産業技術総合研究所 ガリウム半導体研究連携拠点の設置 概要

産業技術総合研究所の一部を愛知県に移転し、
「産総研・名大窒化物半導体先進デバイスオープンイノベーションラボラトリ」
(仮称)を設置
○ 地方創生の観点から、愛知県に次世代半導体新素材(GaN)を活用した世界最先端の研究環境を形成。
○ 名古屋大学キャンパス内に産業技術総合研究所が「産総研・名大窒化物半導体先進デバイスオープンイノベーション
ラボラトリ」(仮称)を設置。また、名古屋大学の呼びかけによるオールジャパンの研究体制(GaN研究コンソーシア
ム)に、愛知県、科学技術交流財団が協力・支援することにより、省エネ社会の実現を加速。
安心・安全な生活
環境を提案
ITによる便利な
暮らし
省エネルギー社会の実現
パワー応用
光応用
白色照明、ディスプレイ応用で省エネ効果7%
電力損失を1/10に減らし、省エネ効果9%
紫外線素子により安全な飲み水を提供
装置の小型化、軽量化による車の燃費向上
高周波応用
超高速・高品質・省電力で情報伝送
等
GaN研究コンソーシアム
産総研・名大窒化物半導体先進
デバイスオープンイノベーション
ラボラトリ(仮称)
デバイス化、産業技術研究、実装支援
名古屋大学
未来エレクトロニクス集積
研究センター
基礎研究
橋渡し
技術シーズの汲み上げ
産業ニーズの把握
産業界
事業化・実用化
協力・支援
愛知県・科学技術交流財団
あいち産業科学技術総合センター
(愛知県)
産学行政連携共同研究プロジェクト
GaN結晶分析評価
企業の課題解決支援
研究成果の普及
あいちシンクロトロン光センター
(科学技術交流財団)