InGaAs量子井戸円形グレーティング結合型面発光レーザに関する研究

InGaAs量子井戸円形グレーティング結合型
面発光レーザに関する研究
円形グレーティング結合型
面発光レーザ(CGCSEL)の構成
出力光を一点に集光
円形活性領域
円形分布ブラッグ反射型
（DBR）グレーティング
円形チャープ
グレーティング結合器
（GC）
作製したCGCSEL
DBR
GC
DBR周期
約455nm
GC周期
約297nm
GC
DBR
円形走査電子ビーム描画による
つなぎ目のない円形グレーティング
200mm
溝深さ
約0.18mm
500mm
発振特性
CW駆動での
レーザ発振
出力光パワー（mW）
断面
注入電流値(mA)

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