2016年春季講演会(東⼯⼤⼤岡⼭キャンパス)プログラム
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講演⽇
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【1⽉28⽇(⽊)更新】暫定版からの更新箇所は⾚字になっております。
講演番号
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奨励賞 英語 招待
奨
1 / 52 ページ
※会場、時間が変更になった場合は該当の⽅にご連絡いたします。
講演タイトル
著者
所属機関
1
1.1
Oral
3/20(⽇) 10:15 10:30
20a-S322-1
C000329
撥⽔性希⼟類酸化物の作製と評価
〇⾕本 怜美1、磯部 敏宏1、松下 祥⼦1、中島 章1
1.東⼯⼤
1
1.1
Oral
3/20(⽇) 10:30 10:45
20a-S322-2
C000666
多孔質ガラスを⽤いた固体液体複合材料の作製とその動的撥⽔性
〇横⼭ 広⼤1、酒井 宗寿2、磯部 敏宏1、松下 祥⼦1、中島 章1
1.東⼯⼤院理⼯, 2.⼭⼝東理⼤先材研
1
1.1
Oral
3/20(⽇) 10:45 11:00
20a-S322-3
C002694
蛍光⾊素注⼊による植物蒸散流速度の光学計測法の開発
〇⼤嶋 ⼀輝1、⻑崎 秀昭1、岩⾒ 健太郎1、梅⽥ 倫弘1
1.農⼯⼤⼯
1
1.1
Oral
3/20(⽇) 11:00 11:15
20a-S322-4
C000342
⼈⼯知能融合超⾼速化量⼦分⼦動⼒学法の開発とトライボプロセスへの応⽤
〇⼩原 幸⼦1、佐藤 愛美1、佐藤 絵美1、稲葉 賢⼆1、⽯澤 由紀江1、宮野 正之1、三浦 隆治1、鈴⽊ 愛1、宮本 直⼈1、畠⼭ 望1、宮本 明1
1.東北⼤学
1
1.1
Oral
3/20(⽇) 11:15 11:30
20a-S322-5
C000033
Understanding the Difference in Cohesive Energies between Alpha and Beta Tin
〇Sergei Manzhos1, Fleur Legrain1, Oleksandr Malyi2, Clas Persson2
1.Ntl Uni of Singapore, 2.Uni of Oslo
1
1.1
Oral
3/20(⽇) 11:30 11:45
20a-S322-6
C003724
２次元画像からの散乱評価 [III]; 多⾯体からの光学散乱 (2)
〇川⼝ 昭夫1、⼆宮 洋⽂2
1.京⼤原⼦炉, 2.⼆宮宝⽯(株)
1
1.1
Oral
3/20(⽇) 11:45 12:00
20a-S322-7
C001654
円形に配列した尖端図形による運動錯視
〇(M1C)⼤槻 ⼀博1、⾯⾕ 信1
1.東海⼤⼯
1
1.1
Oral
3/20(⽇) 12:00 12:15
20a-S322-8
C000580
ヴァイオリンの f 孔開⼝部形状と空気共鳴A0モードの周波数シフトに関する実験的検討
〇松⾕ 晃宏1
1.東⼯⼤半導体ＭＥＭＳ
1
1.1
Poster
3/21(⽉)
9:30
11:30
21a-P1-1
C000637
回転スクリーンを⽤いた体積型⽴体表⽰ -スクリーン透過性と⽴体像の視認性との関係-
〇(M1)鈴⽊ 慎之介1、藤川 知栄美1、⾯⾕ 信1
1.東海⼤⼯
1
1.1
Poster
3/21(⽉)
9:30
11:30
21a-P1-2
C002722
ラマン分光法と密度汎関数法を⽤いたTHF-CHのゲスト-ホスト相互作⽤の研究
〇加藤 雅洋1、⾼嶋 明⼈1、⻄尾 泉1
1.⻘学⼤理⼯
1
1.1
Poster
3/21(⽉)
9:30
11:30
21a-P1-3
C003390
アルゴン雰囲気中での加熱によるta-C薄膜損傷のラマン分光観察
〇神津 知⼰1、⼭⼝ 誠2、川⼝ 雅弘3
1.レニショー, 2.秋⽥⼤学, 3.都⽴産技研
1
1.1
Poster
3/21(⽉)
9:30
11:30
21a-P1-4
C003044
中和反応による界⾯張⼒不安定性が引き起こす液滴の⾃発変化と運動
〇原⽥ 優吾1、作⽥ 浩輝1、吉川 研⼀1
1.同志社⼤
1
1.1
Poster
3/21(⽉)
9:30
11:30
21a-P1-5
C000034
Defects in Alpha and Gamma Nylon6: a Density Functional Tight Binding Study
〇Sergei Manzhos1, Saeid Arabnejad1
1.Ntl Uni of Singapore
1
1.2
Poster
3/21(⽉)
9:30
11:30
21a-P2-1
C000094
ワイヤループを⽤いたタッチトレーサーの教材への応⽤Ⅱ
〇⼭⼝ 静夫1
1.九共⼤総研
1
1.2
Poster
3/21(⽉)
9:30
11:30
21a-P2-2
C000058
⾃律型ロボット体験学習⽤カリキュラムの構築と実践的検証
〇⾕野 順平1、中野 寛之1、佐伯 平⼆1
1.愛知⼯業⼤学
1
1.2
Poster
3/21(⽉)
9:30
11:30
21a-P2-3
C003610
Puppyの動作特性における路⾯材料依存性
〇(B)中⼝ 陽介1、坂⽥ 結菜1、⽊村 岳1、広⽥ 悠輝1、野⼝ 央照1、⽥中 武1
1.広⼯⼤
1
1.2
Poster
3/21(⽉)
9:30
11:30
21a-P2-4
C000067
光全反射概念形成教材の開発とアウトリーチ活動報告
〇荒川 真由美1、中野 寛之1、佐伯 平⼆1
1.愛⼯⼤⼯
1
1.2
Poster
3/21(⽉)
9:30
11:30
21a-P2-5
C000060
講習会⽤ホログラム乾板の作製⽅法
〇平⾕ 雄⼆1
1.広国⼤⼯
1
1.2
Poster
3/21(⽉)
9:30
11:30
21a-P2-6
C000259
ホロカソードランプを⽤いた光電効果実験（Ⅵ）
〇⼤向 隆三1、布施 陽⼦1、松本 ⿓⾺1、近藤 ⼀史1
1.埼⽟⼤教育
1
1.2
Poster
3/21(⽉)
9:30
11:30
21a-P2-7
C000260
LEDライトを⽤いたヤングの⼲渉実験（Ⅳ）
〇⼤向 隆三1、⼩林 浩太1、関川 留都1、近藤 ⼀史1
1.埼⽟⼤教育
1
1.2
Poster
3/21(⽉)
9:30
11:30
21a-P2-8
C001160
レーザ回折投影法によるタッチパネル透明電極のパターン解析
〇栗⼭ 健⼆1、鈴⽊ 三男2
1.静岡⼤⼯, 2.福島⾼専
1
1.2
Poster
3/21(⽉)
9:30
11:30
21a-P2-9
C000099
基本的な論理回路を使った４⾊LEDストロボスコープ
〇⾼和 宏⾏1, 2、古川 貴⼤1、⽊本 隆之1、阿部 昌浩1
1.⿇布実教, 2.ユニオプト
1
1.2
Poster
3/21(⽉)
9:30
11:30
21a-P2-10
C000210
FFTを⽤いた学⽣⽤振動実験の試作
〇鈴⽊ 三男1、増⽥ 健⼆2
1.福島⾼専, 2.静⼤⼯
1
1.2
Poster
3/21(⽉)
9:30
11:30
21a-P2-11
C000280
⼯学実験への導⼊を⽬指したMOSFETの作製
〇(B)冨⽥ 昌吾1、辻 琢⼈1、⻑岡 史郎2、⼤⾕ 真弘3
1.鈴⿅⼯業⾼等専⾨学校, 2.⾹川⾼等専⾨学校, 3.奈良⼯業⾼等専⾨学校
1
1.2
Poster
3/21(⽉)
9:30
11:30
21a-P2-12
C000387
Si太陽電池製作を利⽤した半導体教育の実践
〇和⽥ 直樹1、塩⾙ ⼀樹1、若原 昭浩2
1.新居浜⾼専, 2.豊橋技科⼤
1
1.2
Poster
3/21(⽉)
9:30
11:30
21a-P2-13
C001939
シリコン太陽電池教材の開発
藤⽥ 智常1、多⽥ 彬史1、〇内海 淳志1
1.舞鶴⾼専
1
1.2
Poster
3/21(⽉)
9:30
11:30
21a-P2-14
C000654
セルオートマトンを⽤いた半導体シミュレータ (3)
〇⼤⾖⽣⽥ 利章1
1
1.2
Poster
3/21(⽉)
9:30
11:30
21a-P2-15
C001363
マンガを⽤いた電気回路教材の開発
〇⼤⾖⽣⽥ 利章1、⼩林 美桜1
1.群⾺⾼専
1
1.2
Poster
3/21(⽉)
9:30
11:30
21a-P2-16
C003452
奨
TCADを⽤いた初歩的なSiCパワー半導体プロセスの教育システムの構築
〇(B)⾼濱 滉太1、広⽥ 悠輝1、中⼝ 陽介1、⾜⽴ 拓磨1、向井 浩⼆1、⽥中 武1
1.広⼯⼤
1
1.2
Poster
3/21(⽉)
9:30
11:30
21a-P2-17
C003492
奨
TCADを⽤いたSiへのイオン注⼊とアニール効果
〇(B)広⽥ 悠輝1、中⼝ 陽介1、⾜⽴ 拓磨1、⾼濱 滉太1、向井 浩⼆1、⽥中 武1
1.広島⼯⼤
1
1.2
Poster
3/21(⽉)
9:30
11:30
21a-P2-18
C003673
奨
TCADを⽤いたSiへのイオン注⼊の⾓度依存性
〇(B)⾜⽴ 拓磨1、広⽥ 悠輝1、中⼝ 陽介1、髙濱 滉太1、向井 浩⼆1、⽥中 武1
1.広⼯⼤
1
1.2
Poster
3/21(⽉)
9:30
11:30
21a-P2-19
C000800
⾼電界中のランプ⽕炎の演⽰実験
〇塚林 功2、関 ⼀1、佐藤 杉弥2、服部 邦彦2
1.いろは理科⼯房, 2.⽇本⼯⼤
1
1.2
Poster
3/21(⽉)
9:30
11:30
21a-P2-20
C001715
発光ダイオードの⾼効率性を理解させる実験教材の開発
〇⻑島 礼⼈1、⼤塚 健太1
1.⼭梨⼤教育
1
1.2
Poster
3/21(⽉)
9:30
11:30
21a-P2-21
C000681
LED光センサを利⽤した⼒学実験における加速度の速度依存性
〇河野 託也1、本⽥ 直輝1、後野 昭次1
1.豊⽥⾼専
1
1.2
Poster
3/21(⽉)
9:30
11:30
21a-P2-22
C000263
事前・事後学習時間を確保する物理学の講義の試み
〇寺⽥ 貢1
1.福岡⼤理
1
1.2
Poster
3/21(⽉)
9:30
11:30
21a-P2-23
C000579
コンピュータを⽤いた能動的学習による物理学実験
〇⻄脇 洋⼀1、⽶岡 裕美1、⾚⽻ 明1
1.埼⽟医⼤医
1
1.2
Poster
3/21(⽉)
9:30
11:30
21a-P2-24
C000355
Moodle を⽤いた物理実験学習⽀援システムの構築とe-learning 教材の開発
〇⾨倉 和貴1、藤城 武彦1、⽥中 良⼀1、鈴⽊ 恒則1、遠藤 順⼀1
1.東海⼤理
1
1.2
Poster
3/21(⽉)
9:30
11:30
21a-P2-25
C000479
⼩学校教諭のための理科実験テキスト
〇上⽉ 具挙1、⼭中 仁昭2、間島 利也1、寺重 隆視1、出⽊原 裕順1
1.広島国際⼤, 2.海上保安⼤
1
1.2
Poster
3/21(⽉)
9:30
11:30
21a-P2-26
C000589
⼆酸化炭素の透過と空気の浮⼒に関する理科探究教材の研究
〇(M1)佐藤 直哉1、葛⽣ 伸1
1.福井⼤院⼯
1
1.2
Poster
3/21(⽉)
9:30
11:30
21a-P2-27
C000598
学⽣プロジェクトによる理科実験授業におけるタブレット端末の電⼦⿊板としての活⽤
〇⼿島 駿1、⻑⾕川 誠1
1.千歳科技⼤
1
1.2
Poster
3/21(⽉)
9:30
11:30
21a-P2-28
C001436
⼣焼け実験装置における散乱光スペクトルの測定
〇(B)徳光 聖茄1、⻑⾕川 誠1
1.千歳科技⼤
1
1.2
Poster
3/21(⽉)
9:30
11:30
21a-P2-29
C001733
⽩⾊LEDを⽤いた簡易型波⻑多重光通信実験セットと科学イベントでの使⽤
荻原 潤樹1、〇⻑⾕川 誠1
1.千歳科技⼤
1
1.2
Poster
3/21(⽉)
9:30
11:30
21a-P2-30
C003685
3Dピンホールカメラ教材の学習指導案の最適化
〇⽩井 勇祐1、渡部 ゆうき1、⼩栗 和也1
1.東海⼤教養
1
1.2
Poster
3/21(⽉)
9:30
11:30
21a-P2-31
C001023
⼿鏡を⽤いた虚像を学ぶ授業プログラム
〇千葉 芳明1、⻄條 敏剛2、本⽥ 亮3
1.宮城教⼤, 2.宮城⽩⽯⾼, 3.鳴⾨教⼤
1
1.2
Poster
3/21(⽉)
9:30
11:30
21a-P2-32
C000196
光速度不変原理の破綻 Ⅰ
〇⼟⽥ 成能1
1.ダビンチ研
1
1.2
Poster
3/21(⽉)
9:30
11:30
21a-P2-33
C001127
スキャニメーションを利⽤した理科教材に関する研究
〇⿊川 聖菜1、渡邉 聖也1、⼩栗 和也1
1.東海⼤教養
1
1.2
Poster
3/21(⽉)
9:30
11:30
21a-P2-34
C001655
拡張現実技術を活⽤した物理教材の開発
〇林 和彦1、福野 秀⼀1、盛⽥ 篤⽮1、正留 世紀⼈1、⾺越 達也1
1.呉⾼専
1
1.2
Poster
3/21(⽉)
9:30
11:30
21a-P2-35
C003749
⾼専⽣による専⾨英語を⽤いた理化学実験教室
〇柳⽣ 義⼈1、⻄⼝ 廣志1、⽯貫 ⽂⼦1、中尾 充宏1
1.佐世保⾼専
1
1.2
Poster
3/21(⽉)
9:30
11:30
21a-P2-36
C003070
薬剤師養成における物理教育 -新学習指導要領を考慮した-
〇渡部 智希1
1.北海道薬⼤
1
1.2
Poster
3/21(⽉)
9:30
11:30
21a-P2-37
C001283
電⼦機能ブロックの開発(3)
〇⾅井 敏男1、安達 愛華1、⼆⼭ 愛理1、棚瀬 勇介1、松本 拓也1
1.岐⾩⾼専
1
1.2
Poster
3/21(⽉)
9:30
11:30
21a-P2-38
C001798
無関⼼層への防災啓発のための教材開発
〇野村 詩織1
1.京都⼤⼯
1
1.2
Poster
3/21(⽉)
9:30
11:30
21a-P2-39
C001881
順序依存性を有する偏光⾊教材
松﨑 俊樹1、〇原⽥ 建治1、菅原 詩織1、酒井 ⼤輔1
1.北⾒⼯⼤
1
1.2
Poster
3/21(⽉)
9:30
11:30
21a-P2-40
C003090
電気の流れやすさを学ぶ体験型教材の作製
覃 ⻩毅1、〇酒井 ⼤輔1、菅原 詩織1、原⽥ 建治1
1.北⾒⼯⼤
1
1.2
Poster
3/21(⽉)
9:30
11:30
21a-P2-41
C002239
電気系複合シミュレータの開発
〇今岡 聖也1、外⾕ 昭洋1
1.呉⾼専
1
1.2
Poster
3/21(⽉)
9:30
11:30
21a-P2-42
C001095
化学技術者としてのコンピテンシー育成に向けた取り組み
〇丸⼭ 隆浩1、坂東 俊治1、坂 えり⼦1、⼤脇 健史1、永⽥ 央1、藤⽥ 典史1、⼩澤 理樹1、⽥中 正剛1、池邉 由美⼦1、才⽥ 隆広1
1.名城⼤理⼯
1
1.2
Poster
3/21(⽉)
9:30
11:30
21a-P2-43
C003141
創造理⼯学実験におけるマグネシウム酸化実験の導⼊
〇鈴⽊ 建司1、伊藤 智幹1、岡島 茂樹1、柴⽥ 祥⼀1、佐藤 元泰1、伊藤 響1、阪⽥ 泉1、中⼭ 和也1、井筒 潤1、⼤嶋 晃敏1、伊藤 幸雄1
1.中部⼤⼯
1
1.2
Poster
3/21(⽉)
9:30
11:30
21a-P2-44
C001809
表⾯分析⽤イオン源の試作
〇⼭⽥ 健⼆1、寺岡 佑起1、⽟⼭ 泰宏2、安井 寛治2
1.⽯川⾼専, 2.⻑岡技科⼤
1
1.2
Poster
3/21(⽉)
9:30
11:30
21a-P2-45
C002093
温泉⽔を⽤いた214Pbの半減期の教材化
〇⾜利 裕⼈1
1.公⽴⿃取環境⼤
1
1.2
Poster
3/21(⽉)
9:30
11:30
21a-P2-46
C002813
可変周波数Twin T発振回路
〇蟹江 壽1、⼭⼝ 富治2
1.理⼤基礎⼯, 2.電機⼤院⼯
1
1.2
Poster
3/21(⽉)
9:30
11:30
21a-P2-47
C003659
情報カードを⽤いた理科教材開発
〇吉原 ⼣貴1、⼩栗 和也1
1.東海⼤教養
1
1.2
Poster
3/21(⽉)
9:30
11:30
21a-P2-48
C003688
GPSロガーを搭載したペットボトルロケット実験を含む学習指導案の作成
〇⽚⼭ 太我1、今井 脩⼈1、⼩栗 和也1
1.東海⼤教養
1
1.2
Poster
3/21(⽉)
9:30
11:30
21a-P2-49
C002818
不思議⻭⾞を⽤いた天⽂学，技術史，機械⼯学教材の開発
〇前川 仁1、渡辺 美和⼦2
1.産総研, 2.渡辺教具製作所
1
1.2
Poster
3/21(⽉)
9:30
11:30
21a-P2-50
C000119
⼿回し発電機のハンドル回転エネルギーの測定器
〇出⼝ 幹雄1
1.新居浜⾼専
1
1.2
Poster
3/21(⽉)
9:30
11:30
21a-P2-51
C001644
永久磁⽯の”⽚側磁極”を⽤いたホール効果
〇安森 偉郎1、岡⽥ ⼯2、崔 ⼀煐2
1.東海⼤教育研, 2.東海⼤チャレンジセンター
1
1.2
Poster
3/21(⽉)
9:30
11:30
21a-P2-52
C002284
天然膨張⿊鉛シートを正極とした⾦属空気電池の作製とエネルギー教育への利⽤Ⅱ
〇岡野 寛1、福岡 蓮⼰1、平川 亘紀1、村川 星⽃1、栗原 健太2、三崎 伸也2、細川 敏弘2、幸 哲也2
1.⾹川⾼専, 2.東洋炭素㈱
1
1.3
Poster
3/21(⽉)
9:30
11:30
21a-P3-1
C003244
複数固定ガスセンサによる気体の発⽣源推定
〇遠藤 元1、⻄島 喜明1
1.横国⼤院⼯
1
1.3
Poster
3/21(⽉)
9:30
11:30
21a-P3-2
C001103
酸化マンガンナノシートのガスセンサ応答特性
〇都倉 勇貴1、松井 洋2、緒明 佑哉1, 2、今井 宏明1, 2、松本 佳宣1, 2、⽩⿃ 世明1, 2
1.慶⼤理⼯, 2.慶⼤院理⼯
1
1.3
Poster
3/21(⽉)
9:30
11:30
21a-P3-3
C001841
銀イオンを担持した交互積層膜のガスセンサへの応⽤
〇森⼭ 友加⾥1、柘植 洋祐2、⽩⿃ 世明1, 2
1.慶⼤理⼯, 2.慶⼤院理⼯
1
1.3
Poster
3/21(⽉)
9:30
11:30
21a-P3-4
C001834
⽔素ガスで動作するスイッチング素⼦の検証
〇⾚丸 悟⼠1、原 正憲1、松⼭ 政夫1
1.富⼭⼤⽔素研セ
1
1.3
Poster
3/21(⽉)
9:30
11:30
21a-P3-5
C003115
〇⼭崎 淳1、古宇⽥ 光1、合⽥ 義弘2
1.東⼤物性研, 2.東⼯⼤総合理⼯
1
1.3
Poster
3/21(⽉)
9:30
11:30
21a-P3-6
C002370
Investigation on the sensing mechanism and feasibility of ITO based liquid sensor
〇(M2)Seok-hwan Lee1, JIho Chang1, 2, Jung-Yeul Jung3, Moonjin Lee4
1.OST. KMOU., 2.Electronic Material Engineering.KMOU., 3.Offshore Plant Industries. KRISO., 4.Maritime Safety Research. KRISO.
1
1.3
Poster
3/21(⽉)
9:30
11:30
21a-P3-7
C000787
ポリマー製フォトニック結晶を⽤いた⾮標識光学バイオセンサーの開発とアミロイドβの検出
〇遠藤 達郎1、⻑島 優2、岩⽥ 淳2
1.阪府⼤院⼯, 2.東⼤院医
1
1.3
Poster
3/21(⽉)
9:30
11:30
21a-P3-8
C001422
ネマティック液晶複屈折の光学⼲渉法による定量化
〇伊藤 誠弥1、丸⼭ 耕⼀1、⽊村 宗弘2
1.秋⽥⼯業⾼等専⾨学校, 2.⻑岡技術科学⼤学
1
1.3
Poster
3/21(⽉)
9:30
11:30
21a-P3-9
C001666
改良型動的Shirley法によるXPSスペクトル解析の安定化
〇⽥中 博美1、⻄澤 侑吾1、松本 凌2, 3、吉川 英樹2、⽥沼 繁夫2、吉原 ⼀紘4
1.⽶⼦⾼専, 2.物材機構, 3.筑波⼤院, 4.シエンタ オミクロン
1
1.3
Poster
3/21(⽉)
9:30
11:30
21a-P3-10
C001394
ニッケルをドープしたポリピロール膜の電気化学的挙動と特性
〇松橋 広⼤1、丸⼭ 耕⼀1
1.秋⽥⼯業⾼等専⾨学校
1
1.3
Poster
3/21(⽉)
9:30
11:30
21a-P3-11
C000127
Deep-RIEにより形成されたトレンチ側⾯の化学組成に関するプラズマ発光分光分析からの考察
⻄岡 國⽣1、佐藤 美那1、〇松⾕ 晃宏1
1.東⼯⼤半導体ＭＥＭＳ
1
1.3
Poster
3/21(⽉)
9:30
11:30
21a-P3-12
C000177
液体定在波を利⽤した微⽣物細胞の流路レス凝集法におけるマイクロ囲いアレイを⽤いた⼤きさによる篩い分けと単⼀分離
〇松⾕ 晃宏1、髙⽥ 綾⼦2
1.東⼯⼤半導体ＭＥＭＳ, 2.東⼯⼤バイオ技術
1
1.3
Oral
3/21(⽉) 13:45 14:00
21p-S322-1
C000020
マテリアルキュレーション︓材料情報の活⽤による材料探索例４
〇吉武 道⼦1
1.物質・材料研究機構
1
1.3
Oral
3/21(⽉) 14:00 14:15
21p-S322-2
C000021
マテリアルキュレーションのための物性相関図検索システム
〇吉武 道⼦1
1.物質・材料研究機構
1
1.3
Oral
3/21(⽉) 14:15 14:30
21p-S322-3
C000209
フェーズフィールドシミュレーションによるAl-Cu合⾦凝固組織の組成依存性
〇荻本 泰史1、佐藤 圭輔1
1
1.3
Oral
3/21(⽉) 14:30 14:45
21p-S322-4
C000685
超⾼速量⼦分⼦動⼒学法のための⼈⼯知能融合第⼀原理パラメータ決定
E
奨
奨
E
奨
奨
3DプリンターをつかったNe-Fe-B系界⾯構造のモデリング
E
〇佐藤 愛美1、稲葉 賢⼆1、⽯澤 由紀江1、⼩原 幸⼦1、佐藤 絵美1、宮野 正之1、ボノー パトリック1、三浦 隆治1、鈴⽊ 愛1、宮本 直⼈1、畠⼭
望1、張⼭ 昌論1、宮本 明1
1.群⾺⾼専
1.富⼠電機
1.東北⼤
1
1.3
Oral
3/21(⽉) 14:45 15:00
21p-S322-5
C001465
〇岸村 浩明1、松永 拓也1、森 俊輔1、濵⽥ 翔1、有賀 敦1、松本 仁1
1.防衛⼤材料
1
1.3
Oral
3/21(⽉) 15:00 15:15
1
1.3
Oral
3/21(⽉) 15:15 15:30
21p-S322-6
C001097
奨
インクジェットシステムを利⽤した微⼩球ゲルの⾼速⽣成
〇(PC)下河 有司1、美⾕ 周⼆朗1、酒井 啓司1
1.東⼤⽣研
1
1.3
Oral
3/21(⽉) 15:30 15:45
21p-S322-7
C003500
奨
イットリウム鉄ガーネット様膜の１液式低温成膜プロセスの開発
〇川島 拓也1、⽔⼾ 慎⼀郎1、笹野 順司2
1.東京⾼専, 2.豊橋技科⼤
1
1.3
Oral
3/21(⽉) 15:45 16:00
21p-S322-8
C002233
奨
TiNを⽤いたPt超薄膜⽔素センサの熱的安定性改善
〇井並 祥太1、古川 遼2、堺 健司1、紀和 利彦1、塚⽥ 啓⼆1
1.岡⼭⼤⾃然, 2.岡⼭⼤⼯
衝撃処理された酸化ユーロピウム粉末の発光特性
休憩/Break
2016年春季講演会(東⼯⼤⼤岡⼭キャンパス)プログラム
⼤分類 中分類
形式
講演⽇
開始
終了
【1⽉28⽇(⽊)更新】暫定版からの更新箇所は⾚字になっております。
講演番号
受付番号
1
1.3
Oral
3/21(⽉) 16:00 16:15
21p-S322-9
C002127
1
1.4
Oral
3/21(⽉)
9:00
9:15
21a-S322-1
C000434
1
1.4
Oral
3/21(⽉)
9:15
9:30
21a-S322-2
C003554
1
1.4
Oral
3/21(⽉)
9:30
9:45
21a-S322-3
C003568
1
1.4
Oral
3/21(⽉)
9:45
10:00
21a-S322-4
C003388
1
1.4
Oral
3/21(⽉) 10:00 10:15
21a-S322-5
1
1.4
Oral
3/21(⽉) 10:15 10:30
1
1.4
Oral
3/21(⽉) 10:30 10:45
1
1.4
Oral
3/21(⽉) 10:45 11:00
1
1.4
Oral
1
1.4
1
奨励賞 英語 招待
Ptナノドットを⽤いた抵抗変化型⽔素センサの検出特性
E
2 / 52 ページ
※会場、時間が変更になった場合は該当の⽅にご連絡いたします。
講演タイトル
著者
所属機関
〇星野 伸介1、⽵内 豪1、⾼橋 綱⼰1, 2、内⽥ 建1, 2
1.慶應⼤理⼯, 2.JST CREST
Adsorption of Benzene and Borderline / Group B Heavy Metals by Poly (butadiene-co-acrylic acid) Gel
〇(M2)Brian Adala Omondi1, Hirotaka Okabe1, Yoshiki Hidaka1, Kazuhiro Hara1
1.Kyushu University
ホルミウムレーザーを利⽤した⼆酸化炭素リサイクルシステムの開発
〇佐藤 篤1、那須 祥彦1、佐々⽊ 正史1、丸尾 容⼦1
1.東北⼯⼤⼯
ウェアラブル発電システムの発電による下肢筋活動に与える影響
〇⻫藤 純1
1.サレジオ⾼専
Excellent Surface Passivation of Crystalline Silicon by Atomic Layer Deposition AlxMg1-xOy Thin Films
〇HYUNJU LEE1, Takefumi Kamioka1, Dongyan Zhang1, Naotaka Iwata1, Yoshio Ohshita1
1.Toyota Technol. Inst.
C000543
PbIペロブスカイト太陽電池のインピーダンス分光法
〇柳⽥ 真利1、⽩井 康裕1、宮野 健次郎1
1.物質・材料機構GREEN
21a-S322-6
C001438
砂丘地に設置した太陽電池の表⾯に付着する砂塵汚れの分析
〇五百井 拓哉1、⽥川 公太朗1、三保⾕ 拓史2
1.⿃取⼤地, 2.シャープ
21a-S322-7
C003702
Si粒⼦の酸化挙動と酸化抑制⽅法
〇新井⽥ 誠1、巽 宏平1
1.早⼤情シス
3/21(⽉) 11:00 11:15
21a-S322-8
C003000
I2-K2CO3系熱化学的⽔素製造サイクルの基本反応の検討
〇内藤 剛⼤1、寺井 隆幸1、武⼭ 雅樹2、近藤 和吉2
1.東京⼤⼯, 2.(株)デンソー
Oral
3/21(⽉) 11:15 11:30
21a-S322-9
C001573
冷却過程の異なるナノポーラスカーボンの⽔素吸蔵特性
〇菅間 由紀乃1、朱 傑1、⽯橋 佳国1、津⽥ 欣典1, 2、⼩松 啓志1、齋藤 秀俊1
1.4
Oral
3/21(⽉) 11:30 11:45
21a-S322-10 C002564
1
1.4
Oral
3/21(⽉) 11:45 12:00
21a-S322-11 C002092
1
1.4
Oral
3/21(⽉) 12:00 12:15
21a-S322-12 C000521
1
1.4
Oral
3/21(⽉) 12:15 12:30
21a-S322-13 C000030
1
1.4
Poster
3/22(⽕)
9:30
11:30
22a-P1-1
1
1.4
Poster
3/22(⽕)
9:30
11:30
22a-P1-2
1
1.4
Poster
3/22(⽕)
9:30
11:30
22a-P1-3
1
1.4
Poster
3/22(⽕)
9:30
11:30
1
1.4
Poster
3/22(⽕)
9:30
11:30
1
1.4
Poster
3/22(⽕)
9:30
1
1.4
Poster
3/22(⽕)
1
1.4
Poster
3/22(⽕)
1
1.4
Poster
1
1.4
Poster
1
1.4
Poster
1
1.4
1
E
休憩/Break
奨
⼈⼯知能融合超⾼速化量⼦分⼦動⼒学法の開発と蓄電池プロセスへの応⽤
サブサーフェス磁気イメージングシステムによる多層蓄電池内の⾮破壊電流密度分布計測に関する研究
〇宮野 正之1、佐藤 愛美1、⼩原 幸⼦1、⽯澤 由紀江1、佐藤 絵美1、稲葉 賢⼆1、ボノー パトリック1、三浦 隆治1、鈴⽊ 愛1、宮本 直⼈1、畠⼭
望1、張⼭ 昌論1、宮本 明1、幸 琢寛2、⼩⼭ 章2、江⽥ 信夫2、⻑井 ⿓2、太⽥ 璋2
1.⻑岡技術科学⼤学, 2.ヒューズ･テクノネット
1.東北⼤, 2.LIBTEC
〇野本 和誠1、松⽥ 聖樹1、稲垣 明⾥1、美⾺ 勇輝1、⽊村 憲明2, 3、⽊村 建次郎1, 3
1.神⼾⼤, 2.IGS, 3.JST先端計測
⾼速充放電リチウムイオン電池に向けた強誘電体－活物質複合正極
〇吉川 祐未1、寺⻄ 貴志1、林 秀考1、岸本 昭1
1.岡⼤院⾃然
Alpha-Sn versus Beta-Sn Anodes for Li-, Na-, and Mg-ion Batteries: a First-Principles Study Including the Effect of Phonons
〇Sergei Manzhos1, Fleur Legrain1, Oleksandr Malyi2, Clas Persson2
1.Ntl Uni of Singapore, 2.Uni of Oslo
C001247
Siナノ構造/カーボンナノチューブ複合材料作製法の検討
〇(M1)⻲⽥ 直哉1、⼭浦 ⼤地1、伊藤 和希1、若林 慶1、荻野 俊郎1
1.横国⼤院
C000411
AgPd@Pd/TiO2 触媒を⽤いたギ酸分解による⽔素⽣成におけるUV-Vis光照射の効果
嶋本 ⼤祐1、服部 真史2、吾郷 浩樹3、〇辻 正治4
1.九⼤総理⼯, 2.東⼯⼤フロンティア, 3.九⼤先導研, 4.九⼤炭素センター
C000837
NLO膜を⽤いた透明太陽電池の開発と機能性窓への応⽤
〇森⽥ 廣1、市岡 ⼤志1、桐⽥ 直志1、吉⽥ 博⾏1
1.⼭⼝東京理⼤⼯
22a-P1-4
C001197
全固体リチウムイオン⼆次電池のひずみイメージング
〇松下 友紀1、繁⽥ 亜⾨1、内⽥ 勇介1、⾼⽥ 啓⼆1
1.関⻄⼤院理⼯
22a-P1-5
C001187
リチウムイオン⼆次電池シリコン負極のひずみイメージング
〇⼤坂 隆⾺1、松下 友紀1、佛願 建太1、⾼⽥ 啓⼆1
1.関⻄⼤院理⼯
11:30
22a-P1-6
C003119
リチウムイオン⼆次電池正極活物質LiCoO2エピタキシャル膜の評価
〇(B)中⼭ 慶祐1、⼤坂 隆⾺1、佛願 建太1、⾼⽥ 啓⼆1、⼀杉 太郎2、⽩⽊ 将2
1.関⻄⼤システム理⼯, 2.東北⼤AIMR
9:30
11:30
22a-P1-7
C001040
メタンの低温⽔蒸気改質の実験的研究 続（２）
〇(M1)北川 聖1、⾼橋 克⺒1、⼩原 宏之1
1.⽟川⼤学TSCP
9:30
11:30
22a-P1-8
C003712
CNTを⽤いた微⽣物燃料電池の試作 続(2)
〇(M2)倉嶋 ⼀塁1、⾼橋 克⼰1、⼩原 宏之1
1.⽟川⼤学 TSCP
3/22(⽕)
9:30
11:30
22a-P1-9
C003716
⽔素供給電解セルのための触媒電析に関する⼀実験
〇鈴⽊ 智久1
1.⽟川⼤学 TSCP
3/22(⽕)
9:30
11:30
22a-P1-10
C003389
偏光を⽤いた燃料電池⽤電解質膜の劣化解析
〇墻内 孝祐1、松⽥ 敏彦1
1.株式会社KRI
3/22(⽕)
9:30
11:30
22a-P1-11
C003668
レーザープラズマを⽤いたアルミナ還元における物質の凝固点差によるアルミニウム回収法
〇(M1)明圓 亮1、佐藤 裕亮1、松井 信1、⼩紫 公也2、荒川 義博2
1.静岡⼤, 2.東京⼤
Poster
3/22(⽕)
9:30
11:30
22a-P1-12
C003334
1.4
Poster
3/22(⽕)
9:30
11:30
22a-P1-13
C002650
1
1.4
Poster
3/22(⽕)
9:30
11:30
22a-P1-14
C003647
1
1.5
Oral
3/19(⼟) 13:45 14:00
19p-S322-1
C002473
1
1.5
Oral
3/19(⼟) 14:00 14:15
19p-S322-2
C003023
1
1.5
Oral
3/19(⼟) 14:15 14:30
19p-S322-3
C003707
1
1.5
Oral
3/19(⼟) 14:30 14:45
19p-S322-4
C002644
1
1.5
Oral
3/19(⼟) 14:45 15:00
19p-S322-5
C003497
1
1.5
Oral
3/19(⼟) 15:00 15:15
19p-S322-6
C003656
1
1.5
Oral
3/19(⼟) 15:15 15:30
19p-S322-7
C001779
1
1.5
Oral
3/19(⼟) 15:30 15:45
19p-S322-8
C003600
1
1.5
Oral
3/19(⼟) 15:45 16:00
1
1.5
Oral
3/19(⼟) 16:00 16:15
1
1.5
Oral
3/19(⼟) 16:15 16:30
19p-S322-10 C002381
1
1.5
Oral
3/19(⼟) 16:30 16:45
19p-S322-11 C000421
1
1.5
Oral
3/19(⼟) 16:45 17:00
1
1.5
Oral
3/19(⼟) 17:00 17:15
1
1.5
Oral
3/19(⼟) 17:15 17:30
1
1.5
Poster
3/21(⽉)
9:30
11:30
21a-P4-1
1
1.5
Poster
3/21(⽉)
9:30
11:30
21a-P4-2
1
1.5
Poster
3/21(⽉)
9:30
11:30
21a-P4-3
1
1.5
Poster
3/21(⽉)
9:30
11:30
1
1.5
Poster
3/21(⽉)
9:30
11:30
1
1.6
Oral
3/20(⽇) 13:45 14:00
20p-S322-1
I000210
1
1.6
Oral
3/20(⽇) 14:00 14:15
20p-S322-2
C002785
奨
超⾳波速度変化による脂肪肝診断のための簡易プローブ
〇(M1)堀 誠1、真野 和⾳1、⾕川 昇平1、横⽥ ⼤輝1、⻘⾕ 悠平1、熊⾕ 勇汰1、和⽥ 健司1、松中 敏⾏1、堀中 博道1、森川 浩安2
1
1.6
Oral
3/20(⽇) 14:15 14:30
20p-S322-3
C002771
奨
RF加温による超⾳波速度変化イメージング法を⽤いた⾎管不安定プラーク診断装置
〇(M1)横⽥ ⼤輝1、真野 和⾳1、⾕川 昇平1、堀 誠1、⻘⾕ 悠平1、熊⾕ 勇汰1、松⼭ 哲也1、和⽥ 健司1、松中 敏⾏1、堀中 博道1、森川 浩安2
1.阪府⼤院・⼯, 2.阪市⼤・医
1
1.6
Oral
3/20(⽇) 14:30 14:45
20p-S322-4
C002857
海綿⾻の⾻梁形状が超⾳波⼆波伝搬現象に与える影響
〇(B)中⻄ 翔⼦1、⼋軒 卓磨1、井本 有紀1、松川 真美1
1.同志社⼤
1
1.6
Oral
3/20(⽇) 14:45 15:00
20p-S322-5
C000267
⾻中のコラーゲン架橋が⾳速異⽅性に与える影響
〇井本 有紀1、⾼柳 真司1、太⽥ 哲男1、松川 真美1
1.同志社⼤
1
1.6
Oral
3/20(⽇) 15:00 15:15
20p-S322-6
C001154
プラスチック光ファイバの複合材料への超⾳波溶着
1
1.6
Oral
3/20(⽇) 15:15 15:30
20p-S322-7
C003289
超⾳波振動によるネマティック液晶の２次元配向制御
〇(B)清⽔ 裕貴1、⾕⼝ 聡紀1、江本 顕雄1、⼩⼭ ⼤介1、中村 健太郎2、松川 真美1
1.同志社⼤, 2.東⼯⼤
1
1.6
Oral
3/20(⽇) 15:30 15:45
20p-S322-8
C000410
溶存気体成分（空気/⼆酸化炭素）に依存した超⾳波粒⼦凝集体と⾳響キャビテーション気泡との関係
〇⽮内 沙祐⾥1、村松 浩也1、齋藤 隆之1
1.静⼤⼯
20p-S322-9
前⽅光散乱を⽤いた微⼩液滴径のオンサイト測定
〇早川 ⼤智1、美⾕ 周⼆朗1、酒井 啓司1
1.東⼤⽣研
奨
E
Removal of Metal Ions from Aqueous Solutions using Carboxymethyl Cellulose /Sodium Styrene Sulfonate Hydrogels prepared by
E
〇(M2)Tran Thu Hong1, Hirotaka Okabe1, Yoshiki Hidaka1, Kazuhiro Hara1
1.Kyushu University
ローレンツ⼒を利⽤した海⽔・油分離装置内の海⽔流れと流路断⾯形状の関係
〇横尾 太郎1、⾚澤 輝彦1、岩本 雄⼆1、梅⽥ ⺠樹1
1.神⼾⼤
GPSを利⽤した簡便なゴミ排出量調査⽅法の検討
〇林 雅悠1、⽯垣 藍1、⼩栗 和也1
1.東海⼤教養
Radiation Grafting
奨
ストロンチウム原⼦の時計遷移の絶対周波数測定 -SI秒との⽐較における不確かさの低減-
〇⽥邊 健彦1、⾚松 ⼤輔1、⼩林 拓実1、⾼⾒澤 昭⽂1、柳町 真也1、池上 健1、鈴⼭ 智也1、稲場 肇1、⼤久保 章1、安⽥ 正美1、洪 鋒雷1, 2、⼤
苗 敦1、保坂 ⼀元1
1.産総研, 2.横浜国⼤
2台の電気的冷却⽅式低温サファイア発振器間の周波数安定度測定
〇池上 健1、渡部 謙⼀1、柳町 真也1、⾼⾒澤 昭⽂1、平野 育1、萩本 憲1、ハートネット ジョン2
1.産総研, 2.アデレード⼤
核磁気共鳴計測⽤の微⼩サンプル管の形状設計
〇樋沢 拓真1、⾼橋 雅⼈2、岩瀬 英治1
1.早⼤機械航空, 2.理化学研究所
1 MΩ集積化量⼦ホール素⼦の開発
〇⼤江 武彦1、Sucheta Gorwadkar1、板⾕ 太郎1、⾦⼦ 晋久1
1.産総研
多種ガス⽤微量⽔分発⽣装置におけるガス流量制御の⻑期安定性
〇天野 みなみ1、阿部 恒1
1.産総研
⿊体輻射による超⾼温域の熱⼒学温度測定
〇⼭⼝ 祐1、笹嶋 尚彦1、⼭⽥ 善郎1
1.産総研
質量同時測定型液中粒⼦計数装置による液中粒⼦数濃度標準開発
〇坂⼝ 孝幸1
1.産総研物質計測標準
⾮接触な潜傷検査技術 -熱応⼒誘起光散乱法によるガラス基板表層の潜傷検出-
〇坂⽥ 義太朗1、寺崎 正1、野中 ⼀洋1
1.産総研
植物から⼤気中に放出されるイオン電荷の測定
〇⼀⽊ 博⽂1、⾼橋 芳弘1、⼆神 光次2、川⼝ 俊郎2、三島 正章2
1.九産⼤⼯, 2.財)光線研究所
温度安定型⽔晶振動⼦出⼒への湿度の影響低減
〇鈴⽊ 淳1
1.産総研分析計測標準RI
⽔晶振動⼦/微⼩液適界⾯制御による粘性計測
〇(D)深⽥ 健太1、⽩⿃ 世明1
1.慶⼤院理⼯
19p-S322-12 C001766
液中で振動するステンレス球を使った粘度と密度の同時計測
〇⻄⽥ 順⼀1、坂井 佑1、東 圭1、岩倉 ⾏志1
1.リオン
19p-S322-13 C001864
2連回転電場を⽤いた新⽅式質量分析器の開発
〇堀⽥ 昌直1、野島 雅2、胡桃 聡3、鈴⽊ 薫3、⾜⽴ 達哉4、草梛 ⾼志4、盛⾕ 浩右5
1.(同)オフィスタンデム, 2.東京理科⼤学総研, 3.⽇本⼤学理⼯, 4.(株）アンペール, 5.兵庫県⽴⼤学⼯研
19p-S322-14 C003739
接着状態の応⼒発光可視化に関する研究
〇寺崎 正1、藤尾 侑輝1
1.産総研、製造技術研究部⾨
C003766
蛍光温度センサ⽤Mn添加スピネルの⾚⾊発光強度の検討
〇勝亦 徹1、⻘⽊ 美奈1、折原 友⾹1、⻑⼭ 聖1、⾒富 ⼤真1、相沢 宏明1、⼩室 修⼆1
1.東洋⼤理⼯
C001215
磁気記録ヘッドの磁気誘起ひずみイメージング
〇佛願 建太1、⼤坂 隆⾺1、松下 友紀1、⾼⽥ 啓⼆1
1.関⻄⼤院理⼯
C003163
磁気テープの磁場誘起ひずみイメージング
〇奥野 幸穂1、⾼⽥ 啓⼆1、⼤坂 隆⾺1、溝尾 研⼈1、安原 希1
1.関⻄⼤理⼯
21a-P4-4
C002584
電気泳動堆積法によるTiO2マイクロパターンの作製と光触媒活性評価⽅法への応⽤
〇⽇置 亜也⼦1、村上 修⼀1、佐藤 和郎1、物部 浩達2
1.産技研, 2.産総研
21a-P4-5
C001662
静電気分布を⽤いた材料表⾯の⽔分吸着に関する検討
〇菊永 和也1、江頭 正浩1、⼭下 博史1、寺崎 正1
1.産総研
〇森 剛志1、鈴⽊ 雅視2、柳⾕ 隆彦2
1.名⼯⼤, 2.早稲⽥⼤
奨
奨
奨
休憩/Break
19p-S322-9
C001991
奨
招
奨
「講演奨励賞受賞記念講演」（15分）
極性反転構造のZnO及びScAlN圧電薄膜の形成と弾性波デバイス応⽤
〇(M1)島⽥ 俊平1、⽥中 宏樹1、⻑⾕部 和彦1、林 寧⽣1、越智 寛2、松井 孝洋2、⻄崎 到3、松本 幸⼤4、⽥中 洋介5、中村 ⼀史6、⽔野 洋輔1、
中村 健太郎1
1.阪府⼤院・⼯, 2.阪市⼤院・医
1.東⼯⼤, 2.東レ, 3.⼟⽊研, 4.豊橋技科⼤, 5.農⼯⼤, 6.⾸都⼤
1
1.6
Oral
3/20(⽇) 15:45 16:00
C000795
奨
1
1.6
Oral
3/20(⽇) 16:00 16:15
1
1.6
Oral
3/20(⽇) 16:15 16:30
20p-S322-10 C002480
奨
1
1.6
Oral
3/20(⽇) 16:30 16:45
20p-S322-11 C002000
バースト波アンダーサンプリング回路の開発とSAW微量⽔分計への適⽤
1
1.6
Oral
3/20(⽇) 16:45 17:00
20p-S322-12 C002015
⾼⾳速薄膜装荷によるリーキー弾性表⾯波の低損失化 ― LiTaO3基板への適⽤ ―
1
1.6
Oral
3/20(⽇) 17:00 17:15
20p-S322-13 C000480
⾮同期光パルスプローブ法によるGHz帯任意周波数表⾯⾳響波の時間分解⼆次元イメージング
1
1.6
Oral
3/20(⽇) 17:15 17:30
20p-S322-14 C002320
直線集束ビーム超⾳波材料解析システムを⽤いたX-cutランガサイト型単結晶の⽅位決定の実験的検討
〇⼤橋 雄⼆1、横⽥ 有為2、⼯藤 哲男1、庄⼦ 育宏3、鎌⽥ 圭2, 3、⿊澤 俊介2、吉川 彰1, 2, 3
1
1.6
Oral
3/20(⽇) 17:30 17:45
20p-S322-15 C001583
奨
⾼抵抗GaNの⾼温における共振超⾳波スペクトロスコピーの開発と圧電性の評価
〇(M1)⾜⽴ 寛太1、荻 博次1、⻑久保 ⽩1、中村 暢伴1、平尾 雅彦1、今出 完2、吉村 政志2、森 勇介2
1.阪⼤院基礎⼯, 2.阪⼤院⼯
1
1.6
Oral
3/20(⽇) 17:45 18:00
20p-S322-16 C000969
奨
深さ⽅向に分解能を持つ⾳速計測法の開発: 共焦点ピコ秒超⾳波法
〇関⼝ 修1、中村 暢伴1、荻 博次1、平尾 雅彦1
1.阪⼤院基礎⼯
1
1.6
Oral
3/20(⽇) 18:00 18:15
20p-S322-17 C002120
奨
アンテナ発振⾮接触圧電センサによる薄膜の形態変化モニタリング⼿法の開発
〇⽩岩 裕⼀郎1、橋⾥ 駿1、中村 暢伴1、荻 博次1、平尾 雅彦1
1.阪⼤基礎⼯
1
1.6
Poster
3/21(⽉)
9:30
11:30
21a-P5-1
C001042
反射型横波型弾性表⾯波センサのための計測システム開発と環境計測応⽤
〇(M2)増⽥ 智仁1、近藤 淳1, 2
1.静岡⼤院, 2.静岡⼤創造院
1
1.6
Poster
3/21(⽉)
9:30
11:30
21a-P5-2
C001947
横波型弾性表⾯波デバイスを⽤いた直接メタノール燃料電池⽤センサ
〇多⽥ 恭輔1、近藤 淳1
1.静岡⼤⼯
1
1.6
Poster
3/21(⽉)
9:30
11:30
21a-P5-3
C003093
横波型弾性表⾯波を⽤いた液体中の微粒⼦測定
〇⼩林 沙耶1
1.静岡⼤⼯
1
1.6
Poster
3/21(⽉)
9:30
11:30
21a-P5-4
C000949
Femtosecond laser-induced acoustic wave emission from gold nano-colloidal suspensions; shape dependence
〇Frances Camille Masim1, Hao-Li Liu2, Koji Hatanaka1, 2
1.Academia Sinica, 2.Chang Gung Univ.
1
1.6
Poster
3/21(⽉)
9:30
11:30
21a-P5-5
C001829
⾳響キャビテーションを伴う⾳場のシャドウグラフ計測
〇(D)⿊⼭ 喬允1、⽔⾕ 孝⼀2、若槻 尚⽃2、海⽼原 格2、⼤淵 武史3
1.筑波⼤・シス情⼯, 2.筑波⼤・シス情系, 3.防衛⼤・応物
1
1.6
Poster
3/21(⽉)
9:30
11:30
21a-P5-6
C002305
純⽔を⽤いた単⼀気泡ソノルミネッセンスの発光測定システムの検討
〇(M1)⼭⽥ 量⼦1、松井 信1
1.静岡⼤
2
Poster
3/21(⽉) 16:00 18:00
21p-P12-1
C001792
シリコングリッドを⽤いた画像検出器⽤シンチレータの開発
〇⽥端 健⼈1、⻄澤 潤⼀1、増澤 智昭1、⻘⽊ 徹1
1.静⼤院情
2
Poster
3/21(⽉) 16:00 18:00
21p-P12-2
C001800
BNCTのための熱外中性⼦束強度モニターの基本設計
〇(B)柏⽊ 佑介1、関 興彩1、真鍋 正伸1、佐藤 ⽂信1、村⽥ 勲1
1.阪⼤院⼯
2
Poster
3/21(⽉) 16:00 18:00
21p-P12-3
C001899
BNCTのためのT/N⽐リアルタイム計測装置⽤検出素⼦の検討
〇(B)⼤屋 瞭介1、⽫上 順英1、真鍋 正伸1、佐藤 ⽂信1、村⽥ 勲1
1.阪⼤院⼯
2
Poster
3/21(⽉) 16:00 18:00
21p-P12-4
C003088
パルス中性⼦透過分光撮影のための画像取得システムの開発とその応⽤
〇⽥中 健太1、⽯塚 健1、持⽊ 幸⼀1、⽯川 裕卓2、佐藤 博隆2、加美⼭ 隆2、⻤柳 善明3
1.都市⼤⼯, 2.北⼤理⼯, 3.名⼤⼯
2
Poster
3/21(⽉) 16:00 18:00
21p-P12-5
C003208
サブmm等⽅分解能を⽬指したPET検出器Xʼtal Cubeの結晶弁別能の改善
〇新⽥ 宗孝1, 2、稲⽟ 直⼦2、錦⼾ ⽂彦2、吉⽥ 英治2、⽥島 英朗2、河合 秀幸1、⼭⾕ 泰賀2
1.千葉⼤理, 2.放医研
2
Poster
3/21(⽉) 16:00 18:00
21p-P12-6
C003106
TES型マイクロカロリーメータ⽤低発熱型SQUIDの特性評価
〇吉⽥ 早耶⾹1、前畑 京介1、善本 翔太1、満⽥ 和久2、酒井 和宏2
1.九⼤⼯, 2.JAXA
2
Poster
3/21(⽉) 16:00 18:00
21p-P12-7
C003216
77 KにおけるGAGG結晶のγ線に対するシンチレーション応答測定
〇都留 由紀⼦1、前畑 京介1、⽊佐 優太1、鎌⽥ 圭2, 3、庄⼦ 育宏3、吉川 彰2, 3
1.九⼤⼯, 2.東北⼤, 3.(株) C＆A
2
Poster
3/21(⽉) 16:00 18:00
21p-P12-8
C002648
リバース型アバランシェフォトダイオードのシングルイベント効果のシミュレーション研究（Ⅱ）
〇(M1)松⽥ 光平1、⽚寄 祐作1、⼤島 武2、⼩野⽥ 忍2、牧野 ⾼紘2
1.横国⼤⼯, 2.原⼦⼒機構
2
Poster
3/21(⽉) 16:00 18:00
21p-P12-9
C000631
シンチレーション⾶跡検出器による治療⽤重粒⼦線の線質計測
〇⽯⽥ 祥⼤1, 2、松藤 成弘2, 1、陳 志凌2、河野 俊之1、古場 祐介2
1.東⼯⼤総理⼯, 2.放医研
2
Poster
3/21(⽉) 16:00 18:00
21p-P12-10
C000366
単結晶CdTeへのArプラズマとUVオゾンによる表⾯処理効果
〇(M1)柿本 祐輔1、岸原 弘之2、市岡 聖菜2、徳⽥ 敏2、吉牟⽥ 利典2、佐藤 敏幸1, 2
1.奈良先端科学技術⼤物質, 2.(株)島津製作所
2
Poster
3/21(⽉) 16:00 18:00
21p-P12-11
C000121
CdS半導体結晶シンチレータの放射線応答評価
〇柳⽥ 健之1、越⽔ 正典2、岡⽥ 豪1
1.奈良先端, 2.東北⼤⼯
休憩/Break
UHF帯MEMS無線⽔晶振動⼦バイオセンサによる
夾雑物中のマーカー蛋⽩質の無標識検出
E
奨
奨
〇(M1)岩⽥ 有弘1、⿃居 宏⾂1、荻 博次1、平尾 雅彦1
1.阪⼤・基・機創
〇辻 俊宏1、⼤泉 透2、⽵⽥ 宣⽣2、⾚尾 慎吾2、塚原 祐輔2、⼭中 ⼀司2
1.東北⼤, 2.東北⼤NICHe
〇垣尾 省司1、勝⾕ 信介1、保坂 桂⼦1
1.⼭梨⼤院
〇松⽥ 理1、庄野 浩史1、加藤 駿1、兼⼦ 翔吾1、メジル シルヴァン1、友⽥ 基信1、ライト オリバー1
1.北⼤院⼯
1.東北⼤⾦研, 2.東北⼤NICHe, 3.C&A
2016年春季講演会(東⼯⼤⼤岡⼭キャンパス)プログラム
⼤分類 中分類
形式
講演⽇
開始
終了
【1⽉28⽇(⽊)更新】暫定版からの更新箇所は⾚字になっております。
講演番号
受付番号
奨励賞 英語 招待
3 / 52 ページ
※会場、時間が変更になった場合は該当の⽅にご連絡いたします。
講演タイトル
著者
所属機関
2
Poster
3/21(⽉) 16:00 18:00
21p-P12-12
C000122
中性⼦計測⽤Ce:LiF-SrF2 共晶体のシンチレーション特性の固化速度依存性
〇柳⽥ 健之1、福⽥ 健太郎2、藤本 裕3、河⼝ 範明4、渡辺 賢⼀5、岡⽥ 豪1、⽠⾕ 章5
1.奈良先端⼤, 2.トクヤマ, 3.東北⼤⼯, 4.A&T, 5.名⼤⼯
2
Poster
3/21(⽉) 16:00 18:00
21p-P12-13
C000123
ガンマ線⽤Ce:LuLiF4 のシンチレーション特性
〇柳⽥ 健之1、藤本 裕2、福⽥ 健太郎3、岡⽥ 豪1
1.奈良先端⼤, 2.東北⼤⼯, 3.トクヤマ
2
Poster
3/21(⽉) 16:00 18:00
21p-P12-14
C000680
Sm添加CsBrによるラジオフォトルミネッセンス
〇岡⽥ 豪1、藤本 裕2、⽥中 宏典2、Kasap Safa3、柳⽥ 健之1
1.奈良先端⼤, 2.東北⼤, 3.サスカ⼤（加）
2
Poster
3/21(⽉) 16:00 18:00
21p-P12-15
C000688
Sm添加ZnO-P2O5ガラス中で⽣じる放射線誘起現象とそれを⽤いた放射線計測への検討
〇岡⽥ 豪1、正井 博和2、⿃本 彩2、Kasap Safa3、柳⽥ 健之1
1.奈良先端⼤, 2.京⼤化研, 3.サスカ⼤（加）
2
Poster
3/21(⽉) 16:00 18:00
21p-P12-16
C000182
Dy添加NaPO3-Al(PO3)3ガラスのシンチレーション特性評価
〇(M1)久良 智明1、岡⽥ 豪1、柳⽥ 健之1、藤本 裕2、正井 博和3
1.奈良先端⼤, 2.東北⼤⼯, 3.京⼤化研
2
Poster
3/21(⽉) 16:00 18:00
21p-P12-17
C000161
銀添加Li3PO4-Al(PO3)3 ガラスのRPL特性
〇(M1)⾠⺒ 浩規1、岡⽥ 豪1、柳⽥ 健之1、正井 博和2
1.奈良先端科学技術⼤学院⼤学, 2.京都⼤学化学研究所
2
Poster
3/21(⽉) 16:00 18:00
21p-P12-18
C000164
無添加ZnSe半導体結晶のシンチレーション特性
〇(M1)⾠⺒ 浩規1、岡⽥ 豪1、柳⽥ 健之1
1.奈良先端科学技術⼤学院⼤学
2
Poster
3/21(⽉) 16:00 18:00
21p-P12-19
C000166
無添加ZrO2のシンチレーション特性とドシメーター特性
〇(M1)⾠⺒ 浩規1、岡⽥ 豪1、柳⽥ 健之1
1.奈良先端科学技術⼤学院⼤学
2
Poster
3/21(⽉) 16:00 18:00
21p-P12-20
C001049
イットリア安定化ジルコニア結晶のシンチレーションおよびドシメータ特性評価
〇中内 ⼤介1、岡⽥ 豪1、柳⽥ 健之1
1.奈良先端⼤物質
2
Poster
3/21(⽉) 16:00 18:00
21p-P12-21
C001046
Ce添加SrAl2O4単結晶のシンチレーション特性評価
〇中内 ⼤介1、岡⽥ 豪1、越⽔ 正典2、柳⽥ 健之1
1.奈良先端⼤物質, 2.東北⼤⼯
2
Poster
3/21(⽉) 16:00 18:00
21p-P12-22
C000312
Scintillation and optical properties of Cr-doped Al2O3 crystal and ceramic
〇(M1)Nurul Athirah1, Masaki Mori1, Go Okada1, Takayuki Yanagida1
2
Poster
3/21(⽉) 16:00 18:00
21p-P12-23
C000120
2
Poster
3/21(⽉) 16:00 18:00
21p-P12-24
C000155
2
Poster
3/21(⽉) 16:00 18:00
21p-P12-25
C000466
2
Poster
3/21(⽉) 16:00 18:00
21p-P12-26
2
Poster
3/21(⽉) 16:00 18:00
2
Poster
3/21(⽉) 16:00 18:00
2
Poster
2
2
E
Sn添加YAGの光物性およびシンチレーション特性
1.NAIST
〇(M1)森 正樹1、岡⽥ 豪1、正井 博和2、越⽔ 正典3、柳⽥ 健之1
1.奈良先端⼤, 2.京⼤化研, 3.東北⼤院⼯
〇(M1)⼤⽮ 智久1、岡⽥ 豪1、柳⽥ 健之1
1.奈良先端⼤
SPSによって作製した透明セラミックCaOのドシメーター特性
〇加藤 匠1、岡⽥ 豪1、柳⽥ 健之1
1.奈良先端⼤
C000464
Y添加透明セラミックMgOのドシメーター特性
〇加藤 匠1、岡⽥ 豪1、柳⽥ 健之1
1.奈良先端⼤
21p-P12-27
C000856
透明セラミックBaF2のシンチレータ特性
〇加藤 匠1、岡⽥ 豪1、柳⽥ 健之1
1.奈良先端⼤
21p-P12-28
C000041
BaF2添加AlNセラミックスのシンチレーションおよびドシメータ特性
〇(M1)⼩島 ⾹織1、岡⽥ 豪1、福⽥ 健太郎2、柳⽥ 健之1
1.奈良先端⼤, 2.（株）トクヤマ
3/21(⽉) 16:00 18:00
21p-P12-29
C000159
希⼟類元素をドープしたCaF2蛍光体のPL,TSLおよびOSL特性
〇南⼾ 秀仁1、中川 涼太1、平澤 ⼀樹1、⽵井 義法1、岡⽥ 豪2、柳⽥ 健之2、藤本 裕3、福⽥ 健太郎4、柳⽥ 由⾹5、⼭本 幸佳5
1.⾦沢⼯⼤, 2.奈良先端⼤, 3.東北⼤, 4.トクヤマ, 5.千代⽥テクノル
Poster
3/21(⽉) 16:00 18:00
21p-P12-30
C001702
ZnO-P2O5ガラス中のSn2+発光に与える2価酸化物の置換効果
〇正井 博和1、上⽥ 悠貴1、岡⽥ 豪2、柳⽥ 健之2
1.京⼤化研, 2.奈良先端⼤
Poster
3/21(⽉) 16:00 18:00
21p-P12-31
C002230
Cu+及びCe3+添加Na2O-Al2O3-B2O3ガラスのドシメータ特性
〇藤本 裕1、⽮幅 拓真1、⽥中 宏典1、柳⽥ 健之2、越⽔ 正典1、浅井 圭介1
1.東北⼤院⼯, 2.奈良先端
2
Poster
3/21(⽉) 16:00 18:00
21p-P12-32
C002277
Ce添加YLiF4結晶の熱蛍光及び輝尽蛍光特性
〇藤本 裕1、柳⽥ 健之2、⽥中 宏典1、福⽥ 健太郎3、越⽔ 正典1、浅井 圭介1
1.東北⼤院⼯, 2.奈良先端, 3.トクヤマ
2
Poster
3/21(⽉) 16:00 18:00
21p-P12-33
C002244
TlCdCl3結晶の光学及びシンチレーション特性
〇藤本 裕1、佐伯 啓⼀郎1、⽥中 宏典1、柳⽥ 健之2、越⽔ 正典1、浅井 圭介1
1.東北⼤院⼯, 2.奈良先端
2
Poster
3/21(⽉) 16:00 18:00
21p-P12-34
C000750
アルカリ⾦属含有リン酸塩ガラスのラジオフォトルミネッセンス特性
〇(M1)⽥中 宏典1、藤本 裕1、越⽔ 正典1、柳⽥ 健之2、佐伯 啓⼀郎1、⽮幅 拓真1、浅井 圭介1
1.東北⼤院⼯, 2.奈良先端⼤
2
Poster
3/21(⽉) 16:00 18:00
21p-P12-35
C000755
Rbリン酸塩ガラスのラジオフォトルミネッセンス特性
〇(M1)⽥中 宏典1、藤本 裕1、越⽔ 正典1、柳⽥ 健之2、佐伯 啓⼀郎1、⽮幅 拓真1、浅井 圭介1
2
Poster
3/21(⽉) 16:00 18:00
21p-P12-36
C000764
Csリン酸塩ガラスのラジオフォトルミネッセンス特性
〇(M1)⽥中 宏典1、藤本 裕1、越⽔ 正典1、柳⽥ 健之2、佐伯 啓⼀郎1、⽮幅 拓真1、浅井 圭介1
1.東北⼤院⼯, 2.奈良先端⼤
2
Poster
3/21(⽉) 16:00 18:00
21p-P12-37
C000851
CsCaCl3焼結体の輝尽蛍光特性
〇(B)野⽥ 沙⽮佳1、佐伯 啓⼀郎1、越⽔ 正典1、藤本 裕1、浅井 圭介1、柳⽥ 健之2
1.東北⼤⼯, 2.奈良先端⼤
2
Poster
3/21(⽉) 16:00 18:00
21p-P12-38
C002298
NaClおよびCsIの焼結体におけるドシメータ特性
〇(B)野⽥ 沙⽮佳1、佐伯 啓⼀郎1、藤本 裕1、越⽔ 正典1、浅井 圭介1、柳⽥ 健之2
1.東北⼤⼯, 2.奈良先端⼤
2
Poster
3/21(⽉) 16:00 18:00
21p-P12-39
C000700
Tl添加CsCl結晶の蛍光及びシンチレーション特性
〇酒井 卓⺒1、越⽔ 正典1、柳⽥ 健之2、藤本 裕1、浅井 圭介1
1.東北⼤⼯, 2.奈良先端⼤
2
Poster
3/21(⽉) 16:00 18:00
21p-P12-40
C001943
CsCaCl3:Pbの蛍光及びシンチレーション特性
〇(M1)佐伯 啓⼀郎1、藤本 裕1、越⽔ 正典1、柳⽥ 健之2、浅井 圭介1
1.東北⼤院⼯, 2.奈良先端⼤
2
Poster
3/21(⽉) 16:00 18:00
21p-P12-41
C000852
⽔溶液法によるホウ酸系結晶の作製とそのシンチレーション特性の解析
〇塚本 貴之1、越⽔ 正典1、柳⽥ 健之2、藤本 裕1、浅井 圭介1
1.東北⼤院⼯, 2.奈良先端⼤
2
Poster
3/21(⽉) 16:00 18:00
21p-P12-42
C002902
重⾦属ナノ粒⼦を含有したプラスチックシンレータのX線検出特性線
2
Poster
3/21(⽉) 16:00 18:00
21p-P12-43
C002854
ニュートリノレス⼆重β崩壊検出を企図したπ電⼦系有機修飾MoO3ナノ粒⼦装荷液体シンチレータの開発
〇(M2)滝川 奨1、野⼝ 多紀郎1、相⽥ 努1、⾼⾒ 誠⼀1、阿尻 雅⽂1、越⽔ 正典1、藤本 裕1、浅井 圭介1
1.東北⼤
2
Poster
3/21(⽉) 16:00 18:00
21p-P12-44
C002270
フォトクロミズムを⽰すスピロピランのX線照射による異性化挙動
〇(B)浅井 康平1
1.東北⼤院⼯
2
Poster
3/21(⽉) 16:00 18:00
21p-P12-45
C001816
YBa2Cu3OxへのX線照射による特性変化の観測
〇(B)⿊⽥ 勇樹1、越⽔ 正典1、藤本 裕1、浅井 圭介1
1.東北⼤院⼯
2
Poster
3/21(⽉) 16:00 18:00
21p-P12-46
C002066
γ線照射した絶縁材料の抵抗特性
〇⼀⽊ 博⽂1、緒⽅ 将⼈1、松岡 剛志1、⼆神 光次2、川⼝ 俊郎2、三島 正章2
1.九産⼤⼯, 2.財)光線研究所
2
Poster
3/21(⽉) 16:00 18:00
21p-P12-47
C000965
TlBr結晶の蛍光およびシンチレーション特性
〇越⽔ 正典1、⼈⾒ 啓太郎1、柳⽥ 健之2、藤本 裕1、浅井 圭介1
1.東北⼤院⼯, 2.奈良先端⼤
2
Poster
3/21(⽉) 16:00 18:00
21p-P12-48
C001826
Ce:LiCaAlF6におけるエネルギー移動過程の温度依存性
〇越⽔ 正典1、佐伯 啓⼀郎1、⼭下 真⼀2、柳⽥ 健之3、福⽥ 健太郎4、藤本 裕1、浅井 圭介1
1.東北⼤院⼯, 2.東⼤院⼯, 3.奈良先端⼤, 4.トクヤマ
2
Poster
3/21(⽉) 16:00 18:00
21p-P12-49
C001838
ピコ秒過渡吸収分光によるCe:Gd2SiO5 (GSO)中でのホスト励起状態の解析
〇越⽔ 正典1、⼭下 真⼀2、室屋 裕佐3、柳⽥ 健之4、藤本 裕1、浅井 圭介1
1.東北⼤院⼯, 2.東⼤院⼯, 3.阪⼤産研, 4.奈良先端⼤
2
Poster
3/21(⽉) 16:00 18:00
21p-P12-50
C000966
垂直磁気異⽅性CoFeB-MgO磁気トンネル接合の⾼速中性⼦耐性評価(III)
2
Poster
3/21(⽉) 16:00 18:00
21p-P12-51
C001272
固体燃料ロケット推進薬における酸化剤粒⼦の規則配列
〇(B)上垣 那津世1、細⾒ 直正1、⼤⽵ 可那2、岩崎 祥⼤3、松本 幸太郎4、⽻⽣ 宏⼈4、⼭⼝ 聡⼀朗1
1.関⻄⼤シス理, 2.関⻄⼤院理, 3.総研⼤物, 4.JAXA
2
Poster
3/21(⽉) 16:00 18:00
21p-P12-52
C001275
固体燃料ロケット推進薬におけるX線CTの統計的分析法
〇(M1)⼤⽵ 可那1、細⾒ 直正2、上垣 那津世2、岩崎 祥⼤3、松本 幸太郎4、⽻⽣ 宏⼈4、⼭⼝ 聡⼀朗2
1.関⻄⼤院理, 2.関⻄⼤シス理, 3.総研⼤物, 4.JAXA
2
Poster
3/21(⽉) 16:00 18:00
21p-P12-53
C002932
⽣体内多核種同時イメージング検出器の基礎検討
〇(M1)丁 性元1、吉原 有⾥1、島添 健次1、⾼橋 浩之1、杉⽥ 亮平2、広瀬 農2
1.東京⼤⼯, 2.東京⼤農
2
Poster
3/21(⽉) 16:00 18:00
21p-P12-54
C003601
RANSにおけるフォトンカウンティング法の適応
〇⽥中 健太1、⽯塚 健1、堀 拓⾺1、持⽊ 幸⼀1、⽵⾕ 篤2、⼤⽵ 淑恵2
1.都市⼤院⼯, 2.理研光量⼦
2
Poster
3/21(⽉) 16:00 18:00
21p-P12-55
C003251
⼤強度パルス相対論的電⼦ビーム照射によるNaCl単結晶の点⽋陥⽣成と温度上昇
〇⿃⽻ 瞭太1、菊池 崇志2、今⽥ 剛1, 3、末松 久幸1、中⼭ 忠親1、鈴⽊ 常⽣1、新原 晧⼀1
1.⻑岡技術科学⼤学 極限エネルギー密度⼯学研究センター, 2.⻑岡技術科学⼤学, 3.新潟⼯科⼤学
Nd-Ce共添加Lu3Al5O12単結晶のシンチレーション特性における
Ce3+濃度依存性
〇(B)樋⼭ 史幸1、野⼝ 多紀朗1、越⽔ 正典1、岸本 俊⼆2、春⽊ 理恵2、錦⼾ ⽂彦3、柳⽥ 健之4、藤本 裕1、相⽥ 努1、⾼⾒ 誠⼀1、阿尻 雅史1、
浅井 圭介1
〇成⽥ 克1、⾼橋 豊1、原⽥ 正英2、⼤井 元貴2、及川 健⼀2、⼩林 ⼤輔3、廣瀬 和之3、佐藤 英夫4, 5、池⽥ 正⼆4, 5、遠藤 哲郎4, 5, 6、⼤野 英
男4, 5, 7, 8
1.東北⼤院⼯, 2.奈良先端⼤
1.東北⼤, 2.⾼エネ研, 3.放医研, 4.奈良先端⼤
1.⼭形⼤⼯, 2.原⼦⼒機構J-PARC, 3.JAXA宇宙研, 4.東北⼤CIES, 5.東北⼤CSIS, 6.東北⼤⼯, 7.東北⼤通研LNS, 8.東北⼤WPI-AIMR
2
2.1
Oral
3/21(⽉) 10:30 10:45
21a-W810-1
C003065
アルカリ⾦属元素を共添加したEu:SrI2結晶におけるシンチレーション特性
〇(M2)伊藤 友樹1、横⽥ 有為2、⿊澤 俊介2、Kral Robert3、鎌⽥ 圭2, 4、Jan Pejchal3、⼤橋 雄⼆1、吉川 彰1, 2, 4
1.東北⼤⾦研, 2.東北⼤ NICHe, 3.チェコ物理研, 4.(株)C&A
2
2.1
Oral
3/21(⽉) 10:45 11:00
21a-W810-2
C001861
Ce賦活(Gd, La)2Si2O7シンチレータの温度特性
〇堀合 毅彦1、⿊澤 俊介2、村上 ⼒輝⽃1、⼭路 晃広1、庄⼦ 育宏1, 3、⼤橋 雄⼆1、鎌⽥ 圭2, 3、横⽥ 有為2、吉川 彰1, 2, 3
1.東北⼤⾦研, 2.東北⼤NICHe, 3.株式会社C&A
2
2.1
Oral
3/21(⽉) 11:00 11:15
21a-W810-3
C002130
Mg共添加Ce:Lu3(Ga,Al)5O12シンチレータの作製とシンチレーション特性評価
⼭⼝ ⼤聡1、〇鎌⽥ 圭2, 3、庄⼦ 育宏3, 1、⿊澤 俊介1, 2、横⽥ 有為2、⼤橋 雄⼆1、吉川 彰1, 2, 3
1.東北⼤ ⾦研, 2.東北⼤ NICHe, 3.株式会社 C&A
2
2.1
Oral
3/21(⽉) 11:15 11:30
21a-W810-4
C002047
奨
Cs2HfCl6及びCs2ZrCl6シンチレータの特性⽐較
〇(M1)佐伯 啓⼀郎1、藤本 裕1、越⽔ 正典1、柳⽥ 健之2、浅井 圭介1
1.東北⼤院⼯, 2.奈良先端⼤
2
2.1
Oral
3/21(⽉) 11:30 11:45
21a-W810-5
C002102
奨
多光⼦蛍光計測及びLA-ICPMSによるCe3+:LiCaAlF6単結晶の評価
〇(B)⽥中 美帆1、遠⼭ 浩平1、⼩野 晋吾1、⾼柳 順2、福⽥ 健太郎3、槇納 好岐4、平⽥ 岳史4
1.名⼯⼤, 2.アイシン精機, 3.トクヤマ, 4.京⼤
2
2.1
Oral
3/21(⽉) 11:45 12:00
21a-W810-6
C000886
奨
Ce3+ドープバリウムホウ酸塩ガラスの発光特性調査
〇⿃本 彩1、正井 博和1、岡⽥ 豪2、柳⽥ 健之2
1.京⼤化研, 2.奈良先端⼤
2
2.1
Oral
3/21(⽉) 12:00 12:15
21a-W810-7
C000575
奨
Peak-to-Charge Discrimination (PQD) 法によるGSO:Ce(0.4, 1.0, 1.5mol%)を⽤いた時定数分解能の評価
〇⼩川原 亮1、⽯川 正純1
1.北⼤医
2
2.1
Oral
3/21(⽉) 12:15 12:30
21a-W810-8
C000102
プラスチックシンチレーションカウンター試作器
〇古⽥ 悦⼦1、岩崎 紀⼦1
1.お茶⼤
2
2.1
Oral
3/21(⽉) 13:45 14:00
21p-W810-1
I000093
2
2.1
Oral
3/21(⽉) 14:00 14:15
21p-W810-2
C001805
2
2.1
Oral
3/21(⽉) 14:15 14:30
21p-W810-3
2
2.1
Oral
3/21(⽉) 14:30 14:45
21p-W810-4
2
2.1
Oral
3/21(⽉) 14:45 15:00
21p-W810-5
2
2.1
Oral
3/21(⽉) 15:00 15:15
2
2.1
Oral
2
2.1
Oral
2
2.2
Oral
2
2.2
Oral
招
「講演奨励賞受賞記念講演」（15分）
〇岡⽥ 豪1、上⽥ 純平2、⽥部 勢津久2、Edgar Andy3、Belev George4、柳⽥ 健之1、Kasap Safa5
1.奈良先端⼤, 2.京⼤, 3.ビクトリア⼤（NZ）, 4.カナディアンライトソース（加）, 5.サスカ⼤（加）
電離箱のパルス信号に及ぼす測定妨害核種の超⾼頻度⼊射の効果
〇松原 章浩1、藤⽥ 奈津⼦1、三宅 正恭2、⻄澤 章光2
1.原⼦⼒機構 東濃地科学セ, 2.ペスコ
C000527
重イオンと気体標的の衝突による負イオン⽣成
〇渡邉 桃1、松尾 崇2、河野 俊之1、⼤野 由美⼦3、渡邉 紳⼀2、村上 健4
1.東⼯⼤, 2.神奈川⼯科⼤, 3.群⾺県⽴県⺠健康⼤, 4.放医研
C002232
α線に対する単結晶CVDダイヤモンド放射線検出器のFano因⼦評価
〇嶋岡 毅紘1、⾦⼦ 純⼀1、佐藤 優樹2、坪⽥ 雅功1、新名 宏明1、茶⾕原 昭義3、渡邊 幸志3、梅澤 仁3、杢野 由明3
1.北⼤, 2.原研, 3.産総研
C002034
3 × 3ピクセル電極を有するTlBr検出器の製作
〇⼈⾒ 啓太朗1、⻑野 宣道1、⼩野寺 敏幸2、伊藤 ⾠也1、⾦ 聖潤1、⽯井 慶造1
1.東北⼤, 2.東北⼯⼤
21p-W810-6
C002128
垂直TMZ法を⽤いたTlBr結晶の育成及びTlBr検出器の評価
〇⼩野寺 敏幸1、⼈⾒ 啓太朗2、庄司 忠良1
1.東北⼯⼤, 2.東北⼤
3/21(⽉) 15:15 15:30
21p-W810-7
C001158
Tl電極の臭化タリウム半導体検出器の温度特性
〇松村 基広1、⼭﨑 淳1、渡辺 賢⼀1、⽠⾕ 章1、⻑野 宣道2、⼈⾒ 啓太朗2
1.名古屋⼤, 2.東北⼤
3/21(⽉) 15:30 15:45
21p-W810-8
C001544
溌液化プロセスによるTlBr結晶の育成
〇能勢 真伍1、郷家 正迪1、⽥邊 健治1、常盤 和靖1、櫻⽊ 史郎2
1.東理⼤基礎⼯, 2.ユニオンマテリアル
3/19(⼟) 10:00 10:15
19a-W810-1
C003280
低抵抗率基板を⽤いたGated Silicon Drift Detectorの厚膜化と受光⾯積の拡⼤
〇⽵下 明伸1、櫻井 俊伍1、⼩⽥ 裕也1、福島 慎也1、⽯川 翔平1、⽇⾼ 淳輝1、松浦 秀治1
1.⼤阪電通⼤
3/19(⼟) 10:15 10:30
19a-W810-2
C003577
厚膜化 Gated Silicon Drift Detector の有効⾯積の拡⼤
〇⽯川 翔平1、福島 慎也1、櫻井 俊伍1、⼩⽥ 祐也1、⽵下 明伸1、⽇⾼ 淳輝1、松浦 秀治1
マイクロビーム放射線治療に⽤いる⾼線量・⾼空間分解能X線計測を⽬的とした線量計測技術の開発
2
2.2
Oral
3/19(⼟) 10:30 10:45
19a-W810-3
C000110
2
2.2
Oral
3/19(⼟) 10:45 11:00
19a-W810-4
C000964
2
2.2
Oral
3/19(⼟) 11:00 11:15
19a-W810-5
C000971
2
2.2
Oral
3/19(⼟) 11:15 11:30
19a-W810-6
C001681
奨
超薄窓型単結晶ダイヤモンド荷電粒⼦検出器の開発(2)
2
2.2
Oral
3/19(⼟) 11:30 11:45
19a-W810-7
C002607
奨
ビスマス吸収体を⽤いたガンマ線検出⽤TES型マイクロカロリーメータの開発
2
2.2
Oral
3/19(⼟) 11:45 12:00
19a-W810-8
C002814
2
2.2
Oral
3/19(⼟) 12:00 12:15
2
2.2
Oral
3/19(⼟) 12:15 12:30 19a-W810-10 C000265
2
2.2
Oral
3/19(⼟) 13:45 14:00
19p-W810-1
19a-W810-9
C003559
C000012
2
2.2
Oral
3/19(⼟) 14:00 14:15
19p-W810-2
2
2.2
Oral
3/19(⼟) 14:15 14:30
2
2.2
Oral
3/19(⼟) 14:30 14:45
2
2.2
Oral
2
2.2
Oral
2
2.2
Oral
2
2.2
2
マルチボード型CdTeピクセル検出器開発
〇豊川 秀訓1、佐治 超爾1、川瀬 守弘1、呉 樹奎1、古川 ⾏⼈1、梶原 堅太郎1、佐藤 眞直1、広野 等⼦2、菖蒲 敬久3、城 鮎美3、末永 敦⼠4、池
⽥ 博⼀5
1.⼤阪電通⼤
1.JASRI/SPring-8, 2.ボン⼤学, 3.原⼦⼒機構, 4.豊和産業, 5.ISAS/JAXA
Tl6SI4放射線検出器の開発
〇⾼橋 司1、渡辺 俊⼀郎1、渡邊 肇1、野島 太郎1、⼩野寺 敏幸2
1.三井⾦属鉱業, 2.東北⼯⼤
整流性電極を⽤いたTl6SI4放射線検出器の特性向上
〇渡辺 俊⼀郎1、野島 太郎1、渡邊 肇1、⾼橋 司1、⼩野寺 敏幸2
1.三井⾦属鉱業, 2.東北⼯⼤
マイクロ波読出しによるTES模擬信号の測定
〇加⽥ 渉1、神⾕ 富裕2、Grilj Veljko3、Skukan Natko3、Sudić Ivan3、Pomorski Michal4、牧野 ⾼紘2、安藤 裕⼠1, 2、神林 佑哉1, 2、⼩野⽥
忍2、花泉 修1、Jakšić Milko3、⼤島 武2
〇⾸藤 祐輝1、伊豫本 直⼦1、吉峰 郁洋1、前畑 京介1、⾼野 彬1、善本 翔太1、満⽥ 和久2、永吉 賢⼀郎2、林 佑2、村松 はるか2
〇⼊松川 知也1, 2、平⼭ ⽂紀2、佐々⽊ 仁2、佐藤 昭2、⼭森 弘毅2、永沢 秀⼀2、福⽥ ⼤治2、⽇⾼ 睦夫2、佐藤 泰2、神代 暁2、⼤野 雅史1、⾼
橋 浩之1
1.群⾺⼤理⼯, 2.原⼦⼒機構, 3.RBI, 4.CEA- LIST
1.九⼤院⼯, 2.宇宙科学研究所
1.東⼤⼯, 2.産総研
TES型X線マイクロカロリメータの多⾊X線に対する性能評価
〇村松 はるか1、林 佑1、中島 祐貴1、前久 景星1、満⽥ 和久1、⼭崎 典⼦1
1.宇宙研
TES型マイクロカロリーメータによる244Cm線源のL X線スペクトル計測
〇前畑 京介1、杉本 哲也1、伊豫本 直⼦1、⽯橋 健⼆1、中村 圭佑2、森下 祐樹2、⾼崎 浩司2、満⽥ 和久3
1.九⼤院⼯, 2.JAEA, 3.JAXA
⽐例モードSi-APDを⽤いたHfO2ナノ粒⼦添加プラスチックシンチレータ搭載X線シンチレーション検出器
〇井上 圭介1、岸本 俊⼆2、春⽊ 理恵2、越⽔ 正典3、平⽥ 智之3、錦⼾ ⽂彦4
1.総研⼤, 2.KEK /物構研, 3.東北⼤, 4.放医研
C000453
CsIの⾃⼰放射化による中性⼦線量当量の評価
〇(M2)栗原 凌佑1、⽊下 博之1、本⽥ 宗⼀郎1、納冨 昭弘1、若林 源⼀郎2、福永 淳⼀3、梅津 芳幸3、中村 泰彦3、⼤賀 才路3、中村 和正4
1.九⼤医保, 2.近⼤原研, 3.九⼤病院, 4.浜松医科⼤
19p-W810-3
C003509
MPPC読み出しによるLiCAFラバーシートの中性⼦検出性能評価
〇松村 徹1、新川 孝男1、岡本 直也1
1.防衛⼤応物
19p-W810-4
C000360
分⼦イメージング応⽤に向けた⾼解像度型コンプトンカメラの開発
〇(DC)岸本 彩1、⽚岡 淳1、末岡 晃紀1、⼩出 絢⼦1、⼤須賀 慎⼆2
1.早⼤理⼯, 2.浜松ホトニクス
3/19(⼟) 14:45 15:00
19p-W810-5
C003234
２光⼦同時計測コンプトンイメージング⼿法の開発
〇吉原 有⾥1、中村 泰明1、島添 健次1、⾼橋 浩之1
1.東⼤⼯
3/19(⼟) 15:00 15:15
19p-W810-6
C001499
波⻑弁別型DOI検出器およびカラーSiPMの開発
〇島添 健次1、⾼橋 浩之1、渡辺 賢⼀2、Wiest Florian3
1.東⼤⼯, 2.名古屋⼤, 3.KETEK
3/19(⼟) 15:15 15:30
19p-W810-7
C000357
MPPCを⽤いた⾼精度時間計測法の開発とToF-PETへの応⽤
〇(M2)辻川 貴之1、⽚岡 淳1、藤⽥ 卓也1、池⽥ 博⼀2
1.早⼤理⼯, 2.JAXA
Oral
3/19(⼟) 15:30 15:45
19p-W810-8
C002105
Development of pixel X/gamma detector based on SiPMs and ToT-ASIC
〇(D)Alina Lipovec1, Tian Yang1, Kenji Shimazoe1, Hiroyuki Takahashi1
1.The Univ. of Tokyo,
2.2
Oral
3/19(⼟) 15:45 16:00
2
2.2
Oral
3/19(⼟) 16:00 16:15
MPPCを⽤いた低被ばくかつ多⾊X線CTの提案と実証
〇森⽥ 隼⼈1、⼤島 翼1、⽚岡 淳1
1.早⼤理⼯
2
2.2
Oral
3/19(⼟) 16:15 16:30 19p-W810-10 C000843
Scintillating Glass GEMによる⾼解像X線イメージングとCT
〇藤原 健1、三津⾕ 有貴2、⾼橋 浩之2、豊川 弘之1
1.産総研, 2.東⼤⼯
2
2.2
Oral
3/19(⼟) 16:30 16:45 19p-W810-11 C001212
顕微マッピング測定を⽤いた損傷構造の分析
〇上⽥ 隆裕1、楠本 多聞1、⼩⽥ 啓⼆1、⾦崎 真聡1、北村 尚2、⼩平 聡2、⼭内 知也1
1.神⼤院海事, 2.放医研
2
2.2
Oral
3/19(⼟) 16:45 17:00 19p-W810-12 C000019
PADC検出器中電⼦線トラックの構造分析
〇(D)楠本 多聞1、森 豊2、⾦崎 真聡1、⼩⽥ 啓⼆1、誉⽥ 義英3、藤乗 幸⼦3、⼭内 知也1
1.神⼤院海事, 2.神⼾⼤研究基盤セ, 3.阪⼤産研
奨
奨
E
休憩/Break
19p-W810-9
C002427
奨
奨
2016年春季講演会(東⼯⼤⼤岡⼭キャンパス)プログラム
⼤分類 中分類
形式
講演⽇
開始
終了
講演番号
【1⽉28⽇(⽊)更新】暫定版からの更新箇所は⾚字になっております。
受付番号
奨励賞 英語 招待
4 / 52 ページ
※会場、時間が変更になった場合は該当の⽅にご連絡いたします。
講演タイトル
著者
所属機関
2
2.2
Oral
3/19(⼟) 17:00 17:15 19p-W810-13 C001201
⾼閾値検出器としてのポリエチレンテレフタレートの特性研究（2）
〇上野 琢也1、楠本 多聞1、⼩⽥ 啓⼆1、⾦崎 正聡1、北村 尚2、⼩平 聡2、⼭内 知也1
2
2.2
Oral
3/19(⼟) 17:15 17:30 19p-W810-14 C001231
PADC検出器中イオントラックに⽣成されるヒドロキシル基の研究
〇⻲⽥ 結貴1、楠本 多聞1、池永 ⿓之介1、安⽥ 修⼀郎1、⼩⽥ 啓⼆1、北村 尚2、⼩平 聡2、⼭内 知也1
2
2.2
Oral
3/19(⼟) 17:30 17:45 19p-W810-15 C002597
2インチ径SrI2(Eu)単結晶の育成と特性評価
2
2.2
Oral
3/19(⼟) 17:45 18:00 19p-W810-16 C001089
2インチ径Eu添加SrI2単結晶のシンチレーション特性評価とその応⽤
2
2.3
Oral
3/20(⽇)
9:00
9:15
20a-W810-1
C001185
数100keV⼩型イオンマイクロビーム装置で形成されたビーム径の縮⼩化（Ⅱ）
〇⽯井 保⾏1、⼤久保 猛1
1.原⼦⼒機構⾼崎
2
2.3
Oral
3/20(⽇)
9:15
9:30
20a-W810-2
C003111
原⼦炉ベース低速陽電⼦ビームラインの輝度増強部の設計・テスト
〇(M2)葛⾕ 佳広1、⼤島 永康2、徐 虬1、佐藤 紘⼀3、⽊野村 淳1、薮内 敦1
1.京⼤原⼦炉, 2.産総研, 3.⿅児島⼤⼯
2
2.3
Oral
3/20(⽇)
9:30
9:45
20a-W810-3
C002345
エネルギー分解コンピュータ断層撮影法による尿路結⽯の組成識別
〇(M2)井上 福太郎1、神野 郁夫1
1.京⼤院⼯学研究科
2
2.3
Oral
3/20(⽇)
9:45
10:00
20a-W810-4
C002621
⾼精度陽⼦線治療に向けた陽電⼦放出核種⽣成断⾯積の推定
〇増⽥ 孝充1、⽚岡 淳1、岸本 彩1、多屋 隆紀1、髙部 美帆1、嶋 達志2、⼭本 誠⼀3、稲庭 拓4
1.早⼤理⼯, 2.阪⼤RCNP, 3.名⼤医, 4.放医研
2
2.3
Oral
3/20(⽇) 10:00 10:15
20a-W810-5
C003108
多種帯状シンチレータ板を⽤いたエネルギー分解X線コンピュータ断層撮影法
〇濱⼝ 拓1、神野 郁夫1、堀⽥ ⼀海2、中村 正明3、安達 隆⼆3
1.京⼤院⼯, 2.MCHC-RDSC, 3.三菱化学
2
2.3
Oral
3/20(⽇) 10:15 10:30
20a-W810-6
C003178
奨
transXend検出器固有の応答関数を⽤いたX線エネルギー分布取得法の検討
〇(M1)丸⼭ 能央1、濵⼝ 拓1、神野 郁夫1
1.京⼤院⼯
2
2.3
Oral
3/20(⽇) 10:30 10:45
20a-W810-7
C003355
奨
エネルギー分解CTにおける散乱X線の影響評価
〇(D)蔡 典修1、神野 郁夫1
1.京⼤院⼯
2
2.3
Oral
3/22(⽕)
9:00
9:15
22a-W833-1
C000992
有⼈宇宙船内における最適な遮蔽材料と遮蔽厚の検討 (Ⅱ)
〇島⽥ 健1、永松 愛⼦2、佐藤 達彦3、明⽯ ⼩百合1、⻄ 啓輔1、武⽥ 和雄4
1.AES, 2.JAXA, 3.JAEA, 4.RIST
2
2.3
Oral
3/22(⽕)
9:15
9:30
22a-W833-2
C001623
⽉着陸探査に向けた能動型蛍光X線分光計
〇草野 広樹1、⻑⾕部 信⾏1、⻑岡 央1、柴村 英道1、天野 嘉春1、太⽥ 亨2、Fagan Timothy J.2、久野 治義1
1.早⼤理⼯研, 2.早⼤教育
2
2.3
Oral
3/22(⽕)
9:30
9:45
22a-W833-3
C001421
⽉着陸探査に向けた焦電結晶X線源の開発
〇(D)内藤 雅之1、溝根 美穂1、草野 広樹1、柴村 英道1、⻑岡 央1、久野 治義1、⻑⾕部 信⾏1
1.早⼤
2
2.3
Oral
3/22(⽕)
9:45
10:00
22a-W833-4
C002792
アクティブＸ線検出器の動作モニタリングのための探査ローバー⽤多機能遠隔広視野視覚センサシステムの開発
〇⻄⼭ 裕之1、清⽔ 創太2、内藤 雅之1、草野 広樹1、⻑岡 央1、⻑⾕部 信⾏1
1.早稲⽥⼤学, 2.慶應義塾⼤学
2
2.3
Oral
3/22(⽕) 10:00 10:15
22a-W833-5
C001622
⽕星衛星探査に向けたガンマ線・中性⼦分光計
〇草野 広樹1、⻑⾕部 信⾏1、⻑岡 央1、柴村 英道1、天野 嘉春1、太⽥ 亨2、Fagan Timothy J.2、久野 治義1
1.早⼤理⼯研, 2.早⼤教育
2
2.3
Oral
3/22(⽕) 10:15 10:30
22a-W833-6
C001414
⽕星衛星から発⽣するガンマ線数値シミュレーション
〇(D)内藤 雅之1、吉⽥ 康平1、⽯井 隼也1、⻘⽊ ⼤輔1、⻑岡 央1、草野 広樹1、⻑⾕部 信⾏1
1.早⼤理⼯
⽕星衛星表⾯から放出される中性⼦強度の⽔素濃度依存性
〇(B)⽯井 隼也1、⻑⾕部 信⾏1, 2、草野 広樹2、⻑岡 央1、内藤 雅之1、吉⽥ 康平1、⻘⽊ ⼤輔1
1.早⼤理⼯, 2.早⼤理研
庄⼦ 育宏1, 3、⿊澤 俊介2、横⽥ 有為2、早坂 将輝3、⻑⾨ 和久3、鎌⽥ 圭2, 3、酒井 昭宏4、太⽥ 朗⽣4、柳⽥ 由⾹4、⼤橋 雄⼆1、⽵内 宣博4、
〇吉川 彰1, 2, 3
〇⿊澤 俊介1、庄⼦ 育宏2, 3、酒井 昭宏4、横⽥ 有為1、早坂 将輝3、⻑⾨ 和久3、太⽥ 朗⽣4、柳⽥ 由⾹4、⼤橋 雄⼆2、鎌⽥ 圭1, 3、⽵内 宣博
4、吉川 彰1, 2, 3
1.神⼤院海事, 2.放医研
1.神⼤院海事, 2.放医研
1.東北⼤⾦研, 2.東北⼤NICHe, 3.㈱Ｃ＆Ａ, 4.千代⽥テクノル
1.東北⼤NICHe, 2.東北⼤⾦研, 3.（株)C&A, 4.（株）千代⽥テクノル
2
2.3
Oral
3/22(⽕) 10:30 10:45
22a-W833-7
C003406
2
2.3
Oral
3/22(⽕) 10:45 11:00
2
2.3
Oral
3/22(⽕) 11:00 11:15
22a-W833-8
C002984
頭部⽤RFコイル⼀体型PET装置の2次試作機を⽤いた性能評価
〇錦⼾ ⽂彦1、菅 幹⽣2、藤原 理伯2、清⽔ 啓司3、⼩畠 隆⾏1、⽥島 英朗1、吉⽥ 英治1、⼭⾕ 泰賀1
1.放医研, 2.千葉⼤, 3.浜松ホトニクス
2
2.3
Oral
3/22(⽕) 11:15 11:30
22a-W833-9
C001886
重粒⼦線照射野イメージングのためのsingle-ring OpenPET実証機開発
〇⼭⾕ 泰賀1、吉⽥ 英治1、⽥島 英朗1、錦⼾ ⽂彦1、Mohammadi Akram1、脇坂 秀克1、稲庭 拓1、北川 敦志1
1.放医研
2
2.3
Oral
3/22(⽕) 11:30 11:45 22a-W833-10 C002364
低エネルギー光⼦測定による治療⽤炭素ビーム軌道上の空洞検出のシミュレーションによる評価
〇⼭⼝ 充孝1、⻑尾 悠⼈1、菅井 裕之2、酒井 真理2、河地 有⽊1、佐藤 隆博1、神⾕ 富裕1、藤巻 秀1、荒川 和夫1, 2、鳴海 ⼀雅1
1.原⼦⼒機構, 2.群⾺⼤
2
2.3
3/22(⽕) 11:45 12:00 22a-W833-11 C000485
蛍光イオントラックを⽤いた重イオン計測と放射線⽣物学への応⽤
〇⼩平 聡1、⼩⻄ 輝昭1、⼩林 亜利紗1、蔵野 美恵⼦1、Akselrod Mark2
1.放医研, 2.Landauer Inc.
2
2.3
Oral
3/22(⽕) 12:00 12:15 22a-W833-12 C003385
18 MeV単⾊中性⼦標準場の開発
〇松本 哲郎1、増⽥ 明彦1、原野 英樹1
1.産総研分析計測
2
2.3
Oral
3/22(⽕) 13:15 13:30
LiTaO3単結晶による発⽣Ｘ線の平均温度変化率依存性
〇花元 克⺒1、⽚岡 隆浩1、⼭岡 聖典1
1.岡⼭⼤院保
Oral
休憩/Break
22p-W833-1
C001204
〇豊川 弘之1、藤原 健1、萬代 新⼀2、伊佐 英範2、⽠⾕ 章3、渡辺 賢⼀3、⼭崎 淳3、遠⼭ 貴之3、⼤橋 和也3、井上 彬4、夏井 拓也4、吉⽥ 光宏
2
2.3
Oral
3/22(⽕) 13:30 13:45
22p-W833-2
C000398
テーブルトップ加速器を⽤いた後⽅散乱X線イメージング
2
2.3
Oral
3/22(⽕) 13:45 14:00
22p-W833-3
C000936
中性⼦捕捉療法における患者の放射化のモンテカルロシミュレーションによる検討
〇松本 政雄1, 2、⾼階 正彰1, 2、⼩宮⼭ ⾥帆2
2
2.3
Oral
3/22(⽕) 14:00 14:15
22p-W833-4
C000513
超⾼感度迅速放射性炭素同位体分析装置の開発 (1) 全体概要
〇井⼝ 哲夫1、⼤原 利成2、⻄澤 典彦1、富⽥ 英⽣1、⼭中 真仁1、SONNENSCHEIN Volker1、⾦ 磊1、佐藤 淳史2、⼤森 茜2、井⼿野 晃2
1.名⼤院⼯, 2.積⽔メディカル
2
2.3
Oral
3/22(⽕) 14:15 14:30
22p-W833-5
C000709
〇⼤原 利成1、佐藤 淳史1、⼤森 茜1、井⼿野 晃1、⻄澤 典彦2、⾦ 磊2、⼭中 真仁2、Sonnenschein Volker2、富⽥ 英⽣2、井⼝ 哲夫2
1.積⽔メディカル, 2.名古屋⼤
2
2.3
Oral
3/22(⽕) 14:30 14:45
22p-W833-6
C000735
2
2.3
Oral
3/22(⽕) 14:45 15:00
22p-W833-7
C001102
3
3.1
Oral
3/19(⼟) 13:15 13:30
19p-H116-1
C001079
〇松永 ⼤地1、⼩澤 祐市1、佐藤 俊⼀1
1.東北⼤多元研
3
3.1
Oral
3/19(⼟) 13:30 13:45
19p-H116-2
C000640
Generation of third-harmonic vortex beams by near-infrared femtosecond laser pulse filamentation in air
〇(P)Yuchieh Lin1, Yasuo Nabekawa1, Katsumi Midorikawa1
1.Attosecond Science Research Team, RIKEN Center for Advanced Photonics
3
3.1
Oral
3/19(⼟) 13:45 14:00
19p-H116-3
C001510
空間変調光注⼊同期による⾯発光レーザーのトポロジカルチャージ制御
⻄坂 拓⾺1、〇重松 恭平1、⼭根 啓作1, 2、森⽥ 隆⼆1, 2、淡路 祥成3、⼾⽥ 泰則1, 2
3
3.1
Oral
3/19(⼟) 14:00 14:15
19p-H116-4
C002302
コロナ放電による光渦誘起表⾯レリーフのガラス転写
〇増⽥ 圭吾1、Guzhaliayi Juman1、吉⽥ ⼀貴1、中野 翔吾1、酒井 ⼤輔2、原⽥ 健治2、宮本 克彦1、尾松 孝茂1
1.千葉⼤⼯, 2.北⾒⼯⼤
3
3.1
Oral
3/19(⼟) 14:15 14:30
19p-H116-5
C002527
光渦によって形成される単結晶性シリコンニードルのパルス幅依存性
〇藤原 穂波1
1.千葉⼤院融合
光渦によるインク液滴の⾶翔制御
〇⽩⽯ 福太朗1、中村 優⾥1、⾼橋 冬都1、藤原 穂波1、泉澤 魁1、宮本 克彦1、鈴⽊ ⼀⼰2、吉野 正樹3、尾松 孝茂1
1.千葉⼤学⼤学院, 2.リコー CTP事業部, 3.リコー 画像エンジン開本
4
1.産総研, 2.ＢＥＡＭＸ, 3.名⼤⼯, 4.KEK-総研⼤
1.阪⼤院医, 2.阪⼤医
超⾼感度迅速放射性炭素同位体分析装置の開発
(2) 新規医薬品開発における微量放射性炭素同位体分析および
分析サンプル前処理・導⼊系の開発
超⾼感度迅速放射性炭素同位体分析装置の開発 (3)中⾚外域光周波数コム光源の開発
超⾼感度迅速放射性炭素同位体分析装置の開発 (4) 中⾚外14C-キャビティーリングダウン分光システムの開発
⾼次⽅位偏光ビームを⽤いた差引イメージングによる⾼空間分解能レーザー顕微鏡
奨
E
〇⻄澤 典彦1、⾦ 磊1、⼭中 真仁1、Sonnenschein Volker1、富⽥ 英⽣1、佐藤 淳史2、⼤森 茜2、井⼿野 晃2、⼤原 利成2、井⼝ 哲夫1
〇富⽥ 英⽣1、SONNENSCHEIN Volker1、寺林 稜平1、緩詰 聡⼠1、弘津 嵩⼤1、佐藤 淳史2、⾦ 磊1、⼭中 真仁1、⻄澤 典彦1、⼤森 茜2、井⼿
野 晃2、⼤原 利成2、井⼝ 哲夫1
1.名⼤院⼯, 2.積⽔メディカル(株)
1.名⼤院⼯, 2.積⽔メディカル(株)
1.北⼤院⼯, 2.JST CREST, 3.NICT
3
3.1
Oral
3/19(⼟) 14:30 14:45
19p-H116-6
C002551
3
3.1
Oral
3/19(⼟) 14:45 15:00
3
3.1
Oral
3/19(⼟) 15:00 15:15
19p-H116-7
C001213
3
3.1
Oral
3/19(⼟) 15:15 15:30
19p-H116-8
C001993
3
3.1
Oral
3/19(⼟) 15:30 15:45
19p-H116-9
C002003
3
3.1
Oral
3/19(⼟) 15:45 16:00
19p-H116-10 C000874
3
3.1
Oral
3/19(⼟) 16:00 16:15
19p-H116-11 C000931
3
3.1
Oral
3/19(⼟) 16:15 16:30
19p-H116-12 C001916
3
3.1
Oral
3/19(⼟) 16:30 16:45
3
3.1
3/19(⼟) 16:45 17:00
19p-H116-13 C001570
奨
電⼦線照射によるウルトラファインバブルの⾼分解能イメージング
〇(M1)原 直渡1、福⽥ 真⼤1、居波 渉1, 2、川⽥ 善正1, 2、⼩林 秀彰3、前⽥ 重雄3、藤⽥ 俊弘3
1.静岡⼤⼯, 2.静岡⼤電研, 3.IDEC株式会社
3
3.1
Oral
3/19(⼟) 17:00 17:15
19p-H116-14 C000184
奨
Mathematicaによる異⽅性・分散性FDTD法プログラミング
〇(DC)⾙原 輝則1、有⾺ 卓司1、清⽔ ⼤雅1
1.東京農⼯⼤⼯
3
3.1
Poster
3/20(⽇) 13:30 15:30
20p-P1-1
C002181
プッシュプル型NLO⾊素の無電界ポーリング現象における分⼦サイズ依存性
〇北川 顕磨1、鳴海 哲夫1、間瀬 暢之1、川⽥ 善正1、杉⽥ 篤史1
1.静⼤院⼯
3
3.1
Poster
3/20(⽇) 13:30 15:30
20p-P1-2
C002183
⾦ナノロッド/⾮線形光学ポリマー複合型微⼩⾮線形光学素⼦の励起光照射条件に対する熱耐性
〇松井 達也1、⼩野 篤史1、川⽥ 善正1、杉⽥ 篤史1
1.静⼤院⼯
3
3.1
Poster
3/20(⽇) 13:30 15:30
20p-P1-3
C002179
⼀次元⾦ナノロッド配列系の散乱分光
〇⼆橋 俊介1、⼩野 篤史1、川⽥ 善正1、杉⽥ 篤史1
1.静⼤院⼯
3
3.1
Poster
3/20(⽇) 13:30 15:30
20p-P1-4
C002188
⾦ナノ三⾓柱における局在表⾯プラズモン共鳴条件下での第⼆⾼調波発⽣現象
〇(B)余語 宏⽂1、⼆橋 俊介2、⼩野 篤史2、川⽥ 善正2、杉⽥ 篤史2
1.静⼤⼯, 2.静⼤院⼯
3
3.1
Poster
3/20(⽇) 13:30 15:30
20p-P1-5
C001170
光発熱効果により⽣成されたプラズモニック・バブルの安定性評価
〇上⽥ ⼀輝1, 2、⻄村 勇姿2、⼭本 陽⼆郎3、床波 志保4、飯⽥ 琢也1, 2
1.阪府⼤⽣命環境, 2.阪府⼤院理, 3.グリーンケム, 4.阪府⼤院⼯
3
3.1
Poster
3/20(⽇) 13:30 15:30
20p-P1-6
C003086
量⼦化ラゲールガウスビームの偏光⼲渉による位相分布の観察
〇⼩川 賀代1、井澤 瑠美1、⿑藤 彩1、⽥辺 綾乃2、栗原 誠2、橋本 信幸2
1.⽇本⼥⼦⼤理, 2.シチズンホールディングス(株)開発部
3
3.1
Poster
3/20(⽇) 13:30 15:30
20p-P1-7
C001741
収差存在下における⾼次径偏光ビームの集光特性の検討
〇⼩澤 祐市1, 2、佐藤 俊⼀1
1.東北⼤多元研, 2.JST さきがけ
3
3.2
Oral
3/21(⽉)
9:00
9:15
21a-H135-1
C000704
カチオン開環重合モノマーを⽤いた光重合性ナノ微粒⼦-ポリマーコンポジットの体積ホログラフィック記録特性
〇⼩野 孝典1、富⽥ 康⽣1
1.電気通信⼤学⼤学院先進理⼯学専攻
3
3.2
Oral
3/21(⽉)
9:15
9:30
21a-H135-2
C002094
フッ素含有ハーパーブランチポリマーを⽤いたナノ微粒⼦-ポリマーコンポジットの体積ホログラフィック記録特性
〇武内 慎介1、富⽥ 康⽣1、⻄村 直也2、⼤⼟井 啓祐2
1.電通⼤ 先進理⼯, 2.⽇産化学
3
3.2
Oral
3/21(⽉)
9:30
9:45
21a-H135-3
C003396
⾼Tgメタクリレート系EOポリマーの⾼温安定性
〇⼤友 明1、⻘⽊ 勲1、⼭⽥ 千由美1、⼭⽥ 俊樹1
1.情通機構
3
3.2
Oral
3/21(⽉)
9:45
10:00
21a-H135-4
C002282
無添加 AlN結晶におけるフォトリフラクティブホログラムの保持時間
〇(M1)久保 雄紀1、藤村 隆史1, 2
1.宇⼤院⼯, 2.宇⼤ CORE
3
3.2
Oral
3/21(⽉) 10:00 10:15
21a-H135-5
C003199
(Rb,Cs)2SiF6:Mn4+蛍光体の合成と発光特性
〇町⽥ 憲⼀1、⻄本 聖久1、半澤 弘昌1
1.⼤阪⼤院⼯
3
3.2
Oral
3/21(⽉) 10:15 10:30
21a-H135-6
C003324
プラズモニック光集積回路に向けた⾦属薄膜上への⼆次⾮線形配向多結晶ZnO薄膜の作製と評価
〇藤原 裕⼤1、北尾 明⼤1、今北 健⼆1、藤井 稔1
1.神⼾⼤院⼯
3
3.2
Oral
3/21(⽉) 10:30 10:45
21a-H135-7
C002835
ゴニオ・スタージェム型散乱計の開発 Ⅵ
〇川⼿ 悦男1
1.(有)トラス
3
3.2
Oral
3/21(⽉) 10:45 11:00
3
3.2
Oral
3/21(⽉) 11:00 11:15
21a-H135-8
C001669
アゾポリマー薄膜における光誘起表⾯レリーフ形成の偏光依存性
〇茨⽥ ⼤輔1, 2, 3、福⽥ 隆史3
1.宇⼤院⼯, 2.宇⼤CORE, 3.産総研電⼦光技術
3
3.2
Oral
3/21(⽉) 11:15 11:30
21a-H135-9
C002377
⼀軸異⽅性を有する光応答性液晶媒体への⾼次軸対称偏光による３次元ベクトル記録
〇坂本 盛嗣1、Tran Minh Tien1、野⽥ 浩平1、佐々⽊ 友之1、川⽉ 喜弘2、⼩野 浩司1
1.⻑岡技科⼤, 2.兵庫県⽴⼤
3
3.2
Oral
3/21(⽉) 11:30 11:45
21a-H135-10 C001353
液晶レンズの応答特性（Ⅲ）
千⽥ 誠1、⽥村 賢介1、〇河村 希典1、佐藤 進2
1.秋⽥⼤院⼯, 2.液晶レンズ研究所
3
3.2
Oral
3/21(⽉) 11:45 12:00
21a-H135-11 C000291
奨
光配向パターニングしたコレステリック液晶を⽤いた反射型偏向素⼦
〇(DC)⼩橋 淳⼆1、吉⽥ 浩之1, 2、尾崎 雅則1
1.阪⼤院⼯, 2.JSPさきがけ
3
3.2
3/21(⽉) 12:00 12:15
21a-H135-12 C000781
奨
パターン配向制御によるコレステリック液晶からの反射光拡散
〇⽑利 ⽂律1、⼩橋 淳⼆1、吉⽥ 浩之1, 2、尾﨑 雅則1
1.阪⼤院⼯, 2.JSTさきがけ
3
3.2
Oral
3/21(⽉) 12:15 12:30
21a-H135-13 C000785
奨
⾼分⼦ネットワーク⾊素ドープ液晶フィルムの光応答挙動評価
〇⽚⼭ 絵梨⾹1、王 静1、宍⼾ 厚1, 2
1.東⼯⼤資源研, 2.JST さきがけ
3
3.2
Poster
3/22(⽕)
9:30
11:30
22a-P2-1
C000205
積層液晶マイクロレンズアレイの光拡散の増⼤効果
〇梁瀬 智1、内⽥ 勝1、王 濱1
1.秋⽥産技センター
3
3.2
Poster
3/22(⽕)
9:30
11:30
22a-P2-2
C001347
偏光無依存型液晶レンズを⽤いた多焦点画像からの特徴抽出
⽥村 賢介1、〇河村 希典1、佐藤 進2
3
3.2
Poster
3/22(⽕)
9:30
11:30
22a-P2-3
C001058
液晶/⾊素セルの端⾯から放射される蛍光のスペクトルの変化
〇⼩澤 慎太郎1、板屋 竣介1、太⽥ 正倫1、Nada Dianah Binti M Azmi1、藤枝 ⼀郎1
1.⽴命館⼤理⼯
3
3.2
Poster
3/22(⽕)
9:30
11:30
22a-P2-4
C001044
TN配向の液晶/⾊素セルの蛍光の放射パターン
〇太⽥ 正倫1、板屋 竣介1、Nada Dianah Binti M Azmi1、⼩澤 慎太郎1、藤枝 ⼀郎1
1.⽴命館⼤理⼯
3
3.2
Poster
3/22(⽕)
9:30
11:30
22a-P2-5
C000028
CaMoO4:Yb3+/Er3+アップコンバージョン蛍光体の特性評価
〇⼤⼭ 渓⼈1、野中 俊宏1、⼭本 伸⼀1
1.⿓⾕⼤院理⼯
3
3.2
Poster
3/22(⽕)
9:30
11:30
22a-P2-6
C002250
酸化ツリウムを⽤いたアップコンバージョン蛍光体の⻘⾊発光特性評価
〇⼩漆間 拓⼈1、⼤⼭ 渓⼈1、菖蒲 勇1、⼭本 伸⼀1
1.⿓⾕⼤理⼯
3
3.2
Poster
3/22(⽕)
9:30
11:30
22a-P2-7
C000714
LaOF:Yb3+/Er3+アップコンバージョン蛍光体の特性評価
〇⼤⼭ 渓⼈1、野中 俊宏1、⼭本 伸⼀1
1.⿓⾕⼤院理⼯
3
3.2
Poster
3/22(⽕)
9:30
11:30
22a-P2-8
C000181
⽔熱合成によるSnO2 Nanowhisker薄膜
〇(M1)⽵中 ⼀⽣1、吉川 亮平2、⽩⿃ 世明1, 2
1.慶⼤院理⼯, 2.慶⼤理⼯
3
3.2
Poster
3/22(⽕)
9:30
11:30
22a-P2-9
C000500
シリコンのアルカリエッチングを利⽤した⾚外⽤ワイヤグリッド偏光⼦の作製
〇⼭⽥ 逸成1、吉⽥ 黎1
1.滋賀県⽴⼤⼯
3
3.2
Poster
3/22(⽕)
9:30
11:30
22a-P2-10
C003771
フォトメカニカル機能をもつキラルなサリチリデンフェニルエチルアミン結晶の光学的性質
〇⾼鍋 彰⽂1、⽥中 真⼈2、上本 紘平3、植草 秀裕3、森 直4、⼩島 秀⼦5、朝⽇ 透1, 5
3
3.2
Poster
3/22(⽕)
9:30
11:30
22a-P2-11
C000037
半導体レーザと集積化した導波路型三原⾊合波器の検討
中尾 慧1、辻野 謙太1、横川 修⼀1、⽥中 彩恵1、林⼝ 翔⼦1、〇勝⼭ 俊夫1, 2
1.福井⼤院⼯, 2.福井⼤産学官連携本部
3
3.2
Poster
3/22(⽕)
9:30
11:30
22a-P2-12
C003623
塗布法によるZnS:Mn無機EL素⼦の作製
〇久保⽥ 崇⽂1、相澤 柊⽃1、三浦 登1
1.明治⼤学理⼯学研究科電気⼯学専攻
3
3.3
Oral
3/21(⽉) 11:00 11:15
21a-S224-1
C002718
半導体レーザーと位相型ホログラムを⽤いた植物栽培の提案
〇井上 達晶1、松本 祐⼆1、⾼⽊ 康博1
1.農⼯⼤院⼯
3
3.3
Oral
3/21(⽉) 11:15 11:30
21a-S224-2
C001434
2層矩形ミラーアレイ(WARM)による遠⾚外線を⽤いた局所暖房
〇(B)岡本 智⾏1, 2、⼩貫 健太1, 2、⼩野瀬 翔1, 2、⽷井川 ⾼穂1、⼭本 裕紹1, 2
1.宇⼤⼯, 2.宇⼤オプト
3
3.3
Oral
3/21(⽉) 11:30 11:45
21a-S224-3
C001425
再帰反射を⽤いた空中結像(AIRR)による全周型空中ディスプレイ
〇(B)⼩野瀬 翔1、⼭本 裕紹1
1.宇都宮⼤学
3
3.3
Oral
3/21(⽉) 11:45 12:00
21a-S224-4
C001432
サブ回折限界パターンを⽤いた画像暗号化技術
〇(M2)相野 匡彦1、⼩倉 裕介1、⾕⽥ 純1
1.阪⼤院情
Oral
Oral
休憩/Break
奨
奨
E
軸対称偏光⼦を⽤いたトラップ粒⼦の回転制御
〇⼩原 威吹1、坂本 盛嗣1, 2、⼭根 啓作1、森⽥ 隆⼆1、岡 和彦1
熱プラズモニック・マランゴニ対流を⽤いた微⼩粒⼦収束
〇名村 今⽇⼦1、Pilgrim Gregory A.1, 2、中嶋 薫1、鈴⽊ 基史1
1.京⼤院・⼯, 2.学振外国⼈特別研究員
Effect of Surface Wettability on Marangoni Flows Generated by Localized Plasmon Resonance
〇(PC)Gregory A Pilgrim1, 2, Yudi Tu1, Toru Utsunomiya1, Takashi Ichii1, Hiroyuki Sugimura1
1.Kyoto Univ., 2.JSPS International Research Fellow
1.北⼤院⼯, 2.⻑岡技科⼤
⽩⾊光照射によるグラフェン粉末混⼊ZnOランダム構造における発振モード変化
〇煮雪 亮1、藤原 英樹1、笹⽊ 敬司1
1.北⼤電⼦研
六⾓形状GaNマイクロディスク内に発現するウィスパリングギャラリーモードを⽤いたバイオセンサの検討
〇光野 徹也1、酒井 優2、岸野 克⺒3、原 和彦1
1.静岡⼤⼯, 2.⼭梨⼤院医⼯, 3.上智⼤理⼯
気泡含有ガラス微⼩球による縮退の解けたWGMの発現
〇(D)熊⾕ 傳1、Giuseppe Palma2、Francesco Prudenzano2、岸 哲⽣1、⽮野 哲司1
1.東⼯⼤院, 2.バーリ⼯科⼤学
休憩/Break
休憩/Break
奨
1.秋⽥⼤院⼯, 2.液晶レンズ研究所
1.早⼤院先進理⼯, 2.産総研, 3.東⼯⼤院理⼯, 4.阪⼤院⼯, 5.早⼤ナノ・ライフ
2016年春季講演会(東⼯⼤⼤岡⼭キャンパス)プログラム
⼤分類 中分類
形式
講演⽇
開始
終了
【1⽉28⽇(⽊)更新】暫定版からの更新箇所は⾚字になっております。
講演番号
受付番号
奨励賞 英語 招待
3
3.3
Oral
3/21(⽉) 12:00 12:15
21a-S224-5
C001051
3
3.3
Oral
3/21(⽉) 12:15 12:30
21a-S224-6
C000471
3
3.3
Oral
3/21(⽉) 13:45 14:00
21p-S224-1
C002757
奨
3
3.3
Oral
3/21(⽉) 14:00 14:15
21p-S224-2
C001448
奨
3
3.3
Oral
3/21(⽉) 14:15 14:30
21p-S224-3
C000777
3
3.3
Oral
5 / 52 ページ
※会場、時間が変更になった場合は該当の⽅にご連絡いたします。
講演タイトル
著者
所属機関
⾼速LEDディスプレイ上での時空間スクランブリングによる暗号化
〇(M1)⾼橋 昌史1、⼭本 裕紹1, 2
1.宇⼤院⼯, 2.JST, CREST
セキュリティ素⼦応⽤に向けたパターニングされたネマチック液晶のシュリーレン組織パターンの評価
〇中⼭ 敬三1、⼤坪 順次2
1.近畿⼤理⼯, 2.静岡⼤院⼯
近似計算を導⼊した光線形識別器と応⽤
〇池⽥ 佳奈美1、⾕⼝ 泰史1、渡邉 恵理⼦1
インクジェットプリンターを⽤いた⾼解像度ボリュームディスプレイのフルカラー化
〇鈴⽊ 智孝1、平⼭ ⻯⼠1、成瀬 誠2、中⼭ 弘敬1、⾓江 崇1、伊藤 智義1、下⾺場 朋禄1、⽩⽊ 厚⼦1
1.千葉⼤学, 2.情報通信研究機構
フォトクロミック材料を⽤いたボリュームディスプレイにおける濃淡表現
〇(B)川島 史也1、平⼭ ⻯⼠1、成瀬 誠2、⽩⽊ 厚司1、中⼭ 弘敬1、⾓江 崇1、下⾺場 朋禄1、伊藤 智義1
1.千葉⼤⼯, 2.情報通信研究機構
1.電通⼤
3/21(⽉) 14:30 14:45
21p-S224-4
C003539
奨
多⾊ボリュームディスプレイのためのフォトクロミック材料混合体
〇(DC)平⼭ ⻯⼠1、成瀬 誠2、⽩⽊ 厚司1、中⼭ 弘敬1、⾓江 崇1、下⾺場 朋禄1、伊藤 智義1
1.千葉⼤, 2.情通機構
3
3.3
Oral
3/21(⽉) 14:45 15:00
21p-S224-5
C002807
奨
バブルボリュームディスプレイ
〇熊⾕ 幸汰1、早崎 芳夫1
1.宇都宮⼤学オプティクス教育研究センター
3
3.3
Oral
3/21(⽉) 15:00 15:30
3
3.3
Oral
3/21(⽉) 15:30 16:15
21p-S224-6
I000156
3
3.3
Oral
3/21(⽉) 16:15 16:30
21p-S224-7
C002888
3
3.3
Oral
3/21(⽉) 16:30 16:45
21p-S224-8
C001479
3
3.3
Oral
3/21(⽉) 16:45 17:00
21p-S224-9
C002100
3
3.3
Oral
3/21(⽉) 17:00 17:15
3
3.3
Oral
3/21(⽉) 17:15 17:30
3
3.3
Oral
3/21(⽉) 17:30 17:45
21p-S224-11 C001717
奨
3
3.3
Oral
3/21(⽉) 17:45 18:00
21p-S224-12 C003562
奨
3
3.3
Oral
3/21(⽉) 18:00 18:15
21p-S224-13 C003012
奨
3
3.3
Oral
3/21(⽉) 18:15 18:30
3
3.3
Oral
3/21(⽉) 18:30 18:45
3
3.3
Poster
3/22(⽕)
9:30
11:30
22a-P3-1
3
3.3
Poster
3/22(⽕)
9:30
11:30
22a-P3-2
3
3.3
Poster
3/22(⽕)
9:30
11:30
22a-P3-3
3
3.3
Poster
3/22(⽕)
9:30
11:30
3
3.3
Poster
3/22(⽕)
9:30
11:30
3
3.3
Poster
3/22(⽕)
9:30
3
3.3
Poster
3/22(⽕)
3
3.3
Poster
3/22(⽕)
3
3.3
Poster
3
3.3
3
3.3
3
休憩/Break
E
招
[Invited lecture of overseas researcher] (45min.)
