表面磁束測定 TMN-105Ｓ ＤＣ35Ｖ-68ｍＡ GAP0mm ① 578（Ｏｅ） ② 650（Ｏｅ） ③ -85（Ｏｅ） ③ プローブ ホール素子位置0.25ｍｍ 完全なる表面ではありません。 残留磁束 ① 39（Ｏｅ） ② 42（Ｏｅ） ③ -14（Ｏｅ） 吸着ワーク ② ① TMN-158Ｓ ＤＣ35Ｖ-52ｍＡ GAP0mm ① 280（Ｏｅ） ② 420（Ｏｅ） ③ -100（Ｏｅ） ③ ② TMN-208Ｓ ＤＣ35Ｖ-78ｍＡ GAP0mm ① 500（Ｏｅ） ② 710（Ｏｅ） ③ -135（Ｏｅ） 残留磁束 ① 18（Ｏｅ） ② 31（Ｏｅ） ③ -11（Ｏｅ） TMN-208 ＤＣ35Ｖ-95ｍＡ GAP0mm ① 830（Ｏｅ） ② 1050（Ｏｅ） ③ -250（Ｏｅ） 残留磁束 ① 47（Ｏｅ） ② 62（Ｏｅ） ③ -26（Ｏｅ） TMN-2613Ｓ ＤＣ35Ｖ-115ｍＡ GAP0mm ① 400（Ｏｅ） ② 800（Ｏｅ） ③ -200（Ｏｅ） 残留磁束 ① 14（Ｏｅ） ② 36（Ｏｅ） ③ -15（Ｏｅ） TMN-2613 ＤＣ35Ｖ-110ｍＡ GAP0mm ① 600（Ｏｅ） ② 1090（Ｏｅ） ③ -260（Ｏｅ） 残留磁束 ① 30（Ｏｅ） ② 64（Ｏｅ） ③ -25（Ｏｅ） TMN-3417Ｓ ＤＣ35Ｖ-120ｍＡ GAP0mm ① 350（Ｏｅ） ② 700（Ｏｅ） ③ -200（Ｏｅ） 残留磁束 ① 6.4（Ｏｅ） ② 22（Ｏｅ） ③ -11.5（Ｏｅ） ① ③ ② 残留磁束 ① 43（Ｏｅ） ② 71（Ｏｅ） ③ -42（Ｏｅ） ① ③ ② ビス穴 ① ③ ② TMN-158 ＤＣ35Ｖ-98ｍＡ GAP0mm ① 680（Ｏｅ） ② 1000（Ｏｅ） ③ -280（Ｏｅ） ① ③ ② ケース コイル ① ③ ② ジク ① ③ ② 残留磁束 ① 19（Ｏｅ） ② 33（Ｏｅ） ③ -13（Ｏｅ） ① 磁束の流れです。
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