ディスクリート・モジュール事業 ハイライト 社会システムの省エネ化に貢献する 最先端パワーデバイス Power Devices / Discrete Semiconductors Si、 SiC、 GaN、 すべての素材の特性を活かしたデバイス開発 業界をリードするSiCデバイスを中心に、大電力域での省エネ化を実現できるパワーデバイスのラインアップ強化を進めて います。SiC以外のデバイスについても、素材の特長を活かした開発を進めており、それぞれがディスクリートデバイスから モジュールまで、多彩なラインアップを取りそろえ、お客様の用途に応じた最高のソリューションを提供します。 ローム株式会社 ディスクリート・モジュール生産本部 SiCを中心にパワーデバイスをラインアップ 克己 SiCデバイスの進化に向けた取り組み ロームは、省エネの切り札といわれるSiCデバイスの普及 世界最先端製品 100k 00k 量産中 ディスクリート・モジュール事業においては、大電力・ います。 パワー（VA） 社会の省エネルギー化に貢献する、 先進的パワーデバイス開発 量産中 倒的な性能を実現しているSiCにおいて、 さらなる低損失化 世界初量産 を可能にするダブルトレンチ構造のSiC-MOSFETを世界 HybridMOS Super Junction MOSFET PrestoMOS™ 10k 0k る優れた新製品を開発し、広く社会に供給することで、社 に貢献するべく、生産効率の向上を図るとともに、既に圧 SiC MOSFET S IGBT で初めて開発・量産するなど、SiCデバイスの進化に向けて 積極的に取り組んでいます。 量産中 1k 会全体の省エネルギー化に貢献していきたいと考えて GaN製 トランジスタ ６インチ基板でのSiCデバイス本格量産 開発中 100 生産効率 高耐圧化に対応する特長あるパワーデバイスの拡充・強 化を進めるとともに、ロームの強みである小型・ローパ ワー分野の技術を追求しています。 世界をリードする小型・ローパワー技術が生む、 さまざまな世界最小デバイス 小型・ローパワーの分野では、抵抗器やトランジスタ、 10k 100k 1M ＋ 制御技術 御技術 ＆ モジュール技術 御技術 最 適 化された制 御 回路を内蔵し、設計 負荷軽減に貢献 複数個のパワーデバ イスを搭載し、さら なる大電流に対応 ダイオードにおいて、その性能と高い信頼性が認めら SiC（シリコンカーバイド） を中心に、他社にはない幅広い れ、世界中で採用が進んでいます。 製品展開と強化を図っています。2015年には、SiCの なかでも、ローム独自の新工法・新技術を取り入れる 更なる低損失化・小型化を実現するダブルトレンチ構造 （ラスミッド）」 ことで誕生した、世界最小部品「RASMID ® 大電力、 高耐圧のパワー用途に適したトランジスタ。 を採用した世界初のSiC-MOSFETを開発し、量産を シリーズなど、さまざまな種類のデバイスで世界最小サ Super Junction MOSFET MOS-IPM イスは次のステップへ進むことができ、SiCデバイスの レットはもちろん、今後に期待されるウェアラブル機器の 小型化や高機能化に大きく貢献します。 13 8mΩ·cm2 世界最高性能！ （1200V MOSFET） 11mΩ·cm2 4.1mΩ·cm2 HybridMOS IGBTとSuper Junction MOSFETのそれぞれの良い特性を1チップで 実現したトランジスタ。ロームが世界で初めて量産化。 Super Junction MOSFETを改良し、 組み合わせるモジュール技術の3つの技術を融合する 今後も独自の最新鋭・高効率の製造ラインを積極的に ことで、お客様に最適なパワーソリューションも提供 導入して、品質の安定と生産性を向上させるとともに、特 第1世代 第2世代 第3世代 （2010年） （2012年） （2015年） SiC MOSFET 大電流、高耐圧デバイスに適した新素材シリコンカーバイドを使用した 長あるデバイス開発とラインアップ強化を進め、LSI技術 MOSFET。ロームは世界最先端、最高性能で業界をリード。 太陽光発電や風力発電、変電所、電気自動車など、さ との融合やモジュール化技術を活かした技術提案、製品 GaN 製トランジスタ 提供を加速してまいります。 世界初！ SiC-MOSFET専用AC/DCコンバータ制御IC 低損失化を実現したローム独自のMOSFET。 しています。 ROHM Group Innovation Report 2015 ダブルトレンチ PrestoMOS™ デ バイス技 術とL S Iによる制 御 技 術 、そしてこれらを まざまな箇所で発生する電力変換ロスを劇的に改善す プレーナ IGBT オン抵抗 イズを実現しており、普及の進むスマートフォンやタブ 世界初！ ダブルトレンチ構造採用SiC-MOSFET(第3世代) フルSiCパワーモジュール 高速スイッチングと低オン抵抗を実現したMOSFET。 開始しました。 このSiC-MOSFETの登場により、SiCデバ 6inch 約2.3倍 4inch 周波数（Hz） パワーデバイス分野では、劇的な低損失化を実現する 普及に弾みがつくと考えています。また、独自のパワー ディスクリート・ モジュール事業 省エネルギー化と 小型化で 社会に新しい価値を 提案してまいります。 本部長 東 製品品質の革新 ディスクリート・モジュール事業 コミットメント 大電流、 超高速スイッチングが可能な素材ガリウムナイトライドを使用した 制御技術 SiC-MOSFET の駆動電圧範囲 に完全にマッチ した制御IC 結集 AC/DC コンバータ制御IC 低損失デバイス 技術 SiC-MOSFET トランジスタ。ワイヤレス給電などの市場で期待されている。 14
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