2016 年 3 月 10 日「G8H シリーズ」の主な仕様 650V 製品ラインアップ

2016 年 3 月 10 日
■「G8H シリーズ」の主な仕様
650V 製品ラインアップ
Item
Renesas Part Name
Order Part Name
Collector to emitter voltage VCES
Gate to emitter voltage VGES
Collector current IC
Tc = 25 °C
Tc = 100 °C
Junction temperature Tj
Collector to emitter saturation voltage VCE(sat)
Gate to emitter cutoff voltage VGE（off）
Package Information
1250V 製品ラインアップ
Item
Renesas Part Name
Order Part Name
Collector to emitter voltage VCES
Gate to emitter voltage VGES
Collector current Tc = 25 °C
IC
Tc = 100 °C
Junction temperature Tj
Collector to emitter saturation voltage VCE(sat)
Gate to emitter cutoff voltage VGE（off）
Package Information
Specifications
RBN40H65T1GPQ-A0 (40A)
RBN50H65T1GPQ-A0 (50A)
RBN75H65T1GPQ-A0 (75A)
RBN40H65T1GPQ-A0#T2
RBN50H65T1GPQ-A0#T2
RBN75H65T1GPQ-A0#T2
650 V
+/- 30 V
80 A, 100A, 150A
40 A, 50A, 75A
175 °C
1.5 V
5.0~6.8 V
TO-247
Specifications
RBN25H125S1GPQ-A0 (25A)
RBN40H125S1GPQ-A0 (40A)
RBN75H125S1GP4-A0 (75A)
RBN25H125S1GPQ-A0#T2
RBN40H125S1GPQ-A0#T2
RBN75H125S1GP4-A0#T2
1250 V
+/- 30 V
50 A, 80A, 150A
25 A, 40A
75A
175 °C
2.1 V
5.0~6.8 V
TO-247
TO-247 plus
※本リリース中の製品名やサービス名は全てそれぞれの所有者に属する商標または登録商標です。
以上

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