基本的な性能の調査（表面粗さ）
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Si基板上にNiを成膜
After deposition
Before deposition
Si基板上に直接Niを成膜
ガス流量→2 sccm
イオン加速電圧→1.0, 1.2, 1.4 kV
1.4 kV
1.2 kV
1.0 kV
200
200
2.0
400
1.5
1.5
1.0
200
0.5
100
100
100
1.0
300
1.2kV, 2sccm
RMS 0.22 nm
2.0
1.5
1.0
200
0.5
0.5
100
0.0
1.4kV, 2sccm
RMS 0.35 nm
500
400
X (nm)
300
2.0
X (nm)
300300
X (nm)
400
500
300
2.0
1.5
1.0
200
0.5
100
0.0
height (nm)
400400
1.0kV, 2sccm
RMS 0.31 nm
height (nm)
Si wafer (not deposited)
500
RMS 0.29 nm
height (nm)
500500
height (nm)
X (nm)
AFM計測結果
0.0
0.0
0
0
0
00
100
0
200 300
100Y (nm)
200
400
300
Y (nm)
500
0
400
500
100
200 300
Y (nm)
0.0
400
0.5
500
1.0
0
0
1.5
100
200 300
Y (nm)
400
2.0
基盤の表面粗さを保ったまま成膜可能
500
0
100
200 300
Y (nm)
400
500

チェックバルブ

圧力損失計算表（PDF：123.4KB）

ニードルバルブ

プロパン(プロピレン)ガス用線状加熱及びロウ付用火口詳細