1/4 構造 シリコンモノリシック集積回路 製品名 バッテリ充電器向け定電圧定電流コントローラ IC 形名 ＢＤ６５５０Ｇ 特長 ・定電流・定電圧コントロール機能 ・高精度基準電圧: 1.21V±1% ・電流検出電圧精度: ±2% ○ 絶対最大定格 (Ta=25℃) 項目 記号 定格 単位 最大印加電源電圧 ICT 端子最大印加電圧 許容損失 VMAX VICTMAX -0.3 ～ 14 -0.3 ～ VCC 675 *1 V V mW 動作温度範囲 Topr 0 ～ +85 ℃ 保存温度範囲 Tstg -55 ～ +150 ℃ Pd *1 PCB(70mm×70mm×1.6mm ガラスエポキシ)基板実装時。Ta=25℃以上は 5.4mW/℃で軽減 ○ 動作条件 (Ta=0～+85℃) 項目 電源電圧 記号 範囲 VCC 2.5～12 REV. B 単位 V 2/4 ○ 電気的特性 (特に指定のない限り Ta=25℃, Vcc=+5V) 項目 最小 規格値 標準 最大 ICC - 0.9 2 mA GMV 1 4.0 - mA/mV Ibv 1.198 1.186 - 1.21 1.21 50 1.222 1.234 - nA GMI 1.5 4.0 - mA/mV 196 200 204 Ibi 192 - 200 25 208 - μA VOL - 200 - mV IOS - 20 50 mA 記号 単位 条件 【回路電流】 回路電流(無負荷時) 【電圧制御ループ部】 トランスコンダクション・ゲイン (VCT シンク電流に限る) 電圧制御ループ・レファレンス電圧 (1.5mA シンク時) 入力バイアス電流(VCT 端子) 【電流制御ループ部】 トランスコンダクション・ゲイン (ICT シンク電流に限る) 電流制御ループ・レファレンス電圧 (2.5mA シンク時) ICT 端子(-200mV 印加時)における流出電流 【出力段】 10mA シンク時の出力電圧 出力短絡回路電流 (VCC 端子と OUT 端子を短絡) VREF VSE ● 耐放射線設計はしておりません *1 においては設計保証となります ○ 外形寸法図・標印図 SSOP6 (単位:mm) REV. B V mV *1 Ta=25℃ 0 < Ta < 85℃ *1 *1 *1 Ta=25℃ 0 < Ta < 85℃ *1 VSE=0V, ICT=-0.3V OUT=VCC, VSE=0V, ICT=-0.3V 3/4 ○ ブロック図 VCC 6 1.21V + 3 OUT - VOLTAGE REFERENCE 1 VCT + 2 GND 4 ICT ○ 端子番号・端子名 番号 端子名 1 2 3 4 5 6 VCT GND OUT ICT VSE VCC 5 VSE 機能 電圧制御ループにおけるセンス端子 GND ライン(全ての電圧に対して 0V 基準となる) 出力端子(シンク能力に限る) 電流制御ループにおけるセンス端子(+) 電流制御ループにおけるセンス端子(-) 正の電源電圧ライン REV. B 4/4 ○使用上の注意 1.) 絶対最大定格について 印加電圧及び動作温度範囲などの絶対最大定格を超えた場合は劣化または破壊に至る可能性があります。また ショートモードもしくはオープンモード等破壊状態を想定できません。絶対最大定格を超えるような特殊モードが 想定される場合、ヒューズ等物理的な安全対策を施して頂けるようご検討お願いします。 2.) GND 電位について GND ピンの電位はいかなる動作状態においても、最低電位になるようにして下さい。また実際の過渡現象を含 め、GND 端子を除く端子が GND 以下の電圧にならないようにしてください。ただし、ICT 端子については-0.3V までの印加が許容できます。 3.) 熱設計について 実際の使用状態での許容損失(Pd)を考え、十分マージンを持った熱設計を行って下さい。 4.) ピン間ショートと誤装着について プリント基板にとりつける際、IC の向きや位置ずれに十分注意して下さい。誤って取り付けた場合、IC が破壊 する恐れがあります。また出力間や出力と電源 GND 間に異物が入るなどしてショートした場合についても破壊の 恐れがあります。 5.) 強電磁界中の動作について 強電磁界中でのご使用では、誤動作をする可能性がありますのでご注意下さい。 6.) 共通インピーダンスについて 電源及び GND の配線は、共通のインピーダンスを下げる、リップルを出来るだけ小さくする（配線を出来るだけ太 く短くする、L・C によりリップルを落とす）等、十分な配慮を行って下さい。 7.) IC 入力端子について 本 IC はモノリシック IC であり、各素子間に素子分離の為の P+アイソレーションと、P 基板を有しています。