〇Jacopo Bertolotti1
1.Univ. of Exeter
単⼀のハイパースペクトル画像を⽤いた反射成分と多重蛍光成分の分離およびアンミキシング
〇⼤原 直之1、Zheng Yinqiang2、佐藤 いまり1, 2、⼭⼝ 雅浩1
1.東⼯⼤, 2.国⽴情報学研
量⼦化誤差低減アルゴリズムに基づくシングルショットタイコグラフィ
〇福井 美⾳1、⼩倉 裕介1、⾕⽥ 純1
1.阪⼤院情
ランダムマスクによるシングルショット広視野回折イメージング
〇江上 ⼒貴1、堀﨑 遼⼀1、⾕⽥ 純1
1.阪⼤院情
アダマール変換イメージングにおける撮像系の開発
〇仁⽥ 功⼀1、林 真⼆1、的場 修1
1.神⼾⼤院システム情報
2チャネル回転シアリング⼲渉計を⽤いた位相シフトインコヒーレントフーリエホログラフィ
〇渡辺 果歩1、野村 孝徳1
1.和歌⼭⼤院システム⼯
CGHのための観察位置変化を考慮したスペックルノイズ評価法
〇芳賀 祐太1、中村 友哉1、⼭⼝ 雅浩1
1.東⼯⼤総理⼯
ドーパント分布の光制御技術を活⽤したZnO空間光変調器による屈折率変調に関する検証
〇中島 俊亮1、竪 直也1、川添 忠2、野村 航3、⼤津 元⼀2, 4
1.九⼤シス情, 2.NPEO, 3.九⼤LP分シ, 4.東⼤⼯
21p-S224-14 C001912
SNR均等化による多値光メモリのビット数評価と２層化への検討
森本 遥陽1、仁⽥ 功⼀1、〇的場 修1
1.神⼾⼤院シス情
21p-S224-15 C000194
単⼀光⼦意思決定の理論︓幾何学及び圏論による構造分析
〇成瀬 誠1、堀 裕和2、⻘野 真⼠3, 4、Huant Serge5、⾦ 成主6
1.情通機構, 2.⼭梨⼤, 3.東⼯⼤, 4.JSTさきがけ, 5.Inst. NEEL, CNRS and Univ. Joseph Fourier, 6.物材機構
C002421
可視光像と⾚外光像の融合
〇⽯⿊ 将平1、早崎 芳夫1
1.宇都宮⼤オプト
C003177
NEMSを⽤いたプラズモン変調器の開発
〇加地 崇洋1、岡本 敏弘1、原⼝ 雅宣1
1.徳島⼤院
C002042
液晶ホログラムメモリへの⾓度多重記録におけるレーザ露光条件の改善
〇前⽥ 雄⼤1、荻原 昭⽂1、渡邊 実2
1.神⼾⾼専, 2.静岡⼤⼯
22a-P3-4
C002223
コレステリック液晶へのモノマー添加による選択反射波⻑の温度依存性
〇荻原 昭⽂1、垣内⽥ 洋2
1.神⼾⾼専, 2.産総研
22a-P3-5
C001009
スペックル法を⽤いたカラーディジタルホログラフィック顕微鏡における分光透過率の推定
タン チンチェン1、得能 友太1、〇船⽔ 英希1、相津 佳永1
1.室⼯⼤院
11:30
22a-P3-6
C002570
ディジタルホログラフィック顕微鏡による⾚⾎球沈降の3次元観測
園⽥ 光太郎1、〇船⽔ 英希1、相津 佳永1
1.室⼯⼤院
9:30
11:30
22a-P3-7
C003181
ディジタルフレネルホログラフィにおける⾼分解像再⽣法とその適⽤限界
〇原⽥ 康浩1、⻑津 和也1、⼩湊 佳尚1
1.北⾒⼯⼤
9:30
11:30
22a-P3-8
C002619
ホログラフィック蛍光マッピングにおける空間分割照合
〇阿部 怜佑1、岩永 将司2、宮川 ⼀志3、早崎 芳夫1
1.宇⼤オプト, 2.宇⼤農, 3.宇⼤バイオ
3/22(⽕)
9:30
11:30
22a-P3-9
C002116
円筒形ホログラムと多⾓形ホログラムの⾼速計算法の性能⽐較
〇⼭東 悠介3、茨⽥ ⼤輔1, 2、⾕⽥⾙ 豊彦1
1.宇⼤CORE, 2.宇⼤院⼯, 3.⼤阪府産技研
Poster
3/22(⽕)
9:30
11:30
22a-P3-10
C003312
LN結晶を⽤いたホログラム記録の⼊射偏光依存性
〇陳 軍1、珍⽥ 由1、⼩野 敦也1、⽯井 ⾏弘2, 3
1.東京⼯芸⼤⼯, 2.東京理科⼤応物, 3.理研
Poster
3/22(⽕)
9:30
11:30
22a-P3-11
C003294
１次元回折格⼦を埋め込んだ回転ディスクからの焦点誤差信号の⽣成実験
〇(BC)⾼⽊ 燦1、澤⽥ 拓哉1, 2、藤⽥ 輝雄1
1.福井⼯⼤, 2.漆遊館
3.3
Poster
3/22(⽕)
9:30
11:30
22a-P3-12
C000994
プレグレッシブ位相共役技術による空間モードの選択的抽出
〇佐久間 ⼤樹1、岡本 淳1、⼩⽥ 友和1、後藤 優太1、野澤 仁1、富⽥ 章久1
1.北⼤院情報科学
3
3.3
Poster
3/22(⽕)
9:30
11:30
22a-P3-13
C002853
直交ミラーアレイとミラーによる空中像の⼆重表⽰
〇(DC)久次⽶ 亮介1、⽔科 晴樹1、⽔科 晴樹1、⼭本 裕紹1, 2
1.徳島⼤学, 2.宇都宮⼤学
3
3.3
Poster
3/22(⽕)
9:30
11:30
22a-P3-14
C002738
2枚の⾮対称位相板を⽤いるWFC光学系の深度拡⼤特性
〇(B)⽔町 祐貴1、⼩松 進⼀1
1.早⼤先進理⼯
3
3.3
Poster
3/22(⽕)
9:30
11:30
22a-P3-15
C003295
３次位相板とタンジェント位相板の弱位相板領域における深度拡⼤特性の⽐較
〇町⽥ 恭晃1、⼩松 進⼀1
1.早⼤先進理⼯
3
3.3
Poster
3/22(⽕)
9:30
11:30
22a-P3-16
C003458
コンプレッシブフレネルホログラフィのGPUによる⾼速化
〇(D)遠藤 優1、下⾺場 朋禄1、⾓江 崇1、伊藤 智義1
1.千葉⼤
3
3.4
Poster
3/20(⽇) 13:30 15:30
20p-P2-1
C000460
簡易型複屈折光学顕微鏡による試料の観察
〇⼤久保 進也1
1.沼津⾼専
3
3.4
Poster
3/20(⽇) 13:30 15:30
20p-P2-2
C000975
光コヒーレンストモグラフィによる⽪膚表⾯形状の計測および光線追跡計算への適⽤
⽔沼 孝太1、永森 祐太郎1、船⽔ 英希1、⻄舘 泉2、湯浅 友典1、〇相津 佳永1
1.室⼯⼤院, 2.東京農⼯⼤
3
3.4
Poster
3/20(⽇) 13:30 15:30
20p-P2-3
C000981
モンテカルロ法を⽤いた9層構造⽪膚モデルにおける光伝搬の深さと広がりに関する解析
⾼橋 成季1、吉⽥ 貴之1、前⽥ 貴章2、船⽔ 英希1、湯浅 友典1、〇相津 佳永1
1.室⼯⼤院, 2.釧路⾼専
3
3.4
Poster
3/20(⽇) 13:30 15:30
20p-P2-4
C000991
2波⻑ファイバ照射によるスペックル⾎流・⾎液濃度変化の同時計測に関する検討
篠原 智美1、横井 直倫2、船⽔ 英希1、湯浅 友典1、〇相津 佳永1
1.室⼯⼤院, 2.旭川⾼専
3
3.4
Poster
3/20(⽇) 13:30 15:30
20p-P2-5
C000999
RGB画像からのWiener推定による⽪膚分光反射率とハイパースペクトルイメージングデータとの⽐較
佐藤 ⼼海1、〇船⽔ 英希1、⻄舘 泉2、湯浅 友典1、相津 佳永1
1.室⼯⼤院, 2.東京農⼯⼤
3
3.4
Poster
3/20(⽇) 13:30 15:30
20p-P2-6
C001374
⽪膚ファントムにおける⽪溝と⽪丘の再現に関する検討
永森 祐太郎1、前⽥ 貴章2、〇湯浅 友典1、船⽔ 英希1、⻄舘 泉3、相津 佳永1
1.室⼯⼤院, 2.釧路⾼専, 3.東京農⼯⼤
3
3.4
Poster
3/20(⽇) 13:30 15:30
20p-P2-7
C002715
⽣きた細胞に対する短波⻑可視レーザー光の毒性評価
〇難波 慎太郎1、川原 翔平1、松⼭ 哲也1、和⽥ 健司1、堀中 博道1、川喜多 愛2、村⽥ ⾹織2、杉本 憲治2
1.阪府⼤院⼯, 2.阪府⼤院⽣
3
3.4
Poster
3/20(⽇) 13:30 15:30
20p-P2-8
C001406
8mmショートマルチモードファイバーによる⽣体試料の反射画像測定
〇庄司 光1、⻄舘 泉2、佐藤 学1
1.⼭⼤⼯, 2.東京農⼯⼤⼯
3
3.4
Poster
3/20(⽇) 13:30 15:30
20p-P2-9
C001191
超解像蛍光顕微鏡（SOFI）による⼤腸菌細胞⾻格の観察
佐藤 瑞樹1、〇堀内 友貴1、堀⽥ 純⼀1
1.⼭形⼤院理⼯
3
3.4
Poster
3/20(⽇) 13:30 15:30
20p-P2-10
C001426
Born近似に基づく乳癌診断マイクロ波CTの再構成法
〇(B)細⾒ 直正1、寺⻄ ⼤2、浅川 誠1、⼭⼝ 聡⼀朗1
1.関⻄⼤シス理, 2.広島⼯⼤
3
3.4
Poster
3/20(⽇) 13:30 15:30
20p-P2-11
C001490
⾊相イメージングを⽤いた医療⽤マイクロ波CT
〇(B)藤⽥ 悌仁1、細⾒ 直正1、坪井 亮太1、福⻄ 達也1、寺⻄ ⼤2、浅川 誠1、⼭⼝ 聡⼀朗1
1.関⻄⼤, 2.広島⼯⼤
3
3.4
Poster
3/20(⽇) 13:30 15:30
20p-P2-12
C002287
光⾳響顕微鏡⾼感度化のための円錐台リング型トランスデューサの開発
〇⼭本 壮⾥1、宇野 友貴1、⾼橋 英嗣1、⼭岡 禎久1
1.佐賀⼤理⼯
3
3.4
Poster
20p-P2-13
C003637
市販の光測定機器による光合成測定に関する検討
〇永瀬 裕基1、達⾒ 隆秀1、⽊部 慎太郎1、本⽥ 天真1、井上 耕太朗1、李 旻哲1、⼩⻄ 直樹1
1.九⼯⼤情
3
3.4
Poster
3/20(⽇) 13:30 15:30
20p-P2-14
C001940
多光⼦三次元構造化照明顕微鏡
〇⼾⽥ 圭亮1, 2、磯部 圭佑1, 3、河野 弘幸1、宮脇 敦史1、緑川 克美1, 2
1.理研, 2.埼⼤理⼯, 3.JSTさきがけ
3
3.4
Oral
3/21(⽉) 13:45 14:00
21p-S422-1
C002671
直線偏光レーザー透過特性と⽣体組織の配向特性との関係
〇橋新 裕⼀1、佐野 秀1
1.近畿⼤理⼯
3
3.4
Oral
3/21(⽉) 14:00 14:15
21p-S422-2
C001316
半無限平⾯体からの偏光の後⽅散乱︓モンテカルロ・シミュレーション
〇⼤槻 荘⼀1
1.産総研健康⼯学
3
3.4
Oral
3/21(⽉) 14:15 14:30
21p-S422-3
C002529
Simulation of the change in power and chromatic aberration of the aging human eye
〇(D)Mark Coughlan1, Toshifumi Mihashi2, Alexander Goncharov1
1.National Univ. of Ireland, Galway, 2.Tokyo Inst. of Technology
3
3.4
Oral
3/21(⽉) 14:30 14:45
21p-S422-4
C003366
超⾳波によるルミノール化学発光の増強効果を利⽤した光散乱媒質内イメージング
〇佐藤 彰洋1、菊地 直⽃1、⻘⽊ 孝輔1、⼩川 和訓1、⼩林 正樹1
1.東北⼯⼤
3
3.4
Oral
3/21(⽉) 14:45 15:00
21p-S422-5
C003369
ヒト⽪膚由来のバイオフォトンの同時多波⻑スペクトルパターン分析
〇岩佐 琥偉1、佐藤 佑哉1、及川 ⼤揮1、⼩林 正樹1
1.東北⼯⼤
3
3.4
Oral
3/21(⽉) 15:00 15:15
21p-S422-6
C002580
ヒト⽪膚容積脈波画像に基づく⼼拍変動の解析
⻘⽊ 佑太1、〇⻄舘 泉1、中野 和也2、新関 久⼀3、相津 佳永4
1.東京農⼯⼤院, 2.東京理科⼤, 3.⼭形⼤学院, 4.室⼯⼤院
3
3.4
Oral
3/21(⽉) 15:15 15:30
3
3.4
Oral
3/21(⽉) 15:30 15:45
21p-S422-7
C003095
SHG(第⼆⾼調波発⽣)顕微鏡の⼩型化
〇厚⽥ 耕佑1、⻑⾕ 栄治1、南川 丈夫1、吉⽊ 啓介2、安井 武史1
1.徳島⼤, 2.兵庫県⽴⼤
3
3.4
Oral
3/21(⽉) 15:45 16:00
21p-S422-8
C000483
周波数分割多重化された蛍光共焦点顕微鏡法の⾼速化
〇三上 秀治1、⼩林 博⽂1、Syed Hamad1、王 艺森1、⼩関 泰之2、合⽥ 圭介1, 3, 4
1.東⼤理, 2.東⼤⼯, 3.UCLA, 4.JST
3
3.4
Oral
3/21(⽉) 16:00 16:15
21p-S422-9
C002411
利得スイッチング駆動半導体レーザを⽤いた誘導ラマン顕微鏡による⽣細胞イメージング
〇徳永 京也1、房 宜澂2、横⼭ 弘之2、⼩関 泰之1
1.東⼤院⼯, 2.東北⼤NICHe
3
3.4
Oral
3/21(⽉) 16:15 16:30
21p-S422-10 C001396
奨
Bio-Imaging of Cancer Cells Using Polymer-Stabilized Platinum Nanoclusters as Fluorescent Probes
〇(D)XIN HUANG1, HIDEKAZU ISHITOBI1, 2, YASUSHI INOUYE1, 2, 3
1.FBS, Osaka Univ., 2.Appl. Phys., Osaka Univ., 3.PARC, Osaka Univ.
3
3.4
Oral
3/20(⽇) 13:30 15:30
奨
奨
21p-S224-10 C002075
Multiple scattering and imaging in turbid media
休憩/Break
奨
E
休憩/Break
E
3/21(⽉) 16:30 16:45
21p-S422-11 C001782
奨
電⼦線励起アシスト光学顕微鏡による⾮染⾊細胞構造の⾼分解能観察
〇(DC)福⽥ 真⼤1、益⽥ 有⾥⼦1、居波 渉2、川⽥ 善正2
1.静⼤院⼯, 2.静⼤電⼦研
3
3.4
Oral
3/21(⽉) 16:45 17:00
21p-S422-12 C003769
奨
⾼速波⻑⾛査レーザーを⽤いた全指紋領域の広帯域⾼速スペクトル誘導ラマン散乱イメージング
〇⻘⽊ 拓也1、福島 修⼀郎1、古川 太⼀2、橋本 守1
1.阪⼤基, 2.阪⼤ナノ
3
3.4
Oral
3/21(⽉) 17:00 17:15
3
3.4
Oral
3/21(⽉) 17:15 17:30
21p-S422-13 C000505
奨
〇⽥中 雄次郎1、⽥島 卓郎1、瀬⼭ 倫⼦1、⼩泉 弘1
1.NTT先デ研
3
3.4
Oral
3/21(⽉) 17:30 17:45
21p-S422-14 C000467
奨
3
3.4
Oral
3/21(⽉) 17:45 18:00
21p-S422-15 C003570
多波⻑⾛査型⼲渉顕微鏡による⽣体内部のen-face断層振動計測
〇崔 森悦1, 3、佐藤 敬太1、任 書晃2, 3、⽇⽐野 浩2, 3
1.新潟⼤⼯, 2.新潟⼤医, 3.国⽴研究開発法⼈⽇本医療研究開発機構、AMED-CREST
3
3.4
Oral
3/21(⽉) 18:00 18:15
21p-S422-16 C001321
ショートマルチモードファイバープローブを⽤いたFF OCTによる⽣体試料観察
〇齋藤 ⼤輔1、⻄舘 泉2、佐藤 学1
1.⼭形⼤院⼯, 2.東京農⼯⼤院
3
3.4
Oral
3/21(⽉) 18:15 18:30
21p-S422-17 C002135
奨
波⻑1.7um帯超⾼分解能フルレンジスペクトルドメインOCT
〇川越 寛之1、⼭中 真仁1、巻⽥ 修⼀2、安野 嘉晃2、⻄澤 典彦1
1.名⼤院⼯, 2.筑波⼤COG
3
3.4
Oral
3/21(⽉) 18:30 18:45
21p-S422-18 C000813
奨
OCT散乱・吸収計測におけるBeer-Lambert則の定量評価
〇吾郷 友樹1、横⽥ 涼⼦2、岩井 俊昭1
1.東京農⼯⼤BASE, 2.東京農⼯⼤⼯
3
3.4
Oral
3/21(⽉) 18:45 19:00
21p-S422-19 C002382
奨
スペクトル領域OCTを⽤いたファントム内⾊素の吸収量分光計測
〇勝吉 優⼠1、岩井 俊昭2
1.東京農⼯⼤⼯, 2.東京農⼯⼤BASE
3
3.5
Oral
3/20(⽇) 13:45 14:00
20p-S224-1
C002516
E
Passively Q-switched Nd:YVO4 Microchip Laser for Giant Pulse Generation
〇Arvydas Kausas1, Takunori Taira1
1.Inst. for Molecular Science
3
3.5
Oral
3/20(⽇) 14:00 14:15
20p-S224-2
C001188
E
Giant-Pulse Width Tunable System based on Composite Nd:YAG/Cr:YAG Ceramic Microchip Laser
〇Hwan Hong Lim1, Takunori Taira1
1.IMS
3
3.5
Oral
3/20(⽇) 14:15 14:30
20p-S224-3
C002140
E
High-gain amplification of a microchip laser beam
Vincent Yahia1, 〇Takunori Taira1
1.IMS
3
3.5
Oral
3/20(⽇) 14:30 14:45
20p-S224-4
C002540
Cr3+イオン4T1準位励起によるNd/Cr:YAG材料の蛍光特性 Ⅱ
〇(M1)⼭⽥ 隼弘1、本⽥ 能之2、本越 伸⼆3、實野 孝久2、藤岡 加奈2、吉⽥ 実1、河仲 準⼆2
1.近⼤理⼯, 2.阪⼤レーザー研, 3.レーザー総研
3
3.5
Oral
3/20(⽇) 14:45 15:00
20p-S224-5
C003076
安定化CWレーザー⽤低熱膨張セラミックス光共振器の⻑期安定性
〇伊藤 功1, 2、⼩林 洋平1, 2
1.東⼤物性研, 2.JST-ERATO
3
3.5
Oral
3/20(⽇) 15:00 15:15
20p-S224-6
C003519
低温(＜-10℃)動作QスイッチTm,Ho:YLFレーザーの開発
〇草刈 星貴1、佐藤 篤1, 2、浅井 和弘1、⽯井 昌憲2、⽔⾕ 耕平2、落合 啓2
1.東北⼯⼤院⼯, 2.NICT
3
3.5
Oral
3/20(⽇) 15:15 15:30
20p-S224-7
C003655
3
3.5
Oral
3/20(⽇) 15:30 15:45
20p-S224-8
C003315
3
3.5
Oral
3/20(⽇) 15:45 16:00
20p-S224-9
C001582
奨
20p-S224-10 C001585
奨
休憩/Break
3
3.5
Oral
3/20(⽇) 16:00 16:15
3
3.5
Oral
3/20(⽇) 16:15 16:30
3
3.5
Oral
3/20(⽇) 16:30 16:45
20p-S224-11 C003337
3
3.5
Oral
3/20(⽇) 16:45 17:00
20p-S224-12 C003343
3
3.5
Oral
3/20(⽇) 17:00 17:15
20p-S224-13 C002217
3
3.5
Oral
3/20(⽇) 17:15 17:30
20p-S224-14 C002893
奨
奨
⾮侵襲⾎糖モニタに向けた差分光⾳響数値モデルの検討
E
Multifunctional ZnS:Mn/NaGdF4:Yb:Er nanostructure for multimodal bio-imaging
〇Thangaraju Dheivasigaman1, Yuriko Masuda2, Mohamed Mathar Sahib Ibrahim Khaleelullah2, Wataru Inami1, 2, Yoshimasa Kawata1,
2, Tadanobu Koyama1, Yasuhiro Hayakawa1, 2
1.RIE Shizuoka Univ, 2.GSST Shizuoka Univ
⾼出⼒超短パルスOPCPAシステムの開発 ー 希ガス充填中空ファイバによる広帯域種光発⽣ ー
〇(B)吉井 健登1, 3、郭 晓杨2、伊⼭ 功⼀3, 4、時⽥ 茂樹3、吉⽥ 実1、川嶋 利幸4、⻄岡 ⼀5、河仲 準⼆3
1.近畿⼤学, 2.京都⼤学, 3.阪⼤レーザー研, 4.浜松ホトニクス, 5.電気通信⼤学
可変πシフトLPFGを⽤いたファイバレーザの波⻑可変実験
〇(B)百々 晋平1、⼩野 唯吾1、坂⽥ 肇1
1.静⼤⼯
波⻑1610 nm狭線幅単⼀偏光Er:Yb全ファイバーMOPAの開発
〇藤⽥ 慧祐1、⼾倉川 正樹1
1.電通⼤ レーザー研
半導体可飽和吸収体鏡を⽤いた波⻑可変モード同期Tmファイバーレーザーの開発
〇益⼦ 裕1、藤⽥ 慧祐1、⼾倉川 正樹1
1.電通⼤レーザー研
分割パルスファイバー増幅器の開発
〇(M1)岩⽥ 興治1、チュナマン ヘンリク1、⽩川 晃1
1.電通⼤レーザー研
ファイバーラマン増幅器励起⽤⾼出⼒1120 nm ファイバー光源の開発
〇(M1)道端 優1、陳 明晨1、⽩川 晃1
1.電通⼤レーザー研
休憩/Break
奨
利得スイッチング半導体レーザ光パルスの光増幅における⾃然放出光ノイズの低減とその⾼精度評価
〇茶⽊ 智⼤1, 2、房 宜澂1, 2、⼭⽥ 博仁1, 2、横⼭ 弘之1, 2
1.東北⼤院⼯, 2.東北⼤未来研
全光ファイバ構成フォトニック結晶光ファイバ増幅による1μm帯ピコ秒光パルスの増幅
〇千葉 仁美1、房 宜澂1, 2、横⼭ 弘之1, 2
1.東北⼤未来研（NICHe）, 2.東北⼤院⼯
2016年春季講演会(東⼯⼤⼤岡⼭キャンパス)プログラム
⼤分類 中分類
形式
講演⽇
開始
終了
講演番号
【1⽉28⽇(⽊)更新】暫定版からの更新箇所は⾚字になっております。
受付番号
3
3.5
Oral
3/20(⽇) 17:30 17:45
20p-S224-15 C000917
3
3.5
Oral
3/20(⽇) 17:45 18:00
20p-S224-16 C002511
3
3.5
Oral
3/20(⽇) 18:00 18:15
20p-S224-17 C002637
3
3.5
Oral
3/20(⽇) 18:15 18:30
3
3.5
Oral
3/20(⽇) 18:30 18:45
3
3.5
3
3.5
3
3.5
3
3.5
3
3.5
3
3.5
3
3.5
3
3.5
3
3.5
3
3.5
3
3.5
3
3.5
3
3.5
3
3.5
3
3.5
3
3.5
3
3.5
3
3.5
ショート付
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ショート付
奨励賞 英語 招待
6 / 52 ページ
※会場、時間が変更になった場合は該当の⽅にご連絡いたします。
講演タイトル
著者
所属機関
径偏光ビームの光ファイバー増幅器における液晶型可変波⻑板の偏光補償効果
〇光主 幸紀1、⼩澤 祐市1、佐藤 俊⼀1
光渦励起ラマンレーザー
〇⻄潟 由博1、宮本 裕司1、宮本 克彦1、尾松 孝茂1
1.千葉⼤院
Widely tunable optical vortex laser with extended cavity configuration
〇(D)ABULIKEMU AIZITIAILI1, Mamuti Roukuya1, Yusufu Taximaiti1, Katsuhiko Miyamoto1, Takashige Omatsu1
1.Chiba Univ.
20p-S224-18 C002554
波⻑可変外中⾚外(6-17μm)光渦の発⽣
〇安藤 花菜1、堀川 マイケル知樹1、尾川 あずさ1、宮本 克彦1、尾松 孝茂1
1.千葉⼤⼯
20p-S224-19 C003578
ミュオン⽔素原⼦超微細構造エネルギー測定のための中⾚外レーザーの開発
〇相川 脩1, 2, 3、湯本 正樹2、斎藤 徳⼈2、岩崎 雅彦1, 3、和⽥ 智之2
1.理研仁科, 2.理研光量⼦, 3.東⼯⼤理⼯
3/21(⽉) 11:46 11:48
21a-S611-11 C000114
A model development for quantitative analysis of CW regime, multi-pass amplifier system characteristics including optical losses
〇Haik Chosrowjan1、Toshiyuki Kitamura1、Seiji Taniguchi1、Masayuki Fujita1、Yasukazu Izawa1
1.Inst. for Laser Tech
3/21(⽉) 11:48 11:50
21a-S611-12 C000487
全導波路型Talbot共振器内第2⾼調波発⽣によるレーザーアレイの同位相化
〇廣澤 賢⼀1, 2、正⽥ 史⽣1、柳澤 隆⾏1、神成 ⽂彦2
1.三菱電機情報総研, 2.慶⼤理⼯
3/21(⽉) 11:50 11:52
21a-S611-13 C001289
⻘⾊LD直接励起 可視Pr3+:YLFレーザ
〇飯島 功⼤1、狩⼭ 了介1、⽥中 裕樹1、清⽥ 恭章1、神成 ⽂彦1
1.慶⼤理⼯
3/21(⽉) 11:52 11:54
21a-S611-14 C002024
緑・⻘⾊InGaN半導体レーザの波⻑多重励起によるTi:sapphireモード同期レーザ
〇澤⽥ 亮太1、⽥中 裕樹1、狩⼭ 了介1、神成 ⽂彦1
1.慶⼤理⼯
3/21(⽉) 11:54 11:56
21a-S611-15 C001979
Yb材料におけるゼロフォノン線での緩和発振の初期挙動に関する考察
〇佐藤 庸⼀1、平等 拓範1
1.分⼦研
3/21(⽉) 11:56 11:58
21a-S611-16 C003605
〇(M1C)佐藤 圭祐1、渡邊 昌良2、齋藤 伸吾3、兵頭 政春1
1.⾦沢⼤, 2.電通⼤, 3.情報通信研究機構
3/21(⽉) 11:58 12:00
21a-S611-17 C000246
円柱状の⾊素溶液における誘導放出光のモード間競合
橋本 拓也1、〇⻫藤 光徳1
1.⿓⾕⼤理⼯
3/21(⽉) 12:00 12:02
21a-S611-18 C000725
特殊コアを有するフォトニック結晶ファイバの開発
〇⼋尾 顕1, 2、阪⼝ 雄基2、平⽯ 隆之3、影林 由郎3、藤本 靖2、中野 ⼈志1
1.近⼤理⼯, 2.阪⼤レーザー研, 3.ウシオ電機
3/21(⽉) 12:02 12:04
21a-S611-19 C001705
Influence of Pumping Noise on Thulium-doped Fiber Lasers
〇(D)YU WANG1, Sze Set1, Shinji Yamashita1
1.The Univ. of Tokyo
3/21(⽉) 12:04 12:06
21a-S611-20 C002883
パルスライマンα光の⾼効率発⽣
〇⼤⽯ 裕1, 2、宮崎 洸治1、⻫藤 徳⼈1、Oleg Louchev1、中村 惇平2、三宅 康博2、和⽥ 智之1、岩崎 雅彦1
1.理研, 2.⾼エネ研
奨
E
ミリ波信号発⽣のための2モード発振
マイクロチップレーザのモード間位相同期の特性評価
E
1.東北⼤多元研
3/21(⽉) 16:00 18:00
21p-P13-1
C000114
A model development for quantitative analysis of CW regime, multi-pass amplifier system characteristics including optical losses
〇Haik Chosrowjan1、Toshiyuki Kitamura1、Seiji Taniguchi1、Masayuki Fujita1、Yasukazu Izawa1
1.Inst. for Laser Tech
3/21(⽉) 16:00 18:00
21p-P13-2
C000487
全導波路型Talbot共振器内第2⾼調波発⽣によるレーザーアレイの同位相化
〇廣澤 賢⼀1, 2、正⽥ 史⽣1、柳澤 隆⾏1、神成 ⽂彦2
1.三菱電機情報総研, 2.慶⼤理⼯
3/21(⽉) 16:00 18:00
21p-P13-3
C001289
⻘⾊LD直接励起 可視Pr3+:YLFレーザ
〇飯島 功⼤1、狩⼭ 了介1、⽥中 裕樹1、清⽥ 恭章1、神成 ⽂彦1
1.慶⼤理⼯
3/21(⽉) 16:00 18:00
21p-P13-4
C002024
緑・⻘⾊InGaN半導体レーザの波⻑多重励起によるTi:sapphireモード同期レーザ
〇澤⽥ 亮太1、⽥中 裕樹1、狩⼭ 了介1、神成 ⽂彦1
1.慶⼤理⼯
3/21(⽉) 16:00 18:00
21p-P13-5
C001979
Yb材料におけるゼロフォノン線での緩和発振の初期挙動に関する考察
〇佐藤 庸⼀1、平等 拓範1
1.分⼦研
3/21(⽉) 16:00 18:00
21p-P13-6
C003605
〇(M1C)佐藤 圭祐1、渡邊 昌良2、齋藤 伸吾3、兵頭 政春1
1.⾦沢⼤, 2.電通⼤, 3.情報通信研究機構
3/21(⽉) 16:00 18:00
21p-P13-7
C000246
円柱状の⾊素溶液における誘導放出光のモード間競合
橋本 拓也1、〇⻫藤 光徳1
1.⿓⾕⼤理⼯
3/21(⽉) 16:00 18:00
21p-P13-8
C000725
特殊コアを有するフォトニック結晶ファイバの開発
〇⼋尾 顕1, 2、阪⼝ 雄基2、平⽯ 隆之3、影林 由郎3、藤本 靖2、中野 ⼈志1
1.近⼤理⼯, 2.阪⼤レーザー研, 3.ウシオ電機
3/21(⽉) 16:00 18:00
21p-P13-9
C001705
Influence of Pumping Noise on Thulium-doped Fiber Lasers
〇(D)YU WANG1, Sze Set1, Shinji Yamashita1
1.The Univ. of Tokyo
3/21(⽉) 16:00 18:00
21p-P13-10
C002883
パルスライマンα光の⾼効率発⽣
〇⼤⽯ 裕1, 2、宮崎 洸治1、⻫藤 徳⼈1、Oleg Louchev1、中村 惇平2、三宅 康博2、和⽥ 智之1、岩崎 雅彦1
1.理研, 2.⾼エネ研
1.北⼤院⼯
ミリ波信号発⽣のための2モード発振
マイクロチップレーザのモード間位相同期の特性評価
3
3.5
3
3.5
3
3.6
Poster
3/20(⽇) 13:30 15:30
20p-P3-1
C001977
時空間分解偏光解析から明らかとなった励起⼦コヒーレントダイナミクスにおける回転対称性破れ
〇重松 恭平1、鈴⽊ 雅⼈1、⼭根 啓作1、森⽥ 隆⼆1、⼾⽥ 泰則1
3
3.6
Poster
3/20(⽇) 13:30 15:30
20p-P3-2
C000647
単⼀アト秒パルス⽤回折限界集光シテムの開発 3
〇⽥丸 裕基1, 2、森 哲3、澤⽥ 和寛1, 4、Fu Yuxi1、⾼橋 栄治1、須⽥ 亮2、神成 ⽂彦4、緑川 克美1、豊⽥ 光紀3
1.理研, 2.東理⼤理⼯, 3.東北⼤多元研, 4.慶応⼤
3
3.6
Poster
3/20(⽇) 13:30 15:30
20p-P3-3
C001921
アイドラー光パルス圧縮法を⽤いた⾼強度フェムト秒レーザー装置の開発(1)-モノリシック型ガラスブロックを⽤いたチャープパルス増幅-
〇⾚⽻ 温1、⼭川 考⼀1
1.原⼦⼒機構
3
3.6
Poster
3/20(⽇) 13:30 15:30
20p-P3-4
C001134
グラフェン転写シリコン導波路からのスーパーコンティニューム光発⽣
〇(M2)後藤 貴⼤1, 2、⽯澤 淳1、⾼ 磊3, 4、⼟澤 泰3, 4、松⽥ 信幸1, 3、⽇達 研⼀1、⻄川 正2、⼭⽥ 浩治3, 4、寒川 哲⾂1、後藤 秀樹1
1.NTT物性研, 2.東京電機⼤, 3.NTT NPC, 4.NTT 先デ研
3
3.6
Poster
3/20(⽇) 13:30 15:30
20p-P3-5
C001022
デュアルピッチPPLN導波路によるCEO周波数安定化の低パルスエネルギー閾値化
〇原 ⼀鳳1, 3、⽇達 研⼀1、忠永 修2、⽯澤 淳1、⻄川 正3、寒川 哲⾂1、後藤 秀樹1
1.NTT 物性研, 2.NTT 先デ研, 3.東京電機⼤学
3
3.6
Poster
3/20(⽇) 13:30 15:30
20p-P3-6
C003399
WGM微⼩共振器におけるCW-CCW結合の光カーコム発⽣への影響
〇(B)藤井 瞬1、加藤 拓⺒1、吉岐 航1、陣内 哲倫1、⼩畠 知也1、岡部 悠介1、⽥邉 孝純1
1.慶⼤
3
3.6
Poster
3/20(⽇) 13:30 15:30
20p-P3-7
C001450
3
3.6
Poster
3/20(⽇) 13:30 15:30
20p-P3-8
C002333
⾚外共鳴ナノアンテナを利⽤した表⾯増強⾚外⾮線形分光Ⅱ
〇草 史野1, 2、⽵上 明伸1, 2、森近 ⼀貴2、⽥⼭ 純平2、芦原 聡2
3
3.6
Poster
3/20(⽇) 13:30 15:30
20p-P3-9
C000989
ダイヤモンド光学フォノンのコヒーレント制御
〇佐々⽊ 寛弥1, 2、⼤⽮ 数⾺1, 2、⾼橋 弘史3、今泉 拓也1, 2、北島 正弘1, 2、萱沼 洋輔1, 2、⿅野 豊1, 4, 5、中村 ⼀隆1, 2
1.東⼯⼤応セラ研, 2.科学技術振興機構, 3.東理⼤理⼯, 4.分⼦研, 5.チャップマン⼤学
3
3.6
Poster
3/20(⽇) 13:30 15:30
20p-P3-10
C002044
E
1.2MW-peak-power sub-picosecond optical pulse source based on a gain-switched laser diode
〇YICHENG FANG1, 2, Tomohiro Chaki1, 2, Hirohito Yamada1, 2, Hiroyuki Yokoyama1, 2
1.NICHe, Tohoku Univ., 2.Grad.Sch. of Eng., Tohoku Univ.
3
3.6
Oral
3/21(⽉)
9:00
9:15
21a-S622-1
C000544
E
Probing two-electron dynamics of helium in time domain via fluorescence channel
〇(P)Vinh Hoai Trinh1, Eiji Takahashi1, Katsumi Midorikawa1
1.RIKEN Center for Advanced Photonics
3
3.6
Oral
3/21(⽉)
9:15
9:30
21a-S622-2
C003122
E
Strong x-ray induced resonant Auger decay from core-excited states
Souvik Chatterjee1, 〇Takashi Nakajima1
1.Kyoto Univ.
3
3.6
Oral
3/21(⽉)
9:30
9:45
21a-S622-3
C002463
⾮対称な系へのMulti-resolution MCTDHFの適⽤ 2
〇澤⽥ 亮⼈1、佐藤 健1、⽯川 顕⼀1
1.東⼤院⼯
3
3.6
Oral
3/21(⽉)
9:45
10:00
21a-S622-4
C003171
時間分解光電⼦分光によるCO2の真空紫外域光解離ダイナミクス(2): Ab initio計算
〇⾜⽴ 俊輔1、Sergy Grebenshchikov2、佐藤 元樹1、鈴⽊ 俊法1
1.京⼤理, 2.ミュンヘン⼯科⼤学
3
3.6
Oral
3/21(⽉) 10:00 10:15
21a-S622-5
C001277
⾼強度レーザーによる薄膜からの陽⼦発⽣
3
3.6
Oral
3/21(⽉) 10:15 10:30
21a-S622-6
C001828
3
3.6
Oral
3/21(⽉) 10:30 10:45
Poster
ショート付
Poster
E
E
Tunable mid-infrared optical frequency comb source based on supercontinuum at 1um wavelength range
E
High-Order Harmonics from Relativistic Electron Spikes: Statistical Analysis
〇LEI JIN1, MASAHITO YAMANAKA1, VOLKER SONNENSCHEIN1, HIDEKI TOMITA1, TETSUO IGUCHI1, ATSUSHI SATO2, AKANE OMORI2,
AKIRA IDENO2, TOSHINARI OH-HARA2, NORIHIKO NISHIZAWA1
〇匂坂 明⼈1、⼩倉 浩⼀1、錦野 将元1、Pirozhkov Alexander S.1、河内 哲哉1、⻄内 満美⼦1、今 亮1、神⾨ 正城1、近藤 公伯1、有川 安信2、
⼩島 完興2、Morace Alessio2、⼾崎 翔太2、余語 覚⽂2、中井 光男2、⻄村 博明2
〇Alexander S. Pirozhkov1, Timur Zh. Esirkepov1, Tatiana A. Pikuz2, Anatoly Ya. Faenov2, Koichi Ogura1, Yukio Hayashi1, Hideyuki
1.Nagoya Univ., 2.Sekisui Medical
1.農⼯⼤院⼯, 2.東⼤⽣研
1.原⼦⼒機構, 2.阪⼤レーザー研
Kotaki1, Eugene N. Ragozin3, David Neely4, Hiromitsu Kiriyama1, James K. Koga1, Yuji Fukuda1, Akito Sagisaka1, Masaharu Nishikino1, 1.JAEA, 2.Osaka Univ., 3.Lebedev Physical Inst., 4.CLF, RAL, 5.GPI
Takashi Imazono1, Noboru Hasegawa1, Tetsuya Kawachi1, Hiroyuki Daido1, Yoshiaki Kato5, Sergei V. Bulanov1, Kiminori Kondo1,
休憩/Break
招
「講演奨励賞受賞記念講演」（15分）
3
3.6
Oral
3/21(⽉) 10:45 11:00
21a-S622-7
I000215
3
3.6
Oral
3/21(⽉) 11:00 11:15
21a-S622-8
C000432
3
3.6
Oral
3/21(⽉) 11:15 11:30
21a-S622-9
C001086
3
3.6
Oral
3/21(⽉) 11:30 11:45
21a-S622-10 C001417
1,4-シクロヘキサジエンにおける⽔素原⼦の脱離ダイナミクス
〇(M1)荒⽊ 孝太郎1, 3、天宅 建晴1, 3、跡部 ⿓之介1, 3、関川 太郎1, 3、原渕 祐2, 3、佐藤 壮太2, 3、武次 徹也2, 3
1.北⼤院⼯, 2.北⼤院理, 3.CREST
3
3.6
Oral
3/21(⽉) 11:45 12:00
21a-S622-11 C001847
⾼次⾼調波発⽣とイオンイメージングを併⽤して評価したフェムト秒２波⻑レーザーパルスによるCO分⼦の⾮断熱的な配向度
〇峰本 紳⼀郎1、梅本 滉嗣2、住⾕ 達哉2、⼩松原 航2、酒井 広⽂1
1.東⼤院理, 2.東⼤理
3
3.6
Oral
3/21(⽉) 12:00 12:15
21a-S622-12 C000893
ファノ共鳴におけるコヒーレントフォノンの初期位相シフトの観測
〇加藤 景⼦1、⻑⾕川 祐哉1, 2、⼩栗 克弥1、⻄川 正2、後藤 秀樹1
1.NTT物性研, 2.東京電機⼤学
3
3.6
Oral
3/21(⽉) 13:45 14:00
21p-S622-1
C001757
奨
外部複素スケーリングを⽤いたコンパクトな強レーザー場第⼀原理計算
〇(M1)織茂 悠貴1、佐藤 健1、澤⽥ 亮⼈1、⽯川 顕⼀1
1.東⼤院⼯
3
3.6
Oral
3/21(⽉) 14:00 14:15
21p-S622-2
C003351
奨
アト秒パルスによるネオン原⼦のイオン化の第⼀原理シミュレーション
〇岩津 広⼤1、佐藤 健2、⽯川 顕⼀2
1.東⼤⼯, 2.東⼤院⼯
3
3.6
Oral
3/21(⽉) 14:15 14:30
21p-S622-3
C001971
奨
⾼強度フェムト秒レーザー照射によりシリコンへ励起された表⾯プラズモンポラリトンの観測
〇(M1)萩⾕ 将⼈1、宮地 悟代1
1.東京農⼯⼤
3
3.6
Oral
3/21(⽉) 14:30 14:45
21p-S622-4
C001987
奨
直線偏光パルスによる⾮等⽅的なコヒーレントフォノンの制御
〇牧野 孝太郎1、⿑藤 雄太1、Fons Paul1、Kolobov Alexander V.1、中野 隆志1、富永 淳⼆1、⻑⾕ 宗明2
3
3.6
Oral
3/21(⽉) 14:45 15:00
21p-S622-5
C002536
奨
トポロジカル絶縁体Sb2Te3の光励起キャリアダイナミクス
〇則松 桂1, 2, 3, 4、⽻⽥ 真毅5, 6、⽥中 誠⼀7、⼭本 宗平1, 3、⽯川 忠彦7、恩⽥ 健6, 7、笹川 崇男1, 3、中村 ⼀隆1, 3, 4
1.東⼯⼤応セラ研, 2.JSPS, 3.東⼯⼤総理⼯, 4.JST-CREST, 5.岡⼭⼯, 6.JST-さきがけ, 7.東⼯⼤理⼯
3
3.6
Oral
3/21(⽉) 15:00 15:15
21p-S622-6
C002352
半導体電⼦系ペタヘルツ応答検出に向けた単⼀アト秒量⼦⼲渉法の提案
〇⼩栗 克弥1、増⼦ 拓紀1、⼭⼝ 量彦1, 2、須⽥ 亮2、後藤 秀樹1
1.NTT物性基礎研, 2.東京理科⼤理⼯
3
3.6
Oral
3/21(⽉) 15:15 15:30
21p-S622-7
C001271
GaN半導体を⽤いたペタヘルツ光学動作
〇増⼦ 拓紀1、⼩栗 克弥1、⼭⼝ 量彦2、須⽥ 亮2、後藤 秀樹1
1.NTT物性基礎研, 2.東京理科⼤
3
3.6
Oral
3/21(⽉) 15:30 15:45
3
3.6
Oral
3/21(⽉) 15:45 16:00
21p-S622-8
C001416
〇(M1)中村 將1、井⼿⼝ 拓郎1、⼩林 洋平2、合⽥ 圭介1, 3, 4
1.東⼤理, 2.東⼤物性研, 3.UCLA, 4.JST
3
3.6
Oral
3/21(⽉) 16:00 16:15
21p-S622-9
C000489
奨
時間分解デュアルコム分光法の開発と固体光物性研究への応⽤
〇浅原 彰⽂1, 2、⻄⼭ 明⼦1, 2, 3、吉⽥ 悟1, 2、近藤 健⼀1、中嶋 善晶1, 2、美濃島 薫1, 2
1.電通⼤, 2.JST, ERATO知的光シンセサイザ, 3.JSPS
3
3.6
Oral
3/21(⽉) 16:15 16:30
21p-S622-10 C001305
奨
単層カーボンナノチューブを⽤いた全偏波保持ファイバレーザー光周波数コム光源の開発
〇冨樫 泉洸1、⻑池 健1、⾦ 磊1、榊原 陽⼀2、⾯⽥ 恵美⼦2、⽚浦 弘道2、⻄澤 典彦1
1.名⼤⼯, 2.産総研
3
3.6
Oral
3/21(⽉) 16:30 16:45
21p-S622-11 C001227
奨
Er添加超短パルスファイバーレーザーを⽤いたコヒーレント広帯域光周波数コム光源の開発
〇新家 俊輝1、野村 佳孝1、⾦ 磊1、⼩関 泰之2、⻄澤 典彦1
1.名⼤⼯, 2.東⼤⼯
3
3.6
Oral
3/21(⽉) 16:45 17:00
21p-S622-12 C003061
⾳響光学変調器を⽤いたオフセット周波数のないファイバコム
〇中村 圭佑1, 2、⼤久保 章1, 2、マルテ シュラム1, 2、穀⼭ 渉1、稲場 肇1, 2
1.産総研, 2.JST, ERATO知的光シンセサイザ
3
3.6
Oral
3/21(⽉) 17:00 17:15
21p-S622-13 C001019
位相変調器ベース光コムを⽤いた広周波数可変な低位相雑⾳ミリ波発⽣
〇⽯澤 淳1、⻄川 正2、後藤 貴⼤1, 2、⽇達 研⼀1、寒川 哲⾂1、後藤 秀樹1
1.NTT物性研, 2.東京電機⼤
3
3.6
Oral
3/21(⽉) 17:15 17:30
E
広帯域光パラメトリック増幅器による⼆波⻑同時増幅を利⽤した位相安定な⾼強度中⾚外光パルスの発⽣と，その電場波形の測
Carrier envelope phase stabilization using orthogonally polarized reference pulse
数パルスアト秒パルス列照射による⽔素分⼦イオンのサブ10fs解離経路制御
〇⾦島 圭佑1、⽯井 順久1、⽵内 健悟1、板⾕ 治郎1
1.東⼤物性研
〇Yuxi FU1, Eiji J. TAKAHASHI1, Yuuki TAMARU1, Katsumi MIDORIKAWA1
1.Attosecond Science Research Team, RIKEN Center for Advanced Photonics, 2-1 Hirosawa, Wako-shi, Saitama 351-0198, Japan
古川 裕介1, 2、沖野 友哉1、〇鍋川 康夫1、アマニ イランル1、⾼橋 栄治1、⼭内 薫3、緑川 克美1
1.理研光量⼦, 2.電通⼤, 3.東⼤院理
1.産総研, 2.筑波⼤学数理
休憩/Break
招
「光フォトニクス分科内招待講演」（15分）
双⽅向発振デュアルコムリングレーザー
休憩/Break
2016年春季講演会(東⼯⼤⼤岡⼭キャンパス)プログラム
⼤分類 中分類
形式
講演⽇
開始
終了
講演番号
【1⽉28⽇(⽊)更新】暫定版からの更新箇所は⾚字になっております。
受付番号
奨励賞 英語 招待
7 / 52 ページ
※会場、時間が変更になった場合は該当の⽅にご連絡いたします。
講演タイトル
著者
所属機関
3
3.6
Oral
3/21(⽉) 17:30 17:45
21p-S622-14 C001164
奨
1f-2f⼲渉法を⽤いた⾼繰り返しモード同期Ybファイバレーザーの位相制御
〇安井 英顕1, 2、徐 博1, 2、中嶋 善晶1, 2、張 志剛3、美濃島 薫1, 2
1.電通⼤, 2.JST,ERATO知的光シンセサイザ, 3.中国 北京⼤学
3
3.6
Oral
3/21(⽉) 17:45 18:00
21p-S622-15 C000525
奨
CWレーザーで制御したFabry-Perot共振器を⽤いた光コムのモードフィルタリング
〇(M1)吉⽥ 悟1, 2、⻄⼭ 明⼦1, 2, 3、中嶋 善晶1, 2、美濃島 薫1, 2
1.電通⼤, 2.JST,ERATO知的光シンセサイザ, 3.JSPS
3
3.6
Oral
3/21(⽉) 18:00 18:15
21p-S622-16 C002026
奨
極紫外アト秒パルスの⾚外電場によるストリーク計測
〇齋藤 成之1、⽯井 順久1、⾦井 輝⼈1、渡部 俊太郎2、板⾕ 治郎1
1.東⼤物性研, 2.東理⼤
3
3.6
Oral
3/21(⽉) 18:15 18:30
21p-S622-17 C000641
⾼出⼒光シンセサイザーの開発
〇⽥丸 裕基1, 2、⾼橋 栄治1、Fu Yuxi1、Mücke Oliver D.3、Kärtner Frantz X.3、須⽥ 亮2、緑川 克美1
1.理研, 2.東理⼤理⼯, 3.DESY-CFEL
3
3.6
Oral
3/21(⽉) 18:30 18:45
21p-S622-18 C001099
希ガス封⼊中空ファイバ及び⽯英薄板を⽤いた超広帯域フェムト秒光パルスの発⽣
〇(B)植⽥ 隆太1、肥⽥ 遼平1、鈴⽊ 敬和1、伊佐 ⽂宏1、神成 ⽂彦1
1.慶⼤理⼯
3
3.6
3/21(⽉) 18:45 19:00
21p-S622-19 C001285
２波⻑同期フェムト秒チャープパルスファイバー増幅システム
〇吉富 ⼤1、⿃塚 健⼆1
3
3.6
Oral
3/21(⽉) 19:00 19:15
21p-S622-20 C001493
拡張ストークスパラメータにおける拡張偏光度スペクトルを⽤いた光波の空間回転対称性解析の検討
〇(D)鈴⽊ 雅⼈1、⼭根 啓作1、岡 和彦1、⼾⽥ 泰則1、森⽥ 隆⼆1
1.北⼤院⼯
3
3.7
Oral
3/19(⼟) 13:30 13:45
19p-W321-1
C002800
Sandeed Kumar Maurya1、Keisuke Mizobata1、〇Takashi Nakajima1、Heishun Zen1、Toshiteru Kii1、Hideaki Ohgaki1
1.Kyoto Univ.
3
3.7
Oral
3/19(⼟) 13:45 14:00
19p-W321-2
C003627
光散乱を⽤いた結晶性⾼分⼦薄膜の構造変化検出の可能性について
〇(M1)宇都 裕貴1、溝端 圭介1、Maurya Sandeep1、中嶋 隆1
1.京⼤エネ研
3
3.7
Oral
3/19(⼟) 14:00 14:15
19p-W321-3
C003048
レーザービーム透過法によるレーザー誘起気泡の観測
〇作花 哲夫1、⽥村 ⽂⾹1、松本 歩1、本多 恭也1、⻄ 直哉1、天野 健⼀1、深⾒ ⼀弘1、中嶋 隆2
1.京⼤⼯, 2.京⼤エネ理⼯研
19p-W321-4
C000128
Evaluation of pulsed QCW laser irradiation on concrete in upward direction
〇(P)Nguyen PhiLong1, Hiroyuki Daido1, Yukihiro Matsunaga1, Tomonori Yamada1, Akihiko Nishimura1, Tetsuya Kawachi1
1.JAEA
Oral
Real-time observation of phase-change in an organic film
using a mid-infrared free-electron laser IV
3
3.7
Oral
3/19(⼟) 14:15 14:30
3
3.7
Oral
3/19(⼟) 14:30 14:45
3
3.7
Oral
3/19(⼟) 14:45 15:00
19p-W321-5
C002208
炭素繊維強化プラスチックのパルスレーザー加⼯における波⻑・パルス幅依存性
〇⼤河 弘志1、染川 智弘2、藤⽥ 雅之2, 3、松⾕ 貴⾂1、前⽥ 佳伸1、宮永 憲明3
1.近⼤理⼯, 2.レーザー総研, 3.阪⼤レーザー研
3
3.7
Oral
3/19(⼟) 15:00 15:15
19p-W321-6
C000942
燃焼を考慮したCFRPのレーザー加⼯に関する3Dシミュレーション
〇⼤久保 友雅1、佐藤 雄⼆2、塚本 雅裕2
1.東京⼯科⼤, 2.阪⼤接合研
3
3.7
Oral
3/19(⼟) 15:15 15:30
19p-W321-7
C001822
PCF増幅150W級ナノ秒パルスファイバーレーザーを⽤いたCFRPの⾼品質加⼯
〇(PC)佐藤 雄⼆1、塚本 雅裕1、松岡 史浩2、⼤久保 友雅3
1.阪⼤接合研, 2.阪⼤院⼯, 3.東京⼯科⼤
3
3.7
Oral
E
1.産総研
休憩/Break
3/19(⼟) 15:30 15:45
19p-W321-8
C003454
レーザー粉末床溶融法におけるTi合⾦粉末の溶融凝固プロセスのハイスピードビデオカメラ観察及び造形物の組織観察
〇⼭下 顕資1、塚本 雅裕2、佐藤 雄⼆2、升野 振⼀郎2、⼭下 順広3、阿部 信⾏2
1.阪⼤院⼯, 2.阪⼤接合研, 3.⽯川県⼯試
3
3.7
Oral
3/19(⼟) 15:45 16:00
19p-W321-9
C001532
パルステールエネルギー制御CO2レーザーによる合成⽯英ガラスの加⼯特性
〇⼭本 拓哉1、宇野 和⾏1、秋津 哲也1、實野 孝久2
1.⼭梨⼤⼯, 2.阪⼤レーザー研
3
3.7
Oral
3/19(⼟) 16:00 16:15
休憩/Break
3
3.7
Oral
3/19(⼟) 16:15 16:30 19p-W321-10 C001445
真空紫外レーザーによるシリコーンゴム表⾯への微細周期構造の形成(2)
〇ウィスヌ パンブディ セティオ1、⼤越 昌幸1、⼭下 嗣⼈2
1.防衛⼤学校, 2.関東学院⼤学
3
3.7
Oral
3/19(⼟) 16:30 16:45 19p-W321-11 C000790
⾼圧ガス中レーザー蒸発法によるSn内包多⾓形状炭素粒⼦の形成
〇下垣 光明1、⼩塩 明1、⼩海 ⽂夫1
1.三重⼤院⼯
3
3.7
Oral
3/19(⼟) 16:45 17:00 19p-W321-12 C000791
Si/Geターゲットの⾼圧ガス中レーザー蒸発法による⼀次元ナノ構造体の形成
〇平岩 昂1、⼩崎 拓也1、森下 翔太1、久保⽥ 捷1、⼩塩 明1、⼩海 ⽂夫1
1.三重⼤院⼯
3
3.7
Oral
3/19(⼟) 17:00 17:15 19p-W321-13 C000798
ダブルパルスレーザーアブレーションによるTiO2とNiのプルーム衝突過程
〇(B)⽚⼭ 慶太1、浜岡 克佳1、⻘⽊ 珠緒1、福岡 寛3、吉⽥ 岳⼈2、杉村 陽1、梅津 郁朗1
1.甲南理⼯, 2.阿南⾼専, 3.奈良⾼専
3
3.7
Oral
3/19(⼟) 17:15 17:30 19p-W321-14 C002146
ダブルレーザーアブレーション法におけるプルーム衝突に対する励起時間の影響
〇(M2)浜岡 克佳1、福岡 寛2、杉村 彰1、梅津 郁朗1
1.甲南⼤理⼯, 2.奈良⾼専
3
3.7
Oral
3/20(⽇)
9:00
9:15
20a-W321-1
C001719
奨
ガラス内部へのフェムト秒レーザ加⼯の照射時間と溶融痕サイズの関係
〇松本 葵1、栗⽥ ⼀佳1、⽟⽊ 隆幸1、⼋幡 恵輔2、⼤村 悦⼆3
1.奈良⾼専, 2.三星ダイヤモンド, 3.⼤阪⼤学
3
3.7
Oral
3/20(⽇)
9:15
9:30
20a-W321-2
C003189
奨
フェムト秒レーザー照射による酸化チタン光触媒の光触媒機能を誘起する波⻑領域の変化
〇⼭縣 秀⼈1
1.近⼤理⼯
3
3.7
Oral
3/20(⽇)
9:30
9:45
20a-W321-3
C002318
奨
レーザー誘起前⽅転写法への円環ビームの適⽤
〇⼤町 弘毅1、中村 貴宏1、佐藤 俊⼀1
1.東北⼤多元研
3
3.7
Oral
3/20(⽇)
9:45
10:00
20a-W321-4
C001516
奨
〇(P)Dezhi Tan1, Kazunari Matsuda1, Jianrong Qiu2
1.Kyoto Univ., 2.Zhejiang Univ.
3
3.7
Oral
3/20(⽇) 10:00 10:15
20a-W321-5
C002408
奨
〇(M1)出⼝ 亮1、⽥中 のぞみ1、和⽥ 直1、砂原 淳2、余語 覚⽂1、⻄村 博明1
1.阪⼤レーザー研, 2.レーザー総研
3
3.7
Oral
3/20(⽇) 10:15 10:30
3
3.7
Oral
3/20(⽇) 10:30 10:45
20a-W321-6
C001176
奨
エキシマレーザーアニーリングによるバッファ層誘起β-Ga2O3薄膜の低温固相エピタキシャル結晶化
〇内⽥ 啓貴1、塩尻 ⼤⼠1、福⽥ ⼤⼆1、⼟嶺 信男2、⼩⼭ 浩司3、⾦⼦ 智4、松⽥ 晃史1、吉本 護1
1.東京⼯業⼤学, 2.(株)豊島製作所, 3.(株)並⽊精密宝⽯, 4.神奈川県産技セ
3
3.7
Oral
3/20(⽇) 10:45 11:00
20a-W321-7
C002904
奨
KrFエキシマレーザー照射によって形成されたSiC(0001)上グラフェンの成⻑過程の解明
〇(M2)服部 正和1、池上 浩1、中村 ⼤輔1、岡⽥ ⿓雄1
1.九州⼤学
3
3.7
Oral
3/20(⽇) 11:00 11:15
20a-W321-8
C001323
奨
レーザー⼲渉パターニングを利⽤した⽔熱合成法により合成した周期構造酸化亜鉛マイクロ結晶の特性評価
〇⼭崎 正瑛1、下垣 哲也1、⼩⽥ 晃司1、Iyamperumal Palani2、中村 ⼤輔1、東畠 三洋1、中⽥ 芳樹3、池上 浩1、Nilesh Vasa4、岡⽥ ⿓雄1
1.九⼤シス情, 2.インド⼯科⼤学インドール校, 3.阪⼤レーザー研, 4.インド⼯科⼤学マドラス校
3
3.7
Oral
3/20(⽇) 11:15 11:30
20a-W321-9
C002947
奨
パルス幅依存性から考えられる液中レーザー溶融法サブミクロン球状粒⼦⽣成過程
〇榊 祥太1、越崎 直⼈1、池上 浩2、⽯川 善恵3、辻 剛志4
1.北⼤院⼯, 2.九⼤院⼯, 3.産総研, 4.島根⼤院⼯
3
3.7
Oral
3/20(⽇) 11:30 11:45 20a-W321-10 C002481
奨
⾦属酸化物ナノ材料を⽤いたエタノールガスセンサー開発
〇佐藤 ⾄弘1、近藤 崇博1、セルゲイ クリニッチ1、岩森 暁1
1.東海⼤
3
3.7
Oral
3/21(⽉)
9:00
9:15
21a-W321-1
C001473
単結晶ダイヤモンドへの超短パルスレーザー加⼯とダイナミクス
3
3.7
Oral
3/21(⽉)
9:15
9:30
21a-W321-2
C003253
ガラス材料間の超短光パルスマイクロ接合法における接合領域と接合強度の関係探索
〇⽟⽊ 隆幸1、乾 永弥1、松本 葵1、渡邉 歴2
1.奈良⾼専, 2.⽴命館⼤学
3
3.7
Oral
3/21(⽉)
9:30
9:45
21a-W321-3
C000952
フェムト秒レーザ制御パラメータのガラス内加⼯精度に及ぼす影響
〇北島 魁⼈1、⼟⽥ 英⼀1
1.⼩⼭⾼専
3
3.7
Oral
3/21(⽉)
9:45
10:00
21a-W321-4
C003191
3
3.7
Oral
3/21(⽉) 10:00 10:15
21a-W321-5
C001595
3
3.7
Oral
3/21(⽉) 10:15 10:30
21a-W321-6
C002085
3
3.7
Oral
3/21(⽉) 10:30 10:45
3
3.7
Oral
3/21(⽉) 10:45 11:00
21a-W321-7
C002124
短パルスレーザー照射による⽔素吸蔵合⾦の表⾯改質効果
〇阿部 浩之1、下村 拓也2、菖蒲 敬久3、徳平 真之介4、宮下 敦⺒1、⻄村 昭彦2、⼤道 博⾏2、内⽥ 裕久4
1.原⼦⼒機構量⼦⾼崎, 2.原⼦⼒機構レーザー研, 3.原⼦⼒機構量⼦播磨, 4.東海⼤院応⽤理学
3
3.7
Oral
3/21(⽉) 11:00 11:15
21a-W321-8
C000784
イットリア安定化ジルコニアセラミックスに形成されたフェムト秒レーザー誘起周期構造形成のパルス幅依存性
〇⽋端 雅之1、屋代 英彦1、⼤⽮根 綾⼦2、伊藤 敦夫3、⿃塚 健⼆1
1.産総研 電⼦光技術, 2.産総研 ナノ材料, 3.産総研 健康⼯学
3
3.7
Oral
3/21(⽉) 11:15 11:30
21a-W321-9
C003588
ホログラフィックライン整形ベクトルビームを⽤いたナノ周期構造の作製
〇⻑⾕川 智⼠1、早崎 芳夫1
1.宇都宮⼤オプティクス
3
3.7
Oral
3/21(⽉) 11:30 11:45 21a-W321-10 C001511
回折光学素⼦対により集光されたフェムト秒レーザーパルス幅の評価
〇中野 秀俊1、佐藤 慎1、⽵⽥ 州1、尼⼦ 淳1
1.東洋⼤理⼯
3
3.7
Oral
3/21(⽉) 11:45 12:00 21a-W321-11 C001549
フェムト秒レーザー誘起衝撃⼒による植物細胞の細胞壁と細胞膜の⾼速形状変化
〇吹⽥ 啓介1、⽚桐 ⼤輔1、飯野 敬矩1、⽶⽥ 新2、出村 拓2、細川 陽⼀郎1
1.奈良先端⼤物質, 2.奈良先端⼤バイオ
3
3.7
Oral
3/21(⽉) 12:00 12:15 21a-W321-12 C002316
フェムト秒レーザー誘起衝撃⼒とAFMによるゼブラフィッシュ胚の硬さ評価
〇南野 ⼤樹1、宮本 敏男1、⼭⽥ 壮平2、別所 康全2、松井 貴輝2、飯野 敬矩1、細川 陽⼀郎1
1.奈良先端⼤物質, 2.奈良先端⼤バイオ
3
3.7
Poster
3/21(⽉) 16:00 18:00
21p-P14-1
C000913
数サイクルレーザーパルスによる固体表⾯へのナノ加⼯
〇宮地 悟代1
1.東京農⼯⼤
3
3.7
Poster
3/21(⽉) 16:00 18:00
21p-P14-2
C003008
フェムト秒レーザーを⽤いた劈開による基板切り出し⼿法の検討
岡本 淳祐1、〇宮川 鈴⾐奈1、江⿓ 修1
1.名⼯⼤
3
3.7
Poster
3/21(⽉) 16:00 18:00
21p-P14-3
C001293
超短レーザパルス直描Pr:フッ化物導波路レーザ作製
〇佐藤 琢哉1、⼭中 雄介1、神成 ⽂彦1
1.慶⼤理⼯
3
3.7
Poster
3/21(⽉) 16:00 18:00
21p-P14-4
C001291
フェムト秒Ti:Sapphireレーザの第⼆⾼調波直描によるNd:YLF導波路レーザ
〇佐藤 琢哉1、⼭中 雄介1、廣澤 賢⼀1、神成 ⽂彦1
1.慶⼤理⼯
3
3.7
Poster
3/21(⽉) 16:00 18:00
21p-P14-5
C002209
フェムト秒レーザー照射による乳酸・グリコール酸共重合体からの蛍光分⼦放出
〇梅本 ⼤河1、柴⽥ 明道2、⽮⽥ 周平2、有安 和優2、寺川 光洋1, 2
1.慶⼤理⼯, 2.慶⼤院理⼯
E
A Universal Photochemical Approach to Ultra-Small, Well-Dispersed Nanoparticle/Reduced Graphene Oxide Hybrids with Enhanced
Nonlinear Optical Properties
レーザー駆動EUV光による物質アブレーションにおけるイオンエネルギーと価数診断
休憩/Break
E
〇坂倉 政明1、岡⽥ 拓郎2、Bharadwaj Vibhav3、Sotillo Belén3、Eaton Shane3、Ramponi Roberta3、Serpengüzel Ali4、Gökay Ulaş4、下間
靖彦2、三浦 清貴2
1.京⼤産連, 2.京⼤院⼯, 3.ミラノ⼯科⼤, 4.コチ⼤
1.5 μmフェムト秒ベッセルビームによるSi貫通⽳の形成
He Fei1, 2、Cheng Ya2、〇杉岡 幸次1
1.理研, 2.SIOM
Microspatially modulating hydrophilic/hydrophobic property on glass surface using femtosecond laser direct writing
〇Jian Xu1, Mingjie Liu2, Katsumi Midorikawa1, Koji Sugioka1
1.RIKEN, Japan, 2.Beihang Univ., China
フェムト秒レーザ還元直接描画法によるCu-Ni微細パターニング
〇溝尻 瑞枝1、櫻井 淳平1、秦 誠⼀1
1.名⼤院⼯
休憩/Break
E
〇Hafzan Qayyum Muhammad1, Takuya Komachi1, Mitsuhiro Honda2, Takahiro Kondo1, Yosuke Okamura1, Sergei Kulinich1, Satoru
3
3.7
Poster
3/21(⽉) 16:00 18:00
21p-P14-6
C000753
3
3.7
Poster
3/21(⽉) 16:00 18:00
21p-P14-7
C002512
ホログラフィックデュアル偏光フェムト秒レーザー加⼯システムを⽤いたレーザースイーパ
〇阿部 哲也1、⻑⾕川 智⼠1、⾼橋 秀知2、太⽥ 道春3、早崎 芳夫1
1.宇都宮⼤オプト, 2.アイシン精機, 3.イムラアメリカ
3
3.8
Oral
3/20(⽇) 13:15 13:30
20p-H116-1
C000013
⼲渉縞包絡線変位検出⼿法の⽐較
〇⾱ 冬1、明⽥川 正⼈1
1.⻑岡技⼤機械
3
3.8
Oral
3/20(⽇) 13:30 13:45
20p-H116-2
C000484
カー係数測定⽤QP法の解析ー絶対符号の決定ー
〇滝澤 國治1、⾦ 蓮花2
1.浜松ホトニクス中研, 2.⼭梨⼤学⼯
3
3.8
Oral
3/20(⽇) 13:45 14:00
20p-H116-3
C000493
チャープした超短パルスのスペクトル⼲渉を⽤いた距離イメージング法の開発
〇加藤 峰⼠1, 2、内⽥ めぐみ1、中嶋 善晶1, 2、美濃島 薫1, 2
1.電通⼤, 2.JST, ERATO知的光シンセサイザ
3
3.8
Oral
3/20(⽇) 14:00 14:15
20p-H116-4
C001999
Si-APD⼆光⼦吸収応答による距離計測－変調信号の位相掃引による短時間⾼精度計測
〇(M1)⼭⽥ 祥規1、根本 昌弥1、⽥中 洋介1、⿊川 隆志1
1.農⼯⼤⼯
3
3.8
Oral
3/20(⽇) 14:15 14:30
20p-H116-5
C002712
奨
ダイヤモンド中電⼦スピンの光検出磁気共鳴イメージング
〇岡崎 睦1、藤⽥ 留⼠郎1、渡邊 幸志2、⾚⽻ 浩⼀3、⾨内 靖明1、伊藤 公平1、早瀬 潤⼦1
1.慶⼤理⼯, 2.産総研, 3.情報通信研究機構
3
3.8
Oral
3/20(⽇) 14:30 14:45
20p-H116-6
C002897
奨
〇王 从涛1、野郷 孝介1、森 敬太1、⽯丸 伊知郎1
1.⾹川⼤⼯
3
3.8
Oral
3/20(⽇) 14:45 15:00
20p-H116-7
C002980
奨
〇佐藤 洸太朗1、⼤⽊ 義路1, 2、藤巻 真3
1.早⼤先進理⼯, 2.早⼤材研, 3.産総研
3
3.8
Oral
3/20(⽇) 15:00 15:15
20p-H116-8
C003341
奨
不可視情報の光学的識別における評価指標の最適化
〇佐⽵ 優貴1、若⽣ ⼀広1
1.仙台⾼専
3
3.8
Oral
3/20(⽇) 15:15 15:30
20p-H116-9
C003618
奨
波⻑/1D空間変換および共焦点スリットを⽤いたフルフィールド・スキャンレス共焦点レーザー顕微鏡の開発
〇宮本 周治1、⻑⾕ 栄治1, 2、南川 丈夫1, 2、⼭本 裕紹2, 3、安井 武史1, 2
1.徳島⼤学, 2.JST-ERATO 美濃島知的光シンセサイザプロジェクト, 3.宇都宮⼤学
3
3.8
Oral
3/20(⽇) 15:30 15:45
20p-H116-10 C000609
奨
光コム2⾊⼲渉計による空気屈折率の経験式精度を超える⾃⼰補正
〇宮野 皓貴1, 2、Guanhao Wu3、牧野 智⼤1、美濃島 薫1, 2
1.電通⼤, 2.JST,ERATO知的光シンセサイザ, 3.中国 清華⼤学
3
3.8
Oral
3/20(⽇) 15:45 16:00
20p-H116-11 C001444
奨
光周波数コムのモード同期と周波数安定化に向けたグラフェン/III-Vハイブリッド変調器
〇(DC)林 侑介1、Chien-Chung Lee2、Kevin Silverman3、Ari Feldman3、Todd Harvey3、Richard Mirin3、⻄⼭ 伸彦1、荒井 滋久4、Thomas
1.東⼯⼤電電, 2.Dept. Physics, U. Colorado Boulder, 3.NIST, 4.東⼯⼤QNERC, 5.JILA, 6.Dept. Electrical Computer and Energy, U. Colorado
3
3.8
Oral
3/20(⽇) 16:00 16:15
Schibli3, 5, 6
Boulder
3
3.8
Oral
3/20(⽇) 16:15 16:30
20p-H116-12 C003530
フェムト秒パルスの⾼感度タイミングジッター検出⽅法を適⽤した光コム⼲渉計の開発
〇中嶋 善晶1, 2、Schibli Thomas3、美濃島 薫1, 2
1.電通⼤, 2.JST, ERATO知的光シンセサイザプロジェクト, 3.コロラド⼤
3
3.8
Oral
3/20(⽇) 16:30 16:45
20p-H116-13 C003211
スキャンレス光周波数コム分散計測システムの検討
〇(M1C)春⽇ 海秀1、宮本 貴幸1、塩⽥ 達俊1
1.埼⽟⼤理⼯
3
3.8
Oral
3/20(⽇) 16:45 17:00
20p-H116-14 C002960
BOCDAにおける⾼速ランダムアクセスの性能向上
〇河野 裕太1, 2、岸 眞⼈1, 2、保⽴ 和夫1, 2
1.東⼤, 2.保⽴研
3
3.8
Oral
3/20(⽇) 17:00 17:15
20p-H116-15 C002285
BOCDA法を⽤いた空間分解能3.6mmでのPLC内ブリルアン周波数シフトの分布測定
〇(M2)三浦 信⼀1、岸 眞⼈1、保⽴ 和夫1
1.東⼤
3
3.8
Oral
3/20(⽇) 17:15 17:30
20p-H116-16 C001287
〇(M1C)笹井 健⽣1、岸 眞⼈1、保⽴ 和夫1
1.東⼤⼯
3
3.8
Oral
3/20(⽇) 17:30 17:45
20p-H116-17 C002417
Distributed Measurement of Brillouin Dynamic Grating in Brillouin Optical Correlation Domain Reflectometry
〇(DC)YUGUO YAO1, MASATO KISHI1, KAZUO HOTATE1
1.The Univ. of Tokyo
3
3.8
Oral
3/20(⽇) 17:45 18:00
20p-H116-18 C001091
酸素Aバンドを利⽤したクロロフィル蛍光の分光画像計測︓⽔⽥への応⽤
〇栗⼭ 健⼆1、眞⼦ 直弘2、本間 ⾹貴3、久世 宏明2
1.静岡⼤⼯, 2.千葉⼤CEReS, 3.東北⼤農
3
3.8
Oral
3/20(⽇) 18:00 18:15
20p-H116-19 C002881
⽣体断層計測⽤GHz帯Er添加⾼調波能動モード同期ファイバレーザの製作
〇⽻⽥ 圭志1、崔 森悦2, 5、任 書晃3, 5、⽇⽐野 浩3, 5、⿊川 隆志4
1.新潟⼤院⾃然研, 2.新潟⼤⼯, 3.新潟⼤医, 4.東京農⼯⼤⼯, 5.国⽴研究開発法⼈⽇本医療研究開発機構, AMED-CREST
3
3.8
Oral
3/20(⽇) 18:15 18:30
20p-H116-20 C001122
⾼周波光位相変調を⽤いた⾼速振動変位の精密測定
〇⼟屋 光揮1、⽊村 亮祐1、伊藤 孝優1、⽥中 洋介1、⿊川 隆志1
1.農⼯⼤⼯
3
3.8
Oral
3/20(⽇) 18:30 18:45
20p-H116-21 C000822
薄明視野顕微鏡法を⽤いた⾦ナノ粒⼦の3次元マッピング
後藤 和史1、〇早崎 芳夫1
1.宇⼤オプティクス
3
3.8
Oral
3/21(⽉)
9:00
9:15
21a-H116-1
C000524
SF-STAMP光学系を⽤いたマルチスペクトラルイメージング
〇(B)肥⽥ 遼平1、鈴⽊ 敬和1、伊佐 ⽂宏1、植⽥ 隆太1、神成 ⽂彦1
1.慶⼤理⼯
3
3.8
Oral
3/21(⽉)
9:15
9:30
21a-H116-2
C000898
In+イオン光周波数標準のための深紫外コヒーレント光源
〇李 瑛1、⼤坪 望1、松原 健祐1、井⼾ 哲也1、早坂 和弘1
1.情通機構
3
3.8
Oral
3/21(⽉)
9:30
9:45
21a-H116-3
C001399
位相操作型⼲渉計を⽤いた超⾼速フーリエ変換コヒーレントラマン分光
〇榊 祐介1、⽟光 未侑1、中村 將1、ゴパラ クリシュナ ポダガトラパリ1、井⼿⼝ 拓郎1、合⽥ 圭介1, 2, 3
1.東⼤理, 2.UCLA, 3.JST
3
3.8
Oral
3/21(⽉)
9:45
10:00
21a-H116-4
C001410
超⾼速広帯域フーリエ変換CARS分光
〇(M2)橋本 和樹1、⾼橋 めぐみ1、井⼿⼝ 拓郎1、合⽥ 圭介1, 2, 3
1.東⼤理, 2.UCLA, 3.JST
3
3.8
Oral
3/21(⽉) 10:00 10:15
21a-H116-5
C002330
⽩⾊光励起による多波⻑多段階光反応過程の観測︓フーリエ変換型２次元過渡吸収分光システムの開発
安⻄ 宇宙1、Joshi Neeraj Kumar1、冬⽊ 正紀2、〇和⽥ 昭英1
1.神⼾⼤, 2.畿央⼤
3
3.8
Oral
3/21(⽉) 10:15 10:30
21a-H116-6
C001132
光周波数領域における時系列の位相雑⾳計測
〇穀⼭ 渉1、⼤久保 章1、和⽥ 雅⼈1、中村 圭佑1、稲場 肇1
1.産総研 計量標準
3
3.8
Oral
3/21(⽉) 10:30 10:45
21a-H116-7
C001461
スキャンレスデュアルコム分光イメージング法の提案
〇澁⾕ 九輝1, 3、松本 拓磨1、⽔⾕ 康弘2, 3、岩⽥ 哲郎1, 3、安井 武史1, 3
1.徳島⼤, 2.⼤阪⼤, 3.JST-ERATO 美濃島知的光シンセサイザプロジェクト
3
3.8
Oral
3/21(⽉) 10:45 11:00
21a-H116-8
C000923
光周波数コムを⽤いた87Rb原⼦のリドベルグ励起⽤基準光源の開発II
〇渡邉 直登1、中 信⻑1、⽵村 直貴1、海上 智⾏1、⽥村 光1、武者 満1、中川 賢⼀1
1.電通⼤レーザー
奨
Incorporation of zinc-containing nanoparticles prepared via laser ablation into polymer nanosheets toward wound dressing application
超⾳波アシスト分光イメージングによる懸濁液計測
－超⾳波合成波を⽤いた浮遊粒⼦の並進移動マニピュレーション－
導波モードセンサによる硫酸銅めっき液中添加剤量監視
Iwamori1
1.Tokai Univ., 2.Nagoya Intst. Tech.
休憩/Break
ブリルアンダイナミックグレーティングを⽤いた光相関領域法による
E
奨
奨
温度・歪の分離分布測定の⾼空間分解能化に関する研究
2016年春季講演会(東⼯⼤⼤岡⼭キャンパス)プログラム
⼤分類 中分類
形式
講演⽇
開始
終了
【1⽉28⽇(⽊)更新】暫定版からの更新箇所は⾚字になっております。
講演番号
受付番号
21a-H116-9
C002682
3
3.8
Oral
3/21(⽉) 11:00 11:15
3
3.8
Oral
3/21(⽉) 11:15 11:30
21a-H116-10 C002922
3
3.8
Oral
3/21(⽉) 11:30 11:45
21a-H116-11 C003047
3
3.8
Oral
3/21(⽉) 13:15 13:30
21p-H116-1
3
3.8
Oral
3/21(⽉) 13:30 13:45
3
3.8
Oral
3/21(⽉) 13:45 14:00
3
3.8
Oral
3/21(⽉) 14:00 14:15
3
3.8
Oral
3
3.8
Oral
3
3.8
3
奨励賞 英語 招待
奨
8 / 52 ページ
※会場、時間が変更になった場合は該当の⽅にご連絡いたします。
講演タイトル
著者
デュアルコム分光法によるRb原⼦の⾼分解能分光
〇⻄⼭ 明⼦1, 2, 3、浅原 彰⽂1, 2、吉⽥ 悟1, 2、中嶋 善晶1, 2、美濃島 薫1, 2
天体の視線速度観測⽤⾼分散分光器の波⻑校正⽤光周波数コムの開発
〇⼤久保 章1, 5、中村 圭佑1, 5、シュラム マルテ1, 5、⼭本 宏樹2, 5、⽯川 純1、洪 鋒雷1, 2, 5、⼤苗 敦1, 5、美濃島 薫1, 4, 5、筒井 寛典3,
-間隔20 GHz、波⻑380 – 500 nmの広帯域光周波数コムの発⽣-
5、神⼾ 栄治3, 5、泉浦 秀⾏3, 5、稲場 肇1, 5
所属機関
1.電通⼤, 2.JST, ERATO知的光シンセサイザ, 3.JSPS
1.産総研, 2.横国⼤, 3.国⽴天⽂台, 4.電通⼤, 5.JST, ERATO
次元変換光コムを⽤いたスキャンレス・フルフィールド共焦点顕微鏡の開発（２）〜２次元波⻑分散光学系の構築〜
〇⻑⾕ 栄治1, 2、宮本 周治1、謝 宜達1, 2、南川 丈夫1, 2、⼭本 裕紹3, 2、安井 武史1, 2
1.徳島⼤, 2.JST-ERATO 美濃島IOS, 3.宇都宮⼤
C001846
広視野ヘテロダイン⼲渉振動計測法による⼀括平⾯振動計測
〇崔 森悦1, 4、丸⼭ 悠太2、鈴⽊ 孝昌2、⼩浦⽅ 格3
1.新⼤⼯, 2.新⼤⾃然研, 3.新⼤産学地域連携推進機構, 4.国⽴研究開発法⼈⽇本医療研究開発機構、AMED-CREST
21p-H116-2
C001706
⽩⾊⼲渉計を⽤いた薄膜メトロロジーの開発
〇吉野 紘和1、Mansfield Daniel2、Smith Roger1、Walls Michael1
1.Loughborough Univ., 2.Taylor Hobson
21p-H116-3
C000722
離散的な円偏光変調⽅式による円⼆⾊性顕微鏡システム
〇成島 哲也1, 2、岡本 裕⺒1
1.分⼦研・総研⼤, 2.ＪＳＴさきがけ
21p-H116-4
C002484
２波⻑ディジタル超解像⼲渉顕微鏡
〇中嶋 澄1、⽯川 慎⼆1、早崎 芳夫1
1.宇都宮⼤学オプト
3/21(⽉) 14:15 14:30
21p-H116-5
C003236
波⻑掃引型OCTを⽤いた多層構造試料の空間分解スペクトル計測
〇(M1C)⼤仁⽥ ⻯⾺1、塩⽥ 達俊1
1.埼⽟⼤⼤学院
3/21(⽉) 14:30 14:45
21p-H116-6
C003241
エリプソメトリーによる3次元形状計測のための偏光照明法
⼩川 広暉1、〇津留 俊英1
1.⼭形⼤地教
Oral
3/21(⽉) 14:45 15:00
21p-H116-7
C003339
SC光源と多波⻑逆伝搬法を⽤いた⾼分解能断層形状計測
〇安部 和樹1、武隈 雄也1、崔 森悦2、佐々⽊ 修⼰2、新⽥ 勇1、⼩浦⽅ 格3
1.新潟⼤院⾃然研, 2.新潟⼤⼯, 3.新潟⼤産学地域連携推進機構
3.8
Oral
3/21(⽉) 15:00 15:15
21p-H116-8
C003609
奨
VIPAを⽤いた周波数領域シングルショットイメージング
〇(M1)宮岡 拓実1、塩⽥ 達俊1
1.埼⽟⼤理⼯
3
3.8
Oral
3/21(⽉) 15:15 15:30
21p-H116-9
C003657
奨
3
3.8
Oral
3/21(⽉) 15:30 15:45
21p-H116-10 C000626
奨
3
3.8
Oral
3/21(⽉) 15:45 16:00
21p-H116-11 C003692
E
3
3.8
Oral
3/21(⽉) 16:00 16:15
21p-H116-12 C003699
E
3
3.8
Oral
3/21(⽉) 16:15 16:30
3
3.8
Oral
3/21(⽉) 16:30 16:45
21p-H116-13 C001242
E
3
3.8
Oral
3/21(⽉) 16:45 17:00
21p-H116-14 C003768
3
3.8
Oral
3/21(⽉) 17:00 17:15
3
3.8
Oral
3/21(⽉) 17:15 17:30
3
3.8
Oral
3
3.8
3
奨
UAV(無⼈⾶⾏機︓Unmanned Air Vehicle)に搭載するワンショット
フーリエ分光イメージングの表⾯反射光除去と光源⾊補正⽅式の提案
プラスチック光ファイバ中のモード間⼲渉を⽤いた歪・温度センシング︓
アニールによる室温での温度感度の向上
Dual photoelastic modulator and rotating wave plate based Mueller matrix polarimeter to measure the optical properties of scattering
〇岡⽥ 瑞穂1、⻄藤 翼1、森 敬太1、中⽥ 翔1、⽯丸 伊知郎1
1.⾹川⼤⼯
〇(B)河 智仁1、沼⽥ 剛毅1、林 寧⽣1、⽔野 洋輔1、中村 健太郎1
1.東⼯⼤精研
〇(DC)Pradipta Mukherjee2, David I. Serrano-Garcia1, Yukitoshi Otani2, 1
1.Utsunomiya Univ. Center for Optical Research and Education, 2.Utsunomiya Univ. Dept. Of Optical Engineering
〇(D)Bhattacharyya Kaustav1, Yukitoshi Otani1, 2, David I. Serrano Garcia2
1.Utsunomiya Univ. Dept. of Optical Eng., 2.Utsunomiya Univ. Center for Optical Research and Education (CORE)
Monitoring ultra short-term growth dynamics of plants under the influence of zinc using a highly sensitive interferometric technique,SIT
〇(D)KanchanaMuthumali DeSilva Kokge1, Hirofumi Kadono1
1.Saitama University
バイオスペックルOCTによる⽔ストレス下の植物反応の計測
〇中島 貴1、⾨野 博史1
1.埼⼤理⼯研
21p-H116-15 C001350
散乱光受光型光⽔⾯センシングシステム構成法の検討
相原 弘和1、増⽥ 浩次1、後藤 春可1、〇北村 ⼼1
1.島根⼤総合理⼯
21p-H116-16 C000115
偏光⼦を⽤いたフェムト秒ダブルパルスLIBSの信号増強効果
〇染川 智弘1、⼤塚 昌孝2、前⽥ 佳伸2、藤⽥ 雅之1, 3
1.レーザー総研, 2.近⼤理⼯, 3.阪⼤レーザー研
3/21(⽉) 17:30 17:45
21p-H116-17 C002263
ディジタルコヒーレント技術を⽤いたFMCW反射光計測
〇永⽥ 翼1、⽩畑 卓磨1、Set S.Y.1、⼭下 真司1
1.東⼤先端研
Oral
3/21(⽉) 17:45 18:00
21p-H116-18 C003050
楕円ガウスビーム照射における光放射圧を利⽤した環境微粒⼦カウンター
〇(M1)⽥井 祐⼀郎1、岩井 俊昭1
1.東京農⼯⼤BASE
3.8
Oral
3/21(⽉) 18:00 18:15
21p-H116-19 C002472
LIFS-LIDAR による⼤気エアロゾル観測および解析
〇冨⽥ 孝幸1、塚⽥ 祥⼤1、久保⽥ 智貴1、菅沼⽥ 光1、⿑藤 保典1
1.信州⼤学
3
3.8
Oral
3/21(⽉) 18:15 18:30
21p-H116-20 C001982
カリウムファラデーフィルタを⽤いた気温測定実験
〇阿保 真1、有賀 幸輝1、Pham Le Hoai Phong1
1.⾸都⼤院シスデザ
3
3.8
Oral
3/21(⽉) 18:30 18:45
21p-H116-21 C000968
CO2分布計測⽤ライダーのための1.6μmOPA光源の性能評価
〇柴⽥ 泰邦1、⻑澤 親⽣1、阿保 真1
1.⾸都⼤院シスデザ
3
3.8
Oral
3/21(⽉) 18:45 19:00
21p-H116-22 C001665
Tmファイバーレーザー励起Ho:YLFレーザーの開発
〇⽔⾕ 耕平1、⽯井 昌憲1、⻘⽊ 誠1、浅井 和弘2、佐藤 篤2
1.情通機構, 2.東北⼯⼤
3
3.8
Poster
3/21(⽉) 16:00 18:00
21p-P15-1
C000096
幾何光学と波動光学の連成解析によるウェハ厚さ計測の誤差特性
〇⼩貫 哲平1、尾嶌 裕隆1、清⽔ 淳1、周 ⽴波1
1.茨⼤⼯
3
3.8
Poster
3/21(⽉) 16:00 18:00
21p-P15-2
C001783
多層構造を有する試料における各層の偏光特性の分別
〇⾦ 蓮花1、⼩林 ⼤地1、近藤 英⼀1、⾼和 宏⾏2、ジェローズ ベルナール3
1.⼭梨⼤⼯, 2.ユニオプト（株）, 3.名⼤⼯
3
3.8
Poster
3/21(⽉) 16:00 18:00
21p-P15-3
C001797
⾼分解能イメージングエリプソメーターの開発
〇⾦ 蓮花1、佐野 和夫2、藤尾 勲2、上原 誠2
1.⼭梨⼤⼯, 2.(株)⽬⽩ゲノッセン
3
3.8
Poster
3/21(⽉) 16:00 18:00
21p-P15-4
C002091
デジタルコヒーレント受信を⽤いたSS-OCTのFull-range測定
〇⽩畑 卓磨1、⼭下 真司1
1.東京⼤学
3
3.8
Poster
3/21(⽉) 16:00 18:00
21p-P15-5
C002266
ダウンサンプリング位相シフト⼲渉法を⽤いた振動分布計測
〇梅⽊ 遼1、鈴⽊ 孝昌1
1.新潟⼤院⾃然研
3
3.8
Poster
3/21(⽉) 16:00 18:00
21p-P15-6
C003009
±45°TN液晶セルを⽤いた複屈折計測システムの検討 (Ⅱ)
〇(M2)⽵内 亨1、本間 道則1、伊東 良太1、藤⽥ 直⼦2、岡野 桂樹2、村⽥ 純2、尾崎 紀昭2、村⼝ 元2、能勢 敏明1
1.秋⽥県⼤システム, 2.秋⽥県⼤⽣物
3
3.8
Poster
3/21(⽉) 16:00 18:00
21p-P15-7
C003323
TNセルのシア特性と微分⼲渉観察応⽤の検討
〇⽯坂 尚聖1、本間 道則1、伊東 良太1、岡野 圭樹2、藤⽥ 直⼦2、村⽥ 純2、村⼝ 元2、尾崎 紀昭2、能勢 敏明1
1.秋⽥県⼤システム, 2.秋⽥県⼤応⽤⽣物
3
3.8
Poster
3/21(⽉) 16:00 18:00
21p-P15-8
C001602
奨
デュアル光コム分光エリプソメトリー
〇南川 丈夫1, 2、謝 宜達1, 2、澁⾕ 九輝1, 2、兼岡 良樹1、⼤久保 章2, 3、稲場 肇2, 3、⽔⾕ 康弘2, 4、安井 武史1, 2、岩⽥ 哲郎1, 2
1.徳島⼤院STS, 2.JST-ERATO, 3.産総研, 4.阪⼤院⼯
3
3.8
Poster
3/21(⽉) 16:00 18:00
21p-P15-9
C002553
奨
波⻑計制御型CRDSによるガス中微量⽔分計測
〇橋⼝ 幸治1、Lisak Daniel2、阿部 恒1
1.産総研, 2.ニコラス・コペルニクス⼤学
3
3.8
Poster
3/21(⽉) 16:00 18:00
21p-P15-10
C002750
Development of Cavity Ring-Down Spectroscopy
〇(P)Volker Thomas Sonnenschein1, Ryohei Terabayashi1, Takahiro Hirotsu1, Satoshi Yuruzume1, Noriyoshi Hayashi1, Hideki Tomita1,
3
3.8
Poster
3/21(⽉) 16:00 18:00
21p-P15-11
C003462
3
3.8
Poster
3/21(⽉) 16:00 18:00
21p-P15-12
C000064
3
3.8
Poster
3/21(⽉) 16:00 18:00
21p-P15-13
3
3.8
Poster
3/21(⽉) 16:00 18:00
3
3.8
Poster
3/21(⽉) 16:00 18:00
3
3.8
Poster
3/21(⽉) 16:00 18:00
3
3.8
Poster
3
3.8
3
3
media
Mueller matrix imaging polarimeter with non-ideal retarder calibration
休憩/Break
奨
E
1.Nagoya Univ., 2.Sekisui Medical
for Carbon Isotope Analysis of Biomedical Samples (2)
Lei Jin1, Masahito Yamanaka1, Norihiko Nishizawa1, Atsushi Sato2, Akane Omori2, Akira Ideno2, Toshinari Oh-hara2, Tetsuo Iguchi1
ラフな表⾯による回折散乱光の偏光特性
〇⾦ 蓮花1、⽥⼝ 拓⾺1、近藤 英⼀1
可視光OCTとFDTDシミュレーションによる半導体光デバイス微細加⼯における新規⾮破壊膜厚測定法
〇⻄ 剛史1、尾崎 信彦1、及川 陽⼀2、宮地 邦男2、⼤⾥ 啓孝3、渡辺 英⼀郎3、池⽥ 直樹3、杉本 喜正3
1.和歌⼭⼤シス⼯, 2.シンクランド, 3.物質・材料研究機構
C000448
⾚外線加熱と⾚外線カメラを⽤いた透明体の三次元形状計測
〇⽯井 靖弘1、廣瀬 知弘1、北⼭ 綱次1
1.豊⽥中研
21p-P15-14
C003631
SC光を⽤いた表⾯プラズモン共鳴分光エリプソメータ
〇兼岡 良樹1、安井 武史1、岩⽥ 哲郎1
1.徳島⼤
21p-P15-15
C003653
⾯発光型半導体レーザペアを⽤いたFMCWレーザレーダ
〇覚間 誠⼀1
1.北⼤院⼯
21p-P15-16
C000567
熱拡散⽅向に基づいた接合部可視化⼿法の開発
〇光⽥ 浩樹1、中尾 敏之1、渡辺 正浩1、芹川 滋2、熊沢 豊2、加藤 洋史2
1.⽇⽴研開, 2.⽇⽴ハイテクファインシステムズ
3/21(⽉) 16:00 18:00
21p-P15-17
C000860
可視光波⻑帯におけるシリコンフォトダイオードの応答⾮直線性の波⻑依存特
〇⽥辺 稔1、⾬宮 邦招1、沼⽥ 孝之1、福⽥ ⼤治1
1.産総研
Poster
3/21(⽉) 16:00 18:00
21p-P15-18
C002845
ポンプ・プローブ光の変調位相差の掃引により相関ピーク位置を掃引するBOCDA法
〇平野 真樹1、岸 眞⼈1、保⽴ 和夫1
1.東⼤⼯
3.8
Poster
3/21(⽉) 16:00 18:00
21p-P15-19
C001564
ポンプ・プローブ法とナノ秒連続光法のギャップを埋める新過渡吸収測定⼿法RIPT法の開発
〇中川 達央1、岡本 基⼟1、花⽥ 啓明1、⼩⼭ 久美⼦1、加藤 隆⼆2
1.ユニソク分光, 2.⽇⼤⼯
3.8
Poster
3/21(⽉) 16:00 18:00
21p-P15-20
C002375
パラジウム表⾯上共鳴格⼦型⽔素センサのグースヘンシェンシフト計測による⾼感度化の検討
〇⽔⾕ 彰夫1、佐藤 慶英1、菊⽥ 久雄1
1.阪府⼤⼯
3
3.8
Poster
3/21(⽉) 16:00 18:00
21p-P15-21
C002465
球⾯レンズと⾮点収差レンズを交互に配列されたマイクロレンズアレイを⽤いた広ダイナミックレンジShack-Hartmann波⾯センサー
〇伊藤 絢美1、最⽥ 裕介1、神藤 宏伸1、野村 孝徳1
1.和歌⼭⼤院システム⼯
3
3.8
Poster
3/21(⽉) 16:00 18:00
21p-P15-22
C003197
サブピクセルシフト巡回型アダマール変換イメージングにおけるデコンボリューション
〇鉄野 翔太1、澁⾕ 九輝1、岩⽥ 哲郎1
1.徳島⼤
3
3.8
Poster
3/21(⽉) 16:00 18:00
21p-P15-23
C000907
⽔中におけるレーザー光の波⾯ゆらぎの数値シミュレーション
〇伊藤 周1、池端 悠⼀郎2
1.⾦沢⾼専, 2.⾦沢⼯⼤
3
3.9
Oral
3/20(⽇)
9:00
9:15
20a-H135-1
C000290
ホーンアンテナによる共鳴トンネルダイオードのテラヘルツ波受信感度向上
〇落合 孝典1、⽥切 孝夫1、向井 俊和2
3
3.9
Oral
3/20(⽇)
9:15
9:30
20a-H135-2
C003087
トランジスタを⽤いた⼆乗検波器の感度特性
〇関⼝ 恭介1、松永 直也1、⾦⾕ 晴⼀1、浅野 種正1
1.九⼤シ情
3
3.9
Oral
3/20(⽇)
9:30
9:45
20a-H135-3
C000921
Room temperature, very sensitive terahertz bolometer using doubly clamped mechanical oscillators
〇(PC)Ya Zhang1, Yasuyuki Watanabe1, Suguru Hosono1, Naomi Nagai1, Kazuhiko Hirakawa1, 2
1.IIS, Univ. of Tokyo, 2.INQIE, University of Tokyo
3
3.9
Oral
3/20(⽇)
9:45
10:00
20a-H135-4
C001037
TDTR法を⽤いたテラヘルツ検出⽤GaAs MEMS両持ち梁構造の評価
〇細野 優1、張 亜1、メーア ジェレミー1、⻑井 奈緒美1、肥後 昭男2、中野 義昭3、野村 政宏1, 4、平川 ⼀彦1, 4
1.東⼤⽣研, 2.東北⼤WPI-AIMR, 3.東⼤院⼯, 4.東⼤ナノ量⼦機構
3
3.9
Oral
3/20(⽇) 10:00 10:15
20a-H135-5
C002546
集積型 光-THz信号直接変換素⼦の作製
〇安井 章雄1、⼭﨑 理司1、⾬宮 智宏2、古澤 健太郎3、原 紳介3、渡邊 ⼀世3、関根 徳彦3、⻄⼭ 伸彦1、笠松 章史3、荒井 滋久1, 2
1.東⼯⼤, 2.量⼦ナノ, 3.NICT
3
3.9
Oral
3/20(⽇) 10:15 10:30
20a-H135-6
C001480
テラヘルツ波のヘテロダインEOサンプリング検出信号の空間分布特性
〇安本 拓朗1、都築 聡1、北原 英明1、⼭本 晃司1、古屋 岳1、バクノフ マイケル2、⾕ 正彦1
1.福井⼤遠⾚セ, 2.ニジニノブゴロド⼤
3
3.9
Oral
3/20(⽇) 10:30 10:45
3
3.9
Oral
3/20(⽇) 10:45 11:00
20a-H135-7
C001430
1.5 μm帯励起GaAs光伝導アンテナのためのグレーティング電極設計
〇島⾕ 省伍1、吉川 遼1、⾓屋 豊1、⻄⽥ 宗弘1
1.広⼤院先端研
3
3.9
Oral
3/20(⽇) 11:00 11:15
20a-H135-8
C003475
ErドープInAs量⼦ドット層のキャリア緩和時間から評価した光電流周波数特性
〇熊⾕ 直⼈1、村雲 圭佑1、盧 翔孟1、北⽥ 貴弘1、井須 俊郎1
1.徳島⼤院フロンティア
3
3.9
Oral
3/20(⽇) 11:15 11:30
20a-H135-9
C001252
奨
Vibron-assisted transport in single Ce@C82 molecule transistors
〇(D)Shaoqing Du1, Kenji Yoshida1, Ya Zhang1, Kazuhiko Hirakawa1, 2
1.IIS, Tokyo Univ., 2.INQIE, Tokyo Univ.
3
3.9
Oral
3/20(⽇) 11:30 11:45
20a-H135-10 C002353
奨
p 型Ga0.5In0.5P における複数種LO 準位と電⼦遷移系の量⼦⼲渉効果
〇(D)坂本 裕則1、⾺ 蓓1、森⽥ 健1、⽯⾕ 善博1
1.千葉⼤⼯
3
3.9
Oral
3/20(⽇) 11:45 12:00
20a-H135-11 C000960
イソニアジド単結晶成⻑とテラヘルツ偏光分光スペクトル測定による分⼦振動解析
〇佐々⽊ 哲朗1、⼤塚 誠2、坂本 知昭3
1.静岡⼤電研, 2.武蔵野⼤薬研, 3.国⽴衛研
3
3.9
Oral
3/20(⽇) 12:00 12:15
20a-H135-12 C002803
トリプトファンの鏡像異性体およびラセミ体のテラヘルツ吸収スペクトル測定
〇⽥中 彬裕1、岡野 真⼈1、渡邉 紳⼀1
1.慶⼤理⼯
〇岡本 和⾺1、久武 信太郎1、冨⼠⽥ 誠之1、永妻 忠夫1
1.阪⼤基礎⼯
奨
E
奨
1.⼭梨⼤
1.パイオニア, 2.ローム
休憩/Break
E
招
「講演奨励賞受賞記念講演」（15分）
3
3.9
Oral
3/20(⽇) 13:30 13:45
20p-H135-1
I000111
3
3.9
Oral
3/20(⽇) 13:45 14:00
20p-H135-2
C000879
3
3.9
Oral
3/20(⽇) 14:00 14:15
20p-H135-3
C001552
3
3.9
Oral
3/20(⽇) 14:15 14:30
20p-H135-4
C002483
3
3.9
Oral
3/20(⽇) 14:30 14:45
20p-H135-5
C001980
3
3.9
Oral
3/20(⽇) 14:45 15:00
20p-H135-6
C001941
銀薄膜を⽤いたテラヘルツ帯⽤⾦属薄膜サブ波⻑格⼦構造偏光⼦
〇村⽊ 兼吾1、⽩⽯ 和男1、依⽥ 秀彦1、⼤野 泰司1
1.宇都宮⼤⼯
3
3.9
Oral
3/20(⽇) 15:00 15:15
20p-H135-7
C000667
モアレ型メタ表⾯に モアレ型メタ表⾯に 基づく 基づく 螺旋位相板 の数値的検討
〇⼤野 誠吾1、⽯原 照也1
1.東北⼤院理
3
3.9
Oral
3/20(⽇) 15:15 15:30
⾼Q値フォトニック結晶共振器によるテラヘルツセンシングの⾼感度化
積層型メタルスリットアレイの擬似誘電体的性質
奨
E
〇坂⼝ 浩⼀郎1、⼭⼝ 祐⽣1、橋本 雅⽂1、⾼野 恵介2、福嶋 丈浩1、中嶋 誠2、徳⽥ 安紀1
1.岡⼭県⽴⼤, 2.阪⼤レーザ研
キラリティ切替可能なMEMSスパイラルメタマテリアルTHz応答解析
〇菅 哲朗1、磯崎 瑛宏1、根本 夏紀1、神⽥ 夏輝2、⼩⻄ 邦昭1、⾼橋 英俊1、五神 真1、松本 潔1、下⼭ 勲1
1.東京⼤学, 2.理化学研究所
⾦属対称ペアカットワイヤーによる0.5 THz帯ゼロ近傍屈折率無反射2次元メタマテリアル
〇⽊村 ⾠也1、安⽥ 淳⼀2、鈴⽊ 健仁1, 2
1.茨城⼤院理⼯, 2.茨城⼤⼯
Double Layer SRR Device for Terahertz-wave Imaging System
〇(P)Zhengli Han1, Seigo Ohno2, Yu Tokizane1, Kouji Nawata1, Mio Koyama1, Takashi Notake1, Yuma Takida1, Shinichiro Hayashi1,
Hiroaki Minamide1
1.Riken, 2.Tohoku University
休憩/Break
3
3.9
Oral
3/20(⽇) 15:30 15:45
20p-H135-8
I000119
3
3.9
Oral
3/20(⽇) 15:45 16:00
20p-H135-9
C002257
3
3.9
Oral
3/20(⽇) 16:00 16:15
20p-H135-10 C003027
3
3.9
Oral
3/20(⽇) 16:15 16:30
20p-H135-11 C000916
3
3.9
Oral
3/20(⽇) 16:30 16:45
20p-H135-12 C000985
3
3.9
Oral
3/20(⽇) 16:45 17:00
3
3.9
Oral
3/20(⽇) 17:00 17:15
3
3.9
Oral
3/20(⽇) 17:15 17:30
20p-H135-15 C003401
3
3.9
Oral
3/20(⽇) 17:30 17:45
20p-H135-16 C001294
3
3.9
Poster
3/21(⽉)
9:30
11:30
21a-P6-1
C002634
3
3.9
Poster
3/21(⽉)
9:30
11:30
21a-P6-2
C002816
3
3.9
Poster
3/21(⽉)
9:30
11:30
21a-P6-3
C001734
招
「講演奨励賞受賞記念講演」（15分）
〇瀧⽥ 佑⾺1、四⽅ 潤⼀2、縄⽥ 耕⼆1、時実 悠1、韓 正利1、⼩⼭ 美緒1、野⽵ 孝志1、林 伸⼀郎1、南出 泰亜1
1.理研, 2.⽇⼤
接触型回折格⼦デバイスによるテラヘルツ光発⽣機構の解明
〇坪内 雅明1、永島 圭介1、吉⽥ 芙美⼦1、越智 義浩1、圓⼭ 桃⼦1
1.原⼦⼒機構
光注⼊型テラヘルツ波パラメトリック発⽣器の2波⻑発⽣
〇(D)村⼿ 宏輔1、今⼭ 和樹1、林 伸⼀郎2, 1、川瀬 晃道1, 2
1.名⼤院⼯, 2.理研
1.5μm帯励起⽤InGaAs光伝導層の成⻑条件依存性
〇加茂 喜彦1、伊⽥ 孝寛1、栗⽥ 暢之1
1.パイオニア
1.5μm帯励起光伝導アンテナのテラヘルツ波発⽣・検出特性
〇栗⽥ 暢之1、伊⽥ 孝寛1、加茂 喜彦1
1.パイオニア
20p-H135-13 C001491
1.5 μmパルス光照射による有機電気光学ポリマーからのTHz波発⽣
〇梶 貴博1、⼭⽥ 俊樹1、齋藤 伸吾1、諸橋 功1、富成 征弘1、⻘⽊ 勲1、⽥中 秀吉1、⼤友 明1
1.情通機構
20p-H135-14 C001258
共鳴トンネルダイオードテラヘルツ周波数可変発振器を⽤いた分光分析実験
〇北川 成⼀郎1、⽔野 ⿇弥2、齋藤 伸吾2、荻野 康太1、鈴⽊ 左⽂1、浅⽥ 雅洋1
1.東⼯⼤, 2.情報通信研究機構
周期的静電場－テラヘルツ変換⽤⾦属導波管のテラヘルツ波伝搬特性
伊藤 亮祐1、伊藤 圭介1、兪 熊斌1、〇ベイ 鐘⽯1
1.名⼯⼤
THz quantum cascade lasers toward high output power operation
〇TSUNGTSE LIN1, WATARU TERASHIMA1, HIDEKI HIRAYAMA1
1.RIKEN
テラヘルツ時間領域分光法を⽤いた反射測定による誘電体基板材料の積層構造測定
〇(M1)東島 侑⽮1、⻑ 敬三1、久保⽥ 貴之1、⽔津 光司1、須藤 博樹1、中林 寛暁1
1.千葉⼯⼤⼯
奨
奨
E
⾼出⼒THz波発⽣に向けたMgO:LiNbO3結晶のパラメトリック利得の測定
テラヘルツ時間領域分光法による
LiNbO3単結晶の焦電性の評価に関する研究
スパイラルアンテナを⽤いたTHz-TDSによるイメージングでのナイフエッジ位置の信号値オーバーシュートの利⽤
〇清⽔ 悠平1、佐藤 祐喜1、吉⾨ 進三1
1.同⼤理⼯
〇森川 治1、⼭本 晃司2、⾕ 正彦2、栗原 ⼀嘉2、桒島 史欣3
1.海保⼤, 2.福井⼤, 3.福井⼯⼤
2016年春季講演会(東⼯⼤⼤岡⼭キャンパス)プログラム
⼤分類 中分類
【1⽉28⽇(⽊)更新】暫定版からの更新箇所は⾚字になっております。
形式
講演⽇
開始
終了
講演番号
受付番号
奨励賞 英語 招待
9 / 52 ページ
※会場、時間が変更になった場合は該当の⽅にご連絡いたします。
講演タイトル
著者
所属機関
3
3.9
Poster
3/21(⽉)
9:30
11:30
21a-P6-4
C003538
テラヘルツ帯ゼロバイアス検波⽤レクテナの集積⼀体構造設計
〇徳岡 岳海1、⻫藤 光史1、須原 理彦1
1.⾸都⼤院理⼯
3
3.9
Poster
3/21(⽉)
9:30
11:30
21a-P6-5
C002451
テラヘルツ時間領域分光法によるヒト⽪膚真⽪層の⽔の状態の評価
〇⽮野 かおり1、服部 利明1
1.筑波⼤学数理
3
3.9
Poster
3/21(⽉)
9:30
11:30
21a-P6-6
C000845
テラヘルツ及びラマン分光を⽤いたフォノン及び分⼦振動解析による酸化チタン（IV）のUV活性化とキノロン系合成抗菌剤のUV劣化の評価
〇坂本 知昭1、佐々⽊ 哲朗2、⾹取 典⼦1、合⽥ 幸広1
1.国⽴衛研, 2.静岡⼤電研
3
3.9
Poster
3/21(⽉)
9:30
11:30
21a-P6-7
C000328
負の屈折率媒質を⽤いたCherenkov⾃由電⼦レーザー
〇李 ⼤治1、⾼野 恵介2、中嶋 誠2、宮本 修治3
1.レーザー総研, 2.阪⼤レーザー研, 3.兵庫県⽴⼤⾼度研
3
3.9
Poster
3/21(⽉)
9:30
11:30
21a-P6-8
C002279
⾦属Ｖ溝構造におけるテラヘルツ波の超集束︓境界条件の近似解析解
〇栗原 ⼀嘉1、⼭本 晃司2、桑島 史欣3、森川 治4、⾕ 正彦2
1.福井⼤教育地域, 2.福井⼤遠⾚セ, 3.福井⼯⼤, 4.海保⼤
3
3.9
Poster
3/21(⽉)
9:30
11:30
21a-P6-9
C002491
奨
⾼感度なカットスルー⾦属スリットアレー型テラヘルツ波帯偏光⼦の広帯域化
〇古謝 望1、富樫 隆久1、永井 正也2、鈴⽊ 健仁1
1.茨城⼤⼯, 2.阪⼤基礎⼯
3
3.9
Poster
3/21(⽉)
9:30
11:30
21a-P6-10
C002624
奨
⾦属対称ペアカットワイヤーによる 1.0 THz 帯負の屈折率 2 次元メタマテリアル
〇安⽥ 淳⼀1、⽊村 ⾠也2、鈴⽊ 健仁1, 2
1.茨城⼤⼯, 2.茨城⼤院理⼯
3
3.9
Poster
3/21(⽉)
9:30
11:30
21a-P6-11
C003345
奨
⾦属⾮対称ペアカットワイヤーによる0.7 THz 帯負の屈折率2 次元メタマテリアル
〇近藤 諭1、⽊村 ⾠也2、鈴⽊ 健仁1, 2
1.茨城⼤⼯, 2.茨城⼤院理⼯
3
3.9
Poster
3/21(⽉)
9:30
11:30
21a-P6-12
C002541
半導体メサ集積ボウタイアンテナ対の300GHz帯無線伝送設計の解析
〇⽯⿊ 裕也1、⼭倉 裕和1、須原 理彦1
1.⾸都⼤理⼯
3
3.9
Poster
3/21(⽉)
9:30
11:30
21a-P6-13
C001314
低損失厚膜アンテナ電極による共鳴トンネルダイオードテラヘルツ発振器の周波数向上
〇(M2)前川 猛1、⾦⾕ 英敏1、鈴⽊ 左⽂2、浅⽥ 雅洋1
1.東⼯⼤ 総理⼯, 2.東⼯⼤ 理⼯
3
3.9
Poster
3/21(⽉)
9:30
11:30
21a-P6-14
C000783
密度⾏列法を⽤いたGaN系2ウェルTHz-QCL構造の最適化
〇安⽥ 浩朗1
1.情報通信研究機構
3
3.9
Poster
3/21(⽉)
9:30
11:30
21a-P6-15
C000536
光導波路導⼊によるテラヘルツ･エバネッセント波分光法の⾼効率化
〇(M1)⽊村 優基1、⽔野 光貴1、南部 広樹1、⽔津 光司1、諸橋 功2、⼩川 洋2、中島 慎也2、関根 徳彦2、寶迫 巌2
3
3.9
Poster
3/21(⽉)
9:30
11:30
21a-P6-16
C001961
⾼出⼒超短パルス励起によるPPLNからの周波数チャープTHz波発⽣
〇浜崎 淳⼀1、⼩川 洋1、関根 徳彦1、笠松 章史1、寶迫 巌1
1.情報通信研究機構
3
3.9
Poster
3/21(⽉)
9:30
11:30
21a-P6-17
C002586
⾮対称⼆重格⼦ゲート・プラズモニックTHz波検出器のアレイ化と超半球シリコンレンズ集積による受光効率向上
〇⾕⼝ 弘樹1、糟⾕ ⽂⽉1、渡辺 隆之1、末光 哲也1、尾辻 泰⼀1、瀧⽥ 佑⾺2、伊藤 弘昌2、南出 泰亜2、⽯橋 忠夫3、清⽔ 誠4、佐藤 昭1
1.東北⼤, 2.理研, 3.NTTエレクトロニクステクノ, 4.NTTエレクトロニクス
3
3.9
Oral
3/22(⽕)
9:00
9:15
22a-H135-1
C000131
テラヘルツ波ケミカル顕微鏡を⽤いた微少量溶液pH計測
〇濱⽥ 輝1、秋宗 広祐1、周 益1、紀和 利彦1、堺 健⼆1、塚⽥ 啓⼆1
1.岡⼭⼤⼯
3
3.9
Oral
3/22(⽕)
9:15
9:30
22a-H135-2
C001033
THzパッシブボディスキャナによる⾐服下隠匿物の物質識別法の研究
〇廣本 宣久1、森 孝⼆2、佐藤 準⼀2
1.静岡⼤創造院, 2.海洋総合開発
3
3.9
Oral
3/22(⽕)
9:30
9:45
22a-H135-3
C002336
偏波独⽴型0.3THz⾼速テラヘルツイメージング
〇(M1)兪 熊斌1、莅⼾ ⽴夫2、遠藤 政男3、裵 鐘⽯1
1.名⼯⼤, 2.富⼭⼤, 3.豊橋技科⼤
3
3.9
Oral
3/22(⽕)
9:45
10:00
22a-H135-4
C001124
is-TPGを⽤いたTHz-CTによるプラスチック部品の計測
〇(M1)杉⼭ 裕也1、トリパティ サロジ1、村⼿ 宏輔1、今⼭ 和樹1、川瀬 晃道1, 2
1.名⼤⼯, 2.理研
3
3.9
Oral
3/22(⽕) 10:00 10:15
22a-H135-5
C000244
光注⼊型THz波パラメトリック発⽣/検出を⽤いた遮蔽物越しの分光イメージング
〇(M1)加藤 三樹⽮1、村⼿ 宏輔1、今⼭ 和樹1、トリパティ サロジ1、川瀬 晃道1, 2
3
3.9
Oral
3/22(⽕) 10:15 10:30
22a-H135-6
C000955
THz量⼦カスケードレーザと2次元⾮冷却マイクロボロメータを⽤いたテラヘルツディジタルホログラフィ
〇⼩川 貴之1、南川 丈夫1, 2、安井 武史1, 2、⼭本 裕紹2, 3
1.徳島⼤学, 2.JST-ERATO, 3.宇都宮⼤学
3
3.9
Oral
3/22(⽕) 10:30 10:45
22a-H135-7
C002612
奨
Experimental Evaluation of Terajet Produced by a Dielectric Cuboid in the THz Region
〇HaiHuy NguyenPham1, Shintaro Hisatake1, I. V. Minin2, O. V. Minin2, Tadao Nagatsuma1
1.Osaka Univ., 2.Tomsk State Univ.
