9th May, 2016 (Monday)
Opening (13:00-13:10)
大ホール
三宅 秀人（三重大学）
Session I: 基調講演
大ホール
PL-Mo-1
13:10-14:00 (50min)
窒化物半導体パワーデバイスの研究開発の現状と今後の展望
加地 徹
名古屋大学未来材料・システム研究所
Session II: チュートリアル講演
大ホール
T-Mo-1
14:00-14:45 (45min)
窒化物半導体の光物性
山口 敦史
金沢工業大学工学部
Coffee break (14:45-15:00)
2F ラウンジ
Session III: チュートリアル講演
大ホール
T-Mo-2
15:00-15:45 (45min)
VAS 法による GaN 基板結晶とホモエピ成長および GaN 基板上成長による電子デバイス特性の向上
乙木 洋平
株式会社サイオクス
Session IV: 一般講演 I (Short Presentation I)
大ホール
15:45-16:35 (252min)
Mo-1.
DLTS/MCTS 法による MOCVD 成長 n-GaN の電子-正孔トラップ評価
徳田 豊、高林 洸太、上田 聖悟
愛知工業大学
Mo-2.
N 極性(000–1)InGaN における局所発光の III 族原料供給比依存性
野々田 亮平、谷川 智之、正直 花奈子、木村 健司、窪谷 茂幸、片山 竜二、
松岡 隆志
東北大学金属材料研究所
Mo-3.
自立 GaN 基板上 m 面 Al1-xInxN エピタキシャル薄膜の発光特性
秩父 重英 1、小島 一信 1、山崎 芳樹 1、上殿 明良 2
1
Mo-4.
東北大学多元物質科学研究所、2 筑波大学数理物質系物理工学域
SiC 基板上 AlN 層成長における基板ステップ端へのミスフィット転位導入
金子 光顕、木本 恒暢、須田 淳
京都大学大学院工学研究科
Mo-5.
Na フラックス法によるサファイア溶解を用いた自立 GaN 基板の反り評価
山田 拓海、今西 正幸、中村 幸介、村上 航介、今林 弘毅、松尾 大輔、
本城 正智、丸山 美帆子、今出 完、吉村 政志、森 勇介
大阪大学大学院工学研究科
Mo-6.
数値解析による InGaN/GaN 多重量子井戸内の圧縮歪みに対する補償効果の検討
向山 裕次 1、M.E. Rudinsky2, K. A. Bulashevich2, E.V. Yakovlev2
1
Mo-7.
STR Japan 株式会社、2STR-Group Soft-Impact Ltd.,
ホモエピタキシャル成長 n 型 GaN 縦型ショットキーバリアダイオードに
表面から光照射したときの光電流
前田 拓也 1、上野 昌紀 2、山本 喜之 2、岡田 政也 2、堀田 昌宏 2、須田 淳 1
1
Mo-8.
京都大学大学院工学研究科、2 住友電気工業株式会社
SiC 基板上直接 GaN 成長における基板のレーザー処理の影響
宮川 鈴衣奈、宮地 祐太、三好 実人、江川 孝志、江龍 修
名古屋工業大学大学院工学研究科
Mo-9.
ScAlMgO4(0001)基板上 InGaN 薄膜における組成引き込み効果
尾崎 拓也、船戸 充、川上 養一
京都大学大学院工学研究科
Mo-10.
レーザ散乱を用いた InGaN 結晶成長表面粗さ回復の観察
山本 哲也 1、永松 謙太郎 2、出来 真斗 2、新田 州吾 2、本田 善央 2、天野 浩 2, 3,4
Mo-11.
1
名古屋大学大学院工学研究科、
2
名古屋大学未来材料・システム研究所 未来エレクトロニクス集積研究センター
3
名古屋大学赤崎記念研究センター、4 名古屋大学ベンチャービジネスラボラトリー
アルミナ炭素熱還元法により AlN バッファ層上に成長した AlN の結晶性向上
大塚 誠 1、藤原 圭吾 1、三宅 秀人 2、福山 博之 1
1
Mo-12.
東北大学 多元物質科学研究所、2 三重大学大学院地域イノベーション学研究科
PSD 法による GaN への低濃度ドーピング技術の開発
上野 耕平 1、荒川 靖章 1、小林 篤 1、太田 実雄 1,2、藤岡 洋 1,3
1
Mo-13.
