-12 FeSe1-xTex 薄膜の電気化学的エッチングによる超伝導転移温度 〇河野 駿介 1, 浅見 大亮 1, 鍋島 冬樹 1, 今井 良宗 1,
制御
前田 京剛 1, 上野 和紀 1
休憩 /Break
15p-D63-13 鉄系超伝導体 FeSe を用いた人工超格子薄膜の作製およびその
輸送特性
15p-D63-14 ヒ素リン混晶 1111 系鉄系超伝導体におけるスピン揺らぎと超
伝導の相関
15p-D63-15【注目講演】(Eu,La)FeAs2 の合成及び物性
1. 静大院工 , 2. 首都大院工
1. 筑波大数理物質
1. 長岡技術科学大学 , 2. 情報通信研究機構
1.Kyoto Univ., 2.The Univ. of Tsukuba
1. 筑波大数理物質 , 2. ウルム大工
1. 山形大工
1. 山形大工 , 2. 産総研
1. 東大院総合 , 2. 東北大院理
1. 新潟大自 , 2. 新潟大工 , 3. 新潟大理 , 4. 青学院理
工
1. 京大院エネ科 , 2. 青学大
1. 京大院
1. 高知工科大学
1. 東理大理工
1. 農工大工
1.NTT 物性研
1. 成蹊大 , 2. 名大院工
1. 九工大 , 2. 阪学リノベ
1. 物材機構 , 2. 筑波大学 , 3. 愛媛大学
1. 東大院総合
〇浅見 大亮 1, 鍋島 冬樹 1, 今井 良宗 2, 花輪 雅史 3, 1. 東大院総合 , 2. 東北大院理 , 3. 電中研
一瀬 中 3, 塚田 一郎 3, 前田 京剛 1
〇臼井 秀知 1, 鈴木 雄大 2, 黒木 和彦 1
1. 阪大理 , 2. 立命館大総研
Sala Alberto1, 〇荻野 拓 1,2, 田中 隼人 2, 岸尾 光二 2,
後藤 義人 1, 片岡 邦光 1, 伊豫 彰 1, 永崎 洋 1
17:00
15p-D63-16 CrPn 層を持つ層状化合物の物性制御
〇市原 義悠 1, 荻野 拓 1,2, 下山 淳一 3, 岸尾 光二 1
17:15
15p-D63-17 SmFeAs(O,F) の超伝導特性に対する Sn 添加効果の機構解明
〇林 功輔 1, 荻野 拓 1,2, 下山 淳一 3, 岸尾 光二 1
17:30
15p-D63-18 NaF を用いたフッ化処理による A(O,F)BiS2(A = Bi, La, Pr)
〇高橋 夏海 1, 長尾 雅則 1, 綿打 敏司 1, 田中 功 1,
超伝導体の作製
高野 義彦 2
11.2 薄膜，厚膜，テープ作製プロセスおよび結晶成長 / Thin and thick superconducting films, coated conductors and film crystal growth
9/14(Wed.) 13:15 - 16:00 口頭講演 (Oral Presentation) D63 会場
13:15
14p-D63-1 厚さの異なる導電性 Nb 添加 SrTiO3 バッファー層を有する Y 〇一瀬 中 1,3, 橋本 真幸 2, 堀井 滋 2,3, 土井 俊哉 2,3
系高温超電導線材の微細組織
13:30
14p-D63-2 溶液法による REBa2Cu3Oy 線材の接続に関する基礎検討
〇寺西 亮 1, 平松 和弥 1, 山田 和広 1, 金子 賢治 1
13:45
14p-D63-3 溶融水酸化物法 RE124 膜への相変態熱処理による高 Tc–RE123 〇宮地 優悟 1, 舩木 修平 1, 添田 圭佑 1, 山田 容士 1
膜の作製
14:00
14p-D63-4 KOH フラックス法を用いた高品質な NdBa2Cu3Oy 膜の作製プ 〇舩木 修平 1, 宮地 優悟 1, 児島 康大 1, 添田 圭佑 1,
ロセスの検討
山田 容士 1
14:15
14p-D63-5 KOH フラックス法を用いた酸化物中間層上への Gd124 膜の作 〇添田 圭佑 1, 児島 康大 1, 宮地 優悟 1, 舩木 修平 1,
製と評価
山田 容士 1
1. 産総研 , 2. 東大院工
1. 東大院工 , 2. 産総研 , 3. 青学大院理工
1. 東大院工 , 2. 産総研 , 3. 青学大院理工
1. 山梨大 , 2. 物材機構
1. 電中研 , 2. 京大工 , 3.JST-ALCA
1. 九州大工
1. 島大総理工
1. 島根大総理工
1. 島根大　総理工
11 超伝導 / Superconductivity
14a-P4-39
〇 (M2) 由川 裕太 1, 杉本 真大 1, 喜多 隆介 1, 久保
勇人 2, 小林 夏輝 2, 三浦 大介 2
〇 (M2) 杉本 真大 1, 由川 裕太 1, 喜多 隆介 1, 小林
夏輝 2, 久保 勇人 2, 三浦 大介 2
〇 (M2) 織田 琢郎 1, 喜多 隆介 1, 久保 勇人 2, 小林
夏輝 2, 三浦 大介 2
〇堀出 朋哉 1, 亀谷 文健 2, 吉岡 聰 3, 北村 貴典 1,
松本 要 1
〇西岡 大輝 1
11.3 臨界電流，超伝導パワー応用 / Critical Current, Superconducting Power Applications
14:30
14:45
15:00
15:15
11 超伝導 / Superconductivity
15:30
休憩 /Break
招 14p-D63-6【11．超伝導 分科内招待講演】
イオン照射した FeSe0.5Te0.5 膜の超伝導特性
奨 14p-D63-7 電気化学的手法による鉄カルコゲナイド超伝導体の合成
14p-D63-8 FeF3 を用いた気体フッ素源による
鉄系超伝導体 SmFeAs(O,F) の分子線エピタキシー成長
14p-D63-9 CaF2 buffer 層を用いた MgB2 超薄膜の成長
〇尾崎 壽紀 1, Qiang Li2
1. 関学大理工 , 2. ブルックヘブン国研
〇山下 愛智 1,2, 田中 将嗣 1, 柳沢 佑典 1,2, 松本 凌 1,2, 1. 物材機構 , 2. 筑波大
鈴木 皓司 1,2, 竹屋 浩幸 1, 高野 義彦 1,2
〇迫田 將仁 1, 石井 陽大 1, 瀧中 建治 1, 内藤 方夫 1 1. 農工大工
〇 (M1) 菊地 素之 1, 迫田 將仁 1, 中島 捷 1, 内藤 方 1. 農工大工
夫1
15:45
14p-D63-10 電子ビーム蒸着 MgB2 薄膜における結晶粒界の磁束ピンニング 〇下田 佑太郎 1, 高畑 仁志 1, 堀井 滋 1, 土井 俊哉 1, 1. 京大院エネ科 , 2. 日立製作所 , 3. 電中研
特性
楠 敏明 2, 一瀬 中 3
11.3 臨界電流，超伝導パワー応用 / Critical Current, Superconducting Power Applications
9/14(Wed.) 16:00 - 19:00 口頭講演 (Oral Presentation) D63 会場
16:00
14p-D63-11 低温成膜により制御した BaHfO3 ナノロッドを有する
三浦 峻 1, 〇一野 祐亮 1, 徐 千語 1, 吉田 隆 1, 一瀬 1. 名大院工 , 2. 電中研 , 3. 東北大金研 , 4. 九工大
SmBa2Cu3Oy 超伝導薄膜の Jc 特性
中 2, 淡路 智 3, 松本 要 4
16:15
奨 14p-D63-12 NdFeAs(O,F) 超伝導薄膜を用いた粒界接合の作製及び評価
〇大村 泰斗 1, 松本 拓也 1, 荒井 健太 1, 畑野 敬史 1, 1. 名大工
飯田 和昌 1, 生田 博志 1
16:30
E 14p-D63-13 Characterization of Current Transport Properties in Multi〇 Mohan Shyam1, Hisajima Kohei1, Higashikawa
1.Kyushu Univ.
filamentary Bi-2223 Tape Based on Magnetic Moment
Kohei1, Onodera Yuta1, Suzuki Takumi1, Inoue
1
1
Relaxation Measurement by In-field Magnetic Microscopy
Masayoshi , Kiss Takanobu
16:45
奨 14p-D63-14 商用 Bi2223 線材における臨界電流特性と局所臨界電流密度の 〇鈴木 匠 1, 呂 琳 1, 大村 俊介 1, 井上 昌睦 1, 東川 1. 九大院シス情
統計分布
甲平 1, 木須 隆暢 1
17:00
14p-D63-15 浸透法で作製した MgB2 バルク超伝導体の磁束ピン止め特性Ⅱ 〇内藤 智之 1, 荻野 新 1, 藤代 博之 1
1. 岩手大理工
17:15
奨 14p-D63-16 ハイブリッド顕微法による MgB2 線材の非破壊評価
〇鑪 海志 1, 東川 甲平 1, 井上 昌睦 1, モハン シャム 1. 九大 , 2.NIMS
‐磁気顕微法による局所 Ic 分布評価と X 線 CT による組織構 1, 松本 明善 2, 熊倉 浩明 2, 木須 隆暢 1
造観察‐
17:30
休憩 /Break
17:45
18:00
招 14p-D63-17【11．超伝導 分科内招待講演】
〇熊倉 浩明 1,2, 齊藤 祐亮 1,2, 村上 雅人 2
スウェージ加工により作製した PIT MgB2 線材の組織と臨界電
1. 物材機構 , 2. 芝浦工大
流特性
14p-D63-18 撚線加工を施した MgB2 多芯線材の X 線マイクロ CT による
〇井上 昌睦 1, 東川 甲平 1, 葛 雅志 2, 安藤 憲之介 2, 1. 九大 , 2. 上智大 , 3.KEK, 4. 前川製作所
水落 空 2, 高尾 智明 2, 槇田 康博 3, 新冨 孝和 3, 濱
島 高太郎 4, 木須 隆暢 1
18:15
14p-D63-19 磁気シールドを加えた場合における酸化物超伝導体テープの自 〇柏木 啓 1, Vladimir Vyatkin2, 小田部 荘司 1, 平松 1. 九工大 , 2. 中部大
己磁界の評価
佑太 1, 木内 勝 1, 山口 作太郎 2
18:30
14p-D63-20 TDGL 方程式を用いた数値シミュレーションによる縦磁界下 〇足立 健人 1, 一野 祐亮 1, 土屋 雄司 1, 吉田 隆 1
1. 名大工
における磁束運動と効果的なピンニングセンターに関する研究
1
18:45
14p-D63-21 高温超伝導線材技術の船舶脱磁への応用（２）
〇廣田 惠
1. 艦磁研
－中型船舶に限定した場合－
11.4 アナログ応用および関連技術 / Analog applications and their related technologies
9/14(Wed.) 13:15 - 19:00 口頭講演 (Oral Presentation) D61 会場
13:15
14p-D61-1 高温超電導 SQUID を用いた電磁検層の検討
〇波頭 経裕 1, 塚本 晃 1, 安達 成司 1, 渡辺 英久 2,
1. 超電導センシング組合 , 2. 三井金属資源開発 ,
石川 秀浩 2, 岡田 力 2, 加藤 文人 3, 国司 洋介 3, 吉 3.JOGMEC
松 圭太 3, 原田 誠 3, 田辺 圭一 1
13:30
14p-D61-2 単独駆動が可能な MgO 基板を用いた高温超伝導 rf-SQUID
〇宮戸 祐治 1, 齋藤 恵美 1, 糸崎 秀夫 1
1. 阪大基礎工
13:45
奨 14p-D61-3 磁気的免疫検査の磁気信号に及ぼす反応条件の影響
〇中村 洸太 1, 高藤 佳嗣 1, 笹山 瑛由 1, 吉田 敬 1,
1. 九大シス情
1
円福 敬二
14:00
14p-D61-4 マルチチャンネル検出コイルと低傾斜磁界による磁気ナノ粒子 〇辻田 祐也 1, 牟田 雅浩 1, 笹山 瑛由 1, 円福 敬二 1 1. 九大シス情
分布の三次元画像化
14:15
休憩 /Break
14:30
14:45
15:00
15:15
15:30
15:45
16:00
16:15
16:30
16:45
17:00
17:15
17:30
17:45
18:00
18:15
18:30
構造評価
奨 14p-D61-5 3ch 高温超伝導 SQUID を用いた磁気ナノ粒子検出装置の開発 〇松尾 徳博 1, 有吉 誠一郎 1, 田中 三郎 1
1. 豊橋技術科学大学
奨 14p-D61-6 高温超伝導 SQUID を用いた 2D-MPI 装置の検討
〇小林 和也 1, 真田 祐作 1, 有吉 誠一郎 1, 田中 三郎 1. 豊橋技科大
1
14p-D61-7 SQUID 顕微鏡における参照 SQUID を用いた環境ノイズ除去 〇河合 淳 1, 小田 啓邦 2, 宮本 政和 1, 佐藤 雅彦 2,
の検討
野口 敦史 2,3, 山本 裕二 3
14p-D61-8 SQUID 磁力計による高感度地磁気計測とシステム性能の検討 〇河合 淳 1, 宮本 政和 1, 河端 美樹 1, 春田 康博 1,
上原 弦 1
休憩 /Break
14p-D61-9 アバランシェ型超伝導ナノワイヤ単一光子検出素子における光 〇三木 茂人 1, 藪野 正裕 1, 山下 太郎 1, 寺井 弘高 1
子検出動作の系統評価
14p-D61-10 超伝導ナノワイヤ単一光子検出器を用いた衛星光通信の実証実 〇山下 太郎 1, 國森 裕生 1, 三木 茂人 1, 藪野 正裕 1,
験
遠藤 寛之 1,2, 藤原 幹生 1, 佐々木 雅英 1, 青木 隆朗 2,
寺井 弘高 1
14p-D61-11 SSPD を用いた時間分割多重型単一光子分光検出システムの開 〇藪野 正裕 1, 山下 太郎 1, 三木 茂人 1, 清水 亮介 2,
発
寺井 弘高 1
14p-D61-12 導波路結合型 SSPD によるオンチップ二光子干渉計の作製 I
〇和木 健太朗 1,2, 山下 太郎 2, 井上 振一郎 2,3, 三木
茂人 2, 寺井 弘高 2, 生田 力三 1, 山本 俊 1, 井元 信
之1
奨 14p-D61-13 架橋カーボンナノチューブ上の超伝導 NbN ナノワイヤにおけ 〇高木 将 1, 増田 考平 1, 森山 悟士 2, 守田 佳史 3,
る熱・量子位相スリップ
牧 英之 1,4
休憩 /Break
14p-D61-14 MgO+CaO 混合バッファ層による NbN 超伝導極薄膜の高 Tc
化
14p-D61-15 原子層堆積法で成膜した窒化ニオブ（NbN）膜の急速熱処理
プロセスによる超伝導特性向上
14p-D61-16 表面活性化常温接合による Si-LBO ハイブリッド基板構造を有
する中性子検出用 STJ の作製
〇川上 彰 1, 牧瀬 圭正 1, 鵜澤 佳徳 1
1. 金沢工大電子研 , 2. 産総研 , 3. 高知大
1. 金沢工大電子研
1. 情通機構
1. 情通機構 , 2. 早稲田大
1. 情通機構 , 2. 電通大
1. 阪大院基礎工 , 2. 情通機構 , 3.JST さきがけ
1. 慶大理工 , 2. 物材機構 , 3. 郡大工 , 4.JST さきが
け
1. 情通機構
〇浮辺 雅宏 1, 藤井 剛 1, 志岐 成友 1, 大久保 雅隆 1 1. 産総研　ナノエレ
〇遠藤 壮 1, 藤井 剛 2, 浮辺 雅宏 2, 高木 秀樹 2, 大
久保 雅隆 2, 成瀬 雅人 1, 明連 広昭 1, 大谷 知行 3,
田井野 徹 1
14p-D61-17 マイクロビーム PIXE に用いる 512 素子超伝導トンネル接合検 〇志岐 成友 1, 藤井 剛 1, 浮辺 雅宏 1, 山崎 明義 2,
出器のためのヘリウム３クライオスタットの開発
冨田 成夫 2, 石井 聡 2, 笹 公和 2, 大久保 雅隆 1
14p-D61-18 位置分解能を有する基板吸収型 STJ 検出器を用いた THz 波検 〇曽根 雅彦 1, 成瀬 雅人 1, 明連 広昭 1, 佐々木 芳彰
2
出
, 大谷 知行 2, 田井野 徹 1
14p-D61-19 3 次元実装構造を有する STJ のための超伝導 TSV 作製方法
〇森田 浩平 1, 畠山 聡起 1, 成瀬 雅人 1, 明連 広昭 1,
青柳 昌宏 2, 田井野 徹 1
1. 埼玉大院 , 2. 産総研 , 3. 理研
1. 産総研 , 2. 筑波大
1. 埼玉大院 , 2. 理研
1. 埼玉大 , 2. 産総研
11.5 接合，回路作製プロセスおよびデジタル応用 / Junction and circuit fabrication process, digital applications
18:45
10:30
10:45
11:00
11:15
E 15a-D61-6 Parametric Amplification in a Superconducting Microstrip
Transmission Line
15a-D61-7 ギャップブロードニング効果を考慮した超伝導共振器の応答特
性の解析
15a-D61-8 外部 Q 値調整機構を備えた送信用超伝導バルクフィルタの周
波数特性の改善
15a-D61-9 重粒子検出のための超伝導転移端センサの開発
15:45
16:00
16:15
16:30
16:45
1
奨 15p-D61-9 ダブルゲートプロセスを用いたダブルアクティブレイヤ AQFP
回路の動作実証
奨 15p-D61-10 単一磁束量子回路と断熱型磁束量子パラメトロン間インター
フェースのための動作周波数変換回路の検討
奨 15p-D61-11 磁性体を用いた二線式 SFQ 回路に基づくルックアップテーブ
ルの評価
15p-D61-12 SFQ-D/A 変換器で用いる SFQ パルス繰り返し周波数の向上
〇安藤 拓生 1, 辻 直樹 1, 知名 史博 1, 竹内 尚輝 2,3,
永沢 秀一 4, 日高 睦夫 4, 山梨 裕希 1,2, 吉川 信行 1,2
〇知名 史博 1, 辻 直樹 1, 竹内 尚輝 2,3, Ortlepp
Thomas4, 山梨 裕希 1,2, 吉川 信行 1,2
〇谷口 壮耶 1,2, 伊藤 大 1, 田中 雅光 1, 赤池 宏之 1,
藤巻 朗 1
〇荒井 祐真 1, 渡邉 智希 1, 澤田 和直 1, 島田 宏 1,
水柿 義直 1
15p-D61-13 サブミリ波分光に向けた超伝導多ビット自己相関器の研究
〇 (M2) 小箱 紗希 1, 山梨 裕希 1, 吉川 信行 1
15p-D61-14 冷凍機実装した SFQ 回路動作に及ぼすジュール熱の影響調査 〇宮嶋 茂之 1, 山下 太郎 1, 三木 茂人 1, 寺井 弘高 1
12 有機分子・バイオエレクトロニクス / Organic Molecules and Bioelectronics
シンポジウムのプログラムは p.35 ～ p.41 にございます
12.1 作製・構造制御 / Fabrications and Structure Controls
9/15(Thu.) 9:00 - 12:15 口頭講演 (Oral Presentation) B5 会場
9:00
15a-B5-1 静電塗布法を用いた有機薄膜成膜におけるノズル先端形状の影 〇上田 裕之 1, 竹内 啓太 1, 菊池 昭彦 1,2
響
9:15
15a-B5-2 金ナノクラスター分散高分子膜の作製と発光挙動
〇山本 俊介 1, 永澤 匠 1, 三ツ石 方也 1
9:30
15a-B5-3 多様な有機単結晶に適応可能な電極形成法
〇上田 高寛 1, 山本 大樹 1, 岡田 悠悟 1,2, 酒井 正俊 1,
山内 博 1, 工藤 一浩 1
9:45
15a-B5-4 マッハツェンダー干渉計を用いた色素ドープ液晶の屈折・消衰 〇伴内 健太 1, 坂本 盛嗣 1, 野田 浩平 1, 佐々木 友之
1
の電場応答係数分離測定
, 小野 浩司 1
10:00
15a-B5-5 厚い液晶素子の応答特性に与えるナノファイバーの影響
〇 Duong Quoc Toan1, 尾﨑 良太郎 2, 井上 曜 1, 森
武 洋1
10:15
15a-B5-6 電子写真技術を用いた有機半導体トナーのパターニングにおけ 〇豊島 健司 1, 高 徳幸 1, 酒井 正俊 1, 岡田 悠悟 1,2,
る静電転写の低電圧化
山内 博 1, 貞光 雄一 3, 品村 祥司 3, 工藤 一浩 1
10:30
休憩 /Break
10:45
11:00
11:15
11:30
11:45
12:00
招 15a-B5-7 [ 講演奨励賞受賞記念講演 ]
pMAIRS 法による非晶質・非平滑有機薄膜の構造異方性解析
15a-B5-8 (CH3NH3)PbBr3 ナノ粒子の構造と光物性
15a-B5-9 イオン穿孔膜をテンプレートとした白金ナノコーンアレイの作
製
15a-B5-10 V 溝を用いた１次元ナノ粒子配列制御
1. 山形大工 , 2. 豊橋技科大
1. 埼大院
1. 埼大院 , 2. 理研 , 3. 東北大院 , 4. 高エネ研
1. 豊橋技科大 , 2. 山形大
1. 産総研 , 2. 東大 , 3. 宇宙航空研究開発機構 , 4. 岡
山大
〇 Wenlei Shan1, Yutaro Sekimoto1, Takashi
1.National Astronomical Observatory of Japan
Noguchi1
〇野口 卓 1, Shu Shibo2, Dominjon Agnes1, 関本 裕 1. 国立天文台 , 2. 東大理
太郎 1
〇齋藤 大暉 1, 齋藤 貴文 1, 齊藤 敦 1
1. 山大工
〇大野 雅史 1, 入松川 知也 1, 細野 米市 1, 高橋 浩之
, 三宅 泰斗 1, 松崎 浩之 2
11:30
15a-D61-10 複素インピーダンス法による超伝導転移端センサの評価
〇服部 香里 1, 小林 稜 1,2, 渡部 謙一 1, 井上 修一郎 2,
福田 大治 1
11.5 接合，回路作製プロセスおよびデジタル応用 / Junction and circuit fabrication process, digital applications
9/15(Thu.) 13:15 - 17:00 口頭講演 (Oral Presentation) D61 会場
13:15
15p-D61-1 AQFP 回路のための高速インターフェイス回路の設計と動作 〇竹内 尚輝 1,2, 鈴木 秀雄 1, 山梨 裕希 1, 吉川 信行 1
実証
13:30
15p-D61-2 AQFP 回路を用いた 16-word × 1-bit レジスタファイルの設計 〇辻 直樹 1, Ayala Christopher2, 竹内 尚輝 2,3,
Ortlepp Thomas2,4, 山梨 裕希 1,2, 吉川 信行 1,2
13:45
15p-D61-3 PECVD-SiO2 膜を用いた Nb-9 層アドバンストプロセスの歩留 〇永沢 秀一 1, 日高 睦夫 1
り向上
14:00
奨 15p-D61-4 HfOx 障壁層形成法が NbTiN 接合特性に与える効果
〇宗本 健太郎 1, 榊原 啓人 1, 田中 雅光 1, 赤池 宏之
1
, 藤巻 朗 1
14:15
奨 15p-D61-5 PdNi/AlOx 障壁層を用いたπジョセフソン接合の作製
〇伊藤 大 1, 谷口 壮耶 1, 栗原 卓也 1, 田中 雅光 1,
赤池 宏之 1, 藤巻 朗 1
14:30
奨 15p-D61-6 NbTiN 薄膜によるナノ構造トランジスタの作製
〇鈴木 雅斗 1, 田中 雅光 1, 赤池 宏之 1, 藤巻 朗 1
14:45
奨 15p-D61-7 磁束量子パラメトロン回路で構成されたランダムアクセスメモ 〇高山 広 1, 辻 直樹 1, 竹内 尚輝 2,3, 山梨 裕希 1,2, 吉
リセルの設計と測定結果
川 信行 1,2
15:00
奨 15p-D61-8 超伝導ストリップ光子検出器と SFQ 読み出し回路のモノリ
〇阿部 裕 1, 佐野 京佑 1, 全 伸幸 2, 藤井 剛 2, 馬渡
シック集積化
康徳 2, 山梨 裕希 1, 吉川 信行 1
15:15
休憩 /Break
15:30
1. 埼玉大理工 , 2. 産総研
〇塩谷 暢貴 1, 波田 美耶子 1, 下赤 卓史 1, 枝 和男 2,
長谷川 健 1
〇鈴木 健斗 1, 松石 清人 1
〇越川 博 1, 佐藤 裕真 2, 山本 春也 1, 杉本 雅樹 1,
澤田 真一 1, 八巻 徹也 1
〇番 貴彦 1, 右田 真司 2, 山下 一郎 3, 浦岡 行治 3,
山本 伸一 1
15a-B5-11 溶液析出法による低分子ＣＢＰ単結晶の形状制御
〇寺田 諒 1, 石井 空良 1, 昭彦 菊池 1,2
15a-B5-12 グラフェン上におけるポリぺリレンジイミド蒸着重合薄膜の作 〇 (D) 曇 艶 1, 中村 篤志 1, 久保野 敦史 1
製
1. 東大工 , 2. 東大博物館
1. 産総研 , 2. 日大
1. 横浜国大 , 2.JST さきがけ
1. 横国大院工 , 2. 横国大 IAS, 3.JST さきがけ ,
4.The CiS
1. 産総研
1. 名大工院
1. 名大院工
1. 名古屋大学工
1. 横国大院工 , 2. 横国大 IAS, 3.JST さきがけ
1. 横国大院工 , 2. 産総研
1. 横国大院工 , 2. 横国大 IAS, 3.JST さきがけ , 4. 産
総研
1. 横国大院工 , 2. 横国大 IAS, 3.JST さきがけ ,
4.The CiS
1. 名大院工 , 2. 学振特別研究員
1. 電通大
1. 横国大院工
1. 情報機構
1. 上智大学理工 , 2. 上智ナノテクセンター
1. 東北大
1. 千葉大院工 , 2. 千葉大先進科学センター
1. 長岡技科大
1. 防衛大 , 2. 愛媛大
1. 千葉大学院工 , 2. 千葉大先進科学センター , 3. 日
本化薬
1. 京大化研 , 2. 神戸大院理
1. 筑波大数物
1. 量研機構高崎研 , 2. 群馬大学理工
1. 龍谷大学 , 2. 産総研 , 3. 奈良先端大
1. 上智大学理工 , 2. 上智ナノテクリサーチセンター
1. 静大院
12 有機分子・バイオエレクトロニクス / Organic Molecules and Bioelectronics
14p-D61-20 3 次元実装構造を有する STJ のフリップチップ接続に関する研 〇 (M1) 畠山 聡起 1, 森田 浩平 1, 根本 俊介 2, 菊地
究
克弥 2, 仲川 博 2, 青柳 昌宏 2, 成瀬 雅人 1, 明連 広
昭 1, 田井野 徹 1
9/15(Thu.) 9:00 - 11:45 口頭講演 (Oral Presentation) D61 会場
9:00
奨 15a-D61-1 NbN Spiral-MKIDs における検出感度の膜厚依存性
〇岡 大輝 1, 倉科 大輔 1, 中島 健介 1, 有吉 誠一郎 2,
大嶋 重利 1, 山田 博信 1, 齊藤 敦 1
9:15
15a-D61-2 CMB 偏光観測用検出器に用いる Nb-MKIDs の試作と評価
〇 (M1) 瀬本 宗久 1
9:30
15a-D61-3 CMB 偏光観測に向けた超伝導検出器の大規模アレイの開発
〇古谷野 凌 1, 瀬本 宗久 1, 美馬 覚 2, 木内 健司 2,
成瀬 雅人 1, 明連 広昭 1, 大谷 知行 2,3, 田島 治 4, 小
栗 秀悟 4, 田井野 徹 1
9:45
15a-D61-4 YBCO 薄膜を用いた MKID アレイの作製と評価
〇佐藤 圭悟 1, 有吉 誠一郎 1, 中島 健介 2, 齊藤 敦 2,
田中 三郎 1
10:00
15a-D61-5 マイクロ波読み出し回路共振器の Q 値と電極特性
〇山森 弘毅 1, 入松川 知也 1,2, 平山 文紀 1, 佐藤 昭 1,
神代 暁 1, 中島 裕貴 1,2,3, 石野 宏和 4
10:15
休憩 /Break
12.2 評価・基礎物性 / Characterization and Materials Physics
12 有機分子・バイオエレクトロニクス / Organic Molecules and Bioelectronics
9/16(Fri.) 9:00 - 12:30
口頭講演 (Oral Presentation) B5 会場
9:00
奨 16a-B5-1 原子ステップポリマー基板上における機能性薄膜の作製と評価 〇嶋田 航大 1, 木下 太一郎 1, 後藤 里紗 1, 浦上 達
宣 2, 小山 浩司 3, 三田 正弘 4, 金子 智 5,1, 松田 晃史 1,
吉本 護 1
9:15
E 16a-B5-2 Ambient Fabrication of Oriented PBTTT-based FET by FTM 〇 (D)MANISH PANDEY1, Shuichi Nagamatsu2,3,
Shyam S. Pandey1, Shuzi Hayase1,2, Wataru
Takashima1,2
9:30
9:45
10:00
10:15
10:30
1. 東工大物質理工 , 2. 三井化学 , 3. 並木精密宝石 ,
4. 協同インターナショナル , 5. 神奈川県産技セ
1.Graduate School of LSSE, Kyushu Institute
of Technology, Japan, 2.Research Center for
Advanced Eco-fitting Technology, Kyushu Institute
of Technology, Japan, 3.Department of Computer
Science and Electronics, Kyushu Institute of
Technology, Japan
16a-B5-3 チエノキノイド半導体薄膜の直接ラビングによる配向制御：光 〇青山 哲也 1, 田中 利彦 2, 横田 裕基 1,3, 橋爪 大輔 4, 1. 理研 , 2. 福島高専 , 3. 横国大院環情 , 4. 理研
学および電荷輸送異方性の付与
高石 和人 1, 内山 真伸 1,5, 松本 真哉 1,3, 安達 千波矢 CEMS, 5. 東大院薬 , 6. 九大
6
, Ribierre Jean-Charles6
奨 16a-B5-4 気相重合 PEDOT 薄膜の導電率制御と熱電特性評価
〇平井 愛 1, 堀家 匠平 1, 小柴 康子 1, 森本 勝大 1,
1. 神戸大工
石田 謙司 1
16a-B5-5 ビオロゲン化による高分子錯体ナノ結晶の表面修飾と光学特性 〇鈴木 龍樹 1, 小野寺 恒信 1, 笠井 均 1, 及川 英俊 1 1. 東北大多元研
評価
16a-B5-6 有機グラフォエピタキシーの分子動力学シミュレーション 3 - 〇池田 進 1
1. 東北大 WPI-AIMR
分子堆積過程のシミュレーション 休憩 /Break
10:45
16a-B5-7 光デバイス作製を指向したインクジェット法によるバイオ材料 〇長谷川 裕之 1, 笠井 克幸 1, 山田 俊樹 1, 田中 秀吉 1. 情報通信研未来 , 2. 電通大院情報理工
1
のパターニング
, 富成 征弘 1, 梶 貴博 1, 岡田 佳子 2, 大友 明 1
11:00
奨 16a-B5-8 pMAIRS 法を用いたポルフィリン系蒸着膜の構造解析
〇 (M2) 波田 美耶子 1, 塩谷 暢貴 1, 下赤 卓史 1, マー 1. 京都大学化学研究所 , 2. 神戸大学院理
ディー リチャード 1, 枝 和男 2, 長谷川 健 1
11:15
奨 16a-B5-9 ポリジアセチレンナノファイバー / 貴金属ナノ粒子ハイブリッ 〇和田 康佑 1, 小野寺 恒信 1, Sato Rodrigo2, 武田
1. 東北大多元研 , 2. 物材機構
ド薄膜における非線形光学特性
良彦 2, 笠井 均 1, 及川 英俊 1
11:30
奨 16a-B5-10 ナノミセル中におけるフタロシアニン類縁体ナノ結晶の UV 光 〇平井 裕太郎 1, 藪 浩 2
1. 東北大院工 , 2. 東北大 WPI-AIMR
合成
11:45
奨 16a-B5-11 鋳型法による多孔質シリカ中空カプセルへの磁気ナノ粒子の導 〇吉川 祥吾 1, 加藤 徳剛 1, 小原 学 1
1. 明大理工
入
12:00
奨 16a-B5-12 フロー・コート法で作製した pBTTT-C16 膜の電荷輸送特性の 〇 (M2)Bulgarevich Dmitrievich Kirill1,2, 坂本 謙二 1. 物材機構 , 2. 筑波大数物
1
面内均一性
, 三成 剛生 1, 安田 剛 1, 三木 一司 1,2
12:15
奨 16a-B5-13 ペンタセン OFET のデバイス特性における窒素添加 LaB6 界面 〇 (D) 前田 康貴 1, 大見 俊一郎 1
1. 東工大工学院
制御層厚依存性
9/16(Fri.) 13:30 - 15:30 ポスター講演 (Poster Presentation) P6 会場
奨 16p-P6-1 Eu(III) 錯体を核形成場とした有機／リン酸カルシウム複合粒 〇片岡 卓也 1, 多賀谷 基博 1
1. 長岡技科大工
子の創製
奨 16p-P6-2 銅 (I) イソシアニド錯体の発光特性
〇早川 拓弥 1, 谷原 佑輔 1, 橋本 雅司 1, 寺前 裕之 1, 1. 城西大理
宮前 博 1, 阪田 知巳 1
16p-P6-3 水素結合部位を有するディスク状分子の合成と電気・磁気物性 〇只井 桃 1, 西原 禎文 2, 帯刀 陽子 1
1. 農工大工 , 2. 広島大院理
〇上原 拓也 1,2, 横田 裕基 1,2, Kim Byung-Soon1, 橋 1. 横国大院環情 , 2. 理研 , 3. 理研 CEMS, 4. 東大院
爪 大輔 3, 村中 厚哉 2, 内山 真伸 2,4, 松本 真哉 1,2, 青 薬
山 哲也 2
16p-P6-5 交互積層法による赤外反射フィルムの作製
〇 (B) 中村 千晶 1, 松林 毅 2, 真部 研吾 2, 慶 奎弘 3, 1. 慶大理工 , 2. 慶大院理工 , 3.（株）SNT
白鳥 世明 1,2
16p-P6-6 クォーターチオフェン誘導体薄膜の構造と輸送特性に及ぼすア 廣内 大地 1, 葛原 大軌 1, 小金澤 智之 2, 廣沢 一郎 2, 1. 岩手大理工 , 2. 高輝度光科学研究セ
ルキル鎖長の偶奇効果
〇吉本 則之 1
奨 16p-P6-7 尿素結晶薄膜の構造解析および焦電特性評価
〇今泉 直樹 1, 小柴 康子 1, 森本 勝大 1, 石田 謙司 1 1. 神戸大院工
16p-P6-4 ビスアゾメチン色素半導体における分子配向膜の作製
16p-P6-8 ナフタレンジイミド蒸着膜の分子配向
16p-P6-9 蒸着重合法を用いた共蒸着ポリイミド薄膜の作製
16p-P6-10 フッ素系高分子蒸着膜による表面電位形成
〇 (M2) 冨田 啓輔 1, 藤田 浩士 2, 臼井 聡 2, 田中 邦 1. 農工大院工 , 2. 新潟大院工
明 1, 臼井 博明 1
〇 (M1) 山嵜 貴俊 1, 田中 邦明 1, 臼井 博明 1
1. 農工大院
〇平木 匠 1, 泉田 和夫 1, 臼井 博明 1
1. 農工大工
16p-P6-11 エポキシ系アクリル高分子薄膜蒸着重合におけるイオン照射効 〇 (M2) 河村 拓 1, 田中 邦明 1, 臼井 博明 1
果
16p-P6-12 電子アシスト蒸着によるキャリア輸送性ポリマー薄膜の作製 〇齋藤 隆喜 1, 田中 邦明 1, 臼井 博明 1
1. 農工大院工
1. 農工大院工
16p-P6-13 蒸着重合法によるポリアゾメチン薄膜の光配向
〇 (M1) 神谷 正紀 1, 松原 亮介 1, 久保野 敦史 1
1. 静大工
16p-P6-14 非偏光による分子配向法を利用した二次元配向構造体の直接形
成
16p-P6-15 着雪防止性能のある透明コーティングの作製及び屋外試験によ
る検証
16p-P6-16 有機 EL 材料の多積層化に向けた静電スプレー制御
〇 (DC) 久野 恭平 1, 倉田 陽介 1, 宍戸 厚 1,2
1. 東工大化生研 , 2.JST さきがけ
16p-P6-17 ミックスフラーレンからの昇華精製による C70​分離法
16p-P6-18 Al2O3 の表面ナノ構造の違いに対するアミノ酸の特異的吸着
挙動の変化
～グリシンとフェニルアラニンの比較～
16p-P6-19 低 Tg 高分子表面上における金属原子の離脱特性の解明と集積
蒸着への応用
16p-P6-20 真空蒸着法を利用したイオン液体中における Alq3 結晶の作製
と光学特性に関する研究
16p-P6-21 薄膜エッジを利用した Ni78Fe22/Alq3/Ni78Fe22 ナノ接合の作製と
その構造・電気伝導特性
16p-P6-22 有機薄膜形成における入射分子の温度評価
12.2 評価・基礎物性 / Characterization and Materials Physics
9/13(Tue.) 13:45 - 17:45 口頭講演 (Oral Presentation) B5 会場
13:45
招 13p-B5-1 [ 講演奨励賞受賞記念講演 ]
マイクロ波を用いた低分子有機半導体の局所伝導度評価法の開
発
14:00
13p-B5-2 共振器を用いたマイクロ波分光による有機半導体の複素誘電率
解析
14:15
13p-B5-3 ルブレン - ホモエピ単結晶とアモルファス膜におけるドーピン
グ効率
〇守谷 赳夫 1, 天神林 瑞樹 1, 松林 毅 1, 小峰 正嗣 1, 1. 慶大院理工
吉川 亮平 1, 白鳥 世明 1
〇高久 英明 1, 早川 晴美 1, 青山 哲也 1, 田島 右副 1, 1. 理研
松下 聖志郎 1
〇阿部 優樹 1
1. 農工大工
〇齋藤 絢香 1, 西川 博昭 2
1. 近畿大学大学院 , 2. 近畿大学
〇王 陸 1, 西村 涼 2, 内田 欣吾 2, 辻岡 強 1
1. 阪教大 , 2. 龍谷大理工
〇 (DC) 堀家 匠平 1, 小柴 康子 1, 森本 勝大 1, 石田 1. 神戸大院工
謙司 1
三澤 貴浩 1, 森 澄人 1, 小峰 啓史 2, 星野 哲久 3, 芥 1. 北大電子研 , 2. 茨大工 , 3. 東北大多元研
川 智行 3, 藤岡 正弥 1, 〇海住 英生 1, 西井 準治 1
〇 (M1) 阿部 峰大 1, 早川 宗孝 2, 下山 陽史 2, 田中 1. 静岡大工 , 2. 小島プレス工業 , 3.TI
貴章 2, 辻 朗 2, 高橋 善和 3, 松原 亮介 1, 久保野 敦
史1
〇筒井 祐介 1, 崔 旭鎮 1, 櫻井 庸明 1, 関 修平 1
1. 京大院工
〇崔 旭鎮 1, 筒井 祐介 1, 櫻井 庸明 1, 関 修平 1
1. 京大院工
〇大橋 知佳 , 新村 祐介 , 伊澤 誠一郎 , 平本
昌宏 1,2,3
1. 総研大 , 2. 分子研 , 3.NEDO
1,2
2,3
1,2
12.2 評価・基礎物性 / Characterization and Materials Physics
14:30
14:45
15:00
15:30
15:45
奨 13p-B5-7 塗布法によるフタロシアニン配向薄膜の作製および微小角入射
広角 X 線散乱による結晶構造解析
13p-B5-8 ペンタセン単結晶上に積層した C60 の成長温度による結晶性制
御
16:00
13p-B5-9
16:15
13p-B5-10
16:30
奨 13p-B5-11
16:45
13p-B5-12
17:00
奨 13p-B5-13
17:15
13p-B5-14
17:30
13p-B5-15
9/14(Wed.) 9:00 - 12:15
9:00
14a-B5-1
9:15
14a-B5-2
9:30
14a-B5-3
9:45
奨 14a-B5-4
10:00
14a-B5-5
10:15
10:30
14a-B5-6
14a-B5-7
10:45
11:00
〇 (DC) 大森 雅志 1, 宇野 貴志 1, 中野 知佳 1, 藤井
彰彦 1, 尾崎 雅則 1
〇 (M2) 水野 裕太 1, 鶴田 諒平 2, 細貝 拓也 3, 小
金澤 智之 4, Alexander Hinderhofer5, Alexander
Gerlach5, Frank Schreiber5, 石井 久夫 1, 奥平 幸司 1,
吉田 弘幸 1, 中山 泰生 2
ルブレン単結晶上における C60 被覆層ヘテロエピタキシャル成 〇 (M1) 鶴田 諒平 1, 水野 裕太 2, 松山 槙吾 3, 細貝
長
拓也 4, 小金澤 智之 5, 中山 泰生 1,3
フッ化ペンタセンのペンタセン単結晶上でのヘテロエピタキ 〇中山 泰生 1,2, 水野 裕太 3, 鶴田 諒平 1, 松山 槙吾 2,
シャル成長
小金澤 智之 4, 細貝 拓也 5
京コンピュータを用いた有機高分子凝集体の 100 ナノスケール 〇井町 宏人 1, 星 健夫 1
量子伝導シミュレーション
PTCDA 基板への金属原子吸着の化学的傾向 II：第一原理計算 〇川端 康平 1, 中山 隆史 1
による検討
透明ポリマーの屈折率予測システムの開発
〇館山 拓矢 1, 谷尾 宣久 1
乾燥中のゼラチン薄膜に含まれる結合水の分類と凍結特性
〇大塚 由紀子 1, 白樫 了 1, 平川 一彦 1
走査型アトムプローブによるペプチド結合の安定性評価
〇西川 治 1, 谷口 昌宏 2
口頭講演 (Oral Presentation) B5 会場
ＳＴＭ探針誘起電界による CuPc 分子の凝集／拡散制御
〇長岡 克己 1, 柳沼 晋 1, 中山 知信 1,2
走査プローブ顕微鏡を用いたポリ L 型乳酸の結晶相と圧電性 〇宝田 隼 1, 掛村 賢吾 1, 古川 昭雄 1, 田實 佳郎 2
の評価
FM-AFM による金属内包フラーレン分子の室温高分解能分子 〇山下 貴裕 1, 山田 啓文 1, 小林 圭 1,2
内構造観察及び分子配向操作
3D-SFM を用いたハードディスク用潤滑剤の 3 次元分子吸着 〇宮澤 佳甫 1, 中嶋 脩貴 1, 豊田 真理子 1, 相方 良介
2
構造解析
, 清水 豪 2, 福間 剛士 1,3
静電気力顕微鏡による有機太陽電池の時間分解電荷マッピング 〇 (M2) 荒木 健人 1, 家 裕隆 2, 安蘇 芳雄 2, 大山 浩
1
, 松本 卓也 1
液体試料用ケルビンプローブ法測定装置の開発
〇内山 裕章 1, 田中 有弥 1,2, 石井 久夫 1,2,3
Au(111) 表面上のヘキサブロモトリフェニレン分子のアニール 〇 (M1) 片岡 俊樹 1, 坂上 弘之 1, 富成 征弘 2, 田中
による重合
秀吉 2, 鈴木 仁 1
休憩 /Break
E 14a-B5-8 Altering the electronics property of graphene nanoribbon
by adsorption of molecular nanoparticles
奨 14a-B5-9 グラフェン電極を有した P3HT 分子ワイヤデバイス
〇 Reetu Raj Pandey1, Amin Termeyousefi1,
Hirofumi Tanaka1
11:15
〇 (DC) 生田 昂 1, 丹波 俊輔 1, 金井 康 1, 小野 尭生
1
, 大野 恭秀 1,2, 前橋 兼三 1,3, 井上 恒一 1, 家 裕隆 1,
安蘇 芳雄 1, 松本 和彦 1
11:30
奨 14a-B5-10 π共役系分子ワイヤを用いた単分子膜素子における電圧による 〇山口 真理子 1, 信末 俊平 1, 大戸 達彦 1, 山田 亮 1,
抵抗変化スイッチング現象
夛田 博一 1
11:45
14a-B5-11 ダブルジャンクション型ナノ電極による Ru 錯体を介した電気 〇西嶋 知史 1, 大塚 洋一 1, 松本 卓也 1
伝導のゆらぎ計測
12:00
14a-B5-12 自己ドープ型ポリアニリンを用いたマルチチャネル型分子デバ 〇 (M2) 宇佐美 雄生 1, 大塚 洋一 1, 内藤 泰久 2, 松
イスの電気伝導特性
本 卓也 1
9/14(Wed.) 13:45 - 17:00 口頭講演 (Oral Presentation) B5 会場
13:45
14p-B5-1 電界による分子軌道変形を利用した単分子ダイオード
〇大戸 達彦 1, 美濃出 圭悟 1, アルブレヒト 建 2, 山
田 亮 1, 山元 公寿 2, 夛田 博一 1
14:00
E 14p-B5-2 Thermal and Field Dependence of the Conductivity of
〇 Richard Murdey1, Keiichi Kato2
Terbium(III)-Phthalocyaninato Double-Decker Complex
(TbPc2) Terbium Bisphthalocyanine Thin Films
14:15
14p-B5-3 電子スピン / 誘電損失同時測定による複合分光法の構築
〇岡本 悠 1, 筒井 祐介 1, 崔 旭鎮 1, 酒巻 大輔 1, 櫻
井 庸明 1, 関 修平 1
14:30
14p-B5-4 摩擦帯電のマックスウェル変位電流測定系の構築とポリエチレ 〇田口 大 1, 間中 孝彰 1, 岩本 光正 1
ンテレフタレート（ＰＥＴ）－Ｃｕ間の摩擦帯電評価
14:45
14p-B5-5 ポリピロールナノ構造化バイオセンサの性能向上の試み
〇小野田 光宣 2, D.M.G. Preethichandra1,1
－電気泳動電着法の適用
15:00
14p-B5-6 二次イオン質量分析を用いた封止材中の水分拡散評価
〇中村 立 1, 秋山 毅 1, 宮本 隆志 1, 鮫島 純一郎 1,
中川 善嗣 1
15:15
休憩 /Break
15:30
14p-B5-7 電界印加下でのイオン液体の原子構造および電子状態の XAFS 〇圓谷 志郎 1, 本田 充紀 2, 楢本 洋 1, 境 誠司 1
その場測定
15:45
奨 14p-B5-8 P3HT:PC61BM 混合膜内の P3HT の電子構造
〇布施 拓也 1, 赤池 幸紀 1, 熊井 拓実 1, 出窪 俊祐 1,
金井 要 1
16:00
14p-B5-9 第一原理計算による有機半導体の構造と電子状態の精密計算 〇柳澤 将 1, 濱田 幾太郎 2
16:15
奨 14p-B5-10 分子間π軌道相互作用による有機半導体薄膜の占有・空軌道の 〇樫本 祐生 1, 米澤 恵一朗 2, 解良 聡 2, 吉田 弘幸 1
分裂と一次元バンド形成過程
16:30
14p-B5-11 非フラーレン系有機薄膜太陽電池電極界面の電子構造観測
〇櫻井 岳暁 1, 宮澤 徹也 1, 付 巍 1, 秋本 克洋 1,
Kjell Cnops2, David Cheyns2
16:45
14p-B5-12 椀状分子 sumanene 単分子層の構造及び電子状態計測
〇前田 拓郎 1, 長谷川 友里 1, コスワッタゲ ラシカ 2,
山田 洋一 1, 佐々木 正洋 1
9/15(Thu.) 13:30 - 15:30 ポスター講演 (Poster Presentation) P9 会場
15p-P9-1 ボトムコンタクト型有機薄膜トランジスタの電位分布観察
〇渡辺 剛 1, 安野 聡 1, 吉本 則之 2, 広沢 一郎 1
15p-P9-2 様々な中心金属を有するポルフィリンの単分子伝導測定の評価 〇玉木 孝 , 山田 亮 , 大戸 達彦 , 夛田 博一 , 小
川 琢治 1
15p-P9-3 低 Tg ジアリールエテン表面上における Mg 堆積を支配する原 〇 (B) 奥田 将基 1, 辻岡 強 1
子衝突による核形成メカニズム
15p-P9-4 長い捕獲パルス幅を用いた DLTS 測定による有機 TFT のト
〇大田 貴士 1, 徳田 豊 1, 阿南 裕穂 2, 加藤 哲弥 2,
ラップ評価
片山 雅之 2
1
2
2
2
1. 北大院総化 , 2. 北大院理 , 3. 情報通信研未来
1. 山形大院有機 , 2. 山形大院理工 , 3. 阪大院工 ,
4. 有機エレクトロニクス研究センター
1. 富士フイルム , 2. 京大院工
1. 阪大院工
1. 千葉大院融合 , 2. 東理大院理工 , 3. 産総研 ,
4.JASRI, 5. チュービンゲン大
1. 東理大院理工 , 2. 千葉大院融合 , 3. 東理大理工 ,
4. 産総研 , 5.JASRI
1. 東理大院理工 , 2. 東理大理工 , 3. 千葉大院融合 ,
4.JASRI, 5. 産総研
1. 鳥取大工
1. 千葉大理
1. 千歳科技大
1. 東大生研
1. 金沢工大産学連携 , 2. 金沢工大工
1. 物材機構 , 2. 筑大
1. 東理大理工 , 2. 関西大院
1. 京大院工 , 2. 京大白眉セ
1. 金大院 , 2.（株）MORESCO, 3.ACT-C
1. 阪大院理 , 2. 阪大産研
1. 千葉大融合 , 2. 千葉大先進 , 3. 千葉大 MCRC
1. 広島大先端研 , 2. 情通研機構
1.KYUTECH
1. 阪大産研 , 2. 徳島大 , 3. 東京農工大
1. 阪大院基礎工
1. 阪大院理
1. 阪大院理 , 2. 産総研
1. 阪大院基礎工 , 2. 東工大化生研
1.Kyoto Univ., 2.Tohoku Univ.
1. 京大院工
1. 東工大
1.Central QLD 大 , 2. 兵庫県立大院工
1. 東レリサーチセンター
1. 量子機構 , 2. 原子力機構
1. 東理大理工
1. 琉球大理 , 2. 物材機構
1. 千葉大院 , 2. 分子研
1. 筑波大数理 , 2.IMEC
1. 筑波大数物 , 2. 千葉大先進
1.（公財）高輝度光科学研究センター , 2. 岩手大理
工
1. 阪大院理 , 2. 阪大院基礎工
1. 阪教大
1. 愛知工大 , 2.（株）デンソー
12 有機分子・バイオエレクトロニクス / Organic Molecules and Bioelectronics
15:15
13p-B5-4 ヨウ化スズ立方晶ペロブスカイトにおける異種金属ドーピング 〇小林 佳介 1, 長谷川 裕之 3, 髙橋 幸裕 1,2, 原田 潤
1,2
効果（２）
, 稲辺 保 1,2
13p-B5-5 光強度変調光電流 / 光電圧分光法を用いた有機薄膜太陽電池の 〇田中 和博 1,4, 大倉 達也 2,4, 片桐 千帆 2,4, 吉田 司
2,4
解析
, 中山 健一 1,3
13p-B5-6 FI-TRMC における結晶性有機半導体界面の移動度の普遍性
〇清水 誠 1, 齋藤 健吾 1, 高橋 裕之 1, 筒井 祐介 2,
崔 旭鎮 2, 関 修平 2
休憩 /Break
12.3 機能材料・萌芽的デバイス / Functional Materials and Novel Devices
12.3 機能材料・萌芽的デバイス / Functional Materials and Novel Devices
9/14(Wed.) 9:30 - 11:30 ポスター講演 (Poster Presentation) P5 会場
14a-P5-1 ビススチリルベンゼンにおけるトリフルオロメチル基の導入位 〇望月 博孝 1
置効果
14a-P5-2 フタルイミド基を有する新規アクセプタ材料の開発
〇望月 博孝 1, 橘 浩昭 2
14a-P5-3 液晶を用いたテラヘルツ波の位相制御に関する研究
〇小林 寛昌 1, 森武 洋 1
1. 産総研太陽光
1. 産総研太陽光 , 2. 産総研電子光
1. 防衛大
12 有機分子・バイオエレクトロニクス / Organic Molecules and Bioelectronics
1. 埼工大工
14a-P5-4 ベンゾチアゾール骨格を有するクマリン誘導体のネマチック液 〇木下 基 1, 持田 哲郎 1, 古川 元行 1
晶中における光応答挙動
14a-P5-5 導電性高分子ポロピロールメタ原子のマイクロ波応答
〇森 広貴 1, 木下 貴夫 1, Mingkai Liu2, 松井 龍之介 1. 三重大院工 , 2. 豪国立大非線形物理 , 3. 三重大
1,3
, David A. Powell2, Ilya V. Shadrivov2
極限ナノエレ
14a-P5-6 太陽電池表面への応用に向けた滑液性表面の防砂特性評価
〇小峰 正嗣 1, 守谷 赳夫 1, 白鳥 世明 1
1. 慶大院理工
14a-P5-7 エラストマーナノシートの力学物性評価とフレキシブルエレク 〇 (D) 山岸 健人 1, 佐藤 信孝 1, 村田 篤 2, 鉄 佑磨 1, 1. 早大院先進理工 , 2. 早大ナノ理工研機構 , 3. 早
武岡 真司 1, 藤枝 俊宣 3,4
大高等研 , 4.JST さきがけ
トロニクスへの展開
奨 14a-P5-8 強誘電体ポリマーゲルの作製と構造・電気物性評価
〇深川 美樹 1, 小柴 康子 1, 森本 勝大 1, 石田 謙司 1 1. 神戸大院工
14a-P5-9 ジアリールエテン表面における金属蒸着選択性
- 金属原子の離脱・吸収 14a-P5-10 ナノファイバーを積層させた高分子薄膜の発光特性
〇 (M1) 松本 彩希 1, 辻岡 強 1
1. 阪教大
〇藤岡 将平 1, 尾崎 良太郎 1, 門脇 一則 1
1. 愛媛大工
14a-P5-11 Al/PMMA 膜上のイリジウム錯体 LB 膜の酸素応答特性
〇山田 達也 1, 尾崎 良太郎 1, 門脇 一則 1, 佐藤 久子 1. 愛媛大工 , 2. 愛媛大理
2
14a-P5-12 MDMO-PPV の発光スペクトルに対するβカロテン混合の影
響
14a-P5-13 有機位置検出センサの測定精度に関する検討
〇 (M2) 伊藤 嵩人 1, 大谷 直毅 1
1. 同志社大理工
〇森宗 太一郎 1, 梶井 博武 2
1. 香川高専 , 2. 阪大工
14a-P5-14 異方性半球構造の作製とその光学異方性の検討
〇砂原 聖高 1, 福田 隆史 2, 江本 顕雄 1
1. 同志社大 , 2. 産総研電子光
〇 (DC) 堀家 匠平 1, 小柴 康子 1, 森本 勝大 1, 斎藤
毅 2, 石田 謙司 1
〇原 一馬 1, ラートバチラパイボーン チュティパー
ン 1, 石川 亮佑 1, 大平 秦生 1, 馬場 暁 1, 新保 一成 1,
加藤 景三 1, 金子 双男 1
〇中野 元博 1,2, Shrayesh Patel3, Anne Glaudell2,3,
Michael Chabinyc2,3, 野々口 斐之 1, 河合 壯 1
1. 神戸大院工 , 2. 産総研
奨 14a-P5-15 カーボンナノチューブ / 有機強誘電体界面での自発的なダイ
ポール配列による n 型ドーピングの可能性
14a-P5-16 プラズモニック逆型有機薄膜太陽電池における酸化チタン膜の
膜厚依存性の評価
14a-P5-17 アモルファスポリマーのイオンドーピングと増強熱電効果
14a-P5-18 蛍光色素ドープ PMMA 微小球光共振器の作製と評価
14a-P5-19 ルブレン / ペリレン誘導体積層構造を持つマルチファンクショ
ンダイオード
14a-P5-20 Nn 液晶セルバルク中に形成した微細ポリマーファイバー格子
による光学特性への影響
14a-P5-21 電解メッキによる酸化鉄複合カーボンナノファイバーのリチウ
ムイオン電池負極への応用と評価
14a-P5-22 定常直流電場下でのマイクロ粒子の公転運動
14a-P5-23 金属細線を包埋した PVDF 薄膜圧力センサ
奨 14a-P5-24 直流駆動型無接点回転モータ
9/14(Wed.) 13:45 - 18:00 口頭講演 (Oral Presentation) B13 会場
13:45
招 14p-B13-1 [12．有機分子・バイオエレクトロニクス　分科内招待講演 ]
イオン導電性高分子ゲルアクチュエータの応答モデル
14:15
14p-B13-2 ピエゾイオン効果を用いたフレキシブルセンサ
14:30
奨 14p-B13-3
14:45
奨 14p-B13-4
15:00
奨 14p-B13-5
15:15
奨 14p-B13-6
15:30
14p-B13-7
1. 奈良先端大物質 , 2. カリフォルニア大サンタバー
バラ校物質 , 3. カリフォルニア大サンタバーバラ
校材料研
〇 (M1) 高橋 開 1, 松本 翼 1, 徳田 規夫 1, 猪熊 孝夫 1. 金沢大院自然
1
〇山田 雅弘 1, 中 茂樹 1, 岡田 裕之 1
1. 富山大院理工
〇渡辺 大貴 1, 工藤 幸寛 1, 高橋 泰樹 1
1. 工学院大
〇 (B) 小林 勇太 1, 阿部 純一郎 1, 川瀬 滉貴 1, 白鳥
世明 1
〇岡田 和也 1, 森 世織 1, 三木 真湖 1, 山本 大吾 1,
塩井 章久 1, 吉川 研一 1
〇安部 良平 1, 但木 大介 2,3, 馬 騰 1, 今井 裕司 4, 平
野 愛弓 2,3, 庭野 道夫 1
〇森 世織 1, 栗村 朋 2, 三木 真湖 1, 山本 大吾 1, 塩
井 章久 1, 吉川 研一 1
1. 慶大理工
〇安積 欣志 1, Zhu Zicai1,2, Kruusamae Karl1,3, 杉
野 卓司 1
〇 (M1) 近藤 貴弘 1, 佐藤 正樹 1, 山際 拓也 1, 奥崎
1. 産総研 , 2. 西安交通大 , 3.Tartu 大
秀典 1
カーボンナノチューブ混合高分子アクチュエータのエレクトロ 〇加藤 勇斗 1, 清水 亮和 1, 佐藤 太河 1, 串田 正人 1
スピニング法による作製
エレクトロスピニング法で作製した高分子ファイバマットが示 〇延島 大樹 1, 石井 佑弥 2, 酒井 平祐 3, 吉田 学 1,
す圧電的性質の温度特性
植村 聖 1
有機 / 無機多層構造を用いた焦電型赤外線センサの光吸収特性 〇永吉 竜治 1, 小柴 康子 1, 森本 勝大 1, 石田 謙司 1
とセンサ特性評価
電解重合法により成長する PEDOT:PSS ワイヤーの伝導特性 〇疋田 亘 1, 赤井 恵 1,2, 桑原 裕司 1, 浅井 哲也 3
評価
カラミチックーディスコチック両液晶性を示す新たな液晶：配 美濃部 亮太 2,1, 松本 宏紀 2,1, 田中 大介 2,1, 奥田 大
向膜における相転移
樹 1,2, 太田 昇 3, 関口 博史 3, 内田 欣吾 2, 〇清水 洋
1
15:45
16:00
16:15
16:30
16:45
17:00
1. 新潟大
1. 同志社大
1. 東北大通研 , 2. 東北大医工学 , 3.JST-CREST, 4. 仙
台高専
1. 同志社大院 , 2. 京都大院
1. 山梨大院総研部
1. 千葉大院工
1. 産総研 , 2. 豊技大 , 3. 北陸先端大
1. 神戸大院工
1. 阪大院工 , 2.JST さきがけ , 3. 北大院情報
1. 産総研関西 C, 2. 龍谷大理工 , 3. 高輝度光科学研
究C
休憩 /Break
14p-B13-8 壁安定化ヘルフリッヒ変形を用いた反射型ディスプレイの素子
モデル
奨 14p-B13-9 電気的に螺旋ピッチの分布が誘起されたコレステリック液晶の
光学特性
14p-B13-10 共役ポリマー球体マイクロ共振器からのレーザー発振
奨 14p-B13-11 炭素架橋フェニレンビニレンによる自己組織化マイクロ共振器
〇井上 曜 1, 森武 洋 1
1. 防衛大電気情報
〇服部 真代 1, 井上 曜 1, 森武 洋 1
1. 防衛大電気電子
〇山本 洋平 1, 櫛田 創 1, 岡田 大地 1, 佐々木 史雄 2
〇岡田 大地 1, 西岡 拓紀 2, 辻 勇人 2,3, 佐々木 史雄 4,
中村 栄一 2, 山本 洋平 1
〇 (M1) 西久保 綾佑 1, 藤内 謙光 1, 久木 一朗 1, 佐
伯 昭紀 1,2
〇 (D)Cao Van Nguyen1, Hiroyuki Katsuki1, Fumio
Sasaki2, Hisao Yanagi1
〇佐藤 洸 1, 山本 和広 1,2, 横山 士吉 1,2
Manoj Ranasinghe1, Masayuki Okuya2, Masaru
Shimomura2, 〇 Kenji Murakami2
1. 筑波大数理物質 , 2. 産総研
1. 筑波大数理物質 , 2. 東京大 , 3. 神奈川大 , 4. 産総
研
1. 大阪大工 , 2.JST-PRESTO
奨 14p-B13-12 有機・無機ペロブスカイトナノ粒子の LCST 現象に起因する
温度応答発光特性
17:15 奨 E 14p-B13-13 Preparation and optically pumped lasing of single-crystal
CH3NH3PbClxBryIzperovskites
17:30
14p-B13-14 Si3N4/EO ポリマーハイブリッド型光変調器
17:45
E 14p-B13-15 Effect of Europium(ii) Chloride on Synthesis of
Europium Dibenzoylmethide Triethylammonium-based
Mechanoluminescent Material
9/15(Thu.) 9:00 - 12:00 口頭講演 (Oral Presentation) B13 会場
9:00
15a-B13-1 温度変調に伴うキャリア伝導機構変化を利用した新奇有機熱電 〇 (DC) 阿部 竜 1, 中川 真理雄 1, 伊藤 光洋 1, 小島
材料の探索（Ⅴ）：分子間距離の影響
広孝 1, 菊池 護 2, 渡辺 剛 3, 小金澤 智之 3, 吉本 則
之 2, 中村 雅一 1
9:15
15a-B13-2 ポリスチレン添加によるカーボンナノチューブ膜の熱起電力の 〇末森 浩司 1, 渡邉 雄一 1, 星野 聰 1, 鎌田 俊英 1
向上
1.NAIST, 2.AIST
1. 九大総理工 , 2. 九大先導研
1.GSST, Shizuoka Univ., 2.GIST, Shizuoka Univ.