3
3.9
Oral
3/22(⽕) 10:45 11:00
3
3.9
Oral
3/22(⽕) 11:00 11:15
22a-H135-8
C002852
奨
円偏光THzパルスを⽤いた⾮接触ACホール測定
〇(M2)森本 智英1、⼭下 元気1、永井 正也1、芦⽥ 昌明1
1.阪⼤基礎⼯
3
3.9
Oral
3/22(⽕) 11:15 11:30
22a-H135-9
C003232
奨
光誘起キャリアによるテラヘルツ光の相対論的ドップラー反射
〇(PC)河野 七瀬1、板倉 隆⼆1、坪内 雅明1
1.原⼦⼒機構関⻄研
3
3.9
Oral
3/22(⽕) 11:30 11:45
22a-H135-10 C002802
⾼精度テラヘルツ偏光測定装置を⽤いたゴムの光弾性計測
〇岡野 真⼈1、渡邉 紳⼀1
1.慶⼤理⼯
3
3.9
Oral
3/22(⽕) 11:45 12:00
22a-H135-11 C001066
有機分⼦結晶のTHz-FELアブレーションの励起周波数依存性
〇永井 正也1、芦⽥ 昌明1、川瀬 啓悟2、⼊澤 明典2、磯⼭ 悟朗2、冬⽊ 正紀3、⻘⽊ 順4、豊⽥ 岐聡4
1.阪⼤院基礎⼯, 2.阪⼤産研, 3.畿央⼤, 4.阪⼤院理
3
3.9
Oral
3/22(⽕) 12:00 12:15
22a-H135-12 C001852
デュアルTHzコム計測のための２波⻑モード同期Erファイバーレーザー
胡 国庆1、⽔⼝ 達也2、南川 丈夫2, 3、郑 铮1、〇安井 武史2, 3
1.北京航空航天⼤, 2.徳島⼤, 3.JST-ERATO
⾮制御フェムト秒レーザー励起フォトキャリアTHzコムを⽤いたCW-THz波のリアルタイム絶対周波数計測
〇⽔⼝ 達也1、林 健太1、南川 丈夫1, 2、安井 武史1, 2
1.徳島⼤, 2.JST-ERATO
〇⾹取 秀俊1, 2
1.東京⼤学, 2.理研
〇三島 将太1、⽥中 統太1、⿊岩 良太1、荒⽊ 建⼈1、新倉 菜恵⼦1、⼩坂 英男1
1.横国⼤院⼯
奨
奨
奨
E
1.千葉⼯⼤⼯, 2.NICT
1.名⼤院⼯, 2.理研
休憩/Break
3
3.9
Oral
3/22(⽕) 12:15 12:30
22a-H135-13 C002642
3
3.10
Oral
3/20(⽇) 10:00 10:45
20a-W541-1
I000002
招
3
3.10
Oral
3/20(⽇) 10:45 11:00
20a-W541-2
I000133
招
3
3.10
Oral
3/20(⽇) 11:00 11:15
20a-W541-3
C001606
3
3.10
Oral
3/20(⽇) 11:15 11:30
20a-W541-4
C003017
3
3.10
Oral
3/20(⽇) 11:30 11:45
20a-W541-5
C002968
3
3.10
Oral
3/20(⽇) 11:45 12:00
20a-W541-6
C002459
3
3.10
Oral
3/20(⽇) 13:45 14:15
20p-W541-1
I000008
3
3.10
Oral
3/20(⽇) 14:15 14:30
20p-W541-2
C003531
3
3.10
Oral
3/20(⽇) 14:30 14:45
20p-W541-3
C001484
3
3.10
Oral
3/20(⽇) 14:45 15:00
20p-W541-4
C000377
雑⾳のある reciprocal 通信路を介したエンタングルメント配送実験
〇⽣⽥ ⼒三1、野崎 正太1、⼭本 俊1、⼩芦 雅⽃2、井元 信之1
1.阪⼤基礎⼯, 2.東⼤⼯
3
3.10
Oral
3/20(⽇) 15:00 15:15
20p-W541-5
C003725
サブ・ガイガーモード動作Si APD単⼀光⼦検出器
〇辻野 賢治1、⼭⼝ 俊夫1、松本 みどり1、⽊下 順⼆1
1.東京⼥⼦医⼤
3
3.10
Oral
3/20(⽇) 15:15 15:30
20p-W541-6
C003333
正弦電圧ゲート動作InGaAs/InP-APDによる単⼀光⼦検出効率53 %の実現
〇(M2)多⽥ 彬⼦1、⾏⽅ 直⼈1、井上 修⼀郎1
1.⽇⼤量科研
3
3.10
Oral
3/20(⽇) 15:30 15:45
3
3.10
Oral
3/20(⽇) 15:45 16:00
20p-W541-7
C003650
Bennett 1992の盗聴量解析
〇中村 敏幸1、中⽥ 賢佑1、⼩川 和久1、岡本 淳1、富⽥ 章久1
1.北海道⼤院情報科学研究科
3
3.10
Oral
3/20(⽇) 16:00 16:15
20p-W541-8
C000016
量⼦もつれ中継による測定装置無依存DPS量⼦鍵配送の提案
〇井上 恭1
1.阪⼤⼯
3
3.10
Oral
3/20(⽇) 16:15 16:30
20p-W541-9
C000301
周波数上に位相符号化するDPS量⼦鍵配送⽅式
〇(D)⼤川 洋平1、⼤村 史倫1、安武 裕輔1, 2、深津 晋1
1.東⼤院総合, 2.JSTさきがけ
3
3.10
Oral
3/20(⽇) 16:30 16:45 20p-W541-10 C001016
フォトニック結晶ファイバを⽤いたスクイーズド状態の⼤規模並⾏⽣成に関する数値解析
〇(M2)保坂 有杜1、川森 泰貴1、神成 ⽂彦1
1.慶⼤理⼯
3
3.10
Oral
3/20(⽇) 16:45 17:00 20p-W541-11 C001034
ファイバ⼊射パルスの最適化制御による周波数モード間直交位相もつれ⽣成
〇(B)川森 泰貴1、保坂 有杜1、神成 ⽂彦1
1.慶⼤理⼯
3
3.10
Oral
3/20(⽇) 17:00 17:15 20p-W541-12 C000849
量⼦測定理論のイメージング科学への応⽤
〇⿅野 豊1, 2, 3、⼩林 弘和4
1.分⼦研, 2.チャップマン⼤, 3.東⼯⼤応セラ研, 4.⾼知⼯科⼤
3
3.10
Oral
3/20(⽇) 17:15 17:30
3
3.10
Oral
3/20(⽇) 17:30 17:45 20p-W541-13 C000083
〇宇賀神 上総1、寺島 悠太1、内⽥ 淳史1、原⼭ 卓久2, 3、吉村 和之2
1.埼⽟⼤, 2.NTT CS 基礎研, 3.早稲⽥⼤
3
3.10
Oral
3/20(⽇) 17:45 18:00 20p-W541-14 C000855
3
3.10
Oral
3/20(⽇) 18:00 18:15 20p-W541-15 C000084
3
3.10
Oral
3/20(⽇) 18:15 18:30 20p-W541-16 C001141
3
3.11
Poster
3/20(⽇) 13:30 15:30
20p-P4-1
C000972
3
3.11
Poster
3/20(⽇) 13:30 15:30
20p-P4-2
C000556
3
3.11
Poster
3/20(⽇) 13:30 15:30
20p-P4-3
C002088
3
3.11
Poster
3/20(⽇) 13:30 15:30
20p-P4-4
C000713
3
3.11
Poster
3/20(⽇) 13:30 15:30
20p-P4-5
C002698
3
3.11
Poster
3/20(⽇) 13:30 15:30
20p-P4-6
C002811
3
3.11
Poster
3/20(⽇) 13:30 15:30
20p-P4-7
C000920
奨
3
3.11
Poster
3/20(⽇) 13:30 15:30
20p-P4-8
C001268
奨
3
3.11
Poster
3/20(⽇) 13:30 15:30
20p-P4-9
3
3.11
Poster
3/20(⽇) 13:30 15:30
3
3.11
Poster
3
3.11
Poster
3
3.11
Poster
3
3.11
3
3.11
3
「第16回応⽤物理学会業績賞(研究業績)受賞記念講演」（45分）
光格⼦時計の発明と展開
「講演奨励賞受賞記念講演」（15分）
量⼦中継技術に向けたダイヤモンドNV中⼼の研究
冷却Rb原⼦集団を⽤いた通信波⻑光⼦のアンチバンチングの観測
E
招
奨
〇⼩林 俊輝1、松⽊ 賢⼀郎1、⽣⽥ ⼒三1、三⽊ 茂⼈2、⼭下 太郎2、寺井 弘⾼2、⼭本 俊1、⼩芦 雅⽃3、向井 哲哉4、井元 信之1
1.阪⼤基礎⼯, 2.情通機構, 3.東⼤⼯, 4.NTT物性基礎研
InSb Nanowire Double Quantum Dots Coupled to a Superconducting Microwave Cavity
〇(PC)Rui Wang1, Russell S. Deacon1, 2, D. Car3, E. P. A. M. Bakkers3, Koji Ishibashi1, 2
1.RIKEN, 2.RIKEN-CEMS, 3.Eindhoven Univ.
超伝導量⼦ビットを⽤いた伝搬マイクロ波単⼀光⼦の量⼦⾮破壊測定
〇河野 信吾1、増⼭ 雄太1、⽥渕 豊1、⽯川 豊史1、野⼝ 篤史1、⼭崎 歴⾈1、宇佐⾒ 康⼆1、中村 泰信1, 2
1.東⼤先端研, 2.理研CEMS
光⼦偏光-電⼦スピン量⼦もつれ相関の⽣成に向けた光⼦-電⼦の同時検出実験
〇⿊⼭ 和幸1、Marcus Larsson1、藤⽥ ⾼史1、松尾 貞茂1、Sascha R.Valentine2、Arne Ludwig2、Andreas Wieck2、⼤岩 顕3、樽茶 清悟1, 4
1.東⼤⼯, 2.Ruhr-Univ Bochum, 3.阪⼤産研, 4.理研CEMS
〇⽵内 繁樹1
1.京都⼤学
〇(M1)清原 孝⾏1、岡本 亮1、⽵内 繁樹1
1.京⼤院⼯
「第17回光・量⼦エレクトロニクス業績賞（宅間宏賞）受賞記念講演」（30分）
量⼦光学、量⼦情報、量⼦⾮線形光学などの実験的研究
光⼦対数識別と多重化を組み合わせた伝令付き単⼀光⼦源
E
Spectral correlation measurement in Hong-Ou-Mandel interference between two independent sources
〇Ruibo Jin1, Thomas Gerrits2, Mikio Fujiwara1, Ryota Wakabayashi1, 3, Taro Yamashita1, Shigehito Miki1, Hirotaka Terai1, Ryosuke
Shimizu4, Masahiro Takeoka1, Masahide Sasaki1
1.NICT, 2.NIST, 3.Waseda University, 4.UEC
休憩/Break
奨
休憩/Break
奨
レーザカオス発⽣⽤光集積回路とビットシフト回転法を⽤いた物理乱数⽣成
半導体レーザーカオスと⾦属導波路を⽤いたTHz波の発⽣実験
奨
E
〇岸端 俊宏1、⾚峰 佑介1、岩尾 憲幸1、⼤井 真夏1、坂上 直哉1、⽩崎 拓郎1、合⽥ 汐⾥1、桑島 史欣1、⾕ 正彦2、栗原 ⼀嘉2、⼭本 晃司2、中
島 誠3
1.福井⼯⼤, 2.福井⼤, 3.阪⼤
光結合されたレーザを有する光集積回路を⽤いた低周波不規則振動におけるカオス同期実験
〇⼩原 翔⾺1、宇賀神 上総1、カルサクリアン・ダル・ボスコ アンドレアス1、内⽥ 淳史1、原⼭ 卓久2, 3、吉村 和之2
1.埼⽟⼤, 2.NTT CS研, 3.早⼤
スター型結合半導体レーザにおけるカオス同期ダイナミクス
〇松本 卓也1、⼤坪 順次1
1.静⼤院⼯
Q値向上時のフォトニックヘテロ共振器シリコンラマンレーザの特性
〇乾 善貴1、⾼橋 和2、浅野 卓1、野⽥ 進1
1.京⼤院⼯, 2.阪府⼤院
Coupled-wave analysis for photonic-crystal surface-emitting lasers II
〇(D)JOHN GELLETA1, 2, HITOSHI KITAGAWA1, 2, SUSUMU NODA1, 2
1.Kyoto Univ., 2.ACCEL JST
フォトニック結晶レーザ特性に与える格⼦点の形状・材質の影響の考察Ⅱ
〇(M1)中川 翔太1、北川 均1、⽥中 良典1、野⽥ 進1
1.京⼤院⼯
傾斜した空孔を有するフォトニック結晶構造の作製 ―円偏光ビームの出射に向けて―
前川 享平1、〇⻄本 昌哉1, 2、安⽥ ⼤貴1、⽯崎 賢司1、北村 恭⼦1, 3、野⽥ 進1
1.京⼤院⼯, 2.学振特別研究員, 3.京都⼯繊⼤
広い波⻑範囲で⾼効率動作可能な単⼀光⼦源実現に向けたフォトニック結晶導波路の設計
〇朴 主⾔1、太⽥ 泰友2、岩本 敏1, 2、荒川 泰彦1, 2
1.東⼤⽣研, 2.東⼤ナノ量⼦機構
低屈折率なシリカを⽤いた⾼Q値zipper共振器の作製
〇鐵本 智⼤1、熊崎 基1、古澤 健太郎2、関根 徳彦2、笠松 章史2、⽥邉 孝純1
1.慶⼤理⼯, 2.情報通信研究機構
低屈折率媒質埋め込み型⾼Q値ダブルスロット光ナノ共振器の設計
〇仲代 匡宏1、鴻池 遼太郎1, 2、⽥中 良典1、浅野 卓1、野⽥ 進1
1.京⼤院⼯, 2.学振特別研究員
λ2/2000断⾯積スロット導波路への⾼効率モード変換の実現
〇⼩野 真証1, 2、⾕⼭ 秀昭1, 2、Hao Xu1, 2、常川 雅⼈2, 3、倉持 栄⼀1, 2、野崎 謙悟1, 2、納富 雅也1, 2, 3
1.NTTナノフォトニクスセンタ, 2.NTT物性科学基礎研, 3.東⼯⼤理⼯
C003407
⾦ナノフィン周期構造と微⼩機械振動⼦を⽤いた近⾚外光波⻑測定⽅法に関する研究
〇前⽥ 悦男1、⽶⾕ 玲皇1
1.東京⼤学
20p-P4-10
C001867
⾦テーパー構造におけるフェムト秒プラズモン集光特性の向上に向けた数値モデル計算
〇(B)⽚野 利佳1、正⽊ 雄太1、⼩島 康裕1、神成 ⽂彦1
1.慶應義塾⼤学
3/20(⽇) 13:30 15:30
20p-P4-11
C000847
広帯域発光量⼦ドットを埋込んだ直列ヘテロ接合型フォトニック結晶導波路による超⼩型近⾚外多波⻑光源
〇内⽥ 翔1、尾崎 信彦1、⼩⽥ 久哉2、池⽥ 直樹3、杉本 喜正3
1.和歌⼭⼤シス⼯, 2.千歳科技⼤光科学, 3.物材機構
3/20(⽇) 13:30 15:30
20p-P4-12
C002201
広帯域発光量⼦ドットを埋め込んだ直列へテロ接合型フォトニック結晶導波路からの発光特性
〇⼩⽥ 久哉1、⼭中 明⽣1、内⽥ 翔2、尾崎 信彦2、池⽥ 直樹3、杉本 喜正3
1.千歳科技⼤, 2.和歌⼭⼤, 3.物質材料研究機構
3/20(⽇) 13:30 15:30
20p-P4-13
C000511
シリカクラッドフォトニック結晶導波路を⽤いた四光波混合による40 Gbps 信号の波⻑変換
〇⽥村 卓也1、⾺場 俊彦1
1.横国⼤院⼯
Poster
3/20(⽇) 13:30 15:30
20p-P4-14
C001113
フォトニック結晶導波路におけるスローライト誘起ドップラーシフト (III) ---ドップラーシフトと断熱的波⻑変換の関係
〇近藤 圭祐1、⾺場 俊彦1
1.横国⼤院⼯
Poster
3/20(⽇) 13:30 15:30
20p-P4-15
C003019
熱輻射制御による半透明体の輻射輸送促進
〇津⽥ 慎⼀郎1、清⽔ 信1、井⼝ 史匡1、湯上 浩雄1
1.東北⼤⼯
3.11
Poster
3/20(⽇) 13:30 15:30
20p-P4-16
C002171
Siロッド型熱輻射光源への透明酸化物コーティングの光学的影響
〇堤 達紀1、末光 真⼤2、浅野 卓1、De Zoysa Menaka1, 3、野⽥ 進1
1.京⼤院⼯, 2.⼤阪ガス, 3.京⼤⽩眉
3
3.11
Poster
3/20(⽇) 13:30 15:30
20p-P4-17
C002949
マイクロリング型遅延⾛査器とフォトニック結晶⼆光⼦吸収フォトダイオードを⽤いたオンチップ光相関計
〇板垣 健佑1、⾐笠 駿1、伊藤 寛之1、⾺場 俊彦1
1.横国⼤⼯・院⼯
3
3.11
Poster
3/20(⽇) 13:30 15:30
20p-P4-18
C003085
フォトニック結晶を導⼊した超薄膜単結晶シリコン太陽電池の検討
〇(M2)藤⽥ 奨也1、⽯崎 賢司1、⽥中 良典1、De Zoysa Menaka1, 2、川本 洋輔1、元平 暉⼈1、⻑⾕川 創1、野⽥ 進1
1.京⼤院⼯, 2.京⼤⽩眉
3
3.11
Poster
複数層⼀括融着による3次元フォトニック結晶作製の検討(II)
〇北野 圭輔1, 2、⽯崎 賢司1、権平 皓1, 2、野⽥ 進1
1.京⼤院⼯, 2.学振特別研究員
3
3.11
Oral
3/21(⽉)
9:00
三⾓形ダブルホール格⼦点をもつフォトニック結晶レーザの作製（Ⅲ）
〇渡邉 明佳1、廣瀬 和義1、杉⼭ 貴浩1、北川 均2、野⽥ 進2
1.浜ホト, 2.京⼤院⼯
3
3.11
Oral
3/21(⽉)
9:15
共振器共鳴励起を⽤いた量⼦ドット-フォトニック結晶ナノ共振器系の⾼⾃然放出係数レーザ発振
〇太⽥ 泰友1、⾼宮 ⼤策2、⾓⽥ 雅弘1、渡邉 克之1、岩本 敏1, 2、荒川 泰彦1, 2
3
3.11
Oral
3/21(⽉)
9:30
9:45
フォトニック結晶レーザの⼤⾯積化のための格⼦点構造の設計
〇⽥中 良典1、北川 均1、中川 翔太1、野⽥ 進1
1.京⼤院⼯
3
3.11
Oral
3/21(⽉)
9:45
10:00
Temperature performance of plasmonic quantum dot nanowire laser
〇Jinfa Ho1, Jun Tatebayashi1, Sylvain Sergent1, Chee Fai Fong1, Satoshi Iwamoto1, 2, Yasuhiko Arakawa1, 2
1.Nanoquine, Univ. of Tokyo, 2.IIS, Univ. of Tokyo
3
3.11
Oral
3/21(⽉) 10:00 10:15
21a-S621-5
C001680
TBA-MOVPEを⽤いたフォトニック結晶構造の形成(III)
〇(M1)吉⽥ 昌宏1、河﨑 正⼈3、De Zoysa Menaka1, 2、初⽥ 蘭⼦1、⽯﨑 賢司1、⽥中 良典1、北川 均1、野⽥ 進1
1.京⼤院⼯, 2.京⼤⽩眉, 3.三菱電機先端総研
3
3.11
Oral
3/21(⽉) 10:15 10:30
21a-S621-6
C001119
ナノ共振器シリコンラマンレーザの時間領域測定
〇(M2)⼭下 ⼤喜1、⾼橋 和1、浅野 卓2、野⽥ 進2
1.⼤阪府⼤院⼯, 2.京⼤院⼯
3
3.11
Oral
3/21(⽉) 10:30 10:45
21a-S621-7
C001131
ナノ共振器シリコンラマンレーザの周波数差,Ｑ値の統計的評価
〇(B)栗原 潤1、⼭下 ⼤喜1、⾼橋 和1、野⽥ 進2
1.⼤阪府⼤院⼯, 2.京⼤院⼯
3
3.11
Oral
3/21(⽉) 10:45 11:00
21a-S621-8
C000202
ナノグレーティング蛍光体の共鳴モードを利⽤した指向性・偏光発光
〇稲⽥ 安寿1、橋⾕ 享1、新⽥ 充1、冨⽥ 昇吾1、平澤 拓1
1.パナソニック
3
3.11
Oral
3/21(⽉) 11:00 11:15
21a-S621-9
C000645
フォトニック結晶レーザにおける⾯内相互引き込み現象に関する検討
〇⼩林 ⼤河1、Menaka De Zoysa1, 2、吉⽥ 昌宏1、河﨑 正⼈3、初⽥ 蘭⼦1、⽯崎 賢司1、⽥中 良典1、北川 均1、野⽥ 進1
1.京⼤院⼯, 2.京⼤⽩眉, 3.三菱電機先端総研
3
3.11
Oral
3/21(⽉) 11:15 11:30
21a-S621-10 C000806
2次元ビーム⾛査可能なフォトニック結晶レーザの検討（III）
〇安⽥ ⼤貴1、⻄後 淳貴1、北村 恭⼦1, 2、野⽥ 進1
1.京⼤院⼯, 2.京都⼯繊⼤
3
3.11
Oral
3/21(⽉) 11:30 11:45
21a-S621-11 C002089
奨
半導体三次元カイラルフォトニック結晶における共振器モードの観測
〇⾼橋 駿1、太⽥ 泰友1、⽥尻 武義2、館林 潤1、岩本 敏1, 2、荒川 泰彦1, 2
1.東⼤ナノ量⼦機構, 2.東⼤⽣研
3
3.11
Oral
3/21(⽉) 11:45 12:00
21a-S621-12 C001063
奨
3次元フォトニック結晶における⽴体交差⽔平導波路のクロストークの解析(II)
〇(DC)権平 皓1, 2、⽯﨑 賢司1、北野 圭輔1, 2、浅野 卓1、野⽥ 進1
1.京⼤院⼯, 2.学振研究員
3/20(⽇) 13:30 15:30
9:15
9:30
20p-P4-19
C000943
21a-S621-1
C000780
21a-S621-2
C000474
21a-S621-3
C001420
21a-S621-4
C000922
奨
E
奨
– Optical loss in photonic crystals with external reflection –
1.東⼤ナノ量⼦, 2.東⼤⽣研
2016年春季講演会(東⼯⼤⼤岡⼭キャンパス)プログラム
⼤分類 中分類
形式
講演⽇
開始
終了
講演番号
【1⽉28⽇(⽊)更新】暫定版からの更新箇所は⾚字になっております。
受付番号
奨励賞 英語 招待
著者
所属機関
3
3.11
Oral
3/21(⽉) 12:00 12:15
プレート差込型積層⽅式による⼤⾯積プレート三次元フォトニック結晶ナノ共振器の作製と評価
〇⽥尻 武義1、⾼橋 駿2、太⽥ 泰友2、舘林 潤2、渡邉 克之2、岩本 敏1, 2、荒川 泰彦1, 2
1.東⼤⽣研, 2.ナノ量⼦機構
3
3.11
Oral
3/22(⽕)
9:00
9:15
22a-S621-1
C001036
光パスゲート論理に基づく光演算回路
〇新家 昭彦1, 2、⽯原 亨3、井上 弘⼠4、野崎 謙悟1, 2、納富 雅也1, 2
1.NTT NPC, 2.NTT 物性基礎研, 3.京⼤院, 4.九⼤院
3
3.11
Oral
3/22(⽕)
9:15
9:30
22a-S621-2
C000469
オンチップ光相関計による連続的な相関波形の観測
〇⾐笠 駿1、⾺場 俊彦1
1.横国⼤院⼯
3
3.11
Oral
3/22(⽕)
9:30
9:45
22a-S621-3
C001043
表⾯にフォトニック結晶を形成したμc-Si太陽電池の理論解析－⾮対称形状導⼊の検討－
〇⻑⾕川 創1、⽯崎 賢司1、⽥中 良典1、元平 暉⼈1、川本 洋輔1、De Zoysa Menaka1, 2、藤⽥ 奨也1、野⽥ 進1
1.京⼤院⼯, 2.京⼤⽩眉
3
3.11
Oral
3/22(⽕)
9:45
10:00
22a-S621-4
C001035
結合L2共振器による曲線導波路とチャンネルドロップフィルタ
〇倉持 栄⼀1, 2、野崎 謙悟1, 2、新家 昭彦1, 2、納富 雅也1, 2
1.ＮＴＴ ＮＰＣ, 2.ＮＴＴ物性基礎研
3
3.11
Oral
3/22(⽕) 10:00 10:15
22a-S621-5
C001184
⼆光⼦吸収フォトダイオードアレイを⽤いた光相関計
〇近藤 圭祐1、⾺場 俊彦1
1.横国⼤院⼯
3
3.11
Oral
3/22(⽕) 10:15 10:30
22a-S621-6
C002992
フォトニック結晶におけるランダム性の影響とその制御による利⽤
〇⼤岡 勇太1、ヌル アシキン ダウド1、鐵本 智⼤1、⽥邉 孝純1
1.慶⼤理⼯
3
3.11
Oral
3/22(⽕) 10:30 10:45
22a-S621-7
C001120
pnダイオード付フォトニック結晶導波路を⽤いた⾃由キャリア引き抜きによる動的レッドシフト
〇近藤 圭祐1、⾺場 俊彦1
1.横国⼤院⼯
3
3.11
Oral
3/22(⽕) 10:45 11:00
22a-S621-8
C002011
⾼Q値光ナノ共振器及びその結合系の電気的動的制御に向けた実験的検討
〇(M2)中川 遥之1、鴻池 遼太郎1、仲代 匡宏1、浅野 卓1、⽥中 良典1、野⽥ 進1
1.京⼤院⼯
3
3.11
Oral
3/22(⽕) 11:00 11:15
22a-S621-9
C000614
奨
シリカフォノニック結晶共振器を⽤いた光弾性変調動作の実現
〇⾦ 仁基1、岩本 敏1, 2、荒川 泰彦1, 2
1.東⼤⽣研, 2.東⼤ナノ量⼦機構
3
3.11
Oral
3/22(⽕) 11:15 11:30
22a-S621-10 C003256
奨
⾼Q値SiCフォトニック結晶ナノ共振器における第⼆⾼調波発⽣
〇⼭⼝ 祐樹1、⽥ 昇愚1、宋 奉植1, 2、浅野 卓1、野⽥ 進1
1.京⼤院⼯, 2.成均館⼤
3
3.11
Oral
3/22(⽕) 11:30 11:45
22a-S621-11 C001710
六⾓形プラズモニック・ナノホール・アレイのホール径制御とセンシング性能
〇(M1C)⼤野 峻澄1、ヴァデル カール1、史 蹟2、中村 吉男2、松下 祥⼦2、三宮 ⼯1
3
3.11
Oral
3/22(⽕) 11:45 12:00
22a-S621-12 C001988
⾼効率ビーム偏向メタ表⾯の線形全光スイッチングの検討
〇北 翔太1, 2、⾼⽥ 健太1, 2、⼩野 真証1, 2、野崎 謙悟1, 2、倉持 栄⼀1, 2、納富 雅也1, 2
1.NTTナノフォトセンタ, 2.NTT物性研
3
3.11
Oral
3/22(⽕) 12:00 12:15
22a-S621-13 C003286
エピタキシャルAu/Ag薄膜を⽤いたメタマテリアルの⾼性能化
〇(M1C)⼩岩 匡1、A Fedotov Vassili2、Ou Jun-Yu2、内野 俊1
1.東北⼯⼤⼯, 2.サウサンプトン⼤学
3
3.11
Oral
3/22(⽕) 13:15 13:30
22p-S621-1
C000940
Design of nanowire-induced nanocavities in grooved SiN photonic crystals for the ultra-violet and visible range
〇Sylvain SERGENT1, 2, Masato Takiguchi1, 2, Hideaki Taniyama1, 2, Akihiko Shinya1, 2, Eiichi Kuramochi1, 2, Masaya Notomi1, 2
1.NTT NPC, 2.NTT BRL
3
3.11
Oral
3/22(⽕) 13:30 13:45
22p-S621-2
C001004
イオン液体の位置選択的注⼊によるフォトニック結晶モードギャップ共振器形成
〇横尾 篤1, 2、Kowalczyk Dorota2、滝⼝ 雅⼈1, 2、倉持 栄⼀1, 2、⾕⼭ 秀昭1, 2、納富 雅也1, 2
3
3.11
Oral
3/22(⽕) 13:45 14:00
22p-S621-3
C000733
フォトリソグラフィで作製したQ値100万を越えるシリコンフォトニック結晶ナノ共振器
〇芦⽥ 紘平1、岡野 誠2、⼤塚 実2、関 三好2、横⼭ 信幸2、越野 圭⼆2、森 雅彦2、⾼橋 和1
1.⼤阪府⼤院⼯, 2.産総研
3
3.11
Oral
3/22(⽕) 14:00 14:15
22p-S621-4
C000550
グラフェン装荷フォトニック結晶によるオンデマンドナノ共振器の検討
〇千葉 永1, 2、納富 雅也1, 2, 3
1.NTT物性研, 2.東⼯⼤院理⼯, 3.NTT NPC
3
3.11
Oral
3/22(⽕) 14:15 14:30
22p-S621-5
C002951
Siフォトニック結晶ナノ共振器におけるQ値の温度依存性
〇浅野 卓1、⾼橋 和2、越智 賢明1、岸元 克浩1、野⽥ 進1
1.京⼤院⼯, 2.⼤阪府⼤院⼯
3
3.12
Oral
3/19(⼟)
9:00
9:15
19a-S622-1
C001985
パッシブ型THz近接場顕微鏡における信号温度依存性の観察
〇林 冠廷1、⼩宮⼭ 進2、⾦ 鮮美1、河村 賢⼀3、梶原 優介1
3
3.12
Oral
3/19(⼟)
9:15
9:30
19a-S622-2
C002272
電流によりグラフェン表⾯に誘起される電磁エバネッセント波ーパッシブ・テラヘルツ近接場顕微鏡による可視化ー
〇(PC)根間 裕史1、林 冠廷1、⾦ 鮮美1、菅原 健太3、尾辻 泰⼀3、⼩宮⼭ 進2、梶原 優介1
1.東⼤⽣産研, 2.東⼤総合⽂化, 3.東北⼤通研
3
3.12
Oral
3/19(⼟)
9:30
9:45
19a-S622-3
C000183
〇(D)Nikolaos Matthaiakakis1, 2, Hiroshi Mizuta2, 1, Martin D.B Charlton1
1.University of Southampton, 2.JAIST
3
3.12
Oral
3/19(⼟)
9:45
10:00
19a-S622-4
C002159
奨
エバネッセント光原⼦ファネルへの擬似ベッセル中空光ビームの⾼効率結合
〇堀⽥ ⼀真1、萩原 頸1、伊藤 治彦1
1.東⼯⼤
3
3.12
Oral
3/19(⼟) 10:00 10:15
19a-S622-5
C000833
奨
radial偏光を⽤いた表⾯プラズモン増強原⼦ファネル
〇⾼橋 幸佑1、笠間 敬太1、伊藤 治彦1
1.東⼯⼤総理⼯
3
3.12
Oral
3/19(⼟) 10:15 10:30
19a-S622-6
C002670
奨
3Dプリンタ造形表⾯プラズモン原⼦ファネル
〇横⼭ 雄⼤1、野中 ⼤地1、伊藤 治彦1
1.東⼯⼤総理⼯
3
3.12
Oral
3/19(⼟) 10:30 10:45
19a-S622-7
C001386
奨
⾼感度原⼦センシングのための表⾯プラズモン誘起ナノスリット
〇鈴⽊ 匠1、中原 優1、伊藤 治彦1
1.東⼯⼤総理⼯
3
3.12
Oral
3/19(⼟) 10:45 11:00
3
3.12
Oral
3/19(⼟) 11:00 11:15
19a-S622-8
C000241
⼤出⼒を⽬指した⼤型pnホモ接合Si⾚外レーザー
〇⽥中 肇1、川添 忠2、⼤津 元⼀1, 2
1.東⼤⼯, 2.NPOナノフォト
3
3.12
Oral
3/19(⼟) 11:15 11:30
19a-S622-9
C000643
ドレスト光⼦を⽤いた光増幅型のシリコン⻘・紫外光検出器の感度評価
〇(M2)池川 晶貴1、川添 忠2、⼤津 元⼀1
1.東⼤院⼯, 2.NPOナノフォト
3
3.12
Oral
3/19(⼟) 11:30 11:45
19a-S622-10 C001343
Sbをイオン注⼊したSi⾚外発光素⼦の開発
〇唐澤 賢志1、川添 忠2、⼤津 元⼀3
1.セイコーインスツル, 2.NPOナノフォト, 3.東⼤院⼯
3
3.12
Oral
3/19(⼟) 11:45 12:00
19a-S622-11 C000660
ドレスト光⼦フォノンを⽤いたGaP LEDの加⼯条件依存性と２準位２状態モデルによる解析
〇(D)⾦ 俊亨1、川添 忠2、⼤津 元⼀1
1.東⼤院⼯, 2.NPOナノフォト
3
3.12
Oral
3/19(⼟) 12:00 12:15
19a-S622-12 C000243
SiC磁気光学電流変換素⼦とその強磁性特性評価
〇川添 忠1、⼤津 元⼀2
1.NPOナノフォト, 2.東⼤⼯
3
3.12
Oral
3/19(⼟) 12:15 12:30
19a-S622-13 C003446
⾮放射場と放射場を対等に扱う単⼀感受率による光学の理論 V
〇坂野 斎1
1.⼭梨⼤⼯
3
3.12
Oral
3/19(⼟) 14:00 14:15
19p-S622-1
C002378
ナノフォトニックドロップレットのビジュアル応⽤に向けた検討
〇(PC)野村 航1、竪 直也2
1.九⼤LP分シ, 2.九⼤シス情
3
3.12
Oral
3/19(⼟) 14:15 14:30
19p-S622-2
C000578
⾦ナノロッド―シリコン量⼦ドット複合体の発光特性
〇(D)杉本 泰1、藤井 稔1、Tianhong Chen2、Ren Wang2、Bjoern M. Reinhard2、Luca Dal Negro2
1.神⼾⼤院⼯, 2.ボストン⼤学
3
3.12
Oral
3/19(⼟) 14:30 14:45
19p-S622-3
C001074
⾦ナノ粒⼦-シリコン量⼦ドットバイオコンジュゲートの発光特性評価
〇井上 ⾶⿃1、杉本 泰1、今北 健⼆1、藤井 稔1
1.神⼾⼤院⼯
3
3.12
Oral
3/19(⼟) 14:45 15:00
19p-S622-4
C002273
Film - coupled nanoparticle構造によるシリコンナノ結晶の発光特性
〇⼋嶋 志保1、杉本 泰1、今北 健⼆1、藤井 稔1
1.神⼤院⼯
3
3.12
Oral
3/19(⼟) 15:00 15:15
19p-S622-5
C000744
⾦属コートAFMチップによる単⼀量⼦ドットの光⼦統計制御
〇内貴 博之1、⾼⽥ 広樹1、⼩泉 範尚1、増尾 貞弘1
1.関⻄学院⼤理⼯
3
3.12
Oral
3/19(⼟) 15:15 15:30
19p-S622-6
C001334
局在プラズモン結合Erドープガラス微⼩球共振器を⽤いた⾼効率2光⼦励起蛍光
〇⼩野寺 俊平1、任 芳1、⾼島 秀聡1、藤原 英樹1、笹⽊ 敬司1
1.北⼤電⼦研
3
3.12
Oral
3/19(⼟) 15:30 15:45
19p-S622-7
C002291
⾦ナノキャップ構造による希⼟類ドープアップコンバージョンナノ粒⼦の発光増強
〇雛本 樹⽣1、⼭本 薫1、⾼階 寛之1、今北 健⼆1、藤井 稔1
1.神⼾⼤院⼯
3
3.12
Oral
3/19(⼟) 15:45 16:00
19p-S622-8
C003063
⾦属コアシェル構造による希⼟類ドープ複合ナノ粒⼦のアップコンバージョン発光増強
〇⾼階 寛之1、⼭本 薫1、今北 健⼆1、藤井 稔1
1.神⼾⼤院⼯
3
3.12
Oral
3/19(⼟) 16:00 16:15
3
3.12
Oral
3/19(⼟) 16:15 16:30
Si/SiO2ナノ粒⼦におけるFano共鳴と指向性散乱
〇⼟本 悠太1、⽮野 隆章1, 2、林 智広1, 2、原 正彦1, 2
1.東⼯⼤, 2.理研
3
3.12
Oral
3/19(⼟) 16:30 16:45
19p-S622-10 C001053
シリカ/⾦属界⾯エネルギー差を利⽤したナノカップの作製とそのプラズモンセンシング
〇⿓野 俊直1、岡本 隆之2、江崎 智太郎1、磯部 敏宏1、中島 章1、松下 祥⼦1
1.東⼯⼤理⼯, 2.理研
3
3.12
Oral
3/19(⼟) 16:45 17:00
19p-S622-11 C001061
光熱変形光メモリーのための⾦属ナノ構造の伝熱解析
〇(M1)⼩⼭ ⾼⼤1、藤村 隆史1, 2
1.宇⼤院⼯, 2.宇⼤CORE
3
3.12
Oral
3/19(⼟) 17:00 17:15
19p-S622-12 C001591
カソードルミネセンスによるAg粒⼦のプラズモン放射⾓依存
〇(M1)ソーラ ザック1、⼭本 直紀1、三宮 ⼯1
1.東⼯⼤
3
3.12
Oral
3/19(⼟) 17:15 17:30
19p-S622-13 C002765
カソードルミネッセンスイメージングを⽤いた⾦属ナノ構造体における局在表⾯プラズモンモードの解析
〇(M1)野久保 ⼤貴1、⼩野 篤史1, 2、居波 渉1, 2、川⽥ 善正1, 2
1.静岡⼤院⼯, 2.静岡⼤電研
3
3.12
Oral
3/19(⼟) 17:30 17:45
19p-S622-14 C003648
1分⼦SERS分光法で追うプラズモニック光化学反応の実際
〇(PC)⼭本 裕⼦1, 2、茅野 優也1、伊藤 ⺠武3、中⻄ 俊介1
1.⾹川⼤⼯, 2.学振RPD, 3.産総研四国
3
3.12
Oral
3/19(⼟) 17:45 18:00
19p-S622-15 C000891
単⼀銀ナノワイヤー2量体間隙の⼀次元SERSホットスポット観察
〇伊藤 ⺠武1、⼭本 裕⼦2, 3、脇⽥ 慎⼀1、ジャヤデワン バラチャンドラン4
1.産総研健⼯, 2.学振 RPD, 3.⾹⼤⼯, 4.滋賀県⼤⼯
3
3.12
Oral
3/19(⼟) 18:00 18:15
19p-S622-16 C002170
先端増強ラマンにおけるプラズモンプローブの⾦属グレインに関する考察
〇⽥⼝ 敦清1、河⽥ 聡1
1.阪⼤⼯
3
3.12
Oral
3/20(⽇)
9:15
3
3.12
Oral
3/20(⽇)
9:30
3
3.12
Oral
3/20(⽇)
9:45
3
3.12
Oral
3
3.12
3
3.12
3
3.12
Oral
3/20(⽇) 10:45 11:00
20a-S622-6
C001590
3
3.12
Oral
3/20(⽇) 11:00 11:15
20a-S622-7
3
3.12
Oral
3/20(⽇) 11:15 11:30
20a-S622-8
3
3.12
Oral
3/20(⽇) 11:30 11:45
20a-S622-9
3
3.12
Oral
3/20(⽇) 11:45 12:00
20a-S622-10 C001207
3
3.12
Oral
3/20(⽇) 12:00 12:15
20a-S622-11 C000792
3
3.12
Oral
3/20(⽇) 13:45 14:00
20p-S622-1
3
3.12
Oral
3/20(⽇) 14:00 14:15
20p-S622-2
3
3.12
Oral
3/20(⽇) 14:15 14:30
20p-S622-3
C002057
3
3.12
Oral
3/20(⽇) 14:30 14:45
20p-S622-4
3
3.12
Oral
3/20(⽇) 14:45 15:00
20p-S622-5
3
3.12
Oral
3/20(⽇) 15:00 15:15
3
3.12
Oral
3/20(⽇) 15:15 15:30
3
3.12
Oral
3
3.12
3
3.12
3
9:30
21a-S621-13 C001045
10 / 52 ページ
※会場、時間が変更になった場合は該当の⽅にご連絡いたします。
講演タイトル
奨
奨
E
E
Excitation and strong electrical modulation of plasmons in Graphene with the use of a 2-dimensional inverted pyramid array diffraction
grating
1.東⼯⼤物創, 2.東⼯⼤材料
1.ＮＴＴナノフォトニクスセンター, 2.ＮＴＴ物性科学基礎研
1.東⼤⽣産研, 2.東⼤総合⽂化, 3.東京インスツルメンツ
休憩/Break
奨
奨
奨
休憩/Break
19p-S622-9
C001483
奨
奨
20a-S622-1
C000740
測定再現性1.8 nmを実現する⾛査型近接場光顕微計測技術
〇⽴崎 武弘1、張 開鋒2、⼭川 市朗2、⾕⼝ 伸⼀2
1.東海⼤⼯, 2.⽇⽴研開
9:45
20a-S622-2
C003709
プラズモンナノフォーカスによる⽩⾊光源の⽣成と近接場光学顕微鏡応⽤
〇(B)⽥中 美咲1
1.⼤阪⼤?⼯
10:00
20a-S622-3
C000650
近接場⾛査顕微鏡のための⾼効率プラズモン薄膜光導波路
〇張 開鋒1、中⽥ 俊彦1、⾺塲 修⼀1、⼭川 市郎1、⾕⼝ 伸⼀1
1.⽇⽴研開
3/20(⽇) 10:00 10:15
20a-S622-4
C003425
奨
近接場反射顕微分光法の開発と⾦属ナノ構造体の分光特性の究明
〇溝端 秀聡1、井村 考平1
1.早⼤理⼯
Oral
3/20(⽇) 10:15 10:30
20a-S622-5
C000846
奨
⻑⽅形⾦ナノ構造体におけるプラズモン場の偏光状態マッピング
〇(DC)橋⾕⽥ 俊1, 2、成島 哲也1, 2, 3、岡本 裕⺒1, 2
1.総研⼤, 2.分⼦研, 3.JSTさきがけ
Oral
3/20(⽇) 10:30 10:45
⾦ナノディスクにおける多極⼦プラズモンの位相緩和過程の時間領域観測
〇⻄⼭ 嘉男1、岡本 裕⼰1, 2
1.分⼦研, 2.総研⼤
C003228
フェムト秒時間領域における⾼次分散に起因する表⾯プラズモン波束の変形の解析
〇中村 圭佑1、久保 敦1
1.筑波⼤物
C003248
1.55 μm帯フェムト秒表⾯プラズモンの⼆光⼦蛍光顕微観察
〇村上 亮輔1、池沢 道男1、久保 敦1
1.筑波⼤物理
C000897
ZnOにおける⻑距離伝搬⾚外表⾯プラズモン波の⽣成
〇松井 裕章1、池⽻⽥ 晶⽂2、⽥畑 仁1
1.東⼤⼯, 2.農研機構
奨
多モード⼲渉を⽤いた表⾯プラズモン合分波器
〇住村 あさひ1、中⼭ 昂太郎1、太⽥ 雅1、福原 誠史1、⽯井 佑弥1、福⽥ 光男1
1.豊技⼤
奨
多モード⼲渉を⽤いたプラズモニック論理演算回路
〇太⽥ 雅1、住村 あさひ1、福原 誠史1、伊藤 基1、⽯井 佑弥1、福⽥ 光男1
1.豊技⼤
C002053
奨
MEMS技術による表⾯プラズモン異常透過現象の励起波⻑連続可変制御
〇本間 浩章1, 2、⾼橋 ⼀浩1、⽯⽥ 誠1、澤⽥ 和明1
1.豊橋技科⼤, 2.特別研究員DC2
C001636
奨
⾦属ギャップ光アンテナを⽤いたサブ波⻑構造⾊の実現
〇畠⽥ 英明1、宮⽥ 将司1、⾼原 淳⼀1, 2
1.阪⼤院⼯, 2.阪⼤フォトニクスセンター
帯電ナノ微粒⼦の⾃発的配列を⽤いた表⾯プラズモン共鳴構造⾊
〇⽶⼭ 貴之1、⻘⽊ 画奈1、藤井 稔1
1.神⼾⼤⼯
C000834
光の⼲渉を利⽤したプラズモニックナノ粒⼦の⾮対称散乱挙動の制御
〇齋藤 滉⼀郎1、⽴間 徹1
1.東⼤⽣研
C003759
異なる分⼦⻑のジチオールで作製した銀ナノ粒⼦凝集体の吸光特性
〇野⼝ 勇弥1、鈴⽊ 仁1、⾼萩 隆⾏1、坂上 弘之1
1.広島⼤学
20p-S622-6
C002692
⾥芋の葉をテンプレートに使ったメタマテリアル
〇杉町 悠太1、海⽼原 佑亮1、乘⽊ 貴広2、下条 雅幸2、梶川 浩太郎1
1.東⼯⼤総合理⼯, 2.芝浦⼯⼤⼯
3/20(⽇) 15:30 15:45
20p-S622-7
C003439
⾦ナノホール列によるTammプラズモン結晶
〇⻄⽥ 宗弘1、横溝 純平1
1.広⼤先端研
Oral
3/20(⽇) 15:45 16:00
20p-S622-8
C001837
メタ表⾯における分⼦内光学遷移過程の⼈⼯的選択
〇岩⻑ 祐伸1、崔 峯碩1、宮崎 英樹1、杉本 喜正1
1.物材機構
Oral
3/20(⽇) 16:00 16:15
20p-S622-9
C003677
陽極酸化ポーラスアルミナにもとづいた微細同軸ナノケーブルアレーの形成と光学特性
〇⼭岸 翔⼀1、近藤 敏彰1、柳下 崇1、益⽥ 秀樹1
1.⾸都⼤都市環境
3.12
Oral
3/20(⽇) 16:15 16:30
20p-S622-10 C003428
太陽熱光発電のためのNiWアブソーバ・エミッタの開発
〇(B)鍵本 優⼤1、那 順2、岩⾒ 健太郎2、梅⽥ 倫弦2
1.農⼯⼤⼯, 2.農⼯⼤院⼯
3
3.12
Oral
3/20(⽇) 16:30 16:45
20p-S622-11 C000215
プラズモニック結晶の⽋陥モード制御
〇酒井 恭輔1、⼤村 ⻯⽮1、菅原 翔太郎1、笹⽊ 敬司1
1.北⼤電⼦研
3
3.12
Oral
3/20(⽇) 16:45 17:00
20p-S622-12 C001975
SiC表⾯フォノンポラリトンによる光アンテナ電界増強度の測定
〇國近 祐太1、宮⽥ 純⼀1、⼭本 悠⼈1、川野 貴裕1、笠原 健⼀1、池⽥ 直樹2、⼤⾥ 啓考2、杉本 喜正2
1.⽴命館⼤理⼯, 2.物質・材料研究機構
3
3.12
Oral
3/20(⽇) 17:00 17:15
3
3.12
Oral
3/20(⽇) 17:15 17:30
20p-S622-13 C002406
ナノロッドアレイによる⾚外域での電場増強度と表⾯増強⾚外吸収(Ⅱ)
〇⽵上 明伸1, 2、草 史野1, 2、芦原 聡2
1.農⼯⼤院⼯, 2.東⼤⽣研
3
3.12
Oral
3/20(⽇) 17:30 17:45
20p-S622-14 C002323
⾚外メタマテリアルの構造対称性制御によるファノ共鳴励起
〇(B)原 修平1、⽯川 篤1, 2、⽥中 拓男2, 3、鶴⽥ 健⼆1
1.岡⼤⼯, 2.理研, 3.東⼯⼤
3
3.12
Oral
3/20(⽇) 17:45 18:00
20p-S622-15 C001727
ナノフォーカスした表⾯プラズモンポラリトンによるピコ秒機械振動の増強光検出
〇友⽥ 基信1, 2、Xiang Chen2、Oluwaseyi Balogun2
1.北⼤院⼯, 2.ノースウエスタン⼤
3
3.12
Oral
3/20(⽇) 18:00 18:15
20p-S622-16 C003174
Geドープシリカ薄膜を誘電体層とする⾦属―誘電体―⾦属構造からの第⼆次⾼調波発⽣
〇(M1)姜 秉俊1
1.神⼾⼤⼯
3
3.12
Oral
3/20(⽇) 18:15 18:30
20p-S622-17 C000689
アルミニウムの遠紫外表⾯プラズモン特性の屈折率依存性
〇⽥邉 ⼀郎1、⽥中 嘉⼈2、領⽊ 貴之1、渡利 幸治1、後藤 剛喜1、⻩川⽥ 昌和3、居波 渉3、川⽥ 善正3、尾崎 幸洋1
1.関学理⼯, 2.東⼤⽣研, 3.靜⼤院⼯
3
3.12
Oral
3/20(⽇) 18:30 18:45
20p-S622-18 C002438
イオン液体を⽤いて合成したアルミニウムナノ粒⼦のSi基板上への固定化
〇望⽉ 俊成1、⻑崎 秀昭1、岩⾒ 健太郎1、牧 禎1、⽥⼝ 敦清2、⼤野 弘幸1、梅⽥ 倫弘1
1.農⼯⼤⼯, 2.阪⼤⼯
3
3.12
Oral
3/20(⽇) 18:45 19:00
20p-S622-19 C001140
アルミニウム、インジウム、タンタルを⽤いた深紫外プラズモニクス
〇⻄⽥ 知句1、川元 駿1、王 胖胖1, 2、⿓崎 奏1、岡本 晃⼀1、⽟⽥ 薫1
1.九⼤先導研, 2.九⼤分⼦シスセ
3
3.12
Poster
3/21(⽉) 13:30 15:30
21p-P1-1
C000240
ナノサイズ円偏光⽣成ためのアパーチャーレスプローブの提案
〇蔡 永福1、⽯橋 隆幸1
1.⻑岡技科⼤
3
3.12
Poster
3/21(⽉) 13:30 15:30
21p-P1-2
C002926
奨
⼆探針⾛査型近接場光学顕微鏡を⽤いた超⾼速表⾯プラズモンの時間波形計測
〇(M1)⼩島 康裕1、正⽊ 雄太1、神成 ⽂彦1
1.慶⼤理⼯
3
3.12
Poster
3/21(⽉) 13:30 15:30
21p-P1-3
C003754
奨
フェムト秒表⾯プラズモン波束による平⾯型ナノキャビティの共鳴励起
〇⼤⽵ 祐⾹1、久保 敦1、笠⾕ 岳⼠2、宮崎 英樹2
1.筑波⼤物理, 2.物・材機構
休憩/Break
休憩/Break
休憩/Break
奨
奨
2016年春季講演会(東⼯⼤⼤岡⼭キャンパス)プログラム
⼤分類 中分類
形式
講演⽇
開始
終了
【1⽉28⽇(⽊)更新】暫定版からの更新箇所は⾚字になっております。
講演番号
受付番号
奨励賞 英語 招待
11 / 52 ページ
※会場、時間が変更になった場合は該当の⽅にご連絡いたします。
講演タイトル
著者
所属機関
3
3.12
Poster
3/21(⽉) 13:30 15:30
21p-P1-4
C002656
Si上に形成した⾦ナノ円盤が⽰す表⾯電位差の光照射依存
〇(B)江崎 智太郎1、松⾕ 晃宏2、⻄岡 國⽣2、庄司 ⼤2、佐藤 美那2、岡本 隆之3、磯部 敏宏1、中島 章1、松下 祥⼦1
1.東⼯⼤理⼯, 2.東⼯⼤MEMS, 3.理研
3
3.12
Poster
3/21(⽉) 13:30 15:30
21p-P1-5
C003561
光磁界のみで励起された⾦スプリットリング共振器の磁気応答シミュレーション
〇(M1)松本 涼太1、岡本 敏弘1、原⼝ 雅宣1
1.徳島⼤⼯
3
3.12
Poster
3/21(⽉) 13:30 15:30
21p-P1-6
C001117
サブ波⻑構造を有するAu 2次元回折格⼦の作製と光学特性評価
〇⼭⽥ 泰⼠1、元垣内 敦司1, 3、三宅 秀⼈2, 3、平松 和政1, 3
1.三重⼤院⼯, 2.三重⼤院地域イノベ, 3.三重⼤極限ナノエレセンター
3
3.12
Poster
3/21(⽉) 13:30 15:30
21p-P1-7
C001932
プラズモニックブラッググレーティングの作製
〇岡本 浩⾏1、⽇下 晃佑1、⼭⼝ 堅三2、鏡原 照正2、原⼝ 雅宣3、岡本 敏弘3
1.阿南⾼専, 2.⾹川⼤⼯, 3.徳島⼤院
3
3.12
Poster
3/21(⽉) 13:30 15:30
21p-P1-8
C002658
ナノ周期構造中の固有モード共鳴を⽤いた⾼感度屈折率検出
〇⾼島 祐介1、原⼝ 雅宣1, 2、直井 美貴1, 2
1.徳島⼤ATS, 2.徳島⼤STS
3
3.12
Poster
3/21(⽉) 13:30 15:30
21p-P1-9
C001341
2層型ワイヤーグリッド偏光⼦の空間制御と光学特性評価
〇(M1)中嶋 智康1、元垣内 敦司1, 3、三宅 秀⼈2, 3、平松 和政1, 3
1.三重⼤院⼯, 2.三重⼤院地域イノベ, 3.三重⼤極限ナノエレセンター
3
3.12
Poster
3/21(⽉) 13:30 15:30
21p-P1-10
C002041
⼆重反射構造ポリマー導波路型クレッチマン配置表⾯プラズモン共鳴センサの⼆波⻑測定による⾼感度化と広測定域化
〇⿊⽥ 康彰1、丹所 祐貴1、松島 裕⼀2、⽯川 浩1、宇⾼ 勝之1
1.早⼤理⼯, 2.GCS機構
3
3.12
Poster
3/21(⽉) 13:30 15:30
21p-P1-11
C003157
⾦ナノロッドのプラズモン共鳴が⼆酸化バナジウムの相変化に及ぼす効果
〇久保 若奈1, 3、⼩形 陽介1, 2、⽥中 拓男1, 2, 4
1.理研, 2.学習院⼤, 3.農⼯⼤, 4.東⼯⼤
3
3.12
Poster
3/21(⽉) 13:30 15:30
21p-P1-12
C002964
SiC上グラフェンに堆積した⾦ナノ粒⼦のSERS効果
〇松村 尚知1、柳⾕ 伸⼀郎1、古部 昭広1、岸川 博紀1、後藤 信夫1、永瀬 雅夫1
1.徳島⼤⼯
3
3.12
Poster
3/21(⽉) 13:30 15:30
21p-P1-13
C000574
アゾポリマーナノ粒⼦の⽣成と光変形効果
〇河合 慶太1、豊⽥ 慎也1、新保 ⼀成1、⼤平 泰⽣1
1.新潟⼤学
3
3.12
Poster
3/21(⽉) 13:30 15:30
21p-P1-14
C001327
任意の電場を考慮した⾚外吸収分光の理論計算⼿法の開発
〇岩佐 豪1, 2、⽵中 将⽃1、武次 徹也1, 2
1.北⼤理, 2.京⼤ESICB
3
3.12
Poster
21p-P1-15
C003098
〇杉村 健太郎1、⻑久保 準基2、⼭本 伸⼀1
1.⿓⾕⼤理⼯, 2.アルバック
3
3.13
Oral
3/20(⽇)
9:00
9:15
20a-S321-1
C002341
3
3.13
Oral
3/20(⽇)
9:15
9:30
20a-S321-2
C001877
電荷敏感型⾚外光⼦検出器(CSIP)における光カプラの研究
〇⾦ 鮮美1、⼩宮⼭ 進2、林 冠廷1、パトラシン ミカイル3、梶原 優介1
1.東⼤⽣研, 2.東⼤総⽂, 3.情通研
3
3.13
Oral
3/20(⽇)
9:30
9:45
20a-S321-3
C002763
フォトニック結晶構造を導⼊した薄膜型光検出器の検討
〇顧 之チン1、井上 ⼤輔1、平⾕ 拓⽣1、⾬宮 智宏1、⻄⼭ 伸彦1、荒井 滋久1
1.東⼯⼤
3
3.13
Oral
3/20(⽇)
9:45
10:00
20a-S321-4
C000179
プロトン注⼊量⼦構造混晶化を⽤いたVCSELの特性評価
〇森脇 翔平1、齋藤 季1、宮本 智之1
1.東⼯⼤精研
3
3.13
Oral
3/20(⽇) 10:00 10:15
20a-S321-5
C002383
Talbot効果による⾯発光レーザアレイ位相同期の波⻑分布の影響解析
〇(M1)⼩森 雄貴1、宮本 智之1
1.東⼯⼤精密⼯学研究所
3
3.13
Oral
3/20(⽇) 10:15 10:30
20a-S321-6
C001000
光無線給電に向けたトンネル接合破壊型VCSELアレーに関する検討
〇押⽥ 将平1、須原 壮1、宮本 智之1
1.東⼯⼤精研
3
3.13
Oral
3/20(⽇) 10:30 10:45
20a-S321-7
C002086
⾯発光レーザの単⼀モード出⼒増⼤に向けたスローライトSOAの増幅特性
〇中濱 正統1、顧 暁冬1、坂⼝ 孝浩1、松⾕ 晃宏2、⼩⼭ ⼆三夫1
1.東⼯⼤ 精研, 2.東⼯⼤ 技術部
3
3.13
Oral
3/20(⽇) 10:45 11:00
20a-S321-8
C002955
VCSEL構造を⽤いた⾼出⼒ソリッドステートビームスキャナ
〇中濱 正統1、顧 暁冬1、坂⼝ 孝浩1、松⾕ 晃宏2、⼩⼭ ⼆三夫1
1.東⼯⼤精研, 2.東⼯⼤技術部
3
3.13
Oral
3/20(⽇) 11:00 11:15
20a-S321-9
C002324
サブ波⻑格⼦を⽤いたアサーマル波⻑可変⾯発光レーザの製作
〇井上 俊也1、中濵 正統1、松⾕ 晃宏1、坂⼝ 孝浩1、⼩⼭ ⼆三夫1
1.東⼯⼤
3
3.13
Oral
3/20(⽇) 11:15 11:30
20a-S321-10 C002532
横⽅向結合共振器を⽤いた⾯発光レーザの横モード制御
〇⼩林 拓貴1, 2、中濵 正統1, 2、⼩⼭ ⼆三夫1, 2
3
3.13
Oral
3/20(⽇) 13:45 14:00
20p-S321-1
C002112
AlN基板上深紫外LED光出⼒に対するチップ形状依存性の検討
〇⾕⼝ 学1, 3、Guo-Dong Hao1、中屋 晃成1、溜 直樹2、井上 振⼀郎1, 3, 4
1.情報通信研究機構, 2.(株)トクヤマ, 3.神⼾⼤院⼯, 4.JST さきがけ
3
3.13
Oral
3/20(⽇) 14:00 14:15
20p-S321-2
C003757
Analysis of Electrode Structure and Process for High-Power AlGaN-based Deep-Ultraviolet Light-Emitting Diodes
〇Guodong HAO1, Manabu Taniguchi1, Naoki Tamari1, 2, Shin-ichiro Inoue1, 3
1.NICT, 2.Tokuyama Corp., 3.JST-PREST
3
3.13
Oral
3/20(⽇) 14:15 14:30
20p-S321-3
C003414
ウエハ接合により形成した結合共振器構造による⼆波⻑⾯発光レーザの特性
〇(M1)太⽥ 寛⼈1、⻄村 信耶1、渡邉 健吉1、盧 翔孟1、熊⾕ 直⼈1、北⽥ 貴弘1、井須 俊郎1
1.徳島⼤院フロンティア
3
3.13
Oral
3/20(⽇) 14:30 14:45
20p-S321-4
C003715
Enhanced Brightness from Ge Nanostructures Sensitized by CdTe/PbS QDs
〇(P)Satish Laxman Shinde1, Li-Wei Nein1, S. Ishii1, T. Nagao1
3
3.13
Oral
3/20(⽇) 14:45 15:00
20p-S321-5
C000563
ドット密度⾼密度化効果による障壁層薄膜化と量⼦ドットレーザの⾼速変調動作実現
〇影⼭ 健⽣1、ヴォ クオック フイ2、渡邉 克之2、武政 敬三3、菅原 充3、岩本 敏1, 2、荒川 泰彦1, 2
1.東⼤ナノ量⼦, 2.東⼤⽣研, 3.QDレーザ
3
3.13
Oral
3/20(⽇) 15:00 15:15
20p-S321-6
C001812
光周波数コムを⽤いた歪補償多重積層InAsQD-SOAのパルス応答特性評価
〇松本 敦1、⾚⽻ 浩⼀1、坂本 ⾼秀1、梅沢 俊匡1、菅野 敦史1、⼭本 直克1
1.情通機構
3
3.13
Oral
3/20(⽇) 15:15 15:30
20p-S321-7
C000346
⽅解⽯エタロンフィルタによる2波⻑レーザの周波数間隔変化
〇乾 勝貴1、⾚⽻ 浩⼀2、⼭本 直克2、菅野 敦史2、川⻄ 哲也2、外林 秀之1
1.⻘学⼤, 2.NICT
3
3.13
Oral
3/20(⽇) 15:30 15:45
3
3.13
Oral
3/20(⽇) 15:45 16:00
20p-S321-8
C002319
奨
Si基板上GaInAsP/InP薄膜DFBレーザの⾼変調効率動作
〇(D)井上 ⼤輔1、平⾕ 拓⽣1、福⽥ 快1、冨安 ⾼弘1、⾬宮 智宏2、⻄⼭ 伸彦1、荒井 滋久1, 2
1.東⼯⼤電気電⼦, 2.東⼯⼤量⼦ナノ
3
3.13
Oral
3/20(⽇) 16:00 16:15
20p-S321-9
C002742
奨
Si基板上GaInAsP/InP薄膜DFBレーザの初期信頼性
〇福⽥ 快1、井上 ⼤輔1、平⾕ 拓⽣1、⾬宮 智宏2、⻄⼭ 伸彦1、荒井 滋久1, 2
1.東⼯⼤電気電⼦, 2.東⼯⼤量⼦ナノ
3
3.13
Oral
3/20(⽇) 16:15 16:30
20p-S321-10 C003134
奨
表⾯回折格⼦を有する半導体薄膜DBRレーザの光出⼒特性
〇(DC)平⾕ 拓⽣1、井上 ⼤輔1、冨安 ⾼弘1、福⽥ 快1、⽠⽣ 達也1、⾬宮 智宏2、⻄⼭ 伸彦1、荒井 滋久1, 2
1.東⼯⼤, 2.量⼦ナノ
3
3.13
Oral
3/20(⽇) 16:30 16:45
20p-S321-11 C000754
直接貼付InP/Si基板上GaInAsP-InPダブルヘテロレーザの低温発振特性
〇⻄⼭ 哲央1、松本 恵⼀1、岸川 純也1、鋤柄 俊樹1、⼤貫 雄也1、鎌⽥ 直樹1、菅家 智⼀1、下村 和彦1
1.上智⼤理⼯
3
3.13
Oral
3/20(⽇) 16:45 17:00
20p-S321-12 C003634
メタモルフィック成⻑を⽤いた中⾚外帯域type-Ⅰ型レーザの構造検討
〇(B)吉元 圭太1、今村 優雅1、荒井 昌和1
1.宮崎⼤⼯
3
3.13
Oral
3/20(⽇) 17:00 17:15
20p-S321-13 C000104
２次元共振器半導体レーザによる⾼速ビームスイッチ動作の提案
〇福嶋 丈浩1、坂⼝ 浩⼀郎1、徳⽥ 安紀1
1.岡⼭県⽴⼤情報⼯
3
3.13
Oral
3/20(⽇) 17:15 17:30
20p-S321-14 C000694
EAMゲートアレイを⽤いた分配選択型光スイッチモジュールの特性向上
〇村中 勇介1、瀬川 徹1、⼩⽊曽 義弘1、藤井 拓郎1、⾼橋 亮1
1.NTT先デ研
3
3.13
Oral
3/20(⽇) 17:30 17:45
20p-S321-15 C000927
マイクロリング共振器装荷型マッハ・ツェンダー2×2光スイッチの⾼速化に関する検討
〇川⼝ 直輝1、堀 健⼈1、荒川 太郎1、國分 泰雄1
1.横国⼤院⼯
3
3.13
Oral
3/20(⽇) 17:45 18:00
20p-S321-16 C002548
InP垂直結合型２次元光フェーズドアレイスキャニング素⼦の設計
〇福⽥ 将治1、⼩松 憲⼈1、種村 拓夫1、中野 義昭1
1.東⼤院⼯
3
3.13
Poster
3/21(⽉) 13:30 15:30
21p-P2-1
C003247
半導体ナノ粒⼦分散SiO2膜の形成と評価
〇出村 洋智1、Alexander Ulyashin2、永吉 浩1
1.東京⾼専, 2.SINTEF
3
3.13
Poster
3/21(⽉) 13:30 15:30
21p-P2-2
C003463
グラフェンのキャリア緩和過程のフェムト秒近⾚外過渡吸収分光と温度依存性
〇⼭⽥ 淳史1、久津間 保徳1、⾦⼦ 忠昭1、⽟井 尚登1
1.関学⼤院理⼯
3
3.13
Poster
3/21(⽉) 13:30 15:30
21p-P2-3
C003662
イオン注⼊を⽤いた多重積層量⼦ドット構造の混晶化の検討
〇(B)松井 信衞1、武井 勇樹1、松本 敦2、⾚⽻ 浩⼀2、松島 裕⼀3、⽯川 浩1、宇髙 勝之1
1.早⼤理⼯, 2.情報通信研究機構, 3.早⼤GCS機構
3
3.13
Poster
3/21(⽉) 13:30 15:30
21p-P2-4
C003596
イオン注⼊と熱処理による多重積層量⼦ドット組成混晶の集積素⼦への応⽤の検討
〇武井 勇樹1、松井 信衞1、松本 敦2、⾚⽻ 浩⼀2、松島 裕⼀3、⽯川 浩1、宇髙 勝之1
1.早⼤理⼯, 2.情報通信研究機構, 3.早⼤GCS機構
3
3.13
Poster
3/21(⽉) 13:30 15:30
21p-P2-5
C002577
Numerical Investigation on Electrically Pumped Metallic Cavity Lasers
〇Chuanqing Yu1, Baifu Zhang1, Koh Chieda1, Takuo Tanemura1, Yoshiaki Nakano1
1.the Univ. of Tokyo
3
3.13
Poster
3/21(⽉) 13:30 15:30
21p-P2-6
C000542
分布反射器集積中⾚外量⼦カスケードレーザの開発
〇吉永 弘幸1、橋本 順⼀1、森 ⼤樹1、辻 幸洋1、村⽥ 誠1、江川 満1、猪⼝ 康博1、勝⼭ 造1
1.住友電⼯
3
3.13
Poster
3/21(⽉) 13:30 15:30
21p-P2-7
C000273
⾚外イメージングによる量⼦ドットアレイセンサの評価
3
3.14
Poster
3/20(⽇) 13:30 15:30
20p-P5-1
C001055
⾼効率PPLNリッジ導波路波⻑変換デバイスの作製
〇岸本 直1, 2、⼩川 洋2、関根 徳彦2、笠松 章史2、村井 仁1
1.沖電気⼯業, 2.情通機構
3
3.14
Poster
3/20(⽇) 13:30 15:30
20p-P5-2
C001512
KTN結晶を⽤いた光偏向の繰り返し再現特性
〇佐々⽊ 雄三1、坂本 尊1、上野 雅浩1、豊⽥ 誠治1、⼭⼝ 城治1
1.NTT DIC
3
3.14
Poster
3/20(⽇) 13:30 15:30
20p-P5-3
C003203
空間電荷を利⽤したKTa1-xNbxO3の光弾性係数p11, p12の測定
〇今井 欽之1、川村 宗範1、阪本 匡1
1.NTTデバイスイノベーションセンタ
3
3.14
Poster
3/20(⽇) 13:30 15:30
20p-P5-4
C003787
⾼出⼒LEDと太陽電池から成るパワーダイスターを⽤いたモーター制御
〇岡本 研正1
1.LBCコーポレーション
3
3.14
Poster
3/20(⽇) 13:30 15:30
20p-P5-5
C000035
三原⾊合波器のための導波路型反射鏡の検討
⽥中 彩恵1、中尾 慧1、横川 修⼀1、林⼝ 翔⼦1、〇勝⼭ 俊夫1, 2、中島 清美3、池⽥ 直樹3、杉本 喜正3
1.福井⼤院⼯, 2.福井⼤産学官連携本部, 3.物材機構
3
3.14
Poster
3/20(⽇) 13:30 15:30
20p-P5-6
C000036
三原⾊合波器のためのスポットサイズ変換器の検討
林⼝ 翔⼦1、⽥中 彩恵1、横川 修⼀1、中尾 慧1、〇勝⼭ 俊夫1, 2
1.福井⼤院⼯, 2.福井⼤産学官連携本部
3
3.14
Poster
3/20(⽇) 13:30 15:30
20p-P5-7
C003703
厚膜レジストSU-8を⽤いたスポットサイズコンバータ
〇千⽇ 拓⾺1、中島 悠⼈1、⾬宮 嘉照1、⽥部井 哲夫1、横⼭ 新1
1.広⼤ナノデバイス
3
3.14
Poster
3/20(⽇) 13:30 15:30
20p-P5-8
C003697
磁気光学材料とSi光共振器を⽤いた光スイッチ
〇野⽥ 和希1、⾬宮 嘉照1、⽥部井 哲夫1、横⼭ 新1
1.広島⼤ナノデバイス
3
3.14
Poster
3/20(⽇) 13:30 15:30
20p-P5-9
C001106
⾃⼰形成型プラスチック導波路の屈折率分布制御と伝搬損失の改善
〇(M2)平川 遼1、⼭下 兼⼀1、三⾕ 真利奈2、⽯榑 崇明2
1.京⼯繊⼤院⼯芸, 2.慶應⼤院理⼯
3
3.14
Poster
3/20(⽇) 13:30 15:30
20p-P5-10
C002957
中⾚外⽤銀薄膜サブ波⻑多重格⼦構造偏光⼦
〇樋⼝ 翔吾1、柿沼 洋1、⽩⽯ 和男1、依⽥ 秀彦1、⼤野 泰司1
1.宇都宮⼤⼯
3
3.14
Poster
3/20(⽇) 13:30 15:30
20p-P5-11
C002981
電気粘性流体中の⾳速測定: 光ファイバ型電界分布センシングの実現に向けて
〇⽔野 洋輔1、邱 惟1、皆川 和成1、林 寧⽣1、中村 健太郎1
3
3.14
Poster
3/20(⽇) 13:30 15:30
20p-P5-12
C001788
エレクトロスプレー法を⽤いたPOFアルカンセンサの改善
〇(B)中村 耀1、鈴⽊ 裕1、森澤 正之1
1.⼭梨⼤院⼯
3
3.14
Poster
3/20(⽇) 13:30 15:30
20p-P5-13
C002796
⻑距離光ファイバーを⽤いた⾼分解能温度センシング
〇(M1)⽥中 天翔1、松倉 聖1、⽯⿊ 敦⼰1、和⽥ 健司1、松⼭ 哲也1、堀中 博道1
1.阪府⼤院・⼯
3/21(⽉) 13:30 15:30
CuGaS2/ZnS系量⼦ドットの特性評価
E
Temperature dependence of dark current characteristics of InAs/GaSb type-II superlattice photodiode
奨
E
E
〇Sundararajan Balasekaran1, Kouhei Miura1, Ken-ichi Machinaga1, Daisuke Kimura1, Takahiko Kawahara1, Masaki Migita1, Hiroshi
Obi1, Nitta Toshiyuki1, Hiroshi Inada1, Yasuhiro Iguchi1, Tsukuru Katsuyama1
1.Transmission Devices Laboratory, Sumitomo Electric Industries, Ltd., Yokohama, Japan
1.東⼯⼤, 2.精研
1.NIMS
休憩/Break
E
招
「講演奨励賞受賞記念講演」（15分）
〇⻩ 晨暉1、⽥中 朋1、各務 惣太1, 3、⾓⽥ 雅弘3、渡邉 克之4、井上 晴2、難波 兼⼆2、五⼗嵐 悠⼀1, 3、⽥能村 昌弘1、南部 芳弘1, 3、⼭本 剛
1, 3、萬 伸⼀1, 3、荒川 泰彦3, 4
1.NECスマエネ研, 2.NECもの統本, 3.東⼤ナノ量⼦機構, 4.東⼤⽣研
1.東⼯⼤精研
3
3.14
Oral
3/21(⽉)
9:00
9:15
21a-S321-1
I000044
〇⽔野 洋輔1、林 寧⽣1、福⽥ 英幸1、中村 健太郎1
1.東⼯⼤精研
3
3.14
Oral
3/21(⽉)
9:15
9:30
21a-S321-2
C001308
熱湯を⽤いたプラスチック光ファイバのテーパ加⼯
〇(M1)⽒原 ⼤希1、林 寧⽣1、⽔野 洋輔1、中村 健太郎1
1.東⼯⼤精研
3
3.14
Oral
3/21(⽉)
9:30
9:45
21a-S321-3
C000673
参照光路を撤廃した簡素化OCDR
〇閑 誠1、林 寧⽣1、⽔野 洋輔1、中村 健太郎1
1.東⼯⼤精研
3
3.14
Oral
3/21(⽉)
9:45
10:00
21a-S321-4
C001266
偏波保持型FBGファブリ・ペロー⼲渉計と半導体レーザの注⼊電流変調を⽤いた温度とひずみの同時計測
〇和⽥ 篤1、⽥中 哲1、髙橋 信明1
1.防衛⼤
3
3.14
Oral
3/21(⽉) 10:00 10:15
21a-S321-5
C003641
GI数モードファイバ内LPFGの広帯域モード変換に基づく透過型バンドパスフィルタ
〇(M1)⽊舩 拓也1、坂⽥ 肇1
1.静岡⼤⼯
3
3.14
Oral
3/21(⽉) 10:15 10:30
3
3.14
Oral
3/21(⽉) 10:30 10:45
21a-S321-6
C003540
GaInAsP/InP導波路型TE-TMモード変換器の波⻑特性の評価
〇増⼭ 圭1、庄司 雄哉1、⽔本 哲弥1
1.東⼯⼤
3
3.14
Oral
3/21(⽉) 10:45 11:00
21a-S321-7
C000712
光⽅向性結合器における結合モード理論とモード間⼲渉の⽐較
〇波多腰 ⽞⼀1、伊賀 健⼀2
1.早稲⽥⼤, 2.東⼯⼤
3
3.14
Oral
3/21(⽉) 11:00 11:15
21a-S321-8
C003322
微⼩リング共振器と導波路間の結合状態評価
〇(M1)⼩野 裕介1、⽯野 雅章2、岡本 亮1、横⼭ ⼠吉2, 3、⽵内 繁樹1
1.京⼤院⼯, 2.九⼤院総理⼯, 3.九⼤先導研
3
3.14
Oral
3/21(⽉) 11:15 11:30
21a-S321-9
C002986
⾼次直列量⼦井⼾マイクロリング波⻑選択フィルタの損失を考慮した伝搬⾏列法による設計と解析
〇早坂 伸之1、荒川 太郎1、國分 泰雄1
1.横国⼤院⼯
3
3.14
Oral
3/21(⽉) 11:30 11:45
21a-S321-10 C002631
奨
共振器集積導波モード共鳴フィルタの時間応答
〇井上 純⼀1、奥⽥ 弘樹1、裏 升吾1
1.京都⼯繊⼤
3
3.14
Oral
3/21(⽉) 11:45 12:00
21a-S321-11 C002561
奨
スローライト導波路アレイを⽤いた⼆次元ビーム掃引
〇森 裕之1、顧 暁冬1、松⾕ 晃宏2、⼩⼭ ⼆三夫1
1.東⼯⼤精研, 2.半導体プロセス技術センター
3
3.14
Oral
3/21(⽉) 12:00 12:15
21a-S321-12 C001470
奨
液晶弾性とフリンジ電界が微⼩画素の光変調に及ぼす影響
〇磯前 慶友1、柴⽥ 陽⽣1、⽯鍋 隆宏1、藤掛 英夫1
1.東北⼤院⼯
3
3.14
Oral
3/21(⽉) 13:45 14:00
21p-S321-1
C002889
積分球を使った有機発光素⼦のPL測定
〇乾 貴⼤1、溝⼝ 雄太1、⽶⽥ 拓也1、笠原 健⼀1、池⽥ 直樹2、⼤⾥ 啓孝2、杉本 喜正2
1.⽴命館⼤理⼯, 2.物質・材料研究機構
3
3.14
Oral
3/21(⽉) 14:00 14:15
21p-S321-2
C001541
Metafilm : メタマテリアルを内包した有機薄膜フィルム
〇⾬宮 智宏1, 3、⾦澤 徹1、浦上 達宣2、⽯川 篤3, 4、北條 直也1、安井 章雄1、⻄⼭ 伸彦1、⽥中 拓男3、荒井 滋久1
1.東⼯⼤, 2.三井化学, 3.理研, 4.岡⼤
3
3.14
Oral
3/21(⽉) 14:15 14:30
21p-S321-3
C001694
有機薄膜光集積回路
〇⾬宮 智宏1、⾦澤 徹1、平⾕ 拓⽣1、顧 之琛1、北條 直也1、久能 雄輝1、浦上 達宣2、荒井 滋久1
3
3.14
Oral
3/21(⽉) 14:30 14:45
21p-S321-4
C001801
EOポリマー装荷型プラズモン変調器に向けたプラズモンスロット導波路の作製と評価
〇北條 直也1、⾬宮 智宏1、⼭⽥ 千由美2、⼭⽥ 俊樹2、⻄⼭ 伸彦1、⼤友 明2、荒井 滋久1
1.東⼯⼤, 2.情報通信機構
3
3.14
Oral
3/21(⽉) 14:45 15:00
21p-S321-5
C001384
ドナー電⼦増強型FTC系EOポリマー変調モジュールの信頼性評価
〇⾼野 真悟1、⽯川 佳澄1、伊藤 孝知1、本⾕ 将之1、⽇隈 薫1、市川 潤⼀郎1、横⼭ ⼠吉2、前⽥ ⼤輔3、⼩澤 雅昭3、⼤友 明4
1.住友⼤阪セメント, 2.九⼤先導研, 3.⽇産化学⼯業, 4.情報通信研究機構
3
3.14
Oral
3/21(⽉) 15:00 15:15
21p-S321-6
C001274
偏光操作を⽤いる光2トーン信号⽣成における安定性の向上
〇千葉 明⼈1、⾚松 洋介1、⾼⽥ 和正1
1.群⾺⼤院⼯
3
3.14
Oral
3/21(⽉) 15:15 15:30
3
3.14
Oral
3/21(⽉) 15:30 15:45
21p-S321-7
C003691
アクティブY分岐付きMZ変調器の動作安定性
〇市川 潤⼀郎1、⽇隈 薫1、⼭⼝ 祐也2、中島 啓幾2、川⻄ 哲也2, 3
1.住友⼤阪セメント, 2.早⼤理⼯, 3.情通機構
3
3.14
Oral
3/21(⽉) 15:45 16:00
21p-S321-8
C002848
低誘電率基板を⽤いた60GHz帯アンテナ電極電気光学変調器
池⽥ 隆志1、〇井上 敏之1、村⽥ 博司1、塩⾒ 英久1、岡村 康⾏1、⽊⾕ 聡志2、中林 誠3、村⽥ 和夫4
1.阪⼤院基礎⼯, 2.住友電⼯ﾌﾟﾘﾝﾄｻｰｷｯﾄ, 3.住友電⼯ﾌｧｲﾝﾎﾟﾘﾏｰ, 4.住友電⼯
3
3.14
Oral
3/21(⽉) 16:00 16:15
21p-S321-9
C002335
メタサーフェス構造を⽤いた100 GHz帯電気光学無線-光変換デバイス
末成 信宏1、〇村⽥ 博司1、岡村 康⾏1
1.阪⼤院基礎⼯
3
3.14
Oral
3/21(⽉) 16:15 16:30
21p-S321-10 C001072
マルチQPM素⼦による多重周波数混合を⽤いた複数搬送波発⽣
〇中村 ⼀貴1、フン チャンナ1、遊部 雅⽣1、梅⽊ 毅伺2、⽵ノ内 弘和2
1.東海⼤⼯, 2.NTT先端集積デバイス研
3
3.14
Oral
3/21(⽉) 16:30 16:45
21p-S321-11 C001153
2周期分極反転導波路型Type-II擬似位相整合ポストセレクションフリー偏波エンタングル光⼦対発⽣デバイスの量⼦⼲渉実験
〇(M2)渡辺 雄太1、栖原 敏明1
1.阪⼤院⼯
3
3.15
Oral
3/20(⽇) 10:00 10:15
強磁性⾦属と誘電体界⾯におけるOtto配置下の表⾯プラズモン励起の評価
〇⽮後 佳貴1、安藤 健朗1、森⽥ 澪1、清⽔ ⼤雅1
1.農⼯⼤⼯
超⾼速BOCDR法による実時間歪・温度分布測定
休憩/Break
1.東⼯⼤, 2.三井化学
休憩/Break
20a-S621-1
C000978
奨
奨
2016年春季講演会(東⼯⼤⼤岡⼭キャンパス)プログラム
⼤分類 中分類
形式
講演⽇
開始
終了
【1⽉28⽇(⽊)更新】暫定版からの更新箇所は⾚字になっております。
講演番号
受付番号
奨励賞 英語 招待
12 / 52 ページ
※会場、時間が変更になった場合は該当の⽅にご連絡いたします。
講演タイトル
著者
所属機関
3
3.15
Oral
3/20(⽇) 10:15 10:30
20a-S621-2
C001129
有機⾦属堆積法によるガラスおよびシリコン基板上へのBi2Y1Fe5O12薄膜の作製と評価
〇細⽥ 昌志1、佐藤 譲1、ダニシュ アブドゥルワヒド1、清⽔ ⼤雅1
3
3.15
Oral
3/20(⽇) 10:30 10:45
20a-S621-3
C001533
スロット導波路の温度無依存化の検討
〇⾬宮 嘉照1、サナ アムリタ クマル1、⾕⼝ 智哉1、横⼭ 脩平1、野⽥ 和希1、千⽇ 拓⾺1、横⼭ 新1
1.広島⼤
3
3.15
Oral
3/20(⽇) 10:45 11:00
20a-S621-4
C001080
積層型Si⽅向性結合器の設計と作製
〇⼭本 悠介1、⾙原 輝則1、清⽔ ⼤雅1
1.農⼯⼤⼯
3
3.15
Oral
3/20(⽇) 11:00 11:15
3
3.15
Oral
3/20(⽇) 11:15 11:30
20a-S621-5
C002036
3
3.15
Oral
3/20(⽇) 11:30 11:45
20a-S621-6
C001787
3
3.15
Oral
3/20(⽇) 11:45 12:00
20a-S621-7
C003498
3
3.15
Oral
3/20(⽇) 12:00 12:15
20a-S621-8
C001907
1.農⼯⼤⼯
休憩/Break
3
3.15
Oral
3/20(⽇) 13:45 14:00
20p-S621-1
C001888
3
3.15
Oral
3/20(⽇) 14:00 14:15
20p-S621-2
C001917
3
3.15
Oral
3/20(⽇) 14:15 14:30
20p-S621-3
3
3.15
Oral
3/20(⽇) 14:30 14:45
20p-S621-4
3
3.15
Oral
3/20(⽇) 14:45 15:00
3
3.15
Oral
3/20(⽇) 15:00 15:15
3
3.15
Oral
3
3.15
3
3.15
3
奨
E
マッハツェンダー⼲渉計内リング共振器構造による導波路型波⻑選択スイッチの特性解析
〇三浦 謙悟1、庄司 雄哉1、⽔本 哲弥1
1.東⼯⼤
多層光回路に向けた層間伝送⽤トライデント型結合器の提案と実証
〇(M1)伊東 憲⼈1、久能 雄輝1、林 侑介1、鈴⽊ 純⼀1、⾬宮 智宏1、⻄⼭ 伸彦1、荒井 滋久1
1.東⼯⼤
ArF液浸露光技術を⽤いた⾼効率Si細線グレーティングカプラ
〇蘇武 洋平1、鄭 錫煥1、⽥中 有1、森⼾ 健1
1.光電⼦融合基盤技術研究所
フリップチップ実装によるシリコン基板上多波⻑光源
〇⽻⿃ 伸明1、栗原 充1、⻄沢 元亨1、⽥中 有1、森⼾ 健1、蔵⽥ 和彦1
1.PETRA
Direct Modulation (6 Gbps) in Quantum Dot Lasers on Silicon
奨
〇YuanHsuan Jhang1, Reio Mochida2, Katsuaki Tanabe2, 3, Keizo Takemasa4, Mitsuru Sugawara4, Satoshi Iwamoto1, 2, Yasuhiko
Arakawa1, 2
1.IIS, The Univ. Tokyo, 2.NanoQuine, The Univ. Tokyo, 3.Kyoto Univ., 4.QD Laser, Inc
Ｇｅ導波路の光伝搬特性の偏光依存性
〇奥村 忠嗣1、⼩⽥ 克⽮1、葛⻄ 淳⼀1、佐川 みすず1、諏訪 雄⼆1
1.⽇⽴研開
C000454
成⻑後アニールによる⾼濃度n型Geの発光増強
〇(M1)東垂⽔ 直樹1、和⽥ ⼀実1、⽯川 靖彦1
1.東⼤⼯
C000103
横⽅向エピタキシャル成⻑によるGe導波路の結晶性改善
〇⼩⽥ 克⽮1、奥村 忠嗣1、葛⻄ 淳⼀1、加古 敏2、岩本 敏2、荒川 泰彦2
1.⽇⽴研開, 2.東⼤⽣研・先端研
20p-S621-5
C003518
SiO2上横⽅向成⻑を⽤いた極低貫通転位密度Ge薄膜
〇⼋⼦ 基樹1、和⽥ ⼀実1
1.東⼤院⼯
3/20(⽇) 15:15 15:30
20p-S621-6
C000959
レーザーアニールを⽤いたSi上Ge pinフォトダイオードの⾼性能化(2)
〇永友 翔1、菊⽥ 真也2、星野 聡彦2、⽯川 靖彦1
1.東⼤院⼯, 2.東京エレクトロン
Oral
3/20(⽇) 15:30 15:45
20p-S621-7
C001240
Ge/SiGeヘテロ接合アバランシェフォトダイオードの作製
〇宮坂 祐司1、開 達郎2、岡﨑 功太2、⼟澤 泰2、⼭本 剛2、和⽥ ⼀実1、⽯川 靖彦1
1.東⼤⼯, 2.NTT先端集積デバイス研
Oral
3/20(⽇) 15:45 16:00
20p-S621-8
C002497
バットジョイント横PIN型Ge受光器の⾼速動作特性
〇下⼭ 峰史1、奥村 滋⼀1、⼩野 英輝1、今井 雅彦1、⽥中 有1、森⼾ 健1
1.PETRA
3.15
Oral
3/20(⽇) 16:00 16:15
20p-S621-9
C001135
伸張歪ゲルマニウムにおける共鳴電⼦ラマン遷移
〇(M2)松下 智昭1、安武 裕輔1, 2、揖場 聡3、齋藤 秀和3、湯浅 新治3、深津 晋1
1.東⼤院総合(駒場), 2.JSTさきがけ, 3.産業技術総合研究所
3
3.15
Oral
3/20(⽇) 16:15 16:30
3
3.15
Oral
3/20(⽇) 16:30 16:45
20p-S621-10 C002010
Theoretical analysis of optical gain in Ge1-xSnx/Ge quantum well on Ge-on-Si substrates
〇Guo-En Chang1
1.Nat. Chung Cheng Univ.
3
3.15
Oral
3/20(⽇) 16:45 17:00
20p-S621-11 C002215
ストレスライナーによるGe細線への⼀軸引張歪み印加とバンドギャップ変調
〇⽥中 章吾1、岡 博史1、冨永 幸平1、天本 隆史1、⼩⼭ 真広1、細井 卓治1、志村 考功1、渡部 平司1
1.⼤阪⼤学
3
3.15
Oral
3/20(⽇) 17:00 17:15
20p-S621-12 C002016
E
GeSn/Ge multiple-quantum-well short-wave infrared photoconductors on silicon
Shao-Wei Chen1, Chia-Ho Tsai1, Mao-Cheng Weng1, 〇Guo-En Chang1
1.Nat. Chung Cheng. Univ.
3
3.15
Oral
3/20(⽇) 17:15 17:30
20p-S621-13 C002021
E
Photoluminescence from Ge0.92Sn0.08/Ge multiple-quantum-well on silicon substrates
Li-Chou Sun1, 〇Guo-En Chang1
1.Nat. Chung Cheng. Univ.
3
3.15
Oral
3/21(⽉) 13:30 13:45
21p-S611-1
C001891
Siフォトニック結晶変調器における鋸⻭形p/n接合
〇寺⽥ 陽祐1、建部 知紀1、⾺場 俊彦1
1.横国⼤院⼯
3
3.15
Oral
3/21(⽉) 13:45 14:00
21p-S611-2
C003259
Siフォトニック結晶変調器のp-n接合のドーピング濃度最適化
〇(B)建部 知紀1、寺⽥ 陽祐1、⾺場 俊彦1
1.横国⼤
3
3.15
Oral
3/21(⽉) 14:00 14:15
21p-S611-3
C000912
〇Guangwei Cong1, Yuriko Maegami1, Morifumi Ohno1, Makoto Okano1, Koji Yamada1
1.AIST
3
3.15
Oral
3/21(⽉) 14:15 14:30
21p-S611-4
C000300
III-V CMOSフォトニクス・プラットフォーム上 空乏型 InGaAsP光変調器の検討
〇関根 尚希1、韓 在勲1, 2、⽵中 充1, 2、⾼⽊ 真⼀1, 2
1.東⼤⼯, 2.JST-CREST
3
3.15
Oral
3/21(⽉) 14:30 14:45
21p-S611-5
C001373
Siフォトニック結晶マッハツェンダー変調器における広い波⻑範囲での周波数応答調査
〇雛倉 陽介1、寺⽥ 陽祐1、⾺場 俊彦1
1.横国⼤院⼯
3
3.15
Oral
3/21(⽉) 14:45 15:00
21p-S611-6
C002778
Si フォトニック結晶QPSK変調器の零バイアス低電圧動作
〇(M1)北條 惠⼦1、寺⽥ 陽佑1、雛倉 陽介1、⾺場 俊彦1
1.横国⼤⼯
3
3.15
Oral
3/21(⽉) 15:00 15:15
21p-S611-7
C000482
歪SiGeを⽤いたMOS型光変調器の変調帯域改善に関する検討
〇(D)韓 在勲1, 2, 3、⽵中 充1, 2、⾼⽊ 信⼀1, 2
1.東⼤院⼯, 2.JST-CREST, 3.学振特別研究員
3
3.15
Oral
3/21(⽉) 15:15 15:30
21p-S611-8
C000441
in-situ Bドーピングした歪SiGe層を⽤いたSi光変調器の検討
〇藤⽅ 潤⼀1、野⼝ 将⾼1、韓 在勲2、⾼橋 重樹1、中村 隆宏1、⽵中 充2
1.PETRA, 2.東⼤⼯
3
3.15
Poster
3/21(⽉) 16:00 18:00
21p-P16-1
C000053
最⼩限の膜厚ステップ領域を使⽤したＡＷＧのロス低減構造
〇岡⼭ 秀彰1, 2、太縄 陽介1, 2、⼋重樫 浩樹1, 2、佐々⽊ 浩紀1, 2
1.沖電気, 2.PETRA
3
3.15
Poster
3/21(⽉) 16:00 18:00
21p-P16-2
C003053
曲線型⽅向性結合器を⽤いたリング共振器偏光無依存化の検討
〇横井 裕⼈1、三橋 頼⼈1、松島 裕⼀2、⽯川 浩1、宇髙 勝之1
1.早⼤理⼯, 2.GCS機構
3
3.15
Poster
3/21(⽉) 16:00 18:00
21p-P16-3
C003067
⽅向性結合器による⾼ダイナミックレンジ偏波スプリッタの設計
〇中瀬 ⼤志1、丸⼭ 武男1
1.⾦沢⼤
3
3.15
Poster
3/21(⽉) 16:00 18:00
21p-P16-4
C001963
E
Label Free Biosensor Based on Photonic Crystal Resonator
〇(DC)Amrita Kumar Sana1, Yoshiteru Amemiya1, Shin Yokoyama1
1.Hiroshima Univ.
3
3.15
Poster
3/21(⽉) 16:00 18:00
21p-P16-5
C001246
E
〇(D)AbdulWahid Danish1, Jo Sato1, Masashi Hosoda1, Hiromasa Shimizu1
1.TUAT
3
3.15
Poster
3/21(⽉) 16:00 18:00
21p-P16-6
C001412
光変調器応⽤に向けたグラフェンスロット導波路の試作
〇佐々⽊ 和哉1, 2、⽵中 充1, 2、⾼⽊ 信⼀1, 2
3
3.15
Poster
3/21(⽉) 16:00 18:00
21p-P16-7
C002409
シリコンMMI導波路型2×2光スイッチの検討
〇藤原 裕⼠1、嶋⽥ 裕介1、⽯川 敦1、松本 敦2、松島 裕⼀3、⽯川 浩1、宇⾼ 勝之1
1.早⼤理⼯, 2.情報通信研究機構, 3.早⼤GCS機構
3
3.15
Poster
3/21(⽉) 16:00 18:00
21p-P16-8
C002389
直接貼付InP/Si基板上InAs量⼦ドットの成⻑
〇(B)鎌⽥ 直樹1、鋤柄 俊樹1、⻄⼭ 哲央1、⼤貫 雄也1、松本 恵⼀1、下村 和彦1
1.上智理⼯
3
3.15
Poster
3/21(⽉) 16:00 18:00
21p-P16-9
C003246
ポリマー介在層付Si基板上へのInPチップヘテロ接合の検討
〇永井 秀樹1、デン ボ1、松島 裕⼀2、⽯川 浩1、宇髙 勝之1
1.早⼤理⼯, 2.早⼤GCS
3
3.15
Poster
3/21(⽉) 16:00 18:00
21p-P16-10
C001126
直接貼付InP/Si基板上結晶成⻑膜の接合強度およびPL強度の圧⼒依存性評価
〇(B)⼤貫 雄也1、松本 恵⼀1、岸川 純也1、⻄⼭ 哲央1、鎌⽥ 直樹1、下村 和彦1
1.上智⼤理⼯
3
3.15
Poster
3/21(⽉) 16:00 18:00
21p-P16-11
C003524
円形マイクロブリッジ構造によるGOIの⼆軸引っ張り歪み増強
〇松下 奨1、徐 学俊1、澤野 憲太郎1、丸泉 琢也1
1.都市⼤総研
3
3.15
Poster
3/21(⽉) 16:00 18:00
21p-P16-12
C002032
3
3.16
Oral
3/19(⼟)
9:00
9:15
19a-H116-1
C002884
3
3.16
Oral
3/19(⼟)
9:15
9:30
19a-H116-2
C002251
3
3.16
Oral
3/19(⼟)
9:30
9:45
19a-H116-3
C001340
3
3.16
Oral
3/19(⼟)
9:45
10:00
19a-H116-4
C000766
3
3.16
Oral
3/19(⼟) 10:00 10:15
19a-H116-5
3
3.16
Oral
3/19(⼟) 10:15 10:30
19a-H116-6
3
3.16
Oral
3/19(⼟) 10:30 10:45
3
3.16
Oral
3/19(⼟) 10:45 11:00
3
3.16
Oral
3/19(⼟) 11:00 11:15
3
3.16
Oral
3
3.16
3
3
3
休憩/Break
休憩/Break
E
奨
E
High-efficiency silicon optical modulator based on silicon-nitride-loaded SOI waveguide
奨
奨
Preparation and Characterization of Bi substituted gadolinium iron garnet (BixGd3-xFe5O12 films with x=1 to 2.5 by Enhanced Metal
Organic Decomposition method
1.東⼤院⼯, 2.JST-CREST
Ge量⼦ドット/Si界⾯へのPデルタドーピングが発光特性とドット形成に与える影響
〇渡邊 幸樹1、徐 学俊1、澤野 憲太郎1、丸泉 琢也1
1.都市⼤総研
E
Above MW Peak Power at 1 kHz from Microchip 266 nm Laser
Lihe Zheng1, 〇Takunori Taira1
1.Inst. for Mol. Sci.
E
An all-optical method for determining temperature at the nanoscale via tip-enhanced THz-Raman spectroscopy
E
〇(P)Maria Balois1, Norihiko Hayazawa1, 2, Francesca Celine Catalan2, Satoshi Kawata3, Takuo Tanaka1, Taka-aki Yano4, Tomohiro
1.Innovative Photon Manipulation Research Team - RIKEN, 2.Surface and Interface Science Laboratory - RIKEN, 3.Osaka University,
Hayashi4
4.Tokyo Institute of Technology
Spatiotemporal link in optical frequency comb for sub-micron axial resolution imaging of a meter-order depth object
〇(PC)Quang Duc Pham1, Yoshio Hayasaki1
1.Utsunomiya Univ.
E
High-throughput optofluidic microparticle analyzer based on time-stretch imaging
〇(P)Cheng Lei1, 2, Masashi Ugawa1, Taisuke Nozawa1, Dino Di Carlo3, Yasuyuki Ozeki1, Keisuke Goda1, 3, 4
C000079
E
Terahertz Plasmonic Waveguides based on Metallic Rod Arrays
〇Borwen You1, Ja-Yu Lu2, Toshiaki Hattori1
1.Univ. of Tsukuba, Japan, 2.NCKU, Taiwan
C001508
E
Self-sustained oscillation in nano-spring coupled optomechanical oscillator
〇(P)Feng Tian1, 2, Hisashi Sumikura1, 2, Eiichi Kuramochi1, 2, Hideaki Taniyama1, 2, Masato Takiguchi1, 2, Masaya Notomi1, 2
1.NTT Nanophotonics Center, 2.NTT Basic Research Laboratories
19a-H116-7
C001550
E
Twist Polarizer Metamaterial for Mid-Infrared Spectral Range
〇(D)Ihar Faniayeu1, Vygantas Mizeikis1
1.Shizuoka Univ.
19a-H116-8
C001555
E
Bidirectional metamaterial perfect absorbers
〇(P)Nguyen Thanh Tung1, 2, Takuo Tanaka1
1.Metamaterials Lab, RIKEN, Japan, 2.Vietnam Academy of Science and Technology, Vietnam
19a-H116-9
C003651
奨
E
Aluminum Infrared Perfect Absorbers for Wavelength Selective Devices
〇(P)Thang DAO1, 2, Satoshi Ishii1, 2, Kai Chen1, 2, Takahiro Yokoyama1, 2, Toshihide Nabatame1, 2, Tadaaki Nagao1, 2, 3
3/19(⼟) 11:15 11:30
19a-H116-10 C003118
奨
Sunlight absorption with resonant silicon nanoparticles
〇⽯井 智1, 2、チェン カイ1, 2、スガヴァネシュワ ラム1, 2、ダオ タン1, 2、⻑尾 忠昭1, 2
1.物材機構, 2.JST-CERST
Oral
3/19(⼟) 11:30 11:45
19a-H116-11 C001670
E
An all-optical three terminal device based on photo-excitation of magnetization
〇Hiro Munekata1, Katsunori Takahashi1, Kenta Iizuka1, Yamato Iwasaki1
1.ISEL Tokyo Tech.
3.16
Oral
3/19(⼟) 11:45 12:00
19a-H116-12 C002158
E
BOCDR assisted by the slope of Brillouin scattering spectrum
〇(M1)Heeyoung Lee1, Neisei Hayashi1, Yosuke Mizuno1, Kentaro Nakamura1
3.16
Poster
3/20(⽇) 13:30 15:30
20p-P6-1
C003231
E
Lanthanide ions for suppression of molecular photodamages under DUV biological imaging: pH dependency
〇(M2C)YauChuen YIU1, Yasuaki KUMAMOTO2, Atsushi TAGUCHI1, Satoshi KAWATA1
1.Department of Applied Physics, Osaka Univ., 2.Department of Pathology and Cell Regulation, Kyoto Prefectural Univ. of Medicine
3.16
Poster
3/20(⽇) 13:30 15:30
20p-P6-2
C003328
E
Performance analysis of optical frequency comb profilometry with a single pixel camera based on ghost imaging
〇(M1)Makhtar Nabila1, Quang Duc Pham1, Yasuhiro Mizutani2, Yoshio Hayasaki1
1.Utsunomiya Univ., 2.Osaka Univ.