東京大学生産技術研究所、2JST-PRESTO、3JST-ACCEL
Si 基板上(1-101)高 In 組成 InGaN 結晶の緩和過程
久志本 真希 1、本田 善央 1、天野 浩 1,2, 3
Mo-14.
1
名古屋大学未来材料・システム研究所 未来エレクトロニクス集積研究センター
2
名古屋大学赤崎記念研究センター、3 名古屋大学ベンチャービジネスラボラトリー
フッ素プラズマを用いた InN の表面電化蓄積層の影響軽減に関する研究
福島 駿介、臼田 知志、荒木 努、名西 憓之
立命館大学大学院理工学研究科
Mo-15.
β-Ga2O3 単結晶基板を用いたショットキーバリアダイオードの評価
藤木 嘉樹 1、荒木 努 1、Y. Moon2、A. Kim2
1
Mo-16.
立命館大学大学院理工学研究科、2UJL
HVPE 法におけるファセット成長を介した埋め込み成長の全面低転位化機構
岡田 成仁、行實 孝太、河原 慎、松原 徹、只友 一行
山口大学大学院創成科学研究科
Mo-17.
高温アニール処理のスパッタ AlN 層における効果
袴田 淳哉 1、岩谷 素顕 1、上山 智 1、竹内 哲也 1、三宅 秀人 2、赤﨑 勇 1, 3
Mo-18.
1
名城大学大学院理工学研究科、2 三重大学大学院地域イノベーション学研究科
3
名古屋大学赤崎記念研究センター
GaInN トンネル接合と n 型 GaNSb による低温 p 側構造の作製
鈴木 健太 1、財部 覚 1、高須賀 大貴 1、小出 典克 1、
竹内 哲也 1、岩谷 素顕 1、上山 智 1、赤﨑 勇 1, 2
1
Mo-19.
名城大学大学院理工学研究科、2 名古屋大学赤崎記念研究センター
窒化物半導体のガラス基板上への成長と薄膜トランジスタ応用
小林 篤 1、伊藤 剛輝 1、上野 耕平 1、太田 実雄 1, 2、藤岡 洋 1, 3
1
Mo-20.
東京大学生産技術研究所、2JST さきがけ、3JST-ACCEL
トリハライド気相成長法を用いた N 極性窒化ガリウムの高温成長
竹川 直、引田 和弘、松田 華蓮、林田 直人、村上 尚、熊谷 義直、纐纈 明伯
東京農工大学大学院工学研究科応用化学部門
Mo-21.
THz エリプソメトリーによる n 型 GaN 膜の電気的特性評価
達 紘平 1、浅上 史歩 1、藤井 高志 1, 3、荒木 努 1、名西 憓之 1、
長島 健 2、岩本 敏志 3、佐藤 幸徳 3、森田 直 4、杉江 隆一 4、上山 智 5
Mo-22.
1
立命館大学大学院理工学研究科、2 摂南大学、3 日邦プレシジョン、
4
東レリサーチセンター、5 名城大学
微小なオフ角に由来する c 面 AlGaN/AlN ヘテロ界面における c 面すべりの可能性
市川 修平、船戸 充、川上 養一
京都大学大学院工学研究科
Mo-23.
マクロステップを利用した AlGaN 量子細線構造による温度消光の低減
早川 峰洋、林 佑樹、市川 修平、船戸 充、川上 養一
京都大学大学院工学研究科
Mo-24.
InN(0001)面および(000-1)面 MOVPE 成長の熱力学解析
草場 彰 1、寒川 義裕 2、白石 賢二 3、柿本 浩一 2、纐纈 明伯 4
Mo-25.
1
九州大学大学院工学府、2 九州大学応用力学研究所、
3
名古屋大学未来材料・システム研究所、4 東京農工大学大学院工学研究科
RF-MBE 法による GaN/Sapphire 上への Mg ドーピング GaN 成長
藤田 諒一、松田 雅大、荒木 努、名西 憓之
立命館大学大学院理工学研究科
一般講演 I (Poster Presentation I) + Exhibition (16:35-18:00)
3F ラウンジ
意見交換会 (18:00-19:30)
2F ラウンジ
10th May, 2016 (Tuesday)
Session V: 特別講演＆招待講演
大ホール
S-Tu-1
9:00-9:45 (45min)
超高純度ダイヤモンドの成長とその物性
寺地 徳之
物質・材料研究機構
I-Tu-1
9:45-10:15 (30min)
放射光マイクロビーム X 線による InGaN 発光層の評価
榊 篤史, 川村 朋晃, 宮野 宗彦, 吉成 篤史
日亜化学工業株式会社
Coffee break (10:15-10:30)
2F ラウンジ
Session VI: 一般講演 II (Short Presentation II)
大ホール
10:30-11:20 (232min)
Tu-1.