1. 奈良先端大物質 , 2. 岩手大工 , 3. 高輝度光科学
研究センター
1. 産総研
12.4 有機 EL・トランジスタ / Organic light-emitting devices and organic transistors
9:30
9:45
10:00
15a-B13-3 紡糸およびドーピング法改良による布状熱電変換素子の高出力
化
15a-B13-4 PEDOT:PSS 熱電変換薄膜の界面活性剤導入による特性改善
招 15a-B13-5 [ 優秀論文賞受賞記念講演 ]
Raising the metal–insulator transition temperature of
VO2 thin films by surface adsorption of organic polar
奨 15a-B13-6 有機光デバイスを用いたフレキシブル血中酸素濃度計
〇横田 知之 1, ザーラー ピーター 1, カルテンブルー
ナー マーティン 1, 甚野 裕明 1, 松久 直司 1, 北之迫
浩輝 1, 立花 勇太郎 1, 雪田 和歌子 1, 小泉 真里 1, 染
谷 隆夫 1
11:00
奨 15a-B13-7 極薄フレキシブル基板上への逆型構造 OLED の作製
〇甚野 裕明 1, 横田 知之 1,2, 立花 勇太郎 1,2, 雪田 和
歌子 1,2, 小泉 真里 1,2, 染谷 隆夫 1,2
11:15
奨 15a-B13-8 有機ヘテロ接合界面を利用した高性能負性抵抗素子の開発
〇小橋 和義 1,2, 早川 竜馬 1, 知京 豊裕 1, 若山 裕 1,2
11:30
奨 15a-B13-9 ポリマー半導体のドーピングによるホモ接合ダイオード
〇崎山 晋 1, 小村 拓也 1, 水谷 直貴 2, 藤田 克彦 1,2
11:45
奨 15a-B13-10 金と透明導電性酸化物の積層構造を用いたフレキシブル透明電 〇神保 泰俊 1, 松久 直司 1,2, 甚野 裕明 1, ザーラー
極
ピーター 1, 横田 知之 1, 染谷 隆夫 1
9/15(Thu.) 13:45 - 15:30 口頭講演 (Oral Presentation) B13 会場
13:45
招 15p-B13-1 [ 講演奨励賞受賞記念講演 ]
〇龍崎 奏 1, 筒井 真楠 2, 安井 隆雄 3, 横田 一道 2, 玉
溶液中における浮遊生体物質の形状分布解析法に基づくナノバ 田 薫 1, 馬場 嘉信 3, 谷口 正輝 2
イオセンサーの開発
14:00
15p-B13-2 ジアリールエテン光異性化トランジスタの界面制御による高性 〇早川 竜馬 1, 東口 顕士 2, 松田 建児 2, 知京 豊裕 1,
能化
若山 裕 1,3
14:15
15p-B13-3 １次元光異性化トランジスタチャネルのレーザ描画
〇鶴岡 徹 1, 早川 竜馬 1, 小橋 和義 1,2, 東口 顕士 3,
松田 建児 3, 若山 裕 1,2
14:30
15p-B13-4 フラーレン含有有機ポリマーのメモリ特性のゲート金属種類依 〇中島 安理 1, 庄司 敦 1, 永野 耕平 1, 梶原 純 1
存性
14:45
15p-B13-5 電界変調イメージング法による有機強誘電体薄膜のドメイン運 〇 (M1) 上村 洋平 1,2, 荒井 俊人 1, 堤 潤也 2, 松岡
動観察
悟志 2, 山田 浩之 2, 堀内 佐智雄 2, 長谷川 達生 1,2
15:00
15p-B13-6 摩擦転写基板上の有機オリゴマー薄膜の配向制御
幸田 征士 1, 〇山雄 健史 1, 稲田 雄飛 1, 吉田 郵司 2,
堀田 収 1
15:15
15p-B13-7 強誘電性を有する有機アミン塩結晶を分散させた高分子膜の調 〇 (M1) 座間 優人 1, 市川 結 1
製
12.4 有機 EL・トランジスタ / Organic light-emitting devices and organic transistors
9/13(Tue.) 9:00 - 11:45 口頭講演 (Oral Presentation) B11 会場
9:00
13a-B11-1 イオン液体を用いた電気化学発光セルの評価
〇 (M2) 高木 真那人 1, 村田 英幸 1, 酒井 平祐 1
9:15
13a-B11-2 中間電荷発生電極によるタンデム構造を有した横型発光電気化 〇内田 聡一 1, 池田 哲 1, 西村 凉 1, 趙 哲行 2, 西出
学セルの動作機構
宏之 2, 錦谷 禎範 2
9:30
13a-B11-3 発光電気化学セルの発光特性に与えるイオン伝導体の影響の検 〇瀧澤 大介 1, 西出 宏之 1, 錦谷 禎範 1, 内田 聡一 2,
討
西村 涼 2
9:45
13a-B11-4 ( チオフェン / フェニレン ) コオリゴマー誘導体 pin 積層膜を 〇土器屋 翔平 1, 石上 陽菜 1, 佐々木 史雄 2, 柳 久雄
1
用いた有機 EL 素子
10:00
13a-B11-5 Cast-capping 法によるペロブスカイト系半導体 EL 素子の開発 〇佐々木 史雄 1, Nguyen Van-Cao2, 柳 久雄 2
10:15
E 13a-B11-6 Very Efficient Quasi-continuous-wave Lasing from Organic
〇 SANGARANGE DONATULA
Semiconductor Films
SANDANAYAKA1,2, Toshinori Matsushima1,2,
10:30
休憩 /Break
10:45
奨 13a-B11-7 外部量子効率 20% 超を実現するイソニコチノニトリル / フェ
ノキサジン系緑色熱活性化遅延蛍光材料の開発
11:00
奨 13a-B11-8 ターピリジンとアクリジン誘導体からなる高効率熱活性化遅延
蛍光材料の開発
11:15
奨 13a-B11-9 ピリミジン / アクリジン系青色 TADF 材料の窒素原子の位置
変化による EL 発光特性の向上
11:30
奨 13a-B11-10 熱活性化遅延蛍光分子をホストとする近赤外燐光有機 EL 素子
9/13(Tue.) 13:15 - 17:30 口頭講演 (Oral Presentation) B11 会場
13:15
招 13p-B11-1 [ 有機分子・バイオエレクトロニクス分科会奨励賞受賞記念講
13:45
14:00
〇 (M2) 大沼 夏樹 1, 笹部 久宏 2,3, 永井 勇次 1, 伊藤
聖 4, 城戸 淳二 2,3
〇 (M1) 早坂 裕哉 1, 笹部 久宏 1,2, 小松 龍太郎 1, 中
尾 晃平 1, 城戸 淳二 1,2
〇 (M1) 中尾 晃平 1, 笹部 久宏 1,2, 小松 龍太郎 1, 早
坂 裕哉 1, 城戸 淳二 1,2
〇 (M1) 永田 亮 1, 中野谷 一 1,2, 安達 千波矢 1,2
〇中野谷 一 1, 安達 千波矢 1
演]
熱活性化遅延蛍光過程を利用した高性能蛍光有機 EL デバイス
の開発
13p-B11-2 逆構造有機発光ダイオード構造を用いたカルバゾールジシアノ 〇 (M2) 長谷川 純也 1, 髙田 誠 1, 永瀬 隆 1,2, 小林
ベンゼン系 TADF 材料の輸送特性
隆史 1,2, 安達 千波矢 3,4, 内藤 裕義 1,2
14:30
14:45
13p-B11-5 高分子 HTL/EML 塗布積層界面構造と有機 EL 素子特性
15:00
奨 13p-B11-6
15:15
15:30
奨 13p-B11-7
奨 13p-B11-8
15:45
13p-B11-9
16:00
16:15
16:30
16:45
〇大久 哲 1, 夫 勇進 1, 山田 悟史 2, 松葉 豪 1, 城戸
淳二 1
HTL/EML/ETL 塗布積層界面構造と有機 EL 素子特性
〇大久 哲 1, 夫 勇進 1, 山田 悟史 2, 松葉 豪 1, 城戸
淳二 1
類似 TADF ホストに依存したリン光有機 EL 素子特性
〇岩崎 有希子 1, 深川 弘彦 1, 清水 貴央 1
高効率マルチフォトンエミッション青色リン光有機 EL 素子の 〇 (M1) 堀田 克之 1, 笹部 久宏 1,2, 宇田川 和男 2,
開発
五十嵐 史
彬 1, 城戸 淳二 1,2
熱活性化遅延蛍光薄膜における三重項対消滅について - 発光ス 〇丹羽 顕嗣 1, 長谷山 翔太 1, 小林 隆史 1,2, 永瀬 隆
1,2
ペクトルの励起光強度依存性 , 合志 憲一 3,4, 安達 千波矢 3,4, 内藤 裕義 1,2
休憩 /Break
招 13p-B11-10 [ 講演奨励賞受賞記念講演 ]
印刷デュアルゲート型有機トランジスタのバイオセンサ応用
13p-B11-11 極性分子を添加したホストマトリックス中での TADF 材料の
発光特性
13p-B11-12 巨大表面電位を示す有機半導体材料およびその起源の探索
1. 東大工 , 2.JST ERATO
1. 物材機構 , 2. 九大院
1. 九大　総理工 , 2. 九大　先導研
1. 東大工 , 2. アルプス
1. 九大先導研 , 2. 阪大産研 , 3. 名大工学
1. 物材機構 , 2. 京都大院工 , 3. 九州大院
1. 物材機構 , 2. 九州大院 , 3. 京都大院
1. 広島大ナノデバイス研
1. 東大院工 , 2. 産総研
1. 京工繊大材料化学 , 2. 産総研
1. 信大院理工
1. 北陸先端大
1.JX エネルギー ( 株 ), 2. 早大理工
1. 早大理工 , 2.JX エネルギー
1. 奈良先端大物質 , 2. 産総研電子光技術
1. 産総研電子光技術 , 2. 奈良先端大物質
1.OPERA, Kyushu University, 2.JST, ERATO
Chihaya Adachi1,2
13p-B11-3 インピーダンス分光及び過渡 EL による逆構造有機発光ダイ
〇高田 誠 1, 小林 隆史 1,2, 永瀬 隆 1,2, 内藤 裕義 1,2
オードの電子物性評価
13p-B11-4 上部 Al 電極作製時の基板温度上昇が OLED の動作特性に与え 〇星 陽一 1, 濱口 大地 1, 小林 信一 1, 澤田 豊 1, 内
る影響
田 孝幸 1, 安田 洋司 2
休憩 /Break
14:15
1. 東大工
〇南 豪 1,2, 陳 奕樸 2, 南木 創 1,2, 竹田 泰典 2, 福田
1. 山形大院理工 , 2. 山形大院有機 , 3. 山形大有機
エレ研セ , 4. 山形大工
1. 山形大院有機 , 2. 山形大有機エレ研セ
1. 山形大学有機 , 2. 山形大有機エレ研セ
1. 九大 OPERA, 2.JST ERATO
1. 九大・OPERA
1. 大阪府立大 , 2. 大阪府立大分子エレクトロニッ
クデバイス研 , 3. 九州大学 OPERA, 4.JST-ERATO
安達分子ｴｷｼﾄﾝ工学ﾌﾟﾛｼﾞｪｸﾄ
1. 大阪府立大 , 2. 大阪府立大分子エレクトロニッ
クデバイス研
1. 東京工芸大工 , 2. 神奈川県産技短大
1. 山形大院 , 2. 高エネ加研
1. 山形大院 , 2. 高エネ加研
1.NHK 技研
1. 山形大院有機 , 2. 山形大有機エレ研セ
1. 大阪府大工 , 2. 大阪府大工 RIMED, 3. 九大
OPERA, 4. 九大 JST-ERATO
1. 東大生研 , 2. 山形大 ROEL, 3. 理研
憲二郎 3, 時任 静士 2
〇長谷山 翔太 1, 丹羽 顕嗣 1, 小林 隆史 1,2, 永瀬 隆 1. 大阪府大工 , 2. 大阪府大 RIMED, 3. 九大
1,2
, 合志 憲一 3,4, 安達 千波矢 3,4, 内藤 裕義 1,2
OPERA, 4. 九大 JST-ERATO 安達分子エキシトン
工学プロジェクト
1
1
2
〇 (B) 長田 航平 , 安川 敬涼 , 石井 久夫 , 野口 裕 1. 明治大理工 , 2. 千葉大先進
1
12 有機分子・バイオエレクトロニクス / Organic Molecules and Bioelectronics
molecules
休憩 /Break
10:30
10:45
〇 (M2) 小泉 拓也 1, 伊藤 光洋 1, 阿部 竜 1, 小島 広 1. 奈良先端大物質
孝 1, 中村 雅一 1
〇岸 直希 1, 近藤 雄哉 1, 國枝 泰希 1
1. 名工大
〇塩谷 広樹 1, 庄子 良晃 2, 清木 規矢 2, 中野 匡規 3, 1. 阪大 , 2. 東工大 , 3. 東大
福島 孝典 2, 岩佐 義宏 3
12.4 有機 EL・トランジスタ / Organic light-emitting devices and organic transistors
17:00
13p-B11-13
17:15
13p-B11-14
9/14(Wed.) 9:30 - 11:30
9:30
14a-B11-1
12 有機分子・バイオエレクトロニクス / Organic Molecules and Bioelectronics
9:45
動作点から見た二層型有機 EL 素子の電子電流の見積もり
色素会合と励起子複合体形成によるフルカラー発光色制御
口頭講演 (Oral Presentation) B11 会場
p/n 積層構造を持つ縦型有機トランジスタの特性
〇森 竜雄 1, 西川 尚男 2
1. 愛知工大 , 2. 岩手大学
〇土屋 陽一 1,2, 巫 軒偉 1, 伊藤 冬樹 3, 安達 千波矢 1,2 1. 九州大 OPERA, 2.JST ERATO, 3. 信州大教
〇諏訪 吉実 1,3, 上妻 嵩季 1,3, 小賀坂 直樹 1,3, 中山
健一 1,2
〇伊東 栄次 1, 金森 暉 1
1. 山形大院理工 , 2. 阪大院工 , 3. 山形大 ROEL
1. 信州大 工
10:30
14a-B11-2 塗布形成カーボンナノチューブを両極性キャリア注入層に 用
いて印刷形成した p 型及び n 型有機トランジスタの作製と評
価
14a-B11-3 有機単結晶トランジスタへの電極材料を選ばない両極性キャリ 〇下谷 秀和 1, Kanagasekaran Thangavel2, 谷垣 勝
ア注入
己 1,2
14a-B11-4 3 端子容量－電圧測定によるペンタセン有機電界効果トランジ 〇田中 有弥 1, 山本 紘平 2, 野口 裕 3, 石井 久夫 1,2,4
スタのトラップ形成過程の評価
休憩 /Break
10:45
11:00
14a-B11-5 凸版反転印刷電極を用いた超薄型有機トランジスタ
14a-B11-6 熱プレス法による曲面状 OFET アレイの作製
1. 理研 , 2.JST さきがけ , 3. 東大工
1. 千葉大工 , 2. 千葉大先進科学センター , 3. 日本
化薬株式会社
11:15
14a-B11-7 塗布型高移動度有機トランジスタを用いた A/D 変換回路の開
発
〇福田 憲二郎 1,2, 染谷 隆夫 1,3
〇渡辺 堅斗 1, 佐々木 優志 1, 林 潤郎 1, 酒井 正俊 1,
岡田 悠悟 1,2, 山内 博 1, 貞光 雄一 3, 品村 祥司 3, 工
藤 一浩 1
〇諫早 伸明 1, 車 溥相 2, 小森 真梨子 1, 中山 健吾 2,
山村 祥史 3, 田中 秀幸 3, 田中 有紀 1, 工藤 誠 1, 伊
藤 政隆 1, 金岡 祐介 2,3, 宇野 真由美 2,3, 竹谷 純一 1,2,3
〇工藤 一浩 1
1. 千葉大工
10:00
10:15
9/14(Wed.) 13:15 - 17:00 口頭講演 (Oral Presentation) B11 会場
13:15
招 14p-B11-1 [ 有機分子・バイオエレクトロニクス分科会業績賞受賞記念講
演]
有機エレクトロニクスの進展と将来展望
13:45
14p-B11-2 有機半導体 Ph-BTBT-C10 単結晶薄膜トランジスタにおける積
層数依存特性
14:00
奨 14p-B11-3 層間フラストレーションを用いた大面積単一分子層有機半導体
超薄膜の作製と TFT 動作
14:15
奨 14p-B11-4 高分子電界効果トランジスタによる高移動度の実現とその評価
の妥当性
14:30
奨 E 14p-B11-5 Fully-Printed Organic Thin-Film Transistors with 1-micron
resolution
14:45
奨 14p-B11-6 コンパクト型回路設計による印刷型有機 D フリップフロップ
15:00
15:15
15:30
15:45
16:00
16:15
16:30
16:45
休憩 /Break
14p-B11-7 時間発展ゲート変調イメージングによる多結晶有機薄膜トラン
ジスタの局所電流マッピング
14p-B11-8 ゲート変調イメージングによる大面積アクティブバックプ
レーンの欠陥検査
E 14p-B11-9 Dependence of Source Frequency on Magnetic Field Effect in
Organic Transistors
14p-B11-10 トップゲート C8-BTBT FET の高移動度化に対する塗布速度の
効果
14p-B11-11 高移動度短チャネルトップゲート有機トランジスタにおける接
触抵抗の影響
14p-B11-12 2 分子層有機単結晶膜を用いた高速トランジスタ
14p-B11-13
9/15(Thu.) 9:30 - 12:00
9:30
15a-B11-1
9:45
15a-B11-2
10:00
15a-B11-3
10:15
15a-B11-4
10:30
15a-B11-5
10:45
11:00
1. 東北大理 , 2. 東北大 WPI-AIMR
1. 千葉大先進 , 2. 千葉大院融合 , 3. 明大理工 , 4. 千
葉大 MCRC
1. パイクリスタル , 2. 阪府産技研 , 3. 東大新領域
〇 (M2) 浜井 貴将 1,2, 荒井 俊人 1, 峯廻 洋美 2, 井上 1. 東大院工 , 2. 産総研 FLEC, 3. 日本化薬
悟 3, 長谷川 達生 1,2
〇荒井 俊人 1, 井上 悟 2,3, 浜井 貴将 1, 峯廻 洋美 2, 1. 東大院工 , 2. 産総研 , 3. 日本化薬 , 4. 高エネ研
熊井 玲児 4, 長谷川 達生 1,2
〇 (D) 山下 侑 1, 渡邉 峻一郎 1,2, 竹谷 純一 1
1. 東大院新領域 , 2.JST さきがけ
〇 Xuying Liu1, Chuan Liu2, Masayuki Kanehara3,
Kenji Sakamoto1, Takeshi Yasuda1, Jun Takeya4,
Takeo Minari1
〇早坂 和将 1, 松井 弘之 1, 竹田 泰典 1, 塩飽 黎 1,
田中 康裕 2, 芝 健夫 1, 熊木 大介 1, 時任 静士 1
1.NIMS, 2.Sun Yat-sen Univ., 3.Colloidal Ink,
4.Tokyo Univ.
1. 山形大 ROEL, 2. 宇部興産株式会社
〇松岡 悟志 1,2, 堤 潤也 1, 鎌田 俊英 1,2, 長谷川 達生 1. 産総研 , 2. 筑波大数理 , 3. 東大工
1,3
〇堤 潤也 1, 松岡 悟志 1,2, 長谷川 達生 1,3
1. 産総研 , 2. 筑波大数理物質 , 3. 東大工
〇 (P)SongToan Pham1, Hirokazu Tada1
1.Graduate School of Engineering Science, Osaka
University
〇三田 翔也 , 永瀬 隆 , 小林 隆史 , 瀧宮 和男 , 1. 大阪府大 , 2. 大阪府立分子エレクトロニックデ
貞光 雄一 4, 内藤 裕義 1,2
バイス研 , 3. 理研 , 4. 日本化薬 ( 株 )
〇永瀬 隆 1,2, 中道 諒介 1, 小林 隆史 1,2, 貞光 雄一 3, 1. 大阪府大 , 2. 大阪府大 RIMED, 3. 日本化薬
内藤 裕義 1,2
〇山村 祥史 1, 田邉 正廣 2, 宇野 真由美 1,3, 三津井 1. 東大院新領域 , 2. パイクリスタル , 3. 阪府産技研 ,
親彦 1, 岡本 敏宏 1,4, 竹谷 純一 1,2,3
4.JST さきがけ
大気中水分子による有機デバイスの動作不安定性：電極／有機 〇野内 亮 1
1. 大阪府立大 N2RC
半導体界面に起因するメカニズム
口頭講演 (Oral Presentation) B11 会場
置換位置の異なるピリジル基を有する PTCDI 誘導体トランジ 〇柏崎 亮太 1, 小熊 尚美 2, 市川 結 1
1. 信州大 , 2. 大日精化
スタの電子輸送性
有機無機ペロブスカイトトランジスタの n 型特性
〇松島 敏則 1,2, Sandanayaka Atula1,2, Qin
1. 九大 OPERA, 2.JST ERATO, 3.ISIT, 4.WPIChuanjiang1,2, 藤原 隆 3, 安達 千波矢 1,2,4
I2CNER
1
2,3
2,3
高半導体純度の単層カーボンナノチューブ複合体を用いた高性 〇磯貝 和生 , 田中 丈士 , 片浦 弘道 , 清水 浩二 1. 東レ株式会社 , 2. 産総研ナノ材料 , 3.TASC
1
能塗布型ＴＦＴ
, 村瀬 清一郎 1
ビチアゾール誘導体を用いた大気安定 n 型有機トランジスタ 〇飯嶋 広大 1, Yann Le Gal2, Agathe Filatre1. 東工大院理工 , 2. レンヌ第一大 , 3. 東大物性研
Furcate2, Dominique Lorcy2, 東野 寿樹 3, 森 健彦 1
1
1
1
2,3
多結晶ペンタセンの DC 電流・電圧特性
〇林 稔晶 , 中 章圭 , 藤原 聡 , 横田 知之 , 染谷 1.NTT 物性研 , 2. 東京大学 , 3.ERATO
隆夫 2,3
休憩 /Break
1
1,2
1,2
3
15a-B11-6 融点処理を利用した溶媒フリー転写プロセスによる n 型有機 〇 (M2) 大山 惇郎 1, 小熊 尚実 2, 市川 結 1
トランジスタ
11:15
15a-B11-7 長鎖アルキル基を有するペリレンジイミド誘導体転写膜のトラ 〇 (M2) 大山 惇郎 1, 小熊 尚実 2, 市川 結 1
ンジスタ特性
11:30
15a-B11-8 印刷銅電極の表面状態と有機トランジスタの特性解析
〇松浦 陽 1, 塩飽 黎 1, 福田 貴 3, 熊木 大介 1,2, 時任
静士 1,2
11:45
15a-B11-9 非晶質ルブレンをゲート絶縁膜として用いたトップゲート型ペ 〇廣木 瑞葉 1, Nithi Atthi1, 前田 康貴 1, 大見 俊一
ンタセン OFET の作製
郎1
9/16(Fri.) 13:30 - 15:30 ポスター講演 (Poster Presentation) P7 会場
16p-P7-1 TADF 材料の速度定数解析 : 厳密解と擬厳密解との比較
〇細貝 拓也 1,2, 松﨑 弘幸 1,2, 筒井 哲夫 2, 徳丸 克己
2
, 中野谷 一 3,4, 安達 千波矢 3,4
16p-P7-2 2 層構造有機発光ダイオードの負の静電容量 - デバイスシミュ 〇高田 誠 1, 永瀬 隆 1,2, 小林 隆史 1,2, 内藤 裕義 1,2
レーション 16p-P7-3 赤外吸収測定による有機 EL 薄膜中の官能基配向簡易評価と in 〇酒井 義也 1, 横山 大輔 1,2
situ 分析
16p-P7-4 アルゴンガスクラスターイオンビームエッチングと組み合わせ 〇松尾 修司 1, 三井所 亜子 1, 横田 嘉宏 1
た飛行時間型二次イオン質量分析法および X 線光電子分光法
を用いた有機 EL 素子の劣化原因の検討
16p-P7-5 ポリエチレンイミンを電子注入層に用いた逆構造有機 EL 素子 〇河村 静香 1, 清水 貴央 2, 森井 克行 3, 山本 敏裕 2,
の寿命評価
深川 弘彦 1,2
16p-P7-6 塗布型デンドリマー熱活性化遅延蛍光材料の光物性
〇石原口 賢太 1, 長谷山 翔太 1, 丹羽 顕嗣 1, 永瀬 隆
1,2
, 小林 隆史 1,2, アルブレヒト 建 3, 山元 公寿 3, 内
藤 裕義 1,2
1. 信大繊 , 2. 大日精化
1. 信大繊 , 2. 大日精化
1. 山形大院有機材料 , 2. 山形大 ROEL, 3. 東ソー
1. 東工大工学院
1. 産総研　分析計測 , 2. 次世代化学材料評価技術
研究組合 , 3. 九州大学 , 4.JST-ERATO
1. 大阪府立大 , 2. 大阪府立大分子エレクトロニッ
クデバイス研
1. 山形大院有機材料システム , 2. 山形大有機エレ
クトロニクス研究センター
1. コベルコ科研
1. 東理大院理 , 2.NHK 技研 , 3. 日本触媒
1. 大阪府立大 , 2. 大阪府立大分子エレクトロニッ
クデバイス研 , 3. 東工大化生研
12.5 有機太陽電池 / Organic solar cells
14:00
13p-B4-3 PbS 量子ドット太陽電池における CdCl2 表面パッシベーショ
ン効果
1. 大阪府大工 , 2. 北海道大工 , 3. 大阪府立大学分
子エレクトロニックデバイス研
1. 大阪府大工 , 2. 大阪府大分子エレクトリックデ
バイス研
1. ニコン
1.Univ. of Toyama
1. 東工大院理工
1. 東海大院工 , 2. ウシオケミックス ( 株 )
1. 山形大工 , 2. 山形大院理工 , 3. 山形大 ROEL,
4.DIC, 5. 宇部興産
1. 和歌山大システム工
1. 農工大院・工
1. 慶應大理工 , 2. 東洋大
1. 奈良先端大物質 , 2. 静岡大工
1. 産総研
1. 大阪府大 , 2. 大阪府大分子エレクトロニックデ
バイス研
1. 山形大工 , 2. 山形大 ROEL, 3. 山形大学院理工
1. 電通大基盤理工
1. 電通大基盤理工 , 2. 分光計器（株）, 3. 中央大理
工 , 4. 京都工繊大工芸科学 , 5. 九工大生命体工学 ,
6.JST-CREST
〇 (M1) 中澤 直樹 1, 出石 拓也 1, 小林 宗右 1,
1. 電通大基盤理工 , 2. 立命館理工 , 3. 九工大 , 4.JST
Yaohong Zhang1, Chao Ding1, 峯元 高志 2,4, チャン CREST
2
3,4
1,4
タナ ジャカパン , 早瀬 修二 , 豊田 太郎 , 沈 青
1,4
14:15
13p-B4-4 量子ドット吸着した逆オパール構造 TiO2 光電極の界面におけ 〇 (M1) 堀 奏江 1, 中澤 直樹 1, 藤野 秀一朗 1, 廣中
る電荷移動 ー界面パッシベーション効果ー
基記 1, 豊田 太郎 1,3, 早瀬 修二 2,3, 沈 青 1,3
14:30
E 13p-B4-5 Air stable PbSe quantum dot heterojunction solar cell: ligand
〇 (D)Yaohong Zhang1, Ding Chao1, Jin Chang2,
dependent exciton dissociation, recombination, photovoltaic
Taro Toyoda1,3, Yuhei Ogomi4, Shuzi Hayase3,4,
property and stability
Qing Shen1,3
14:45
13p-B4-6 固体型 Sb2S3 増感太陽電池の光吸収と光電変換特性
〇 (M1) 藤野 秀一朗 1, 山崎 康平 1, Yaohong
- 熱処理温度依存性 Zhang1, Chao Ding1, 豊田 太郎 1,3, 早瀬 修二 2,3, 沈
青 1,3
15:00
13p-B4-7 PbS 量子ドット /ZnO 太陽電池特性のリガンド種依存性
王 海濱 1, 〇久保 貴哉 1, 中崎 城太郎 1, 瀬川 浩司 1,2
15:15
E 13p-B4-8 Effect of Different Precursor Solutions for the growth of
Ajith Bandara1, Masayuki Okay2, Masaru
Fluorine-Doped Tin Oxide 1-D Nanostructured Thin Films
Shimomura2, 〇 Kenji Murakami2
9/13(Tue.) 16:00 - 18:00 ポスター講演 (Poster Presentation) P9 会場
13p-P9-1 ナフトビスオキサジアゾール系ポリマーにおけるアルキル側鎖 〇三木江 翼 1, 尾坂 格 1, 瀧宮 和男 1
の密度が溶解性と相分離構造に及ぼす影響
13p-P9-2 ナフトビスオキサジアゾール系ポリマーにおけるアルキル鎖長 〇鈴木 康仁 1, 斎藤 慎彦 1, 三木江 翼 1, 川島 和彰 1,
が太陽電池特性に及ぼす影響
尾坂 格 1, 瀧宮 和男 1
13p-P9-3 有機薄膜太陽電池における酸化モリブデンの熱処理効果
小堀 稔史 1, 〇戸田 明日来 2, 鎌田 憲彦 2, 福田 武司
2
13p-P9-4 順型、逆型有機薄膜太陽電池における活性層膜厚の影響
13p-P9-5 光強度変調光電圧分光法による有機薄膜太陽電池の電荷寿命評
価
13p-P9-6 近赤外光で発電する有機薄膜太陽電池に向けた酸化物系半導体
の作製と検討
13p-P9-7 半透明有機薄膜太陽電池の上下電極への同時光照射による光電
変換特性の向上
13p-P9-8 分子内立体規則性を制御したベンゾチエノイソインディゴ共重
合体の設計
13p-P9-9 フェノチアジン骨格を有するｐ型半導体材料を用いた有機薄膜
太陽電池の作製と評価
13p-P9-10 大気化においてトランスファープリントで作製された適切なド
ナー・アクセプター濃度勾配の逆型有機薄膜太陽電池
13p-P9-11 新規可溶性オリゴチオフェン系材料を用いた有機薄膜太陽電池
13p-P9-12 逆構造有機薄膜太陽電池の最適膜厚と寿命の関係
13p-P9-13 熱圧着による ZnO 系フレキシブル色素増感太陽電池の特性改
善
13p-P9-14 酸化チタンナノチューブ光電極を用いた色素増感太陽電池にお
ける接着層材料依存性
13p-P9-15 色素増感太陽電池動作に対する分光モニタリングシステムの開
発
13p-P9-16 酸化亜鉛ナノロッド鋳型を用いた酸化チタンナノチューブ光電
極の特性
1. 電通大基盤理工 , 2. 九工大生命体工 , 3.JSTCREST
1.Univ. Electro-Commun., 2.Nanjing Tech. Univ.,
3.CREST JST, 4.Kyushu Inst. Tech.
1. 電通大先進理工 , 2. 九工大生命体工 , 3.JST
CREST
1. 東大先端研 , 2. 東大院総合文化
1.GSST, Shizuoka Univ., 2.GIST, Shizuoka Univ.
1. 理研 CEMS
1. 理研 CEMS
1. キャノン電子株式会社 , 2. 埼玉大理工
〇高比良 和也 2, 小堀 稔文 1, 福田 武司 2, 鎌田 憲彦 1. キャノン電子株式会社 , 2. 埼玉大
2
〇杉山 拓也 1, 永瀬 隆 1,2, 小林 隆史 1,2, 内藤 裕義 1,2 1. 大阪府立大 , 2. 大阪府立大分子エレクトロニッ
クデバイス研
〇吉田 一貴 1, 桑野 航平 1, 大橋 昇 1, 杉山 睦 2, 渡 1. 諏訪理大工 , 2. 東理大理工
邊 康之 1
〇塚 昌樹 1, 田中 仙君 1
1. 近畿大院総合理工
〇井出 茉里奈 1, 佐伯 昭紀 1
1. 阪大院工
〇 (M1) 向井 康智 1, 松村 俊祐 1, 安原 稔 1, 中谷 研
二 1, 大久保 貴志 1, 前川 雅彦 1, 黒田 孝義 1
〇 (M1) 安齊 拓也 1, 稲葉 柊生 1, William Porzio2,
Varun Vohra1
〇 (M1) 秋山 雄希 1,2, 橘 浩昭 1, 阿澄 玲子 1, 宮寺
哲彦 1, 近松 真之 1, 小金澤 智之 3, 矢口 裕之 2, 八木
修平 2
〇中美 総司 1, 小林 隆史 1,2, 永瀬 隆 1,2, 内藤 裕義 1,2
1. 近畿大理工
1. 電通大 , 2.ISMAC-CNR
1. 産総研 , 2. 埼玉大 , 3. 高輝度研究セ
1. 大府大 , 2. 分子エレクトロニックデバイス研
Shamimul Haque1, 加藤 慎也 1, 岸 直希 1, 〇曽我 哲 1. 名工大
夫1
〇 (M2) 森 逸誠 1, 藤満 新太 1, 加藤 慎也 1, 岸 直希 1. 名工大工
1
, 曾我 哲夫 1
〇高槻 大地 1, 鐘本 勝一 1
1. 阪市大院理
〇遠藤 頼夢 1, 近藤 篤義 1, Hirulak Siriwardena2, 下 1. 静大院工 , 2. 静大院創造
村 勝 1,2
12 有機分子・バイオエレクトロニクス / Organic Molecules and Bioelectronics
16p-P7-7 ユーロピウム錯体ポリマーを用いた有機発光ダイオードの作製 〇福留 淳 1,3, 高田 誠 1,3, 菅原 猛司 2, 名取 詩織 2, 長
谷川 靖哉 2, 永瀬 隆 1,3, 小林 隆史 1,3, 内藤 裕義 1,3
16p-P7-8 デバイスシミュレーションによる有機薄膜トランジスタの動特 〇末永 悠 1, 永瀬 隆 1,2, 小林 隆史 1,2, 内藤 裕義 1,2
性評価
16p-P7-9 光応答性表面処理材料の開発と無電解めっきによる
〇川上 雄介 1, 小泉 翔平 1, 堀 正和 1, 林田 洋祐 1,
レジストフリー微細配線形成技術
鬼頭 義昭 1
E 16p-P7-10 Gate-bias and Temperature dependence in C8-BTBT Thin
〇 BINTI SHAARI SAFIZAN1, Shigeki Naka1,
Film Transistor with Bilayer MoO3/Au
Hiroyuki Okada1
16p-P7-11 電界誘起光第二次高調波発生法による有機発光トランジスタの 〇 (M2) 波多野 孝慈 1, 田口 大 1, 間中 孝彰 1, 岩本
キャリア挙動の評価
光正 1
16p-P7-12 Cn-BNA を用いた有機単結晶トランジスタの特性評価
〇小野塚 智也 1, 門崎 正樹 2, 岡本 一男 2, 功刀 義人
1
, 長瀬 裕 1
16p-P7-13 凸版反転印刷電極を用いたトップコンタクト型有機トランジス 〇 (B) 圓岡 岳 1,3, 竹田 泰典 2,3, 吉村 悠大 4, 岡本 朋
タの作製
子 4, 松井 弘之 2,3, 熊木 大介 2,3, 田中 康裕 5, 片山 嘉
則 4, 時任 静士 2,3
16p-P7-14 紫外線重合したポリシルセスキオキサンゲート絶縁膜を用いた 〇岡田 秀一 1, 中原 佳夫 1, 宇野 和行 1, 田中 一郎 1
ペンタセン薄膜トランジスタのキャリア移動度に対する低分子
架橋剤の影響
16p-P7-15 表面窒化 SiO2 膜を用いた大電流テトラセン薄膜トランジスタ 〇中尾 弘樹 1, 岩崎 好孝 1, 上野 智雄 1
の評価
16p-P7-16 DNTT 薄膜トランジスタにおけるコンタクトドーピングの実 〇 (M1) 山本 亮 1, 野田 啓 1, 和田 恭雄 1, 鳥谷部 達
2
験的・数値的検討
16p-P7-17 高速分子線セルによる薄膜成長：高流束化による移動度向上効 〇信長 賢輝 1, 松本 拓也 1, 松原 亮介 2, 小島 広孝 1,
果
中村 雅一 1
16p-P7-18 ゲート電極表面形状の平滑化と DC バイアス耐性の改善
〇栗原 一徳 1, 延島 大樹 1, 植村 聖 1, 小笹 健仁 1,
吉田 学 1
16p-P7-19 塗布プロセスによる有機フローティングゲート不揮発性有機ト 〇塩野 郁弥 1, 永瀬 隆 1,2, 小林 隆史 1,2, 内藤 裕義 1,2
ランジスタメモリ
16p-P7-20 標識酵素反応と組み合わせた延長ゲート有機トランジスタ型バ 〇 (B) 眞野 泰誠 1, 松井 弘之 2,3, 熊木 大介 2,3, 古澤
イオサンサ
宏幸 3, 時任 静士 1,2,3
12.5 有機太陽電池 / Organic solar cells
9/13(Tue.) 13:15 - 15:30 口頭講演 (Oral Presentation) B4 会場
13:15
招 13p-B4-1 [12．有機分子・バイオエレクトロニクス　分科内招待講演 ] 〇沈 青 1, 豊田 太郎 1
量子ドット太陽電池のナノ界面制御と高効率化
13:45
13p-B4-2 CdSe 量子ドット / ルチル型 TiO2 単結晶増感系の光誘起電子 〇豊田 太郎 1,6, ウイトｳーン インデｲースク 1, 神山
移動評価：速度定数と移動成分のドットサイズ依存性
慶太 2, 片山 建二 3, 小林 久芳 4, 早瀬 修二 5,6, 沈 青 1,6
12.5 有機太陽電池 / Organic solar cells
12 有機分子・バイオエレクトロニクス / Organic Molecules and Bioelectronics
13p-P9-17 酸化チタンナノ微粒子とナノチューブによる２層構造を有する
色素増感太陽電池の特性
13p-P9-18 酸化チタンナノチューブ薄膜の作製と色素増感型太陽電池への
応用
13p-P9-19 機能性配位子を用いたペロブスカイト太陽電池 (IV)
-2 種のフラーレン誘導体を有するペロブスカイト薄膜の評価 13p-P9-20 新規アミンを用いたペロブスカイト太陽電池
〇鈴木 一平 1, 遠藤 頼夢 1, 下村 勝 1
1. 静大院工
〇森 大輔 1, 平賀 章浩 1, 川上 亮 1, 佐藤 祐喜 1, 吉 1. 同志社大院理工
門 進三 1
〇今田 真央 1,2, 藤田 正博 1, 竹岡 裕子 1,2, 陸川 政弘 1. 上智大理工 , 2.ALCA
1
〇 (M1) 上松 祥希 1,2, 藤田 正博 1, 竹岡 裕子 1,2, 陸
川 政弘 1
13p-P9-21 ペロブスカイト結晶 /p 型有機半導体ヘテロ界面の正孔移動過 〇石田 直輝 1, 若宮 淳志 2,3, 佐伯 昭紀 1,3
程
13p-P9-22 真空蒸着を用いた高安定性ホルムアミジニウムヨウ化鉛多結晶 紺野 晃央 1, 〇松下 智紀 1,2, 佐野 惇郎 1, 中村 唯我 1,
薄膜の作製
近藤 高志 1,2
13p-P9-23 回路シミュレータによる太陽電池 IV 特性ヒステリシスの検討 〇豊島 安健 1
13p-P9-24 有機無機ペロブスカイト化合物の構造安定性と電荷分布
1. 上智大理工 , 2.ALCA
1. 阪大院工 , 2. 京大化研 , 3.JST さきがけ
1. 東大工 , 2. 東大先端研
1. 産総研省エネ
〇山本 久美子 1, 飯久保 智 1, 尾込 裕平 1, 早瀬 修二 1. 九工大生命体
1
13p-P9-25 ペロブスカイト太陽電池の正孔輸送層の特性及び経時変化の研 〇 (M1) 山野 侑香 1, 菅 亮太 1, 谷 忠昭 2, 内田 孝幸 1. 東京工芸大工 , 2. 日本写真学会
1
究
13p-P9-26 酸化チタン／ハロゲン化鉛ペロブスカイト複合膜の作製
〇 (M1) 市井 諒 1, 池上 和志 1, 宮坂 力 1
1. 桐蔭横浜大院工
13p-P9-27 バインダーフリー低温製膜酸化チタンペーストを用いるペロブ
スカイト太陽電池の特性
13p-P9-28 グアニジンヨウ化水素酸塩を用いたペロブスカイト太陽電池の
真空蒸着
13p-P9-29 ZnO ナノ構造体を電子輸送層に用いたぺロブスカイト太陽電
池の作製および特性評価 (III)
13p-P9-30 単純積層型無機系ペロブスカイト太陽電池の作製手法の検討
〇 (M1) 秋山 航汰 1, 池上 和志 1, 宮坂 力 1
1. 桐蔭横浜大院
〇石橋 浩伸 , 片山 美樹雅 , 田中 仙君 , 嘉治 寿彦 1. 農工大工 , 2. 近畿大理工
1
1
2
1
〇木内 宏弥 1, 竹内 大将 1, 高野 菜丘 1, 横倉 瑛太 2,1, 1. 法政大生命科学 , 2. 法政大院理工 , 3. 法政大マ
稲見 栄一 4, 緒方 啓典 1,2,3
イクロ・ナノ研 , 4. 千葉大融合研
〇山本 晃平 1, 米澤 叶祐 1, Shahiduzzaman Md1, 古 1. 金沢大院自 , 2. 九工大院 , 3. 金沢大 RSET, 4. 金
本 嘉和 1, S.Ripolles Teresa2, 辛川 誠 1,3,4, 桑原 貴之 沢大 InFiniti
1,3
, 髙橋 光信 1,3, 早瀬 修二 2, 當摩 哲也 1,3,4
13p-P9-31 ペロブスカイト太陽電池における金属酸化物層の作製法が
〇竹内 大将 1, 木内 宏弥 1, 高野 菜丘 1, 横倉 瑛太 2, 1. 法政大生命科学 , 2. 法政大院 , 3. 法政大ﾏｲｸﾛ・ﾅ
キャリア輸送特性に及ぼす効果
稲見 栄一 4, 緒方 啓典 1,2,3
ﾉ研 , 4. 千葉大院融合研
13p-P9-32 エレクトロルミネッセンス発光強度の回復に対するホール輸送 〇山本 智妃呂 1, 前田 勝典 1, 山川 ジョエル 1, 金子 1. 東海大院工 , 2. 東海大理
層の影響
哲也 1, 勝又 哲裕 2, 功刀 義人 1, 磯村 雅夫 1
E 13p-P9-33 Positional Fluctuation of Photoconductivity in Lead Iodide
〇 (M1)Frank Elias Caraballo1, Masataka Kumano1, 1.Osaka University, Graduate School of
Perovskite films Evaluated by Spatial- and Time-Resolved
Akinori Saeki1,2
Engineering, Applied Chemistry, 2.JST-PRESTO
Microwave Conductivity
13p-P9-34 全蒸着型ペロブスカイト太陽電池の作製及び評価
〇佐野 健志 1, 北澤 勉 1, 庄 陶鈞 1, 城戸 淳二 1
1. 山形大
13p-P9-35 ペロブスカイト太陽電池における多孔質酸化チタン層の TiCl4 〇原田 隆史 1, Karimah Adli Hasyiya1, 伊藤 省吾 2, 1. 大阪大 , 2. 兵県大工 , 3. 甲南大
処理効果
中西 周次 1, 池田 茂 3
13p-P9-36 エリプソメトリーによるペロブスカイト薄膜の屈折率評価
〇野田 武司 1, 白井 康裕 1, 宮崎 英樹 1, 柳田 真利 1, 1. 物質・材料研究機構
宮野 健次郎 1, 韓 礼元 1
13p-P9-37 ハロゲン化銅と HATNA-Me6 からなる d- π複合体を用いた太 〇 (M1) 堀井 俊也 1, 大久保 貴志 1, 前川 雅彦 1, 黒 1. 近大理工
陽電池の作製
田 孝義 1
13p-P9-38 CVD 法によるバリア膜の形成とフレキシブル有機デバイスへ 〇立花 勇太郎 1, 横田 知之 1, 雪田 和歌子 1, 小泉 真 1. 東大工
の応用
理 1, 染谷 隆夫 1
9/14(Wed.) 9:00 - 12:00 口頭講演 (Oral Presentation) A41 会場
9:00
奨 14a-A41-1 蒸着法によりインターカレートを制御した単純積層型 CsPbI3 〇米澤 叶祐 1, 山本 晃平 1, Shahiduzzaman Md1, 古 1. 金沢大院自 , 2. 九工大院 , 3. 金沢大 RSET, 4. 金
ペロブスカイト太陽電池の作製
本 嘉和 1, S. Ripolles Teresa2, 辛川 誠 1,3, 桑原 貴之 沢大 InFiniti
1,3
, 高橋 光信 1,3, 早瀬 修二 2, 當摩 哲也 1,3,4
9:15
奨 E 14a-A41-2 Sulfur doped lower band gap bismuth based perovskites for
〇 vigneshwaran Murugan1, Takeshi Ohta1, Satoshi 1.KIT, 2.Univ of Electrocomm, 3.Miyazaki Univ,
future solar cells
Iikubo1, Gaurav Kapil1, Teresa Ripolles1, Yuhei
4.Ritsumeikan Univ
Ogomi1, Tingli Ma1, Shyam Pandey1, Qing Shen2,
Taro Toyoda2, Kenji Yoshino3, Takashi Minemoto4,
Shuzi Hayase1
9:30
奨 E 14a-A41-3 Perovskite Solar Cells analysis under dark based on charge
〇 (P)Teresa Ripolles1, Ajay K. Baranwal1, Koji
1.Kyutech for Kyushu Institute of Technology,
accumulation mechanisms.
Nishinaka1, Yuhei Ogomi1, Germa Garcia2.INAM for Institute of Advance Materials
Belmonte2, Shuzi Hayase1
1
1
9:45
奨 E 14a-A41-4 Perovskite-type Solar Cells based on ZnO Nanorods Array
〇 (D)Albertus Bramantyo , Masayuki Okuya ,
1.Shizuoka Univ., 2.Univ. of Indonesia
Kenji Murakami1, Nji Raden Poespawati2, Arief
Udhiarto2
10:00
奨 14a-A41-5 色素増感太陽電池のエージング時に起こる I-V 特性変化の解析 〇勝亦 健治 1, 橘田 真実 1, 中 圭介 1, 岡田 顕一 1
1. フジクラ
10:15
休憩 /Break
10:30
奨 14a-A41-6 時間分解発光および光電流測定を用いた鉛ハライドペロブスカ
イト太陽電池ヘテロ界面におけるキャリア注入機構の研究
10:45
奨 14a-A41-7 ハイブリッドペロブスカイト半導体における光学遷移：
センターカチオンの効果
11:00
奨 14a-A41-8 有機‐無機ハイブリッドペロブスカイト結晶の特性に対する金
属酸化物基材の表面構造の影響
11:15
奨 14a-A41-9 コロイド溶液プロセスに基づいたテンプレート型ペロブスカイ
ト太陽電池
11:30
奨 14a-A41-10 Li イオンドープ Brookite TiO2 を用いたペロブスカイト太陽電
池
11:45 奨 E 14a-A41-11 CH3NH3PbI3 Perovskite Solar Cells Employing CuPhthalocyanine Doped Poly-3-hexylthiophene HoleTransporting Layer
9/15(Thu.) 9:00 - 12:15 口頭講演 (Oral Presentation) A41 会場
9:00
奨 15a-A41-1 蒸着型有機薄膜太陽電池における電極界面層と基板の機能
9:15
奨 15a-A41-2 ナフトチオフェンジイミド（NTI）の開発と n 型有機半導体材
料への応用
9:30
奨 15a-A41-3 液晶性フタロシアニン類縁体混合ドナー材料を用いたバルクへ
テロ接合薄膜太陽電池
9:45
奨 15a-A41-4 液晶性フタロシアニンを用いたガラスサンドイッチセル型有機
太陽電池
10:00
E 15a-A41-5 High efficient solar cell utilizing phthalocyaninetetrabenzoporphyrin hybrid macrocycles
〇 (M2) 半田 岳人 1, Tex David M.1, 嶋崎 愛 1, 若宮 1. 京大化研
淳志 1, 金光 義彦 1
〇加藤 雅人 1, 藤関 健正 1, 宮寺 哲彦 2, 杉田 武 2,
1. 岐阜大工 , 2. 産総研
藤本 祥平 1, 玉腰 正人 1, 近松 真之 2, 藤原 裕之 1
〇竪山 瑛人 1, 米谷 真人 1,2, 椿 俊太郎 1, 和田 雄二 1 1. 東工大院理工 , 2. 東大先端研
〇 (D) 野間 大史 1,2, Zhang Ye2, Yao Zhibo2, 林 紅 2, 1. 東工大・工学院 , 2. 清華大・材料学院
岩本 光正 1
〇 (PC) 古郷 敦史 1, 實平 義隆 1, 沼田 陽平 1, 池上 1. 桐蔭横浜大
和志 1, 宮坂 力 1
〇 (D)Vincent Obiozo Eze1, Yoshiyuki Seike1,
1.Aichi Inst. of Tech.
Tatsuo Mori1
〇片山 美樹雅 1, 嘉治 寿彦 1
〇中野 正浩 1, 金 志勲 1, Chen Wangqiao1,2, 尾坂 格
1
, 瀧宮 和男 1
〇藤田 健斗 1, 仲川 大 1, Dao Quang-Duy1, 藤井 彰
彦 1, 清水 洋 2, 尾崎 雅則 1
〇臼井 稔喜 1, 仲田 裕哉 1, Banoukepa Gilles De
Romeo1, 藤井 彰彦 1, 尾﨑 雅則 1
〇 (PC)QuangDuy Dao1, Akihiko Fujii1, Ryotaro
Tsuji2, Yuko Takeoka3, Yo Shimizu4, Masanori
Ozaki1
1. 東京農工大
1. 理研 CEMS, 2. 南洋理工大学
1. 阪大院工 , 2. 産総研ユビキタス
1. 阪大院工
1.Osaka University, 2.KANEKA Corporation,
3.Sophia Univ, 4.AIST
12.5 有機太陽電池 / Organic solar cells
10:15
10:30
15a-A41-6 チアゾロチアゾール系半導体ポリマーにおける側鎖の位置が
OPV 素子の耐熱性に及ぼす影響
休憩 /Break
10:45
15a-A41-7【注目講演】1 μ m 膜厚基板上の逆型構造ポリマー太陽電池
〇斎藤 慎彦 1, 尾坂 格 1, 瀧宮 和男 1
15:00
15:15
15:30
15:45
16:00
E 15p-A41-7 Composition-dependent photocarrier dynamics in
CH3NH3Pb(I1-xBrx)3 thin films
15p-A41-8 二元蒸着法による CH3NH3PbI3-xClx 膜の電気的・光学的特性評
価
15p-A41-9 ラマン分光法を用いた臭化鉛ペロブスカイト結晶の相転移の研
究
15p-A41-10 錫 - 鉛混合ペロブスカイト太陽電池の電荷分離界面制御に関す
る検討
15p-A41-11 Cs-Sn-I 三元系の安定構造探索
16:15
16:30
16:45
17:00
1. 理研 , 2.JST さきがけ , 3. 東大工
1. 分子研 , 2. 日本化薬株式会社 , 3. 豊橋技科大 ,
4. 大阪府立大 , 5.NEDO
1. 分子研 , 2. 豊橋技科大 , 3. 日本化薬株式会社 ,
4. 大阪府立大 , 5.NEDO
1. 分子研 , 2. 総研大 , 3. 理研 CEMS, 4.UC サンタ
バーバラ , 5. さきがけ
1. 埼玉大学
1. 山梨大
1.AIST-RCPV, 2.Uni. of Oxford (UK), 3.CEREBA
1.Kyushu Univ., 2.JST ERATO, 3.ISIT
1. 法政大生命科学 , 2. 法政大院理工学 , 3. 法政大ﾏ
ｲｸﾛ・ﾅﾉ研 , 4. 千葉大融合研
1. 京大化研
1. 京大化研
1. 上智大理工 , 2. 東大先端研 , 3. 東大工 , 4.JSTALCA
〇 (P)Le Quang Phuong1, Ian L. Braly2, Hugh W.
Hillhouse2, Yoshihiko Kanemitsu1
〇中西 諒 1, 櫻井 勇輝 2, 宮島 晋介 2
1.Kyoto Univ., 2.Univ. of Washington
〇中田 幸佑 1, 古川 行夫 1, 松本 祐樹 2, 下位 幸弘 2,
山成 敏広 3, 山田 康治 4
〇尾込 裕平 1, 沈 青 2,5, 飯久保 智 1, 吉野 賢二 3,5, 峯
元 高志 4,5, 早瀬 修二 1,5
〇飯久保 智 1, 山本 久美子 1, 尾込 裕平 1, 早瀬 修二
1. 早大院先進理工 , 2. 産業技術総合研究所 ,
3.CEREBA, 4. 日大生産工
1. 九工大院生命体工 , 2. 電通大先進理工 , 3. 宮崎
大工 , 4. 立命館大 , 5.JST-CREST
1. 九工大生命体
細谷 恭太 1, 磯谷 祐弥 1, 〇高羽 洋充 1
1. 工学院大先進工
1
1. 東工大院理工 , 2. 東工大工学院
休憩 /Break
15p-A41-12 部分置換ペロブスカイトにおける格子欠陥動的挙動の理論的解
明
15p-A41-13 ペロブスカイト /Si タンデム型太陽電池のコンビナトリアルデ
バイスプロセス：
新奇な薄膜物性その場診断手法
15p-A41-14 有機無機ハイブリッド材料研究開発のためのコンビナトリアル
分子層積層製膜システム
〇松木 伸行 1, 川嶋 一裕 2, 伊髙 健治 3, 岡本 裕二 4, 1. 神奈川大工 , 2.（株）コメット , 3. 弘前大 , 4. 筑
鈴木 義和 4, 佐藤 知正 1, 鯉沼 秀臣 2,4,5
波大 , 5. 物材機構
〇川嶋 一裕 1, 岡本 裕二 2, 鈴木 義和 2, 伊高 健治
, 松木 伸行 4, 角谷 正友 5, 長沢 春男 1, 佐藤 利弘 1,
鈴木 摂 1, 鯉沼 秀臣 1,2,5
17:15
15p-A41-15 有機ペロブスカイト太陽電池の高効率化の為の酸化チタン緻密 〇八木 崇徳 1, エゼ オビオゾ・ヴィンセント 1, 清
層の表面解析
家 善之 1, 森 竜雄 1
17:30
15p-A41-16 ナノ構造制御による二次元ペロブスカイトの結晶配向性と太陽 〇實平 義隆 1, 古郷 敦史 1, 沼田 陽平 1, 池上 和志 1,
電池特性への影響
宮坂 力 1
17:45
15p-A41-17 TiO2-Perovskite 界面 SnI2/PbI2 パッシベーションの太陽電池特 〇濱田 健吾 1, Ripolles Teresa1, 尾込 裕平 1,4, 沈 青
2,4
性への影響
, 吉野 賢二 3,4, 豊田 太郎 2,4, 早瀬 修二 1,4
9/16(Fri.) 9:00 - 12:00
口頭講演 (Oral Presentation) A41 会場
9:00
招 16a-A41-1 [ 講演奨励賞受賞記念講演 ]
〇尾坂 美樹 1, 近藤 裕也 1, 辨天 宏明 1, 大北 英生 1,
電流計測原子間力顕微鏡で明らかにする共役高分子混合膜の電 伊藤 紳三郎 1
荷輸送構造
9:15
16a-A41-2 共役高分子の相分離界面における高効率自由電荷生成
〇松永 宏樹 1, 石田 翔大 1, 辨天 宏明 1, 大北 英生 1,
伊藤 紳三郎 1
9:30
16a-A41-3 配向制御したドナー・アクセプター界面での電荷分離・再結合 〇嶋田 佳幾 1, 井出 茉里奈 1, 田代 基慶 2, 河東田 道
夫 3, 今村 穣 4, 佐伯 昭紀 1,5
9:45
16a-A41-4 共役高分子薄膜の Donor/Acceptor 相分離界面における電荷対 〇辨天 宏明 1, 山本 航平 1, 川村 大地 1, 大北 英生 1,
再結合機構
伊藤 紳三郎 1
10:00
16a-A41-5 赤外分光法による P3HT:PCBM 混合膜のキャリヤートラップ 〇齋藤 諒人 1, 古川 行夫 1
の活性化エネルギーに関する研究
10:15
16a-A41-6 ラマン分光法を用いた有機薄膜太陽電池の P3HT:ICBA 層の温 〇丸山 薫平 1, 古川 行夫 1, 川端 宏信 2, 中村 昭仁 2,
度測定
吉沼 由香 3, 山成 敏広 3, 筒井 哲夫 3
10:30
休憩 /Break
10:45
16a-A41-7 高分子太陽電池の光劣化機構
11:00
16a-A41-8
11:15
E 16a-A41-9
11:30
16a-A41-10
11:45
16a-A41-11
3
〇大北 英生 1, 玉井 康成 1, 生天目 美貴 2, 丸本 一弘
, 下村 悟 3,4, 山成 敏広 3, 伊藤 紳三郎 1
固体 NMR 分光法によるバルクヘテロ接合型有機薄膜太陽電池 〇 (M2) 河野 紗希 1, 緒方 啓典 1,2
の局所構造解析
Ionization Potential Studies on Self-Assembling
〇 (P)Woong Shin1, Yumi Higuchi1, Lydia SosaPerfluoroalkylated Phthalocyanine and PC61BM affected by
Vargas1, Akihiko Fujii2, Masanori Ozaki2, Yo
Fluorophilic/Fluorophobic Interaction
Shimizu1
1 sun 照射下で S 字特性を示すバルクヘテロジャンクション型 〇多田 和也 1
光電池の低照射光特性
有機薄膜太陽電池モジュールの光照射ならびに暗所保管による 〇佐藤 梨都子 1, 千葉 恭男 1, 近松 真之 1, 吉田 郵司
1
出力変化
, 増田 淳 1
2
1. コメット , 2. 筑波大 , 3. 弘前大 , 4. 神奈川大 ,
5.NIMS
1. 愛知工大
1. 桐蔭横浜大院工
1. 九工大院生命体工 , 2. 電気通信大学 , 3. 宮崎大工 ,
4.JST-CREST
1. 京大院工
1. 京大院工
1. 阪大院工 , 2. 東洋大 , 3. 理研 , 4. 首都大院理 ,
5.JST さきがけ
1. 京大院工
1. 早大先進理工
1. 早大院先進理工 , 2. 分光計器 , 3.CEREBA
1. 京大院工 , 2. 筑波大数物 , 3.CEREBA, 4. 東レ
1. 法政大理工 , 2. 法政大ﾏｲｸﾛ・ﾅﾉﾃｸ研
1.AIST-Kansai, 2.Osaka Univ.
1. 兵庫県立大工
1. 産総研
12 有機分子・バイオエレクトロニクス / Organic Molecules and Bioelectronics
〇福田 憲二郎 1,2, 甚野 裕明 1, 鈴木 康仁 1, 尾坂 格 1,
瀧宮 和男 1, 染谷 隆夫 1,3
11:00
15a-A41-8 高移動度有機単結晶薄膜によるミリメーターホール横取り出し 〇菊地 満 1,5, 新村 祐介 1,5, 廣田 真樹 1,5, 阿部 正宏
2,5
光起電力セル
, 貞光 雄一 2, Aye Myint Moh3,5, 伊﨑 昌伸 3,5, 内
藤 裕義 4,5, 平本 昌宏 1,5
11:15
15a-A41-9 高移動度有機単結晶膜における横方向キャリア輸送を利用した 〇菊地 満 1,5, Aya Myint Moh2,5, 阿部 正宏 3,5, 貞光
D/A 超格子型有機太陽電池
雄一 3, 内藤 裕義 4,5, 伊﨑 昌伸 2,5, 平本 昌宏 1,5
11:30
15a-A41-10 表面単分子層に誘起された有機半導体薄膜の結晶化
〇伊澤 誠一郎 1,2, 中野 恭兵 3, 鈴木 かおり 3, 橋爪
大輔 3, Nguyen Thuc-Quyen4, 但馬 敬介 3,5
11:45
15a-A41-11 シード層による酸化亜鉛ナノロッドの形状制御と太陽電池への 〇裏谷 雄大 1, 福田 武司 1, 鎌田 憲彦 1, 本多 善太郎
1
応用
12:00
15a-A41-12 高導電 PEDOT:PSS の合成とハイブリッド太陽電池への応用 〇雨宮 裕希 1, 勝山 直哉 1, 工藤 一希 1, 奥崎 秀典 1
9/15(Thu.) 13:15 - 18:00 口頭講演 (Oral Presentation) A41 会場
13:15
E 15p-A41-1 Stability of Perovskite Solar Cells Under Continous Illumination 〇 Said Kazaoui1, Nobuko Onozawa-Komatsuzaki1,
Takashi Funaki1, Zhiping Wang2, Hideo Yamagishi3
13:30
E 15p-A41-2 Multifunctional Additive for Stable and Efficient Perovskite
〇 Chuanjiang Qin1,2, Toshinori Matsushima1,2,
Solar Cells
Takashi Fujihara3, Chihaya Adachi1,2
13:45
15p-A41-3 ペロブスカイト太陽電池を構成するヘテロ接合薄膜の構造と電 〇緒方 啓典 1,2,3, 木内 宏弥 1, 竹内 大将 1, 高野 菜丘
1
子物性
, 横倉 瑛太 2, 稲見 栄一 4
14:00
15p-A41-4 CsPbBr3 ペロブスカイトナノ粒子の作製と光学特性
〇 (M1) 鎗田 直樹 1, 田原 弘量 1, 井原 章之 1, 川脇
徳久 1, 佐藤 良太 1, 猿山 雅亮 1, 寺西 利治 1, 金光
義彦 1
14:15
15p-A41-5 時間分解発光分光による CH3NH3PbCl3 単結晶の光キャリアダ 〇 (D) 山田 琢允 1, 中池 由美 1, 若宮 淳志 1, 金光
イナミクス
義彦 1
14:30
15p-A41-6 有機無機ペロブスカイト物質 CH3NH3PbBr3 の励起子物性
〇宇田川 洋祐 1, 清田 祐貴 1, 中村 唯我 2,3, 佐野 惇
郎 2,3, 松下 智紀 2,3,4, 欅田 英之 1,4, 竹岡 裕子 1,4, 近
藤 高志 2,3,4, 江馬 一弘 1,4
14:45
休憩 /Break
1. 理研 CEMS
12.6 ナノバイオテクノロジー / Nanobiotechnology
12 有機分子・バイオエレクトロニクス / Organic Molecules and Bioelectronics
9/16(Fri.) 13:15 - 15:30 口頭講演 (Oral Presentation) A41 会場
13:15
E 16p-A41-1 Study pertaining to spray deposited Cs2SnI6 thin films for
perovskite solar cells
13:30
13:45
14:00
14:15
14:30
14:45
15:00
15:15
〇 (P)Gaurav Kapil1, Takeshi Ohta2, Yuhei Ogomi2,
Tsuguo Koyonagi2, Kenji Yoshino3, Qin Shen4,
Taro Toyoda4, Takashi Minemoto6, Takurou N.
Murakami5, Hiroshi Segawa1, Shuzi Hayase2
E 16p-A41-2 Fabrication of TCO-less hybrid perovskite solar cell
〇 (D)Zhaosheng Hu1, Shuzi Hayase1
16p-A41-3 二段階法による FA1-xCsxPbI3 薄膜の作製及び評価
〇石川 良 1, 上野 啓司 1, 白井 肇 1
16p-A41-4 新規溶媒蒸気 - 熱アニール法による高効率ペロブスカイト太陽 〇沼田 陽平 1, 古郷 敦史 1, 實平 義隆 1, 宮坂 力 1
電池
休憩 /Break
16p-A41-5 二次元系ペロブスカイトの太陽電池への応用 ( Ⅱ )
​-Intercalation 法による二次元三次元混合ペロブスカイト構造
の作製 16p-A41-6 金箔を電極に用いたぺロブスカイト太陽電池の作製条件の最適
化
16p-A41-7 有機を下地層とするペロブスカイト形成過程におけるガスブ
ローの影響
16p-A41-8 超音波噴霧法による CH3NH3PbI3 薄膜の作製
12.6 ナノバイオテクノロジー / Nanobiotechnology
9/13(Tue.) 9:00 - 12:15 口頭講演 (Oral Presentation) B10 会場
9:00
13a-B10-1 液中 FM-AFM による DNA オリガミの構造・物性評価
9:15
13a-B10-2 biotin 修飾探針を用いた AFM による streptavidin-biotin 相互
作用力評価
9:30
13a-B10-3 液中 AFM によるピラー [5] アレーン - ゲスト分子複合体形成
の直接計測
9:45
奨 13a-B10-4 振幅変調型原子間力顕微鏡を用いた分子認識イベントの高速ナ
ノスケールマッピング
10:00
13a-B10-5 液中 AFM を用いた streptavidin 2 次元結晶の構造変化のその
場観察
10:15
13a-B10-6 高速イオン伝導顕微鏡による生物試料の高解像観察
10:30
10:45
休憩 /Break
1.University of Tokyo, 2.Kyu. Inst. Tech., 3.Uni.
Miya., 4.Uni. Elect., 5.Adv.Ind.Sc.&Tech., 6.Ritsu.
Uni.
1.LSSE for Kyushu Institute of Technology
1. 埼玉大学院理工
1. 桐蔭大院工
〇 (M1) 濱口 龍樹 1,2, 藤田 正博 1, 竹岡 裕子 1,2, 陸
1. 上智大理工 , 2.ALCA
〇寺井 篤史 1, 酒井 平祐 1, 村田 英幸 1
1. 北陸先端大
川 政弘 1
〇五反田 武志 , 森 茂彦 , 大岡 青日 , 丁 香美 ,
都鳥 顕司 1, 中尾 英之 1
〇 (M2) 宇井 賢 1, 池之上 卓己 1, 三宅 正男 1, 平藤
哲司 1
1. 東芝
〇山本 悠樹 1, 木南 裕陽 1, 小林 圭 1,2, 山田 啓文 1
〇宮本 眞之 1, 木南 裕陽 1, 小林 圭 1,2, 山田 啓文 1
1. 京大工 , 2. 京大白眉セ
1. 京大工 , 2. 京大白眉セ
1
1
1
1
1. 京大院エネ化
〇 (B) 澤田 悠太 1, 稲田 なつみ 1, 福間 剛士 1, 高島 1. 金大理工 , 2.JST さきがけ
柊 1, 生越 友樹 1,2, 太田 明雄 1, 淺川 毅 1, 淺川 雅 1,2
〇 (DC) 丹生 隆 1, 大橋 りな 1, 林 智広 1,2
1. 東工大物質理工 , 2. 理研
〇濱田 貴裕 1, 木南 裕陽 1, 宮本 眞之 1, 小林 圭 1,2, 1. 京大院工 , 2. 京大白眉セ
山田 啓文 1
〇渡辺 信嗣 1, 渡辺 大輝 2, 古寺 哲幸 1,3, 内橋 貴之 1. 金沢大バイオ AFM, 2.RIBM, 3.JST さきがけ ,
1,4
, 安藤 敏夫 1,4
4.JST CREST
1. 北海道大学 , 2. 南洋理工大学
11:00
13a-B10-7 走査型イオンコンダクタンス顕微鏡による細胞膜揺らぎの 2 次 〇青木 鉄馬 1, 田中 良昌 1, Nam-Joon Cho2, 岡嶋
元マッピング測定
孝治 1
13a-B10-8 原子間力顕微様による酵母細胞の弾性率の網羅計測
〇 (D) 田中 良昌 1, 有友 亮太 2, 潮井 徹 2, 岡嶋 孝
11:15
13a-B10-9 細胞間接着力計測を目指したカップ形状 AFM チップの作製
1. 産総研バイオメディカル研究部門 , 2. 東京農工
大院工学府
1.Tokyo Univ.
治1
〇金 賢徹 1, 山岸 彩奈 1, 今泉 美玖 2, 中村 史 1,2
11:30
E 13a-B10-10 Effect of physical stimulus for cell alignment and differentiation 〇 (M2)Xuesi Li1, Hiroyasu Yamahara1, Hitoshi
Tabata1
11:45
13a-B10-11 誘電泳動法と細胞鋳型膜による細胞の特異捕捉の理論解析
〇田村 守 1, 沼田 紘志 2, 床波 志保 2, 飯田 琢也 1
12:00
13a-B10-12 微生物培養制御のための寒天培地表面パターニング
〇礒島 隆史 1, 内山 茂 1, 伊藤 嘉浩 1, 中村 振一郎 1
9/14(Wed.) 9:00 - 12:15 口頭講演 (Oral Presentation) B10 会場
9:00
14a-B10-1 超低アスペクト比ポアによる細菌形状識別
〇筒井 真楠 1, 横田 一道 1, 有馬 彰秀 1, 殿村 渉 1,
谷口 正輝 1, 鷲尾 隆 1, 川合 知二 1
9:15
奨 14a-B10-2 液槽外の静電気によるソリッドナノポアメンブレンの絶縁破壊 〇松井 一真 1, 後藤 佑介 1, 柳 至 1, 柳川 善光 1, 石
毛 悠1
9:30
14a-B10-3 電極埋め込み型ナノポアの AC ゲート電位による DNA の挙動 〇坂下 直人 1, 加藤 佑太 1, 石田 研太郎 1, 三井 敏之
1
制御
9:45
奨 14a-B10-4 配向性ポリビニルアルコール / カーボンナノチューブ複合ナノ 〇清水 亮和 1, 加藤 勇斗 1, 佐藤 太河 1, 串田 正人 1
ファイバーの作製および特性評価
10:00
14a-B10-5 自己組織化ペプチドを分子足場とした MoS2 バイオセンサ
〇 (B) 谷津 一希 1, 佐久間 洸平 1, Linhao Sun1, 増
島 弘顕 1, 早水 裕平 1
10:15
E 14a-B10-6 Tuning the morphologies, ordering and stability of self〇 (D)Linhao Sun1, Takuma Narimatsu1, Shohei
assembly peptide on two dimensional materials: application for Tsuchiya1, Tomohiro Taraka1, Peiying Li1, Yuhei
sequential-assembly growth of two peptides
Hayamizu1
10:30
休憩 /Break
10:45
11:00
11:15
11:30
11:45
14a-B10-7 ALD 被覆ソフトマテリアルの作製とその応用
〇座間 秀昭 1, 大越 康晴 2, 櫻井 肇 2, 本間 章彦 2,
～ Al2O3 被覆セグメント化ポリウレタンシートの作製とその抗 白石 泰之 3, 三浦 英和 3, 山家 智之 3
血栓性～
14a-B10-8 バクテリオロドプシンを用いた２次元アレイ型バイポーラ光セ 〇笠井 克幸 1, 長谷川 裕之 1, 山田 俊樹 1, 秋葉 誠 1,
ンサーによるオプティカルフロー検出
富成 征弘 1, 梶 貴博 1, 田中 秀吉 1, 岡田 佳子 2, 大
友 明1
奨 E 14a-B10-9 Pressure-free nanoimprinting for LSPR biosensor substrate
〇 Shu Jiang1, Mizuho Murahashi1, Masato Saito1,
fabrication and application as an immunoassay chip in human Eiichi Tamiya1
IgA detection
奨 14a-B10-10 陽極酸化アルミナ基板を用いたナノ多孔質構造バイオセン
〇松田 裕貴 1, 浅井 直人 1, 清水 智弘 1, 新宮原 正三
1
サー
, 伊藤 健 1
14a-B10-11 高圧力顕微鏡法によるタンパク質分子相互作用コントロール 〇 (P) 西山 雅祥 1, 林 真人 2, 瀧口 金吾 2, 原田 慶恵
3
12:00
奨 14a-B10-12 ガラスマイクロピペット先端部におけるサブミクロン熱源の構
築
9/14(Wed.) 13:45 - 15:45 口頭講演 (Oral Presentation) B10 会場
13:45
14p-B10-1 合金の酸化還元電位の予測
14:00
奨 14p-B10-2 フラグメント分子軌道計算に基づく粗視化シミュレーションの
有効パラメータ算定の展開
14:15
14:30
14:45
15:00
14p-B10-3 フラグメント分子軌道計算に基づく有効パラメータを用いる脂
質膜の粗視化シミュレーション
14p-B10-4 ラマン分光法および構造シミュレーションによる骨芽細胞ハイ
ドロキシアパタイトの解析
14p-B10-5 ハイドロキシアパタイト結晶表面における各種アミノ酸のシ
ミュレーションによる挙動解析
14p-B10-6 人工生体膜とナノ空間を利用した 1 分子計測技術の開発
1. 北大情報 , 2. サッポロビール㈱
1. 阪府大院理 , 2. 阪府大院工
1. 理研
1. 阪大産研
1. 日立研開
1. 青学大理工
1. 千葉大院工
1. 東工大
1.Tokyo Institute of Technology
1. アルバック超材研 , 2. 東京電機大理工 , 3. 東北
大加齢研
1. 情通機構 , 2. 電通大情報理工
1.Osaka Univ.
