巻頭特別企画
2014年
物理学賞
受賞者手記
2014年
物理学賞
受賞 際
赤
勇
名城大学／名古屋大学
，2014年
身
物理学賞 受賞
余 光栄 思
．私
，私1人
私 一緒
仕事
，
松下電器・東京研
仲間 天野浩教授
学
共同研究者，学生諸君
，今回
力
込
究所時代
多
，名古屋大学・名城大
天野浩教授 私
頂
栄誉 浴 ，
窒化物半導体
奮闘
．
賜
受賞 ，
，喜
分
仲間 代表
合
思
受賞発表後，河田聡応用物理学会会長
皆様
大変温
祝
言葉 頂戴
頂 ，
，状況
．
多数 方
思
理解
赦
，長年
思
春・秋
族窒化物結晶」
場
．
多数 会員
返礼
応用物理学会
論
意味
．
講演会 「III‐V
設
，研究成果 議
提供
．
，学 術 論 文 誌
『Japanese Journal of Applied Physics』
（2008年1月
創刊
『Applied Physics Express』 含 ）
研究
含 多数
掲載
窒化物半導体 関
．多数
窒化物半導体
講演会 論文誌
力
，現在
論文
研究者
「応用物理学」 発展 尽
活発 研究活動 精励
．本会
舞台 提供
，私
私
組織委員長
思
国際諮問会委員長
窒化物半導体
．
拝命
（Topical Workshop
on III-V Nitrides: TWN）: 第1回窒化物半導体国際会議，
窒化物半導体国際会議（International Conference on
Nitride Semiconductors: ICNS）
，窒化物半導体国際
（I n t e r n a t i o n a l W o r k s h o p o n N i t r i d e
Semiconductors: IWN）
，窒化物半導体結晶成長国際会議
（International Symposium on Growth of III-Nitrides:
ISGN）
多
主催者・共催者
対
高承
，
場
高
材料
借
材料
．
十分 発現
．
非
発光素子
実現 ，
材料
，紫外LED，紫外半導
，紫外線
，
新領域
2
電気的
．私 ，40年以上
可視領域
実現
活躍 祈念
意 表
，青色LED 青紫
発現
信
深謝
光学的
研究 携
色半導体
体
国際会議
物心両面
，窒化物半導体
常
一部
窒化物半導体材料
，社会 対
．志 同
本会々員
一層貢献
皆様
．
応用物理 第 84 巻 第 1 号（2015）
巻頭特別企画
略歴
1952年
京都大学理学部卒業，神戸工業（株）
（現・富士通（株）
）
1959年
名古屋大学工学部電子工学科助手，同講師，同助教授
1964年
松下電器産業（株）東京研究所基礎第4研究室長，半導体部長
1981年
名古屋大学工学部電子工学科教授
1987 ∼ 90年
新技術開発事業団（現・
（独）科学技術振興機構（JST）
）
「GaN系青色発光
1987 ∼ 94年
文部省学術審議会専門委員
1988 ∼ 92年
日本電信電話（株）研究開発本部技術顧問
1989年
日本結晶成長学会論文賞
1991年
中日文化賞
1992年∼
名城大学理工学部教授，名古屋大学名誉教授
」研究開発責任者
1993 ∼ 99年
新技術開発事業団（現・JST）
「GaN系短波長半導体
1994年
日本結晶成長学会創立20周年記念技術貢献賞，
1995年
Heinrich Welker Gold Medal，化合物半導体国際
1995 ∼ 96年
北海道大学客員教授（量子界面
1996年
IEEE/LEOS
1996 ∼ 2001年
日本学術振興会「未来開拓学術研究推進事業」
1996 ∼ 2004年
文部省「名城大学
1997年
紫綬褒章
1998年
井上春成賞（豊田合成（株） 共同受賞）
，結晶成長国際機構（IOCG）Laudise賞，C&C賞，IEEE
1998年∼
日本
1999年
ECS Solid State Science & Technology Award，IEEE
2000年
東 科学技術賞
2001年