3
3.16
Poster
3/20(⽇) 13:30 15:30
20p-P6-3
C002166
E
Effect of pump wavelength on Brillouin gain spectra in optical fibers
〇(M1)Heeyoung Lee1, Neisei Hayashi1, Yosuke Mizuno1, Kentaro Nakamura1
1.Tokyo Tech
6
6.1
Poster
3/20(⽇)
9:30
11:30
20a-P1-1
C003616
極低温下におけるPZT薄膜のリーク電流特性
〇(M1)畠 希1、佐々⽊ 敏夫2、橋⽖ 洋⼀郎1、中嶋 宇史1、岡村 総⼀郎1
1.東理⼤理, 2.東北⼤⾦研
6
6.1
Poster
3/20(⽇)
9:30
11:30
20a-P1-2
C003042
チタン酸ジルコニウム酸鉛薄膜の強誘電分域のひずみイメージング
〇(B)⼀番ヶ瀬 友哉1、⾼⽥ 啓⼆1
1.関⻄⼤理⼯
6
6.1
Poster
3/20(⽇)
9:30
11:30
20a-P1-3
C001530
コンビナトリアルスパッタ法を⽤いたPMN-PZ-PT薄膜の組成依存性評価
〇寺元 卓也1、⿊川 ⽂弥1、辻浦 裕⼀1、肥⽥ 博隆1、神野 伊策1
1.神⼾⼤⼯
6
6.1
Poster
3/20(⽇)
9:30
11:30
20a-P1-4
C002915
強誘電体インクジェット成膜に⽤いる吐出液の検討
松岡 勇汰1、〇⼭⼝ 正樹1, 2、増⽥ 陽⼀郎3
1.芝浦⼯⼤⼯, 2.芝浦⼯⼤RCGI, 3.⼋⼾⼯⼤⼯
6
6.1
Poster
3/20(⽇)
9:30
11:30
20a-P1-5
C001621
BIT系⾮鉛圧電材料のスパッタ薄膜形成と特性評価
〇⽔嵜 英明1、⽶久保 荘1、⼯藤 賢⼀1、⻄野⼊ 隆2、奥冨 衛2、児⽟ 泰史2、⽔越 健輔2、平林 明2
6
6.1
Poster
3/20(⽇)
9:30
11:30
20a-P1-6
C001278
ラマン分光法を⽤いたBaTiO3の酸素⽋陥の評価
〇福島 浩晃1、岡 廣隆1、神津 知⼰1、⾈窪 浩2、内⽥ 寛3、森分 博紀4、島 宏美1、⻄⽥ 謙1
1.防衛⼤, 2.東⼯⼤, 3.上智⼤, 4.ﾌｧｲﾝｾﾗﾐｯｸｾﾝﾀｰ
6
6.1
Poster
3/20(⽇)
9:30
11:30
20a-P1-7
C001220
⼀軸延伸による強誘電性⾼分⼦の表⾯構造および残留分極値の変化
〇福⽥ 圭佑1、宝⽥ 隼1、古川 昭雄1
1.東理⼤院理⼯
6
6.1
Poster
3/20(⽇)
9:30
11:30
20a-P1-8
C003419
β- Ga2O3単結晶基板上への(Hf,Zr)O2薄膜の成⻑
〇⾼⽥ 賢志1、⼩前 智也1、⽊⼝ 拓也1、野瀬 幸則1、吉村 武1、芦⽥ 淳1、藤村 紀⽂1
1.⼤阪府⼤
6
6.1
Poster
3/20(⽇)
9:30
11:30
20a-P1-9
C003240
圧電型触覚センサのためのBiFeO3薄膜の作製と評価
〇河野 壮1、三原 雅⼈1、⽥辺 任1、安部 隆1、奥⼭ 雅則2、寒川 雅之1
1.新潟⼤⼯, 2.⼤阪⼤⼯
6
6.1
Poster
3/20(⽇)
9:30
11:30
20a-P1-10
C003347
靴における圧電発電の検討
〇柿原 凌汰1、苅⾕ 健⼈1、松下 裕司1、吉村 武1、藤村 紀⽂1
1.⼤阪府⼤院⼯
6
6.1
Oral
3/21(⽉)
9:00
9:15
21a-W641-1
C000810
ナノシート界⾯層を利⽤した配向性PZT厚膜の作製
宮崎 ⻯⽃1、⼀ノ瀬 ⼤地2、⾦ 鎭雄3、島 宏美3、⾚間 章裕4、⽊⼝ 賢紀4、⻄⽥ 謙3、⾦野 豊彦4、⾈窪 浩2、〇内⽥ 寛1
1.上智⼤理⼯, 2.東⼯⼤物創, 3.防衛⼤, 4.東北⼤⾦研
6
6.1
Oral
3/21(⽉)
9:15
9:30
21a-W641-2
C002775
6
6.1
Oral
3/21(⽉)
9:30
9:45
21a-W641-3
C002772
6
6.1
Oral
3/21(⽉)
9:45
10:00
21a-W641-4
6
6.1
Oral
3/21(⽉) 10:00 10:15
21a-W641-5
6
6.1
Oral
奨
奨
1.Univ. of Tokyo, 2.Tsinghua Univ., 3.UCLA, 4.JST
1.International Center for Materials Nanoarchitectonics (MANA), National Institute for Materials Science (NIMS), 1-1 Namiki, Tsukuba,
Ibaraki 305-0044, Japan, 2.CREST, Japan Science and Technology Agency, 4-1-8 Honcho, Kawaguchi, Saitama 332-0012, Japan,
3.Department of Condensed Matter Physics, Graduate School of Science, Hokkaido University, Sapporo 060-0810, Japan
1.Tokyo Tech
1.⻑野県⼯技セ, 2.セラテックジャパン
正⽅晶/菱⾯体晶Pb(ZrxTi1-x)O3⼈⼯超格⼦薄膜における圧電応答の層厚依存性
〇⼭⽥ 智明1, 2、海⽼原 洋平1、坂⽥ 修⾝3, 4、森岡 仁5、⽊⼝ 賢紀6、清⽔ 荘雄4、⾈窪 浩4、吉野 正⼈1、⻑崎 正雅1
電界印加による⾯内分極軸優先配向Pb(Zr,Ti)O3薄膜のドメイン構造変化
〇⼀ノ瀬 ⼤地1、江原 祥隆1、清⽔ 荘雄1、坂⽥ 修⾝2, 3、⼭⽥ 智明4, 5、⾈窪 浩1
1.東⼯⼤, 2.NIMS, 3.SPring-8, 4.名⼤, 5.PRESTO
C001292
PZT圧電薄膜の正圧電特性経時変化
〇⻄ 崇仁1、辻浦 裕⼀1、⿊川 ⽂弥1、肥⽥ 博隆1、神野 伊策1
1.神⼤⼯
C001288
積層圧電薄膜の作製およびその実効的圧電特性評価
〇⼭本 稜祐1、⿊川 ⽂弥1、辻浦 裕⼀1、肥⽥ 博隆1、神野 伊策1、牧本 なつみ2、⼩林 健2
1.神⼤⼯, 2.産総研
奨
1.名古屋⼤, 2.JSTさきがけ, 3.物質・材料研究機構, 4.東⼯⼤, 5.BrukerAXS, 6.東北⼤
3/21(⽉) 10:15 10:30
21a-W641-6
C000915
化学溶液法によるピエゾMEMSデバイス向けPZT薄膜形成
〇河原 正美1、KIM SEUNG-HYUN2
1.(株)⾼純度化学研, 2.Brown⼤
6
6.1
Oral
3/21(⽉) 10:30 10:45
21a-W641-7
C001672
パルスポーリングが基板上およびMEMSカンチレバー上PZT薄膜の圧電特性に与える影響
〇⼩林 健1、牧本 なつみ1
1.産総研
6
6.1
Oral
3/21(⽉) 10:45 11:00
6
6.1
Oral
3/21(⽉) 11:00 11:15
21a-W641-8
C002062
強誘電体薄膜のドメインダイナミクスと負のキャパシタンスの第⼀原理計算
〇笠松 秀輔1、渡邉 聡2、Han Seungwu3、Hwang Cheol Seong3
1.東⼤物性研, 2.東⼤院⼯, 3.ソウル⼤
6
6.1
Oral
3/21(⽉) 11:15 11:30
21a-W641-9
C001442
SNDM線形誘電率ナノイメージングにおける空間分解能の数値解析
〇平永 良⾂1、茅根 慎通1、⻑ 康雄1
1.東北⼤通研
6
6.1
Oral
3/21(⽉) 11:30 11:45 21a-W641-10 C003622
Hysteresis of the Electrostatic Potential of (GeTe)2 Sb2Te3 Superlattice Grains Measured by Scanning Probe Spectroscopy
〇Leonid Bolotov1, Tetsuya Tada1, Yuta Saito1, Junji Tominaga1
1.AIST
6
6.1
Oral
3/21(⽉) 11:45 12:00 21a-W641-11 C001575
PLD法による正⽅晶(Bi,K)TiO3エピタキシャル膜作製と圧電特性評価
〇根本 祐⼀1、⼀ノ瀬 ⼤地1、清⽔ 荘雄2、内⽥ 寛3、⾈窪 浩1, 2
1.東⼯⼤総理⼯, 2.東⼯⼤元素, 3.上智⼤理⼯
6
6.1
Oral
3/21(⽉) 12:00 12:15 21a-W641-12 C003594
Bi2ZnTiO6薄膜の結晶構造とその誘電特性
〇富永 健1、北條 元1、東 正樹1
1.東⼯⼤ 応セラ
休憩/Break
6
6.1
Oral
3/21(⽉) 13:45 14:00
21p-W641-1
I000174
6
6.1
Oral
3/21(⽉) 14:00 14:15
21p-W641-2
C002663
奨
E
奨
招
「講演奨励賞受賞記念講演」（15分）
⾼濃度マンガン置換ニオブ酸リチウム薄膜の可視光起電⼒特性評価
(111)SrTiO3基板上への(Ba,La)SnO3薄膜の作製と特性評価
〇⽝塚 淳1、⾼橋 秀輔1、井上 亮太郎2、野⼝ 祐⼆1、宮⼭ 勝1
1.東⼤院⼯, 2.⽇⼤医
〇三浦 光平1、⼭下 紘誉1、⼩前 智也1、吉村 武1、芦⽥ 淳1、藤村 紀⽂1
1.阪府⼤⼯
2016年春季講演会(東⼯⼤⼤岡⼭キャンパス)プログラム
⼤分類 中分類
形式
講演⽇
開始
終了
【1⽉28⽇(⽊)更新】暫定版からの更新箇所は⾚字になっております。
講演番号
受付番号
奨励賞 英語 招待
6
6.1
Oral
3/21(⽉) 14:15 14:30
21p-W641-3
C002309
6
6.1
Oral
3/21(⽉) 14:30 14:45
21p-W641-4
C003504
6
6.1
Oral
3/21(⽉) 14:45 15:00
21p-W641-5
C002103
6
6.1
Oral
3/21(⽉) 15:00 15:15
21p-W641-6
6
6.1
Oral
3/21(⽉) 15:15 15:30
21p-W641-7
6
6.1
Oral
3/21(⽉) 15:30 15:45
6
6.1
Oral
3/21(⽉) 15:45 16:00
21p-W641-8
C003045
奨
6
6.1
Oral
3/21(⽉) 16:00 16:15
21p-W641-9
C002069
6
6.1
Oral
3/21(⽉) 16:15 16:30 21p-W641-10 C003395
6
6.1
Oral
3/21(⽉) 16:30 16:45 21p-W641-11 C003506
6
所属機関
{110}⼀軸配向ペロブスカイト型酸化物薄膜の作製と結晶構造解析
〇(B)佐藤 智也1、⽊村 純⼀2、⼀ノ瀬 ⼤地2、三村 和仙2、⾈窪 浩2、内⼭ 潔1
1.鶴岡⾼専, 2.東⼯⼤
電⼦強誘電体YbFe2O4薄膜の電⼦状態とその光吸収特性への影響
〇樫本 涼1、吉村 武1、芦⽥ 淳1、藤村 紀⽂1
1.阪府⼤⼯
BaTiO3/SrRuO3光電変換デバイスの作製と特性評価
〇朽名 和俊1、松尾 拓紀1、北中 佑樹1、野⼝ 祐⼆1、宮⼭ 勝1
1.東⼤院⼯
C001447
Ba1-xCaxTiO3/ZnOヘテロ接合の作製とバンド配置の解析
〇後⽥ 敦史1、⼭⽥ 裕明1、⼩前 智也1、吉村 武1、藤村 紀⽂1
1.阪府⼤院⼯
C000866
チタン酸ジルコン酸バリウムナノキューブの合成とその誘電特性
〇三村 憲⼀1、⾺ 強1、加藤 ⼀実1
1.産総研
固相成⻑による配向制御したHfO2基強誘電体薄膜の作製と特性評価
〇三村 和仙1、⽚⼭ きりは1、清⽔ 荘雄2、内⽥ 寛3、⽊⼝ 賢紀4、⾚間 章裕4、今野 豊彦4、坂⽥ 修⾝5、⾈窪 浩1, 2
1.東⼯⼤総理⼯, 2.東⼯⼤元素, 3.上智⼤理⼯, 4.東北⼤⾦研, 5.NIMS
奨
⾛査型⾮線形誘電率顕微鏡における強誘電性Y:HfO2薄膜のドメイン反転
〇陳 ⾈1、平永 良⾂1、清⽔ 荘雄2、⽚⼭ きりは2、三村 和仙2、⾈窪 浩2、⻑ 康雄1
1.東北⼤通研, 2.東⼯⼤
奨
k-Al2O3型MexFe2-xO3エピタキシャル薄膜の構造と強誘電性(I)
〇浜嵜 容丞1、安井 伸太郎1、⾕⼭ 智康1、清⽔ 荘雄2、⼩⻄ 綾⼦3、森分 博紀3、⽩⽯ 貴久4、⾚間 章裕4、⽊⼝ 賢紀4、伊藤 満1
1.東⼯⼤応セラ研, 2.東⼯⼤元素戦略, 3.JFCC, 4.東北⼤⾦研
k-Al2O3型MexFe2-xO3エピタキシャル薄膜の構造と強誘電性(II)
〇浜嵜 容丞1、安井 伸太郎1、⾕⼭ 智康1、清⽔ 荘雄2、⼩⻄ 綾⼦3、森分 博紀3、⽩⽯ 貴久4、⾚間 章裕4、⽊⼝ 賢紀4、伊藤 満1
1.東⼯⼤応セラ研, 2.東⼯⼤元素戦略, 3.JFCC, 4.東北⼤⾦研
奨
休憩/Break
3/21(⽉) 16:45 17:00 21p-W641-12 C003583
巨⼤c /a 相Ga 置換BiFeO3 薄膜の作製と配向制御
〇清⽔ 啓佑1、北條 元1、東 正樹1
1.東⼯⼤応セラ研
6.1
Oral
3/21(⽉) 17:00 17:15 21p-W641-13 C000417
ITO/シリカガラス基板上へのBiFeO3およびZnO/BiFeO3薄膜の作製とその光誘起特性
⽚⼭ 丈嗣1、林 幸壱朗1、〇坂本 渉1、余語 利信1
1.名⼤未来研
6
6.1
Oral
3/21(⽉) 17:15 17:30
休憩/Break
6
6.1
Oral
3/21(⽉) 17:30 17:45 21p-W641-14 C001557
奨
BiFeO3系強誘電体薄膜の可視光下光起電⼒-Gap-State Engineeringによる材料設計-
〇(DC)松尾 拓紀1、北中 佑樹1、野⼝ 祐⼆1、宮⼭ 勝1
1.東⼤院⼯
6
6.1
Oral
3/21(⽉) 17:45 18:00 21p-W641-15 C003706
奨
正圧電応答における強誘電ドメインの寄与の解析
〇苅⾕ 健⼈1、荒牧 正明1、吉村 武1、藤村 紀⽂1
1.阪府⼤⼯院
6
6.1
Oral
3/21(⽉) 18:00 18:15 21p-W641-16 C002441
奨
遷移⾦属元素をドープした単⼀ドメインBiFeO3薄膜の異常光起電⼒効果(Ⅱ)
〇(M1)⾼⼭ 幸太1、中嶋 誠⼆1、藤沢 浩訓1、清⽔ 勝1
1.兵庫県⽴⼤学
6
6.1
Oral
3/21(⽉) 18:15 18:30 21p-W641-17 C001994
室温マルチフェロイクスBiFeO3単結晶の磁気ドメインの特性
〇伊藤 利充1、尾崎 康⼦1、富岡 泰秀1、徳永 将史2
1.産総研, 2.東⼤物性研
6
6.1
Oral
3/21(⽉) 18:30 18:45 21p-W641-18 C001567
Growth and electrical properties of BiFeO3-(Bi1/2Na1/2)TiO3 thin films
〇(D)JINHONG CHOI1, Takeshi Yoshimura1, Norifumi Fujimura1
1.Osaka Pref. Univ.
6
6.1
Oral
3/21(⽉) 18:45 19:00 21p-W641-19 C001653
振動発電応⽤に向けたBiFeO3厚膜の作製
〇荒牧 正明1、苅⾕ 健⼈1、吉村 武1、村上 修⼀2、藤村 紀⽂1
1.阪府院⼯, 2.阪府産技研
6
6.2
Oral
3/19(⼟) 13:15 13:30
19p-H103-1
C002407
CVDダイヤモンドの成⻑モード制御による⾼配向NVセンターの⾼密度化
〇⼩澤 勇⽃1, 2、⽥原 康佐1, 2、⽯綿 整1, 2、岩崎 孝之1, 2、波多野 睦⼦1, 2
1.東⼯⼤, 2.CREST
6
6.2
Oral
3/19(⼟) 13:30 13:45
19p-H103-2
C002908
NVセンターの形成効率の熱処理温度依存性
〇(M2)春⼭ 盛善1, 2、⼩野⽥ 忍2、⽴⾒ 和雅1、寺地 徳之3、磯⾕ 順⼀4、加⽥ 渉1、⼤島 武2、花泉 修1
1.群⾺⼤理⼯, 2.原⼦⼒機構, 3.物材機構, 4.筑波⼤学
6
6.2
Oral
3/19(⼟) 13:45 14:00
19p-H103-3
C002755
奨
⾼配向NVセンター デルタドープ薄膜の形成
〇⽯綿 整1, 2、⽥原 康佐1, 2、⼩澤 勇⽃1, 2、岩崎 孝之1, 2、波多野 睦⼦1, 2
1.東⼯⼤, 2.CREST
6
6.2
Oral
3/19(⼟) 14:00 14:15
19p-H103-4
C001458
奨
ダイヤモンド粒⼦中に形成したGeVセンターの発光特性
〇島本 祐輔1、岩崎 孝之1, 2、須藤 健瑠1, 2、波多野 睦⼦1, 2、⼩⽥ 俊理1, 3
6
6.2
Oral
3/19(⼟) 14:15 14:30
19p-H103-5
C002404
奨
NVセンターを⽤いたダイヤモンドデバイス内部電界の検出
〇(M2)成⽊ 航1, 3、岩崎 孝之1, 3、⽥原 康佐1, 3、加藤 宙光2, 3、牧野 俊晴2, 3、⼩倉 政彦2, 3、⽵内 ⼤輔2, 3、⼭崎 聡3, 2、波多野 睦⼦1, 3
1.東⼯⼤, 2.産総研, 3.CREST
6
6.2
Oral
3/19(⼟) 14:30 14:45
19p-H103-6
C002758
nin構造を⽤いたダイヤモンドNV中⼼の電荷状態制御
〇村井 拓哉1、牧野 俊晴2, 3、加藤 宙光2, 3、⼟井 悠⽣1、鈴⽊ 義茂1、波多野 睦⼦3, 4、⼭崎 聡2, 3、清⽔ ⿇希3, 5、⽔落 憲和1, 3, 6
1.阪⼤基礎⼯, 2.産総研, 3.CREST, 4.東⼯⼤, 5.東京理科⼤, 6.京⼤化研
6
6.2
Oral
3/19(⼟) 14:45 15:00
19p-H103-7
C003476
6
6.2
Oral
3/19(⼟) 15:00 15:15
19p-H103-8
C002033
奨
6
6.2
Oral
3/19(⼟) 15:15 15:30
6
6.2
Oral
3/19(⼟) 15:30 15:45
19p-H103-9
C003694
奨
6
6.2
Oral
3/19(⼟) 15:45 16:00
19p-H103-10 C002779
6.2
Oral
著者
6
6
6.1
奨
13 / 52 ページ
※会場、時間が変更になった場合は該当の⽅にご連絡いたします。
講演タイトル
Oral
E
奨
ダイヤモンドnin接合におけるNVセンタの電荷状態の制御
表⾯終端による浅いNVセンターの電荷状態
〇清⽔ ⿇希1, 2、牧野 俊晴2, 3、Amici Renato Goes4、岩崎 孝之2, 4、⻑⾕川 淳⼀4、⽥原 康佐4、成⽊ 航4、加藤 宙光3、⽵内 ⼤輔3、⼭崎 聡
2, 3、波多野 睦⼦2, 4
〇(B)加藤 かなみ1、⼭野 颯1、蔭浦 泰資1、瀬下 裕志1、稲葉 優⽂1、東⼜ 格1、⼩池 悟⼤1、⾕井 孝⾄1、磯⾕ 順⼀2、寺地 徳之3、⼩野⽥ 忍4、
春⼭ 盛善5、加⽥ 渉5、花泉 修5、川原⽥ 洋1
1.東⼯⼤, 2.CREST, 3.東⼯⼤量⼦ナノエレ研セ
1.東理⼤理, 2.CREST, 3.産総研, 4.東⼯⼤
1.早稲⽥⼤学, 2.筑波⼤学, 3.物質・材料研究機構, 4.⽇本原⼦⼒研究開発機構, 5.群⾺⼤学
休憩/Break
磁気センサー応⽤に向けた単⼀のNVセンターの作製と状態の評価
奨
〇(B)⼭野 颯1、加藤 かなみ1、蔭浦 泰資1、稲葉 優⽂1、東⼜ 格1、⼩池 悟⼤1、春⼭ 盛善2, 4、⾕井 孝⾄1、⼩野⽥ 忍2、寺地 徳之3、加⽥ 渉4、
花泉 修4、磯⾕ 順⼀5、川原⽥ 洋1
1.早稲⽥⼤, 2.原⼦⼒機構, 3.物材機構, 4.群⾺⼤, 5.筑波⼤
ダイヤモンド中のNVセンタを⽤いた静磁場イメージング
〇⽔野 皓介1、⽥原 康佐1, 3、成⽊ 航1, 3、岩崎 孝之1, 3、関⼝ 武治2、原⽥ 慶恵2, 3、波多野 睦⼦1, 3
1.東⼯⼤, 2.京都⼤, 3.JST-CREST
⾼配向・⾼密度NVセンタアンサンブルを⽤いた交流磁場測定
〇(D)⽥原 康佐1, 2、⼩澤 勇⽃1, 2、岩崎 孝之1, 2、波多野 睦⼦1, 2
1.東⼯⼤, 2.JST-CREST
3/19(⼟) 16:00 16:15
19p-H103-11 C002568
6
6.2
Oral
3/19(⼟) 16:15 16:30
19p-H103-12 C001690
6
6.2
Oral
3/19(⼟) 16:30 16:45
6
6.2
Oral
3/19(⼟) 16:45 17:00
19p-H103-13 C000405
奨
⾼耐圧・⾼電流密度を有するノーマリオフC-HダイヤモンドMOSFET
〇(B)⼯藤 拓也1、北林 祐哉1、⼭⽥ 哲也1、許 德琛1、斎藤 俊輝1、松村 ⼤輔1、林 佑哉1、瀬下 裕志1、平岩 篤1、川原⽥ 洋1
6
6.2
Oral
3/19(⼟) 17:00 17:15
19p-H103-14 C003372
奨
C-H多結晶ダイヤモンドMOSFETへの⾼電圧印加による電流特性変化
〇(M1)⽜ 俊雄1、許 德琛1、⼭⽥ 哲也1、北林 祐哉1、斎藤 俊輝1、柴⽥ 将暢1、松村 ⼤輔1、⼯藤 拓也1、稲葉 優⽂1、平岩 篤1、川原⽥ 洋1
1.早⼤理⼯
6
6.2
Oral
3/19(⼟) 17:15 17:30
19p-H103-15 C003495
奨
縦型構造トレンチチャネルC-HダイヤモンドMOSFET(Ⅱ)
〇(B)牟⽥ 翼1、斎藤 俊輝1、⼯藤 拓也1、北林 祐哉1、松村 ⼤輔1、⽜ 俊雄1、稲葉 優⽂1、平岩 篤1、川原⽥ 洋1
1.早⼤理⼯
6
6.2
Oral
3/19(⼟) 17:30 17:45
19p-H103-16 C003671
奨
ゲート型ダイヤモンド電解質溶液ゲートFETの電流電圧特性
〇(B)五⼗嵐 圭為1、楢村 卓朗1、モフドスクリ シャイリ1、稲葉 優⽂1、新⾕ 幸弘1, 2、平岩 篤1、川原⽥ 洋1
1.早⼤理⼯, 2.横河電機
6
6.2
Oral
3/19(⼟) 17:45 18:00
19p-H103-17 C000081
強誘電体をゲート絶縁膜としたダイヤモンド表⾯チャネル型FET構造の作製 (2)
柄⾕ 涼太1、古市 浩幹1、⾺場 ⼀気1、森 陽介1、中嶋 宇史2、徳⽥ 規夫1、〇川江 健1
6
6.2
Oral
3/19(⼟) 18:00 18:15
19p-H103-18 C002688
High-k TiO2 Films Deposition on Hydrogenated-diamond
〇Jiangwei LIU1, Meiyong Liao1, Masataka Imura1, Banal Ryan1, Yasuo Koide1
1.NIMS
6
6.2
Oral
3/19(⼟) 18:15 18:30
19p-H103-19 C003705
ダイヤモンド表⾯のSO2ホールドーピングの実時間測定
〇(PC)花⽥ 賢志1、嘉数 誠1
1.佐賀⼤
6
6.2
Oral
3/19(⼟) 18:30 18:45
19p-H103-20 C002467
シンクロトロンX線トポグラフィーによる低⽋陥密度⾼温⾼圧合成ダイヤモンド(111)単結晶の積層⽋陥観察
〇桝⾕ 聡⼠1、森林 明也1、花⽥ 賢志1、⾓⾕ 均2、嘉数 誠1
1.佐賀⼤院⼯, 2.住友電⼯アドバンストマテリアル研究所
6
6.2
Oral
3/19(⼟) 18:45 19:00
19p-H103-21 C002391
シンクロトロンX線トポグラフィーによる低⽋陥密度⾼温⾼圧合成(110)ダイヤモンド単結晶の積層⽋陥の部分転位観察
〇桝⾕ 聡⼠1、森林 朋也1、花⽥ 賢志1、⾓⾕ 均2、嘉数 誠1
1.佐賀⼤院⼯, 2.住友電⼯アドバンストマテリアル研究所
6
6.2
Oral
3/20(⽇)
9:00
9:15
20a-H103-1
C003624
Diamond growth perturbed by high TMB partial pressures
〇(PC)Alexandre FIORI1, Tokuyuki TERAJI1
1.NIMS
6
6.2
Oral
3/20(⽇)
9:15
9:30
20a-H103-2
C003652
ヘテロエピタキシャルダイヤモンド下地を⽤いたホウ素添加ダイヤモンド成⻑および電気化学測定
〇伊藤 誠⼈1、児⽟ 英之1、渡辺 剛志2、栄⻑ 泰明2、鈴⽊ ⼀博3、澤邊 厚仁1
1.⻘学⼤理⼯, 2.慶應⼤理⼯, 3.トウプラスエンジニアリング
6
6.2
Oral
3/20(⽇)
9:30
9:45
20a-H103-3
C002369
ホウ素添加ナノ多結晶ダイヤの開発と基礎特性
〇池⽥ 和寛1、⾓⾕ 均1
1.住友電気⼯業株式会社
6
6.2
Oral
3/20(⽇)
9:45
10:00
20a-H103-4
C001668
{111}リンドープダイヤモンド薄膜成⻑のオフ⾓依存性Ⅱ
〇⼩泉 聡1、⼭本 卓1、⼤⾕ 亮太1、Janssens Stoffel1
1.物材機構
6
6.2
Oral
3/20(⽇) 10:00 10:15
20a-H103-5
C003354
固体挿⼊プラズマCVD法によるBiを含む新規炭素系物質の合成
〇(D)⽥村 貴⼤1、柳瀬 隆2、⻑浜 太郎2、島⽥ 敏宏2
1.北⼤院総化, 2.北⼤院⼯
6
6.2
Oral
3/20(⽇) 10:15 10:30
20a-H103-6
C001716
⼤⾯積ダイヤモンド基板上への合成におけるAr導⼊効果
〇⼭⽥ 英明1、茶⾕原 昭義1、杢野 由明1
1.産総研
20a-H103-7
C002729
酸素添加条件で成⻑したホモエピタキシャルダイヤモンド(100)薄膜中の⽋陥評価
〇寺地 徳之1、渡邊 賢司1
1.物材機構
ダイヤモンドのNVセンターを⽤いる超⾼感度NMR
〇磯⾕ 順⼀1、⾓⾕ 均2、Scheuer Jochen3、Schwartz Ilai3、Chen Qiong3、Schulze-Suenninghausden David4、Carl Patrick5、Hoefer
Peter5、Retzker Alexander6、Luy Burkhard4、Plenio Martin3、Naydenov Boris3、Jelezko Jelezko3
1.筑波⼤, 2.住友電⼯, 3.ウルム⼤, 4.カールスルーエ⼤, 5.ブルカー, 6.ヘブライ⼤
休憩/Break
6
6.2
Oral
3/20(⽇) 10:30 10:45
6
6.2
Oral
3/20(⽇) 10:45 11:00
6
6.2
Oral
3/20(⽇) 11:00 11:15
6
6.2
Oral
3/20(⽇) 11:15 11:30
6
6.2
Oral
3/20(⽇) 11:30 11:45
6
6.2
Oral
3/20(⽇) 11:45 12:00
20a-H103-11 C001974
6
6.2
Oral
3/20(⽇) 13:15 13:30
20p-H103-1
C003214
6
6.2
Oral
3/20(⽇) 13:30 13:45
20p-H103-2
C000289
6
6.2
Oral
3/20(⽇) 13:45 14:00
20p-H103-3
6
6.2
Oral
3/20(⽇) 14:00 14:15
20p-H103-4
6
6.2
Oral
3/20(⽇) 14:15 14:30
20p-H103-5
C000930
E
奨
E
1.早⼤理⼯
1.⾦沢⼤, 2.東京理科⼤
休憩/Break
20a-H103-8
C003628
奨
格⼦状核発⽣領域を⽤いたダイヤモンドのヘテロエピタキシャル成⻑Ⅱ
〇市川 公善1、児⽟ 英之1、鈴⽊ ⼀博2、澤邊 厚仁1
1.⻘学⼤理⼯, 2.トウプラスエンジニアリング
20a-H103-9
C000909
奨
⾼密度プラズマによる3C-SiC/Si上のダイヤモンド核配向性の向上
〇⽮板 潤也1, 2、岩崎 孝之1, 2, 3、Natal Meralys4、Saddow Stephen4、波多野 睦⼦1, 2, 3
1.東京⼯業⼤学, 2.CREST, 3.ALCA, 4.南フロリダ⼤学
20a-H103-10 C001281
奨
パルスバイアス核形成法を⽤いた3C-SiC(111)/Si(111)上への⾼配向ダイヤモンドの合成
〇須藤 建瑠1, 2、⽮板 潤也1, 2、岩崎 孝之1, 2, 3、波多野 睦⼦1, 2, 3
1.東⼯⼤院, 2.CREST, 3.ALCA
奨
同軸型アークプラズマ堆積法により作製した窒素添加超ナノ微結晶ダイヤモンド/アモルファスカーボン混相膜の微細構造評価
〇(DC)儀間 弘樹1、アブデルラーマン ゼクリア1, 2、吉武 剛1
1.九⼤, 2.アスワン⼤
ダイヤモンド同位体超格⼦における詳細な格⼦振動
〇坂東 優樹1、斎藤 晋1
1.東⼯⼤理
ボロンドープダイヤモンド超伝導量⼦⼲渉計の作製に向けたジョセフソン接合の直流、交流ジョセフソン効果の観測
〇⽇出幸 昌邦1、蔭浦 泰資1、柴⽥ 将暢1、北林 祐哉1、笹間 陽介2、⼭⼝ 尚秀2、⾼野 義彦2、川原⽥ 洋1
1.早⼤理⼯, 2.物材機構
C001365
バイポーラモード動作ノーマリオフダイヤモンドJFETの⾼温特性
〇岩崎 孝之1, 2, 3、加藤 宙光3, 4、牧野 俊晴3, 4、⼩倉 政彦3, 4、⽵内 ⼤輔3, 4、⼭崎 聡3, 4、波多野 睦⼦1, 2, 3
C003081
縦型ダイヤモンドJFETの作製
〇諏訪 泰介1、岩崎 孝之1, 2, 3、加藤 宙光3, 4、牧野 俊晴3, 4、⼩倉 政彦3, 4、⽵内 ⼤輔3, 4、⼭崎 聡3, 4、波多野 睦⼦1, 2, 3
1.東⼯⼤, 2.ALCA, 3.CREST, 4.産総研
E
Reverse-Recovery in Diamond PIN diodes
〇(PC)Aboulaye Traore1, Akira Nakajima1, Toshiharu Makino1, 2, Daisuke Kuwabara1, 2, 3, Hiromitsu Kato1, 2, Satoshi Yamasaki1, 2, 3
1.AIST, 2.CREST/AIST, 3.Univ. of Tsukuba
E
Energy Dissipation in Single Crystal Diamond Mechanical Resonators
〇Meiyong Liao1, Masaya Toda2, Liwen Sang1, Masataka Imura1, Shunich Hishita1, Shuji Tanaka2, Yasuo Koide1
1.NIMS, 2.Tohoku Uni.
奨
1.東⼯⼤, 2.ALCA, 3.CREST, 4.産総研
6
6.2
Oral
3/20(⽇) 14:30 14:45
20p-H103-6
C000456
6
6.2
Oral
3/20(⽇) 14:45 15:00
6
6.2
Oral
3/20(⽇) 15:00 15:15
20p-H103-7
C001593
6
6.2
Oral
3/20(⽇) 15:15 15:30
20p-H103-8
C000153
6
6.2
Oral
3/20(⽇) 15:30 15:45
20p-H103-9
C001901
6
6.2
Oral
3/20(⽇) 15:45 16:00
20p-H103-10 C001301
6
6.2
Oral
3/20(⽇) 16:00 16:15
20p-H103-11 C000983
奨
6
6.2
Oral
3/20(⽇) 16:15 16:30
20p-H103-12 C000996
奨
6
6.2
Oral
3/20(⽇) 16:30 16:45
20p-H103-13 C000539
6
6.2
Oral
3/20(⽇) 16:45 17:00
20p-H103-14 C002923
奨
6
6.2
Oral
3/20(⽇) 17:00 17:15
6
6.2
Oral
3/20(⽇) 17:15 17:30
20p-H103-15 C001223
奨
トリメチルボラジンからのa-BCN膜の作製
〇河越 奈沙1、⼭本 哲也2、中野 雅之3、岩本 喜直4、松尾 誠4、稗⽥ 純⼦1、⼤⽵ 尚登1、⾚坂 ⼤樹1
1.東⼯⼤, 2.⽇本触媒, 3.東京⾼専, 4.i-Motto
6
6.2
Oral
3/20(⽇) 17:30 17:45
20p-H103-16 C002892
⼤気圧窒素プラズマを⽤いた窒化炭素の合成、評価
〇財部 健⼀1、平井 正明1、藤野 拓真1、安井 望1
1.岡⼭理科⼤
6
6.2
Oral
3/20(⽇) 17:45 18:00
20p-H103-17 C002849
グラファイト状窒化炭素薄膜の合成温度による影響
〇⽻渕 仁恵1、藤⽥ 詩織1、堀江 弘将1、滝川 浩史2
1.岐⾩⾼専, 2.豊橋技科⼤
6
6.2
Oral
3/20(⽇) 18:00 18:15
20p-H103-18 C000868
光電⼦分光法を⽤いたN-doped a-Cの電荷状態の解析
〇(D)村⽥ 悠⾺1、市原 ⽂彦1、中⼭ 廉平1、⼩野 洋1、チュウ チャオキョン2、桑原 ⼤介1、⽥中 勝⼰1
1.電通⼤先進理⼯, 2.電通⼤国際交流
6
6.2
Oral
3/20(⽇) 18:15 18:30
20p-H103-19 C003305
Al膜上に堆積したSiO2/a-CNx:H多層膜からの電界電⼦放出
〇⽊下 治久1、村⼭ 翼1、松本 健1
1.静⼤院⼯
6
6.2
Oral
3/20(⽇) 18:30 18:45
20p-H103-20 C000926
スパッタ法により作製したアモルファス窒化炭素薄膜における投⼊電⼒の影響とその光誘起変形
〇原⽥ ⼈萌1、⻘野 祐美1、北沢 信章1、渡邉 芳久1
1.防⼤材料
6
6.2
Oral
3/20(⽇) 18:45 19:00
20p-H103-21 C001610
ポリマー状炭素粉末の⽔吸着特性
〇久保 暢也1、荒川 悟1、サラユット トゥンミー1、周 ⼩⿓1、⼩松 啓志1、齋藤 秀俊1
1.⻑岡技科⼤
6
6.2
Poster
3/21(⽉) 13:30 15:30
21p-P3-1
C001709
⽔素終端ダイヤモンド(001)表⾯の⾦オーミック電極の障壁⾼さ
〇河野 省三1、寺地 徳之2、⽵内 ⼤輔3、⼩倉 政彦3、児⽟ 英之1、澤邊 厚仁1
1.⻘学⼤理⼯, 2.物材機構, 3.産総研
6
6.2
Poster
3/21(⽉) 13:30 15:30
21p-P3-2
C001713
⽔素終端ダイヤモンド表⾯伝導層上の⾦オーミック電極の電気的特性
〇河野 省三1、稲葉 優⽂2、平岩 篤1、川原⽥ 洋1, 2
1.早⼤ナノ・ライフ, 2.早⼤理⼯
6
6.2
Poster
3/21(⽉) 13:30 15:30
21p-P3-3
C003219
分散化した⾼濃度ホウ素ドープ縮退CVDダイヤモンド多層膜構造のマクロスコピックな半導体特性
〇⽥渕 智⼤1、毎⽥ 修1、伊藤 利道1
1.阪⼤⼯
6
6.2
Poster
3/21(⽉) 13:30 15:30
21p-P3-4
C003218
微細構造を有するCVDダイヤモンド検出器のkeV電⼦の検出特性
〇清⽔ 彰⼈1、毎⽥ 修1、伊藤 利道1
1.阪⼤⼯
6
6.2
Poster
3/21(⽉) 13:30 15:30
21p-P3-5
C003571
n型ダイヤモンド薄膜およびダイヤモンドデバイスの耐X線・γ線特性
〇⼤⾕ 亮太1、廖 梅勇1、上野 克宜2、佐々⽊ 敬介2、⽥所 孝広2、坪⽥ 雅功3、⾦⼦ 純⼀3、⼩泉 聡1
6
6.2
Poster
3/21(⽉) 13:30 15:30
21p-P3-6
C000702
⾼温⾼圧合成ナノ多結晶ダイヤモンドの基礎物性評価
〇⽯川 晃啓1、濱⽥ 幸佑1、⽯川 史太郎1、松下 正史1、⼤藤 弘明2、新名 亨2、⼊船 徹男2
1.愛媛⼤学院理⼯, 2.愛媛⼤学GRC
6
6.2
Poster
3/21(⽉) 13:30 15:30
21p-P3-7
C001415
マイクロ波プラズマCVD 法によるDLC 積層Si 基板上での多結晶ダイヤモンド成⻑
〇品川 友宏1、古畑 武夫1、⼭林 弘也1、仲村 恵右1、⼭⽥ 英明2、⼭向 幹雄1
1.三菱電機, 2.産総研
6
6.2
Poster
3/21(⽉) 13:30 15:30
21p-P3-8
C000698
マイクロ波プラズマCVD 法による多結晶ダイヤモンド成⻑におけるSi 基板上へのSi 薄膜の挿⼊
〇古畑 武夫1、品川 友宏1、⼭林 弘也1、仲村 恵右1、⼭⽥ 英明2、⼭向 幹雄1
1.三菱電機, 2.産総研
休憩/Break
奨
奨
NEXAFS法と固体NMR法によるDLC膜のsp3/(sp3+sp2)⽐率の定量分析
〇(D)周 ⼩⿓1、Tunmee Sarayut1、鈴⽊ 常⽣1、河原 成元1、神⽥ ⼀浩2、Phothongkam Pat3、中島 秀樹3、⼩松 啓志1、齋藤 秀俊1
1.⻑岡技科⼤, 2.兵庫県⽴⼤, 3.泰国シンクロトロン光研究所
熱CVDアモルファスカーボンの低温成膜技術
〇渡邉 要介1
1.東京エレクトロン
ta-C/ダイヤモンド膜のカロテスト摩耗試験
〇(M1)今井 貴⼤1、藤井 裕真1、⼭野 将史1、針⾕ 達1、須⽥ 善⾏1、滝川 浩史1、神⾕ 雅男2、瀧 真3、⻑⾕川 祐史3、辻 信広3
1.豊橋技科⼤, 2.伊藤光学⼯業, 3.オンワード技研
DLC膜のはく離評価へのAE法の適応
〇⼤花 継頼1、間野 ⼤樹1、中村 挙⼦2
1.産総研製造技術RI, 2.産総研先進コーティングRC
軟X線照射によるSi含有⽔素化DLC膜の膜改質
〇(M1C)⽥中 祥太郎1、⻑⾕川 孝⾏1, 2、岡⽥ 真1、松井 真⼆1、神⽥ ⼀浩1
1.兵県⼤⾼度研, 2.合同会社シンクロトロンアナリシスLLC
フッ素化DLC薄膜表⾯への軟X線照射による機能性変化
〇(M1C)⾼松 ⼤樹1, 2、新部 正⼈1, 2、神⽥ ⼀浩1, 2
1.兵庫県⼤⼯, 2.⾼度研
ナノ構造アモルファスカーボン膜を⽤いた⽔分離膜
〇北野 宏樹1, 2、Josue Ortiz-Medine2、Aaron Morelos-Gomez2、林 卓也2, 3、⽵内 健司2, 3、藤重 雅嗣3、⼭⼝ 晃⽣1, 2、遠藤 守信2, 3
⽔溶性犠牲層溶解法で作製した⾃⽴スーパーDLC薄膜へのレーザ照射
〇針⾕ 達1、宮本 優1、⼭野 将史1、須⽥ 善⾏1、滝川 浩史1、河野 剛⼠1、神⾕ 雅男2、瀧 真3、⻑⾕川 祐史3、辻 信広3、⻄内 満美⼦4、榊 泰直
4、近藤 公伯4、⾦⼦ 智5
1.北川⼯業株式会社, 2.信州⼤学 アクア・イノベーション拠点（COI）, 3.信州⼤学 カーボン科研
1.豊橋技科⼤, 2.伊藤光学, 3.オンワード技研, 4.原⼦⼒機構, 5.神奈川産技センター
休憩/Break
奨
1.物材機構, 2.⽇⽴製作所, 3.北⼤
2016年春季講演会(東⼯⼤⼤岡⼭キャンパス)プログラム
⼤分類 中分類
形式
講演⽇
開始
終了
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講演番号
受付番号
奨励賞 英語 招待
14 / 52 ページ
※会場、時間が変更になった場合は該当の⽅にご連絡いたします。
講演タイトル
著者
所属機関
6
6.2
Poster
3/21(⽉) 13:30 15:30
21p-P3-9
C003429
奨
光電⼦分光法によるBドープ超ナノ微結晶ダイヤモンド/⽔素化アモルファスカーボン混相膜のショットキー障壁⾼さ評価
〇(DC)花⽥ 尊徳1、⼤曲 新⽮2、⽵市 悟志1、吉武 剛1
1.九⼤総理⼯, 2.産総研
6
6.2
Poster
3/21(⽉) 13:30 15:30
21p-P3-10
C002855
奨
ホウ素ドープ超ナノ微結晶ダイヤモンド/⽔素化アモルファスカーボン混相膜の⽋陥構造の評価
〇⽚宗 優貴1、⽵市 悟志2、吉武 剛2
1.九⼯⼤, 2.九⼤
6
6.2
Poster
3/21(⽉) 13:30 15:30
21p-P3-11
C002496
ダイヤモンドパウダへの銀コーティング(4)
〇井⼭ 年明1、⼤島 ⿓司1、飯塚 完司1
1.⽇⼯⼤
6
6.2
Poster
3/21(⽉) 13:30 15:30
21p-P3-12
C000761
墨スパッタ膜の構造とガス吸着特性
〇須⽥ 順⼦1、古⽥ 憲吾1、杉本 岩雄1、⾼橋 和彦2
1.東京⼯科⼤学 CS 学部, 2.同志社⼤学理⼯
6
6.2
Poster
3/21(⽉) 13:30 15:30
21p-P3-13
C003698
フッ素化⾮晶質炭素薄膜の極低温合成および物性評価
〇齋藤 登之1、年森 隆明1、⼩林 直樹1、佐藤 哲也1
1.⼭梨⼤学
6
6.2
Poster
3/21(⽉) 13:30 15:30
21p-P3-14
C003779
有機液体中での炭素薄膜の成⻑に及ぼす硫⻩の添加効果
〇(M1)⽩⽯ 理沙1、⽩⽯ 美佳1、佐藤 凌2、安藤 佳祐2、安藤 寿浩3、⼩室 修⼆2、蒲⽣⻄⾕ 美⾹2
1.東洋⼤院理⼯, 2.東洋⼤理⼯, 3.物材機構
6
6.2
Poster
3/21(⽉) 13:30 15:30
21p-P3-15
C000803
アモルファス窒化炭素薄膜の作製Ⅱ
〇内島 ⼀哉1、佐⽵ 聖樹2、澤畠 淳⼆3、中村 重之4、財部 健⼀5、福井 ⼀俊6、池⽥ 和聡6、伊藤 國雄1、⼭本 伸⼀1
1.⿓⾕⼤学, 2.明⽯⾼専, 3.茨城⾼専, 4.津⼭⾼専, 5.岡⼭理⼤, 6.福井⼤⼯
6
6.2
Poster
3/21(⽉) 13:30 15:30
21p-P3-16
C001747
DCマグネトロンスパッタリング法によって作製したCN膜の特性評価
〇野々村 秋⼈1、伊藤 國雄1、⼭本 伸⼀1
1.⿓⾕⼤学
6
6.2
Poster
3/21(⽉) 13:30 15:30
21p-P3-17
C001825
MgO上に堆積させたアモルファス窒化炭素膜の発光特性
〇磯川 裕哉1、佐⽵ 聖樹2、澤畠 淳⼆3、中村 重之4、財部 健⼀5、福井 ⼀俊6、池⽥ 和聡6、伊藤 國雄1、⼭本 伸⼀1
1.⿓⾕⼤理⼯, 2.明⽯⾼専, 3.茨城⾼専, 4.津⼭⾼専, 5.岡⼭理科⼤, 6.福井⼤⼯
6
6.2
Poster
3/21(⽉) 13:30 15:30
21p-P3-18
C002048
セルロースナノペーパー上に堆積したアモルファス窒化炭素薄膜の光誘起変形
〇⻘野 祐美1、浅井 慎之介1、⼩⽥原 啄1、原⽥ ⼈萌1、能⽊ 雅也2
1.防衛⼤材料, 2.阪⼤産研
6
6.2
Poster
3/21(⽉) 13:30 15:30
21p-P3-19
C002384
有機化合物/N2混合気体放電を⽤いた⾼窒素含有a-CNx:H膜の⽣成―薄膜の構造解析
〇平松 拳也1、斎藤 秀俊1、伊藤 治彦1
1.⻑岡技⼤⼯
6
6.2
Poster
3/21(⽉) 13:30 15:30
21p-P3-20
C003155
下地層上に堆積させたアモルファス窒化炭素膜の発光特性
〇磯川 裕哉1、佐⽵ 聖樹2、澤畠 淳⼆3、中村 重之4、財部 健⼀5、福井 ⼀俊6、池⽥ 和聡6、伊藤 國雄1、⼭本 伸⼀1
1.⿓⾕⼤理⼯, 2.明⽯⾼専, 3.茨城⾼専, 4.津⼭⾼専, 5.岡⼭理⼤, 6.福井⼤⼯
6
6.2
Poster
3/21(⽉) 13:30 15:30
21p-P3-21
C000815
RFスパッタリング法によって作製したBCN薄膜の発光特性
〇内島 ⼀哉1、佐⽵ 聖樹2、澤畠 淳⼆3、中村 重之4、財部 健⼀5、福井 ⼀俊6、池⽥ 和聡6、伊藤 國雄1、⼭本 伸⼀1
1.⿓⾕⼤理⼯, 2.明⽯⾼専, 3.茨城⾼専, 4.津⼭⾼専, 5.岡⼭理⼤, 6.福井⼤⼯
6
6.3
Oral
3/19(⼟)
9:00
9:15
19a-H111-1
I000105
〇吉松 公平1、坂⽥ 修⾝2, 3、⼤友 彰1, 3
1.東⼯⼤院理⼯, 2.物質・材料研究機構, 3.元素戦略
6
6.3
Oral
3/19(⼟)
9:15
9:30
19a-H111-2
C000900
奨
TiO，Ti2O3，γ-Ti3O5共晶薄膜の超伝導
〇(M1)⿊川 輝1、吉松 公平1、⼤友 明1, 2
1.東⼯⼤院理⼯, 2.元素戦略
6
6.3
Oral
3/19(⼟)
9:30
9:45
19a-H111-3
C002080
奨
CsxWO3エピタキシャル薄膜の作製と超伝導特性の変調
〇相⾺ 拓⼈1、吉松 公平1、⼤友 明1, 2
1.東⼯⼤院理⼯, 2.元素戦略
6
6.3
Oral
3/19(⼟)
9:45
10:00
19a-H111-4
C001488
奨
YOエピタキシャル薄膜の電気輸送特性と光学特性
〇(D)神永 健⼀1, 2、清 良輔1, 2、林 好⼀3、⼋⽅ 直久4、⽥尻 寛男5、岡 ⼤地2、福村 知昭2、⻑⾕川 哲也1
1.東⼤院理, 2.東北⼤院理, 3.名⼯⼤⼯, 4.広市⼤院, 5.JASRI
6
6.3
Oral
3/19(⼟) 10:00 10:15
19a-H111-5
C001647
奨
反応性RFスパッタ法で作製したCuCrO2薄膜の光透過性と構造物性
〇千葉 博1、川島 知之1、鷲尾 勝由1
1.東北⼤院⼯
6
6.3
Oral
3/19(⼟) 10:15 10:30
19a-H111-6
C000572
奨
チタン酸ストロンチウムの光励起電気伝導特性
〇⼤澤 尚幸1、⾼橋 ⻯太1、Lippmaa Mikk1
1.東⼤物性研
6
6.3
Oral
3/19(⼟) 10:30 10:45
19a-H111-7
C003591
奨
6
6.3
Oral
3/19(⼟) 10:45 11:00
19a-H111-8
C001764
6
6.3
Oral
3/19(⼟) 11:00 11:15
19a-H111-9
6
6.3
Oral
3/19(⼟) 11:15 11:30
6
6.3
Oral
3/19(⼟) 11:30 11:45
19a-H111-11 C003576
6
6.3
Oral
3/19(⼟) 11:45 12:00
6
6.3
Oral
3/19(⼟) 12:00 12:15
6
6.3
Oral
6
6.3
Oral
6
6.3
6
6
招
「講演奨励賞受賞記念講演」（15分）
⾼品質γ-Ti3O5薄膜の合成と超伝導特性
反強磁性絶縁体CaFeO3およびLaFeO3を⽤いた[(CaFeOx)n/(LaFeO3)n]m {m=14 for n=3,5,7 and (n, m)=(1,98),(3,33),(5,20)}⼈⼯超格⼦に 〇⼤橋 祥平1、⼤島 佳祐1、松⼭ 裕貴1、稲葉 隆哲1、渡部 雄太1、王 春1、張 琦1、宋 華平1、橋本 拓也2、⾼瀬 浩⼀1、永⽥ 知⼦1、⼭本 寛1、
1.⽇⼤理⼯, 2.⽇⼤⽂理
奨
おける磁気的特性の膜厚及び界⾯数依存性
岩⽥ 展幸1
ペロブスカイト型SrNbO2Nエピタキシャル薄膜の巨⼤正磁気抵抗
〇岡 ⼤地1、廣瀬 靖2, 3、中尾 祥⼀郎3、福村 知昭1、⻑⾕川 哲也2, 3
C000941
奨
ドメイン構造と酸素量の変調によるLaCuOx薄膜の輸送特性制御
〇(D)⼩野塚 智也1、近松 彰1、廣瀬 靖1, 2、⻑⾕川 哲也1, 2
1.東⼤院理, 2.KAST
19a-H111-10 C003580
奨
Co/Pt/r⾯及びc⾯配向Cr2O3積層膜の作製及び評価
〇(M1)隅⽥ 貴⼠1、橋本 浩佑1、福井 慎⼆郎1、永⽥ 知⼦1、⼭本 寛1、岩⽥ 展幸1
1.⽇⼤理⼯
奨
表⾯処理条件の異なるYAlO3(001)基板上に成膜したCr2O3薄膜の結晶構造解析および磁気特性
〇(M1)橋本 浩佑1、隅⽥ 貴⼠1、福井 慎⼆郎1、永⽥ 知⼦1、⼭本 寛1、岩⽥ 展幸1
1.⽇⼤理⼯
19a-H111-12 C002308
奨
⾼電界効果移動度を有するBaSnO3薄膜電界効果トランジスタ
〇(M2)⻄原 和貴1、藤原 宏平1、塩⾙ 純⼀1、塚﨑 敦1, 2
1.東北⼤⾦研, 2.JSTさきがけ
19a-H111-13 C001990
奨
FeSe電気⼆重層トランジスタにおける超伝導転移温度の酸化物基板依存性
〇塩⾙ 純⼀1、伊藤 恭太1、三橋 駿貴1、野島 勉1、塚﨑 敦1, 2
1.東北⼤⾦研, 2.JSTさきがけ
3/19(⼟) 13:15 13:30
19p-H111-1
C003078
奨
3/19(⼟) 13:30 13:45
19p-H111-2
C003415
奨
Oral
3/19(⼟) 13:45 14:00
19p-H111-3
C001378
奨
6.3
Oral
3/19(⼟) 14:00 14:15
19p-H111-4
C003431
6.3
Oral
3/19(⼟) 14:15 14:30
19p-H111-5
C003441
6
6.3
Oral
3/19(⼟) 14:30 14:45
19p-H111-6
6
6.3
Oral
3/19(⼟) 14:45 15:00
19p-H111-7
6
6.3
Oral
3/19(⼟) 15:00 15:15
6
6.3
Oral
3/19(⼟) 15:15 15:30
6
6.3
Oral
3/19(⼟) 15:30 15:45
19p-H111-10 C001519
奨
19p-H111-11 C001712
奨
⾼周波基板バイアススパッタ法における⾼エネルギーイオン照射によるVO2薄膜の
1.東北⼤院理, 2.東⼤院理, 3.KAST
〇(D)ヌルーハニス ビンティアズハン1、沖村 邦雄1、⼤坪 嘉之2、⽊村 真⼀2、ムスタファ ザグリウィ3、坂井 穣3
1.東海⼤院理⼯, 2.⼤阪⼤, 3.トゥール⼤GREMAN
基板上VO2薄膜の転移応⼒制御によるマイクロクラックの削減と転移の急峻化
〇(M2)⼤森 康平1、⽮嶋 赳彬1、⻄村 知紀1、⿃海 明1
1.東⼤院⼯
極微細VO2ヘテロナノウォール細線の作製と⾦属-絶縁体転移特性
〇(M1)坪⽥ 智司1、服部 梓1, 2、⽥中 秀和1
1.阪⼤産研, 2.JSTさきがけ
⼆次元電⼦ガスの磁気イメージングのための超⾼分解能レーザー励起光電⼦顕微鏡
〇⾕内 敏之1, 2、両⾓ 海⾥1、元結 啓仁1、Rodel Tobias3、Fortuna Franck3、Santander-Syro Andrés3、⾟ 埴1, 2
1.東⼤物性研, 2.JST-CREST, 3.パリ南⼤
奨
SrTiO3表⾯の2次元電⼦ガスにおける強磁性ドメインの⾯⽅位依存性
〇両⾓ 海⾥1、元結 啓仁1、⾕内 敏之1, 2、Tobias C. Rodel3、Franck Fortuna3、Andrés F. Santander-S3、⾟ 埴1, 2
1.東⼤物性研, 2.JST-CREST, 3.パリ南⼤
C001739
奨
端⾯制御したLa0.67Sr0.33MnO3エピタキシャル薄膜を⽤いた酸素還元反応触媒活性評価
〇⻄村 幸恵1、菅 ⼤介1、島川 祐⼀1, 2
1.京⼤化研, 2.JST-CREST
C001976
奨
固体電解質中のLiイオン濃度分布:電圧印加下その場測定
〇杉⼭ ⼀⽣1、齋藤 正裕2、⻘⽊ 靖⼆2、⼤塚 祐⼆2、清⽔ 亮太3、⼀杉 太郎3
1.東北⼤AIMR, 2.㈱東レリサーチ, 3.東⼯⼤理⼯
19p-H111-8
C002043
奨
Li(Ni0.5Mn1.5)O4全固体リチウム電池における電解質/電極界⾯イオン伝導
〇(PC)河底 秀幸1、⽩⽊ 将1、鈴⽊ ⻯1、清⽔ 亮太1、⼀杉 太郎1, 2
1.東北⼤WPI-AIMR, 2.東⼯⼤理⼯
19p-H111-9
C000551
TiO2/SiO2界⾯への電気化学的⽔素ドープ
〇⽮嶋 赳彬1、⻄村 知紀1、⿃海 明1
1.東⼤マテ
転移特性制御
E
Hydrogen Induced Colossal Resistance Switching in Perovskite Nickelates
〇Jikun Chen1, 2, 3, Jian Shi1, 4, You Zhou1, Yong Wu2, Yong Jiang2, Xun Shi5, Lidong Chen5, Takeaki Yajima3, Tomonori Nishimura3,
Akira Torium3, Shriram Ramanathan1
1.Harvard Univ., 2.USTB, 3.Univ. of Tokyo, 4.RPI, 5.SICCAS
6
6.3
Oral
3/19(⼟) 15:45 16:00
6
6.3
Oral
3/19(⼟) 16:00 16:15
6
6.3
Oral
3/19(⼟) 16:15 16:30
19p-H111-12 C000987
PLDで成膜したLi3PO4固体電解質/LiCoO2電極界⾯のイオン伝導
6
6.3
Oral
3/19(⼟) 16:30 16:45
19p-H111-13 C001928
第⼀原理計算により求めた定圧化でのｱﾓﾙﾌｧｽLi3BO3電解質構造とLi拡散の理論解析
6
6.3
Oral
3/19(⼟) 16:45 17:00
19p-H111-14 C000431
イオン拡散における充填効果
6
6.3
Oral
3/19(⼟) 17:00 17:15
19p-H111-15 C000063
Ta2O5固体電解質薄膜へのプロトン注⼊と膜質評価
〇今井 阿由⼦1、古⾕ 早苗1、住吉 研1
1.NLTテクノロジー
6
6.3
Oral
3/19(⼟) 17:15 17:30
19p-H111-16 C001842
蓄電池プロセスのためのマルチスケール・マルチフィジックス計算化学⼿法の開発
6
6.3
Oral
3/19(⼟) 17:30 17:45
19p-H111-17 C002711
P2型NaxCo1-yMnyO2固溶体のEXAFS解析
〇(M1)⾚間 翔太1、天⽻ 薫2、⼩林 航1, 3, 4、丹⽻ 秀治1, 3, 4、守友 浩1, 3, 4
1.筑波⼤数理(科), 2.筑波⼤理⼯学群, 3.筑波⼤数理(系), 4.筑波⼤融合セ
6
6.3
Oral
3/19(⼟) 17:45 18:00
19p-H111-18 C002720
O3型NaxCo1-yFeyO2固溶体のEXAFS解析
〇⼩林 航1, 2, 4、天⽻ 薫3、⾚間 翔太1、丹⽻ 秀治1, 2, 4、守友 浩1, 2, 4
1.筑波⼤数理物質科学研究科, 2.筑波⼤数理物質系, 3.筑波⼤理⼯学群, 4.筑波⼤数理物質融合科学セ
6
6.3
Oral
3/19(⼟) 18:00 18:15
19p-H111-19 C000193
マンガンプルシャンブルー類似体のリチウムイオン⼆次電池負極挙動
〇柴⽥ 恭幸1、浦瀬 翔太1、守友 浩1, 2
1.筑波⼤数理, 2.筑波⼤CiRfSE
6
6.3
Oral
3/19(⼟) 18:15 18:30
19p-H111-20 C002572
pH制御による電気化学製膜Cu2Oの電気特性制御
〇辻 ⽞貴1、滝⼝ 雄貴1、宮島 晋介1
1.東⼯⼤院理⼯
6
6.3
Oral
3/19(⼟) 18:30 18:45
19p-H111-21 C003731
Cu2O系ヘテロ接合太陽電池のn形半導体層の成膜技術の検討
〇宇於崎 涼介1、渡辺 恭輔1、⻄ 祐希1、宮⽥ 俊弘1、南 内嗣1
1.⾦沢⼯⼤ OEDS R&D センター
6
6.3
Oral
3/19(⼟) 18:45 19:00
19p-H111-22 C002761
Zn1-XGeX-O多元系酸化物薄膜をn形層に⽤いるp形Cu2O系ヘテロ接合太陽電池
〇⻄ 祐希1、⼭崎 丞路1、宮⽥ 俊弘1、南 内嗣1
1.⾦沢⼯⼤ OEDS R&D センター
6
6.3
Oral
3/20(⽇)
9:15
9:30
20a-H111-1
C001359
溶液を基板に滴下した光化学堆積法によるAlOx薄膜作製
〇佐藤 駿太1、市村 正也1
1.名⼯⼤
6
6.3
Oral
3/20(⽇)
9:30
9:45
20a-H111-2
C002869
スプレー法による酸化アルミニウム薄膜の作製
〇⾼⽥ 直也、安部 功⼆1、⻑沼 健⽃1
1.名⼯⼤
6
6.3
Oral
3/20(⽇)
9:45
10:00
20a-H111-3
C002756
⼤気開放型CVDによる酸化亜鉛ウィスカーの成膜
〇⾓⽥ 直輝1、⼩松 啓志2、菊⽥ 剛史2、齋藤 秀俊2
1.⽶⼦⾼専, 2.⻑岡技科⼤
6
6.3
Oral
3/20(⽇) 10:00 10:15
20a-H111-4
C000189
HfO2/SiO2/Si構造における保持電荷量の評価
〇(M1)野⼝ 和⾺1、廣森 湧太郎1、宮武 真嗣1、奈良 安雄1
1.兵庫県⽴⼤
6
6.3
Oral
3/20(⽇) 10:15 10:30
20a-H111-5
C002155
電界効果による強相関酸化物SrVO3薄膜の⾦属-絶縁体転移相図
〇⼤友 圭輔1、佐藤 洋平1、上野 和紀1
1.東⼤院総合
6
6.3
Oral
3/20(⽇) 10:30 10:45
20a-H111-6
C000198
界⾯双極⼦を⽤いた⽔溶液/酸化物界⾯バンド端位置の制御
〇⽦⽥ 育之1、⻄尾 和記2、Linsey Seitz2、Pongkarn Chakthranont2、⽴川 卓2, 3、Thomas Jaramillo1, 2、Harold Hwang1, 2
1.SLAC, 2.スタンフォード⼤, 3.東⼤新領域
6
6.3
Oral
3/20(⽇) 10:45 11:00
20a-H111-7
C000646
⾯⽅位制御La1/3Sr2/3FeO3薄膜における電荷不均化の膜厚依存性
〇簑原 誠⼈1、北村 未歩1、和達 ⼤樹2、組頭 広志1
1.⾼エネ研, 2.東⼤物性研
6
6.3
Oral
3/20(⽇) 11:00 11:15
20a-H111-8
C002640
Fe3O4薄膜のSolid-state dewettingのAFM観察
〇正能 ⼤起1、⾼橋 ⻯太1、⼩沼 碧海2、丸⼭ 伸伍2、松本 祐司2、Jahangir Solmaz3、Nagarajan Valanoor3、Lippmaa Mikk1
1.東⼤物性研, 2.東北⼤院⼯, 3.UNSW
6
6.3
Oral
3/20(⽇) 11:15 11:30
20a-H111-9
C003190
PLD法で作製したY3Fe5O12薄膜における格⼦歪とスピン波相関
〇⼭原 弘靖1、村⽥ 哲也1、那須 英和1、関 宗俊1、⽥畑 仁1
1.東⼤院⼯
6
6.3
Oral
3/20(⽇) 11:30 11:45
スピン波応⽤に向けたRサイト置換ガーネット薄膜の作製と磁性評価
〇村⽥ 哲也1、那須 英和1、⼭原 弘靖1、関 宗俊1、⽥畑 仁1
1.東⼤院⼯
6
6.3
Oral
3/21(⽉)
9:15
21a-H111-1
C002615
Rutile-TiO2単結晶光⽣成キャリアダイナミクスにおける結晶軸依存性
6
6.3
Oral
3/21(⽉)
9:30
9:45
21a-H111-2
C000368
可視光応答性光触媒NbON(100)薄膜のエピタキシャル成⻑と残留キャリア密度の低減
〇菊地 諒介1、中村 透1、⽥村 聡1、村瀬 英昭1、⽻藤 ⼀仁1
1.パナソニック
6
6.3
Oral
3/21(⽉)
9:45
10:00
21a-H111-3
C000621
パルスレーザー堆積/⾮接触原⼦間⼒顕微鏡複合装置の開発とアナターゼ型TiO2(001)表⾯の⾼分解能測定
〇勝部 ⼤樹1、⼭下 隼⼈1、阿保 智1、若家 冨⼠男1、阿部 真之1
1.阪⼤院基礎⼯
6
6.3
Oral
3/21(⽉) 10:00 10:15
21a-H111-4
C001936
深紫外線センサの応⽤に向けたNi1-xMgxO膜の酸素空孔が及ぼす吸収スペクトルへの影響とバンドギャップの評価
〇⻄⾕ 拓樹1、太⽥ 晃平1、北野 総佑1、濱野 亮介1、稲⽥ 貢1、清⽔ 智弘1、新宮原 正三1、幸塚 広光1、⿑藤 正1
1.関⻄⼤学
6
6.3
Oral
3/21(⽉) 10:15 10:30
21a-H111-5
C000171
⾦属ナノ粒⼦-酸化物界⾯におけるマイクロ波吸収
〇佐藤 友⾹1、⽶⾕ 真⼈1、椿 俊太郎1、鈴⽊ 榮⼀1、和⽥ 雄⼆1
1.東⼯⼤院理⼯
6
6.3
Oral
3/21(⽉) 10:30 10:45
21a-H111-6
C003201
グラフェン上への配向性ZnOナノロッドの直接合成
〇(BC)徳⽥ 冬樹1、本⽥ 光裕1、奥村 ⻯⼆1、市川 洋1
1.名⼯⼤
6
6.3
Oral
3/21(⽉) 10:45 11:00
21a-H111-7
C001401
(Zn1-xNix)O混合体のバルク相分離構造解析及びエピタキシャル相分離薄膜成⻑
〇(M1)李 明宇1、中川原 修2、服部 梓1、⽥中 秀和1
1.阪⼤産研, 2.株式会社村⽥製作所
6
6.3
Oral
3/21(⽉) 11:00 11:15
21a-H111-8
C000573
単結晶酸化物ナノワイヤのナノ熱物性を活⽤した分⼦センサ
Meng Gang1、⻑島 ⼀樹1、⾦井 真樹1、〇柳⽥ 剛1
1.九⼤先導研
6
6.3
Oral
3/21(⽉) 11:15 11:30
21a-H111-9
C000078
VO2フリースタンディングナノ細線の作製と電気伝導特性評価
〇樋⼝ 敬之1、神吉 輝夫1、Luca Pellegrino2、Nicola Manca4、Daniele Marré2, 3、⽥中 秀和1
1.阪⼤産研, 2.CNR-SPIN, 3.Genova Univ., 4.Delft Univ. of tech
6
6.3
Oral
3/21(⽉) 11:30 11:45
21a-H111-10 C000364
TiO2(001)基板上の単結晶VO2薄膜のHall測定による電荷輸送特性評価
〇近成 将1、神吉 輝夫1、⽥中 秀和1
1.阪⼤産研
6
6.3
Oral
3/21(⽉) 11:45 12:00
21a-H111-11 C002229
有機極性分⼦の表⾯修飾によるVO2薄膜の⾦属-絶縁体相転移制御
〇塩⾕ 広樹1、庄⼦ 良晃2、清⽊ 規⽮2、中野 匡規1、福島 孝典2、岩佐 義宏1, 3
1.東⼤⼯, 2.東⼯⼤資源研, 3.理研CEMS
6
6.3
Oral
3/21(⽉) 13:00 13:15
21p-H111-1
C003059
奨
Cu/WOx平⾯型抵抗変化メモリのTEMその場観察
〇武藤 恵1、⽶坂 瞭太1、福地 厚1、有⽥ 正志1、⾼橋 庸夫1
1.北⼤院情報
6
6.3
Oral
3/21(⽉) 13:15 13:30
21p-H111-2
C002998
奨
⼆層絶縁層を有するMoOx/Al2O3抵抗変化型メモリ動作のTEMその場観察
〇平⽥ 周⼀郎1、⾼橋 謙仁1、福地 厚1、有⽥ 正志1、⾼橋 庸夫1
1.北⼤院情報
6
6.3
Oral
3/21(⽉) 13:30 13:45
21p-H111-3
C002910
奨
抵抗変化型メモリのアナログ的抵抗可変特性
〇曹 ⺠圭1、勝村 玲⾳1、福地 厚1、有⽥ 正志1、⾼橋 庸夫1、安藤 秀幸2、森江 隆2
6
6.3
Oral
3/21(⽉) 13:45 14:00
21p-H111-4
C002972
奨
Ta2O5を⽤いた抵抗変化型メモリの多値・アナログメモリ動作
〇勝村 玲⾳1、Grönroos Mika1、福地 厚1、有⽥ 正志1、⾼橋 庸夫1、安藤 秀幸2、森江 隆2
1.北⼤・院情報, 2.九⼯⼤・⽣命体⼯
6
6.3
Oral
3/21(⽉) 14:00 14:15
21p-H111-5
C000043
奨
スパッタ堆積SiO2膜の抵抗変化現象に対するキャリアエネルギーの影響
〇⼭⼝ 凛太郎1、佐藤 伸吾1、⼤村 泰久1
1.関⻄⼤
6
6.3
Oral
3/21(⽉) 14:15 14:30
21p-H111-6
C002971
奨
酸素⽋陥型抵抗変化メモリにおける⽋陥導⼊層の材料選択
〇中川 良祐1、福地 厚1、有⽥ 正志1、⾼橋 康夫1
1.北⼤院情報
6
6.3
Oral
3/21(⽉) 14:30 14:45
21p-H111-7
C002476
RFスパッタ法によるBaTiO3薄膜の抵抗変化型メモリ特性の検討
〇前島 壮1、橋本 修平1、杉江 敏幸1、張 ⼦洋1、⼭下 馨1、野⽥ 実1
1.京⼯繊⼯芸
6
6.3
Oral
3/21(⽉) 14:45 15:00
21p-H111-8
C002482
奨
Layer-by-Layer焼成雰囲気におけるBaTiO3薄膜の抵抗変化型メモリ特性向上の研究
〇杉江 敏幸1、橋本 修平1、前島 壮1、張 ⼦洋1、野⽥ 実1、⼭下 馨1
1.京⼯繊⼯芸
6
6.3
Oral
3/21(⽉) 15:00 15:15
21p-H111-9
C000048
奨
スパッタ堆積SiO2膜の抵抗変化現象の特徴
〇⾚野 拓哉1、⼭⼝ 凛太朗1、佐藤 伸吾1、⼤村 泰久1
1.関⻄⼤
6
6.3
Oral
3/21(⽉) 15:15 15:30
21p-H111-10 C002087
奨
〇(DC)森⼭ 拓洋1, 4、⼭崎 隆浩2、⼤野 隆央2, 3、岸⽥ 悟1, 4、⽊下 健太郎1, 4
1.⿃取⼤⼯, 2.物材機構, 3.東⼤⽣産研, 4.TiFREC
6
6.3
Oral
3/21(⽉) 15:30 15:45
21p-H111-11 C000050
奨
スパッタ堆積TiO2膜の抵抗変化現象に関する考察
〇川嶋 望1、佐藤 伸吾1、⼤村 泰久1
1.関⻄⼤
6
6.3
Oral
3/21(⽉) 15:45 16:00
21p-H111-12 C000477
奨
ルチル型TiO2単結晶の酸素空孔分布制御と抵抗変化特性
〇下⾕ 将⼈1、⽵内 正太郎1、酒井 朗1
1.阪⼤院基礎⼯
21p-H111-13 C001059
奨
酸素ラジカルを⽤いて作製したTiO2-δスパッタ薄膜の局所構造とI-V特性
〇(M1)川村 欣也1、樋⼝ 透1、鈴⽊ 直哉1、⼟屋 敬志1、⼩林 正起2、組頭 広志2、寺部 ⼀弥3
1.東理⼤理, 2.⾼エネ研, 3.物材機構
9:30
6
6.3
Oral
3/21(⽉) 16:00 16:15
6
6.3
Oral
3/21(⽉) 16:15 16:30
漏液しないアルカリ電解液による導電性-磁性切替デバイスの省電⼒化
〇鈴⽊ 雄喜1、⽚瀬 貴義2、太⽥ 裕道2
1.北⼤院情報科学, 2.北⼤電⼦研
〇⽩⽊ 将1、鈴⽊ ⻯1、河底 秀幸1、清⽔ 亮太1、⽩澤 徹郎2、⼀杉 太郎1, 3
1.東北⼤AIMR, 2.東⼤物性研, 3.東⼯⼤理⼯
〇池⽥ 稔1、⼤野 隆央1, 2
1.物材機構CMSU, 2.物材機構GREEN
〇福住 勇⽮1、⼩林 航1, 2、守友 浩1, 2, 3
1.筑波⼤数理（科）, 2.筑波⼤数理（系）, 3.筑波⼤融合セ
休憩/Break
20a-H111-10 C003164
抵抗変化メモリ(ReRAM)の導電性パス⽣成機構の検討
〜 NiOの様々な表⾯状態に対する電⼦状態解析 〜
休憩/Break
〇畠⼭ 望1、⻑⼭ 千恵⼦1、鈴⽊ 悦⼦1、宮野 正之1、⼤串 巧太郎1、ボノー パトリック1、三浦 隆治1、鈴⽊ 愛1、宮本 直⼈1、宮本 明1、幸 琢寛
2、⼩⼭ 章2、江⽥ 信夫2、⻑井 ⿓2、太⽥ 璋2
〇佐藤 夏⼦1、五⼗嵐 樹莉1、井⼝ 歩武1、井出 寛⼦1、下迫 直樹1、坂間 弘1、江⾺ ⼀弘1、欅⽥ 英之1
1.東北⼤NICHe, 2.LIBTEC
1.上智⼤理⼯
1.北⼤・院情報, 2.九⼯⼤・⽣命体⼯
2016年春季講演会(東⼯⼤⼤岡⼭キャンパス)プログラム
⼤分類 中分類
形式
講演⽇
開始
終了
講演番号
【1⽉28⽇(⽊)更新】暫定版からの更新箇所は⾚字になっております。
受付番号
奨励賞 英語 招待
15 / 52 ページ
※会場、時間が変更になった場合は該当の⽅にご連絡いたします。
講演タイトル
著者
所属機関
6
6.3
Oral
3/21(⽉) 16:30 16:45
21p-H111-14 C000842
熱アニールによるHfO2膜変化の導電AFM観察
6
6.3
Oral
3/21(⽉) 16:45 17:00
21p-H111-15 C001368
Electronic mechanism for resistive switching
〇Hannes Raebiger1, 2、Claudio Padilha2, 1、Alexandre R. Rocha3、Gustavo M. Dalpian2
6
6.3
Oral
3/21(⽉) 17:00 17:15
21p-H111-16 C001584
Ge核／Si上へのFe3O4-δナノドットエピタキシャル成⻑におけるGe核サイズの効果
〇(D)⽯部 貴史1、前⽥ 佳輝1、松井 秀紀1、渡辺 健太郎1、成瀬 延康2、中村 芳明1
1.阪⼤院基礎⼯, 2.北海道⼤学
6
6.3
Oral
3/21(⽉) 17:15 17:30
21p-H111-17 C002058
Si 基板上への 鉄酸化物ナノドットの固相エピタキシャル成⻑とその電気特性評価
〇前⽥ 佳輝1、⿊川 翼1、⽯部 貴史1、渡辺 健太郎1、成瀬 延康2、中村 芳明1
1.阪⼤院基礎⼯, 2.北海道⼤学
6
6.3
Oral
3/21(⽉) 17:30 17:45
21p-H111-18 C002006
Cu/Ta2O5界⾯の酸化還元反応と抵抗スイッチ動作の湿度依存性
〇鶴岡 徹1、マヌカン セドリック1、⻑⾕川 剛2、⻘野 正和1
1.物材機構, 2.早稲⽥⼤
6
6.3
Oral
3/21(⽉) 17:45 18:00
21p-H111-19 C003751
Pt/Nb:STOショットキー接合における障壁変調とメモリ特性の関係
〇塩⾒ 俊樹1、萩原 祐仁1、岸⽥ 悟1, 2、⽊下 健太郎1, 2
6
6.3
Oral
3/21(⽉) 18:00 18:15
21p-H111-20 C002970
陰イオン拡散型抵抗変化メモリの荷電状態に基づいた信頼性の検討
〇⽊村 康平1、⼤観 光徳1, 2、岸⽥ 悟1, 2, 3、⽊下 健太郎1, 2, 3
1.⿃取⼤⼯, 2.⿃取⼤学⼯学部附属電⼦ディスプレイ研究センター, 3.⿃取⼤学⼯学部附属先端融合研究センター
6
6.3
Oral
3/21(⽉) 18:15 18:30
21p-H111-21 C003772
ReRAMにおける抵抗変化ドライビングフォースとしてのSoret拡散の検討
〇⽊下 健太郎1, 2, 3、⼩⽯ 遼介1、森⼭ 拓洋1, 2、河野 公紀1、宮下 英俊1, 2、李 相錫1, 2、岸⽥ 悟1, 2
1.⿃取⼤⼯, 2.TiFREC, 3.TEDREC
6
6.3
Oral
3/21(⽉) 18:30 18:45
21p-H111-22 C003782
Ti系薄膜およびTiナノドットを埋め込んだSiOx膜の抵抗変化特性評価
〇加藤 祐介1、⼤⽥ 晃⽣1、牧原 克典1、宮崎 誠⼀1
1.名⼤院⼯
6
6.3
Poster
3/22(⽕)
9:30
11:30
22a-P4-1
C001687
奨
酸化亜鉛を⽤いた透明セルフスイッチングナノダイオードの作製と評価
〇孫 屹1、芦⽥ 浩平1、松⽥ 宗平1、⼩⼭ 政俊1、前元 利彦1、佐々 誠彦1、葛⻄ 誠也2
1.阪⼯⼤ナノ材研, 2.北⼤量集センター
6
6.3
Poster
3/22(⽕)
9:30
11:30
22a-P4-2
C002471
奨
〇(M2)Yufeng Wang1, Shintaro Takahashi1, Ken-ichi Saitow2, 1
1.Graduate school of science, Hiroshima Univ., 2.N-BARD, Hiroshima Univ.
6
6.3
Poster
3/22(⽕)
9:30
11:30
22a-P4-3
C002903
奨
6
6.3
Poster
3/22(⽕)
9:30
11:30
22a-P4-4
C000324
奨
6
6.3
Poster
3/22(⽕)
9:30
11:30
22a-P4-5
C003080
奨
6
6.3
Poster
3/22(⽕)
9:30
11:30
22a-P4-6
6
6.3
Poster
3/22(⽕)
9:30
11:30
6
6.3
Poster
3/22(⽕)
9:30
11:30
6
6.3
Poster
3/22(⽕)
9:30
6
6.3
Poster
3/22(⽕)
6
6.3
Poster
3/22(⽕)
6
6.3
Poster
6
6.3
6
6.3
6
6.3
6
E
One-pot room temperature synthesis of yellow-orange TiO2: high photocatalytic activity
under visible light
〇三沢 源⼈1、島 久1、内藤 泰久1、秋永 広幸1
1.産総研
1.Yokohama Natl. Univ., 2.UFABC, 3.UNESP
1.⿃取⼤⼯, 2.TiFREC
Au/CuOx/(CuxNiySiz)mOn/n-Si構造の抵抗変化型不揮発性メモリ
〇岩佐 太陽1、塚本 貴広1、須⽥ 良幸1
強相関電⼦系Ca1-xLaxMnO3におけるC型軌道整列状態の形成
〇(M2)後藤 崇将1、⼩⼭ 泰正1, 2
1.早⼤基幹, 2.早⼤材研
Influence of Seed Layer to Change the Size of Zinc Oxide Nanorods
〇(D)Albertus Bramantyo1, Masayuki Okuya1, Kenji Murakami1, Nji Raden Poespawati2, Arief Udhiarto2
1.Shizuoka University, 2.Univ. of Indonesia
C000946
ルチル型⼆酸化ルテニウム薄膜における電気輸送特性の膜厚依存性
〇沓澤 ⼤1, 2、岡 ⼤地2、福村 知昭2、⻑⾕川 哲也1, 3
1.東⼤院理, 2.東北⼤院理, 3.KAST
22a-P4-7
C000953
Nd:YAGレーザーの第4次⾼調波を⽤いたPLD法によるSrTiO3薄膜の結晶成⻑とアニール効果
〇富⼠原 巧1、横⽥ 晃伸1、中村 基訓1、吉本 健⼀1、篁 耕司1
1.旭川⾼専
22a-P4-8
C001029
Proposal of Integrated Sensitized Solar Cell Films Based on Sputtered ZnO Thin Films
〇Jassim Alshaalah1、牧原 健⼆1、吉村 徹三1
1.東京⼯科⼤
11:30
22a-P4-9
C000061
酸素⽋陥を持つPt/TiO2-d/Ptスパッタ薄膜の低温成膜と構造・電気特性
⾼柳 真1、川村 欣也1、⼟屋 敬志1、寺部 ⼀弥2、〇樋⼝ 透1
1.東理⼤理, 2.物材機構
9:30
11:30
22a-P4-10
C000340
価数を制御したVO2薄膜の⾦属－絶縁体転移
丹野 友博1、末次 ⾼明1、⼟屋 敬志1、⼩林 正起2、〇樋⼝ 透1、組頭 広志2
1.東理⼤理, 2.⾼エネ研
9:30
11:30
22a-P4-11
C001241
Nd1-xSrxFeO3-d薄膜の結晶・電⼦構造と電気特性
並⽊ 航1、鈴⽊ 直哉1、中野 拓也1、⼟屋 敬志1、⼩林 正起2、組頭 広志2、〇樋⼝ 透1
1.東理⼤理, 2.⾼エネ研
3/22(⽕)
9:30
11:30
22a-P4-12
C001307
原⼦層堆積法による酸化ビスマスの成⻑
〇平林 三寛1、⽥中 優1、⼩松 周平1
1.上智⼤理⼯
Poster
3/22(⽕)
9:30
11:30
22a-P4-13
C001372
ZnO/Pt障壁を⽤いた⾚外線ボロメータ素⼦
〇張 朝傑1、関根 ⼤貴1、宝⽥ 隼1、古川 昭雄1
1.東理⼤院理⼯
Poster
3/22(⽕)
9:30
11:30
22a-P4-14
C001395
導電性ITO層上に成⻑したM2相VO2薄膜のIMT特性及び⾃励発振特性
〇モハメッド ミヤ シュルズ1、佐藤 賢太1、按⽥ 祐輔1、椎名 庸介1、沖村 邦雄1、坂井 穣2
1.東海⼤院理⼯, 2.トゥール⼤ GREMAN
Poster
3/22(⽕)
9:30
11:30
22a-P4-15
C001403
SrTiO3/LaTiO3界⾯の⼆次元磁気輸送特性
〇李 智蓮1、⾼橋 ⻯太1、リップマー ミック1
1.東⼤物性研
6.3
Poster
3/22(⽕)
9:30
11:30
22a-P4-16
C001451
マグネリ相チタン酸化物単結晶の作製条件と特性の評価
〇上岡 隼⼈1、⽔越 貴彦1、加藤 明久1、七井 靖1
1.⽇⼤⽂理
6
6.3
Poster
3/22(⽕)
9:30
11:30
22a-P4-17
C001927
(Ti,Co)O2スパッタ薄膜の磁性への電界効果
〇⼭⽥ 義春1、佐藤 和郎1
1.阪府産技研
6
6.3
Poster
3/22(⽕)
9:30
11:30
22a-P4-18
C001983
可視光で充電できる酸化チタン-ポリアニリン複合膜
〇(M1)税所 健1、安永 達也1、松⼭ 智彦1、前⽥ ⼤輝1、野⾒⼭ 輝明1、堀江 雄⼆1
1.⿅児島⼤院理⼯
6
6.3
Poster
3/22(⽕)
9:30
11:30
22a-P4-19
C002107
⾦属有機化合物分解法によるGaN表⾯へのNiO粒⼦の形成
〇(M1)喜⽥ 弘⽂1、伊藤 圭亮1、熊崎 祐介1、佐藤 威友1
1.北⼤量集セ
6
6.3
Poster
3/22(⽕)
9:30
11:30
22a-P4-20
C002145
酸化鉄ナノ構造体を⽤いた擬似太陽光による気相メタノール光触媒分解
〇太⽥ 貴洋1、野⽥ 啓1
1.慶應⼤理⼯
6
6.3
Poster
3/22(⽕)
9:30
11:30
22a-P4-21
C002235
可視光透過型太陽電池に向けたGZO薄膜の作製と評価
〇永沼 裕⽂1、⾦ 相澈1、佐藤 和弥1、趙 新為1、⼩室 修⼆2
1.東理⼤理, 2.東洋⼤理⼯
6
6.3
Poster
3/22(⽕)
9:30
11:30
22a-P4-22
C002289
ITO陽極からの正孔注⼊特性改善のためのITOバッファーの検討
〇星 陽⼀1、濱⼝ ⼤地1、⼩林 信⼀1、澤⽥ 豊1、内⽥ 孝幸1
6
6.3
Poster
3/22(⽕)
9:30
11:30
22a-P4-23
C002292
The impact of Nb doping on the resistance switching of SrTiO3
〇JUN CHEN1, Jianyong Li2, Shun Ito3, Xianjia Luo1, Takashi Sekiguchi1
1.NIMS, 2.JST, 3.Tohoku Unvi
6
6.3
Poster
3/22(⽕)
9:30
11:30
22a-P4-24
C002379
3D-nanoESCAによるLa2Ti5MS5O7(M=Cu, Ag)のピンポイント電⼦状態解析
〇坂井 延寿1、永村 直佳2、Liu Jingyuan1、久富 隆史1、⼭⽥ 太郎1、尾嶋 正治1、堂免 ⼀成1
1.東⼤院⼯, 2.NIMS
6
6.3
Poster
3/22(⽕)
9:30
11:30
22a-P4-25
C002405
可視光透過型太陽電池に向けたNiO:Li薄膜の作製と評価Ⅱ
〇佐藤 和弥1、⾦ 相澈1、永沼 裕⽂1、⼩室 修⼆2、趙 新為1
1.東理⼤理, 2.東洋⼤理⼯
6
6.3
Poster
3/22(⽕)
9:30
11:30
22a-P4-26
C003168
MOD法を⽤いたTiO2薄膜による光触媒活性の評価
〇⼩漆間 拓⼈1、⾺場 稔也1、⼭本 伸⼀1
1.⿓⾕⼤理⼯
6
6.3
Poster
3/22(⽕)
9:30
11:30
22a-P4-27
C003555
多孔質酸化チタン薄膜の⽔素処理効果
〇市川 裕1、久保⽊ 尊愛1、永吉 浩1
1.東京⾼専
6
6.4
Oral
3/21(⽉)
9:00
9:15
21a-H103-1
C001221
TEOS 導⼊によるMOCVD 法CeO2 薄膜の結晶化抑制
〇古⽮ 智也1、松村 隆志1、菊地 健介1、鈴⽊ 雄⼤1、鈴⽊ 摂2、⽯橋 啓次2、⼭本 康博1
1.法政⼤理⼯, 2.（株）コメット
6
6.4
Oral
3/21(⽉)
9:15
9:30
21a-H103-2
C001333
RFスパッタ法により形成したPr+Ce酸化物膜の結晶性評価
〇熊⾕ 健⼤1、⼭⼝ 航太1、⾼畑 潤⼀郎1、鈴⽊ 摂2、⽯橋 啓次2、⼭本 康博1
1.法政⼤理⼯, 2.（株）コメット
6
6.4
Oral
3/21(⽉)
9:30
9:45
21a-H103-3
C002994
スパッタ法により形成したAl2O3添加CeO2薄膜の電気特性評価
〇⼩⻄ 順也1、⼤澤 隆志1、⽥中 章裕1、牧⽯ 拓⺒1、鈴⽊ 摂2、⽯橋 啓次2、李 成奇2、⾼橋 健⼀郎2、⼭本 康博1
1.法政⼤理⼯, 2.㈱コメット
9:45
10:00
〇⾕脇 将太1、今⻄ 啓司1、⾺野 光博1、吉⽥ 晴彦1、新船 幸⼆1、佐藤 真⼀1、堀⽥ 育志1
1.兵庫県⽴⼤学
E
E
1.東京農⼯⼤院⼯
1.東京⼯芸⼤学
6
6.4
Oral
3/21(⽉)
21a-H103-4
C003678
6
6.4
Oral
3/21(⽉) 10:00 10:15
6
6.4
Oral
3/21(⽉) 10:15 10:30
21a-H103-5
C002283
奨
⼀軸加圧下熱処理による⾮晶質酸化モリブデン薄膜の固相結晶化
〇難波 諒太郎1、野沢 靖久1、譚 ゴオン1、⼟嶺 信男2、⾦⼦ 智3, 1、松⽥ 晃史1、吉本 護1
1.東⼯⼤, 2.(株)豊島製作所, 3.神奈川県産技セ
6
6.4
Oral
3/21(⽉) 10:30 10:45
21a-H103-6
C000973
奨
ペチーニ法で作製した粉末によるBi過剰Bi1.2FeOxターゲットを⽤いたBiFeO3薄膜の作製と評価
〇王 春1、⼤島 佳祐1、稲葉 隆哲1、宋 華平1、渡部 雄太1、永⽥ 知⼦1、橋本 拓也2、⾼瀬 浩⼀1、⼭本 寛1、岩⽥ 展幸1
1.⽇⼤理⼯, 2.⽇⼤⽂理
6
6.4
Oral
3/21(⽉) 10:45 11:00
21a-H103-7
C002396
奨
塗布光照射法における酸化スズ膜結晶化過程のナノ秒温度計測
〇(M1)勝⽊ 司1、中島 智彦2、⼟屋 哲男2、湯本 敦史1、篠⽥ 健太郎2
1.芝浦⼯⼤院理⼯, 2.産総研
6
6.4
Oral
3/21(⽉) 11:00 11:15
21a-H103-8
C003051
奨
深紫外LEDのためのITO/Ga2O3多層膜透明電極の検討
〇(M1)桑原 奈津⼦1、安⽥ 俊輝1、勝野 翔太1、⼩出 典克1、⽵内 哲也1、岩⾕ 素顕1、上⼭ 智1、⾚﨑 勇1, 2
1.名城⼤・理⼯, 2.名古屋⼤・⾚﨑記念研究センター
6
6.4
Oral
3/21(⽉) 11:15 11:30
21a-H103-9
C002574
奨
EuドープNiOエピタキシャル薄膜の室温作製と特性評価
〇⾼野 詩織1、福⽥ ⼤⼆1、塩尻 ⼤⼠1、秋⼭ 賢輔1, 2、⾦⼦ 智1, 2、松⽥ 晃史1、吉本 護1
6
6.4
Oral
3/21(⽉) 11:30 11:45
21a-H103-10 C002097
奨
ソフト化学的Li挿⼊によるアナターゼ型TaONへのキャリアドープ
〇鈴⽊ 温1, 2、廣瀬 靖1, 2、中尾 祥⼀郎2、中川 貴⽂1、岡⽥ 洋史1、松尾 豊1、⻑⾕川 哲也1, 2
1.東⼤院理, 2.KAST
6
6.4
Oral
3/21(⽉) 13:15 13:30
21p-H103-1
C002579
奨
E
Flux-mediated epitaxy growth of ferroelectric relaxor Bi-based for high-temperature functional capacitors
〇Rabie BENIOUB1, Heddadj Sidi mohamed1, Itaka Kenji2
1.Hirosaki Univ., 2.Hirosaki Univ. NJRISE
6
6.4
Oral
3/21(⽉) 13:30 13:45
21p-H103-2
C001482
奨
E
Measures for mitigating environmental degradation of Two Dimensional Hafnium Disulfide Field Effect Transistors
〇(M2)Vikrant Upadhyaya1, Toru kanazawa1, Yasuyuki Miyamoto1
6
6.4
Oral
3/21(⽉) 13:45 14:00
21p-H103-3
C002163
奨
E
Laser modification of TiO2 thin films for applications in photovoltaics.
〇(DC)Dauksta Edvins1, 2, Mizeikis Vygantas1, Medvids Arturs2, Murakami Kenji1
1.Shizuoka Univ., 2.Riga Technical Univ.
6
6.4
Oral
3/21(⽉) 14:00 14:15
21p-H103-4
C002518
E
〇(D)Ritesh Patel1, Takeshi Tainosho1, Yuki Hisamatsu1, Sonia Sharmin1, Hideto Yanagihara1, Eiji Kita1
1.Institute of Applied Physics, University of Tsukuba
6
6.4
Oral
3/21(⽉) 14:15 14:30
21p-H103-5
C002921
E
6
6.4
Oral
3/21(⽉) 14:30 14:45
21p-H103-6
C001735
E
6
6.4
Oral
3/21(⽉) 14:45 15:00
21p-H103-7
C001959
E
6
6.4
Oral
3/21(⽉) 15:00 15:15
6
6.4
Oral
3/21(⽉) 15:15 15:30
21p-H103-8
C002241
6
6.4
Oral
3/21(⽉) 15:30 15:45
21p-H103-9
C002245
6
6.4
Oral
3/21(⽉) 15:45 16:00
6
6.4
Oral
3/21(⽉) 16:00 16:15
6
6.4
Oral
6
6.4
Oral
6
6.4
Oral
6
6.4
Oral
3/21(⽉) 17:00 17:15
6
6.4
Oral
3/21(⽉) 17:15 17:30
21p-H103-15 C001577
6
6.4
Oral
3/21(⽉) 17:30 17:45
21p-H103-16 C002745
6
6.4
Oral
3/21(⽉) 17:45 18:00
6
6.4
Oral
3/21(⽉) 18:00 18:15
6
6.4
Oral
6
6.4
6
6.4
6
6.4
Poster
3/22(⽕)
9:30
11:30
22a-P5-1
6
6.4
Poster
3/22(⽕)
9:30
11:30
6
6.4
Poster
3/22(⽕)
9:30
11:30
6
6.4
Poster
3/22(⽕)
9:30
6
6.4
Poster
3/22(⽕)
9:30
6
6.4
Poster
3/22(⽕)
6
6.4
Poster
6
6.4
Poster
6
6.4
6
6.4
6
PLD法によりSr2SiO4ターゲットから作製したSr2SiO4薄膜の膜中固定電荷のアニール時間依存性
休憩/Break
Thickness dependence of epitaxially grown cobalt ferrite (111) thin films on
sapphire (0001) substrate using RF sputtering
Influence of NO doping on the properties of ZnO thin films on a-plane sapphire
grown by catalytic-reaction-assisted chemical vapor deposition
〇Kanji Yasui1, Koudai Watanabe1, Ryouichi Tajima1, Yuki Ishidzuka1, Yuki Ohashi1, Yasuhiro Tamayama1
1.東⼯⼤, 2.神奈川県産技センター
1.TokyoTech
1.Nagaoka Univ. Technol.
Controlling material ratio and gradient of mixed lead halide films for tandem solar cell fabrication
〇(D)Collin Chandler Stecker1, Luis K. Ono1, Yabing Qi1
1.OIST
An effective approach to synthesize monolayer tungsten disulfide crystals using tungsten hexachloride
〇(D)Amutha Thangaraja1, Sachin Shinde1, Golap Kalita1, Masaki Tanemura1
1.Nagoya Inst.Technol.
SrTiO3(110)上に成膜したBiFeO3薄膜及び⼈⼯超格⼦の結晶構造解析及び電気的磁気的特性
〇松⼭ 裕貴1、稲葉 隆哲1、⼤島 佳祐1、王 春1、張 琦1、渡部 雄太1、宋 華平1、橋本 拓也2、永⽥ 知⼦1、⼭本 寛1、岩⽥ 展幸1
1.⽇⼤理⼯, 2.⽇⼤⽂理
H2O添加成膜したIn-Ga-O半導体薄膜の特性
〇⻄村 英⼀郎1、森本 敏夫1、中⼭ 徳⾏1、松村 ⽂彦1、⽩⽊ 真菜1、清⽔ 耕作2、⼤野 祐樹2、⽥中 聡2
1.住友⾦属鉱⼭株式会社, 2.⽇本⼤学
21p-H103-10 C003643
HfO2/SiOX/Si構造におけるC-V特性のアニール温度依存性
〇(M1)上岡 聡史1、三宅 省三1、堀⽥ 育志1、新船 幸⼆1、佐藤 真⼀1
1.兵庫県⽴⼤学
21p-H103-11 C000023
プローバーコンパチ⾮破壊電気コンタクトプローブ
〇吉武 道⼦1、柳⽣ 進⼆郎1、知京 豊裕1
1.物質・材料研究機構
3/21(⽉) 16:15 16:30
21p-H103-12 C002133
⽔素前⽅散乱測定を⽤いたBaH2のヒドリドイオン電界応答観察⽔素前⽅散乱測定を⽤いたBaH2のヒドリドイオン電界応答観察
〇⼤⼝ 裕之1, 2, 3、齋藤 正裕4、佐藤 豊⼈5、桑野 博喜1、折茂 慎⼀5, 6、⼀杉 太郎6, 7
1.東北⼤院⼯, 2.東北⼤μSIC, 3.東北⼤NICHe, 4.東レリサーチセンター, 5.東北⼤⾦研, 6.東北⼤AIMR, 7.東⼯⼤
3/21(⽉) 16:30 16:45
21p-H103-13 C001937
Ce2O2Biエピタキシャル薄膜における⾦属絶縁体転移
〇柴⽥ 峻佑1、清 良輔1, 2、福村 知昭2、⻑⾕川 哲也1
1.東⼤院理, 2.東北⼤院理
3/21(⽉) 16:45 17:00
21p-H103-14 C001455
(100)配向ScN薄膜の光・電気特性
〇⼤垣 武1、坂⼝ 勲1、⼤橋 直樹1、⽻⽥ 肇1
1.物材機構
オンデマンド⾚外線透過率-導電率同時切替デバイスの作製
〇⽚瀬 貴義1、遠藤 賢司2、太⽥ 裕道1
1.北⼤電⼦研, 2.北⼤院情報科学
VO2薄膜のサーモクロミズムによる熱ふく射の波⻑制御
〇室井 直⼈1、名村 今⽇⼦1、鈴⽊ 基史1
1.京⼤院⼯
21p-H103-17 C002744
TiO2光学薄膜の結晶構造と機械的特性 (Ⅱ)
〇⽵上 真司1、椎名 赳智1、室⾕ 裕志1、勝俣 ⼒2
1.東海⼤⼯, 2.(株)パルメソ
21p-H103-18 C002138
複合成膜装置によるアクリル基板上へ形成した光学薄膜の密着性
〇⽥島 直弥1、室⾕ 裕志1、松本 繁治2、本多 博光2
1.東海⼤⼯, 2.(株)シンクロン
3/21(⽉) 18:15 18:30
21p-H103-19 C001945
ニオブとチタンの複合酸化物光学薄膜における光学特性の評価 (2)
〇宮川 とも⼦1、室⾕ 裕志1
1.東海⼤⼯
Oral
3/21(⽉) 18:30 18:45
21p-H103-20 C001944
CeO2光学薄膜の成膜⼿法の検討 (Ⅱ)
〇成⽥ 彩希1、室⾕ 裕志1、天野 ⾠次2、岡 茂樹2
1.東海⼤⼯, 2.（株）ニデック
Oral
3/21(⽉) 18:45 19:00
21p-H103-21 C002274
エレクトロクロミック特性を有するニッケル化合物の⽔蒸気を原料とした⾼速反応性スパッタリング
〇奈良井 哲1、若松 央暉2、⼭内 駿2、釘宮 敏洋1、阿部 良夫2
1.神⼾製鋼所, 2.北⾒⼯⼤
C003676
hcp構造を有するNi膜の成⻑と熱処理の影響
〇池之上 卓⼰1、上野 仁希1、⼩森 祥央2、掛⾕ ⼀弘2、三宅 正男1、平藤 哲司1
1.京⼤院エネ科, 2.京⼤院⼯
22a-P5-2
C002415
SmFe7及びSmFe7Nxエピタキシャル薄膜の結晶磁気異⽅性
〇楠森 毅1、藤⽥ ⿇哉1、尾崎 公洋1
1.産総研中部
22a-P5-3
C002393
パラジウム基板(001)上のニッケル超薄膜の磁性
〇(M1)有本 昌平1、クリューガー ピーター1
1.千葉⼤院
11:30
22a-P5-4
C003513
[(CaFeOx)n/(LaFeO3)n]m {m=14 for n=3,5,7 and (m,n)=(98,1),(33,3),(20,5)}⼈⼯超格⼦の精密な堆積量制御⼿法の開発及び結晶構造解析
11:30
22a-P5-5
C003302
MoSi2-Si複合体薄膜の電気伝導機構
〇下薗 宏祐1、⽊⾕ 遼介1、佐藤 祐喜1、吉⾨ 進三1
1.同志社⼤理⼯
9:30
11:30
22a-P5-6
C003303
オクタデシルホスホン酸の⾃⼰組織化単分⼦膜の作製と評価
〇⾺場 稔也1、ニエ ヘンヨン2、⼭本 伸⼀1
1.⿓⾕⼤理⼯, 2.Univ. of Western Ontario
3/22(⽕)
9:30
11:30
22a-P5-7
C002611
交流インピーダンス法による酸化物薄膜の伝導性評価
〇(B)⼭⼝ 雅仁1、井上 貴明1、佐藤 智也1、内⼭ 潔1
1.鶴岡⾼専
3/22(⽕)
9:30
11:30
22a-P5-8
C002131
スピンコートによるLaNiO3薄膜の微構造制御
〇(B)熊⾕ 佳郎1、内⼭ 潔1
1.鶴岡⾼専
Poster
3/22(⽕)
9:30
11:30
22a-P5-9
C002725
⼤気開放型CVD法によるNb:TiO2/SUS304構造体の合成
〇菊⽥ 剛史1、⼩林 望1、⼩松 啓志1、齋藤 秀俊1
1.⻑岡技科⼤
Poster
3/22(⽕)
9:30
11:30
22a-P5-10
C001836
RFマグネトロンスパッタリング法によるBiVO4薄膜作製
〇⾺場 稔也1、⼩漆間 拓⼈1、⻄⾕ 幹彦2、⼭本 伸⼀1
1.⿓⾕⼤理⼯, 2.⼤阪⼤学
6.4
Poster
3/22(⽕)
9:30
11:30
22a-P5-11
C003496
II型Siクラスレート薄膜におけるフッ化⽔素酸処理および物性評価
〇浦野 和俊1、上原 康暉1、浅野 友紀1、⼤橋 史隆1、久⽶ 徹⼆1、伴 隆幸1、野々村 修⼀1
6
6.4
Poster
3/22(⽕)
9:30
11:30
22a-P5-12
C002125
TiO2を複合化したCu2O光電極の⽔還元反応の安定性評価
〇⻄川 雅美1、福⽥ 真之1、野坂 芳雄1、中島 智彦2、⼟屋 哲男2、⿑藤 信雄1
1.⻑岡技⼤, 2.産総研
6
6.4
Poster
3/22(⽕)
9:30
11:30
22a-P5-13
C002167
RFスパッタ法を⽤いたIGZO薄膜の作製とTFT応⽤
〇(B)⾼橋 崇典1、⾨脇 圭佑1、佐藤 智也1、井上 貴明1、熊⾕ 佳郎1、宝賀 剛1、内⼭ 潔1
1.鶴岡⾼専
6
6.4
Poster
3/22(⽕)
9:30
11:30
22a-P5-14
C002218
スパッタリングを⽤いて作製したMn添加ZnO薄膜の評価
〇箕輪 直輝1、那須 菜穂1、張 宇1、趙 新為1
1.東理⼤理
6
6.4
Poster
3/22(⽕)
9:30
11:30
22a-P5-15
C002413
超⾳波噴霧法によるシリコン酸化膜の低温成膜
〇⾹取 重尊1、平松 考樹1、永幡 正憲1、織⽥ 真也2、⼈羅 俊実2
1.津⼭⾼専, 2.株式会社ＦＬＯＳＦＩＡ
休憩/Break
休憩/Break
〇⼤橋 祥平1、⼤島 佳祐1、松⼭ 裕貴1、稲葉 隆哲1、渡部 雄太1、王 春1、張 琦1、宋 華平1、橋本 拓也2、⾼瀬 浩⼀1、永⽥ 知⼦1、⼭本 寛1、
岩⽥ 展幸1
1.⽇⼤理⼯, 2.⽇⼤⽂理
1.岐⼤⼯
2016年春季講演会(東⼯⼤⼤岡⼭キャンパス)プログラム
⼤分類 中分類
【1⽉28⽇(⽊)更新】暫定版からの更新箇所は⾚字になっております。
形式
講演⽇
開始
終了
講演番号
受付番号
奨励賞 英語 招待
16 / 52 ページ
※会場、時間が変更になった場合は該当の⽅にご連絡いたします。
講演タイトル
著者
所属機関
6
6.4
Poster
3/22(⽕)
9:30
11:30
22a-P5-16
C001729
⾮熱平衡⼆次元プラズマを利⽤した酸化スズ薄膜の形成
〇堀⽔ 懸登1、⾦指 翔⼤1、増⽥ 優貴1、奥⾕ 昌之1, 2
1.静岡⼤院⼯, 2.静岡⼤グリーン研
6
6.4
Poster
3/22(⽕)
9:30
11:30
22a-P5-17
C002115
エアロゾルデポジション法による多孔質酸化物膜の作製
〇(B)井上 貴明1、志藤 泰紀1、佐藤 智也1、明渡 純2、内⼭ 潔1
1.鶴岡⾼専, 2.産総研
6
6.4
Poster
3/22(⽕)
9:30
11:30
22a-P5-18
C002225
キレートフレーム法で合成したY2O3膜とEr2O3膜の断⾯観察
〇淡 エンキン1、中村 淳1, 2、⼩松 啓志1、齋藤 秀俊1
1.⻑岡技科⼤, 2.中部キレスト
6
6.4
Oral
3/22(⽕) 13:00 13:15
22p-H103-1
C000042
SOI基板を⽤いたSi(100)上の複合⾯⽅位CeO2領域間の完全分離
〇井上 知泰1、信⽥ 重成1
1.いわき明星⼤科学技術
6
6.4
Oral
3/22(⽕) 13:15 13:30
22p-H103-2
C003147
強磁場スパッタ法によるマンガン窒化物薄膜の作製
〇松本 利希1、川⼝ 昂彦1、畑野 敬史1、原⽥ 俊太1、飯⽥ 和昌1、宇治原 徹1、⽣⽥ 博志1
1.名⼤⼯
6
6.4
Oral
3/22(⽕) 13:30 13:45
22p-H103-3
C003311
ガルバノ⾛査型PLD装置の開発とターゲットの打ち分けによる2元組成薄膜の⾼速成膜
〇丸⼭ 伸伍1、⼭王堂 尚輝1、原⽥ ⿓⾺1、松本 祐司1
1.東北⼤院⼯
6
6.4
Oral
3/22(⽕) 13:45 14:00
22p-H103-4
C001780
〇⻑⾕川 司1、橋本 典也2、⻄川 博昭3
1.近⼤院⽣物理⼯, 2.⼤阪⻭科⼤, 3.近⼤⽣物理⼯
6
6.4
Oral
3/22(⽕) 14:00 14:15
22p-H103-5
C001720
NbO2テンプレート層を⽤いた、PLD法によるTaO2薄膜の作製
〇村岡 祐治1, 2、藤本 佑樹1、⻲岡 美咲2、松浦 由佳2、砂川 正典1、寺嶋 健成1、脇⽥ ⾼徳1、横⾕ 尚睦1, 2
1.岡⼭⼤院⾃然科学, 2.岡⼭⼤理界⾯
6
6.4
Oral
3/22(⽕) 14:15 14:30
22p-H103-6
C001722
前駆体溶液への⾮平衡プラズマ照射によるTiO2膜の作製
増⽥ 優貴1、〇堀⽔ 懸登1、丹 祐⼈1、⾦指 翔⼤1、奥⾕ 昌之1, 2
1.静岡⼤院⼯, 2.静岡⼤グリーン研
6
6.4
Oral
3/22(⽕) 14:30 14:45
22p-H103-7
C000875
全ALD構成⽔蒸気ハイバリア膜 〜膜構成とバリア性の関係〜
〇座間 秀昭1、本⽥ 和広1
1.アルバック超材研
6
6.4
Oral
3/22(⽕) 14:45 15:00
22p-H103-8
C000836
室温において封⽌スペース内に形成したSiO2 接着層の封⽌性
〇歸⼭ 敏之
6
6.5
Oral
3/19(⼟)
9:00
9:15
19a-H113-1
C000017
⼊射電⼦線励起による⾦属ナノ構造中の局在プラズモンからの光放射
〇市川 昌和1
6
6.5
Oral
3/19(⼟)
9:15
9:30
19a-H113-2
C003444
Si(100)上に成⻑させたErSi2ナノワイヤーの構造解析
〇⾼橋 ⼀暉1、尾坂 駿1、鍵⾕ 浩⾏1、⽥畑 博史1、久保 理1、⽚⼭ 光浩1
6
6.5
Oral
3/19(⼟)
9:30
9:45
19a-H113-3
C000284
6
6.5
Oral
3/19(⼟)
9:45
10:00
19a-H113-4
C001068
6
6.5
Oral
3/19(⼟) 10:00 10:15
6
6.5
Oral
3/19(⼟) 10:15 10:30
19a-H113-5
C000629
6
6.5
Oral
3/19(⼟) 10:30 10:45
19a-H113-6
C000824
6
6.5
Oral
3/19(⼟) 10:45 11:00
19a-H113-7
6
6.5
Oral
3/19(⼟) 11:00 11:15
19a-H113-8
6
6.5
Oral
3/19(⼟) 11:15 11:30
19a-H113-9
C000827
6
6.5
Oral
3/19(⼟) 11:30 11:45
19a-H113-10 C001784
6
6.5
Oral
3/19(⼟) 13:15 13:30
19p-H113-1
C000147
6
6.5
Oral
3/19(⼟) 13:30 13:45
19p-H113-2
6
6.5
Oral
3/19(⼟) 13:45 14:00
6
6.5
Oral
3/19(⼟) 14:00 14:15
6
6.5
Oral
3/19(⼟) 14:15 14:30
6
6.5
Oral
3/19(⼟) 14:30 14:45
19p-H113-5
C002719
6
6.5
Oral
3/19(⼟) 14:45 15:00
19p-H113-6
C001641
テトラテトラコンタンの吸着によって引き起こされるAu(111)ショックレー状態の変化
〇⽔島 啓貴1、古池 晴信1、⽯⽥ ⾏章2、鈴⽊ 雄太1、⼩澤 健⼀3、間瀬 ⼀彦4, 5、⾟ 埴2、⾦井 要1
1.東理⼤理⼯, 2.東⼤物性研, 3.東⼯⼤院理⼯, 4.⾼エネ研 PF, 5.総研⼤
6
6.5
Oral
3/19(⼟) 15:00 15:15
19p-H113-7
C001768
E
Magnetism and x-ray absorption spectra calculations of iron porphyrin
〇Peter Krueger1, Yuki Yoshimoto1
1.Chiba Univ.
6
6.5
Oral
3/19(⼟) 15:15 15:30
19p-H113-8
C001474
E
The theory of Photoelectron Yield Spectroscopy
〇Shohei Tadano1, Peter Krueger1
1.Chiba Univ.
6
6.5
Oral
3/19(⼟) 15:30 15:45
19p-H113-9
C001319
E
Calculating the Entropy Loss on Adsorption of Organic Molecules at Insulating Surfaces
〇(D)Julian Gaberle1, 4, David Z. Gao1, Matthew Watkins2, Alexander Shluger1, 3
1.UCL, 2.Univ. of Lincoln, 3.WPI-AIMR Tohoku Univ, 4.JAIST
6
6.5
Poster
3/20(⽇)
9:30
11:30
20a-P2-1
C000264
フレキシブル解氷ヒーターに向けた導電性超撥⽔膜の作製
〇(M1)松林 毅1、天神林 瑞樹1、真部 研吾1、⼩峰 正嗣1、⽩⿃ 世明1
1.慶⼤理⼯
6
6.5
Poster
3/20(⽇)
9:30
11:30
20a-P2-2
C000605
シリコン表⾯における正電荷による⽔素脱離促進効果
〇豊島 安健1
1.産総研省エネ
6
6.5
Poster
3/20(⽇)
9:30
11:30
20a-P2-3
C001478
液相PLA法を⽤いたSrTi1-XCoXO3光触媒薄膜の作製及び評価2
〇市原 ⽂彦1、村⽥ 悠⾺1、⼩野 洋1、チュウ チャオキョン2、⽥中 勝⼰1
1.電通⼤先進理⼯, 2.電通⼤国際交流セ
6
6.5
Poster
3/20(⽇)
9:30
11:30
20a-P2-4
C001030
⼀次元Frenkel-Kontorovaモデルによる摩擦の研究
〇佐藤 代吾1、仙⽥ 康浩1、嶋村 修⼆1
1.⼭⼝⼤院理⼯
6
6.5
Poster
3/20(⽇)
9:30
11:30
20a-P2-5
C001811
Si(111)-(√7×√3)-Inの表⾯へのアクセプター分⼦およびドナー原⼦の吸着
〇⾓ 直也1、⻑⾕川 友⾥1、⼭⽥ 洋⼀1、佐々⽊ 正洋1、吉澤 俊介2、内橋 隆2
1.筑波⼤数物, 2.物材機構
6
6.5
Poster
3/20(⽇)
9:30
11:30
20a-P2-6
C001876
Ge(110)表⾯におけるPt及びAu単⼀配向ナノワイヤーの作製と最表⾯電⼦状態計測
〇渡邉 貴弘1、⼭⽥ 洋⼀1、佐々⽊ 正洋1、境 誠司2、⼭内 泰3
1.筑波⼤数物, 2.原⼦⼒機構, 3.物材機構
6
6.5
Poster
3/20(⽇)
9:30
11:30
20a-P2-7
C003373
⽔素終端層・酸化層脱離後のSi(110)清浄表⾯解析
〇(M1)鈴⽊ 翔太1, 2、朝岡 秀⼈2、⿂住 雄輝2、近藤 啓悦2、⼭⼝ 憲司1, 2
1.茨城⼤院理⼯, 2.原⼦⼒機構
6
6.5
Poster
3/20(⽇)
9:30
11:30
20a-P2-8
C001955
Cu(111)⾯上の CO 層に吸着する CO 分⼦についての STM シミュレーション
〇(M1)⼭⽥ 哲史1、ピーター クリューガー1
1.千葉⼤融
6
6.5
Poster
3/20(⽇)
9:30
11:30
20a-P2-9
C003453
Bi2Se3表⾯のH2O吸着によるバンド構造の変化
〇加瀬 真純1、Peter Krüger1
1.千葉⼤院融合
6
6.6
Poster
3/21(⽉)
9:30
11:30
21a-P7-1
C002787
FM-AFMによるSrTiO3(100)⾯上の固液界⾯構造評価 (2)
〇⻑⾕川 俊1、⼩林 圭1, 2、⼭⽥ 啓⽂1
1.京⼤⼯, 2.京⼤⽩眉セ
6
6.6
Poster
3/21(⽉)
9:30
11:30
21a-P7-2
C002329
⾛査型熱振動顕微鏡を⽤いたポリマー膜下の⾦ナノ粒⼦の可視化
〇⼋尾 惇1、⼩林 圭1, 2、⽊村 邦⼦1、⼭⽥ 啓⽂1
1.京⼤院⼯, 2.京⼤⽩眉セ
6
6.6
Poster
3/21(⽉)
9:30
11:30
21a-P7-3
C000690
Au(111)表⾯におけるメラミンを⽤いた分⼦ナノ構造の作製
〇美濃 宏亮1、岡⽥ 有史1、吉村 雅満2、⾓野 広平1
1.京⼯繊⼤, 2.豊⽥⼯⼤
6
6.6
Poster
3/21(⽉)
9:30
11:30
21a-P7-4
C001949
⾦属ナノ粒⼦シートの電気特性および⼒学特性評価
〇王 胖胖1、荒⽊ 祥平2、⽥中 ⼤輔3、⿓崎 奏2、岡本 晃⼀2、⽟⽥ 薫2
1.九⼤分⼦シス, 2.九⼤先導, 3.⼤分⾼専
6
6.6
Poster
3/21(⽉)
9:30
11:30
21a-P7-5
C000218
原⼦間⼒顕微鏡を⽤いたGa/MgAl2O4(111)の観察
⻄村 慶也1、〇岡⽥ 有史1、吉村 雅満2、⾓野 広平1
1.京都⼯繊⼤⼯芸, 2.豊⽥⼯⼤
6
6.6
Poster
3/21(⽉)
9:30
11:30
21a-P7-6
C000616
TiO2(110)表⾯上の帯電領域のNC-AFM/KPFM観察
〇(PC)⼩野⽥ 穣1, 2、Pang Chi Lung3、Yurtsever Ayhan4、杉本 宜昭1, 2
1.東⼤新領域, 2.阪⼤院⼯, 3.UCL, 4.阪⼤基礎⼯
6
6.6
Poster
3/21(⽉)
9:30
11:30
21a-P7-7
C002786
⾛査トンネル顕微鏡によるグラフェンオキサイドのナノスケール電⼦状態計測
〇⽚野 諭1、魏 濤1、上原 洋⼀1
1.東北⼤通研
6
6.6
Poster
3/21(⽉)
9:30
11:30
21a-P7-8
C002437
STMに適したNi(111)基板の作成
〇⽥中 裕⾏1、⾕⼝ 正輝1
1.阪⼤産研
6
6.6
Poster
3/21(⽉)
9:30
11:30
21a-P7-9
C003602
グラファイト上にCVD成⻑した単層Mo1-xRexS2のSTM観察
吉⽥ 昭⼆1、⽵内 ⾼広1、櫻⽥ ⿓司1、〇武内 修1、森 勝平2、佐々⽊ 将悟2、⼩林 裕2、真庭 豊2、宮⽥ 耕充2, 3、重川 秀実1
1.筑波⼤数理, 2.⾸都⼤理⼯, 3.JSTさきがけ
6
6.6
Poster
3/21(⽉)
9:30
11:30
21a-P7-10
C003158
ベンゼンジチオール単⼀分⼦接合における分⼦形状効果の3次元計測
〇(B)杉⽥ 佳弘1、⽚⼭ 智貴1、吉⽥ 昭⼆1、武内 修1、重川 秀実1
1.筑波⼤数理物質
アブレーション化学種と雰囲気ガスの反応が
ハイドロキシアパタイト薄膜の表⾯形態とCa/P ⽐に及ぼす影響
1.東⼤院⼯
1.阪⼤院⼯
Si{100}、{110}、{111}側⾯超構造創製
〇服部 梓1, 2、服部 賢3、⽵本 昌平3、⼤⾨ 寛3、⽥中 秀和1
1.阪⼤産研, 2.JSTさきがけ, 3.奈良先端⼤物質創成
Scanning Tunneling Microscopic Analysis of Highly Phosphorus-Doped Si(111)-(7x7) Surface
〇(DC)Hirulak Dilshan Siriwardena1, Thoru Yamashita1, Masaru Shimomura1
1.Shizuoka Univ.
