Solar Technology & Systems www.galip-solar.de Micromorphes Hochleistungsdünnschichtmodul HelioSphera Die Dünnschichtmodule in Tandemstruktur einer mikrokristallinen und einer amorphen Siliziumschicht des Herstellers Heliosphera werden in einem der modernsten Werke der Welt hergestellt. Der im Vergleich zu kristallinen Siliziummodulen außergewöhnliche Leistung wie auch ein verbesserter Temperaturkoeffizient der Module von Heliosphera gewährleisten besonders hohe Energieerträge unter verschiedensten klimatischen Bedingungen. Sie sind folglich eine besonders zuverlässige und rentable Investion. Die Hauptaktivitäten des europäischen Unternehmens ist die Herstellung von Dünnschicht Photovoltaikmodule mit einer jährlichen Produktionskapazität von 60 MW. Diese hoch-technologische Investition erfordert ein hohes Maß an Forschungs-und Entwicklungs Arbeit, welche mit verschiedenen europäischen Universitäten und Institutionen durchgeführt wird. Mikromorphe Module von Heliosphera werden nach den strengsten Qualitätsstandards hergestellt und erbringen ein hohes Maß an Leistung auch bei Schwachlichtverhältnisse. Das bedeutet für den Anlagebetreiber eine überdurchschnittliche Einspeisung und eine damit verbundene höhere Anlagenrendite. Features: • Hohe Rentabilität der Investition durch höchste Energieeffizienz • Langfristiger Betrieb und hohe Zuverlässigkeit • Produktgarantie: 5 Jahre • Leistungsgarantie: 90% 10 Jahre / 80% 25 Jahre • Die rahmenlose Bauart verhindert Einstauben oder Verschmutzen • Hervorragender Wirkungsgrad bei höheren Temperaturen • Ausgezeichnetes Schwachlichtverhalten • Minimaler Energieverlust bei Beschattung • Harmonisches Erscheinungsbild und ästhetisches Design • Umweltfreundlich dank nicht toxischer Materialien und effizienter Herstellungsverfahren GALIP GmbH Otto-Hahn-Str. 20 34253 Lohfelden Tel: +49 561 95 12 97 - 0 Fax: +49 561 95 12 97 - 20 [email protected] www.galip-solar.de ...FÜR DIE ZUKUNFT GERÜSTET Mikromorphes Solarmodul HELIOSPHERA HS-110/115/120/125 Technische Daten Die duale Halbleiter-Strukturebene bei mikromorphen Modulen optimiert die Nutzung des Lichtspektrums durch die höhere Umwandlung des Sonnenlichts in Elektrizität. Die amorphe Schicht maximiert den Einfang des difussen und direkten Lichtstrahles, während die mikrokristalline Schicht den infraroten Teil des Spektrums in Elektrizität umwandelt. Damit erreicht ein auf mikromorphe Technologie basiertes Modul 50% mehr Effizienz als ein konventionelles amorphes Modul. Elektrische Kennwerte Typ HS-110 HS-115 HS-120 HS-125 Pm(W) 110 115 120 125 (%) +3%/-3% +3%/-3% +3%/-3% +3%/-3% Spannung bei Nennleistung Vmpp(V) 97 98 99 100 Stromstärke bei Nennleistung Impp (A) 1,14 1,18 1,22 1,25 Leerlaufspannung Voc (V) 128 129 130 131 Kurzschlussstrom Isc (A) 1,39 1,42 1,44 1,45 % 7,69 8,04 8,39 8,74 Max. Leistung Leistungstoleranz Modulwirkungsgrad Max. Systemspannung Vmax 1000 V Zellart Tandemzelle aus a-Si und µc-Si Temperaturkoeffizient Isc 0,06%/°C Temperaturkoeffizient Voc -0,33%/°C Temperaturkoeffizient Pmax -0,24%/°C Mechanische Kennwerte Abmessungen (mm) 1300*1100 Stärke (Ohne Anschlussbox) 6,4 mm Gewicht 25 kg Einbettungs- und Versiegelungsmaterial Poly-Vinyl-Butyral (PVB) Vorderseite 3,2 mm ferroarmes Weißglas Hintere Abdeckung 3,2 mm Anschlussbox 1 x IP65 Kabel Stärke: 2,5mm²/Länge 800-1000 Steckanschluss MC-4 Grenzwerte Temperaturbereich -40°C bis +85°C Max. Belastung 2400 N/m² Die elektrischen Daten gelten bei Standard-Testbedingungen (STC). Einstrahlung 1.000 W/m² mit Lichtspektrum AM 1,5 bei einer Zellentemperatur von 25 °C. Änderungen der technischen Daten sind ohne vorherige Ankündigung möglich. Die GALIP GmbH trägt keine Verantwortung für Schäden an Geräten, die anhand von nicht abgesicherten Informationen mit unseren Produkten bestückt wurden. Die Spezifikationen können geringfügig abweichen und sind ohne Gewähr. IEC 61730 IEC 61646 ISO 9001 ISO 14001* ISO 18001*
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