1. 関西大理工
1. 京大白眉セ , 2. 名大院理 , 3. 阪大蛋白
〇川島 実紗 1, 迫園 創和 1, 長崎 秀昭 1, 岩見 健太郎 1. 農工大工
, 太田 善浩 1, 梅田 倫弘 1
1
〇吉武 道子 1, 兼松 秀行 2
1. 物材機構 , 2. 鈴鹿高専
〇奥脇 弘次 1, 望月 祐志 1,2, 小沢 拓 3, 大畠 広介 3, 1. 立教大理 , 2. 東大生研 , 3.( 株 )JSOL, 4. 慶大理
土居 英男 1, 石川 雄太郎 1, 川田 修太郎 1, 泰岡 顕治 工
4
〇土居 英男 1, 奥脇 弘次 1, 望月 祐志 1,2, 小沢 拓 3,
泰岡 顕治 4
〇橋本 彩 1, 森本 千晶 2, 竹立 匡秀 2, 山口 佳則 1,3,
加藤 幸一郎 4, 福澤 薫 5, 村上 伸也 2, 民谷 栄一 1
〇加藤 幸一郎 1, 橋本 彩 2, 福澤 薫 3, 民谷 栄一 2
1. 立教大理 , 2. 東大生研 , 3.( 株 )JSOL, 4. 慶大理
工
1. 阪大院工 , 2. 阪大院歯 , 3. 華東理工大院理 , 4. み
ずほ情報総研 , 5. 日大松戸歯
1. みずほ情報総研 , 2. 阪大院工 , 3. 日大松戸歯
〇 (D) 安藤 公二 1, 林 文夫 2, 森垣 憲一 1,3
1. 神戸大農 , 2. 神戸大理 , 3. 神戸大バイオシグナ
ル
12.7 医用工学・バイオチップ / Biomedical Engineering and Biochips
15:15
14p-B10-7
15:30
14p-B10-8
9/14(Wed.) 16:00 - 18:00
14p-P18-1
厚さを制御したナノ空間における生体分子検出
脂質ベシクルと微粒子の静電相互作用
ポスター講演 (Poster Presentation) P18 会場
アクティブ搬送方式ナノポア DNA シーケンサ向け装置開発
〇 (M2) 田邊 真志 1, 安藤 公二 1, 森垣 憲一 2
〇加藤 徳剛 1, 鈴木 悠甫 1
1. 神戸大農 , 2. 神戸大バイオシグナル
1. 明大理工
〇赤堀 玲奈 1, 原田 邦夫 1, 後藤 佑介 1, 柳 至 1, 横
井 崇秀 1, 大浦 剛 2, 柴原 匡 1, 武田 健一 1
14p-P18-2 ナノポアやスリットと様々な長さの DNA の相互作用の観測
〇港 聖也 1, Wangwarunyoo Surat2, 坂下 直人 1, 石
田 研太郎 1, 三井 敏之 1
14p-P18-3 マイクロ流路中でのレーザー光誘起熱的相転移による極微量タ 〇 (M1) 植田 眞由 1,2, 西村 勇姿 1,2, 山本 陽二郎 3,
ンパク質検出法の開発
床波 志保 2, 飯田 琢也 1
14p-P18-4 原子間力顕微鏡による 1 細胞力学診断：細胞レオロジー特性の 〇澤野 麻紀 1, 田中 良典 1, 繁富 ( 栗林 ) 香織 2, ス
ばらつきの定量評価
バギョ アグス 1, 末岡 和久 1, 岡嶋 孝治 1
14p-P18-5 ゲルシート上に置いた表皮角層細胞のフォースカーブ測定
〇松岡 宏哉 1, 柳谷 伸一郎 1, 古部 昭広 1
14p-P18-8 タイヤ素材に関する計算化学的研究の試み
14p-P18-9 ペプトイド類のフラグメント分子軌道計算 - その 2
14p-P18-10 前方散乱光瞬時計測によるリゾチーム凝集・結晶化の評価
14p-P18-11 共焦点レーザー顕微鏡を用いた抗 CD3 抗体 -CdSe/ZnS 量子
ドット結合体の生細胞内への導入過程の観察
14p-P18-12 ヘリウム / ネオンイオン顕微鏡技術によるヒト染色体の観察・
加工
14p-P18-13 微細加工シリコンチップにおけるナノエッジ構造と人工脂質二
分子膜形成
1. 青学大理工 , 2.Chulalongkorn Univ.
1. 阪府大院理 , 2. 阪府大院工 , 3. グリーンケム株
式会社
1. 北大情報科学 , 2. 北大新渡戸
1. 徳島大工
〇稲田 なつみ 1, 高島 柊 1, 生越 友樹 1,2, 福間 剛士 1,
澤田 悠太 1, 太田 明雄 1, 淺川 毅 1, 淺川 雅 1,2
〇望月 祐志 1,2, 藤本 真悠 1, 古明地 勇人 3, 飯島 飯
島潤 1, 齊藤 天菜 1, 土居 英男 1, 奥沢 明 4, 牧村 健 4,
中西 貴哉 4, 福澤 薫 2,5, 田中 成典 6
〇石川 雄太郎 1, 奥脇 弘次 1, 川田 修太郎 1, 土居 英
男 1, 望月 祐志 1,2
〇川田 修太郎 1, 望月 祐志 1,2, 袴田 真由 1, 藤田 貴
敏 3, 星 健夫 4
〇若松 孝 1
1. 金大理工 , 2.JST さきがけ
〇宇高 光 1, 福田 武司 1, 鎌田 憲彦 1, 鈴木 美穂 1
1. 埼玉大院理工
1. 立教大理 , 2. 東大生研 , 3. 産総研バイオ , 4. ナ
レッジコミュニケーション , 5. 日大松戸歯 , 6. 神戸
大院情報
1. 立教大理 , 2. 東大生研
1. 立教大理 , 2. 東大生研 , 3. 京大 , 4. 鳥取大
1. 福島高専
〇小川 真一 , 笹倉 颯馬 , 兼吉 航平 , 高田 英明 , 1. 大阪大学 , 2. 鳥取大学 , 3. 産総研ナノエレ
内山 進 1, 福井 希一 1,2
〇荒田 航平 1,2, 平野 愛弓 1,2, 石橋 健一 2,3, 但木 大 1. 東北大院医工 , 2.CREST-JST, 3. 株式会社　半一 ,
介 2,5, 荒木 駿 1,2, 吉田 美優 1,2, 山本 英明 2,4, 庭野 道 4. 東北大学際研 , 5. 東北大通研
夫 1,2,5
14p-P18-14 人工脂質二分子膜形成のための微細孔を有する半導体シリコン 〇但木 大介 1, 平野 愛弓 1, 石橋 健一 2, 荒木 駿 1,
1. 東北大院医工 , 2. 半一 , 3. 東北大通研 , 4. 東北大
チップの作製プロセスの改善
吉田 美優 1, 荒田 航平 1, 大堀 健 3, 山本 英明 4, 庭 学際研
野 道夫 3
14p-P18-15 脂質膜でシールした Si 基板上の微小井戸におけるイオン拡散 〇樫村 吉晃 1, 大嶋 梓 1, 住友 弘二 1,2, 中島 寛 1
1.NTT 物性基礎研 , 2. 兵庫県立大
メカニズム
14p-P18-16 人工脂質二分子膜の浸透圧による変形
〇大嶋 梓 1, 樫村 吉晃 1, 住友 弘二 1,2, 中島 寛 1
1.NTT 物性基礎研 , 2. 兵庫県立大工
1,3
1
1
1
〇 (M2) 小川 裕太 1, 伊藤 和希 1, 横田 圭司 1, 松村
幸子 2, 南澤 宝美后 2, 菅 加奈子 2, 芝 清隆 2, 木村
康男 3, 平野 愛弓 4, 荻野 俊郎 1
14p-P18-18 巨大脂質膜ベシクルを用いたグラフェンと脂質膜の複合構造形 〇 (M2) 磯部 亜紀子 1, 木村 康男 2, 平野 愛弓 3, 荻
成
野 俊郎 1
14p-P18-19 グラフェン酸化物上の多成分脂質二重膜における膜内ドメイン 〇 (M1) 斎藤 駿 1, 岡本 吉晃 1, 手老 龍吾 1,2
の局在化
12.7 医用工学・バイオチップ / Biomedical Engineering and Biochips
9/13(Tue.) 9:00 - 12:15 口頭講演 (Oral Presentation) B8 会場
9:00
13a-B8-1 ハイスループットスクリーニング装置用神経細胞ネットワーク 〇栗田 裕子 1,3, 宇野 秀隆 1,3, 王 志宏 1,3, 吉村 由美
の形成とセルケージ内細胞種の判定
子 2, 小松 由紀夫 2, 宇理須 恒雄 1,3
9:15
E 13a-B8-2 Micropore structure optimization of incubation type planar
〇 Zhihong Wang1,2, Hidetaka Uno1,2, Yuko Kurita1,2,
patch clamp chips
Satoru Nakao3, Noriko Takada3, Masaki Aoyama3,
Mitsukazu Suzui3, Tsuneo Urisu1,2
9:30
13a-B8-3 プレーナーパッチクランプによる単一細胞 mRNA の定量解析 〇宇野 秀隆 1,3, 王 志宏 1,3, 石垣 診祐 2,3, 浮田 芳昭
3,4
と外部汚染の検証
, 高村 禅 3,5, 宇理須 恒雄 1,3
9:45
13a-B8-4 マイクロ加工表面を用いた神経信号伝達の整流性制御
〇松村 亮佑 1,2, 山本 英明 3, 桂林 秀太郎 4, 平野 愛
弓 1, 庭野 道夫 1,5
10:00
13a-B8-5 有機単分子膜パターンにより細胞間接続を制御した 2 細胞神経 〇 (D) 河野 翔 1,2, 藤森 壮也 1, 山本 英明 3, 谷井 孝
回路の構築と解析
至1
10:15
13a-B8-6 心筋細胞の集合体に対するプローブ刺激の影響
〇新井 晋 1, 上原 貴宏 1, 露木 彩葉 1, 石田 研太郎 1,
三井 敏之 1
10:30
休憩 /Break
14p-P18-17 エクソソーム - 基板間の相互作用を利用した特徴抽出
10:45
11:45
13a-B8-7 低温大気圧プラズマを照射した NIH3T3 細胞の遺伝子発現解
析
13a-B8-8 生化学自動分析装置における高精度血球検体分注の検討
13a-B8-9 ヒト胎児腎 HEK293 細胞の細胞外小胞分泌に及ぼす培養条件
の影響
13a-B8-10 フォトニック結晶ナノレーザによる抗原抗体反応センシングの
安定化
13a-B8-11 ナノレーザによるスペクトル分析不要な抗原抗体反応観測
12:00
13a-B8-12
11:00
11:15
11:30
9/14(Wed.) 9:00 - 12:15
9:00
14a-B8-1
9:15
14a-B8-2
9:30
14a-B8-3
9:45
14a-B8-4
10:00
14a-B8-5
10:15
10:30
14a-B8-6
10:45
1. 横国大院工 , 2. 東京工科大 , 3. 東北大院医工
1. 豊技大環境・生命 , 2. 豊技大 EIIRIS
1. 名大未来社会 , 2. 生理学研究所 , 3.JST-CREST
1.Nagoya Univ. IIFS, 2.JST CREST, 3.IMS
1. 名大未来社会機構 , 2. 名大医 , 3.JST-CREST, 4. 山
梨大 , 5. 北陸先端大
1. 東北大医工 , 2. 学振 DC1, 3. 東北大学際研 , 4. 福
岡大薬 , 5. 東北大通研
1. 早大理工 , 2. 学振 DC, 3. 東北大学際研
1. 青学大理工
〇戸梶 秀人 1, 小林 未明 1, 熊谷 慎也 2, 谷原 正夫 1 1. 奈良先端大 , 2. 豊田工大
〇平野 匡章 1, 有賀 洋一 2, 神原 克宏 2
1. 日立研開 , 2. 日立ハイテク
〇 (M1) 岡村 怜 1, 木下 ひろみ 1, 末弘 庸子 1, 赤木 1. 東京大学
貴則 1, 一木 隆範 1
〇羽中田 祥司 1, 渡部 工 1, 渡邊 敬介 1, 馬場 俊彦 1 1. 横国大・院工
〇渡邊 敬介 1, 酒本 真衣 1, 渡部 工 1, 羽中田 祥司 1,
馬場 俊彦 1
無電解プラズモニック銀めっき法によるバイオセンサー基板の 〇吉川 裕之 1, 稗田 謙志郎 1, 中川 亮 1, 民谷 栄一 1
作製
口頭講演 (Oral Presentation) B8 会場
インピーダンスセンサを利用した無標識・リアルタイム血管透 〇柳瀬 雄輝 1, 川口 智子 1, 宇野 重康 2, 秀 道広 1
過性評価法の開発
SPR イメージング・電気化学インピーダンス同時測定を用い 〇宇野 重康 1, 吉崎 恭平 1, 柳瀬 雄輝 2
た生細胞モニタリングの実験と理論
受精卵質量測定のための交流ブリッジ回路型変位検出システム 〇佐藤 稜也 1, 高城 翔太 1, 斎藤 暁子 2, 保坂 純男 1,
の試作
坂田 利弥 2, 曾根 逸人 1
受精卵質量測定のための沈降測定法の開発
〇高城 翔太 1, 佐藤 稜也 1, 吉川 朝哉 3, 齋藤 暁子 2,
佐々木 直哉 4, 保坂 純男 1, 坂田 利弥 2, 曾根 逸人 1
電界効果トランジスタによる温度応答性高分子を精密修飾した 〇加治佐 平 1, 増田 造 2, 秋元 文 2, 長瀬 健一 3, 岡
ゲート界面挙動の観察
野 光夫 3, 吉田 亮 2, 坂田 利弥 2
密度汎関数法による MIP ゲル内構造の理論的解析
〇前川 侑毅 1, 西谷 象一 1, 加治佐 平 2, 坂田 利弥 1
休憩 /Break
奨 14a-B8-7 軟骨細胞基質産生計測に向けた Toluidine Blue O 修飾ゲート
FET の創製
1. 横国大院工 , 2. がん研 , 3. 東京工科大 , 4. 東北大
院医工
1. 横国大院工
1. 阪大院工
1. 広大医 , 2. 立命館理工
1. 立命館理工 , 2. 広大医
1. 群馬大院理工 , 2. 東京大院工
1. 群馬大院理工 , 2. 東京大院工 , 3. 群馬大理工 ,
4. 日立研究開発
1.( 株 )PROVIGATE, 2. 東大院工 , 3. 東京女子医大
1. 東大院工 , 2.( 株 )PROVIGATE
〇佐竹 皓宇 1, 齋藤 暁子 1, 加治佐 平 2, 水野 秀一 3, 1. 東大院工 , 2.PROVIGATE Inc., 3. ハーバード大
坂田 利弥 1,2,3
12 有機分子・バイオエレクトロニクス / Organic Molecules and Bioelectronics
14p-P18-6 液中分子分解能 AFM による Pillar[n]arene の自己集積構造計
測
14p-P18-7 機械学習を援用した Ubiquitin のアミノ酸残基間の相互作用解
析
1. 日立研開 , 2. 日立ハイテク
12.7 医用工学・バイオチップ / Biomedical Engineering and Biochips
12 有機分子・バイオエレクトロニクス / Organic Molecules and Bioelectronics
11:00
奨 14a-B8-8 フレキシブルイオンセンサの開発に向けた薄膜トランジスタに
よるナトリウムイオンセンサの創製
11:15
14a-B8-9 ウェアラブル生体センサを目指したフレキシブル ISFET の開
発
11:30
奨 14a-B8-10 多孔性金属 / 機能性高分子ゲート構造型電界効果トランジスタ
の揮発性有機化合物ガス応答特性
11:45
14a-B8-11 バイオセンシングに向けたカーボンナノチューブ薄膜トランジ
スタの評価
12:00
奨 14a-B8-12 カーボンナノチューブ電極を用いた新規吸着ボルタンメト
リーによるドーパミンの高感度検出
9/14(Wed.) 16:00 - 18:00 ポスター講演 (Poster Presentation) P19 会場
奨 14p-P19-1 GABA とグルタミン酸のイメージングを目指した H2O2 センサ
の開発
14p-P19-2 バイオ計測応用可能な増幅型酸化還元センサの開発
奨 14p-P19-3 光・電気フレキシブル BMI デバイスの高性能化
奨 14p-P19-4 人工視覚デバイス用刺激電極の形状依存性の評価
14p-P19-5 分子鋳型ゲルゲート電界効果トランジスタの電気化学的解析
奨 14p-P19-6 生体分子特異認識に向けた分子インプリントポリマー修飾電界
効果トランジスタの特性評価
14p-P19-7 フラビンアデニンジヌクレオチド依存グルコース脱水素酵素と
単層カーボンナノチューブの直接電子伝達
14p-P19-8 長尺カーボンナノチューブ修飾電極へのロイコドーパミンの電
気化学挙動
14p-P19-9 インフルエンザバイオセンサー開発のための糖鎖分子の検討
奨 14p-P19-10 マクロピノサイトーシスによる微粒子の内在化
14p-P19-11 誘電泳動による能動的凝集化による高次ナノ構造体と分子セン
シング
奨 14p-P19-12 培養型プレーナーパッチクランプ基板上への高品質神経細胞
ネットワークの形成：グリア細胞 - セルケージ相互作用
14p-P19-13 心筋細胞の集合体群に与えるマルチプローブ機械的刺激の影響
14p-P19-14
14p-P19-15
14p-P19-16
14p-P19-17
14p-P19-18
14p-P19-19
14p-P19-20
15a-B8-3
9:45
15a-B8-4
10:00
15a-B8-5
10:15
15a-B8-6
10:30
10:45
11:00
11:15
11:30
15a-B8-7
奨 15a-B8-8
奨 15a-B8-9
奨 15a-B8-10
11:45
奨 15a-B8-11
12:00
招 15a-B8-12
9/16(Fri.) 9:00 - 12:00
9:00
奨 16a-B8-1
9:15
奨 16a-B8-2
9:30
奨 16a-B8-3
9:45
16a-B8-4
〇長谷川 加奈 1, グエン ヴィエット 1, 牛山 拓也 1,
岸本 茂 1, 大野 雄高 1,2
〇牛山 拓也 1, 岸本 茂 1, 大野 雄高 1,2
1. 名大工 , 2. 名大未来研
1. 名大工 , 2. 名大未来研
〇 (M1) 奥村 悠基 1, 水谷 信哉 1, 奥村 弘一 1,2, 岩田 1. 豊橋技術科学大学 , 2.JST-CREST
達哉 1,2, 澤田 和明 1,2
〇高橋 聡 1, 高橋 一浩 2, 岩田 達哉 2, 澤田 和明 2
1. 鶴岡工業高等専門学校 , 2. 豊橋技術科学大学
〇岩崎 聡 1, 竹原 宏明 1, 野田 俊彦 1, 笹川 清隆 1,
徳田 崇 1, 太田 淳 1
〇小部 涼 1, 藤沢 匠 1, 野田 俊彦 1, 陳 柏均 2, 竹原
宏明 1, 笹川 清隆 1, 徳田 崇 1, 呉 重雨 3, 太田 淳 1
〇加治佐 平 1, 坂田 利弥 2
〇 (M1) 西谷 象一 1, 加治佐 平 2, 坂田 利弥 1
1. 奈良先端大
1. 奈良先端大 , 2. 台北科技大 , 3. 台湾交通大
1.( 株 )PROVIGATE, 2. 東大院工
1. 東大院工 , 2.（株）PROVIGATE
〇日高 大貴 1, 六車 仁志 1, 岩佐 尚徳 2, 平塚 淳典 2, 1. 芝浦工大 , 2. 産業総研
鵜沢 浩隆 2
〇 (M2C) 井上 侑紀 1, 六車 仁志 1, 井上 均 2, 大澤 1. 芝浦工大 , 2. 日本資材（株）
達也 2
〇河原 敏男 1, 平松 宏明 1, 鈴木 康夫 1, 中北 愼一 1. 中部大 , 2. 香川大 , 3. 京都府医大 , 4. 徳島大 , 5. 東
2
, 渡邊 洋平 3, 大野 恭秀 4, 前橋 兼三 5, 小野 尭生 6, 京農工大 , 6. 阪大
金井 康 6, 松本 和彦 6
〇吉武 駿平 1, 三橋 拓真 1, 加藤 徳剛 1
1. 明大理工
〇山口 明啓 1, 福岡 隆夫 1, 内海 裕一 1
〇 (M2) 竹内 雅耶 1, 栗田 裕子 2,3, 宇野 秀隆 2,3, 王
志広 2,3, 山口 明啓 1, 内海 裕一 1, 宇理須 恒雄 2,3
〇露木 彩葉 1, 新井 晋 1, 上原 貴宏 1, 石田 研太郎 1,
三井 敏之 1
機械的刺激が引き起こす心筋細胞集合体の拍動
〇上原 貴宏 1, 新井 晋 1, 露木 彩葉 1, 石田 研太郎 1,
三井 敏之 1
マイクロウェルチップを用いたタンパク質バイオマーカーの光 〇芳永 真 1, 吉川 裕之 1, 民谷 栄一 1
ピックアップ型 ELISA
スポットサイズコンバータ付き Si リング光共振器バイオセン 〇中島 悠人 1,2, 前田 準 1, 雨宮 嘉照 1, 池田 丈 1,3, 黒
サーによる前立腺特異抗原 (PSA) 検出
田 章夫 1,3, 横山 新 1,2
並行平板型電極を用いた非標識 IgG インピーダンス型バイオ 〇日下 裕介 1, 大貫 等 1, 次村 海輝 1, 津谷 大樹 2,
センサの開発
呉 海雲 1, 遠藤 英明 1, 和泉 充 1
フォトニック結晶ナノレーザセンサによる DNA 吸着のリアル 〇長谷川 湧 1, 渡部 工 1, 馬場 俊彦 1
タイム観測
GaInAsP 半導体イメージングプレートによる細胞イメージン 〇酒本 真衣 1, 景山 達斗 1, 福田 淳二 1, 馬場 俊彦 1
グ (II)
–– ラベルによる蛍光像との対応と細胞外マトリックスに対す
る反応 ––
フォトニック結晶ナノレーザのイオン感応性の検証とその応用 〇渡部 工 1, 馬場 俊彦 1
9/15(Thu.) 9:00 - 12:15 口頭講演 (Oral Presentation) B8 会場
9:00
15a-B8-1 表面弾性波 (SAW) デバイスを用いたダニアレルゲンの迅速・
高感度免疫測定
9:15
15a-B8-2 唾液中グルコース計測のためのマウスガード型バイオセンサに
関する研究
9:30
〇伊藤 健介 1, 宮澤 雄弥 2, 齋藤 曉子 1, 加治佐 平 2, 1. 東大院工 , 2.PROVIGATE Inc.
坂田 利弥 1,2
〇中田 尚吾 1, 山本 祐輝 1, 本田 航 1, 有江 隆之 1,
1. 大阪府大
秋田 成司 1, 竹井 邦晴 1
〇吉住 年弘 1, 合田 達郎 1, 松元 亮 1, 宮原 裕二 1
1. 東京医科歯科大生材研
1. 兵庫県大
1. 兵県大 高度研 , 2. 名大 未来社会機構 , 3.JSTCREST
1. 青学大理工
1. 青学大理工
1. 阪大院工
1. 広島大ナノデバイス , 2. 先端研半導体集積 , 3. 先
端研分子生命
1. 東京海洋大学大学院 , 2. 国立研究開発法人物質・
材料研究機構
1. 横国大・院工
1. 横国大・院工
1. 横国大・院工
〇當麻 浩司 1, 堀部 真衣 2, 岸川 知里 1, 吉村 直之 3, 1. 医科歯科大 , 2. 文京学院大 , 3. 日本無線 , 4.OJ-Bio
荒川 貴博 1, 谷津田 博美 3,4, 下村 弘冶 2, 三林 浩二 1
〇張 志偉 1, 仁田 大揮 1, 荒川 貴博 1, 當麻 浩司 1,
1. 東京医科歯科大学 , 2. 関西大学
竹内 周平 1, 関田 俊明 1, 岩﨑 泰彦 2, 水口 俊介 1,
三林 浩二 1
炭素鎖長の短い疎水基のリン脂質リポソームを用いたカンチレ 〇村上 祐樹 1, 谷口 智哉 1, 張 子洋 1, 寒川 雅之 2,
1. 京工繊大 , 2. 新潟大
バーバイオセンサの A βタンパク質の検出感度向上の検討
山下 馨 1, 野田 実 1
新規リポソーム脂質種を用いた蛍光分子封入リポソームアレイ 〇今村 亮太 1, 村田 直樹 1, 島内 寿徳 2, 山下 馨 1,
1. 京工繊大 , 2. 岡山大
センサのアミロイドβ経時特性の評価
福澤 理行 1, 野田 実 1
低濃度 A βタンパク質検出用 NiCr 歪みゲージカンチレバーセ 〇谷口 智哉 1, 寒川 雅之 2, 村上 祐樹 1, 張 子洋 1,
1. 京工繊大 , 2. 新潟大
ンサの温度補償特性向上
山下 馨 1, 野田 実 1
金属 - 微小空隙 - 絶縁体 - 半導体構造による DNA の電気的検 〇 (M2) 森田 美穂 1, 石丸 頌子 1, 川合 健太郎 1, 有 1. 阪大院工
出
馬 健太 1, 森田 瑞穂 1
休憩 /Break
親水スポットアレイを用いた微小液滴の生成
エンドトキシン迅速検出法の開発
自己制御型遠心流体デバイスによる ELISA 自動実行
ディスク型カートリッジを用いたイムノアッセイ手法の検討
〇石田
〇安浦
〇岡本
〇友田
猛 1, 田中 淳子 1, 小原 賢信 1
雅人 1, 上野 耕治 2, 藤巻 真 1
俊哉 1, 浮田 芳昭 1
小百合 1, 堀井 和由 1, 能勢 智之 1, 藤原 崇雄
1
, 三井田 佑輔 1, 楊 永健 1, 前川 泰範 1
BEAMing への適用を目指した連続流 PCR の特異性向上
〇山脇 幸也 1, 中西 克実 1, 蔡 坤鵬 1, 川本 泰子 1,
中野 毅 1, 田川 礼人 1
[ 講演奨励賞受賞記念講演 ]
〇高橋 和也 1, 齋藤 真人 1, 山本 倫久 2, 明田 幸宏 2,
遠心熱対流 PCR の流体解析と糞便検体中薬剤耐性菌遺伝子の 朝野 和典 3, 民谷 栄一 1
迅速検出
口頭講演 (Oral Presentation) B8 会場
ハイドロゲル光導波路の開発と生体内光通信への応用
〇桂木 優治 1, 速水 一 1, 竹原 宏明 1, 野田 俊彦 1,
笹川 清隆 1, 徳田 崇 1, 太田 淳 1
人工視覚システム用 CMOS チップ内蔵スマート電極デバイス 〇吉村 彰人 1, 野田 俊彦 1, 寺澤 靖雄 2, 中野 由香梨
2
の動物実験による機能実証
, 神田 寛行 3, 田代 洋行 1,4, 竹原 宏明 1, 笹川 清隆 1,
徳田 崇 1, 太田 淳 1
人工視覚デバイス向け 3 次元 IrOx 電極の生体組織中における 〇藤沢 匠 1, 小部 涼 1, 野田 俊彦 1, 竹原 宏明 1, 笹
特性評価
川 清隆 1, 徳田 崇 1, 呉 重雨 2, 太田 淳 1
網膜下刺激人工網膜における AZO 透明刺激電極の基礎評価
〇下川 賢士 1, 後藤 大輝 1, 木野 久志 2, 福島 誉史 3,
田中 徹 1,3
1. 日立研開
1. 産総研 , 2. シーアンドアイ
1. 山梨大院
1. シスメックス㈱技開
1. シスメックス中研
1. 大阪大院工 , 2. 大阪大微研 , 3. 大阪大院医
1. 奈良先端大
1. 奈良先端大 , 2. 株式会社ニデック , 3. 大阪大学 ,
4. 九州大
1. 奈良先端大 , 2. 台湾国立交通大
1. 東北大院医工 , 2. 東北大学際研 , 3. 東北大院工
13.1 Si 系基礎物性・表面界面・シミュレーション / Fundamental properties, surface and interface, and simulations of Si related materials
10:00
10:15
10:30
10:45
11:00
11:15
11:30
11:45
1. 東北大工
1. 奈良先端大
1. 名大工 , 2.JST さきがけ , 3. 東北大工
1. 豊橋技科大
1. 東北大院工 , 2. 長崎総科大 , 3. 東北大院医工
1. 豊橋技科大 , 2.EIIRIS
1. 豊橋技科大 , 2.EIIRIS
1. 東北大院工 , 2. 東北大学際研 , 3. 東北大医工
13 半導体 / Semiconductors
シンポジウムのプログラムは p.35 ～ p.41 にございます
13.1 Si 系基礎物性・表面界面・シミュレーション / Fundamental properties, surface and interface, and simulations of Si related materials
9/14(Wed.) 13:30 - 15:30 ポスター講演 (Poster Presentation) P4 会場
14p-P4-1 IPA 中極微量金属汚染の吸着挙動
〇土橋 和也 1, 斉藤 美佐子 1
浅倉 慎弥 1, 〇斉藤 光徳 1
14p-P4-3 Si ナノワイヤ型ジャンクションレストランジスタの準バリス
ティック輸送特性の解析
14p-P4-4 スーパー接合構造を有する SBCD の集積化シミュレーション
〇清水 良馬 1, 一居 雅人 1, 相馬 聡文 1, 小川 真人 1 1. 神大院工
1. 龍谷大理工
〇 (M2) 對馬 広隆 1, 工藤 嗣友 2, 菅原 文彦 1
1. 東北学院大工 , 2. 神奈川工科大
14p-P4-5 シリケイン及びゲルマナン MOSFET のバリスティック輸送特 〇岡 直左 1, 兼古 志郎 1, 相馬 聡文 1, 小川 真人 1
性の結晶方位依存性
9/15(Thu.) 10:00 - 12:15 口頭講演 (Oral Presentation) B2 会場
10:00
15a-B2-1 バッチ式湿式洗浄機のウエハ内部の流れ観察
〇宮崎 賢都 1, 奥山 将吾 1, 羽深 等 1, 後藤 昭広 2
10:15
15a-B2-2 バッチ式湿式洗浄槽における水噴出ノズル設計
〇奥山 将吾 1, 宮崎 賢都 1, 小野 伸賢 1, 羽深 等 1,
後藤 昭広 2
10:30
15a-B2-3 真空乾燥とスピーン乾燥の比較、パターン倒れの改善
〇山本 義治 1
10:45
15a-B2-4 枚葉スピン方式を用いたフッ硝酸 Si エッチングプロセス挙動 〇大井上 昂志 1, 齋藤 卓 2, 奥山 敦 2, 萩本 賢哉 2,
解析
岩元 勇人 2
11:00
休憩 /Break
11:15
奨 15a-B2-5 亜硫酸を添加したフッ酸を用いた硫黄終端 Ge(111) 表面の作
製
11:30
15a-B2-6 SiO2 固体壁面上における IPA による水の置換の分子動力学解
析
11:45
奨 15a-B2-7 Ar/H2 熱処理による Si(100) 表面原子レベル平坦化とデバイス
特性に関する検討
12:00
15a-B2-8 多成分系吸着有機分子間相互作用における分子占有面積解析
9/15(Thu.) 13:45 - 17:30 口頭講演 (Oral Presentation) B2 会場
13:45
15p-B2-1 X 線照射による SiO2 表面帯電の自発的補償機構
14:00
15p-B2-2 水分子が吸着した GeO2/Ge 及び SiO2/Si 構造の AP-XPS スペ
クトルの比較
14:15
15p-B2-3 SiO2/Si 界面層付近での水素分子の振動数変化の解析
14:30
奨 15p-B2-4 SiGe 薄膜のラマンスペクトルに見られるブロードピークの起
源の検討
14:45
15p-B2-5 Ge コア Si 量子ドットのエレクトロルミネッセンス特性
15:00
15:15
15:30
15:45
16:00
16:15
〇藤島 優介 1, 鈴木 仁 1, 坂上 弘之 1
1. 神戸大工
1. 横国大院工 , 2. プレテック
1. 横国大院工 , 2. プレテック
1. ヤマトテクノス
1. ソニーセミコンダクタマニュファクチャリング ,
2. ソニーセミコンダクタソリューションズ
1. 広大先端研
〇林 拓弥 , 山口 康隆 , 川上 雅之 , 矢野 大作 ,
山中 弘次 2
〇 (D) 工藤 聡也 1, 大見 俊一郎 1
1. 阪大工 , 2. オルガノ
〇周 一帆 , 羽深 等 , チェ ジェハ
1. 横国大院工
1
1
1
1
2
2
1
〇張江 貴大 1,2
〇有馬 健太 1, 森 大地 1, 岡 博史 1, 細井 卓治 1, 川
合 健太郎 1, Liu Zhi2, 渡部 平司 1, 森田 瑞穂 1
〇加藤 弘一 1, 福谷 克之 1
〇武内 一真 1, 小瀬村 大亮 1, 横川 凌 1, 澤本 直美 1,
臼田 宏治 2, 小椋 厚志 1
〇山田 健太郎 1, 池田 弥央 1, 牧原 克典 1, 宮崎 誠一
1
1. 東工大
1. 早大理工 , 2. 宇宙研
1. 阪大院工 , 2. バークレー国立研
1. 東大生産研
1. 明治大理工 , 2.( 株 ) 東芝
1. 名大院工
15p-B2-6 Pt/Nb:SrTiO3 接合における抵抗スイッチング機構の解析
〇萩原 祐仁 1, 塩見 俊樹 1, 岸田 悟 1,2, 木下 健太郎 1,2 1. 鳥取大工 , 2.TiFREC
奨 15p-B2-7 Si ショットキー接合に対する Ar 原子ビーム照射時間の影響と 〇久本 昇平 1, 重川 直輝 1, 梁 剣波 1
1. 大阪市大工
熱処理による回復
1
1
1
15p-B2-8 内部量子効率マッピングによる PERC 裏面の評価
〇望月 敏光 , Supawan Joonwichien , 白澤 勝彦 , 1. 産総研
高遠 秀尚 1
休憩 /Break
〇 (M1) 山口 記功 1,2
〇西野 信也 1, 藤原 毅夫 2, 山元 進 3, 池田 稔 4, 鈴
木 隆史 1, 大谷 泰昭 1
16:30
15p-B2-11 ニューラルネットによる High-k/SiO2 界面分極の予測能力
〇 (M1) 中根 滉稀 1, 功刀 遼太 1, 富田 基裕 1,2, 渡邉
孝信 1
16:45
15p-B2-12 トンネル FET のデバイスシミュレーションに向けた非均一電 〇浅井 栄大 1, 福田 浩一 1, 服部 淳一 1, 佐野 伸行 2
界型バンド間トンネルモデル
17:00
15p-B2-13 シリコン量子細線における音響フォノンによる弾道的熱輸送に 〇服部 淳一 1, ウラジーミル ポボルチー 1, 多田 哲
与える波付け加工の影響
也1
17:15
15p-B2-14 モンテカルロ法によるシリコンナノ構造の熱電特性シミュ
〇濱田 健斗 1, 鎌倉 良成 1
レーション
13.2 探索的材料物性・基礎物性 / Exploratory Materials, Physical Properties, Devices
9/15(Thu.) 9:00 - 11:15 口頭講演 (Oral Presentation) B3 会場
9:00
15a-B3-1 Na 内包 II 型 Si クラスレート膜前駆体作製方法の模索
〇 (M2) 阪上 真史 1, 伊藤 榛悟 1, 富士岡 友也 1, 大
橋 史隆 1, 伴 隆幸 1, 久米 徹二 1, 野々村 修一 1
9:15
15a-B3-2 Si クラスレート薄膜の新しい合成法：NaSi の溶融による前駆 〇上阪 拓 1, 大橋 史隆 1, 久米 徹二 1, 野々村 修一 1
体膜作製
9:30
15a-B3-3 P+ および Sb+ イオン注入 Ge 薄膜へのレーザーアニールの影 〇 (M1) 酒井 駿也 1, 山村 和也 1, 西垣 宏 1, 蓮池 紀
響
幸 1, 播磨 弘 1, Woo Sik Yoo2
9:45
15a-B3-4 Na 内包 II 型 Ge クラスレート膜の膜質向上における作製条件 〇 (M2) 向井 哲也 1, 杉井 南斗 1, 大橋 史隆 1, 久米
の探索
徹二 1, シャカール　ジャ ヒマンシュ 1, 野々村 修
一1
10:00
15a-B3-5 ゲストフリーⅡ型 Ge クラスレート膜の合成
〇鈴木 渉太 1, 久米 徹二 1, 大橋 史隆 1, 野々村 修一
15p-B2-9 第一原理計算を用いた SiC 多形における回復率の検討
15p-B2-10 TE-TB 法を用いた Si 結晶の MD シミュレーション
1
10:15
1. 東京エレクトロン㈱
14p-P4-2 シリコン表面のレーザアブレーションによるナノ構造形成
E 15a-B3-6 Characterization of undoped-BaSi2 on textured Si (001)
substrate grown by molecular beam epitaxy
〇 Tianguo Deng1, Ryota Takabe1, Suguru Yachi1,
Zhihao Xu1, Miftahullatif Emha Bayu1, Kaoru
Toko1, Noritaka Usami2, Takashi Suemasu1
1. 早大理工 , 2. 宇宙研
1.( 株 ) アルゴグラフィックス , 2. 東大・大総セ , 3. 東
京工科大・CS, 4. 物材機構
1. 早大理工 , 2. 学振特別研究員
1. 産総研 , 2. 筑波大物工
1. 産総研
1. 阪大院工
1. 岐大院工
1. 岐大工
1. 京工繊 , 2.WaferMasters Inc.
1. 岐大院工
1. 岐大工
1.Univ. Tsukuba, 2.Nagoya Univ.
13 半導体 / Semiconductors
16a-B8-5 3D プリンタを活用した微少流路デバイスと細胞遊走アッセイ 〇宮本 浩一郎 1, 吉信 達夫 1
奨 16a-B8-6 細胞外因子に対する細胞応答のオンチップ蛍光計測
〇大澤 和嵩 1, 竹原 宏明 1, 野田 俊彦 1, 笹川 清隆 1,
徳田 崇 1, 太田 淳 1
奨 16a-B8-7【注目講演】ビッグデータ連携ヘルスケアに向けたバイオ燃料 〇新津 葵一 1,2, 小林 敦希 1, 小川 雄大 3, 西澤 松彦 3,
電池と 0.23V 駆動 CMOS リング発振制御型誘導結合無線送信 中里 和郎 1
器を用いた電力自立発電センシング一体型集積バイオセンサ
16a-B8-8 マイクロ電極アレイデバイスを用いた大脳皮質における神経活 〇 (M2) 西川 魁 1, 澤畑 博人 1, 山際 翔太 1, 鯉田 孝
動の水平伝搬ベクトル可視化技術
和 1, 沼野 利佳 1, 石田 誠 1, 河野 剛士 1
16a-B8-9 矩形波電流源を用いた生体用インピーダンス分布計測システム 〇 (M1) 竹澤 好樹 1, 伊藤 圭太 1, 宇野 正真 1, 後藤
の設計と評価
竜也 1, 西野 悟 2, 清山 浩司 2, 田中 徹 1,3
16a-B8-10 バッファアンプを搭載する細胞外 3 Ｄマイクロプローブ電極の 〇 (M1) 久保 寛 1, 牧野 浩樹 1, 浅井 皓平 1, 田中 将
製作・評価
徳 1, Leong Xian Long Angela1, 久保田 吉博 1, 石田
誠 1,2, 河野 剛士 1
16a-B8-11 シリコンウィスカ神経電極プローブ用増幅器の設計
〇アンジェラレオン シエンロン 1, 秋田 一平 1, 牧
野 浩樹 1, 石田 誠 1,2, 河野 剛士 1,2
16a-B8-12 光ファイバ埋め込みシリコンオプト神経プローブの刺入特性評 〇 (M1) 森川 拓実 1, 原島 卓也 1, 木野 久志 2, 福島
価
誉史 1, 田中 徹 1,3
13.3 絶縁膜技術 / Insulator technology
10:30
E 15a-B3-7 Fabrication of nitrogen-doped BaSi2 films on Si(111) by
molecular beam epitaxy
10:45
15a-B3-8
11:00
15a-B3-9
13 半導体 / Semiconductors
9/15(Thu.) 13:45 - 16:45
13:45
15p-B3-1
14:00
奨 15p-B3-2
14:15
15p-B3-3
14:30
15p-B3-4
14:45
15:00
奨 15p-B3-5
15p-B3-6
15:15
奨 15p-B3-7
15:30
15:45
16:00
奨 15p-B3-8
15p-B3-9
奨 15p-B3-10
16:15
15p-B3-11
16:30
15p-B3-12
9/16(Fri.) 9:30 - 11:30
16a-P3-1
16a-P3-2
16a-P3-3
E 16a-P3-4
E 16a-P3-5
16a-P3-6
〇 Zhihao Xu1, Tianguo Deng1, Ryota Takabe1,
1.Univ. Tsukuba
Miftahullatif Emha Bayu1, Kaoru Toko1, Takashi
Suemasu1
単一原料の蒸着による a-Si/BaSi2 積層構造の作製
〇原 康祐 1, Trinh Cham Thi2, 黒川 康良 2, 有元 圭 1. 山梨大クリスタル研 , 2. 名大院工
介 1, 山中 淳二 1, 中川 清和 1, 宇佐美 徳隆 2
Mg2Si 薄膜の固層成長における Ag 添加の影響と二段階熱処理 〇 (M1) 和田 英之 1, 鈴木 健浩 1, 安田 剛 1, 勝俣 裕 1. 明大理工 , 2. トヨタ自動車（株）
1
の効果
, 片岡 朋治 2, 山本 栄也 2, 広納 慎介 2, 石切山 守 2
口頭講演 (Oral Presentation) B3 会場
真空蒸着法により作製した BaSi2/SUS304 の断面評価
〇須原 貴道 1, 青柳 健太 1, 原 康祐 2, 末益 崇 3, 宇 1. 名古屋大 , 2. 山梨大 , 3. 筑波大
佐美 徳隆 1
イオン多重散乱による MBE- β -FeSi2/Si ヘテロエピタキシー 〇淵 雅也 1, 有馬 幹尋 1, 寺井 慶和 1, 鳴海 一雅 2,
1. 九工大院情報工 , 2. 量研機構量子ビーム
の評価
前田 佳均 1,2
偏光ラマンスペクトル測定による BaSi2 の分子振動モード解析 〇村社 尚紀 1, 飯沼 元輝 1, 末益 崇 2, 寺井 慶和 1
1. 九工大情報工 , 2. 筑波大数理物質
(II)
1
1
1
BaSi2 におけるイオン化不純物の安定性と拡散の第一原理計算 〇長澤 晶斗 , 中山 隆史 , 大須賀 祐喜
1. 千葉大理
による検討
β -FeSi2/Si ナノ混合相の酸化プロセス の拡散解析
〇有馬 幹尋 1, 淵 雅也 1, 鳴海 一雅 2, 前田 佳均 1,2 1. 九工大院情報工 , 2. 量研機構量子ビーム
β -FeSi2 エピタキシャル膜での直接遷移エネルギーと電気特性 〇飯沼 元輝 1, 村社 尚紀 1, 池田 修哉 1, 扇 和也 1,
1. 九工大情報工
の相関
寺井 慶和 1
熱処理が Mg2Si 薄膜の伝導型に与える影響
〇黒川 満央 1, 上原 睦雄 1, 清水 荘雄 1, 秋山 賢輔 1,2, 1. 東工大院 , 2. 神奈川県産業技術センター , 3. 上
松島 正明 1, 内田 浩 3, 木村 好里 1, 舟窪 浩 1
智大
裏面入射による Mg2Si-pn 接合ダイオードの光学特性評価
〇鬼沢 雄馬 1, 秋山 智洋 1, 中野 達也 1, 鵜殿 治彦 1 1. 茨城大院
1
1
1
1
p-BaSi2/n-Si ヘテロ接合太陽電池特性の p-BaSi2 膜厚依存
〇谷内 卓 , 髙部 涼太 , 都甲 薫 , 末益 崇
1. 筑波大
大気暴露時間および a-Si キャップ層の膜厚が p-BaSi2/n-Si ヘテ 〇高部 涼太 1, 谷内 卓 1, 都甲 薫 1, 末益 崇 1
1. 筑波大学
ロ太陽電池性能に与える効果
Si ヘテロ接合太陽電池におけるホール選択層としての BaSi2 の 〇 (M1) 高橋 一真 1, 中川 慶彦 1, 原 康祐 2, 黒川 康 1. 名大院工 , 2. 山梨大クリスタル研
検討
良 1, 宇佐美 徳隆 1
ドリフト拡散シミュレーションによる BaSi2 太陽電池の構造最 〇佐々木 敦也 1, 佐々木 亮人 1, 片岡 好則 1, 佐藤 光 1. 東芝マテリアル ( 株 ), 2. 東京工科大工 , 3. 筑波
1
適化
, 平林 英明 1, 齋藤 秀一 1, 小林 薫平 1, 高木 茂行 2, 大電物
佐野 伸行 3
ポスター講演 (Poster Presentation) P3 会場
低残留電子密度β -FeSi2/Si 多結晶薄膜における光変調反射率 〇扇 和也 1, 池田 修哉 1, 飯沼 元輝 1, 村社 尚紀 1,
1. 九工大情報工
スペクトル
寺井 慶和 1
スパッタリング法により作製したβ -FeSi2 多結晶薄膜の PL ス 〇池田 修哉 1, 扇 和也 1, 飯沼 元輝 1, 村社 尚紀 1,
1. 九工大情報工
ペクトル
寺井 慶和 1
1
1
2
2
Fe3Si/FeSi2 人工格子膜における強磁性層間結合の温度依存性 〇吉武 剛 , 竹市 悟志 , 花島 隆泰 , 宮田 登 , 堺 1. 九大総理工 , 2. 中性子科セ , 3. 久留米高専 , 4. 九
研一郎 3, 出口 博之 4
工大工
Possibility of fabricating n-BaSi2/p type multicrystalline Si
〇 YUNPENG LI1, Ryota Takabe1, Tianguo Deng1, 1.Univ. Tsukuba, 2.NIMS
(p-mc-Si) heterojunction solar cells
Zhihao Xu1, Kaoru Toko1, Takashi Sekiguchi2,
Takashi Suemasu1
Minority-carrier lifetime in B-doped BaSi2epitaxial films
〇 (M1)Emha Bayu Miftahullatif1, Cham Thi
1.Univ. of Tsukuba, 2.Nagoya Univ
Trinh2, Takabe Ryota1, Yachi Suguru1, Toko Kaoru1,
Usami Noritaka2, Suemasu Takashi1
Mg2Si バルク結晶の熱処理によるキャリア濃度への影響
〇中野 浩平 1, 鵜殿 治彦 1
1. 茨城大院
16a-P3-7 リング状電極をもつメサ構造 Mg2Si フォトダイオードの電気・ 〇中野 達也 1, 秋山 智洋 1,
光学特性
16a-P3-8 RF-MBE 法を用いて成長した GaAsN 層の光吸収特性
〇黒澤 拓也 1, 尾高 拓弥 1,
藤田 実樹 2, 牧本 俊樹 1
16a-P3-9 PL 測定と X 線逆格子マップを用いた GaAsN/GaAs の評価
〇尾高 拓弥 1, 黒澤 拓也 1,
藤田 実樹 2, 牧本 俊樹 1
16a-P3-10 六方晶系 BN 基板上グラフェンの電子輸送特性
〇外田 祐也 1, 平井 秀樹 1,
16a-P3-11 Bi 系スピネル型酸化物の合成と光触媒としての評価
鵜殿 治彦 1
1. 茨城大院
谷口 龍希 1, 山根 陽美 1, 1. 早大理工 , 2. 一関高専
谷口 龍希 1, 山根 陽美 1, 1. 早大理工 , 2. 一関高専
相馬 聡文 1, 小川 真人 1 1. 神戸大工
〇 (M1) 角園 尚吾 1, 鈴木 拓 1
13.3 絶縁膜技術 / Insulator technology
9/15(Thu.) 10:15 - 11:45 口頭講演 (Oral Presentation) B9 会場
10:15
奨 15a-B9-1 ZrO2/high-k/ZrO2 多層絶縁膜を用いた DRAM キャパシタにお 〇 (M1) 女屋 崇 1,2, 生田目 俊秀 2,3, 澤田 朋実 2,3, 栗
ける high-k 層間絶縁層の役割
島 一徳 1,2, 澤本 直美 1, 大井 暁彦 2, 知京 豊裕 2, 小
椋 厚志 1
10:30
奨 15a-B9-2 酸化剤を変えて形成した原子層堆積 Al2O3 膜の電気特性
〇大久保 智 1, 松村 大輔 1, 平岩 篤 1, 川原田 洋 1
10:45
15a-B9-3 原子層堆積 Al2O3 膜の電気特性に対する熱処理効果
〇平岩 篤 1,3, 松村 大輔 2, 大久保 智 2, 川原田 洋 1,2
11:00
15a-B9-4 HfO2/SiO2/Si(100) 構造における内部電位分布、界面ダイポー 〇藤村 信幸 1, 大田 晃生 1, 池田 弥央 1, 牧原 克典 1,
ルの定量評価
宮崎 誠一 1
11:15
15a-B9-5 High-k/SiO2 界面におけるダイポール形成メカニズムの考察
〇 (M2) 功刀 遼太 1, 中川 宣拓 1, 渡邉 孝信 1
- 多重極子ポテンシャル差による酸素イオン移動の可能性 11:30
奨 E 15a-B9-6 Consideration on the Origin of Dipole Layer Formation at
〇 (D)Jiayang Fei1, Ryota Kunugi2, Takanobu
Dielectric Interfaces with Different Anions (Fluorine, Oxygen Watanabe2, Koji Kita1
and Nitrogen)
9/15(Thu.) 13:15 - 17:45 口頭講演 (Oral Presentation) B9 会場
13:15
招 E 15p-B9-1 [Young Scientist Presentation Award Speech]
〇 Lun Xu1, Tomonori Nishimura1, Shigehisa
Effects of nitrogen bonding on para-/ferroelectric transition Shibayama1, Takeaki Yajima1, Shinji Migita2, Akira
of HfO2
Toriumi1
13:30
奨 15p-B9-2 強誘電性 HfO2 膜における局所内部電界に起因する分極の不均 〇柴山 茂久 1,2, 徐 倫 1, 田 璇 1, 右田 真司 3, 鳥海 明
1
質性
13:45
E 15p-B9-3 Study of polarization uniformity in N-doped ferroelectric
〇 (D)Lun Xu1, Shigehisa Shibayama1, Tomonori
HfO2 by piezo-response force microscopy
Nishimura1, Takeaki Yajima1, Shinji Migita2, Akira
Toriumi1
14:00
15p-B9-4 TiN メタル中の不純物酸素が強誘電体 Hf0.5Zr0.5O2 生成へ与え 〇太田 裕之 1, 右田 真司 1, 黒澤 悦男 1, 鳥海 明 2
る影響
14:15
15p-B9-5 液相堆積法による (Ba, Sr)TiO3 の堆積条件検討
〇 (M2) 國光 俊作 1, 羽路 伸夫 1
14:30
奨 15p-B9-6 極薄 InGaAs 界面層を有する GaAsSb MOS 界面特性の評価
〇 (D) 後藤 高寛 1,3, 満原 学 2,3, 星 拓也 2,3, 杉山 弘
樹 2,3, 竹中 充 1,3, 高木 信一 1,3
14:45
奨 15p-B9-7 Al2O3/InxGa1-xAs MOS 界面特性に与える前処理の効果の In 組 〇 (B) 横山 千晶 1, 張 志宇 1,2,3, 竹中 充 1,2,3, 高木 信
成依存性
一 1,2,3
15:00
E 15p-B9-8 Carrier Trapping Properties in La2O3/InGaAs MOSFETs
〇 (D)ChihYu Chang1,2, Mitsuru Takenaka1,2,
Shinichi Takagi1,2
15:15
E 15p-B9-9 Energy Distribution of Slow Trap Density at La2O3/InGaAs
〇 (D)ChihYu Chang1,2, Mitsuru Takenaka1,2,
MOS Interfaces
Shinichi Takagi1,2
1. 北九大国環工
1. 明治大学 , 2. 物材機構 WPI-MANA, 3.JSTCREST
1. 早稲田大学理工学術院
1. 早大ナノ・ライフ , 2. 早大理工 , 3. 名大未来研
1. 名大院工
1. 早大理工
1.The Univ. of Tokyo, 2.Waseda Univ.
1.The Univ. of Tokyo, 2.AIST
1. 東大院工 , 2. 学振特別研究員 , 3. 産総研
1.The Univ. of Tokyo, 2.AIST
1. 産総研 , 2. 東大院工
1. 横国大院工
1. 東大院 , 2.NTT 研 , 3.CREST
1. 東京大工 , 2. 東京大院工 , 3.JST-CREST
1.The Univ. of Tokyo, 2.JST-CREST
1.The Univ. of Tokyo, 2.JST-CREST
13.4 Si 系プロセス・Si 系薄膜・配線・MEMS・集積化技術 / Si wafer processing /Si based thin film /MEMS/Integration technology
15:30
15:45
16:00
16:15
奨 15p-B9-10 HfO2/Al2O3/InGaAs ゲート構造における移動度の成膜温度お
よび Al2O3 膜厚依存性
休憩 /Break
E 15p-B9-11 GeO2 reduction and Si oxidation at SiGe/GeO2 interface in
UHV annealing
15p-B9-12 X 線光電子分光法による熱酸化 SiO2 および GeO2 薄膜の誘電
16:30
15p-B9-13
16:45
17:00
15p-B9-14
奨 15p-B9-15
17:15
E 15p-B9-16
17:30
15p-B9-17
関数評価
CVD 法により作製した GeO ₂ /Ge 構造に対する Post
Metallization Annealing の効果
Ge-MIS 構造に対する水素処理の効果に関する検討
Al/SiO2/GeO2/Ge ゲートスタックに於ける界面ダイポールの
生成と消失
Reduction of slow trap density in Al2O3/n-Ge MOS interfaces
by insertion of GeOxNy
HfO ₂ /GeO ₂ /Ge スタック構造における GeO 脱離の調査
奨 16a-P4-2 大気圧プラズマ CVD による SiOX ゲート絶縁膜の低温形成と
構造・特性評価
E 16a-P4-3 Effect of Added Organic Solution on Low-Temperature
Deposition of SiOx Films by APCVD using Silicone Oil and
Ozone Gas
16a-P4-4 高湿環境下でのシリコン窒化膜の表面酸化過程
1. 東工大
〇 (D)Woojin Song1, Akira Toriumi1
1.The Univ. Tokyo
〇山本 泰史 1, 大田 晃生 1, 池田 弥央 1, 牧原 克典 1, 1. 名大院工
宮崎 誠一 1
〇羽田野 拓己 1, 岩崎 好孝 1, 上野 智雄 1
1. 農工大工
〇関谷 陽介 1, 岩崎 好孝 1, 上野 智雄 1
〇永冨 雄太 1, 建山 知輝 1, 坂口 大成 1, 山本 圭介 1,
王 冬 1, 中島 寛 1
〇 Mengnan Ke1,2, Xiao Yu1,2, Mitsuru Takenaka1,2,
Shinichi Takagi1,2
〇大竹 博義 1, 上野 智雄 1, 岩崎 好孝 1
1. 農工大院工
1. 九大
〇荒木 駿 1, 平野 愛弓 1, 宮田 隆典 1, 但木 大介 1,
石橋 健一 2, 山本 英明 3, 庭野 道夫 1,4
〇 (M1) 木元 雄一朗 1, 田牧 祥吾 1, 寺脇 功士 1, 鎌
田 航平 1, 大参 宏昌 1, 垣内 弘章 1, 安武 潔 1
〇 (D)Puneet Jain1, Susumu Horita1
1. 東北大院医工 , 2. 株式会社半一 , 3. 東北大学際研 ,
4. 東北大通研
1. 阪大院工
〇奥 友希 1, 志賀 俊彦 1, 戸塚 正裕 1, 高木 晋一 1
1. 三菱電機　波光電
16a-P4-5 V-MOSFET の Si/SiO2(001) 界面における熱酸化過程、水素ア 〇 (M2) 川内 伸悟 1, 白川 裕規 1, 洗平 昌晃 2,1,5, 影
ニール効果の歪み依存性
島 博之 3,5, 遠藤 哲郎 4,5, 白石 賢二 2,1,5
16a-P4-6 Si-MOS における化学酸化法による界面層作製手法の検討
〇杉野 優介 1, 岩崎 好孝 1, 上野 智雄 1
1.Tokyo Univ., 2.JST-CREST
1. 農工大院工
1.Japan Adv. Inst. Sci. & Tech. (JAIST)
1. 名大院工 , 2. 名大未来研 , 3. 島根大院総合理工 ,
4. 東北大院工 , 5.JST-ACCEL
1. 農工大院・工
16a-P4-7 REALD 形成 Al2O3/GeO2/p-Ge MOS キャパシターの電気特性 〇山田 大地 1, 王谷 洋平 1, 山本 千綾 2, 山中 淳二 2, 1. 諏訪東京理科大学 , 2. 山梨大学 , 3. 弘前大学
に及ぼすゲート電極金属の影響
佐藤 哲也 2, 岡本 浩 3, 福田 幸夫 1
16a-P4-8 2 段階熱処理による AlOx/GeOx/Ge ゲートスタック構造の作製 〇部家 彰 1, 吉岡 尚輝 1, 松尾 直人 1
1. 兵庫県立大工
13.4 Si 系プロセス・Si 系薄膜・配線・MEMS・集積化技術 / Si wafer processing /Si based thin film /MEMS/Integration technology
9/14(Wed.) 13:30 - 15:30 ポスター講演 (Poster Presentation) P5 会場
14p-P5-1 CMOS-MEMS 慣性センサにおける機械的ノイズの解析手法
〇小西 敏文 1, 山根 大輔 2,4, 伊藤 浩之 2,4, 道正 志郎
2,4
, 石原 昇 2,4, 年吉 洋 3,4, 益 一哉 2,4, 町田 克之 1,4
14p-P5-2 1mG 以下検出へ向けた積層メタル MEMS 加速度センサの基 〇山根 大輔 1,4, 小西 敏文 2, 佐布 晃昭 2, 曽根 正人
1,4
礎検討
, 年吉 洋 3,4, 益 一哉 1,4, 町田 克之 2,4
14p-P5-3 積層メタル差動型 MEMS 加速度センサの基礎検討
〇山根 大輔 1,4, 小西 敏文 2, 佐布 晃昭 2, 伊藤 浩之
1,4
, 道正 志郎 1,4, 石原 昇 1,4, 曽根 正人 1,4, 年吉 洋 3,4,
益 一哉 1,4, 町田 克之 2,4
14p-P5-4 齧歯類実験動物における特定音波検知 MEMS センサの作製
〇村上 修一 1, 岩城 遼 2, 佐藤 和郎 1, 田中 恒久 1,
宇野 真由美 1, 舘野 高 2
E 14p-P5-5 Fabrication of Ferrite Cantilevers using a Dual Beam FIB/SEM 〇 (P)YongJun Seo1,2, Kazuya Harii1,3, Ryo
Takahashi1,3, Hiroyuki Chudo1,3, Koichi Oyanagi4,
Zhiyong Qiu2, Takahito Ono5, Yuki Shiomi1,4, Eiji
Saitoh1,2,3,4
14p-P5-6 AlSi/TiN バンプおよび ACP を用いた汎用集積回路への 3 次元 〇 (B) 三石 昂洋 1, 秋山 正弘 1, Dali Zhang2,
接続評価
Myung-Jae Lee2, Edoardo Charbon2
14p-P5-7 Al 誘起横方向成長を SD に利用したガラス基板上の平面型自 〇原 明人 1, 西村 勇哉 1, 大澤 弘樹 1
己整合メタルダブルゲート低温 poly-Ge TFT
14p-P5-8 フォトリソグラフィと UV キュア処理によるナノギャップ電極 粂内 真子 1, 熊谷 慎也 1, 趙 亨峻 2, 近藤 博基 2, 石
アレイ形成
川 健治 2, 堀 勝 2, 〇佐々木 実 1
14p-P5-9 SiO2 膜の Al 触媒化学蒸気エッチングとその特性評価
〇米谷 玲皇 1, 村上 剛浩 1, 前田 悦男 1
1.NTT-AT, 2. 東工大 , 3. 東大 , 4.JST-CREST
1. 東工大 , 2.NTT-AT, 3. 東大 , 4.JST-CREST
1. 東工大 , 2.NTT-AT, 3. 東大 , 4.JST-CREST
1. 大阪府立産技研 , 2. 北海道大学
1.ERATO SQR project, 2.AIMR, 3.JAEA, 4.IMR,
5.Tohoku Univ.
1. 長野高専 , 2.TUDelft
1. 東北学院大工
1. 豊工大 , 2. 名大
1. 東大院工
14p-P5-10 試料操作のためのプラズモニック構造を用いた光束誘導
〇奥野 将人 1, 米谷 玲皇 1, 前田 悦男 1
1. 東大院工
14p-P5-11 第一原理計算を用いた Si 中のドーパント近傍の金属原子の拡
散経路とエネルギー障壁に関する研究
14p-P5-12 微傾斜 Si(211) 基板上への Bi ドーピング層成長 2
〇 (M2) 山田 惇弘 1, 末岡 浩治 1
1. 岡山県大情報工
E 14p-P5-13
9/15(Thu.) 9:00 - 12:15
9:00
15a-B10-1
9:15
15a-B10-2
9:30
15a-B10-3
9:45
15a-B10-4
10:00
奨 15a-B10-5
10:15
奨 15a-B10-6
10:30
奨 15a-B10-7
10:45
奨 15a-B10-8
11:00
奨 15a-B10-9
11:15
奨 15a-B10-10
11:30
15a-B10-11
〇三木 一司 1,2, 村田 晃一 1,2, 金澤 孝 1,2, 田中 博也 3, 1. 物材機構 , 2. 筑波大数物 , 3. 横国大院
日塔 光一 1,2, 大野 真也 3, 田中 正俊 3
Electrodeposition of Crystalline-silicon on Metal-substrate from 〇 Muhammad Monirul Islam1, Takeaki Sakurai1,
1.Tsukuba Univ.
SiO2 in Molten-salt
Katsuhiro Akimoto1
口頭講演 (Oral Presentation) B10 会場
低温 TFT に向けた大気圧プラズマ CVD による Si 成膜プロセ 〇田牧 祥吾 1, 寺脇 功士 1, 木元 雄一朗 1, 鎌田 航平 1. 阪大院工
1
スの研究
, 大参 宏昌 1, 垣内 弘章 1, 安武 潔 1
ハイパワー大気圧熱プラズマジェット照射によるシリコン薄膜 〇中島 涼介 1, 新 良太 1, 花房 宏明 1, 東 清一郎 1
1. 広大院先端研
の高速溶融結晶化
中空構造 SOI 層を用いた低温転写における転写歩留まり向上 〇水上 隆達 1, 竹島 真治 1, 山下 知徳 1, 東 清一郎 1 1. 広大院先端研
とフレキシブル基板上での単結晶シリコン TFT とインバータ
回路の作製
新しいミクロレーザ走査相変換パターニング法による湾曲基板 〇葉 文昌 1
1. 島根大総合理工
上への poly-Si TFT 作製
結晶性 Ge を用いたフレキシブル薄膜トランジスタの実証
〇東 英実 1, 中野 茉莉央 1, 工藤 康平 1, 藤田 裕一 1, 1. 阪大基礎工 , 2. 熊本高専 , 3. 九大産学連携セン
山田 晋也 1, 金島 岳 1, 角田 功 2, 中島 寛 3, 浜屋 宏 ター
平1
自己整合四端子平面型メタルダブルゲート低温 poly-Si TFT の 〇大澤 弘樹 1, 原 明人 1
1. 東北学院大工
Vth 制御を利用した E/D インバータの特性
液体 Si 蒸着法を用いた結晶 Si 薄膜トランジスタの作製と特性 〇菱谷 大輔 1, 石河 泰明 1, 池上 浩 2, Trifunovic
1. 奈良先端大 , 2. 九大シス情 , 3. デルフト工大 ,
評価
Miki3, 石原 良一 3, 下田 達也 4, 浦岡 行治 1
4. 北陸先端大
ＥＬＡ（エキシマレーザアニール）による接合型Ｓｉ太陽電池 〇鈴木 仁 1, 楊 天熙 1, 岡田 竜弥 1, 野口 隆 1, 河本 1. 琉大工 , 2. 山口大工
の表面反射防止膜による特性の向上
直哉 2
ラマン分光法を用いた多結晶シリコン薄膜成膜プロセス依存の 〇鈴木 貴博 1, 横川 凌 1, 高橋 和也 2, 小森 克彦 2,
1. 明治大理工 , 2. 東京エレクトロン東北 ( 株 ), 3. 東
評価
森本 保 3, 澤本 直美 1, 小椋 厚志 1
京エレクトロン ( 株 )
ラマン分光法による多結晶シリコン粒内のナノ構造評価
〇横川 凌 1, 鈴木 貴博 1, 鈴木 涼太 1, 高橋 和也 2,
1. 明治大理工 , 2. 東京エレクトロン東北㈱ , 3. 東
小森 克彦 2, 森本 保 3, 澤本 直美 1, 小椋 厚志 1
京エレクトロン㈱
応力制御ができる高密度 TiN 薄膜の成膜技術
〇沼田 幸展 1, 平松 大典 1, 中野 賢明 1
1. 株式会社 アルバック
13 半導体 / Semiconductors
9/16(Fri.) 9:30 - 11:30
ポスター講演 (Poster Presentation) P4 会場
16a-P4-1 半導体微細加工を用いた人工細胞膜アレイの開発
〇大澤 一斗 1, 木瀬 信和 1, 宮本 恭幸 1
13.4 Si 系プロセス・Si 系薄膜・配線・MEMS・集積化技術 / Si wafer processing /Si based thin film /MEMS/Integration technology
11:45
12:00
15a-B10-12 簡便な方法によるチタン膜の破壊強度評価
E 15a-B10-13 High Mechanical Strength in Gold Films Electroplated with
Supercritical Carbon Dioxide for MEMS Applications
9/15(Thu.) 13:45 - 18:30 口頭講演 (Oral Presentation) B10 会場
13:45
招 15p-B10-1 [13．半導体　分科内招待講演 ]
フォトニクス集積化のための MEMS
14:15
E 15p-B10-2 Strong Bonding of Silicon and Gallium Arsenide Using UV
Activation and Applicationto Fabrication of Quantum Dot
Lasers on Silicon
14:30
15p-B10-3 ウェットエッチングを用いた SOI 基板のサブナノメートル精
度薄膜化
14:45
奨 15p-B10-4 3D 多光子造形体への磁性マイクロ粒子の位置選択導入と磁気
応答
15:00
奨 15p-B10-5 赤外偏光イメージングによる立体形状識別
13 半導体 / Semiconductors
15:15
15:30
15:45
16:00
16:15
16:30
16:45
17:00
17:15
17:30
17:45
18:00
18:15
15p-B10-6 非対称マッシュルーム型プラズモニックメタマテリアル吸収体
による赤外偏光検知
15p-B10-7 高い波長選択性を持つ MEMS Fabry‐Perot 干渉型表面応力セ
ンサの設計・製作
15p-B10-8 積層メタル技術による MEMS 加速度センサのばね定数設計方
法（I）
15p-B10-9 ピエゾ抵抗角度・焦点距離センサを集積した焦点可変スキャナ
の製作
休憩 /Break
15p-B10-10 走査型ヘリウムイオン顕微鏡および SEM 観察による有機膜の
構造変化
15p-B10-11 熱フィラメント法で生成した水素ラジカルによる大気圧下での
SiCl4 の分解
15p-B10-12 SiHCl3-SiHx 系シリコンエピタキシャル成長の反応速度式
15p-B10-13 SiHCl3-SiHx 系シリコン薄膜形成法により得られる薄膜中の炭
素濃度
奨 15p-B10-14 F2 レーザー堆積法によるナノポーラス SiO2 膜の形成
15p-B10-15 マルチウェル構造 TSV を用いた TSV 側壁 Si-SiO2 界面準位の
評価
15p-B10-16 表面活性化ボンディング法による Cu 箔 /Si 接合の電気特性評
価
15p-B10-17 Si 基板 /ITO 薄膜表面活性化接合の形成
〇石塚 典男 1, 佐久間 憲之 1
〇 (D)Haochun Tang1, Chun-Yi Chen1,2, TsoFu Mark Chang1,2, Daisuke Yamane1,2, Katsuyuki
Machida1,2,3, Kazuya Masu1,2, Masato Sone1,2
1. 日立研開
1.IIR Tokyo Tech, 2.CREST JST, 3.NTT AT Corp.
〇羽根 一博 1, 佐々木 敬 1, Thubthimthong
1. 東北大院工
Borriboon1
〇 YuanHsuan Jhang1, Katsuaki Tanabe2,3, Bongyong 1.IIS, UT, 2.NanoQuine, UT, 3.Kyoto Univ.
