Technical-News 化合物半導体系超格子サンプルにおける深さ分解能測定

Technical-News
化合物半導体系超格子サンプルにおける深さ分解能測定
株式会社イオンテクノセンター
技術開発部
SIMS-11
SIMS(二次イオン質量分析法)は数 kV の 1 次イオンビーム(O2+, Cs+)を試料表面に照射し、
スパッタされた二次イオンを質量分析して試料中の微量不純物を分析する事ができる装置
です。質量分析計には、Sector(扇状磁場)、Q-pole(四重極)、TOF(時間飛行型)の 3 種類あり
ます。この中で Q-pole SIMS の特徴としては 1 次イオンビームを 250V まで低加速に設定で
き、数 nm レベルの深さ分解能を持つ深さ方向プロファイルの分析が可能です。
Q-pole SIMS(アルバックファイ：ADEPT-1010)によって、Al0.28Ga0.72As/GaAs を 50nm ず
つ分子線エピタキシー(MBE)で成膜した化合物半導体サンプルを試料として用い、深さ分解
能を求めました。
1 次イオンビームを最適化したところ、Al0.28Ga0.72As 膜と GaAs 膜の界面での 27Al のプ
ロファイルの傾きから深さ方向分解能を 5nm まで高める事が出来ました。
1E+04
Counts Per Second
1E+03
1E+02
27Al
1E+01
1E+00
600
700
800
900
1000
1100
Depth (nm)
お問合わせ
株式会社イオンテクノセンター技術営業部
TEL:072-859-6611 FAX:072-859-5770 E-mail:[email protected]

Download Report