マイクロチップレーザー：
⇒手の平サイズでロボットや自動機への搭載が容易
⇒高出力パルスレーザーで問題となるレーザーの伝送が不要
高出力小型パワーレーザー：
⇒高出力で高繰り返しのため、スループットが大幅に向上
⇒LD適用により長高寿命・高効率でダウンタイムが少ない
⇒ユーティリティ含めオールインワン
⇒クリーン環境以外でも使用可能な高い耐環境性を実現
応用事例
マーキング、微細機械加工、切断、フォーミング、スクライビング、クリーニング、材質改善（ピーニング）
イグニッション、３Dプリンター、分光、LIDAR、イメージング、テラヘルツ光源、メディカル、エンターテイメント
仕様は2015年10月時点の計画中のものであり、変更になる可能性があります。
また、皆様のニーズに応じ、適宜変更していく予定です。
マイクロチップレーザー
高出力小型パワーレーザー
ピーク出力
約100MW(最大500MW)
約30MW(最大100MW)
平均出力
約2W（最大10W）
約300W（最大900W）
波長
1064nm
（118nm~300mmまで設計可能）
1064 nm
（波長変換で532、355nmも対応可能）
エネルギー
20 mJ (最大100mJ)
1J (最大3J)
パルス幅
400ps-1ns
(<100ps~10nsまで設計可能）
10-40ns
繰り返し周波数
100Hz
300Hz
ビーム径
f5-6mm
約f15mm
偏光
直線偏光
直線偏光
M2
<２
約10
装置寸法
重量
電源容量
<20mJ時
ヘッド部：W100 x D150 x H60mm 開発機（電源含む、チラー除く）：
電源部：19inchラック(3U~4U)
W1200 x D2400 x H1800mm
<3mJ時（現行機）
ヘッド部：f8mm x 40mm
電源部：W280 x D350 x H160mm
ヘッド部重量
<1kg（＠20mJ時）
<200g（@3mJ）
数百W（@100mJ時）
バッテリー駆動（@3mJ）
将来機（電源、チラー含む）：
W1200 x D1700 x H1600mm
約2000kg
約25kW（チラー含む）
冷却
>30mJの場合要水冷
水冷
耐環境温度
10-30℃
10-30℃（但し結露なきこと）
特徴
パッシブQスイッチ
ヘッド姿勢に因らず使用可能
据付調整後は光学系の調整不要
ランニングコスト・ダウンタイム大幅低減

Mephistoシリーズの製品仕様表