竹内 哲也 - 名城大学

 1 履 歴
フリガナ
タケウチ
テツヤ
氏名
竹内
哲也
ローマ字
TAKEUCHI
Tetsuya
性別
男
理工学部 材料機能工学科
所属
職名
准教授
最終学歴 名城大学大学院理工学研究科電気電子工学専攻博士後期課程修了
学位・称号
博士(工学)(名城大学・工博第9号)
等
専門分野 半導体工学、光デバイス
2 教育研究活動
事項
教育研究への
取り組み・抱負
概要
【教育研究の抱負】
・社会に貢献する研究成果を上げる
・社会に貢献できる人材を輩出する
【そのための取り組み】
・本質の理解・総合的判断に必要な知識の習得を促す
・上記知識に裏付けられた主体的な行動の実践を促す
3 担当授業科目
学部・大学院
担当授業科目名
学部
電気磁気学2、電気磁気学3、材料機能工学実験3、電子回路設計・製作、卒業研究、理工学概論1、
理工学概論2、材料機能ゼミナール、誘電体工学
大学院
半導体デバイス特論Ⅰ・Ⅱ、特別講義
4 研究業績
種類
著書、学術論文、
テーマ等の名称
著書
Piezoelectric Effect in Group-III
Nitride-Based Heterostructures
and Quantum Wells
単著、共
著等の別
共著
(分
担)
発行又は
発表の年月
平成15年6月
発行又は発表雑誌等
又は発表学会等の名称
Gordon and Breach
Science Publishers
該当頁
pp399-438
著書、学術論文、
テーマ等の名称
種類
単著、共
著等の別
発行又は
発表の年月
発行又は発表雑誌等
又は発表学会等の名称
該当頁
Al Gettering for InGaAsN in
学術論文 Metalorganic Chemical Vapor
Deposition
共著
平成16年7月
Jpn. J. Appl. Phys. Vol.
43, No. 8B
pp.L1085-
L1087
GaN-Based Light Emitting
Diodes with Tunnel Junctions
共著
平成13年8月
Jpn. J. Appl. Phys. Vol.
40, issue 8B
pp.L861-
L863
Theoretical Study of Orientation
Dependence of Piezoelectric
学術論文 Effects in Wurtzite Strained
GaInN/GaN Heterostructures
and Quantum Wells
共著
平成12年2月
Jpn. J. Appl. Phys. Vol.
39, No. 2A
pp.413-
416
Determination of piezoelectric
fields in strained GaInN
学術論文
quantum wells using the
quantum-confined Stark effect
共著
平成10年9月
Appl. Phys. Lett. Vol. 73, pp.1691-
No. 12
1693
学術論文
5 学外活動等
学会活動、生涯学習、小学校・中学校・高等学校への教育支援等、国際貢献、産業支援等
年月
平成3年4月
事項
応用物理学会会員