ハイブリッド半導体の事業化

平成28年1月18日産総研発ベンチャーTODAY資料
板谷・工藤タスクフォース／ベンチャー開発・技術移転センター
ハイブリッド半導体の事業化
技術優位性とコア・コンピタンス
CMOS集積
シリコンフォトニクス
標準（抵抗の量子標準）
センサー（磁気・光など）
光通信（発光・受光等）
無線通信（HBT・HEMT等）
高効率太陽電池（人工衛星等）
＜基幹技術＞特願2010-128367
無欠陥Ge H26登録日本5614532
H27登録台湾I49519
on
シリコン回路 H26登録米国8853980
H26登録中国ZL201080023680.0
シリコンテクノロジー・プラットフォーム
・事業１：高効率太陽電池用基板の受託製造を行う。
・事業２：シリコン基板上の局所・無欠陥Geを用いた
宇宙用などの開発用基板の製造を行う。
100μｍ
・事業３：シリコン基板上の全面・無欠陥Geを用いた
センサ・CMOS集積の汎用基板の製造を行う。
GaAs
PIN‐PD
Si‐CMOS circuit
連絡先：〒305-8568 茨城県つくば市梅園1-1-1 つくば中央第２国立研究開発法人産業技術総合研究所
ナノエレクトロニクス研究部門
板谷太郎 E-MAIL：[email protected] TEL：029-861-5130
ベンチャー開発・技術移転センター工藤泰彦 E-MAIL：[email protected] TEL：029-861-3389

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