集束イオンビーム加工装置FIB
ナノテク推進
量子物性
（石田研究室）
集束イオンビーム
集束イオンビーム加工装置
イオンビーム加工装置 FBFB-2100
加速電圧10～40kV ビーム電流30nA 以上（＠40ｋV）
最大ビーム電流密度
25A/cm2 以上 （＠40ｋV）
像分解能
6nm以下 （＠40ｋV）
倍率 700倍～90k倍（＠40ｋV）
イオン源 Ga 液体金属
対物レンズ絞り
イオン源電動可動式CPU制御
レンズ・偏向器 静電型二段レンズ、レンズ間二段偏向方式
イオン源室6×10-6Pa以下 中間室8×10-5Pa以下
試料室6×10-4Pa以下
SIM像
① Gaイオンを加速し固体表面にぶつける
ことにより固体表面に微細加工が可能
② Wガス中でイオンビームをあてること
でWをデポジッションで造形が可能
ビットマップ
イオンビームによるＳｉ表面のナスカの地上絵
Wデポジッションによる
ピラミッドSIM像
YBCO薄膜の加工
観察＆組成分析
走査電子顕微鏡
走査電子顕微鏡 S-3000H
二次電子像分解能
高真空 3.0nm(25kV)
反射電子像分解能
Nモード
4.0nm(25kV)
倍率 x5～x300,000 加速電圧 0.3～30kV
低真空度設定
1～270Pa
スーパーユーセントリックステージ
① 電子レンズによる顕微鏡で試料表面を数万倍まで拡大
② 試料の導電性かくほのため金やC蒸着などの前処理
③ EDXにより微小部分の元素分析も可能
YBCOスペクトル分布図
角度0°
ＷのピラミッドSEM像
角度80°
エネルギー分散型
エネルギー分散型X
分散型X線分析装置
EMAX ENERGY EXEX-220SPA
異物？
検出素子
Si
分解能/素子面積
138eV,10mm2
EDX分析WD
15mm
YBCO薄膜SEM像
YBCO薄膜上の異物付近のマッピング