2014 年度渡辺研究室卒業研究発表会

2014 年度渡辺研究室卒業研究発表会
日時： 2015 年 2 月 17 日（火）13:00 ～ 16:00（1 人 20 分: 15 分発表 5 分質疑）
場所： 7 号館 742 教室
(1) 13:00 －13:20
強電界中 Si クラスターの光吸収スペクトルとレーザー刺激原子蒸発
の第一原理計算
内田一樹
(2) 13:20 －13:40
Si 原子鎖からのレーザー刺激電界蒸発ダイナミクス
宮内浩成
(3) 13:40 －14:00
Ne イオンとグラフェンの散乱シミュレーション
梅内惇吾
(4) 14:00 －14:20
BN ナノリボンのレーザー刺激電子放出
宮内翔太
〈休憩 10 分〉
(5) 14:30 －14:50
ナノジェリウム（円柱形）プラズモンのシミュレーション
野村豪志
(6) 14:50 －15:10
ナノジェリウム（円盤形）プラズモンのシミュレーション
佐藤大輝
(7) 15:10 －15:30
挿入型ドープ吸着ダイヤモンド表面の仕事関数の第一原理計算
古地健人
(8) 15:30 －15:50
置換型ドープ吸着ダイヤモンド表面の仕事関数の第一原理計算
志賀健太

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