Jang1, Satoshi Iwamoto1,2, Yasuhiko Arakawa1,2
〇 (M1) 桑原 充輝 1, 高橋 和 1
1. 大阪府大院工
〇鈴木 勝大 1, 西山 宏昭 1
1. 山形大院理工
〇久保山 貴文 , 小川 新平 , 藤澤 大介 , 木股 雅章 1. 立命館大学 , 2. 三菱電機株式会社
1
2
2
1
〇小川 新平 1, 藤澤 大介 1, 久保山 貴文 2, 木股 雅章 1. 三菱電機株式会社 , 2. 立命館大学
2
〇 (M1) 高橋 利昌 1, 桝屋 善光 1, 石田 隼斗 1, 飛沢 1. 豊橋技科大
健 1, 髙橋 一浩 1
〇佐布 晃昭 1, 小西 敏文 1, 山根 大輔 2,4, 年吉 洋 3,4, 1.NTT-AT, 2. 東工大 , 3. 東大 , 4.JST-CREST
曽根 正人 2,4, 益 一哉 2,4, 町田 克之 1,4
〇 (D) 中澤 謙太 1, 佐々木 敬 1, 古田 裕正 2, 神谷
1. 東北大院工 , 2. パナソニックデバイス SUNX
二朗 2, 佐々木 秀記 2, 神谷 東志一 2, 羽根 一博 1
〇小川 真一 1, 飯島 智彦 1
1. 産総研
〇岡本 裕二 , 堤 大耀 , 石垣 隆正 , Fatima Zohra 1. 筑波大 , 2. 物材機構 , 3. 法政大 , 4.USTO-MB.
Dahmani4, 角谷 正友 2
〇渡部 亨 1, 羽深 等 1, 齋藤 あゆ美 1
1. 横国大院工
齋藤 あゆ美 1, 〇山田 彩未 1, 羽深 等 1
1. 横浜国大院工
1,2
3
3
〇當間 拓矢 1, 諏訪 輝 1, 中村 大輔 1, 池上 浩 1
〇菅原 陽平 1, 木野 久志 2, 福島 誉史 1, 李 康旭 3,
小柳 光正 3, 田中 徹 1,4
〇古名 克也 1, 梁 剣波 1, 松原 萌子 2, ダムリン マル
ワン 2, 西尾 佳高 2, 重川 直輝 1
〇小川 智輝 1, 梁 剣波 1, 荒木 建次 2, 神岡 武文 2,
重川 直輝 1
9/16(Fri.) 9:00 - 12:15
口頭講演 (Oral Presentation) B10 会場
9:00
16a-B10-1 イオン注入および FLA を用いた n+/p, p+/n Ge における高活 〇谷村 英昭 1, 河原崎 光 1, 加藤 慎一 1, 青山 敬幸 1,
性化と浅い接合形成
小林 一平 1, 鈇田 博 2, 中島 良樹 2, 永山 勉 2, 濱本
成顕 2, 酒井 滋樹 2
9:15
16a-B10-2 FLA を用いた浅く高活性な n+/p Ge 接合形成と酸素ノックオ 〇河原崎 光 1, 谷村 英昭 1, 加藤 慎一 1, 青山 敬幸 1,
ンの影響
小林 一平 1, 鈇田 博 2, 中島 良樹 2, 永山 勉 2, 濱本
成顕 2, 酒井 滋樹 2
9:30
16a-B10-3 Si にドープされた As の光電子ホログラフィーによる評価
〇名取 鼓太郎 1, 筒井 一生 1, 松下 智裕 2, 室 隆桂
之 2, 木下 豊彦 2, 星井 拓也 1, 角嶋 邦之 1, 若林 整 1,
松井 文彦 3, 下村 勝 4
9:45
奨 16a-B10-4 非晶質 Zr-Ge-N 層上への金属堆積による低抵抗 Ge コンタク 〇岡本 隼人 1, 山本 圭介 2, 王 冬 1, 中島 寛 2
トの形成
10:00
16a-B10-5 組成制御した気相合成 W ジャーマナイド薄膜と n-Ge との接 〇岡田 直也 1,2, 内田 紀行 2, 金山 敏彦 2
合特性
10:15
16a-B10-6 金属 /n-Ge 接合への SixGe1 − x − ySny 層挿入によるショットキー 〇鈴木 陽洋 1,2, 戸田 祥太 1, 中塚 理 1, 坂下 満男 1,
障壁高さの低減
財満 鎭明 1,3
10:30
16a-B10-7 ナノシリコン弾道電子源を利用した IV 族半導体薄膜のプリン 〇須田 隆太郎 1, 八木 麻実子 1, 小島 明 1, 白樫 淳一
1
ティング堆積
, 越田 信義 1
10:45
16a-B10-8 急速加熱処理が低温成長 Ge 薄膜の構造に与える影響
〇大塚 慎太郎 1, 森 貴洋 1, 森田 行則 1, 内田 紀行 1,
柳 永勛 1, 大内 真一 1, 更田 裕司 1, 右田 真司 1, 昌
原 明植 1, 松川 貴 1
11:00
16a-B10-9 多結晶 GeSn のキャリア輸送特性と熱伝導率
〇内田 紀行 1, 宮崎 吉宣 1, 前田 辰郎 1, 福田 浩
一 1, 服部 淳一 1, 大石 佑治 2, 石丸 学 4, Ruben R.
Lieten3, Jean-Pierre Locquet3
11:15
16a-B10-10 塩素中性粒子ビームによる Ge エッチングメカニズムの検討
〇野田 周一 1, 李 恩慈 1, 水林 亘 2, 遠藤 和彦 2, 寒
川 誠二 1,2
11:30
16a-B10-11 局所クリーン化ミニマル PLAD 環境コントロールシステム
〇谷島 孝 1,2, 安井 政治 1,2, クンプアン ソマワン 1,2,
前川 仁 1,2, 原 史朗 1,2
11:45
16a-B10-12 ミニマル装置の設置環境評価
〇谷島 孝 1,2, クンプアン ソマワン 1,2, 原 史朗 1,2
12:00
16a-B10-13 Investigation of productivity in device process of minimal fab
〇 Sommawan Khumpuang1,2, Fumito Imura1,2,
Shiro Hara1,2
9/16(Fri.) 13:45 - 17:00 口頭講演 (Oral Presentation) B10 会場
13:45
16p-B10-1 ⼤⼝径ウェハからハーフインチへのクリヌキ加⼯プロセス開発 〇梅山 規男 1,2, 酒井 孝昭 3, 鍛冶倉 惇 3, 市川 浩⼀
と評価
郎 3, クンプアン ソマワン 1,2, 原 史朗 1,2
14:00
16p-B10-2 ミニマル Si-CVD 装置における熱対流の影響（II）
〇石田 夕起 1,2, 三ケ原 孝則 1,2, 三浦 典子 2, 伊藤 孝
宏 3, 池田 伸一 1,2, 羽深 等 4, クンプアン ソマワン 1,2,
原 史朗 1,2
14:15
16p-B10-3 ミニマル CVD 装置におけるシリコンエピタキシャル成長の輸 〇松尾 美弥 1, 羽深 等 1, 山田 彩未 1, 李 寧 1, 三ケ
送現象
原 孝則 2, 池田 伸一 2,3, 石田 夕起 2,3, 原 史朗 2,3
14:30
16p-B10-4 集光型赤外線加熱炉を用いたハーフインチシリコン CVD 装置 〇李 寧 1, 松尾 美弥 1, 羽深 等 1, 三ケ原 孝則 2, 池
(7)
田 伸一 2,3, 石田 夕起 2,3, 原 史朗 2,3
14:45
16p-B10-5 ミニマルコータにおけるレジスト膜ウェハ面内均一性向上技術 〇田中 宏幸 1,2, 古賀 拓哉 2, クンプアン ソマワン 1,2,
原 史朗 1,2
15:00
奨 16p-B10-6 水プラズマアッシングによるレジスト除去のメカニズムに関す 〇北野 卓也 1, 鈴木 宏明 1, 塩田 有波 1, 石島 達夫
1
る検討
, 田中 康規 1, 上杉 喜彦 1, クンプアン ソマワン 2,3,
原 史郎 2,3
15:15
休憩 /Break
1. 九州大工
1. 東北大院工 , 2. 東北大学際研 , 3. 東北大未来研 ,
4. 東北大院医工
1. 大阪市大工 , 2. 東洋アルミニウム
1. 大阪市大工 , 2. 豊田工大
1.SCREEN セミコンダクターソリューションズ ,
2. 日新イオン機器
1.SCREEN セミコンダクターソリューションズ ,
2. 日新イオン機器
1. 東工大 , 2. 高輝度セ , 3. 奈良先端大 , 4. 静岡大
1. 九大・大学院総合理工学府 / 研究院 , 2. 九大・
産学連携センター
1.JST さきがけ , 2. 産総研
1. 名古屋大院工 , 2. 学振特別研究員 , 3. 名古屋大
未来研
1. 農工大・院 ･ 工
1. 産総研
1. 産総研ナノエレ , 2. 大阪大院 , 3. ル―ベン大 ,
4. 九工大
1. 東北大流体研 , 2. 産総研ナノエレ
1. 産総研 , 2. ミニマルファブ
1. 産総研 , 2. ミニマルファブ
1.AIST, 2.MINIMAL
1. 産総研 , 2. ミニマルファブ技術研究組合 , 3. 不
⼆越機械⼯業
1. 産総研 , 2. ミニマルファブ技組 , 3. オリエンタ
ルモーター , 4. 横国大
1. 横国大院工 , 2. ミニマル , 3. 産総研
1. 横国大院工 , 2. ミニマルファブ技術研究組合 ,
3. 産総研
1. 産総研 , 2. ミニマルファブ
1. 金沢大 , 2. ミニマルファブ技術研究組合 , 3. 産
総研
13.5 デバイス／集積化技術 / Semiconductor devices and related technologies
15:30
15:45
奨 13p-B13-7 エネルギー緩和速度が Ge および Si ナノワイヤの準バリス
ティック正孔輸送能力に与える影響
奨 13p-B13-8 シリコン 3 重量子ドットの等価回路シミュレーション
16:00
13p-B13-9
16:15
奨 13p-B13-10
16:30
奨 13p-B13-11
16:45
E 13p-B13-12
9/14(Wed.) 9:00 - 12:15
9:00
招 14a-B13-1
〇平岡 宗一郎 1,2, 堀部 浩介 1,2, 小寺 哲夫 1,2, 小田
俊理 1,2
7.4 GHz における単一トラップ電子ポンプの高精度動作
〇山端 元音 1, Giblin Stephen2, 片岡 真哉 2, 唐沢
毅 1, 藤原 聡 1
p 型シリコン 2 重量子ドットにおけるパウリスピンブロッケー 〇山岡 裕 1, 岩崎 一真 1, 小田 俊理 1, 小寺 哲夫 1
ド領域内漏れ電流の磁場依存性
シリコン量子ドットにおける表面酸化膜中電荷のコヒーレンス 〇 (M2) 前川 未知瑠 1, テノリオぺルル ハイメ 1, ヘ
効果
ルブスレブ エルンスト 1, 山岡 裕 1, 小寺 哲夫 1, 小
田 俊理 1
Passivation effects of 3D Array of Si-nanodisks Fabricated
〇 (P)MdZaman Molla1, Shuichi Noda1, Seiji
with Bio-template and Neutral Beam Etching Process for
Samukawa1
Photovoltaic Application
口頭講演 (Oral Presentation) B13 会場
[ 優秀論文賞受賞記念講演 ]
〇土屋 敏章 1, 小野 行徳 2
Charge pumping current from single Si/SiO2interface traps:
Direct observation of Pbcenters and fundamental trapcounting by the charge pumping method
[ 優秀論文賞受賞記念講演 ]
〇鎌田 善己 1, 小池 正浩 1, 黒澤 悦男 2, 黒澤 昌志 3,
Operation of inverter and ring oscillator of ultrathin-body
太田 裕之 2, 中塚 理 3, 財満 鎭明 3, 手塚 勉 1
poly-Ge CMOS
[JSAP Young Scientist Award Speech]
〇 Carles Pierre-Alix1, Katsuhiko Nishiguchi2,
Deviation from the law of energy equipartition in a small
Akira Fujiwara2
dynamic-random-access memory
単一界面トラップの準位密度分布：” U 字型” 分布は定説か？ 〇土屋 敏章 1, P. M. レナハン 2
高感度チャージポンピング EDMR 法の開発
〇堀 匡寛 1, 成松 諒一 2, 土屋 敏章 3, 小野 行徳 1
休憩 /Break
9:30
招 14a-B13-2
10:00
招 E 14a-B13-3
10:15
10:30
10:45
14a-B13-4
14a-B13-5
11:00
14a-B13-6 線幅 2nm の超微細シリコンナノワイヤトランジスタにおける
ドレイン電圧に起因する特性ばらつき
14a-B13-7 SRAM セルアレー TEG を用いた電源投入直後データの測定
11:15
11:30
11:45
12:00
〇田中 一 1, 須田 淳 1, 木本 恒暢 1
E 14a-B13-8 A New Write Stability Metric for Yield Estimation in SRAM
Cells at Low Supply Voltage
14a-B13-9 石英基板上の InGaAs MOSHEMT の高周波特性
14a-B13-10 耐放射線性を有する Si-MOSFET の開発Ⅱ
〇水谷 朋子 1, 竹内 潔 1, 鈴木 龍太 1, 更屋 拓哉 1,
小林 正治 1, 平本 俊郎 1
〇竹内 潔 1, 水谷 朋子 1, 篠原 尋史 2, 更屋 拓哉 1,
小林 正治 1, 平本 俊郎 1
〇 (D)Hao Qiu1, Kiyoshi Takeuchi1, Tomoko
Mizutani1, Takuya Saraya1, Masaharu Kobayashi1,
Toshiro Hiramoto1
〇久米 英司 1, 石井 裕之 2, 服部 浩之 2, Chang
Wen-Hsin2, 小倉 睦郎 1, 前田 辰郎 2
〇秋山 周哲 1, 大塚 正志 1, 相澤 淳 1, 石井 邦尚 1,
吉沢 勝美 1, 中田 智成 2, 渡辺 温 2, 持木 幸一 3
1. 産総研 , 2. ミニマルファブ , 3.SPP テクノロジー
ズ
1. ミニマルファブ , 2. 産総研 , 3. 米倉製作所
1. ミニマルファブ技術研究組合 , 2. 産総研 , 3. 坂
口電熱
1. 産総研 , 2. ミニマルファブ技術研究組合
1. 産総研
1. 産総研 , 2. ミニマルファブ
1. 産総研
1. 東大院工 , 2.JST CREST
1. 東京大学 , 2.JST CREST
1. 東大生研
1. 東大生研
1. 産総研
1. 京大院工
1. 東工大　未来研 , 2. 東工大　工学院電気電子系
1.NTT 物性基礎研 , 2.National Physical Lab.
1. 東工大
1. 東工大未来研 , 工学院電気電子系
1.Tohoku University
1. 島根大 , 2. 静岡大
1. 東芝 , 2. 産総研 , 3. 名大
1.ESPCI ParisTech, 2.NTT
1. 島根大総理工 , 2. ペンシルベニア州立大
1. 静大電研 , 2. 富山大工 , 3. 島根大総理工
1. 東大生研
1. 東大生研 , 2. 早大
1.Institute of Industrial Science, The University of
Tokyo
1. アイアールスペック , 2. 産総研ナノエレ
1. パイオニアマイクロテクノロジー ( 株 ), 2. パイ
オニア ( 株 ), 3. 東京都市大学
9/14(Wed.) 13:30 - 15:30 ポスター講演 (Poster Presentation) P6 会場
奨 14p-P6-1 ナノドットアレイデバイスのためのアナログメモリ素子制御の 〇 (D) 曹 民圭 1, 勝村 玲音 1, 福地 厚 1, 有田 正志 1, 1. 北大・院情報 , 2. 九工大・生命体工
検討
高橋 庸夫 1, 安藤 秀幸 2, 森江 隆 2
奨 14p-P6-2 マルチゲート Si 単電子トランジスタの特性評価
〇内田 貴史 1, 福地 厚 1, 有田 正志 1, 藤原 聡 2, 高 1. 北大院情報 , 2.NTT 物性基礎研
橋 庸夫 1
奨 14p-P6-3 Ta/Ta2O5 抵抗変化型メモリの多値・アナログメモリ動作の検 〇勝村 玲音 1, Mika Grönroos1, 福地 厚 1, 有田 正 1. 北大・院情報 , 2. 九工大・生命体工
討
志 1, 高橋 庸夫 1, 安藤 秀幸 2, 森江 隆 2
14p-P6-4 抗変化型メモリのスイッチング確率のモンテカルロシミュ
〇白澤 利隆 1, Dlamini Mlandeli1, 鎌倉 良成 1
1. 阪大院工
レーション
14p-P6-5 DNA/Si-MOSFET，寄生容量制御による零消費電力インバー 〇松尾 直人 1, 中野 響 1, 部家 彰 1, 高田 忠雄 1, 山 1. 兵庫県立大院工 , 2. 広島大ナノデバイス研
タの可能性
名 一成 1, 佐藤 但 2, 横山 新 2
14p-P6-6 フレキシブル RFID タグ応用に向けた段差型 FET の作製とイ 〇周 真平 1, 平山 智章 1, 礒田 俊介 1, 山内 博 1, 岡 1. 千葉大院工 , 2. 千葉大先進科学センター , 3. 千
ンピーダンス測定
田 悠悟 2, 酒井 正俊 1, 飯塚 正明 3, 工藤 一浩 1
葉大教育
14p-P6-7 CMOS スイッチングマトリクス回路を用いた乳がん位置検出 〇 (B) 桑野 佑樹 1, アズハリ アフリーン 1, 宋 航 1, 1. 広大ナノデバイス
技術
肖 夏 1, 吉川 公麿 1
13 半導体 / Semiconductors
〇田中 宏幸 1,2, 小木曽 久人 1,2, 中野 禅 1,2, 速水 利
泰 3, 宮崎 俊也 3, クンプアン ソマワン 1,2, 原 史朗 1,2
15:45
16p-B10-8 ミニマル集光加熱炉で形成したゲート酸化膜の電気特性
〇三浦 典子 1, 居村 史人 1,2, 山田 武史 1,3, 相澤 洸 1,3,
池田 伸一 1,2, 石田 夕起 1,2, 三ヶ原 孝則 1,2, 大西 康
弘 1,3, クンプアン ソマワン 1,2, 原 史朗 1,2
16:00
16p-B10-9 ウェハ裏面からレーザ照射できるミニマルレーザ加熱装置を用 〇佐藤 和重 1, 千葉 貴史 1,3, 寺田 昌男 1,3, 池田 伸一
1,2
いた p-MOS トランジスタの特性
, クンプアン ソマワン 1,2, 原 史朗 1,2
16:15
16p-B10-10 プラズマ CVD TEOS 膜を熱拡散マスクに用いたミニマル液体 〇古賀 和博 1,2, 居村 史人 1,2, クンプアン ソマワン
1,2
ドーパントプロセスによる CMOS 試作
, 原 史朗 1,2
16:30
16p-B10-11 ミニマル SOI-MOSFET における実効キャリア移動度評価
〇柳 永シュン 1, クンプアン ソマワン 1, 長尾 昌善 1,
松川 貴 1, 原 史朗 1
16:45
16p-B10-12 ミニマルファブによるハーフインチサイズパッケージの作製 〇居村 史人 1,2, 井上 道弘 1, 猿渡 新水 1,2, クンプア
ン ソマワン 1,2, 原 史朗 1,2
13.5 デバイス／集積化技術 / Semiconductor devices and related technologies
9/13(Tue.) 13:45 - 17:00 口頭講演 (Oral Presentation) B13 会場
13:45
13p-B13-1 等電子トラップを導入した TFET のばらつき評価
〇森 貴洋 1, 右田 真司 1, 福田 浩一 1, 森田 行則 1,
水林 亘 1, 柳 永勛 1, 大内 真一 1, 更田 裕司 1, 大塚
慎太郎 1, 安田 哲二 1, 昌原 明植 1, 松川 貴 1
14:00
13p-B13-2 EOT スケーリング及び量子井戸による InGaAs TFET の性能 〇安 大煥 1,2, 竹中 充 1,2, 高木 信一 1,2
向上
14:15
13p-B13-3 ゲート電流ストレスによる InGaAs トンネル FET の電気特性 〇尹 尚希 1,2, 張 志宇 1,2, 安 大煥 1,2, 竹中 充 1,2, 高木
の変動
信一 1,2
14:30
13p-B13-4 負性容量によるトンネル FET の性能向上負性容量によるトン 〇小林 正治 1, 蔣 京珉 1, 上山 望 1, 平本 俊郎 1
ネル FET の性能向上
14:45
13p-B13-5 サブ 0.2V の高エネルギー効率動作に向けた強誘電体 HfO2 ダ 〇 (DC)Jang Kyungmin1, 更屋 拓哉 1, 小林 正治 1,
ブルゲート負性容量 FET におけるゲートスタックのスケーラ 平本 俊郎 1
ビリティ
15:00
13p-B13-6 FinFET 寄生抵抗ばらつきの解析：エクステンションドーピン 〇松川 貴 1, 森 貴洋 1, 森田 行則 1, 大塚 慎太郎 1,
グ条件の影響
柳 永勛 1, 大内 真一 1, 更田 裕司 1, 右田 真司 1, 昌
原 明植 1
15:15
休憩 /Break
15:30
16p-B10-7 ミニマル装置を用いた高速ガス切り替え貫通エッチング
13.6 Semiconductor English Session
14p-P6-8 健康管理デバイス応用に向けた印刷形成した加速度センサの検 〇山本 大介 1, 中田 尚吾 1, 有江 隆之 1, 秋田 成司 1, 1. 大阪府大
討
竹井 邦晴 1
14p-P6-9 二次元 Si 系半導体の検討 ( Ⅳ ): 紫外領域における PL 発光
〇小又 祐介 1, 青木 孝 1, 鮫島 俊之 2, 水野 智久 1
1. 神奈川大理 , 2. 農工大工
14p-P6-10 CMOS イメージセンサーの残像現象メカニズムの解明 1
〇金田 翼 1, 大谷 章 1
1. キヤノン株式会社
14p-P6-11 CMOS イメージセンサーの残像現象メカニズムの解明 2
〇大谷 章 1, 金田 翼 1
1. キヤノン ( 株）デバ開
〇 Nithi Atthi1, Shun-ichiro Ohmi1
1.Tokyo Tech
〇 Keisuke Yasuta1, Masahiko Hasumi1, Tomokazu
Nagao2, Yutaka Inouchi2, Toshiyuki Sameshima1
〇 (DC)Dauksta Edvins1,2, Vigantas Mizeikis1,
Arturs Medvids2, Masaru Shimomura1, Yasuo
Fukuda1, Kenji Murakami1
〇 Xianjia Luo1, Yuichi Oshima1, Yujin Cho1,
Takashi Sekiguchi1
1.TUAT, 2.NISSIN ION EQUIPMENT Co.
13.6 Semiconductor English Session
9/14(Wed.) 10:30 - 11:30 口頭講演 (Oral Presentation) B7 会場
10:30
招 E 14a-B7-1 [Young Scientist Presentation Award Speech]
Investigation of Bilayer HfN Gate Insulator Formed by ECR
Plasma Sputtering
10:45
E 14a-B7-2 Activation of Silicon by Ion Implantation under Heating
Sample
11:00
奨 E 14a-B7-3 Laser induced phase conversion from TiO2rutile to anatase.
13 半導体 / Semiconductors
11:15
E 14a-B7-4 Cathodoluminescence Classification of Threading Dislocations
in Ga- and N-face GaN
9/14(Wed.) 13:30 - 15:30 ポスター講演 (Poster Presentation) P7 会場
E 14p-P7-1 The effect of the bandpass filter on the confocal imaging using
CMOS digital system for breast cancer detection
E 14p-P7-2 Improvement of RF performance by using double δ -doping
in InP-based high-electron-mobility transistors with MOVPEgrown InAs/In0.8Ga0.2As quantum-well
13.7 ナノ構造・量子現象 / Nano structures and quantum phenomena
9/14(Wed.) 16:00 - 18:00 ポスター講演 (Poster Presentation) P20 会場
14p-P20-1 GaAs/AlAs 非対称多重量子井戸の光学特性とキャリア輸送の
解析
14p-P20-2 CoSi2 上に形成した Si/CaF2 共鳴トンネル量子井戸構造の抵抗
スイッチング特性
14p-P20-3 バイオテンプレート極限加工による GaAs 量子ナノディスク
LED のエレクトロルミネッセンス特性評価
14p-P20-4 ZnSe ナノ粒子における誘電率スペクトルの量子サイズ効果
9/15(Thu.) 15:45 - 17:45 口頭講演 (Oral Presentation) A26 会場
15:45
15p-A26-1 ナノ空間を主導パラメータとする量子ドット結晶の計算科学的
デザイン
16:00
15p-A26-2 高い面密度を持つ自己組織化 InGaAs 量子ドットにおける光学
的フィリング効果の抑制
16:15
15p-A26-3 InGaAs 量子ドットと積層したバリア層のスピン輸送特性に対
する成長温度の影響
16:30
15p-A26-4 InGaAs 量子井戸から量子ドットへの励起子スピン注入と注入
後のスピン緩和
16:45
15p-A26-5 Si ドープによる InAs 量子ドットの仕事関数変化
1.Shizuoka University, 2.Riga Technical University
1.NIMS
〇 Hang Song1, Afreen Azhari1, Xia Xiao2, Takamaro 1.Hiroshima Univ., 2.Tianjin Univ.
Kikkawa1
〇 AMINE ELMOUTAOUAKIL1, Takuya HOSHI1, 1.NTT Device Technology Labs.
Hiroki SUGIYAMA1, Hideaki MATSUZAKI1
〇吉田 好佑 1, 王 鋭 1, 細田 誠 2, 赤羽 浩一 3, 大谷
直毅 1
〇櫻井 文裕 1, 渡辺 正裕 1
1. 同志社大院理工 , 2. 静岡大 , 3. 情報通信研究機
構
1. 東工大工学院電気電子
〇肥後 昭男 1, 木場 隆之 2, トーマス セドリック 3, 1. 東北大学 WPI-AIMR, 2. 北見工大 , 3. 東北大流
高山 純一 4, ソダーバンル ハサネット 5, 岡本 尚文 体研 , 4. 北大情報科学 , 5. 東大院工 , 6. 奈良先端大
6
, 山下 一郎 6, 杉山 正和 5, 中野 義昭 5, 村山 明宏 4,
寒川 誠二 1,3
〇村上 拓也 1, 金 大貴 2, 脇田 和樹 3, 沈 用球 1
1. 阪府大院工 , 2. 阪市大院工 , 3. 千葉工大工
〇金 賢得 1,2
〇浦部 晶行 1, 武石 一紀 1, 板橋 皓大 1, 高山 純一 1,
村山 明宏 1
〇板橋 皓大 1, 武石 一紀 1, 浦部 晶行 1, 高山 純一 1,
Chen Shula2, 村山 明宏 1
〇武石 一紀 1, Chen Shula2, 高山 純一 1, 板橋 皓大 1,
浦部 晶行 1, 村山 明宏 1
〇 (M2) 小林 知弘 1, 高林 紘 1, 下村 憲一 1, Zhang
Yuwei1, 山田 郁彦 1, 神谷 格 1
17:00
E 15p-A26-6【注目講演】Effect of coupling of a few donor-atoms as a
〇 Daniel Ioan Moraru1, Arup Samanta1, Tarik
quantum dot for single-electron tunneling operation at room
Hasan1, Manoharan Muruganathan2, Hiroshi
temperature
Mizuta2,3, Michiharu Tabe1
17:15
15p-A26-7 ナノギャップ電極と結合した単一自己組織化 InSb 量子ドット 〇柴田 憲治 1, 大森 雅登 2, 榊 裕之 2, 平川 一彦 3
における電気伝導特性
17:30
15p-A26-8 InP(311)B 面上に成長した InAs 量子ドットの電気伝導特性
〇和田 直樹 1, 張 亜 1, 吉田 健治 1, 赤羽 浩一 2, 平
川 一彦 1,3
9/16(Fri.) 10:00 - 11:45 口頭講演 (Oral Presentation) A26 会場
10:00
E 16a-A26-1 Analysis of phonon assistance as a function of temperature in 〇 Daniel Ioan Moraru1, Mitsuki Shibuya1,
inter-band tunneling in 2D Si lateral Esaki diodes
Ratno Nuryadi2, Masahiro Hori1, Yukinori Ono1,
Michiharu Tabe1
10:15
E 16a-A26-2 Strain relaxation in submonolayer InAs/GaAs quantum
〇 Yuwei Zhang1, Itaru Kamiya1
structures
10:30
奨 16a-A26-3 Si ドープ In0.8Ga0.2As/Al0.5Ga0.5As/AlAs0.56Sb0.44 結合量子井戸に 〇石川 友樹 1, 牛頭 信一郎 2, 物集 照夫 2, 大木 俊介
1
おけるスピン緩和
, 山田 築 1, 亀崎 拓也 1, 竹内 淳 1
10:45
奨 16a-A26-4 InGaAs 量子井戸と GaInNAs 量子井戸のスピン緩和の観測
〇亀崎 拓也 1, 石川 友樹 1, 大木 俊介 1, 山田 築 1,
Lu Shulong2, Bian Lifeng2, Niu Zhichuan3, 竹内 淳
1. 京大院理 , 2.JST さきがけ
1. 北大院情報科学
1. 北大院情報科学 , 2. リンショーピン大学
1. 北大院情報科学 , 2. リンショーピン大
1. 豊田工大
1.RIE, Shizuoka Univ., 2.JAIST, 3.Univ.
Southampton
1. 東北工大 , 2. 豊田工大 , 3. 東大生研・ナノ量子
機構
1. 東大生研 , 2. 情報通信研究機構 , 3. 東大ナノ量
子機構
1.RIE, Shizuoka Univ., 2.AAAT, Indonesia
1.Toyota Tech. Inst.
1. 早大先進理工 , 2. 産総研
1. 早大先進理工 , 2.SINANO-CAS, 3.I.S.-CAS
1
11:00
奨 16a-A26-5 GaAs/AlGaAs 共鳴トンネル双量子井戸のスピン緩和メカニズ 〇中村 芳樹 1, ショウ サンウ 1, 中山 航 1, 飯田 真之
1
ム
, 谷川 詩馬 1, 武藤 俊一 2, 竹内 淳 1
11:15
16a-A26-6 スピン歳差運動の初期位相に注目した残留電子スピン分極ダイ 厳 麗平 2, 高群 哲義 1, 鍜治 怜奈 1, 〇足立 智 1
ナミクス
11:30
16a-A26-7 残留電子スピン分極の歳差運動における初期位相シフトの励起 〇 (M1) 高群 哲義 1, 厳 麗平 2, 鍜治 怜奈 1, 足立 智
1
エネルギー依存性
CS.5 3.11 フォトニック構造・現象，13.7 ナノ構造・量⼦現象のコードシェアセッション / 3.11&13.7 Code-sharing session
9/15(Thu.) 9:00 - 12:15 口頭講演 (Oral Presentation) B4 会場
9:00
15a-B4-1 Er3+ 超微細構造準位の観測
〇俵 毅彦 1,2, Giacomo Mariani1, 清水 薫 1, 尾身 博
雄 1,2, 足立 智 3, 後藤 秀樹 1
9:15
15a-B4-2 フォトニック結晶ナノ共振器縮退モードを用いた量子ドットか 〇岩本 敏 1,2, 太田 泰友 2, 荒川 泰彦 1,2
らの光軌道角運動量の生成
9:30
15a-B4-3 発光源と光導波路が集積された三次元フォトニック結晶の作製 〇田尻 武義 1, 高橋 駿 2, 太田 泰友 2, 渡邉 克之 2,
と光学特性評価
岩本 敏 2,1, 荒川 泰彦 2,1
9:45
15a-B4-4 一次元フォノニック結晶における弾性波のトポロジカル境界状 〇金 仁基 1, 岩本 敏 1,2, 荒川 泰彦 1,2
態
10:00
15a-B4-5 二次元 PT 対称性構造における光伝搬特性の解析
〇谷山 秀昭 1,2, 高田 健太 1,2, 納富 雅也 1,2
10:15
15a-B4-6 グラフェンを装荷したディープサブ波長プラズモニック導波路 〇小野 真証 1,2, 常川 雅人 2,3, 角倉 久史 1,2, 倉持 栄
の作製
一 1,2, 谷山 秀昭 1,2, 納富 雅也 1,2,3
10:30
E 15a-B4-7 Optomechnical actuator driven and probed by mechanically〇 Feng Tian1,2, Hisashi Sumikura1,2, Eiichi
linked optical nanocavities
Kuramochi1,2, Hideaki Taniyama1,2, Masato
Takiguchi1,2, Masaya Notomi1,2
1. 早大先進理工 , 2. 北大院工
1. 北大院工 , 2. 太原理工大
1. 北大工 , 2. 太原理工大
1.NTT 物性基礎研 , 2.NTT ナノフォトニクスセン
タ , 3. 北大院工
1. 東大生研 , 2. 東大ナノ量子機構
1. 東大生研 , 2. ナノ量子機構
1. 東大生研 , 2. 東大ナノ量子機構
1.NTT 物性研 , 2.NTT NPC
1.NTT ナノフォトニクスセンタ , 2.NTT 物性科学
基礎研 , 3. 東工大院理工
1.NTT NPC, 2.NTT BRL
13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術 / Compound and power electron devices and process technology
10:45
11:00
E 14a-P6-3 Electrochemical characterization of GaN porous structures for 〇 Xiaoyi Zhang1, Keisuke Ito1, Hirofumi Kida1,
Yusuke Kumazaki1, Taketomo Sato1
photochemical sensor application
14a-P6-4 金属有機化合物分解法による GaN 表面への NiO 粒子の形成 (2) 〇喜田 弘文 1, 伊藤 圭亮 1, 熊崎 祐介 1, 佐藤 威友 1,
渡久地 政周 1
14a-P6-5 P-GaN へのオーミックコンタクト形成における水素含有雰囲 〇高橋 昌靖 1, 筒井 一生 1, 星井 拓也 1, 角嶋 邦之 1,
気の影響
若林 整 1, 岩井 洋 1
14a-P6-6 N 極性 n 型 GaN 上 Ni ショットキーダイオード特性の蒸着法 〇寺島 勝哉 1, 野々田 亮平 2, 正直 花奈子 2, 谷川 智
依存性
之 2, 松岡 隆志 2, 鈴木 秀明 1, 岡本 浩 1
14a-P6-7 自立基板の劈開面に形成した n-GaN ショットキー接触の評価 〇今立 宏美 1, 青木 俊周 1, 三島 友義 2, 塩島 謙次 1
(3)
－－電流 - 電圧特性の温度依存性－－
14a-P6-8 Ni/N 極性 p-GaN ショットキー電極界面の電流 - 電圧特性の温 〇青木 俊周 1, 谷川 智之 2, 松岡 隆志 2, 塩島 謙次 1
度依存性
14a-P6-9 GaN 自立基板上低転位 InAlN HEMT 構造の成長とゲートリー 〇小谷 淳二 1, 山田 敦史 1, 石黒 哲郎 1, 中村 哲一 1
ク特性の評価
14a-P6-10 MOCVD n-GaN の Ev+0.86 eV 正孔トラップと YL の相関
〇 (M2) 上田 聖悟 1, 徳田 豊 1
14a-P6-11 GaN 中のプラズマ照射誘起欠陥の挙動解析
〇若杉 勇作 1, 中村 成志 1, 奥村 次徳 1
14a-P6-12 Si 基板上 AlGaN/GaN/GaN:C ヘテロ構造のターンオン容量回 〇中野 由崇 1, 近松 晃仁 1
復特性
14a-P6-13 GaN または AlGaN 上に形成した SiO2 膜への Ga の熱拡散
〇片岡 恵太 1, 兼近 将一 1, 青木 裕子 1, 上田 博之 1,
成田 哲生 1, 木本 康司 1, 上殿 明良 2
14a-P6-14 GaN ヘテロ接合 MIS-FET のノーマリオフ動作
〇南條 拓真 1, 林田 哲郎 1, 小山 英寿 2, 今井 章文 1,
柳生 栄治 1, 古川 彰彦 1, 山向 幹雄 1
14a-P6-15 Si 基板上 AlGaN/GaN HEMT 構造縦方向耐圧における SLS 層 〇山岡 優哉 1,2, 各務 憲 2, 生方 映徳 1, 矢野 良樹 1,
周期数の影響
田渕 俊也 1, 松本 功 1, 江川 孝志 2
14a-P6-16 ALD-SiO2/AlGaN/GaN MIS-HEMT の電気特性における成膜 〇久保 俊晴 1, 江川 孝志 1
温度依存性
14a-P6-17 プラズマ酸化層を挿入した SiO2/InAlN 界面の特性
〇清野 惇 1, 横田 直茂 1, 赤澤 正道 1
14a-P6-18 GaN エピ層上にプラズマ CVD で SiO2 を形成した MOS の界
面観察
14a-P6-19 ｍ面 GaN 上 MOSFET の特性
14a-P6-20 分極接合基板上 p チャネル GaN MOS 構造のインピーダンス
解析
9/14(Wed.) 11:45 - 12:15 口頭講演 (Oral Presentation) B1 会場
11:45
招 14a-B1-1 [ 優秀論文賞受賞記念講演 ]
Characterization of electronic states at insulator/(Al)
GaN interfaces for improved insulated gate and surface
passivation structures of GaN-based transistors
9/15(Thu.) 9:00 - 12:30 口頭講演 (Oral Presentation) B1 会場
9:00
E 15a-B1-1 Investigation of Mg Ion Implantation for Current Blocking in
Vertical Ga2O3Transistors
9:15
E 15a-B1-2 Characterization of Channel Temperature in Ga2O3 MOSFETs
9:30
15a-B1-3
9:45
15a-B1-4
10:00
10:15
15a-B1-5
奨 15a-B1-6
10:30
1.NTT 物性研
1.NTT 物性基礎研 , 2. スイス連邦工科大学ローザ
ンヌ校
1. 京大院工 , 2. 学振研究員
1. 京大院工 , 2. 学振特別研究員 PD
1. 京大院工 , 2. 学振特別研究員 PD, 3.ETH Zurich
1. 京大院工 , 2. 阪府大院
1. 東大ナノ量子機構 , 2. 東大生研
1. 大阪府大院工 , 2. 京大院工
1. 北大院工 , 2. 物材機構 , 3. 八戸工大
1. 慶應大 , 2. 情報通信研究機構
1. 物材機構
1.NIMS
1. 東大ナノ量子機構 , 2. 東大生研
1. 東大ナノ量子 , 2. 東大生研
1. 北大量集セ
1. 北大量集セ
1.RCIQE
1. 北大量集セ
1. 東京工業大学
1. 弘前大理工 , 2. 東北大金研
1. 福井大院工 , 2. 法政大
1. 福井大院工 , 2. 東北大金研
1. 富士通研
1. 愛知工大
1. 首都大理工
1. 中部大工
1. 豊田中研 , 2. 筑波大数理
1. 三菱電機先端総研 , 2. 三菱電機波光電
1. 大陽日酸 , 2. 名工大
1. 名工大
1. 北大量集センター
〇松山 秀昭 1, 上野 勝典 1, 高島 信也 1, 稲本 拓朗 1, 1. 富士電機 , 2. 山梨大
江戸 雅晴 1, 中川 清和 2
〇上野 勝典 1, 高島 信也 1, 稲本 拓朗 1, 松山 秀昭 1, 1. 富士電機（株）, 2. 山梨大 , 3. 産総研
江戸 雅晴 1, 高橋 言緒 3, 清水 三聡 3, 中川 清和 2
〇 (M1) 高山 留美 1, 星井 拓也 1, 中島 昭 2, 西澤 伸 1. 東工大工 , 2. 産総研
一 2, 大橋 弘通 2, 角嶋 邦之 1, 若林 整 1, 筒井 一生 1
〇谷田部 然治 1, 堀 祐臣 2, 馬 万程 3, Asubar Joel T.4, 1. 熊本大 , 2. 古河電工 , 3. 北大 , 4. 福井大
赤澤 正道 3, 佐藤 威友 3, 橋詰 保 3
〇 ManHoi Wong1, Kohei Sasaki2,1, Akito Kuramata2,
Shigenobu Yamakoshi2, Masataka Higashiwaki1
〇 ManHoi Wong1, Yoji Morikawa2, Kohei Sasaki3,1,
Akito Kuramata3, Shigenobu Yamakoshi3, Masataka
Higashiwaki1
1kV 耐圧 Ga2O3 フィールドプレート付きショットキーバリア 〇小西 敬太 1, 後藤 健 2,3, 富樫 理恵 3, 村上 尚 3, 熊
ダイオード
谷 義直 3, Bo Monemar3,4, 倉又 朗人 2, 山腰 茂伸 2,
東脇 正高 1
ダイヤモンドデバイスを用いた無線電力伝送用レクテナの理論 〇大石 敏之 1, 河野 直士 1, 嘉数 誠 1
的検討
酸化ガリウムダイオードを用いたレクテナ回路動作
〇河野 直士 1, 大島 孝仁 1, 嘉数 誠 1, 大石 敏之 1
レクテナにおけるダイヤモンドショットキーバリアダイオード 〇河野 直士 1, 桝谷 聡士 1, 大島 孝仁 1, 大石 敏之 1
の抵抗容量積の影響
休憩 /Break
1.NICT, 2.Tamura Corp.
1.NICT, 2.Silvaco Japan, 3.Tamura Corp.
1. 情通機構 , 2. タムラ製作所 , 3. 東京農工大院工 ,
4. リンチョピン大
1. 佐賀大学
1. 佐賀大院工
1. 佐賀大院工
13 半導体 / Semiconductors
奨 15a-B4-8 結合機械振動子における複数モードの同時フィードバック制御 〇太田 竜一 1, 岡本 創 1, 山口 浩司 1
15a-B4-9 ３つの SiN 機械共振器のパラメトリック強結合
〇岡本 創 1, シリング ライアン 2, シュッツ ヘンド
リック 2, スドゥヒア ヴィヴィシェク 2, ウィルソン
ダルツィエル 2, キッペンベルグ トビアス 2, 山口
浩司 1
11:15
奨 15a-B4-10 3 次元フォトニック結晶におけるギャップ中減衰モードの考察 〇 (DC) 権平 皓 1,2, 石﨑 賢司 1, 北野 圭輔 1,2, 浅野
卓 1, 野田 進 1
11:30
15a-B4-11 近接場熱輻射伝達による狭帯域熱輻射増強
〇井上 卓也 1,2, 浅野 卓 1, 野田 進 1
11:45
15a-B4-12 量子井戸のサブバンド間遷移とフォトニック結晶共振器の強結 〇井上 卓也 1,2, 浅野 卓 1, Faist Jerome3, 野田 進 1
合系の熱輻射特性
12:00
15a-B4-13 熱光子によりポンプされたナノ共振器ラマン系の数値解析
〇乾 善貴 1, 浅野 卓 1, 高橋 和 2, 野田 進 1
9/15(Thu.) 13:45 - 15:45 口頭講演 (Oral Presentation) B4 会場
13:45
15p-B4-1 DBR 上ナノワイヤ量子ドットレーザにおける閾値特性の向上 〇館林 潤 1, 太田 泰友 1, 岩本 敏 1,2, 荒川 泰彦 1,2
14:00
15p-B4-2 ナノ共振器シリコンラマンレーザの時間領域測定（Ⅱ）
〇山下 大喜 1, 高橋 和 1, 浅野 卓 2, 野田 進 2
14:15
15p-B4-3 単一 GaAs 液滴量子ドットの磁気発光測定
〇鍜治 怜奈 1, 冨永 隆宏 1, 間野 高明 2, 小田島 聡 3,
黒田 隆 2, 笹倉 弘理 1, 足立 智 1
14:30
奨 15p-B4-4 チャープパルスを用いた量子ドット集合体のポピュレーション 〇青沼 直登 1, 佐藤 嘉高 1, 赤羽 浩一 2, 早瀬 潤子 1
反転実験
14:45
15p-B4-5 量子ドットもつれ光子源の安定性について
〇黒田 隆 1, 間野 高明 1, ハ ヌル 1, 劉 祥明 1, 佐久
間 芳樹 1, 迫田 和彰 1
15:00
E 15p-B4-6 Entangled photon emitting diode based on GaAs droplet
〇 (P)Neul Ha1, Takaaki Mano1, Yoshiki Sakuma1,
quantum dots
Kazuaki Sakoda1, Takashi Kuroda1
15:15
15p-B4-7 量子ドット - 結合共振器系におけるもつれ二光子 N00N 状態生 〇上出 健仁 1, 太田 泰友 1, 岩本 敏 1,2, 荒川 泰彦 1,2
成の理論
15:30
15p-B4-8 量子ドット励起子分子 - ナノ共振器系における Feshbach 共鳴 〇太田 泰友 1, 上出 健仁 1, 岩本 敏 1,2, 荒川 泰彦 1,2
を用いた光子 - 光子相関制御の検討
13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術 / Compound and power electron devices and process technology
9/14(Wed.) 9:30 - 11:30 ポスター講演 (Poster Presentation) P6 会場
14a-P6-1 電気化学インピーダンス分光法による GaN 多孔質構造の評価 〇伊藤 圭亮 1, 張 笑逸 1, 喜田 弘文 1, 熊崎 祐介 1,
佐藤 威友 1
14a-P6-2 GaN 多孔質構造の選択領域形成に関する検討
〇松本 悟 1, 熊崎 祐介 1, 佐藤 威友 1
13.9 光物性・発光デバイス / Optical properties and light-emitting devices
13 半導体 / Semiconductors
10:45
11:00
15a-B1-7 ダイヤモンド単結晶と Si 単結晶基板の常温接合
〇梁 剣波 1, 桝谷 聡士 2, 嘉数 誠 2, 重川 直輝 1
15a-B1-8 GaN 自立基板上 PIN ダイオードにおける順方向発光パターン 〇 (D) 宇佐美 茂佳 1, 安藤 悠人 1, 田中 敦之 2, 永松
解析
謙太郎 2, 久志本 真希 1, 出来 真斗 2, 新田 州吾 2, 本
田 善央 2, 天野 浩 2,3,4
11:15
奨 15a-B1-9 p++-GaN 薄層を用いた縦型 p++-n 接合ダイオード
〇柘植 博史 1, 堀切 文正 2, 成田 好伸 2, 金田 直樹 3,
中村 徹 1, 三島 友義 1
11:30
15a-B1-10 界面顕微光応答法による n-GaN 自立基板表面の波形モフォロ 〇塩島 謙次 1, 橋爪 孝典 1, 堀切 文正 2, 田中 丈士 2,
ジーの 2 次元評価
三島 友義 3
11:45
奨 15a-B1-11 自立 GaN 基板上 p-n 接合ダイオードにおける順方向電流集中 〇林 賢太郎 1, 太田 博 1, 堀切 文正 2, 成田 好伸 2,
領域の検討Ⅱ
吉田 丈洋 2, 中村 徹 1, 三島 友義 1
12:00
15a-B1-12 自立 GaN 基板上 p-n 接合ダイオードの信頼性試験
〇堀切 文正 1, 太田 博 2, 成田 好伸 1, 吉田 丈洋 1,
北村 寿朗 1, 中村 徹 2, 三島 友義 2
12:15
15a-B1-13 表面活性化接合法による Al 箔 / ワイドギャップ半導体接合の 〇森田 匠 1, 西村 拓也 1, 梁 剣波 1, 松原 萌子 2, ダ
電気特性
ムリン マルワン 2, 西尾 佳高 2, 重川 直輝 1
9/16(Fri.) 9:00 - 12:30
口頭講演 (Oral Presentation) B1 会場
9:00
奨 E 16a-B1-1 AlGaN/GaN HEMTs on Free-standing GaN Substrates with
〇 (M2)JIEHONG NG1, Joel Asubar1, Hirokuni
Critical Electric Field of 1.2 MV/cm
Tokuda1, Masaaki Kuzuhara1
9:15
奨 16a-B1-2 ドレイン電極形状が AlGaN/GaN HEMTs の耐圧に与える影響 〇山崎 泰誠 1, 鈴木 雄大 1, Asubar Joel1, 徳田 博邦 1,
葛原 正明 1
9:30
奨 16a-B1-3 三次元 FP 構造 AlGaN/GaN HEMT の電流コラプスに与える 〇 (M2) 鈴木 敦也 1, Joel Asubar1, 徳田 博邦 1, 葛原
溝エッチング深さの効果
正明 1
9:45
16a-B1-4 オペランド顕微分光法を用いた GaN-HEMT における電流コ 〇大美賀 圭一 1, 舘野 泰範 2, 河内 剛志 2, 駒谷 務 3,
ラプス現象の機構解明
永村 直佳 4, 今野 隼 5, 高橋 良暢 5, 小嗣 真人 5, 堀
場 弘司 6, 尾嶋 正治 7, 末光 眞希 1, 吹留 博一 1
10:00
16a-B1-5 ドレイン電流 DLTS,MCTS 測定による Si 基板上 AlGaN/GaN 〇高林 洸太 1, 徳田 豊 1
HEMT のトラップ評価
10:15
16a-B1-6 ホモエピタキシャル成長低ドープ n 型 GaN の接合容量の周波 〇須田 淳 1, 堀田 昌宏 1
数およびバイアス電圧依存性による深い準位の評価
10:30
休憩 /Break
10:45
11:00
11:15
11:30
奨 16a-B1-7 MOVPE 成長 Si ドープ n 型 GaN の電気特性における貫通転位
の影響
16a-B1-8 GaN MOS 界面における表面ポテンシャル揺らぎの絶縁膜形
成温度依存性
16a-B1-9 Mg ドープ p-GaN のホール効果温度特性評価と価電子帯の有
効状態密度に関する考察
奨 16a-B1-10 AlGaN/GaN MOS-HEMT 電気特性劣化のゲート絶縁膜成膜温
度依存性の検証
11:45
16a-B1-11
12:00
16a-B1-12
12:15
16a-B1-13
9/16(Fri.) 13:30 - 17:00
13:30
16p-B1-1
〇澤田 直暉 1, 成田 哲生 2, 上杉 勉 2, 加地 徹 3, 堀
田 昌宏 1, 須田 淳 1
〇田岡 紀之 1, 久保 俊晴 2, 山田 寿一 1, 江川 孝志 2,
清水 三聡 1
〇堀田 昌宏 1, 高島 信也 2, 田中 亮 2, 上野 勝典 2,
江戸 雅晴 2, 高橋 言緒 3, 清水 三聡 3, 須田 淳 3
〇 (M1) 渡邉 健太 1, 野崎 幹人 1, 山田 高寛 1, 中澤
敏志 2, 按田 義治 2, 石田 昌宏 2, 上田 哲三 2, 細井
卓治 1, 志村 考功 1, 渡部 平司 1
リモートプラズマ CVD SiO2/GaN 界面の光電子分光分析
〇グェン スァン チュン 1, 大田 晃生 1, 牧原 克典 1,
池田 弥央 1, 宮崎 誠一 1
高感度電子線ホログラフィーによる GaN/AlGaN 界面に形成さ 〇山本 和生 1
れた２次元電子ガス層の可視化
Si 基板上 AlGaN/GaN HEMT 構造における AlN 初期層の電流 〇各務 憲 1, 山岡 優哉 1,2, 江川 孝志 1, 生方 映徳 2,
AFM 評価
田渕 俊也 2, 松本 功 2
口頭講演 (Oral Presentation) B1 会場
プラズマ励起原子層堆積保護膜による AlGaN/GaN HEMT の 〇鈴木 貴之 1, 山田 富明 1, 河合 亮輔 1, 川口 翔平 1,
表面安定化
張 東岩 1, 岩田 直高 1
Al2O3/AlGaN/GaN MOSHEMT の界面制御プロセス
〇金木 奨太 1, 西口 賢弥 1, 橋詰 保 1
窒化ホウ素を用いた GaN-MIS キャパシタの作製と電気特性評 〇松下 淳矢 1, 永松 謙太郎 2, Yang Xu1, 田中 敦之 2,
価
久志本 真希 1, 出来 真斗 2, 新田 州吾 2, 本田 善央 2,
天野 浩 2,3,4
GaN 表面の熱酸化におけるキャップ層の効果
〇山田 高寛 1, 渡邉 健太 1, 野崎 幹人 1, 細井 卓治 1,
志村 考功 1, 渡部 平司 1
熱酸化処理による SiO2/GaN 界面での GaOx 形成と MOS 界面 〇山田 高寛 1, 渡邉 健太 1, 野崎 幹人 1, 吉越 章隆 2,
特性向上
細井 卓治 1, 志村 考功 1, 渡部 平司 1
自立基板上の n-GaN 層に形成した Al2O3/GaN 構造の評価
〇問谷 翔太 1, 橋詰 保 1
休憩 /Break
13:45
14:00
奨 16p-B1-2
奨 16p-B1-3
14:15
16p-B1-4
14:30
16p-B1-5
14:45
15:00
奨 16p-B1-6
15:15
奨 16p-B1-7 AlGaN 系 HFET 型光センサの SiNx パッシベーション効果
1. 大阪市大工 , 2. 佐賀大工
1. 名大院工 , 2. 未来材料・システム研究所 , 3. 赤
﨑記念研究センター , 4. 名古屋大学 VBL
1. 法政大学 , 2. サイオクス , 3. クオンタムスプレッ
ド
1. 福井大院工 , 2. サイオクス , 3. 法政大学
1. 法政大 , 2. サイオクス
1. サイオクス , 2. 法政大
1. 大阪市立大学 , 2. 東洋アルミ二ウム
1.University of Fukui
1. 福井大院工
1. 福井大院工
1. 東北大通研 , 2. 住友電工 , 3. 住友電工デバイス・
イノベーション , 4.NIMS, 5. 東京理科大学 , 6.KEK/
PF, 7. 東京大学
1. 愛知工大
1. 京大院工
1. 京大院工 , 2. 豊田中研 , 3. 名大
1. 産総研 , 2. 名工大
1. 京大院工 , 2. 富士電機 , 3. 産総研
1. 阪大院工 , 2.Panasonic
1. 名大院工
1. ファインセラミックスセンター
1. 名工大院 , 2. 大陽日酸
1. 豊田工大
1. 北大量集センター
1. 名大院工 , 2. 未来材料・システム研究所 , 3. 赤
崎記念研究センター , 4. 名古屋大学 VBL
1. 阪大院工
1. 阪大院工 , 2. 原子力機構
1. 北海道大
〇牛田 彩希 1, 吉川 陽 1,3, 岩谷 素顕 1, 竹内 哲也 1, 1. 名城大・理工 , 2. 名古屋大・赤﨑記念研究セン
上山 智 1, 赤﨑 勇 1,2
ター , 3. 旭化成
15:30
奨 16p-B1-8 AlGaN/GaN HEMT における中性粒子ビームエッチングの素 〇邉見 ふゆみ 1, Thomas Cedric2, Lai Yi-Chun3, 肥 1. 東北大通研 , 2. 東北大流体研 , 3. 東北大 AIMR,
子間リーク電流および素子間耐圧への影響
後 昭男 3, Guo Alex4, Warnock Shireen4, del Alamo 4.MIT MTL
Jesus A.4, 寒川 誠二 2,3, 尾辻 泰一 1, 末光 哲也 1
15:45
奨 16p-B1-9 AlGaN/GaN ヘテロ構造の光電気化学特性と低損傷加工技術へ 〇熊崎 祐介 1, 植村 圭佑 1, 佐藤 威友 1
1. 北大量集セ
の応用
16:00
16p-B1-10 フッ素系中性粒子ビームで処理した GaN HEMT エピ表面の 〇市川 弘之 1, 野田 周一 2, 眞壁 勇夫 1, 井上 和孝 1, 1. 住友電工伝送デバイス研 , 2. 東北大流体研 , 3. 東
分析
肥後 昭男 3, 寒川 誠二 2,3
北大 WPI-AIMR
16:15
16p-B1-11 AlGaN / GaN HEMT 構造における凹凸 AlGaN 層形成による 〇 (M1) 渡部 拓巳 1, 星井 拓也 1, 武井 優典 1, 下田 1. 東工大工 , 2. 東芝
コンタクト抵抗低減効果の解析
智裕 1, 筒井 一生 1, 齊藤 渉 2, 角嶋 邦之 1, 若林 整 1,
岩井 洋 1
16:30
奨 16p-B1-12 電極プロセスが AlGaN/GaN HEMT の耐圧に与える影響
〇牧野 伸哉 1, 大井 慎太郎 1, 山崎 泰誠 1, Asubar
1. 福井大院工
Joel1, 徳田 博邦 1, 葛原 正明 1
16:45
16p-B1-13 フェムト秒レーザー照射によるＭｇドープｐ - ＧａＮ層の局所 〇 (M1) 中島 陸 1, 森 拓磨 1, 三好 実人 1, 江川 孝志 1. 名工大工 , 2. アイシン精機
1
活性化
, 谷川 達也 2
13.9 光物性・発光デバイス / Optical properties and light-emitting devices
9/13(Tue.) 9:00 - 11:45 口頭講演 (Oral Presentation) A35 会場
9:00
13a-A35-1 WASSR 法による蛍光体の合成
〇戸田 健司 1, 長谷川 拓哉 1, 兼子 達郎 1, 金 善旭 1. 新潟大 , 2.N- ルミネセンス , 3. 成均館大学校
1
, 石垣 雅 1, 上松 和義 1, 佐藤 峰夫 1, 工藤 嘉昭 2,
戸田 雅子 2, 小出 順子 2, Usama Bin Humayoun3,
Yoon Dae Ho3
9:15
13a-A35-2 集光炉を用いた蛍光体の溶融合成
〇戸田 健司 1, 武藤 雅 1, 長谷川 拓哉 1, 金 善旭 1,
1. 新潟大
石垣 雅 1, 上松 和義 1, 佐藤 峰夫 1
3+
1
2
9:30
13a-A35-3 ZnGa2O4 ホストの結晶性・酸化度と Eu ドーパントの発光特 〇赤沢 方省 , 篠島 弘幸
1.NTT DIC, 2. 久留米高専
性
9:45
13a-A35-4 ハフニウム塩化物系シンチレータの開発とその現状
〇黒澤 俊介 1, 小玉 翔平 2, 山路 晃広 2, 横田 有為 1, 1. 東北大 NICHe, 2. 東北大金研 , 3.（株 )C&A
大橋 雄二 2, 荒川 元孝 1, 鎌田 圭 2,3, 吉川 彰 1,2,3
13.9 光物性・発光デバイス / Optical properties and light-emitting devices
10:00
10:15
13a-A35-5 放射光とレーザーを使って決定された GAGG 中 Ce3+ イオンの 〇北浦 守 1, 東 純平 2, 鎌田 圭 3, 石崎 学 1, 大西 彰 1. 山形大理 , 2. 佐賀大シンクロ , 3. 東北大 NICHe,
4f 電子イオン化エネルギー
正 1, 原 和彦 4
4. 静岡大電研
休憩 /Break
10:30
奨 13a-A35-6 発光の有無から見た Ce( Ⅲ ) 含有錯体の発光メカニズム
10:45
奨 13a-A35-7
11:00
13a-A35-8
11:15
11:30
13a-A35-9
E 13a-A35-10
9/13(Tue.) 13:15 - 17:15
13:15
13p-A35-1
奨 13p-A35-2
13:45
13p-A35-3
14:00
13p-A35-4
14:15
13p-A35-5
14:30
13p-A35-6
14:45
奨 13p-A35-7
15:00
奨 13p-A35-8
15:15
15:30
15:45
16:00
13p-A35-9 β -FeSi2 薄膜の低温でのフォトルミネッセンス発光
13p-A35-10 リン添加による (NH4)2SiF6 蛍光微粒子の耐熱性向上
13p-A35-11 異なる基板を用いた Gd3+ 添加ペロブスカイト型酸化物薄膜
16:15
EL デバイスの作製と紫外発光
13p-A35-12 ナノ粒子を出発材料とした ZnS:Cu EL 蛍光体
16:30
13p-A35-13
16:45
13p-A35-14
17:00
13p-A35-15
9/14(Wed.) 9:00 - 11:45
9:00
14a-A35-1
9:15
9:30
9:45
14a-A35-2
14a-A35-3
14a-A35-4
10:00
10:15
10:30
10:45
11:00
11:15
〇上田 祥平 1, 石垣 雅 1, 和迩 浩一 2, 音山 貴史 3,
中崎 義晃 3, 大観 光徳 1
Ge コア Si 量子ドット／ Si 量子ドット多重集積構造の EL 特性 〇竹内 大智 1,2, 山田 健太郎 1, 牧原 克典 1, 池田 弥
央 1, 大田 晃生 1, 宮崎 誠一 1
InGaAs 量子ドット - 量子井戸結合構造におけるスピン状態の 〇明井 祐人 1, 高山 純一 1, 武石 一紀 1, 板橋 皓大 1,
電界依存性
浦部 晶行 1, 村山 明宏 1
深紫外発光ダイオード用封止樹脂の耐久性とその劣化機構につ 〇長澤 陽祐 1, 平野 光 1, 青崎 耕 2, 一本松 正道 1,
いて
天野 浩 3, 赤﨑 勇 4
口頭講演 (Oral Presentation) A35 会場
ZnTiF6:Mn4+ 赤色蛍光体の作製と評価
〇 (M2) 櫻井 翔之 1, 星野 良介 1, 中村 俊博 1, 安達
定雄 1
Rb2XF6:Mn4+( X = Si, Ge, Ti ) 赤色蛍光体の作製と評価
〇 (M2) 櫻井 翔之 1, 中村 俊博 1, 安達 定雄 1
MI2MIVF6:Mn4+ 蛍光体の合成と発光特性
〇町田 憲一 1, 高濱 裕子 1, 半沢 弘昌 1
赤色発光 Mn4+ 賦活酸化物蛍光体の合成
〇長谷川 拓哉 1, 金 善旭 1, 上松 和義 1, 戸田 健司 1,
佐藤 峰夫 1
休憩 /Break
奨 14a-A35-5 赤色光で励起可能な Ca3B2N4:Eu2+ 蛍光体の発光特性
14a-A35-6 高圧窒素下での窒化物単結晶蛍光体の作製
奨 14a-A35-7 Ba5B2Al4Si32N52:Eu の合成と結晶構造および発光特性
14a-A35-8 BaSi7N10:Eu 派生窒化物蛍光体の白色発光 (III)
E 14a-A35-9 Preparation of CaAlSiN3:Eu2+ Phosphor Ceramics
11:30
14a-A35-10 単粒子診断法による新黄色蛍光体 A1+xM30X40 の開発
9/14(Wed.) 13:15 - 16:30 口頭講演 (Oral Presentation) A35 会場
13:15
招 14p-A35-1 [ 講演奨励賞受賞記念講演 ]
生体イメージング用 Ca10(PO4)6(OH)2 : Mn5+ 近赤外ナノ蛍光
13:30
13:45
14:00
14:15
14:30
〇秋山 賢輔 1,2, 松本 佳久 1, 舟窪 浩 2
〇 (M2) 常盤 葵 1, 佐藤 慶介 1, 平栗 健二 1
〇清水 雄平 1, 植田 和茂 1
体の液相合成
14p-A35-2 プロトン交換による発光性ナノスクロールの作製
1. 新潟大工 , 2. 岡山理科大理
1. 新潟大
1. 豊田中研
1. 電通大院情報理工
1.Nagoya Univ., 2.Yamanashi Univ.