朝日賞，
2001年∼
名古屋大学赤﨑記念研究
2002年
勲三等旭日中綬章，藤原賞，武田賞
2002 ∼ 04年
科学技術振興事業団（現・JST）参与
」研究開発責任者
会議特別賞
賞
研究
）
賞
・
・A・
・
賞，英国
」代表研究者
賞，応用物理学会会誌賞
理事
・
賞，仏
工大学名誉博士
大学名誉博士, 応用物理学会業績賞
・
2003年
日本学術会議会長賞，SSDM賞
2003 ∼ 06年
経済産業省「高周波
2004年
文化功労者顕彰，東海
2004年∼
名城大学室化物半導体研究
2006年
TMS John Bardeen Award，日本結晶成長学会業績賞
2007年
日本学術振興会
2008年
全米技術
2009年
京都賞
2010年
応用物理学会化合物半導体
2010年∼
名城大学大学院理工学研究科終身教授
2011年
IEEE
2011年∼
名城大学窒化物半導体基盤技術研究
2012年
名古屋大学
2013年
国際情報
：
研究開発戦略委員会」委員長
文化賞，P&I
・
・ ・
賞
代表研究者，名古屋大学特別教授
半導体光・電子
第162委員会特別功績賞
（NAE）外国人会員
業績賞（赤﨑勇賞）設立
，JST知的財産特別貢献賞，南日本新聞社南日本文化賞・特別賞，文化勲章，
応用物理学会名誉会員
2014年
巻頭特別企画
長
，丸八会表彰
学会（SID）Karl Ferdinand Braun Prize
物理学賞，日本学士院賞・恩賜賞
3
2014年
物理学賞
受賞 際
天野 浩
名古屋大学
，全 考
浴
，
，
関
，以前
大挙
大学 取材 来
優
，先生
受賞
通
際
発表
，本当
受賞
，
思
，
方 思
思
予想
方々
中村修二先生 ，1980年代
成果 立 続
迫力 圧倒
勇先生
局
．
極
．赤
10月初旬
毎年準備
後半
栄誉
驚
，
． 2人
自分
含
微塵
．
自分
学会
一番
発表
思
温
研究人生
世話
私 赤
分
1軸異方性
先生，座長
束縛
，部屋
他 1人
，
将来
材料
全 注目
，自
， 諦念
今
隆盛 迎
．
，
，今回，私
記憶
思
後
分野
応用
努力 積 重
受賞
．2009年
．
覚
物理学会会員 皆様 献身的
賜物
，申 訳
思
推挙
任 全 果
，
，今後 少
精進
恩返
．
関
特 2012年
合計4名
質問
．
．低
GaN 成長
発表
研究者
窒化物
発表
中性
分裂
窒化物
後
応用物理
上 Zn
申 訳
，
名古屋大学
a面
際，面内歪
励起子発光
頃
．応用物理学会
出 ，1987年秋
層 用
座長
，学生
学会活動
大変
世話
．
応用物理学会
札幌市
窒化物半導体国際
（International Workshop on Nitride Semiconductors
2012： IWN2012） 開催
超 参加者
集
，非常
．
大変 世話
，
言葉以外
発展，
場
皆様
出
会員
．応用物理学会
皆様
．本当
4
議論
理科教室
．
，応用物理学会会員
，感謝
．1000名
健勝 祈念
，
．
応用物理 第 84 巻 第 1 号（2015）
巻頭特別企画
略歴
1983年
名古屋大学工学部電子工学科卒業
1988年
名古屋大学大学院工学研究科博士後期課程単位取得満期退学
1988 ∼ 92年
名古屋大学助手（工学部）
1991年
電気学会論文発表賞
1992 ∼ 98年
名城大学理工学部講師
1994年
会議特別賞
1996年
米国IEEE/LEOS
1998年
応用物理学会賞C（会誌賞）
1998年
英国
1998 ∼ 2002年
名城大学理工学部助教授
2001年
丸文学術賞
2002年
武田賞
2002 ∼ 10年
名城大学理工学部教授
2003年
SSDM論文賞
2004年
P＆I
2008年
日本結晶成長学会日本結晶成長学会論文賞
2009年
応用物理学会
2009年
文部科学省科学技術政策研究所
2010年
名古屋大学大学院教授
2011年
英国物理学会（IOP）
2011年∼
赤
2014年
巻頭特別企画