この P 層と各素子 の N 層とで P－N 接合が形成され、各種の寄生素子が構成されます。 例えば、下図のように、抵抗とトランジスタが端子と接続されている場合、 ○抵抗では、GND＞(端子 A)の時、トランジスタ(NPN)では GND＞(端子 B)の時、 P－N 接合が寄生ダイオードとして動作します。 ○また、トランジスタ(NPN)では、GND＞(端子 B)の時、前述の寄生ダイオードと近接する他の素子の N 層によって 寄生の NPN トランジスタが動作します。 IC の構造上、寄生素子は電位関係によって必然的にできます。寄生素子が動作することにより、回路動作の干渉を引き起こし、 誤動作、ひいては破壊の原因ともなり得ます。したがって、入出力端子に GND(P 基板)より低い電圧を印加するなど、寄生素子が動 作するような使い方をしないよう十分に注意してください。 ICT 端子については-0.3V までの印加が許容できますが、それを下回りますと上記の動作を引き起こす可能性がありますので、十 分な配慮を行って下さい。 ～ ～ (端子Ｂ) Ｐ Ｐ Ｎ Ｎ ＋ Ｐ Ｎ Ｅ GND Ｎ ＋ Ｐ Ｐ Ｎ Ｎ Ｐ基板 ＋ Ｎ Ｐ基板 GND 寄生素子 GND 寄生素子 (端子Ｂ) Ｂ ～ ～ (端子 A) ～ ～ Ｐ ＋ Ｂ Ｃ ～ ～ トランジスタ（NPN） 抵抗 (端子 A) 寄生素子 Ｃ Ｅ GND GND 近接するほかの素子 寄生素子 モノリシック IC の簡易構造例 REV. B Notice ご 注 意 本資料の一部または全部をロームの許可なく、転載・複写することを堅くお断りします。 本資料の記載内容は改良などのため予告なく変更することがあります。 本資料に記載されている内容は製品のご紹介資料です。ご使用にあたりましては、別途仕様書を必ず ご請求のうえ、ご確認ください。 本資料に記載されております応用回路例やその定数などの情報につきましては、本製品の標準的な 動作や使い方を説明するものです。したがいまして、量産設計をされる場合には、外部諸条件を考慮 していただきますようお願いいたします。 本資料に記載されております情報は、正確を期すため慎重に作成したものですが、万が一、当該情報の 誤り・誤植に起因する損害がお客様に生じた場合においても、ロームはその責任を負うものではありません。 本資料に記載されております技術情報は、製品の代表的動作および応用回路例などを示したものであり、 ロームまたは他社の知的財産権その他のあらゆる権利について明示的にも黙示的にも、その実施または 利用を許諾するものではありません。上記技術情報の使用に起因して紛争が発生した場合、ロームは その責任を負うものではありません。 本資料に掲載されております製品は、一般的な電子機器（AV機器、OA機器、通信機器、家電製品、 アミューズメント機器など）への使用を意図しています。 本資料に掲載されております製品は、 「耐放射線設計」はなされておりません。 ロームは常に品質・信頼性の向上に取り組んでおりますが、種々の要因で故障することもあり得ます。 ローム製品が 故障した際、その影 響により人 身事故、火 災 損害 等が起こらないようご使 用機 器での ディレーティング、冗長設計、延焼防止、フェイルセーフ等の安全確保をお願いします。定格を超えた ご使用や使用上の注意書が守られていない場合、いかなる責任もロームは負うものではありません。 極めて高度な信頼性が要求され、その製品の故障や誤動作が直接人命を脅かしあるいは人体に危害を 及ぼすおそれのある機器・装置・システム（医療機器、輸送機器、航空宇宙機、原子力制御、燃料制御、 各種安全装置など）へのご使用を意図して設計・製造されたものではありません。上記特定用途に使用 された場合、いかなる責任もロームは負うものではありません。上記特定用途への使用を検討される際 は、事前にローム営業窓口までご相談願います。 本資料に記載されております製品および技術のうち「外国為替及び外国貿易法」に該当する製品または 技術を輸出する場合、または国外に提供する場合には、同法に基づく許可が必要です。 ローム製品のご検討ありがとうございます。 より詳しい資料やカタログなどご用 意しておりますので、お問合せください。 ROHM Customer Support System http://www.rohm.co.jp/contact/ www.rohm.com © 2011 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. R1120A
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