1. 物材機構 , 2. 阪大工
1. 阪大院工 , 2. 阪大院基礎工
1. 阪大院工
1. 阪大院工
1. 阪大院工 , 2. 大府大院工 , 3. 神大院理
1. 阪大院工
1. 早大先進理工 , 2.SINANO-CAS
1. 早大先進理工
1. 神奈川産技セ , 2. 東工大物質理工
1. 東京電機大工
1. 九工大院工
1. 鳥取大工 , 2. タツモ ( 株 ), 3.( 株 ) ナノキューブ・
ジャパン
1. 名大院工 , 2. 学振特別研究員
1. 北大院情報科学
1. 創光科学株式会社 , 2. 旭硝子株式会社 , 3. 名古
屋大学 , 4. 名城大学
1. 群馬大院理工
1. 群馬大院理工
1. 大阪大院工
1. 新潟大
〇 (M2) 山梨 遼太 1, 長谷川 拓哉 1, 金 善旭 1, 上松
和義 1, 戸田 健司 1, 佐藤 峰夫 1, 陳 登銘 2
〇長谷川 拓哉 1, 山梨 遼太 1, 金 善旭 1, 上松 和義 1,
戸田 健司 1, 佐藤 峰夫 1
〇吉村 文孝 1, 山根 久典 2
〇武田 隆史 1, 舟橋 司朗 1, 解 栄軍 1, 広崎 尚登 1
〇 Rong-Jun Xie1, Shuxing Li2, Yujin Cho1, Takashi
Takeda1, Naoto Hirosaki1
〇舟橋 司朗 1, 広崎 尚登 1, 武田 隆史 1, 解 栄軍 1
1. 新潟大 , 2. 国立交通大学
〇上原 航 1, 石垣 雅 1, 岡本 優樹 1, 稲垣 徹 1,2, 本間
徹生 3, 大観 光徳 1
1. 鳥大院工 , 2. 宇部興産（株）, 3.JASRI
〇戸田 健司 1, 渡邊 美寿貴 1, 長谷川 拓哉 1, 金 善旭
, 上松 和義 1, 佐藤 峰夫 1
奨 14p-A35-3 TMAS 誘導シリカへの包埋による InP/ZnS 量子ドット蛍光体 〇 (M1) 渡邉 太一 1, 和田 知歌子 1, 磯 由樹 1, 磯部
の高耐光性化
徹彦 1, 佐々木 洋和 2
14p-A35-4 CuInS2 量子ドットへの青色 LED 照射による演色性評価
〇牧 純也 1, 福田 武司 1, 鎌田 憲彦 1, 本多 善太郎 1
奨 14p-A35-5 (Y,Gd)2O3:Yb3+,Er3+ アップコンバージョン蛍光ナノシートの作 〇磯 由樹 1, 佐藤 丞 1, 磯部 徹彦 1, 神 隆 2, 吉岡 芳
製と評価
親3
休憩 /Break
1
1. 三菱化学科技セ , 2. 東北大多元研
1. 物材機構
1.NIMS, 2.SICCAS
1. 物材機構
1. 新潟大
1. 慶大理工 , 2. 昭栄化学工業
1. 埼玉大院理工
1. 慶大理工 , 2. 理研 , 3. 阪大
14:45
14p-A35-6 ナノコンポジット型蛍光体
1. 小糸製作所 , 2. 名古屋大学 , 3. 東京工業大学
15:00
14p-A35-7
1. 産総研 , 2. 長岡技科大
15:15
14p-A35-8
15:30
奨 14p-A35-9
15:45
14p-A35-10
16:00
14p-A35-11
16:15
14p-A35-12
9/15(Thu.) 13:30 - 15:30
15p-P10-1
15p-P10-2
〇岩崎 剛 1, 四ノ宮 裕 1, 大長 久芳 1, 中埜 彰俊 2,
澤 博 2, 松石 聡 3, 細野 秀雄 3
希土類添加フツホウ酸ガラスおよびナノ結晶化ガラスの蛍光特 〇篠崎 健二 1, 赤井 智子 1, 本間 剛 2, 小松 高行 2
性
Ce をドープしたゾルゲルシリカガラスの発光特性
〇 (B) 徳光 聖茄 1, 村上 祐今 1, 川辺 豊 1
Bi ドープ SiOxNy 薄膜の近赤外発光特性
〇小島 拓也 1, 森岡 嵩文 1, 藤井 稔 1
Al2O3 中の Tb3+ イオンの固溶限界と発光特性
〇 (M1C) 大西 勇也 1, 中村 俊博 1, 安達 定雄 1
Tb3Al5O12 ガーネットの作製とフォトルミネッセンス特性
〇 (M1C) 大西 勇也 1, 中村 俊博 1, 安達 定雄 1
Tb3Al5O12:Ce3+ 黄色蛍光体の作製と評価
〇 (M1C) 大西 勇也 1, 中村 俊博 1, 安達 定雄 1
ポスター講演 (Poster Presentation) P10 会場
Yb3+ と Er3+ を添加した Zn2TiO4 による UC 発光のアニール温 〇野中 俊宏 1, 大山 渓人 1, 番 貴彦 1, 山本 伸一 1
度依存性
Gd2O3: Er3+, Yb3+ のアップ・ダウンコンバージョン特性
〇埴岡 正史 1, 佐俣 博章 1
1. 新潟大
1. 千歳科技大
1. 神戸大院工
1. 群馬大院理工
1. 群馬大院理工
1. 群馬大院理工
1. 龍谷大理工
1. 神戸大学海事
13 半導体 / Semiconductors
13:30
〇小泉 敦也 1, 長谷川 拓哉 1, 上松 和義 1, 板谷 篤司
, 戸田 健司 1, 佐藤 峰夫 1, 坂根 弦太 2
Eu2+ 賦活蛍光体の単結晶育成と発光イオンの固溶サイトの特 〇長谷川 拓哉 1, 長谷川 翔太 1, 金 善旭 1, 上松 和義
1
定
, 戸田 健司 1, 佐藤 峰夫 1
結晶シリコン太陽電池のための広帯域アップコンバーター (II) 〇竹田 康彦 1, 水野 真太郎 1, ルイテル ホム ナト 1,
山中 健一 1, 谷 俊彦 1
ErxYbyY2-x-ySiO5 結晶の組成最適化と最大励起増感効果
近藤 史哉 1, 〇一色 秀夫 1
Optical Absorption of Porous Silicon during Dissolution in HF 〇 Bernard Gelloz1, Kazuki Ichimura2, Eiichi
Investigated by Photoconduction
Kondoh2, Lianhua Jin2
口頭講演 (Oral Presentation) A35 会場
GaN:Eu 赤色 LED の発光中心の二量化：高調波成分分析を使っ 〇石井 真史 1, 小泉 淳 2, 藤原 康文 2
た Eu-Eu 結合評価
Eu 添加 GaN における Eu 発光中心へのエネルギー輸送プロセ 〇 (D) 稲葉 智宏 1, 児島 貴徳 1, 山下 元気 2, 芦田
スの定量的解析
昌明 2, 藤原 康文 1
二波長励起測定法を用いた Eu 添加 GaN のエネルギー輸送プ 〇小亀 宏明 1, 児島 貴徳 1, 小泉 淳 1, 藤原 康文 1
ロセスの評価
多重量子ブロック層を用いた Eu 添加 GaN 赤色 LED の発光強 〇山田 智也 1, 稲葉 智宏 1, 児島 貴徳 1, 小泉 淳 1,
度増大
藤原 康文 1
Eu 添加 GaN における Eu イオン価数制御と磁気特性
〇布川 拓未 1, 宮田 祐輔 2, 櫻井 敬博 3, 藤村 紀文 2,
太田 仁 3, 藤原 康文 1
Er,O 共添加 GaAs フォトニック結晶点欠陥共振器レーザーの 〇 (M2) 小川 雅之 1, 藤岡 夏輝 1, 櫻木 寛至 1, 児島
実現に向けて ―数値解析―
貴徳 1, 小泉 淳 1, 藤原 康文 1
Be ドープ InGaAsP バルクにおけるスピン緩和時間のキャリア 〇山田 築 1, 大木 俊介 1, 石川 友樹 1, 亀崎 拓也 1,
濃度依存性 (10-300 K)
Lu Shulong2, Ji Lian2, 竹内 淳 1
VB 法成長による Si-GaAs バルクのスピン緩和
〇谷川 詩馬 1, 飯田 真之 1, 中村 芳樹 1, ショウ サン
ウ 1, 中山 航 1, 竹内 淳 1
休憩 /Break
1
13.10 化合物太陽電池 / Compound solar cells
15p-P10-3 水熱合成による波長変換ナノ粒子 ZnSe:Mn/ZnS の作製
15p-P10-4 水熱合成による波長変換ナノ粒子 ZnSeS:Mn を付加した太陽
電池評価
15p-P10-5 Y3GaO6:Eu3+ 赤色残光体における共添加元素の効果
15p-P10-6 (La,Ce,Y)­6Si4S17 蛍光体の時間分解発光特性
〇高木 知己 1, 谷口 太一 2, 祖父江 進 1, 川井 正一 1,
長谷川 順 1, 金 大貴 2
〇川井 正一 1, 高木 知己 1, 谷口 太一 2, 祖父江 進 1,
長谷川 順 1, 金 大貴 2
〇 (D) 太宰 卓朗 1, 安井 伸太郎 1, 谷山 智康 1, 伊藤
満1
〇七井 靖 1,2, 上岡 隼人 1, 奥野 剛史 2
1. 株式会社デンソー , 2. 大阪市立大学 大学院 工学
研究科 応用物理
1. デンソー基礎研 , 2. 大阪市大工
1. 東京工業大学
1. 日大文理 , 2. 電通大先進理工
〇 (M1) 田代 竜之 1, 赤尾 賢人 1, 小南 裕子 1, 中西 1. 静岡大 , 2. ラスカリョフ半導体物理研
洋一郎 1, 原 和彦 1, Oleg.M. Marchylo2
〇羽田 京右 1, 小南 裕子 1, 原 和彦 2, 中西 洋一郎 2 1. 静大大学院総合科学技術研究科 , 2. 静岡大電子
研
Y2O3 ベース酸化物蛍光体における輻射および無輻射遷移過程 〇佐久間 洸輔 1, 下沖 祐太 1, 島林 晃平 1, 深田 晴己 1. 金沢工大　O.E.D.S. R&D センター
1
, 山口 敦史 1
YVO4:Bi,Ln(Ln=Sm,Eu,Dy,Er) 蛍光体におけるエネルギー移動 五十嵐 拓真 1, 湯葢 邦夫 2, 宍戸 統悦 2, 内富 直隆 1, 1. 長岡技科大院工 , 2. 東北大金研
過程
〇加藤 有行 1
近赤外広帯域光源用 Tm2O3 添加酸化物ガラスの発光スペクト 〇 (M1) 西村 政哉 1, 渕 真悟 1, 竹田 美和 2
1. 青学大 , 2. 科技財団
ル制御
α -Al2O3/ZnO 多層膜の熱拡散による ZnAl2O4 薄膜の作製
〇伊藤 太郎 1, 小南 裕子 1, 原 和彦 2, 中西 洋一郎 2 1. 静大大学院総合科学技術研究科 , 2. 静岡大電子
研
ZnIn2Se4 半導体結晶の育成と光学特性
〇山根 智貴 1, 尾崎 俊二 1
1. 群馬大
15p-P10-7 ゾル－ゲル法により作製した遷移金属添加 SrTiO3:Pr 蛍光体
の発光特性
15p-P10-8 Eu 添加 Sr4Al14O25 蛍光体の粒径制御と発光特性
15p-P10-9
15p-P10-10
13 半導体 / Semiconductors
15p-P10-11
15p-P10-12
15p-P10-13
15p-P10-14 AgGaS2 半導体結晶の育成と光学的異方性
15p-P10-15 有機無機ペロブスカイト型化合物の有機層厚の変化による光学
特性への影響
15p-P10-16 π共役系ローダミン分子被覆 CdSe ナノ粒子の創製と光学特性
評価
15p-P10-17 塗布法によるコアシェル量子ドット薄膜の作製と発光ダイ
オードへの応用
15p-P10-18 有機無機励起共鳴アミノアクリドン –ZnSe/CdSe ナノ粒子複合
体の光学特性評価
15p-P10-19 コロイド状半導体量子ドットにおける増幅キャリア抽出法の新
開発
15p-P10-20 InP(110)
‾ バルクにおける楕円偏光と円偏光の 2 光束による 2
光子吸収の偏光状態依存性
15p-P10-21 InP 厚膜における Z-scan 法による非線形屈折率の測定条件の
検討
13.10 化合物太陽電池 / Compound solar cells
9/14(Wed.) 9:45 - 11:30 口頭講演 (Oral Presentation) A34 会場
9:45
14a-A34-1 Cd 溶媒を用いた THM 法による V 族元素ドープ CdTe 単結晶
成長と評価
10:00
奨 14a-A34-2
10:15
奨 14a-A34-3
10:30
10:45
11:00
14a-A34-4
奨 14a-A34-5
奨 14a-A34-6
11:15
14a-A34-7
9/14(Wed.) 13:00 - 15:30
13:00
招 14p-A34-1
13:15
14p-A34-2
13:30
14p-A34-3
13:45
14p-A34-4
14:00
E 14p-A34-5
14:15
14p-A34-6
14:30
14p-A34-7
14:45
14p-A34-8
15:00
14p-A34-9
15:15
〇金子 達也 1, 尾崎 俊二 1
1. 群馬大
〇田嶋 大樹 1, 越水 正典 1, 藤本 裕 1, 浅井 圭介 1
1. 東北大院工
〇大野 洋人 1, 矢幅 拓真 1, 越水 正典 1, 藤本 裕 1,
浅井 圭介 1
〇 (M1) 小西 知里 1, 柿木 雄飛 1, 大谷 直毅 1
1. 東北大院工
〇 (M2) 矢幅 拓真 1, 大野 洋人 1, 越水 正典 1, 藤本
裕 1, 浅井 圭介 1
〇小田 勝 1, 西行 響 2, 赤木 啓人 1
1. 東北大院工
9/14(Wed.) 16:00 - 18:00 ポスター講演 (Poster Presentation) P21 会場
14p-P21-1 ZrO2 の伝導帯準位の調査と太陽電池への応用
1. 九工大院工 , 2. 九工大工
〇石島 孝章 1, 大石 真樹 1, 松末 俊夫 1, 坂東 弘之 1 1. 千葉大院融合
〇池田 優輝 1, 三谷 智也 1, 大石 真樹 1, 松末 俊夫 1, 1. 千葉大院融合
坂東 弘之 1
〇永岡 章 1,4, Han Kyu-Bun1, Misra Sudhajit1,
Wilenski Thomas1, 吉野 賢二 2, 野瀬 嘉太郎 3,
Scarpulla Michael1
SrCuSeF/ITO 複合膜を裏面電極に用いた CdTe 太陽電池の高 〇北林 秀弥 1, 和田 隆博 1, 椎名 和由 2, 村田 歩紀 2,
効率化
岡本 保 2
ZnSnP2 バルク太陽電池の光電特性に裏面電極材料が与える影 〇 (D) 中塚 滋 1, 明里 駿祐 2, Jakapan Chantana2,
響
峯元 高志 2, 野瀬 嘉太郎 1
カルコパイライト型リン化物におけるホモ pn 接合形成
〇 (M2) 井上 亮輔 1, 中塚 滋 1, 野瀬 嘉太郎 1
金属 /p-Zn3P2 接合における界面反応と電子輸送特性
〇 (D) 勝部 涼司 1, 野瀬 嘉太郎 1
ペロブスカイト半導体 CsSnI3 中の格子欠陥ペア形成エネル
〇中瀬 達哉 1, 新屋 ひかり 2, 真砂 啓 1,2, 福島 鉄也 3,
ギー
佐藤 和則 4, 吉田 博 1,2
薄膜系太陽電池モジュールの屋外曝露による経時変化の検討 〇崔 誠佑 1, 佐藤 梨都子 1, 石井 徹之 2, 千葉 恭男 1,
増田 淳 1
口頭講演 (Oral Presentation) A34 会場
[ 講演奨励賞受賞記念講演 ]
〇廣井 誉 1,2,3, 岩田 恭彰 3, 杉本 広紀 3, 山田 明 1
セレンフリー Cu(In,Ga)S2 薄膜太陽電池の変換効率改善
三段階法におけるインターバル時間導入による Cu(In,Ga)Se2 〇 (D) 西村 昂人 1, 土岐 爽真 1, 杉浦 大樹 2, 中田
太陽電池の高効率化
和吉 2, 山田 明 2
単傾斜構造を有する Cu(In,Ga)Se2 薄膜太陽電池のフラットバ 〇荻原 知寛 1, ドウィナンリ エギーナ 1, サドノ ア
ンド領域の導入による高効率化
ディユダ 1, 中田 和吉 2, 山田 明 2
Cu(In,Ga)3Se5 層を有する Cu(In,Ga)Se2 太陽電池における
〇 (M1) 杉浦 大樹 1, 西村 昂人 2, 土岐 爽真 2, 中田
CdSO4​表面処理による Cd 拡散効果の実験的検証
和吉 1, 山田 明 1
Diffusion behaviour of alkali metals after KF-PDT on CIGS
〇 (P)Ishwor Khatri1, Mutsumi Sugiyama1, Tokio
thin films fabricated onto sodalime glass substrates
Nakada1
レーザースクライブによる CIGS 太陽電池の熱処理効果
〇西永 慈郎 1, 佐藤 正健 1, 奈良崎 愛子 1, 新納 弘之
1
, 高田 英行 1, 鳥塚 健二 1, 上川 由紀子 1, 石塚 尚吾
1
, 柴田 肇 1, 仁木 栄 1
Cu(In,Ga)(S,Se) 表面 , CdS/Cu(In,Ga)(S,Se) 界面の電子構造評 〇磯脇 啓輔 1, 川村 末洋 1, 川崎 健太 1, 島村 拓也 1,
価
雨崎 洋樹 1, 加藤 拓也 2, 杉本 広紀 2, 寺田 教男 1
蛍光 X 線ホログラフィーによる MBE 成長 CuGaSe2/GaAs の 〇白方 祥 1, 八方 直久 2, 細川 伸也 3, 木村 耕治 4,
構造評価
林 好一 4
CuGaSe2-Ga2Se3 系化合物の結晶構造と光学的性質
〇 (PC) 前田 毅 1, 上田 健太 1, 辻 健助 1, 和田 隆博
奨 14p-A34-10 CuInSe2 薄膜でのスピン緩和の観測
1. 同志社大理工
1
1. ユタ大材料工 , 2. 宮崎大工 , 3. 京大院工 , 4. 学振
海外特別研究員
1. 龍谷大理工 , 2. 木更津高専
1. 京大院工 , 2. 立命館大
1. 京大院工
1. 京大院工
1. 阪大基礎工 , 2. 阪大 CSRN, 3. 阪大 INSD, 4. 阪
大工
1. 産総研 , 2. 電中研
1. 東工大院工 , 2. 昭和シェル , 3. ソーラーフロン
ティア
1. 東工大院理工 , 2. 東工大工学院
1. 東工大院理工 , 2. 東工大工学院
1. 東工大工学院 , 2. 東工大院理工
1.Tokyo University of Science
1. 産総研
1. 鹿児島大 , 2. ソーラーフロンティア
1. 愛媛大工 , 2. 広島市大情報 , 3. 熊本大理 , 4. 名工
大工
1. 龍谷大理工
〇 (M2) ショウ サンウ 1, Sathiabama Thiru2, 中村
芳樹 1, 中山 航 1, 飯田 真之 1, 谷川 詩馬 1, 堀越 佳
治 1, 竹内 淳 1
1. 早大先進理工 , 2.UTM Razak School
〇古村 尭大 1, 中塚 滋 1, 今宿 晋 2, 野瀬 嘉太郎 1
1. 京大院工 , 2. 東北大金研
14p-P21-2 スピンコート法による CuI，CuCl 混合薄膜の作製
〇東海林 美鈴 1, 森谷 克彦 1, 田中 久仁彦 2
1. 鶴岡高専 , 2. 長岡技科大
14p-P21-3 S 分圧が硫化成長した SnS 薄膜のコラムサイズに与える影響
〇浅香 圭佑 1, 大久保 諄 1, 三上 俊太郎 1, 鷲見 浩貴 1. 東理大 理工 / 総研
1
, Ishwor Khatri1, 杉山 睦 1
〇水野 史章 1, 横井 翼 1, Khatri Ishwor1, 杉山 睦 1 1. 東理大 理工 / 総研
14p-P21-4 SnS 太陽電池に対する Na 化合物の PDT および再蒸発抑制効
果の検討
14p-P21-5 化学気相輸送法による Cu2GeS3 バルク単結晶の作製
14p-P21-6 Cu2GeS3 バルク結晶の発光スペクトルの観測
〇 (M2) 松本 祐典 1, 粟飯原 直也 1, 田中 久仁彦 1
1. 長岡技科大
〇粟飯原 直也 1, 松本 祐典 1, 田中 久仁彦 1
1. 長岡技大
13.10 化合物太陽電池 / Compound solar cells
14p-P21-7 硫化法による Ag2SnS3 薄膜の作製
14p-P21-8 硫化法による (Cu,Ag)2SnS3 薄膜作製条件の検討
14p-P21-9 硫化法による Cu2SnS3 薄膜への KF 添加
〇南 愛海 1, 笹川 祥平 1, 江部 日南子 1, 家後 和美 1,
赤木 洋二 2, 山口 利幸 3, 中村 重之 4, 瀬戸 悟 5, 片
桐 裕則 1, 荒木 秀明 1
中嶋 崇喜 1, 畑山 耕一 1, 〇山口 利幸 1, 荒木 秀明 2,
中村 重之 3, 瀬戸 悟 4, 赤木 洋二 5
〇中嶋 崇喜 1, 藤本 純弥 1, 山口 利幸 1
1. 和歌山高専
14p-P21-12 チオールで表面修飾した Cu2ZnSnS4 ナノ粒子の塗布による
Cu2ZnSnS4 薄膜の作製
14p-P21-13 PLD 法で作製した CZTS 薄膜の組成均一性
〇高瀬 友悠 1, 秦 健 1, 濱中 泰 1, 葛谷 俊博 2
1. 名工大院 , 2. 室工大
〇 (M2) 小谷 昌大 , 沈 用球 , 脇田 和樹
1. 千葉工大 , 2. 大府大院工
14p-P21-15 過酸化水素水と硫酸を用いた CZTS 表面処理
1
2
1
〇宮崎 尚 1, 岸村 浩明 1, 青野 祐美 1, 片桐 裕則 2
1. 甲南大理工
1. 防大材料 , 2. 長岡高専
14p-P21-17
1. 北陸先端大 , 2. 産総研
14p-P21-20
14p-P21-21
奨 14p-P21-22
奨 E 14p-P21-23
14p-P21-24
14p-P21-25
14p-P21-26
14p-P21-27
9/15(Thu.) 9:30 - 11:30
9:30
15a-A34-1
9:45
15a-A34-2
10:00
15a-A34-3
10:15
15a-A34-4
10:30
15a-A34-5
10:45
15a-A34-6
11:00
15a-A34-7
11:15
15a-A34-8
9/15(Thu.) 13:00 - 18:00
13:00
15p-A34-1
13:15
E 15p-A34-2
13:30
15p-A34-3
13:45
15p-A34-4
14:00
15p-A34-5
14:15
15p-A34-6
14:30
15p-A34-7
14:45
15p-A34-8
15:00
15p-A34-9
1. 東理大 理工 , 2. 東理大 総研
1.Tsukuba Univ., 2.AIST
1. 東工大院理工 , 2. 東工大工学院
1. 東理大 理工 , 2. 東理大 総研
1. 東北大院・環境
1.Tohoku Univ.
1. 北大量集センター
1. 大阪市大工
1. 和歌山大シス工 , 2. 物材機構
1. 電通大 基盤理工 , 2. 電通大 i-PERC, 3. 東大先端
研
1. 早大先進理工 , 2. 早大 ICSEP, 3. 早大材研
1. 産総研
1. 産総研
1. 産総研 , 2. ソーラーフロンティア
1. 長岡高専
1. 長岡高専
1. 長岡高専
1. 長岡高専
1. 北九大国環工エネ化
1.Univ. Electro-Commun., 2.Kyushu Inst. Tech.
1. 産総研 , 2. 東京都立大学
1. 東大ナノ量子機構 , 2. 東大生研 , 3. シャープ
1. 東大先端研
1. 神戸大院工
1. 東大先端研
1. 東大工 , 2. 神戸大
1. 東大院工 , 2. 東大先端研 , 3. 神戸大院工
15p-A34-10 常温で表面活性化接合した Si/GaAs 界面の平面 TEM 観察
〇大野 裕 1, 梁 剣波 2, 重川 直輝 2
1. 東北大金研 , 2. 大阪市大工
15p-A34-11 スマートスタック技術を用いた低倍集光異種接合型多接合太陽 〇牧田 紀久夫 1, 水野 英範 1, 大島 隆治 1, 太野垣 健 1. 産総研
1
電池の検討
, 高遠 秀尚 1, 菅谷 武芳 1
13 半導体 / Semiconductors
1. 産総研
奨 E 14p-P21-19
〇奈良崎 愛子 1, 佐藤 正健 1, 新納 弘之 1, 高田 英行
1
, 鳥塚 健二 1, 西永 慈郎 1, 上川 由紀子 1, 石塚 尚吾
1
, 柴田 肇 1, 仁木 栄 1
CIGS 薄膜太陽電池モジュールの電圧誘起劣化 / 回復過程にお 〇山口 世力 1, 上川 由紀子 2, 西永 慈郎 2, 石塚 尚吾
2
ける Na の拡散挙動
, 柴田 肇 2, 大平 圭介 1, 増田 淳 2
KF 処理を行った CIGS 太陽電池への熱・光照射効果
〇松浦 純平 1, 首藤 晃佑 1, Ishwor Khatri2, 杉山 睦
1,2
, 中田 時夫 2
The device performance improvement by reducing the
〇 (PC)Xia Hao1, Hideki Hagiya1, Takeaki
secondary phase of Cu2- δ Se in Cu(In1-x,Gax)Se2 (CIGS) solar
Sakurai1, Akimasa Yamada2, Shogo Ishizuka2,
cells
Yukiko Kamikawa2, Hajime Shibata2, Shigeru Niki2,
Katsuhiro Akimoto1
チオ尿素処理を施した Cu(In,Ga)Se2 太陽電池における TRPL 〇 (M2) 渡辺 基 1, 中田 和吉 2, 山田 明 2
測定
CIGS エピタキシャル薄膜のフォトルミネッセンス特性
〇安藤 優汰 1, 山上 武 1, 首藤 晃佑 1, 松浦 純平 1,
Khatri Ishwor2, 杉山 睦 1,2, 中田 時夫 2
CIGS(Cu(In,Ga)Se2) 塗布型太陽電池形成を目的とした Cu-In- 〇 (M2) 高城 雅樹 1, 横山 俊 1, 高橋 英志 1, 田路 和
Ga 合金 ナノ粒子の水溶液中合成法の開発に関する研究
幸1
Sulfurization of Cu-In particles in Aqueous Solution
〇 (M2)Hugo Erawan1, Shun Yokoyama1, Hideyuki
Takahashi1, Kazuyuki Tohji1
電気化学堆積法による Cu2O/InP 多孔質構造ヘテロ界面の形 〇近江 沙也夏 1, 熊崎 祐介 1, 佐藤 威友 1
成
InGaP/GaAs/Si 3 接合太陽電池における III-V/Si サブセル間
〇重川 直輝 1, 梁 剣波 1
カップリング特性
バンドギャップエネルギーを制御した InAs 量子ドットを含む 〇池田 理彩 1, 林 佑真 1, 尾崎 信彦 1, 大里 啓孝 2,
中間バンド型 GaAs 太陽電池の特性比較
渡辺 英一郎 2, 池田 直樹 2, 杉本 喜正 2
InAs/GaAs 量子ドット太陽電池におけるホットキャリア輸送 〇 (M2) 仁井 皓大 1, 南 裕太 1, 坂本 克好 1, 曽我部
ダイナミクス
東馬 2, 山口 浩一 1, 岡田 至崇 3
口頭講演 (Oral Presentation) A34 会場
Cu2ZnSnS4 ナノ粒子塗布膜の Se 化アニールと副生成物の抑制 〇瀧 駿也 1, 宇留野 彩 1, 張 険峰 2, 小林 正和 1,3
Cu2ZnSnSe4 太陽電池における Na 添加効果 (2)
〇反保 衆志 1, 金 江玟 1, 金 信浩 1, 柴田 肇 1, 仁木
栄1
変換効率 12.3% の Cu2Zn(Sn1-xGex)Se4 太陽電池の特性評価
金 信浩 1, 金 江玟 1, 〇反保 衆志 1, 柴田 肇 1, 仁木
栄1
Cu2ZnSn(S,Se)4 太陽電池のヒートライトソーキング効果
〇西永 慈郎 1, 反保 衆志 1, 酒井 紀行 2, 加藤 拓也 2,
杉本 広紀 2, 柴田 肇 1, 仁木 栄 1
SPS 法による Cu2ZnSnS4 結晶の作製と結晶学的評価
〇 (B) 清水 渉 1, 大石 耕一郎 1, 橋立 大 1, 青柳 成俊
1
, 竹内 麻希子 1, 西田 元記 1, 山﨑 誠 1, 中川 雅人 1,
片桐 裕則 1
Cu2ZnSnS4 バルク多結晶のラマンスペクトルの励起光強度依存 〇 (B) 西田 元記 1, 竹内 麻希子 1, 大石 耕一郎 1, 青
性
柳 成俊 1, 清水 渉 1, 片桐 裕則 1, 山﨑 誠 1
Cu2ZnSnS4 バルク多結晶のフォトルミネッセンス測定
〇中川 雅斗 1, 清水 渉 1, 山崎 誠 1, 大石 耕一郎 1,
青柳 成俊 1, 片桐 裕則 1, 竹内 麻希子 1
Cu2ZnSnS4 バルク多結晶太陽電池の作製
〇 (B) 橋立 大 1, 大石 耕一郎 1, 平山 健太 1, 清水 渉
1
, 青柳 成俊 1, 竹内 麻希子 1, 山﨑 誠 1, 片桐 裕則 1
口頭講演 (Oral Presentation) A34 会場
吹き付け法による AgAlO2 とチタネートナノチューブを用いた 〇鈴木 拓 1, 古賀 健斗 1
太陽電池の試作
Bandgap engineering for enhancing photovoltaic properties of 〇 CHAO DING1, YaoHong Zhang1, Shuzi Hayase2,
PbS quantum dot solar cells
Yuhei Ogomi2, Taro Toyoda1, Qing Shen1
InP/InGaP 量子ドット太陽電池の光学特性評価
〇 (PC) 相原 健人 1, 太野垣 健 1, 長門 優喜 2, 岡野
好伸 2, 菅谷 武芳 1
量子ドット太陽電池の高効率化に向けた AlGaAs 母体材料中の 〇吉川 弘文 1,2,3, 渡邉 克之 1,2, 小谷 晃央 1,2,3, 岩本
InAs 量子ドット構造制御
敏 1,2, 和泉 真 3, 荒川 泰彦 1,2
InAs/AlGaAs 量子ドット太陽電池における量子効率スペクト 〇玉置 亮 1, 庄司 靖 1, 岡田 至崇 1
ルマップ
ヘテロ界面を利用した光アップコンバージョン太陽電池の２段 〇朝日 重雄 1, 寺西 陽之 1, 海津 利行 1, 喜多 隆 1
階光吸収による大幅な電流増加
不純物バンドを利用した量子ドット中間バンド型太陽電池の提 〇吉田 勝尚 1, 岡田 至崇 1
案とデバイスシミュレーションによる解析
多重量子井戸太陽電池における実効移動度近似の妥当性検証 〇 (D) トープラサートポン カシディット 1, 井上
智之 1, 渡辺 健太郎 1, 喜多 隆 2, 杉山 正和 1, 中野
義昭 1
InGaAs/GaAsP 波状量子井戸におけるキャリア寿命の評価
〇 (M2) 趙 博文 1, 齊藤 昌太 1, トープラサートポン
カシディット 1, 田尻 祐介 3, 小川 泰弘 3, ソダーバ
ンル ハッサネット 2, 渡辺 健太郎 2, 喜多 隆 3, 杉山
正和 1, 中野 義昭 1
休憩 /Break
1.JFCC, 2. 岐阜大院工
14p-P21-16 オールレーザースクライブによる CIGS 薄膜太陽電池の作製
14p-P21-18
15:30
15:45
1. 和歌山高専 , 2. 長岡高専 , 3. 津山高専 , 4. 石川高
専 , 5. 都城高専
1. 和歌山高専
14p-P21-10 Cu2ZnSnSe4 化合物を用いた蒸着法による Cu2ZnSn(S,Se)4 薄膜 〇中嶋 崇喜 1, 桝田 大樹 1, 山口 利幸 1
太陽電池の作製Ⅱ
14p-P21-11 ナノ粒子前駆体を用いた Cu2ZnSnS,Se4 薄膜の作製
〇鈴木 俊正 1, 堀 茂雄 2, 鈴木 吏 2, 野々村 修一 2
奨 14p-P21-14 スプレー製膜 CuZnSnS4 薄膜太陽電池における Cu 組成の影響 〇 (B) 川口 誉人 1
15:15
1. 長岡高専 , 2. 都城高専 , 3. 和歌山高専 , 4. 津山高
専 , 5. 石川高専
15.1 バルク結晶成長 / Bulk crystal growth
16:00
15 結晶工学 / Crystal Engineering
16:15
15p-A34-12 スマートスタック InGaP/GaAs//InGaAsP/InGaAs ４接合太陽
電池の光学特性評価
15p-A34-13 エピタキシャルリフトオフ法により分離した GaAs 基板の表面
清浄化手法の検討
16:30
奨 15p-A34-14
16:45
奨 15p-A34-15
17:00
E 15p-A34-16
17:15
E 15p-A34-17
17:30
17:45
15p-A34-18
15p-A34-19
〇太野垣 健 1, 牧田 紀久夫 1, 水野 英範 1, 大島 隆治 1. 産総研
, 菅谷 武芳 1
〇木村 大希 1,2, 宮下 直也 1, 渡辺 健太郎 1, ハッサ 1. 東大先端研 , 2. 東大工
ネット ソダーバンル 1, 中田 達也 1,2, 杉山 正和 2,
岡田 至崇 1,2
GaAs 薄層 /Si 接合の硬 X 線光電子分光－バンドオフセットの 〇尹 翔至 1, 小川 智輝 1, 山條 翔二 1, 梁 剣波 1, ソ 1. 大阪市大工 , 2. 東大工 , 3.JASRI
評価
ダーバンル ハッサネット 2, 渡辺 健太郎 2, 杉山 正
和 2, 保井 晃 3, 池永 英司 3, 重川 直輝 1
GaAs 薄層 /Si 接合の硬 X 線光電子分光－電子状態への熱処理 〇 (M2) 山條 翔二 1, 小川 智輝 1, 尹 翔至 1, 梁 剣波 1, 1. 大阪市大工 , 2. 東大工 , 3.JASRI
効果
ソダーバンル ハッサネット 2, 渡辺 健太郎 2, 杉山
正和 2, 保井 晃 3, 池永 英司 3, 重川 直輝 1
Transport efficiency mapping in multijunction solar cells by
〇 (PC)Amaury Delamarre1,3, Paul Verdier1,3,
1.RCAST, The University of Tokyo, 2.Department
luminescence measurement
Kentaroh Watanabe1,3, Masakazu Sugiyama2,3,
of Electrical Engineering and Information Systems,
2,3
1,3
Yoshiaki Nakano , Jean Francois Guillemoles
The University of Tokyo, 3.NextPV, LIA CNRSRCAST/U. Tokyo-U. Bordeaux
Impact of dopant species on the properties of GaAs tunneling 〇 (P)Hassanet Sodabanlu1, Kentaroh Watanabe1,
1.RCAST, U. of Tokyo, 2.U. of Tokyo
junctions for PV applications
Masakazu Sugiyama2, Yoshiaki Nakano2
1
1
2
2
放射線照射 3 接合太陽電池の光照射回復効果
〇柴田 優一 , 今泉 充 , 佐藤 真一郎 , 大島 武
1. 宇宙機構 , 2. 量子機構
EL 絶対値測定による InGaP/GaAs/InGaAsP/InGaAs 太陽電池 安島 由朗 1, 石黒 晴香 1, 金子 大和 1, 加藤 芳紀 1,
1. 千葉工大 , 2. 東大物性研 , 3. 蘇州ナノテク
の評価
朱 琳 2, 吉田 正裕 2, 秋山 英文 2, 代 盼 3, 陆 书龙3,
〇内田 史朗 1
1
15 結晶工学 / Crystal Engineering
シンポジウムのプログラムは p.35 ～ p.41 にございます
15.1 バルク結晶成長 / Bulk crystal growth
9/14(Wed.) 13:15 - 19:00 口頭講演 (Oral Presentation) A25 会場
13:15
招 14p-A25-1 [15． 結晶工学 分科内招待講演 ]
垂直ブリッジマン法を適用した機能性結晶成長
13:45
14p-A25-2 一方向凝固β -Ga2O3 単結晶の成長方位
14:00
14p-A25-3 一方向凝固β -Ga2O3 単結晶の欠陥評価
14:15
14p-A25-4 大気雰囲気中で育成したβ -Ga2O3 単結晶の電気特性評価
14:30
14p-A25-5 IR-FZ 育成における育成条件の溶融帯界面形状に対する効果
14:45
14p-A25-6 CZ-Si 結晶成長シミュレーションによる装置構造の最適化
15:00
14p-A25-7 稀土類磁石 MCZ-Si 育成技術の提案
15:15
15:30
15:45
16:00
16:15
14p-A25-8 Li3xLa2/3-xTiO3 のイオン伝導度特性と電極 - 電解質界面抵抗の
分離
14p-A25-9 TLZ 法による SiGe 結晶育成
14p-A25-10 TLZ 法による SiGe 結晶育成中のメルト内対流効果
休憩 /Break
16:45
14p-A25-11 国際宇宙ステーション内の長期微小重力環境下における
GaSb(111)Ga 面及び Sb 面種結晶からの InGaSb 三元混晶結晶
成長
14p-A25-12 マイクロ引き下げ法による Ir および Pt ファイバー育成と組織
観察
14p-A25-13 Ca3Ta(Ga, R)3Si2O14 単結晶育成と圧電特性評価
17:00
14p-A25-14 Eu:Li(Ca,Sr)AlF6 中性子シンチレータ単結晶の育成およびシン
16:30
17:15
17:30
チレーション特性評価
14p-A25-15 改良型マイクロ引き下げ法による Ce:Cs2LiYCl6 単結晶の育成
と評価
14p-A25-16 Na 添加 Cs2HfCl6 シンチレータ単結晶の育成と発光特性評価
17:45
14p-A25-17 超音波結晶化法におけるアセトアミノフェンΙΙ形結晶の経時
安定性向上
18:00
奨 14p-A25-18 溶媒媒介相転移による医薬化合物アセトアミノフェンの準安定
形成長
18:15
奨 14p-A25-19 徐冷法を用いた医薬化合物アセトアミノフェンの準安定形成長
18:30
18:45
14p-A25-20 フラックス法による高品質 AgGaSe2 単結晶の育成 (III)
14p-A25-21 重力沈降によるシリカコロイド結晶のグレイン境界構造
9/15(Thu.) 9:30 - 11:30 ポスター講演 (Poster Presentation) P10 会場
15a-P10-1 Floating zone 法による鉄 - ガリウム系磁歪合金の単結晶作製
〇干川 圭吾 1
1. 信州大学
〇小林 拓実 1, 大葉 悦子 1, 宮川 千宏 1, 中村 由夫 1,
干川 圭吾 2
〇大葉 悦子 1, 小林 拓実 1, 中村 由夫 1, 加渡 幹尚 2,
斉藤 広明 2, 干川 圭吾 3
〇加渡 幹尚 1, 大葉 悦子 2, 小林 拓実 2, 中村 由夫 2,
干川 圭吾 3
〇綿打 敏司 1, ホサイン エムディー　ムクタール 1,
長尾 雅則 1, 田中 功 1
〇西原 雄太 1, 小松 太樹 1, 沓掛 穂高 2, 太子 敏則 2,
干川 圭吾 2
〇渡辺 雄太 1, 西原 雄太 1, 刈谷 宣政 1, 青木 雅昭 2,
中島 幹彦 2, 岡 宏一 3, 赤崎 寿樹 4, 干川 圭吾 4
〇 (M2) 浅井 健佑 1, 藤原 靖幸 1, 太子 敏則 1, 干川
圭吾 1, 小浜 恵一 2
〇荒井 康智 1, 木下 恭一 2
〇木下 恭一 1, 荒井 康智 2, 稲富 裕光 2, 塚田 隆夫 3
1. 不二越機械工業 , 2. 信大工
〇早川 泰弘 1, Velu Nirmal Kumar1, Mukannan
Arivanandhan1, 小山 忠信 1, 百瀬 与志美 1, 阪田 薫
穂 2, 小澤 哲夫 3, 岡野 泰則 4, 稲富 裕光 2
〇横田 有為 1, 二瓶 貴之 2, 鎌田 圭 1,3, 大橋 雄二 2,
荒川 元孝 1, 黒澤 俊介 1, 吉川 彰 1,2,3
〇 (M1) 五十嵐 悠 1, 大橋 雄二 1,4, 横田 有為 2, 荒川
元孝 2, 井上 憲司 4, 山路 晃広 1, 庄子 育宏 1,3, 鎌田
圭 2,3,4, 黒澤 俊介 2, 吉川 彰 1,2,3,4
〇 (M2) 田中 智恵子 1, 横田 有為 2, 黒澤 俊介 2, 山
路 晃広 1, 大橋 雄二 1, 鎌田 圭 2,3, 吉川 彰 1,2,3
〇伊藤 友樹 1, 横田 有為 2, 黒澤 俊介 1,2, 鎌田 圭 2,3,
大橋 雄二 1, 荒川 元孝 2, 吉川 彰 1,2,3
〇小玉 翔平 1, 黒澤 俊介 2, 堀合 毅彦 1, 山路 晃広 1,
横田 有為 2, Jan Pejchal4, 大橋 雄二 1, 荒川 元孝 2,
鎌田 圭 2,3, Martin Nikl4, 吉川 彰 1,2,3
〇 (M2) 藤原 慎 1, 森 陽一朗 1, 高橋 義典 1,2, 丸山
美帆子 1, 吉川 洋史 1,3, 岡田 詩乃 2, 安達 宏昭 1,2, 杉
山 成 4, 高野 和文 2,5, 村上 聡 2,6, 松村 浩由 2,7, 井上
豪 1,2, 吉村 政志 1, 森 勇介 1,2
〇藤本 吏輝 1, 森 陽一朗 1, 高橋 義典 1,2, 丸山 美帆
子 1, 吉川 洋史 1,3, 岡田 詩乃 2, 安達 宏昭 1,2, 杉山 成
4
, 高野 和文 2,5, 村上 聡 2,6, 松村 浩由 2,7, 井上 豪 1,2,
吉村 政志 1, 森 勇介 1,2
〇仁井 滉允 1, 森 陽一郎 1, 高橋 義典 1,2, 丸山 美帆
子 1, 吉川 洋史 1,3, 岡田 詩乃 2, 安達 宏昭 1,2, 杉山 成
4
, 高野 和文 2,5, 村上 聡 2,6, 松村 浩由 2,7, 井上 豪 1,2,
塚本 勝男 1,8, 吉村 政志 1, 森 勇介 1,2
〇須崎 昌己 1
〇大木 芳正 1, 中野 勇二 1, 川中 智司 1, 今井 宏起 1,
内田 文生 1
1. 静岡大電子研 , 2. 宇宙航空研究開発機構 , 3. 静
岡理工科大 , 4. 大阪大
〇伊藤 雅彦 1, 藤枝 俊 2, 鈴木 茂 2
1. 電中研 , 2. 東北大多元研
1. 不二越機械工業 , 2. トヨタ自動車 , 3. 信州大工
1. トヨタ自動車 , 2. 不二越機械工業 , 3. 信州大工
1. 山梨大学院
1. エム・セテック（株）, 2. 信州大学
1. エム・セテック（株）, 2.NEOMAX エンジニア
リング（株）, 3. 高知工科大学 , 4. 信州大学
1. 信州大学工学部 , 2. トヨタ自動車株式会社
1. 宇宙航空研究開発機構 , 2. 日本宇宙フォーラム
1. 宇宙フォーラム , 2. 宇宙機構 , 3. 東北大大院工
1. 東北大 NICHe, 2. 東北大金研 , 3.C&A
1. 東北大金研 , 2. 東北大 NICHe, 3.C&A, 4.Piezo
Studio
1. 東北大金研 , 2. 東北大 NICHe, 3.C&A
1. 東北大金研 , 2. 東北大 NICHe, 3.( 株 )C&A
1. 東北大金研 , 2. 東北大 NICHe, 3.C&A, 4. チェコ
物理研
1. 阪大院工 , 2. 創晶 , 3. 埼玉大院理工 , 4. 阪大院理 ,
5. 京府大院生命環境 , 6. 東工大院生命理工 , 7. 立
命館大生命理工
1. 阪大院工 , 2. 創晶 , 3. 埼玉大院理工 , 4. 阪大院理 ,
5. 京府大院生命環境 , 6. 東工大院生命理工 , 7. 立
命館大生命科学
1. 阪大院工 , 2. 創晶 , 3. 埼玉大院工 , 4. 阪大院理 ,
5. 京府大院生命環境 , 6. 東工大院生命理工 , 7. 立
命館大生命科学 , 8. 東北大院理
1. 府大高専
1. 富士化学㈱
15.2 II-VI 族結晶および多元系結晶 / II-VI and related compounds
9/13(Tue.) 13:15 - 15:30 口頭講演 (Oral Presentation) D61 会場
13:15
13p-D61-1 MOVPE 法による (211)Si 基板上の CdTe 層のフォトルミネッ 〇小島 將弘 1, 北川 翔三 1, 小澤 潤也 1, 坪田 眞太郎 1. 名工大院工
1
センス特性
, 山口 大貴 1, 安田 和人 1, ニラウラ マダン 1, 安形
保則 1
13:30
13p-D61-2 UHV スパッタエピタキシー法により成長した ZnS 層のアニー 〇長尾 英和 1, 永嶌 怜温 1, 渡邊 和樹 1, 水野 愛 1,
1. 東京電機大工
ル処理
安藤 毅 1, 篠田 宏之 1, 六倉 信喜 1
1
1
1
13:45
13p-D61-3 分子線エピタキシー法による N 添加 p-ZnSTe の作製と評価
〇長谷川 浩康 , 中島 達也 , 大田 勝也 , 赤岩 和明 1. 鳥大工
1
, 阿部 友紀 1, 市野 邦男 1
15.3 III-V 族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎 / III-V-group epitaxial crystals, Fundamentals of epitaxy
14:00
14:15
奨 13p-D61-4 サファイア基板表面のナノファセット構造による ZnTe 薄膜の 〇中須 大蔵 1, 孫 惟哲 1, 小林 正和 1,2, 朝日 聡明 3
配向制御
休憩 /Break
14:30
13p-D61-5 InP 基板上Ⅱ - Ⅵ族半導体レーザに向けたデバイス構造解析
1. 上智大理工
14:45
13p-D61-6
1. 佐大院工
15:00
奨 13p-D61-7
15:15
奨 13p-D61-8
9/14(Wed.) 13:30 - 15:30
14p-P8-1
〇 (M1) 天春 良祐 1, 小林 亮平 1, 岸野 克已 1, 野村
一郎 1
MBE によるサファイア基板上 ZnCdO 薄膜の光学的・電気的 〇潮 昇平 1, 岡野 友紀 1, 堤 修治 1, 田中 徹 1, 齊藤
特性評価
勝彦 1, 郭 其新 1, 西尾 光弘 1
Cu2ZnSnSe4 膜の結晶相および組成におよぼす水素分圧の影響 〇廣瀬 将人 1, 田橋 正浩 1, 高橋 誠 1, 吉野 賢二 2,
後藤 英雄 1
近接昇華法による Ga2Te3/Ag2Te 積層構造からの AgGaTe2 薄膜 〇宇留野 彩 1, 桜川 陽平 1, 小林 正和 1,2
作製
ポスター講演 (Poster Presentation) P8 会場
ミスト CVD 法による GaP 基板上 ZnS の結晶成長
浅野 康幸 1, 〇宇野 和行 1, 田中 一郎 1
1. 早大先進理工 , 2. 早大材研 , 3.JX 金属
14p-P8-2 MBE による Zn1-xCdxTe1-yOy (x=0.2~0.5) 薄膜の成長と評価
15a-P11-3 Ga 堆積速度および Sb 分子線圧の GaSb 量子ドット形成への影 〇川津 琢也 1, 野田 武司 1, 佐久間 芳樹 1
響
15a-P11-4 InAsSb/GaAs(001) 上への InAs 3 次元島成長とその発光特性
〇 (M1) 及川 信吾 1, 馬飼野 彰宣 1, 曽我部 東馬 2,
山口 浩一 1
15a-P11-5 As2 分子線を用いて成長した InAs 量子ドットへの GaAs キャッ 〇林 佑真 1, 尾崎 信彦 1, 大河内 俊介 2, 池田 直樹 3,
プの影響
杉本 喜正 3
15a-P11-6 スピン偏極電子源における量子効率向上ための解析
〇金 秀光 1, 大木 俊介 2, 石川 友樹 2, 竹内 淳 2, 本
田 洋介 1
15a-P11-7 中赤外帯域 InAsSb 量子井戸成長における障壁層材料依存性
〇吉元 圭太 1, 山形 勇也 1, 今村 優雅 1, 荒井 昌和 1
1. 早大先進理工 , 2. 早大材研
1. 和歌山大システム工
1. 佐賀大院工
1. 静岡大電子研
1. 中部大学工
1. 中部大 , 2. 宮崎大
1. 物材機構 , 2. ミラノビコッカ大
1. 阪大院工
1. 物材機構
1. 電通大　基盤理工 , 2. 電通大　i-PERC
1. 和歌山大学シス工 , 2.NEC, 3. 物材機構
1. 高エネ研 , 2. 早大先進理工
1. 宮崎大工
15a-P11-8 MBE 法を用いた InGaP 太陽電池における基板オフ角度の検討 〇 (M1) 長門 優喜 1,2, 大島 隆治 2, 菅谷 武芳 2, 岡野 1. 都市大 , 2. 産総研
好伸 1
15a-P11-9 高含有率 GaAs1-xB­­ix の特異なＰＬ特性
〇芝田 悠将 1, 来馬 英樹 1, 吉岡 諒 1, 西中 浩之 1,
1. 京工繊大
吉本 昌広 1
15a-P11-10 InP 基板上低温成長 InxGa1-xAs の局在準位の評価
〇 (M1) 釣崎 竣介 1, 富永 依里子 1, 角屋 豊 1
1. 広大院先端研
〇 (M1) 米倉 成一 1, 高宮 健吾 1, 八木 修平 1, 上田
修 2, 矢口 裕之 1
15a-P11-12 ALE 成長 Si ドープ GaAsN 薄膜のアニール処理が比抵抗に与 〇横山 祐貴 1, 堀切 将 1, 原口 智宏 1, 山内 俊浩 1,
える影響
鈴木 秀俊 1, 碇 哲雄 1, 福山 敦彦 1
15a-P11-13 MBE による GaAs/Ge/GaAs(113)B ヘテロ構造における副格子 〇盧 翔孟 1, 太田 寛人 1, 熊谷 直人 1, 北田 貴弘 1,
交換
井須 俊郎 1
9/16(Fri.) 9:00 - 13:00
口頭講演 (Oral Presentation) B9 会場
9:00
奨 16a-B9-1 Si オフ基板上 MOVPE 成長 Ge のアニールによる表面ラフネ 〇中尾 亮 1,2, 山本 剛 1, 松尾 慎治 1,2
スの低減
9:15
奨 16a-B9-2【注目講演】格子整合系 III-V/Si 太陽電池にむけた GaAsPN
〇後藤 聖也 1, 山根 啓輔 1, 佐藤 健人 1, 高橋 賢二郎
1
p-i-n 接合
, 関口 寛人 1, 岡田 浩 1,2, 若原 昭浩 1
9:30
奨 16a-B9-3 Si(111) 上 InGaAs microdisc への Ga 取り込みメカニズムの検 〇渡邉 冬馬 1, 中野 義昭 1, 杉山 正和 1
討
9:45
16a-B9-4 InP 基板上の MBE 成長 GaSb 層の特性評価
〇河村 裕一 1, 史 豊銓 1, 三浦 広平 2, 猪口 康博 2
10:00
16a-B9-5 高温 / 低温 2 段成長による GaSb バッファ層表面モフォロジー 〇奥村 滋一 1, 苫米地 秀一 1, 鈴木 僚 1, 松倉 祐輔 1,
の向上
角田 浩司 1, 今 純一 1, 西野 弘師 1
10:15
16a-B9-6 GaSb の電気伝導率の二軸性歪み依存性
〇岸本 秀輝 1, 畑山 拓也 1, 赤石 暁 1, 中村 淳 1
10:30
招 16a-B9-7 [ 講演奨励賞受賞記念講演 ]
〇吉川 陽 1, 森下 朋浩 1, 永瀬 和宏 1
気相反応抑制による MOCVD 法を用いた高品質 AlInSb 膜の成
長方法
10:45
休憩 /Break
15a-P11-11 レーザ照射による GaInNAs 混晶半導体の発光効率への影響
11:00
11:15
11:30
11:45
奨 16a-B9-8 シリコン (100) ジャスト基板上 InAs/GaAs 量子ドットの直接
成長
16a-B9-9 InP 基板上への 3 μ m 帯発光 InAsSb 量子ナノ構造の MBE 成
長
16a-B9-10 近接積層 InAs/GaAs 量子ドットの GaAs スペーサ層膜厚と成
長温度による広帯域偏光特性制御
奨 E 16a-B9-11 Novel Structural Designs for Engineering Terahertz Emitting
Resonant Tunnelling Diodes
12:00
16a-B9-12
12:15
16a-B9-13
12:30
16a-B9-14
12:45
16a-B9-15
1. 埼玉大院理工 , 2. 金沢工大院
1. 宮崎大工
1. 徳島大理工
1.NTT 先端集積デバイス研 , 2.NTT ナノフォトニ
クスセンタ
1. 豊橋技科大院・工 , 2. 豊橋技科大 EIIRIS
1. 東大工
1. 大阪府立大工 , 2. 住友電工
1. 富士通研
1. 電通大院基盤理工
1. 旭化成
〇權 晋寛 1, 李 珠行 2, 影山 健生 1, 渡邉 克之 2, 荒
川 泰彦 1,2
〇 (M2) 永井 大嗣 1, 外川 開斗 1, 山口 浩一 1
1. 東大ナノ量子 , 2. 東大生研
〇海津 利行 1,2, 田尻 祐介 1, 喜多 隆 1
1. 神戸大院工 , 2. 神戸大研究基盤セ
〇 (DC)Razvan Baba1, Kristof J.P. Jacobs2,
Benjamin J. Stevens2, Toshikazu Mukai3, Richard A.
Hogg1
テラヘルツ電磁波発生による量子ドット周辺の歪みの変化の観 〇小島 磨 1, 和泉 亮 1, 喜多 隆 1
測
InAs/GaAs(111)A 系におけるひずみ緩和と成長様式に関する 〇伊藤 智徳 1, 秋山 亨 1, 中村 浩次 1
理論検討
InAs/GaAs(001) 系の表面エネルギーと成長様式に関する理論 〇海田 諒 1, 秋山 亨 1, 中村 浩次 1, 伊藤 智徳 1
的検討
MBE 成長中 InAs-GaAs(001) 表面における (n × 3) 再構成領域 〇小西 智也 1, 塚本 史郎 1, 伊藤 智徳 2, 秋山 亨 2,
の変化
海田 諒 2
1. 電通大
1.Univ. Glasgow, 2.Univ. Sheffield, 3.ROHM Co
Ltd
1. 神戸大院工
1. 三重大院工
1. 三重大院工
1. 阿南高専 , 2. 三重大院工
15 結晶工学 / Crystal Engineering
寺沢 俊貴 1, 岡野 友紀 1, 堤 修治 1, 〇田中 徹 1, 斉
藤 勝彦 1, 郭 其新 1, 西尾 光弘 1
14p-P8-3 色素増感太陽電池応用に向けた水熱合成法による TiO2-ZnO ナ 〇井上 貴之 1, ジャヤラム アーチャナ 1, サンダナ
ノ複合材料合成と特性評価
クリシュナン ハリッシュ 1, ナヴァニーザン マニ 1,
ヨウスケ シムラ 1, ヤスヒロ ハヤカワ 1
14p-P8-4 Cu-Zn-Sn プリカーサ上に電着したセレンでセレン化した
〇廣瀬 将人 1, 加藤 諒 1, 川村 昌平 1, 田橋 正浩 1,
Cu2ZnSnSe4 膜の特性評価
高橋 誠 1, 後藤 英雄 1
14p-P8-5 Cu2ZnSn(S, Se)4 膜の形成におよぼす硫化原料，ジメチルサル 〇田橋 正浩 1, 片岡 裕貴 1, 廣瀬 将人 1, 高橋 誠 1,
ファとジエチルサルファの影響
吉野 賢二 2, 後藤 英雄 1
15.3 III-V 族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎 / III-V-group epitaxial crystals, Fundamentals of epitaxy
9/15(Thu.) 9:30 - 11:30 ポスター講演 (Poster Presentation) P11 会場
15a-P11-1 InGaAs/InAs/GaAs(111)A 成長時の格子緩和機構
〇間野 高明 1, 三石 和貴 1, 大竹 晃浩 1, ハ ヌル 1,
カステラーノ アンドレア 1,2, サングイネッティ ス
テファノ 2, 野田 武司 1, 佐久間 芳樹 1, 黒田 隆 1, 迫
田 和彰 1
15a-P11-2 ウルツ鉱型 GaAs への窒素添加の効果に関する研究
仲本 健太 1, 〇森藤 正人 1, 近藤 正彦 1
1. 中部大工 , 2. 宮崎大工
15.4 III-V 族窒化物結晶 / III-V-group nitride crystals
15 結晶工学 / Crystal Engineering
15.4 III-V 族窒化物結晶 / III-V-group nitride crystals
9/13(Tue.) 9:00 - 11:45 口頭講演 (Oral Presentation) A21 会場
9:00
13a-A21-1 p 型 AlGaN コンタクト層を用いた深紫外 LED の注入効率に関
する検討
9:15
13a-A21-2 規則配列ナノコラムフリップチップ LED の特性向上に向けた
素子パターン構造の検討
9:30
13a-A21-3 アルミナ炭素熱還元法を利用した AlN 単結晶成長に及ぼすグ
ラファイト添加量および反応温度の影響
9:45
奨 13a-A21-4 GaN-MIS 型デバイスのためのフッ素終端技術の開発と欠陥制
御
10:00
13a-A21-5 レーザーテラヘルツエミッション顕微鏡による GaN 系 UVLED の特性評価
10:15
休憩 /Break
10:30
13a-A21-6 偏光ラマン分光法による ScAlMgO4 のフォノンモード同定
10:45
13a-A21-7 歪み分布観察の新提案：核スピンによる GaN 歪み観察
11:00
11:15
11:30
奨 13a-A21-8 X 線吸収微細構造測定による Al0.82In0.18N の局所構造解析
13a-A21-9 XAFS 法を用いた GaN1-xSbx 混晶半導体中の Sb 占有位置評価
13a-A21-10 ウルツ鉱 BN と立方晶 BN の機械的特性の比較
9/13(Tue.) 13:15 - 18:00 口頭講演 (Oral Presentation) A21 会場
13:15
招 13p-A21-1 [ 解説論文賞受賞記念講演 ]
Progress in art and science of crystal growth and its impacts
on modern society
13:45
奨 E 13p-A21-2 Effect of Oxygen on Polarity and Crystalline Quality of AlN
Films Deposited by Pulsed DC Reactive Sputtering
14:00
13p-A21-3 PSD 法による GaN への n 型ドーピング技術の開発
〇定 昌史 1, 平山 秀樹 1
1. 理研
〇野間 友博 1, 林 宏暁 1, 福島 大史 1, 野村 一郎 1,
岸野 克巳 1
〇大塚 誠 1, 藤原 圭吾 1, 三宅 秀人 2, 福山 博之 1
1. 上智大理工
〇屋山 巴 1, 知京 豊裕 1
1. 物材機構
1. 東北大多元研 , 2. 三重大院地域イノベ
〇西村 辰彦 , 北村 藤和 , 水端 稔 , 中西 英俊 ,
酒井 裕司 2, 川山 巌 2, 斗内 政吉 2
1.SCREEN, 2. 阪大レーザー研
〇 (B) 折原 由里子 1, 山村 和也 1, 蓮池 紀幸 1, 播磨
弘 1, 福田 承生 2, 窪谷 茂幸 3, 花田 貴 3, 松岡 隆志 3
三浦 敬典 1, 松本 啓佑 1, 池田 宏輔 1, 坂井 祐大 1,
〇佐々木 進 2
〇 (M1) 清木 良麻 1, 小森 大資 1, 池山 和希 1, 伊奈
稔哲 2, 小沼 猛儀 3, 宮嶋 孝夫 1, 竹内 哲也 1, 上山
智 1, 岩谷 素顕 1, 赤崎 勇 1
〇宮嶋 孝夫 1, 小森 大資 1, 清木 良麻 1, 伊奈 稔哲 2,
新田 清文 2, 鈴木 健太 1, 竹内 哲也 1, 宇留賀 朋哉 2,
上山 智 1, 岩谷 素顕 1, 赤﨑 勇 1
〇出浦 桃子 1, 沓掛 健太朗 1, 大野 裕 1, 米永 一郎 1,
谷口 尚 2
1. 京都工繊大 , 2. 福田結晶技研 , 3. 東北大金研
〇西永 頌 1
1. 東京大学名誉教授
1
1
1
1
1. 新潟大自 , 2. 新潟大工
1. 名城大理工 , 2. 高輝度光科学研 , 3. 工学院大工
1. 名城大理工 , 2. 高輝度光科学研
1. 東北大金研 , 2. 物材機構
1.Tohoku Univ.
14:45
〇 (M1)Noorprajuda Marsetio1, Makoto Ohtsuka1,
Hiroyuki Fukuyama1
〇上野 耕平 1, 荒川 靖章 1, 今別府 秀行 1, 小林 篤 1,
太田 実雄 1,2, 藤岡 洋 1,3
13p-A21-4 c-BN(001) 薄膜の結晶性に及ぼすイオン照射の影響
〇平間 一行 1, 谷保 芳孝 1, 山本 秀樹 1, 熊倉 一英 1
13p-A21-5 その場減圧窒素マイクロプラズマ処理による MOMBE GaN 成 〇日下部 安宏 1, 丸山 隆浩 1, 清水 一男 2, 成塚 重弥
1
長再現性の向上
休憩 /Break
15:00
13p-A21-6 ハフニウム上に作製した GaN 薄膜の特性評価
1. 東大・生研 , 2.JST- さきがけ , 3.JST-ACCEL
15:15
15:30
15:45
13p-A21-7
13p-A21-8
13p-A21-9
1. 上智大理工 , 2. 上智大ナノテク研究センタ
1. 上智大 , 2. 上智ナノテクセンター
1. 豊技大 , 2. 山梨大
16:00
13p-A21-10
14:15
14:30
16:15
金 惠蓮 1, 〇太田 実雄 1,2, 小林 篤 1, 上野 耕平 1, 藤
岡 洋 1,3
グラフェン上規則配列 InGaN/GaN ナノコラム
〇今野 裕太 1, 岸野 克巳 1,2
誘電体 (SiO2/TiO2)DBR 上の自己形成 GaN ナノコラム成長
〇鈴木 拓良 1, 福田 正志 1, 今野 裕太 1, 岸野 克巳 1,2
MBE 法において窒素源が Eu,Mg 共添加 GaN の発光サイト形 〇立石 紘己 1, 関口 寛人 1, 酒井 優 2, 山根 啓輔 1,
成に与える影響
岡田 浩 1, 若原 昭浩 1
RF-MBE 法を用いた Eu 添加 GaN ナノコラムの V/III 族供給 〇今西 智彦 1, 関口 寛人 1, 尾崎 耕平 1, 山根 啓輔 1,
比依存性
岡田 浩 1, 岸野 克巳 2, 若原 昭浩 1
休憩 /Break
16:30
13p-A21-11 ファセット制御ハイドライド気相成長法により作製した GaN 〇松原 徹 1, 河原 慎 1, 行實 孝太 1, 井本 良 1, 岡田
における転位密度の可視化
成仁 1, 只友 一行 1
16:45
13p-A21-12 ハイドライド気相成長法を用いた全面低転位 GaN 基板の作製 〇行實 孝太 1, 河原 慎 1, 在田 直起 1, 松原 徹 1, 井
本 良 1, 岡田 成仁 1, 只友 一行 1
17:00
13p-A21-13 HVPE 法による GaN の選択成長におけるマスク幅依存性と
〇河原 慎 1, 行實 孝太 1, 松原 徹 1, 板垣 憲広 1, 井
ファセット形成メカニズム
本 良 1, 岡田 成仁 1, 只友 一行 1
17:15
13p-A21-14 エッチピット法による HVPE-GaN の転位検出と分類
〇姚 永昭 1, 石川 由加里 1,2, 菅原 義弘 1, 横江 大作 1,
須藤 正喜 2, 岡田 成仁 3, 只友 一行 3
17:30
13p-A21-15 EVPE 法による AlN/ サファイア界面構造の制御
〇岸元 克浩 1, Wu PeiTsen1, 船戸 充 1, 川上 養一 1
17:45
13p-A21-16 縦型バッチ炉を用いた Low Pressure HVPE GaN@GaCl3 on
〇梅澤 好太 1
Sapphire、AlN@GaCl3 on Si(111) のエピタキシャル成長
9/14(Wed.) 8:45 - 12:00 口頭講演 (Oral Presentation) A21 会場
8:45
奨 14a-A21-1 電子線励起法による GaInN/GaN-MQW レーザ
〇林 貴文 1, 永田 訓章 1, 千賀 崇史 1, 金山 亮介 1,
岩山 章 1, 岩谷 素顕 1, 竹内 哲也 1, 上山 智 1, 赤﨑
勇 1,2
9:00
14a-A21-2 中間板を用いた MOCVD-InGaN/GaN 四波長 LED
〇平田 朋也 1, 酒井 士郎 1, 納田 卓 2, 木村 真大 2,
村本 宜彦 2
9:15
14a-A21-3 ＭＯＣＶＤ法によるＩｎＧａＮ / ＧａＮ ＭＱＷ構造上への
〇森 拓磨 1, 堤 達哉 1, 加畑 智基 1, 三好 実人 1, 江
凹凸表面ｐ - ＧａＮ層の形成
川 孝志 1
9:30
14a-A21-4 近接場光学顕微分光測定による青色・緑色発光 InGaN 量子井 〇倉井 聡 1, 三原 練磨 1, 野畑 元喜 1, 大川 康平 1,
戸構造の評価
岡田 成仁 1, 只友 一行 1, 矢野 良樹 2, 田渕 俊也 2,
松本 功 2, 山田 陽一 1
9:45
14a-A21-5 InGaN/GaN 多重量子井戸構造における局在状態からの発光特 〇金城 一哉 1, 猪瀬 裕太 1, 江馬 一弘 1,2, 中岡 俊裕
1,2
性
, 大音 隆男 1, 岸野 克巳 1,2
10:00
14a-A21-6 GaN 基板上に作製された Mg イオン注入およびエピタキシャ 〇小島 一信 1, 高島 信也 2, 江戸 雅晴 2, 上野 勝典
2
ル成長 Mg 添加 GaN のフォトルミネッセンス評価
, 清水 三聡 3, 高橋 言緒 3, 石橋 章司 3, 上殿 明良 4,
秩父 重英 1
10:15
休憩 /Break
10:30
11:00
11:15
11:30
11:45
招 14a-A21-7 [ 優秀論文賞受賞記念講演 ]
Carrier dynamics and related electronic band properties of
InN films
14a-A21-8 半極性面 AlGaN/AlN 量子井戸におけるポテンシャル揺らぎの
抑制
14a-A21-9 Al0.61Ga0.39N 混晶薄膜における励起子および励起子分子のス
トークスシフトの温度依存性
14a-A21-10 AlGaN 量子井戸構造における励起子分子の結合エネルギー
―混晶障壁層の組成比依存性 (2)―
14a-A21-11 UVC-LD エピ構造への高密度電流注入の試み
〇石谷 善博 1
1.NTT 物性研
1. 名城大理工 , 2. 静大工
1. 豊技大 , 2. 上智大
1. 山口大学院・創成科学
1. 山口大学院・創成科学
1. 山口大学院・創成科学
1. ファインセラミックスセンター , 2. 名工大 , 3. 山
口大院
1. 京大院工
1. 東京エレクトロン東北
1. 名城大理工 , 2. 名古屋大赤崎記念研究センター
1. 徳大 , 2. ナイトライドセミコンダクター（株）
1. 名工大
1. 山口大院創成科学 , 2. 大陽日酸
1. 上智大理工 , 2. 上智大ナノテク
1. 東北大 多元研 , 2. 富士電機 ( 株 ), 3. 産総研 , 4. 筑
波大学
1. 千葉大
〇市川 修平 1, 船戸 充 1, 川上 養一 1
1. 京大院工
池田 和貴 , 〇室谷 英彰 , 鶴丸 拓斗 , 藤原 涼太 ,
倉井 聡 1, 三宅 秀人 3, 平松 和政 3, 山田 陽一 1
和泉 平 1, 福地 駿平 1, 井村 暢杜 1, 倉井 聡 1, 室谷
英彰 2, 三宅 秀人 3, 平松 和政 3, 〇山田 陽一 1
〇 (M1) 松本 卓磨 1,2, 大島 一晟 1,2, 前田 哲利 1, 定
昌史 1, 鎌田 憲彦 2, 平山 秀樹 1
1
1. 東大生研 , 2.JST- さきがけ , 3.JST-ACCEL
2
1
1
1. 山口大院・創成科学 , 2. 徳山高専 , 3. 三重大院・
工
1. 山口大院・創成科学 , 2. 徳山高専 , 3. 三重大院・
工
1. 理研 , 2. 埼玉大
15.4 III-V 族窒化物結晶 / III-V-group nitride crystals
9/15(Thu.) 9:00 - 12:00 口頭講演 (Oral Presentation) A21 会場
9:00
奨 15a-A21-1 X 線マイクロ回折による種結晶表面・成長モード制御 Na フラッ
クス GaN の微視的結晶構造解析
9:15
奨 15a-A21-2 Na フラックス法におけるサファイア溶解による低反り GaN
ウエハの作製
9:30
9:45
10:00
10:15
10:30
〇 (M2) 水田 祐貴 1, 竹内 正太郎 1, 今西 正幸 2, 今
出 完 2, 今井 康彦 3, 木村 滋 3, 森 勇介 2, 酒井 朗 1
〇 (M2) 山田 拓海 1, 今西 正幸 1, 中村 幸介 1, 村上
航介 1, 今林 弘毅 1, 本城 正智 1, 丸山 美帆子 1, 今出
完 1, 吉村 政志 1, 森 勇介 1
奨 15a-A21-3 Na フラックスポイントシード法における GaN 単結晶成長速 〇林 正俊 1, 今西 正幸 1, 山田 拓海 1, 松尾 大輔 1,
度の向上
村上 航介 1, 丸山 美帆子 1, 今出 完 1, 吉村 政志 1,
森 勇介 1
15a-A21-4 Ga-Al 液相法による r 面サファイア上への a 面 AlN 膜作製
〇安達 正芳 1, 福山 博之 1
15a-A21-5 常圧窒素雰囲気下における金属ガリウム原料からの窒化ガリウ 〇秋山 晋也 1, 渡辺 誠 1, 高橋 芳美 1, 有馬 寛 2, 杉
ム微粒子結晶の析出
山 和正 2
15a-A21-6 窒化ガリウム単結晶の常圧窒素中 LPE 結晶成長
〇秋山 晋也 1, 渡辺 誠 1, 高橋 芳美 1, 杉山 和正 2
休憩 /Break
10:45
10:45
11:00
11:15
16a-A21-7 Si 基板上 n-GaN のドーピング特性
16a-A21-8 TMG 中の酸素濃度が GaN に与える影響
16a-A21-9 六方晶窒化ホウ素薄膜の形成過程と結晶成長モデル
11:30
16a-A21-10
11:45
12:00
16a-A21-11
16a-A21-12
9/16(Fri.) 9:30 - 11:30
16a-P5-1
16a-P5-2
〇浦山 雄也 1, 浜田 武明 1, 中村 圭輔 1, 江川 孝志 1
〇杉本 浩平 1,2, 井本 良 1, 岡田 成仁 1, 只友 一行 1
〇梅原 直己 1, 清水 乙生 2, 増田 敦 2, 光野 徹也 2,
小南 裕子 2, 原 和彦 1,3
化学的活性条件での ICP-RIE による半極性面 GaN のエッチン 〇永利 圭 1, 板垣 憲広 1, 井本 良 1, 岡田 成仁 1, 西
グ形状
宮 智靖 2, 松尾 文晴 2, 只友 一行 1
InGaN/GaN/AlN/GaN 可視光応答型水分解光電極
〇中村 亮裕 1, 藤井 克司 2, 杉山 正和 1, 中野 義昭 1
窒化物半導体成長メカニズムの熱力学的考察
〇 (M1) 関口 一樹 1, 白川 裕規 1, 長川 健太 1, 洗平
昌晃 1,2, 寒川 義裕 3, 柿本 浩一 3, 白石 賢二 1,2
ポスター講演 (Poster Presentation) P5 会場
チップ内光配線に向けた GaN- μ LED とポリマー導波路の一 〇新田 遼 1, 土山 和晃 1, 山根 啓補 1, 関口 寛人 1,
体集積化
岡田 浩 1, 若原 昭浩 1
MOCVD 法による InAlN 多重量子井戸構造の成長
〇宮地 祐太 1, 三好 実人 1, 江川 孝志 1
16a-P5-3 ＡｌＧａＮ系ＰｉＮ型ＵＶフォトダイオードのアバランシェ動 〇岡田 真由子 1, 宮地 祐太 1, 三好 実人 1, 江川 孝志
1
作
16a-P5-4 NH3 雰囲気で熱処理した ScAlMgO4 のラマン分光評価
〇 (M2) 山村 和也 1, 蓮池 紀幸 1, 播磨 弘 1, 福田 承
生 2, 窪谷 茂幸 3, 谷川 智之 3, 花田 貴 3, 松岡 隆志 3
16a-P5-5 ScAlMgO4/GaN 界面構造の安定性に対する量子論的アプロー 〇中根 晴信 1, 秋山 亨 1, 中村 浩次 1, 伊藤 智徳 1
チ :Sc-O 劈開面での検討
16a-P5-6 レーザ散乱光強度その場観察による InGaN 成長モードの解析 〇 (M2) 宮越 亮輔 1, 劉 志彬 1, 山本 哲也 1, 永松 謙
太郎 2, 新田 州吾 2, 本田 善央 2, 天野 浩 2,3,4
16a-P5-7 InGaN 成長中の In ウェッティングレイヤーのレーザ散乱によ 〇 (M2) 山本 哲也 1, 永松 謙太郎 2, 久志本 真希 1,
る観察
出来 真斗 2, 新田 州吾 2, 本田 善央 2, 天野 浩 2,3,4
16a-P5-8 フッ素プラズマ処理による InN の表面電荷蓄積層の影響軽減 〇福島 駿介 1, 臼田 知志 1, 荒木 努 1, 名西 憓之 1
に関する研究
16a-P5-9 窒素極性 InN(000-1) 薄膜結晶性の MOVPE 成長温度依存性
〇赤坂 哲也 1, Schied Monika1, 熊倉 一英 1
奨 16a-P5-10 低温下におけるⅢ族窒化物ナノワイヤの埋め込み成長に関する
研究
16a-P5-11 4H-SiC 微傾斜基板上に作製した自己組織化 InN/GaN ドット
の配列性制御
16a-P5-12 AlN/SiC および GaN/SiC 極性界面の構造安定性に関する理論
的検討：歪み緩和の影響
奨 E 16a-P5-13 Direct Growth of GaN on a 3C–SiC/Si Template
1. 阪大院工
1. 阪大院工
1. 東北大多元研
1. デクセリアルズ（株）, 2. 東北大学　金研
1. デクセリアルズ（株）, 2. 東北大学　金研
1. 名大院工
1. 三重大院工 , 2. 阪大院工 , 3. 九大応力研
1. 都産技研
1. 京大工 , 2. 京大院工
1. 京大院工 , 2. 住友電工
1. ﾆｭｰﾌﾚｱﾃｸﾉﾛｼﾞｰ
1. 名城大理工 , 2. 名古屋大赤﨑記念研究センター ,
3. 名古屋大未来材料システム研究所
1.NTT 物性研
1. 東大ナノ量子 , 2. 東大生研 , 3. シャープ
1. 名城大・理工 , 2. 名古屋大・赤﨑記念研究センター
1. 立命館大、総研 , 2. 立命館大、理工
1. 名工大院
1. 山口大学院・創成科学 , 2. 宇部興産
1. 静岡大創造大院 , 2. 静岡大院工 , 3. 静岡大電子
研
1. 山口大学院・創成科学 , 2. サムコ株式会社
1. 東大工 , 2. 北九州市大
1. 名大院工 , 2. 名大未来研 , 3. 九大応力研
1. 豊技大工
1. 名工大院
1. 名工大
1. 京都工繊大 , 2. 福田結晶技研 , 3. 東北大金研
1. 三重大院工
1. 名大院工 , 2. 未来材料システム研究所 , 3. 赤﨑
記念研究センター , 4. 名大 VBL
1. 名大院工 , 2. 未来材料システム研究所 , 3. 赤崎
記念研究センター , 4. 名大 VBL
1. 立命館大理工
1.NTT 物性基礎研
〇 (M1) 澁谷 弘樹 1, 上山 智 1, 岩谷 素顕 1, 竹内 哲 1. 名城大・理工 , 2. 名古屋大・赤﨑記念研究室セ
也 1, 赤﨑 勇 1,2
ンター
〇 (M1) 松岡 圭佑 1, 八木 修平 1, 矢口 裕之 1
1. 埼玉大院理工
〇秋山 亨 1, 中根 晴信 1, 中村 浩次 1, 伊藤 智徳 1
1. 三重大院工
〇 (M2C)Peifeng Song1, Zheng Sun1,2, Shugo Nitta4, 1.Department of Electrical Engineering and
Yoshio Honda4, Hiroshi Amano2,3,4, Mitsuhisa
Computer Science, Nagoya Univ., 2.Venture
Narukawa5, Keisuke Kawanura5, Ichiro Hide5
Business Lab, Nagoya Univ., 3.Akasaki Research
Center, Nagoya Univ., 4.Institute of Materials and
Systems for Sustainability (IMaSS), Nagoya Univ.,
5.AIR WATER INC.
