1700V高耐圧 SiC-MOSFET [SCT2H12NZ]

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1700V高耐圧 SiC-MOSFET
SCT2H12NZ
産業機器に搭載される補機電源に最適！
1700V高耐圧SiC-MOSFET登場
製品概要
TO-268-2L
(開発中)
■
Siの限界を超えるデバイスとして注目のSiCデバイス。より高性能化のキー材料として大きく期待されています。
高電圧・大電力の産業機器アイテムに搭載される補機電源ユニットには、従来1000V耐圧をこえるような
Si-MOSFETが採用されており、高効率SiC-MOSFETへ置き換えることで、発熱低減によるヒートシンクなど部品削
減が期待できます。今回、新たに1700Vクラス製品をリリースし、SiC-MOSFETを容易に評価いただけるよう、評価
用基板も準備しています。
TO-3PFM
SiC化でヒートシンク不要※
■
産機向け補機電源用に最適！
Siに比べSiCは大幅にオン抵抗が低いので、高効率に動作し発熱が低減できます。
メインドライブ
コンバータ
ヒートシンク必要
ヒートシンク
不要
自動実装
可能
AC 400V以上
コンバータ
インバータ
モータなど
DC 5V∼48V
（コントローラ、
システムなど）
適応回路例
補機電源
（開発中）
MOSFET
フライバックコンバータ
Si-MOSFETの場合
RDS(ON) : 9.0Ω<Typ.>
SiC-MOSFETの場合
RDS(ON) : 1.15Ω<Typ.>
※お客様の使用環境によります
■
太陽光発電、工業用インバータ、半導体装置、試験装置などで高電圧入
力対応の補機電源用途として最適です。
挿入型と面実装型の2パッケージをラインアップさらに評価用電源基板も準備！
1700V SiC-MOSFETラインアップ
品名
SCT2H12NZ
パッケージ
評価用基板（BD7682FJ-LB-EVK-402）
極性
VDSS
TO-3PFM
☆SCT2H12NY
Nch
1700V
ID
PD
(Tc=25℃)
3.7A
35W
4A
44W
5.9A
57W
TO-268-2L
☆SCT2750NY
RDS(ON)
VGS=18V
Qg
VGS=18V
1.15Ω
(Typ.)
14nC
(Typ.)
【表面】
【裏面】
17nC
(Typ.)
0.75Ω
(Typ.)
☆開発中
SiC-MOSFET評価用電源基板
（入力：三相AC380V 出力：24V1A<24W>)も準備しています。
（ローム製SiC-MOSFET用AC / DCコンバータ制御IC BD7682FJ-LB搭載）
SiC-M0SFETドライブ用
AC/DCコンバータ制御IC
(ROHM : BD7682FJ-LB)
2016
03
xx
.58F6959J 2016.03
1700V SiC-MOSFET
(ROHM : SCT2H12NZ)

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