平成26年度 実用研究
研究機関：新潟県工業技術総合研究所 下越技術支援センター
ワイドギャップ半導体を使った電力変換回路の特性評価
研究概要
ワイドギャップ半導体デバイス※1と従来のシリコンデバイスの特性
を測定・評価してカタログには載らない長所、短所を把握し設計ノ
ウハウを習得する。
研究項目
・ハーフブリッジ回路※2のシミュレーション、設計、試作
・シリコントランジスタとの比較(電力変換効率など)
※1ワイドギャップ半導体とは・・・
○半導体の禁制帯幅がシリコン(1.12eV)に比べ大きいこと。
○高耐圧、低損失、高温駆動が可能。
○炭化ケイ素(SiC)や窒化ガリウム(GaN)が製品化されている。
※2ハーフブリッジ回路とは・・・
○2個のトランジスタを交互にON/OFFして信号を変形する電力
図 ハーフブリッジ回路
変換の基本回路
新潟県工業技術総合研究所

フォースゲージ - 新潟県工業技術総合研究所

交流安定化電源 - 新潟県工業技術総合研究所