ラマン散乱スペクトルにおけるファノ干渉を用いた窒化物半導体の正孔濃度
評価モデルの検討
坂本 裕則、馬 蓓、森田 健、石谷 善博
千葉大学大学院工学研究科
Tu-2.
GaN 単結晶の絶対輻射量子効率測定
小島 一信 1、大友 友美 1、斉藤 真 1, 2、池田 宏隆 2、藤戸 健史 2、秩父 重英 1
1
Tu-3.
東北大学多元物質科学研究所、2 三菱化学株式会社
OVPE 成長条件下における GaN(0001)表面状態の解析
河村 貴宏 1、北本 啓 2、今出 完 2、吉村 政志 2、森 勇介 2、森川 良忠 2、
寒川 義裕 3、柿本 浩一 3
1
Tu-4.
三重大学大学院工学研究科、2 大阪大学大学院工学研究科、3 九州大学応用力学研究所
ハフニウム上への GaN 薄膜成長と発光素子への応用
金 惠蓮 1、太田 実雄 1, 2、井上 茂 1、小林 篤 1、上野 耕平 1、藤岡 洋 1, 3
1
Tu-5.
The Univ. of Tokyo, 2JST-PRESTO, 3JST-ACCEL
r 面サファイア上への a 面 AlN 成長における
バッファ層の成長温度およびバッファ層アニール条件依存性
林 家弘 1、山下 泰弘 1、三宅 秀人 1, 2、平松 和政 1
1
Tu-6.
三重大学大学院工学研究科、2 三重大学大学院地域イノベーション学研究科
ESVPE 成長 AlN の厚膜化に伴う歪および転位の評価
岸元 克浩、Wu PeiTsen、船戸 充、川上 養一
京都大学大学院工学研究科
Tu-7.
光電流測定による窒化物系 LED の内部量子効率評価
宇佐美 茂佳 1、本田 善央 1, 2、天野 浩 1, 2, 3, 4
Tu-8.
1
名古屋大学大学院工学研究科、
2
名古屋大学未来材料・システム研究所 未来エレクトロニクス集積研究センター
3
名古屋大学赤崎記念研究センター、4 名古屋大学ベンチャービジネスラボラトリー
ハイドライド気相成長法における GaN ファセット形状と転位挙動
行實 孝太、河原 慎、岡田 成仁、只友 一行
山口大学大学院創成科学研究科
Tu-9.
N 極性 InGaN/GaN 量子井戸の微視的構造・光学特性
谷川 智之 1、正直 花奈子 1、野々田 亮平 1、窪谷 茂幸 1、
片山 竜二 1、松岡 隆志 1、高宮 健吾 2、矢口 裕之 2、秋山 英文 3
1
Tu-10.
東北大学金属材料研究所、2 埼玉大学大学院理工学研究科、3 東京大学物性研究所
GaN ナノコラム上 InGaN ナノコラムにおける成長機構の系統的検討
大音 隆男 1、水野 祐太郎 1、柳原 藍 1、宮川 倫 1、加納 達也 1、吉田 純 1、
榊原 直樹 1、岸野克巳 1, 2
1
Tu-11.
上智大学理工学部機能創造理工学科、2 上智大学ナノテクリサーチセンター
Nano-size concavo-convex (NCC)サファイア基板を用いた高品質 AlN 膜成長
吉川 陽 1, 3、岩谷 素顕 1、竹内 哲也 1、上山 智 1、赤﨑 勇 1, 2
1
Tu-12.
名城大学大学院理工学研究科、2 名古屋大学赤崎記念研究センター、3 旭化成
r 面サファイアの窒化による a 面 AlN 薄膜の形成と Ga-Al 液相法によるその厚膜化
安達 正芳、福山 博之
東北大学多元物質科学研究所
Tu-13.
トリハライド気相成長法による GaN 成長の基板面方位依存性
松田 華蓮、磯 憲司、竹川 直、引田 和宏、林田 直人、村上 尚、纐纈 明伯
東京農工大学大学院工学府応用化学専攻
Tu-14.