RHEEDによるZnO(0001)表⾯緩和の構造解析
〇堀尾 吉已1、柚原 淳司2、安部 功⼆3、⾼桑 雄⼆4、⼩川 修⼀4
1.⼤同⼤⼯, 2.名⼤院⼯, 3.名⼯⼤, 4.東北⼤多元研
低速原⼦散乱分光法によるMgO(111)表⾯構造解析
〇梅澤 憲司1、塩尻 ⼤⼠2、松⽥ 晃史2、吉本 護2、⼩粥 啓⼦3
1.⼤阪府⽴⼤学総合, 2.東京⼯業⼤学院物質, 3.（株）アプコ
C000380
擬似体液に浸漬させた酸化チタン単結晶表⾯のナノスケール解析
〇笹原 亮1、村上 達也1、Le Tu1、附⽥ 健太郎1、富取 正彦1
1.北陸先端⼤
C003551
共存塩素によるTiO2(110)上でのAu凝集反応に関する理論的考察
〇多⽥ 幸平1、古賀 裕明2、近藤 勇⼤1、奥村 光隆1, 2
1.阪⼤院理, 2.京⼤触媒電池
Formation of Platinum (Ptn n = 1-7) on Rutile TiO2 (110) Surface
〇(D)Furkan Alan1, Susan Aspera1, Hiroshi Nakanishi1, Hideaki Kasai2, 3
1.Osaka University, 2.Akashi College, 3.University of Tokyo
絶縁性Ｂｉ超薄膜のエッジ近傍におけるラテラル バンド ベンディングの観察
〇⻑岡 克⼰1、内橋 隆1、中⼭ 知信1, 2
1.物材機構, 2.筑⼤
ナノピペットにおける希ガスの真空コンダクタンス〜その2〜
〇⾼⾒ 知秀1、後藤 忠彦2、⾼桑 雄⼆2
1.⼯学院⼤, 2.東北⼤多元研
C001617
TOF-SIMSによる耐熱鋼中の微量元素分布の観測
〇渡邉 騎通1、間宮 広明1、阿部 富⼠雄2、⼤久保 雅隆3、北澤 英明1
1.物材機構 量⼦ビーム, 2.物材機構 材料信頼性, 3.産総研 エレクトロニクス・製造領域
19p-H113-3
C001173
Cs/GaAs表⾯における表⾯処理の熱履歴と量⼦効率の関係、その2
〇稲垣 雄⼤1、⽥中 紘⼤1、松⽥ 匠平1、飯島 北⽃1、⽬⿊ 多加志1
1.東理⼤
19p-H113-4
C002423
Si/Si間摩擦のその場⾼分解能電⼦顕微鏡観察
〇⾳⽥ 光⼀1、福⽥ めぐみ2、⽊塚 徳志3
1.筑波⼤院数理, 2.⽇⼯⼤, 3.筑波⼤物質
奨
E
休憩/Break
奨
E
休憩/Break
E
Hydrazine Dissociation on NixMo Alloy with Pre-adsorbed OH
奨
奨
奨
Kishi2, Susumu Yamaguchi2, Hirohisa Tanaka2, Hideaki Kasai1, 3, 4
1.Osaka Univ., 2.Daihatsu Motor, 3.Univ. of Tokyo, 4.NITAC
6
6.6
Oral
3/21(⽉) 13:15 13:30
21p-H113-1
I000075
〇樋浦 諭志1、⼭崎 陸2、城地 雅史1、⾼橋 聡太朗2、Subagyo Agus1, 3、末岡 和久1
1.北⼤院情報科学, 2.北⼤⼯学部, 3.北⼤創成研
6
6.6
Oral
3/21(⽉) 13:30 13:45
21p-H113-2
C000730
奨
Cu表⾯上におけるNOの価電⼦状態と⾮弾性トンネル分光測定
〇塩⾜ 亮隼1, 2、奥⼭ 弘1、⼋⽥ 振⼀郎1、有賀 哲也1
1.京⼤院理, 2.東⼤新領域
6
6.6
Oral
3/21(⽉) 13:45 14:00
21p-H113-3
C003156
奨
単⼀銀ナノ粒⼦の形状変化と⾛査トンネル顕微鏡発光分光
〇(M2)寶槻 雅樹1、⽚野 諭1、上原 洋⼀1
1.東北⼤通研
6
6.6
Oral
3/21(⽉) 14:00 14:15
21p-H113-4
C000601
奨
⾮接触原⼦間⼒顕微鏡を⽤いたSiとGe原⼦の識別
〇(PC)⼩野⽥ 穣1, 2、仁⽊ 康平2、杉本 宜昭1, 2
1.東⼤新領域, 2.阪⼤院⼯
6
6.6
Oral
3/21(⽉) 14:15 14:30
21p-H113-5
C002399
奨
TERS計測による多層カーボンナノチューブの2D-bandピーク強度の局所依存性評価
〇⽮野 剛史1、Songpol Chaunchaiyakul1、Pawel Krukowski1、⾚井 恵1、齋藤 彰1、桑原 裕司1
1.阪⼤院⼯
6
6.6
Oral
3/21(⽉) 14:30 14:45
21p-H113-6
C002443
奨
3D-FM-AFMを⽤いた固液界⾯における局所⽔和構造と表⾯原⼦構造との相関に関する研究
〇(PC)梅⽥ 健⼀1、⼩林 圭1, 2、⼭⽥ 啓⽂1
1.京⼤院⼯, 2.京⼤⽩眉セ
6
6.6
Oral
3/21(⽉) 14:45 15:00
21p-H113-7
C001513
奨
〇(M2)井⽥ ⼤貴1、⾼橋 康史2, 3、熊⾕ 明哉4、珠玖 仁1、末永 智⼀1, 4
1.東北⼤院, 2.⾦沢⼤, 3.JSTさきがけ, 4.東北⼤AIMR
21p-H113-8
C000954
奨
〇(M1)⽥飼 伸匡1、内⽥ ⾠徳1、⼀井 崇1、宇都宮 徹1、杉村 博之1
1.京⼤院⼯
21p-H113-9
C003283
6
6.6
Oral
3/21(⽉) 15:00 15:15
6
6.6
Oral
3/21(⽉) 15:15 15:30
6
6.6
Oral
3/21(⽉) 15:30 15:45
6
6.6
Oral
3/21(⽉) 15:45 16:00
招
「講演奨励賞受賞記念講演」（15分）
〇(M2)Listra Yehezkiel Ginting1, Adhitya Gandaryus Saputro1, Hiroshi Nakanishi1, Wilson Agerico Dino1, Tomokazu Sakamoto2, Hirofumi
H/Fe3O4(001)表⾯におけるフェルミ準位直下の局所状態密度測定
⾼速⾛査型イオンコンダクタンス顕微鏡による
細胞表⾯構造の⾮侵襲定量追跡
液体⾦属中AFMの開発
休憩/Break
21p-H113-10 C001404
3D-SFMで取得した3次元⽔和分布像の溶媒探針近似モデルを⽤いた解析
〇宮澤 佳甫1、⼩林 成貴2、Watkins Matthew3、Shluger Alexander L.3、天野 健⼀4、福間 剛⼠1, 5
1.⾦⼤院, 2.埼⽟⼤, 3.UCL, 4.京都⼤, 5.ACT-C
カルサイト結晶溶解過程において形成される遷移領域の⾼速FM-AFM解析
〇川越 祐太1、宮⽥ ⼀輝1、福間 剛⼠1, 2
1.⾦沢⼤, 2.ACT-C/JST
〇宮⽥ ⼀輝1、Tracey John2、宮澤 圭甫1、Spijker Peter2、Reischl Bernhard3、Canova Filippo2、Rohl Andrew3、Foster Adam1, 2、福間 剛
6
6.6
Oral
3/21(⽉) 16:00 16:15
21p-H113-11 C001441
純⽔中のカルサイト表⾯で得られる原⼦分解能FM-AFM像の観察メカニズム
6
6.6
Oral
3/21(⽉) 16:15 16:30
21p-H113-12 C001012
オープンループ電位顕微鏡を⽤いたアルミニウム合⾦中の⾦属間化合物周囲における腐⾷現象の観察
〇岡本 貴浩1、北川 拓弥1、⼩澤 敬祐2、浅川 雅3、福間 剛⼠1, 3, 4
6
6.6
Oral
3/21(⽉) 16:30 16:45
21p-H113-13 C003615
Bimodal FM-AFMを⽤いたKBr(100)表⾯の⼤気中原⼦分解能観察
〇⼤江 弘晃1, 2、Kirpal Dominik2、Wastl Daniel S.2、Weymouth Alfred J.2、Giessibl Franz J.2、新井 豊⼦1
1.⾦⼤院⾃然, 2.レーゲンスブルク⼤
6
6.6
Oral
3/21(⽉) 16:45 17:00
21p-H113-14 C000610
フィードバック冷却によるマイクロ⽚持ち梁の熱振動制振の限界
〇鐘ヶ江 ⼒1、鍛治 元晴2、⾼城 亮⾺2、河村 良⾏1, 2
1.福岡⼯⼤院⼯, 2.福岡⼯⼤
6
6.6
Oral
3/21(⽉) 17:00 17:15
21p-H113-15 C001048
厚いカンチレバーへの正⾯光照射による誘起振動の解析
〇⼭⻄ 絢介1、内藤 賀公1、李 艶君1、菅原 康弘1
1.阪⼤院⼯
6
6.6
Oral
3/21(⽉) 17:15 17:30
21p-H113-16 C002606
液中原⼦間⼒顕微鏡のための広帯域・⼤振幅磁気励振回路の開発
〇五⼗嵐 巧1、鈴⽊ 啓太1、福間 剛⼠1, 2
1.⾦⼤, 2.ACT-C/JST
6
6.6
Oral
3/21(⽉) 17:30 17:45
21p-H113-17 C000984
振幅変調型AFMを⽤いた単⼀ナノ粒⼦の⽐誘電率測定
〇⽊村 健⼆1、本⼭ 宗主1、⼊⼭ 恭寿1
1.名⼤院⼯
6
6.6
Oral
3/21(⽉) 17:45 18:00
21p-H113-18 C002343
原⼦間⼒超⾳波顕微鏡共振スペクトロスコピー法を⽤いた⾼分⼦膜下のシリカナノ粒⼦の可視化
〇野坂 俊太1、⼋尾 惇1、⽊村 邦⼦1、⼩林 圭1, 2、⼭⽥ 啓⽂1
1.京⼤⼯, 2.京⼤⽩眉セ
6
6.6
Oral
3/22(⽕) 10:00 10:15
22a-H113-1
C001926
アルミナ薄膜上のPdクラスターへのCO吸着のAFM観察
〇渡邉 友啓1、横⼭ 弘尭1、多⽥ 昌史1、内藤 賀公1、李 艶君1、菅原 康弘1
1.阪⼤院⼯
6
6.6
Oral
3/22(⽕) 10:15 10:30
22a-H113-2
C003188
チャージアンプを備えたnc-AFMによる表⾯電⼦状態解析
〇野上 真1、新井 豊⼦2、笹原 亮1、富取 正彦1
1.北陸先端⼤, 2.⾦沢⼤
6
6.6
Oral
3/22(⽕) 10:30 10:45
22a-H113-3
C000979
Atomic dipole moment induced local surface potential on TiO2(110) surface investigated by electrostatic force microscopy
〇(D)HUANFEI WEN1, Masahide Suesada1, Yoshitaka Naitoh1, Yanjun Li1, Yasuhiro Sugawara1
1.Osaka Univ.
6
6.6
Oral
3/22(⽕) 10:45 11:00
22a-H113-4
C001586
⾮接触⾛査型⾮線形誘電率ポテンショメトリとケルビンプローブフォース顕微鏡法の実験的⽐較
〇(M2)向出 周太1、⼭末 耕平1、阿部 真之2、⻑ 康雄1
1.東北⼤通研, 2.阪⼤極限センター
6
6.6
Oral
3/22(⽕) 11:00 11:15
22a-H113-5
C001273
⾛査型⾮線形誘電率ポテンショメトリによる表⾯⾃発分極の測定に関する検討
〇⼭末 耕平1、⻑ 康雄1
1.東北⼤通研
6
6.6
Oral
3/22(⽕) 11:15 11:30
22a-H113-6
C001440
SNDM線形誘電率ナノイメージングに関する有限要素法シミュレーション
〇平永 良⾂1、茅根 慎通1、⻑ 康雄1
1.東北⼤通研
6
6.6
Oral
3/22(⽕) 11:30 11:45
22a-H113-7
C000132
超常磁性探針を⽤いた交番磁気⼒顕微鏡による永久磁⽯の破断⾯観察に向けた磁気イメージング⼿法の開発
中⼭ 翔太1、江川 元太1、⽊下 幸則1、吉村 哲1、〇⿑藤 準1
1.秋⽥⼤院⼯資
6
6.6
Oral
3/22(⽕) 11:45 12:00
22a-H113-8
C000299
6
6.6
Oral
3/22(⽕) 13:00 13:15
22p-H113-1
C003349
6
6.6
Oral
3/22(⽕) 13:15 13:30
22p-H113-2
C002754
6
6.6
Oral
3/22(⽕) 13:30 13:45
22p-H113-3
6
6.6
Oral
3/22(⽕) 13:45 14:00
22p-H113-4
6
6.6
Oral
3/22(⽕) 14:00 14:15
22p-H113-5
C002101
E
E
High resolution magnetic imaging of perpendiclular magnetic recording media by
⼠1, 4
1.⾦⼤院, 2.Aalto⼤, 3.Curtin⼤, 4.ACT-C
1.⾦沢⼤理⼯, 2.神⼾製鋼所, 3.⾦沢⼤バイオAFMセンター, 4.ACT-C/JST
〇(PC)Srinivasa Rao Kapa1, Genta Egawa1, Yukinori Kinoshita1, Satoru Yoshimura1, Hitoshi Saito1
1.Akita Univ.
⾮接触原⼦間⼒顕微鏡におけるジュール発熱によるエネルギー散逸の研究
〇稲村 ⻯1、富取 正彦2、新井 豊⼦1
1.⾦⼤院, 2.北陸先端⼤
静電相互作⽤によるAFMのエネルギー減衰
〇仙⽥ 康浩1、嶋村 修⼆1、ブロンクビスト ヤンネ2、ニエミネン リスト2
1.⼭⼝⼤⼯, 2.アールト⼤
C003408
電気伝導と⼒学特性の同時測定による⾦ナノ接点の原⼦配列の考察
〇橋本 遼太1、村上 拓1、新井 豊⼦1、⽯塚 彗介2、⼤島 義⽂2、富取 正彦2
1.⾦沢⼤院⾃然, 2.北陸先端⼤院
C003445
真空中で⽯英から昇華させたSiOのルチルTiO2(110)表⾯への堆積
〇附⽥ 健太郎1、笹原 亮1、富取 正彦1
1.北陸先端⼤
〇上原 洋⼀1、⽚野 諭1、桑原 正史2、鈴⽊ 哲3
1.東北⼤通研, 2.産総研, 3.仙台⾼専
near-surface alternating magnetic force microscopy with amorphous FeCoSiB tip
ピコ秒レーザーパルスを照射したSTM探針–試料ギャップ
からのTHz発光
2016年春季講演会(東⼯⼤⼤岡⼭キャンパス)プログラム
⼤分類 中分類
形式
講演⽇
開始
終了
【1⽉28⽇(⽊)更新】暫定版からの更新箇所は⾚字になっております。
講演番号
受付番号
奨励賞 英語 招待
17 / 52 ページ
※会場、時間が変更になった場合は該当の⽅にご連絡いたします。
講演タイトル
著者
所属機関
6
6.6
Oral
3/22(⽕) 14:15 14:30
22p-H113-6
C002801
⾼ばね定数カンチレバーを⽤いたFM-AFMによる室温⾼分解能分⼦内構造観察
〇⼭下 貴裕1、⼩林 圭1, 2、⼭⽥ 啓⽂1
1.京都⼤学⼯, 2.京⼤⽩眉セ
6
6.6
Oral
3/22(⽕) 14:30 14:45
22p-H113-7
C001087
Cu(110)上での磁性Co原⼦の操作
〇⼭⽥ 純平1、徳⽥ 郁実1、尾﨑 翔太1、内藤 賀公1、李 艶君1、菅原 康弘1
1.阪⼤院⼯
6
6.6
Oral
3/22(⽕) 14:45 15:00
22p-H113-8
C000150
Si(111)-(7x7)表⾯上のSiテトラマーのスイッチ操作
⼭崎 詩郎1, 2、前⽥ 圭亮1、〇杉本 宜昭1, 3、阿部 真之1、Vladimir Zobac4、Pou Pablo5、Rodrigo Lucia5、Mutombo Pingo4、Perez
Ruben5、Jelinek Pavel4、森⽥ 清三1
1.阪⼤, 2.東⼯⼤, 3.東⼤, 4.ASCR, 5.マドリッド⾃治⼤
7
Poster
3/19(⼟)
9:30
11:30
19a-P1-1
C003238
Pdの⽔素化の環境制御型透過電⼦顕微鏡観察
〇⽟岡 武泰1, 2、吉⽥ 秀⼈1、⽵⽥ 精治1
1.阪⼤産研, 2.阪⼤⼯
7
Poster
3/19(⼟)
9:30
11:30
19a-P1-2
C002585
SEM観察における有機⾼分⼦レジスト収縮の理論解析
〇⾹⼭ 真範1、古川 雄基1、川⽥ 博昭1、平井 義彦1、安⽥ 雅昭1
1.⼤阪府⼤⼯
7
Poster
3/19(⼟)
9:30
11:30
19a-P1-3
C002008
プラズマ電位制御型⼤電⼒パルススパッタによるMo錐状陰極構造の作製
〇成⽥ 智基1、⼤家 渓1、中野 武雄1、⻑尾 昌善2、⼤崎 壽2
1.成蹊⼤理⼯, 2.産総研
7
Poster
3/19(⼟)
9:30
11:30
19a-P1-4
C002831
中性⼦反射率周波数解析法による⾦-クロム積層膜／希硫酸⽔溶液界⾯構造の評価
〇⽔沢 まり1、桜井 健次2、⼭﨑 ⼤3、武⽥ 全康3
1.CROSS 東海, 2.物材機構, 3.原⼦⼒機構
7
Poster
3/19(⼟)
9:30
11:30
19a-P1-5
C003765
クイックX 線反射率法の技術開発と応⽤
〇桜井 健次1
1.物材機構
7
Poster
3/19(⼟)
9:30
11:30
19a-P1-6
C003727
XANAMによるAu/SiOx試料表⾯でのX線誘起現象の1次元顕微分析
1.名⼤院⼯, 2.北⼤触媒研, 3.ICU, 4.KEK-PF
7
Poster
3/19(⼟)
9:30
11:30
19a-P1-7
C001096
Atomic-scale and electronic structure of fcc- and hcp-type Ru nanosized catalyst
〇鈴⽊ 秀⼠1、向井 慎吾2、⽥ 旺帝3、野村 昌治4、朝倉 清⾼2
〇Osami Sakata1、L. S. R. Kumara1、Chulho Song1、Anli Yang1、Shinji Kohara1、Kohei Kusada2、Hirokazu Kobayashi2、Hiroshi
7
Poster
3/19(⼟)
9:30
11:30
19a-P1-8
C003472
表⾯電荷反転XPS法によるTaOxナノシート/SiO2/Si界⾯バンドオフセットの解析
Kitagawa2
〇(B)速⽔ 脩平1、豊⽥ 智史1、福⽥ 勝利1、菅⾕ 英⽣1、中⽥ 明良1、森⽥ 将史1、内本 喜晴1、松原 英⼀郎1
〇和達 ⼤樹1, 2、津⼭ 智之1, 2、チャクラバティー スバンカー3、ポンティウス ニコ4、シュスラー クリスチャン4、ファン ハロルド3, 5、⼗倉 好
1.NIMS/SPring-8, 2.Kyoto Univ.
1.京都⼤学
7
Poster
3/19(⼟)
9:30
11:30
19a-P1-9
C000160
強磁性絶縁体BaFeO3薄膜における時間分解軟X 線磁気円⼆⾊性の観測
7
Poster
3/19(⼟)
9:30
11:30
19a-P1-10
C000863
ホローカソードを陰極に⽤いた⼤⾯積イオン源の開発
〇早川 太朗1、永尾 友⼀1、井内 裕1
1.⽇新イオン
7
Poster
3/19(⼟)
9:30
11:30
19a-P1-11
C002666
ガラス基板上へのリップル構造形成制御
〇平岡 陽祐1、⼩川 幸⼤1、kalita golap1、種村 眞幸1
1.名⼯⼤院⼯
7
Poster
3/19(⼟)
9:30
11:30
19a-P1-12
C002959
固体表⾯へのクラスターイオンビーム照射による発光スペクトル
〇織⽥ 啓佑1、⿓頭 啓充1、Musumeci Francesco2、⽵内 光明1、⾼岡 義寛1
1.京⼤光電⼦理⼯セ, 2.カターニア⼤
7
Poster
3/19(⼟)
9:30
11:30
19a-P1-13
C002676
X線光電⼦分光法（HAXPESおよびGCIB-XPS）を⽤いたリチウムイオン⼆次電池正極における活物質表⾯および内部の分析
〇稲葉 雅之1、三井所 亜⼦1、早川 敬済1、⼤園 洋史1、坪⽥ 隆之1
1.コベルコ科研
7
Poster
3/19(⼟)
9:30
11:30
19a-P1-14
C001835
超低⾼度宇宙環境における原⼦状酸素誘起材料劣化現象における窒素分⼦同時衝突効果の定量化
〇横⽥ 久美⼦1、北 ⼀貴1、⼭﨑 勇希1、⽥川 雅⼈1
1.神⼾⼤院⼯
7
Poster
3/19(⼟)
9:30
11:30
19a-P1-15
C000873
超⾳速酸素分⼦線によるCu3Pd(111)合⾦表⾯酸化過程
〇津⽥ 泰孝1、牧野 隆正1、吉越 章隆2、福⼭ 哲也3、岡⽥ 美智雄1
1.阪⼤理化, 2.原⼦⼒機構, 3.⽇⽴研開
7
Poster
3/19(⼟)
9:30
11:30
19a-P1-16
C001125
⾼出⼒レーザーを⽤いた⾮破壊固体粒⼦加速法の開発
〇(M1)守本 郁1、弘中 陽⼀郎2、重森 啓介2、佐野 孝好2、⽥川 雅⼈1、北澤 幸⼈3、阿藤 敏⾏4
1.神⼾⼤学, 2.阪⼤レーザー研, 3.IHI, 4.東⼯⼤応セラ研
7
Poster
3/19(⼟)
9:30
11:30
19a-P1-17
C002412
分⼦流⼊を考慮した⼤気吸⼊型イオンエンジンの中性粒⼦シミュレーション
〇(M1)安河内 翼1、⾅井 英之1、三宅 洋平1、川⼝ 伸⼀郎1、福⽥ 雅⼈1、横⽥ 久美⼦1、⽥川 雅⼈1
1.神⼾⼤
〇安居 伸浩1、⼤橋 良太1、鎌⽥ 圭2、吉川 彰2, 3、⽥ 透1
1.キヤノン, 2.東北⼤NICHe, 3.東北⼤⾦研
紀2, 3
1.東⼤物性研, 2.東⼤⼯, 3.理研CEMS, 4.HZB BESSYII, 5.スタンフォード⼤
7
7.1
Oral
3/19(⼟) 13:15 13:30
19p-H137-1
C001026
相分離構造を有する超⾼解像度シンチレータ
7
7.1
Oral
3/19(⼟) 13:30 13:45
19p-H137-2
C001199
超⾼解像度相分離シンチレータを⽤いた位相格⼦の⾃⼰像直接撮像によるX線位相イメージング
〇⼤橋 良太1、安居 伸浩1、鎌⽥ 圭2、吉川 彰2, 3、⽥ 透1
1.キヤノン, 2.東北⼤NICHe, 3.東北⼤⾦研
7
7.1
Oral
3/19(⼟) 13:45 14:00
19p-H137-3
C003416
ゾーンプレートX線顕微鏡を⽤いた定量的位相結像
〇渡辺 紀⽣1、⻘⽊ 貞雄1, 2
1.筑波⼤数物, 2.総合科学研究機構
7
7.1
Oral
3/19(⼟) 14:00 14:15
19p-H137-4
C003089
7
7.1
Oral
3/19(⼟) 14:15 14:30
19p-H137-5
C000032
7
7.1
Oral
3/19(⼟) 14:30 14:45
19p-H137-6
C000363
7
7.1
Oral
3/19(⼟) 14:45 15:00
19p-H137-7
C003387
7
7.1
Oral
3/19(⼟) 15:00 15:15
19p-H137-8
C000362
7
7.1
Oral
3/19(⼟) 15:15 15:30
7
7.1
Oral
3/19(⼟) 15:30 15:45
19p-H137-9
C002731
7
7.1
Oral
3/19(⼟) 15:45 16:00
7
7.1
Oral
3/19(⼟) 16:00 16:15
7
7.1
Oral
3/19(⼟) 16:15 16:30
7
7.1
Oral
7
7.1
Oral
7
7.1
7
7.1
7
7.1
7
奨
E
⾻形成メカニズム解明のための広視野⾼空間分解能タルボ型X線位相顕微鏡の開発
〇呉 彦霖1, 2、⾼野 秀和1, 2、星野 真⼈2, 3、寺⽥ 靖⼦3、松尾 光⼀4、⽮代 航1, 2、百⽣ 敦1, 2, 3
1.東北⼤多元研, 2.JST-ERATO, 3.JASRI, 4.慶應義塾⼤医学部
80〜200eV域定偏⾓分光器⽤酸化物膜付加⾼回折効率回折格⼦の設計
〇⼩池 雅⼈1、⻑野 哲也2、笹井 浩⾏2、浮⽥ ⿓⼀2
1.原⼦⼒機構量⼦ビーム, 2.島津デバイス
Ｘ線⽤準結晶集光素⼦の設計
〇(M1)深⽔ 嵩明1、李 維率1、星野 鉄哉1、杉坂 純⼀郎2、渡辺 紀⽣1、⻘⽊ 貞雄1、伊藤 雅英1
1.筑波⼤数物, 2.北⾒⼯⼤
X-ray phase scanner using Talbot-Lau interferometry for non-destructive testing – II
奨
マイクロフォーカスX線源と振幅格⼦を⽤いたX線位相イメージングの検討
〇(P)Shivaji Bachche1, Masahiro Nonoguchi2, Koichi Kato2, Masashi Kageyama2, Takafumi Koike2, Masaru Kuribayashi2, Atsushi
Momose1
1.Tohoku University, 2.Rigaku
〇(B)細野 凌1、森本 直樹1、伊藤 康浩1、⼭崎 周1、佐野 壱成1、⼟岐 貴弘2、佐野 哲2、細井 卓治1、渡部 平司1、志村 考功1
1.阪⼤院⼯, 2.島津製作所
PF BL-11D の分光器出⼒に重なる回折格⼦散乱光
〇⽻多野 忠1、相原 翔学1、江島 丈雄1
1.東北⼤多元研
19p-H137-10 C000925
レーザー⽣成Biプラズマ光源を⽤いた卓上型⽔の窓軟X線顕微鏡の開発
〇(M1)近藤 芳希1、Dinh Thanh-Hung2、⼩野 祐⼀1、荒居 剛⼰1、原 広⾏1、波多野 忠3、江島 丈雄3、東⼝ 武史1, 2
19p-H137-11 C000653
波⻑4.0nm⽤軟Ⅹ線顕微鏡の斜⼊射照明光学系の開発
〇江島 丈雄1、⽻多野 忠1、近藤 芳希2、⼩野 祐⼀2、ヂン タンフン2、東⼝ 武史2
1.東北⼤多元研, 2.宇都宮⼤
19p-H137-12 C001818
固体ArとN2レーザープラズマの「⽔の窓」軟X線特性
〇天野 壯1
1.兵庫県⼤⾼度研
3/19(⼟) 16:30 16:45
19p-H137-13 C001337
炭素の窓軟X線光源のスペクトル構造解析
〇(M2)原 広⾏1、荒居 剛⼰1、ヂン タンフン2、佐々⽊ 明3、砂原 淳4、東⼝ 武史1, 2
3/19(⼟) 16:45 17:00
19p-H137-14 C000151
半導体リソグラフィ⽤EUV光源開発の最新結果
Oral
3/19(⼟) 17:00 17:15
19p-H137-15 C001986
レーザー励起プラズマEUV光源ターゲット分散過程のモデル構築(2)
〇佐々⽊ 明1、砂原 淳2、⻄原 功修3
1.原⼦⼒機構, 2.レーザー総研, 3.阪⼤レーザー研
Oral
3/19(⼟) 17:15 17:30
19p-H137-16 C002519
レーザー照射ドロップレットの⻑時間シミュレーション
〇砂原 淳1、⻄原 功修2、佐々⽊ 明3
1.レーザー総研, 2.阪⼤レーザー研, 3.原研関⻄研光量⼦
Oral
3/19(⼟) 17:30 17:45
19p-H137-17 C000274
協同的トムソン散乱計測によるLPP-EUV光源プラズマ診断
7.2
Oral
3/21(⽉) 13:15 13:30
21p-H137-1
I000216
7
7.2
Oral
3/21(⽉) 13:30 13:45
21p-H137-2
C003222
7
7.2
Oral
3/21(⽉) 13:45 14:00
21p-H137-3
C000883
7
7.2
Oral
3/21(⽉) 14:00 14:15
21p-H137-4
C003040
7
7.2
Oral
3/21(⽉) 14:15 14:30
21p-H137-5
C001954
7
7.2
Oral
3/21(⽉) 14:30 14:45
21p-H137-6
7
7.2
Oral
3/21(⽉) 14:45 15:00
21p-H137-7
7
7.2
Oral
3/21(⽉) 15:00 15:15
7
7.2
Oral
3/21(⽉) 15:15 15:30
7
7.2
Oral
3/21(⽉) 15:30 15:45
7
7.2
Oral
3/21(⽉) 15:45 16:00
21p-H137-10 C002815
7
7.2
Oral
3/21(⽉) 16:00 16:15
21p-H137-11 C003364
7
7.2
Oral
3/21(⽉) 16:15 16:30
21p-H137-12 C000124
奨
7
7.2
Oral
3/21(⽉) 16:30 16:45
21p-H137-13 C003586
奨
7
7.2
Oral
3/21(⽉) 16:45 17:00
21p-H137-14 C000066
7
7.2
Oral
3/21(⽉) 17:00 17:15
21p-H137-15 C002004
7
7.2
Oral
3/21(⽉) 17:15 17:30
21p-H137-16 C000880
7
7.2
Oral
3/21(⽉) 17:30 17:45
21p-H137-17 C002070
7
7.2
Oral
3/21(⽉) 17:45 18:00
7
7.2
Oral
7
7.2
Oral
7
7.2
7
7.2
7
7
7
休憩/Break
招
「講演奨励賞受賞記念講演」（15分）
〇⾼島 悠太1、堀 司1、植野 能史1、阿部 保1、薮 隆之1、若菜 克彦1、加藤 義章1、柏崎 務1、福⽥ 修1、藤巻 貴久1、⻄村 祐⼀1、⽵中 怜1、鈴
⽊ 徹1、安藤 正彦1、細⽥ 裕計1、宮下 光太郎1、⼩⼭内 貴幸1、斎藤 隆志1、溝⼝ 計1
〇⼾室 啓明1、柳⽥ 達哉1、神家 幸⼀郎1、スマン ゲオルグ1、和⽥ 靖典1、國島 正⼈1、児⽟ 健1、富⽥ 健太郎2、佐藤 祐太2、江⼝ 寿明2、築⼭
晶⼀2、内野 喜⼀郎2
1.宇都宮⼤⼯, 2.宇都宮⼤ CORE, 3.東北⼤多元研
1.宇都宮⼤院⼯, 2.宇都宮⼤院オプト, 3.原⼦⼒機構, 4.レーザー技術総合研究所
1.(株)ギガフォトン
1.ギガフォトン株式会社, 2.九⼤総理⼯
〇⽥村 孝弘1、⽊村 吉秀1、⾼井 義造1
1.阪⼤院⼯
2層グラフェンに形成したナノポアのエッジ構造
〇(D)狩野 絵美1, 2、橋本 綾⼦1, 2、⽵⼝ 雅樹1, 2
1.筑波⼤, 2.NIMS
⾛査型透過電⼦顕微鏡を⽤いたBaTiO3薄膜のナノドメイン構造解析
〇⼩林 俊介1、加藤 丈晴1、幾原 雄⼀1, 2、⼭本 剛久1, 3
1.JFCC, 2.東⼤総研, 3.名⼤⼯
REELSを⽤いたLiNi1/3Mn1/3Co1/3O2電極におけるリチウム評価
〇⽥⼝ 昇1、橘⽥ 晃宜1、栄部 ⽐夏里1、秋⽥ 知樹1
1.産総研電池技術
電気化学的にLiを脱離させたLi2MnO3正極材料の電⼦顕微鏡観察
〇橘⽥ 晃宜1、⽚岡 理樹1、⾹⼭ 正憲1
1.産総研
C003129
カーボンナノチューブの電⼦線誘起エッチング
富⽥ 雄⼈1, 2、〇吉⽥ 秀⼈1、⽵⽥ 精治1
1.阪⼤産研, 2.阪⼤院⼯
C003149
噴⽔型低エネルギー⼆次電⼦検出器による⾦属合⾦の観察
〇関⼝ 隆史1、⽊村 隆1、岩井 秀夫1
1.物材機構
21p-H137-8
C001439
Ptychographcal phase retrievalの実像による拘束
〇三⽯ 和貴1、下条 雅幸2、⽵⼝ 雅樹1
1.物材機構, 2.芝⼯⼤
21p-H137-9
C000628
円環・円孔電極を⽤いた電界型Csコレクタの開発（３）
〇川崎 忠寛1, 2、髙井 康⾏3、⼩川 雄紀3、⽯⽥ ⾼史2、児⽟ 哲司3、富⽥ 正弘4、松⾕ 貴⾂5、⽣⽥ 孝6
1.JFCC, 2.名⼤IMaSS, 3.名城⼤院理⼯, 4.真空デバイス, 5.近⼤理⼯, 6.⼤阪電通⼤⼯
⾼コヒーレンスビーム⽣成のための透明伝導体埋め込み型ナノスケール光陰極の製作
〇(D)澁⾕ 達則1、林崎 規託2、吉⽥ 光宏3
1.東⼯⼤理⼯学, 2.東⼯⼤原⼦炉, 3.⾼エネ研
Blunt W tip上へのAu被覆ナノピラミッドの形成
〇(M2)浅井 泰尊1、熊⾕ 輝成1、村⽥ 英⼀1、⼤島 忠平2
1.名城⼤理⼯, 2.早⼤先進理⼯
溝底から放出する⼆次電⼦の⾓度分布測定システム
〇⾦ 惠眞1、備前 ⼤輔1、波⽥野 道夫1
1.⽇⽴中研
単⼀カーボンナノチューブを電界放出電⼦源とする⼩型⾛査電⼦顕微鏡 の開発
〇⼤⽯ 峻也1、⼭崎 慎太郎1、中原 仁1、村⽥ 英⼀2、永井 滋⼀3、⼤野 輝昭4、安坂 幸師1、齋藤 弥⼋1
1.名⼤院⼯, 2.名城⼤院理⼯, 3.三重⼤院⼯, 4.テクネックス⼯房
微⼩電界放出電⼦源アレイを⽤いた冷陰極HARP 撮像板の画質向上の検討
〇難波 正和1、本⽥ 悠葵1、⻑尾 昌善2、江上 典⽂3
1.NHK, 2.産総研, 3.近畿⼤
フィールドエミッタアレイを⽤いた耐放射線⼩型軽量撮像素⼦の開発
〇後藤 康仁1、辻 博司1、⻑尾 昌善2、増澤 智昭3、根尾 陽⼀郎3、三村 秀典3、岡本 保4、佐藤 信浩1、秋吉 優史5、⾼⽊ 郁⼆1
耐放射線性FEA撮像素⼦⽤CdTe光電変換膜のガンマ線耐性の評価
〇猪狩 朋也1、⼩⼝ 情ハート1、岡本 保1、後藤 康仁2、佐藤 信浩2、秋吉 優史3、⾼⽊ 郁⼆2
1.⽊更津⾼専, 2.京都⼤, 3.⼤阪府⼤
耐放射線性FEA撮像素⼦のための光電変換膜評価
〇増澤 智昭1、根尾 陽⼀郎1、岡本 保2、⻑尾 昌善3、後藤 康仁4、三村 秀典1
1.静岡⼤, 2.⽊更津⾼専, 3.産総研, 4.京都⼤
21p-H137-18 C001182
電⼦ビーム照射された絶縁体試料表⾯電位分布のワーキングディスタンスと印加バイアス依存性
〇(M1)東海 昌司1、河本 拓也1、⼩寺 正敏1
1.⼤阪⼯⼤
3/21(⽉) 18:00 18:15
21p-H137-19 C001190
⾛査電⼦顕微鏡内のフォギング電⼦電流の測定
〇(M1)野⽥ 拓1, 2、萩原 佳史1、⼩寺 正敏1、Raynald Gauvin2
1.⼤阪⼯業⼤学, 2.マギル⼤学
3/21(⽉) 18:15 18:30
21p-H137-20 C000226
p型シリコンフィールドエミッタからの光⽀援電⼦放射（Ⅲ）
〇嶋脇 秀隆1、⻑尾 昌善2、根尾 陽⼀郎3、三村 秀典3、若家 冨⼠男4、⾼井 幹夫4
1.⼋⼾⼯⼤, 2.産総研, 3.静岡⼤, 4.⼤阪⼤
Oral
3/21(⽉) 18:30 18:45
21p-H137-21 C003278
GaAs負性電⼦親和⼒カソードの応答速度について
〇(M1C)光野 圭悟1、増澤 智昭1、畑中 義式1、根尾 陽⼀郎1、三村 秀典1
1.静岡⼤
Oral
3/21(⽉) 18:45 19:00
21p-H137-22 C003606
第⼀原理計算を⽤いた転写モールド法エミッタ⽤導電性セラミック材料の電⼦状態(Ⅴ)
〇(M1)伊藤 允⼈1、中本 正幸1、⽂ 宗鉉1
1.静岡⼤院⼯
7.3
Oral
3/19(⼟) 13:30 13:45
19p-S224-1
C001890
PS-block-PMMAの選択的有機-無機ハイブリッド化 〜Semi-static mode とcontinuous flow modeでの⽐較〜
〇廣芝 伸哉1、中川 勝1
1.東北⼤ 多元研
7.3
Oral
3/19(⼟) 13:45 14:00
19p-S224-2
C000323
熱アニール法によるポリスチレンとポリジメチルシロキサンからなるブロック共重合体のランダム配向⾯内シリンダ構造の配向秩序解析
〇⼭⼝ 徹1、藤原 聡1
1.NTT物性基礎研
7.3
Oral
3/19(⼟) 14:00 14:15
19p-S224-3
C001280
光ナノインプリント法により作製したsub-100 nm樹脂ガイドのトレンチ内でのpolystyrene-block-poly(methyl methacrylate)の誘導⾃⼰組織化
〇(B)⾦原 徹尚1、⼤窪 諒1、廣芝 伸哉1、中川 勝1
1.東北⼤多元研
7
7.3
Oral
3/19(⼟) 14:15 14:30
19p-S224-4
C000531
熱ナノインプリント⼀括転写プロセスを⽤いた原⼦ステップポリマー基板上への⾦ナノ粒⼦の配列パターン作製
〇嶋⽥ 航⼤1、譚 ゴオン1、野沢 靖久1、浦上 達宣2、⼩⼭ 浩司3、三⽥ 正弘4、⾦⼦ 智5, 1、松⽥ 晃史1、吉本 護1
1.東⼯⼤, 2.三井化学, 3.並⽊精密宝⽯, 4.協同インターナショナル, 5.神奈川県産技センター
7
7.3
Oral
3/19(⼟) 14:30 14:45
19p-S224-5
C000011
熱インプリントによるタンパク質表⾯の直接パターニング
〇銘苅 春隆1
1.産総研
7
7.3
Oral
3/19(⼟) 14:45 15:00
19p-S224-6
C000577
ナノインプリントグラフォエピタキシーによって作製した液晶⾼分⼦ネガ型及びポジ型パターンの分⼦配向観察
〇岡⽥ 真1、⾕⼝ 雄亮2、春⼭ 雄⼀1、⼩野 浩司3、川⽉ 喜弘2、松井 真⼆1
1.兵県⼤⾼度研, 2.兵県⼤⼯, 3.⻑岡技科⼤
7
7.3
Oral
奨
焦点位置追尾が可能な実時間波動場再構成電⼦顕微鏡システムの開発
休憩/Break
奨
奨
1.京都⼤, 2.産総研, 3.静岡⼤, 4.⽊更津⾼専, 5.⼤阪府⼤
3/19(⼟) 15:00 15:15
19p-S224-7
C000076
ダブルナノインプリントグラフォエピタキシーによって作製した液晶⾼分⼦パターンの分⼦配向評価
〇岡⽥ 真1、⾕⼝ 雄亮2、春⼭ 雄⼀1、⼩野 浩司3、川⽉ 喜弘2、松井 真⼆1
1.兵県⼤⾼度研, 2.兵県⼤⼯, 3.⻑岡技科⼤
7
7.3
Oral
3/19(⼟) 15:15 15:30
19p-S224-8
C003417
ポーラスアルミナを⽤いたナノインプリントによる超撥⽔表⾯の形成
〇柳下 崇1、村越 海⽃1、近藤 敏彰1、益⽥ 秀樹1
1.⾸都⼤学東京
7
7.3
Oral
3/19(⼟) 15:30 15:45
7
7.3
Oral
3/19(⼟) 15:45 16:00
新規のリバーサルインプリントを⽤いた微細パターン付き三次元構造の作製
〇(B)澤⽥ 裕樹1、藤井 ⼀緒1、川⽥ 博昭1、安⽥ 雅昭1、平井 義彦1
1.⼤府⼤
7
7.3
Oral
3/19(⼟) 16:00 16:15
19p-S224-10 C001696
熱ナノインプリントにおける樹脂中での応⼒緩和の検討
〇(B)飯⽥ 達⽮1、安⽥ 雅昭1、川⽥ 博昭1、平井 義彦1
1.⼤府⼤⼯
7
7.3
Oral
3/19(⼟) 16:15 16:30
19p-S224-11 C000176
7
7.3
Oral
3/19(⼟) 16:30 16:45
19p-S224-12 C000581
7
7.3
Oral
3/19(⼟) 16:45 17:00
19p-S224-13 C001640
7
7.3
Oral
3/19(⼟) 17:00 17:15
19p-S224-14 C001553
Induced stress during peeling release with various template stiffness in nanoimprint lithography
7
7.3
Oral
3/19(⼟) 17:15 17:30
19p-S224-15 C002296
フェムト秒パルスレーザーを⽤いて作製したポリイミド孔版のホール形状と光硬化性液体の吐出量の関係
7
7.3
Oral
3/19(⼟) 17:30 17:45
19p-S224-16 C001748
光ナノインプリントリソグラフィを⽬指したレーザー加⼯による光硬化性液体塗布⽤孔版の作製
〇関 健⽃1、永瀬 和郎2、廣芝 伸哉1、中川 勝1、中村 貴宏1
1.東北⼤多元研, 2.(株)ミノグループ
7
7.3
Oral
3/19(⼟) 17:45 18:00
19p-S224-17 C000010
超⾳波ナノインプリントにおける脱着可能なモールド固定法
〇銘苅 春隆1、⽮野 隆⾏2
1.産総研, 2.分⼦研
7
7.3
Oral
3/20(⽇)
9:30
9:45
20a-S224-1
C002293
フォトダイオードを⽤いたEUVレジストの透過率測定法の開発
〇⾖崎 ⼤輝1、渡辺 雅紀1、井⼝ 晴貴1、原⽥ 哲男1、渡邊 健夫1
1.兵庫県⽴⼤学
7
7.3
Oral
3/20(⽇)
9:45
10:00
20a-S224-2
C002361
EUVリソグラフィの分⼦シミュレーション
〇岩井 瑛規1、川⽥ 博昭1、平井 義彦1、安⽥ 雅昭1
1.⼤阪府⼤⼯
7
7.3
Oral
3/20(⽇) 10:00 10:15
20a-S224-3
C000519
フィン型SRAMの為のナノOPC製造考慮設計計算機シミュレーション
〇⾨⽥ 和也1
1.ナノサイエンスラボ
7
7.3
Oral
3/20(⽇) 10:15 10:30
20a-S224-4
C000986
半導体露光⽤エキシマレーザのビーム⾯内偏光度分布の測定
〇⼿井 ⼤輔1、熊崎 貴仁1、對⾺ 弘明1、⿊須 昭彦1、太⽥ 毅1、松永 隆1、溝⼝ 計1
1.ギガフォトン株式会社
休憩/Break
19p-S224-9
C002297
原⼦間⼒顕微鏡で観察される膜厚sub-100 nmでの
〇(M1)⽮野 春菜1、久保 祥⼀2、中川 勝1、梁 暁斌3、藤浪 想4、中嶋 健3
1.東北⼤多元研, 2.物材機構, 3.東⼯⼤院理⼯, 4.理研放射光
両末端シラノールPDMSによって成膜したPDMS離型膜の評価
〇岡⽥ 真1、松井 真⼆1
1.兵県⼤⾼度研
ナノインプリントにおける離型⼒及び⽋陥率のモールド剛性依存性
〇中村 直登1、フロリアン カービン2、川⽥ 博昭1、平井 義彦1
1.⼤府⼤, 2.フラ国⾼電⼦応⽤⼤
〇(M2)Florian Chalvin1, 2, Takamitsu Tochino1, Naoto Nakamura1, Masaaki Yasuda1, Hiroaki Kawata1, Yoshihiko Hirai1
1.Osaka Pref. Univ., 2.ENSEA
⽥辺 明1、⼤町 弘毅1、〇中村 貴宏1、佐藤 俊⼀1、中川 勝1
1.東北⼤多元研
光硬化樹脂薄膜における表⾯弾性率の膜厚依存性
E
奨
2016年春季講演会(東⼯⼤⼤岡⼭キャンパス)プログラム
⼤分類 中分類
形式
講演⽇
開始
終了
【1⽉28⽇(⽊)更新】暫定版からの更新箇所は⾚字になっております。
講演番号
受付番号
奨励賞 英語 招待
18 / 52 ページ
※会場、時間が変更になった場合は該当の⽅にご連絡いたします。
講演タイトル
著者
所属機関
7
7.3
Oral
3/20(⽇) 10:30 10:45
7
7.3
Oral
3/20(⽇) 10:45 11:00
20a-S224-5
C000223
液晶マトリックス投影露光時の階調制御による線幅均⼀性向上の検討
〇堀内 敏⾏1、⽻根⽯ 翔太1、吉⽥ 有美⾹1、⼩林 宏史1
1.東京電機⼤
7
7.3
Oral
3/20(⽇) 11:00 11:15
20a-S224-6
C002485
ビルトインレンズマスクリソグラフィによる⾼段差ステップ上への露光
〇⽥中 利樹1、笹⼦ 勝1、菊⽥ 久雄1、川⽥ 博昭1、平井 義彦1
1.⼤阪府⽴⼤
7
7.3
Oral
3/20(⽇) 11:15 11:30
20a-S224-7
C001393
奨
⾮化学増幅型電⼦線レジストにおける露光特性の分⼦量依存性
〇⾼⼭ 智寛1、岸村 由紀⼦1、浅⽥ 裕法1、星野 亮⼀2、河⽥ 敦2
1.⼭⼝⼤院理⼯, 2.グルーオンラボ
7
7.3
Oral
3/20(⽇) 11:30 11:45
20a-S224-8
C001459
奨
新規アクリル系ポリマー型電⼦線レジストの露光特性(Ⅱ)
〇落合 俊介1、髙⼭ 智寛1、岸村 由紀⼦1、浅⽥ 裕法1、國武 雅司2、星野 亮⼀3、河⽥ 敦3
1.⼭⼝⼤, 2.熊本⼤, 3.グルーオンラボ
7
7.3
Oral
3/20(⽇) 11:45 12:00
20a-S224-9
C000745
ポリビニルピロリドン微細構造上でのAuナノ粒⼦形成と制御
〇佃 諭志1、岡本 ⼀将2、⼭本 洋揮3、古澤 孝弘3
1.東北⼤多元研, 2.北⼤, 3.阪⼤産研
7
7.5
Oral
3/20(⽇) 13:15 13:30
20p-H137-1
C001657
⾼出⼒インパルスマグネトロンスパッタリング法を⽤いた⾼強度・サイズ選別ナノクラスターイオン源の開発
〇⾓⼭ 寛規1, 2、張 初航2、⼭本 宏晃3、⼾名 正英3、塚本 恵三3、中嶋 敦1, 2, 4
1.慶⼤理⼯, 2.JST-ERATO, 3.(株) アヤボ, 4.慶應KiPAS
7
7.5
Oral
3/20(⽇) 13:30 13:45
20p-H137-2
C001683
⾦属内包シリコンナノクラスター薄膜の創成とその化学的安定性
〇中嶋 敦1, 2, 3、渋⽥ 昌弘2、中⾕ 真⼈1, 3、太⽥ 努1、⾓⼭ 寛規1, 3、江⼝ 豊明1, 3
1.慶⼤理⼯, 2.慶應義塾KiPAS, 3.JST-ERATO
7
7.5
Oral
3/20(⽇) 13:45 14:00
20p-H137-3
C002707
7
7.5
Oral
3/20(⽇) 14:00 14:15
20p-H137-4
C003775
7
7.5
Oral
3/20(⽇) 14:15 14:30
20p-H137-5
7
7.5
Oral
3/20(⽇) 14:30 14:45
20p-H137-6
7
7.5
Oral
3/20(⽇) 14:45 15:00
20p-H137-7
7
7.5
Oral
3/20(⽇) 15:00 15:15
7
7.5
Oral
3/20(⽇) 15:15 15:30
20p-H137-8
C000175
MeVイオン照射/熱処理したNd:YAGでの⾮常に⻑い光吸収の裾
〇⾬倉 宏1、Akhmadaliev S.2、Zhou S.2、Cheng F.3
7
7.5
Oral
3/20(⽇) 15:30 15:45
20p-H137-9
C003344
ダイヤモンド蛍光⾶跡検出器のイオン種依存性
〇⽴⾒ 和雅1、春⼭ 盛善1, 2、⼩野⽥ 忍2、寺地 徳之3、磯⾕ 順⼀4、加⽥ 渉1、⼤島 武2、花泉 修1
1.群⾺⼤⼯, 2.原⼦⼒機構, 3.物材機構, 4.筑波⼤学
7
7.5
Oral
3/20(⽇) 15:45 16:00
20p-H137-10 C001364
イオン液体EMIM-BF4イオンビームの固体表⾯照射効果
〇(M1)⻄ 和哉1、上⽥ 弘貴1、藤井 志貴1、⽵内 光明1、⿓頭 啓充1、⾼岡 義寛1
1.京⼤院⼯
7
7.5
Oral
3/20(⽇) 16:00 16:15
20p-H137-11 C001405
イオン液体EMIM-DCAイオンビームの表⾯処理応⽤に関する検討
〇⽵内 光明1、星出 優輝1、⽵内 裕⼈1、⿓頭 啓充1、⾼岡 義寛1
1.京⼤院⼯
7
7.5
Oral
3/20(⽇) 16:15 16:30
20p-H137-12 C001457
ガスクラスターイオンビーム照射によるPEEKの表⾯改質
〇⿂住 裕樹1、豊⽥ 紀章1、⼭⽥ 公1
1.兵庫県⼤院⼯
7
7.5
Oral
3/20(⽇) 16:30 16:45
20p-H137-13 C001469
酢酸雰囲気下でのO2-GCIB照射による⾦属エッチングの⼊射⾓依存性
〇⼩川 晃広1、豊⽥ 紀章1、⼭⽥ 公1
1.兵庫県⽴⼤院⼯
7
7.5
Oral
3/20(⽇) 16:45 17:00
20p-H137-14 C001589
スキャン機構を⽤いたClF3中性クラスター反応性エッチング
〇瀬⽊ 利夫1、吉野 裕2、⼩池 国彦2、⻘⽊ 学聡1、松尾 ⼆郎1
7
7.5
Oral
3/20(⽇) 17:00 17:15
20p-H137-15 C002762
ガスクラスターイオンビームを⽤いた表⾯活性化接合の検討
〇佐々⽊ 智也1、豊⽥ 紀章1、⼭⽥ 公1
1.兵庫県⽴⼤院⼯
8
8.1
Poster
3/19(⼟) 16:00 18:00
19p-P5-1
C003508
PBII法を⽤いた芽胞菌の殺菌に与える包装の影響に関する基礎研究
〇(B)狩野 卓也1、下野 和洋1、野⼝ 央照1、⾓川 幸治1、林 兼也1、⿑藤 海1、⽥中 武1
1.広⼯⼤
8
8.1
Poster
3/19(⼟) 16:00 18:00
19p-P5-2
C001819
マイクロ波プラズマ液体処理におけるエネルギー効率向上
〇滝藤 奨1、伊藤 美智⼦1, 2、⾼島 成剛2、野村 記⽣3、北川 富則3、豊⽥ 浩考1
1.名⼤⼯, 2.プラシア, 3.三進製作所
8
8.1
Poster
3/19(⼟) 16:00 18:00
19p-P5-3
C002733
DBD プラズマアクチュエータにおける電流パルス間隔の数値解析
〇(M1)佐藤 慎太郎1、⼤⻄ 直⽂1
1.東北⼤⼯
8
8.1
Poster
3/19(⼟) 16:00 18:00
19p-P5-4
C002475
YAGレーザーを⽤いた1kW級半導体レーザー維持プラズマの着⽕過程
〇(M1)⻄本 昂司1、松井 信1
1.静⼤⼯
8
8.1
Poster
3/19(⼟) 16:00 18:00
19p-P5-5
C003467
⼤気圧を超える⾼圧マイクロ波プラズマの⽣成と診断
〇井上 健⼀1、シュタウス スヴェン1、⾦ 載浩2、寺嶋 和夫1
1.東⼤新領域, 2.産総研
8
8.1
Oral
3/21(⽉)
9:00
9:15
21a-W611-1
C002425
マイクロ波を⽤いた⼤気圧ラインプラズマの⽣成(Ⅲ)
〇宮⽥ 弘志1、進藤 春雄1、磯村 雅夫1、桑畑 周司1
1.東海⼤院⼯
8
8.1
Oral
3/21(⽉)
9:15
9:30
21a-W611-2
C003402
⼤気圧⾮平衡放電プラズマによる界⾯活性剤⽔溶液の分解
〇湯地 敏史1、岡村 好美1、有井 秀和1、⽊之下 広幸1、⻘⽊ 慎⼆2
1.宮崎⼤学, 2.ADTEC Plasma Tech.Co.,Ltd.
8
8.1
Oral
3/21(⽉)
9:30
9:45
21a-W611-3
C000055
⼤気圧RF誘電体バリア放電におけるαとγ放電モードの⽐較解析
〇トン リチュ1
1.計測エンジニア
8
8.1
Oral
3/21(⽉)
9:45
10:00
21a-W611-4
C002627
⼤気圧He/H2O直流グロー放電における負イオン⽣成の影響
〇岡村 航太1、⽩井 直機1、内⽥ 諭1、杤久保 ⽂嘉1
1.⾸都⼤院理⼯
8
8.1
Oral
3/21(⽉) 10:00 10:15
21a-W611-5
C002925
⼤気圧Ne中のナノ秒パルス放電に対する数値解析―液体電極の導電率特性の調査―
〇元島 ⼀樹1、⽩井 直機1、内⽥ 諭1、杤久保 ⽂嘉1
1.⾸都⼤院理⼯
8
8.1
Oral
3/21(⽉) 10:15 10:30
8
8.1
Oral
3/21(⽉) 10:30 10:45
21a-W611-6
C002498
タンデム型ECRイオン源におけるXeプラズマ⽣成とその価数分布およびビーム制御
〇⼤塚 拓郎1、⻑家 知⽣1、⻄岡⽥ 卓也1、萩野 尚吾1、佐藤 ⽂信1、加藤 裕史1
1.阪⼤院⼯
8
8.1
Oral
3/21(⽉) 10:45 11:00
21a-W611-7
C002558
奨
電⼦サイクロトロン共鳴イオン源プラズマにおけるXモード4~6GHzマイクロ波導⼊実験
〇⻄岡⽥ 卓也1、⼤塚 拓郎1、萩野 尚吾1、⻑家 知⽣1、佐藤 ⽂信1、加藤 裕史1
8
8.1
Oral
3/21(⽉) 11:00 11:15
21a-W611-8
C002569
奨
タンデム型ECRイオン源における原⼦内包フラーレン気相合成基礎実験
〇⻑家 知⽣1、⻄岡⽥ 卓也1、萩野 尚吾1、⼤塚 拓郎1、渡辺 拓⼈1、内⽥ 貴司2、村松 正幸3、佐藤 ⽂信1、北川 敦志3、加藤 裕史1、吉⽥ 善⼀2
1.阪⼤院⼯, 2.東洋⼤学, 3.放医研
8
8.1
Oral
3/21(⽉) 11:15 11:30
21a-W611-9
C002596
タンデム型ECRイオン源における鉄蒸発源開発と鉄イオンビーム⽣成
〇萩野 尚吾1、⻑家 知⽣1、⻄岡⽥ 卓也1、⼤塚 拓郎1、渡辺 拓⼈1、村松 正幸2、北川 敦志2、佐藤 ⽂信1、加藤 裕史1
1.阪⼤院⼯, 2.放医研
8
8.1
Oral
3/21(⽉) 11:30 11:45 21a-W611-10 C000381
奨
円筒キャビティと固体アンプを⽤いたマイクロ波プラズマ⽣成ⅠⅠ
〇(M1)⻑⾕川 雄⼀1、⼩川 ⼤輔1、中村 圭⼆1、パーク スーナム2、⼩林 理2、菅井 秀郎3
1.中部⼤⼯, 2.アプライドマテリアルズ, 3.名産研
8
8.1
Oral
3/21(⽉) 11:45 12:00 21a-W611-11 C000234
奨
マイクロ波励起⽔中気泡内プラズマのパルス変調効果
〇(M1)北野 卓也1、伊藤 卓也1、鈴⽊ 宏明1、⽯島 達夫1、⽥中 康規1、上杉 喜彦1
1.⾦沢⼤
8
8.2
Oral
3/20(⽇)
9:15
9:30
20a-KD-1
I000132
8
8.2
Oral
3/20(⽇)
9:30
9:45
20a-KD-2
C003340
奨
8
8.2
Oral
3/20(⽇)
9:45
10:00
20a-KD-3
C000088
8
8.2
Oral
3/20(⽇) 10:00 10:15
20a-KD-4
C001389
8
8.2
Oral
3/20(⽇) 10:15 10:30
20a-KD-5
C002587
8
8.2
Poster
3/21(⽉) 13:30 15:30
21p-P4-1
C001150
8
8.2
Poster
3/21(⽉) 13:30 15:30
21p-P4-2
C002743
8
8.2
Poster
3/21(⽉) 13:30 15:30
21p-P4-3
8
8.3
Poster
3/19(⼟) 16:00 18:00
8
8.3
Poster
3/19(⼟) 16:00 18:00
8
8.3
Poster
8
8.3
8
8.3
8
8.3
8
休憩/Break
⾼出⼒インパルスマグネトロンスパッタリングで⽣成した
〇秋元 健吾1、⽔内 勇1、⼭本 宏晃2、⼾名 正英2、塚本 恵三1, 2、中野 元善1、⼤下 慶次郎1、美⿑津 ⽂典1
1.東北⼤院理, 2.（株）アヤボ
Effect of Hydrogen Ion Beam Treatment on Si Nanocrystal/SiO2 Superlattice Memory Devices
〇(DC)Shengwen Fu1, HuiJu Chen1, ChuanFeng Shih1
1.Cheng Kung Univ.
C001793
⾶⾏時間型質量分析計に搭載した真空型帯電液滴ビーム銃による⼆次イオンの測定
〇⼆宮 啓1、境 悠治2、⼗河 真⽣3、宮⼭ 卓也3、坂井 ⼤輔3、渡邉 勝⼰3、チェン リーチュイン1、平岡 賢三2
1.⼭梨⼤総合, 2.⼭梨⼤クリーン, 3.アルバック・ファイ
C003066
⾼速重イオンを⽤いた⼤気圧SIMSの開発と応⽤
〇草刈 将⼀1、藤井 ⿇樹⼦1、瀬⽊ 利夫1、⻘⽊ 学聡1、松尾 ⼆郎1
1.京⼤院⼯
C003392
低真空クラスターSIMS分析技術の開発
〇鈴⽊ 敢⼠1、草刈 将⼀1、藤井 ⿇樹⼦1、瀬⽊ 利夫1、⻘⽊ 学聡1、松尾 ⼆郎1
1.京⼤院⼯
⾦属クラスターイオンと窒素分⼦との反応の研究
E
休憩/Break
奨
奨
1.物材機構, 2.HZDR, 3.⼭東⼤学
1.京⼤院⼯, 2.岩⾕産業
休憩/Break
招
「講演奨励賞受賞記念講演」（15分）
1.阪⼤院⼯
〇近藤 崇博1, 2、伊藤 剛仁2
1.東海⼤, 2.阪⼤⼯
⼆波⻑分光画像から求めた定性的窒素分⼦回転温度分布の定量化
〇(M1)佐々本 凌1、松本 宇⽣1、折居 英章1、⽣澤 泰⼆1、⻄嶋 喜代⼈1
1.福岡⼤⼯
奨
電⼦密度測定⽤マイクロ波ミニプローブの開発
〇(B)堀⽥ 将也1、⼩川 ⼤輔1、中村 圭⼆1、菅井 秀郎1
1.中部⼤⼯
奨
低コヒーレンス光⼲渉法を⽤いたハイパワーインパルスマグネトロンスパッタリングプロセスにおける⾼精度シリコン基板温度計測
〇(M1)服部 克宏1、太⽥ 貴之1、⼩⽥ 昭紀2、上坂 裕之3
1.名城⼤理⼯, 2.千葉⼯⼤, 3.名⼤院⼯
アルゴン-塩素プラズマにおけるGaNダメージのガス⽐依存性
〇伴野 良継1、⼩川 ⼤輔1、中野 由崇1、中村 圭⼆1
1.中部⼤⼯
Effect of Electrode Material to Gerdien Condenser Current-Voltage Characteristics
〇(DC)Camille Corrales Lacdan1, Motoi Wada1
1.Doshisha Univ
質量分析法によるDLC成膜⽤Ar/CH4プラズマの診断
〇深井 駿1、⼩⽥ 昭紀1、上坂 裕之2、太⽥ 貴之3
1.千葉⼯⼤, 2.名⼤機械, 3.名城⼤理⼯
C001540
分光学的⼿法による⼤気圧ミストプラズマ診断
〇妻⽊ 正尚1、伊藤 剛仁1
1.阪⼤院⼯
19p-P6-1
C000024
裏⾯照射型粉体PLDによる機能性薄膜の作製I
〇川崎 仁晴1、⼤島 多美⼦1、柳⽣ 義⼈1、猪原 武⼠1、⼭内 真紀⼦1
1.佐世保⾼専
19p-P6-2
C000326
円筒型ターゲットを⽤いた⾼周波磁化プラズマスパッタによるAZO薄膜の低温合成
〇⼤津 康徳1、住⼭ 貴史1、⼭⼝ 真依1、⽥原 ⻯夫2、本村 ⼤成2
1.佐⼤院⼯, 2.産総研
3/19(⼟) 16:00 18:00
19p-P6-3
C002829
スロット内⽣成マイクロ波プラズマを⽤いた⾼速プラズマCVD
〇(M1)⼭本 匡毅1、鈴⽊ 陽⾹1、豊⽥ 浩孝1, 2
1.名⼤⼯, 2.名⼤プラズマナノ⼯学研究センター
Poster
3/19(⼟) 16:00 18:00
19p-P6-4
C002933
プルシアンブルー担持磁気ナノ微粒⼦の作製とその液中セシウムイオンの除去特性
〇⾼柳 俊也1、永津 雅章1, 2
1.静⼤院⼯, 2.静⼤創造院
Poster
3/19(⼟) 16:00 18:00
19p-P6-5
C003239
酸素混合プラズマを⽤いた熱電⼦発電⽤半導体エミッタの表⾯処理
〇渡邉 孝俊1、⽻⽥ 篤史1、井上 健吾1、荻野 明久1
1.静⼤院⼯
Poster
3/19(⼟) 16:00 18:00
19p-P6-6
C003245
⼤気圧プラズマジェットにより処理した熱電⼦発電器⽤Siエミッタの電⼦放出特性
〇(M1)村⽥ 健⼆朗1、荻野 明久1
1.静⼤院⼯
8.3
Poster
3/19(⼟) 16:00 18:00
19p-P6-7
C002317
プラズマ⽀援原⼦層堆積法によるa-TiNX薄膜の極低温合成（Ⅱ）
〇柳 炳學1、関 渓太1、佐藤 哲也1
1.⼭梨⼤
8
8.3
Poster
3/19(⼟) 16:00 18:00
19p-P6-8
C003665
SiF4凝縮層の低速電⼦線誘起反応と⽔素原⼦のトンネル反応を利⽤したa-SiNxの極低温合成
〇坂巻 直1、佐藤 哲也1、中川 清和1
1.⼭梨⼤
8
8.3
Oral
3/22(⽕)
9:00
9:15
22a-W611-1
C001524
ハイブリッド対向スパッタによるITO透明導電膜作製-可動棒磁⽯移動距離依存性-
〇諸橋 信⼀1、辻⽥ 圭佑1、⾕本 司1、原⽥ 直幸1、村⽥ 卓也1
1.⼭⼝⼤⼯
8
8.3
Oral
3/22(⽕)
9:15
9:30
22a-W611-2
C001761
プラズマ⽀援反応性スパッタリングを⽤いたアモルファスIGZO薄膜トランジスタの低温形成
節原 裕⼀1、中⽥ 慶太郎1、佐⽵ 義且1、〇⽵中 弘祐1、内⽥ 儀⼀郎1、江部 明憲2
1.阪⼤接合研, 2.イー・エム・ディー
8
8.3
Oral
3/22(⽕)
9:30
9:45
22a-W611-3
C002108
VHF-DC重畳マグネトロンスパッタによる平坦性向上機構の検討
〇巣⼭ 拓1、福井 崇史1、瀬⾼ 健太1、笹井 健典1、豊⽥ 浩孝1, 2
1.名⼤⼯, 2.名⼤プラズマナノ⼯学研究センター
8
8.3
Oral
3/22(⽕)
9:45
10:00
22a-W611-4
C002525
奨
イオンビームスパッタリングによるNaCl膜の形成
8
8.3
Oral
3/22(⽕) 10:00 10:15
22a-W611-5
C003120
奨
ラジカル⽀援有機⾦属化学気相成⻑法によるInN結晶成⻑
〇⾼井 慎之介1、蘆 翌1、岩本 ⼀希1、⼩⽥ 修1、⽵⽥ 圭吾1、近藤 博基1、⽯川 健治1、関根 誠1、堀 勝1
1.名⼤院⼯
8
8.3
Oral
3/22(⽕) 10:15 10:30
22a-W611-6
C003750
奨
プラズマ励起化学気相堆積法で成⻑したアモルファスカーボン膜の吸収端近傍X線吸収微細構造における⾼周波電⼒依存性
〇(M2)杉浦 啓嗣1、賈 凌雲1、佐藤 俊⼀1、近藤 博基1、⽯川 健治1、⽵⽥ 圭吾1、関根 誠1、堀 勝1
1.名⼤院⼯
8
8.3
Oral
3/22(⽕) 10:30 10:45
8
8.3
Oral
3/22(⽕) 10:45 11:00
22a-W611-7
C001456
リモート窒素プラズマの照射によるSiCの表⾯窒化における放電管材料の影響
〇嶋林 正晴1、栗原 ⼀彰2、佐々⽊ 浩⼀1
1.北⼤⼯, 2.IMEC/Toshiba
8
8.3
Oral
3/22(⽕) 11:00 11:15
22a-W611-8
C001528
⼤気圧低温プラズマを⽤いたレジストの除去
⾼井 智基1、〇⼭本 雅史1、⿅間 共⼀1、⻑岡 史郎1、⻄⼭ 聖2、堀邊 英夫2
1.⾹川⾼専, 2.⼤阪市⼤
8
8.3
Oral
3/22(⽕) 11:15 11:30
22a-W611-9
C001545
奨
⽔素ラジカルによるレジスト除去における除去速度の酸素添加量依存性
〇⼭本 雅史1、梅本 宏信2、⼤平 圭介3、⿅間 共⼀1、⻄⼭ 聖4、堀邊 英夫4
1.⾹川⾼専, 2.静⼤, 3.北陸先端⼤, 4.⼤阪市⼤
8
8.3
Oral
3/22(⽕) 11:30 11:45 22a-W611-10 C003142
奨
⾮平衡⼤気圧プラズマプロセスによる微細孔内の流速制御
8
8.3
Oral
3/22(⽕) 11:45 12:00 22a-W611-11 C003669
8
8.3
Oral
3/22(⽕) 12:00 12:15 22a-W611-12 C003455
8
8.3
Oral
3/22(⽕) 12:15 12:30 22a-W611-13 C003639
8
8.3
Oral
3/22(⽕) 12:30 12:45 22a-W611-14 C003630
8
8.4
Oral
3/19(⼟) 14:30 14:45
19p-W621-1
8
8.4
Oral
3/19(⼟) 14:45 15:00
19p-W621-2
8
8.4
Oral
3/19(⼟) 15:00 15:15
8
8.4
Oral
8
8.4
Oral
奨
奨
E
プラズマ⽣成反応活性種供給過程における⽔表⾯構造の振動和周波発⽣分光による診断
〇⼭野 将史1、針⾕ 達1、宮本 優1、今井 貴⼤1、須⽥ 善⾏1、滝川 浩史1、神⾕ 雅男2、瀧 真3、⻑⾕川 裕史3、辻 信広3、⻄内 満美⼦4、榊 泰直
4、近藤 公伯4
1.豊橋技科⼤, 2.伊藤光学, 3.オンワード技研, 4.原⼦⼒機構
休憩/Break
奨
〇伊藤 巧1、⽯川 健治1、⼩野島 ⼤介1、湯川 博1、橋⽖ 博司1、⽥中 宏昌1、⽊原 直⼈2、⿓腰 健太郎2、⼩⾼ 秀⽂2、⽵⽥ 圭吾1、近藤 博基1、
関根 誠1、⾺場 嘉信1、堀 勝1
1.名⼤院⼯, 2.旭硝⼦
ステンレスのクロムによる酸化層の⽣成におけるオゾンの影響
〇⽥⼝ 貢⼠1、松本 将⼤1、安達 穣1、登尾 ⼀幸1
1.魁半導体
低温プラズマによる⿊鉛粉体のフッ化処理
〇⽥⼝ 貢⼠1、安達 穣1、松本 将⼤1、登尾 ⼀幸1
1.魁半導体
誘電体バリア放電を⽤いた⼤気圧プラズマ窒化
〇津留 卓⽃1、喜多村 圭⼀1、市來 ⿓⼤1、⾚峰 修⼀1、⾦澤 誠司1
1.⼤分⼤⼯
混合粉体ターゲットを⽤いたAZOのスパッタリング成膜
〇⼤島 多美⼦1、川崎 仁晴1、柳⽣ 義⼈1、猪原 武⼠1、須⽥ 義昭1
1.佐世保⾼専
C002945
ダウンフローエッチングにおける活性種輸送の考察
〇⽯川 健治1、関根 誠1、林 俊雄1、堀 勝1、堀池 靖浩2
1.名古屋⼤学, 2.筑波⼤学
C003642
有機膜表⾯における活性種によるエッチング反応の基板温度依存性
〇福永 裕介1、堤 隆嘉1、⽵⽥ 圭吾1、⽯川 健治1、近藤 博基1、関根 誠1、堀 勝1
1.名⼤院⼯
19p-W621-3
C002515
フーリエ変換⾚外吸収分光法を⽤いたプラズマエッチングにおける基板表⾯温度測定
〇(D)中崎 暢也1、福島 ⼤介1、宮⽥ 浩貴1、津⽥ 博隆1、鷹尾 祥典1、江利⼝ 浩⼆1、斧 ⾼⼀1
1.京⼤院⼯
3/19(⼟) 15:15 15:30
19p-W621-4
C003301
層間絶縁膜へのプラズマダメージの電気的解析⼿法
〇(M1)⻄⽥ 健太郎1、岡⽥ ⾏正1、鷹尾 祥典2、江利⼝ 浩⼆1、斧 ⾼⼀1
1.京⼤院⼯, 2.横国⼤院⼯
He/H2プラズマ照射による垂直磁化CoFeB膜への磁気ダメージ評価
〇佐⽵ 真1, 2、⼭⽥ 将貴1
1.⽇⽴ハイテク, 2.阪⼤院⼯
H2/ArプラズマによるITOエッチングに対する⽔素変質層の効果
〇平⽥ 瑛⼦1、深沢 正永1、重歳 卓志1、岡本 正喜1、⻑畑 和典1、李 ⻁2、浜⼝ 智志2、⾠⺒ 哲也1
1.ソニー, 2.阪⼤院⼯
負荷インピーダンス測定⼿法によるプラズマエッチングチャンバー内壁の監視
〇笠嶋 悠司1、上杉 ⽂彦1
1.産総研
YOFセラミックスのプラズマ耐性評価
奨
3/19(⼟) 15:30 15:45
19p-W621-5
C000592
8
8.4
Oral
3/19(⼟) 15:45 16:00
19p-W621-6
C000537
8
8.4
Oral
3/19(⼟) 16:00 16:15
8
8.4
Oral
3/19(⼟) 16:15 16:30
19p-W621-7
C000823
8
8.4
Oral
3/19(⼟) 16:30 16:45
19p-W621-8
C000788
〇津之浦 徹1、吉⽥ 克⼰1、⽮野 豊彦1
1.東⼯⼤
8
8.4
Oral
3/19(⼟) 16:45 17:00
19p-W621-9
C003285
ガラスの表⾯微細加⼯における⾦属添加物による影響の解析
〇(M1)吉武 尚輝1、⽯川 健治1、関根 誠1、⽵⽥ 圭吾1、近藤 博基1、堀 勝1
1.名⼤院⼯
8
8.4
Oral
3/19(⼟) 17:00 17:15 19p-W621-10 C000412
C4F6分⼦の電⼦物性と解離
〇林 俊雄1、⽯川 健治1、関根 誠1、堀 勝1
1.名古屋⼤学⼯
8
8.4
Oral
3/19(⼟) 17:15 17:30 19p-W621-11 C001481
中性粒⼦ビーム励起錯体反応による遷移⾦属エッチングメカニズムのTight-binding量⼦分⼦動⼒学法を⽤いた検討
〇久保⽥ 智広1、伊藤 寿2、久保 百司2、寒川 誠⼆1, 3
1.東北⼤流体研, 2.東北⼤⾦研, 3.東北⼤WPI-AIMR
8
8.4
Oral
3/19(⼟) 17:30 17:45 19p-W621-12 C002311
次世代⾼密度実装基板向けドライデスミア技術の開発
佐藤 宗之1、森川 泰宏1、〇村⼭ 貴英1、⾕ 典明1、⽶⽥ 昌弘1
1.アルバック
8
8.4
Poster
3/21(⽉) 13:30 15:30
吸引プラズマによるSi基板の⾼速局所エッチング加⼯
〇宮脇 淳1、狩野 諒2、菅 洋志2、久保 利隆1、安藤 淳1、⾼橋 賢3、新堀 俊⼀郎3、清⽔ 哲夫1
1.産総研, 2.千葉⼯⼤, 3.三友製作所
奨
休憩/Break
21p-P5-1
C001614
奨
奨
2016年春季講演会(東⼯⼤⼤岡⼭キャンパス)プログラム
⼤分類 中分類
形式
講演⽇
開始
終了
【1⽉28⽇(⽊)更新】暫定版からの更新箇所は⾚字になっております。
講演番号
受付番号
奨励賞 英語 招待
19 / 52 ページ
※会場、時間が変更になった場合は該当の⽅にご連絡いたします。
講演タイトル
著者
所属機関
8
8.4
Poster
3/21(⽉) 13:30 15:30
21p-P5-2
C001427
中性粒⼦ビーム励起錯体反応を⽤いた遷移⾦属エッチングにおける吸着分⼦の影響
〇久保⽥ 智広1、菊地 良幸2、伊藤 寿3、久保 百司3、寒川 誠⼆1, 4
1.東北⼤流体研, 2.東京エレクトロン(株), 3.東北⼤⾦研, 4.東北⼤WPI-AIMR
8
8.5
Poster
3/21(⽉) 13:30 15:30
21p-P6-1
C002321
斜め堆積反応性蒸着の基板⾓度変化における堆積シミュレーション
〇(M1)仲尾 昌浩1、井上 泰志1、⾼井 治2
1.千葉⼯⼤⼯, 2.関東学院⼤
8
8.5
Poster
3/21(⽉) 13:30 15:30
21p-P6-2
C003380
⾼周波マグネトロンプラズマCVDによるグラフェンの成⻑と解析
〇(B)⽯徹⽩ 智1、⼭⽥ 隼也1、河村 侑⾺1、林 康明1
1.京都⼯繊⼤
8
8.5
Poster
3/21(⽉) 13:30 15:30
21p-P6-3
C001760
⼤気開放型⽔素/アルゴンプラズマジェットで合成される⾦ナノ粒⼦の粒径制御
〇清⽔ 禎樹1、伯⽥ 幸也1
1.産総研 ナノ材料
8
8.5
Poster
3/21(⽉) 13:30 15:30
21p-P6-4
C000529
レーザーアブレーションプラズマ粒⼦束照射イオン液体法によるシリコンナノ粒⼦合成
〇伊藤 剛仁1、津⽥ 哲哉1、宗岡 均2、ビアド コーリー1、桑畑 進1
1.阪⼤⼯, 2.東⼤新領域
8
8.5
Oral
3/22(⽕)
9:00
9:15
22a-W621-1
C003260
メタンプラズマにおける化学反応解析のための有向グラフを⽤いたネットワーク構造分析(Ⅱ)
〇(M1)信藤 恭佑1、宮城 茂幸1、橘 邦英2、酒井 道1
1.滋賀県⽴⼤, 2.⼤阪電通⼤
8
8.5
Oral
3/22(⽕)
9:15
9:30
22a-W621-2
C002997
グラフェン成⻑初期過程のレーザー偏光解析モニタリング
川野 正裕1、⼭⽥ 隼也1、⽯徹⽩ 智1、〇林 康明1
1.京都⼯繊⼤
8
8.5
Oral
3/22(⽕)
9:30
9:45
22a-W621-3
C003778
プラズマ化学輸送法によるh-BN原⼦層の形成に向けて – キャリアガスの影響2
〇北嶋 武1、中野 俊樹1
1.防⼤電気
8
8.5
Oral
3/22(⽕)
9:45
10:00
22a-W621-4
C000085
ヘリウムプラズマ照射による鉄及びニオブの表⾯構造変化
〇梶⽥ 信1、⽯⽥ 智哉2、三室 ⽂明3、⼤野 哲靖2
1.名⼤未来研, 2.名⼤院⼯, 3.名⼤⼯
8
8.5
Oral
3/22(⽕) 10:00 10:15
22a-W621-5
C002836
マグネトロンスパッタリングにより⽣成したスズ微粒⼦の保持および基板への輸送
〇(BC)⾼成 和史1、ナファリザル ナヤン2、佐々⽊ 浩⼀1
1.北海道⼤学, 2.Univ. Tun Hussein Onn Malaysia
8
8.5
Oral
3/22(⽕) 10:15 10:30
22a-W621-6
C000442
8
8.5
Oral
3/22(⽕) 10:30 10:45
8
8.5
Oral
3/22(⽕) 10:45 11:00
22a-W621-7
I000165
8
8.5
Oral
3/22(⽕) 11:00 11:15
22a-W621-8
C002673
8
8.5
Oral
3/22(⽕) 11:15 11:30
22a-W621-9
C002346
8
8.5
Oral
3/22(⽕) 11:30 11:45 22a-W621-10 C002867
8
8.5
Oral
3/22(⽕) 11:45 12:00 22a-W621-11 C000445
8
8.6
Poster
3/19(⼟) 16:00 18:00
19p-P7-1
C001070
8
8.6
Poster
3/19(⼟) 16:00 18:00
19p-P7-2
C001136
8
8.6
Poster
3/19(⼟) 16:00 18:00
19p-P7-3
8
8.6
Poster
3/19(⼟) 16:00 18:00
19p-P7-4
8
8.6
Poster
3/19(⼟) 16:00 18:00
19p-P7-5
8
8.6
Poster
3/19(⼟) 16:00 18:00
19p-P7-6
C002367
8
8.6
Poster
3/19(⼟) 16:00 18:00
19p-P7-7
C003466
奨
⾎液凝固現象理解のためのHe / Ar⼤気圧低エネルギープラズマの特性計測
8
8.6
Poster
3/19(⼟) 16:00 18:00
19p-P7-8
C003237
奨
抗体結合プラズマ修飾磁気ナノ粒⼦による液中⼤腸菌の選択的検出
〇杉浦 邦昂1、Viswan Anchu2、永津 雅章1, 2
1.静⼤院⼯, 2.静⼤創造院
8
8.6
Poster
3/19(⼟) 16:00 18:00
19p-P7-9
C000250
プラズマ照射による植物⼯場⽤培養液への影響評価
〇(B)⻤頭 昌也1、関 聡史1、吉⽥ 陵平1、安井 晋⽰1、庄⼦ 和博2、寺添 ⻫2
1.名⼯⼤, 2.電中研
8
8.6
Poster
3/19(⼟) 16:00 18:00
19p-P7-10
C002834
奨
⼤気圧⾮平衡プラズマを⽤いた粉状茶葉の低温殺菌
〇濱嶋 周平1、河村 尚寿2、永津 雅章1
1.静岡⼤学, 2.クメタ製作所
8
8.6
Poster
3/19(⼟) 16:00 18:00
19p-P7-11
C003661
奨
ガス流量制御空気プラズマ活性種の分⽣⼦発芽抑制効果
〇嶋⽥ 啓亮1、⼩⻄ 秀明1、⾼島 圭介1、⾦⼦ 俊郎1
1.東北⼤院⼯
8
8.6
Poster
3/19(⼟) 16:00 18:00
19p-P7-12
C003666
⼤気圧プラズマによる農産物連続殺菌装置の開発
〇柳⽣ 義⼈1、宮本 ⼤毅1、作道 章⼀2、三島 朋⼦4、⻄岡 輝美4、⼤島 多美⼦1、猪原 武⼠1、川崎 仁晴1、林 信哉3、須⽥ 義昭1
3/19(⼟) 16:00 18:00
8.6
Poster
8
8.6
Poster
8
8.6
Poster
8
8.6
Oral
3/21(⽉)
9:00
9:15
8
8.6
Oral
3/21(⽉)
9:15
9:30
8
8.6
Oral
3/21(⽉)
9:30
9:45
8
8.6
Oral
3/21(⽉)
9:45
10:00
8
8.6
Oral
3/21(⽉) 10:00 10:15
21a-W621-5
21a-W621-6
3/19(⼟) 16:00 18:00
コンパクトドリフトチューブを⽤いたプラズマ⽣成ダスト捕集
〇⽩⾕ 正治1、⽚⼭ ⿓1、古閑 ⼀憲1、⼭下 ⼤輔1、徐 鉉雄1、板垣 奈穂1、増崎 貴2、芦川 直⼦2、時⾕ 政⾏2、⻄村 清彦2、相良 明男2、LHD 実
験グループ2
1.九⼤シス情, 2.核融合研
休憩/Break
8
3/19(⼟) 16:00 18:00
奨
招
「講演奨励賞受賞記念講演」（15分）
〇簾 智仁1、上野 智永1, 4、齋藤 永宏1, 2, 3, 4
1.名⼤院⼯, 2.名⼤グリモ, 3.名⼤未来, 4.JST-CREST
⾼圧液中レーザーアブレーション法を⽤いて作製した酸化亜鉛ナノ粒⼦酸素センサにおける酸素応答モデル
〇後藤 拓1、清⽔ 禎樹2、保⽥ 英洋1、伊藤 剛仁1
1.阪⼤院⼯, 2.産総研
離散的ナノ柱状構造化InN薄膜の⾮⽔電解質中のAiECにおける表⾯吸着物の変化
〇(M2)枡川 尊重1、井上 泰志1、⾼井 治2
1.千葉⼯⼤, 2.関東学院⼤
奨
プラズマスプレーPVDによるLiイオン⼆次電池⽤Si-Ni複合ナノ負極の特性向上
〇深⽥ 航平1、太⽥ 遼⾄1、神原 淳1
1.東⼤院⼯
奨
TiO2ナノ粒⼦⽣成中のICTPトーチ内におけるTi励起温度⼆次元分布
〇兒⽟ 直⼈1、北 健太郎1、⽯坂 洋輔1、⽥中 康規1、上杉 喜彦1、⽯島 達夫1、末安 志織2、中村 圭太郎2
1.⾦⼤院⾃然, 2.⽇清製粉グループ本社
⼤気圧プラズマ照射による⼤腸菌と酵⺟の不活化機序
〇眞⼸ 尚⼤1、林 信哉1、井上 ⿇美2、⽥代 康介2、久原 哲2、柳⽣ 義⼈3
1.九⼤総理⼯, 2.九⼤農学部, 3.佐世保⾼専
プラズマバブルによる遺伝⼦導⼊
〇(B)⼤隣 啓志1、尾形 宏輝1、辻本 ⼤介1、⼭⻄ 陽⼦1, 2
1.芝⼯⼤⼯, 2.JST PRESTO
C000585
プラズマガス温度が殺菌能に影響を与える要因調査
〇堂⼭ 英之1、川野 浩明1、⾼松 利寛2、松村 有⾥⼦3、宮原 秀⼀1、岩澤 篤郎3、東 健2、沖野 晃俊1
C001504
誘電体バリア放電によって⽣成された活性種による⼝腔がん細胞の不活化効果
〇(D)⼩野 ⼤帝1、⼤坪 哲也1、林 信哉1、合島 怜央奈2、⼭下 佳雄2、後藤 昌昭2
1.九⼤総理⼯, 2.佐賀⼤医
C002669
誘電体バリア放電の⽣成条件による⻑寿命の中性活性種への影響
〇松井 慧1、池永 訓昭1、作道 訓之1
1.⾦沢⼯⼤
奨
奨
⽔/有機溶液中ソリューションプラズによる⾦ナノ粒⼦⾼速合成
⼤気圧低温プラズマによる⼼筋梗塞治療効果の検討に向けたモデルラットの作製⽅法の検討
〇(M1C)脇⽥ 諭1、渡邊 寛輝1、⼭下 諒祐1、⾦﨑 拓哉1、森 晃1、和多⽥ 雅哉1、平⽥ 孝道1
〇(DC)⼭⽥ ⼤将1, 2、堀⽥ 朋敬1, 2、榊⽥ 創1, 2、加藤 進2、板垣 宏知2、⾦ 載浩2、藤原 正純2、⽊⼭ 學2、岡崎 俊也3、池原 早苗4、中⻄ 速夫
5、清⽔ 伸幸6、池原 譲4
〇⽥中 宏昌1、⽔野 正明1、⽯川 健治1、⽵⽥ 圭吾1、橋⽖ 博司1、中村 ⾹江1、梶⼭ 広明1、加納 浩之2、岡崎 泰昌1、豊國 伸哉1、吉川 史隆1、
1.東⼯⼤院総理⼯, 2.神⼾⼤院医学, 3.東⼯⼤院⽣命理⼯
1.都市⼤⼯
1.筑波⼤院システム情報, 2.産総研 電⼦光, 3.産総研 ナノチューブ, 4.産総研 創薬基盤, 5.愛知県がんセンター, 6.⼭王病院
1.佐世保⾼専, 2.琉⼤医学, 3.九⼤総理⼯, 4.⼤阪府⽴環境農⽔研
19p-P7-13
C001966
プラズマ活性培養液による抗腫瘍効果の制御とその細胞内分⼦機構
19p-P7-14
C002363
酸素ラジカル照射された溶液中の次亜塩素酸の酵⺟細胞活性への影響
〇橋⽖ 博司1、⼩林 潤2、太⽥ 貴之2、堀 勝1、伊藤 昌⽂2
19p-P7-15
C002339
プラズマ活性培養液処理による乳がん細胞の殺傷および増殖の観察
〇橋⽖ 博司1、⽥中 宏昌1、中村 ⾹江1、吉川 史隆1、⽯川 健治1、加納 浩之2、⽔野 正明1、堀 勝1
21a-W621-1
C003352
⽀持脂質⼆重膜への誘電体バリア放電処理による表⾯構造変化の観察
〇湯佐 洸太1、須⽥ 善⾏1、⼭下 ⿓舞1、滝川 浩⽂1、針⾕ 達1、⼿⽼ ⿓吾3, 2
1.豊技⼤電気・電⼦情報, 2.豊技⼤環境・⽣命, 3.豊技⼤EIIRIS
21a-W621-2
C001303
プラズマ由来液中活性種が誘導する細胞内カルシウム濃度上昇・振動
〇佐々⽊ 渉太1、保苅 雄太郎1、神崎 展2、⾦⼦ 俊郎1
1.東北⼤院⼯, 2.東北⼤院医⼯
21a-W621-3
C000248
奨
誘電体バリア放電⽅式液中マイクロプラズマによる2,6-ジブロモフェノール⽔溶液の分解
〇(B)⼩島 信⼀郎1、平⼭ けい⼦1、秋津 哲也1
1.⼭梨⼤⼯
21a-W621-4
C001466
奨
酸素ラジカル照射によるマウス線維芽細胞の細胞⽣存性への影響
〇(B)⼩泉 貴義1、森 洋介1、村⽥ 富保1、堀 勝2、伊藤 昌⽂1
1.名城⼤, 2.名古屋⼤
C002331
奨
酸素ラジカル照射によるリン酸緩衝⽣理的⾷塩⽔中の微⽣物不活性化効果
〇(M1)⼩林 剛⼠1、橋⽖ 博司2、太⽥ 貴之1、⽯川 健治2、堀 勝2、伊藤 昌⽂1
1.名城⼤理⼯, 2.名⼤
C001752
奨
液相微⼩プラズマを⽤いた接着細胞への薬剤分⼦導⼊
〇保苅 雄太郎1、佐々⽊ 渉太1、神崎 展2、佐藤 岳彦3、⾦⼦ 俊郎1
1.東北⼤院⼯, 2.東北⼤院医⼯, 3.東北⼤流体研
堀 勝1
1.名古屋⼤, 2.NUエコエンジニアリング
1.名古屋⼤学, 2.名城⼤学理⼯
1.名古屋⼤学, 2.NUエコ
8
8.6
Oral
3/21(⽉) 10:15 10:30
8
8.6
Oral
3/21(⽉) 10:30 10:45
8
8.6
Oral
3/21(⽉) 10:45 11:00
21a-W621-7
C002967
奨
プラズマ活性培養液(PAM)内活性酸素・窒素種の解析
8
8.6
Oral
3/21(⽉) 11:00 11:15
21a-W621-8
C002433
奨
プラズマ活性培養液中のHeLa細胞の動的観察
〇(M1)古⽥ 凌1、橋⽖ 博司1、⽯川 健治1、⽥中 宏昌1、⽵⽥ 圭吾1、太⽥ 貴之2、近藤 博基1、伊藤 昌⽂2、関根 誠1、堀 勝1
8
8.6
Oral
3/21(⽉) 11:15 11:30
21a-W621-9
C002798
奨
⾼速原⼦間⼒顕微鏡を⽤いたプラズマ活性培養液による脂質⼆重膜の形状変化の解析(Ⅱ)
〇⼾波 卓也1、倉家 尚之1、橋⽖ 博司1、近藤 博基1、⽯川 健治1、⽵⽥ 圭吾1、⽥中 宏昌1、関根 誠1、伊藤 昌⽂2、⼿⽼ ⿓吾3、堀 勝1
1.名⼤院⼯, 2.名城⼤, 3.豊橋技科⼤
8
8.6
Oral
3/21(⽉) 11:30 11:45 21a-W621-10 C000561
プラズマバブル⽔⽣成法の提案および殺菌効果の調査
〇⼩林 智裕1、菅原 修⾺1、川野 浩明1、⾼松 利寛2、松村 有⾥⼦3、宮原 秀⼀1、岩澤 篤郎3、東 健2、沖野 晃俊1
1.東⼯⼤総理⼯, 2.神⼾⼤医学, 3.東⼯⼤⽣命理⼯
8
8.6
Oral
3/21(⽉) 11:45 12:00 21a-W621-11 C001370
8
8.6
Oral
3/21(⽉) 12:00 12:15 21a-W621-12 C003507
⼤気圧空気プラズマ中の活性種によるイネ防御関連遺伝⼦に対する発現誘導効果
〇⼩⻄ 秀明1、嶋⽥ 啓亮1、⾼島 圭介1、安藤 杉尋2、⾼橋 英樹2、⾦⼦ 俊郎1
1.東北⼤院⼯, 2.東北⼤院農
8
8.6
Oral
3/21(⽉) 15:30 15:45
21p-W621-1
C000423
遺伝⼦変異体を⽤いた⼤気圧プラズマ滅菌における活性酸素の作⽤の検証
〇松浦 寛⼈1、藤⼭ 貴友1、奥野 泰希1、坂元 仁1、⼟⼾ 哲明1
1.⼤阪府⼤
8
8.6
Oral
3/21(⽉) 15:45 16:00
21p-W621-2
C000245
⼤気圧プラズマ照射によって⽣じるDNA損傷のmolecular beaconによる迅速計測
〇栗⽥ 弘史1、宮近 沙希1、安⽥ ⼋郎1、⾼島 和則1、⽔野 彰1
1.豊橋技科⼤
8
8.6
Oral
3/21(⽉) 16:00 16:15
21p-W621-3
C002664
酵⺟の遺伝⼦発現にFE-DBDプラズマが与える影響 ―マイクロアレイ法を⽤いた解析―
〇柳⽣ 義⼈1、林 信哉2、⼭崎 隆志1、⽥中 眞⼦1、⼤島 多美⼦1、越村 匡博1、宮本 ⼤毅1、猪原 武⼠1、川崎 仁晴1、須⽥ 義昭1
8
8.6
Oral
3/21(⽉) 16:15 16:30
21p-W621-4
C003516
プラズマ遺伝⼦・分⼦導⼊におけるクラスリン依存エンドサイトーシス
〇⼤⻄ 章仁1、磯崎 勇希1、⽊⼾ 祐吾1, 2、池⽥ 善久1、本村 英樹1、佐藤 晋1, 3、橘 邦英4、神野 雅⽂1
1.愛媛⼤学理⼯, 2.パール⼯業, 3.ワイʼズ, 4.⼤阪電通⼤⼯
8
8.6
Oral
3/21(⽉) 16:30 16:45
21p-W621-5
C003595
プラズマ遺伝⼦導⼊法における細胞障害
〇池⽥ 善久1、⽊⼾ 祐吾2、本村 英樹1、佐藤 晋1, 3、神野 雅⽂1
1.愛媛⼤院理⼯, 2.パール⼯業, 3.ワイʼズ
8
8.6
Oral
3/21(⽉) 16:45 17:00
21p-W621-6
C003621
プラズマ遺伝⼦導⼊機序に対する導⼊分⼦量の影響
〇佐藤 晋1, 2、明上 純⼦1、⽊⼾ 祐吾1, 3、池⽥ 善久1、本村 英樹1、神野 雅⽂1
1.愛媛⼤学, 2.ワイ'ズ, 3.パール⼯業
8
8.6
Oral
3/21(⽉) 17:00 17:15
21p-W621-7
C001279
分⼦動⼒学法による膜構成分⼦と活性酸素種における反応機構の検討
〇吉⽥ 健⼈1、⽩井 直機1、内⽥ 諭1、杤久保 ⽂嘉1
1.⾸都⼤理⼯
8
8.6
Oral
3/21(⽉) 17:15 17:30
21p-W621-8
C001527
プラズマによる液中化学種⽣成とその誘起する代謝応答シミュレーション
〇幾世 和将1、浜⼝ 智志1
1.阪⼤⼯
8
8.6
Oral
3/21(⽉) 17:30 17:45
21p-W621-9
C001133
低pH法を⽤いた⼤気圧低温プラズマによるブタ⽪表⾯の殺菌
〇横⼭ ⾼史1、井川 聡2、北野 勝久1
1.阪⼤⼯, 2.⼤阪産技研
8
8.6
Oral
3/21(⽉) 17:45 18:00 21p-W621-10 C002453
反応速度論に基づくプラズマ処理⽔殺菌活性のpH依存の物理化学機構
〇北野 勝久1、井川 聡2、中島 陽⼀2、横⼭ ⾼史1、⾕ 篤史3
1.阪⼤⼯, 2.⼤阪産技研, 3.阪⼤理
8
8.7
Oral
3/19(⼟) 14:30 14:45
19p-W611-1
C001840
奨
c-C4F8ガスの電⼦衝突断⾯積
〇(D)川⼝ 悟1、⾼橋 ⼀弘1、佐藤 孝紀1、伊藤 秀範1
1.室蘭⼯⼤
8
8.7
Oral
3/19(⼟) 14:45 15:00
19p-W611-2
C001027
奨
ヘリコンプラズマを⽤いたCO2のメタン化におけるCH4収率と⽣成速度のCO2ガス流量依存性
〇都甲 将1、古閑 ⼀憲1、⽩⾕ 正治1
1.九州⼤学
8
8.7
Oral
3/19(⼟) 15:00 15:15
19p-W611-3
C001995
奨
誘電体バリア放電の空間アフターグローガス中でのレーザー着⽕実験で観測された⽕炎核伝播の放電条件に対する依存性
〇出⼝ 祐世1、佐々⽊ 浩⼀1
1.北⼤⼯
8
8.7
Oral
3/19(⼟) 15:15 15:30
19p-W611-4
C000701
奨
⽔⾯上プラズマを⽤いたグラファイトの親⽔化
〇(M1)星野 修平1、⽵内 希1
1.東⼯⼤院理⼯
8
8.7
Oral
3/19(⼟) 15:30 15:45
19p-W611-5
C000710
奨
パルスダイヤフラム放電による過酸化⽔素⽣成
〇(M1)村松 純1、佐伯 亮1、安岡 康⼀1
1.東⼯⼤院理⼯
8
8.7
Oral
3/19(⼟) 15:45 16:00
19p-W611-6
C002736
奨
希ガスを⽤いた低温プラズマ中の⽔滴の相変化
〇(B)森⼭ 誠1、中村 圭⼆1、⼩川 ⼤輔1
1.中部⼤⼯
8
8.7
Oral
3/19(⼟) 16:00 16:15
19p-W611-7
C002012
液相レーザーアブレーション誘起キャビテーション気泡での放電特性
⾼橋 裕太1、〇佐々⽊ 浩⼀1
1.北⼤⼯
8
8.7
Oral
3/19(⼟) 16:15 16:30
8
8.7
Oral
3/19(⼟) 16:30 16:45
19p-W611-8
C001408
プラズマ⽀援電解を⽤いた磁性ナノ粒⼦合成における溶存酸素の影響
〇⼭崎 裕也1、⽩井 直機1、内⽥ 諭1、栃久保 ⽂嘉1
1.⾸都⼤理⼯
8
8.7
Oral
3/19(⼟) 16:45 17:00
19p-W611-9
C000758
ダイヤフラム放電による有機フッ素化合物PFOSの分解
〇衛藤 輝1、⽵内 希1
1.東⼯⼤
8
8.7
Oral
3/19(⼟) 17:00 17:15 19p-W611-10 C000950
周辺雰囲気ガス制御型プラズマジェット照射による溶液中活性酸素･窒素種⽣成
〇内⽥ 儀⼀郎1、中島 厚1、伊藤 泰喜1、⽵中 弘祐1、節原 裕⼀1
8
8.7
Oral
3/19(⼟) 17:15 17:30 19p-W611-11 C000435
⽔中密閉型気液界⾯プラズマ反応によるCO2から過ギ酸の合成（Ⅰ）
〇橘 邦英1、川崎 三津夫2、中村 敏浩1、森⽥ 達夫3
1.⼤阪電通⼤, 2.京⼤⼯, 3.PMﾃﾞｨﾒﾝｼﾞｮﾝｽﾞ
8
8.7
Oral
3/19(⼟) 17:30 17:45 19p-W611-12 C000488
⽔中密閉型気液界⾯プラズマ反応によるCO2から過ギ酸の合成（II）
〇川崎 三津夫1, 2、橘 邦英2、中村 敏浩2、森⽥ 達夫3
1.京⼤⼯, 2.⼤阪電通⼤, 3.PM ﾃﾞｨﾒﾝｼｮﾝｽﾞ（株）
8
8.7
Oral
3/19(⼟) 17:45 18:00 19p-W611-13 C001522
三次元集積化マイクロソリューションプラズマによる⼤腸菌の殺菌
〇⽩藤 ⽴1、⼭本 純平1、⽥中 健司1、中⻄ 猛1、北村 昌也1
1.⼤阪市⼤⼯
8
8.7
Poster
3/21(⽉) 13:30 15:30
21p-P7-1
C001594
⽔素プラズマを⽤いた⼆酸化炭素還元によるメタン⽣成反応
〇佐藤 史明1、飯塚 哲1
1.東北⼤院⼯
8
8.7
Poster
3/21(⽉) 13:30 15:30
21p-P7-2
C002386
消化ガスの有効利⽤のための放電脱硫
〇(M1)⻄岡 ⼤介1、⾼橋 ⼀弘1、佐藤 孝紀1、伊藤 秀範1
1.室蘭⼯⼤
8
8.7
Poster
3/21(⽉) 13:30 15:30
21p-P7-3
C002665
⽔溶液中放電プラズマによるメチレンブルーの分解
⾼橋 武1、松永 智⽣1、⾼橋 繁希1、吉村 拡充1、〇⼤川 博司1, 2
1.HSU未来産業, 2.⼭梨⼤院医⼯
8
8.7
Poster
3/21(⽉) 13:30 15:30
21p-P7-4
C003138
ソリューションプラズマを⽤いたHMFの新たな⽣成⼯程
〇牟⽥ 幸浩1、Watthanaphanit Anyarat5、齋藤 永宏1, 2, 3, 4
1.名⼤院⼯, 2.名⼤GREMO, 3.名⼤未来社会創造機構, 4.JST-CREST, 5.マヒドン⼤理
8
8.7
Poster
3/21(⽉) 13:30 15:30
21p-P7-5
C003140
液体電極を⽤いた⼤気圧グロー放電による⾦ナノ粒⼦合成と放電条件との相関
⼆⼾ 愛仁1、〇⽩井 直機1、内⽥ 諭1、杤久保 ⽂嘉1
1.⾸都⼤
8
8.7
Poster
3/21(⽉) 13:30 15:30
21p-P7-6
C001088
プラズマによる動的マイクロ波アンテナと電波クローキングの数値解析
〇⼭⼝ 修平1、Alexandre Bambina1、宮城 茂幸1、酒井 道1
1.滋賀県⽴⼤⼯
8
8.7
Poster
3/21(⽉) 13:30 15:30
21p-P7-7
C001324
アルゴン雰囲気中でのメチレンブルー⽔溶液への⼤気圧プラズマジェット照射
〇内⽥ 雅⼈1、磯村 雅夫1、桑畑 周司1
1.東海⼤院⼯
8
8.7
Poster
3/21(⽉) 13:30 15:30
21p-P7-8
C003169
アルミ蒸着薄膜への⼤気圧プラズマジェット照射(Ⅱ)
〇⼭⼝ 健志1、磯村 雅夫1、桑畑 周司1
1.東海⼤院⼯
8
8.7
Poster
3/21(⽉) 13:30 15:30
21p-P7-9
C001851
イオン⾵を利⽤した⼤気浮遊粒⼦の捕集機構解析
〇伊藤 智⼦1、陈 龙威2、浜⼝ 智志1
1.阪⼤院⼯, 2.中国科学院
8
8.7
Poster
3/21(⽉) 13:30 15:30
21p-P7-10
C002506
プラスマによる植物種⼦の性質変化と成⻑促進
中⽮ ⼤輝1、松⽥ 聡⼀郎1、〇⼤川 博司1, 2
1.HSU未来産業, 2.⼭梨⼤院医⼯
〇(D)MD AMZAD HOSSAIN1, 2, 3, Koichirou Ikari1, Tsubasa Ide1, Yasunori Ohtsu1
1.Saga University, 2.JesUni SciTech, 3.RajUniv EngTech
休憩/Break
E
奨
奨
Rate of O3 production in DBD chamber and its effect on spore surface modification
〇(M2)倉家 尚之1、⽥中 宏昌1、⽯川 健治1、橋⽖ 博司1、中村 ⾹江2、梶⼭ 広明2、吉川 史隆2、近藤 隆3、⽔野 正明2、⽵⽥ 圭吾1、近藤 博基
1、関根 誠1、堀 勝1
〇(D)Mohammad Rasel Pervez, Takanori Inomata1, Tatsuo Ishijima1, Makiko Kakikawa1, Yasunori Tanaka1, Yohishiko Uesugi1, Toshihiro
Yano2, Shoji Miwa3, Akinori Noguchi4
1.名⼤院⼯, 2.名⼤医, 3.富⼭⼤
1.名⼤院⼯, 2.名城⼤
1.kanazawa univ., 2.Kanazawa Gakuin Junior College, 3.Ishikawa Agri. Forest. Res. Cent., 4.Sodick Co., Ltd.
1.佐世保⾼専, 2.九⼤総理⼯
休憩/Break
奨
Development of High-Density RF Magnetized Sputtering Plasma Source with Square-Shaped Arrangement of Magnets for Uniform Target
1.阪⼤接合研
8
8.8
Poster
3/19(⼟) 16:00 18:00
19p-P8-1
C000348
奨
E
8
8.8
Oral
3/21(⽉) 15:30 15:45
21p-W611-1
C003011
奨
E
Thermal Conductivity of SiNCs/Polymer Nanocomposite for Super Thermal Insulating Material
〇(M2)Firman Bagja Juangsa1, Yoshiki Muroya1, Meguya Ryu1, Junko Morikawa1, Tomohiro Nozaki1
8
8.8
Oral
3/21(⽉) 15:45 16:00
21p-W611-2
C000486
奨
E
Copper induced hollow carbon nanospheres by arc discharge method: controlled synthesis and formation mechanism
〇(D)Hu Rui1, 2, Wang Xiangke2, Nagatsu Masaaki1
1.Shizuoka Univ., 2.CAS
8
8.8
Oral
3/21(⽉) 16:00 16:15
21p-W611-3
C000884
奨
E
Biomolecules Patterning via Atmospheric Pressure Plasma Jet for the Development of Carbon Nanotube Microarrays
〇(D)Tomy Abuzairi1, 2, Mitsuru Okada3, Nji R. Poespawati2, Retno W. Purnamaningsih2, Masaaki Nagatsu1, 3
1.GSST, Shizuoka Univ., 2.Indonesia Univ., 3.GSE, Shizuoka Univ.
Utilization
1.Tokyo Tech
2016年春季講演会(東⼯⼤⼤岡⼭キャンパス)プログラム
⼤分類 中分類
形式
講演⽇
開始
終了
【1⽉28⽇(⽊)更新】暫定版からの更新箇所は⾚字になっております。
講演番号
受付番号
奨励賞 英語 招待
20 / 52 ページ
※会場、時間が変更になった場合は該当の⽅にご連絡いたします。
講演タイトル
著者
所属機関
8
8.8
Oral
3/21(⽉) 16:15 16:30
21p-W611-4
C003479
E
Effect of Plasma Treatment for Tensile Strength and Wear Resistance of Polyurethane Composing MWCNTs
8
8.8
Oral
3/21(⽉) 16:30 16:45
21p-W611-5
C002794
E
Efficient second-harmonic generation by microwave plasma with metamaterial effect (Ⅳ)
〇Akinori Iwai1, 2, Yoshihiro Nakamura1, Osamu Sakai2
1.Kyoto Univ., 2.Univ. Shiga Pref
8
8.8
Oral
3/21(⽉) 16:45 17:00
21p-W611-6
C003179
E
UV Absorption Spectroscopy for Investigation of Ozonated Water
〇(PC)JunSeok Oh1, 2, Hideki Yajima3, Satsuki Ito1, Izumi Serizawa3, Akimitsu Hatta1, 2
1.Kochi Univ. Technol., 2.Center Nanotechnol., 3.ORC Manufacturing Co
8
8.8
Oral
3/21(⽉) 17:00 17:15
21p-W611-7
C003460
E
Analysis of microplasma discharge process in sea water
〇(D)Vladislav Anatolievich Gamaleev1, Hayato Morita1, Jun-Seok Oh1, Hiroshi Furuta1, Akimitsu Hatta1
1.Kochi Univ. of Tech.
8
8.9
Oral
3/19(⼟) 13:45 14:15
19p-W241-1
I000079
8
8.10
Oral
3/20(⽇) 13:30 13:45
20p-KD-1
C003788
8
8.11
Oral
3/20(⽇) 10:45 11:30
20a-KD-6
I000001
9
9.1
Oral
3/19(⼟) 13:45 14:00
19p-W833-1
C001505
9
9.1
Oral
3/19(⼟) 14:00 14:15
19p-W833-2
C000752
Electroinduced anisotropy in phonon crystals by crossed electrode structure
〇(D)Siarhei Dmitrich Barsukou1, 2, Jun Kondoh2, Siarhei Khakhomov1
1.Gomel State University, 2.Shizuoka University
9
9.1
Oral
3/19(⼟) 14:15 14:30
19p-W833-3
C001750
奨
YAlO3のテラヘルツ周波数帯における吸収スペクトル
〇⿊⽥ 康裕1、森本 貴明1、⼤⽊ 義路1, 2
1.早⼤先進理⼯, 2.早⼤材研
9
9.1
Oral
3/19(⼟) 14:30 14:45
19p-W833-4
C000510
奨
⾮化学量論組成Ba0.8Sr0.2TiO3-δにおけるチューナブル特性と分極の寄与
〇(M1)⼤崎 浩司1、寺⻄ 貴志1、林 秀考1、岸本 昭1
1.岡⼤院⾃然
9
9.1
Oral
3/19(⼟) 14:45 15:00
19p-W833-5
C001848
Electrical and Structural Properties of BiFeO3-BaTiO3 lead-free piezoelectric ceramics
〇(D)Sangwook Kim1, Satoshi Wada1
1.Interdisciplinary Graduate School of Medicine and Engineering, University of Yamanashi
9
9.1
Poster
3/19(⼟) 16:00 18:00
19p-P9-1
C000458
KSr2Nb5O15セラミックスの⽐誘電率温度特性におよぼすZrO2およびTa2O5添加の影響
梶原 雅1、梶原 優奈1、味⽅ 陵1、〇岩井 裕1
1.⻑岡⾼専
9
9.1
Poster
3/19(⼟) 16:00 18:00
19p-P9-2
C001077
AlN圧電薄膜へのMgとNbの添加効果
上原 雅⼈1, 3、〇(M1)重本 北⽃3、⻑瀬 智美1、會⽥ 康弘2、梅⽥ 圭⼀2、秋⼭ 守⼈1
1.産総研, 2.村⽥製作所, 3.九⼤総理⼯
9
9.1
Poster
3/19(⼟) 16:00 18:00
19p-P9-3
C001452
〇(M1C)伊藤 亮1、上野 慎太郎1、中島 光⼀1、董 敦灼2、舞⽥ 雄⼀2、和⽥ 智志1
1.⼭梨⼤, 2.本多電⼦株式会社
9
9.1
Poster
3/19(⼟) 16:00 18:00
19p-P9-4
C002841
〇橋本 達彦1、永⽥ 肇1、⽵中 正1
1.東理⼤理⼯
9
9.1
Poster
3/19(⼟) 16:00 18:00
19p-P9-5
C001454
BaTiO3-(Bi0.5K0.5)TiO3-Bi(Mg0.5Ti0.5)O3-BiFeO3系セラミックスの分極処理と圧電特性評価
〇(M1C)有泉 真1、上野 慎太郎1、中島 光⼀1、和⽥ 智志1、峯本 尚2
1.⼭梨⼤, 2.コニカミノルタ株式会社
9
9.1
Poster
3/19(⼟) 16:00 18:00
19p-P9-6
C002199
ソルボサーマル固化法によるチタン酸バリウム系ナノ複合セラミックスの作製条件の最適化とその誘電特性
〇(M1)渡邉 美紀1、上野 慎太郎1、中島 光⼀1、和⽥ 智志1
1.⼭梨⼤学
9
9.1
Poster
3/19(⼟) 16:00 18:00
19p-P9-7
C002294
マイクロ波加熱ソルボサーマル法を⽤いたBaTiO3ナノキューブの合成および形状評価
〇渡邉 睦⼰1、近⽥ 司1、中島 光⼀1、上野 慎太郎1、和⽥ 智志1
9
9.1
Oral
3/20(⽇)
9:30
9:45
20a-W833-1
C002535
K(Ta,Nb)O3結晶、BaTiO3系セラミックスの電気熱量効果
〇真岩 宏司1
1.湘南⼯⼤⼯
9
9.1
Oral
3/20(⽇)
9:45
10:00
20a-W833-2
C002797
圧電応答⼒顕微鏡によるRFe2O4(R=Y,Tm)の相転移挙動の観察
〇(B)直⽥ 哲明1、⼩⻄ 伸弥2、藤⽥ 晃司2、鈴⽊ 元也3、北條 元4、東 正樹4、有⾺ 孝尚5、⽥中 勝久2
1.京⼤⼯, 2.京⼤院⼯, 3.東⼯⼤技術部分析⽀援センター, 4.東⼯⼤応セラ研, 5.東⼤新領域
9
9.1
Oral
3/20(⽇) 10:00 10:15
20a-W833-3
C003269
熱処理によるペロブスカイトイットリウムアルミネートの構造変化がフォトルミネセンスに与える影響
〇(DC)森本 貴明1、⼤⽊ 義路1, 2
9
9.1
Oral
3/20(⽇) 10:15 10:30
20a-W833-4
C001520
9
9.1
Oral
3/20(⽇) 10:30 10:45
20a-W833-5
C001603
9
9.1
Oral
3/20(⽇) 10:45 11:00
9
9.1
Oral
3/20(⽇) 11:00 11:15
20a-W833-6
C000113
9
9.1
Oral
3/20(⽇) 11:15 11:30
20a-W833-7
C002265
9
9.1
Oral
3/20(⽇) 11:30 11:45
20a-W833-8
9
9.1
Oral
3/20(⽇) 11:45 12:00
20a-W833-9
9
9.2
Oral
3/19(⼟)
9:00
9:15
9
9.2
Oral
3/19(⼟)
9:15
9:30
9
9.2
Oral
3/19(⼟)
9:30
9:45
9
9.2
Oral
3/19(⼟)
9:45
9
9.2
Oral
9
9.2
Oral
3/19(⼟) 10:15 10:30
9
9.2
Oral
3/19(⼟) 10:30 10:45
9
9.2
Oral
9
9.2
9
9
9
招
「プラズマエレクトロニクス分科内招待講演」（30分）
SiCパワーデバイス研究開発の現状と将来展望
プラズマエレクトロニクス賞授賞式
招
「第16回応⽤物理学会業績賞(研究業績)受賞記念講演」（45分）
半導体ドライエッチング技術の先駆的研究開発と産業展開への貢献
BaTiO3のorder-disorderモードのイオン分極への寄与
E
E
層状チタン酸を⽤いたチタン酸バリウムーチタン酸ビスマスナトリウム
＜110＞配向セラミックスの作製と圧電特性評価
(Bi0.5Na0.5)TiO3系セラミックスの圧電的諸特性に対する機械的拘束の影響
E
〇DAISUKE OGAWA1, Keiji Nakamura1
1.Chubu University
〇⼤森 達夫1
1.三菱電機（株）開発本部
〇豊⽥ 浩孝1
1.プラズマエレクトロニクス分科会
〇堀池 靖浩1
1.筑波⼤学
〇(M2)⾦原 ⼀樹1、保科 拓也1、武⽥ 博明1、鶴⾒ 敬章1
1.東⼯⼤院理⼯
1.⼭梨⼤学
1.早⼤先進理⼯, 2.早⼤材研
Electric Field Effect of Relaxor Ferroelectric 0.7Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-0.3PbTiO3 Single Crystals Studied by Micro-Brillouin Scattering
〇(D)Md Aftabuzzaman1, Seiji Kojima1
1.Univ. Tsukuba
放電プラズマ焼結を⽤いて作製した(Bi0.5K0.5)TiO3-BiFeO3-K(NbxTa1-x)O3 強誘電体の強誘電特性と結晶構造の組成依存性
〇岩渕 徹1、⽯⽥ 直哉1、北村 尚⽃1、井⼿本 康1
1.東理⼤理⼯
休憩/Break
ニオブ酸リチウム結晶のE(x)光学振動モードとポラリトン分散関係
〇⼩島 誠治1、⾦原 ⼀樹2、保科 拓也2、鶴⾒ 敬章2
1.筑波⼤数理, 2.東⼯⼤理⼯
(K,Na,Li)NbO3系強誘電体の強誘電特性、結晶・電⼦構造の組成依存
〇⽔野 健⼀郎1、⽯⽥ 直哉1、北村 直⽃1、井⼿本 康1
1.東理⼤理⼯
C000138
弾性定数による圧電セラミックスの材料設計
〇⼩川 敏夫1、池⾕ 泰輝1
1.静岡理⼯科⼤電⼦
C000139
圧電材料での強誘電体ドメインおよび結晶粒界の弾性定数による評価
〇⼩川 敏夫1、池⾕ 泰輝1
1.静岡理⼯科⼤電⼦
19a-W834-1
C002990
AllylamineによるP,B同時ドープSiナノ結晶の表⾯修飾
〇多⽥ 康洋1、管野 天1、加納 伸也1、杉本 泰1、今北 健⼆1、藤井 稔1
1.神⼾⼤院⼯
19a-W834-2
C002096
B,P同時ドープシリコンナノ結晶のエネルギー準位構造(Ⅱ)
〇堀 祐輔1、加納 伸也1、杉本 泰1、今北 健⼆1、藤井 稔1
1.神⼾⼤院⼯
19a-W834-3
C003230
多孔質Siの液中紫外レーザー照射によるSiナノ結晶コロイドの作製条件の最適化
〇(B)須⽥ 義規1、渡邊 幹太1、袁 澤2、中村 俊博1、安達 定雄1
1.群⾺⼤院理⼯, 2.筑波⼤院数理物質
10:00
19a-W834-4
C003105
多孔質Siの液中紫外レーザー照射により作製したSiナノ結晶コロイドの発光特性の評価
〇(M1)渡邊 幹太1、袁 澤2、中村 俊博1、安達 貞雄1
1.群⾺⼤院理⼯, 2.筑波⼤院数理物質
3/19(⼟) 10:00 10:15
19a-W834-5
C003029
伸縮基板によるSiナノ結晶のエネルギー移動の効率の変化
〇宮下 純⼀1、松本 公久1、野村 俊1、神⾕ 和秀1、稲⽥ 貢2、鈴⽊ 伸哉3
1.富⼭県⽴⼤, 2.関⻄⼤, 3.⻑野⾼等専⾨学校
19a-W834-6
C002422
籾殻から⽣成したSi微粒⼦の発光に関する研究
〇⽥中 拓也1、松本 公久1、野村 俊1、神⾕ 和秀1、稲⽥ 貢2、鈴⽊ 伸哉3
1.富⼭県⽴⼤, 2.関⻄⼤, 3.⻑野⾼等専⾨学校
3/19(⼟) 10:45 11:00
19a-W834-7
C000597
液中通電法によるナノ結晶の作成に対する電極と⽔溶液の依存性
〇岡本 庸⼀1, 3、⼭本 聖治1、守本 純1、中津川 博2
1.防衛⼤材料, 2.横浜国⼤⼯, 3.物材機構
Oral
3/19(⼟) 11:00 11:15
19a-W834-8
C002934
FePtナノドットスタック構造における磁気伝導特性
〇満⾏ 優介1、河瀬 平雅1、牧原 克典1、⼤⽥ 晃⽣1、池⽥ 弥央1、宮崎 誠⼀1
9.2
Oral
3/19(⼟) 11:15 11:30
19a-W834-9
C001211
Electronic structural study of Pd-Pt bimetallic alloy nanoparticles
〇(P)Rosantha Kumara1, Osami Sakata1, Chulho Song1, Anli Yang1, Kohei Kusada2, Hirokazu Kobayashi2, Hiroshi Kitagawa2
1.NIMS/SPring-8, 2.Kyoto Univ.
