PIN フォトダイオード PNZ331F (PN331F) PINフォトダイオード Unit : mm VR 30 PD 50 mW Topr −25 ∼ +100 °C Tstg −40 ∼ +100 °C V (0.3) 2 3 1 1: Anode 2 : Case 3 : Cathode ■ 受光部寸法 1.1 Unit : mm 0.88 Active region 守 保存温度 (0.5) 1. 0± 0. 1 単位 φ2.54±0.25 定格 廃 動作周囲温度 φ2.4±0.1 φ5.4±0.1 14.2±0.5 止 予 最 一 定品 新 括 種 の し 、 ht 情 て 保 tp 報 保 守 :// は 守 品 w ホ 廃 w w ー 止 種、 .s ム と 廃 em ペ 表 ic ー 記 予定 on ジ し .p を て 品種 an ご い as 覧 ま 、 on く す 廃品 ic だ 。 種 .c さ o. い を jp 。 記号 ±3° 許容損失 3-φ0.45±0.04 45° ■ 絶対最大定格 Ta = 25°C 逆電圧( 直流値) 3.2±0.05 • シールド端子つきメタルパッケージ • プラスチックファイバ、 ガラスファイバに適合した高い結合 特性 • 高い量子効率 • 高速応答 項目 φ4.6±0.05 ■ 特 長 1 0. 0± 1. 光通信機器用 A1 φ0.1 ■ 電気的特性 • 光学的特性 Ta = 25°C 保 項目 記号 暗電流 光電流 ピーク感度波長 端子間容量 受光感度 半値角 保 守 周波数応答特性 *2 受光面形状 条件 ID VR = 10 V 最小 標準 最大 単位 0.1 10 nA IL VR = 10 V, L = 1 000 lx 7 µA λP VR = 10 V 900 nm fC VR = 10 V, RL = 50 Ω 50 MHz Ct VR = 10 V 3 pF *1 4 R VR = 10 V, λ = 800 nm 0.55 A/W θ 垂直入射時の 50% となる角度 40 ° D 有効受光領域 0.88 0.45 mm 注 ) 1. 分光感度特性 : 400 nm を越える波長における感度の、最大感度に対する比率は 100% です 2. 本製品は耐電磁波、耐重荷電粒子を考慮した設計ではありません 3. 本製品のガラス強度は、0.5 kg 以上には耐えられません従って、光ファイバを実装される場合には、十分考慮して ご使用願います 注 ) *1 : 光源はタングステンランプ(色温度 T = 2 856 K)で測定 *2 : スイッチングタイム測定回路(下図参照) ただし、受光光電流の −3 dB Sig. in VR = 10 V (入力パルス) λP = 800 nm 50 Ω 90% 10% Sig. out RL (出力パルス) td tr tf td : 遅れ時間 tr : 上昇時間 (光電流がピーク値の10%から90%に上昇する時間) tf : 下降時間 (光電流がピーク値の90%から10%に下降する時間) 注 ) ( )内は, 従来品番です 1 PIN フォトダイオード PNZ331F P D Ta IL L 102 60 50 IL P 102 VR = 10 V Ta = 25°C T = 2 856 K 30 20 10 光電流 IL (µA) 光電流 IL (µA) 許容損失 PD (mW) 10 40 VR = 10 V Ta = 25°C λ = 800 nm 1 10−1 1 10−1 0 −25 0 20 40 60 80 止 10 10−2 10 100 102 104 10−2 10−1 照度 L (lx) 1 ∆IL Ta 1 160 VR = 10 V L = 1 000 lx T = 2 856 K 廃 Ta = 25°C 102 10 入射光強度 P (µW) 予 最 一 定品 新 括 種 の し 、 ht 情 て 保 tp 報 保 守 :// は 守 品 w ホ 廃 w w ー 止 種、 .s ム と 廃 em ペ 表 ic ー 記 予定 on ジ し .p を て 品種 an ご い as 覧 ま 、 on く す 廃品 ic だ 。 種 .c さ o. い を jp 。 周囲温度 Ta (°C) ID V R 103 ID T a 103 VR = 10 V 102 0 8 16 0 −40 −20 0 20 40 60 80 10−3 −40 −20 100 VR = 10 V L = 1 000 lx 0 20 40 60 80 100 周囲温度 Ta (°C) 分光感度特性 100 周波数特性 6 VR = 10 V Ta = 25°C 4 保 守 相対光電流 ∆IL (%) 120 10−1 周囲温度 Ta (°C) VR = 10 V RL = 50 Ω Ta = 25°C 80 2 相対感度 ∆S (%) 保 ∆IL Ta 1 10−2 逆電圧 VR (V) 160 10 40 32 24 80 80 相対出力 ∆P (dB) 10−2 暗電流 ID (nA) 相対光電流 ∆IL (%) 10−1 守 暗電流 ID (nA) 120 60 40 0 −2 −4 −6 40 20 −8 0 −40 −20 0 20 40 60 周囲温度 Ta (°C) 