短周期配列ナノコラムの黄色領域光励起レーザ発振
松井 祐三 1、石沢 峻介 1、本山 界 1、岸野 克巳 1, 2
1
Tu-15.
上智大学理工学部機能創造理工学科、2 上智大学ナノテクリサーチセンター
GaN キャップ層導入による低温成長 AlN 層の高品質化および水分解光電極の特性向上
中村 亮裕 1、藤井 克司 2、中野 義昭 1、杉山 正和 1
1
Tu-16.
東京大学大学院工学系研究科、2 北九州市立大学環境技術研究所
窒化物半導体 HFET 型光センサの動作に関する温度依存性
牛田 彩希 1、吉川 陽 1, 3、岩谷 素顕 1、上山 智 1、竹内 哲也 1、赤﨑 勇 1, 2
1
Tu-17.
名城大学大学院理工学研究科、2 名古屋大学赤崎記念研究センター、3 旭化成
窒化物混晶半導体の IQB 理論 による電子状態計算
岸 彩香、小田 将人、篠塚 雄三
和歌山大学大学院システム工学研究科
Tu-18.
GaN における定常状態励起子分子準位間遷移過程理論計算
野町 健太郎、岩堀 友洋、大木 健輔、馬 蓓、森田 健、石谷 善博
千葉大学大学院工学研究科
Tu-19.
Effect of Oxygen on Surface Morphology and Crystalline Quality of AlN Films
Deposited by Pulsed DC
Reactive Sputtering
Noorprajuda Marsetio, Makoto Ohtsuka, Hiroyuki Fukuyama
Institute of Multidisciplinary Research for Advanced Materials (IMRAM), Tohoku University
Tu-20.
非熱平衡状態における GaN 励起子ダイナミクスの実験解析及び数値計算
馬 蓓 1、竹内 和真 1、石谷 善博 1、三宅 秀人 2、平松 和政 2
1
Tu-21.
千葉大学大学院工学系研究科、2 三重大学大学院工学系研究科
微小共振器による Eu 添加 GaN の発光モード制御
稲葉 智宏、児島 貴徳、小泉 淳、藤原 康文
大阪大学大学院工学研究科
Tu-22.
Na フラックス法によるマルチポイントシード上への(11-22)GaN 結晶成長
金 度勲、今西 正幸、山田 拓海、本城 正智、村上 航介、松尾 大輔、
今林 弘毅、丸山 美帆子、今出 完、吉村 政志、森 勇介
大阪大学大学院工学研究科
Tu-23.
メタンガスを添加した Na フラックス法における GaN 成長速度の向上
今出 完、小川 翔悟、 今西 正幸、村上 航介、今林 弘毅、松尾 大輔、
本城 正智、丸山 美帆子、吉村 政志、森 勇介
大阪大学大学院工学研究科
Lunch break (11:20-12:30)
一般講演 II (Poster Presentation II) + Exhibition (12:30-14:00)
3F ラウンジ
Session VII: チュートリアル講演＆招待講演
大ホール
I-Tu-2
14:00-14:30 (30min)
歪補償障壁層を用いた橙色 InGaN 系 LED
飯田 大輔 1、芦 深 1、秋田谷 健人 1、丹羽 一将 2、上山 智 2、大川 和宏 1
1
東京理科大学応用物理学科、2 名城大学理工学研究科
I-Tu-3
14:30-15:00 (30min)
GaN と AlN の物性定数の同定と(Al,Ga)N 系半導体の物性予測
石井 良太、船戸 充、川上 養一
京都大学大学院工学研究科
I-Tu-4
15:00-15:30 (30min)
ナノインデンテーションを用いた InN の弾性特性の解明
出浦 桃子 1、沓掛 健太朗 1、大野 裕 1、米永 一郎 1、王 新強 2
1
東北大学金属材料研究所、2 北京大学
T-Tu-1
15:30-16:15 (45min)
GaN の MOVPE 成長と表面過飽和度
赤坂 哲也
日本電信電話株式会社 NTT 物性科学基礎研究所
Closing (16:15-16:45)
大ホール
藤岡 洋（東京大学）

第 19 回NMRマイクロイメージング研究会

平成 28 年度触媒学会西日本支部触媒技術セミナー