9.2
Oral
3/19(⼟) 11:30 11:45 19a-W834-10 C000935
Size-effect of Pd and Ru nanoparticles revealed by Rietveld analysis using high-energy X-ray diffraction
〇(PC)Chulho Song1、Osami Sakata1、L. S. R. Kumar1、Shinji Kohara1、Kohei Kusada2、Hirokazu Kobayashi2、Hiroshi Kitagawa2
1.NIMS/SPring-8, 2.Kyoto Univ.
9.2
Oral
3/19(⼟) 11:45 12:00 19a-W834-11 C000789
︓遠⾚外分光エリプソメトリーとラマン散乱法
奨
休憩/Break
9
9.2
Oral
3/19(⼟) 13:30 13:45
19p-W834-1
I000130
9
9.2
Oral
3/19(⼟) 13:45 14:00
19p-W834-2
C000069
9
9.2
Oral
3/19(⼟) 14:00 14:15
19p-W834-3
C001330
9
9.2
Oral
3/19(⼟) 14:15 14:30
19p-W834-4
C003378
9
9.2
Oral
3/19(⼟) 14:30 14:45
19p-W834-5
C000584
9
9.2
Oral
3/19(⼟) 14:45 15:00
19p-W834-6
C001894
9
9.2
Oral
3/19(⼟) 15:00 15:15
19p-W834-7
C001118
19p-W834-8
C000356
19p-W834-9
C000534
E
E
Algal assisted synthesis of iron oxide nanoparticles and dye removal studies
招
E
奨
「講演奨励賞受賞記念講演」（15分）
〇MohamedMatharSahib IbrahimKhaleelullah1, Muralidharan Murugan3, Devasena Thiyagarajan3, Radha Kuravappullam Vedhaiyan3,
Yasuhiro Hayakawa1, 2
1.名古屋⼤学
1.GSST Shizuoka Univ, 2.RIE Shizuoka Univ, 3.Anna Univ.
〇⼩平 ⻯太郎1、椛本 恭平1、崎⽥ 晋哉1、原 真⼆郎1
1.北海道⼤
GaAsナノワイヤの成⻑後物質変換
〇⻄岡 康平1、⽯川 史太郎1
1.愛媛⼤⼯
in-situ直径変調法で作製した位置制御InP/InAsヘテロナノワイヤ
MnAs/InAs ダブルヘテロ接合ナノワイヤの成⻑メカニズム
〇章 国強1, 2、舘野 功太1, 2、寒川 哲⾂1、後藤 秀樹1
1.NTT 物性研, 2.NTTﾅﾉﾌｫﾄﾆｸｽｾﾝﾀ
Self-Organized GaN Nanocolumns Grown on Silica Glass by RF-Molecular Beam Epitaxy
〇(D)Andreas LiudiMulyo1, 2, Yuta Konno1, Helge Weman2, Katsumi Kishino1
1.Sophia Univ., 2.NTNU
GaPナノワイヤ結晶構造のドーピングによる変化
〇舘野 功太1, 2、章 国強1, 2、熊倉 ⼀英2
1.NTT-NPC, 2.NTT物性研
Ge(111)基板上InGaAsナノワイヤ選択成⻑
〇(B)吉⽥ 旭伸1、冨岡 克広2, 3, 4、⽯坂 ⽂哉3、千葉 康平1、本久 順⼀2、福井 孝志3
1.北⼤⼯, 2.北⼤院, 3.量⼦集積センター, 4.JSTさきがけ
分布ブラッグ反射膜上に形成したInGaAs/GaAsナノワイヤ量⼦ドットレーザ
〇館林 潤1、Ho Jinfa2、太⽥ 泰友1, 2、加古 敏1, 2、岩本 敏1, 2、荒川 泰彦1, 2
1.東⼤ナノ量⼦機構, 2.東⼤⽣研
⾃⼰触媒VLS法によるn-InP/ i-GaInAs/ p-InPコアシェルナノワイヤの電気特性評価
9
9.2
Oral
3/19(⼟) 15:15 15:30
9
9.2
Oral
3/19(⼟) 15:30 15:45
9
9.2
Oral
3/19(⼟) 15:45 16:00
9
9.2
Oral
3/19(⼟) 16:00 16:15 19p-W834-10 C000853
9
9.2
Oral
3/19(⼟) 16:15 16:30 19p-W834-11 C000040
奨
E
Drastic improvement of effective carrier lifetimes in Si nanowires embedded with anodic aluminum oxide by post-deposition anneal
〇(P)Hoang Van Nguyen1, Shinya Kato1, Noritaka Usami1, 2
1.MEXT, FUTURE-PV Innovation, Japan Science and Technology Agency, 2.Graduate School of Engineering, Nagoya University
9
9.2
Oral
3/19(⼟) 16:30 16:45 19p-W834-12 C000057
奨
E
Characterization of Dopant in Individual Si / Ge Core-Shell Nanowires Investigated by Atom Probe Tomography
〇(DC)Bin Han1, Yasuo Shimizu1, Wipakorn Jevasuwan2, Kotaro Nishibe2, 3, Koji Inoue1, Naoki Fukata2, Yasuyoshi Nagai2
1.IMR, Tohoku Univ., 2.NIMS, 3.Tsukuba Univ.
9
9.2
Oral
3/19(⼟) 16:45 17:00 19p-W834-13 C001820
SiGeナノワイヤにおける熱電特性の構造多形および原⼦配列依存性の理論的検討
〇秋⼭ 亨1、菰⽥ 貴都1、中村 浩次1、伊藤 智徳1
1.三重⼤院⼯
9
9.2
Oral
3/19(⼟) 17:00 17:15 19p-W834-14 C000399
Lowering the Growth Temperature of Vapor-liquid-solid Oxide Nanowires
〇⻑島 ⼀樹1、Zhu Zetao1、Meng Gang1、⾦井 真樹1、安⻄ 宇宙2、Zhuge Fuwei1、He Yong1、柳⽥ 剛1, 2
1.九⼤先導研, 2.九⼤総理⼯
9
9.2
Oral
3/19(⼟) 17:15 17:30 19p-W834-15 C002129
結晶成⻑界⾯が決定する単結晶SnO2ナノワイヤの電⼦輸送特性 －VS界⾯ 対 LS界⾯－
〇(M1)安⻄ 宇宙1、⻑島 ⼀樹2、Meng Gang2、Zhuge Fuwei2、関 岳⼈3、柴⽥ 直哉3、柳⽥ 剛1, 2
1.九⼤総理⼯, 2.九⼤先導研, 3.東⼤⼯
9
9.2
Oral
3/19(⼟) 17:30 17:45 19p-W834-16 C000719
ゾル・ゲル法によるMoO3ナノロッドガスセンサ素⼦の創成
〇菅原 徹1、叢 樹仁1、菅沼 克昭1
1.阪⼤産研
9
9.2
Oral
3/19(⼟) 17:45 18:00 19p-W834-17 C003148
ナノ粒⼦を触媒とした鉄ナノワイヤの作製
〇柳瀬 隆1、荻原 初夏1、三浦 拓也1、翁 夢婷1、⻑浜 太郎1、島⽥ 敏宏1
1.北⼤⼯
9
9.2
Poster
3/20(⽇) 13:30 15:30
20p-P7-1
C000367
Si(111) 基板上GaAs/GaAsBi マルチコアーシェルナノワイヤの特性
〇⽯川 史太郎1、⾚松 良彦1、渡辺 健太郎2、上杉 ⽂彦3、朝⽐奈 俊輔4、Jahn Uwe5、下村 哲1
1.愛媛⼤院理⼯, 2.阪⼤基礎⼯, 3.物材機構, 4.⽇本電⼦, 5.Paul Drude Institut
9
9.2
Poster
3/20(⽇) 13:30 15:30
20p-P7-2
C000358
⾃⼰触媒VLS法によるInP/GaInAs/InPコアマルチシェルナノワイヤの光学特性評価
〇(B)⾼野 紘平1、荻野 雄⼤1、朝倉 啓太1、和保 孝夫1、下村 和彦1
1.上智⼤理⼯
9
9.2
Poster
3/20(⽇) 13:30 15:30
20p-P7-3
C003481
MnAs/InAsヘテロ接合ナノワイヤの磁区構造評価
〇椛本 恭平1、⼩平 ⻯太郎1、崎⽥ 晋哉1、原 真⼆郎1
1.北⼤
9
9.2
Poster
3/20(⽇) 13:30 15:30
20p-P7-4
C003176
アノードエッチングにより作製したGaAsナノワイヤの電気特性に対する湿式⽔素曝露効果
〇⼭⽥ 航平1、相川 慎也1、橋本 英樹1、阿相 英孝1、⼩野 幸⼦1
9
9.2
Poster
3/20(⽇) 13:30 15:30
20p-P7-5
C000287
E
Improvement of Silicon Nanowire Solar Cells made by Metal Catalyzed Electroless and Nano-imprint lithography
〇(D)JUNYI CHEN1, 2, Wipakorn Jevasuwan2, Naoki Fukata1, 2
1.Univ. of Tsukuba, 2.NIMS
9
9.2
Poster
3/20(⽇) 13:30 15:30
20p-P7-6
C002641
E
Si Nanowire Formation using Al-Catalyst with Various Substrate Temperatures
〇Wipakorn Jevasuwan1, Naoki Fukata1
1.NIMS
9
9.2
Poster
3/20(⽇) 13:30 15:30
20p-P7-7
C000439
プラスチック上Ge薄膜の結晶⽅位制御と垂直配向ナノワイヤ合成
〇都甲 薫1、中⽥ 充紀1、⼤⾕ 直⽣1、Jevasuwan Wipakorn2、深⽥ 直樹2、末益 崇1
1.筑波⼤数理物質, 2.物材機構
9
9.2
Poster
3/20(⽇) 13:30 15:30
20p-P7-8
C000948
Si/Geコアシェルナノワイヤ中の結晶性およびドーピング制御
〇⻄部 康太郎1, 2、Jevasuwan Wipakorn2、Subramani Thiyagu2、武井 俊朗2、深⽥ 直樹1, 2
1.筑波⼤院, 2.物材機構
9
9.2
Poster
3/20(⽇) 13:30 15:30
20p-P7-9
C000624
Ge/Si コアシェル ナノワイヤの熱電性能測定
〇野⼝ 智弘1、Simanullang Marolop1、宇佐美 浩⼀1、⼩寺 哲夫2、⼩⽥ 俊理1, 2
9
9.2
Poster
3/20(⽇) 13:30 15:30
20p-P7-10
C002414
ZnOナノワイヤーの形成過程と電気伝導
〇野崎 正⼈1、⽊塚 徳志2
9
9.2
Poster
3/20(⽇) 13:30 15:30
20p-P7-11
C000401
Environment-friendly Disposable Nonvolatile Resistive Switching Memory Composed of Nanocellulose
9
9.2
Poster
3/20(⽇) 13:30 15:30
20p-P7-12
C002502
エレクトロスピニング法による繊維形成過程
〇内⽥ 健哉1、中川 泰忠1、植松 育⽣1
9
9.2
Poster
3/20(⽇) 13:30 15:30
20p-P7-13
C001879
表⾯コーティングした電界紡⽷ITOナノファイバの⾊素増感太陽電池への応⽤
〇(DC)郭 世栄1、今⽥ 慎⼆1、堀江 雄⼆1、野⾒⼭ 輝明1
1.⿅児島⼤院理⼯
9
9.2
Poster
3/20(⽇) 13:30 15:30
20p-P7-14
C000728
Application of Self-standing Conductive Silica-ITO Nanofiber Mat to Dye Sensitized Solar Cells
〇(D)Muhammad Zobayer BinMukhlish1, Kousei Higashi1, Yuji Horie1, Teruaki Nomiyama1
1.Kagoshima Univ.
9
9.2
Poster
3/20(⽇) 13:30 15:30
20p-P7-15
C000468
Si系剥⽚状ナノ材料の光物性・光触媒特性
〇板原 浩1、呉 暁勇2、⼭崎 芳樹2、今川 晴雄1、殷 シュウ2、⼩島 ⼀信2、秩⽗ 重英2、佐藤 次雄2
9
9.2
Poster
3/20(⽇) 13:30 15:30
20p-P7-16
C001339
E
One-step deposition of PbS Quantum Dot harvesting layer with new-ligand for solid state heterojunction solar cells
9
9.2
Poster
3/20(⽇) 13:30 15:30
20p-P7-17
C001050
E
Performance of PbSe quantum dot based heterojunction solar cells: Dependence on ligand type
9
9.2
Poster
3/20(⽇) 13:30 15:30
20p-P7-18
C000566
E
Synthesis and evaluation of Triethylamine-capped SnO2 nanostructures for dye sensitized solar cell applications.
〇Tarini Murugesan1, Navaneethan Mani1, Archana Jayaram1, Yasuhiro Hayakawa1
1.RIE Shizuoka Univ
9
9.2
Poster
3/20(⽇) 13:30 15:30
20p-P7-19
C000424
E
Tin Oxide Nanoparticles Prepared via Laser Ablation in Liquid
Tatsuki Owashi1, Mitsuhiro Honda2, 〇Sergei Kulinich1, Takahiro Kondo1, Satoru Iwamori1
1.Tokai University, 2.Nagoya Inst. Tech.
9
9.2
Poster
3/20(⽇) 13:30 15:30
20p-P7-20
C001576
9
9.3
Poster
3/20(⽇) 13:30 15:30
20p-P8-1
C002278
9
9.3
Poster
3/20(⽇) 13:30 15:30
20p-P8-2
C003548
9
9.3
Poster
3/20(⽇) 13:30 15:30
20p-P8-3
C003132
〇(M1)朝倉 啓太1、荻野 雄⼤1、⾼野 紘平1、和保 孝夫1、下村 和彦1
1.上智⼤理⼯
バイオテンプレート極限加⼯技術を⽤いたSiナノピラーの作製と熱伝導率の測定
〇菊池 亜紀応1, 3、⼋尾 章史3、⽑利 勇3、寒川 誠⼆2、⼩野 崇⼈1
1.東北⼤院⼯, 2.東北⼤ 流体研, 3.セントラル硝⼦
３ω法を⽤いたQuasi-Ballistic領域におけるシリコンナノワイヤの熱輸送特性解析
Zhuge Fuwei1、⾦井 真樹1、⻑島 ⼀樹1、深⽥ 直樹2、〇柳⽥ 剛1
休憩/Break
奨
奨
E
パルス細線放電法による有機物被覆マグネシウム粒⼦作製
Jurczak Malgorzata2、Vandervorst Wilfried2、柳⽥ 剛1
〇(D)CHAO DING1, JIN CHANG1, YAOHONG ZHANG1, NAOTAKA FUJIKAWA2, SHUZI HAYASE2, 4, KENJI YOSHINO3, 4, TARO TOYODA1,
4, QING SHEN1, 4
〇(D)Yaohong Zhang1, Chao Ding1, Shuzi Hayase2, 4, Yuhei Ogomi2, Jin Chang3, Taro Toyoda1, 4, Qing Shen1, 4
1.⼯学院⼤⼯
1.東⼯⼤量⼦ナノ研セ, 2.東⼯⼤電⼦物理
1.筑波⼤院数理, 2.筑波⼤物質
1.九⼤先導研, 2.imec, 3.阪⼤産研
1.(株)東芝
1.豊⽥中研, 2.東北⼤
1.Univ. Electro-Commun, 2.Kyushu Inst. Tech, 3.Miyazaki Univ, 4.CREST JST
1.Univ. Electro-Commun., 2.Kyushu Inst. Tech., 3.Nanjing Tech. Univ., 4.CREST JST
〇末松 久幸1、⽥中 健太1、鈴⽊ 常⽣1、中⼭ 忠親1、新原 晧⼀1
1.⻑岡技⼤極限セ
粘菌の挙動を模倣した単電⼦情報処理回路の設計
〇(M1)⾥⾒ 航汰1、⼤⽮ 剛嗣1
1.横国⼤院⼯
熱雑⾳導⼊による単電⼦連想記憶回路の性能向上の検討
〇(M1)⾼野 誠1、⼤⽮ 剛嗣1
1.横国⼤院⼯
ゲート容量が⾮対称な共通ゲート四重ドット単電⼦ポンプの動作解析
〇居藤 悠⾺1、今井 茂1
1.⽴命館⼤理⼯
パルス細線放電法による有機物被覆マグネシウム粒⼦作製
奨
〇⻑島 ⼀樹1、Celano Umberto2、古賀 ⼤尚3、能⽊ 雅也3、Zhuge Fuwei1、Meng Gang1、He Yong1、Fantini Andrea2、Boeck Jo De2、
1.九⼤先導研, 2.物材機構
2016年春季講演会(東⼯⼤⼤岡⼭キャンパス)プログラム
⼤分類 中分類
形式
講演⽇
開始
終了
【1⽉28⽇(⽊)更新】暫定版からの更新箇所は⾚字になっております。
講演番号
受付番号
奨励賞 英語 招待
著者
所属機関
9
9.3
Poster
3/20(⽇) 13:30 15:30
20p-P8-4
C000392
⾼精度デジタルウェットエッチング技術によるGaAsナノ構造形成
〇⿊⽥ 亮太1, 2、佐藤 将来1, 2、葛⻄ 誠也1, 2
1.北⼤量⼦集積センター, 2.北⼤院情報科学
9
9.3
Poster
3/20(⽇) 13:30 15:30
20p-P8-5
C000187
プラズマ励起法を⽤いたナノ微粒⼦⽤原⼦層堆積装置開発
〇菊地 航1、⿅⼜ 健作2、有⾺ ボシルアハンマド2、久保⽥ 繁2、廣瀬 ⽂彦2
1.⼭形⼤⼯, 2.⼭形⼤院理⼯
9
9.3
Poster
3/20(⽇) 13:30 15:30
20p-P8-6
C000186
プラズマ励起法を⽤いたZrO2の室温原⼦層堆積
〇野⽼ 健太郎1、⿅⼜ 健作2、有⾺ ボシルアハンマド2、久保⽥ 繁2、廣瀬 ⽂彦2
1.⼭形⼤⼯, 2.⼭形⼤院理⼯
9
9.3
Oral
3/21(⽉)
9:15
9:30
21a-S323-1
C001502
ミツバチに学ぶ単電⼦情報処理
〇⽥鍋 俊彦1、⼤⽮ 剛嗣1
1.横国⼤理⼯
9
9.3
Oral
3/21(⽉)
9:30
9:45
21a-S323-2
C002114
単電⼦畳み込みニューラルネットワーク回路
〇⽚⼭ 亮1、⼤⽮ 剛嗣1
1.横国⼤
9
9.3
Oral
3/21(⽉)
9:45
10:00
21a-S323-3
C002275
奨
イジングスピンモデルのFPGAへの実装と⾃然現象を模擬した新しいコンピューティング技術の検討
〇(B)⽊原 裕介1、齋藤 孝成1、塩村 真幸1、⽩樫 淳⼀1
1.東京農⼯⼤院⼯
9
9.3
Oral
3/21(⽉) 10:00 10:15
21a-S323-4
C002281
奨
論理ゲートで表現された2次元イジング計算機による組合せ最適化問題の検討
〇(B)塩村 真幸1、齋藤 孝成1、⽊原 裕介1、⽩樫 淳⼀1
1.東京農⼯⼤院⼯
9
9.3
Oral
3/21(⽉) 10:15 10:30
21a-S323-5
C000396
奨
⾦属探針を⽤いたGaAs ナノワイヤ表⾯局所電位変調による表⾯電⼦トラップの検出と評価
〇佐藤 将来1, 2、殷 翔1, 2、⿊⽥ 亮太1, 2、葛⻄ 誠也1, 2
1.北⼤量集センター, 2.北⼤院情報科学
21a-S323-6
C001475
単⼀分⼦識別に向けた静電塗布法による分⼦表⾯分散の検討
〇岡本 翔真1、⿊⽥ 亮太1、葛⻄ 誠也1
1.北⼤
9
9.3
Oral
3/21(⽉) 10:30 10:45
9
9.3
Oral
3/21(⽉) 10:45 11:00
9
9.3
Oral
3/21(⽉) 11:00 11:15
21a-S323-7
C001300
9
9.3
Oral
3/21(⽉) 11:15 11:30
21a-S323-8
C001869
9
9.3
Oral
3/21(⽉) 11:30 11:45
21a-S323-9
C002240
9
9.3
Oral
3/21(⽉) 11:45 12:00
21a-S323-10 C000928
9
9.3
Oral
3/21(⽉) 12:00 12:15
21a-S323-11 C001858
9
9.3
Oral
3/21(⽉) 16:00 16:15
21p-S323-1
9
9.3
Oral
3/21(⽉) 16:15 16:30
21p-S323-2
9
9.3
Oral
3/21(⽉) 16:30 16:45
21p-S323-3
9
9.3
Oral
3/21(⽉) 16:45 17:00
9
9.3
Oral
3/21(⽉) 17:00 17:15
9
9.3
Oral
3/21(⽉) 17:15 17:30
9
9.3
Oral
3/21(⽉) 17:30 17:45
9
9.4
Oral
3/21(⽉)
9:30
9:45
9
9.4
Oral
3/21(⽉)
9:45
10:00
9
9.4
Oral
9
9.4
Oral
9
9.4
Oral
3/21(⽉) 10:30 10:45
9
9.4
Oral
9
9.4
9
9
奨
21 / 52 ページ
※会場、時間が変更になった場合は該当の⽅にご連絡いたします。
講演タイトル
休憩/Break
奨
E
多孔質AZO電極を利⽤した銀析出型EC素⼦の発⾊特性
〇岡 瑞樹1、稲⽥ 貢2、⿑藤 正2
無電解⾦メッキナノギャップ電極の初期電極膜厚依存性
〇(M1)越村 将⾂1、東 康男1、真島 豊1
1.東⼯⼤応セラ研
〇(M1)Pipit Uky Vivitasari1, Yasuo Azuma1, Masanori Sakamoto2, Toshiharu Teranishi2, Yutaka Majima1
1.Tokyo Inst. of Tech., 2.Kyoto Univ.
Molecular Single-Electron Transistor Device using Sn-Porphyrin
Protected Gold Nanoparticles
1.関⼤院理⼯, 2.関⼤システム理⼯
フローティングゲート電極を有するナノ粒⼦単電⼦トランジスタ
〇東 康男1、坂本 雅典2、寺⻄ 利治2、真島 豊1
1.東⼯⼤応セラ, 2.京⼤化研
Coulomb Staircase on Rigid Carbon-bridged Oligo(phenylenevinylene) between Electroless Au plated Nanogap Electrodes
〇(D)Chun Ouyang1, 2, Yousoo Kim2, Kohei Hashimoto3, Hayato Tsuji3, Eiichi Nakamura3, Yutaka Majima1
1.Tokyo Tech., 2.RIKEN, 3.Univ. of Tokyo
C003394
銅フタロシアニン誘導体を添加した⾦ナノ粒⼦単電⼦トランジスタにおける光応答解析
〇⼭本 真⼈1、東 康男2、真島 豊2、坂本 雅典3、寺⻄ 利治3、⽯井 久夫1, 4、野⼝ 裕5
1.千葉⼤院融合, 2.東⼯⼤応セラ, 3.京⼤化研, 4.千葉⼤先進, 5.明治⼤理⼯
C001526
B,P同時ドープSiナノ結晶におけるクーロンブロッケードの観察
〇東川 泰⼤1、東 康男2、真島 豊2、加納 伸也1、藤井 稔1
1.神⼤院⼯, 2.東⼯⼤応セラ
C001731
繰り返し⾦ナノ粒⼦を散布することで作製した単⼀電⼦素⼦
〇守屋 雅隆1、Tran Huong1、松本 和彦1、島⽥ 宏1、⽊村 康男2、平野 愛⼸3、⽔柿 義直1
1.電通⼤, 2.東京⼯科⼤, 3.東北⼤
21p-S323-4
C002490
直列接続型ナノギャップでのマイグレーション制御によって作製された単電⼦トランジスタ
〇(B)井上 和貴1、伊藤 智之1、岡⽥ 憲昂1、滝川 主喜1、伊藤 光樹1、⽩樫 淳⼀1
1.東京農⼯⼤院⼯
21p-S323-5
C002573
低温下での通電によるナノギャップ系単電⼦トランジスタの作製と特性制御
〇伊藤 智之1、伊藤 光樹1、滝川 主喜1、岡⽥ 憲昂1、井上 和貴1、⽩樫 淳⼀1
1.東京農⼯⼤院⼯
21p-S323-6
C002646
FPGAによるEMカスタムハードウェアを⽤いたAuナノワイヤの狭窄化とコンダクタンス制御特性
〇⾦丸 祐真1、加藤⽊ 悠1、塩村 真幸1、⽩樫 淳⼀1
21p-S323-7
C002177
リアルタイムOSを⽤いた時間確定的な通電によるAuナノワイヤのコンダクタンスの増加制御
〇沼倉 憲彬1、佐藤 秀亮1、⾦丸 祐真1、⽩樫 淳⼀1
1.東京農⼯⼤院⼯
21a-W323-1
C000314
新規遷移⾦属硫化物V4-xTrxM S8の熱電物性と電⼦状態計算
〇(D)宮⽥ 全展1、⻄野 俊佑1、尾崎 泰助1, 2、⼩⽮野 幹夫1
1.北陸先端⼤, 2.東⼤物性研
21a-W323-2
C000739
ペロフスカイト酸化物Pr0.9Sr0.1Mn1-xFexO3(0≦x≦1)のP型熱電特性
〇中津川 博1、佐藤 ⽂仁1、齋藤 美和2、岡本 庸⼀3
1.横国⼤理⼯, 2.神奈川⼤⼯, 3.防衛⼤材料
3/21(⽉) 10:00 10:15
21a-W323-3
C001496
層状Co酸化物における微視的熱伝導現象とその抑制機構
〇(D)藤井 進1、吉⽮ 真⼈1, 2
1.⼤阪⼤⼯, 2.JFCC
3/21(⽉) 10:15 10:30
21a-W323-4
C000869
層状窒化物NaMN2(M=Ta, Nb)の電⼦状態と熱電輸送特性の次元性
〇⼤久保 勇男1, 2、森 孝雄1
1.物材機構, 2.JST-さきがけ
3/21(⽉) 10:45 11:00
21a-W323-5
C000901
奨
溶融合成した V 置換 MnSiγ の熱電特性
〇(M1)濱⽥ 陽紀1、林 慶1、宮﨑 讓1
1.東北⼤院⼯
Oral
3/21(⽉) 11:00 11:15
21a-W323-6
C001121
奨
ソフト化学法を⽤いたCrSi2の合成と熱電特性評価
〇中沢 駿仁1、髙松 智寿1、飯島 喜彦2、林 慶1、宮﨑 讓1
9.4
Oral
3/21(⽉) 11:15 11:30
21a-W323-7
C001579
奨
Mg2Si薄膜の熱電特性に及ぼす歪みの影響
〇⿊川 満央1、上原 睦雄1、⼀ノ瀬 ⼤地1、清⽔ 荘雄1、秋⼭ 賢輔1, 2、松島 正明1、内⽥ 寛3、⽊村 好⾥1、⾈窪 浩1
1.東⼯⼤, 2.神奈川県産業技術センター, 3.上智⼤
9.4
Oral
3/21(⽉) 11:30 11:45
21a-W323-8
C003021
Enhancement of power factor by energy filtering effect in Re substituted HMS
〇(DC)Swapnil Chetan Ghodke1, Akio yamamoto2, Hiroshi Ikuta1, Tsunehiro Takeuchi2, 3
1.Nagoya Univ., 2.Toyota Tech. Inst., 3.PRESTO
9
9.4
Oral
3/21(⽉) 11:45 12:00
21a-W323-9
C000111
Ge-Sb-Te準安定相バルク状熱電材料の作製条件の検討
⼤本 達朗1、〇⼩菅 厚⼦1
1.阪府⼤ナノ
9
9.4
Oral
3/21(⽉) 12:00 12:15 21a-W323-10 C001039
4元SiクラスレートRb-Na-X-Si(X=Ga,Zn)の電⼦構造
〇⾚井 光治1、岸本 堅剛1、⼩柳 剛1、⼭本 節夫1
1.⼭⼝⼤
9
9.4
Oral
3/21(⽉) 13:45 14:00
21p-W323-1
C000255
Na-In-Sn系⾦属間化合物の結晶構造と熱電特性
〇⼭⽥ ⾼広1, 2、菅野 雅博1、竃本 倫丈1、永井 秀明3、⼭根 久典1
1.東北⼤多元研, 2.JSTさきがけ, 3.産総研
9
9.4
Oral
3/21(⽉) 14:00 14:15
21p-W323-2
C002290
トンネル構造を有するNa2ZnSn5の熱電特性
〇菅野 雅博1、⼭⽥ ⾼広1, 2、⼭根 久典1
1.東北⼤多元研, 2.JSTさきがけ
9
9.4
Oral
3/21(⽉) 14:15 14:30
21p-W323-3
C000817
type-IIクラスレート化合物K8Sr16M40Ge96(M=Al,Ga)の作製と熱電気的特性
〇宇都宮 卓1、岸本 堅剛1、⾚井 光治1、浅⽥ 裕法1、⼩柳 剛1
1.⼭⼝⼤院理⼯
9
9.4
Oral
3/21(⽉) 14:30 14:45
21p-W323-4
C001531
Bi-Sb合⾦の熱電物性へのTeおよびSnドーピングの効果
〇村⽥ 正⾏1、國井 勝1、李 哲⻁1、⼭本 淳1
1.産総研
21p-W323-5
C001839
Ga-P同時添加によるBa8Al16Si30クラスレートの機械的特性への影響
〇岡本 和也1、上⽥ 貴⼤1、江本 優紀1、阿武 宏明1
1.⼭⼝東理⼤⼯
E
奨
1.東京農⼯⼤院⼯
休憩/Break
E
奨
1.東北⼤⼯, 2.リコー未来技研
9
9.4
Oral
3/21(⽉) 14:45 15:00
9
9.4
Oral
3/21(⽉) 15:00 15:15
9
9.4
Oral
3/21(⽉) 15:15 15:30
21p-W323-6
C000116
Co1-xNixSb3の輸送および熱電特性に関する実験データの解析の精密化（IV）―多重バンドのネルンスト係数の表式とCo1-xNixSb3への応⽤―
〇梶川 靖友1
1.島根⼤総合理⼯
9
9.4
Oral
3/21(⽉) 15:30 15:45
21p-W323-7
C000130
熱電物性同時測定を⽤いた格⼦とキャリヤの熱伝導率評価
〇⼤塚 美緒⼦1、本間 亮英1、⻑⾕川 靖洋1
1.埼⽟⼤⼯
9
9.4
Oral
3/21(⽉) 15:45 16:00
21p-W323-8
C003457
酸化物超伝導体を⽤いた⽩⾦の絶対ゼーベック係数測定
〇天⾕ 康孝1、島崎 毅1、河江 達也2、藤⽊ 弘之1、⼭本 淳1、⾦⼦ 晋久1
1.産総研, 2.九⼤⼯
9
9.4
Oral
3/21(⽉) 16:00 16:15
21p-W323-9
C000117
インピーダンススペクトロスコピー法を⽤いた熱電モジュールの動特性評価
〇⻑⾕川 靖洋1、本間 亮英1、⼤塚 美緒⼦1
1.埼⼤⼯
9
9.4
Oral
3/21(⽉) 16:15 16:30 21p-W323-10 C003325
クラスレート化合物を⽤いたセグメント型熱電モジュールの作製
〇⽯川 雄基1、⼟⾕ 陽平1、岸本 堅剛1、⼩柳 剛1、⻑瀬 和夫2、⾼澤 弘幸2、⼭本 淳2、⾚井 光治1、浅⽥ 裕法1
1.⼭⼝⼤院理⼯, 2.産総研
9
9.4
Oral
3/21(⽉) 16:30 16:45 21p-W323-11 C003359
⾼密度集積化マイクロ熱電発電モジュールの設計法
〇(M1)近藤 剛1、⾼村 陽太2、菅原 聡1
1.東⼯⼤像情報, 2.東⼯⼤電⼦物理
9
9.5
Poster
3/19(⼟) 16:00 18:00
19p-P10-1
C000395
第⼀原理計算によるTlInSe2 ,TlInS2の電⼦状態解析
〇⽯川 真⼈1、中⼭ 隆史1、脇⽥ 和樹2、Nazim Mamedov3
1.千葉⼤理学部, 2.千葉⼯⼤⼯学部, 3.アゼルバイジャン科学アカデミー
9
9.5
Poster
3/19(⼟) 16:00 18:00
19p-P10-2
C000403
固液注⼊表⾯の透過率・表⾯濡れ性の温度依存性
〇(D)真部 研吾1、⽩⿃ 世明1
1.慶⼤院理⼯
9
9.5
Poster
3/19(⼟) 16:00 18:00
19p-P10-3
C000814
⽩⾊発光アップコンバージョン蛍光体の作製および発光特性評価
〇菖蒲 勇1、野中 俊宏1、⼤⼭ 渓⼈1、⼭本 伸⼀1
1.⿓⾕⼤理⼯
9
9.5
Poster
3/19(⼟) 16:00 18:00
19p-P10-4
C000816
アップコンバージョン蛍光体の⻘⾊発光に関する特性評価
〇菖蒲 勇1、野中 俊宏1、⼤⼭ 渓⼈1、⼭本 伸⼀1
1.⿓⾕⼤理⼯
9
9.5
Poster
3/19(⼟) 16:00 18:00
19p-P10-5
C003153
Tm3+とYb3+を共添加したアップコンバージョン蛍光体の特性評価
〇杉村 健太郎1、菖蒲 勇1、野中 俊宏1、⼤⼭ 渓⼈1、⼭本 伸⼀1
1.⿓⾕⼤理⼯
9
9.5
Poster
3/19(⼟) 16:00 18:00
19p-P10-6
C003192
分⼦線蒸着法によるGdH2薄膜の作製
〇⽵之内 郁⼈1、坂井 琢磨1、酒井 政道1、樋⼝ 宏⼆2、北島 彰2、⻑⾕川 繁彦2、中村 修3
1.埼⼤院理⼯, 2.阪⼤産研, 3.岡⼭理科⼤
9
9.5
Poster
3/19(⼟) 16:00 18:00
19p-P10-7
C001322
３元タリウム化合物における光誘起変形の過渡応答特性２
〇益村 隆宏1、沈 ⽤球1、脇⽥ 和樹2、Mamedov Nazim3
1.阪府⼤院⼯, 2.千葉⼯⼤⼯, 3.アゼルバイジャン科学ア
9
9.5
Poster
3/19(⼟) 16:00 18:00
19p-P10-8
C003154
マルチフェロイック0.7BaTiO3-0.3NiFe2O4コアシェルにおける磁気誘起抵抗の振る舞い
〇柳沢 修実1、藤本 隆⼠2
1.⼸削商船⾼専商船, 2.⼸削商船⾼専電⼦機械
9
9.5
Oral
3/20(⽇) 13:45 14:00
20p-S323-1
C002727
表⾯増⼤⾚外吸収現象におけるナノ粒⼦誘電率の影響
〇津島 将導1、中嶋 洋1、⽯卿 侑汰1、沢⽥ 拓希2、千葉 豪2、熊⾕ 遊太3、島⽥ 透3、鈴⽊ 裕史1
9
9.5
Oral
3/20(⽇) 14:00 14:15
20p-S323-2
C002735
表⾯増⼤⾚外吸収現象が発現する⾦ナノ粒⼦サイズ最⼤値の波⻑依存性
〇⽯郷 侑汰1、中嶋 洋1、津島 将導1、沢⽥ 拓希2、千葉 豪2、熊⾕ 遊太3、島⽥ 透3、鈴⽊ 裕史1
1.弘前⼤院理⼯, 2.弘前⼤理⼯, 3.弘前⼤教育
9
9.5
Oral
3/20(⽇) 14:15 14:30
20p-S323-3
C003254
(A, X, Y)-AgゼオライトにおけるPhotoluminescenceの励起波⻑依存性
〇成⽥ 翔1、鈴⽊ 裕史1、宮永 崇史1、中村 暦1
1.弘前⼤
9
9.5
Oral
3/20(⽇) 14:30 14:45
20p-S323-4
C002710
低濃度⽔素を⽤いたPd/Ni⼆層触媒付きY薄膜の⽔素化とそのギブス⾃由エネルギー評価
〇⽮吹 康佑1、⻘⽊ 信彦1、酒井 政道1、松永 智善1、飯笹 圭太郎1、樋⼝ 宏⼆2、北島 彰2、⻑⾕川 繁彦2、中村 修3
1.埼⼤院理⼯, 2.阪⼤産研, 3.岡⼭理⼤
20p-S323-5
C003461
⽔熱合成法によるTiO2粒⼦の合成とその直接噴霧型製膜技術の開発
〇中根 茂⾏1、河野 健太1, 2、細野 真平1, 2、安川 雪⼦2、知京 豊裕1、名嘉 節1
1.物材機構, 2.千葉⼯⼤
休憩/Break
奨
1.弘前⼤院理⼯, 2.弘前⼤理⼯, 3.弘前⼤教育
9
9.5
Oral
3/20(⽇) 14:45 15:00
9
9.5
Oral
3/20(⽇) 15:00 15:15
9
9.5
Oral
3/20(⽇) 15:15 15:30
20p-S323-6
C002700
奨
Zn部分置換によるCaMn2Bi2単結晶の強磁性誘起とその物性
〇川⼝ 直樹1、畑野 敬史1、飯⽥ 和昌1、⽣⽥ 博志1
1.名⼤⼯
9
9.5
Oral
3/20(⽇) 15:30 15:45
20p-S323-7
C000736
奨
強い相対論効果を持つ⾮磁性半⾦属InBi単結晶における巨⼤磁気抵抗
〇(D)⼤川 顕次郎1、加納 学1、並⽊ 宏允1、笹川 崇男1
1.東⼯⼤応セラ研
9
9.5
Oral
3/20(⽇) 15:45 16:00
20p-S323-8
C000820
⿊リンの常圧における単結晶育成とその物性評価 (Ⅱ)
〇(M1)⾼橋 敬成1、並⽊ 宏允1、笹川 崇男1
1.東⼯⼤応セラ研
9
9.5
Oral
3/20(⽇) 16:00 16:15
9
9.5
Oral
3/20(⽇) 16:15 16:30
20p-S323-9
C000924
9
9.5
Oral
3/20(⽇) 16:30 16:45
20p-S323-10 C001284
9
9.5
20p-S323-11 C001209
休憩/Break
休憩/Break
Oral
3/20(⽇) 16:45 17:00
10
Poster
3/19(⼟) 13:30 15:30
19p-P1-1
C003432
10
Poster
3/19(⼟) 13:30 15:30
19p-P1-2
C000821
10
Poster
3/19(⼟) 13:30 15:30
19p-P1-3
C001569
10
Poster
3/19(⼟) 13:30 15:30
19p-P1-4
C002977
10
Poster
3/19(⼟) 13:30 15:30
19p-P1-5
10
Poster
3/19(⼟) 13:30 15:30
19p-P1-6
10
Poster
3/19(⼟) 13:30 15:30
10
Poster
3/19(⼟) 13:30 15:30
10
Poster
10
シアノフタロシアニンをビルディングブロックとしたポリフタロシアニンシートの合成
〇坂⼝ 裕哉1、⽥代 慎1、萩原 政幸2、⽊⽥ 孝則2、酒井 政道1、福⽥ 武司1、鎌⽥ 憲彦1、本多 善太郎1
1.埼⽟⼤院理⼯, 2.阪⼤先端強磁場
⾦属フタロシアニンを⽤いた遷移⾦属ドープ炭素材料の合成と磁性
〇佐藤 峻1、⾦杉 彩能1、萩原 政幸2、⽊⽥ 孝則2、酒井 政道1、福⽥ 武司1、鎌⽥ 憲彦1、本多 善太郎1
1.埼⽟⼤院理⼯, 2.阪⼤先端強磁場
2次元トポロジカル絶縁体AlSb/InAs/GaSb/AlSbヘテロ構造の断⾯STM/STS観測
〇安藤 達⼈1、加来 滋1、吉野 淳⼆1
1.東⼯⼤院理⼯
〇(M1C)上⻄ 陵太1、安藤 努1、廣⽥ 憲之2
1.⽇⼤⽣産⼯, 2.物材機構
Crystallization of Lysozyme by LLIP Method in High Magnetic Fields
〇(M1)tetsuya onotou1, Isao Yamamoto1
1.YNU
Crystallization of Ice by LLIP Method under Magnetic Field Ⅱ
〇(B)Sae Kimoto1, Yuta Kimura1, Isao Yamamoto1
1.YNU
強磁場下での液－液界⾯晶析法によるNaCl結晶作製Ⅲ
〇(M2)仙波 ⿓⽣1、吉⽥ 瞭佑1、⼭本 勲1
1.横国⼤院⼯
C002144
回転磁場を⽤いて3軸配向した擬単結晶Fe3Cの結晶磁気異⽅性エネルギー
〇寺井 智之1、⼭本 祐義2、福⽥ 隆1、掛下 知⾏1、堀井 滋3、⽶村 光治2
1.阪⼤⼯, 2.新⽇鐵住⾦, 3.京⼤院エネ科
C000052
磁気電気化学キラリティへのマイクロ電極の効果
〇茂⽊ 巖1、⻘柿 良⼀2、⾼橋 弘紀1
1.東北⼤⾦研, 2.職業⼤
19p-P1-7
C002976
燐光材料の三重項状態を利⽤した物体の磁場中での⾮接触光マニピュレーション
〇池添 泰弘1、種部 千遥1、湯澤 凌1
1.⽇⼯⼤⼯
19p-P1-8
C003487
永久磁⽯を⽤いたプラスチック材料のシングルストリーム磁気分離システム
〇池添 泰弘1、濱崎 裕介1、湯澤 凌1、畑澤 雅徳1、藤⽥ 裕嗣1、箭⽵ ⻯⼀1
1.⽇⼯⼤⼯
3/19(⼟) 13:30 15:30
19p-P1-9
C002468
奨
〇(M1)朱 JUDY 俊翰1、⽊村 史⼦1、⽊村 恒久1
1.京⼤院農
Poster
3/19(⼟) 13:30 15:30
19p-P1-10
C001684
奨
回転磁場による反磁性の増強効果 -磁場配向による検証-
〇⽊村 陽介1、⽊村 史⼦1、⽊村 恒久1
1.京⼤院農
10
Poster
3/19(⼟) 13:30 15:30
19p-P1-11
C000769
垂直磁化⽅式のトンネル型スピンフィルター素⼦実現に向けた⾮磁性⾦属層上にのCoFe2O4薄膜の作製と評価
〇(B)成瀬 克芳1、來多 佑亮1、⽥中 雅章1、⾕⼝ 卓也2、⼩野 輝男2、壬⽣ 攻1
1.名⼯⼤⼯, 2.京⼤化研
10
Poster
3/19(⼟) 13:30 15:30
19p-P1-12
C002530
Optimization of preparation conditions for Nd0.5Bi2.5Fe5O12 thin films prepared by MOD Method for magneto-optical imaging plates
〇(M2)Qi Liu1、Gengjian Lou1、Takahiro Hashinaka1、Michimasa Sasaki1、Takayuki Ishibashi1
1.Nagaoka.Univ.of Tech.
10
Poster
3/19(⼟) 13:30 15:30
19p-P1-13
C002791
Dynamical magnetoelectric switching of perpendicular exchange bias in Pt/Co/spacer/Cr2O3/Pt stacked films
〇(P)Anh ThiVan Nguyen1, Yu Shiratsuchi1, Ryoichi Nakatani1
1.Grad. School of Eng. Sci., Osaka Univ.
10
Poster
3/19(⼟) 13:30 15:30
19p-P1-14
C002872
FMR measurements of Nd0.5Bi2.5Fe5-yGayO12 (y = 0-1) thin films on glass substrates prepared by MOD method
〇(D)Kouken Lou1、Michimasa Sasaki1、Nobuyasu Adachi2、Takeshi Kato3、Satoshi Iwata3、Takayuki Ishibashi1
10
Poster
3/19(⼟) 13:30 15:30
19p-P1-15
C003004
ガラス基板上に作製したCoフェライト薄膜の磁気光学効果測定による評価
〇(B)久保⽥ ⼤志1、⽬⿊ 燎1、佐々⽊ 教真1、⽯橋 隆幸1
1.⻑岡技科⼤
10
Poster
3/19(⼟) 13:30 15:30
19p-P1-16
C002064
Enhancement of L21 ordering and spin-polarization of Co2FeSi thin film by substitution of Fe with Ti
〇(D)Jiamin CHEN2, 1, Yuya Sakuraba1, Yoshio Miura3, 1, Takao Furubayashi1, Kazuhiro Hono1, 2
1.NIMS, 2.Tsukuba Univ., 3.Kyoto Inst. of Tech
10
Poster
3/19(⼟) 13:30 15:30
19p-P1-17
C000375
垂直磁気異⽅性をもつ正⽅晶フェリ磁性Mn4N薄膜の磁気構造
〇(PC)伊藤 啓太1, 2, 3、具志 俊希1、東⼩薗 創真1、都甲 薫1、⽩井 正⽂4、⾓⽥ 匡清2、末益 崇1
1.筑波⼤数理物質, 2.東北⼤⼯, 3.学振PD, 4.東北⼤通研
10
Poster
3/19(⼟) 13:30 15:30
19p-P1-18
C000762
異⽅性磁気抵抗効果を利⽤したFe4N 細線における磁壁の電流検出
〇具志 俊希1、伊藤 啓太1, 2, 3、東⼩薗 創真1、都甲 薫1、⼤⾥ 啓孝4、杉本 喜正4、本多 周太5、末益 崇1
1.筑波⼤ 数理物質, 2.東北⼤ ⼯, 3.学振, 4.物材機構, 5.関⻄⼤ シス理
10
Poster
3/19(⼟) 13:30 15:30
19p-P1-19
C000770
パルスレーザー堆積法で作製した重⾦属ドープα-Fe2O3薄膜の反強磁性磁気異⽅性評価
〇(M2)安藤 聡伸1、三神 和章1、⽥中 雅章1、壬⽣ 攻1
1.名⼯⼤⼯
強磁場中回転容器内で⾮定常時に⽣じる流れが配向粒⼦に及ぼす影響
奨
E
奨
E
回転磁場による磁化率変化に関する研究
-磁気アルキメデス浮上による検証-
奨
E
奨
-回転容器内で発⽣する流れの可視化-
E
1.Nagaoka Univ. of Tech., 2.Nagoya Inst. Tech., 3.Nagoya Univ.
2016年春季講演会(東⼯⼤⼤岡⼭キャンパス)プログラム
⼤分類 中分類
形式
講演⽇
開始
終了
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講演番号
受付番号
奨励賞 英語 招待
22 / 52 ページ
※会場、時間が変更になった場合は該当の⽅にご連絡いたします。
講演タイトル
著者
所属機関
10
Poster
3/19(⼟) 13:30 15:30
19p-P1-20
C002659
MBEにより成⻑した三元化合物(Cr,Fe)Te薄膜の磁気特性・構造特性へのアニール処理の効果
10
Poster
3/19(⼟) 13:30 15:30
19p-P1-21
C002683
対向式スパッタリング法を⽤いたTi2O3薄膜のエピタキシャル成⻑及び磁気・輸送特性
〇横⽥ 壮司1、平松 和樹1、五味 学1
10
Poster
3/19(⼟) 13:30 15:30
19p-P1-22
C000092
漏洩磁場を利⽤したスピン量⼦⼗字デバイスの構造・磁気特性
〇海住 英⽣1、森 澄⼈1、三澤 貴浩1、⼩峰 啓史2、中村 晃輔3、藤岡 正弥1、⻄井 準治1
1.北⼤電⼦研, 2.茨⼤⼯, 3.北⼤理
10
Poster
3/19(⼟) 13:30 15:30
19p-P1-23
C000359
磁性-⾮磁性準周期多層膜の磁気特性
〇本地 泰彦1、児⽟ 俊之1、冨⽥ 知志1、細⽷ 信好1、柳 久雄1
1.奈良先端⼤物質
10
Poster
3/19(⼟) 13:30 15:30
19p-P1-24
C000658
有機⾦属分解法を⽤いた準周期マグノニック結晶の作製
〇國原 ⼀眞1、本地 泰彦1、中⼭ 和之2、冨⽥ 知志1、細⽷ 信好1、柳 久雄1
1.奈良先端⼤, 2.福岡⼤
10
Poster
3/19(⼟) 13:30 15:30
19p-P1-25
C001632
診断と治療を⽬指した磁気ナノ微粒⼦の開発
〇⼀柳 優⼦1、⽯川 智也1、⼭崎 貴⼤1、森本 翔⼤1、兵藤 公美典1、酒井 元⼤1
1.横国⼤院⼯
10
Poster
3/19(⼟) 13:30 15:30
19p-P1-26
C002344
強磁性半導体に向けたMn添加ZnO薄膜の評価
〇那須 菜穂1、張 宇1、箕輪 直輝1、趙 新為1
1.東理⼤理
10
Poster
3/19(⼟) 13:30 15:30
19p-P1-27
C002589
第⼀原理計算によるSm2Fe17N3の磁気特性
〇柏⾕ 裕美1、⼄川 光平2, 1、⽥中 真⼈1、⼩川 博嗣1、池浦 広美1、豊川 弘之1
10
Poster
3/19(⼟) 13:30 15:30
19p-P1-28
C003162
10
Poster
3/19(⼟) 13:30 15:30
19p-P1-29
C003494
10
Poster
3/19(⼟) 13:30 15:30
19p-P1-30
C000440
E
Effects of Asymmetrical Potential Barriers on Spin Injection into Nonmagnet
〇Toshio Suzuki1
1.AIT
10
Poster
3/19(⼟) 13:30 15:30
19p-P1-31
C001833
E
Domain wall dynamics in ferrimagnetic Tb/Co multilayer wires below and above the magnetic compensation point
〇Masaaki Tanaka1, Sho Sumitomo1, Noriko Adachi1, Syuta Honda2, Ko Mibu1, Hiroyuki Awano3
1.Nagoya Inst. of Tech., 2.Kansai Univ., 3.Toyota Tech. Inst.
10
Poster
3/19(⼟) 13:30 15:30
19p-P1-32
C002136
擬単結晶Fe4N薄膜における異常ネルンスト効果の結晶⽅位依存性
〇磯上 慎⼆1、⽔⼝ 将輝2、⾼梨 弘毅2
1.国⽴福島⾼専, 2.東北⼤⾦研
10
Poster
3/19(⼟) 13:30 15:30
19p-P1-33
C002141
積層構造ナノワイヤにおける電流誘起磁壁移動の数値解析
〇⼩峰 啓史1、⻘野 友祐1、安藤 亮1
1.茨⼤⼯
10
Poster
3/19(⼟) 13:30 15:30
19p-P1-34
C002477
磁気トルクとスピントルクによる磁気渦対共鳴の分離
〇棚澤 友幾1、能崎 幸雄1
1.慶⼤理⼯
10
Poster
3/19(⼟) 13:30 15:30
19p-P1-35
C002930
TbFeCo/RH2(R=Y, Sc)のスピン注⼊時における磁気電気伝導特性評価
〇⻄間⽊ 誠1、⾼尾 啓1、松永 智善1、飯笹 圭太郎1、酒井 政道1、樋⼝ 宏⼆2、北島 彰2、⼤島 明博2、⻑⾕川 繁彦2、⿊川 雄⼀郎3、粟野 博之3
1.埼⼤院理⼯, 2.阪⼤産研, 3.豊⽥⼯⼤
10
Poster
3/19(⼟) 13:30 15:30
19p-P1-36
C003574
⾦属有機化合物分解法により作製したCe:YIG薄膜の評価
〇平⽥ 智⼠1、⼩野 ⻯義1、野⽥ 和希1、⾬宮 嘉照1、⽥部井 哲夫1、横⼭ 新1
1.広島⼤学ナノデバイス・バイオ融合科学研究所
10
Poster
3/19(⼟) 13:30 15:30
19p-P1-37
C001165
CoFe/MgO/n+-SOIを⽤いたスピン信号のSi基板表⾯処理効果
〇⽯川 瑞恵1、杉⼭ 英⾏1、井⼝ 智明1、浜屋 宏平2、⼿束 展規3、⻫藤 好昭1
1.(株)東芝研開セ, 2.阪⼤院基礎⼯, 3.東北⼤院⼯
10
Poster
3/19(⼟) 13:30 15:30
19p-P1-38
C002522
異常ホール効果が誘起する巨視的電場の伝播⽅程式
〇酒井 政道1
1.埼⼤院理⼯
10
Poster
3/19(⼟) 13:30 15:30
19p-P1-39
C003057
弾性表⾯波の⼒学的回転を⽤いたスピン流⽣成
〇⼩林 ⼤眞1、⾼橋 遼2, 3, 4、井⼝ 亮2, 4、松尾 衛2, 3、前川 禎通2, 3、⿑藤 英治2, 3, 4, 5、能崎 幸雄1
10
Poster
3/19(⼟) 13:30 15:30
19p-P1-40
C000402
E
Tunnel magnetoresistance effects of Co2(Fe-Mn)Si/MgO/Co50Fe50 magnetic tunnel junctions using Pd buffer layer
〇(M2)Mingling Sun1, 2, Shigeki Takahashi3, Takahide Kubota2, Yoshiaki Sonobe3, Koki Takanashi2
1.Grad. School of Eng., Tohoku Univ., 2.IMR, Tohoku Univ., 3.Samsung R&D Institute Japan
10
Poster
3/19(⼟) 13:30 15:30
19p-P1-41
C000230
E
Change in Magnetic Anisotropy Energy with Electric Field for Fe-Pt-Pd Alloys
〇Satoru Kikushima1, Takeshi Seki1, Koki Takanashi1
1.IMR, Tohoku Univ.
10
Poster
3/19(⼟) 13:30 15:30
19p-P1-42
C000303
電圧印加ダイナミック磁化反転のエラー率に対する⾯内磁場の影響
〇塩⽥ 陽⼀1、野崎 隆⾏1、⾕⼝ 知⼤1、薬師寺 啓1、久保⽥ 均1、福島 章雄1、湯浅 新治1、鈴⽊ 義茂1
1.産総研スピン
10
Poster
3/19(⼟) 13:30 15:30
19p-P1-43
C001500
E
Effect of voltage on the magneto-static spin waves in magnetic tunnel junction with perpendicular magnetization
〇(P)Jaehun Cho1, Shinji Miwa1, Kay Yakushiji2, Shingo Tamaru2, Hitoshi Kubota2, Akio Fukushima2, Shinji Yuasa2, Yoshishige Suzuki1
1.Osaka Univ., 2.AIST
10
Poster
3/19(⼟) 13:30 15:30
19p-P1-44
C000830
E
Ferromagnetic resonance study on Y-type hexaferrite Ba0.5Sr1.5Zn2Fe12O22
10
Poster
3/19(⼟) 13:30 15:30
19p-P1-45
C003374
MgO/Fe/MgOの第⼀原理電⼦状態計算
10
Poster
3/19(⼟) 13:30 15:30
19p-P1-46
C002647
イオン液体を⽤いた電気⼆重層による(Zn,Cr)Teの磁性変調
〇百瀬 峻1、和⽥ 泰地1、及川 晴義1、⿊⽥ 眞司1
10
Poster
3/19(⼟) 13:30 15:30
19p-P1-47
C002900
E
Fabrication of highly (001)-oriented Co2Fe0.4Mn0.6Si Heusler alloy thin films deposited on thermally oxidized Si substrate
〇Atsuo Ono1, Mikihiko Oogane1, Yasuo Ando1
1.Tohoku Univ.
10
Poster
3/19(⼟) 13:30 15:30
19p-P1-48
C001166
E
Investihgation of Magnetic Tunnel Junction with high sensitivity for Eddy Current Testing
〇(DC)Zhenhu Jin1, Masahiko Abe1, Motoki Endo1, Kosuke Fujiwara1, Mikihiko Oogane1, Yasuo Ando1
1.Tohoku Univ
10
Poster
3/19(⼟) 13:30 15:30
19p-P1-49
C001887
E
Highly sensitive MTJ arrays with amorphous CoFeSiB for bio-magnetic field sensor
10
Poster
3/19(⼟) 13:30 15:30
19p-P1-50
C002037
10
Poster
3/19(⼟) 13:30 15:30
19p-P1-51
C002220
10
Poster
3/19(⼟) 13:30 15:30
19p-P1-52
C001830
10
Poster
3/19(⼟) 13:30 15:30
19p-P1-53
C002790
10
Poster
3/19(⼟) 13:30 15:30
19p-P1-54
C001518
10
Poster
3/19(⼟) 13:30 15:30
19p-P1-55
C001203
10
Poster
3/19(⼟) 13:30 15:30
19p-P1-56
C001419
10
Poster
3/19(⼟) 13:30 15:30
19p-P1-57
C002426
10
Poster
3/19(⼟) 13:30 15:30
19p-P1-58
C003124
10
Poster
3/19(⼟) 13:30 15:30
19p-P1-59
C000404
10
Poster
3/19(⼟) 13:30 15:30
19p-P1-60
C000242
10
Poster
3/19(⼟) 13:30 15:30
19p-P1-61
C001226
10
Poster
3/19(⼟) 13:30 15:30
19p-P1-62
C001302
10
Poster
3/19(⼟) 13:30 15:30
19p-P1-63
C002193
10
Poster
3/19(⼟) 13:30 15:30
19p-P1-64
C002514
10
Poster
3/19(⼟) 13:30 15:30
19p-P1-65
C001960
10
Poster
3/19(⼟) 13:30 15:30
19p-P1-66
C003635
10
Poster
3/19(⼟) 13:30 15:30
19p-P1-67
C001265
10
Poster
3/19(⼟) 13:30 15:30
19p-P1-68
C003034
10
Poster
3/19(⼟) 13:30 15:30
19p-P1-69
C002547
10
Poster
3/19(⼟) 13:30 15:30
19p-P1-70
C002495
10
Poster
3/19(⼟) 13:30 15:30
19p-P1-71
C000389
10
Poster
3/19(⼟) 13:30 15:30
19p-P1-72
C000839
19p-P1-73
C000501
10
Poster
10
Poster
3/19(⼟) 13:30 15:30
3/19(⼟) 13:30 15:30
E
E
半導体からのキャリア注⼊による強磁性量⼦井⼾におけるトンネルキャリアのスピン分極率の変調
〇芦原 渉1、若林 勇希1、岡本 浩平1、⽥中 雅明1、⼤⽮ 忍1
微細加⼯基板上化学気相成⻑により⽣成した⾼配向率を有するダイヤモンド中窒素空孔中⼼のスピン特性
〇藤⽥ 留⼠郎1、⻄條 蒼野1、渡邊 幸志2、⾚⽻ 浩⼀3、伊藤 公平1、早瀬 潤⼦1
1.慶⼤理⼯, 2.産総研, 3.情報通信研究機構
Preparation of Mg1-xTixO-based magnetic tunnel junctions with CoFeB electrodes
〇(DC)Tiar Ikh1, 2, Shinya Kasai2, Po-Han Cheng1, 2, Tadakatsu Ohkubo2, Yukiko Takahashi2, Takao Furubayashi2, Kazuhiro Hono1, 2
1.Univ. of Tsukuba, 2.NIMS
Spacer layer thickness dependence of CPP-GMR effects in Co2(Fe-Mn)Si/L12-Ag-Mg/Co2(Fe-Mn)Si devices
E
〇(M1)伊奈 幸佑1、窪⽥ 崇秀1、⾼梨 弘毅1
1.東北⼤⾦研
静磁表⾯スピン波の⾮相反性に対するアンテナ-磁性層間の距離依存性
〇中⼭ 真伎1、笠原 健司1、眞砂 卓史1
1.福岡⼤理
Resistance modulation by Rashba-Edelstein-like interfacial effect in CoFe/Cu/BiO films
〇Junyeon Kim1, Shutaro Karube2, YoshiChika Otani1, 2
1.CEMS, RIKEN, 2.ISSP, Univ. of Tokyo
E
Signatures of Spin Nernst Effect in Metallic Bilayers
〇(PC)Peng Sheng1, Yuya Sakuraba1, Seiji Mitani1, Masamistu Hayashi1
1.National Institute for Materials Science
回転NMRにおけるBerry位相効果
〇針井 ⼀哉1, 2、松尾 衛1, 2、中堂 博之1, 2、⼩野 正雄1, 2、家⽥ 淳⼀1、岡安 悟1, 2、前川 禎通1, 2、⿑藤 英治1, 2, 3
1.原研先端研, 2.ERATO 量⼦整流, 3.東北⼤⾦研・AIMR
Sensor property of Magnetic Tunnel Junctions with superparamagnetic CoFeB free layer
〇Kyohei Ishikawa1, Mikihiko Oogane1, Kosuke Fujiwara1, Jyunichi Jyono2, Masaaki Tsuchida2, Yasuo Ando1
1.Tohoku Univ., 2.Konica Minolta Inc.
磁壁ピニング磁気抵抗効果素⼦の局所磁場応答
〇葛⻄ 紘貴1、野崎 友貴1、スバギョ アグス1、末岡 和久1
1.北⼤情報科学
Shift register based on magnetic quantum cellular automata
〇Naomichi Yoshioka1, Nomura Hikaru1, Nakatani Ryoichi1
1.Osaka Univ.
Si表⾯上のAu⼀元鎖におけるラシュバ型スピン分裂バンド
〇⽥⼝ ⼀暁1、⾓⽥ ⼀樹1、宮本 幸治2、⽣天⽬ 博⽂2、⾕⼝ 雅樹2、⽊村 昭夫1、奥⽥ 太⼀2
1.広⼤院理, 2.広⼤放射光セ
MnドープInAs-GaSb超格⼦の熱電特性
〇武富 優綺1、加来 滋1、吉野 淳⼆1
1.東京⼯業⼤学⼤学院理⼯学研究科物性物理学専攻
Ｘ線磁気円⼆⾊性を⽤いた希薄磁性半導体ＧａＧｄＡｓの原⼦磁気モーメント検出
〇宮川 勇⼈1、⼤⻄ 吉⾏1、⼩柴 俊1、⾼橋 尚志2、⽔牧 仁⼀朗3、河村 直⼰3、鈴⽊ 基寛3
1.⾹川⼤⼯, 2.⾹川⼤教, 3.JASRI/SPring-8
E
Magnetic properties of (In,Fe)As grown on vicinal GaAs substrates
〇Akihide Nagamine1, Munehiko Yoshida1, Masaaki Tanaka2, Pham Nam Hai1
1.Tokyo Inst. Tech., 2.Univ. Tokyo
E
Enhancement of emission power in vortex spin torque oscillator
〇Sumito Tsunegi1, Kay Yakushiji1, Hitoshi Kubota1, Akio Fukushima1, Shinji Yuasa1
1.AIST
E
E
〇芦川 耶眞登1, 2、⾼瀬 恵⼦1、Guoqiang Zhang1、舘野 功太1、⿑藤 志郎1、佐々⽊ 智1, 2
1.NTT物性基礎研, 2.東北⼤理
E
Magnetization control of Co ferrite thin films by Kr ion implantation
〇Yang Liu1, Yuki Hisamatsu1, Hideto Yanagihara1, Daiki Oshima2, Takeshi Katoh2, Satoshi Iwata2, ko Mibu3, Eiji Kita1
1.Univ. of Tsukuba, 2.Nagoya Univ., 3.Nagoya Inst. of Tech
E
Gate-all-around InAsナノワイヤFETにおけるラシュバスピン軌道相互作⽤の電界制御
Magnetic and structural properties of Ni78Fe22 thin films sandwiched between borate glasses
〇(DC)TAKAHIRO MISAWA1, Sumito Mori1, Haruya Kasa1, Masaya Fujioka1, Hideo Kaiju1, Junji Nishii1
1.Hokkaido Univ.
ZnOナノ結晶を表⾯に成⻑させた磁性ガーネット薄膜の磁気光学応答
〇塩津 勇作1、⽔⼾ 慎⼀郎1、笹野 順司2
1.東京⾼専, 2.豊橋技科⼤
Nd0.5Bi2.5Fe4GaO12 薄膜に⽣じた応⼒誘導磁気異⽅性の評価
〇(M1)箸中 貴⼤1、佐々⽊ 教真1、⽯橋 隆幸1、加藤 剛⼠2、岩⽥ 聡2、⾕⼭ 智康3
1.⻑岡技⼤, 2.名古屋⼤, 3.東⼯⼤
〇Tatsuya Matou1, Kento Takeshima1, Masaaki Tanaka1, Shinobu Ohya1
1.Tokyo Univ.
Epitaxial growth of Bi1-xSbx spin-Hall alloy on GaAs(111) substrates
〇Yugo Ueda1, Pham Nam Hai1
1.Tokyo Tech
MBE法による強磁性窒化物NixFe4-xN薄膜のエピタキシャル成⻑
〇(B)⾼⽥ 郁弥1、伊藤 啓太1, 2, 3、具志 俊希1、東⼩薗 創真1、都甲 薫1、末益 崇1
1.筑波⼤ 数理物質, 2.東北⼤ ⼯, 3.学振
MgAl2O4基板上への⾼配向(α"+α')-Fe16N2薄膜のエピタキシャル成⻑
〇(M1)東⼩薗 創真1、伊藤 啓太1, 2, 3、具志 俊希1、都甲 薫1、末益 崇1
〇(PC)Hwachol Lee1, Hiroaki Sukegawa1, Jun Liu1, 2, Zhenchao Wen1, Tadakatsu Ohkubo1, Shinya Kasai1, Seiji Mitani1, 2, Kazuhiro
1.筑波⼤数理物質, 2.東北⼤⼯, 3.学振
C001151
奨
E
C000231
3/21(⽉) 10:30 10:45
21a-W241-7
C000232
3/21(⽉) 10:45 11:00
21a-W241-8
C000720
21a-W241-9
C000297
Oral
3/21(⽉) 10:00 10:15
10.1
Oral
3/21(⽉) 10:15 10:30
10
10.1
Oral
10
10.1
Oral
10
10.1
Oral
3/21(⽉) 11:00 11:15
10
10.1
Oral
3/21(⽉) 11:15 11:30 21a-W241-10 C001618
10
10.1
Oral
3/21(⽉) 11:30 11:45 21a-W241-11 C003072
10
10.1
Oral
3/21(⽉) 11:45 12:00 21a-W241-12 C003054
10
10.2
Oral
3/21(⽉) 13:15 13:30
21p-W241-1
C000224
10
10.2
Oral
3/21(⽉) 13:30 13:45
21p-W241-2
C000337
10
10.2
Oral
3/21(⽉) 13:45 14:00
21p-W241-3
C000302
10
10.2
Oral
3/21(⽉) 14:00 14:15
21p-W241-4
10
10.2
Oral
3/21(⽉) 14:15 14:30
21p-W241-5
10
10.2
Oral
3/21(⽉) 14:30 14:45
1.東⼤⼯
E
21a-W241-6
10.1
10
1.⻑岡技⼤
1.東⼯⼤像情報
21a-W241-5
10
9:30
1.Tohoku Univ., 2.Konica Minolta
1.AIST, 2.Univ. of Tsukuba
E
10:00
1.東北⼤院⼯, 2.コニカミノルタ
〇Daiki Kato1, Mikihiko Oogane1, Kosuke Fujiwara1, Yuki Arai1, Junichi Jono2, Hiroshi Naganuma1, Masaaki Tsuchida2, Yasuo Ando1
〇Satoshi Iba1, Hidekazu Saito1, Ken Watanabe2, Yuzo Ohno2, Shinji Yuasa1
奨
9:45
9:45
⽊村 豪1、〇藤原 耕輔1、⼤兼 幹彦1、城野 純⼀2、⼟⽥ 匡章2、安藤 康夫1
Magneto-resistance Properties in Magnetic Tunnel Junctions with Amorphous CoFeSiB Electrode at Low Magnetic Field
Temperature dependence of spin relaxation time in (110)-oriented GaAs/AlGaAs quantum wells
E
奨
9:30
3/21(⽉)
1.Tohoku Univ.
両ピン構造MTJセンサの作製とノイズ・シグナル測定
1.JAIST
C003184
9:15
3/21(⽉)
Oral
1.筑⼤院数物
1.Osaka Pref. Univ.
C001933
3/21(⽉)
Oral
10.1
Cakir Sabri1, Daiki Kato1, Kosuke Fujiwara1, Hiroshi Naganuma1, 〇Mikihiko Oogane1, Yasuo Ando1
1.⾦沢⼤⾃然, 2.⾦沢⼤理⼯
〇Yusuke Miyata1, Ueno Kazuya1, Yoshimura Takeshi1, Ashida Atsushi1, Fujimura Norifumi1
C003297
Oral
10.1
10
〇吉川 ⼤輝1、⼩幡 正雄1、⾦川 朋賢2、太⽥ 多⼀2、⼩⽥ ⻯樹1, 2
〇⻘⼭ 政樹1、⻄沢 望1、⻄林 ⼀彦1、宗⽚ ⽐呂夫1
21a-W241-3
10.1
10
Hwa Jung4, Yuji Hiraoka1, Tsuyoshi Kimura1, Kohei Nawaoka1, Shinji Miwa1, Yoshishige Suzuki1
1.Osaka Univ., Japan, 2.Inha Univ., Korea, 3.KBSI, Korea, 4.Sogang Univ., Korea
Room temperature operation of helicity switching using dual-electrode spin-LED
21a-W241-2
10
〇(P)Jaehun Cho1, 2, Nam-Hui Kim2, Jungbum Yoon2, Kimyung Song2, Namjung Hur2, Chun-Yeol You2, Seung-Young Park3, Myung-
1.慶⼤理⼯, 2.ERATO-SQR, 3.原研ASRC, 4.東北⼤⾦研, 5.東北⼤WPI-AIMR
Electronic states of Ce and magneto-transport characteristics in Ce doped Si films
21a-W241-4
9:15
1.東北⼤学WPI-AIMR
E
奨
9:00
1.Tokyo Univ. of Sci.
〇北條 ⼤介1、鈴⽊ 和也1、浅尾 直樹1、⽔上 成美1、阿尻 雅⽂1
〇(D)Earul Islam1, Masashi Akabori1
C000418
3/21(⽉)
〇Yu Zhang1, Nao Nasu1, Xinwei Zhao1
Fe3O4ナノ粒⼦単層膜および多層膜の磁気光学カー特性評価
〇(PC)⽇⾼ 志郎1、豊⽥ 英之1、内富 直隆1
C002966
Oral
1.産業技術総合研究所, 2.早稲⽥⼤学
Magnetic properties in magnetron sputtering prepared Mn-doped ZnO thin films
Magnetic properties and lateral spin-valve device application of MnAs/InAs/GaAs(111)B
19p-P1-74
10.1
1.名⼯⼤
強磁性-反強磁性複合相を有するMn添加ZnSnAs2薄膜の磁気特性
21a-W241-1
10
1.筑⼤院数理物質
E
奨
奨
〇(M1)鶴岡 英晃1、⾦澤 研1、⿊⽥ 眞司1
E
Spin-dependent tunneling in La0.67Sr0.33MnO3-based magnetic tunnel junctions
with an LaMnO3 barrier
Antiperovskite ferromagnetic MnGaN films with perpendicular magnetic anisotropy
1.MMU, NIMS, 2.Univ. of Tsukuba
極薄MnGa薄膜の室温成⻑
Hono1 2
〇鈴⽊ 和也1、杉原 敦1、宮崎 照宜1、⽔上 成美1
1.東北⼤WPI-AIMR
E
Interfacial Exchange Coupling in FeCo/MnGa Studied by X-ray Magnetic Circular Dichroism
〇Jun Okabayashi1, Kazuya Suzuki2, Shigemi Mizukami2
1.Univ. of Tokyo, 2.Tohoku Univ.
奨
E
Fabrication of Mn2VAl full-Heusler epitaxial thin films for spin wave devices
〇Kenji Fukuda1, Mikihiko Oogane1, Hiroshi Naganuma1, Yasuo Ando1
1.Tohoku univ.
奨
E
Fabrication of L10-Mn1-xCoxAl Thin Films for Magnetic Tunnel Junctions
〇Kenta Watanabe1, Mikihiko Oogane1, Miho Kubota1, Yasuo Ando1
1.Tohoku Univ.
Si系横型素⼦における室温スピン信号の増⼤
〇岡 孝保1、⽯川 瑞恵2、藤⽥ 裕⼀1、⼭⽥ 晋也1、⾦島 岳1、⻫藤 好昭2、浜屋 宏平1
E
Effect of post annealing on spin accumulation and transport signals in Co2FeSi/MgO/n+-Si on insulator devices
〇Ajay Tiwari1, Tomoaki Inokuchi1, Mizue Ishikawa1, Hideyuki Sugiyama1, Yoshiaki Saito1
E
An effect of gate voltage on thermally generated spin signals in Si spin-MOSFET
C002252
E
Electrical Spin Injection into δ-doped n-type Germanium Using Co2Fe0.4Mn0.6Si Heusler Alloy Film
〇Takeo Koike1, Mikihiko Oogane1, Astuo Ono1, Tetsurou Takada2, Hidekazu Saito2, Yasuo Ando1
C002219
E
Spin transport in a two-dimensional electron gas in an AlGaAs/GaAs structure at room temperature
〇Kenro Ohtomo1, Yuichiro Ando1, Teruya Shinjo1, Tetsuya Uemura2, Masashi Shiraishi1
1.Kyoto Univ., 2.Hokkaido Univ.
21p-W241-6
C002460
E
Design and analysis of electric-field-assisted four-terminal nonlocal Si-channel MOS devices
〇Daiki Kitagata1, Taiju Akushichi1, Yota Takamura2, Yusuke Shuto1, Satoshi Sugahara1
1.ISEL, Tokyo Tech, 2.Dept. of Physical Electronics, Tokyo Tech
E
Spin accumulation in a Si channel using a high-quality CoFe/MgO/Si spin injector
〇(D)Taiju Akushichi1, Yota Takamura2, Yusuke Shuto1, Satoshi Sugahara1
1.ISEL, Tokyo Tech, 2.Dept. of Physical Electron., Tokyo Tech
奨
10
10.2
Oral
3/21(⽉) 14:45 15:00
21p-W241-7
C002238
10
10.2
Oral
3/21(⽉) 15:00 15:15
10
10.2
Oral
3/21(⽉) 15:15 15:30
21p-W241-8
C003471
10
10.2
Oral
3/21(⽉) 15:30 15:45
21p-W241-9
C000679
10
10.2
Oral
3/21(⽉) 15:45 16:00 21p-W241-10 C001017
10
10.2
Oral
3/21(⽉) 16:00 16:15 21p-W241-11 C000400
奨
10
10.2
Oral
3/21(⽉) 16:15 16:30 21p-W241-12 C002626
奨
E
10
10.2
Oral
3/21(⽉) 16:30 16:45 21p-W241-13 C000472
〇Naoto Yamashita1, Yuichiro Ando1, Hayato Koike2, Tomoyuki Sasaki2, Shinji Miwa3, Kazuhito Tanaka3, Yoshishige Suzuki3, Masashi
Shiraishi1
1.阪⼤基礎⼯, 2.東芝研究開発センター
1.Toshiba Corporation
1.Kyoto Univ., 2.TDK Corp., 3.Osaka Univ.
1.Tohoku Univ., 2.AIST
休憩/Break
⾯直磁化膜を活⽤した⼆次元電⼦ガスへのスピン注⼊
〇⼤杉 廉⼈1、間野 由布⼦1、好⽥ 誠1、新⽥ 淳作1
1.東北⼤⼯
E
Investigation of the inverse Rashba-Edelstein effect in Bi/Ag and Ag/Bi on ferromagnetic insulator
〇Masayuki Matsushima1, Sergey Dushenko1, 2, Ryo Ohshima1, 2, Yuichiro Ando1, Teruya Shinjo1, Masashi Shiraishi1
1.Kyoto Univ., 2.Osaka Univ.
E
Conversion of spin current into charge current in Bi0.85Sb0.15
〇Ryohei Kumamoto1, Yuichiro Ando1, Sergey Dushenko1, 2, Teruya Shinjo1, Masashi Shiraishi1
1.Kyoto Univ., 2.Osaka Univ.
E
Quantitative analysis of the nuclear spin dynamics in GaAs with irradiation by RF magnetic field
〇(D)Mahmoud Rasly Eldesouky1, Zhichao Lin1, Masafumi Yamamoto1, Tetsuya Uemura1
1.Hokkaido Univ.
Temperature dependence of the electromotive force
〇Akiyori Yamamoto1, Tomonari Yamaguchi2, Ryo Ishikawa2, Ryota Akiyama1, Yuki K. Wakabayashi1, Shinji Kuroda2, Shinobu Ohya1,
in the topological crystalline insulator SnTe induced by spin pumping
Masaaki Tanaka1
Thermal Imaging of Spin Peltier Effect in Magnetic Insulators
Shunsuke Daimon1, Ryo Iguchi1, Eiji Saitoh1, 2, 3, 4, 〇Kenichi Uchida1, 5
1.IMR Tohoku Univ., 2.WPI-AIMR Tohoku Univ., 3.JST ERATO-SQR, 4.ASRC JAEA, 5.JST PRESTO
〇太⽥ 雅⼰1、葛⻄ 伸哉2、三⾕ 誠司2、笠原 健司1、眞砂 卓史1
1.福岡⼤理, 2.物材機構
〇Rie Matsumoto1, Hiroko Arai2, 1, Shinji Yuasa1, Hiroshi Imamura1
1.AIST, 2.PRESTO, JST
E
10
10.2
Oral
3/21(⽉) 16:45 17:00 21p-W241-14 C001234
Pyに中間層を挿⼊した膜における静磁表⾯波の減衰⻑の関係
10
10.2
Oral
3/21(⽉) 17:00 17:15
休憩/Break
10
10.2
Oral
3/21(⽉) 17:15 17:30 21p-W241-15 C000185
奨
E
Theoretical analysis of thermally-activated spin-transfer-torque switching in a conically-magnetized free layer
1.The Univ. of Tokyo, 2.Univ. of Tsukuba
2016年春季講演会(東⼯⼤⼤岡⼭キャンパス)プログラム
⼤分類 中分類
形式
講演⽇
開始
終了
講演番号
【1⽉28⽇(⽊)更新】暫定版からの更新箇所は⾚字になっております。
受付番号
奨励賞 英語 招待
E
講演タイトル
Stability of out-of-plane precession with the application of a tilted magnetic field in spin torque oscillator having a planar free layer and a
23 / 52 ページ
※会場、時間が変更になった場合は該当の⽅にご連絡いたします。
著者
〇(P)ryo hiramatsu1, hitoshi kubota1, sumito tsunegi1, shingo tamaru1, kay yakushiji1, akio fukushima1, rie matsumoto1, hiroshi
所属機関
10
10.2
Oral
3/21(⽉) 17:30 17:45 21p-W241-16 C000354
10
10.2
Oral
3/21(⽉) 17:45 18:00 21p-W241-17 C000840
奨
E
10
10.2
Oral
3/21(⽉) 18:00 18:15 21p-W241-18 C000872
奨
E
10
10.2
Oral
3/21(⽉) 18:15 18:30 21p-W241-19 C003287
Mag-flip spin torque oscillator using highly spin polarized Heusler alloy as spin injection layer for microwave assisted magnetic recording
〇(PC)Subrojati Bosu1, Hossein Sepehri-Amin1, Yuya Sakuraba1, Shinya Kasai1, Masamitsu Hayashi1, Kazuhiro Hono1
10
10.2
Oral
3/21(⽉) 18:30 18:45 21p-W241-20 C001707
奨
E
Vortex Spin-Torque Oscillator using Co2(Fe,Mn)Si Heusler Alloys with various Fe-Mn Compositions
〇(DC)Tatsuya Yamamoto1, Takeshi Seki1, 2, Koki Takanashi1
1.IMR, Tohoku Univ., 2.JST-PRESTO
10
10.2
Oral
3/21(⽉) 18:45 19:00 21p-W241-21 C000929
E
Analysis of Magnetization Dynamics of a Perpendicular Magnetic Nanodot Using Microwave-Magnetic-Field-Induced Diode Effect
〇Hirofumi Suto1, Kiwamu Kudo1, Tazumi Nagasawa1, Taro Kanao1, Koichi Mizushima1, Rie Sato1
1.Corporate R&D Center, Toshiba
10
10.3
Oral
3/20(⽇)
9:00
9:15
20a-W241-1
I000152
E
〇Takahide Kubota1, Yusuke Ina1, Zhencho Wen1, Koki Takanashi1
1.IMR, Tohoku Univ.
10
10.3
Oral
3/20(⽇)
9:15
9:30
20a-W241-2
C000895
E
Large tunnel magnetoresistance in Co2FeAl/MgAl2O4/Co2FeAl junctions free from the band folding effect
〇(D)Thomas Scheike1, 2, Hiroaki Sukegawa2, Koichiro Inomata2, Tadakatsu Ohkubo2, Kazuhiro Hono1, 2, Seiji Mitani1, 2
1.Tsukuba Univ., 2.NIMS
10
10.3
Oral
3/20(⽇)
9:30
9:45
20a-W241-3
C001697
奨
E
Large enhancement of magnetoresistance in thin NiAl-inserted Co2FeGa0.5Ge0.5/Ag/Co2FeGa0.5Ge0.5 CPP-GMR devices
〇(P)Jinwon Jung1, Yuya Sakuraba1, Taisuke Sasaki1, Yoshio Miura1, 2, Kazuhiro Hono1
1.National Institute for Materials Science, 2.Kyoto Institute of Technology
10
10.3
Oral
3/20(⽇)
9:45
10:00
20a-W241-4
C001559
奨
E
Giant tunnel magnetoresistance using a cation-disorder MgAl2O4(001) epitaxial barrier deposited by a direct sputtering technique
〇(P)Mohamed Belmoubarik1, Hiroaki Sukegawa1, Tadakatsu Ohkubo1, Seiji Mitani1, Kazuhiro Hono1
1.NIMS
10
10.3
Oral
3/20(⽇) 10:00 10:15
20a-W241-5
C003018
Fe3O4(110)を⽤いた強磁性トンネル接合の磁気伝導特性
〇(M2)佐々⽊ 駿1、⻑浜 太郎2、島⽥ 敏宏2
1.北⼤院総化, 2.北⼤院⼯
10
10.3
Oral
3/20(⽇) 10:15 10:30
20a-W241-6
C000221
E
Fabrication of a perpendicular-MTJ by utilizing an Ir/Co stack
〇Kay Yakushiji1, 2, Hitoshi Kubota1, Akio Fukushima1, Shinji Yuasa1
1.AIST, 2.PRESTO
10
10.3
Oral
3/20(⽇) 10:30 10:45
10
10.3
Oral
3/20(⽇) 10:45 11:00
20a-W241-7
C003299
E
10
10.3
Oral
3/20(⽇) 11:00 11:15
20a-W241-8
C001873
10
10.3
Oral
3/20(⽇) 11:15 11:30
20a-W241-9
C002059
E
TMR properties in MTJs with non-uniform magnetic structure
〇Motoki Endo1, Mikihiko Oogane1, Yasuo Ando1
1.Tohoku Univ.
10
10.3
Oral
3/20(⽇) 11:30 11:45 20a-W241-10 C000093
E
Large magnetocapacitance effect at room temperature in magnetic tunnel junctions
〇Hideo Kaiju1, Masashi Takei1, Takahiro Misawa1, Taro Nagahama2, Junji Nishii1, Gang Xiao3
1.RIES Hokkaido Univ., 2.Eng. Hokkaido Univ., 3.Phys. Brown Univ.
〇Kohei Okamoto1, Yuuki Wakabayashi1, Wataru Ashihara1, Yoshisuke Ban1, Shoichi Sato1, Masaaki Tanaka1, Shinobu Ohya1
1.The Univ. of Tokyo
imamura1, shinji yuasa1
Electrical mutual synchronization in vortex spin torque oscillators
〇Sumito Tsunegi1, Hitoshi Kubota1, Kay Yakushiji1, Akio Fukushima1, Shinji Yuasa1
1.AIST
〇Hossein SepehriAmin1, S. Bosu1, Y. Sakuraba1, M. Hayashi1, T. Schrefl2, C. Abert3, D. Suess3, K. Hono1
1.NIMS, Tsukuba, Japan, 2.Danube University Krems, Austria, 3.Technical University of Vienna, Austria
Influence of spin polarization of SIL on oscillation behavior of a mag-flip
spin-torque-oscillator (STO) device
E
招
[Young Scientist Presentation Award Speech] (15min.)
L12 Ag-Mg ordered alloy spacer layer for Heusler alloy based current perpendicular-to-plane giant
奨
E
Bias voltage and temperature dependence of magnetoresistance ratio in low resistance magnetic tunnel junctions with perpendicular
〇(M2)Sogo Oikawa1, Nobuki Tezuka1, Masashi Matsuura1, Satoshi Sugimoto1, Toshikazu Irisawa2, Kazumasa Nishimura2, Takuya
magnetization
Seino2
Wide-dynamic-range magnetic sensor based on magnetic tunnel junction with perpendicularly magnetized [Co/Pd]-based reference layer 〇(DC)Takafumi Nakano1, Mikihiko Oogane1, Takamoto Furuichi2, Kenichi Ao2, Yasuo Ando1
Observation of tunneling magnetoresistance in trilayer structures composed of group-IV ferromagnetic semiconductor Ge1-xFex, MgO,
10.3
Oral
3/20(⽇) 11:45 12:00 20a-W241-11 C003422
奨
E
10
10.3
Oral
3/20(⽇) 12:00 12:15 20a-W241-12 C000809
奨
E
10
10.4
Oral
3/19(⼟) 16:00 16:15
19p-W241-2
C002295
10
10.4
Oral
3/19(⼟) 16:15 16:30
19p-W241-3
C002139
E
10
10.4
Oral
3/19(⼟) 16:30 16:45
19p-W241-4
C000206
E
Helicity dependent photocurrent at RT from a Fe/x-AlOx/p-GaAs Schottky junction
10
10.4
Oral
3/19(⼟) 16:45 17:00
19p-W241-5
C001664
10.4
Oral
1.National Institute for Materials Science, Tsukuba, Japan
休憩/Break
10
10
1.AIST
perpendicular polarizer
3/19(⼟) 17:00 17:15
19p-W241-6
C001360
10
10.4
Oral
3/19(⼟) 17:15 17:30
19p-W241-7
C001692
10
10.4
Oral
3/19(⼟) 17:30 17:45
10
10.4
Oral
3/19(⼟) 17:45 18:00
19p-W241-8
C003537
10
10.4
Oral
3/19(⼟) 18:00 18:15
19p-W241-9
C002271
10
10.4
Oral
3/19(⼟) 18:15 18:30 19p-W241-10 C002793
10
10.4
Oral
3/19(⼟) 18:30 18:45 19p-W241-11 C002630
10
10.4
Oral
and Fe
Vertical spin electric double layer transistor
〇Hiroshi Terada1, Le Duc Anh1, Shinobu Ohya1, Yoshihiro Iwasa1, Masaaki Tanaka1
1.The Univ. of Tokyo
Ga1-xMnxAsの巨⼤熱電能の起源の解明
〇荒川 和哉1、武富 優綺1、加来 滋1、吉野 淳⼆1
1.東⼯⼤理⼯物性物理
Observation of spontaneous spin-splitting in the band structure of n-type ferromagnetic semiconductor (In,Fe)As
〇(D)Anh Duc Le1, Nam Hai Pham2, Masaaki Tanaka1
1.Tokyo Univ., 2.Tokyo Inst. of Tech.
キャリアチューニングによるトポロジカル絶縁体(Sb1-xBix)2Te3の⾮平衡持続時間の制御
奨
E
1.Tohoku Univ., 2.CANON ANELVA Corp.
1.Tohoku Univ., 2.DENSO CORP.
〇(D)Ronel Intal Roca1, Nozomi Nishizawa1, Hiro Munekata1
〇⾓⽥ ⼀樹1、朱 思源1、⽯⽥ ⾏章2、叶 茂3、⽥⼝ ⼀暁1、奥⽥ 太⼀4、⽣天⽬ 博⽂4、⾕⼝ 雅樹4、Konstantin Kokh5、Oleg Tereshchenko5、
⾟ 埴2、⽊村 昭夫1
1.Tokyo Tech
1.広⼤院理, 2.東⼤物性研, 3.中国科学院, 4.広⼤放射光セ, 5.ノヴォシビルスク⼤学
トポロジカル絶縁体Bi2Te3における表⾯光起電⼒効果およびディラック電⼦ダイナミクス
〇吉川 智⼰1、⾓⽥ ⼀樹2、⽯⽥ ⾏章3、陳 家華2、Nurmamat Munisa2、Kokh Konstantin4、Tereshchenko Oleg4、⾟ 埴3、⽊村 昭夫1, 2
1.広島⼤理, 2.広島⼤院理, 3.東⼤物性研, 4.ノヴォシビルスク⼤
Quantum manipulation of spins in diamond via magnetic field gradients
〇(DC)Keigo Arai1, Junghyun Lee1, Huiliang Zhang2, Ronald Walsworth2
1.MIT, 2.Harvard Univ.
休憩/Break
奨
奨
時間分解ファラデー回転法によるInGaAs/InAlAs多重量⼦井⼾における電⼦g因⼦測定
〇森⽥ 健1、奥村 朗⼈1、⽯⾕ 善博1、北⽥ 貴弘2、井須 俊郎2
E
Temperature dependence of spin relaxation time in GaAs/AlGaAs resonant tunneling bi-quantum-well
〇Yoshiki Nakamura1, Takanori Aritake1, Hao Wu1, Canyu Jiang1, Ko Nakayama1, Shunichi Muto2, Atsushi Tackeuchi1
1.Waseda Univ., 2.Hokkaido Univ.
E
Enhancement of spin transport length with tailored spin-orbit interactio
〇Yoji Kunihashi1, Haruki Sanada1, Hideki Gotoh1, Koji Onomitsu1, Makoto Kohda2, Junsaku Nitta2, Tetsuomi Sogawa1
1.NTT BRL, 2.Tohoku Univ.