1
2
1
1
16a-P5-14 NH3-MBE 法により作製された Eu,Mg 共添加 GaN の発光サイ 〇関口 寛人 , 酒井 優 , 立石 紘己 , 若原 昭浩
1. 豊技大 , 2. 山梨大
ト評価
16a-P5-15 InGaN 系量子井戸の表面プラズモン発光増強現象の空間分解 〇 (D) 立石 和隆 1, 船戸 充 2, 川上 養一 2, 岡本 晃 1. 九大先導研 , 2. 京大院工
的評価
一 1, 玉田 薫 1
16a-P5-16 GaN における励起子・励起子分子準位間遷移過程の理論計算 〇野町 健太郎 1
1. 千葉大
E 16a-P5-17 Radiative and Nonradiative Recombination in AlGaN-based
Deep-Ultraviolet Light-Emitting Diodes
16a-P5-18 高温 N2 雰囲気アニール処理をした AlN テンプレート上への
AlN 及び AlGaN(Al>0.5) の再成長
16a-P5-19 量産用 MOCVD を用いた低 Si ドープ GaN 膜中の C と Si 濃
度制御
〇 GUODONG HAO1, Manabu Taniguchi1, Naoki 1.NICT, 2.Tokuyama Co. Ltd., 3.JST-PREST
Tamari1,2, Shin-ichiro Inoue1,3
〇三嶋 晃 1, 池永 和正 1, 矢野 良樹 1, 田渕 俊也 1,
1. 大陽日酸 ( 株 ), 2. 三重大
松本 功 1, 三宅 秀人 2
〇朴 冠錫 1, 矢野 良樹 1, 池永 和正 1, 三嶋 晃 1, 田 1. 大陽日酸 ( 株 )
渕 俊也 1, 松本 功 1
15 結晶工学 / Crystal Engineering
奨 15a-A21-7 AlN 溶液成長における機械学習を用いた溶液流動の高効率予測 〇小久保 信彦 1, 角岡 洋介 1, 原田 俊太 1, 田川 美穂
1
, 宇治原 徹 1
11:00
15a-A21-8 第一原理計算による OVPE 成長条件下における GaN(000-1) 表 〇河村 貴宏 1,2, 北本 啓 2, 今出 完 2, 吉村 政志 2, 森
面構造の解析
勇介 2, 森川 良忠 2, 寒川 義裕 3, 柿本 浩一 3
11:15
奨 15a-A21-9 グラフェンライク III 族窒化物半導体のバンドアライメント
〇太田 優一 1
11:30
奨 15a-A21-10 GaN 自立基板の赤外分光法による評価
〇鐘ヶ江 一孝 1, 金子 光顕 2, 木本 恒暢 2, 堀田 昌宏
2
, 須田 淳 2
11:45
奨 15a-A21-11 GaN における Franz-Keldysh 効果に起因した サブバンド
〇前田 拓也 1, 岡田 政也 2, 上野 昌紀 2, 山本 喜之 2,
ギャップ光吸収の電界および波長依存性
堀田 昌宏 1, 須田 淳 1
9/16(Fri.) 9:00 - 12:15
口頭講演 (Oral Presentation) A21 会場
9:00
16a-A21-1 枚葉式高速回転 MOCVD 装置による 200mm Si 基板上 GaN
〇津久井 雅之 1, 家近 泰 1, 宮野 清孝 1, 高橋 英志 1
HEMT 構造における AlGaN 層成膜の回転数依存性
9:15
16a-A21-2 分極電荷による高ホール濃度を有する p 型 AlGaN の作製
〇安田 俊輝 1, 竹内 哲也 1, 岩谷 素顕 1, 上山 智 1,
赤﨑 勇 1,2, 天野 浩 2,3
9:30
16a-A21-3 無極性 m 面 AlN 基板上に成長した AlGaN の格子緩和機構
〇西中 淳一 1, 谷保 芳孝 1, 熊倉 一英 1
9:45
16a-A21-4 AlN 中間層の挿入による無極性 m 面 GaN 基板上 AlGaN 厚膜 〇小谷 晃央 1,2,3, 有田 宗貴 1, 荒川 泰彦 1,2
の成長
10:00
奨 16a-A21-5 X 線その場観察 MOVPE による AlGaN/GaN ヘテロ構造評価 〇 (M1) 金山 亮介 1, 大角 純也 1, 岩谷 素顕 1, 竹内
哲也 1, 上山 智 1, 赤﨑 勇 1,2
10:15
16a-A21-6 Si 基板上縦型高出力 AlGaN FET 実現を目指した導電性 AlN
〇黒瀬 範子 1, 青柳 克信 1, 尾関 宏太 2, 荒木 努 2
バッファ層の形成
10:30
休憩 /Break
1. 阪大基礎工 , 2. 阪大工 , 3.JASRI
15.5 IV 族結晶，IV-IV 族混晶 / Group IV crystals and alloys
16a-P5-20 4H-SiC 上エピタキシャルグラフェン基板を用いた MOVPE 法
InN エピタキシャル成長初期過程
16a-P5-21 RF-MBE 法による低温 GaN 緩衝層を挿入した Al 薄膜上 GaN
成長検討
16a-P5-22 InGaN/GaN 多重量子井戸構造ナノコラムの成長温度依存性
〇石丸 大樹 1, 戸松 侑輝 1, 橋本 明弘 1
1. 福井大院工
〇上原 和樹 1, 星川 侑也 1, 尾沼 猛儀 1, 山口 智広 1, 1. 工学院大
本田 徹 1
〇宮川 倫 1, 立花 文人 1, 大音 隆男 1, 岸野 克巳 1,2 1. 上智大理工 , 2. 上智大ナノテク
15 結晶工学 / Crystal Engineering
16a-P5-23 プラズマダメージ低減 ECR-MBE 法で作製した In1-xGaXN、 〇淀 徳男 1, 中川 竜磨 1, 松下 真也 1, 藤元 章 2, 原 1. 大阪工大工 , 2. 大阪工大一般 , 3. 東工大物質学
田 義之 2, 吉本 護 3
院
及び In1-XAlXN 混晶
薄膜成長における混晶比制御の検討
16a-P5-24 カーボンナノチューブ /GaN 界面の p-GaN 電極への応用
〇横川 俊哉 1, 三宅 祥太 1, 毛利 裕治 1, 中山 雅晴 1 1. 山口大工
16a-P5-25 Si(110) 基板上に AlN 薄膜の MOCVD 成長と評価
〇沈 旭強 1, 高橋 言緒 1, 井手 利英 1, 清水 三聡 1
1. 産総研
16a-P5-26 MOCVD を用いた、Ge ドープ AlGaN の成長
〇川西 洋平 1, 酒井 士郎 1
1. 徳大
16a-P5-27 UHV スパッタエピタキシー法による Si ドープ GaN 単結晶層
の成長
16a-P5-28 低酸素 GaN スパッタリングターゲットを用いた高結晶性 GaN
膜の作製
奨 16a-P5-29 金属 Ga あるいは GaN をターゲットとして用いたスパッタ法
による GaN 薄膜の作製
E 16a-P5-30 Cu-doping into ZnSnN2 film: Structural, Electrical and Optical
Properties
16a-P5-31 ScxAl1-xN と YxAl1-xN のバンドギャップとバンドオフセットの
第一原理計算
16a-P5-32 数値解析による InGaN/GaN 多重量子井戸内の圧縮歪みに対
する補償効果の検討
9/16(Fri.) 13:15 - 15:30 口頭講演 (Oral Presentation) A21 会場
13:15
16p-A21-1 InGaN ナノコラムにおいて構造特性が発光機構に与える影響
1. 東京電機大工
〇吉村 翼 1
〇召田 雅実 , 倉持 豪人 , 高橋 言諸 , 清水 三聡
1
1
2
2
〇石川 崚 1, 磯崎 勇児 1, 山下 雄一郎 2, 八木 貴志 2,
賈 軍軍 1, 竹歳 尚之 2, 中村 新一 1, 重里 有三 1
〇 (D)Xiang Cao1, Y. Sugiyama1, F. Kawamura2, Y.
Ninomiya1, T. Taniguchi2, N. Yamada1
〇島田 和宏 1, 市川 拓也 1, 坂巻 宏紀 1, 近 拳輔 1,
堂上 真人 1, 秩父 重英 2
〇向山 裕次 1, M.E. Rudinsky2, K. A. Bulashevich2,
E.V. Yakovlev2
1. 東ソー , 2. 産総研
1. 青学大理工 , 2. 産総研
1.CHUBU UNI., 2.NIMS
1. 関東学院大理工 , 2. 東北大多元研
1.STR Japan 株式会社 , 2.STR Group
〇 (PC) 大音 隆男 1, 水野 祐太郎 1, 柳原 藍 1, 宮川 1. 上智大理工 , 2. 上智大ナノテク
倫 1, 吉田 純 1, 榊原 直樹 1, 江馬 一弘 1,2, 岸野 克巳 1,2
13:30
16p-A21-2 クラスタ配列ナノコラムフォトニック結晶の作製
〇松井 祐三 1, 石沢 峻介 1, 本山 界 1, 吉田 純 1, 岸 1. 上智大理工 , 2. 上智ナノテク
野 克巳 1,2
13:45
16p-A21-3 AlGaN クラッド層を用いた高指向性規則配列ナノコラム LED 〇吉田 純 1, 松井 祐三 1, 大音 隆男 1, 岸野 克巳 1,2 1. 上智理工 , 2. 上智ナノテク
の作製
14:00
16p-A21-4 マルチカラー (20 色 ) 発光ナノコラム結晶の一体集積化
〇榊原 直樹 1,2, 成田 一貴 1,2, 吉田 純 1,2, 宮川 倫 1,2, 1. 上智大理工 , 2. 上智大ナノテク
石沢 峻介 1,2, 大音 隆男 1,2, 岸野 克巳 1,2
14:15
16p-A21-5 水素雰囲気異方性熱エッチング (HEATE) 法で作製した
〇小川 航平 1, 水谷 友哉 1, 石嶋 駿 1, 生江 祐介 1,
1. 上智大理工 , 2. 上智大ナノテクセンター
InGaN/GaN ナノ構造のオゾン水パッシベーション
松岡 明裕 1, 菊池 昭彦 1,2
14:30
16p-A21-6 水素雰囲気異方性熱エッチング (HEATE) 法で作製した単一
〇五十嵐 佳苗 1, 水谷 友哉 1, 石嶋 駿 1, 小川 航平 1, 1. 上智大理工 , 2. 上智大ナノテクセンター
InGaN/GaN ナノピラーの室温発光
菊池 昭彦 1,2
14:45
16p-A21-7 水素雰囲気異方性熱エッチング (HEATE) 法による微細 ( ≤ 10 〇 (M1) 石嶋 駿 1, 水谷 友哉 1, 小川 航平 1, 生江 祐 1. 上智大理工 , 2. 上智大ナノテクセンター
nm)InGaN 量子構造の作製
介 1, 松岡 明裕 1, 菊池 昭彦 1,2
15:00
E 16p-A21-8 High Purity Single Photon Emission from a GaN Interface
〇 (M2)Florian LeRoux1, Kang Gao1, Mark
1.IIS, Univ. of Tokyo, 2.NanoQuine, Univ. of Tokyo
Fluctuation Quantum Dot
Holmes1,2, Munetaka Arita1,2, Satoshi Kako1,2,
Yasuhiko Arakawa1,2
15:15
E 16p-A21-9 Increasing the photon extraction efficiency from III-nitride
〇 (D)Kang Gao1, Mark Holmes1,2, Munetaka
1.IIS, Univ. of Tokyo, 2.NanoQuine Univ. of Tokyo
quantum dots
Arita1,2, Yasuhiko Arakawa1,2
15.5 IV 族結晶，IV-IV 族混晶 / Group IV crystals and alloys
9/15(Thu.) 13:30 - 15:30 ポスター講演 (Poster Presentation) P11 会場
奨 15p-P11-1 C，Sn 添加 Si 結晶における原子配置とバンドギャップに関す 〇 (M2) 豊崎 兼人 1, 末岡 浩治 2
1. 岡山県大院情報系工 , 2. 岡山県大情報工
る第一原理計算
奨 15p-P11-2 Si (001) 薄膜表面近傍における C と Sn の形成エネルギー計算 〇只野 快 1, 末岡 浩治 2
1. 岡山県大院情報系工 , 2. 岡山県大情報工
と熱平衡濃度の算出
15p-P11-3 AuGe/Au 積層膜のアニールによる Ge 結晶薄膜の作製 (1)
〇阿久津 敏 1, 神子 公男 2, 弓野 健太郎 1,3
1. 芝浦工大 , 2. 東大生研 , 3.SIT グリーンイノベー
ション研究センター
15p-P11-4 AuGe/Au 積層膜のアニールによる Ge 結晶薄膜の作成（２） 〇 (M1) 熊谷 健太 1, 神子 公男 2, 弓野 健太郎 1,3
1. 芝工大理工 , 2. 東大生研 , 3.SIT グリーン研
1. 芝浦工大 , 2. 東大生研 , 3.SIT グリーンイノベー
ション研究センター
伸張歪み Si/SiGe/Si(110) ヘテロ構造の表面モフォロジーに成 〇 (M2) 佐藤 圭 1, 宇津山 直人 1, 山田 崇峰 1, 有元 1. 山梨大クリスタル研 , 2. 東京都市大総研 , 3. 名
長速度が及ぼす影響
圭介 1, 山中 淳二 1, 原 康祐 1, 澤野 憲太朗 2, 宇佐美 古屋大
徳隆 3, 中川 清和 1
伸張歪み Si/ 緩和 SiGe/Si(110) ヘテロ構造の結晶成長中におけ 〇 (M1) 山田 崇峰 1, 宇津山 直人 1, 佐藤 圭 1, 白倉 1. 山梨大クリスタル研 , 2. 山梨大ものづくりセン
る表面形状形成過程に関する研究
麻衣 2, 山本 千綾 3, 有元 圭介 1, 山中 淳二 1, 原 康 ター , 3. 山梨大機器分析センター , 4. 名古屋大 ,
祐 1, 宇佐美 徳隆 4, 澤野 憲太郎 5, 中川 清和 1
5. 東京都市大総研
イオン注入歪み緩和法を用いて形成した Si/Si1-xCx/Si(001) 構 〇村上 太陽 1, 有元 圭介 1, 山中 淳二 1, 原 康祐 1,
1. 山梨大クリスタル研 , 2. 山梨大ものづくりセン
造の結晶性評価
山本 千綾 2, 宇佐美 徳隆 3, 星 裕介 3, 有澤 洋 3, 澤 ター , 3. 名古屋大学 , 4. 東京都市大総研
4
1
野 憲太郎 , 中川 清和
AuSb Induced Crystallization of Germanium Thin Films
〇 (M1)Benedict Mutunga JOSEPH1, Takumi
1.SIT, 2.RCGI,SIT, 3.IIS, Tokyo Univ
KONDO1, Tastuya SUZUKI1, Masao KAMIKO3,
Kentaro KYUNO1,2
スパッタエピタキシー法による低温成長歪 Si 膜の評価
〇出蔵 恭平 1, 本橋 叡 1, 大久保 克己 1, 広瀬 信光 1. 東京農工大院工 , 2. 情報通信研究機構
2
, 笠松 章史 2, 三村 高志 2, 松井 敏明 2, 塚本 貴広 1,
須田 良幸 1
マイクロ波プラズマトーチを用いたダイヤモンド・ナノパウ 〇 (M1) 山田 遼太 1, 村田 悠馬 1, 齋藤 裕紀 1, 田中 1. 電通大院理工
ダーの気相合成と評価
勝己 1, 一色 秀夫 1
Si 基板上での大面積ダイヤモンド単結晶膜の合成
〇 (M1) 齋藤 裕紀 1, 山田 遼太 1, 一色 秀夫 1
1. 電通大院理工
15p-P11-5 Au と Ge の同時スパッタによる Ge 薄膜の結晶化 ( Ⅲ )
15p-P11-6
15p-P11-7
15p-P11-8
E 15p-P11-9
15p-P11-10
15p-P11-11
15p-P11-12
9/16(Fri.) 9:00 - 11:45
口頭講演 (Oral Presentation) D61 会場
9:00
E 16a-D61-1 Realization of UTB-SGOI with tensile strain through heterolayer transfer technique
9:15
16a-D61-2
9:30
16a-D61-3
9:45
10:00
16a-D61-4
16a-D61-5
〇高鳥毛 怜 1, 神子 公男 2, 弓野 健太郎 1,3
〇 (PC)WENHSIN CHANG1, Hiroyuki Ishii1,
Hiroyuki Hattori1, Toshifumi Irisawa1, Noriyuki
Uchida1, Tatsuro Maeda1
Epitaxial Lift-Off (ELO) 法を用いた GOI 基板の作製
〇 (M1) 大久保 亮太 1, 徐 学俊 1, 澤野 憲太郎 1, 丸
泉 琢也 1
貼り合わせ法による高引っ張り歪み Ge-on-Quartz(GOQ) 基板 〇設楽 那由太 1, 馬場 俊介 1, 徐 学俊 1, 澤野 憲太郎
1
の作製
, 丸泉 琢也 1
c 面サファイア基板上の Ge(111) 薄膜の成長初期の検討
〇河口 大和 1, 伊藤 友樹 1,2, 川島 知之 1, 鷲尾 勝由 1
Si(110) 基板上 SiGe 膜の歪み緩和におけるイオン注入の効果 〇加藤 まどか 1, 村上 太陽 2, 有元 圭介 2, 山中 淳二
2
, 中川 清和 2, 澤野 憲太郎 1
1.AIST
1. 都市大総研
1. 都市大総研
1. 東北大院工 , 2. 学振特別研究員 DC
1. 都市大総研 , 2. 山梨大
15.6 IV 族系化合物（SiC）/ Group IV Compound Semiconductors (SiC)
10:15
10:30
10:45
11:00
11:15
11:30
16a-D61-6 X 線回折による Ge1-xSnx エピタキシャル膜内組成の深さ分布の
推定
奨 16a-D61-7 MOCVD 法による Ge 基板上での Ge1-xSnx エピタキシャル成
長（４）
Sb 原子の持つサーファクタント効果による Sn 濃度増加
16a-D61-8 有機金属化学気相成長によるエピタキシャル Ge1 − xSnx 薄膜の
選択成長
16a-D61-9 MOCVD 法を用いた in situ P ドーピングによる高濃度 n 型
Ge エピタキシャル成長
奨 16a-D61-10 液浸ラマン分光法を用いた Ge1-xSnx メサ構造における異方性
2 軸応力評価
16a-D61-11 Si1–xSnx 価電子帯端オフセットの第一原理計算
〇広沢 一郎 1, 須田 耕平 2, 澤本 直美 2, 町田 英明 3, 1. 高輝度光科学研究セ , 2. 明治大 , 3. 気相成長 ( 株 ),
石川 真人 3, 須藤 弘 3, 大下 祥雄 4, 小椋 厚志 2
4. 豊田工大
〇須田 耕平 1, 澤本 直美 1, 町田 英明 2, 石川 真人 2, 1. 明治大 , 2. 気相成長 ( 株 ), 3. 豊田工大 , 4.( 株 )
須藤 弘 2, 大下 祥雄 3, 臼田 宏治 4, 広沢 一郎 5, 小 東芝 , 5. 高輝度光科学研究セ
椋 厚志 1
〇鷲津 智也 1, 池 進一 1,2, 竹内 和歌奈 1, 中塚 理 1, 1. 名古屋大院工 , 2. 学振特別研究員 , 3. 名古屋大
財満 鎭明 3
未来研
〇池 進一 1,2, 竹内 和歌奈 1, 中塚 理 1, 財満 鎭明 1,3 1. 名大院工 , 2. 学振特別研究員 , 3. 名大未来研
〇村上 達海 1, 武内 一真 1, 横川 凌 1, 須田 耕平 1,
石原 聖也 1,2, 小椋 厚志 1
〇長江 祐樹 1, 黒澤 昌志 1,2,3,4, 洗平 昌晃 1,2,3, 中塚
理 1, 白石 賢二 1,3, 財満 鎭明 1,3
15:15
15:30
15:45
奨
16:00 奨 E
16p-D61-8
16p-D61-9
16p-D61-10
16p-D61-11
堆積中カーボン媒介による Ge 量子ドットの低温形成
余剰カーボンの C-Si 反応 Ge 量子ドット形成への影響
C-Si 反応を利用した Ge 量子ドットの積層構造の発光特性
Realization of vertical Ge/Si nanopillars by maskless etching of
Ge quantum dot nanostructures
16:15
16p-D61-12 分光エリプソによる SiO2 上 Ge の２次元成長と島状成長の境
目検知
15.6 IV 族系化合物（SiC）/ Group IV Compound Semiconductors (SiC)
9/14(Wed.) 13:30 - 15:30 ポスター講演 (Poster Presentation) P9 会場
奨 14p-P9-1 燃焼赤外吸収法による炭素溶解度の測定
1. 名大院工 , 2. 名大高等研究院 , 3. 名大未来研 ,
4.JST さきがけ
1. 九大院システム情報
1. 九大工 , 2. 九大院システム情報
1. 筑波大院
1. 筑波大院　数理物質 , 2. 産総研
1. 名大未来研 , 2. 名大院工 , 3. 名大高等研究院 ,
4.JST さきがけ , 5. 熊本高専
1. 九大院システム情報
1. 名大院工 , 2. 学振特別研究員（DC）, 3. 名大未
来研 , 4.JST さきがけ , 5. 九大院シス情
〇武島 開斗 1, 伊藤 友樹 1,2, 川島 知之 1, 鷲尾 勝由 1
〇安田 康佑 1, 伊藤 友樹 1,2, 川島 知之 1, 鷲尾 勝由 1
〇 (D) 伊藤 友樹 1,2, 川島 知之 1, 鷲尾 勝由 1
〇 Sergii Tutashkonko1, Noritaka Usami1
1. 東北大院工 , 2. 学振特別研究員 DC
1. 東北大院工 , 2. 学振特別研究員 DC
1. 東北大院工 , 2. 学振特別研究員
1.Nagoya Univ.
〇赤沢 方省 1
1.NTT DIC
〇玄 光龍 1, 高橋 大 1, 太子 敏則 1
1. 信州大工
14p-P9-2 ガスソース MBE 法により作製した 3C-SiC(111) 自立基板の電 〇中野 由崇 1, 浅村 英俊 2, 大内 澄人 2, 生川 満久 2,
稲垣 徹 2, 川村 啓介 2
気的評価
14p-P9-3 助触媒担持による 4H-SiC 光電極の特性
〇赤羽 俊之輔 1, 前田 和彦 1, 岩崎 孝之 1, 小寺 哲夫
1
, 波多野 睦子 1
14p-P9-4 XPS 測定を用いた積層 Mo/C 電極と SiC ショットキー接合界 〇 (M2) 鈴木 智之 1, 若林 整 1, 筒井 一生 1, 岩井 洋
1
面の特性評価
, 角嶋 邦之 1, 野平 博司 2
14p-P9-5 界面顕微光応答による Ni/n-SiC の界面反応の 2 次元評価
〇橋爪 孝典 1, 畑 裕介 1, 加藤 正史 2, 塩島 謙次 1
1. 中部大工 , 2. エア・ウォーター
14p-P9-6 水素ラジカルを用いた選択加熱による n+4H-SiC へのオーミッ 荒井 哲司 1, 上村 和貴 1, 山本 千綾 1, 白倉 麻依 1,
ク電極形成
有元 圭介 1, 山中 淳二 1, 〇中川 清和 1, 高松 利行 2,
荻野 正明 3, 立岡 正明 3, 中澤 治雄 3
14p-P9-7 レーザアニールによる 4H-SiC C 面上の Ni/Ti 多層膜オーミッ 〇ミランタ デシルワ 1, 川崎 輝尚 2, 吉川 公麿 1, 黒
クコンタクトの形成
木 伸一郎 1
14p-P9-8 SiC 基板へのフェムト秒レーザー誘起周期構造の形成
〇宮川 鈴衣奈 1, 江龍 修 1
1. 山梨大学 , 2. 株式会社 SST, 3. 富士電機株式会社
14p-P9-9 エタノール中でのレーザーアブレーション法にて作製した SiC 〇山田 拓陸 1
微粒子の発光起源
14p-P9-10 SiC 酸化による C=C 結合欠陥形成の理論的考察
〇長川 健太 1, 洗平 昌晃 2,1, 白石 賢二 2,1
1. 東京工業大学
1. 東工大 , 2. 東京都市大
1. 福井大院工 , 2. 名工大院工
1. 広島大学ナノデバイス , 2. 住友重機械工業株式
会社
1. 名工大
1. 東理大理
1. 名大院工 , 2. 名大未来研
〇山崎 隆浩 1,2, 田島 暢夫 1,2, 金子 智昭 1,2, 奈良 純 1. 物材機構 , 2.MARCEED, 3. 東芝研究開発セン
14p-P9-11 4H-SiC/SiO2 界面 O2 酸化の第一原理シミュレーション ～
1,2
SiC(0001)Si 面と (000-1)C 面の違い～
, 清水 達雄 3, 加藤 弘一 4, 大野 隆央 1,2
ター , 4. 東大生産研
14p-P9-12 In situ XRR 及び HAXPES による 4H-SiC の熱酸化過程の観察 〇安野 聡 1, 小金澤 智之 1, 村岡 幸輔 2, 黒木 伸一郎 1. 高輝度光科学研究セ , 2. 広島大学ナノデバイス
2
14p-P9-13 重イオン照射による SiC-MOSFET 中の誘起収集電荷の発生過 〇 (M1) 高野 修平 1,2, 牧野 高紘 3, 原田 信介 2, 児島 1. 埼大理工 , 2. 産総研 , 3. 量研機構
程
一聡 2, 土方 泰斗 1, 大島 武 3
14p-P9-14 SiC MOSFET におけるイオン誘起電荷過剰収集
〇牧野 高紘 1, 高野 修平 2, 原田 信介 3, 児島 一聡 3, 1. 量研機構 , 2. 埼玉大 , 3. 産総研
土方 泰斗 2, 大島 武 1
14p-P9-15 4H-SiC パワーデバイスの応力解析技術の構築
〇 (M2) 榊間 大輝 1, 村上 陽一 1, 泉 聡志 1, 牛流 章 1. 東大工 , 2. 東芝研究開発センター
弘 2, 廣畑 賢治 2
14p-P9-16 パワーモジュールの設計に関わる配線表皮効果のコンパクトモ 〇福田 浩一 1, 佐藤 佳宏 1, 服部 淳一 1, 佐藤 弘 1,
1. 産総研
デリング
山口 浩 1
14p-P9-17 次世代パワー半導体ダイアタッチの複合オンゴーイング劣化解 〇山下 真理 1, 鈴木 達広 1, 荒木 祥和 1, 森 哲也 1,
1. 日産アーク , 2. ケースレーインスツルメンツ ,
析
荻原 尚志 2, 田中 秀和 2, 薬丸 尚志 3, 谷本 智 1
3. 日立パワーソリューションズ
14p-P9-18 破壊観察による SiC-MOSFET(TO-247) の冷熱サイクル劣化解 〇荒木 祥和 1, 鈴木 達広 1, 山下 真理 1, 大野 俊明 2, 1. 日産ｱｰｸ , 2. ﾉｰﾄﾞｿﾝ ･ ｱﾄﾞﾊﾞﾝｽﾄ ･ ﾃｸﾉﾛｼﾞｰ , 3. 日
析
薬丸 尚志 3, 澤田 浩紀 4, 谷本 智 1
立ﾊﾟﾜｰｿﾘｭｰｼｮﾝｽﾞ , 4. 岩通計測
9/15(Thu.) 9:00 - 12:15 口頭講演 (Oral Presentation) C302 会場
1
2
2
3
9:00
15a-C302-1 X 線透過法による溶液法 SiC 結晶成長のその場観察
〇酒井 武信 , 加渡 幹尚 , 大黒 寛典 , 原田 俊太 , 1. 名大 未来社会創造機構 , 2. トヨタ自動車㈱ , 3. 名
宇治原 徹 3
大 未来材料・システム研究所
9:15
15a-C302-2 X 線透過法による溶液法 SiC 結晶成長の溶液表面形状の経時変 〇酒井 武信 1, 加渡 幹尚 2, 大黒 寛典 2, 原田 俊太 3, 1. 名大 未来社会創造機構 , 2. トヨタ自動車㈱ , 3. 名
化の観察
宇治原 徹 3
大 未来材料・システム研究所
9:30
15a-C302-3 機械学習を用いた溶液成長における過飽和度分布の予測
〇角岡 洋介 1, 小久保 信彦 1, 原田 俊太 1, 田川 美穂 1. 名大院工
1
, 宇治原 徹 1
9:45
15a-C302-4 Si(110) 上 3C-SiC(111) 薄膜の結晶方位回転成長
〇高橋 謙介 1, 横山 大 1, フィリモノフ セルゲイ 2, 1. 東北大通研 , 2. トムスク大
長澤 弘幸 1, 吹留 博一 1, 末光 眞希 1
10:00
15a-C302-5 4H-SiC m 面の構造安定性
塩路 淳 1, ビシコフスキー アントン 1, 梶原 隆司 1, 1. 九大院工
〇田中 悟 1
10:15
15a-C302-6 B および V ドーピングによる 4H-SiC エピタキシャル膜のキャ 〇宮澤 哲哉 1, 俵 武志 2,3, 土田 秀一 1
1. 電中研 , 2. 産総研 , 3. 富士電機
リア寿命の制御
10:30
休憩 /Break
15 結晶工学 / Crystal Engineering
9/16(Fri.) 13:15 - 16:30 口頭講演 (Oral Presentation) D61 会場
13:15
16p-D61-1 絶縁基板上における a-GeSn の金属誘起横方向低温成長 - 成長 〇酒井 崇嗣 1, 佐道 泰造 1, 松村 亮 1, 宮尾 正信 1
メカニズムの検討 13:30
16p-D61-2 Sb 誘起層交換法による n 型 Ge/ 絶縁膜の低温成長
〇高 洪ミョウ 1, 青木 陸太 2, 佐々木 雅也 2, 宮尾 正
信 2, 佐道 泰造 2
13:45
16p-D61-3 Ni 誘起層交換成長による絶縁基板上多層グラフェンの低温合 〇村田 博雅 1, 都甲 薫 1, 末益 崇 1
成
14:00
16p-D61-4 ガラス上 Si1-xGex 薄膜の Al 誘起成長と熱電特性評価
〇中田 充紀 1, 都甲 薫 1, 山本 淳 2, 末益 崇 1
14:15
16p-D61-5 絶縁膜上に形成した p 型 poly-GeSn 薄膜の熱電特性評価
〇黒澤 昌志 1,2,3,4, 劉 坤 2, 井澤 桃香 5, 角田 功 5, 財
満 鎭明 1,2
14:30
16p-D61-6 非晶質 GeSn/ 絶縁基板の低温固相成長の促進
〇茂藤 健太 1, 杉野 貴之 1, 佐道 泰造 1, 池上 浩 1,
ー レーザー照射による前駆体の変調 ー
宮尾 正信 1
14:45
奨 16p-D61-7 水中パルスレーザアニールを用いた多結晶 GeSn への高濃度 n 〇高橋 恒太 1,2, 黒澤 昌志 1,3,4, 池上 浩 5, 坂下 満男 1,
型ドーピング
中塚 理 1, 財満 鎭明 1,3
15:00
休憩 /Break
1. 明治大理工 , 2. 学振特別研究員
15.6 IV 族系化合物（SiC）/ Group IV Compound Semiconductors (SiC)
10:45
11:00
11:15
11:30
11:45
15 結晶工学 / Crystal Engineering
12:00
15a-C302-7 ソフトプラズマにより室温で形成される非晶質炭化珪素薄膜の
成膜速度と三フッ化塩素耐腐食性
15a-C302-8 三フッ化塩素ガスによる炭化珪素薄膜形成装置クリーニング方
法開発 - 熱分解炭素被膜の三フッ化塩素ガス耐腐食性調査 15a-C302-9 高速 SiC レーザスライシング技術の開発
15a-C302-10 高速 SiC レーザスライシングの加工品質評価
15a-C302-11 三フッ化塩素ガスによる炭化珪素表面における炭素膜の形成と
除去
15a-C302-12 ClF3 ガスによる SiC ウエハのエッチング速度挙動
9/15(Thu.) 13:45 - 19:00 口頭講演 (Oral Presentation) C302 会場
13:45
招 15p-C302-1 [ 解説論文賞受賞記念講演 ]
Material science and device physics in SiC technology for
high-voltage power devices
14:15
奨 15p-C302-2 高濃度 SF6 ガスを用いたサブ大気圧プラズマエッチングによる
SiC 基板の高能率加工
14:30
奨 15p-C302-3 SiO2 をマスクとした SF6-O2-Ar 系 ICP-RIE による高選択比
SiC エッチング
14:45
奨 15p-C302-4 p 型 SiC の電気化学エッチングにおけるエッチピット形成
15:00
15p-C302-5 複焦点界面顕微光応答法による 3C-SiC 層の 2 次元評価
15:15
休憩 /Break
15:30
15:45
16:00
16:15
16:30
16:45
17:00
奨 15p-C302-6 太陽光－水素エネルギー変換効率 0.58% を示す 3C-SiC 光電極
奨 15p-C302-7 3C-SiC 中の表面に形成される単一発光源の発光特性と表面処
理
15p-C302-8 レーザーテラヘルツエミッション顕微鏡による SiC ウエハ /
デバイスの局所特性評価
奨 15p-C302-9 4H-SiC エピタキシャル層中におけるショックレー型積層欠陥
と基底面転位構造の関係
15p-C302-10 A 面 n 型 4H-SiC エピタキシャル層中の基底面転位の電子線励
起による拡張の観察
15p-C302-11 n 型 4H-SiC 中 SSF 起因フォトルミネッセンスの時間分解測定
15p-C302-12 4H-SiC 表面再結合の接触水溶液 pH 依存性
17:15
17:30
休憩 /Break
〇 MAI HONG MINH1, 田中 茉莉亜 1, 塩田 耕平 1, 1. 横国大院工
羽深 等 1
〇塩田 耕平 1, 羽深 等 1, 伊藤 英樹 2, 三谷 慎一 3,
1. 横国大院工 , 2. ニューフレアテクノロジー , 3. 関
高橋 至直 3
東電化工業
〇平田 和也 1, 西野 曜子 1, 森重 幸雄 1, 高橋 邦充 1 1. 株式会社ディスコ
1
1
1
〇西野 曜子 , 平田 和也 , 高橋 邦充
1.( 株 ) ディスコ
廣岡 亜純 1, 〇羽深 等 1, 高橋 至直 2, 加藤 智久 3
1. 横国大院工 , 2. 関東電化工業 , 3. 産総研
中込 健 1, 〇倉島 圭祐 1, 奥山 将吾 1, 羽深 等 1, 高
橋 至直 2, 加藤 智久 3
1. 横国大院工 , 2. 関東電化工業 , 3. 産総研
〇木本 恒暢 1
1. 京大
〇井上 裕貴 1, 田尻 光毅 1, 佐野 泰久 1, 松山 智至 1, 1. 阪大院工
山内 和人 1
〇平松 佳奈 1, 奥田 貴史 1, 須田 淳 1, 木本 恒暢 1
1. 京大院工
〇 (M1) 榎薗 太郎 1, 木本 恒暢 1, 須田 淳 1
〇塩島 謙次 1, 市川 尚澄 2, 加藤 正史 2
1. 京大院工
1. 福井大院工 , 2. 名工大院工
〇市川 尚澄 1, 加藤 正史 1, 市村 正也 1
〇本多 智也 1,2, 小野田 忍 2, 土方 泰斗 1, 大島 武 2
1. 名工大
1. 埼玉大学 , 2. 量子研機構
〇中西 英俊 1, 西村 辰彦 1, 北村 藤和 1, 水端 稔 1,
酒井 裕司 2, 川山 巌 2, 斗内 政吉 2
〇 (M1) 飯島 彬文 1, 須田 淳 1, 木本 恒暢 1
1.SCREEN, 2. 阪大レーザー研
1. 京大院工
〇須藤 正喜 , 姚 永昭 , 菅原 義弘 , 石川 由加里 , 1. 名工大 , 2. ファインセラミックセンター
加藤 正史 1
〇加藤 正史 1, 片平 真哉 1, 市川 義人 1, 市村 正也 1, 1. 名工大 , 2. 名大
原田 俊太 2
〇 (M2) 市川 義人 1, 加藤 正史 1, 市村 正也 1, 木本 1. 名工大 , 2. 京都大工
恒暢 2
1
2
2
1,2
15p-C302-13 4H-SiC エピタキシャル層におけるプロセス起因結晶欠陥の評
価
15p-C302-14 4H-SiC PiN diode における積層欠陥の拡大および縮小現象の
その場観察
1. 日立研開
18:00
15p-C302-15
1. 産業技術総合研究所 , 2. 富士電機株式会社 , 3. 電
力中央研究所 , 4. 京都大学
18:15
奨 15p-C302-16
18:30
奨 15p-C302-17
18:45
奨 15p-C302-18
17:45
9/16(Fri.) 9:00 - 12:15
9:00
16a-C302-1
9:15
16a-C302-2
9:30
16a-C302-3
9:45
16a-C302-4
10:00
16a-C302-5
10:15
16a-C302-6
10:30
10:45
〇小西 くみこ 1, 藤田 隆誠 1, 毛利 友紀 1, 島 明生 1,
嶋本 泰洋 1
〇呂 民雅 1,2, 俵 武志 1,2, 宮里 真樹 1,2, 藤本 卓巳 2,
竹中 研介 1,2, 宮島 將昭 1,2, 大月 章弘 2, 土田 秀一 3,
加藤 智久 1
再結合促進層を用いた 4H-SiC PiN ダイオード順方向劣化の抑 〇俵 武志 1,2, 宮澤 哲哉 3, 呂 民雅 1,2, 宮里 真樹 1,2,
制
藤本 卓巳 2, 竹中 研介 1,2, 松永 慎一郎 1,2, 宮島 將昭
1,2
, 大月 章弘 2, 米澤 喜幸 1, 加藤 智久 1, 奥村 元 1,
木本 恒暢 4, 土田 秀一 3
表面パッシベーション酸化膜の窒化処理により生じるメサ型 〇浅田 聡志 1, 木本 恒暢 1, 須田 淳 1
4H-SiC pn ダイオードの順方向リーク電流の起源
高電圧・高速パルス発生を目指した SiC-pin ダイオードの逆回 〇白井 琢毬 1, 岩室 憲幸 1, 福田 憲司 2
復特性解析
チャージインバランスを考慮した SiC Superjunction MOSFET 〇田邉 三紀子 1, 岩室 憲幸 1
のオン抵抗 - 素子耐圧向上の検討
口頭講演 (Oral Presentation) C302 会場
SiC 上酸化膜密度評価
〇飯塚 望 1, 小澤 航大 1, 蓮沼 隆 1, 山部 紀久夫 1
熱酸化 SiO2/SiC 界面遷移層の評価
〇永井 龍 1, 蓮沼 隆 1, 山部 紀久夫 1
4H-SiC MOSFET における単一発光欠陥の界面酸化プロセス 〇阿部 裕太 1, 岡本 光央 2, 小杉 亮治 2, 原田 信介 2,
依存性の共焦点顕微鏡評価
波多野 睦子 3, 岩崎 孝之 3, 小野田 忍 4, 春山 盛善 4,5,
加田 渉 5, 花泉 修 5, 大島 武 4, 梅田 享英 1
4H-SiC Si 面および C 面上に成長した熱酸化膜の光電子収率分 〇渡辺 浩成 1, 大田 晃生 1, 池田 弥央 1, 牧原 克典 1,
光法による電子占有欠陥評価
宮崎 誠一 1
ドライ酸化とウェット酸化で成長させた (000-1)4H-SiC
〇 (D) 鹿児山 陽平 1, 岡本 光央 2, 吉岡 裕典 2, 原田
MOSFET の電流検出型電子共鳴分光を用いた酸化膜の比較
信介 2, 山崎 隆浩 3, 大野 隆央 3, 梅田 享英 1
走査型非線形誘電率顕微鏡による SiO2/4H-SiC 界面の局所容 〇山岸 裕史 1, 茅根 慎通 1, 長 康雄 1
量特性評価
休憩 /Break
奨 16a-C302-7 SiO2/SiC 界面欠陥由来による局所 DLTS 像の直流バイアス依
存性観測
11:00
16a-C302-8 SiC-MOSFET における伝導帯近傍のドナー型トラップが電気
特性に与える影響のシミュレーション解析
11:15
16a-C302-9 直列抵抗を考慮したインピーダンス測定による SiC MOS 界面
解析
11:30 奨 E 16a-C302-10 A Distributed Model for Near-Interface Traps in 4H-SiC MOS
Capacitors
11:45
16a-C302-11
12:00
16a-C302-12
9/16(Fri.) 13:45 - 16:15
13:45
招 16p-C302-1
14:00
奨 16p-C302-2
1. 産総研 , 2. 富士電機 , 3. 電中研
1. 京大院工
1. 筑大電物 , 2. 産総研
1. 筑波大学
1. 筑波大学
1. 筑波大
1. 筑波大 , 2. 産総研 , 3. 東工大 , 4. 量研機構 , 5. 群
馬大
1. 名大院工
1. 筑波大数理 , 2. 産総研 , 3.NIMS
1. 東北大通研
〇茅根 慎通 1, 小杉 亮治 2, 田中 保宣 2, 原田 信介 2, 1. 東北大 , 2. 産総研
奥村 元 2, 長 康雄 1
〇桶田 修平 1, 西村 正 1, 鎌倉 良成 1
1. 阪大院工
〇岡本 大 1, 張 旭芳 1, 畠山 哲夫 2, 染谷 満 2, 原田
信介 2, 小杉 亮治 2, 岩室 憲幸 1, 矢野 裕司 1
〇 (D)Xufang Zhang1, Dai Okamoto1, Tetsuo
1. 筑波大 , 2. 産総研
1.U. Tsukuba, 2.AIST
Hatakeyama2, Mitsuru Sometani2, Shinsuke
Harada2, Ryoji Kosugi2, Noriyuki Iwamuro1, Hiroshi
Yano1
窒化した SiC MOSFET に対するチャージポンピング特性の周 〇王 緒昆 1, 岡本 大 1, 原田 信介 2, 岩室 憲幸 1, 矢 1. 筑波大 , 2. 産総研
波数依存性
野 裕司 1
窒化した p 型 SiC MOS キャパシタにおける反転層の形成
〇 (M1) 唐本 祐樹 1, 岡本 大 1, 原田 信介 2, 染谷 満 1. 筑波大 , 2. 産総研
2
, 畠山 哲夫 2, 小杉 亮治 2, 岩室 憲幸 1, 矢野 裕司 1
口頭講演 (Oral Presentation) C302 会場
[ 講演奨励賞受賞記念講演 ]
〇平井 悠久 1, 喜多 浩之 1
1. 東大院工
酸化性および還元性雰囲気におけるゲート酸化膜成長前の高温
熱処理が SiC MOSFET 移動度に与える影響
ウェット酸化条件の制御による 4H-SiC C 面上 MOS 界面特性 〇 (M2) 梶房 裕之 1, 喜多 浩之 1
1. 東大院工
への影響
15.8 結晶評価，不純物・結晶欠陥 / Crystal evaluation, impurities and crystal defects
14:15
14:30
14:45
16p-C302-3 界面近傍の SiO2 微視的構造と MOS 界面の電気特性から見た
4H-SiC m 面のウェット酸化により形成された MOS 界面の特
徴
16p-C302-4 ホール効果測定による窒化 SiO2/SiC 界面の伝導帯近傍におけ
る界面準位の評価
16p-C302-5 4H-SiC 熱酸化膜のリーク伝導機構に対する窒化処理の影響
15:00
15:15
15:30
15:45
検討
奨 E 16p-C302-7 Improvement of physical and electrical properties in SiC-MOS
devices using deposited insulators on barium-enhanced thermal
oxides
16p-C302-8 TDMAS を用いた ALD-SiO2 ゲート絶縁膜の SiC-MOS キャパ
シタ特性
16p-C302-9 La シリケート /ALD-SiO2 積層ゲート絶縁膜を有する SiC-
MOS キャパシタの電気特性評価
15.8 結晶評価，不純物・結晶欠陥 / Crystal evaluation, impurities and crystal defects
9/15(Thu.) 9:00 - 11:45 口頭講演 (Oral Presentation) A23 会場
9:00
15a-A23-1 Si 単結晶成長における転位密度・残留歪の結晶成長方位依存
性
9:15
E 15a-A23-2 Dynamic modeling of melting process and carbon
contamination in packed Si chunks of Czochralski silicon crystal
growth
9:30
15a-A23-3 長時間成長停止した CZ Si 結晶 ( Ⅰ ) – 固液界面上の欠陥種 9:45
15a-A23-4 長時間成長停止した CZ Si 結晶 ( Ⅱ ) –1000℃以下領域の欠陥
種10:00
15a-A23-5 長時間成長停止した CZ Si 結晶 ( Ⅲ ) - 転位群の SR トポグラ
フィ 10:15
休憩 /Break
10:30
10:45
11:00
11:15
11:30
15a-A23-6 Si ウェーハの超高温 RTP における温度シミュレーション
15a-A23-7 超高温 RTP による窒素ドープ Cz-Si ウェーハのボイド欠陥消
滅挙動
15a-A23-8 超高温 RTP による窒素ドープ Cz-Si ウェーハの酸素析出核の
消滅挙動
15a-A23-9 超高温 RTP による窒素ドープ Cz-Si ウェーハの酸素析出挙動
15a-A23-10 シリコン結晶中の空孔間の相互作用とその捕獲半径の算出
9/15(Thu.) 13:15 - 18:45 口頭講演 (Oral Presentation) A23 会場
13:15
15p-A23-1 シリコン中の大角粒界における不純物の偏析能
13:30
15p-A23-2
13:45
15p-A23-3
14:00
15p-A23-4
14:15
15p-A23-5
14:30
15p-A23-6
14:45
奨 15p-A23-7
15:00
15:15
15:30
15:45
15p-A23-11
16:15
15p-A23-12
16:30
16:45
17:00
15p-A23-13
15p-A23-14
17:30
17:45
18:00
18:15
〇勝 義仁 1, 辻 英徳 1,2, 細井 卓治 1, 志村 考功 1, 渡 1. 阪大院工 , 2. 富士電機
部 平司 1
〇 (P)Atthawut Chanthaphan1, Takuji Hosoi1,
1.Osaka Univ.
Takayoshi Shimura1, Heiji Watanabe1
〇 (B) 金子 喬 1, 雷 一鳴 1, 若林 整 1, 筒井 一生 2,
岩井 洋 2, 角嶋 邦之 1, 古橋 壮之 3, 友久 伸吾 3, 山
川 聡3
〇雷 一鳴 1, 若林 整 1, 筒井 一生 2, 岩井 洋 2, 角嶋
邦之 1, 古橋 壮之 3, 友久 伸吾 3, 山川 聡 3
1. 東工大工 , 2. 東工大科学技術創成研究院 , 3. 三
菱電機株式会社
〇中野 智 1, 高 冰 1, 柿本 浩一 1
1. 九大応力研
〇 Xin Liu1, Satoshi Nakano1, Koichi Kakimoto1
1.RIAM, Kyushu Univ.
〇阿部 孝夫 1, 高橋 徹 1, 白井 光雲 2
〇阿部 孝夫 1, 高橋 徹 1, 白井 光雲 2
1. 信越半導体 , 2. 阪大産研
1. 信越半導体 , 2. 阪大産研
1. 東工大工学院 , 2. 東工大科学技術創成研究院 ,
3. 三菱電機株式会社
〇松井 純爾 1, 津坂 佳幸 2, 鶴丸 哲也 2, 阿部 孝夫 3 1. 兵庫県大放射光ナノテクセンター , 2. 兵庫県大
院物質理学 , 3. 信越半導体
〇青木 竜彦 1, 須藤 治生 1, 荒木 浩司 1, 泉妻 宏治 1
〇須藤 治生 1, 荒木 浩司 1, 青木 竜彦 1, 仙田 剛士 1,
前田 進 1
〇岡村 秀幸 1, 須藤 治生 1, 荒木 浩司 1, 斉藤 広幸 1,
前田 進 1, 末岡 浩治 2, 中村 浩三 3
〇前田 進 1, 須藤 治生 1, 荒木 浩司 1, 斉藤 広幸 1
〇神山 栄治 1,2, 末岡 浩治 1
〇大野 裕 1, 井上 海平 1, 藤原 航三 1, 沓掛 健太朗
, 出浦 桃子 1, 米永 一郎 1, 清水 康雄 2, 井上 耕治 2,
海老澤 直樹 2, 永井 康介 2, 吉田 秀人 3, 竹田 精治 3,
田中 真悟 4, 香山 正憲 4
モノライクシリコンにおける不純物の粒界偏析
〇大野 裕 1, 沓掛 健太朗 1, 出浦 桃子 1, 米永 一郎 1,
清水 康雄 2, 井上 耕治 2, 海老澤 直樹 2, 永井 康介 2,
吉田 秀人 3, 竹田 精治 3
パワーデバイス内部の空乏層の評価（1）多機能走査型プロー 〇山本 秀和 1, 潤間 威史 1, 佐藤 宣夫 1, 小森 郷平 1,
ブ顕微鏡による評価
小田 昭紀 1
パワーデバイス用結晶の評価（ⅩⅨ）
パワーデバイス内部の空乏層の評価（2）数値計算との比較
〇山本 秀和 1, 小森 郷平 1, 小田 昭紀 1, 潤間 威史 1,
パワーデバイス用結晶の評価（ⅩⅩ）
佐藤 宣夫 1
炭素クラスターイオン注入 Si エピウェーハの特徴 (1)
〇柾田 亜由美 1, 仲井 敏郎 1, 廣瀬 諒 1, 門野 武 1,
- 注入層における酸素が重金属のゲッタリング能力に与える影 奥山 亮輔 1, 古賀 祥泰 1, 奥田 秀彦 1, 栗田 一成 1
響炭素クラスターイオン注入 Si エピウェーハの特徴 (2)
〇古賀 祥泰 1, 栗田 一成 1
ー 常温接合界面における酸素の捕獲能力 (2) ―
炭素クラスターイオン注入 Si エピウェーハの特徴 (3) - 多元素・ 〇廣瀬 諒 1, 奥山 亮輔 1, 門野 武 1, 柾田 亜由美 1,
分子イオン注入技術の開発検討 (2)古賀 祥泰 1, 奥田 秀彦 1, 栗田 一成 1, 宮本 直樹 2
休憩 /Break
1
15p-A23-8 平行デュアルレーザビーム法による自由キャリアのバルク寿命 〇金田 寛 1, 大村 一郎 1
評価 : 不純物酸素析出による寿命劣化の検出
15p-A23-9 平行デュアルレーザビーム法による自由キャリアのバルク寿命 〇金田 寛 1, 大村 一郎 1
評価： Fe 故意汚染による寿命劣化の検出
15p-A23-10 FZ シリコン結晶中の酸素濃度の測定
〇井上 直久 6,1, 大渕 真澄 2, 鵜野 浩行 3, 井上 敬子 4,
渡邉 香 5, 河村 裕一 6
16:00
17:15
〇畠山 哲夫 1, 木内 裕治 1, 染谷 満 1, 岡本 大 2, 原 1. 産総研 , 2. 筑波大
田 信介 1, 矢野 裕司 2, 米澤 喜幸 1, 奥村 元 1
〇木内 祐治 1,2, 染谷 満 1, 岡本 大 3, 畠山 哲夫 1, 原 1. 産総研 , 2. 新日本無線（株）, 3. 筑波大
田 信介 1, 矢野 裕司 3, 米澤 喜幸 1, 奥村 元 1
1. グローバルウェーハズ・ジャパン
1. グローバルウェーハズ・ジャパン
1. グローバルウェーハズ・ジャパン , 2. 岡山県大
情報工 , 3. 岡山県大 地域共同研究機構
1. グローバルウェーハズ・ジャパン
1. 岡山県立大　情報工 , 2. グローバルウェーハズ・
ジャパン㈱
1. 東北大金研 , 2. 東北大金研大洗セ , 3. 阪大産研 ,
4. 産総研
1. 東北大金研 , 2. 東北大金研大洗セ , 3. 阪大産研
1. 千葉工大工
1. 千葉工大工
1. 株式会社 SUMCO
1. 株式会社 SUMCO
1. 株式会社ＳＵＭＣＯ , 2. 日新イオン機器株式会
社
1. 九工大院工
1. 九工大院工
1. 東京農工大 , 2. ナノサイエンス , 3. 住重試験 ,
4. 東レリサーチ , 5. システムズンジニアリング ,
6. 大阪府大
シリコン結晶中の低濃度炭素の測定 ( Ⅸ ) 16 乗から 13 乗へ
〇井上 直久 1,6, 井上 敬子 2, 伊藤 久義 3, 大渕 真澄 4, 1. 東京農工大 , 2. 東レリサーチ , 3. 高崎量子応用研 ,
5
6
渡邉 香 , 河村 裕一
4. ナノサイエンス , 5. システムズエンジニアリン
グ , 6. 大阪府大
シリコン結晶中の炭素濃度測定の感度と規格適用濃度と検出下 〇井上 直久 2,1
1. 東京農工大 , 2. 大阪府大
限
1
1
1
DLTS 法を用いた Si 基板中の微量炭素測定
〇江里口 和隆 , 三次 伯知 , 佐俣 秀一
1.SUMCO
低温 PL/DLTS 測定による Si 中 Fe の分析
〇中村 稔 1, 村上 進 1, 鵜殿 治彦 1
1. 茨城大工
休憩 /Break
奨 15p-A23-15 電子線照射発光活性化 PL 法による太陽電池用 CZ-Si 中の
低濃度炭素の定量
奨 15p-A23-16 電子線照射発光活性化 PL 法による CZ-Si 結晶中の酸素析出過
程の解析
15p-A23-17 高平行度 X 線散漫散乱法による酸素析出物解析
〇木内 広達 1, 田島 道夫 1, 樋口 史仁 1, 小椋 厚志 1, 1. 明治大理工 , 2. 株式会社トクヤマ
飯田 伸仁 2, 橘 昇二 2, 正田 勲 2, 西島 英一 2
〇樋口 史仁 1, 田島 道夫 1, 木内 広達 1, 小椋 厚志 1 1. 明治大理工
〇堀川 智之 1, 仙田 剛士 1, 松井 純爾 2, 津坂 佳幸 2 1. グローバルウェーハズ・ジャパン , 2. 兵庫県立
大院
15p-A23-18 転位バーガースベクトル決定のための等価な面からの同時回折 〇津坂 佳幸 1, 鶴丸 哲也 1, 松井 純爾 2
1. 兵庫県大院物質理学 , 2. 兵庫県大放射光ナノテ
による放射光Ｘ線トポグラフィ
クセンター
1
1
1
15p-A23-19 X 線トポグラフ法による GaN 結晶の断面試料の評価 (1)
〇宮川 理子 , 北野 祐子 , 井上 絵美子 , 秋本 晃一 1. 日本女子大理
1
15 結晶工学 / Crystal Engineering
16:00
休憩 /Break
奨 16p-C302-6 理想 SiO2/SiC 界面の実現に向けた超高温・低酸素分圧酸化の
〇黒山 滉平 1, 平井 悠久 1, 山本 建策 2, 林 真理子 2, 1. 東大院工 , 2.( 株 ) デンソー
喜多 浩之 1
16.1 基礎物性・評価・プロセス・デバイス / Fundamental properties, evaluation, process and devices in disordered materials
16 非晶質・微結晶 / Amorphous and Microcrystalline Materials
18:30
奨 15p-A23-20 X 線トポグラフ法による GaN 結晶の断面試料の評価 (2)
9/16(Fri.) 9:30 - 11:30
ポスター講演 (Poster Presentation) P6 会場
16a-P6-1 CZ シリコンにおける低温熱履歴のバルクライフタイムへの影
響
16a-P6-2 Si 単結晶成長中の熱履歴が grown-in 欠陥の発生挙動に与える
影響
奨 16a-P6-3 Si 単結晶中の酸素集積がフレンケルペア形成に与える影響に
関する第一原理解析
奨 16a-P6-4 応力印加 Ge 単結晶中におけるドーパント周囲の点欠陥形成に
関する第一原理解析
奨 16a-P6-5 Si 単結晶固液界面における点欠陥取り込みに与える熱応力と
ドーパントの複合効果
16a-P6-6 表面ダイマーを有する Ge/Si 構造中のドーパントに関する第
一原理解析
16a-P6-7 a,c,r 面 sapphire 上のエピタキシャル ZnO 薄膜のラマン散乱評
価
16a-P6-8 a,c,r 面サファイア基板上に成長した ZnO 薄膜の結晶構造解析
16a-P6-9 レーザーアニール SiC の結晶性評価 (4)
〇 (M1C) 北野 祐子 1, 宮川 理子 1, 井上 絵美子 1,
秋本 晃一 1
1. 日本女子大理
〇宮村 佳児 1, 原田 博文 1, 中野 智 1, 柿本 浩一 1
1. 九大　応力研
〇末若 良太 , 最勝寺 俊昭 , 原田 和浩
1. 株式会社ＳＵＭＣＯ
1
1
1
〇福田 大晃 1, 末岡 浩治 2
〇山岡 俊太 , 小林 弘治 , 末岡 浩治
1
1
1. 岡山県大院情報系工 , 2. 岡山県大情報工
2
1. 岡山県大院情報系工 , 2. 岡山県大情報工
〇 (M2) 小林 弘治 1, 山岡 俊太 1, 末岡 浩治 1
1. 岡山県大情報工
〇稲垣 淳 , 末岡 浩治
1. 岡山県大情報系工 , 2. 岡山県大情報工
1
2
〇蓮池 紀幸 1, 落合 彩人 1, 西尾 弘司 1, 一色 俊之 1,
播磨 弘 1
〇落合 彩人 1, 蓮池 紀幸 1, 播磨 弘 1, 西尾 弘司 1,
一色 俊之 1
〇内盛 瑞記 1, マッツァムト フルビオ 2, 永井 哲也 3,
中居 克彦 3, 小野 修一 4, 新井 学 4, 山本 秀和 1
16 非晶質・微結晶 / Amorphous and Microcrystalline Materials
1. 京都工繊大
1. 京都工繊大
1. 千葉工大工 , 2.SCREEN セミコンダクターソ
リューションズ /LASSE, 3. 日鉄住金テクノロジー
株式会社 富津事業所 解析ソリューション部 , 4. 新
日本無線 ( 株 )
シンポジウムのプログラムは p.35 ～ p.41 にございます
16.1 基礎物性・評価・プロセス・デバイス / Fundamental properties, evaluation, process and devices in disordered materials
9/15(Thu.) 13:30 - 15:30 ポスター講演 (Poster Presentation) P12 会場
15p-P12-1 水蒸気がシリカガラスの失透に及ぼす影響
〇堀井 直宏 1, 藤田 清司郎 1, 葛生 伸 2, 池田 昌弘 3, 1. 福井高専 , 2. 福井大院工 , 3. 大分高専 , 4. 熊本大
安仁屋 勝 4, 青山 義弘 1, 野村 保之 1
院自然
15p-P12-2 ミスト CVD 法によるシリコン酸化膜の低温成膜
〇香取 重尊 1, 平松 考樹 1, 土居 真司 1
1. 津山工業高等専門学校
15p-P12-3 オクタンチオール含有有機液体中での炭素系ナノ材料の合成
〇白石 理沙 1, 白石 美佳 1, 安藤 圭祐 1, 安藤 寿浩 2, 1. 東洋大院理工 , 2. 物材機構 , 3. 東京高専 , 4. 東洋
城石 英伸 3, 相沢 宏明 4, 小室 修二 4, 蒲生西谷 美香 大学理工
4
15p-P12-4 Si/Ge 障壁構造を用いた高 TCR 素子の解析
9/16(Fri.) 9:00 - 13:15
9:00
16a-A25-1
9:15
16a-A25-2
9:30
16a-A25-3
9:45
10:00
1. 東理大理工
口頭講演 (Oral Presentation) A25 会場
シリカ -(Gd,Pr)PO4 透明結晶化ガラスによる狭帯域 UVB 発光 〇梶原 浩一 1, 須田 真優 1, 金村 聖志 1
1. 首都大
近赤外太陽光励起レーザー用結晶化ガラス
〇水野 真太郎 1, ルイテル ホム 1, 竹田 康彦 1
1. 豊田中研
ミクロンサイズ酸化亜鉛微結晶の強光励起下における発光挙動 松崎 涼介 1, 福岡 加奈江 1, 相馬 遙香 1, 〇内野 隆司 1. 神戸大理
10:30
10:45
11:00
16a-A25-4 窒化ホウ素の深準位欠陥に由来する紫外 / 可視発光
16a-A25-5 高周波誘導加熱により作製したシリカガラスの 4.4 eV 発光の
温度依存性
16a-A25-6 接合界面でのシリカガラス中の OH 基拡散
―拡散係数の OH 基濃度依存性の温度変化―
16a-A25-7 Li2O-SiO2 ガラスにおける組成と構造との相関
16a-A25-8 高屈折リン酸塩系ガラスの粘弾性挙動
休憩 /Break
11:15
16a-A25-9 Bi2Te3 薄膜からのナノニードル作製
10:15
〇小田 健志 1, 宝田 隼 1, 古川 昭雄 1
1
〇對馬 恵美 1, 内野 隆司 1
〇 (M2) 永吉 佑 1, 内野 隆司 1
1. 神大理
1. 神戸大理
〇佐藤 直哉 1, 荒川 優 1, 葛生 伸 1, 堀越 秀春 2, 榊
原 宏樹 1
〇正井 博和 1, 是枝 聡肇 2, 藤井 康裕 2
〇北村 直之 1, 福味 幸平 1, 赤井 智子 1
1. 福井大院工 , 2. 東ソー・エスジーエム
〇桑原 正史 1, 上原 洋一 3, 鶴岡 徹 2, 保坂 純男 4,
坂井 穣 5, 阿部 真帆 3, 曽根 逸人 4
11:30
16a-A25-10 スパッタ成膜 TeOx における抵抗変化現象
〇佐伯 鷹平 1, 中岡 俊裕 1
11:45
16a-A25-11 電極フリー Ge-Sb-Te 膜における円状 Ag フィラメント成長
〇鹿倉 直樹 1, 新井 浩平 1, 今西 佑典 1, 中岡 俊裕 1
12:00
16a-A25-12 硫化インジウム薄膜のギャップ内準位評価
〇後藤 民浩 1
12:15
16a-A25-13 カルコゲナイド系アモルファス蒸着未処理膜における光誘起真 〇林 浩司 1
空紫外透過スペクトル変化
12:30
16a-A25-14 安定化アモルファス Se 膜におけるドープ機構
〇田中 啓司 1
12:45
16a-A25-15 FLA での a-Si の結晶化における SiNx 反射防止膜とパルス光入 〇園田 裕生 1, 大平 圭介 1
射方向の影響
13:00
16a-A25-16 変調アドミタンス法を用いた結晶 / 非結晶シリコンヘテロ接合 〇岩崎 真宝 1, 清水 耕作 1
の特性評価
CS.4 9.4 熱電変換，16.2 エナジーハーベスティングのコードシェアセッション / 9.4&16.2 Code-sharing session
9/14(Wed.) 9:30 - 11:30 口頭講演 (Oral Presentation) A25 会場
9:30
14a-A25-1 リン酸マンガンナトリウムガラスの特異な結晶化
〇本間 剛 1, 田邊 森人 1, 小松 高行 1
9:45
14a-A25-2 ファイバブラッググレーティングを用いた Nd3+ 添加 ZBLAN 〇鈴木 健伸 1, 津本 尚紀 1, 大石 泰丈 1, Bernier
ガラスファイバの太陽光励起レーザー発振
Martin2, Valley Real2
10:00
14a-A25-3 β -FeSi2/SiC 複合粒子の作製と光触媒効果による水からの水素 〇秋山 賢輔 1,2, 本泉 佑 1, 奥田 徹也 1, 舟窪 浩 2, 入
生成
江 寛 3, 松本 佳久 1
10:15
奨 E 14a-A25-4 Enhancement of Broadband Solar Light Absorption and
〇 (P)Satish Laxman Shinde1, Satoshi Ishii1,
Photocurrent Increase of C3N4 Nanoparticles Combined with
Tadaaki Nagao1
TiN and Carbon Nanoparticles
10:30
休憩 /Break
10:45
14a-A25-5 SrCuO2 スパッタ膜の光・熱誘起構造秩序化：熱流路パターニ 〇寺門 信明 1, 高橋 良輔 1, 山崎 芳樹 2, 高橋 儀宏 1,
ングと温度拡散イメージング
藤原 巧 1
11:00
14a-A25-6 SrCuO2 スパッタ膜の光・熱誘起構造秩序化：熱拡散率分布の 〇山崎 芳樹 1, 寺門 信明 2, 高橋 良輔 2, 高橋 儀宏 2,
推定
鈴木 茂 1, 藤原 巧 2
11:15
奨 14a-A25-7 高熱伝導性結晶を含むガラス複合材料の作製：熱物性及び構造 〇 (M1) 小澤 龍成 1, 寺門 信明 1, 高橋 儀宏 1, 藤原
調査
巧1
9/14(Wed.) 16:00 - 18:00 ポスター講演 (Poster Presentation) P22 会場
奨 14p-P22-1 高配向化したナノ結晶ビスマス・テルル薄膜の異方性評価
〇 (M1) 山内 和樹 1, 高尻 雅之 1
1. 京大化研 , 2. 立命館大
1. 産総研
1. 産総研 , 2. 物材機構 , 3. 東北大 , 4. 群馬大 ,
5. トゥール大
1. 上智理工
1. 上智理工
1. 群馬大理工
1. 岐阜大工
1. 北大工
1. 北陸先端大
1. 日大生産工
1. 長岡技科大
1. 豊田工大 , 2.Laval Univ.