賞
賞
・
記念研究
・ ・
研究者2009
長
物理学賞，文化勲章，文化功労者顕彰，応用物理学会APEX/JJAP編集貢献賞
5
2014年
物理学賞
受賞 際
中村修二
大学
私
青色LED
投稿
研究 ，1989年当時，
『JJAP』
夢
始
材料
結晶欠陥
校
2
．ZnSe系材料 GaN系材料
研究者
晶欠陥
論文
．当時，青色LED材料
ZnSe系
以下
，
数
1×103cm−2
常識
，論文
数
全
．
無頓着
簡単 書
．最 初 ，市 販
結
常識 ，高輝度 信頼性
結晶欠陥
私 ，当時 ，結晶欠陥
，
．GaN
．当時
作成
GaN 選
．理由
−2
1×109cm−2
LED
研究
1×10 cm 以下
数
3
．
．要 ，
思
GaN 選択
M O C V D（ M e t a l O r g a n i c
Chemical Vapor Deposition：有機金属気相成長）装置
1989年 購入
GaN結晶成長
．
MOCVD
1991年
装置
名付
，熱処理
従来p-GaN
改造
装置
開発
作成
，
．同時
理由 解明
，分解
．
光 InGaN
InGaN 発光層
上 挟
謎
信頼性
高輝度青色LED
残
関
結晶欠陥
，1996年 現・東北大学
多数
局在準位
光
，光
，光
1×
秩父重英
存在
，
，結晶欠陥
，非輻 射再結合中心 捕
光層
数
常識
．InGaN 注入
，
製品化
．1980年代当時，高輝度
，
形成
層
．
LED 作成
，InGaN
捕
，
．
103cm−2以下
解明
研究
観測
構造
，最大
．
間発光 ，
，当時，現・
，上記p-GaN n-GaN
，
1993年 成功
氏
精力的
間発光
，InGaN
室温 ，
結晶成長 成功
松岡隆志氏
，
，原子
不活性
次 活性層 使用
結晶成長 始 ，1992年 初
，
．GaN結晶
，
Mg
室温
．
，p-GaN
成功
状水素
東北大学
，
層 開発 ，1992年
成長 使用
青色
膜
1990年
，新 規
GaN
，単
，
前 ，局在中心
．
，InGaN 発
．GaN
AlGaN 発光
．
InGaN
，局在準位
．
上記
高輝度青色LED
果 『JJAP』 投稿
学会様
世話
日本人
関
6
，
出版
研究結
．本当 応用物理
．
，
青色LED
，重要
，当時 日亜化学，開発部一同 感謝
．
研究 ，
研究
．
応用物理 第 84 巻 第 1 号（2015）
巻頭特別企画
略歴
1977年
徳島大学工学部電子工学科卒業
1979年
徳島大学大学院工学研究科修士課程修了，日亜化学工業（株）
1988 ∼ 89年
米国
1994年
徳島大学大学院工学研究科博士課程修了，応用物理学会論文賞
1996年
仁科記念賞，IEEE/LEOS
1997年
材料学会（MRS）
1998年
IEEE
2000年
米国
2001年
2001 ∼ 06年
大学電子工学部留学（客員研究員）
賞，大河内記念賞
・A・
賞，英国
大学
校教授，本田賞，独
朝日賞，米国光学会（OSA）
信州大学客員教授
2002年
米国
2003年
全米技術
2005年
米国
・
Jr. 賞，IEEE量子
賞
賞
」研究統括
引用栄誉賞
技術賞
2006年∼
愛媛大学客員数授
2007年
欧州材料学会（E-MRS）
・
2009年
・
（NAE）外国人会員
・
・
2008年
・
賞，武田賞
2006年
賞
皇太子賞，応用物理学会
・
賞
2010 ∼ 14年
東京農工大学客員教授
2011年
米国
2012年
米国SVIPLA
2014年∼
賞，C&C賞
（独）科学技術振興機構（JST）ERATO「中村不均一結晶
2001年∼
2014年
賞
賞技術開発部門
・
・ ・
物理学賞，文化勲章，文化功労者顕彰
東京農工大学経営協議会委員
Photos : iStock/pawel.gaul（p.1, 3, 5, 7）, iStock/loops7（p.2, 4, 6）
巻頭特別企画
7

応用物理 第 84 巻 第 1 号（2015）