1.千葉⼤院⼯, 2.徳⼤院フロンティア
E
Observation of spin relaxation in GaAs/GaAsP strained-compensated superlattice
〇shunsuke ohki1, Xiuguang Jin2, Masaki Asakawa1, Tomoki Ishikawa1, Atsushi Tackeuchi1
3/19(⼟) 18:45 19:00 19p-W241-12 C000222
磁気近接効果によるグラフェン/YIG接合の誘起スピン偏極
〇境 誠司1, 2、ソロキン パベル3、圓⾕ 志郎1、楢本 洋1、四⾕ 晋太郎4、安藤 和也4, 5、⼭内 泰2
1.原研先端基礎, 2.物材機構, 3.超硬・新規炭素材料研, 4.慶應⼤, 5.さきがけ
11
Poster
3/20(⽇)
9:30
11:30
20a-P3-1
C002469
⽳のあいた超伝導ナノストリップにおける量⼦化磁束の運動
中野 侑1, 2、〇⾺渡 康徳2、⻄尾 太⼀郎1
1.東理⼤, 2.産総研
11
Poster
3/20(⽇)
9:30
11:30
20a-P3-2
C000835
パルス印加法を⽤いたBi-2212固有接合のc軸⽅向における温度分布の検討
〇佐藤 康紀1、及川 ⼤1、岩塚 紳⽮1、安藤 浩哉1、杉浦 藤⻁1、塚本 武彦1
1.豊⽥⾼専
11
Poster
3/20(⽇)
9:30
11:30
20a-P3-3
C003468
⾼温超伝導体Bi2212を⽤いたテラヘルツ波光源のパッケージ化
〇⼟居 卓司1、辻本 学2、Elarabi Asem1、温 ⼀凡1、掛⾕ ⼀弘1
1.京⼤院⼯, 2.筑波⼤学
11
Poster
3/20(⽇)
9:30
11:30
20a-P3-4
C000695
⿊鉛とアルカンからなる導体の室温超電導性の証拠―室温における臨界磁場の測定
〇川島 康1
1.東海⼤⼯
11
Poster
3/20(⽇)
9:30
11:30
20a-P3-5
C003427
Cu2Oを原料としたSr–Ca–Cu–O系超伝導体の合成と特性評価
〇篠⽥ 聖1、Sklyarova Anastasia1、鈴⽊ 常⽣1、中⼭ 忠親1、末松 久幸1、新原 浩⼀1
1.極限エネルギー密度⼯学研究センター
11
Poster
3/20(⽇)
9:30
11:30
20a-P3-6
C003485
Sr2CaCu2O6-d⾼圧相超伝導体の電気抵抗率
〇南雲 智博1、⻘葉 知弥2、鈴⽊ 常⽣1、中⼭ 忠親1、末松 久幸1、新原 皓⼀1
1.⻑岡技術科学⼤学 極限エネルギー密度⼯学研究センター, 2.豊橋技術科学⼤学
11
Poster
3/20(⽇)
9:30
11:30
20a-P3-7
C002165
固相反応法によるRuSr2GdCu2O8単結晶合成とその特性評価
〇(M1)番場 幸⼤1、⼋巻 和宏1、⼊江 晃亘1
1.宇都宮⼤⼯
11
Poster
3/20(⽇)
9:30
11:30
20a-P3-8
C001679
KOHフラックス法を⽤いたNdBa2Cu3Oy膜の作製条件とNd/Ba置換の関係
〇舩⽊ 修平1、奥⻄ 亮太1、宮地 優悟1、⼭⽥ 容⼠1
1.島根⼤総理⼯
11
Poster
3/20(⽇)
9:30
11:30
20a-P3-9
C002452
Si イオンを照射したYBCO 薄膜の表⾯抵抗の磁場依存性
〇⾼梨 直希1、近藤 雅也1、松井 浩明2、⿑藤 敦1、中島 健介1、⼤嶋 重利1
1.⼭形⼤⼯, 2.産総研
11
Poster
3/20(⽇)
9:30
11:30
20a-P3-10
C003310
NaFを⽤いたBi2(O,F)S2超伝導体の作製
〇(B)⾼橋 夏海1、⻑尾 雅則1、綿打 敏司1、⽥中 功1
1.⼭梨⼤院クリスタル研
11
Poster
3/20(⽇)
9:30
11:30
20a-P3-11
C001073
Pr(O, F)BiS2単結晶におけるPr価数のXPSによる評価
〇⽯井 聡1、本宮 靖章1、三浦 章2、⻑尾 雅則3
1.東京電機⼤理⼯, 2.北⼤, 3.⼭梨⼤
11
Poster
3/20(⽇)
9:30
11:30
20a-P3-12
C001728
電気化学的析出法によるFeSe1-xTexの作製と物性
〇渡辺 宣朗1、増井 孝彦2、⼩池 翔磨1、本村 美乃理1、吉⽥ 渓1、住吉 理愛1
1.関東学院⼤理⼯, 2.近⼤理⼯
11
Poster
3/20(⽇)
9:30
11:30
20a-P3-13
C000797
フッ素フリーMOD-GdBCO膜形成におけるK添加依存性
〇(M1)⼭⼝ 晶平1、喜多 隆介1、久保 勇⼈2、三浦 ⼤介2、⼭⽥ 和広3、⾦⼦ 賢治3
1.静⼤院⼯, 2.⾸都⼤院⼯, 3.九⼤院⼯
11
Poster
3/20(⽇)
9:30
11:30
20a-P3-14
C001299
エアロゾルデポジションによる酸化物超電導体YBa2Cu3O7-δ膜の作製と評価
〇⾦⾕ 康平1、佐藤 祐喜1、吉⾨ 進三1
1.同⼤理⼯
11
Poster
3/20(⽇)
9:30
11:30
20a-P3-15
C003281
種膜を⽤いたKOHフラックス法によるクラックフリーYCa124膜の作製
〇添⽥ 圭佑1、児島 康⼤1、奥⻄ 亮太1、宮地 優悟1、舩⽊ 修平1、⼭⽥ 容⼠1
1.島根⼤ 総理⼯
11
Poster
3/20(⽇)
9:30
11:30
20a-P3-16
C000724
ナノ粒⼦の空間分布によるYBCO薄膜のJcの異⽅性の制御
〇末吉 哲郎1、浦⼝ 雄世1、末永 桃太郎1、古澤 隆章1、藤吉 孝則1
1.熊⼤⼯
11
Poster
3/20(⽇)
9:30
11:30
20a-P3-17
C002963
引き抜き法によるBaHfO3導⼊EuBCO線材の低温⾼磁場特性の評価
〇鈴⽊ 匠1、⼩野寺 優太1、井上 昌睦1、東川 甲平1、⾐斐 顕2、吉⽥ 朋2、町 敬⼈2、和泉 輝郎2、⽊須 隆暢1
1.九州⼤学, 2.ISTEC
11
Poster
3/20(⽇)
9:30
11:30
20a-P3-18
C003160
冷凍機冷却による半円状MgB2超電導バルク磁⽯の性能評価
〇⽯原 篤1、⾚坂 友幸1、富⽥ 優1、岸尾 光⼆2
1.鉄道総研, 2.東⼤院⼯
11
Poster
3/20(⽇)
9:30
11:30
20a-P3-19
C003196
多層リング状バルク超電導体における磁場補正
〇⾚坂 友幸1、⽯原 篤1、福本 祐介1、富⽥ 優1、禹 泰城2、関野 正樹2、⼤崎 博之2
1.鉄道総研, 2.東⼤
11
Poster
3/20(⽇)
9:30
11:30
20a-P3-20
C002435
電界放射を抑制できるNMR超伝導検出コイル形状の検討
〇北嶋 慶太1
1.⼭形⼤学院理⼯
11
Poster
3/20(⽇)
9:30
11:30
20a-P3-21
C002680
⾼感度磁気センサを⽤いた磁気異常検出装置の開発
〇増⾕ 夏輝1、廿⽇出 好1
1.近畿⼤学
11
Poster
3/20(⽇)
9:30
11:30
20a-P3-22
C002374
ドローンを⽤いた磁気異常計測装置の開発
〇藤⽥ 裕⼆1、笹川 友希1、増⾕ 夏輝1、廿⽇出 好1
1.近⼤⼯
11
Poster
3/20(⽇)
9:30
11:30
20a-P3-23
C001769
中⾚外光検出器の⾼周波化に向けたスロットアンテナの検討
〇堀川 隼世1、川上 彰2、兵頭 政春3、島影 尚4
1.福井⾼専, 2.情通機構, 3.⾦沢⼤理⼯, 4.茨城⼤学
11
Poster
3/20(⽇)
9:30
11:30
20a-P3-24
C003094
中⾚外光検出器アンテナの検出⾓度依存性の評価
〇⼩原 涼輔1、島影 尚1、堀川 隼世2、川上 彰3
1.茨城⼤学, 2.福井⾼専, 3.情通機構
11
Poster
3/20(⽇)
9:30
11:30
20a-P3-25
C003526
GHz帯電磁波を照射されたジョセフソン接合におけるカオスシミュレーション
11
Poster
3/20(⽇)
9:30
11:30
20a-P3-26
C002653
マイクロ波SQUID マルチプレクサのチャネル間漏話
11
Poster
3/20(⽇)
9:30
11:30
20a-P3-27
C001137
NIS トンネル接合型固体冷凍素⼦開発V
〇⽇渡 涼1、⽥村 幸英1、島影 尚1
1.茨城⼤学
〇平⼭ ⽂紀1、⼊松川 知也1, 2、佐々⽊ 仁1、佐藤 昭1、⼭森 弘毅1、永沢 秀⼀1、福⽥ ⼤治1、⽇⾼ 睦夫1、佐藤 泰1、神代 暁1、⼤野 雅史2、⾼
1.産総研, 2.東⼤⼯
橋 浩之2
〇柏⾕ 聡1、柏⾕ 裕美1、⼩柳 正男1
1.産総研
11
Poster
3/20(⽇)
9:30
11:30
20a-P3-28
C003266
動的に制御可能な超伝導位相制御回路の設計とその評価
〇⼭本 ⻯平1、⼭梨 裕希1、吉川 信⾏1
1.横国⼤理⼯
11
Poster
3/20(⽇)
9:30
11:30
20a-P3-29
C003258
超伝導回路におけるトラップされた磁束が与える影響の調査
〇今井 響1、⼭梨 裕希1、吉川 信⾏1
1.横国⼤院⼯
11
Poster
3/20(⽇)
9:30
11:30
20a-P3-30
C003721
HfOxを障壁層としたNbTiNトンネル接合の作製と評価
〇宗本 健太郎1、⼭本 直輝1、⾚池 宏之1、藤巻 朗1
1.名⼤⼯院
11
Poster
3/20(⽇)
9:30
11:30
20a-P3-31
C001537
磁束量⼦パラメトロン回路を⽤いたランダムアクセスメモリセルの提案
〇⾼⼭ 広1、⽵内 尚輝1、辻 直樹1、⼭梨 裕希1、吉川 信⾏1
1.横国⼤
奨
1.Waseda Univ., 2.KEK
11
11.1
Oral
3/19(⼟) 10:00 10:15
19a-W833-1
C002470
⽣体材料鋳型によるYBa2Cu3O7-δマイクロ/ナノワイヤの合成と評価
〇(M1)松本 裕介1、的場 正憲1、海住 英⽣2、⻄井 準治2、Hall Simon3、神原 陽⼀1
11
11.1
Oral
3/19(⼟) 10:15 10:30
19a-W833-2
C003296
MgO/Mg2Si/MgB2ナノ複合結晶の超伝導特性
上野 勝也1、⻑嶋 廉仁2、瀬⼾ 雄介1、松本 恵1、櫻井 敬博1、太⽥ 仁1、〇内野 隆司1
1.神⼾⼤, 2.⽇本板硝⼦
11
11.1
Oral
3/19(⼟) 10:30 10:45
19a-W833-3
C003611
ゲートチューナブルなNb/Bi2Te3/Nb接合の特性
〇明連 広昭1、Ngabonziza Prosper2、Stehno Martin, P2、Brinkman Alexander2
1.埼⽟⼤院, 2.トウェンテ⼤
11
11.1
Oral
3/19(⼟) 10:45 11:00
19a-W833-4
C003187
奨
超伝導ナノ細線の電場応答特性のシミュレーション
〇(DC)⽥⼝ 真彦1, 2、都倉 康弘2、川畑 史郎1
1.産総研ナノエレ, 2.筑波⼤数理物質
11
11.1
Oral
3/19(⼟) 11:00 11:15
19a-W833-5
C001435
奨
Bi2Sr2CaCu2O8+\delta 固有ジョセフソン接合における第2 スイッチの臨界電流密度依存性
〇野村 義樹1、岡本 陸1、神原 仁志1、掛⾕ ⼀弘1
1.京⼤院⼯
11
11.1
Oral
3/19(⼟) 11:15 11:30
19a-W833-6
C001724
⾼温超伝導体単結晶Bi2Sr2CaCu2O8+δを⽤いた正⽅形型単独メサ構造からの THz 波発振特性Ⅱ
11
11.1
Oral
3/19(⼟) 11:30 11:45
19a-W833-7
C000945
Stand-alone型HTS-THz波発振デバイスの作製と発振特性
11
11.1
Oral
3/19(⼟) 11:45 12:00
19a-W833-8
C001620
11
11.1
Oral
3/20(⽇) 13:15 13:30
20p-W833-1
C001638
11
11.1
Oral
3/20(⽇) 13:30 13:45
20p-W833-2
C003541
RE247焼結体の臨界温度
11
11.1
Oral
3/20(⽇) 13:45 14:00
20p-W833-3
C003488
Cu核スピンから⾒た超伝導性Pr247の電⼦状態とY124の三軸配向
池⽥ 宏輔1、坂井 祐⼤1、林 昂平1、松本 啓佑1、三浦 敬典1、⼤滝 達也1、〇佐々⽊ 進1、堀井 滋2、下⼭ 淳⼀3、⼟井 俊哉2
1.新潟⼤⾃, 2.京⼤院エネ科, 3.⻘学院理⼯
11
11.1
Oral
3/20(⽇) 14:00 14:15
20p-W833-4
C000320
間⽋回転磁場下でのコロイドプロセスによるREBa2Cu3Oy⼆軸配向成型体の作製
〇堀井 滋1、藤岡 祥太郎1、⻄岡 寛広1、⼟井 俊哉1
1.京⼤院エネ科
双晶を含むREBa2Cu3Oy粉末の磁場配向挙動に与える酸素アニールの影響
〇⻄岡 寛広1、堀井 滋1、藤岡 祥太郎1、⼟井 俊哉1
1.京⼤院エネ科
歪制御した無限層Sr0.875La0.125CuO2スパッタ薄膜の超伝導特性
〇作間 啓太1、伊藤 雅崇1、⽻尻 哲也1、植⽥ 研⼆1、浅野 秀⽂1
1.名⼤院⼯
1.農⼯⼤⼯
11
11.1
Oral
奨
〇久保 裕之1、柏⽊ 隆成1、坂本 和輝1、北村 健郎1、渡邊 千春1、幸 良彦1、柴野 雄紀1、桂川 拓也1、⽥中 ⼤河1、湯浅 拓実1、⼩守 優貴1、榎
本 拓真1、辻本 学1、⼭本 卓2、南 英俊1、⾨脇 和男1
〇南 英俊1、渡辺 千春1、⼩守 優貴1、北村 健郎1、柴野 雄紀1、久保 裕之1、坂本 和輝1、幸 良彦1、桂川 拓也1、柏⽊ 隆成1、⼭本 卓1、⾨脇 和
男1
1.慶⼤理⼯, 2.北⼤電⼦研, 3.Univ. of Bristol
1.筑波⼤数理物質, 2.ウルム⼤学
1.筑波⼤数理物質
薄型⾼温超伝導体BSCCOへの⾯内スピン注⼊
〇村⽥ 健⼀郎1、⼤⾼ 和⼈1、⼋巻 和宏1、⼊江 晃亘1
1.宇都宮⼤⼯
⾦属ダイヤモンドを電極とした新しいDACによる30 GPaへの到達
〇松本 凌1, 2、笹間 陽介1, 2、藤岡 正弥1, 3、⼊舩 徹男4、⽥中 将嗣1、⼭⼝ 尚秀1, 2、⽵屋 浩幸1、⾼野 義彦1, 2
1.物材機構, 2.筑波⼤学, 3.北海道⼤学, 4.愛媛⼤学
〇下⼭ 淳⼀1、都所 恒輝1、辻岳 千⾥2、堀井 滋3、岸尾 光⼆2
1.⻘学⼤, 2.東⼤, 3.京⼤
3/20(⽇) 14:15 14:30
20p-W833-5
C002264
11
11.1
Oral
3/20(⽇) 14:30 14:45
20p-W833-6
C002937
11
11.1
Oral
3/20(⽇) 14:45 15:00
11
11.1
Oral
3/20(⽇) 15:00 15:15
20p-W833-7
C002197
スパッタリング法により作製した無限層構造CaCuO2の⾼い導電性
〇丸⼭ 萌1、七尾 美⼦1、内藤 ⽅夫1
11
11.1
Oral
3/20(⽇) 15:15 15:30
20p-W833-8
C000212
Transport properties of superconducting electron doped Pr2-xCexCuO4+δ
〇池⽥ 愛1、Krockenberger Yoshiharu1、⼊江 宏1、⼭本 秀樹1
1.NTT物性研
11
11.1
Oral
3/20(⽇) 15:30 15:45
20p-W833-9
C000706
RuGd1222の元素置換効果と結晶育成
〇⼋巻 和宏1、番場 幸⼤1、⼊江 晃亘1
1.宇都宮⼤⼯
11
11.1
Oral
3/20(⽇) 15:45 16:00 20p-W833-10 C003451
傾斜基板を⽤いたMOD法による双晶構造のない(11n)配向Bi2212薄膜の作製
〇⼭⽥ 靖幸1、加藤 孝弘1、⽯橋 隆幸1、岡元 智⼀郎1
1.⻑岡技科⼤
11
11.1
Oral
3/20(⽇) 16:00 16:15 20p-W833-11 C001992
低温でのO3酸化による銀酸化物の合成
〇七尾 美⼦1、伊藤 陸1、内藤 ⽅夫1
1.農⼯⼤⼯
11
11.1
Oral
3/20(⽇) 16:15 16:30 20p-W833-12 C002020
分⼦線エピタキシー成⻑による⼆次元エレクトライドSr2Nの作製と評価
〇武⽥ ⼒丸1、⼭⼝ 紘⼀1、内藤 ⽅夫1
1.農⼯⼤⼯
奨
休憩/Break
2016年春季講演会(東⼯⼤⼤岡⼭キャンパス)プログラム
⼤分類 中分類
形式
講演⽇
開始
終了
講演番号
【1⽉28⽇(⽊)更新】暫定版からの更新箇所は⾚字になっております。
受付番号
奨励賞 英語 招待
24 / 52 ページ
※会場、時間が変更になった場合は該当の⽅にご連絡いたします。
講演タイトル
著者
所属機関
11
11.1
Oral
3/20(⽇) 16:30 16:45
休憩/Break
11
11.1
Oral
3/20(⽇) 16:45 17:00 20p-W833-13 C002747
REFeAs(O,F)の超伝導特性に対するSn添加およびRE混合効果
〇林 功輔1、荻野 拓1、焼⽥ 裕之1、下⼭ 淳⼀2、岸尾 光⼆1
1.東⼤院⼯, 2.⻘学⼤院理⼯
11
11.1
Oral
3/20(⽇) 17:00 17:15 20p-W833-14 C001906
CrP層を持つ層状化合物の探索と物性評価
〇市原 義悠1、荻野 拓1、焼⽥ 裕之1、下⼭ 淳⼀2、岸尾 光⼆1
1.東⼤院⼯, 2.⻘学⼤院理⼯
11
11.1
Oral
3/20(⽇) 17:15 17:30 20p-W833-15 C000422
Nb1-xTax(Se1-ySy)3 (x=0–1, y=0–0.2)の⾼圧合成および超伝導特性
〇⼭本 ⽂⼦1, 2、⼗倉 好紀2
1.芝浦⼯⼤, 2.理研
11
11.1
Oral
3/20(⽇) 17:30 17:45 20p-W833-16 C000305
Cd添加LaO(F)BiS2超伝導体単結晶の育成と評価
〇⻑尾 雅則1、綿打 敏司1、⾼野 義彦2、⽥中 功1
1.⼭梨⼤院クリスタル研, 2.物材機構
11
11.1
Oral
3/20(⽇) 17:45 18:00 20p-W833-17 C000538
奨
Bi2-正⽅格⼦を持つ新規層状酸化物超伝導体Y2O2Bi
〇(DC)清 良輔1, 2、気⾕ 卓3、福村 知昭2、川路 均3、⻑⾕川 哲也1
1.東⼤院理, 2.東北⼤院理, 3.東⼯⼤応セラ研
11
11.1
Oral
3/20(⽇) 18:00 18:15 20p-W833-18 C001259
奨
磁束フローから⾒た鉄系超伝導体の超伝導ギャップ構造
〇(DC)岡⽥ 達典1、今井 良宗1、前⽥ 京剛1
1.東⼤院総合
11
11.2
Oral
3/21(⽉)
9:00
9:15
21a-W834-1
C003235
異なるBMO添加量を持ったREBCO薄膜中におけるナノロッド⾃⼰組織化の結晶成⻑シミュレーション
〇⼀野 祐亮1, 2、吉⽥ 隆2
1.名⼤未来研, 2.名⼤院⼯
11
11.2
Oral
3/21(⽉)
9:15
9:30
21a-W834-2
C003726
a-軸配向膜の作製と評価
〇⾼井 洋輔1、塚原 志穂2、⼀瀬 中3、末吉 哲郎4、藤吉 孝則4、向⽥ 昌志1
1.九⼤院⼯, 2.九⼤⼯, 3.電中研, 4.熊⼤院⼯
11
11.2
Oral
3/21(⽉)
9:30
9:45
21a-W834-3
C002844
絶縁性FeSe極薄膜における電界誘起超伝導
〇半沢 幸太1、佐藤 光1、平松 秀典1, 2、神⾕ 利夫1, 2、細野 秀雄1, 2
1.東⼯⼤応セラ研, 2.東⼯⼤元素戦略
11
11.2
Oral
3/21(⽉)
9:45
10:00
21a-W834-4
C002395
膜厚の異なる電⼦ビーム蒸着MgB2薄膜の臨界電流特性
〇下⽥ 佑太郎1、⽵原 寛⼈1、堀井 滋1、⼟井 俊哉1、楠 敏明2、⼀瀬 中3
1.京⼤院エネ科, 2.⽇⽴製作所, 3.電中研
11
11.2
Oral
3/21(⽉) 10:00 10:15
21a-W834-5
C003102
種々のバリア材料を⽤いたオールMgB2ジョセフソン接合の作製（２）
〇迫⽥ 將仁1、菊池 素之1、内藤 ⽅夫1
1.農⼯⼤⼯
奨
11
11.3
Oral
3/20(⽇) 13:45 14:15
20p-W810-1
I000013
11
11.3
Oral
3/20(⽇) 14:15 14:30
20p-W810-2
C000779
11
11.3
Oral
3/20(⽇) 14:30 14:45
20p-W810-3
C002868
11
11.3
Oral
3/20(⽇) 14:45 15:00
20p-W810-4
C003038
奨
11
11.3
Oral
3/20(⽇) 15:00 15:15
20p-W810-5
C002860
奨
11
11.3
Oral
3/20(⽇) 15:15 15:30
11
11.3
Oral
3/20(⽇) 15:30 15:45
20p-W810-6
C003318
奨
⼈⼯ピンを導⼊したREBCO線材における磁界中局所臨界電流の⻑⼿⽅向分布評価
〇(M1)福崎 貴裕1、東川 甲平1、今村 和孝1、井上 昌睦1、五⼗嵐 光則2、柿本 ⼀⾂2、飯島 康裕2、和泉 輝郎3、⽊須 隆暢1
1.九⼤シス情, 2.フジクラ, 3.ISTEC-SRL
11
11.3
Oral
3/20(⽇) 15:45 16:00
20p-W810-7
C002444
奨
Bi2223⾼温超伝導線材の電流輸送特性の定式化
〇(M1)呂 琳1、鈴⽊ 匠1、⾼崎 建1、⼤村 俊介1、井上 昌睦1、東川 甲平1、⽊須 隆暢1
1.九州⼤学
11
11.3
Oral
3/20(⽇) 16:00 16:15
20p-W810-8
C000492
Ex situ PIT法による(Ba(Sr),K)Fe2As2線材の臨界電流特性
〇熊倉 浩明1、Zhaoshun Gao1、松本 明善1、⼾叶 ⼀正1
1.物材機構
11
11.3
Oral
3/20(⽇) 16:15 16:30
20p-W810-9
C000515
QMG®リングの10T強磁場着磁とひずみ特性
〇森⽥ 充1
1.新⽇鐵住⾦
11
11.3
Oral
3/20(⽇) 16:30 16:45 20p-W810-10 C000967
縦磁界下の超伝導細線における磁束線の運動に関するTDGLシミュレーション
〇増⽥ 嘉道1、⼩⽥部 荘司1、⽊内 勝1、⾺渡 康徳2、松野 哲也3
1.九⼯⼤, 2.産総研, 3.有明⾼専
11
11.4
Oral
3/21(⽉)
9:00
9:15
21a-W833-1
C001159
究極的な極低暗計数率を有するSSPDの作製
〇柴⽥ 浩⾏1、清⽔ 薫2、武居 弘樹2、都倉 康弘2
1.北⾒⼯⼤, 2.NTT物性研
11
11.4
Oral
3/21(⽉)
9:15
9:30
21a-W833-2
C001776
誘電体多層膜付きインターリーブ型SSPDアレイの開発
〇⼭下 太郎1、三⽊ 茂⼈1、寺井 弘⾼1
1.情通機構
11
11.4
Oral
3/21(⽉)
9:30
9:45
21a-W833-3
C003654
超伝導ナノワイヤ単⼀光⼦検出器による光⼦数検出器の提案
〇塩島 俊也1、成瀬 雅⼈1、⽥井野 徹1、明連 広昭1
1.埼⽟⼤院
11
11.4
Oral
3/21(⽉)
9:45
10:00
21a-W833-4
C003226
アバランシェ型超伝導ナノワイヤ単⼀光⼦検出素⼦の特性評価
〇三⽊ 茂⼈1、⼭下 太郎1、寺井 弘⾼1
1.情通機構
11
11.4
Oral
3/21(⽉) 10:00 10:15
21a-W833-5
C002544
導波路結合型SSPDの作製プロセスの検討
〇和⽊ 健太朗1, 2、⼭下 太郎2、井上 振⼀郎2, 3、三⽊ 茂⼈2、寺井 弘⾼2、⽣⽥ ⼒三1、⼭本 俊1、井元 信之1
1.阪⼤院基礎⼯, 2.情通機構, 3.JSTさきがけ
11
11.4
Oral
3/21(⽉) 10:15 10:30
21a-W833-6
C003335
超伝導ナノストリップによる新型クライオトロンにおける電流集中と臨界電流
〇⾺渡 康徳1
1.産総研
11
11.4
Oral
3/21(⽉) 10:30 10:45
11
11.4
Oral
3/21(⽉) 10:45 11:00
21a-W833-7
C003758
超伝導転移端センサによる単⼀光⼦の分光測定
〇福⽥ ⼤治1, 2、丹⽻ ⼀樹1、⼩林 稜1, 2、沼⽥ 孝之1、⽥辺 稔1、神代 暁1、井上 修⼀郎2
1.産総研, 2.⽇⼤
11
11.4
Oral
3/21(⽉) 11:00 11:15
21a-W833-8
C002946
ナノアンテナを⽤いた超伝導中⾚外光検出器の光応答特性
〇川上 彰1、島影 尚2、堀川 隼世3、兵頭 政春4、⽥中 秀吉1
1.情通機構, 2.茨城⼤院, 3.福井⾼専, 4.⾦沢⼤
11
11.4
Oral
3/21(⽉) 11:15 11:30
21a-W833-9
C001604
原⼦層堆積法により成膜した窒化ニオブ（NbN）膜の超伝導特性
〇浮辺 雅宏1、藤井 剛1、志岐 成友1、⼤久保 雅隆1
1.産総研
11
11.4
Oral
3/21(⽉) 11:30 11:45 21a-W833-10 C001935
1024素⼦超伝導トンネル接合アレイ検出器
〇藤井 剛1、浮辺 雅宏1、⼤久保 雅隆1
1.産総研
11
11.4
Oral
3/21(⽉) 11:45 12:00 21a-W833-11 C003186
ミリ波オンチップ超伝導分光器カメラの冷却光学特性評価
新井 慧⼀1、〇成瀬 雅⼈1、美⾺ 覚2、⼤⾕ 知⾏2、⽥井野 徹1、明連 広昭1
1.埼⽟⼤院理⼯, 2.理研
11
11.4
Oral
3/21(⽉) 12:00 12:15 21a-W833-12 C001407
拡張Mattis-Bardeen 理論による超伝導共振器の解析
〇野⼝ 卓1、関根 正和2、Agnes Dominjon1、関本 裕太郎1
1.国⽴天⽂台, 2.東⼤理
Oral
3/21(⽉) 13:45 14:00
21p-W833-1
I000106
11
11.4
Oral
3/21(⽉) 14:00 14:15
21p-W833-2
C000018
11
11.4
Oral
3/21(⽉) 14:15 14:30
21p-W833-3
C000188
11
11.4
Oral
3/21(⽉) 14:30 14:45
21p-W833-4
C000073
Oral
1.中部⼤
YBCO薄膜の磁束ピン⽌め特性に及ぼす微細Y2O3ナノ析出物のサイズ効果
〇⼭崎 裕⽂1、松井 浩明1
1.産総研
BaHfO3導⼊EuBCO線材の広範な実⽤環境下における電流輸送特性
〇井上 昌睦1、⾼崎 建1、今村 和孝1、鈴⽊ 匠1、東川 甲平1、⾐斐 顕2、吉⽥ 朋2、和泉 輝郎2、⽊須 隆暢1
1.九⼤院シス情, 2.超電導⼯研
EuBCOコート線材における磁化緩和挙動と⽀配因⼦
〇⼩野寺 優太1、今村 和孝1、鈴⽊ 匠1、東川 甲平1、井上 昌睦1、⾐斐 顕2、吉⽥ 朋2、町 敬⼈2、和泉 輝郎2、⽊須 隆暢1
1.九⼤院シス情, 2.ISTEC
⾼磁界磁気顕微法によるBaHfO3導⼊EuBCO線材の臨界電流特性評価
〇市村 彰吾1、⾼崎 建1、鈴⽊ 匠1、⼩野寺 優太1、東川 甲平1、井上 昌睦1、⾐斐 顕2、吉⽥ 朋2、和泉 輝郎2、⽊須 隆暢1
1.九州⼤学, 2.ISTEC-SRL
休憩/Break
11.4
11.4
〇筑本 知⼦1
⾼Jc超伝導材料開発と⽯狩での直流送電システム実証試験
休憩/Break
11
11
招
「第6回⼥性研究者研究業績・⼈材育成賞（⼩舘⾹椎⼦賞）受賞記念講演」（30分）
招
「講演奨励賞受賞記念講演」（15分）
HTS-SQUIDと近⾚外光を⽤いたMPIシステムによる⽪膚下MNP検出の検討
⼆つの検出コイルを⽤いた磁気ナノ粒⼦分布の３次元画像化
奨
〇森⽥ 洪爾1、松永 恭暁1、堺 健司1、紀和 利彦1、塚⽥ 啓⼆1
1.岡⼭⼤院⾃然
〇辻⽥ 祐也1、森下 学1、笹⼭ 瑛由1、円福 敬⼆1
1.九⼤シス情
地下300mでの⾼温超電導SQUIDの冷却技術
〇波頭 経裕1、塚本 晃1、安達 成司1、渡辺 英久2、⽯川 秀浩2、岡⽥ ⼒2、加藤 ⽂⼈3、国司 洋介3、吉松 圭太3、原⽥ 誠3、⽥辺 圭⼀1
1.超電導⼯研, 2.三井⾦属資源開発, 3.⽯油天然ガス・⾦属鉱物資源機構
SQUIDセンサを⽤いた磁気的免疫検査法における磁化⽅法の改善
〇中村 洸太1、浦 正和1、⾼藤 佳嗣1、笹⼭ 瑛由1、吉⽥ 敬1、円福 敬⼆1
1.九⼤システム情報
3/21(⽉) 14:45 15:00
21p-W833-5
C000082
LN2冷却銅巻線分極コイルを⽤いた超低磁場SQUID-NMRの検討
〇出町 ⼀⾺1、廣瀬 勇野1、⼋⽥ 純⼀1、有吉 誠⼀郎1、⽥中 三郎1
1.豊橋技科⼤
11
11.4
Oral
3/21(⽉) 15:00 15:15
21p-W833-6
C003166
STM-SQUID顕微鏡の距離変調による試料表⾯上の局所磁場計測
〇宮⼾ 祐治1、芦塚 拓也1、⽷崎 秀夫1
1.阪⼤院基礎⼯
11
11.4
Oral
3/21(⽉) 15:15 15:30
11
11.4
Oral
3/21(⽉) 15:30 15:45
21p-W833-7
C000247
奨
⾼温超伝導コイルを⽤いた鉄板板厚測定及びシミュレーション
〇笹⼭ 瑛由1、⽯⽥ 智樹1、松尾 政晃1、円福 敬⼆1
1.九⼤院シス情
11
11.4
Oral
3/21(⽉) 15:45 16:00
21p-W833-8
C000306
奨
超伝導コイルと⼀体化した磁気センサの⾮破壊検査応⽤
〇松永 恭暁1、森⽥ 洪爾1、堺 健司1、紀和 利彦1、塚⽥ 啓⼆1
1.岡⼭⼤⾃然
11
11.4
Oral
3/21(⽉) 16:00 16:15
21p-W833-9
C001276
超⾳波ガイド波とHTS-SQUIDを組み合わせたリモート⾮破壊試験技術の開発 －その1－
〇廿⽇出 好1、⼩林 奉樹1、中家 早紀1、増⾕ 夏輝1
1.近⼤⼯
11
11.4
Oral
3/21(⽉) 16:15 16:30 21p-W833-10 C001001
超伝導デュアルバンドパス共振器の共振周波数独⽴調整法の検討
〇海野 雄丈1、關⾕ 尚⼈1
1.⼭梨⼤⼯
11
11.4
Oral
3/21(⽉) 16:30 16:45 21p-W833-11 C001008
送信⽤超伝導デュアルモードダブルストリップ共振器フィルタの耐電⼒特性
〇櫻井 佑樹1、藤原 幸貴1、關⾕ 尚⼈1
1.⼭梨⼤⼯
11
11.4
Oral
3/21(⽉) 16:45 17:00 21p-W833-12 C002216
超伝導共振器の中⼼周波数シフトに関する検討
〇鈴⽊ 悠介1
1.⼭形⼤学院理⼯
11
11.4
Oral
3/21(⽉) 17:00 17:15 21p-W833-13 C003365
超伝導テープ線材を⽤いた無線電⼒伝送システムの検討
〇關⾕ 尚⼈1、⽂珠川 祐輝1
1.⼭梨⼤⼯
11
11.5
Oral
3/20(⽇) 13:45 14:00
20p-W834-1
C001116
単⼀磁束量⼦リング・オシレータのジッタの評価
〇下⽥ 知毅1、佐野 京佑1、阿部 裕1、⼭梨 裕希1、吉川 信⾏1
1.横浜国⼤院⼯
11
11.5
Oral
3/20(⽇) 14:00 14:15
20p-W834-2
C002956
奨
動作点調節機能を有するSFQ⼊⼒インターフェース回路の評価
〇宮嶋 茂之1、⼭下 太郎1、三⽊ 茂⼈1、寺井 弘⾼1
1.情報機構
11
11.5
Oral
3/20(⽇) 14:15 14:30
20p-W834-3
C001492
奨
HSTPプロセスでのAQFPセルライブラリの設計
〇安藤 拓⽣1、⽵内 尚輝1、⼭梨 裕希1、吉川 信⾏1
1.横国⼤
11
11.5
Oral
3/20(⽇) 14:30 14:45
20p-W834-4
C001688
奨
直列接続多元超伝導検出器及びSFQ読み出し回路による検出位置特定
〇神⾕ 恭平1、上阪 岬1、内藤 亮介1、⽥中 雅光1、Bozbey Ali2、藤巻 朗1
1.名⼤院, 2.TOBB UET
11
11.5
Oral
3/20(⽇) 14:45 15:00
20p-W834-5
C003264
奨
Nb/Al/AlOx/Al/Nb接合におけるサブギャップ電流の考察
〇(M2)池⾕ 瑞基1、酒井 剛1、⼩嶋 崇⽂2、野⼝ 卓2
1.電通⼤, 2.国⽴天⽂台
11
11.5
Oral
3/20(⽇) 15:00 15:15
20p-W834-6
C003288
奨
Nb/PdNi/Nb 磁性ジョセフソン接合の作製
〇栗原 卓也1、伊藤 ⼤1、⾕⼝ 壮耶1、⾚池 宏之1、藤巻 朗1
1.名⼤院⼯
11
11.5
Oral
3/20(⽇) 15:15 15:30
11
11.5
Oral
3/20(⽇) 15:30 15:45
20p-W834-7
C001601
カレントリサイクル技術を⽤いた単⼀磁束量⼦時間測定回路の低電流化
〇佐野 京佑1, 2、下⽥ 知毅1、阿部 裕1、⼭梨 裕希1、吉川 信⾏1
1.横浜国⼤⼯, 2.学振特別研究員
11
11.5
Oral
3/20(⽇) 15:45 16:00
20p-W834-8
C003229
⾼温超伝導Nano-cryotronによる⾼インピーダンストランジスタの作製
伊藤 雄記1、〇鈴⽊ 雅⽃1、⽥中 雅光1、⾚池 宏之1、藤巻 朗1
1.名⼤⼯
11
11.5
Oral
3/20(⽇) 16:00 16:15
20p-W834-9
C002739
シリコンディープエッチングを⽤いた光・電気変換器への光ファイバセルフアラインメント⼿法の検討
〇寺井 弘⾼1、三⽊ 茂⼈1、⼭下 太郎1、宮嶋 茂之1
1.情通機構
11
11.5
Oral
3/20(⽇) 16:15 16:30 20p-W834-10 C001485
SFQ RAMの構築に向けたメモリセルとデコーダ回路の設計と評価
〇五⼗嵐 丈1、宮⻄ 駿1、鈴⽊ 秀雄1、⼭梨 裕希1、吉川 信⾏1
1.横国⼤
11
11.5
Oral
3/20(⽇) 16:30 16:45 20p-W834-11 C003558
磁性体を⽤いた超伝導位相シフタのための磁化の個別制御に関する検討
〇⾕⼝ 壮耶1、伊藤 ⼤1、⽯川 航太1、⿊川 綜太1、⽥中 雅光1、⾚池 宏之1、藤巻 朗1
1.名⼤院⼯
11
11.5
Oral
3/20(⽇) 16:45 17:00 20p-W834-12 C003227
AQFP回路の論理しきい値におけるグレーゾーンのシミュレーション
〇松島 孝1、⽵内 尚輝1、Ortlepp Thomas2、⼭梨 裕希1、吉川 信⾏1
1.横国⼤, 2.The CiS
12
12.1
Poster
3/19(⼟)
9:30
11:30
19a-P2-1
C001619
⾦・銀ナノ粒⼦分散溶液の蒸発による⾃⼰集積過程の理論解析
〇⽥村 守1、岡本 晃⼀2、⽟⽥ 薫2、飯⽥ 琢也1
1.阪府⼤院理, 2.九⼤先導研
12
12.1
Poster
3/19(⼟)
9:30
11:30
19a-P2-2
C000759
⾼分⼦錯体ナノ結晶の反応活性⾯を認識した選択的表⾯修飾
〇鈴⽊ ⿓樹1、⼩野寺 恒信1、笠井 均1、及川 英俊1
1.東北⼤多元研
12
12.1
Poster
3/19(⼟)
9:30
11:30
19a-P2-3
C000391
ダイヤモンドナノ粒⼦の電気泳動堆積過程の溶液電位解析
〇後藤 洋介1、⽥中 邦明1、⼤⽯ 不⼆夫2、⾅井 博明1
1.農⼯⼤⼯, 2.神奈川⼤理
12
12.1
Poster
3/19(⼟)
9:30
11:30
19a-P2-4
C001352
低Tg⾼分⼦表⾯からの⾦属原⼦離脱現象を利⽤した希少⾦属の集積蒸着
〇王 陸1、辻岡 強1
1.阪教⼤
12
12.1
Poster
3/19(⼟)
9:30
11:30
19a-P2-5
C000782
垂直配向尿素オリゴマー薄膜の作製と構造・電気特性評価
福冨 達也1、〇森本 勝⼤1、⼩柴 康⼦1、三崎 雅裕1、⽯⽥ 謙司1
1.神⼾⼤院⼯
12
12.1
Poster
3/19(⼟)
9:30
11:30
19a-P2-6
C000219
ポリプロピレン蒸着膜の作製における基板温度の影響
〇佐藤 慶太1、庭野 俊裕1、⽥中 邦明1、畠⼭ 温1、⾅井 博明1
1.農⼯⼤⼯
12
12.1
Poster
3/19(⼟)
9:30
11:30
19a-P2-7
C000371
ナフタレンジイミド⾻格を持つビニル⾼分⼦薄膜の蒸着重合
〇(M1)冨⽥ 啓輔1、藤⽥ 浩⼠2、⾅井 聡2、⽥中 邦明1、⾅井 博明1
1.農⼯⼤院⼯, 2.新潟⼤院⼯
12
12.1
Poster
3/19(⼟)
9:30
11:30
19a-P2-8
C000372
イオンアシスト蒸着法を⽤いたナノ接着層の形成
〇(M1)河村 拓1、⽥中 邦明1、⾅井 博明1
1.農⼯⼤院⼯
12
12.1
Poster
3/19(⼟)
9:30
11:30
19a-P2-9
C003397
奇数鎖アルキル基をもつクォーターチオフェン薄膜の構造評価
〇廣内 ⼤地1、⼩⿅ 曹汰1、⼩⾦澤 智之2、廣沢 ⼀郎2、鈴⽊ 充朗3、⼭⽥ 容⼦3、吉本 則之1
1.岩⼿⼤⼯, 2.⾼輝度光化学研究セ, 3.奈良先端⼤物質
12
12.1
Poster
3/19(⼟)
9:30
11:30
19a-P2-10
C003356
真空蒸着法を⽤いたHC(NH2)2PbI3薄膜の作製
梶川 剛志1、松本 晃尚2、松岡 佑樹2、〇⽥中 仙君2
1.近畿⼤院総合理⼯, 2.近畿⼤理⼯
12
12.1
Poster
3/19(⼟)
9:30
11:30
19a-P2-11
C003271
ミストデポジション法によるペロブスカイト結晶の作製と太陽電池への応⽤
〇⾹取 重尊1、南條 勘治1、廣⽊ ⼀亮1、織⽥ 真也2、⼈羅 俊実2
1.津⼭⾼専, 2.株式会社 フロスフィア
12
12.1
Poster
3/19(⼟)
9:30
11:30
19a-P2-12
C001605
Cl添加によるバンドギャップの揺らぎに対するペロブスカイト太陽電池への影響
〇宮野 了⼀1、吉⽥ 清孝1、伊藤 省吾2、橋本 明弘1、牧野 哲征1
1.福井⼤⼯, 2.兵県⼤⼯
12
12.1
Poster
3/19(⼟)
9:30
11:30
19a-P2-13
C000548
静電スプレー堆積法で作製したP3HT:PCBMバルクヘテロ接合太陽電池に与える溶媒蒸気アニールの効果
〇⽯間 康久1、⾼橋 和志1、⼩野島 紀夫1
1.⼭梨⼤
12
12.1
Poster
3/19(⼟)
9:30
11:30
19a-P2-14
C002556
静電塗布法の溶媒蒸発時間制御による⾼配向P3HT:PCBM膜の成膜
〇⼾⽥ 明⽇来1、⾼⽐良 和也1、鈴⽊ 勝⼰1、福⽥ 武司1、斎藤 慎彦2、尾坂 格2
1.埼⽟⼤院理⼯, 2.理研CEMS
12
12.1
Poster
3/19(⼟)
9:30
11:30
19a-P2-15
C002054
摩擦転写法による有機デバイスのn-バッファー層形成
〇⾕垣 宣孝1、溝⿊ 登志⼦1
1.産総研無機機能
12
12.1
Poster
3/19(⼟)
9:30
11:30
19a-P2-16
C002636
発光層にイオン液体を含有した偏光有機ＥＬ素⼦の作製と評価
〇永⽊ 寛⼈1、三崎 雅裕1、⼩柴 康⼦1、⽯⽥ 謙司1
1.神⼾⼤院⼯
12
12.1
Poster
3/19(⼟)
9:30
11:30
19a-P2-17
C001331
レーザーアニールによる熱変換有機薄膜の作製と太陽電池への応⽤
〇杉森 達哉1、三崎 雅裕1、葛原 ⼤軌2、⼭⽥ 容⼦2、⼩柴 康⼦1、⽯⽥ 謙司1
1.神⼾⼤⼯, 2.奈良先端⼤
12
12.1
Poster
3/19(⼟)
9:30
11:30
19a-P2-18
C003263
塩添加による滑液性表⾯の防霜性能向上
〇(M1)守⾕ 赳夫2、⼩峰 正嗣1、天神林 瑞樹2、真部 研吾2、⽩⿃ 世明1, 2
1.慶⼤理⼯, 2.慶⼤院理⼯
12
12.1
Poster
3/19(⼟)
9:30
11:30
19a-P2-19
C000137
新規感光性親撥材料による基材表⾯の親液性・撥液性制御
〇⽥中 健朗1、浜⼝ 仁1、栗⼭ 敬祐1
1.JSR
12
12.1
Poster
3/19(⼟)
9:30
11:30
19a-P2-20
C001105
動く光が誘起する分⼦流動と配向パターン制御
〇久野 恭平1、宍⼾ 厚1, 2
1.東⼯⼤資源研, 2.JSTさきがけ
12
12.1
Poster
3/19(⼟)
9:30
11:30
19a-P2-21
C000261
バーコート法による液晶性フタロシアニン分⼦配向薄膜の作製
〇宇野 貴志1、⼤森 雅志1、中⾕ 光宏1、藤井 彰彦1、尾崎 雅則1
1.阪⼤院⼯
12
12.1
Poster
3/19(⼟)
9:30
11:30
19a-P2-22
C003447
異なる鎖⻑を持つシアノビフェニル液晶の選択的吸着
陶⼭ 駿1、〇関 真悟1、⻑⽥ 健太郎1、松原 亮介1、久保野 敦史1
1.静⼤院⼯
休憩/Break
休憩/Break
2016年春季講演会(東⼯⼤⼤岡⼭キャンパス)プログラム
⼤分類 中分類
形式
講演⽇
開始
終了
【1⽉28⽇(⽊)更新】暫定版からの更新箇所は⾚字になっております。
講演番号
受付番号
19a-P2-23
C002935
奨励賞 英語 招待
E
講演タイトル
25 / 52 ページ
※会場、時間が変更になった場合は該当の⽅にご連絡いたします。
著者
〇(M1)TIEN MINH TRAN1, Takashi Shoho1, Moritsugu Sakamoto1, Kohei Noda1, Tomoyuki Sasaki1, Kohei Goto2, Nobuhiro Kawatsuki3,
所属機関
12
12.1
Poster
3/19(⼟)
9:30
11:30
12
12.1
Poster
3/19(⼟)
9:30
11:30
19a-P2-24
C000582
Al2O3表⾯に対するグリシンの吸着挙動
〇齋藤 絢⾹1、⻄川 博昭2
1.近⼤院⽣物理⼯, 2.近⼤⽣物理⼯
12
12.1
Oral
3/19(⼟) 13:45 14:00
19p-W242-1
C001261
光学式流量モニタを⽤いた有機蒸着プロセスの安定化
〇末次 ⼤輔1、⼩岩崎 剛1、⼤熊 崇⽂1
1.パナソニック
12
12.1
Oral
3/19(⼟) 14:00 14:15
19p-W242-2
C003491
基板-鎖状分⼦間極性相互作⽤が関与する薄膜形成初期における素過程の基板温度依存性
〇⽵⽥ 治⽣1、阿部 峰⼤1、蓬莱 健⼀1、神⾕ 正紀1、松原 亮介1、久保野 敦史1
Formation of diffraction grating in photo-cross-linkable liquid crystalline composite by using galvano system
Hiroshi Ono1
1.Nagaoka Univ. of Tech., 2.Nissan Chemical Industries, 3.Univ. of Hyogo
1.静⼤院⼯
12
12.1
Oral
3/19(⼟) 14:15 14:30
19p-W242-3
C001551
有機グラフォエピタキシーの分⼦動⼒学シミュレーション 2 - ⾯内⽅位の変化を引き起こすメカニズム -
〇池⽥ 進1
1.東北⼤WPI-AIMR
12
12.1
Oral
3/19(⼟) 14:30 14:45
19p-W242-4
C001609
液晶溶媒により成⻑したC8BTBT単結晶膜における結晶軸⽅位の評価
〇柴⽥ 陽⽣1、松崎 智也1、⽯鍋 隆宏1、藤掛 英夫1
1.東北⼤
12
12.1
Oral
3/19(⼟) 14:45 15:00
19p-W242-5
C001104
Multi-layer coating of oriented conjugated polymer films via FTM method
〇(D)MANISH PANDEY1, Shuichi Nagamatsu2, 3, Shyam S. Pandey1, Shuzi Hayase1, 3, Wataru Takashima1, 3
1.Grad. Sch. of LSSE, Kyushu Inst. Technol., 2.Dept. of CSE, Kyushu Inst. Technol., 3.RCAET, Kyushu Inst. Technol.
12
12.1
Oral
3/19(⼟) 15:00 15:15
19p-W242-6
C003521
添加剤導⼊によるP3HT薄膜の結晶成⻑過程のその場観察評価
〇(M1)新井 康司1, 2、宮寺 哲彦2、⼩⾦澤 智之3、秋⼭ 雄希1, 2、杉⽥ 武2、近松 真之2、⼋⽊ 修平1、⽮⼝ 裕之1
1.埼⽟⼤, 2.産総研・太陽光, 3.⾼輝度光科学研究センター
12
12.1
Oral
3/19(⼟) 15:15 15:30
19p-W242-7
C000070
交互間⽋静電塗布法を⽤いて作製したグラデーション構造有機太陽電池
鈴⽊ 勝⼰1、〇福⽥ 武司1
1.埼⽟⼤
12
12.1
Oral
3/20(⽇)
9:00
20a-W242-1
C003675
奨
ナノミスト堆積法によるAlq3/NPB低分⼦積層構造の成膜特性
〇(B)上⽥ 裕之1、⾼塚 祐輔1、新沼 佳樹1、寺⽥ 諒1、菊池 昭彦1, 2
1.上智⼤理⼯, 2.上智ナノテクセンター
12
12.1
Oral
3/20(⽇)
9:15
20a-W242-2
C000944
奨
静電塗布法を⽤いたMoO3⽔溶液の成膜と逆型有機薄膜太陽電池
〇裏⾕ 雄⼤1、鈴⽊ 勝⼰1、福⽥ 武司1、鎌⽥ 憲彦1、本多 善太郎1
1.埼⽟⼤⼯
12
12.1
Oral
3/20(⽇)
9:30
9:45
20a-W242-3
C001572
奨
Poly(3-hexylthiophene)を⽪膜したAu@SiO2ナノ粒⼦の作製法の確⽴
〇宮川 佳奈1、渡部 ⼤輝1、内貴 博之2、雲林院 宏3、有⽥ 稔彦4、増原 陽⼈1, 5
1.⼭形⼤理⼯, 2.関⻄学院⼤, 3.ルーヴァン・カトリック⼤, 4.東北⼤多元研, 5.有機エレ研
12
12.1
Oral
3/20(⽇)
9:45
10:00
20a-W242-4
C001613
奨
フラーレンを含む電荷移動錯体のナノ結晶化
〇伊藤 充史1, 4、吉⽥ 司1, 4、中⼭ 健⼀1, 4、松井 淳2、サリチフチ N. S.3、増原 陽⼈1, 4
1.⼭形⼤学院理⼯, 2.⼭形⼤理, 3.ヨハネスケプラー⼤学リンツ, 4.有機エレクトロニクス研究センター
12
12.1
Oral
3/20(⽇) 10:00 10:15
20a-W242-5
C001626
奨
〇伊藤 直⼦1、志藤 慶治1、増原 陽⼈2
1.⼭形⼤院理⼯, 2.有機エレ研
12
12.1
Oral
3/20(⽇) 10:15 10:30
20a-W242-6
C002679
奨
窒素添加LaB6界⾯層によるp型ペンタセンOFETの界⾯制御
〇(M2)前⽥ 康貴1、⼤⾒ 俊⼀郎1、後藤 哲也2、⼤⾒ 忠弘2
12
12.1
Oral
3/20(⽇) 10:30 10:45
20a-W242-7
C001802
奨
強誘電性⾼分⼦を⽤いた印刷型フォースセンサーの作製
〇関根 智仁1、菅野 亮1、⽥代 智也1、福⽥ 憲⼆郎2、熊⽊ ⼤介1、Fabrice D. D. Santos3、宮保 淳4、時任 静⼠1
1.⼭形⼤ROEL, 2.理研, 3.Piezotech, 4.アルケマ
12
12.1
Oral
3/20(⽇) 10:45 11:00
20a-W242-8
C001997
奨
交互吸着法による⾼分⼦ナノシート上への⾦属有機構造体の構築
〇(M1)⼤原 浩明1、⼭本 俊介1、⼩野寺 恒信1、笠井 均1、及川 英俊1、宮下 徳治1、三ツ⽯ ⽅也1
1.東北⼤学多元研
12
12.1
Oral
3/20(⽇) 11:00 11:15
20a-W242-9
C000748
奨
AlFe2O4ナノ粒⼦-C16混合LB膜を⽤いたVA-CNT合成および直径評価
〇佐藤 太河1、中村 健太郎1、⾼際 翔太1、串⽥ 正⼈1
1.千葉⼤院⼯
12
12.1
Oral
3/20(⽇) 11:15 11:30 20a-W242-10 C001128
奨
光重合が誘起する分⼦配向メカニズムの検討とパターン形成
〇倉⽥ 陽介1、久野 恭平1、相沢 美帆1、宍⼾ 厚1, 2
1.東⼯⼤資源研, 2.JST さきがけ
12
12.1
Oral
3/20(⽇) 11:30 11:45 20a-W242-11 C002110
奨
⾚外pMAIRS法を⽤いた有機半導体薄膜の構造異⽅性解析
〇塩⾕ 暢貴1、波⽥ 美耶⼦1、下⾚ 卓史1、枝 和男2、⻑⾕川 健1
1.京⼤化研, 2.神⼾⼤院理
12
12.1
Oral
3/20(⽇) 13:45 14:00
20p-W242-1
C003307
ナノ電解法によるフタロシアニン系ナノ単結晶の作製と電⼦特性
〇⻑⾕川 裕之1, 2
1.北⼤院理, 2.情報通信研・未来
12
12.1
Oral
3/20(⽇) 14:00 14:15
20p-W242-2
C003763
Ag(111)上における SnCl2Pc の⼆次元膜構造
〇井岡 雄以1、Zwick Christian3、Forker Roman3、⽶澤 恵⼀郎1、⽥⼦ 達寛1、上⽻ 貴⼤2、Fritz Torsten3、解良 聡2、奥平 幸司1
1.千葉⼤院, 2.分⼦研, 3.Jena⼤
12
12.1
Oral
3/20(⽇) 14:15 14:30
20p-W242-3
C001726
π共役系ユニットの低次元・⾼密度集積化
〇⼭本 俊介1、仁科 七重1、松井 淳2、宮下 徳治1、三ツ⽯ ⽅也1
1.東北⼤多元研, 2.⼭形⼤理
12
12.1
Oral
3/20(⽇) 14:30 14:45
20p-W242-4
C001286
混合アルカンチオールSAM修飾による⾼被覆率⾦ナノ粒⼦２次元配列膜
〇坂本 謙⼆1、Thuy Ung Thi Dieu2、⻄⼭ 聡⼦1、柳⽥ さやか1、Liem Nguyen Quang2、三⽊ ⼀司1, 3
1.物材機構, 2.IMS-VAST, 3.筑波⼤数物
12
12.1
Oral
3/20(⽇) 14:45 15:00
20p-W242-5
C002823
粒⼦間分⼦架橋構造を有する銀微粒⼦⼆次元膜の作製と評価
〇⻫藤 昴1、⿓崎 奏1、岡本 晃⼀1、⽟⽥ 薫1
1.九⼤先導研
12
12.1
Oral
3/20(⽇) 15:00 15:15
20p-W242-6
C000799
対称性の破れ構造を持つプラズモニックナノシェルの精密構造制御と評価
〇吉嶺 浩司1、内⽥ 修平1、是津 信⾏1, 2、⼿嶋 勝弥1, 2
1.信州⼤⼯, 2.信州⼤環エネ研
12
12.1
Oral
3/20(⽇) 15:15 15:30
20p-W242-7
C003612
多孔質シリカ中空カプセルの内包物の徐放性と内包量と放出量の関係
〇⼭⼝ 優1、加藤 徳剛1
1.明⼤理⼯
12
12.1
Oral
3/20(⽇) 15:30 15:45
20p-W242-8
C002795
ポリマー電着法を⽤いたマイクロレンズアレイの作製と屈折率測定
〇⾦岡 祐介1, 2、⼭東 悠介1、⽥中 剛1、佐藤 和郎1、村上 修⼀1、櫻井 芳昭1、⾕⽥ 純2
1.阪府産技研, 2.阪⼤院⼯
12
12.1
Oral
3/20(⽇) 15:45 16:00
12
12.1
Oral
3/20(⽇) 16:00 16:15
20p-W242-9
C003532
ナノミスト堆積法による低分⼦有機薄膜の成膜条件依存性
〇寺⽥ 諒1、新沼 佳樹1、⾼塚 祐輔1、上⽥ 裕之1、菊池 昭彦1, 2
1.上智⼤理⼯, 2.上智ナノテクセンター
12
12.1
Oral
3/20(⽇) 16:15 16:30 20p-W242-10 C000068
パルス電解重合法により作製したポリピロールナノ構造化バイオセンサ(第⼆報)
〇⼩野⽥ 光宣1、Daluwathu M.G. Preethichandra2
12
12.1
Oral
3/20(⽇) 16:30 16:45 20p-W242-11 C001882
Agナノワイヤ複合セルロースナノファイバー紙の配向性
〇丹保 浩⾏1、岩坪 聡1、奈須野 雅明1、⼩幡 勤1
1.富⼭県⼯技セ
12
12.1
Oral
3/20(⽇) 16:45 17:00 20p-W242-12 C001753
液晶性フタロシアニンの過冷却を⽤いた薄膜中における⼀軸結晶成⻑
〇Ramananarivo Fiderana Mihary1、東 卓也1、⼤森 雅志1、須藤 孝⼀1、藤井 彰彦1、尾崎 雅則1
1.阪⼤院⼯
12
12.1
Oral
3/20(⽇) 17:00 17:15 20p-W242-13 C000090
配向ナノファイバーによる厚い液晶デバイスの応答時間改善
〇Duong Quoc Toan1、尾﨑 良太郎2、井上 曜1、森武 洋1
1.防衛⼤, 2.愛媛⼤
12
12.1
Oral
3/20(⽇) 17:15 17:30 20p-W242-14 C000146
配向した主鎖型液晶エラストマーの昇降温における⾃発変形
〇平岡 ⼀幸1、篠崎 凌1、住友 昌平1
1.東京⼯芸⼤⼯
12
12.1
Oral
3/20(⽇) 17:30 17:45 20p-W242-15 C002504
光反応性複合体液晶を⽤いた光配向定量化⼿法の提案
〇⼩歩 岳史1、Tran Minh Tien1、坂本 盛嗣1、野⽥ 浩平1、佐々⽊ 友之1、川⽉ 喜弘2、後藤 浩平3、⼩野 浩司1
12
12.1
Oral
3/20(⽇) 17:45 18:00 20p-W242-16 C002730
2量体液晶の多重相転移における熱拡散率・熱浸透率同時測定
〇劉 芽久哉1、Anna Zep2、謝 暁晨4、荒岡 史⼈4、Damian Pociecha2、Ewa Gorecka2、⽵添 秀男2, 3、森川 淳⼦1
1.東⼯⼤, 2.ワルシャワ⼤, 3.豊⽥理研, 4.理研
12
12.2
Poster
3/19(⼟) 16:00 18:00
19p-P11-1
C001021
TOFおよびEFISHGによるAu/pentacene/polyimide/ITO素⼦のキャリア移動度測定
〇(M1)須永 将司1、⽥⼝ ⼤1、間中 孝彰1、岩本 光正1
1.東⼯⼤理⼯
12
12.2
Poster
3/19(⼟) 16:00 18:00
19p-P11-2
C001229
300 K伝達特性と電流DLTS測定による有機TFTのトラップ評価
⼤⽥ 貴⼠1、⾚沼 秀幸1、中嶋 健登1、〇徳⽥ 豊1、中村 健⼆2、加藤 哲弥2、⽚⼭ 雅之2
1.愛知⼯⼤, 2.（株）デンソー
12
12.2
Poster
3/19(⼟) 16:00 18:00
19p-P11-3
C001409
シリコン(111)/フェロセン誘導体SAM/液体⾦属接合の整流特性
〇宇都宮 徹1、鄭 安純1、⼀井 崇1、杉村 博之1
1.京⼤院⼯
12
12.2
Poster
3/19(⼟) 16:00 18:00
19p-P11-4
C001486
鉄ポルフィリン分⼦のX線円偏光2⾊性の理論的研究
〇(M2)吉本 有輝1、クリューガー ピーター1
1.千葉⼤院融合
12
12.2
Poster
3/19(⼟) 16:00 18:00
19p-P11-5
C001631
12
12.2
Poster
3/19(⼟) 16:00 18:00
19p-P11-6
C001744
12
12.2
Poster
3/19(⼟) 16:00 18:00
19p-P11-7
12
12.2
Poster
3/19(⼟) 16:00 18:00
19p-P11-8
12
12.2
Poster
3/19(⼟) 16:00 18:00
19p-P11-9
12
12.2
Poster
3/19(⼟) 16:00 18:00
12
12.2
Poster
3/19(⼟) 16:00 18:00
12
12.2
Poster
12
12.2
Poster
12
12.2
Poster
12
12.2
12
12
12
12
9:15
9:30
E
再沈法における(S)-(-)-1-Phenylethylamine による
C60 ナノ結晶成⻑抑制効果の解明
1.東⼯⼤総理⼯, 2.東北⼤未来研
休憩/Break
オール印刷ポリイミド静電容量型湿度センサーと
1.兵庫県⽴⼤, 2.セントラルクイーンズランド⼤
1.⻑岡技科⼤, 2.兵庫県⽴⼤, 3.⽇産化学⼯業
〇袁 ⼦涵1、伊東 栄次1
1.信州⼤⼯
光励起下における有機半導体薄膜からの⼤気中光電⼦放出
〇細⾙ 拓也1、松﨑 弘幸1、古部 昭広1, 2、中村 健1
1.産総研 分析計測標準, 2.徳島⼤
C001849
バイアス印加HAXPES測定による有機トランジスタ動作中の有機半導体層内部の電位分布観察 Ⅱ
〇渡辺 剛1、多⽥ 圭佑2、安野 聡1、吉本 則之2、広沢 ⼀郎1
1.⾼輝度光科学研究セ, 2.岩⼿⼤⼯
C001918
Ag(110) 上 DNTT分⼦層の積層過程の分⼦レベル構造計測
〇⻑⾕川 友⾥1、⼭⽥ 洋⼀1、細⾙ 拓也2、若⼭ 裕3、佐々⽊ 正洋1
1.筑波⼤数理, 2.産総研, 3.物材機構WPI-MANA
C001931
椀状分⼦sumanene単分⼦層の構造計測
〇前⽥ 拓郎1、⻑⾕川 友⾥1、コスワッタゲ ラシカ2、⼭⽥ 洋⼀1、佐々⽊ 正洋1
1.筑波⼤数物, 2.千葉⼤先進
19p-P11-10
C002359
⾃⼰束縛励起⼦間の協⼒的相互作⽤
〇松⽥ ⼀真1、篠塚 雄三1
1.和歌⼭⼤院シス⼯
19p-P11-11
C002828
MEH-PPV/H2TPP(COOH)積層膜における励起エネルギー移動
〇⽔野 斎1、那須 俊佑1、廣光 ⼀郎1
1.島根⼤総合理⼯
3/19(⼟) 16:00 18:00
19p-P11-12
C003437
〇樽茶 好彦1、⽥⼝ ⼤1、間中 孝彰1、岩本 光正1
1.東⼯⼤理⼯
3/19(⼟) 16:00 18:00
19p-P11-13
C003474
〇坪井 洋⼤1、間瀬 ⼀彦2, 3、⼩澤 健⼀4、吉⽥ 弘幸1、奥平 幸司1
1.千葉⼤院融合, 2.KEK物構研, 3.総研⼤, 4.東⼯⼤院理⼯
3/19(⼟) 16:00 18:00
19p-P11-14
C003729
〇(M2)付 凌翔1、⽥向 権1、⼩川 琢治2、⽥中 啓⽂1
1.九州⼯業⼤学, 2.⼤阪⼤学
Oral
3/21(⽉)
9:00
9:15
21a-W631-1
C002446
12.2
Oral
3/21(⽉)
9:15
9:30
21a-W631-2
C001611
12.2
Oral
3/21(⽉)
9:30
9:45
21a-W631-3
C002953
12.2
Oral
3/21(⽉)
9:45
10:00
21a-W631-4
C000414
12.2
Oral
リアルタイム混合ガス制御・計測システムの開発
電界誘起光第2次⾼調波発⽣法による摩擦帯電の直接観察系の構築
〜Kapton型polyimideとAlの摩擦による接触帯電〜
湿度条件を制御したシラン系⾃⼰組織化膜(SAM)上ペンタセン薄膜の分⼦配向評価
カーボンナノチューブ・ポリ酸ネットワークの
ニューロン発⽕特性のカオス解析
奨
奨
臭化鉛ペロブスカイト結晶のラマンスペクトル
〇(M2)⻲井 未亜1、古川 ⾏夫1、松本 祐樹2、下位 幸弘2、⽚⽊ 京⼦3、⼭⽥ 康治4
ビスマスドープヨウ化スズ⽴⽅晶ペロブスカイトの電気物性と電⼦構造
〇(M1)⼩林 佳介1、⻑⾕川 裕之2, 3、髙橋 幸裕1, 2、原⽥ 潤1, 2、稲辺 保1, 2, 3
1.北⼤院総化, 2.北⼤院理, 3.JST-CREST
ハロゲン化スズペロブスカイトにおける電気物性と電⼦構造
〇⻑⾕川 裕之1、⾼橋 幸裕1、原⽥ 潤1、稲辺 保1
1.北⼤院理
1.早⼤院先進理⼯, 2.産業技術総合研究所, 3.次世代化学材料評価技術研究組合, 4.⽇⼤⽣産⼯
導電性探針AFMによるグラファイト上三脚分⼦の電気伝導計測
〇⼤塚 洋⼀1、家 裕隆2、安蘇 芳雄2、松本 卓也1
1.阪⼤院理, 2.阪⼤産研
マイクロ波共振法を⽤いたチエノアセンの特異な電荷輸送特性の解明
〇筒井 祐介1、崔 旭鎮1、櫻井 庸明1、関 修平1
1.京⼤院⼯
マイクロ波法を⽤いたn型有機半導体の界⾯電⼦移動度評価
〇井上 純⼀1、筒井 祐介1、崔 旭鎮1、櫻井 庸明1、関 修平1
1.京⼤院⼯
1.阪⼤院理
3/21(⽉) 10:00 10:15
21a-W631-5
C001803
12
12.2
Oral
3/21(⽉) 10:15 10:30
21a-W631-6
C002358
12
12.2
Oral
3/21(⽉) 10:30 10:45
12
12.2
Oral
3/21(⽉) 10:45 11:00
21a-W631-7
C003511
ナノギャップ電極間に形成されたRu錯体/AuNP/Ru錯体構造の電気特性
〇⻄嶋 知史1、⼤塚 洋⼀1、丹下 直之1、⾼⽊ ⼤敬1、松本 卓也1
12
12.2
Oral
3/21(⽉) 11:00 11:15
21a-W631-8
C000838
被覆型⻑鎖オリゴチオフェンの電気伝導度の理論計算
〇⼤⼾ 達彦1、岡本 祐治2、利根 紗織2、家 裕隆2、⼭⽥ 亮1、安蘇 芳雄2、夛⽥ 博⼀1
12
12.2
Oral
3/21(⽉) 11:15 11:30
21a-W631-9
C001973
10-6 g/m2/day台の⽔蒸気透過度を測定するための⽔蒸気透過度測定装置と標準ガスバリアフィルムの開発
〇吉⽥ 肇1、新井 健太1、⼩畠 時彦1、蛯名 武雄1、⽯井 亮1、相澤 崇史1、鈴⽊ ⿇実1
1.産総研
12
12.2
Oral
3/21(⽉) 11:30 11:45 21a-W631-10 C002703
ITO/Ru錯体/Auナノ粒⼦構造の導電性探針AFMを⽤いた電気伝導計測
〇⾼⽊ ⼤敬1、⼤塚 洋⼀1、丹下 直之1、⻄嶋 知史1、松本 卓也1
1.阪⼤院理
12
12.2
Oral
3/21(⽉) 11:45 12:00 21a-W631-11 C002696
横⽅向TOF法における解析⼿法の開発
〇(DC)向後 潤⼀1、⽯川 謙1
1.東⼯⼤
12
12.2
Oral
3/21(⽉) 13:30 13:45
21p-W631-1
C002442
ポリオキソメタレートのナノスケール構造体と電気特性
〇岸本 裕幸1、⼭⼝ 晴正1、蔡 徳七1、⼤⼭ 浩1、中村 ⼀平2、綱島 亮2、松本 卓也1
1.阪⼤院理, 2.⼭⼝⼤院理⼯
12
12.2
Oral
3/21(⽉) 13:45 14:00
21p-W631-2
C002259
奨
PEDOT:PSSワイヤに発現する低温⾮線形電気伝導
〇⼩川 尚紘1、⾚井 恵1、齋藤 彰1、桑原 裕司1
1.阪⼤院⼯
12
12.2
Oral
3/21(⽉) 14:00 14:15
21p-W631-3
C003499
奨
ドーピングしたホモエピ-ルブレン単結晶におけるHall効果
〇⼤橋 知佳1, 2、新村 祐介2, 6、渡瀬 星児3, 6、伊崎 昌伸4, 6、内藤 裕義5, 6、平本 昌宏1, 2, 6
1.総研⼤, 2.分⼦研, 3.⼤阪市⼯研, 4.豊橋技科⼤, 5.⼤阪府⼤, 6.NEDO
12
12.2
Oral
3/21(⽉) 14:15 14:30
21p-W631-4
C003292
奨
直鎖カルバゾールオリゴマー単分⼦接合の電流電圧特性
〇(B)美濃出 圭悟1、アルブレヒト 健2、波多 健太郎1、下店 隆史1、⼤⼾ 達彦1、⼭⽥ 亮1、⼭元 公寿2、夛⽥ 博⼀1
1.阪⼤基礎⼯, 2.東⼯⼤資源研
12
12.2
Oral
3/21(⽉) 14:30 14:45
21p-W631-5
C002851
DNAを鋳型としたタンパク質集合体のナノスケール電気伝導特性
〇⼭⼝ 晴正1、⼤塚 洋⼀1、松本 卓也1
1.阪⼤院理
12
12.2
Oral
3/21(⽉) 14:45 15:00
21p-W631-6
C003198
C60単結晶を⽤いた電界効果トランジスタの温度依存性
〇宮林 亨1、村⽥ 秀信1、平井 匡彦2、⻘⽊ 伸之3, 4、橘 勝1
1.横浜市⽴⼤物質システム科学, 2.オーストラリア科学産学連携機構, 3.千葉⼤院融合科学, 4.さきがけ
21p-W631-7
C002566
⾃⼰ドープ型ポリアニリンのナノスケールグレイン内伝導
〇(M1)宇佐美 雄⽣1、今村 健太郎2、⾚井 智喜2、蔡 徳七1、⼤⼭ 浩1、⼩林 光2、松本 卓也1
1.阪⼤院理, 2.阪⼤産研
〇安部 健太郎1、間中 孝彰1、岩本 光正1
1.東⼯⼤理⼯
1.東⼯⼤院 理⼯, 2.産総研ナノシステム, 3.名⼯⼤フロンティア, 4.物材研MANA
休憩/Break
1.阪⼤院基礎⼯, 2.阪⼤産研
12
12.2
Oral
3/21(⽉) 15:00 15:15
12
12.2
Oral
3/21(⽉) 15:15 15:30
12
12.2
Oral
3/21(⽉) 15:30 15:45
21p-W631-8
C003549
奨
12
12.2
Oral
3/21(⽉) 15:45 16:00
21p-W631-9
C002899
奨
単分⼦素⼦実現に向けた吸着サイト選択的な単分⼦分光法の開発
〇⾦⼦ 哲1、村井 ⼤午1、中村 恒夫2、池⽥ 勝佳3、塚越 ⼀仁4、⽊⼝ 学1
12
12.2
Oral
3/21(⽉) 16:00 16:15 21p-W631-10 C003082
奨
E
Studying Magnetic Field Effect on Pentacene Field Effect Transistor Using Impedance Spectroscopy
〇SongToan Pham1, Hirokazu Tada1
1.Graduate School of Engineering Science, Osaka University
12
12.2
Oral
3/21(⽉) 16:15 16:30 21p-W631-11 C000039
奨
E
Microfluidic based transmission surface plasmon resonance measurement developed for biosensor applications
〇Chutiparn Lertvachirapaiboon1, Akira Baba1, Sanong Ekgasit2, Kazunari Shinbo1, Keizo Kato1, Futao Kaneko1
1.Graduate School of Science and Technology, Niigata Univ., 2.Sensor Research Unit, Chulalongkorn Univ.
12
12.2
Oral
3/21(⽉) 16:30 16:45 21p-W631-12 C003131
ナノギャップ電極を⽤いたマグネシウムイオン添加DNAの電気伝導性計測
〇(B)江藤 理杏1、⼤塚 洋⼀1、⼭⼝ 晴正1、松本 卓也1
1.阪⼤院理
12
12.2
Oral
3/21(⽉) 16:45 17:00 21p-W631-13 C003225
変位電流測定と電界誘起光第2次⾼調波発⽣法による2層有機素⼦の移動度の評価
〇野間 ⼤史1、⽥⼝ ⼤1、間中 孝彰1、岩本 光正1
1.東⼯⼤・理⼯
12
12.2
Oral
3/21(⽉) 17:00 17:15 21p-W631-14 C001972
熱刺激電流(TSC)-EFISHG及びCMSによるMIS構造素⼦(IZO/polyimide/α-NPD/Au)のトラップ評価
〇細川 英機1、⽥⼝ ⼤1、間中 孝彰1、岩本 光正1
1.東⼯⼤理⼯
12
12.2
Oral
3/22(⽕)
9:00
9:15
22a-W631-1
C002083
ボロン酸型蛍光プローブにおける電⼦移動反応の距離依存性
〇嶋岡 浩明1、⽥之上 ⼤地1、杉⽥ 巧1、南部 伸孝1、橋本 剛1、早下 隆⼠1、江⾺ ⼀弘1
1.上智⼤理⼯
12
12.2
Oral
3/22(⽕)
9:15
9:30
22a-W631-2
C000106
⾛査型アトムプローブによるアミノ酸の原⼦レベルでの解析 ︓グルタミンとグルタミン酸
〇⻄川 治1、⾕⼝ 昌宏2
1.⾦沢⼯⼤産学連携, 2.⾦沢⼯⼤応化
12
12.2
Oral
3/22(⽕)
9:30
9:45
22a-W631-3
C000262
奨
微⼩⾓⼊射広⾓X線散乱による液晶性フタロシアニン配向薄膜の結晶構造解析
〇⼤森 雅志1、宇野 貴志1、中野 知佳1、藤井 彰彦1、尾崎 雅則1
1.阪⼤院⼯
12
12.2
Oral
3/22(⽕)
9:45
10:00
22a-W631-4
C001535
奨
3D-SFMによるHDD⽤磁気ディスク上の潤滑層の3次元分⼦吸着構造計測
12
12.2
Oral
3/22(⽕) 10:00 10:15
22a-W631-5
C003696
奨
12
12.2
Oral
3/22(⽕) 10:15 10:30
22a-W631-6
C002429
奨
休憩/Break
過渡蛍光減衰法によるキャリア輸送の直接観測
波⻑掃引型紫外光電⼦分光による状態密度のワイドレンジ計測︓
サブppmレベルの超⾼感度検出
気相π共役平⾯系有機分⼦における再配向エネルギーの定量的⾒積もり
〇宮澤 佳甫1、中嶋 脩貴1、豊⽥ 真理⼦1、相⽅ 良介2、清⽔ 豪2、曽⽥ 孝雄2、福間 剛⼠1, 3
1.⾦⼤院, 2.MORESCO, 3.ACT-C
〇佐藤 友哉1、⾦城 拓海1、⼭崎 純暉1、⽯井 久夫1, 2, 3
1.千葉⼤融合, 2.千葉⼤先進, 3.千葉⼤MCRC
〇⼭⼝ 拓真1, 2、⽶澤 恵⼀朗1、須⽥ 洋輔1、佐藤 ⼀⾄1、上⽻ 貴⼤2, 3、解良 聡1, 2, 3
1.千葉⼤院融合, 2.分⼦研, 3.総研⼤
2016年春季講演会(東⼯⼤⼤岡⼭キャンパス)プログラム
⼤分類 中分類
形式
講演⽇
開始
終了
【1⽉28⽇(⽊)更新】暫定版からの更新箇所は⾚字になっております。
講演番号
受付番号
奨励賞 英語 招待
26 / 52 ページ
※会場、時間が変更になった場合は該当の⽅にご連絡いたします。
講演タイトル
著者
所属機関
12
12.2
Oral
3/22(⽕) 10:30 10:45
12
12.2
Oral
3/22(⽕) 10:45 11:00
22a-W631-7
C003714
有機薄膜の電⼦準位への永久四重極の影響
〇吉⽥ 弘幸1
1.千葉⼤院融合
12
12.2
Oral
3/22(⽕) 11:00 11:15
22a-W631-8
C003523
MD計算によるグラファイト電極と界⾯を形成するイオン液体の構造化・ダイナミクスと電気⼆重層形成の解析
宮本 洋雄1、横⽥ 泰之2、今⻄ 哲⼠1、稲垣 耕司3、森川 良忠3、〇福井 賢⼀1
1.阪⼤院基礎⼯, 2.理研, 3.阪⼤院⼯
12
12.2
Oral
3/22(⽕) 11:15 11:30
22a-W631-9
C000148
エネルギー的な乱れのある分⼦固体中での有効易動度の温度依存性
〇関 和彦1、ボイチック マリウス2
1.産総研ナノ材料, 2.ウッジ⼯科⼤学
12
12.2
Oral
3/22(⽕) 11:30 11:45 22a-W631-10 C000370
PTCDA基板への⾦属原⼦吸着の化学的傾向︓第⼀原理計算による検討
〇川端 康平1、中⼭ 隆史1
1.千葉⼤理
12
12.2
Oral
3/22(⽕) 11:45 12:00 22a-W631-11 C003400
Theory of electronic structures for diatomic molecules: First principles calculations for carbon and silicon molecules
〇(D)Daisuke Yoshida1、Hannes Raebiger1
1.Yokohama National University
12
12.2
Oral
3/22(⽕) 12:00 12:15 22a-W631-12 C003581
構造秩序性に⽀配されたエネルギーのディスオーダーと有機半導体の電荷輸送
〇⼤野 玲1、⾼屋敷 由紀⼦1、新⽥ 武⽗1、飯野 裕明1、半那 純⼀1
1.東⼯⼤像情報
12
12.2
Oral
3/22(⽕) 13:15 13:30
22p-W631-1
C000252
π共役系⾼分⼦配向薄膜内の分⼦性アクセプタの配向評価
〇永松 秀⼀1、⾼嶋 授1、パンディ シャム1、新海 聡⼦1、早瀬 修⼆1
1.九⼯⼤
12
12.2
Oral
3/22(⽕) 13:30 13:45
22p-W631-2
C002055
ペンタセン単結晶の表⾯清浄化法と電⼦構造
12
12.2
Oral
3/22(⽕) 13:45 14:00
22p-W631-3
C002307
ペンタセン単結晶上C60ヘテロエピタキシャル構造の精密決定
12
12.2
Oral
3/22(⽕) 14:00 14:15
22p-W631-4
C002466
HAT-CNをドープしたα-NPD膜の⾼感度紫外光電⼦分光
12
12.2
Oral
3/22(⽕) 14:15 14:30
22p-W631-5
C002625
Ag(111)上SnCl2Pc薄膜の表⾯化学︓X線定在波法による吸着構造の解析
12
12.2
Oral
3/22(⽕) 14:30 14:45
22p-W631-6
C002455
Ag(111)上SnCl2Pc薄膜の表⾯化学︓光電⼦分光による電⼦状態
12
12.3
Poster
3/19(⼟)
9:30
11:30
19a-P3-1
C003183
⽣物模倣表⾯による効果的な液体輸送
〇武藤 光司1、伊藤 嵩⼈2、⽯井 ⼤佑2
12
12.3
Poster
3/19(⼟)
9:30
11:30
19a-P3-2
C001262
新規オリゴチオフェン系化合物の光学特性
〇橘 浩昭1、秋⼭ 雄希1, 2、宮寺 哲彦1、⽮⼝ 裕之2、阿澄 玲⼦1、近松 真之1
1.産総研, 2.埼⽟⼤理⼯
12
12.3
Poster
3/19(⼟)
9:30
11:30
19a-P3-3
C001371
ジアリールエテンのキャリア注⼊異性化反応の素過程の研究
〇⼭本 ⼀樹1、辻岡 強1
1.阪教⼤
12
12.3
Poster
3/19(⼟)
9:30
11:30
19a-P3-4
C001844
ビススチリルベンゼン誘導体の電⼦吸引性置換基効果
〇望⽉ 博孝1、近松 真之1
1.産総研太陽光
12
12.3
Poster
3/19(⼟)
9:30
11:30
19a-P3-5
C002366
過酸化⽔素を利⽤した新規グラフェン誘導体合成法の検討
〇(D)内野 聖⼦1、⼤⽵ 亜紗美1、滝澤 登1、坂⼝ 幸⼀1
1.佐賀⼤院⼯
12
12.3
Poster
3/19(⼟)
9:30
11:30
19a-P3-6
C002874
レーザーダイオードを⽤いた分散性測定装置の作製と酸化グラフェン分散液の分散性評価
〇(D)⼤⽵ 亜紗美1、内野 聖⼦1、坂⼝ 幸⼀1
1.佐賀⼤院⼯
12
12.3
Poster
3/19(⼟)
9:30
11:30
19a-P3-7
C003151
⼤気圧プラズマ法による親⽔化グラファイトの合成
〇⽩⿃ 武1、内野 聖⼦1、梶⼭ 孝太郎1、坂⼝ 幸⼀1
1.佐賀⼤院⼯
12
12.3
Poster
3/19(⼟)
9:30
11:30
19a-P3-8
C003161
⼤気圧プラズマ法により作製された親⽔性酸化グラファイトの特性評価
〇⿊⽊ 惟1、梶⼭ 孝太郎1、⽩⿃ 武1、内野 聖⼦1、坂⼝ 幸⼀1
1.佐賀⼤学
12
12.3
Poster
3/19(⼟)
9:30
11:30
19a-P3-9
C003261
エステル化反応による有機溶媒親和性グラフェン誘導体の合成
〇(M1)島 靖卓1、⼤⽵ 亜紗美1、平川 あい1、坂⼝ 幸⼀1
1.佐賀⼤院⼯
12
12.3
Poster
3/19(⼟)
9:30
11:30
19a-P3-10
C000564
⾚⾊蛍光⾊素を⽤いた液晶の光応答挙動
〇(B)岡 沙樹1、古川 元⾏1、⽊下 基1
1.埼⽟⼯⼤⼯
12
12.3
Poster
3/19(⼟)
9:30
11:30
19a-P3-11
C000327
有機薄膜混晶内の⻲裂で構成されるキャビティからのレーザー発振
〇(M1C)萬徳 匡昭1、市⽥ 正夫2、梅津 郁朗2、杉村 陽2、⻘⽊ 珠緒2
1.甲南⼤院⾃然, 2.甲南⼤理⼯
12
12.3
Poster
3/19(⼟)
9:30
11:30
19a-P3-12
C001167
銅フタロシアニン－無⾦属フタロシアニン混合液晶の電荷輸送特性
〇渡辺 光⼀1、仲川 ⼤1、藤井 彰彦1、清⽔ 洋2、尾﨑 雅則1
1.阪⼤院⼯, 2.産総研ユビキタス
12
12.3
Poster
3/19(⼟)
9:30
11:30
19a-P3-13
C002901
OFET 型THz 波センサ中の蓄積キャリアによるTHz 波吸収の解析
〇志⽔ 祐貴1、⽊元 鴻太郎1、藤井 勝之2、⼩島 広孝1、松原 亮介3、中村 雅⼀1
1.奈良先端⼤物質, 2.南⼭⼤理⼯, 3.静⼤院⼯
12
12.3
Poster
3/19(⼟)
9:30
11:30
19a-P3-14
C000507
奨
情報分⼦を⽤いたネットワーク構造体を創発する実験系の構築
〇(PC)⾼橋 慧1, 2、松尾 宗征1、伴野 太祐3、豊⽥ 太郎1
1.東⼤総合, 2.NCGM, 3.慶⼤理⼯
12
12.3
Poster
3/19(⼟)
9:30
11:30
19a-P3-15
C001624
奨
共役ポリマーWGM共振器による⾼効率・⾼指向性放射エネルギー移動
12
12.3
Poster
3/19(⼟)
9:30
11:30
19a-P3-16
C000046
⽯炭ピッチ薄膜の結晶性向上とキャリア輸送特性
〇福⽥ 武司1、⼭形 憲⼀2、⼭下 誠3
1.埼⽟⼤, 2.⼤阪ガスケミカル, 3.中央⼤
12
12.3
Poster
3/19(⼟)
9:30
11:30
19a-P3-17
C000565
有機感圧センサにおける⼒学センシング性能に関する研究
〇⼩村 将⼤1、森本 勝⼤1、⼩柴 康⼦1、三崎 雅裕1、⽯⽥ 謙司1
1.神⼾⼤院⼯
12
12.3
Poster
3/19(⼟)
9:30
11:30
19a-P3-18
C001110
光導電体を利⽤した有機強誘電体の光分極反転制御
〇堀井 浩司1、三崎 雅裕1、⼩柴 康⼦1、⽯⽥ 謙司1
1.神⼾⼤院⼯
12
12.3
Poster
3/19(⼟)
9:30
11:30
19a-P3-19
C001413
垂直配向VDFオリゴマー薄膜の焦電センサ特性
森 陽光1、〇⼩柴 康⼦1、⼩⾕ 哲浩2、⾦村 崇2、三崎 雅裕1、⽯⽥ 謙司1
1.神⼾⼤院⼯, 2.ダイキン⼯業
12
12.3
Poster
3/19(⼟)
9:30
11:30
19a-P3-20
C002895
アリールクラウンエーテル錯体を⽤いた安定なn型単層カーボンナノチューブの作製
〇池⽥ 智博1、野々⼝ 斐之1、河合 壯1
1.奈良先端⼤物質
12
12.3
Poster
3/19(⼟)
9:30
11:30
19a-P3-21
C003582
巨⼤ゼーベック係数を⽰す有機低分⼦における振電相互作⽤の評価
〇⼩島 広孝1、阿部 ⻯1、藤原 史弥1、中川 真理雄1、中村 雅⼀1
1.奈良先端⼤物質
12
12.3
Poster
3/19(⼟)
9:30
11:30
19a-P3-22
C002861
表⾯プラズモンを利⽤したアゾベンゼン薄膜の回折光増強
〇佐藤 将太朗1, 2、岡本 隆之2、川本 益揮2、鷹取 賢太郎2, 3、礒島 隆史2、佐々 ⾼史2、佐々⽊ 健夫1、⽯橋 幸治2
1.東京理科⼤, 2.理研, 3.東⼯⼤
12
12.3
Poster
3/19(⼟)
9:30
11:30
19a-P3-23
C000602
微細溝構造を⽤いた双安定界⾯のフレクソ分極によるHANセルにおける双安定スイッチングの検討
〇伊皆 健太郎1、中村 柊介1、⼯藤 幸寛1、⾼橋 泰樹1
1.⼯学院⼤
12
12.3
Poster
3/19(⼟)
9:30
11:30
19a-P3-24
C000604
ポリマーフィラメント格⼦を配置した液晶セルの過渡応答特性
〇渡辺 ⼤貴1、⼯藤 幸寛1、⾼橋 泰樹1
1.⼯学院⼤
12
12.3
Poster
3/19(⼟)
9:30
11:30
19a-P3-25
C001161
液晶メタマテリアルにおけるDyakonov表⾯波の存在条件に対する分散⾦属ナノ粒⼦の影響
〇松井 ⿓之介1, 2
1.三重⼤院⼯, 2.三重⼤極限ナノエレ
12
12.3
Poster
3/19(⼟)
9:30
11:30
19a-P3-26
C001615
スリット電極型液晶シリンドリカルレンズアレイによる光偏向効果（Ⅲ）
〇内⽥ 勝1、梁瀬 智1、王 濱1
1.秋⽥産技センター
12
12.3
Poster
3/19(⼟)
9:30
11:30
19a-P3-27
C003101
液晶位相変調器を⽤いたミリ波アンテナアレイシステムの検討
〇永澤 雅1、笹森 崇⾏1、磯⽥ 陽次1、真坂 護2、伊藤 謙⼆2、伊東 良太1、本間 道則1、能勢 敏明1
1.秋⽥県⼤システム, 2.由利⼯業株式会社
12
12.3
Poster
3/19(⼟)
9:30
11:30
19a-P3-28
C003200
多孔質PMMA材料を⽤いたミリ波⽤フレネルゾーンプレートの検討
〇⼤野 真之介1、伊東 良太1、本間 道則1、能勢 敏明1
1.秋⽥県⼤システム
12
12.3
Poster
3/19(⼟)
9:30
11:30
19a-P3-29
C003273
ヘルフリッヒ変形が誘起されたコレステリック液晶の光学特性
〇井上 曜1、森武 洋1
1.防衛⼤電気情報
12
12.3
Poster
3/19(⼟)
9:30
11:30
19a-P3-30
C003362
微細な配向パターンを有するハイブリット液晶セルの配向特性
〇安藝 諭宇⾺1、本間 道則1、能勢 敏明1
1.秋⽥県⼤システム
12
12.3
Poster
3/19(⼟)
9:30
11:30
19a-P3-31
C003478
⼆次元的な周期配向パターンを有する液晶回折格⼦における回折特性
〇(M1)⾼橋 夏輝1、本間 道則1、能勢 敏明1
1.秋⽥県⽴⼤学
12
12.3
Poster
3/19(⼟)
9:30
11:30
19a-P3-32
C000285
ポリ４ビニルピリジンのラビング膜におけるn型液晶配向特性
⼯藤 恭輔1、⼩舘 輝1、⻑沼 耀太1、〇⼭⼝ 留美⼦1
1.秋⽥⼤⼯資
12
12.3
Oral
3/20(⽇)
9:00
9:15
20a-W351-1
C002989
放射加熱温度変調法による強誘電性有機導体の焦電流観測︓変調温度と⾃発分極の決定
〇(M1)松本 健汰1、⼭本 薫1、村⽥ 晃⼀1、鈴⽊ 智博1、川島 ⼤樹1、横⼭ 直1
1.岡⼭理⼤理
12
12.3
Oral
3/20(⽇)
9:15
9:30
20a-W351-2
C000433
有機強誘電体⾃⽴膜を⽤いた透明焦電型⾚外線センサの作製と評価
〇川本 遼1、⼩柴 康⼦1、三崎 雅裕1、⽯⽥ 謙司1
1.神⼾⼤院⼯
12
12.3
Oral
3/20(⽇)
9:30
9:45
20a-W351-3
C001872
電界印加蒸着によるVDFオリゴマー薄膜の分極制御と焦電応答特性
〇酢⾕ 陽平1、森 陽光2、⼩⾕ 哲浩3、⾦村 崇3、⼩柴 康⼦2、三崎 雅裕2、⽯⽥ 謙司2
1.神⼾⼤⼯, 2.神⼾⼤院⼯, 3.ダイキン⼯業
12
12.3
Oral
3/20(⽇)
9:45
10:00
20a-W351-4
C002254
苦味センサ⽤脂質⾼分⼦膜の表⾯特性と電位応答の関係
〇⽮⽥部 塁2、原⽥ 裕平1、野⽥ 純平1、池崎 秀和3、都甲 潔1, 2
1.九⼤シス情, 2.九⼤味嗅研, 3.㈱インセント
12
12.3
Oral
3/20(⽇) 10:00 10:15
20a-W351-5
C000861
らせん状ポリイソシアニドを⽤いたReRAMの動作機構解析
〇櫻川 康志1、⾼⽊ 遊学2、井改 知幸2、酒井 平祐1、前⽥ 勝浩2、村⽥ 英幸1
1.北陸先端⼤マテリアル, 2.⾦沢⼤学
20a-W351-6
C000796
アルキルスルホン化ポリイミド主鎖⼀軸配向膜の吸湿により発現する液晶構造解析
〇後藤 崚介1、原 光⽣1、⻑尾 祐樹2、永野 修作3
1.名⼤院⼯, 2.JAIST, 3.名⼤VBL
休憩/Break
〇⽔野 裕太1、⼭本 真之1、⽇笠 正隆2、⾦城 拓海1、浦上 裕希1、間瀬 ⼀彦3, 4、出⽥ 真⼀郎4, 5、⽥中 清尚4, 5、⽯井 久夫1, 6、奥平 幸司1、
吉⽥ 弘幸1、中⼭ 泰⽣2
〇中⼭ 泰⽣1、⽔野 裕太2、鶴⽥ 諒平1、細⾙ 拓也3、⼩⾦澤 智之4、⼭本 真之2、Hinderhofer Alexander5、Gerlach Alexander5、Frank
Heiko5、Schreiber Frank5、⽯井 久夫2, 6、上野 信雄2
〇⼭崎 純暉1、⾦城 拓海1、佐藤 友哉1、武⽥ 祐希1、中⼭ 泰⽣2、⽯井 久夫1, 3, 4
〇上⽻ 貴⼤1, 2、⽥⼦ 達寛3、Gerben Straaten4、Markus Franke4、Marco Gruenewald5、Tien-Lin Lee6、Pardeep Kumar Thakur6、
Christian Zwick5、Roman Forker5、Torsten Fritz5、Christian Kumpf4、解良 聡1, 2, 3
〇(M1)⽥⼦ 達寛1、⽶澤 恵⼀郎1、上⽻ 貴⼤2、井岡 雄以1、Qi Wang3、須⽥ 洋輔1、Nabi Aghdassi3、⼭根 宏之2、⼩杉 信博2、奥平 幸司1、吉
⽥ 弘幸1、Steffen Duhm3、解良 聡1, 2
〇櫛⽥ 創1、ブラーム ダニエル2、柴崎 浩輔1、斎藤 仁志1、タン ダオ3, 4、⽯井 智3, 4、⻑尾 忠昭3, 4、桑原 純平1、神原 貴樹1、⽊島 正志1、
ロルケ アクセル2、⼭本 洋平1
1.千葉⼤院融合, 2.東理⼤理⼯, 3.⾼エネ研, 4.総研⼤, 5.分⼦研, 6.千葉⼤先進
1.東理⼤理⼯, 2.千葉⼤院融合, 3.産総研, 4.JASRI, 5.チュービンゲン⼤, 6.千葉⼤先進
1.千葉⼤融合, 2.東理⼤理⼯, 3.千葉⼤先進, 4.千葉⼤MCRC
1.分⼦科学研究所, 2.総合研究⼤学院⼤学, 3.千葉⼤院融合, 4.ユーリッヒ研究センター, 5.イエナ⼤学, 6.ダイアモンド放射光施設
1.千葉⼤院, 2.分⼦研, 3.蘇州⼤
1.名⼯⼤⼯, 2.名⼯⼤院⼯
1.筑波⼤院数理物質, 2.Duisburg-Essen⼤物理, 3.物材機構, 4.JST-CREST
12
12.3
Oral
3/20(⽇) 10:15 10:30
12
12.3
Oral
3/20(⽇) 10:30 10:45
12
12.3
Oral
3/20(⽇) 10:45 11:00
20a-W351-7
C000772
奨
液晶配向場中における分⼦配向性マイクロ粒⼦まわりの⾯内弾性歪
〇今村 弘毅1、吉⽥ 浩之1, 2、尾﨑 雅則1
1.阪⼤院⼯, 2.JSTさきがけ
12
12.3
Oral
3/20(⽇) 11:00 11:15
20a-W351-8
C000773
奨
⾼分⼦/ネマティック液晶複合材料の電気光学効果に及ぼすモノマー濃度の影響
〇前⽥ 恭孝1、⼩橋 淳⼆1、吉⽥ 浩之1、尾﨑 雅則1
1.阪⼤院⼯
12
12.3
Oral
3/20(⽇) 11:15 11:30
20a-W351-9
C001169
奨
厚いコレステリック液晶セルを⽤いた複屈折変調デバイス
〇服部 真代1、井上 曜1、森武 洋1
1.防衛⼤電気電⼦
12
12.3
Oral
3/20(⽇) 11:30 11:45 20a-W351-10 C002760
奨
基板濡れ性を⽤いた液晶セル内での⾼分⼦壁の形成
〇川守⽥ 聖⽮1、柴⽥ 陽⽣1、⽯鍋 隆宏1、藤掛 英夫1
1.東北⼤⼯
12
12.3
Oral
3/20(⽇) 11:45 12:00 20a-W351-11 C003674
奨
湾曲したポリカーボネート基板の位相差特性の評価と光学補償
〇(B)本⽥ 秀⼀1、⽯鍋 隆宏1、柴⽥ 陽⽣1、藤掛 英夫1
1.東北⼤⼯
12
12.3
Oral
3/20(⽇) 12:00 12:15 20a-W351-12 C001765
強い波⻑選択性を有する捩れ配向液晶回折格⼦
〇河合 孝太郎1、坂本 盛嗣1、野⽥ 浩平1、佐々⽊ 友之1、川⽉ 喜弘2、⼩野 浩司1
1.⻑岡技科⼤, 2.兵庫県⽴⼤
〇⾺場 暁1、ラートバチラパイボーン チュティパーン1、新保 ⼀成1、加藤 景三1、⾦⼦ 双男1
1.新潟⼤⼯
休憩/Break
招
「有機分⼦・バイオエレクトロニクス 分科内招待講演」（30分）
12
12.3
Oral
3/20(⽇) 13:45 14:15
20p-W351-1
I000068
12
12.3
Oral
3/20(⽇) 14:15 14:30
20p-W351-2
C000526
アルミニウムチップ上に調製したジアリールエテン薄膜における光異性化と結晶化のin-situ顕微分光イメージング
〇加登⼭ 太河1、⻄村 涼2、當⿇ 真奈1、内⽥ 欣吾2、⽥和 圭⼦1
1.関⻄学院⼤学理⼯, 2.⿓⾕⼤学理⼯
12
12.3
Oral
3/20(⽇) 14:30 14:45
20p-W351-3
C001387
ジアリールエテン上における⾦属蒸着選択性の⾦属種依存性
〇(B)松本 彩希1、辻岡 強1
1.阪教⼤
12
12.3
Oral
3/20(⽇) 14:45 15:00
20p-W351-4
C000523
12
12.3
Oral
3/20(⽇) 15:00 15:15
20p-W351-5
C000292
12
12.3
Oral
3/20(⽇) 15:15 15:30
20p-W351-6
C003786
E
12
12.3
Oral
3/20(⽇) 15:30 15:45
20p-W351-7
C000031
E
12
12.3
Oral
3/20(⽇) 15:45 16:00
20p-W351-8
C001774
E
12
12.3
Oral
3/20(⽇) 16:00 16:15
12
12.3
Oral
3/20(⽇) 16:15 16:30
12
12.3
Oral
3/20(⽇) 16:30 16:45 20p-W351-10 C001214
12
12.3
Oral
3/20(⽇) 16:45 17:00 20p-W351-11 C002954
12
12.3
Oral
3/20(⽇) 17:00 17:15 20p-W351-12 C000832
12
12.3
Oral
12
12.3
12
12.3
12
12.3
12
表⾯プラズモン共鳴励起を利⽤した有機デバイスへの応⽤
無機ナノシート／イリジウム錯体複合薄膜の⾦属上での発光特性
〇尾崎 良太郎1、⼭⽥ 達也1、⾨脇 ⼀則1、佐藤 久⼦2
ナノインプリンティングによる伝搬型表⾯プラズモン共鳴増強逆型有機薄膜太陽電池の検討
〇(D)原 ⼀⾺1、ラートバチラパイボーン チュティパーン1、⾺場 暁1、新保 ⼀成1、加藤 景三1
Lateral Electron Collection Using High Mobility PTCDI-C8 for the Application of Organic Solar Cells
Mechanism of Interaction of Li with Tetracyanoethylene (TCNE) and Tetracyanoquinodimethane (TCNQ): Promising Materials for Organic
Batteries
A New Type of Multilevel Organic Field Effect Memory Transistors using Lithium-ion-encapsulated Fullerene
〇(D)Thidarat Kunawong1, 2, Mitsuru Kikuchi1, 5, Masaki Hirota1, 5, Yusuke Shinmura1, 5, Hiroyoshi Naito4, 5, Aya Myint Moh3, 5,
Masanobu Izaki3, 5, Masahiro Hiramoto1, 5
〇Sergei Manzhos1, Yingqian Chen1
〇(D)Cuong Manh Tran1, 2, Heisuke Sakai1, Yuki Kawashima3, Kei Ohkubo3, 4, 5, 6, Shunichi Fukuzumi4, 5, 6, Hideyuki Murata1
1.愛媛⼤⼯, 2.愛媛⼤理
1.新潟⼤
1.IMS, 2.Mahidol Univ, 3.Toyohashi Univ, 4.Osaka Perf. Univ, 5.NEDO
1.Ntl Uni of Singapore
1.Japan Adv. Inst. of Sci. and Tech., 2.Univ. of Transport and Communication, 3.Osaka Univ., 4.Ewha Womans Univ., 5.Meijo Univ.,
6.ALCA, SENTAN (JST)
休憩/Break
20p-W351-9
C001634
可視光全域に共振ピークを持つ共役⾼分⼦マイクロ共振器
〇櫛⽥ 創1、岡部 真之介1、佐伯 昭紀2、タン ダオ3, 4、⽯井 智3, 4、⻑尾 忠昭3, 4、⽊島 正志1、⼭本 洋平1
1.筑波⼤院数理物質, 2.⼤阪⼤院⼯, 3.物材機構, 4.JST-CREST
奨
エピタキシャル成⻑させたTPCO単⼀ニードル結晶からの光励起レーザー発振
〇(M1)⿃井 ⼀輝1、⽔野 圭2、阪東 ⼀毅2、佐々⽊ 史雄3、柳 久雄1
1.奈良先端⼤物質, 2.静岡⼤院理, 3.産総研電⼦光技術
奨
蒸着膜転写法によるシアノ基置換TPCO誘導体多結晶膜からの発光増幅特性
〇⼟器屋 翔平1、佐々⽊ 史雄2、柳 久雄1
1.奈良先端⼤物質, 2.産総研電⼦光技術
奨
単⼀の蛍光⾊素を添加したポリマーマイクロ共振器からの多⾊共鳴発光と光伝搬
〇岡⽥ ⼤地1、中村 貴志1、Braam Daniel2、Thang Dao3, 4、⽯井 智3, 4、⻑尾 忠昭3, 4、Lorke Axel2、鍋島 達弥1、⼭本 洋平1
3/20(⽇) 17:15 17:30 20p-W351-13 C000204
Optically pumped lasing from single-crystal perovskite of CH­3NH3PbBr3
グエン ファン カオ1、⾹⽉ 浩之1、佐々⽊ 史雄2、〇柳 久雄1
1.奈良先端⼤物質, 2.産総研電⼦光技術
Oral
3/20(⽇) 17:30 17:45 20p-W351-14 C002975
J会合体⾦属マイクロキャビティにおける発光増幅
〇⽔野 斎1、⽯墨 淳2、柳 久雄2、岡野 泰彬3、⼤森 賢治3、廣光 ⼀郎1
1.島根⼤総合理⼯, 2.奈良先端⼤物質, 3.分⼦研光分⼦科学
Oral
3/20(⽇) 17:45 18:00 20p-W351-15 C000499
ホルムアミジニウム系ペロブスカイト半導体の光励起レーザー発振
〇佐々⽊ 史雄1、Nguyen Van-Cao2、柳 久雄2
1.産総研電⼦光技術, 2.奈良先端⼤物質
Oral
3/21(⽉)
9:30
9:45
21a-W351-1
C002454
DNA複合体にドープしたヘミシアニン⾊素の光学特性および波⻑可変レーザ発振
〇(M1)鈴⽊ 優稀1、川辺 豊1
1.千歳科技⼤
12.3
Oral
3/21(⽉)
9:45
10:00
21a-W351-2
C000552
ポリビニルカルバゾールサブミクロンファイバの光導波特性評価
〇⽯井 佑弥1、⾥園 翔太1、⼤森 啓翔1、福⽥ 光男1
1.豊技⼤
12
12.3
Oral
3/21(⽉) 10:00 10:15
21a-W351-3
C003379
Si3N4 / EOポリマーMZI変調器
〇佐藤 洸1、⽯野 雅章1、⼭本 和広1, 2、横⼭ ⼠吉1, 2
1.九⼤総理⼯, 2.九⼤先導研
12
12.3
Oral
3/21(⽉) 10:15 10:30
21a-W351-4
C003210
銀ナノ粒⼦－キナクリドン複合フィルムの負性抵抗
〇藤野 正家1、増⽥ 雄貴1、⽯関 悠希1、アイヴィー ホー ワン リン1
1.群⾺⾼専
12
12.3
Oral
3/21(⽉) 10:30 10:45
21a-W351-5
C003172
銀ナノ粒⼦-酸化チタンハイブリッドフィルムの光電導 (2)
〇⼭崎 健輝1、⽯⽥ 拓⾺1、武者 拓⼈1、藤野 正家1、⽚桐 裕則2、河村 剛3、松⽥ 厚範3
1.群⾺⾼専, 2.⻑岡⾼専, 3.豊橋技科⼤
12
12.3
Oral
3/21(⽉) 10:45 11:00
12
12.3
Oral
3/21(⽉) 11:00 11:15
21a-W351-6
C002681
⼀回のホログラフィック露光で作製した⾼分⼦分散液晶による偏光制御型の波⻑切換え素⼦
〇垣内⽥ 洋1、荻原 昭⽂2
1.産総研, 2.神⼾⾼専
12
12.3
Oral
3/21(⽉) 11:15 11:30
21a-W351-7
C002521
光架橋性⾼分⼦液晶を⽤いたファブリペロ構造を有する偏光回折格⼦の回折特性制御
〇⼭⼝ 春樹1、河合 孝太郎1、坂本 盛嗣1、野⽥ 浩平1、佐々⽊ 友之1、川⽉ 喜弘2、⼩野 浩司1
1.⻑岡技科⼤, 2.兵庫県⽴⼤
12
12.3
Oral
3/21(⽉) 11:30 11:45
21a-W351-8
C001922
ガルバノ描画法による多値異⽅性回折素⼦の形成
〇野⽥ 浩平1、河合 孝太郎1、坂本 盛嗣1、佐々⽊ 友之1、川⽉ 喜弘2、⼩野 浩司1
1.⻑岡技⼤, 2.兵庫県⽴⼤
1.筑波⼤院数理物質, 2.Duisburg-Essen ⼤学, 3.物質材料機構, 4.CREST-JST
休憩/Break
2016年春季講演会(東⼯⼤⼤岡⼭キャンパス)プログラム
⼤分類 中分類
形式
講演⽇
開始
終了
【1⽉28⽇(⽊)更新】暫定版からの更新箇所は⾚字になっております。
講演番号
受付番号
21a-W351-9
C002751
奨励賞 英語 招待
12
12.3
Oral
3/21(⽉) 11:45 12:00
12
12.3
Oral
3/21(⽉) 12:00 12:15 21a-W351-10 C001661
12
12.3
Oral
3/21(⽉) 13:45 14:00
21p-W351-1
I000120
12
12.3
Oral
3/21(⽉) 14:00 14:15
21p-W351-2
C000294
奨
12
12.3
Oral
3/21(⽉) 14:15 14:30
21p-W351-3
C001487
奨
12
12.3
Oral
3/21(⽉) 14:30 14:45
21p-W351-4
C002856
12
12.3
Oral
3/21(⽉) 14:45 15:00
21p-W351-5
C000293
12
12.3
Oral
3/21(⽉) 15:00 15:15
21p-W351-6
C001773
12
12.3
Oral
3/21(⽉) 15:15 15:30
21p-W351-7
C003456
12
12.3
Oral
3/21(⽉) 15:30 15:45
21p-W351-8
C003282
12
12.3
Oral
3/21(⽉) 15:45 16:00
12
12.3
Oral
3/21(⽉) 16:00 16:15
12
12.3
Oral
3/21(⽉) 16:15 16:30 21p-W351-10 C003217
12
12.3
Oral
3/21(⽉) 16:30 16:45 21p-W351-11 C000425
奨
12
12.3
Oral
3/21(⽉) 16:45 17:00 21p-W351-12 C003113
奨
12
12.3
Oral
3/21(⽉) 17:00 17:15 21p-W351-13 C001878
12
12.3
Oral
3/21(⽉) 17:15 17:30 21p-W351-14 C000295
12
12.3
Oral
3/21(⽉) 17:30 17:45 21p-W351-15 C000826
12
12.3
Oral
12
12.3
Oral
12
12.3
12
12.3
12
12.3
27 / 52 ページ
※会場、時間が変更になった場合は該当の⽅にご連絡いたします。
講演タイトル
著者
所属機関
光架橋性⾼分⼦液晶を⽤いて作製されたキラル分⼦添加回折格⼦液晶セルの回折特性制御
〇志村 礼1、河合 孝太郎1、坂本 盛嗣1、野⽥ 浩平1、佐々⽊ 友之1、川⽉ 喜弘2、⼩野 浩司1
1.⻑岡技科⼤, 2.兵庫県⽴⼤
DNA添加液晶のCDスペクトル測定
〇杉崎 ⼀⽣1
1.東理⼤基礎⼯
〇⼭岸 健⼈1、藤枝 俊宣1, 2、武岡 真司1
1.早⼤院先進理⼯, 2.JSTさきがけ
伸縮性導電性⾼分⼦を電極に⽤いたフレキシブルセンサの作製
〇(B)近藤 貴弘1、佐藤 正樹1、奥崎 秀典1
1.⼭梨⼤院
薄膜PDMSラベルを⽤いた湾曲フィルム基板のひずみ解析
〇福原 素之1、⾚松 範久1、⼩池 泰徳1、藤川 茂紀1, 2、宍⼾ 厚1, 3
1.東⼯⼤資源研, 2.九⼤WPI-I2CNER, 3.JSTさきがけ
奨
薄膜グラファイトを⽤いたウェアラブル歪センサによる楽器演奏モニタリング
〇齋藤 孝成1、⽊原 裕介1、⽩樫 淳⼀1
1.東京農⼯⼤院⼯
奨
導電性⾼分⼦を電極に⽤いたフレキシブルスーパーキャパシタ
〇(B)斎藤 春樹1、⽵澤 裕美1、奥崎 秀典1
1.⼭梨⼤院
低電圧駆動アクティブ型有機圧⼒センサの開発
〇辻 裕司1、酒井 平祐1、村⽥ 英幸1
1.北陸先端⼤マテリアル
エレクトレット-有機半導体感圧デバイスの作製と性能評価
〇⼩笹 健仁1、延島 ⼤樹1、栗原 ⼀徳1、植村 聖1、吉⽥ 学1
1.産総研FLEC
エレクトロスピニング法で作製した不織ファイバー膜の圧電的挙動の発現
〇延島 ⼤樹1、⽯井 佑弥2、酒井 平祐3、吉⽥ 学1、植村 聖1
1.産総研FLEC, 2.豊技⼤, 3.北陸先端⼤
招
奨
「講演奨励賞受賞記念講演」（15分）
導電性⾼分⼦ナノシートの開発と⽣体電極への応⽤
休憩/Break
21p-W351-9
I000146
招
「講演奨励賞受賞記念講演」（15分）
〇伊藤 光洋1、⼩泉 拓也1、阿部 ⻯1、⼩島 広孝1、中村 雅⼀1
1.奈良先端⼤
〇成⽥ 光1、下村 武史1
1.農⼯⼤院⼯
有機強誘電体の分極を利⽤したカーボンナノチューブのゼーベック係数制御
〇堀家 匠平1、⼩柴 康⼦1、三崎 雅裕1、斎藤 毅2、⽯⽥ 謙司1
1.神⼾⼤院⼯, 2.産総研
1,1ʻ-Bis(diphenylphosphino)ferroceneを内包したN型単層カーボンナノチューブの熱電特性
〇飯原 友1
1.奈良先端⼤
奨
溶液中のおける浮遊⽣体物質の形状分布解析法に基づくナノバイオセンサーの開発
〇⿓崎 奏1、筒井 真楠2、安井 隆雄3、横⽥ ⼀道2、⽟⽥ 薫1、⾺場 嘉信3、⾕⼝ 正輝2
1.九⼤先導研, 2.阪⼤産研, 3.名⼤⼯学
奨
酸処理によるPEDOT/PSSの構造変化と⾼導電化
〇(B)野⽥ ⾶⿃1、堀井 ⾠衛1、奥崎 秀典1
1.⼭梨⼤院
奨
ポリフェニレンビニレン誘導体へのp型およびn型ドーピング
〇(M2)崎⼭ 晋1、⼩村 拓也1、⽔⾕ 直貴2、藤⽥ 克也1, 2
1.九⼤総理⼯, 2.九⼤先導研
3/21(⽉) 17:45 18:00 21p-W351-16 C001817
曲⾯含窒素π共役分⼦の合成とフラーレン包摂挙動
〇廣⼾ 聡1、横井 寛⽣1、酒巻 ⼤輔2、関 修平2、忍久保 洋1
1.名⼤院⼯, 2.京⼤院⼯
3/22(⽕)
9:00
9:15
22a-W351-1
C002837
ポリチオフェン誘導体のナノファイバー形成メカニズムのシミュレーション
〇伊藤 ⼤樹1、三浦 俊明2、下村 武史1
1.農⼯⼤院⼯, 2.産総研
Oral
3/22(⽕)
9:15
9:30
22a-W351-2
C002542
導電性⾼分⼦薄膜の分⼦配向構造の深さ⽅向解析
⽔野 佑1、⼤野 慶太1、原 光⽣1、〇永野 修作2、⼭本 勝宏3、関 隆広1
1.名⼤院⼯, 2.名⼤BVL, 3.名⼯⼤院⼯
Oral
3/22(⽕)
9:30
9:45
22a-W351-3
C003005
フラーレン含有ポリマーのメモリ動作メカニズム
〇中島 安理1、藤井 ⼤樹1
1.広島⼤学ナノデバイス・バイオ融合科学研
Oral
3/22(⽕)
9:45
10:00
22a-W351-4
C002891
低抵抗多孔質電極によるエレクトロクロミック表⽰素⼦の⾼速応答化
〇渡邉 雄⼀1、末森 浩司1、星野 聰1
1.産総研 FLEC
22a-W351-5
C001635
電気光学⾊素の超分極率及び吸収スペクトルに及ぼすチエニルジビニレンπ共役系部位についたエチレンジオキシの効果
〇⼭⽥ 俊樹1、⻘⽊ 勲1、⼭⽥ 千由美1、⼤友 明1
1.情通機構
12
12.3
Oral
3/22(⽕) 10:00 10:15
12
12.3
Oral
3/22(⽕) 10:15 10:30
縞状ドーピングされたCNT紡績⽷による熱電布の作製
P3HTナノファイバーの配向制御と熱電変換特性
休憩/Break
招
「有機分⼦・バイオエレクトロニクス分科内招待」（30分）
12
12.3
Oral
3/22(⽕) 10:30 11:00
22a-W351-6
I000077
12
12.3
Oral
3/22(⽕) 11:00 11:15
22a-W351-7
C001574
交流駆動型⼆重絶縁有機ELの発光特性評価
〇畠⽥ 貴⽂1、藤⽥ 克彦1, 2
1.九州⼤総理⼯, 2.九州⼤先導研
12
12.3
Oral
3/22(⽕) 11:15 11:30
22a-W351-8
C001652
有機超酸処理による単層MoS2の100%近いフォトルミネッセンス量⼦収率化
〇Kiriya Daisuke1、Amani Matin1、Lien Der-Hsien1、Javey Ali1
1.UC Berkeley
12
12.3
Oral
3/22(⽕) 11:30 11:45
22a-W351-9
C001052
酸化物半導体回折格⼦上の有機半導体結晶からの発光
北澤 武範1、〇⼭雄 健史1、堀⽥ 収1
1.京⼯繊⼤材料化学
12
12.3
Oral
3/22(⽕) 11:45 12:00 22a-W351-10 C002920
有機ナノファイバーコンポジットフィルムの半導体特性
〇⼋⽊ 杜仁1、下村 武史1
1.農⼯⼤院⼯
12
12.4
Poster
3/19(⼟)
9:30
11:30
19a-P4-1
C002095
カルボニル架橋ビチアゾール⾻格を含むn型半導体材料を⽤いた有機CMOSインバータ
〇⼆⾕ 真司1、家 裕隆1、Cedric Rolin2、Paul Heremans2、安蘇 芳雄1
1.阪⼤産研, 2.imec
12
12.4
Poster
3/19(⼟)
9:30
11:30
19a-P4-2
C001267
背⾯露光法を利⽤して作製した表⾯処理電極を有するペンタセン薄膜トランジスタ
〇⾼橋 ⼀1、花房 佑樹1、北村 雅季1, 2
1.神⼾⼤⼯, 2.東⼤ナノ量⼦機構
12
12.4
Poster
3/19(⼟)
9:30
11:30
19a-P4-3
C001296
ポリシルセスキオキサンゲート絶縁膜の表⾯処理によるペンタセン薄膜トランジスタのキャリア移動度向上
〇道浦 ⼤祐1、中原 佳夫1、宇野 和⾏1、⽥中 ⼀郎1
1.和歌⼭⼤システム⼯
12
12.4
Poster
3/19(⼟)
9:30
11:30
19a-P4-4
C002191
ゲート絶縁膜に窒化処理を施した有機トランジスタの作製と評価
〇中尾 弘樹1、岩崎 好孝1、上野 智雄1
1.農⼯⼤院⼯
12
12.4
Poster
3/19(⼟)
9:30
11:30
19a-P4-5
C002327
分⼦量制御された有機半導体単結晶/PMMA薄膜間の相分離界⾯におけるキャリア伝導
〇牧⽥ ⿓幸1、岸 柾之2、安中 ⾠朗2、佐々⽊ 真理2、松井 弘之1, 2、三津井 親彦2、早川 晃鏡3, 4、岡本 敏宏1, 2, 4、⽵⾕ 純⼀1, 2, 5
12
12.4
Poster
3/19(⼟)
9:30
11:30
19a-P4-6
C002434
TIPS pentacene/PMMAブレンド溶液を⽤いた静電スプレー堆積法による有機トランジスタの作製
〇(M2)原 和寛1、⼩野島 紀夫1
1.⼭梨⼤学
12
12.4
Poster
3/19(⼟)
9:30
11:30
19a-P4-7
C001325
コロイダルナノドット単粒⼦膜をフローティングゲート層に⽤いた有機メモリトランジスタ
〇中野 史掘1、阪川 秀紀1、宇野 和⾏1、⽥中 ⼀郎1
1.和歌⼭⼤システム⼯
12
12.4
Poster
3/19(⼟)
9:30
11:30
19a-P4-8
C002819
ボトムコンタクト型フラーレンC60トランジスタの電極表⾯処理効果
〇花房 佑樹1、髙橋 ⼀1、北村 雅季1, 2
1.神⼾⼤⼯, 2.東⼤ナノ量⼦機構
12
12.4
Poster
3/19(⼟)
9:30
11:30
19a-P4-9
C001060
ウェットプロセスを⽤いた有機Dフリップフロップの作製
〇境 駿希1、松井 弘之1、⽥中 秀幸1、⽵⾕ 純⼀1, 2
1.東⼤新領域, 2.パイクリスタル
12
12.4
Poster
3/19(⼟)
9:30
11:30
19a-P4-10
C002326
塗布型トップゲート有機トランジスタメモリの作製と評価
〇塩野 郁弥1、永瀬 隆1, 2、⼩林 隆史1, 2、内藤 裕義1, 2
1.⼤阪府⼤, 2.⼤阪府⼤分⼦エレクトロニックデバイス研
12
12.4
Poster
3/19(⼟)
9:30
11:30
19a-P4-11
C003755
⾦ナノ粒⼦ポリマー抵抗メモリのパルス電圧による抵抗変化
〇(M2)野⽥ 悠太1
1.九州⼤学総合理⼯学府量⼦プロセス理⼯学専攻
12
12.4
Poster
3/19(⼟)
9:30
11:30
19a-P4-12
C002402
アクリダンおよびトリアジン⾻格を有するTADF材料を⽤いた⾼効率塗布型OLEDおよび⾼効率塗布型ホストフリーOLEDの開発
〇和⽥ 啓幹1、志津 功將1、久保 勝誠1、福島 達也1、鈴⽊ 克明1、三輪 卓也1、⽥中 啓之2、安達 千波⽮2, 3、梶 弘典1
1.京⼤化研, 2.九⼤OPERA, 3.JST-ERATO
12
12.4
Poster
3/19(⼟)
9:30
11:30
19a-P4-13
C002153
緑⾊りん光性シクロメタル化⽩⾦錯体(II)のPLおよびEL特性
〇櫻井 芳昭1、⼋⽊ 繁幸2、Qiang Chen2、重広 ⿓⽮2、前⽥ 壮志2、中澄 博⾏2
12
12.4
Poster
3/19(⼟)
9:30
11:30
19a-P4-14
C000319
ベンゾジチオフェンダイマー誘導体を⽤いた有機薄膜トランジスタ
〇⼭下 真由⼦1、福村 光平1、後藤 扶美⼦1、⼤須賀 秀次1、宇野 和⾏1、⽥中 ⼀郎1
1.和歌⼭⼤システム⼯
12
12.4
Poster
3/19(⼟)
9:30
11:30
19a-P4-15
C000765
DBTTT⾻格の開発と有機単結晶トランジスタの特性評価
〇(M1)⼩野塚 智也1、筒井 雅宜2、岡本 ⼀男2、功⼑ 義⼈1
1.東海⼤院⼯, 2.ウシオケミックス(株)
12
12.4
Poster
3/19(⼟)
9:30
11:30
19a-P4-16
C001616
可溶性側鎖を有するアントラジチオフェン系ポリマーの開発と有機電界効果トランジスタへの応⽤
〇(D)兵頭 恵太1、森 裕樹1、⻄原 康師1
1.岡⼭⼤院⾃然
12
12.4
Poster
3/19(⼟)
9:30
11:30
19a-P4-17
C001633
対称・⾮対称型BTBT誘導体を⽤いた有機トランジスタ
〇東野 寿樹1、上⽥ 顕1、森 初果1
1.東⼤物性研
12
12.4
Poster
3/19(⼟)
9:30
11:30
19a-P4-18
C002950
ヘテロ環式イソインジゴ類縁体を⽤いた有機電界効果トランジスタ
〇劉 東昊1、増⽥ 直彰1、芦沢 実1、川本 正1、松本 英俊1、森 健彦1
1.東⼯⼤院理⼯
12
12.4
Poster
3/19(⼟)
9:30
11:30
19a-P4-19
C000718
インピーダンス分光による逆構造有機発光ダイオードの電荷移動度評価
〇⾼⽥ 誠1、永瀬 隆1, 2、⼩林 隆史1, 2、内藤 裕義1, 2
1.⼤阪府⽴⼤, 2.⼤阪府⽴⼤分⼦エレクトロニックデバイス研
12
12.4
Poster
3/19(⼟)
9:30
11:30
19a-P4-20
C000721
逆構造有機発光ダイオードの電⼦注⼊過程
〇⾼⽥ 誠1、永瀬 隆1, 2、⼩林 隆史1, 2、内藤 裕義1, 2
1.⼤阪府⽴⼤, 2.⼤阪府⽴⼤分⼦エレクトロニックデバイス研
12
12.4
Poster
3/19(⼟)
9:30
11:30
19a-P4-21
C001630
極薄酸化物ナノシートを電⼦注⼊層として⽤いた反転型⾼分⼦EL素⼦
〇⻑⾕部 ⼤知1、伊東 栄次1、福⽥ 勝利2、森⽥ 将史2
1.信州⼤学⼯, 2.京都⼤学
12
12.4
Poster
3/19(⼟)
9:30
11:30
19a-P4-22
C000397
⾦属酸化物を陰極とした有機発光ダイオード構造を⽤いたTADF材料の輸送特性評価
〇⻑⾕川 純也1、髙⽥ 誠1、末永 悠1、⼩林 隆史1, 2、永瀬 隆1, 2、安達 千波⽮3, 4、内藤 裕義1, 2
1.⼤府⼤⼯, 2.⼤阪府⽴⼤分⼦エレクトロニックデバイス研, 3.九⼤OPERA, 4.九⼤JST-ERATO
12
12.4
Poster
3/19(⼟)
9:30
11:30
19a-P4-23
C000576
ユビキタス元素による逆構造有機発光ダイオードの作製と評価
〇⽯原⼝ 賢太1、永瀬 隆1, 2、⼩林 隆史1, 2、内藤 裕義1, 2
1.⼤阪府⽴⼤, 2.⼤阪府⽴⼤分⼦エレクトロニックデバイス研
12
12.4
Poster
3/19(⼟)
9:30
11:30
19a-P4-24
C000976
有機ペロブスカイト層を電⼦輸送層として利⽤した逆構造型有機EL素⼦の作製
〇(M1)坂井⽥ 雅⼈1、伊藤 巧1、⽯⿊ 雄⼤1、森 ⻯雄1
1.愛知⼯⼤
12
12.4
Poster
3/19(⼟)
9:30
11:30
19a-P4-25
C003020
蛍光顕微イメージングによるペンタセンFETにおける電荷分布評価
〇間中 孝彰1、岩本 光正1
1.東⼯⼤院理⼯
12
12.4
Poster
3/19(⼟)
9:30
11:30
19a-P4-26
C003180
Gate-bias and temperature dependent characteristics in organic thin-film transistors with MoO3/Au electrode structure
〇BINTI SHAARI SAFIZAN1, Shigeki Naka1, Hiroyuki Okada1
1.Univ. of Toyama
12
12.4
Poster
3/19(⼟)
9:30
11:30
19a-P4-27
C003604
縦型有機トランジスタにおけるゲート構造の解析
〇⼩林 ⼼1、⼤橋 昇1、上野 純平1、杉⼭ 睦2、⼯藤 ⼀浩3、渡邊 康之1
1.諏訪東京理科⼤⼯, 2.東京理科⼤理⼯, 3.千葉⼤院⼯
12
12.4
Poster
3/19(⼟)
9:30
11:30
19a-P4-28
C002143
原⼦間⼒顕微鏡ポテンションメトリによるアセン類単結晶トランジスタの動作時電位分布測定
〇⽯⾙ 創1、中嶋 識之1、松原 亮介2、⼩島 広孝1、中村 雅⼀1
1.奈良先端⼤, 2.静⼤院⼯
12
12.4
Poster
3/19(⼟)
9:30
11:30
19a-P4-29
C003501
ラミネート法による半透明有機EL素⼦の電⼦注⼊層厚依存性
⻄岡 ⾣樹1、〇中 茂樹1、岡⽥ 裕之1
1.富⼭⼤⼯
12
12.4
Poster
3/19(⼟)
9:30
11:30
19a-P4-30
C003003
トップエミッション型有機EL素⼦向け新規Al合⾦アノード電極
〇⻄⼭ 功兵1、越智 元隆1、釘宮 敏洋1、⾦丸 守賀2
1.神⼾製鋼所, 2.コベルコ科研
12
12.4
Poster
3/19(⼟)
9:30
11:30
19a-P4-31
C000734
Auナノクラスターの発光特性と発光電気化学セルへの適⽤
〇(M1)瀧澤 ⼤介1、⻄出 宏之1、錦⾕ 禎範1、内⽥ 聡⼀2、魯 玥2、⻄村 涼2
1.早⼤理⼯, 2.JXエネルギー(株)
E
12
12.4
Oral
3/20(⽇) 13:45 14:00
20p-W521-1
I000147
招
12
12.4
Oral
3/20(⽇) 14:00 14:15
20p-W521-2
C002526
奨
12
12.4
Oral
3/20(⽇) 14:15 14:30
20p-W521-3
C002549
奨
12
12.4
Oral
3/20(⽇) 14:30 14:45
20p-W521-4
C001898
奨
12
12.4
Oral
3/20(⽇) 14:45 15:00
20p-W521-5
C001671
20p-W521-6
C002643
マイクロ流体技術のマルチカラー有機発光デバイスへの応⽤
「講演奨励賞受賞記念講演」（15分）
有機EL⾮晶質膜中の分⼦配向の成膜条件依存性とその直接的簡易評価
Monte Carlo シミュレーションによる⾮晶質有機膜内の電荷輸送解析
E
笠原 崇史1、⼩林 直史1、江⾯ 知彦2、⽯松 亮⼀3、⼤島 寿郎4、津脇 美帆1、桑江 博之1、今任 稔彦3、庄⼦ 習⼀1、安達 千波⽮3、〇⽔野 潤1
1.早⼤, 2.SHUTECH, 3.九⼤, 4.⽇産化学⼯業
1.東⼤⼯, 2.東⼤院新領域, 3.東⼯⼤院理⼯, 4.JSTさきがけ, 5.パイクリスタル
1.産技研, 2.府⼤院⼯
〇酒井 義也1、福⽥ 瑞⾹2、柴⽥ 真希2、横⼭ ⼤輔1, 2, 3
1.⼭形⼤⼯, 2.⼭形⼤院理⼯, 3.⼭形⼤有機エレクトロニクス研究センター
〇浦⾕ 浩輝1、志津 功將1、鈴⽊ 不律1、福島 達也1、梶 弘典1
1.京⼤化研
分⼦内・分⼦間⽔素結合を利⽤した⽔平配向性ビピリジン誘導体電⼦輸送材料の開発
〇(D)渡邊 雄⼀郎1、笹部 久宏1, 2、⼤久 哲1, 2、⼩⾦澤 智之3、⽚桐 洋史1, 2、横⼭ ⼤輔1, 2、城⼾ 淳⼆1, 2
1.⼭形⼤院理⼯, 2.⼭形⼤有機エレ研セ, 3.⾼輝度光化学研究セ
Horizontal molecular orientation in solution-processed glassy organic thin films based on oligofluorene derivatives
〇(D)Li Zhao1, Takeshi Komino1, 2, 3, Munetomo Inoue1, Ju-Hyung Kim1, Jean-Charles Ribierre1, 3, Chihaya Adachi1, 2, 3
1.OPERA, Kyushu University, 2.Education Center for Global Leaders in Molecular System for Devices, Kyushu University, 3.ERATO, JST
極低温励起状態挙動による蒸着膜とスピンコート膜の膜質評価
〇硯⾥ 善幸1、⽴花 宏2、井上 晴夫2
1.⼭形⼤学有機イノベ, 2.⾸都⼤院都市環境
塗布性膜可能な⾦属酸化物ホール注⼊層による有機EL素⼦の⻑寿命化
〇(M2)各務 彰1、⼤久 哲1、夫 勇進1、千葉 貴之1、城⼾ 淳⼆1
1.⼭形⼤院理⼯
12
12.4
Oral
3/20(⽇) 15:00 15:15
12
12.4
Oral
3/20(⽇) 15:15 15:30
12
12.4
Oral
3/20(⽇) 15:30 15:45
20p-W521-7
C000807
〇⼤⼭ 詩歩1、久保 友明2、杉本 和則2、吉岡 俊博2、⼤畑 浩2、宮⼝ 敏2、筒井 哲夫2、酒井 平祐1、村⽥ 英幸1
1.北陸先端⼤マテリアル, 2.CEREBA
12
12.4
Oral
3/20(⽇) 15:45 16:00
20p-W521-8
C001754
電界誘起光第2次⾼調波法による２層積層有機EL（IZO/a-NPD/Alq3/Al）素⼦の⻑時間駆動による破壊前駆現象としての電荷蓄積現象の測定
〇⽥⼝ ⼤1、間中 孝彰1、岩本 光正1
1.東⼯⼤
12
12.4
Oral
3/20(⽇) 16:00 16:15
20p-W521-9
C003109
奨
塗布型⽩⾊リン光マルチフォトンエミッション有機EL素⼦
〇千葉 貴之1、引地 達也1、夫 勇進1、城⼾ 淳⼆1
1.⼭形⼤院理⼯
3/20(⽇) 16:15 16:30 20p-W521-10 C001385
奨
12
12.4
Oral
休憩/Break
定常光および時間分解PL分光法によるりん光有機EL素⼦の劣化機構解析
Mg-Au合⾦陰極による有機EL素⼦の⼤気安定性の向上
〇(M1)新井 啓⽮1、中野⾕ ⼀1, 2、森本 京1, 2、安達 千波⽮1, 2
1.九⼤ OPERA, 2.JST ERATO
12
12.4
Oral
3/20(⽇) 16:30 16:45 20p-W521-11 C002563
ビアントラセン分⼦による、遅延蛍光を⽰さない蛍光有機EL素⼦
〇夫 勇進1, 2、佐⽵ 麗1、⼤友 崇裕1、林 ⾥⾹3、佐藤 徹3, 4、佐藤 啓⽂3, 4、⽚桐 洋史1、笹部 久宏1、城⼾ 淳⼆1
1.⼭形⼤院理⼯, 2.JSTさきがけ, 3.京⼤院⼯, 4.京⼤ESICB
12
12.4
Oral
3/20(⽇) 16:45 17:00
休憩/Break
12
12.4
Oral
3/20(⽇) 17:00 17:15 20p-W521-12 C000774
電荷移動励起状態を持つTADF材料における⾼次三重項励起状態の影響
〇⻑⾕⼭ 翔太1、⾼⽊ 絢⽣1、丹⽻ 顕嗣1、⼩林 隆史1, 2、永瀬 隆1, 2、合志 憲⼀3, 4、安達 千波⽮3, 4、内藤 裕義1, 2
1.⼤阪府⼤⼯, 2.⼤阪府⼤RIMED, 3.九⼤OPERA, 4.九⼤JST-ERATO
12
12.4
Oral
3/20(⽇) 17:15 17:30 20p-W521-13 C000330
スカイブルー発光TADF材料2CzPNにおける光誘導吸収測定
〇丹⽻ 顕嗣1、⻑⾕⼭ 翔太1、⾼⽊ 絢⽣1、⼩林 隆史1, 2、永瀬 隆1, 2、合志 憲⼀3, 4、安達 千波⽮3, 4、内藤 裕義1, 2
12
12.4
Oral
3/20(⽇) 17:30 17:45 20p-W521-14 C002045
三配位ホウ素⾻格に基づいた熱活性化遅延蛍光材料の開発
〇鈴⽊ 克明1、久保 勝誠1、志津 功將1、福島 達也1、若宮 淳志1、村⽥ 靖次郎1、安達 千波⽮2, 3、梶 弘典1
1.京⼤化研, 2.九⼤ OPERA, 3.九⼤ ERATO
12
12.4
Oral
3/20(⽇) 17:45 18:00 20p-W521-15 C002632
外部量⼦効率25%を実現する⽔⾊熱活性化遅延蛍光有機ELデバイスの開発
〇(D)⼩松 ⿓太郎1、笹部 久宏1, 2、清野 雄基1、中尾 晃平1、城⼾ 淳⼆1, 2
1.⼭形⼤院理⼯, 2.⼭形⼤有機エレ研セ
12
12.4
Oral
3/20(⽇) 18:00 18:15 20p-W521-16 C003363
12
12.4
Oral
3/21(⽉)
9:30
9:45
21a-W521-1
C000957
ドナー・アクセプタ型フルオレン系共役⾼分⼦を⽤いた積層型⾼分⼦発光トランジスタからの多⾊発光とキャリア伝導
〇梶井 博武1、⼤友 隆弘1、尾﨑 雅則1、⼤森 裕1
1.阪⼤⼯
12
12.4
Oral
3/21(⽉)
9:45
10:00
21a-W521-2
C001142
E
Quasi Continuous-wave Lasing in Organic Thin-film Distributed Feedback systems
〇(P)SANGARANGE DONATULA SANDANAYAKA1, 2, Toshinori Matsushima1, 2, Chihaya Adachi1, 2
1.OPERA Kyushu Univ. for Center for Organic Photonics and Electronics Research Kyushu University, 2.JST ERATO
12
12.4
Oral
3/21(⽉) 10:00 10:15
21a-W521-3
C001923
E
Quasi-continuous-wave lasing in a solvent-free liquid molecular semiconductor
12
12.4
Oral
3/21(⽉) 10:15 10:30
21a-W521-4
C001236
奨
炭素・⽔素・窒素のみからなる新規緑⾊発光材料を⽤いた外部量⼦効率40%を超える有機ELデバイス
⾼分⼦LECによる有機半導体レーザーへの挑戦︓サブマイクロ秒パルス駆動による三重項問題の解決
〇福島 達也1、志津 功將1、鈴⽊ 克明1、久保 勝誠1、鈴⽊ 不律1、⼩簑 剛2、安達 千波⽮2, 3、梶 弘典1
〇JeanCharles Ribierre1, 2, Atula S.D. Sandanayaka1, 2, Ju-Hyung Kim3, Delphine Pitrat4, Li Zhao1, Toshinori Matsushima1, 2, Chantal
Andraud4, Chihaya Adachi1, 2
伊藤 瞭太1、〇坂上 知1、⽵延 ⼤志1, 2
1.⼤阪府⼤⼯, 2.⼤阪府⼤RIMED, 3.九⼤OPERA, 4.九⼤JST-ERATO
1.京⼤化研, 2.九⼤OPERA, 3.JST-ERATO
1.OPERA, Kyushu Univ., 2.JST ERATO, 3.Pukyong Univ., 4.ENS Lyon
1.早⼤理⼯, 2.早⼤材研
2016年春季講演会(東⼯⼤⼤岡⼭キャンパス)プログラム
⼤分類 中分類
12
12.4
形式
Oral
講演⽇
開始
終了
【1⽉28⽇(⽊)更新】暫定版からの更新箇所は⾚字になっております。
講演番号
受付番号
奨励賞 英語 招待
28 / 52 ページ
※会場、時間が変更になった場合は該当の⽅にご連絡いたします。
講演タイトル
著者
所属機関
3/21(⽉) 10:30 10:45
21a-W521-5
C001515
ポリフルオレン誘導体及びイオン性Ir錯体を⽤いた⽩⾊発光電気化学セル(LEC)の発光特性
〇須賀 甲太郎1、⻄出 宏之1、錦⾕ 禎範1、内⽥ 聡⼀2、⻄村 涼2
1.早⼤理⼯, 2.JXエネルギー(株)
12
12.4
Oral
3/21(⽉) 10:45 11:00
21a-W521-6
C002195
変位電流評価法を⽤いた電気化学発光セルの動作機構解析
〇野⼝ 裕1、佐野 早紀1
1.明治⼤理⼯
12
12.4
Oral
3/21(⽉) 11:00 11:15
12
12.4
Oral
3/21(⽉) 11:15 11:30
21a-W521-7
C000288
減圧加熱処理による逆型量⼦ドットLEDの駆動電圧低減
〇(M1)菱沼 賢智1、福⽥ 武司1、鎌⽥ 憲彦1、牧 純也1、本多 善太郎1
1.埼⽟⼤学
12
12.4
Oral
3/21(⽉) 11:30 11:45
21a-W521-8
C002741
⾼感度光電⼦分光によるITO/PEI/Bebq2界⾯の電⼦構造の観測
〇清⽔ 康平1、深川 弘彦2、森井 克⾏3、⾦城 拓海4、佐藤 友哉4、⽯井 久夫4, 5, 6
1.千葉⼤⼯, 2.NHK技研, 3.⽇本触媒, 4.千葉⼤院融合, 5.千葉⼤先進, 6.千葉⼤MCRC
12
12.4
Oral
3/21(⽉) 11:45 12:00
21a-W521-9
C000310
Alq3を⽤いた有機発光ダイオードの劣化機構のESR研究
〇(M1)佐藤 豪1、孫 東鉉1、伊藤 泰亮1、丸本 ⼀弘1, 2
1.筑波⼤数物, 2.筑波⼤学学際セ
12
12.4
Oral
3/21(⽉) 12:00 12:15 21a-W521-10 C001885
電荷変調分光法を⽤いたAu/pentacene/ poly(vinylidene fluoride trifluoroethylene) /ITO素⼦の界⾯蓄積キャリヤのエネルギー準位評価
〇⼤塚 貴⼦1、⽥⼝ ⼤1、間中 孝彰1、岩本 光正1
1.東⼯⼤理⼯
12
12.4
Oral
3/21(⽉) 13:45 14:00
21p-W521-1
I000138
12
12.4
Oral
3/21(⽉) 14:00 14:15
21p-W521-2
C002450
ビチアゾール誘導体を⽤いた⼤気安定n型有機トランジスタ
〇飯嶋 広⼤1、Yann Le Gal2、Agathe Filatre-Furcate2、Dominique Lorcy2、東野 寿樹3、森 健彦1
1.東⼯⼤院理⼯, 2.レンヌ第⼀⼤, 3.東⼤物性研
12
12.4
Oral
3/21(⽉) 14:15 14:30
21p-W521-3
C002864
BXBX（X = S, Se）錯体を⽤いた有機電界効果トランジスタ
〇佐藤 諒之介1、堂岸 優貴1、東野 寿樹2、⾓屋 智史3、川本 正1、森 健彦1
1.東⼯⼤院理⼯, 2.東⼤物性研, 3.兵庫県⽴⼤物質理
12
12.4
Oral
3/21(⽉) 14:30 14:45
21p-W521-4
C000118
奨
⾃⼰組織化単分⼦膜を⽤いた両極性半導体のキャリア制御
〇中野 正浩1、尾坂 格1、瀧宮 和男1
1.理研
12
12.4
Oral
3/21(⽉) 14:45 15:00
21p-W521-5
C001147
奨
チアジアゾロキノキサリンイミド⾻格を有する⼤気安定n型半導体ポリマーの合成とキャリア輸送特性
〇(M2)⻑⾕川 司1、芦沢 実1、⻘柳 晃太朗1、川内 進1、松本 英俊1
1.東⼯⼤院理⼯
12
12.4
Oral
3/21(⽉) 15:00 15:15
21p-W521-6
C003708
奨
ラミネーションコンタクト電極を⽤いたa-(BEDT-TTF)2I3微細結晶によるFETの作製
〇後藤 ⼤河1、多⽥ 裕作2、酒井 正俊2、岡⽥ 悠悟2, 3、⼭内 博1、⼯藤 ⼀浩2
1.千葉⼤⼯, 2.千葉⼤院⼯, 3.千葉⼤先進科学センター
12
12.4
Oral
3/21(⽉) 15:15 15:30
12
12.4
Oral
3/21(⽉) 15:30 15:45
21p-W521-7
C001521
奨
2分⼦層有機半導体単結晶膜による低接触抵抗トランジスタ
〇(M1)⼭村 祥史1、Hausermann Roger1、松井 弘之1、三津井 親彦1、岡本 敏宏1, 2、⽵⾕ 純⼀1, 3
12
12.4
Oral
3/21(⽉) 15:45 16:00
21p-W521-8
C003411
奨
混合系有機半導体を⽤いた印刷銅電極有機TFTの⾼性能化
〇松浦 陽1、乗⽥ 翔平2、福⽥ 貴3、熊⽊ ⼤介2, 4、時任 静⼠2, 4
1.⼭形⼤⼯, 2.⼭形⼤院理⼯, 3.東ソー, 4.⼭形⼤ROEL
12
12.4
Oral
3/21(⽉) 16:00 16:15
21p-W521-9
C000757
奨
印刷デュアルゲート型有機トランジスタのバイオセンサ応⽤
〇南 豪1, 2、陳 奕樸1, 2、南⽊ 創1, 2、⽵⽥ 泰典1, 2、眞野 泰誠1, 2、福⽥ 憲⼆郎3、時任 静⼠1, 2
1.⼭形⼤院理⼯, 2.⼭形⼤ROEL, 3.理研
12
12.4
Oral
3/21(⽉) 16:15 16:30 21p-W521-10 C001202
奨
18 nm 厚みのパリレン絶縁膜を⽤いた 2 V 駆動有機トランジスタ
〇近藤 雅哉1, 2、植村 隆⽂1、松本 孝典1、荒⽊ 徹平1, 2、吉本 秀輔1, 2、関⾕ 毅1, 2
1.阪⼤産研, 2.阪⼤院⼯
12
12.4
Oral
3/21(⽉) 16:30 16:45 21p-W521-11 C002878
奨
ゲート変調イメージングによる多結晶有機薄膜トランジスタの蓄積キャリアマッピング Ⅱ
〇松岡 悟志1, 2、堤 潤也1、⼭⽥ 寿⼀1、鎌⽥ 俊英1, 2、⻑⾕川 達⽣1, 3
1.産総研, 2.筑波⼤数物, 3.東⼤⼯
12
12.4
Oral
3/21(⽉) 16:45 17:00 21p-W521-12 C000308
イオンゲル駆動両極性有機薄膜トランジスタの⾼電荷密度状態におけるESR研究
〇井⼝ 翔平1、櫻井 勇希1、藤⽥ 直⼤1、丸本 ⼀弘1, 2
1.筑波⼤数物, 2.筑波⼤学学際セ
12
12.4
Oral
3/21(⽉) 17:00 17:15
休憩/Break
12
12.4
Oral
3/21(⽉) 17:15 17:30 21p-W521-13 C002394
塗布型有機単結晶トランジスタにおけるノイズとデバイス性能の関係
〇菅原 浩剛1
1.東⼤新領域
12
12.4
Oral
3/21(⽉) 17:30 17:45 21p-W521-14 C001934
可溶性DNTT 誘導体を⽤いた塗布製膜トランジスタの⾼性能化
〇澤本 尚典1, 2、杉野 寛佳1、尾坂 格1、瀧宮 和男1
1.理研 CEMS, 2.埼⽟⼤院理⼯
12
12.4
Oral
3/21(⽉) 17:45 18:00 21p-W521-15 C003032
液晶性Ph-BTBT誘導体の側鎖構造が与える有機トランジスタ特性への効果
〇飯野 裕明1、⾅井 孝之1、半那 純⼀1
1.東⼯⼤像情報
12
12.4
Oral
3/21(⽉) 18:00 18:15 21p-W521-16 C000270
⾼移動度有機無機ペロブスカイトトランジスタ
〇松島 敏則1, 2、Sunbin Hwang1、Atula S. D. Sandanayaka1, 2、Chuanjiang Qin1, 2、藤原 隆3、安達 千波⽮1, 2
1.九⼤OPERA, 2.JST ERATO, 3.ISIT
12
12.4
Oral
3/21(⽉) 18:15 18:30 21p-W521-17 C000545
〇國井 正⽂1、飯野 裕明1、半那 純⼀1
1.東⼯⼤ 像情報
12
12.4
Oral
3/21(⽉) 18:30 18:45 21p-W521-18 C002662
Yb界⾯制御層を⽤いたルブレン薄膜のチャネル領域結晶化に関する検討
〇古⼭ 脩1、⼤⾒ 俊⼀郎1
1.東⼯⼤総理⼯
12
12.4
Oral
3/22(⽕)
9:00
9:15
22a-W521-1
C000476
トップゲート構造を有する塗布型有機電界効果トランジスタの⾼動作安定性
〇⾼⽊ 謙⼀郎1、永瀬 隆1, 2、⼩林 隆史1, 2、内藤 裕義1, 2
1.⼤阪府⼤院⼯, 2.⼤阪府⼤ 分⼦エレクトロニックデバイス研
12
12.4
Oral
3/22(⽕)
9:15
9:30
22a-W521-2
C000390
トップゲート構造による塗布型nチャネル有機トランジスタの⾼移動度化
〇末永 悠1、永瀬 隆1, 2、⼩林 隆史1, 2、内藤 裕義1, 2
1.⼤阪府⼤, 2.⼤阪府⼤分⼦エレクトロニックデバイス研
12
12.4
Oral
3/22(⽕)
9:30
9:45
22a-W521-3
C001998
プッシュコート法を⽤いた⾼移動度新規n型有機TFTの低電圧化
〇(B)⻘⽊ 峻介1, 2、栗原 ⼀徳2、垣⽥ ⼀成3、⽥中 康裕3、吉⽥ 学2、河合 武司1
1.東理⼤⼯, 2.産総研, 3.宇部興産
12
12.4
Oral
3/22(⽕)
9:45
10:00
22a-W521-4
C003055
連続的超⾳波溶融による有機薄膜トランジスタの作製
〇酒井 正俊1、佐々⽊ 達彦1、⾼ 徳幸1、岡⽥ 悠悟1、⼭内 博1、貞光 雄⼀2、品村 祥司2、⼯藤 ⼀浩1
1.千葉⼤院⼯, 2.⽇本化薬
12
12.4
Oral
3/22(⽕) 10:00 10:15
22a-W521-5
C003329
スリットコータを⽤いた塗布法による⼤⾯積有機単結晶薄膜の作成
〇五⼗川 良則1、諫早 伸明2、⼩森 真梨⼦2、宇野 真由美3, 4、⽵⾕ 純⼀2, 3, 4
1.タツモ, 2.パイクリスタル, 3.阪府産技研, 4.東⼤新領域
⽑細管現象を利⽤した微⼩溝への有機半導体インクのパターニング
休憩/Break
招
「講演奨励賞受賞記念講演」（15分）
分⼦化合物半導体によるn型薄膜トランジスタの展望
〇柴⽥ 陽⽣1、堤 潤也2、松岡 悟志2、峯廻 洋美2、荒井 俊⼈3、⻑⾕川 達⽣2, 3
1.東北⼤, 2.産総研FLEC, 3.東⼤⼯
休憩/Break
低誘電率ゲート絶縁膜を⽤いた多結晶Ph-BTBT-10
電界効果トランジスタの低電圧駆動特性
1.東⼤院新領域, 2.JST さきがけ, 3.パイクリスタル
12
12.4
Oral
3/22(⽕) 10:15 10:30
22a-W521-6
C003740
〇清⽔ 祐鷹1、⼭内 博1、岡⽥ 悠悟2、飯塚 正明3、酒井 正俊1、⼯藤 ⼀浩1
1.千葉⼤院⼯, 2.千葉⼤先進科学, 3.千葉⼤教育
12
12.4
Oral
3/22(⽕) 10:30 10:45
12
12.4
Oral
3/22(⽕) 10:45 11:00
22a-W521-7
C003135
⾃⼰組織化単分⼦絶縁膜の短時間成膜と温度依存性
〇栗原 ⼀徳1、吉⽥ 学1
1.産総研
12
12.4
Oral
3/22(⽕) 11:00 11:15
22a-W521-8
C002214
真空蒸着による不揮発性油中でのペンタセン単結晶成⻑と電場印加による単結晶の配向制御
〇⾼⼭ ⼤希1、⼩槻 賢志2、⼩幡 誠司1、⻫⽊ 幸⼀朗1, 2
1.東⼤新領域, 2.東⼤院理
12
12.4
Oral
3/22(⽕) 11:15 11:30
22a-W521-9
C002773
AuGeソース/ドレイン電極を⽤いたボトムコンタクト型ペンタセンOFETの作製
〇廣⽊ 瑞葉1、前⽥ 康貴1、⼤⾒ 俊⼀郎1
1.東⼯⼤総理⼯
12
12.4
Oral
3/22(⽕) 11:30 11:45 22a-W521-10 C003747
有機半導体Ph-BTBT-C10 ⼤⾯積層状単結晶薄膜トランジスタにおけるアクセス抵抗の影響
〇(M1)浜井 貴将1, 2、峯廻 洋美2、井上 悟3、荒井 俊⼈1、⻑⾕川 達⽣1, 2
1.東⼤物⼯, 2.産総研, 3.⽇本化薬
12
12.4
Oral
3/22(⽕) 11:45 12:00 22a-W521-11 C000307
改良型TLMによるCNT-TFTのTransfer length測定
〇殿内 規之1, 3、遠藤 浩幸1, 3、⼆瓶 史⾏1、横⽥ 知之2、染⾕ 隆夫2, 3
1.NEC, 2.東⼤⼯, 3.NanoQuine
12
12.4
Oral
3/22(⽕) 12:00 12:15 22a-W521-12 C000546
SuPR-NaP銀電極の表⾯化学修飾効果︓修飾基に応じたキャリア注⼊効率の変化と経時劣化の抑制
〇⻘島 圭佑1, 2、福原 克郎2、⼭⽥ 寿⼀2、冨樫 貴成3、栗原 正⼈3、荒井 俊⼈1、⻑⾕川 達⽣1, 2
1.東京⼤⼯, 2.産総研FLEC, 3.⼭形⼤
12
12.4
Oral
3/22(⽕) 13:15 13:30
22p-W521-1
C002280
High-k⾼分⼦絶縁膜を⽤いた塗布型低電圧駆動有機トランジスタ
〇(B)⽥代 智也1、菅野 亮1、関根 智仁1、福⽥ 憲⼆郎2、熊⽊ ⼤介1、Fabrice D. D. Santos3、宮保 淳4、時任 静⼠1
12
12.4
Oral
3/22(⽕) 13:30 13:45
22p-W521-2
C002203
有機トランジスタを⽤いた印刷1T1C型有機強誘電体メモリ
〇菅野 亮1、関根 智仁1、福⽥ 憲⼆郎2、熊⽊ ⼤介1、福⽥ 貴3、Santos Fabrice D. D.4、宮保 淳5、時任 静⼠1
12
12.4
Oral
3/22(⽕) 13:45 14:00
22p-W521-3
C001914
全塗布プロセスと有機半導体単結晶による5 V駆動強誘電メモリトランジスタ
12
12.4
Oral
3/22(⽕) 14:00 14:15
22p-W521-4
C001642
有機トランジスタを⽤いた⽣体信号増幅回路の開発
〇植村 隆⽂1、松本 孝典1、近藤 雅哉1、根津 俊⼀1、吉本 秀輔1、荒⽊ 徹平1、笹井 謙⼀2, 1、新居 知哉3, 1、森井 克⾏3、関⾕ 毅1
1.阪⼤産研, 2.パナソニック株式会社, 3.株式会社⽇本触媒
12
12.4
Oral
3/22(⽕) 14:15 14:30
22p-W521-5
C002031
フェナセン系薄膜電界効果トランジスタの論理回路応⽤
三上 隆弘1、〇江⼝ 律⼦1、下 侑⾺1、浜尾 志乃1、後藤 秀徳1、岡本 秀毅1、林 靖彦1、久保園 芳博1
1.岡⼭⼤院⾃然
3/22(⽕) 14:30 14:45
休憩/Break
〇都⽵ 康太郎1、村上 寛⼦1、境 駿希1、⼭村 祥史1、岸村 眞治1、奈幡 明⼦1、横⼭ 嵩祥2、⼤鷲 祐貴2、和知 弘3、伊東 正浩3、⼭中 茂樹3、松
井 弘之1、三津井 親彦1、岡本 敏宏1, 4、⽵⾕ 純⼀1, 5
〇⽥中 秀幸1、岸村 眞治1、⼭村 祥史1、⼤塚 貴裕1、松井 弘之1、佐々⽊ 真理1、宇野 真由美2、諫早 伸明3、横⼭ 嵩祥4、⼤鷲 祐貴4、⾕⼝ 和也
1.⼭形⼤ROEL, 2.理研, 3.Piezotech, 4.アルケマ株式会社
1.⼭形⼤ ROEL, 2.理研, 3.東ソー, 4.Piezotech, 5.アルケマ
1.東⼤新領域, 2.トッパンフォームズ, 3.EEJA, 4.JSTさきがけ, 5.パイクリスタル
12
12.4
Oral
22p-W521-6
C002052
有機単結晶CMOSによる⾼速Dフリップフロップ回路
12
12.5
Poster
3/19(⼟)
9:30
11:30
19a-P5-1
C000077
DA型⾼分⼦半導体溶液薄膜における界⾯配向形成のMD計算による検討
〇⽶⾕ 慎1、松岡 悟志1、堤 潤也1、⻑⾕川 達⽣2, 1
12
12.5
Poster
3/19(⼟)
9:30
11:30
19a-P5-2
C000587
光誘導吸収測定による全⾼分⼦型薄膜太陽電池の物性評価
〇中美 総司1、成岡 達彦1、丹⽻ 顕嗣1、永瀬 隆1, 2、⼩林 隆史1, 2、内藤 裕義1, 2, 3
12
12.5
Poster
3/19(⼟)
9:30
11:30
19a-P5-3
C001369
E
Improving the Efficiency of Plasmonic Organic Solar Cells via
〇(D)APICHAT PANGDAM1, 2, Sanong Ekasit2, Chuchaat Thammacharoen2, Chutiparn Lertvachirapaiboon1, Kazunari Shinbo1, Keizo
12
12.5
Poster
3/19(⼟)
9:30
11:30
19a-P5-4
C001375
E
Urchin-Like Gold Nanoparticles
Enhanced Performance of Polymer Solar Cells by Incorporating Metal Nanoparticles into PEDOT:PSS layer with Metallic Grating Top
Kato1, Futao Kaneko1, Akira Baba1
〇(D)Thitirat Putnin1, 2, Kontad Ounnunkad2, Chutiparn Lertvachirapaiboon1, Kazunari Shinbo1, Keizo Kato1, Futao Kaneko1, Akira
Electrode
Baba1
12
12.5
Poster
3/19(⼟)
9:30
11:30
19a-P5-5
C001437
熱変換型ドナーDPP-BPを⽤いた有機薄膜太陽電池におけるアルキル鎖⻑依存性
〇熊⾕ ⼤地1, 5、⾼橋 功太郎2、⼯藤 尚樹4、⼩⾦澤 智之6、葛原 ⼤軌2、増尾 貞弘3、⽣駒 忠昭4, 7、⼭⽥ 容⼦2、中⼭ 健⼀1, 5
12
12.5
Poster
3/19(⼟)
9:30
11:30
19a-P5-6
C001659
光変換基を持つフラーレン誘導体を⽤いたBHJ 型有機薄膜太陽電池
〇⼤和 雅樹1, 3、川ノ上 貴裕2、川尻 和⼰2、⼭⼝ 裕⼆1, 3、鈴⽊ 充朗2、⼭⽥ 容⼦2、中⼭ 健⼀1, 3
1.⼭形⼤⼯, 2.奈良先端⼤物質, 3.⼭形⼤ROEL
12
12.5
Poster
3/19(⼟)
9:30
11:30
19a-P5-7
C002567
七員環を有するフラーレン誘導体の合成と有機太陽電池への応⽤
〇中川 貴⽂1、⼩汲 佳祐2、Zhang Ying1、岡⽥ 洋史1、松尾 豊1
1.東⼤院理, 2.都産技研
12
12.5
Poster
3/19(⼟)
9:30
11:30
19a-P5-8
C000742
フッ素含有基導⼊による有機薄膜太陽電池の開放電圧制御
〇古川 晴⼀1, 2、込⼭ 英秋2, 3、安⽥ 琢麿1, 2, 3
12
12.5
Poster
3/19(⼟)
9:30
11:30
19a-P5-9
C001085
逆構造有機薄膜太陽電池の効率向上メカニズム
〇村⽥ 憲保1、⽶川 穣1、杉⼭ 拓也1、永瀬 隆1, 2、⼩林 隆史1, 2、内藤 裕義1, 2, 3
1.⼤阪府⽴⼤学, 2.⼤阪府⽴⼤学分⼦エレクトロニックデバイス研, 3.JST-CREST
12
12.5
Poster
3/19(⼟)
9:30
11:30
19a-P5-10
C000635
開放光起電⼒減衰法による有機薄膜太陽電池の電荷寿命評価― ⼆分⼦再結合の重要性 ―
〇杉⼭ 拓也1、中島 真実2、⼤下 浄治2、永瀬 隆1, 3、⼩林 隆史1, 3、内藤 裕義1, 3, 4
1.阪府⼤⼯, 2.広⼤, 3.阪府⼤分⼦エレクトロニックデバイス研, 4.JST-CREST
12
12.5
Poster
3/19(⼟)
9:30
11:30
19a-P5-11
C000317
12
12.5
Poster
3/19(⼟)
9:30
11:30
19a-P5-12
C001543
12
12.5
Poster
3/19(⼟)
9:30
11:30
19a-P5-13
12
12.5
Poster
3/19(⼟)
9:30
11:30
19a-P5-14
12
12.5
Poster
3/19(⼟)
9:30
11:30
12
12.5
Poster
3/19(⼟)
9:30
12
12.5
Poster
3/19(⼟)
9:30
12
12.5
Poster
3/19(⼟)
12
12.5
Poster
12
12.5
12
12.5
12
12
奨
奨
E
Surface potential mapping in terraced bilayer perylene derivative and phthalocyanine: A study about charge redistribution in p-n domain
5、加藤 哲弥5、⽚⼭ 雅之5、三津井 親彦1、岡本 敏宏1, 6、宇佐美 由久7、伊藤 政隆3、⽵⾕ 純⼀1, 3
1.東⼤新領域, 2.阪府産技研, 3.パイクリスタル, 4.トッパンフォームズ, 5.デンソー, 6.JSTさきがけ, 7.富⼠フイルム
1.産総研, 2.東⼤
1.⼤府⼤⼯, 2.⼤府⼤RIMED, 3.JST-CREST
1.Niigata Univ., 2.Chulalongkorn Univ.