1. 神奈川産技セ , 2. 東工大物質理工 , 3. 山梨大ク
リーンエネ
1.NIMS
1. 東北大院工 , 2. 東北大多元研
1. 東北大多元研 , 2. 東北大院工
1. 東北大院工
1. 東海大学院工
1. 住友電工 , 2. 豊田工大 , 3. 防衛大学校
14p-P22-2 ナノ構造熱電材料のための多重薄膜によるナノ構造制御の検討 〇足立 真寛 1, 藤井 俊輔 1, 木山 誠 1, 山本 喜之 1,
西野 俊佑 2, Omprakash Muthusamy2, 竹内 恒博 2,
岡本 庸一 3
14p-P22-3 ビスマスの格子変形が輸送特性に及ぼす影響
〇小峰 啓史 1, 青野 友祐 1, 村田 正行 2, 長谷川 靖洋 1. 茨大工 , 2. 産総研 , 3. 埼玉大院
3
14p-P22-4 PLD 法による Bi1-xSrxCuSeO 系薄膜の作製と熱電特性
〇 (M1) 石澤 衛 1, 内藤 智之 1, 藤代 博之 1, 伊藤 暁 1. 岩手大理工 , 2. 東北大金研
彦 2, 後藤 孝 2
16.3 シリコン系太陽電池 / Bulk, thin-film and other silicon-based solar cells
14p-P22-5 斜め蒸着法により作製したアンチモン・テルル薄膜の熱電性能 〇森川 聡 1, 高尻 雅之 1
解析
奨 14p-P22-6 a-InGaZnO 薄膜の熱電特性における膜厚とアニールの影響
〇多和 勇樹 1, 上沼 睦典 1, 藤本 裕太 1, 岡本 尚文 1,
石河 泰明 1, 山下 一郎 1, 浦岡 行治 1
14p-P22-7 融液成長法で成膜した SnSe 厚膜の評価
〇田橋 正浩 1, 辻岡 祐介 2, 寺社下 文也 1, 後藤 英雄
1
, 高橋 誠 1, 一野 祐亮 2, 吉田 隆 2
14p-P22-8 W または Nb を添加した CaMn1-xAxO3 の熱電特性
〇森 英喜 1, 吉田 晴彦 1
〇高須 隆太郎 1, Omprakash Muthusamy1, Misra
Shantanu1, 志村 洋介 1, 早川 泰弘 1, 立岡 浩一 1
〇古林 寛 1, 種平 貴文 2, 米盛 敬 2, 瀬尾 宣英 2, 黒
木 伸一郎 1
〇 (M2) 佐々木 一真 1, 内藤 智之 1, 藤代 博之 1
1. 静大院工
14p-P22-15 KFM を用いた局所温度測定
〇鈴木 悠平 1, 岡 晃人 1, 池田 浩也 1
1. 静大電研
〇橘 泰至 1, 豊田 丈紫 1, 南川 俊治 1, 原 由希子 2,
増田 淳 2
〇原 由希子 1, 増田 淳 1
〇城内 紗千子 1, 増田 淳 1
1. 石川県工業試験場 , 2. 産業技術総合研究所
14a-A24-2 結晶シリコン太陽電池の光照射 PID 試験
14a-A24-3 p 型 c-Si 太陽電池モジュールにおける PID と Na の拡散の関
係
14a-A24-4 電圧誘起劣化加速試験により移動した太陽電池表面における
Na の分布評価
14a-A24-5 SiNx 膜のパッシベーション性能の電圧誘起劣化
休憩 /Break
〇正田 勲 1, 橘 昇二 1, 飯田 伸仁 1, 西島 英一 1, 小
島 拓人 2, 中村 京太郎 2, 小椋 厚志 2, 大下 祥雄 3
熱処理の冷却過程の違いによる太陽電池用単結晶シリコン中の 〇中山 椋平 1,2, 小椋 厚志 1, 小野 春彦 2,1
酸素析出への影響
n 型 CZ シリコン太陽電池のプロセス起因酸素析出に対する成 〇小島 拓人 1, 木下 晃輔 1, 鈴木 涼太 1, 中村 京太
長条件の影響
郎 1, 小椋 厚志 1, 大下 祥雄 2, 西島 英一 3, 正田 勲 3,
飯田 伸仁 3, 橘 昇二 3
顕微メスバウア分光装置による単結晶 Si 中の Fe 拡散の研究
〇伊野 裕司 1, 松室 和明 1, 藤田 浩享 1, 渡辺 富夫 1,
吉田 豊 1
多結晶シリコン中の鉄不純物の挙動
〇 (M2) 渡辺 富夫 1, 伊野 裕司 1, 吉田 豊 1
ポスター講演 (Poster Presentation) P13 会場
異方性ウエットエッチングにより形成された Si ナノウォール 〇吉葉 修平 1, 平井 政和 1, 市川 幸美 1,2, 小長井 誠 1,2
の光学特性
Nafion-Modified PEDOT:PSS/c-Si Solar Cells
〇 Qiming Liu1, Jaker Hossain1, Takuya Miura1,
Daisuke Harada1, Ryo Ishikawa1, Keiji Ueno1,
Hajime Shirai1
無機有機太陽電池のセル性能における Si ナノ粒子の影響
〇 (M2) 菅野 裕希 1, 佐藤 慶介 1, 平栗 健二 1
15a-A24-6 単結晶シリコンの品質に及ぼす炭素と酸素析出の影響
奨 15a-A24-7
11:00
15a-A24-8
11:15
15a-A24-9
11:30
15a-A24-10
9/15(Thu.) 13:30 - 15:30
15p-P13-1
E 15p-P13-2
15p-P13-3
〇 (DC)ABDELLAOUI imane IMANE1, M.Monirul
Islam1, Saad Hamzaoui2, Katsuhiro Akimoto1,
Takeaki Sakurai1
15p-P13-5 スピンコート法で作製したアルミナ薄膜の表面パッシベー
伊藤 瞭 1, 柳井 梨沙 1, 川島 瑞穂 1, 〇渡邊 良祐 1,
ション効果Ⅳ
齋藤 洋司 1
15p-P13-6 単結晶 Si 基板へのスピンコーティング法による多層反射防止 越阪部 卓 1, 眞利子 岳比郎 1, 〇渡邊 良祐 1, 齋藤 洋
膜の形成
司1
15p-P13-7 固定砥粒方式スライス多結晶シリコン太陽電池におけるテクス 矢部 俊一 1, 五十棲 一裕 1, 〇渡邊 良祐 1, 齋藤 洋司
1
チャ構造の形成
, 森脇 和弘 2, 山本 裕三 2
15p-P13-8 SiNx:H/AlOx パッシベーションスタック構造を持つ Si 基板へ 〇 (M2) 市川 寛章 1, 高橋 勲 1, 宇佐美 徳隆 1, 白澤
の光照射の影響
勝彦 2, 高遠 秀尚 2
15p-P13-9 ドープ層を含む Cat-CVD a-Si パッシベーション膜への ITO
〇小西 武雄 1, 大平 圭介 1
スパッタダメージ
E 15p-P13-10 Optimization of a-Si (i) Passivation Layer Fabricated by Facing 〇 Akira Faris1, Kazuyoshi Nakada1, Shinsuke
Target Sputtering (FTS) Method
Miyajima1
E 15p-P13-4 The Purification of Silica (diatomaceous earth) by Wet
Chemical Process
1. 山陽小野田市立山口東理大工
1. 広島大ナノデバイス・バイオ融合科学研 , 2. マ
ツダ ( 株 )
1. 岩手大理工
1. 産総研
1. 産総研
〇大橋 史隆 1, 水野 佳貴 1, イン マングマング 1, 吉 1. 岐大工 , 2. 産総研
田 弘樹 1, 原 由希子 2, 増田 淳 2, 野々村 修一 1
〇西川 斉志 1, 山口 世力 1, 大平 圭介 1
1. 北陸先端大
14a-A24-6 c-Si 太陽電池における電極腐食過程の解析
〇棚橋 紀悟 1, 坂本 憲彦 1, 柴田 肇 1, 増田 淳 1
14a-A24-7 錫薄膜の相対反射率変化による太陽電池モジュール内酢酸検出 〇板山 知広 1, 長崎 秀昭 1, 岩見 健太郎 1, 山本 千津
子 2, 原 由希子 2, 増田 淳 2, 梅田 倫弘 1
11:00
14a-A24-8 太陽電池モジュールへの光照射と湿熱処理の組み合わせ試験 〇森田 秀幸 1, 岡 善之 1, 増田 淳 2
11:15
14a-A24-9 多接合波長スプリッティング太陽電池の実現に向けた屋外発電 〇高橋 怜美 1, 澤野 憲太郎 1, Porponth
特性評価
Sichanugrist2, 熊田 昌年 2, 渡辺 晴菜 2, 植田 譲 3, 小
長井 誠 1,2
9/15(Thu.) 9:00 - 11:45 口頭講演 (Oral Presentation) A24 会場
9:00
招 15a-A24-1 [ 講演奨励賞受賞記念講演 ]
〇鈴木 涼太 1, 小島 拓人 1, 木下 晃輔 1, 大下 祥雄 2,
PL イメージングによる太陽電池用シリコン結晶の評価
小椋 厚志 1
9:15
15a-A24-2 PL イメージングを用いた結晶シリコン太陽電池のスライスダ 〇鈴木 涼太 1, 小島 拓人 1, 木下 晃輔 1, 河津 知之 2,
メージ評価
中村 京太郎 1, 大下 祥雄 3, 小椋 厚志 1
9:30
15a-A24-3 PV 用単結晶シリコン加工における切削抵抗の結晶方位依存性 〇福田 哲生 1, 青砥 貴裕 2, 吉原 信人 2, 水野 雅裕 2,
棚橋 克彦 1, 白澤 勝彦 1, 高遠 秀尚 1
9:45
15a-A24-4 Noncontact Crucible (NOC) 法により成長した均一 Si インゴッ 〇中嶋 一雄 1, 小野 聖 1, 白澤 勝彦 2, 福田 哲生 2,
ト単結晶を用いた高効率太陽電池の高歩留まり特性
高遠 秀尚 2
10:00
招 15a-A24-5 [ 論文奨励賞受賞記念講演 ]
〇高橋 勲 1, Supawan Joonwichien2, 岩田 大将 1,
Seed manipulation for artificially controlled defect technique 宇佐美 徳隆 1
in new growth method for quasi-monocrystalline Si ingot
based on casting
10:15
休憩 /Break
10:45
1. 名大 , 2. 中部大
1. 産総研
1. 農工大工 , 2. 産総研
1. 東レ , 2. 産総研
1. 東京都市大工 , 2. 科学技術振興機構 , 3. 東京理
科大工
1. 明治大理工 , 2. 豊田工大
1. 明治大理工 , 2. コマツ NTC 株式会社 , 3. 豊田工
大
1.（国研）産総研 , 2.（国大）岩手大学院
1. 科学技術振興機構　FUTURE-PV, 2. 産総研 再
生可能エネルギー研究センター
1. 名大 , 2. 産総研
1. トクヤマ , 2. 明治大理工 , 3. 豊田工大
1. 明治大 , 2. 神奈川県産業技術センター
1. 明大理工 , 2. 豊田工大 , 3. 株式会社トクヤマ
1. 静岡理工科大
1. 静岡理工科大学
1. 科学技術振興機構 , 2. 東京都市大
1.Saitama Univ.
1. 東京電機大学工
1.Tsukuba Univ, 2.ST-Oran Univ
1. 成蹊大院理工
1. 成蹊大院理工
1. 成蹊大院理工 , 2. 攝津製油
1. 名大院工 , 2. 産総研
1. 北陸先端大
1.Dept. of Electrical and Electronic Eng.
16 非晶質・微結晶 / Amorphous and Microcrystalline Materials
14p-P22-12 熱電応用のための Si1-xGex 及び Mg2Si1-xGex 結晶合成と特性評
価
14p-P22-13 パワー半導体冷却用 Si 単一ペルチェ素子における過度的熱移
動
14p-P22-14 高温薄膜熱電特性評価装置の開発Ⅲ
10:30
10:45
10:30
1. 兵庫県立大院工
14p-P22-11 遷移金属を含む多元素置換 Si クラスレートの熱電特性
16.3 シリコン系太陽電池 / Bulk, thin-film and other silicon-based solar cells
9/14(Wed.) 9:00 - 11:30 口頭講演 (Oral Presentation) A24 会場
9:00
14a-A24-1 高温高湿環境が結晶 Si 太陽電池の PID に及ぼす影響
10:00
10:15
1. 中部大 , 2. 名古屋大
1. 日大理工 , 2. 摂南大理工 , 3. 広大放射光 , 4. 広大
院理
14p-P22-10 二重管封入式溶融凝固法を用いて作製した SnSe 結晶の評価
9:45
1. 奈良先端大
〇 (M2) 菅野 聖人 1, 石渡 聖也 1, 川本 晃己 1, 東谷
篤志 2, 生天目 博文 3, 谷口 雅樹 3, 佐藤 仁 3, アワベ
クリ ルスル 4, 高瀬 浩一 1, 渡辺 忠孝 1, 高野 良紀 1
〇辻岡 祐介 1, 田橋 正浩 2, 寺社下 文也 2, 後藤 英雄
2
, 土屋 雄司 1, 一野 祐亮 1, 吉田 隆 1
〇前島 理佐 1, 和田 雄大 1, 岡本 和也 1, 阿武 宏明 1
14p-P22-9 (LaO)CuTe, (BiO)CuTe の熱電特性の違い
9:15
9:30
1. 東海大学院工
17 ナノカーボン / Nanocarbon Technology
16.3 シリコン系太陽電池 / Bulk, thin-film and other silicon-based solar cells
15p-P13-11 対向ターゲットスパッタ法による i-a-Si パッシベーション膜の 〇中田 和吉 1, ファリス アキラ 1, 宮島 晋介 1
解析
15p-P13-12 LIA スパッタ法により成膜した AlOx 膜の XPS 評価
〇西村 郁哉 1, 森 英喜 1, 新船 幸二 1, 佐藤 真一 1,
吉田 晴彦 1
15p-P13-13 インクジェット印刷を利用した薄型結晶シリコン基板上への裏 〇高岸 秀行 1, 野毛 宏 1, 齊藤 公彦 1, 近藤 道雄 2
面電極型ヘテロ接合太陽電池の作製
15p-P13-14 太陽電池構造評価に適した光照射が可能な AFM/KFM 装置の 〇 (PC) 山田 郁彦 1, 神岡 武文 1, 大下 祥雄 1, 神谷
開発
格1
15p-P13-15 ベントナイト担持 pH 感受性蛍光色素を用いた太陽電池モ
〇長崎 秀昭 1, 板山 知広 1, Nguyen Van Quyen1, 岩
ジュール内酢酸検出センサの開発
見 健太郎 1, 山本 千津子 2, 原 由希子 2, 増田 淳 2,
梅田 倫弘 1
15p-P13-16 各種太陽電池モジュールの屋外における発電性能評価技術の開 〇石井 徹之 1, 佐藤 梨都子 2, 崔 誠佑 2, 千葉 恭男 2,
発
増田 淳 2
15p-P13-17 屋外曝露した薄膜系太陽電池モジュールのシステム出力係数と 〇千葉 恭男 1, 崔 誠佑 1, 佐藤 梨都子 1, 石井 徹之 2,
屋内測定値の相関
増田 淳 1
9/16(Fri.) 9:00 - 12:15
口頭講演 (Oral Presentation) A24 会場
9:00
16a-A24-1 Axial 型ワイヤー構造太陽電池の作製
〇白柳 裕介 1, 屋敷 保聡 1, 加藤 慎也 2, 小長井 誠 1,3
9:15
10:30
〇龍口 傑 , 若林 整 , 筒井 一生 , 岩井 洋 , 角嶋
邦之 1
〇山田 繁 1, 白柳 裕介 1, 成原 輝彦 1, 熊田 昌年 1,
市川 幸美 1,2, 小長井 誠 1,2, 宮島 晋介 3
16a-A24-4 高温製膜アモルファスシリコンにおける膜成長機構および表面 〇 (M1) 久保田 晴香 1, 傍島 靖 1, 松田 彰久 1, 岡本
欠陥低減
博明 1
16a-A24-5 トライオード PECVD 法を用いた nip 型 a-Si:H および多接合 〇齋 均 1, 松井 卓矢 1, 松原 浩司 1
薄膜シリコン太陽電池
16a-A24-6 高圧水素プラズマ化学輸送を用いた Si 精製プロセスにおける 〇大参 宏昌 1, 垣内 弘章 1, 安武 潔 1
P 不純物除去手法の開発
休憩 /Break
10:45
16a-A24-7 i-a-Si:H/c-Si ヘテロ接合への Cu2O:N スパッタ製膜の影響
9:30
9:45
10:00
10:15
16a-A24-2 大気暴露による横型 Si ナノウォール太陽電池の発電特性の変
化
16a-A24-3 Si/SiO2 超格子マイクロディスク太陽電池の電気的特性
1
1
2
2
15:00
15:15
15:30
15:45
16:00
休憩 /Break
〇 (M1) 本部 惇史 1, 黒川 康良 1, Dmitrij Yuasov2,
Alexey Novikov2, 宇佐美 徳隆 1
〇今村 健太郎 1,2, 鬼塚 裕也 1,2, 入鹿 大地 1,2, 小林
光 1,2
〇伊藤 明 1, 望月 敏光 3, 高瀬 恵宏 1, 中西 英俊 1,
棚橋 克人 3, Mitchell Jonathon3, 川山 巌 2, 斗内 政
吉 2, 白澤 勝彦 3, 高遠 秀尚 3
奨 16p-A24-9 ナノインプリンテッドテクスチャ構造を有する高効率太陽電池 〇 (D) 吉永 征矢 1, 石河 泰明 1, 姜 雲建 1, 浦岡 行
に向けた Si-rich-SiN のアニール温度による影響
治1
奨 16p-A24-10 青色レーザーによる SiN 反射防止膜除去と Cu 電極太陽電池セ 〇 (M1) 雑賀 真晃 1, 安藤 大輔 1, 須藤 祐司 1, 小池
ルの電気特性
淳一 1, 坂本 隼規 2, 諏訪 雅也 2, 東條 公資 2, 山蔭
康弘 2
奨 16p-A24-11 Cu 配線を用いたシリコン太陽電池における作製プロセスの最 〇 (M1) 青山 悠生 1, 安藤 大輔 1, 須藤 祐司 1, 小池
適化
淳一 1
16p-A24-6 固体ソース MBE 法で作製した単層 Ge ドットマスクを用いた
結晶 Si 太陽電池用光閉じ込め構造の表面形態
16p-A24-7 シリコンナノクリスタル層 / 結晶シリコン構造の PSG による
パッシベーション
16p-A24-8 レーザーテラヘルツエミッション顕微鏡を用いた SiNx-Si 界面
の評価
1. 福島大 , 2. 産総研
1. 豊田工大
1. 農工大 , 2. 産総研
1. 電中研 , 2. 産総研
1. 産総研 , 2. 電中研
1. 科学技術振興機構 , 2. 名工大院工 , 3. 東京都市
大総研
1. 東工大工学院 , 2. 東工大科学技術創成研究院
1. 科学技術振興機構 , 2. 東京都市大総研 , 3. 東工
大工学院
1. 阪大院基礎工
1. 産総研
1. 阪大院工
2
16a-A24-8 遷移金属酸化物／ SiO2 ／結晶 Si ヘテロ接合コンタクト界面に 〇 (PC) 神岡 武文 1, 林 豊 1, 磯貝 勇樹 1, 中村 京太
おける仕事関数
郎 2, 大下 祥雄 1
11:15
16a-A24-9 ヘテロ接合型 Si 太陽電池の開放電圧の制限要素
〇佐藤 綾祐 1, 澤野 憲太郎 1, Porponth
Sichanugrist3, 中田 和吉 2, 小長井 誠 1,3
11:30
16a-A24-10 バックコンタクト型ヘテロ接合 Si 太陽電池における a-Si:H 表 〇野毛 宏 1, 高岸 秀行 1, 齊藤 公彦 1, 近藤 道雄 1,2
面電界層の効果
11:45
E 16a-A24-11 How Do We Apply Cat-doping to Improve Passivation Quality 〇 (P)ThiCamTu Huynh1, Koichi Koyama1, Cong
of SiNx Single Layer Prepared by Cat-CVD on Crystalline
Thanh Nguyen1, Shigeki Terashima1, Hideki
Silicon?
Matsumura1
12:00
16a-A24-12【注目講演】イオン注入を用いた裏面電極ヘテロ接合太陽電池 〇小山 晃一 1, 山口 昇 2, 田中 美和 2, 鈴木 英夫 2,
製造工程の簡略化 ―― a-Si/c-Si パシベーション電極の伝導型 大平 圭介 1, 松村 英樹 1
制御
9/16(Fri.) 13:15 - 16:15 口頭講演 (Oral Presentation) A24 会場
13:15
16p-A24-1 イオン注入プロセスによる結晶シリコン太陽電池の高効率化 〇棚橋 克人 1, 森谷 正昭 1, 木田 康博 1, 宇都宮 智 1,
福田 哲生 1, 白澤 勝彦 1, 高遠 秀尚 1
13:30
16p-A24-2 走査型非線形誘電率顕微鏡を用いた単結晶シリコン太陽電池の 〇廣瀬 光太郎 1, 棚橋 克人 2, 高遠 秀尚 2, 長 康雄 1
リンイオン注入エミッタにおけるドーパント分布の定量測定
13:45
E 16p-A24-3 Front Side Improvement for n-PERT Solar Cell by Removing 〇 SIMAYI SHALAMUJIANG1, Yasuhiro Kida1,
the Boron-depleted Region
Katsuhiko Shirasawa1, Tatsunobu Suzuki2, Hidetaka
Takato1
14:00
16p-A24-4 単結晶シリコン太陽電池のレーザアイソレーション加工
〇小野 裕道 1, 三瓶 義之 1, 小林 翼 1, 高島 康文 2,
佐々木 信也 2, 木田 康博 3, 望月 敏光 3, 白澤 勝彦 3,
高遠 秀尚 3
14:15
奨 16p-A24-5 MWT 型セル用単結晶シリコンウェハのレーザ穴明け加工
〇小林 翼 1, 小野 裕道 1, 三瓶 義之 1, 大野 仁嗣 2,
高島 康文 3, 渋川 達弘 4, 池田 正則 5, 望月 敏光 6,
木田 康博 6, 白澤 勝彦 6, 高遠 秀尚 6
14:45
1. 兵庫県立大院工
〇竹井 雄太郎 1, 滝口 雄貴 1, 中田 和吉 2, 宮島 晋介 1. 東工大院理工 , 2. 東工大工学院
11:00
14:30
1. 東工大工学院
1. 豊田工大 , 2. 明治大
1. 東京都市大学 , 2. 東京工業大学 , 3. 科学技術振
興機構
1. 福島大 , 2. 産総研
1.JAIST
1. 北陸先端大 , 2. 株式会社アルバック
1. 産総研
1. 東北大 , 2. 産総研
1.FREA, AIST, 2.Nippon Kasei Chemical Co., Ltd.
1. 福島県ハイテクプラザ , 2. 東成イービー東北㈱ ,
3.( 国研 ) 産総研福島再生可能エネルギー研究所
1. 福島県ハイテクプラザ , 2.( 株 ) 横浜石英 , 3. 東
成イービー東北 ( 株 ), 4.( 株 ) 東北電子 , 5. 日本大
学工学部 , 6.（国研）産総研福島再生可能エネルギー
研究所
1. 名大院工 , 2. ロシア科学アカデミー
1. 阪大産研 , 2.CREST-JST
1.SCREEN, 2. 阪大レーザー研 , 3. 産総研
1. 奈良先端大
1. 東北大院工 , 2. 島津製作所
1. 東北大院工
17 ナノカーボン / Nanocarbon Technology
シンポジウムのプログラムは p.35 ～ p.41 にございます
9/13(Tue.) 13:30 - 15:30 ポスター講演 (Poster Presentation) P5 会場
13p-P5-1 アルコールガスソース法による白金族金属触媒からの単層
カーボンナノチューブ成長：Pt 触媒と Rh 触媒の比較
13p-P5-2 紡績性 MWCNT アレイの大面積化に向けたミスト触媒 CVD
法の開発
奨 13p-P5-3 ミスト触媒 CVD による紡績性 MWCNT アレイ成長法の開発
〇丸山 隆浩 1, 桐林 星光 1, 小澤 顕成 1, 才田 隆広 1, 1. 名城大理工
成塚 重弥 1
〇 (M2) 栢本 一平 1, 苅田 基志 1, 中野 貴之 1, 井上 1. 静大院工 , 2.JNC　石油化学
翼 1, 三輪 鉄春 2, 長岡 宏一 2
〇木下 聖也 1, 苅田 基志 2, 中野 貴之 2, 井上 翼 2,
1. 静大創造院 , 2. 静大院工 , 3.JNC 石油化学
三輪 鉄春 3, 長岡 宏一 3
奨 13p-P5-4 フラビンモノヌクレオチドを用いた (6,5) 単層カーボンナノ
〇 (PC) 魏 小均 1, 平川 琢也 1, 蓬田 陽平 1, 平野 篤 1, 1. 産総研ナノ材料
チューブの光学異性体純度評価
藤井 俊治郎 1, 田中 丈士 1, 片浦 弘道 1
13p-P5-5 気体の絶縁破壊により誘起されるカーボンナノチューブの電極 〇水嶌 悠貴 1, 佐藤 英樹 1
1. 三重大院工
間架橋現象
17 ナノカーボン / Nanocarbon Technology
13p-P5-6 常圧熱 CVD を用いた NiB 触媒による B ドープ CNT の形成
13p-P5-15 熱電発電紙向けカーボンナノチューブ複合紙の熱応答評価
〇 (M1) 川田 一貴 1, 大矢 剛嗣 1
1. 横国大院工
13p-P5-16 鉄内包カーボンナノチューブシートの磁化方向制御
〇瑞樹 永祐 1, 佐藤 英樹 1, 藤原 裕司 1
1. 三重大院工
13p-P5-17 強制振動子法を用いたサブ 2 次元ナノカーボンのエッジフォノ
ン解析
13p-P5-18 CNT 表面から PMMA を成長させたフィラーを用いた樹脂基
複合材料
13p-P5-19 2 層カーボンナノチューブからなる紡績糸の機械強度特性評価
〇大八木 晋 1, 南部 卓也 1, 橋本 明弘 1, Md.
Sherajul Islam1
〇 (M1) 鈴木 啓介 1, 大竹 尚登 1, 赤坂 大樹 1
1. 福井大院工
〇 (M2) 大饗 俊弘 1, 林 拓磨 1, 井上 寛隆 1, 羽田 真
毅 1,2, 西川 亘 1, 山下 善文 1, 飯島 徹 1, 林 靖彦 1
13p-P5-20 SiC 表面上の Si 熱脱離グラフェン成長機構に関するナノ秒オー 〇今泉 俊介 1, 高本 聡 1, 山崎 隆浩 2,4, 奈良 純 2,4, 大
ダーの長時間分子動力学解析
野 隆央 2,3,4, 泉 聡志 1
13p-P5-21 赤外線照射プラズマ CVD 法によるグラフェン膜作成法の検討 〇根元 暁 1, 齊藤 和馬 1, 山内 繁 2, 小宮山 崇夫 1,
長南 安紀 1, 山口 博之 1, 青山 隆 1
13p-P5-22 多結晶ニッケル上の多層グラフェンのその場光学顕微鏡観察 〇加藤 幹大 1, 四本松 康太 1, 本間 芳和 1, 趙 新為 1
13p-P5-23 多結晶 Cu 箔の再結晶とグラフェンの CVD 成長
13p-P5-24 マイカ基板上にエピタキシャル成長した Ni(111) およびグラ
フェン
E 13p-P5-25 Synthesis of uniform monolayer graphene on copper from
waste chicken fat by low pressure chemical vapor deposition
1. 東工大工
1. 岡山大院自然 , 2.JST- さきがけ
1. 東大工 , 2. 物材機構 , 3. 東大生研 , 4.MARCEED
1. 秋田県立大 , 2. 秋田県立大木高研
1. 東理大理
〇小川 友以 1, 鈴木 哲 1, 小野満 恒二 1, 日比野 浩樹 1.NTT 物性科学基礎研 , 2. 関西学院大理工
1,2
, 山本 秀樹 1, 熊倉 一英 1
〇田中 裕行 1, 谷口 正輝 1
1. 阪大産研
〇 (D)Mohamad Saufi Rosmi1,2, Sachin M. Shinde1, 1.Nagoya Inst. of Tech., 2.Univ. Pend. Sultan Idris,
Nor Dalila Abd Rahman2, Amutha Thangaraja1,
3.Univ. Putra Malaysia
Subash Sharma1, Kamal P. Sharma1, Yazid Yaakob1,3,
Riteshkumar Vishwakarma1, Suriani Abu Bakar2,
Golap Kalita1, Hajime Ohtani1, Masaki Tanemura1
奨 13p-P5-26 液体ガリウム触媒を用いた低温におけるグラフェンエッジ成長 〇蛭川 彩夏 1,2, 荒木 稜佑 1,2, 藤田 淳一 1,2
1. 筑波大数理 , 2.TIMS
13p-P5-27 Cu-Ni 触媒を用いた固相反応法による窒素ドープグラフェンの 〇若松 裕司 1, 杉浦 孝俊 1, カリタ ゴラップ 1, 種村
眞幸 1
直接成長
13p-P5-28 熱 CVD による GaN 表面への直接ナノカーボン成長の低温化 〇相田 航 1, 榎本 学祥 1, 新井 秀樹 1, 横澤 孝典 1,
上野 和良 1,2
13p-P5-29 Cu キャップ層を持つ Co 触媒からの固相析出による多層グラ 〇見目 宗大 1, 市川 博康 1, 上野 和良 1,2
フェン形成 (2)
13p-P5-30 窒化ホウ素をテンプレートとしたグラフェンの CVD 成長
〇小川 峻 1, 小林 佑 1, 真庭 豊 1, 宮田 耕充 1,2
13p-P5-31 RF 誘導加熱による微傾斜 Si 面 SiC(0001) 上エピタキシャルグ
ラフェン形成の昇温プロファイル依存性
13p-P5-32 SiC(0001) 上のグラフェン成長の傾斜度依存性に関する理論的
研究
13p-P5-33 Ni パターン凝集を用いて作製したサファイヤ基板上グラフェ
ン膜の評価
13p-P5-34 塩酸エッチングした SiC 上エピタキシャルグラフェンの表面
解析
13p-P5-35 酸化グラフェンの VUV デュアルドーピング
13p-P5-36 周期 1 軸ひずみによるグラフェンの半導体化
13p-P5-37 磁場中におけるジグザグ端ナノリボン列の電子状態解析
1. 芝浦大工 , 2. 芝浦グリーン研
1. 芝浦工大 , 2.SIT 研究センター
1. 首都大理工 , 2.JST さきがけ
〇和田 拓也 1, 道幸 雄真 1, 今井 宏友 1, 橋本 明弘 1 1. 福井大院工
〇奈良 純 1,2, 山崎 隆浩 1,2, 田島 暢夫 1,2, 大野 隆央
1,2,3
1. 物材機構 , 2.MARCEED, 3. 東大生研
〇有馬 幸記 1, 三好 実人 1, 久保 俊晴 1, 江川 孝志 1 1. 名工大工
〇栗本 逸清 1, 橋本 明弘 1
1. 福井大院工
〇曽我 正寛 1, 屠 宇迪 1, 宇都宮 徹 1, 一井 崇 1, 杉 1. 京大院工
村 博之 1
〇 (M1C) 樋口 翔馬 1, 平出 璃音可 1, 吉川 拓見 1,
1. 筑波大数理物質 , 2.PRESTO-JST
大塚 洋一 1, 友利 ひかり 1,2, 神田 晶申 1
〇 (M1) 橋本 風渡 1, 森 伸也 1, 久保 理 1, 片山 光浩 1. 阪大工
1
E 13p-P5-38 Graphene-Growth by Microwave Surface-Wave Plasma CVD
〇 Hare Aryal1, Sudip Adhikari1, Hideo Uchida1,
Masayoshi Umeno1
奨 13p-P5-39 グラフェン光検出器の Si 基板電流による巨大ディラックポイ 〇嶋谷 政彰 1, 小川 新平 1, 藤澤 大介 1, 奥田 聡志 1,2,
ントシフト
金井 康 2, 小野 尭生 2, 松本 和彦 2
13p-P5-40 任意の方向に歪みが印加されたグラフェンの量子ダイナミクス 〇名村 太希 1, 迫田 翔太郎 1, 笹岡 健二 1, 小川 真人
1
シミュレーション
, 相馬 聡文 1
13p-P5-41 グラフェンファイバーを用いたウェアラブルひずみセンサの検 〇 (M2) 濱西 敏貴 1, 川上 翔太郎 2, 中村 篤志 1,2
討
13p-P5-42 チップ増強ラマン分光法によるグラフェンの局所ドーピング変 〇岩崎 拓哉 1,2, Zelai Taharh2, Ye Sheng2, Chong
化の検出
Harold2, 土屋 良重 2, 水田 博 1,2
E 13p-P5-43 Electrical and Mechanical Characteristics of Nanocrystalline
〇 (D)Jothiramalingam Kulothungan1, Manoharan
Graphene Nano-Electro-Mechanical Switches
Muruganathan1, Marek E. Schmidt1, Hiroshi
Mizuta1,2
13p-P5-44 CVD グラフェンの電気化学特性と結晶性の相関
〇平野 正浩 1, 籾山 佳貴 1, 中川 典駿 1, 黄 晋二 1
13p-P5-45 両親媒性ランタニド錯体を吸着させたグラフェンの発光性の評
価
13p-P5-46 グラフェンナノリボンの電子輸送特性に現れる過渡振動現象に
関する理論的研究
13p-P5-47 単層グラフェンによる銅の耐湿性向上の信頼性試験
1. 名工大院工
1.Chubu University
1. 三菱電機 , 2. 阪大産研
1. 神大院工
1. 静大院工 , 2. 静大工
1. 北陸先端大 , 2. サザンプトン大
1.Japan Advanced Institute of Science and
Technology (JAIST), 2.Uni of Southampton
1. 青学大理工
〇 (M1) 原 佑輔 1, 吉原 洸志 1, 近藤 一希 1, 石井 あ 1. 青学大理工
ゆみ 1, 長谷川 美貴 1, 黄 晋二 1
〇中井 雄紀 1, 石橋 純 1, 加藤 大喜 1, 笹岡 健二 1,
1. 神戸大院工
小川 真人 1, 相馬 聡文 1
〇阿部 拓実 1, 上野 和良 1,2
1. 芝浦大工 , 2. 芝浦グリーン研
13p-P5-48 グラフェン状物質の面内ヘテロ構造を用いた FET の性能予測 橋本 悠希 1, 市原 圭祐 1, 田中 未来 1, 笹岡 健二 1,
小川 真人 1, 〇相馬 聡文 1
シミュレーション
13p-P5-49 グラフェン導電層を用いた絶縁物のオージェ電子分光分析
〇鴨井 督 1
1. 神戸大院工
1. 京都府中小企業技術センター
17 ナノカーボン / Nanocarbon Technology
〇 (M1) 川上 尚晃 1, 富田 貢丞 1, 青笹 明彦 1, 相田 1. 芝浦大工
航 1, 上野 和良 1
13p-P5-7 ゼーベック係数を精密制御された金属型・半導体型カーボンナ 〇中村 昌稔 1, 一ノ瀬 遥太 1, 河合 英輝 1, 蓬田 陽平 1. 首都大理工
1
ノチューブ薄膜における光熱電変換
, 柳 和宏 1
13p-P5-8 熱 CVD 法とプラズマ支援 CSCDF 法により合成した窒素含有 〇小櫻 直人 1, 青木 楓 1, 重廣 大介 1, 渡邊 敏行 1
1. 農工大院工
カーボンナノチューブの構造解析と有機溶媒分散性評価
13p-P5-9 カーボンナノチューブ透明導電膜を用いたタッチセンサの試作 〇山田 研太郎 1, 帰山 祥子 1, 西 康孝 1, 堀 正和 1,
1. 株式会社ニコン
林田 洋祐 1, 鬼頭 義昭 1, 奈良 圭 1, 加藤 正紀 1
13p-P5-10 WS2 ナノチューブを用いた両極性トランジスタ
〇 (B) 岡田 遼太朗 1, 菅原 光成 1, 河合 英輝 1, 蓬田 1. 首都大理工 , 2. 筑波大
陽平 1, 真庭 豊 1, 岡田 晋 2, 柳 和宏 1
13p-P5-11 カーボンナノチューブ複合紙を用いた紙トランジスタの n 型 〇 (M2) 松井 洸樹 1, 大矢 剛嗣 1
1. 横国大院工
ドーピングに関する検討
13p-P5-12 電磁波シールド用カーボンナノチューブ複合紙の強化とシール 〇稲垣 忠光 1, 大矢 剛嗣 1
1. 横国大院工
ド性能評価
1
2
2
13p-P5-13 コイン積層構造 CNF を用いたリチウムイオン電池用負極の開 〇 (M1) 清水 章弘 , 小田 廣和 , 中川 清晴 , 安藤 1. 関大院理工 , 2. 関西大学＆ HRC, 3.NIMS
発
寿浩 3
奨 13p-P5-14 CNT 薄膜を用いた電解液の移動による発電
〇安西 智洋 1, 岸本 茂 1, 大野 雄高 1,2
1. 名大工 , 2. 名大未来研
17.1 カーボンナノチューブ，他のナノカーボン材料 / Carbon nanotubes & other nanocarbon materials
E 13p-P5-50 Formation of high quality Al2O3 gate dielectrics on epitaxial
graphene using microwave-assisted annealing
13p-P5-51 電子ビーム蒸着 Mo 膜の硫化による MoS2 成長と評価
13p-P5-52 ガス状プリカーサーを用いた MoS2 単層膜のスケーラブルな
CVD 成長
13p-P5-53 分子線エピタキシー法を用いた NbSe2 原子層の成長とその評
価
13p-P5-54 単層 Mo1-xRexS2 合金の成長と評価
13p-P5-55
17 ナノカーボン / Nanocarbon Technology
13p-P5-56
13p-P5-57
13p-P5-58
13p-P5-59
奨 13p-P5-60
13p-P5-61
13p-P5-62
〇 (DC)KwanSoo Kim1, GoonHo Park1, Fukidome
Hirokazu1, Suemitsu Tetsuya1, Otsuji Taiichi1,
Suemitsu Maki1
〇百瀬 友博 1, 中村 篤志 1
1.RIEC, Tohoku Univ.
1. 静大工
〇佐久間 芳樹 1, 間野 高明 1, 大竹 晃浩 1
1. 物材機構
〇堀田 貴都 , 徳田 拓人 , Zhao Sihan , 渡邊 賢司 ,
谷口 尚 2, 篠原 久典 1, 北浦 良 1
〇森 勝平 1, 佐々木 将悟 1, 小林 佑 1, 劉 崢 2,3, 吉田
昭二 4, 竹内 高広 4, 重川 秀実 4, 末永 和知 3, 真庭
豊 1, 宮田 耕充 1,5
単層 Nb ドープ WS2 の成長と光学的性質
〇佐々木 将悟 1, 小林 佑 1, 劉 崢 2,3, 末永 和知 3, 真
庭 豊 1, 宮内 雄平 4, 宮田 耕充 1,5
WS2/MoS2 ヘテロ構造における一次元閉じ込めポテンシャルの 〇 (D) 小林 佑 1, 吉田 昭二 2, 櫻田 龍司 2, 高島 健
形成
悟 3, 山本 貴博 3, 斉藤 哲輝 1, 小鍋 哲 4, 谷口 尚 5,
渡邊 賢司 5, 真庭 豊 1, 武内 修 2, 重川 秀実 2, 宮田
耕充 1,6
電界効果による二層 MoS2 のバンドギャップ変調
〇齊藤 哲輝 1, 小林 佑 1, 渡邊 賢司 2, 谷口 尚 2, 真
庭 豊 1, 宮田 耕充 1,3
レーザーシニングによる MoS2 単原子層膜作製のその場 PL 観 〇南野 達哉 1, 木曽田 賢治 1, 村上 俊也 2, 伊東 千尋
2
察
層状超伝導体 NbSe2 薄膜の超伝導転移
〇 (M1C) 矢部 大輔 1, 鑓水 勝秀 1, 園田 大樹 1, 大
塚 洋一 1, 友利 ひかり 1,2, 渡邊 賢司 3, 谷口 尚 3, 上
野 啓司 4, 神田 晶申 1
黒鉛電極の層間距離が二次電池用電荷担体としての Ca2+ の挿 〇中谷 直樹 1, 中川 清晴 2, 小田 廣和 2
入脱離に与える影響
二硫化タングステン FET の動作特性とその金属−半導体界面 〇 (M2) 河合 信哉 1, 上野 啓司 1
状態の評価
二セレン化ハフニウム原子層の電界効果トランジスタ応用
〇 (M1) 新倉 伸幸 1, 河合 信哉 1, 上野 啓司 1
1
1
1
2
13p-P5-63 層状 13 族カルコゲナイド単結晶を用いたトップゲート型 FET 〇 (M2) 田村 透 1, 上野 啓司 1
の作製
13p-P5-64 カルコゲナイド系層状物質原子膜 FET のガスセンサ応用
〇 (M1) 荻原 えりな 1, 川上 信之 2, 上野 啓司 1
17.1 カーボンナノチューブ，他のナノカーボン材料 / Carbon nanotubes & other nanocarbon materials
9/15(Thu.) 9:30 - 11:45 口頭講演 (Oral Presentation) A25 会場
9:30
E 15a-A25-1 Structural Evolution of Hydrothermal Carbon Spheres Induced 〇 Zhipeng Wang1, Hironori Ogata2, Jet Jet Hong
by High Temperatures and Their Electrical Properties under
Gan3, Michiko Obata1, Shingo Morimoto1, Josue
Compression
Ortiz-Medina1, Rodolfo Cruz-Silva1, Masatsugu
9:45
奨 15a-A25-2
10:00
15a-A25-3
10:15
E 15a-A25-4
10:30
15a-A25-5
10:45
奨 15a-A25-6
11:00
奨 15a-A25-7
11:15
15a-A25-8
11:30
15a-A25-9
9/15(Thu.) 13:15 - 17:45
13:15
15p-A25-1
13:30
15p-A25-2
13:45
奨 15p-A25-3
14:00
奨 15p-A25-4
14:15
15p-A25-5
14:30
15p-A25-6
14:45
15p-A25-7
15:00
15p-A25-8
15:15
奨 15p-A25-9
15:30
15:45
奨 15p-A25-10
16:00
Fujishige1, Kenji Takeuchi1, Hiroyuki Muramatsu1,
Takuya Hayashi1, Mauricio Terrones1, Yoshio
Hashimoto1, Morinobu Endo1
炭化ランタン内包カーボンナノカプセル／金接触界面の構造と 〇手面 学 1, 木塚 徳志 1
電気伝導
カーボンナノチューブ塗料を用いた塗工型色素増感太陽電池の 〇 (M2) 松永 悠樹 1, 大矢 剛嗣 1
フィルファクター向上検討
High-yield fabrication of n-type carbon nanotube thin-film
〇 (M1)FuWen Tan1, Jun Hirotani1, Tomohiro
transistors on flexible plastic film
Yasunishi1, Shigeru Kishimoto1, Yutaka Ohno1,2
P(VDF-TrFE) 被膜 SWNT 薄膜のポーリングによる電気特性制 〇田代 征久 1, 田畑 博史 1, 久保 理 1, 片山 光浩 1
御
分子雑音を活用したカーボンナノチューブ確率共鳴素子
〇 (M2) 藤井 逸人 1, Setiadi Agung1, 赤井 恵 1, 桑原
裕司 1
集束イオンビームによる多層カーボンナノチューブ量子ドット 〇 (DC) 富沢 啓 1,2, 鈴木 克弥 1,3, 山口 智弘 1, 秋田
の作製
成司 4, 石橋 幸治 1,2,3,5
自由電子レーザーを照射して成長させた単層カーボンナノ
〇岩田 展幸 1, 川口 大貴 1, 保延 賢人 1, 石川 翔梧 1,
チューブの電気特性
永田 知子 1, 山本 寛 1
カーボンナノチューブ透明導電膜のヘイズ率向上
〇岸 直希 1, 小野田 侑太 1, 加藤 慎也 1, 曽我 哲夫 1
口頭講演 (Oral Presentation) A25 会場
XANES による SWNT 生成時における Pt 触媒の化学結合状態 〇熊倉 誠 1, 小澤 顕成 1, 才田 隆広 1, 成塚 重弥 1,
の研究
丸山 隆浩 1
アルコールガスソース法による Ru 触媒からの単層カーボンナ 〇藤井 貴之 1, 小澤 顕成 1, 才田 隆広 1, 丸山 隆浩 1,
ノチューブ成長
成塚 重弥 1
電圧印加による水平配向単層カーボンナノチューブギャップの 〇大塚 慶吾 1, 井ノ上 泰輝 1, 千足 昇平 1, 丸山 茂夫
1,2
一方向エッチング
蛍光分光法により観察した単層カーボンナノチューブ内包水の 〇 (M2) 加藤 高士 1, 吉野 数基 1, 齋藤 裕太 1, 千足
相
昇平 2, 本間 芳和 1
蛍光分光法を用いた単層カーボンナノチューブ内部における内 〇齋藤 裕太 1, 加藤 高士 1, 吉野 数基 1, 千足 昇平 2,
包水の評価
本間 芳和 1
ナノダイヤモンドからのカーボンナノチューブ成長における水 〇大畑 惇貴 1, 林 明生 1, 有福 達治 2, 清柳 典子 2,
添加効果
小林 慶裕 1
単層カーボンナノチューブに内包されたアルカリハライドの電 〇横倉 瑛太 1, 片岡 洋右 1, 緒方 啓典 1,2
子状態および固体 NMR パラメーターの第一原理計算
分子動力学シミュレーションおよび第一原理計算によるカーボ 〇佐藤 豊 1, 横倉 瑛太 1, 片岡 洋右 1, 緒方 啓典 1,2
ンナノチューブに内包されたカルコゲンの構造評価
カーボンナノチューブ - タンパク質複合体のコヒーレントフォ 〇 (B) 中山 智仁 1, 吉澤 俊祐 2, 平野 篤 3, 田中 丈士
3
ノン分光
, 白木 賢太郎 2, 長谷 宗明 2
コールドスプレー法を用いた PE/CNT 複合材料膜の作製
〇 (M1) 阿多 誠久 1, 大竹 尚登 1, 赤坂 大樹 1
休憩 /Break
16:30
16:45
15p-A25-11 酸化グラフェン上への単層カーボンナノチューブ成長：酸化グ
ラフェンの層数の影響
15p-A25-12 Rh 触媒からの SWNT 成長における Al2O3 バッファ層の効果：
バッファ層の作製法による影響
15p-A25-13 高密度配向単層カーボンナノチューブ薄膜の作製
15p-A25-14 多価イオン照射による多層カーボンナノチューブの構造変化
17:00
15p-A25-15 長尺 CNT の分散剤レス分散処理 (2)
16:15
〇小川 征悟 1, 桐林 星光 1, 藤井 貴之 1, 才田 隆広 1,
成塚 重弥 1, 丸山 隆浩 1
〇桐林 星光 1, 小川 征悟 1, 藤井 貴之 1, 才田 隆広 1,
成塚 重弥 1, 丸山 隆浩 1
〇片浦 弘道 1, 森田 浩美 1
〇西田 尚史 1, 徳井 太央貴 1, 佐々木 康二 1, 宮本 貴
裕 1, 櫻井 誠 1, 出野 文哉 2, 山下 拳太郎 2, 加藤 雅
基 2, 寺澤 倫孝 2, 本多 信一 2
〇權田 秀雄 1
1. 名大理 , 2. 物材機構
1. 首都大 , 2. 産総研無機機能材料 , 3. 産総研ナノ
材料 , 4. 筑波大 , 5.JST さきがけ
1. 首都大理工 , 2. 産総研無機機能材料 , 3. 産総研
ナノ材料 , 4. 京大エネ研 , 5.JST さきがけ
1. 首都大理工 , 2. 筑波大数理 , 3. 東京理科大工 ,
4. 東京理科大総研 , 5. 物材機構 , 6.JST さきがけ
1. 首都大理工 , 2. 物材機構 , 3.JST さきがけ
1. 和大教育 , 2. 和大シス工
1. 筑波大数理物質 , 2.PRESTO-JST, 3.NIMS, 4. 埼
玉大
1. 関大環境 &HRC, 2. 関大院理工
1. 埼玉大院理工
1. 埼玉大院理工
1. 埼玉大院理工
1. 埼玉大院理工 , 2. 神戸製鋼電技研
1.Shinshu Univ., 2.Hosei Univ., 3.Univ. Malaysia
Sabah
1. 筑波大
1. 横国大院工
1.Nagoya Univ., 2.Inst. of Materials and Systems
for Sustainability for Nagoya Univ.
1. 阪大理工
1. 阪大院工
1. 理研 , 2. 東理大院理 , 3. 千葉大院工 , 4. 大阪府大
工 , 5. 理研創発物性センター
1. 日大理工
1. 名工大
1. 名城大
1. 名城大
1. 東京大工 , 2. 産業技術総合研究所
1. 東理大理 , 2. 東大工
1. 東理大理 , 2. 東大工
1. 阪大院工 , 2. 日本化薬 ( 株 )
1. 法政大学大学院　理工学研究科 , 2. 法政大学ﾏｲｸ
ﾛ・ﾅﾉﾃｸﾉﾛｼﾞｰ研究ｾﾝﾀｰ
1. 法政大院 , 2. 法政大 マイクロ ナノ研
1. 筑波大応理 , 2. 筑波大院数理 , 3. 産総研
1. 東京工大工
1. 名城大理工
1. 名城大理工
1. 産総研ナノ材料
1. 神戸大理 , 2. 兵庫県立大工
1. 矢崎総業
17.2 グラフェン / Graphene
17:15
11:00
13a-A32-7
11:15
E 13a-A32-8
11:30
13a-A32-9
9/15(Thu.) 9:00 - 11:45
9:00
E 15a-A33-1
9:15
15a-A33-2
9:30
E 15a-A33-3
9:45
15a-A33-4
10:00
15a-A33-5
10:15
10:30
〇細尾 幸平 1, 伊藤 亮太 1, 川合 健太郎 1, 佐野 泰久 1. 阪大工精密
, 森田 瑞穂 1, 有馬 健太 1
〇鶴田 遥香 1, 宮本 玄生 1, 乗松 航 1, 楠 美智子 2
1. 名大院工 , 2. 名大未来
1
〇森本 征士 1, 有月 琢哉 1, 青木 翔 1, 大野 恭秀 1,
1. 徳島大院
永瀬 雅夫 1
〇山田 祐輔 1, 有月 琢哉 1, 高嶋 和也 1, 大野 恭秀 1, 1. 徳島大院
永瀬 雅夫 1
松野 豊 1, 佐藤 雄哉 1, 佐藤 光 1, 〇佐野 正人 1
1. 山形大
〇小川 友以 1, 村田 祐也 2, 鈴木 哲 1, 日比野 浩樹 1,3,
Heun Stefan2, 熊倉 一英 1
Ｃｕ上ＣＶＤグラフェン／銀ナノワイヤ積層のポリマー膜への 〇内藤 勝之 1, 吉永 典裕 1, 赤坂 芳浩 1
一括転写
Helium ion milling of HSQ covered graphene: Control of
〇 (P)Marek Edward Schmidt1, Ahmed Hammam1,2,
substrate swelling and imaging disorder
Manoharan Muruganathan1, Shinichi Ogawa3,
Hiroshi Mizuta1,4
新規窒素含有芳香族分子による酸化グラフェンの修飾
〇田原 大輔 1, 小幡 誠司 2, 時丸 祐輝 3, 伊藤 慎庫 3,
野崎 京子 3, 斉木 幸一朗 1,2
口頭講演 (Oral Presentation) A33 会場
Observing surface plasmons on suspended graphene by Raman 〇 (D)QIAO LI1,2, Yoshitaka Shingaya2, Daiju
Spectroscopy
Tsuya2, Tomonobu Nakayama1,2
基板表面修飾によるグラフェンにおけるプラズモン特性の変調 〇高村 真琴 1, 熊田 倫雄 1, Shengnan Wang1, 熊倉
一英 1
Raman Characteristics of Graphene with Inhomogeneous
〇 SHENGNAN WANG1, Kenichi Sasaki1, Satoru
Isotope Distribution
Suzuki1, Hideki Yamamoto1, Kazuhide Kumakura1
窒素ドープグラフェンナノクラスター上の酸素還元反応
〇 (M2) 松山 治薫 1,2, 田中 崇太郎 1, 赤石 暁 1,2, 中
村 淳 1,2
グラフェンナノリボンのキャリア伝導における多層化の効果 〇根岸 良太 1, 山元 克真 1, 劉 柏麟 2, 田中 啓文 2,
小林 慶裕 1
休憩 /Break
15a-A33-6 グラフェン／層状超伝導体 NbSe2 直接接合における超伝導近
11:00
接効果
15a-A33-7 グラフェン系触媒の単一フレークによる水中での Ge 表面エッ
チング
15a-A33-8 バッファー層急冷グラフェンの電子状態と物性
11:15
15a-A33-9 SiC 上高濃度ホウ素ドープグラフェンの物性
10:45
〇内田 和希 1, 小林 友樹 1, 縄田 悠人 1, 内藤 正路 1, 1. 九工大院 , 2. 宇部高専 , 3. 九共大総研
碇 智徳 2, 長井 達三 3, 生地 文也 3
〇石上 健太 1, 柴田 欣樹 1, 苅田 基志 1, 中野 貴之 1, 1. 静大院工 , 2.JNC 石油化学
井上 翼 1, 三輪 鉄春 2, 長岡 宏一 2
11:30
15a-A33-10 グラフェン本来のイオンセンシング特性
9/15(Thu.) 13:15 - 18:15 口頭講演 (Oral Presentation) A33 会場
13:15
招 15p-A33-1 [ 講演奨励賞受賞記念講演 ]
糖鎖機能化グラフェン FET を用いた抗ウイルス薬効評価のた
めのノイラミニダーゼ反応計測
13:30
奨 15p-A33-2 SiC 上グラフェンの水脱離による導電率変化
1.NTT 物性科学基礎研 , 2.NEST-CNR, 3. 関西学院
大理工
1. 東芝研究開発センター
1.JAIST, 2.Minia Univ., 3.AIST, 4.Southampton
Univ.
1. 東大院理 , 2. 東大新領域 , 3. 東大院工
1.Univ. of Tsukuba, 2.NIMS
1.NTT 物性基礎研
1.NTT Basic Research Labs.
