2015 01 02
パワーデバイス用シリコン
および関連半導体材料に関する研究会
(第 4 回)
2015 年
九州工業大学
日
時：2015 年 2 月 5 日（木）13：00 ～ 6 日（金）15：15
場
所：九州工業大学百周年中村記念館
主
催：パワーデバイス用シリコンおよび関連半導体材料関する研究会実行委員会
（2 階ホール）
日本学術振興会 結晶加工と評価技術第145委員会
後
援：国立大学法人九州工業大学
プログラム
2015 年 2 月 5 日（木）
【Opening Remarks】
13：00
開会のあいさつ
田島 道夫（宇宙航空研究開発機構
13：05
宇宙科学研究所；明治大学）
パワデバSi研究会 ― 第４回を迎えて
金田 寛
（九州工業大学）
大村 一郎
（九州工業大学）
【Plenary】
13：10
13：40
パワーデバイス開発の歴史と今後の展開
最新パワーデバイスを用いた電力変換装置とパワーデバイスへの期待
原 英則 （安川電機（株））
【Si 結晶成長】
14：10
パワーデバイス用低炭素 MCZ-Si 結晶の育成とその品質効果
鹿島 一日兒
14：40
（グローバルウェーハズ・ジャパン（株））
パワーデバイス用基板としての FZ-Si 結晶の特性について
十河 慎二
15：10
Coffee Break
（（株）SUMCO）
(20 分)
【GaN および SiC の結晶成長とデバイス応用 】
15：30
アモノサーマル法による高品質パワーデバイス用GaNウエハ
寺田
16：00
秀
GaN 電子デバイス応用に向けた MOCVD の課題と挑戦
松本 功
16：30
（（株）豊田中央研究所)
SiC の結晶性評価と基板の形状計測
綱木 英俊
17：30
(大陽日酸（株）)
GaN on GaN パワーデバイスへの期待と課題
加地 徹
17：00
（三菱化学（株）)
初日セッション終了
（（株）コベルコ科研)
18：10～【懇親会】 会場：九州工業大学百周年中村記念館１階，カフェ ド ルージュブラン
参加費：4,000 円, 現地払い．
2015 年 2 月 6 日（金）
【Si 照射欠陥の制御と活用】
9：00
HEV 用 Si パワーデバイスの結晶欠陥解析
杉山 隆英
9：30
（（株）豊田中央研究所）
Si パワーデバイスの電子線照射によるキャリア・ライフタイム制御時の不純物の影響
湊 忠玄
10：00
シリコンへの軽イオン照射効果とその欠陥挙動
伊藤 成志
10 : 30
（住重試験検査（株））
Si 中の微量炭素分析 ―PL によるアプローチ
中川 聰子
11：00
（三菱電機（株））
Coffee Break
（グローバルウェーハズ・ジャパン（株））
(20 分)
【Si 結晶欠陥評価】
11：20
Siエピタキシャルウェーハ中のミスフィット転位の解析と発生メカニズム
山本 秀和
11：50
（千葉工業大学）
フォトルミネッセンス/DLTSによるSi中Cu、Niの熱的振る舞い測定
中村 稔
12：20
昼
食
（茨城大学）
(1 時間 10 分)
【SiC】
13：30
SiC パワーデバイス開発の最新動向
田中 保宣
14：00
（（独）産業技術総合研究所）
高速 4H-SiC CVD 成長と欠陥挙動の解析
土田 秀一 （電力中央研究所）
14：30
溶液法 SiC 結晶成長における伝導型制御
楠 一彦 （新日鉄住金）
【Closing Remarks】
15：00
進展するパワーデバイス
村上
15：15
閉会
進
（（独）産業技術総合研究所）