2 80 100 0 200 400 600 800 波 長 λ (nm) 1 000 1 200 −10 1 10 102 周波数 f (MHz) 103 PIN フォトダイオード PNZ331F 結合損失特性 LX , LY X, Y Ct VR 0 f = 1 MHz Ta = 25°C 0 −1 結合損失 LX , LY (dB) 端子間容量 Ct (pF) 10 1 10−1 −2 −3 102 10 止 1 0.4 0.8 −3 −4 Fiber Y VR = 10 V T = 25°C −5 a − 0.8 − 0.4 Z X φ0.2 mm 0 0.4 0.8 距離 X, Y (mm) 結合損失特性 廃 0 −1 結合損失 LZ (dB) −1 −3 −4 守 −2 0.4 X 0.8 距離 Z (mm) 保 0 Fiber Y X, Y = 0 mm VR = 10 V Ta = 25°C Z φ1 mm 1.2 1.6 −2 −3 −4 −5 Y X, Y = 0 mm VR = 10 V Ta = 25°C 0 0.4 Fiber Z X φ0.2 mm 0.8 1.2 1.6 距離 Z (mm) 保 守 結合損失 LZ (dB) X 0 距離 X, Y (mm) 結合損失特性 −5 Z φ1 mm −2 予 最 一 定品 新 括 種 の し 、 ht 情 て 保 tp 報 保 守 :// は 守 品 w ホ 廃 w w ー 止 種、 .s ム と 廃 em ペ 表 ic ー 記 予定 on ジ し .p を て 品種 an ご い as 覧 ま 、 on く す 廃品 ic だ 。 種 .c さ o. い を jp 。 逆電圧 VR (V) 0 Fiber Y VR = 10 V T = 25°C −5 a − 0.8 − 0.4 Z = 0.5 mm −1 Z = 0.3 mm −4 10−2 10−1 Z = 0 mm Z = 0 mm 結合損失 LX , LY (dB) 102 結合損失特性 LX , LY X, Y 3 本書に記載の技術情報および半導体のご使用にあたってのお願いと注意事項 (1) 本書に記載の製品および技術情報を輸出または非居住者に提供する場合は、当該国における法令、特に安全保障輸出 管理に関する法令を遵守してください。 (2) 本書に記載の技術情報は、製品の代表特性および応用回路例などを示したものであり、弊社または他社の知的財産権 もしくはその他の権利に基づくライセンスは許諾されていません。したがって、上記技術情報のご使用に起因して第三 者所有の権利にかかわる問題が発生した場合、弊社はその責任を負うものではありません。 (3) 本書に記載の製品は、標準用途 − 一般電子機器(事務機器、通信機器、計測機器、家電製品など)に使用されること を意図しております。 特別な品質、信頼性が要求され、その故障や誤動作が直接人命を脅かしたり、人体に危害を及ぼす恐れのある用途 − 特定用途(航空・宇宙用、交通機器、燃焼機器、生命維持装置、安全装置など)にご使用をお考えのお客様および弊 社が意図した標準用途以外にご使用をお考えのお客様は、事前に弊社営業窓口までご相談願います。 (4) 本書に記載の製品および製品仕様は、改良などのために予告なく変更する場合がありますのでご了承ください。した がって、最終的な設計、ご購入、ご使用に際しましては、事前に最新の製品規格書または仕様書をお求め願い、ご確認 ください。 予 最 一 定品 新 括 種 の し 、 ht 情 て 保 tp 報 保 守 :// は 守 品 w ホ 廃 w w ー 止 種、 .s ム と 廃 em ペ 表 ic ー 記 予定 on ジ し .p を て 品種 an ご い as 覧 ま 、 on く す 廃品 ic だ 。 種 .c さ o. い を jp 。 止 (5) 設計に際しては、絶対最大定格、動作保証条件(動作電源電圧、動作環境等)の範囲内でご使用いただきますようお願 いいたします。特に絶対最大定格に対しては、電源投入および遮断時、各種モード切替時などの過渡状態においても、 超えることのないように十分なご検討をお願いいたします。保証値を超えてご使用された場合、その後に発生した機器 の故障、欠陥については弊社として責任を負いません。 また、保証値内のご使用であっても、半導体製品について通常予測される故障発生率、故障モードをご考慮の上、弊 社製品の動作が原因でご使用機器が人身事故、火災事故、社会的な損害などを生じさせない冗長設計、延焼対策設計、 誤動作防止設計などの システム上の対策を講じていただきますようお願いいたします。 廃 (6) 製品取扱い時、実装時およびお客様の工程内における外的要因(ESD、EOS、熱的ストレス、機械的ストレス)による 故障や特性変動を防止するために、使用上の注意事項の記載内容を守ってご使用ください。 また、防湿包装を必要とする製品は、保存期間、開封後の放置時間など、個々の仕様書取り交わしの折に取り決めた 条件を守ってご使用ください。 守 保 保 090506 守 (7) 本書の一部または全部を弊社の文書による承諾なしに、転載または複製することを堅くお断りいたします。
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