1. 電通大院基盤理工 , 2.JST-CREST
1. 阪大院工 , 2. 九工大院
〇 (M2) 鑓水 勝秀 1, 大塚 洋一 1, 友利 ひかり 1,2, 渡 1. 筑波大数理物質 , 2.PRESTO-JST, 3.NIMS, 4. 埼
邊 賢司 3, 谷口 尚 3, 上野 啓司 4, 神田 晶申 1
玉大
〇中出 和希 1, 森 大地 1, 佐藤 慎祐 1, 李 韶賢 1, 川 1. 阪大院工
合 健太郎 1, 森田 瑞穂 1, 有馬 健太 1
〇乗松 航 1, 包 建峰 2, 山本 功樹 1, 伊藤 孝寛 3, 舟 1. 名大院工 , 2. 内蒙古大 , 3. 名大 SR 研 , 4. 産総研 ,
橋 良次 4, 楠 美智子 5
5. 名大未来研
〇乗松 航 1, 増森 淳史 1, 舟橋 良次 2, 遠藤 彰 3, 楠 1. 名大院工 , 2. 産総研 , 3. 東大物性研 , 4. 名大未来
美智子 4
研
〇大野 恭秀 1, 光野 琢仁 1, 谷口 嘉昭 1, 永瀬 雅夫 1 1. 徳島大院
1. 阪大産研 , 2. 徳島大 , 3. 東京農工大 , 4. 京都府立
医大 , 5. 中部大 , 6. 香川大
15:30
15:45
〇鎌田 果歩 1, 小野 尭生 1, 金井 康 1, 大野 恭秀 1,2,
前橋 兼三 1,3, 井上 恒一 1, 渡邊 洋平 4, 河原 敏男 5,
鈴木 康夫 5, 中北 愼一 6, 松本 和彦 1
〇北岡 誠 1, 永濱 拓也 1, 中村 晃大 1, 有月 琢哉 1,
高嶋 和也 1, 大野 恭秀 1, 永瀬 雅夫 1
奨 15p-A33-3 超ルイス酸によるナノカーボン薄膜への正孔ドーピング
〇 (M2) 金橋 魁利 1, 舟橋 一真 1, 宮内 拓也 1, 田中
直樹 2, 庄子 良晃 2, 石原 正統 3, 長谷川 雅考 3, 福島
孝典 2, 竹延 大志 1,4
E 15p-A33-4 Signature of individual Gas Molecules Absorbed on Graphene 〇 Manoharan Muruganathan1, Jian Sun1, Hiroshi
Mizuta1,2
15p-A33-5 三層グラフェン電界効果トランジスタの輸送特性におけるア 〇岩崎 拓哉 1,2, Muruganathan Manoharan1,
ニール効果
Schmidt Marek1, 水田 博 1,2
15p-A33-6 KMnO4/H+ 二次酸化による酸化グラフェンの蛍光増強
〇屠 宇迪 1, 宇都宮 徹 1, 一井 崇 1, 杉村 博之 1
15p-A33-7 グラフェン電界効果トランジスタ上に捕捉した酵素分子の高感 〇小野 尭生 1, 金井 康 1, 大野 恭秀 1,2, 前橋 兼三 1,3,
度検出
井上 恒一 1, 松本 和彦 1
奨 15p-A33-8 ポルフィリンリンカーを用いたグラフェンバイオセンサーの高 〇川田 拓哉 1, 小野 尭生 1, 金井 康 1, 大野 恭秀 1,2,
感度化
前橋 兼三 1,3, 井上 恒一 1, 松本 和彦 1
奨 15p-A33-9 グラフェン表面弾性波デバイスの溶液中での音響電流制御
〇奥田 聡志 1,2, 金井 康 1, 小野 尭生 1, 生田 昂 1, 小
川 新平 2, 藤澤 大介 2, 嶋谷 政彰 2, 井上 恒一 1, 前
橋 兼三 1,3, 松本 和彦 1
奨 15p-A33-10 ドライ転写技術により印加した自立グフェンのひずみ評価
〇石田 隼斗 1, 澤田 和明 1, 高橋 一浩 1
休憩 /Break
16:00
奨 15p-A33-11 局所１軸ひずみによるグラフェンへのギャップ生成
1. 筑波大数理物質 , 2.PRESTO-JST, 3. 秋田大教育
文化 , 4. 奈良女子大理 , 5. 物材機構
1. 東大マテリアル , 2. ＪＳＴ - さきがけ
13:45
14:00
14:15
14:30
14:45
15:00
15:15
16:15
15p-A33-12
16:30
奨 15p-A33-13
16:45
奨 15p-A33-14
17:00
17:15
15p-A33-15
15p-A33-16
17:30
17:45
18:00
15p-A33-17
15p-A33-18
15p-A33-19
〇友利 ひかり 1,2, 林 正彦 3, 吉岡 英生 4, 渡邊 賢司 5,
谷口 尚 5, 大塚 洋一 1, 神田 晶申 1
高速パルス IV 計測による 2 層グラフェンのギャップ内準位の 〇谷口 功起 1, 長汐 晃輔 1,2
時定数に関する考察
グラフェンナノリボンの端欠陥による GNR-FET の特性ばら 〇 (D) 高島 健悟 1, 山本 貴博 1
つき
非平衡グリーン関数法を用いたグラフェンナノリボン配線の電 〇籔崎 勝也 1, 粟野 祐二 1
気伝導特性へのエッジ修飾ならびにエッジ揺らぎ効果の第一原
理計算
グラフェン分割リング共振器のゲートによる特性制御
〇鈴木 哲 1, 関根 佳明 1, 熊倉 一英 1
グラフェンフォノニックデバイスに向けたシングルナノメータ 〇 (M2) 神崎 晃悠 1, シュミット マレク 1, ムルガナ
周期的ナノ孔構造の作製
タン マノハラン 1, ハマム アーメド 1, 水田 博 1,2
グラフェン上への Pt 単原子分散体の作製と評価
〇山崎 憲慈 1, 前原 洋祐 1, 北嶋 凌 1, 郷原 一寿 1
グラファイト上における金属微粒子の熱的挙動のその場観察 〇星 雄大 1, 高橋 惇郎 1, 加藤 大樹 1, 本間 芳和 1
Ni 上グラフェンの二次電子コントラストにおけるエネルギー 〇 (M1) 四本松 康太 1, 高橋 惇郎 1, 加藤 大樹 1, 本
依存性 (2)
間 芳和 1
1. 徳島大院
1. 早大先進 , 2. 東工大化生研 , 3. 産総研 , 4. 名大工
1.JAIST, 2.Univ. of Southampton
1. 北陸先端大 , 2. サザンプトン大
1. 京大院工
1. 阪大産研 , 2. 徳島大 , 3. 東京農工大
1. 阪大産研 , 2. 徳島大 , 3. 東京農工大
1. 阪大産研 , 2. 三菱電機 , 3. 東京農工大
1. 豊橋技術科学大学
1. 東理大工
1. 慶大院工
1.NTT 物性基礎研
1. 北陸先端大 , 2. サザンプトン大
1. 北大院工
1. 東京理科大学
1. 東理大理
17 ナノカーボン / Nanocarbon Technology
15p-A25-16 DC メタンプラズマ CVD 法による Si 基板上ナノダイヤモンド
合成に関する研究
17:30
15p-A25-17 高濃度一方向配向 CNT/ 樹脂複合材料の熱伝導率及び電気伝
導率
17.2 グラフェン / Graphene
9/13(Tue.) 9:30 - 11:45 口頭講演 (Oral Presentation) A32 会場
9:30
13a-A32-1 室温近傍でのプラズマ酸化を援用した SiC 上の C 系生成物の
形成と分析
9:45
13a-A32-2 パルスレーザー堆積法による大面積 TiC 薄膜の作製とそのグ
ラフェン化
10:00
13a-A32-3 顕微ラマン分光法による SiC 上グラフェンの応力とキャリア
密度の面内分布評価
10:15
13a-A32-4 走査プローブ顕微鏡を用いた SiC 上グラフェンの実効ヤング
率計測
10:30
13a-A32-5 液体中に分散した酸化グラフェンを直接観察できる顕微鏡の開
発
10:45
13a-A32-6 グラフェンに被覆された Cu{120} 面の表面モフォロジー
合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」/ Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"
17.3 層状物質 / Layered materials
9/16(Fri.) 9:00 - 11:15
口頭講演 (Oral Presentation) A33 会場
9:00
16a-A33-1 無触媒 2 段階 CVD 成長によるサファイア基板上への高品質グ
ラフェンの直接成長
9:15
奨 16a-A33-2 Cu 箔基板上グラフェン CVD 成長における核発生支配要因
9:30
奨 16a-A33-3 結晶化 Ni を用いた析出法における多層グラフェンの低温直接
成長
9:45
16a-A33-4 CH4 プラズマを用いた酸化グラフェンからのグラフェン生成
における反応ガス比の影響
10:00
奨 16a-A33-5 架橋グラフェンナノリボンアレイのウェハースケール高集積化
合成
10:15
16a-A33-6 13C 同位体ラベリングによる酸化グラフェン構造修復過程のラ
マン分光解析
10:30
16a-A33-7 グラフェン /3C-SiC(111)/4H-SiC(0001) の昇華法による成長
10:45
16a-A33-8 ハイブリッド SiC 基板を用いた Si 終端 SiC 単結晶薄膜上高品
質グラフェン成長
11:00
奨 16a-A33-9 同位体を用いたヘテロ構造グラフェンの直接合成
17.3 層状物質 / Layered materials
9/16(Fri.) 9:00 - 11:45
口頭講演 (Oral Presentation) A32 会場
9:00
招 16a-A32-1 [ 解説論文賞受賞記念講演 ]
融合学理イオントロニクス
9:30
招 16a-A32-2 [ 講演奨励賞受賞記念講演 ]
h-BN の絶縁破壊電界はなぜダイアモンドより高いのか？
9:45
16a-A32-3 HfO2 パッシベーションによる HfS2 FET の特性改善
〇上田 悠貴 1, 山田 純平 1, 藤原 亨介 1, 山本 大地 1, 1. 名城大理工
丸山 隆浩 1, 成塚 重弥 1
〇平良 隆信 1, 小幡 誠司 2, 斉木 幸一朗 1,2
1. 東大院理 , 2. 東大新領域
〇山田 純平 1, 上田 悠貴 1, 藤原 享介 1, 山本 大地 1, 1. 名城大理工
1
1
丸山 隆浩 , 成塚 重弥
〇小幡 誠司 1, 斉木 幸一朗 1
1. 東大新領域
〇鈴木 弘朗 1, 金子 俊郎 1, 澁田 靖 2, 大野 宗一 3,
前川 侑毅 2, 加藤 俊顕 1
〇石田 俊 1, 大畑 惇貴 1, 中村 槙悟 1, 小林 慶裕 1
1. 東北大院工 , 2. 東大院工 , 3. 北大院工
1. 阪大院工
〇関根 佳明 1, 熊倉 一英 1, 日比野 浩樹 1,2
1.NTT 物性基礎研 , 2. 関西学院大理工
〇遠藤 則史 1, 秋山 昌次 2, 田島 圭一郎 1, 末光 眞希 1. 東北大通研 , 2. 信越化学工業 , 3. 高エネ研
1
2
2
2
2
, 小西 繁 , 茂木 弘 , 川合 信 , 久保田 芳宏 , 堀
場 弘司 3, 組頭 広志 3, 吹留 博一 1
〇 (M1) 奥山 公史 1, 竹井 邦晴 1, 秋田 成司 1, 有江 1. 大阪府大
隆之 1
〇岩佐 義宏 1, 下谷 秀和 2
1. 東大 , 2. 東北大
〇服部 吉晃 1, 谷口 尚 2, 渡邊 賢司 2, 長汐 晃輔 1,3
1. 東大マテリアル , 2.NIMS, 3.JST- さきがけ
10:15
〇金澤 徹 1, Upadhyaya Vikrant1, 雨宮 智宏 1,2, 石川 1. 東工大 , 2. 理研 , 3. 岡大
篤 3,2, 鶴田 健二 3, 田中 拓男 2,1, 宮本 恭幸 1
16a-A32-4 NbSe2/WSe2 ファンデルワールスヘテロ接合における伝導特性 〇佐田 洋太 1, 守谷 頼 1, 上野 啓司 2, 星 裕介 1, 増 1. 東大生研 , 2. 埼玉大院理工 , 3. 物材機構 , 4. 東大
渕 覚 1, 渡邊 賢司 3, 谷口 尚 3, 町田 友樹 1,4,5
ナノ量子 , 5.JST-CREST
休憩 /Break
10:30
16a-A32-5 ジデシルホスホン酸 (C12H25-PA) をゲート絶縁膜に用いた
10:00
10:45
11:00
11:15
11:30
〇居駒 遼 1, 川那子 高暢 1, 小田 俊里 1
MoS2 FET の作製
16a-A32-6 強誘電体 VDF/TrFE を用いたトップゲート型 MoS2-FET 構造 〇渡辺 貞宗 1, 清水 勝基 1, 中嶋 宇史 2, 川江 健 1
の作製
奨 16a-A32-7 数層遷移金属ダイカルコゲナイドを用いたショットキー型太陽 〇大北 若奈 1, 金子 俊郎 1, 加藤 俊顕 1
電池の発電機構
奨 16a-A32-8 架橋型数層 TMD を用いた高性能光電子デバイス作製における 〇 (M2) 永井 黎人 1, 金子 俊郎 1, 加藤 俊顕 1
マイルドプラズマ効果
16a-A32-9【注目講演】高水素発生触媒化に向けたバルク層状化合物の表 〇桐谷 乃輔 1,2, Lobaccaro Peter1, Nyein Hnin1,
面テクスチャ法
Javey Ali1
1. 東工大未来研
1. 金沢大 , 2. 東京理科大
1. 東北大院工
1. 東北大院工
1. カリフォルニア大学バークレー , 2. 阪府大院工
合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」/ Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"
シンポジウムのプログラムは p.35 ～ p.41 にございます
9/14(Wed.) 13:30 - 15:30 ポスター講演 (Poster Presentation) P10 会場
14p-P10-1 金属原料ガスのパルス供給による ZnO 結晶膜の単分子層成長 〇小野 翔太郎 1, 齋藤 太朗 1, 玉山 泰宏 1, 安井 寛治 1. 長岡技大工
1
制御
14p-P10-2 低温成長による ZnO 膜の平坦化と電気的特性の影響
〇中村 篤志 1, 横北 拓大 1, 章 国強 2, 後藤 秀樹 2
1. 静大工 , 2.NTT 物性基礎研
14p-P10-3 窒素雰囲気下での ZnO 膜の低温作製
〇吉野 賢二 1, 持原 晶子 1, 富永 姫香 1, 中 俊雄 2
富永 姫香 1, 〇吉野 賢二 1, 峯元 高志 2, 沈 青 3, 豊
田 太郎 3, 尾込 裕平 4, 早瀬 修二 4
触媒反応支援 CVD 法により堆積した非極性 ZnO 膜の発光特 〇池田 宗謙 1, 田島 諒一 1, 安達 雄大 1, 加藤 有行 1,
性
玉山 泰宏 1, 安井 寛治 1
Cu(NO3)23H2O を Cu 原料に用いた CBD 法による CuO 薄膜 〇寺迫 智昭 1, 大西 航輝 2, 岡田 英之 2, 小原 翔平 2,
と Cu2O 薄膜の選択成長と表面モフォロジー
河野 幸輝 2
原料交互供給による SnO2 ナノワイヤーの気相 - 液相 - 固相成 〇寺迫 智昭 1, 大西 航輝 2, 岡田 英之 2, 小原 翔平 2,
長
河野 幸輝 2, 矢木 正和 3
Ga アセチルアセトナートを原料に用いた β− Ga2O3 の減圧 〇安田 隆 1, 富樫 隆 1, 中込 真二 1, 國分 義弘 1
MOCVD 成長
室温レーザーアニールによるβ -Ga2O3 薄膜の固相エピタキ
〇中村 稀星 1, 内田 啓貴 1, 土嶺 信夫 2, 小山 浩司 3,
シーに与える NiO バッファ層の影響
金子 智 4,1, 松田 晃史 1, 吉本 護 1
ミスト CVD 法による a 面、m 面 sapphire 基板上へのα
〇赤岩 和明 1, 太田 勝也 1, 関山 尊仁 1, 阿部 友紀 1,
-Ga2O3 薄膜の作製
市野 邦男 1
α -(AlxGa1-x)2O3 傾斜バッファ層を導入したα -Ga2O3 薄膜の作 〇神野 莉衣奈 1, 内田 貴之 1, 金子 健太郎 1, 藤田 静
製
雄1
M2O3(M=Al,Ga,In) のバンドギャップとバンドオフセットの第 〇島田 和宏 1, 中尾 優斗 1, 藤枝 直輝 1
一原理計算
水溶液中での電流導入による酸化亜鉛の特性変化
大久保 貴雅 1, 〇安部 功二 1, 石川 寛人 1
14p-P10-4 スピンコート法による ZnMgO 膜の低温作製
14p-P10-5
14p-P10-6
14p-P10-7
14p-P10-8
奨 14p-P10-9
14p-P10-10
奨 14p-P10-11
14p-P10-12
14p-P10-13
14p-P10-14 ZnO 単結晶表面の高温その場光電子分光
14p-P10-15 β -TlInS2 における励起子発光
14p-P10-16
14p-P10-17
14p-P10-18
14p-P10-19
14p-P10-20
14p-P10-21
奨 14p-P10-22
〇大澤 健男 1, 大橋 直樹 1
1. 宮崎大工 , 2. 東ソー・ファインケム
1. 宮崎大工 , 2. 立命館大理工 , 3. 電通大理工 , 4. 九
工大
1. 長岡技科大
1. 愛媛大院理工 , 2. 愛媛大工
1. 愛媛大院理工 , 2. 愛媛大工 , 3. 香川高専
1. 石専大理工
1. 東工大 , 2.( 株 ) 豊島製作所 , 3.( 株 ) 並木精密宝石 ,
4. 神奈川県産技セ
1. 鳥取大学
1. 京大院工
1. 関東学院大理工
1. 名古屋工業大
1. 物材機構
〇 (DC)PAUCAR RAMOS RAUL1, Kazuki Kazuki1, 1. 千葉工業大学 , 2. 大阪府立大学 , 3.Institute of
Shim YongGu2, Oktay Alekperov3, Mamedov
Physics, Azerbaijan National Academy of Sciences
Nazim3
1
1
1
アモルファス Cd-Ga-O におけるポストアニール温度及び雰囲 〇佐藤 千友紀 , 木村 洋太 , 柳 博
1. 山梨大医工
気の効果
極薄チャネル ZnO-TFT における熱処理の効果
〇 (M2) 池内 達紀 1, 若林 岳 1, 佐々木 涼介 1, 高木 1. 山梨大院総研
誠也 1, 村中 司 1, 鍋谷 暢一 1, 松本 俊 1
熱処理が ZnO-SnO2 を用いた薄膜トランジスタ特性に与える 〇佐藤 和郎 1, 村上 修一 1, 金岡 祐介 1, 山田 義春 1, 1. 大阪府立産技研
影響
筧 芳治 1, 櫻井 芳昭 1
SnO2 の室温原子層堆積法の開発と反応評価
〇野老 健太郎 1, 齊藤 俊介 1, 鹿又 健作 1, 三浦 正範 1. 山大院理工
1
, 有馬 ボシールアハンマド 1, 久保田 繁 1, 廣瀬 文
彦1
溶液法により形成した高抵抗 AZO 薄膜をバッファ層に用いた 〇木村 史哉 1, 佐々木 祥太 1, 孫 屹 1, 小山 政俊 1,
1. 阪工大ナノ材研
AZO 積層薄膜トランジスタの作製と評価
前元 利彦 1, 佐々 誠彦 1
IZO 薄膜トランジスタのヒステリシス特性改善の検討
〇 (M2) 大溝 悠樹 1, 新屋 翔太郎 1, 小山 政俊 1, 前 1. 大阪工大　ナノ材研
元 利彦 1, 佐々 誠彦 1
酸化物 TFT の発熱抑制構造
〇 (D) 木瀬 香保利 1, 藤井 茉美 1, Bermundo Juan 1. 奈良先端大
Paolo1, 石河 泰明 1, 浦岡 行治 1
21.1 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」/ Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"
1. 山形大院理工
1. 佐賀大 , 2. 東工大 , 3. タムラ製作所 , 4. ノベルク
リスタルテクノロジー
1. ニコン
21.1 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」/ Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"
9/15(Thu.) 9:00 - 12:00 口頭講演 (Oral Presentation) A22 会場
9:00
15a-A22-1 微量酸素添加による V 添加 ZnO 透明導電膜の機能改善
〇川島 知之 1, 鷲尾 勝由 1
1. 東北大院工
9:15
15a-A22-2 多結晶 Ga 添加 ZnO 透明導電膜の表面吸着子に与える酸素負 〇野本 淳一 1, 牧野 久雄 1,2, 北見 尚久 1,3, 酒見 俊之 1. 高知工科大総研 , 2. 高知工科大システム工 , 3. 住
3
イオン照射の効果
, 小畠 雅明 4, 岡根 哲夫 5, 藤森 伸一 5, 山上 浩志 5,6, 友重機械工業株式会社 , 4. 原子力機構 廃炉国際共
小林 啓介 1,5, 山本 哲也 1
同研究センター 核種挙動解析 Gr., 5. 原子力機構
物質科学研究センター 電子構造物性研究 Gr., 6. 京
都産業大学
9:30
奨 15a-A22-3 アフターアークプラズマ型酸素負イオン照射装置の開発
〇北見 尚久 1,2, 酒見 俊之 1, 野本 淳一 2, 牧野 久雄 1. 住友重機械 , 2. 高知工科大総研 , 3. 高知工科大
2,3
, 青木 康 1, 山本 哲也 2
システム工
9:45
15a-A22-4 SiO2 を積層した Ga 添加 ZnO 膜の大気アニールによる特性向 金井 拓哉 1, 杉浦 怜 1, 正力 幹也 1, 舩木 修平 1, 〇 1. 島根大
1
上
山田 容士
10:00
15a-A22-5 多結晶 AZO 透明導電膜のキャリア輸送に対する結晶粒界の影 〇宇於崎 涼介 1, 宮田 俊弘 1, 南 内嗣 1
1. 金沢工大　OEDS R&D センター
響(Ⅳ)
10:15
休憩 /Break
10:30
15a-A22-6 低温スパッタによる低抵抗 ITO 膜の開発
10:45
11:00
15a-A22-7 スプレー熱分解法による FTO 透明導電膜の作製
奨 15a-A22-8 Ta:SnO2 エピタキシャル薄膜の輸送特性
11:15
奨 15a-A22-9 各種基板上への透明 p 型半導体γ -CuI 薄膜の作製
11:30
15a-A22-10 スパッタで堆積した p-NiO 膜の電気特性
〇大野 幸亮 1, 白井 雅紀 1, 小林 大士 1, 高橋 明久 1,
石橋 暁 1
〇加藤 彩香 1, 中根 孝弥 1, 石山 武 1
〇福本 通孝 1, 中尾 祥一郎 2, 重松 圭 2, 小川 大輔 3,
森河 和雄 3, 廣瀬 靖 1,2, 長谷川 哲也 1,2
〇 (M2) 井野 龍一朗 1, 戸村 悠 1, 河村 匡記 1, 二宮
1. 株式会社アルバック
1. 豊橋技術科学大学
1. 東大院理 , 2.KAST, 3. 都産技研
1. 中部大院工
善彦 1, 山田 直臣 1
1,2
2
1
〇佐々木 公平 , 東脇 正高 , 倉又 朗人 , 山腰 茂 1. タムラ製作所 , 2. 情通機構
伸1
〇金子 健太郎 1,2, 人羅 俊実 2, 藤田 静雄 1
1. 京大院工 , 2. 株式会社 FLOSFIA
11:45
15a-A22-11 新しい p 型半導体に関する研究
9/15(Thu.) 13:30 - 18:00 口頭講演 (Oral Presentation) A22 会場
13:30
招 15p-A22-1 [ 講演奨励賞受賞記念講演 ]
〇金 正煥 1, 関谷 拓実 2, 井手 啓介 2, 平松 秀典 1,2, 1. 東工大 元素セ , 2. 東工大 フロンティア研
超ワイドバンドギャップアモルファス酸化物半導体の欠陥制御 細野 秀雄 1,2, 神谷 利夫 1,2
と光・電子デバイス応用
13:45
奨 15p-A22-2 アモルファス酸化物蛍光体薄膜の多色化と電子構造
〇渡邉 脩人 1, Kim Junghwan2, 井手 啓介 1, 平松 秀 1. 東工大 フロンティア研 , 2. 東工大 元素セ
典 1,2, 細野 秀雄 1,2, 神谷 利夫 1,2
14:00
15p-A22-3 a-InGaZnO TFT 光誘起トップゲート効果の a-InGaZnO 膜厚 〇竹知 和重 1, 田邉 浩 1
1.NLT テクノロジー
依存性
14:15
奨 E 15p-A22-4 Defect Analysis of Siloxane Gate Insulator and its Interface
〇 (DC)Chaiyanan Kulchaisit1, Juan Paolo
1.NAIST
in a-IGZO Thin-Film Transistor
Bermundo1, Mami N. Fujii1, Yasuaki Ishikawa1,
Yukiharu Uraoka1
14:30
奨 15p-A22-5 水素導入・酸化処理を適用した水系塗布型酸化物 TFT の特性 〇宮川 幹司 1, 中田 充 1, 辻 博史 1, 藤崎 好英 1, 山 1.NHK 技研
本 敏裕 1
14:45
奨 15p-A22-6 高圧水蒸気処理による高誘電体膜 SrTa2O6 を用いた IGZO 薄 〇 (M2) 及川 賢人 1, 藤井 茉美 1, Bermundo Juan
1. 奈良先端大 , 2. 鶴岡高専
膜トランジスタの特性改善
Paolo1, 内山 潔 2, 石河 泰明 1, 浦岡 行治 1
15:00
奨 15p-A22-7 溶液法 IGZO 薄膜における Ga 比率と焼成温度が伝達特性に与 〇 (M1) 落合 祐輔 1, 森本 貴明 1, 福田 伸子 3, 大木 1. 早大先進理工 , 2. 早大材研 , 3. 産総研 FLEC
える影響
義路 1,2
15:15
15p-A22-8 高移動度 In 系酸化物半導体材料の開発
〇大竹 文人 1, 武井 応樹 1, 小林 大士 1, 清田 淳也 1, 1. 株式会社アルバック
齋藤 一也 1
15:30
休憩 /Break
15:45
16:00
16:15
〇大野 祐樹 1, 田中 聡 1, 清水 耕作 1
〇田中 聡 1, 清水 耕作 1
〇岸田 陽介 1, 井手 啓介 1, 上田 茂典 3, 平松 秀典 1,2,
大橋 直樹 2,3, 細野 秀雄 1,2, 神谷 利夫 1,2
16:30
奨 15p-A22-12 ZrO2 絶縁膜 /In-Si-O チャネル界面が酸化物 TFT のトランジ 〇 (D) 栗島 一徳 1,2, 生田目 俊秀 2, 木津 たきお 2,
スタ特性へ及ぼす影響
塚越 一仁 2, 女屋 崇 1,2, 大井 暁彦 2, 知京 豊裕 2, 小
椋 厚志 1
16:45
15p-A22-13 酸化亜鉛薄膜ガスセンサ特性の結晶面依存性
〇安達 裕 1, 坂口 勲 1, 鈴木 拓 1, 齋藤 紀子 1
17:00
15p-A22-14 ナノインプリント法によるシクロオレフィンポリマーを用いた 〇ハナキ アブドゥラ 1, 木村 史哉 1, 永山 幸希 1, 芦
酸化亜鉛系薄膜のダイレクトパターンニング
田 浩平 1, 孫 屹 1, 小山 政俊 1, 前元 利彦 1, 佐々 誠
彦1
17:15
15p-A22-15 Ga 添加 ZnO 薄膜における近赤外光波長領域での光学損失： 〇山本 哲也 1, 野本 淳一 1, 牧野 久雄 1
プラズモニクス応用へ
17:30
15p-A22-16 非極性 ZnO/ZnMgO 多重量子井戸による紫外光変調器に関す 〇岩ケ下 翔平 1, 山本 真也 1, 河原 拓朗 1, 阿部 友紀
1
る研究
, 笠田 洋文 1, 安東 孝止 1, 市野 邦男 1, 赤岩 和明 1
17:45
15p-A22-17 岩塩構造 Mg1 − xZnxO 薄膜の深紫外発光
〇金子 健太郎 1, 津村 圭一 1, 尾沼 猛儀 2, 内田 貴之
1
, 神野 莉衣奈 1, 山口 智広 2, 本田 徹 2, 藤田 静雄 1
9/16(Fri.) 9:00 - 11:45
口頭講演 (Oral Presentation) A22 会場
9:00
16a-A22-1 パワーデバイス用 2 インチ (001) β -Ga2O3 基板の作製と評価 〇増井 建和 1, 輿 公祥 1, 渡辺 信也 1, 倉又 朗人 1,
山腰 茂伸 1
9:15
奨 16a-A22-2 β -Ga2O3 ショットキーバリアダイオードのリーク電流と結晶 〇橋口 明広 1, 森林 朋也 1, 花田 賢志 1, 大島 孝仁
1
欠陥との関係
, 大石 敏之 1, 輿 公祥 2, 佐々木 公平 2, 倉又 朗人 2,
上田 修 3, 嘉数 誠 1
9:30
奨 16a-A22-3 β -Ga2O3 (010) 単結晶のエッチピットの構造
〇森林 朋也 1, 花田 賢志 1, 輿 公祥 2, 佐々木 公平 2,
倉又 朗人 2, 上田 修 3, 嘉数 誠 1
9:45
16a-A22-4 β -Ga2O3 薄膜と単結晶の光学定数の比較
〇尾沼 猛儀 1,2, 齋藤 伸吾 2, 佐々木 公平 3,2, 増井 建
和 3, 山口 智広 1, 本田 徹 1, 倉又 朗人 3, 東脇 正高 2
10:00
16a-A22-5 c 面サファイア・オフ基板上に形成したβ -Ga2O3 薄膜の結晶 〇中込 真二 1, 國分 義弘 1
配向性
10:15
休憩 /Break
10:30
10:45
15p-A22-9 非晶質酸化物半導体薄膜トランジスタの NBITS 信頼性評価
15p-A22-10 非晶質 ITZO と IGZO 薄膜トランジスタの信頼性評価
奨 15p-A22-11 アモルファス IGZO における弱結合酸素の電子状態解析
16a-A22-6 ミスト CVD 法によるε -Ga2O3 エピタキシャル成長
〇西中 浩之 1, 吉本 昌広 1
奨 16a-A22-7 α -(In,Ga)2O3/ α -Ga2O3 ヘテロ構造の界面急峻化に向けた研 〇内田 昌志 1, 金子 健太郎 1, 藤田 静雄 1
究
1. 日大生産工
1. 日本大学
1. 東工大 フロンティア研 , 2. 東工大 元素セ , 3. 物
質・材料研究機構
1. 明治大 , 2. 物材機構 WPI-MANA
1. 物材機構
1. 阪工大ナノ材研
1. 高知工科大総研
1. 鳥取大院工
1. 京大院工 , 2. 工学院大先進工
1. タムラ製作所
1. 佐賀大院 , 2. タムラ製作所 , 3. 金沢工大
1. 佐賀大院工 , 2. タムラ製作所 , 3. 金沢工大
1. 工学院大 , 2. 情通機構 , 3. タムラ製作所
1. 石巻専修大理工
1. 京工繊大
1. 京大院工
合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」/ Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"
14p-P10-23 室温原子層堆積法による TiO2 チャネル薄膜トランジスタの開 〇菊地 航 1, 鹿又 健作 1, 三浦 正範 1, 有馬 ボシルア
発
ハマド 1, 久保田 繁 1, 廣瀬 文彦 1
14p-P10-24 β -Ga2O3 用 ITO オーミック電極
〇大島 孝仁 1, 若林 諒 2, 服部 真依 2, 橋口 明広 1,
河野 直人 1, 佐々木 公平 3,4, 増井 建和 3,4, 倉又 朗人
3,4
, 山腰 茂伸 3,4, 吉松 公平 2, 大友 明 2, 大石 敏之 1,
嘉数 誠 1
14p-P10-25 ミストデポジション法によるレジストフリーパターニング
〇西 康孝 1, 中積 誠 1, 岩堀 恒一郎 1, 奈良 圭 1
合同セッション M「フォノンエンジニアリング」/ Joint Session M "Phonon Engineering"
22.1 合同セッション M「フォノンエンジニアリング」/ Joint Session M "Phonon Engineering"
11:00
奨 16a-A22-8 Si ドープα -Ga2O3 薄膜の作製とその電気特性解析
11:15
16a-A22-9 α -(AlxGa1-x)2O3 薄膜のドライエッチングの特性
11:30
16a-A22-10 Sn ドープα -(AlxGa1-x)2O3 薄膜の作製と ESR 測定
〇内田 貴之 1, 神野 莉衣奈 1, 竹本 柊 1, 金子 健太郎 1. 京大院工
, 藤田 静雄 1
〇内田 貴之 1, 中村 昌幸 2, 金子 健太郎 1, 神野 莉衣 1. 京大院工 , 2. サムコ株式会社
奈 1, 小林 貴之 2, 本山 慎一 2, 藤田 静雄 1
〇竹本 柊 1, 内田 貴之 1, 神野 莉絵奈 1, 金子 健太郎 1. 京大院工
1
, 田中 勝久 1, 藤田 静雄 1
1
9/16(Fri.) 12:45 - 14:15 口頭講演 (Oral Presentation) A22 会場
12:45
16p-A22-1 c 面 Al2O3 上アモルファス ZnO/V 添加 ZnO 積層膜における固 〇渡部 晃弘 1, 川島 知之 1, 鷲尾 勝由 1
相成長温度の検討
13:00
16p-A22-2 ミスト CVD 法による硫化亜鉛薄膜の形成と評価
〇沖田 晃史 1, 皆見 憲亮 1, 寺屋 さとみ 1, 永岡 昭二
3,4
, 谷田部 然治 2, 中村 有水 1,4
13:15
16p-A22-3 c 面サファイア基板上アモルファス CuCrO2 薄膜の固相成長
〇保坂 直寿 1, 千葉 博 1,2, 川島 知之 1, 鷲尾 勝由 1
13:30
16p-A22-4 Ar/N2 混合スパッタで作製したアモルファス CuCrO2 薄膜の固 〇千葉 博 1,2, 保坂 直寿 1, 川島 知之 1, 鷲尾 勝由 1
相成長
13:45
奨 16p-A22-5 MBE 成長した単結晶 WO3 薄膜のエレクトロクロミック特性 〇村山 喬之 1, 桒形 航行 1, 原田 義之 1, 小池 一歩 1,
（2）
佐々 誠彦 1, 矢野 満明 1, 稲葉 克彦 2, 小林 信太郎 2
14:00
16p-A22-6 アモルファス半導体 ZnON 薄膜へのカチオン添加効果
〇重松 圭 1, 山﨑 崇範 2, 中尾 祥一郎 1, 廣瀬 靖 1,2,
長谷川 哲也 1,2
1. 東北大院工
1. 熊大院自然科学 , 2. 熊大先導機構 , 3. 熊本産技 ,
4. 熊本有機薄膜
1. 東北大院工 , 2. 学振特別研究員
1. 東北大院工 , 2. 学振特別研究員
1. 大工大 ナノ材研 , 2. リガク X 線研究所
1.KAST, 2. 東大院理
合同セッション M「フォノンエンジニアリング」/ Joint Session M "Phonon Engineering"
シンポジウムのプログラムは p.35 ～ p.41 にございます
9/15(Thu.) 16:00 - 18:00 ポスター講演 (Poster Presentation) P18 会場
15p-P18-1 短い熱電エレメントを有するシリコン熱電発電デバイスの設計 〇徐 泰宇 1, 橋本 修一郎 1, 麻田 修平 1, 渡邉 孝信 1 1. 早大理工
15p-P18-2 Ni シリサイド化シリコンナノワイヤを用いた熱電発電デバイ 〇麻田 修平 1, 橋本 修一郎 1, 徐 泰宇 1, 大場 俊輔 1,
松川 貴 2, 渡邉 孝信 1
スの作製と特性評価
15p-P18-3 分子動力学法による Si ナノワイヤの熱伝導シミュレーション 〇 (M2) 小出 隆太 1, 富田 基裕 1,2,3, 渡邉 孝信 1
－波付き構造と酸化被膜の影響の比較－
22.1 合同セッション M「フォノンエンジニアリング」/ Joint Session M "Phonon Engineering"
9/14(Wed.) 9:00 - 12:00 口頭講演 (Oral Presentation) B12 会場
9:00
14a-B12-1 急峻界面をもつエピタキシャルナノ構造を用いたフォノン輸送 〇中村 芳明 1,2
制御
9:15
14a-B12-2 Si 薄膜中エピタキシャル Ge ナノドット積層構造における熱伝 〇渡辺 健太郎 1,2, 山阪 司祐人 1, 澤野 憲太郎 3, 中
導率の低減
村 芳明 1,2
9:30
14a-B12-3 Ga ドープした Si 層 / 極薄 Si 酸化膜における熱伝導率の低減 〇奥畑 亮 1, 上田 智広 1, 成瀬 延康 2, 渡辺 健太郎 1,3,
中村 芳明 1,3
9:45
14a-B12-4 ナノ構造を制御した InSb の作製及び熱電気的特性評価
〇中島 良 1, 田口 雄一郎 1, 岸本 堅剛 2, 赤井 光治 2,
浅田 裕法 2, 小柳 剛 2
10:00
E 14a-B12-5 Thermoelectricity at Solid/Liquid Interface of Colloidal
〇 Satria Zulkarnaen Bisri1, Maria Ibanez2,3, Sunao
Quantum Dot Arrays
Shimizu1, Maksym Kovalenko2,3, Yoshihiro Iwasa1,4
10:15
休憩 /Break
10:30
10:45
11:00
11:15
11:30
11:45
14a-B12-6 ナノワイヤ型シリコンデバイスで観測された逆向きの熱起電力 〇橋本 修一郎 1, 麻田 修平 1, 徐 泰宇 1, 大場 俊輔 1,
松川 貴 2, 渡邉 孝信 1
奨 14a-B12-7 ナノ構造制御によるグラフェンナノリボンの熱電性能の最適化 〇井澤 哲美 1, 高島 健悟 1, 山本 貴博 1
14a-B12-8 配向した単層カーボンナノチューブ試料の熱電物性
〇 (M1) 沢辺 健太朗 1, 柳川 勇治 1, 林 大介 1, 中井
祐介 1, 客野 遥 2, 宮田 耕充 1,3, 斎藤 毅 4, 真庭 豊 1
14a-B12-9 熱セルを用いた P2 型 NaxCoO2 の熱電変換効果の計測
〇福住 勇矢 1, 小林 航 1,2, 守友 浩 1,2,3
14a-B12-10 第一原理計算による Ca3Si4 の熱電変換性能指数評価
14a-B12-11 イオンスパッタで形成した AlN 薄膜の熱拡散率測定
9/14(Wed.) 13:30 - 18:15 口頭講演 (Oral Presentation) B12 会場
13:30
14p-B12-1 熱フォノニクスによるフォノンエンジニアリング
13:45
14:00
14p-B12-2
E 14p-B12-3
14:15
14:30
14p-B12-4
E 14p-B12-5
14:45
奨 E 14p-B12-6
15:00
奨 14p-B12-7
15:15
奨 14p-B12-8
15:30
14p-B12-9
15:45
16:00
16:15
16:30
14p-B12-13
14p-B12-14
E 14p-B12-15
17:30
14p-B12-16
17:45
18:00
14p-B12-17
14p-B12-18
1. 早大理工 , 2. 明大理工 , 3. 学振特別研究員 PD
1. 阪大院基礎工 , 2.CREST-JST
1. 阪大院基礎工 , 2.CREST-JST, 3. 東京都市大
1. 阪大院基礎工 , 2. 北大高機構 , 3.CREST-JST
1. 山口大院理工 , 2. 山口大院創成科学
1.RIKEN-CEMS, 2.ETH Zurich, 3.EMPA, 4.Univ.
Tokyo
1. 早大理工 , 2. 産総研
1. 東理大工
1. 首都大理工 , 2. 神大工 , 3.JST さきがけ , 4. 産総
研ナノチューブ応セ
1. 筑波大数理 ( 科 ), 2. 筑波大数理 ( 系 ), 3. 筑波大
融合セ
〇籔内 真 1, 黒崎 洋輔 1, 西出 聡悟 1, 早川 純 1
1. 日立研開
〇池田 浩也 1,2, 和波 雅也 1,2, 太田 裕也 1, 麻田 修平 1. 静大電研 , 2. 静大院工 , 3. 早大理工 , 4. 産総研
3
, 鈴木 悠平 1, 橋本 修一郎 3, 松川 貴 4, 早川 泰弘 1,2,
猪川 洋 1,2, 下村 勝 2, 村上 健司 2, 渡邉 孝信 3
〇野村 政宏 1,2, メール ジェレミ 1, アヌフリエフ ロ 1. 東大生研 , 2.JST さきがけ
マン 1
熱伝導制御に向けた熱フォノンのコヒーレンス長の評価
〇志賀 拓麿 1, 塩見 淳一郎 1
1. 東京大院
Ballistic phonon transport in Si nanowires
〇 (PC)Jeremie Kevin Maire1,2, Roman Anufriev1,
1.IIS, Univ. of Tokyo, 2.LIMMS-CNRS/IIS, 3.JST
Masahiro Nomura1,3
PRESTO
円環構造を有するフォノニック結晶の熱伝導
〇秦 佑介 1, Anufriev Roman1, 野村 政宏 1,2,3
1. 東大生研 , 2. ナノ量子機構 , 3.JST さきがけ
Phonon mean free path analysis in Si 1D phononic crystals
〇 (P)Aymeric Ramiere1,2, Ryoto Yanagisawa1,
1.IIS, Univ. of Tokyo, 2.LIMMS CNRS-IIS, 3.JST
1,3
Masahiro Nomura
PRESTO
Directional heat flow engineering by phononic nanostructures 〇 (P)Roman Anufriev1, Aymeric Ramiere2,1,
1.IIS, Univ. of Tokyo, 2.LIMMS, 3.Nanoquine,
Jeremie Maire1, Masahiro Nomura1,3,4
4.PRESTO
ヘテロエピタキシャル成長した VO2 薄膜の熱伝導率と金属絶 〇峯岸 智志 1, 八木 貴志 2, 鬼塚 日奈子 1, 賈 軍軍 1, 1. 青学大理工 , 2. 産総研
2
1
2
1
縁体相転移
山下 雄一郎 , 中村 新一 , 竹歳 尚之 , 重里 有三
多結晶およびエピタキシャル Al ドープ ZnO(AZO) 薄膜の熱伝 〇本多 夏穂 1, 山下 雄一郎 2, 賈 軍軍 1, 八木 貴志 2, 1. 青山学院大学 , 2. 産総研
導率
中村 新一 1, 竹歳 尚之 2, 重里 有三 1
層状ホウ化物結晶の熱伝導率：AlB2 の異方性と TmAlB4 にお Wang X. J.1, 〇森 孝雄 2,3, Cahill David1, 湯蓋 邦夫 4, 1. イリノイ大 , 2. 物材機構 , 3. 筑波大 , 4. 東北大 ,
ける構造欠陥の影響
宍戸 統悦 4, 岡田 繁 5
5. 国士舘大
休憩 /Break
14p-B12-10 単一ナノ構造材料の基板上熱伝導率計測手法の開発
奨 14p-B12-11 蛍光・ラマン分光法による単一架橋単層カーボンナノチューブ
の熱物性計測
14p-B12-12 欠陥導入によるグラフェンの熱伝導率制御
16:45
17:00
17:15
1. 早大理工 , 2. 産総研
〇児玉 高志 1,2, Goodson Kenneth1
〇吉野 数基 1, 加藤 高士 1, 齋藤 裕太 1, 千足 昇平 2,
本間 芳和 1
〇安野 裕貴 1, 今北 悠貴 1, 竹井 邦晴 1, 秋田 成司 1,
有江 隆之 1
SiGe フォノニック結晶におけるナノスケール熱伝導
〇野村 政宏 1,2, 中川 純貴 1, 澤野 憲太郎 3
低熱伝導率 SiGe 構造の探索～フォノンモード解析～
〇高橋 憲彦 1, 金田 千穂子 1
Designing Nanostructures for Interfacial Phonon Transport via 〇 (P)Shenghong Ju1,2, Takuma Shiga1,2, Lei Feng1,
Bayesian Optimization
Zhufeng Hou2, Koji Tsuda1,2, Junichiro Shiomi1,2
母材に埋め込まれたナノ粒子のフォノン共鳴効果
〇馮 磊 1, 志賀 拓麿 1,2, Han Haoxue3, Ju
Shenghong1,2, Kosevich Yuriy A.4, 塩見 淳一郎 1,2
Fe2VAl 系熱電材料の人工超格子による熱伝導度制御
〇 (PC) 廣井 慧 1, 竹内 恒博 1,2
有機無機複合構造における熱伝導特性の理解とその制御
〇畑 智行 1, Giorgi Giacomo2, 山下 晃一 1
1. スタンフォード大学 , 2. 東大院工
1. 東理大理 , 2. 東大工
1. 大阪府大院工
1. 東大生研 , 2.JST さきがけ , 3. 都市大総研
1. 富士通研
1.Univ. of Tokyo, 2.NIMS
1. 東大工 , 2. 物質・材料研究機構 , 3. ダルムシュタッ
ト工科大学 , 4. ロシア科学アカデミー
1. 豊田工大工 , 2.JST さきがけ
1. 東大院工 , 2.Univ. Studi Perugia
CS.1 3.5 レーザー装置・材料，3.14 光制御デバイス・光ファイバーのコードシェアセッション / 3.5&3.14 Code-sharing session
9/15(Thu.) 9:30 - 12:15 口頭講演 (Oral Presentation) B12 会場
9:30
奨 15a-B12-1 局所的なフォノン分布を考慮した擬 Self-consistent モンテカル
ロ法によるナノスケール GaN-HEMT の電気的及び熱的特性
解析 ( Ⅰ )
9:45
15a-B12-2 局所的なフォノン分布を考慮した擬 Self-consistent モンテカル
ロ法によるナノスケール GaN-HEMT の電気的及び熱的特性
解析 ( Ⅱ )
10:00
15a-B12-3 p 型 Ga0.5In0.5P における高濃度ｐ型ドープ試料におけるフォノ
ン系電磁誘起透明化のスペクトル計算
10:15
奨 15a-B12-4 分子動力学法および分子軌道法を用いた GeSn 混晶内のフォノ
ン再現に関する考察
10:30
15a-B12-5 巨大負熱膨張物質 Bi1-xSbxNiO3 のサイト間電荷移動相転移
11:00
11:15
11:30
11:45
12:00
1. 慶大理工
〇伊藤 直人 1, 三澤 太一 1, 粟野 祐二 1
1. 慶應理工
〇坂本 裕則 1, 馬 蓓 1, 森田 健 1, 石谷 善博 1
〇 (P) 富田 基裕
, 小椋 厚志 , 渡邉 孝信
1,2,3
2
1. 千葉大工
1
〇西久保 匠 1, 岡 研吾 2, 酒井 雄樹 3, 東 正樹 1
1. 東工大フロンティア材研 , 2. 中央大理工 , 3. 神
奈川科学技術アカデミー
〇中島 安理 1, 庄司 敦 1, 米盛 敬 2, 瀬尾 宣英 2
〇中島 安理 1, 庄司 敦 1, 米盛 敬 2, 瀬尾 宣英 2
〇 (M2)Firman Bagja Juangsa1, Yoshiki Muroya1,
1. 広島大ナノデバイス研 , 2. マツダ株
1. 広島大ナノデバイス研 , 2. マツダ株
1.Tokyo Tech.
休憩 /Break
15a-B12-6 車載モータ用高熱伝導率材料の研究 (I)
15a-B12-7 車載モータ用高熱伝導率材料の研究 (II)
奨 E 15a-B12-8 Thermal Conductivity of SiNCs/Polymer Nanocomposite for
Thermal Insulating Material
1. 早大理工 , 2. 明大理工 , 3. 学振特別研究員 PD
Yuma Tanabe1, Meguya Ryu1, Junko Morikawa1,
Tomohiro Nozaki1
奨 15a-B12-9 フォノニック結晶導波路におけるフォノン伝搬波の非線形分散 〇 (D) 黒子 めぐみ 1,2, 畑中 大樹 1, 小野光 恒二 1,
1.NTT 物性研 , 2. 東北大理
効果
山口 浩司 1,2
15a-B12-10 半導体 / 金属複合構造における LO フォノン - プラズモン結合 〇 (M2) 竹内 映人 1, 馬 ベイ 1, 森田 健 1, 石谷 善博 1. 千葉大院工
1
モードでの赤外光吸収
CS コードシェアセッション / Code-sharing session
シンポジウムのプログラムは p.35 ～ p.41 にございます
CS.1 3.5 レーザー装置・材料，3.14 光制御デバイス・光ファイバーのコードシェアセッション / 3.5&3.14 Code-sharing session
9/14(Wed.) 9:30 - 12:15 口頭講演 (Oral Presentation) B3 会場
9:30
14a-B3-1 57- μ m CH3OD レーザー用の水晶波長板の開発
〇中山 和也 1, 岡島 茂樹 1, 秋山 毅志 2, 田中 謙治 2,
川端 一男 2
9:45
14a-B3-2 常温接合を用いた GaAs プレート多数枚積層擬似位相整合構造 〇新 裕貴 1, 窪田 輝充 1, 脇山 直也 1, 庄司 一郎 1
の作製
10:00
14a-B3-3 モノリシック PP-Mg:SLT デバイスによる 355nm 波長変換器 冨張 康弘 1, 土橋 一磨 1, 〇廣橋 淳二 1, 今井 浩一 1,
の開発
牧尾 諭 1
10:15
14a-B3-4 周期空間反転 GaAs/AlGaAs ダブルヘテロ構造 p-i-n ダイオー 〇鈴木 涼介 1, 松下 智紀 1,2, 近藤 高志 1,2
ドの作製
10:30
14a-B3-5 サンプリング PPLN 導波路を用いた広帯域中赤外発生
〇藤澤 涼平 1
10:45
休憩 /Break
11:00
11:15
〇石月 秀貴 1, 平等 拓範 1
〇 (PC) 中里 智治 1, 伊藤 功 2, 小林 洋平 2, Wang
Xiaoyang3, Chen Chuangtian3, 渡部 俊太郎 1
11:30
奨 14a-B3-8 CsLiB6O10 結晶を用いた高出力 355nm 紫外光発生
〇上田 健太郎 1, 折井 庸亮 2, 高橋 義典 1, 岡田 穣治
2
, 森 勇介 1, 吉村 政志 3
11:45
奨 E 14a-B3-9 Temperature tuning of YCOB crystal for giant-pulse green
〇 Arvydas Kausas1, Pascal Loiseau2, Gerard Aka2,
micro-laser
Yanqing Zheng3, Takunori Taira1
12:00
奨 14a-B3-10 磁気ドメインを利用した薄膜 Q スイッチレーザー
〇後藤 太一 1,2, 森本 凌平 1, プリチャード ジョン 3,
高木 宏幸 1, 中村 雄一 1, リム パンボイ 1, 内田 裕久
1
, ミナ マニ 3, 平等 拓範 4, 井上 光輝 1
CS.2 3.6 超⾼速・⾼強度レーザー，3.8 光計測技術・機器のコードシェアセッション / 3.6&3.8 Code-sharing session
9/15(Thu.) 10:30 - 12:15 口頭講演 (Oral Presentation) C301 会場
10:30
奨 15a-C301-1 Er 添加超短パルスファイバーレーザーを用いた 1.0-2.1um オ 〇新家 俊輝 1, 野村 佳孝 1, 金 磊 1, 山中 真仁 1, 小
クターブスパン・コヒーレント SC コムの開発及び特性評価
関 泰之 2, Sonnenschein Volker1, 富田 英生 1, 井口
哲夫 1, 西澤 典彦 1
10:45
奨 15a-C301-2 単層カーボンナノチューブを用いた全偏波保持ファイバレー 〇冨樫 泉洸 1, 長池 健 1, 金 磊 1, 榊原 陽一 2, 面田
ザー光周波数コム光源の開発
恵美子 2, 片浦 弘道 2, 小関 泰之 3, 西澤 典彦 1
11:00
15a-C301-3 Multi-GHz 光周波数コムによるシリカファイバー内の音響フォ 〇 (P) 遠藤 護 1, 谷 峻太郎 1, 小林 洋平 1
ノン励起
11:15
15a-C301-4 超低雑音光周波数コムの実現に向けた磁気光学変調器
〇 (D) 中村 卓磨 1, 谷 峻太郎 1, 伊藤 功 1,2, 小林 洋
平 1,2
11:30
15a-C301-5 1um 帯スーパーコンティニュームを用いた高コヒーレンス波 〇金 磊 1, 山中 真仁 1, Sonnenschein Volker1, 富田
長可変中赤外光周波数コム光源の開発
英生 1, 井口 哲夫 1, 佐藤 淳史 2, 大森 茜 2, 井手野
晃 2, 大原 利成 2, 西澤 典彦 1
11:45
奨 15a-C301-6 Fabry-Perot 共振器を用いたモードフィルタリングによるデュ 〇 (M2) 吉田 悟 1,2, 西山 明子 1,2,3, 美濃島 薫 1,2
アルコム分光の高感度化
12:00
奨 15a-C301-7 時間分解デュアルコム分光法による複素光学物性ダイナミクス 〇浅原 彰文 1,2, 近藤 健一 1,2, 美濃島 薫 1,2
の精密計測
9/15(Thu.) 13:45 - 18:00 口頭講演 (Oral Presentation) C32 会場
13:45
招 15p-C32-1 [ 論文奨励賞受賞記念講演 ]
〇大久保 章 1, 岩國 加奈 2, 稲場 肇 1, 保坂 一元 1, 大
Ultra-broadband dual-comb spectroscopy across 1.0–1.9 µm 苗 敦 1, 佐々田 博之 3, 洪 鋒雷 4
14:00
15p-C32-2 光コムと安定化レーザーによる分子吸収線形の観測
〇大苗 敦 1,2, 大久保 章 1,2, 清水 祐公子 1,2, 稲場 肇 1,2
14:15
15p-C32-3 デュアルコム分光法を用いた高精度偏光計測装置の開発
〇住原 花奈 1, 大久保 章 2, 岡野 真人 1, 稲場 肇 2,
渡邉 紳一 1
14:30
招 15p-C32-4 [ 講演奨励賞受賞記念講演 ]
〇澁谷 九輝 1,2, 南川 丈夫 1,2, 水谷 康弘 2,3, 安井 武
スキャンレスデュアルコム分光イメージング法の提案
史 1,2, 岩田 哲郎 1,2
14:45
E 15p-C32-5 Spatial area shifting method for long depth object measurement 〇 Quang Duc Pham1, Yoshio Hayasaki1
using optical frequency comb laser based interferometers
15:00
E 15p-C32-6 Development of discrete frequency scanning laser for
〇 Tuan Cong Truong1, Tuan Quoc Banh1,2, Heui
interferometry
Hyeon Kim1, Tatsutoshi Shioda1
15:15
15p-C32-7 ファイバー光コム型超音波センサーに関する基礎研究
〇増岡 孝 1,2, 小倉 隆志 1, 南川 丈夫 1,2, 中嶋 善晶 2,3,
山岡 禎久 4, 美濃島 薫 2,3, 安井 武史 1,2
15:30
15p-C32-8 共焦点レーザー走査型光コムの開発
〇長谷 栄治 1,2, 宮本 周治 1,2, 山本 裕紹 2,3, 安井 武
史 1,2, 南川 丈夫 1,2
15:45
休憩 /Break
16:00
14a-B3-6 反転多積層水晶による QPM 波長変換
14a-B3-7 KBBF 結晶を用いた位相整合による 150 nm 光発生
招 15p-C32-9 [ 講演奨励賞受賞記念講演 ]
チャープした光コムのスペクトル干渉による瞬時 3 次元計測
手法
〇加藤 峰士 1,2, 内田 めぐみ 1,2, 美濃島 薫 1,2
1. 中部大工 , 2. 核融合研
1. 中大理工
1. オキサイド
1. 東大工 , 2. 東大先端研
1. 東海大工
1. 分子研
1. 東理大総研 , 2. 東大物性研 , 3. 中国科学院
1. 阪大院工 , 2. スペクトロニクス , 3. 阪大レーザー
研
1.IMS, 2.IRCP, 3.SICCAS
1. 豊橋技科大 , 2.JST さきがけ , 3. アイオワ州立大 ,
4. 分子研
1. 名大工 , 2. 東大工
1. 名大院工 , 2. 産総研 , 3. 東大工
1. 東大物性研
1. 東大物性研 , 2.JST-ERATO
1. 名大工 , 2. 積水メディカル ( 株 )
1. 電通大 , 2.JST,ERATO 美濃島知的光シンセサイ
ザ , 3. 日本学術振興会
1. 電通大 , 2.JST, ERATO 美濃島知的光シンセサイ
ザ
1. 産総研 , 2. コロラド大 , 3. 慶大 , 4. 横国大
1. 産総研 , 2.JST, ERATO 美濃島 IOS
1. 慶大理工 , 2. 産総研
1. 徳島大院 , 2.JST, ERATO 美濃島知的光シンセサ
イザ , 3. 阪大院工
1.Utsunomiya Univ.
1.Saitama Univ., 2.Sevensix Inc
1. 徳島大 , 2.JST, ERATO, 3. 電通大 , 4. 佐賀大
1. 徳島大学 , 2.JST,ERATO 美濃島知的光シンセサ
イザ , 3. 宇都宮大学
1. 電通大 , 2.JST, ERATO 美濃島知的光シンセサイ
ザ
CS コードシェアセッション / Code-sharing session
10:45
〇伊藤 直人 1, 三澤 太一 1, 粟野 祐二 1
CS.3 3.14 光制御デバイス・光ファイバー，3.15 シリコンフォトニクスのコードシェアセッション / 3.14&3.15 Code-sharing session
16:15
16:30
16:45
17:00
15p-C32-10 チャープした光コムのスペクトル干渉によるワンショット形状
計測手法の多点化
奨 15p-C32-11 デュアルコム分光法を用いたルビジウム原子の光 - 光二重共鳴
分光
奨 15p-C32-12 光格子時計比較の安定度向上に向けた全偏波保持・単一ポート
エルビウムファイバコムの開発および安定度評価
15p-C32-13 天体の視線速度観測用高分散分光器の波長校正用光周波数コム
の開発 II - 岡山天体物理観測所への設置とテスト観測 -
CS コードシェアセッション / Code-sharing session
17:15
〇内田 めぐみ 1,2, 加藤 峰士 1,2, 美濃島 薫 1,2
1. 電通大 , 2.JST, ERATO 美濃島知的光シンセサイ
ザ
〇 (P) 西山 明子 1,2,3, 佐々田 博之 2,4, 中川 賢一 1, 大 1. 電通大 , 2.JST, ERATO 美濃島知的光シンセサイ
苗 敦 2,5, 美濃島 薫 1,2
ザ , 3.JSPS, 4. 慶応大 , 5. 産総研
〇大前 宣昭 1,2,3, 久世 直也 4, Fermann Martin5, 香 1. 東大院工 , 2. 理研 , 3.JST-ERATO, 4.IMRA BRL,
1,2,3
取 秀俊
5.IMRA America
〇中村 圭佑 1,5, 大久保 章 1,5, シュラム マルテ 3,5, 山 1. 産総研 , 2. 横国大 , 3. 国立天文台 , 4. 電通大 ,
本 宏樹 2,5, 石川 純 1, 洪 鋒雷 1,2,5, 大苗 敦 1,5, 美濃島 5.JST, ERATO 美濃島知的光シンセサイザ
薫 1,4,5, 筒井 寛典 3,5, 神戸 栄治 3,5, 泉浦 秀行 3,5, 稲
場 肇 1,5
〇伊藤 功 1,2, Silva Alissa1,2, 中村 卓磨 1,2, 小林 洋平 1. 東大物性研 , 2.JST-ERATO
15p-C32-14 Yb ファイバー光コムによる低熱膨張セラミック光共振器安定
1,2
化 CW レーザーの長期絶対周波数測定
17:30
15p-C32-15 2 台のモードロックレーザの簡便な方法による繰返し周波数の 〇永原 哲彦 1
同期
17:45
奨 15p-C32-16 キャリア位相とエンベロープを用いた光コム干渉計の開発
〇牧野 智大 1,2, 宮野 皓貴 1,2, 中嶋 善晶 1,2, 美濃島
薫 1,2
CS.3 3.14 光制御デバイス・光ファイバー，3.15 シリコンフォトニクスのコードシェアセッション / 3.14&3.15 Code-sharing session
9/15(Thu.) 13:30 - 17:30 口頭講演 (Oral Presentation) B8 会場
13:30
奨 E 15p-B8-1 Ge Passive Waveguide Components on Ge-on-Insulator Wafer 〇 (DC)Jian Kang1,2, Mitsuru Takenaka1,2, Shinichi
for Mid-Infrared Integrated Photonics
Takagi1,2
13:45
15p-B8-2 Ge-on-Insulator 基板を用いた熱光学スイッチの検討
〇 (B) 藤垣 匠 1, 亢 健 2,3, 竹中 充 1,2,3, 高木 信一 1,2,3
14:00
15p-B8-3 マイケルソン干渉計型シリコン導波路多波長変調器の初期検討 〇 (M1) 関根 海斗 1, 三浦 謙吾 1, 庄司 雄哉 1,2, 水本
哲弥 1,2
14:15
15p-B8-4 フォトニック結晶スローライト移相器を用いた 16QAM 変調器 〇北條 惠子 1, 寺田 陽佑 1, 馬場 俊彦 1
14:30
15p-B8-5 in-situ B ドーピングした歪 SiGe 層を用いた Si 光変調器の検討 〇藤方 潤一 1, 野口 将高 1, 韓 在勲 2, 高橋 重樹 1,
(Ⅱ)
竹中 充 2, 中村 隆宏 1
14:45
休憩 /Break
15:00
15:15
15:30
15:45
16:00
15p-B8-6 光導波路とエバネッセント結合した GdFe 薄膜の磁気光学応答
II
15p-B8-7 強磁性金属 / 貴金属積層プラズモン導波路とシリコン導波路間
の非相反結合と消光比の解析
15p-B8-8 光磁気記録を用いた不揮発性導波路型光メモリの提案
15p-B8-9 メタマテリアルを用いた Si 導波路型光バッファの提案
15p-B8-10 有機薄膜光集積回路：各素子の特性解析
16:15
16:30
休憩 /Break
1.Tokyo Univ., 2.JST-CREST
1. 東大工 , 2. 東大院工 , 3.JST-CREST
1. 東工大工学院電気電子系 , 2. 未来産業技術研究
所
1. 横浜国大・院工
1. 光電子融合基盤技術研究所 , 2. 東京大学
〇清水 大雅 1, 福田 登 1
1. 農工大工
〇村井 俊哉 1, 庄司 雄哉 1, 水本 哲弥 1
〇雨宮 智宏 1, 山崎 理司 1, 金澤 徹 1, 平谷 拓生 1,
鈴木 純一 1, 西山 伸彦 1, 荒井 滋久 1
〇雨宮 智宏 1, 金澤 徹 1, 平谷 拓生 1, 井上 大輔 1,
顧 之琛 1, 浦上 達宣 2, 荒井 滋久 1
1. 東工大
1. 東工大
〇梅森 信行 1, 笠原 健一 1, 山本 悠人 1, 宮田 純一 1,
尾崎 信彦 2, 池田 直樹 3, 杉本 喜正 3
16:45
15p-B8-12 導波光入力カプラ兼用共振器集積導波モード共鳴フィルタ
〇辻 篤史 1, 井上 純一 1, 金高 健二 2, 西尾 謙三 1,
裏 升吾 1
17:00
15p-B8-13 DBR 基板上に集積した CRIGF の反射特性
〇柳田 謙一 1, 森 一輝 1, 中田 昌宏 1, 井上 純一 1,
金髙 健二 2, 裏 升吾 1
17:15
15p-B8-14 シリコングレーティングカプラの波長特性ばらつきに及ぼす製 〇堀川 剛 1,2, 牛田 淳 1, 蘇武 洋平 1, 志村 大輔 1, 椎
造誤差の影響
名 明美 1, 徳島 正敏 1, 鄭 錫煥 1, 木下 啓藏 1, 最上
徹1
CS.4 9.4 熱電変換，16.2 エナジーハーベスティングのコードシェアセッション / 9.4&16.2 Code-sharing session
9/14(Wed.) 9:30 - 11:30 口頭講演 (Oral Presentation) A25 会場
9:30
14a-A25-1 リン酸マンガンナトリウムガラスの特異な結晶化
〇本間 剛 1, 田邊 森人 1, 小松 高行 1
9:45
14a-A25-2 ファイバブラッググレーティングを用いた Nd3+ 添加 ZBLAN 〇鈴木 健伸 1, 津本 尚紀 1, 大石 泰丈 1, Bernier
ガラスファイバの太陽光励起レーザー発振
Martin2, Valley Real2
10:00
14a-A25-3 β -FeSi2/SiC 複合粒子の作製と光触媒効果による水からの水素 〇秋山 賢輔 1,2, 本泉 佑 1, 奥田 徹也 1, 舟窪 浩 2, 入
生成
江 寛 3, 松本 佳久 1
10:15
奨 E 14a-A25-4 Enhancement of Broadband Solar Light Absorption and
〇 (P)Satish Laxman Shinde1, Satoshi Ishii1,
Photocurrent Increase of C3N4 Nanoparticles Combined with
Tadaaki Nagao1
TiN and Carbon Nanoparticles
10:30
休憩 /Break
14a-A25-5 SrCuO2 スパッタ膜の光・熱誘起構造秩序化：熱流路パターニ
ングと温度拡散イメージング
11:00
14a-A25-6 SrCuO2 スパッタ膜の光・熱誘起構造秩序化：熱拡散率分布の
推定
11:15
奨 14a-A25-7 高熱伝導性結晶を含むガラス複合材料の作製：熱物性及び構造
調査
9/14(Wed.) 16:00 - 18:00 ポスター講演 (Poster Presentation) P22 会場
奨 14p-P22-1 高配向化したナノ結晶ビスマス・テルル薄膜の異方性評価
1. 電通大 , 2.JST, ERATO 美濃島知的光シンセサイ
ザ
〇西林 一彦 1, 岩崎 大和 1, 久我 淳 2, 宗片 比呂夫 1 1. 東工大 , 2.NHK 放送技研
15p-B8-11 光アンテナを搭載した量子井戸構造での反射率測定
10:45
1. 京都工繊大
1. 東工大 , 2. 三井化学
1. 立命館大理工 , 2. 和歌山大システム工学 , 3. 物質・
材料研究機構
1. 京都工芸繊維大学 , 2. 産業技術総合研究所
1. 京都工繊大 , 2.( 独 ) 産総研
1.PETRA, 2. 産総研
1. 長岡技科大
1. 豊田工大 , 2.Laval Univ.
1. 神奈川産技セ , 2. 東工大物質理工 , 3. 山梨大ク
リーンエネ
1.NIMS
〇寺門 信明 1, 高橋 良輔 1, 山崎 芳樹 2, 高橋 儀宏 1, 1. 東北大院工 , 2. 東北大多元研
藤原 巧 1
〇山崎 芳樹 1, 寺門 信明 2, 高橋 良輔 2, 高橋 儀宏 2, 1. 東北大多元研 , 2. 東北大院工
鈴木 茂 1, 藤原 巧 2
〇 (M1) 小澤 龍成 1, 寺門 信明 1, 高橋 儀宏 1, 藤原 1. 東北大院工
巧1
〇 (M1) 山内 和樹 1, 高尻 雅之 1
1. 東海大学院工
1. 住友電工 , 2. 豊田工大 , 3. 防衛大学校
14p-P22-2 ナノ構造熱電材料のための多重薄膜によるナノ構造制御の検討 〇足立 真寛 1, 藤井 俊輔 1, 木山 誠 1, 山本 喜之 1,
西野 俊佑 2, Omprakash Muthusamy2, 竹内 恒博 2,
岡本 庸一 3
14p-P22-3 ビスマスの格子変形が輸送特性に及ぼす影響
〇小峰 啓史 1, 青野 友祐 1, 村田 正行 2, 長谷川 靖洋 1. 茨大工 , 2. 産総研 , 3. 埼玉大院
3
14p-P22-4 PLD 法による Bi1-xSrxCuSeO 系薄膜の作製と熱電特性
1. 岩手大理工 , 2. 東北大金研
14p-P22-5
1. 東海大学院工
奨 14p-P22-6
14p-P22-7
14p-P22-8
〇 (M1) 石澤 衛 1, 内藤 智之 1, 藤代 博之 1, 伊藤 暁
彦 2, 後藤 孝 2
斜め蒸着法により作製したアンチモン・テルル薄膜の熱電性能 〇森川 聡 1, 高尻 雅之 1
解析
a-InGaZnO 薄膜の熱電特性における膜厚とアニールの影響
〇多和 勇樹 1, 上沼 睦典 1, 藤本 裕太 1, 岡本 尚文 1,
石河 泰明 1, 山下 一郎 1, 浦岡 行治 1
融液成長法で成膜した SnSe 厚膜の評価
〇田橋 正浩 1, 辻岡 祐介 2, 寺社下 文也 1, 後藤 英雄
1
, 高橋 誠 1, 一野 祐亮 2, 吉田 隆 2
W または Nb を添加した CaMn1-xAxO3 の熱電特性
〇森 英喜 1, 吉田 晴彦 1
14p-P22-9 (LaO)CuTe, (BiO)CuTe の熱電特性の違い
14p-P22-10 二重管封入式溶融凝固法を用いて作製した SnSe 結晶の評価
1. 奈良先端大
1. 中部大 , 2. 名古屋大
1. 兵庫県立大院工
〇 (M2) 菅野 聖人 1, 石渡 聖也 1, 川本 晃己 1, 東谷 1. 日大理工 , 2. 摂南大理工 , 3. 広大放射光 , 4. 広大
篤志 2, 生天目 博文 3, 谷口 雅樹 3, 佐藤 仁 3, アワベ 院理
クリ ルスル 4, 高瀬 浩一 1, 渡辺 忠孝 1, 高野 良紀 1
〇辻岡 祐介 1, 田橋 正浩 2, 寺社下 文也 2, 後藤 英雄 1. 名大 , 2. 中部大
2
, 土屋 雄司 1, 一野 祐亮 1, 吉田 隆 1
CS.5 3.11 フォトニック構造・現象，13.7 ナノ構造・量⼦現象のコードシェアセッション / 3.11&13.7 Code-sharing session
14p-P22-11 遷移金属を含む多元素置換 Si クラスレートの熱電特性
〇前島 理佐 1, 和田 雄大 1, 岡本 和也 1, 阿武 宏明 1 1. 山陽小野田市立山口東理大工
14p-P22-12 熱電応用のための Si1-xGex 及び Mg2Si1-xGex 結晶合成と特性評
価
14p-P22-13 パワー半導体冷却用 Si 単一ペルチェ素子における過度的熱移
動
14p-P22-14 高温薄膜熱電特性評価装置の開発Ⅲ
〇高須 隆太郎 1, Omprakash Muthusamy1, Misra
Shantanu1, 志村 洋介 1, 早川 泰弘 1, 立岡 浩一 1
〇古林 寛 1, 種平 貴文 2, 米盛 敬 2, 瀬尾 宣英 2, 黒
木 伸一郎 1
〇 (M2) 佐々木 一真 1, 内藤 智之 1, 藤代 博之 1
1. 静大院工
14p-P22-15 KFM を用いた局所温度測定
〇鈴木 悠平 1, 岡 晃人 1, 池田 浩也 1
1. 静大電研
1. 広島大ナノデバイス・バイオ融合科学研 , 2. マ
ツダ ( 株 )
1. 岩手大理工
10:45
11:00
11:15
11:30
11:45
招 16a-C41-5 [ 論文奨励賞受賞記念講演 ]
Electric field modulation of magnetic anisotropy in
perpendicularly magnetized Pt/Co structure with a Pd top
layer
奨 E 16a-C41-6 Detection of voltage excited spin wave by pico-second timeresolved Kerr microscope
E 16a-C41-7 Perpendicular magnetic anisotropy and its electric field effect in
Fe/Mg-based oxide interfaces
E 16a-C41-8 Effects of fluorine introduction on the voltage control of
ferromagnetic CoFeB/Al2O3 interface magnetic anisotropy
E 16a-C41-9 Electric-field induced magnetization switching in CoFeB/MgO
magnetic tunnel junction with thick MgO barrier
〇日比野 有岐 1, 小山 知弘 1, 大日方 絢 1, 三輪 一元 1. 東大 , 2. 電中研
, 小野 新平 2, 千葉 大地 1
2
〇 (PC)Bivas Rana1, Yasuhiro Fukuma1,2, Katsuya
Miura3, Hiromasha Takahashi3, YoshiChika Otani1,4
Qingyi Xiang1,2, Hiroaki Sukegawa1, Shinya Kasai1,
〇 Seiji Mitani1,2
〇 (M2)Mykhailo Pankieiev1, Koji Kita1
1.CEMS, RIKEN, 2.Kyushu Inst. Tech., 3.Hitachi
Ltd., 4.Univ. of Tokyo
1.NIMS, 2.Univ. Tsukuba
〇 Shun Kanai1,2,3, Fumihiro Matsukura1,2,3,4, Hideo
1.LNS,RIEC,Tohoku Univ., 2.CSIS, Tohoku Univ.,
3.CSRN, Tohoku Univ., 4.WPI-AIMR, Tohoku
Univ., 5.CIES, Tohoku Univ.
Ohno1,2,3,4,5
1.Univ. of Tokyo
CS コードシェアセッション / Code-sharing session
CS.5 3.11 フォトニック構造・現象，13.7 ナノ構造・量⼦現象のコードシェアセッション / 3.11&13.7 Code-sharing session
9/15(Thu.) 9:00 - 12:15 口頭講演 (Oral Presentation) B4 会場
9:00
15a-B4-1 Er3+ 超微細構造準位の観測
〇俵 毅彦 1,2, Giacomo Mariani1, 清水 薫 1, 尾身 博 1.NTT 物性基礎研 , 2.NTT ナノフォトニクスセン
雄 1,2, 足立 智 3, 後藤 秀樹 1
タ , 3. 北大院工
9:15
15a-B4-2 フォトニック結晶ナノ共振器縮退モードを用いた量子ドットか 〇岩本 敏 1,2, 太田 泰友 2, 荒川 泰彦 1,2
1. 東大生研 , 2. 東大ナノ量子機構
らの光軌道角運動量の生成
9:30
15a-B4-3 発光源と光導波路が集積された三次元フォトニック結晶の作製 〇田尻 武義 1, 高橋 駿 2, 太田 泰友 2, 渡邉 克之 2,
1. 東大生研 , 2. ナノ量子機構
と光学特性評価
岩本 敏 2,1, 荒川 泰彦 2,1
9:45
15a-B4-4 一次元フォノニック結晶における弾性波のトポロジカル境界状 〇金 仁基 1, 岩本 敏 1,2, 荒川 泰彦 1,2
1. 東大生研 , 2. 東大ナノ量子機構
態
1,2
1,2
1,2
10:00
15a-B4-5 二次元 PT 対称性構造における光伝搬特性の解析
〇谷山 秀昭 , 高田 健太 , 納富 雅也
1.NTT 物性研 , 2.NTT NPC
10:15
15a-B4-6 グラフェンを装荷したディープサブ波長プラズモニック導波路 〇小野 真証 1,2, 常川 雅人 2,3, 角倉 久史 1,2, 倉持 栄 1.NTT ナノフォトニクスセンタ , 2.NTT 物性科学
の作製
一 1,2, 谷山 秀昭 1,2, 納富 雅也 1,2,3
基礎研 , 3. 東工大院理工
10:30
E 15a-B4-7 Optomechnical actuator driven and probed by mechanically〇 Feng Tian1,2, Hisashi Sumikura1,2, Eiichi
1.NTT NPC, 2.NTT BRL
1,2
1,2
linked optical nanocavities
Kuramochi , Hideaki Taniyama , Masato
Takiguchi1,2, Masaya Notomi1,2
10:45
奨 15a-B4-8 結合機械振動子における複数モードの同時フィードバック制御 〇太田 竜一 1, 岡本 創 1, 山口 浩司 1
1.NTT 物性研
11:00
15a-B4-9 ３つの SiN 機械共振器のパラメトリック強結合
〇岡本 創 1, シリング ライアン 2, シュッツ ヘンド 1.NTT 物性基礎研 , 2. スイス連邦工科大学ローザ
2
2
リック , スドゥヒア ヴィヴィシェク , ウィルソン ンヌ校
ダルツィエル 2, キッペンベルグ トビアス 2, 山口
浩司 1
11:15
奨 15a-B4-10 3 次元フォトニック結晶におけるギャップ中減衰モードの考察 〇 (DC) 権平 皓 1,2, 石﨑 賢司 1, 北野 圭輔 1,2, 浅野 1. 京大院工 , 2. 学振研究員
卓 1, 野田 進 1
11:30
15a-B4-11 近接場熱輻射伝達による狭帯域熱輻射増強
〇井上 卓也 1,2, 浅野 卓 1, 野田 進 1
1. 京大院工 , 2. 学振特別研究員 PD
11:45
15a-B4-12 量子井戸のサブバンド間遷移とフォトニック結晶共振器の強結 〇井上 卓也 1,2, 浅野 卓 1, Faist Jerome3, 野田 進 1
1. 京大院工 , 2. 学振特別研究員 PD, 3.ETH Zurich
合系の熱輻射特性
12:00
15a-B4-13 熱光子によりポンプされたナノ共振器ラマン系の数値解析
〇乾 善貴 1, 浅野 卓 1, 高橋 和 2, 野田 進 1
1. 京大院工 , 2. 阪府大院
9/15(Thu.) 13:45 - 15:45 口頭講演 (Oral Presentation) B4 会場
13:45
15p-B4-1 DBR 上ナノワイヤ量子ドットレーザにおける閾値特性の向上 〇館林 潤 1, 太田 泰友 1, 岩本 敏 1,2, 荒川 泰彦 1,2
1. 東大ナノ量子機構 , 2. 東大生研
14:00
15p-B4-2 ナノ共振器シリコンラマンレーザの時間領域測定（Ⅱ）
〇山下 大喜 1, 高橋 和 1, 浅野 卓 2, 野田 進 2
1. 大阪府大院工 , 2. 京大院工
14:15
15p-B4-3 単一 GaAs 液滴量子ドットの磁気発光測定
〇鍜治 怜奈 1, 冨永 隆宏 1, 間野 高明 2, 小田島 聡 3, 1. 北大院工 , 2. 物材機構 , 3. 八戸工大
2
1
1
黒田 隆 , 笹倉 弘理 , 足立 智
14:30
奨 15p-B4-4 チャープパルスを用いた量子ドット集合体のポピュレーション 〇青沼 直登 1, 佐藤 嘉高 1, 赤羽 浩一 2, 早瀬 潤子 1 1. 慶應大 , 2. 情報通信研究機構
反転実験
14:45
15p-B4-5 量子ドットもつれ光子源の安定性について
〇黒田 隆 1, 間野 高明 1, ハ ヌル 1, 劉 祥明 1, 佐久 1. 物材機構
間 芳樹 1, 迫田 和彰 1
15:00
E 15p-B4-6 Entangled photon emitting diode based on GaAs droplet
〇 (P)Neul Ha1, Takaaki Mano1, Yoshiki Sakuma1, 1.NIMS
quantum dots
Kazuaki Sakoda1, Takashi Kuroda1
15:15
15p-B4-7 量子ドット - 結合共振器系におけるもつれ二光子 N00N 状態生 〇上出 健仁 1, 太田 泰友 1, 岩本 敏 1,2, 荒川 泰彦 1,2 1. 東大ナノ量子機構 , 2. 東大生研
成の理論
15:30
15p-B4-8 量子ドット励起子分子 - ナノ共振器系における Feshbach 共鳴 〇太田 泰友 1, 上出 健仁 1, 岩本 敏 1,2, 荒川 泰彦 1,2 1. 東大ナノ量子 , 2. 東大生研
を用いた光子 - 光子相関制御の検討
CS.6 10.1，10.2，10.3，10.4 コードシェアセッション「新規スピン操作方法および関連現象」/ 10.1, 10.2, 10.3, 10.4 Code-sharing session[Emerging control-methods of magnetization and
related phenomena]
9/16(Fri.) 9:30 - 12:00
口頭講演 (Oral Presentation) C41 会場
9:30
奨 E 16a-C41-1 Sputtering condition dependence of spin-orbit torque induced 〇 (DC)Chaoliang Zhang1, Shunsuke Fukami1,2,3,4,
1.Laboratory for Nanoelectronics and Spintronics,
magnetization reversal in W/CoFeB/MgO heterostructure
Kyota Watanabe1, Ayato Ookawara1, Samik
RIEC, Tohoku Univ., 2.CSIS, Tohoku Univ., 3.CIES,
DuttaGupta1, Hideo Sato2,3,4, Fumihiro
Tohoku Univ., 4.CSRN, Tohoku Univ., 5.WPIMatsukura1,2,4,5, Hideo Ohno1,2,3,4,5
AIMR, Tohoku Univ.
1
1
1
9:45
奨 E 16a-C41-2 Current induced effective fields of Ta/CoFeB/MgO hetero
〇 Hiromu Gamou , Kohda Makoto , Junsaku Nitta 1.Tohoku Univ.
structure depending on Ta crystal structures
10:00
E 16a-C41-3 Bistable magnetization switching induced by the spin-orbit
〇 Tomohiro Koyama1, Yicheng Guan1, Daichi
1.The Univ. of Tokyo
torque in Pt/Co/Pd structure against the thermal disturbance
Chiba1
1
1
10:15
E 16a-C41-4 Investigation of the spin-transfer torque generated by
〇 (P)Satoshi Iihama , Kay Yakushiji , Tomohiro
1.Spintronics Research Center, AIST, 2.Osaka Univ.
anomalous Hall effect
Taniguchi1, Hitoshi Kubota1, Sumito Tsunegi1,
Shingo Tamaru1, Yoichi Shiota1, Yoshishige
Suzuki1,2, Akio Fukushima1, Shinji Yuasa1
10:30
休憩 /Break

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