1.Niigata Univ., 2.Chiang Mai Univ.
1.⼭形⼤⼯, 2.奈良先端⼤物質, 3.関⻄学院⼤理⼯, 4.新潟⼤理, 5.⼭形⼤ＲＯＥＬ, 6.ＪＡＳＲＩ, 7.新潟⼤機分セ
1.九⼤院⼯, 2.九⼤稲盛フロンティア研, 3.九⼤I2CNER
〇(D)ahmad bin Mohdfairus1, Tomokazu Iyoda1, Toshiyuki Abe2, Keiji Nagai1
1.Integ. Mol. Eng. Div., Chem. Res. Lab., Tokyo Tech., 2.Dept. of Frontier Mater. Chem., Hirosaki Univ.
有機薄膜太陽電池の乱れた界⾯における励起⼦解離･束縛の量⼦過程
〇飯塚 秀⾏1、枡潟 慶充1、中⼭ 隆史1
1.千葉⼤理
C003426
電界塗布法により製膜されたP3HT:PC61BM粒⼦の構造解析
〇(P)⼤橋 昇1、吉⽥ ⼀貴1、桑野 航平1、渡邊 康之1、⼩⾦澤 智之2
1.諏訪東京理科⼤⼯, 2.⾼輝度光化学研究セ
C001827
PEDOT:PSS/Si太陽電池への５種類の添加物の効果
〇(M1)池⽥ なつみ1、加治屋 ⼤介2, 3、⼩⾦澤 智之4、齋藤 健⼀1, 2, 3
1.広⼤院理, 2.広⼤⾃然セ, 3.広⼤理, 4.⾼輝度光科学研究セ
19a-P5-15
C000668
ナノ粒⼦⾼分散⾦属アルコキシドを⽤いた有機無機薄膜太陽電池
〇加藤 岳仁1、⽣沼 千広1、伊澤 悟1、⽥中 好⼀1、萩原 直樹2、加藤 有⾏3
1.⼩⼭⾼専, 2.アシザワ・ファインテック, 3.⻑岡技⼤
11:30
19a-P5-16
C000958
電気泳動法により成膜したTiO2光電極を⽤いたプラスチック基板上⾊素増感太陽電池におけるホットプレス温度依存性
〇(M1)森⽥ 啓介1、⽶⽥ 真1、加藤 諒⼀1、村⽥ 侑⾥恵1、Mohamado Choudhury1、岸 直希1、曾我 哲夫1
1.名⼯⼤⼯
11:30
19a-P5-17
C001781
BiI3を⽤いた塗布型薄膜太陽電池の作製
〇笹川 祥平1、江部 ⽇南⼦1、荒⽊ 秀明1
1.⻑岡⾼専
9:30
11:30
19a-P5-18
C002186
E
〇(B)YU-CHEN CHOU1, Huai-Yi Chen1
1.Huafan Univ.
3/19(⼟)
9:30
11:30
19a-P5-19
C003587
E
Poster
3/19(⼟)
9:30
11:30
19a-P5-20
C000649
Poster
3/19(⼟)
9:30
11:30
19a-P5-21
C000878
12.5
Poster
3/19(⼟)
9:30
11:30
19a-P5-22
C001062
12.5
Poster
3/19(⼟)
9:30
11:30
19a-P5-23
C001114
12
12.5
Poster
3/19(⼟)
9:30
11:30
19a-P5-24
12
12.5
Poster
3/19(⼟)
9:30
11:30
19a-P5-25
12
12.5
Poster
3/19(⼟)
9:30
11:30
12
12.5
Poster
3/19(⼟)
9:30
12
12.5
Poster
3/19(⼟)
9:30
12
12.5
Poster
3/19(⼟)
12
12.5
Poster
12
12.5
12
12
奨
E
interfaces
Counter Electrodes Prepared by Few Layer and Multilayer Graphene Mixed with Molybdenum Disulfide for Platinum-Free Dye-Sensitized
Solar Cells
Platinum-Free Counter Electrodes Prepared Using Cobalt and Nickel Nanopowders for Dye-Sensitized Solar Cells
〇(B)Ching-Yen Wang1, Huai-Yi Chen1
1.Huafan Univ.
FAPｂIｘBr3-x系ペロブスカイト薄膜作成時におけるIPA溶媒の役割
〇⽩井 肇1、⼭中 孝紀1、船⽥ 修⼆1、内海 ⼀⾺1、薄葉 康平1、⽯川 良1
1.埼⽟⼤理⼯研
Moisture and Oxygen Induced Enhancement of the Conductivity in LiTFSI Doped spiro-OMeTAD films
〇(D)Zafer Hawash1, Luis Ono1, Yabing Qi1
1.OIST graduate Univ.
有機ペロブスカイト太陽電池におけるTiO2緻密層の影響
〇⼋⽊ 崇徳1, 2、エゼ ヴィンセント・オビオゾ1, 2、森 ⻯雄1
1.愛知⼯⼤, 2.森研
ペロブスカイト / Siモノリシックタンデムセルのためのp+-Si / TiO2再結合層
〇(M1)⽴⽯ 義和1、松⽥ 拓未1、⼭下 兼⼀1、喜多 隆2
1.京⼯繊⼤院⼯芸, 2.神⼾⼤院⼯
C001250
スズペロブスカイト化合物の調製と安定性2
〇星 肇1、重枝 直志1
1.⼭⼝東京理科⼤⼯
C001392
有機無機ハイブリッド太陽電池におけるペロブスカイト層の作製条件の最適化
〇三宅 智也1
1.岡⼤⼯
19a-P5-26
C002555
エレクトロルミネッセンス測定時の電圧印加によるペロブスカイト太陽電池への影響
〇(M1)⼭本 智妃呂1、前⽥ 勝典1、⼭川 ジョエル1、⾦⼦ 哲也1、功⼑ 義⼈1、磯村 雅夫1
1.東海⼤院⼯
11:30
19a-P5-27
C002748
第⼀原理計算を⽤いたペロブスカイト型太陽電池の安定構造探索
〇⼭本 久美⼦1、飯久保 智1、尾込 裕平1、早瀬 修⼆1
1.九⼯⼤⽣命体
11:30
19a-P5-28
C003304
ハロゲン混合CH2(NH2)2PbX3太陽電池のBand gap 制御
〇(M1)内海 ⼀⾺1、沼⽥ 陽平2、宮坂 ⼒2、⽩井 肇1
1.埼⽟⼤理⼯研, 2.桐蔭横浜⼤院⼯
9:30
11:30
19a-P5-29
C003776
藤林 真⾐歩1、稲⾒ 栄⼀2、〇緒⽅ 啓典1, 2
1.法政⼤院理⼯学研究科, 2.法政⼤ﾏｲｸﾛ・ﾅﾉ研
3/19(⼟)
9:30
11:30
19a-P5-30
C001156
浸漬法を⽤いたCH3NH3PbI3ペロブスカイト太陽電池における溶媒の検討
〇藤原 隆1、寺川 しのぶ2、松島 敏則2、Chuanjiang QIN2、⼋尋 正幸1、安達 千波⽮1, 2
1.九州先端研, 2.九⼤ OPERA
Poster
3/19(⼟)
9:30
11:30
19a-P5-31
C001895
逆オパール構造TiO2電極を⽤いた量⼦ドット増感太陽電池の界⾯修飾効果
〇(B)堀 奏江1、廣中 基記1、豊⽥ 太郎1, 3、早瀬 修⼆2, 3、沈 ⻘1, 3
1.電通⼤先進理⼯, 2.九⼯⼤⽣命体⼯, 3.JST-CREST
12.5
Poster
3/19(⼟)
9:30
11:30
19a-P5-32
C001896
⽔熱合成TiO2ナノロッド電極を⽤いたCdSe量⼦ドット増感太陽電池の光電変換特性
〇(M1)梶 知史1、佐藤 光希1, 2、豊⽥ 太郎1, 4、尾込 裕平3, 4、早瀬 修⼆3, 4、沈 ⻘1, 4
1.電通⼤先進理⼯, 2.中央⼤理⼯, 3.九⼯⼤⽣命体⼯, 4.JST CREST
12.5
Poster
3/19(⼟)
9:30
11:30
19a-P5-33
C001897
CdSe量⼦ドット増感逆オパール構造TiO2太陽電池の光電変換特性 -光強度依存性-
〇(M1)廣中 基記1、豊⽥ 太郎1, 4、佐藤 光希1, 2、堀 奏江1、尾込 裕平3, 4、早瀬 修⼆3, 4、沈 ⻘1, 4
1.電通⼤先進理⼯, 2.中央⼤理⼯, 3.九⼯⼤⽣命体⼯, 4.JST CREST
12
12.5
Poster
3/19(⼟)
9:30
11:30
19a-P5-34
C002260
CuInS2量⼦ドットのホットキャリア緩和のダイナミクス-ZnS表⾯パッシベーション効果-
〇(M1C)出⽯ 拓也1、張 耀紅1、佐藤 光希1, 3、豊⽥ 太郎1, 4、早瀬 修⼆2, 4、⽚⼭ 建⼆3、沈 ⻘1, 4
1.電通⼤先進理⼯, 2.九⼯⼤⽣命体⼯, 3.中⼤理⼯, 4.JST CREST
12
12.5
Poster
3/19(⼟)
9:30
11:30
19a-P5-35
C002261
過渡吸収法を⽤いたPbS/CdS複合化量⼦ドット増感太陽電池の光励起キャリア移動過程の解明
〇(M2)佐藤 光希1, 2、⼩野 敬太2、出⽯ 拓也2、桑原 彰太1、⽚⼭ 建⼆1、豊⽥ 太郎2, 3、沈 ⻘2, 3
1.中⼤理⼯, 2.電通⼤, 3.JST CREST
12
12.5
Poster
3/19(⼟)
9:30
11:30
19a-P5-36
C002262
PbS量⼦ドットのCdCl2表⾯修飾による蛍光効率向上と光励起キャリアダイナミクスの変化
〇(B)中澤 直樹1、出⽯ 拓也1、⼩野 敬太1、⼩林 宗右1、張 耀紅1、丁 超1、豊⽥ 太郎3, 1、早瀬 修⼆2, 3、沈 ⻘1, 3
1.電通⼤先進理⼯, 2.九⼯⼤, 3.JST CREST
〜Spray熱分解法とSpinコート法による⽐較〜
ZnOナノ構造体を電⼦輸送層に⽤いたぺロブスカイト型太陽電池の
作製および特性評価(II)
2016年春季講演会(東⼯⼤⼤岡⼭キャンパス)プログラム
⼤分類 中分類
形式
講演⽇
開始
終了
【1⽉28⽇(⽊)更新】暫定版からの更新箇所は⾚字になっております。
講演番号
受付番号
19a-P5-37
C002276
奨励賞 英語 招待
29 / 52 ページ
※会場、時間が変更になった場合は該当の⽅にご連絡いたします。
講演タイトル
化学溶液析出法で作製したSb2S3の光吸収特性と増感太陽電池への応⽤
著者
所属機関
12
12.5
Poster
3/19(⼟)
9:30
11:30
〇(B)藤野 秀⼀朗1、⼭崎 康平1、佐藤 光希2, 1、⼩野 敬太1、豊⽥ 太郎1, 4、早瀬 修⼆3, 4、沈 ⻘1, 4
1.電通⼤先進理⼯, 2.中⼤理⼯, 3.九⼯⼤⽣命体⼯, 4.JST CREST
12
12.5
Poster
3/19(⼟)
9:30
11:30
19a-P5-38
C003195
有機・無機ハイブリッド太陽電池におけるZnOナノ粒⼦の凝集効果
〇⾕ 良介1、⽯墨 淳1、柳 久雄1
1.奈良先端⼤物質
12
12.5
Oral
3/19(⼟) 13:00 13:15
19p-W531-1
C003170
Cs2SnI6量⼦ドットの合成と物性評価
〇太⽥ 剛1、⼩柳 嗣雄1、Gaurav Kapil2、尾込 裕平1、吉野 賢⼆3、沈 ⻘4、豊⽥ 太郎4、村上 拓郎5、瀬川 浩司2、早瀬 修⼆1
1.九⼯⼤院⽣命体⼯, 2.東⼤先端研, 3.宮崎⼤⼯, 4.電通⼤先進理⼯, 5.産総研
12
12.5
Oral
3/19(⼟) 13:15 13:30
19p-W531-2
C003367
Siナノ粒⼦を活性層とする無機・有機複合型太陽電池の作製と評価
〇磯部 希1、三宅 伴季1、⿑藤 正2、稲⽥ 貢2
1.関⻄⼤院理⼯, 2.関⻄⼤システム理⼯
12
12.5
Oral
3/19(⼟) 13:30 13:45
19p-W531-3
C001355
PbS量⼦ドット/ZnO太陽電池の光電変換特性の温度依存
王 海濱1、〇久保 貴哉1、中崎 城太郎1、瀬川 浩司1
1.東⼤先端研
12
12.5
Oral
3/19(⼟) 13:45 14:00
19p-W531-4
C000737
12
12.5
Oral
3/19(⼟) 14:00 14:15
19p-W531-5
C000228
12
12.5
Oral
3/19(⼟) 14:15 14:30
19p-W531-6
C003490
12
12.5
Oral
3/19(⼟) 14:30 14:45
19p-W531-7
C003700
12
12.5
Oral
3/19(⼟) 14:45 15:00
19p-W531-8
C003116
19p-W531-9
C003644
12
12.5
Oral
-Sb2S3の吸着時間依存性と熱処理効果-
固体型PbS量⼦ドット太陽電池における電荷分離・輸送メカニズム
-⽋陥準位と電荷輸送の関係ルチル型TiO2結晶に吸着したCdSe量⼦ドットの光吸収と光誘起電⼦移動の異⽅性
Study on electron dynamics in Au-TiO2 nanoparticle system using PEEM and fs laser (3) --- bandgap energy and electron affinity of
individual TiO2 particle---
E
3/19(⼟) 15:00 15:15
〇(M2)⼩野 敬太1、豊⽥ 太郎1, 4、尾込 裕平2, 4、早瀬 修⼆2, 4、吉野 賢⼆3, 4、沈 ⻘1, 4
1.電通⼤先進理⼯, 2.九⼯⼤⽣命体⼯, 3.宮崎⼤⼯, 4.JST CREST
〇豊⽥ 太郎1, 5、Yindeesuk Witoon1、神⼭ 慶太2、⽚⼭ 建⼆3、早瀬 修⼆4, 5、沈 ⻘1, 5
1.電通⼤情報理⼯, 2.分光計器（株）, 3.中央⼤理⼯, 4.九⼯⼤⽣命体⼯, 5.JST-CREST
李 博超1、李 浩1、季 博宇1、林 景全1、〇富江 敏尚1, 2
1.⻑春理⼯⼤, 2.産総研ナノエレ
Study on electron dynamics in Au-TiO2 nanoparticle system using PEEM and fs laser (4) --- vacuum level of individual particle---
李 博超1、李 浩1、季 博宇1、林 景全1、〇富江 敏尚1, 2
1.⻑春理⼯⼤, 2.産総研ナノエレ
Effect of additives on the 1-D Nanostructured Fluorine-Doped Tin Oxide Thin Films
Ajith Bandara1, Masayuki Okuya2, Masaru Shimomura2, 〇Kenji Murakami2, R.M.G. Rajapakse3
1.GSST, Shizuoka Univ., 2.GIST, Shizuoka Univ., 3.Univ. Peradeniya
〇⾕沢 元春1、久住 拓司1、丸⼭ 武男1、⾯ 雅也1
1.⾦沢⼤学⼤学院⾃然科学研究科
〇(P)Soowon Heo1, Keisuke Tajima1
1.RIKEN Center for Emergent Matter Scince
休憩/Break
12
12.5
Oral
3/19(⼟) 15:15 15:30
12
12.5
Oral
3/19(⼟) 15:30 15:45 19p-W531-10 C000642
12
12.5
Oral
3/19(⼟) 15:45 16:00 19p-W531-11 C000309
12
12.5
Oral
3/19(⼟) 16:00 16:15 19p-W531-12 C000844
12
12.5
Oral
3/19(⼟) 16:15 16:30 19p-W531-13 C000627
12
12.5
Oral
3/19(⼟) 16:30 16:45 19p-W531-14 C003626
12
12.5
Oral
3/19(⼟) 16:45 17:00
休憩/Break
12
12.5
Oral
3/19(⼟) 17:00 17:15 19p-W531-15 C000594
結晶性⾼分⼦太陽電池における開放電圧の起源
〇(M1)部⾕ 拓⽃1、⼤北 英⽣1、辨天 宏明1、伊藤 紳三郎1、斎藤 慎彦2、尾坂 格2
1.京⼤院⼯, 2.理研CEMS
12
12.5
Oral
3/19(⼟) 17:15 17:30 19p-W531-16 C001109
変調分光法による有機薄膜太陽電池の移動度評価
〇成岡 達彦1、中美 総司1、⼩林 隆史1, 2、永瀬 隆1, 2、内藤 裕義1, 2, 3
1.⼤阪府⼤⼯, 2.分⼦エレクトロニックデバイス研, 3.JST-CREST
12
12.5
Oral
3/19(⼟) 17:30 17:45 19p-W531-17 C002906
CuPc /C60有機薄膜太陽電池のパルス光励起キャリア輸送特性
〇三宅 伴季1、磯部 希1、⿑藤 正2、稲⽥ 貢2
1.関⻄⼤院理⼯, 2.関⻄⼤システム理⼯
12
12.5
Oral
3/19(⼟) 17:45 18:00 19p-W531-18 C001507
有機半導体界⾯の励起⼦解離過程における界⾯ポテンシャル効果
〇(M2)枡潟 慶充1、飯塚 秀⾏1、中⼭ 隆史1
1.千葉⼤理
12
12.5
Oral
3/19(⼟) 18:00 18:15 19p-W531-19 C003597
固体NMR分光法によるバルクヘテロ接合有機薄膜太陽電池への添加剤効果の解析(Ⅳ)
〇(M1)河野 紗希1、緒⽅ 啓典1, 2
1.法政⼤理⼯, 2.法政⼤ﾏｲｸﾛ・ﾅﾉﾃｸ研
12
12.5
Oral
3/20(⽇)
9:00
9:15
20a-W531-1
C001472
CH3NH3PbI3ペロブスカイト半導体の光学特性
12
12.5
Oral
3/20(⽇)
9:15
9:30
20a-W531-2
C001663
奨
12
12.5
Oral
3/20(⽇)
9:30
9:45
20a-W531-3
C002248
奨
12
12.5
Oral
3/20(⽇)
9:45
10:00
20a-W531-4
C001196
奨
12
12.5
Oral
3/20(⽇) 10:00 10:15
20a-W531-5
C001868
奨
12
12.5
Oral
3/20(⽇) 10:15 10:30
12
12.5
Oral
3/20(⽇) 10:30 10:45
20a-W531-6
C002267
奨
E
Facile Fabrication of Planar Perovskite Solar Cells via One-Step Spin-Coating and Antisolvent Bath Methods
12
12.5
Oral
3/20(⽇) 10:45 11:00
20a-W531-7
C000227
奨
E
Charge Carrier Accumulation Studies in Organic-Inorganic Lead Halide Perovskite Solar Cells
〇(P)Teresa Ripolles1, Ajay Kumar Baranwal1, Koji Nishinaka1, Yuhei Ogomi1, Germa Garcia-Belmonte2, Shuzi Hayase1
1.KIT for Kyushu Institute of Technology, Japan, 2.INAM for Institut de Materials Avancats, Spain
12
12.5
Oral
3/20(⽇) 11:00 11:15
20a-W531-8
C002458
奨
E
Secondary growth of perovskite crystal for pinhole-free perovskite layers with large single-crystal grains
〇Teng Ma1, 2, Daisuke Tadaki1, 2, Ayumi Hirano-Iwata1, 2, Michio Niwano1, 2
1.Tohoku Univ., 2.JST-CREST
12
12.5
Oral
3/20(⽇) 11:15 11:30
⾼屈折率差サブ波⻑回折格⼦による無反射膜の提案
Optical manipulation of light with nanostructure by using stamping technique
E
for enhancing the photon harvesting property in OPVs
E
光誘起ESR法を⽤いたPCE10:PC71BM⾼分⼦太陽電池における素⼦動作時の電荷蓄積の直接観測
〇(M1)Rachmat VanadianAstari1、久保寺 貴也1、孫 東鉱1、丸本 ⼀弘1, 2
1.筑波⼤数物, 2.筑波⼤学学際セ
チオフェン­チアゾロチアゾールポリマー:PCBM有機薄膜における初期電荷分離機構
阿児 拓海1、⽴川 貴⼠1、尾坂 格2、〇⼩堀 康博1
1.神⼾⼤院理, 2.理研
⾼分⼦太陽電池における界⾯CT励起⼦の解離機構
〇(M1)奥⼭ 拓夢1、⽟井 康成1、⼤北 英⽣1、辨天 宏明1、伊藤 紳三郎1
1.京⼤院⼯
Charge Carrier Generation at Pentacene-C60 Donor-Acceptor Interfaces
〇Richard Murdey1, Kazuto Nakao1, Naoki Sato1
1.Kyoto Univ.
分光感度シミュレーションによる⾼効率CH3NH3Pb(I,Br)3/Cu(In,Ga)Se2
⽩⼭ 将基1、⾨脇 英之1、宮寺 哲彦2、杉⽥ 武2、⽟腰 正⼈1、加藤 雅⼈1、藤関 健正1、村⽥ ⼤輔1、原 昌太1、村上 拓郎2、藤本 祥平1、近松 真
之2、〇藤原 裕之1
1.岐⾩⼤, 2.産総研
〇⽟腰 正⼈1、藤本 祥平1、藤関 健正1、藤原 裕之1
1.岐⾩⼤⼯
低温製膜SnOx-Brookite TiO2電⼦収集層を⽤いたフレキシブルペロブスカイト太陽電池
〇(PC)古郷 敦史1、實平 義隆1、池上 和志1、宮坂 ⼒1
1.桐蔭横浜⼤院⼯
軟X線照射が引き起こすCH3NH3PbI3ペロブスカイト太陽電池の表⾯状態の変化
〇元⽊ 啓介1, 2、宮澤 優3、⼩林 ⼤輔2、池上 和志4、宮坂 ⼒4、⼭本 知之1、廣瀬 和之2
1.早⼤理⼯, 2.JAXA 宇宙研, 3.JAXA 研究開発部⾨, 4.桐蔭横浜⼤⼯
光強度によるペロブスカイト型太陽電池の特性変化
〇來福 ⾄1、⽯河 泰明1、張 松1、伊藤 省吾2、浦岡 ⾏治1
1.奈良先端⼤, 2.兵庫県⽴⼤
2端⼦タンデム型太陽電池のデバイス設計
休憩/Break
20a-W531-9
C000864
〇(D)Vincent Obiozo Eze1, Mori Tatsuo1
1.Aichi Inst. of Tech.
奨
Open-Circuit Voltage of Perovskite Solar Cells with Different Grain Sizes
〇(DC)Kim HyungDo1、Ohkita Hideo1, 2、Benten Hiroaki1、Ito Shinzaburo1
1.Kyoto Univ., 2.JST Presto
12
12.5
Oral
3/20(⽇) 11:30 11:45 20a-W531-10 C003321
奨
完全印刷・ホール輸送層フリー・炭素⼆重結合フリーペロブスカイト太陽電池の耐久性試験
〇(M1)⾦⾕ 周朔1、伊藤 省吾1、⽔⽥ 凱1、仁科 智也1
1.兵県⼤⼯
12
12.5
Oral
3/20(⽇) 13:00 13:15
20p-W531-1
C001338
奨
異種⽴体規則性P3HTの混合による分⼦形態変化と光電変換効率の向上
〇⿑藤 陽介1、平⽥ 誠1、尾花 良哲1、松澤 伸⾏1
1.ソニー㈱ R&D PF
12
12.5
Oral
3/20(⽇) 13:15 13:30
20p-W531-2
C001749
奨
アルキル置換フェナントロジチオフェン系半導体ポリマーを⽤いた有機薄膜太陽電池の光電変換特性
〇森 裕樹1、遠⼭ 亮太1、髙橋 ⻯輔1、原 脩⼈1、⻄原 康師1
1.岡⼭⼤院⾃然
12
12.5
Oral
3/20(⽇) 13:30 13:45
20p-W531-3
C001930
奨
P3HT/PCBM 積層型太陽電池の素⼦特性に及ぼすチオフェン環の配向⾓度の影響
〇伊東 嶺1、⼩野 祐太郎1、酒井 平祐1、⻑尾 祐樹1、村⽥ 英幸1
1.北陸先端⼤マテリアル
12
12.5
Oral
3/20(⽇) 13:45 14:00
20p-W531-4
C000540
奨
PEDOT:PSS薄膜の構造とハイブリッド太陽電池の光電変換特性
〇(M1)池⽥ なつみ1、加治屋 ⼤介2, 3、⼩⾦澤 智之4、齋藤 健⼀1, 2, 3
1.広⼤院理, 2.広⼤⾃然セ, 3.広⼤理, 4.⾼輝度光科学研究セ
12
12.5
Oral
3/20(⽇) 14:00 14:15
20p-W531-5
C001704
奨
電流計測原⼦間⼒顕微鏡で明らかにする共役⾼分⼦薄膜の電荷輸送構造
〇(DC)尾坂 美樹1、近藤 祐也1、辨天 宏明1、⼤北 英⽣1、伊藤 紳三郎1
1.京⼤院⼯
12
12.5
Oral
3/20(⽇) 14:15 14:30
20p-W531-6
C000095
奨
12
12.5
Oral
3/20(⽇) 14:30 14:45
20p-W531-7
C000716
奨
12
12.5
Oral
3/20(⽇) 14:45 15:00
12
12.5
Oral
3/20(⽇) 15:00 15:15
20p-W531-8
I000148
12
12.5
Oral
3/20(⽇) 15:15 15:30
20p-W531-9
C000101
12
12.5
Oral
3/20(⽇) 15:30 15:45 20p-W531-10 C001354
12
12.5
Oral
3/20(⽇) 15:45 16:00 20p-W531-11 C001796
12
12.5
Oral
3/20(⽇) 16:00 16:15 20p-W531-12 C001862
12
12.5
Oral
3/20(⽇) 16:15 16:30 20p-W531-13 C001984
液晶性フタロシアニンーテトラベンゾポルフィリン２成分混合系におけるキャリヤ移動度と膜状態
川野 倖暉1、井⾕ 弘道2, 1、藤井 彰彦2、尾﨑 雅則2、〇清⽔ 洋1
1.産総研関⻄, 2.阪⼤院⼯
12
12.5
Oral
3/20(⽇) 16:30 16:45 20p-W531-14 C003052
TCNIをドナーとする新規有機CT結晶の合成
〇安原 ⼤智1、松井 淳1、吉⽥ 司1
1.⼭形⼤
12
12.5
Oral
3/20(⽇) 16:45 17:00
休憩/Break
12
12.5
Oral
3/20(⽇) 17:00 17:15 20p-W531-15 C000786
⾼効率ポリマー有機薄膜太陽電池の⾼耐久化
〇渡辺 伸博1、⼭本 修平1、下村 悟1、浅⾹ 圭亮1、北澤 ⼤輔1
1.東レ先端材料研
12
12.5
Oral
3/20(⽇) 17:15 17:30 20p-W531-16 C001010
PTB7:C70バルクヘテロジャンクション型光電池の低照射光特性
〇多⽥ 和也1
1.兵庫県⽴⼤⼯
12
12.5
Oral
3/20(⽇) 17:30 17:45 20p-W531-17 C003393
低分⼦系有機薄膜太陽電池界⾯における励起⼦失活抑制と⾼効率化
〇佐野 健志1、庄 陶釣2、城⼾ 淳⼆2
1.⼭形⼤INOEL, 2.⼭形⼤ROEL
12
12.5
Oral
3/20(⽇) 17:45 18:00 20p-W531-18 C002783
⾼移動度有機半導体を⽤いた横⽅向ホール収集型太陽電池
〇廣⽥ 真樹1, 3、新村 祐介1, 3、菊地 満1, 3、阿部 正宏2, 3、貞光 雄⼀2、内藤 裕義3, 4、平本 昌宏1, 3
1.分⼦研, 2.⽇本化薬, 3.NEDO, 4.⼤阪府⼤
12
12.5
Oral
3/20(⽇) 18:00 18:15 20p-W531-19 C000455
MoO3 / Mg / Al陰極を⽤いるバルクヘテロ接合型有機薄膜太陽電池の作製と評価
⽯川 岩道1、仲本 裕介1、〇景⼭ 弘1
1.琉球⼤⼯
12
12.5
Oral
3/20(⽇) 18:15 18:30 20p-W531-20 C000347
カーボンナノチューブ透明導電膜を⽤いた有機薄膜太陽電池
〇周 英1、⿑藤 毅1、宮寺 哲彦1、近松 真之1、島⽥ 悟1、阿澄 玲⼦1
1.産総研
12
12.5
Oral
3/21(⽉)
9:00
9:15
21a-W531-1
C002213
12
12.5
Oral
3/21(⽉)
9:15
9:30
21a-W531-2
C002073
12
12.5
Oral
3/21(⽉)
9:30
9:45
21a-W531-3
C002601
12
12.5
Oral
3/21(⽉)
9:45
10:00
21a-W531-4
C002562
12
12.5
Oral
3/21(⽉) 10:00 10:15
21a-W531-5
12
12.5
Oral
3/21(⽉) 10:15 10:30
12
12.5
Oral
3/21(⽉) 10:30 10:45
12
12.5
Oral
12
12.5
12
E
Interface Engineering of Inverted Organic Solar Cells using V-Shaped Polyaromatic Amphiphile as Fullerene-catching Surface Modifier
〇(D)Il Jeon1, Sasa Zeljkovic2, Kei Kondo3, Michito Yoshizawa3, Munetaka Akita3, Yutaka Matsuo1
1.The Univ. of Tokyo, 2.Uni. of Banja Luka, 3.Tokyo Inst. of Tech.
⾮ハロゲン系溶媒を⽤いた静電塗布法による有機薄膜太陽電池
〇⾼⽐良 和也1、⼾⽥ 明⽇来1、鈴⽊ 勝⼰1、福⽥ 武司1、鎌⽥ 憲彦1、本⽥ 善太郎1
1.埼⽟⼤⼯
休憩/Break
招
E
「講演奨励賞受賞記念講演」（15分）
〇斎藤 慎彦1、尾坂 格1、瀧宮 和男1
1.理研CEMS
フラーレン誘導体による有機薄膜太陽電池の⾼電圧化
〇⾟川 誠1、永井 隆⽂2、⾜達 健⼆2、家 裕隆1、安蘇 芳雄1
1.阪⼤産研, 2.ダイキン
超分⼦ナノロッドを⽤いた有機太陽電池におけるアルキル鎖⻑依存性
〇⽊崎 陽弘1, 2、⼤内 隼⼈3、林 旭3、⽮⾙ 史樹3、中⼭ 健⼀1, 2
1.⼭形⼤学院理⼯, 2.⼭形⼤ROEL, 3.千葉⼤学院⼯
光変換前駆体法を⽤いた塗布積層型有機薄膜太陽電池のアニール処理
〇(M1)⾼平 勝也1, 3、⼭⼝ 裕⼆1, 3、鈴⽊ 充朗2、⼭⽥ 容⼦2、中⼭ 健⼀1, 3
1.⼭形⼤院理⼯, 2.奈良先端⼤物質, 3.⼭形⼤ＲＯＥＬ
⾼開放電圧を⽬指した新規半導体ポリマーの開発と 有機薄膜太陽電池特性
Charge Transport Characteristics and Phase Behavior in a Binary Blend of Discotic Liquid Crystalline Materials for Solution-Processed
Organic Solar Cells
〇實平 義隆1、沼⽥ 陽平1、宮坂 ⼒1
1.桐蔭横浜⼤院⼯
〇沼⽥ 陽平1、實平 義隆1、宮坂 ⼒1
1.桐蔭横浜⼤学
Perovskite塗布型太陽電池における多孔質基板の影響
〇廣⾕ 太佑1、尾込 裕平1, 3、沈 ⻘2, 3、豊⽥ 太郎2, 3、早瀬 修⼆1, 3
1.九⼯⼤院, 2.電通⼤, 3.JST-CREST
Pb-xanthate太陽電池のイオン傾斜に関する研究
⻄村 昭美1、〇廣⾕ 太佑1、尾込 裕平1, 4、沈 ⻘2, 4、吉野 賢⼆3, 4、豊⽥ 太郎2, 4、早瀬 修⼆1, 4
C003442
Perovskite太陽電池における低温プロセス⼿法の検討
〇⻄村 滉平1、尾込 裕平1, 4、沈 ⻘2, 4、吉野 賢⼆3, 4、豊⽥ 太郎2, 4、早瀬 修⼆1, 4
1.九⼯⼤院, 2.電通⼤, 3.宮崎⼤, 4.JST-CREST
21a-W531-6
C002013
多孔性PbI2薄膜を前駆体とする (FAPbI3)1-x(MAPbBr3)x薄膜の作製及び評価
〇⽯川 良1、上野 啓司1、⽩井 肇1
1.埼⽟⼤院理⼯
3/21(⽉) 10:45 11:00
21a-W531-7
C001311
CH3NH3PbBr3単結晶の時空間分解発光ダイナミクス
〇(M2)⼭⽥ 琢允1、中池 由美1、若宮 淳志1、⾦光 義彦1
1.京⼤化研
Oral
3/21(⽉) 11:00 11:15
21a-W531-8
C000894
Real-Space Imaging of the Atomic Structure of Organic-Inorganic Perovskite
〇(P)Robin Ohmann1, Luis K. Ono1, Hui-Seon Kim2, Haiping Lin3, Michael V. Lee1, Youyong Li3, Nam-Gyu Park2, Yabing Qi1
Tancha, Onna-son, Okinawa 904-0495, Japan, 2.School of Chemical Engineering and Department of Energy Science, Sungkyunkwan
12.5
Oral
3/21(⽉) 11:15 11:30
21a-W531-9
C003680
ペロブスカイト太陽電池における光⽣成キャリア輸送特性の下地層依存性
〇稲⾒ 栄⼀1、森川 弘理2、藤林 真⾐歩2、⽯垣 隆正1, 2、緒⽅ 啓典1, 2
1.法政⼤ﾏｲｸﾛ・ﾅﾉﾃｸ研, 2.法政⼤院理⼯
12
12.5
Oral
3/21(⽉) 11:30 11:45 21a-W531-10 C002840
Exciton dynamics in CH3NH3PbI3 single crystals
〇(P)Le Quang Phuong1, 2, Yumi Nakaike1, Atsushi Wakamiya1, Yoshihiko Kanemitsu1, 2
1.Kyoto University, 2.JST-CREST
12
12.5
Oral
3/21(⽉) 11:45 12:00 21a-W531-11 C002156
発光・光電流の顕微イメージング分光によるハロゲン化鉛ペロブスカイト太陽電池のキャリアダイナミクスの研究
〇(M2)⼭下 ⼤喜1, 2、半⽥ 岳⼈1、⼭⽥ 琢允1、井原 章之1、⽥原 弘量1、嶋崎 愛1、若宮 淳志1、⾦光 義彦1
1.京⼤化研, 2.⼤阪府⼤院⼯
12
12.5
Oral
3/22(⽕)
9:00
9:15
22a-W531-1
C003146
部分置換ペロブスカイトの構造と電⼦状態に関する理論計算
〇⽊村 翔1、⾼⽻ 洋充1
1.⼯学院⼤⼯
12
12.5
Oral
3/22(⽕)
9:15
9:30
22a-W531-2
C003464
ペロブスカイト/Siタンデム型太陽電池開発を加速するコンビナトリアルデバイスプロセスシステムの設計指針
〇松⽊ 伸⾏1、鯉沼 秀⾂2
1.神奈川⼤, 2.東⼤新領域
12
12.5
Oral
3/22(⽕)
9:30
9:45
22a-W531-3
C003493
12
12.5
Oral
3/22(⽕)
9:45
10:00
22a-W531-4
C001018
E
E
12
12.5
Oral
結晶配向性を制御した酸化チタン膜上における⼆次元ペロブスカイト結晶の太陽電池特性
〇(P)Woong Shin1, Yumi Higuchi1, Kouki Kawano1, Lidia Sosa-Vargas1, Hiromichi Itani1, 2, Akihiko Fujii2, Masanori Ozaki2, Yo Shimizu1 1.National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), Kansai Center, 2.Osaka University
チオシアネートを有する２次元擬ペロブスカイトを⽤いた
ペロブスカイト太陽電池に関する研究
1.九⼯⼤院, 2.電通⼤, 3.宮崎⼤学, 4.JST-CREST
休憩/Break
E
E
1.Energy Materials and Surface Sciences Unit (EMSS), Okinawa Institute of Science and Technology Graduate Univ. (OIST), 1919-1
Univ. (SKKU), Suwon 440-746, Korea, 3.Inst. of Functional Nano and Soft Materials (FUNSOM), Soochow Univ., Suzhou 215123, P. R.
有機無機ハイブリッド積層膜のコンビナトリアル分⼦層エピタキシー
〇川嶋 ⼀裕1、岡本 裕⼆2、豊蔵 信夫1、⾼橋 ⻯太3、Lippmaa Mikk3、鈴⽊ 義和2、伊⾼ 健治4、松⽊ 伸⾏5、鯉沼 秀⾂1
1.東⼤新領域, 2.筑波⼤, 3.東⼤物性研, 4.弘前⼤, 5.神奈川⼤
〇(P)Matthew Ryan Leyden1, Yabing Qi1
1.OIST
Rapid Perovskite Formation by CH3NH2 Gas-Induced Intercalation and Reaction of PbI2
〇Yabing Qi1, Sonia R. Raga1, Luis K. Ono1
1.Okinawa Inst. of Sci. & Tech.
有機スズ化合物を使⽤したペロブスカイト太陽電池の特性向上
〇尾込 裕平1、沈 ⻘2, 4、吉野 賢⼆3, 4、豊⽥ 太郎2, 4、早瀬 修⼆1, 4
1.九⼯⼤院⽣命体⼯, 2.電通⼤先進理⼯, 3.宮崎⼤⼯, 4.JST-CREST
システムとハライドペロブスカイト材料開発への応⽤
Perovskite Solar Cells by Chemical Vapor Deposition
3/22(⽕) 10:00 10:15
22a-W531-5
C000409
12
12.5
Oral
3/22(⽕) 10:15 10:30
22a-W531-6
C003756
12
12.5
Oral
3/22(⽕) 10:30 10:45
12
12.5
Oral
3/22(⽕) 10:45 11:00
22a-W531-7
C002520
発光分光によるハロゲン化鉛ペロブスカイト太陽電池の劣化機構研究
〇(M1)半⽥ 岳⼈1、Tex David Michael1、⽥原 弘量1、嶋崎 愛1、阿波連 知⼦1、若宮 淳志1、⾦光 義彦1
1.京⼤化研
12
12.5
Oral
3/22(⽕) 11:00 11:15
22a-W531-8
C002691
ペロブスカイト太陽電池の初期劣化モデルに関する考察
〇松下 明⽣1、藤村 慎也1、根上 卓之1
1.パナソニック
12
12.5
Oral
3/22(⽕) 11:15 11:30
22a-W531-9
C002205
サイズが異なる有機カチオンを⽤いたペロブスカイト太陽電池の劣化挙動の⽐較
〇古本 嘉和1、⼭本 晃平1、Shahiduzzaman Md.1、桑原 貴之1, 2、⾼橋 光信1, 2、當摩 哲也1, 2, 3
12
12.5
Oral
3/22(⽕) 11:30 11:45 22a-W531-10 C000373
E
Stability issues in perovskite-based solar cells
12
12.5
Oral
3/22(⽕) 11:45 12:00 22a-W531-11 C000888
E
Material characterization of lead free air stable Cs2SnI6 and its quantum dot for perovskite solar cells
12
12.5
Oral
3/22(⽕) 13:00 13:15
休憩/Break
22p-W531-1
C003649
フッ化アルキルアミンを使⽤したペロブスカイト太陽電池の電荷分離界⾯制御
〇(P)Luis Katsuya Ono1, Sonia Ruiz Raga1, Yuichi Kato1, Mikas Remeika1, Shenghao Wang1, Michael Vernon Lee1, Andrew Justin
Winchester1, Atsushi Gabe1, Yabing Qi1
〇(P)GAURAV KAPIL1, Takeshi Ohta2, Yuhei Ogomi2, Tsuguo Koyonagi2, Kenji Yoshino3, Qin Shen4, Takurou N. Murakami5, Hiroshi
Segawa1, Shuzi Hayase2
〇(M2)森⾕ 昌平1、渡部 直弥1、尾込 裕平1, 4、沈 ⻘2, 4、吉野 賢⼆3, 4、豊⽥ 太郎2, 4、早瀬 修⼆1, 4
1.⾦沢⼤院⾃, 2.⾦沢⼤RSET, 3.InFIniti
1.Okinawa Inst. of Sci. and Technol.
1.Uni.Tokyo, 2.Kyu.Inst.Tech., 3.Uni.Miya., 4.Uni.Elect., 5.Adv.Ind.Sc.&Tech.
1.九⼯⼤院⽣命体⼯, 2.電通⼤先進理⼯, 3.宮崎⼤学⼯, 4.JST-CREST
2016年春季講演会(東⼯⼤⼤岡⼭キャンパス)プログラム
⼤分類 中分類
形式
講演⽇
開始
終了
【1⽉28⽇(⽊)更新】暫定版からの更新箇所は⾚字になっております。
講演番号
受付番号
奨励賞 英語 招待
30 / 52 ページ
※会場、時間が変更になった場合は該当の⽅にご連絡いたします。
講演タイトル
ペロブスカイトCsPbI3の遅いホットキャリア緩和とP3HTへの⾼速
著者
所属機関
12
12.5
Oral
3/22(⽕) 13:15 13:30
22p-W531-2
C002077
12
12.5
Oral
3/22(⽕) 13:30 13:45
22p-W531-3
C003738
有機⾦属ハロゲン化物ペロブスカイト薄膜における⽋陥構造と分⼦運動性の分光学的研究(II)
〇緒⽅ 啓典1, 2、稲⾒ 栄⼀2
1.法政⼤院理⼯学研究科, 2.法政⼤学ﾏｲｸﾛ・ﾅﾉ研
12
12.5
Oral
3/22(⽕) 13:45 14:00
22p-W531-4
C002842
低温・溶液プロセスで作製したペロブスカイト太陽電池の表⾯改質による特性向上
〇⽩井 康裕1、Tripathy Neeti1、柳⽥ 真利1、加連 明也1、宮野 健次郎1
1.物質・材料研究機構
12
12.5
Oral
3/22(⽕) 14:00 14:15
22p-W531-5
C001902
斜⼊射X線回折による有機鉛ペロブスカイト結晶形成過程のリアルタイム解析
〇宮寺 哲彦1、柴⽥ 陽⽣2、⼩⾦澤 智之3、村上 拓郎1、杉⽥ 武1、⾕垣 宣孝4、近松 真之1
12
12.5
Oral
3/22(⽕) 14:15 14:30
22p-W531-6
C001612
有機－無機ハイブリッドペロブスカイト太陽電池のScaffold酸化物の結晶⾯効果
〇⽶⾕ 真⼈1, 2、竪⼭ 瑛⼈1、⼤村 葵1、椿 俊太郎1、鈴⽊ 榮⼀1、瀬川 浩司2、和⽥ 雄⼆1
1.東⼯⼤院理⼯, 2.東⼤先端研
12
12.5
Oral
3/22(⽕) 14:30 14:45
22p-W531-7
C002447
CH3NH3PbBr3を⽤いたぺロブスカイト太陽電池の作製と評価
〇中村 友1、古川 ⾏夫1
1.早⼤院先進理⼯
12
12.6
Oral
3/19(⼟)
9:00
9:15
19a-W323-1
C003298
2次元材料表⾯にβシート構造を形成する新規機能性ペプチドの開発
〇佐久間 洸平1、深⽥ 拓⼈1、早⽔ 裕平1
1.東⼯⼤早⽔研究室
12
12.6
Oral
3/19(⼟)
9:15
9:30
19a-W323-2
C000062
クマゼミの⽻が持つ機能性ナノ表⾯とその模倣
〇伊藤 健1、⽥中 琢望1、清⽔ 智弘1、新宮原 正三1
1.関⻄⼤システム理⼯
12
12.6
Oral
3/19(⼟)
9:30
9:45
19a-W323-3
C002068
バイオ分⼦マイクロ構造の⾃⼰組織化過程の制御と評価
〇櫻井 亮1、コレ プドット1、⻘野 正和1
1.物材研、MANA
12
12.6
Oral
3/19(⼟)
9:45
10:00
19a-W323-4
C001725
⾼圧⼒顕微鏡法による細菌べん⽑の構造変化イメージング
〇⻄⼭ 雅祥1、曽和 義幸2
1.京⼤⽩眉, 2.法政⼤⽣命
19a-W323-5
C002776
分⼦認識機能性ポリマーを利⽤した細胞検出法
〇沼⽥ 紘志1、中瀬 ⽣彦2、⽥村 守1、飯⽥ 琢也3、床波 志保1
1.阪府⼤⼯, 2.阪府⼤ナノ科学材料セ, 3.阪府⼤理
〇(M1)佐藤 寛崇1、平⽥ 卓也1、阿部 結奈1、⻑峯 邦明1、甲斐 洋⾏1、梶 弘和1、⻄澤 松彦1
1.東北⼤⼯
ホール移動
12
12.6
Oral
3/19(⼟) 10:00 10:15
12
12.6
Oral
3/19(⼟) 10:15 10:30
12
12.6
Oral
3/19(⼟) 10:30 10:45
19a-W323-6
C002734
奨
12
12.6
Oral
3/19(⼟) 10:45 11:00
19a-W323-7
C002983
奨
12
12.6
Oral
3/19(⼟) 11:00 11:15
19a-W323-8
C002978
奨
12
12.6
Oral
3/19(⼟) 11:15 11:30
19a-W323-9
C002002
12
12.6
Oral
3/19(⼟) 11:30 11:45 19a-W323-10 C000727
12
12.6
Oral
3/19(⼟) 11:45 12:00 19a-W323-11 C003735
12
12.6
Oral
3/19(⼟) 12:00 12:15 19a-W323-12 C002578
12
12.6
Oral
3/19(⼟) 13:45 14:00
19p-W323-1
C003279
奨
12
12.6
Oral
3/19(⼟) 14:00 14:15
19p-W323-2
C002340
12
12.6
Oral
3/19(⼟) 14:15 14:30
19p-W323-3
12
12.6
Oral
3/19(⼟) 14:30 14:45
19p-W323-4
12
12.6
Oral
3/19(⼟) 14:45 15:00
19p-W323-5
12
12.6
Oral
3/19(⼟) 15:00 15:15
19p-W323-6
C002505
12
12.6
Oral
3/19(⼟) 15:15 15:30
19p-W323-7
C002817
19p-W323-8
C002523
〇沈 ⻘1, 5、Ripolles Teresa2、尾込 裕平2、⻄中 浩⼆2、出⽯ 拓也1、⽚⼭ 建⼆3、豊⽥ 太郎1, 5、吉野 賢⼆4, 5、早瀬 修⼆2, 5
1.電通⼤先進理⼯, 2.九⼯⼤⽣命体⼯, 3.中央⼤理⼯, 4.宮崎⼤学⼯, 5.JST-CREST
1.産総研太陽光, 2.東北⼤⼯, 3.JASRI, 4.産総研無機機能材料
休憩/Break
ハイドロゲル製電気刺激培養システムの開発と⾻格筋機能評価
E
〇(M2)Liming Liu1, Hiroyuki Kai1, Kohtaro Matsuzaka1, Kuniaki Nagamine1, Mastuhiko Nishizawa1
1.Tohoku Univ
伸縮性バイオ燃料電池を⽤いた汗中乳酸センサの開発
〇(M1)加藤 悠⼈1、⾼井 優樹1、⼩川 雄⼤1、甲斐 洋⾏1、⻄澤 松彦1
1.東北⼤院⼯
ボロン酸基を側鎖に有するポリマーを⽤いたグラフェン・グルコースセンサーの開発
〇(DC)増島 弘顕1、細川 ⻯平1、早⽔ 裕平1、道信 剛志1
1.東⼯⼤院理⼯
CNT複合CFクロスの酵素機能電極への応⽤とCNT添加効果
〇⻤塚 ⿇季1、⼩向 拓治1、宋 慶盛2、加納 健司2
1.ニッタ㈱, 2.京⼤院農
清浄表⾯を持つカーボンナノチューブ櫛形電極の作製と評価
〇⽜⼭ 拓也1、グエン ヴィエット1、岸本 茂1、⼤野 雄⾼1, 2
1.名⼤⼯, 2.名⼤未来研
⼤腸菌吸着によるグラフェンのアンビポーラ特性変化
〇Ｍｕｌｙａｎａ Ｙａｎａ1、上沼 睦典1、岡本 尚⽂1、⽯河 泰明1、⼭下 ⼀郎1、浦岡 ⾏治1
1.奈良先端⼤
超格⼦構造中のDNA被覆⾦ナノ粒⼦の融合に向けた粒⼦間距離収縮とナノ粒⼦融合
〇(B)鷲⾒ 隼⼈1、磯⾙ 卓⺒1、中⽥ 咲⼦1、吉⽥ 直⽮1、原⽥ 俊太1、宇治原 徹1、⽥川 美穂1
1.名⼤
奨
PEGフェリチンを⽤いた無機ナノ粒⼦の分散配置
〇多和 勇樹1、上沼 睦典1、藤本 裕太1、岡本 尚⽂1、⽯河 泰明1、⼭下 ⼀郎1、浦岡 ⾏治1
1.奈良先端⼤
C001646
奨
特異的認識ペプチドを⽤いた⾦ナノ粒⼦の⾼密度配置
〇岡崎 駿1、上沼 睦典1、岡本 尚⽂1、⽯河 泰明1、⼭下 ⼀郎1、浦岡 ⾏治1
1.奈良先端⼤
C000980
奨
抗原抗体反応により凝集したラテックス粒⼦のSEM観察
〇⼭本 興⼦1、⼩野 雪夫2、平野 匡章1、⾜⽴ 作⼀郎1
1.⽇⽴研開, 2.⽇⽴ハイテクノロジーズ
C000932
奨
サブミクロンポアを⽤いたラテックス粒⼦の抵抗パルス測定による抗原抗体反応の単分⼦計測
〇⾼倉 樹1、柳 ⾄1、後藤 佑介1、⽯⽑ 悠1、⼩原 賢信1
1.⽇⽴研開
近接複数ナノポアのイオン電流評価
〇横⽥ ⼀道1、Lee Steven1、筒井 真楠1、⾕⼝ 正輝1、川合 知⼆1
1.阪⼤産研
絶縁被覆ナノギャップ電極を⽤いた液中タンパク質識別
〇有⾺ 彰秀1、筒井 真楠1、⾕⼝ 正輝1
1.阪⼤産研
縦型ナノトランジスタを⽤いたバイオセンサに向けた微細流路の作製
〇遠⽥ 康平1、⾓⽥ 充俊1、⼭内 博1、酒井 正俊1、⼯藤 ⼀浩1
1.千葉⼤学
〇⼭⽥ 俊樹1、春⼭ 喜洋1、笠井 克幸1、梶 貴博1、富成 征弘1、⽥中 秀吉1、⼤友 明1
1.情通機構
奨
奨
A Porous Polymer Microneedle Array for Interstitial Fluid Monitoring
12
12.6
Oral
3/19(⼟) 15:30 15:45
12
12.6
Oral
3/19(⼟) 15:45 16:00
12
12.6
Oral
3/19(⼟) 16:00 16:15
12
12.6
Oral
3/19(⼟) 16:15 16:30 19p-W323-10 C002979
奨
バクテリオロドプシン光センサーの時間周波数特性におけるpH緩衝液効果
〇(M2)宮下 ⼀⾺1、笠井 克幸2、春⼭ 喜洋2、岡⽥ 佳⼦1
1.電通⼤先進理⼯, 2.情報通信研究機構
12
12.6
Oral
3/19(⼟) 16:30 16:45 19p-W323-11 C002151
奨
親⽔基の異なるリン脂質リポソームを⽤いたマイクロカンチレバーセンサによるAβタンパク質識別能⼒の評価
〇(P)張 ⼦洋1、村上 祐樹1、⾕⼝ 智哉1、寒川 雅之2、⼭下 馨1、野⽥ 実1
1.京都⼯芸繊維⼤学, 2.新潟⼤学
12
12.6
Oral
3/19(⼟) 16:45 17:00 19p-W323-12 C003646
奨
DDAB平⾯脂質⼆重膜の相転移過程の直接観察
〇磯⾙ 卓⺒1、中⽥ 咲⼦1、⾚⽥ 英⾥1、吉⽥ 直⽮1、鷲⾒ 隼⼈1、⼿⽼ ⿓吾2、原⽥ 俊太1、宇治原 徹1、⽥川 美穂1
1.名⼤院⼯, 2.豊橋技科⼤
12
12.6
Oral
3/19(⼟) 17:00 17:15 19p-W323-13 C003033
ナノスケール表⾯平坦性を保った化学修飾基板上への繋ぎ留め型⽀持脂質⼆重膜の作製
〇(M1)新⼭ 侑哉1、三澤 宣雄2, 3、⼿⽼ ⿓吾1, 2
1.豊技⼤ 環境・⽣命, 2.豊技⼤ EIIRIS, 3.KAST
12
12.6
Oral
3/19(⼟) 17:15 17:30 19p-W323-14 C000743
浸透圧差による架橋膜の変形とベシクル融合促進
〇⼤嶋 梓1、樫村 吉晃1、住友 弘⼆1、中島 寛1
1.NTT物性基礎研
12
12.6
Oral
3/19(⼟) 17:30 17:45 19p-W323-15 C001534
微細加⼯イオンチャネルチップにおけるチャネル包埋促進
〇平野 愛⼸1、吉⽥ 美優1、荒⽊ 駿1、⼭本 英明2、庭野 道夫3
1.東北⼤院医⼯, 2.東北⼤学際研, 3.東北⼤通研
12
12.6
Oral
3/19(⼟) 17:45 18:00 19p-W323-16 C000169
12
12.6
Oral
3/20(⽇)
9:00
9:15
20a-W323-1
C003473
12
12.6
Oral
3/20(⽇)
9:15
9:30
20a-W323-2
C003608
12
12.6
Oral
3/20(⽇)
9:30
9:45
20a-W323-3
C003533
12
12.6
Oral
3/20(⽇)
9:45
10:00
20a-W323-4
C000197
12
12.6
Oral
3/20(⽇) 10:00 10:15
20a-W323-5
C000595
12
12.6
Oral
3/20(⽇) 10:15 10:30
20a-W323-6
C000269
奨
12
12.6
Oral
3/20(⽇) 10:30 10:45
12
12.6
Oral
3/20(⽇) 10:45 11:00
20a-W323-7
C001920
奨
12
12.6
Oral
3/20(⽇) 11:00 11:15
20a-W323-8
C002500
12
12.6
Oral
3/20(⽇) 11:15 11:30
20a-W323-9
C003268
12
12.6
Oral
12
12.6
12
12.6
12
12.6
Poster
3/20(⽇) 16:00 18:00
20p-P11-1
C003732
12
12.6
Poster
3/20(⽇) 16:00 18:00
20p-P11-2
C001024
休憩/Break
19p-W323-9
C001629
導波路型バクテリオロドプシン光応答セルによる時間微分型光応答電流の⾼効率化
⽀持脂質膜へのリポ多糖およびコレステロール修飾ゼラチンの結合︓
〇⽚岡 知歩1、⾙塚 芳久1、⽥⼝ 哲志1
1.物材機構
電⼦線誘起局所電界操作によるバイオ分⼦操作とin-situ リソグラフィ
〇星野 隆⾏1、宮廻 裕樹1、満渕 邦彦1
1.東⼤院情理
SHG強度による細胞膜損傷の評価と微粒⼦内在化が細胞膜に与える影響
〇齋藤 晴之1、加藤 徳剛1
1.明⼤理⼯
奨
近⾚外分光法に基づくDNA電気泳動ゲルの⾮染⾊イメージング
〇安⽥ 充1、苔⼝ 祐佳1、秋元 卓央2、尾崎 幸洋1
1.関⻄学院⼤理⼯, 2.東京⼯科⼤応⽤⽣物
奨
界⾯活性剤ミセル存在下における発光性⽔酸アパタイトナノ結晶の合成と特性
〇⽚岡 卓也1、柴 弘太2、多賀⾕ 基博1
1.⻑岡技科⼤⼯, 2.物材機構ICYS
FMO法に基づく⾼分⼦材料とシリカナノ粒⼦の相互作⽤モデリング
〇加藤 幸⼀郎1、⽯川 雄太郎2、奥脇 弘次2、川⽥ 修太郎2、望⽉ 祐志2, 3、⼩沢 拓4
1.みずほ情報総研, 2.⽴教⼤理, 3.東⼤⽣産研, 4.JSOL
FMO計算を援⽤する⾼分⼦マルチスケールシミュレーション
〇奥脇 弘次1、川⽥ 修太郎1、望⽉ 祐志1, 2、⼤畠 広介3、⼩沢 拓3
1.⽴教⼤理, 2.東⼤⽣産研, 3.JSOL
膜⾯積閉じ込め効果と膜端張⼒効果
休憩/Break
液中 FM-AFM による plasmid DNA のナノスケール⽔和構造計測
〇⽊南 裕陽1、⼩林 圭1, 2、⼭⽥ 啓⽂1
液中FM-AFMによるDNAオリガミにおけるcrossover構造評価 (2)
〇⻩ 雲⾶1、⾺ 志鵬1、⽊南 裕陽1、⼩林 圭1, 2、⼭⽥ 啓⽂1、⽥畑 修1
1.京⼤⼯, 2.京⼤⽩眉セ
AFMナノ⼒学測定による材料結合ペプチドの親和性評価⼿法の開発
〇(D)望⽉ 誠仁1、⼩⼝ 真弘1、Kim Seong-Oh2、Jackman Joshua A.2、⼩川 哲1、Lkhamsuren Ganchimeg1、Cho Nam-Joon2、林 智広1, 3
1.東⼯⼤ 総理⼯, 2.南洋理⼯⼤学, 3.理研
3/20(⽇) 11:30 11:45 20a-W323-10 C003290
光熱励振法を使⽤した振幅変調モード原⼦間⼒顕微鏡によるナノスケール空間における⽔の動⼒学的応答の解析
〇(M2)丹⽣ 隆1、⼩川 哲1、林 智広1, 2
1.東⼯⼤ 総理⼯, 2.理研
Oral
3/20(⽇) 11:45 12:00 20a-W323-11 C003557
３次元⾛査型⼒顕微鏡による揺動するナノ分⼦鎖の液中実空間計測
〇稲⽥ なつみ1、⾼尾 ⼀史1、淺川 雅1, 2、福間 剛⼠1, 2, 3
1.⾦⼤院, 2.⾦⼤バイオAFMセ, 3.JST ACT-C
Oral
3/20(⽇) 12:00 12:15 20a-W323-12 C002924
⽣物試料観察のための⾼速⾛査型イオン伝導顕微鏡の開発
〇渡辺 信嗣1、安藤 敏夫1, 2
1.⾦沢⼤バイオAFM, 2.JST CREST
Modification of Carbon-Based Materials with MPC Polymer Brush for Applications in Intracellular Nanosensors
〇(M1)Tinnlea Uen1, Keiichiro Kushiro1, Madoka Takai1
1.The Univ. of Tokyo
ナノ構造の導⼊による電気化学顕微鏡⽤マイクロ電極の⾼感度化
〇池上 真志樹1、平野 悠1、三重 安弘1、⼩松 康雄1
1.産総研
奨
E
12
12.6
Poster
3/20(⽇) 16:00 18:00
20p-P11-3
C001377
12
12.6
Poster
3/20(⽇) 16:00 18:00
20p-P11-4
C003376
薄膜⼲渉基板を⽤いた⾼感度ラマン分光イムノアッセイ
〇安⽥ 充1、秋元 卓央2、尾崎 幸洋1
1.関⻄学院⼤理⼯, 2.東京⼯科⼤応⽤⽣物
12
12.6
Poster
3/20(⽇) 16:00 18:00
20p-P11-5
C003529
⾃⼰組織化単分⼦膜修飾⾦ナノ粒⼦を⽤いた標的遺伝⼦の⾼感度検出
〇江刺家 恵⼦1、⽔⼝ ⾼翔1、斎⽊ 敏治1
1.慶⼤理⼯
12
12.6
Poster
3/20(⽇) 16:00 18:00
20p-P11-6
C003536
液中⾦ナノ粒⼦サンドイッチアッセイ法による標的DNAの⾼感度検出
〇⽔⼝ ⾼翔1、江刺家 恵⼦1、斎⽊ 敏治1
1.慶⼤理⼯
12
12.6
Poster
3/20(⽇) 16:00 18:00
20p-P11-7
C003572
集光レーザーアニーリングによる貴⾦属ナノ構造の作製とSERS特性の評価
〇中川 亮1、吉川 裕之1、⺠⾕ 栄⼀1
1.阪⼤院⼯
12
12.6
Poster
3/20(⽇) 16:00 18:00
20p-P11-8
C000760
四重極マイクロポアによる微粒⼦通過位置制御
〇筒井 真楠1、横⽥ ⼀道1、⾕⼝ 正輝1、川合 知⼆1
1.阪⼤産研
12
12.6
Poster
3/20(⽇) 16:00 18:00
20p-P11-9
C000914
ナノポアやナノスリットを通過する際に発⽣するDNAの詰まりのメカニズム
〇坂下 直⼈1、加藤 佑太1、⽯⽥ 研太郎1、三井 敏之1
1.⻘学⼤理⼯
12
12.6
Poster
3/20(⽇) 16:00 18:00
20p-P11-10
C003173
トンネル電流⽣体⾼分⼦識別法による単分⼦温度変化挙動の観察
〇⼤城 敬⼈1、筒井 真楠1、横⽥ ⼀道1、⾕⼝ 正輝1
1.阪⼤産研
12
12.6
Poster
3/20(⽇) 16:00 18:00
20p-P11-11
C000705
熱電応⽤に向けたPEG修飾フェリチンによるナノ構造形成
〇藤本 裕太1、上沼 睦典1、多和 勇樹1、岡本 尚⽂1、⽯河 泰明1、⼭下 ⼀郎1、浦岡 ⾏治1
1.奈良先端⼤
12
12.6
Poster
3/20(⽇) 16:00 18:00
20p-P11-12
C000074
機械学習を援⽤したChignolinのアミノ酸残基間の相互作⽤解析
〇望⽉ 祐志1, 2、古明地 勇⼈3、井⼭ 剛志1、奥沢 明4、牧村 健4、中⻄ 貴哉4、⽥中 成典5
12
12.6
Poster
3/20(⽇) 16:00 18:00
20p-P11-13
C000339
ペプトイド類のフラグメント分⼦軌道計算
〇川⽥ 修太郎1、坂⼝ 正貴1、⽶倉 伊吹1、奥脇 弘次1、望⽉ 祐志1, 2、福澤 薫2, 3
1.⽴教⼤理, 2.東⼤⽣産研, 3.⽇⼤松⼾⻭
12
12.6
Poster
3/20(⽇) 16:00 18:00
20p-P11-14
C002334
FM-AFMによる脂質⼆重膜上streptavidin 2次元結晶の分⼦スケール構造観察
〇宮本 眞之1、⽊南 裕陽1、⼩林 圭1, 2、⼭⽥ 啓⽂1
1.京⼤⼯, 2.京⼤⽩眉セ
12
12.6
Poster
3/20(⽇) 16:00 18:00
20p-P11-15
C003300
光熱励振法を⽤いた振幅変調型原⼦間⼒顕微鏡による2次元分⼦認識マッピング
丹⽣ 隆1、⼩川 哲1、⼤橋 りな1、〇林 智広1, 2
1.東⼯⼤ 総理⼯, 2.理研
12
12.6
Poster
3/20(⽇) 16:00 18:00
20p-P11-16
C003556
グリア細胞の機能解明へ向けたシナプス領域の近接場イメージング（Ⅱ）
〇酒井 優1、岡部 菜央1、櫻井 杏梨1、篠﨑 陽⼀2、柴⽥ 圭輔2、繁冨 英治2、⼩泉 修⼀2、内⼭ 和治1、堀 裕和1、⼩林 潔1
1.⼭梨⼤⼯, 2.⼭梨⼤医
12
12.6
Poster
3/20(⽇) 16:00 18:00
20p-P11-17
C003563
SiO2吸着ぺプチドの作製と球殻状タンパク質外表⾯へ提⽰
〇岡本 尚⽂1、北川 坦1、浦岡 ⾏治1、⼭下 ⼀郎1, 2
1.奈良先端⼤, 2.阪⼤院⼯
12
12.6
Poster
3/20(⽇) 16:00 18:00
20p-P11-18
C000934
シランカップリング剤修飾SiN基板表⾯における脂質膜の流動性評価
〇⼭浦 ⼤地1、仲⼭ 智明1、⽊村 康男2、平野 愛⼸3、荻野 俊郎1
1.横浜国⼤, 2.東京⼯科⼤, 3.東北⼤
12
12.6
Poster
3/20(⽇) 16:00 18:00
20p-P11-19
C000911
ホスト細胞同定に向けたエクソソーム基板吸着様態の特徴抽出
〇伊藤 和希1、⼩川 裕太1、横⽥ 圭司1、松村 幸⼦2、南澤 宝美后2、菅 加奈⼦2、芝 清隆2、⽊村 康男3、平野 愛⼸4、荻野 俊郎1
12
12.6
Poster
3/20(⽇) 16:00 18:00
20p-P11-20
C003412
hERG含有プロテオリポソームによる⽀持脂質⼆重膜形成と膜内構造体のサイズ分布の評価
〇福本 幸平1、吉⽥ 美優2、平野 愛⼸2、庭野 道夫2, 3、⼿⽼ ⿓吾1, 4
1.豊技⼤ 環境・⽣命, 2.東北⼤ 院医⼯, 3.東北⼤ 通研, 4.豊技⼤ EIIRIS
12
12.6
Poster
3/20(⽇) 16:00 18:00
20p-P11-21
C000686
⼆次元系原⼦膜と脂質分⼦膜の融合デバイスへ向けた要素技術開拓
〇(M1)磯部 亜紀⼦1、寺崎 真志1、⽊村 康男2、平野 愛⼸3、荻野 俊郎1
1.横国⼤院⼯, 2.東京⼯科⼤, 3.東北⼤院医⼯
12
12.6
Poster
3/20(⽇) 16:00 18:00
20p-P11-22
C002161
12
12.6
Poster
3/20(⽇) 16:00 18:00
20p-P11-23
C001083
12
12.6
Poster
3/20(⽇) 16:00 18:00
20p-P11-24
12
12.6
Poster
3/20(⽇) 16:00 18:00
12
12.7
Oral
3/19(⼟)
9:00
12
12.7
Oral
3/19(⼟)
9:15
12
12.7
Oral
3/19(⼟)
9:30
9:45
12
12.7
Oral
3/19(⼟)
9:45
10:00
12
12.7
Oral
3/19(⼟) 10:00 10:15
19a-W331-5
C001967
12
12.7
Oral
3/19(⼟) 10:15 10:30
19a-W331-6
C002060
12
12.7
Oral
3/19(⼟) 10:30 10:45
12
12.7
Oral
3/19(⼟) 10:45 11:00
19a-W331-7
C002109
12
12.7
Oral
3/19(⼟) 11:00 11:15
19a-W331-8
C002009
12
12.7
Oral
3/19(⼟) 11:15 11:30
19a-W331-9
C002117
12
12.7
Oral
3/19(⼟) 11:30 11:45 19a-W331-10 C002576
9:15
9:30
奨
E
〇(D)Chammari Pothipor1, 2, Kontad Ounnunkad2, Chutiparn Lertvachirapaiboon1, Kazunari Shinbo1, Keizo Kato1, Futao Kaneko1, Akira
1.京⼤⼯, 2.京⼤⽩眉セ
Improving Surface Plasmon Resonance Immunosensor Based on Graphene Oxide/PEDOT/PSS Film
Investigation for Association between the Structure of Partially Fluorinated Lipid Bilayer and Fluorescence Emission from Incorporated
Dye-Lipid
Baba1
〇(P)Toshinori Motegi1、Toshiyuki Takagi2、Toshiyuki Kanamori2、Masashi Sonoyama3、Ryugo Tero4
1.Niigata Univ. for Niigata University, 2.Chiang Mai Univ. for Chiang Mai University
1.⽴教⼤理, 2.東⼤⽣研, 3.産総研バイオ, 4.（株）ナレッジコミュニケーション, 5.神⼾⼤院情
1.横国⼤院⼯, 2.がん研, 3.東京⼯科⼤, 4.東北⼤院医⼯
1.Toyohashi Univ. Tech., EIIRIS, 2.Nat. Inst. Adv. Ind. Sci. Technol. (AIST), 3.Gunma Univ., Grad. Sch. Eng., 4.Toyohashi Univ. Tech.,
Dep. Environ. Life Sci.
液中環境下における⾦ナノ粒⼦の脂質⼆重膜への導⼊評価
〇(M1)坂⼝ 直駿1、仲⼭ 智明1、⽊村 僚佑1、⽊村 康男2、平野 愛⼸3、荻野 俊郎1
C002478
バイオデバイス応⽤に向けた巨⼤ベシクルの作製と評価
〇(M1)⽊村 僚佑1、仲⼭ 智明1、坂⼝ 直駿1、⽊村 康男2、平野 愛⼸3、荻野 俊郎1
1.横国⼤院⼯, 2.東京⼯科⼤, 3.東北⼤院医⼯
20p-P11-25
C002517
アルミナ表⾯上における脂質膜の展開と微⼩井⼾上の架橋膜形成
〇樫村 吉晃1、⼤嶋 梓1、住友 弘⼆1、中島 寛1
1.NTT物性基礎研
19a-W331-1
C003291
磁⽯回転によるField Cycle MRIの開発
〇⼩林 ⻯⾺1、飯倉 淳2、⼤久保 雄⼆3、梶原 秀則2、内海 英雄1
1.九⼤レドックスナビ, 2.富⼠電機, 3.メイコー
19a-W331-2
C003728
グラフェンFETを⽤いた酵素反応計測とピロリ菌検出への応⽤
〇⼩野 尭⽣1、川⽥ 拓哉1、⾦井 康1、⼤野 恭秀2、前橋 兼三3、井上 恒⼀1、松本 和彦1
1.阪⼤産研, 2.徳島⼤, 3.東京農⼯⼤
19a-W331-3
C001778
⾦属-微⼩空隙-絶縁体-半導体構造センシングデバイスの製作
〇⽯丸 頌⼦1、森⽥ 美穂1、川合 健太郎1、有⾺ 健太1、森⽥ 瑞穂1
1.阪⼤院⼯
19a-W331-4
C001874
化学蛍光法によるインフルエンザウイルスの光ファイバ型免疫測定に関する研究
〇岸川 知⾥1、鈴⽊ 友梨⾹1、齋藤 真奈2、宮島 久美⼦3、當⿇ 浩司4、荒川 貴博4、下村 弘冶2、三林 浩⼆1, 4
奨
1.横国⼤院⼯, 2.東京⼯科⼤, 3.東北⼤院医⼯
1.医科⻭科⼤院, 2.⽂京学院⼤, 3.⽇本学術振興会, 4.医科⻭科⼤⽣材研
補酵素NADH減少のUV-LED励起蛍光検出によるアセトン⽤バイオスニファ（⽣化学式ガスセンサ）と呼気ガス計測応⽤
〇鈴⽊ 卓磨1、簡 伯任1、叶 明2、當⿇ 浩司2、荒川 貴博2、三林 浩⼆1, 2
1.医科⻭科⼤院, 2.医科⻭科⼤⽣材研
コレステロール含有リポソームによるカンチレバーバイオセンサのAβ検出感度の向上
〇村上 祐樹1、張 ⼦洋1、⾕⼝ 智哉1、寒川 雅之2、⼭下 馨1、野⽥ 実1
1.京⼯繊⼤, 2.新潟⼤
休憩/Break
奨
蛍光分⼦封⼊リポソームセンサによるアミロイドβタンパク質の検出
〇今村 亮太1、張 ⼦洋1、島内 寿徳2、村⽥ 直樹1、⼭下 馨1、福澤 理⾏1、野⽥ 実1
1.京都⼯繊⼤, 2.岡⼭⼤
アレイデバイスによるリポソーム－タンパク質間相互作⽤の誘電分散解析
〇川崎 雅⼤1、吉川 知貴1、張 ⼦洋1、⼭下 馨1、野⽥ 実1
1.京⼯繊⼤⼯芸
マイクロパターン表⾯を⽤いた培養神経回路の構造-機能制御
〇⼭本 英明1、⽯原 広識2、河野 翔2、千⽥ 雄⼤3、松村 亮祐4、平野 愛⼸4、久保⽥ 繁5、⾕井 孝⾄2、庭野 道夫3
1.東北⼤学際研, 2.早⼤理⼯, 3.東北⼤通研, 4.東北⼤医⼯, 5.⼭形⼤理⼯
細胞シートの電気抵抗を活⽤した神経細胞外計測の信号増強
〇松村 亮佑1, 4、⼭本 英明2、平野 愛⼸1、庭野 道夫3
1.東北⼤院医⼯, 2.東北⼤学際研, 3.東北⼤通研, 4.学振DC1
2016年春季講演会(東⼯⼤⼤岡⼭キャンパス)プログラム
⼤分類 中分類
形式
講演⽇
開始
終了
講演番号
【1⽉28⽇(⽊)更新】暫定版からの更新箇所は⾚字になっております。
受付番号
奨励賞 英語 招待
31 / 52 ページ
※会場、時間が変更になった場合は該当の⽅にご連絡いたします。
講演タイトル
著者
所属機関
12
12.7
Oral
3/19(⼟) 11:45 12:00 19a-W331-11 C001270
12
12.7
Oral
3/19(⼟) 12:00 12:15 19a-W331-12 C000648
12
12.7
Oral
3/19(⼟) 13:45 14:00
19p-W331-1
C002705
スマートフォン取付型センシングシステムによる溶液中グルコース濃度の電気化学的測定
〇(B)藤本 拓也1、河原 翔梧1、渕上 幸男1、下川 翔⼠1、中村 瑛甫1、深⼭ 賢⼀1、釜堀 政男2、宇野 重康1
12
12.7
Oral
3/19(⼟) 14:00 14:15
19p-W331-2
C003249
スマートフォン取付型センシングシステムによるクロマトグラフィ―ペーパー酵素電極を⽤いたエタノールガスの電気化学的検出
〇(B)河原 翔梧1、渕上 幸男1、下川 翔⼠1、中村 瑛甫1、呉⽵ ⿓⺒1、釜堀 政男2、宇野 重康1
1.⽴命館理⼯, 2.⽇⽴製作所
12
12.7
Oral
3/19(⼟) 14:15 14:30
19p-W331-3
C002877
SPR・インピーダンス同時測定による⽣細胞モニタリングに向けた電気化学インピーダンス法の基礎検討
〇(B)吉崎 恭平1、柳瀬 雄輝2、宇野 重康1
1.⽴命館理⼯, 2.広⼤医
12
12.7
Oral
3/19(⼟) 14:30 14:45
19p-W331-4
C001054
「ハ」の字型電極を⽤いた誘電泳動⼒による1細胞送り出しシステム
〇濱⽥ 拓也1、⻄元 稜太1、須⽥ 隆夫1
1.⿅児島⾼専
12
12.7
Oral
3/19(⼟) 14:45 15:00
19p-W331-5
C002917
⾮対称平⾯電極を⽤いた誘電泳動⼒による⽩⾎球の分離Ⅱ
〇濱⽥ 昌也1、須⽥ 隆夫1
1.⿅児島⾼専
12
12.7
Oral
3/19(⼟) 15:00 15:15
19p-W331-6
C003350
CMOSチップ上微⼩流路に向けたクロマトグラフィペーパーとシリコーンによる流路作製
〇(B)⼭岡 克⾏1、江⼝ 潤1、宇野 重康1
1.⽴命館理⼯
12
12.7
Oral
3/19(⼟) 15:15 15:30
19p-W331-7
C003377
クロマトグラフィーペーパー流路とCMOSバイオセンサチップの統合
〇(B)江⼝ 潤1、⼭岡 克⾏1、宇野 重康1
1.⽴命館理⼯
12
12.7
Oral
3/19(⼟) 15:30 15:45
19p-W331-8
C000508
アレルギー検査⽤細胞分離マイクロチップの分離率評価
〇⼩林 孝⼀朗1、坂本 憲児1、柳瀬 雄輝2、秀 道広2、三宅 亮3
1.九⼯⼤, 2.広⼤医, 3.東⼤院⼯
12
12.7
Oral
3/19(⼟) 15:45 16:00
12
12.7
Oral
3/19(⼟) 16:00 16:15
19p-W331-9
C001675
LSPR-TIRF顕微鏡を⽤いた⾼分解能細胞イメージング
〇(M1)増⽥ 志穂美1、柳瀬 雄輝2、⾅倉 英治3、岡本 晃⼀1、⽟⽥ 薫1
1.九州⼤学先導研, 2.広島⼤学, 3.名古屋⼤学
12
12.7
Oral
3/19(⼟) 16:15 16:30 19p-W331-10 C000278
ポリドーパミン薄膜の表⾯プラズモン増強蛍光バイオセンサのタンパク質接着層への応⽤
〇當⿇ 真奈1、⽥和 圭⼦1
1.関学理⼯
12
12.7
Oral
3/19(⼟) 16:30 16:45 19p-W331-11 C001732
⾎液型判定のための導波モードセンサ⽤マイクロ流路チップ
〇芦葉 裕樹1、藤巻 真1、粟津 浩⼀1、⽥中 寅彦2、槇島 誠2
1.産総研, 2.⽇⼤医
12
12.7
Oral
3/19(⼟) 16:45 17:00 19p-W331-12 C000350
酸化亜鉛プラズモニックチップを⽤いたサンドイッチ型⾼感度イムノセンシング
〇⽥和 圭⼦1、⾓⾕ 真詩1、笹川 知⾥1、筋野 拓⾺2、中澤 光2、梅津 光央2
1.関⻄学院⼤理⼯, 2.東北⼤⼯
12
12.7
Oral
3/19(⼟) 17:00 17:15 19p-W331-13 C000413
分⼦鋳型ポリマー粒⼦を活⽤したポイントオブケア向け検査チップの検出下限濃度
〇⾕⼝ 伸⼀1、村瀬 敦郎2、北⼭ 雄⼰哉2、⽵内 俊⽂2
1.⽇⽴研開, 2.神⼾⼤院⼯
12
12.7
Oral
3/19(⼟) 17:15 17:30 19p-W331-14 C002157
奨
分⼦インプリントポリマー修飾プラズモニックチップによるヒト⾎清アルブミンの⾼感度プラズモニックセンシング
〇(M2)松浦 亮1、⾼野 恵⾥1、⽥和 圭⼦2、砂⼭ 博⽂1、北⼭ 雄⼰哉1、⽵内 俊⽂1
1.神⼾⼤院⼯, 2.関⻄学院⼤理⼯
12
12.7
Oral
3/19(⼟) 17:30 17:45 19p-W331-15 C001429
奨
分⼦鋳型インターフェイスを⽤いた糖鎖認識トランジスタの創製
〇(M1)⻄⾕ 象⼀1、加治佐 平2、坂⽥ 利弥1
1.東⼤⼯, 2.PROVIGATE Inc.
12
12.7
Oral
3/19(⼟) 17:45 18:00 19p-W331-16 C001685
分⼦鋳型ゲルゲート電界効果トランジスタの速度論的解析
〇加治佐 平1、坂⽥ 利弥2
1.PROVIGATE, 2.東⼤院⼯
12
12.7
Oral
3/20(⽇)
9:00
9:15
20a-W331-1
C000630
奨
⼈⼯視覚システム⽤CMOSチップ内臓スマート電極デバイスの作製と動作実証
〇(M1)吉村 彰⼈1、川﨑 凌平1、野⽥ 俊彦1、⽥代 洋⾏1, 2、⽵原 宏明1、笹川 清隆1、徳⽥ 崇1、太⽥ 淳1
12
12.7
Oral
3/20(⽇)
9:15
9:30
20a-W331-2
C001514
奨
分散型アーキテクチャによる広範囲被覆可能な埋込型の光電気BMIデバイス
〇岩崎 聡1、野⼝ 知暉1、⽵原 宏明1、野⽥ 俊彦1、笹川 清隆1、徳⽥ 崇1、太⽥ 淳1
1.奈良先端⼤
12
12.7
Oral
3/20(⽇)
9:30
9:45
20a-W331-3
C001597
奨
複数の⽣体信号を同時計測可能な多⽤途⽣体信号計測システムの設計と評価
〇伊藤 圭汰1、⾕ 卓治1、岩上 卓磨1、宇野 正真1、後藤 ⻯也1、⽵澤 好樹2、⻄野 悟3、清⼭ 浩司3、⽥中 徹1, 4
1.東北⼤院⼯, 2.東北⼤⼯, 3.⻑崎総科⼤, 4.東北⼤院医⼯
12
12.7
Oral
3/20(⽇)
9:45
10:00
20a-W331-4
C003598
奨
集積化脳神経プローブシステムの過熱保護⽤温度検出回路の設計
〇⻄野 悟1、⾕ 卓治2、岩上 卓磨2、伊藤 圭汰2、宇野 正真2、後藤 ⻯也2、⽵澤 好樹4、清⼭ 浩司1、⽥中 徹2, 3
1.⻑崎総科⼤, 2.東北⼤院⼯, 3.東北⼤院医⼯, 4.東北⼤⼯
奨
矩形波電流源を有したインピーダンス計測回路の設計
〇岩上 卓磨1、⾕ 卓治1、伊藤 圭汰1、宇野 正真1、後藤 ⻯也1、⽵澤 好樹2、⻄野 悟3、清⼭ 浩司3、⽥中 徹1, 4
1.東北⼤院⼯, 2.東北⼤⼯, 3.⻑崎総科⼤, 4.東北⼤院医⼯
神経細胞ネットワークハイスループットスクリーニング装置に適したネットワーク構造の開発
E
Fabrication of planar patch clamp chip by Bosch process and neuron network formation using this chip
〇栗⽥ 裕⼦1、宇野 秀隆1、王 志宏1、吉村 由美⼦2、⼩松 由紀夫2、宇理須 恒雄1
〇Zhihong Wang1, 2, Hidetaka Uno1, 2, Satoru Nakao3, Noriko Takada3, Masaki Aoyama3, Mitsukazu Suzui3, Yasushi Nakahara4,
Hirotoshi Sugiura4, Takayuki Hasegawa4, Fumihito Arai4, Hideaki Yamamoto5, Tsuneo Urisu1, 2
1.名古屋⼤学 グリーンモビリティ, 2.⽣理学研究所
1.Nagoya Univ., 2.JST CREST, 3.IMS, 4.Nagoya Univ., Engin., 5.Tohoku Univ.
1.⽴命館理⼯, 2.⽇⽴製作所
休憩/Break
奨
1.奈良先端⼤, 2.九州⼤
12
12.7
Oral
3/20(⽇) 10:00 10:15
20a-W331-5
C003482
12
12.7
Oral
3/20(⽇) 10:15 10:30
12
12.7
Oral
3/20(⽇) 10:30 10:45
20a-W331-6
C003547
12
12.7
Oral
3/20(⽇) 10:45 11:00
20a-W331-7
C002531
12
12.7
Oral
3/20(⽇) 11:00 11:15
20a-W331-8
C001658
奨
12
12.7
Oral
3/20(⽇) 11:15 11:30
20a-W331-9
C001198
奨
12
12.7
Oral
3/20(⽇) 11:30 11:45 20a-W331-10 C002769
広ダイナミックレンジ化を⽬指した基板電位制御可能なフィルタフリー蛍光検出センサ
〇森脇 優1、⽥中 清嗣1、⾼橋 ⼀浩1, 2、岩⽥ 達哉1、秋⽥ ⼀平1、太斎 ⽂博1、⽊村 安⾏1、⽯⽥ 誠1、澤⽥ 和明1, 2
12
12.7
Oral
3/20(⽇) 11:45 12:00 20a-W331-11 C000473
奨
GABAとグルタミン酸のイメージングを⽬指したH2O2センサの開発
〇(M1)奥村 悠基1、奥村 弘⼀1, 2、岩⽥ 達哉1, 2、⽯⽥ 誠1、澤⽥ 和明1, 2
1.豊橋技科⼤, 2.科学技術振興機構
12
12.7
Oral
3/20(⽇) 12:00 12:15 20a-W331-12 C001857
奨
ATPイメージセンサの出⼒特性に及ぼす酵素膜組成の影響
〇(M2)⼟井 英⽣1、堀尾 智⼦1、岩⽥ 達哉1、奥村 弘⼀1、服部 敏明1、⽯⽥ 誠1、澤⽥ 和明1
1.豊橋技科⼤
12
12.7
Oral
3/20(⽇) 13:45 14:00
20p-W331-1
C002234
奨
応⼒センサ集積シリコン神経プローブの開発
〇原島 卓也1、⾕ 卓治1、鈴⽊ 雄策1、森川 拓実2、⽊野 久志3、福島 誉史1、⽥中 徹1, 4
1.東北⼤院⼯, 2.東北⼤⼯, 3.東北⼤学際研, 4.東北⼤院医⼯
12
12.7
Oral
3/20(⽇) 14:00 14:15
20p-W331-2
C001607
脳深部刺⼊可能なフレキシブルケーブル⼀体化シリコン神経プローブの開発
〇森川 拓実1、⾕ 卓治2、原島 卓也2、鈴⽊ 雄策2、⽊野 久志3、福島 誉史2、⽥中 徹2, 4
12
12.7
Oral
3/20(⽇) 14:15 14:30
20p-W331-3
C003560
⾼い電荷注⼊能⼒と低インピーダンス特性を持つPEDOT/Pt-blackマイクロ電極デバイスの神経刺激応⽤
〇(M1)⼭⼝ 健太郎1、⽥中 将徳1、⼭際 翔太1、澤畑 博⼈1、沼野 利佳3、⽯⽥ 誠1, 2、河野 剛⼠1
1.豊橋技科⼤電, 2.EIIRIS, 3.豊橋技科⼤環
12
12.7
Oral
3/20(⽇) 14:30 14:45
20p-W331-4
C003632
奨
伸縮可能なフレキシブルバイオプローブ電極フィルムの製作
〇森川 雄介1、⼭際 翔太1、澤畑 博⼈1、⽯⽥ 誠1, 2、河野 剛⼠1
1.豊橋技科⼤, 2.EIIRIS
12
12.7
Oral
3/20(⽇) 14:45 15:00
20p-W331-5
C000174
奨
埋植型デバイスによる広範囲イメージングに向けた励起光除去性能改善
〇須永 圭紀1、春⽥ 牧⼈1、⼭⼝ 貴⼤1、桂⽊ 優治1、⽵原 宏明1、野⽥ 俊彦1、笹川 清隆1、徳⽥ 崇1、太⽥ 淳1
1.奈良先端⼤
12
12.7
Oral
3/20(⽇) 15:00 15:15
20p-W331-6
C001239
奨
埋植型デバイスへの導⼊に向けたハイドロゲルの光学特性評価
〇(M1)桂⽊ 優治1、須永 圭紀1、⽵原 宏明1、野⽥ 俊彦1、笹川 清隆1、徳⽥ 崇1、太⽥ 淳1
1.奈良先端⼤
12
12.7
Oral
3/20(⽇) 15:15 15:30
20p-W331-7
C001428
唾液グルコース計測のためのBLE無線通信式マウスガード型バイオセンサに関する研究
仁⽥ ⼤揮1、〇荒川 貴博2、當⿇ 浩司2、⽵内 周平3、関⽥ 俊明3、岩崎 泰彦4、⽔⼝ 俊介3、三林 浩⼆1, 2
1.医科⻭科⼤院, 2.医科⻭科⼤⽣材研, 3.医科⻭科⼤⻭学部, 4.関⻄⼤化⽣⼯
12
12.7
Oral
3/20(⽇) 15:30 15:45
20p-W331-8
C003274
化学駆動式の薬物放出システムを⽤いたグルコース濃度の⾃律制御に関する研究
〇森 ⼤典1、栗原 康司2、ムンフジャルガル ムンフバヤル3、當⿇ 浩司3、荒川 貴博3、⽮野 和義1、三林 浩⼆2, 3
1.東京⼯科応⽣, 2.医科⻭科⼤院, 3.医科⻭科⼤⽣材研
12
12.7
Poster
3/20(⽇) 16:00 18:00
20p-P12-1
C001656
地形的なパターンによる筋芽細胞C2C12の運動への影響
〇奥⾕ 智裕1、我妻 玲1、⽶⾕ 玲皇2、満渕 邦彦1、星野 隆⾏1
1.東⼤院情理, 2.東⼤院⼯
12
12.7
Poster
3/20(⽇) 16:00 18:00
20p-P12-2
C003701
⼀細胞レベルでのエクソソーム解析に向けたマイクロ流体デバイスの開発
〇(M1)筒井 敬悟1、Espulgar Wilfred Villariza1、齋藤 真⼈1、⺠⾕ 栄⼀1
1.阪⼤院⼯
12
12.7
Poster
3/20(⽇) 16:00 18:00
20p-P12-3
C000025
⽔晶振動⼦上にプラズマ開始重合で形成した分⼦インプリントポリマー膜を⽤いるヘパリンセンサ
〇有⽥ 智彦1、六⾞ 仁志1、吉⾒ 靖男1
1.芝浦⼯⼤
12
12.7
Poster
3/20(⽇) 16:00 18:00
20p-P12-4
C000026
⻑尺カーボンナノチューブを⽤いる夾雑物質存在下でのニコチンアミドアデニンジヌクレオチドの選択的電気化学検出
〇岡崎 優太1、井上 侑紀1、六⾞ 仁志1、井上 均2、⼤澤 達也2
1.芝浦⼯⼤, 2.⽇本資材
12
12.7
Poster
3/20(⽇) 16:00 18:00
20p-P12-5
C000168
フォトニック結晶ナノレーザセンサを⽤いた統合失調症関連タンパク質CRMP1の検出
〇古⽥ 祐樹1、野本 宗孝2、五嶋 良郎2、⾺場 俊彦1
12
12.7
Poster
3/20(⽇) 16:00 18:00
20p-P12-6
C003207
Filter-free fluorescence sensor with high performance by the surface planarization of polysilicon photogate
12
12.7
Poster
3/20(⽇) 16:00 18:00
20p-P12-7
C002018
12
12.7
Poster
3/20(⽇) 16:00 18:00
20p-P12-8
C002863
12
12.7
Poster
3/20(⽇) 16:00 18:00
20p-P12-9
C002880
12
12.7
Poster
3/20(⽇) 16:00 18:00
20p-P12-10
C002919
12
12.7
Poster
3/20(⽇) 16:00 18:00
20p-P12-11
C000947
A fluorescence imaging device with a portable system for detection of nitric oxide
12
12.7
Poster
3/20(⽇) 16:00 18:00
20p-P12-12
C002121
⽣体親和性酸化亜鉛ナノ粒⼦への⾦担持と光学特性
12
12.7
Poster
3/20(⽇) 16:00 18:00
20p-P12-13
C003060
細胞/グラフェンゲートトランジスタにおける表⾯化学修飾の影響
12
12.7
Poster
3/20(⽇) 16:00 18:00
20p-P12-14
C000022
ファージディスプレイ法を⽤いた抗３－（１－ナフトイル）インドール誘導体抗体の作製と評価
〇⽥中 真司1、中⼭ 浩1、村岡 仁1、吉⽥ ⿇⾐⼦3、村上 明⼀2
1.パナソニック先技本, 2.琉⼤医研, 3.抗⼯研セ
12
12.7
Poster
3/20(⽇) 16:00 18:00
20p-P12-15
C003073
Study on specific monitoring of histamine for allergy test
〇(M2)Haoyue Yang1, Akiko Saito Saito1, Taira Kajisa Kajisa2, Yuki Yanase3, Toshiya Sakata1
1.School of Engineering, Univ. of Tokyo, 2.PROVIGATE Inc., 3.Graduate School of Biomedical and Health Sciences, Hiroshima Univ.
12
12.7
Poster
3/20(⽇) 16:00 18:00
20p-P12-16
C000386
⾼次ナノ構造体を⽤いた微量分⼦検出
〇⼭⼝ 明啓1、福岡 隆夫1、内海 裕⼀1
1.兵庫県⼤
12
12.7
Poster
3/20(⽇) 16:00 18:00
20p-P12-17
C001494
電気泳動の分⼦篩いとDNA⼀塩基の分離分析
〇⼭⼝ 佳則1, 2、竇 暁鳴1
12
12.7
Poster
3/20(⽇) 16:00 18:00
20p-P12-18
C003636
⾼感度ガス分析装置を利⽤した呼気検査システムのソフトウェア解析
〇樺澤 匠1、東城 裕樹1、鶴岡 誠1
1.東京⼯科⼤
12
12.7
Poster
3/20(⽇) 16:00 18:00
20p-P12-19
C001245
⾎漿分離のための⾎球沈降孔の形状最適化
〇(DC)⿊⽥ 千愛1、⼤⽊ 義路1, 2、芦葉 裕樹3、藤巻 真3、粟津 浩⼀3、⽥中 寅彦4、槇島 誠4
1.早⼤先進理⼯, 2.早⼤材研, 3.産総研, 4.⽇⼤医
12
12.7
Poster
3/20(⽇) 16:00 18:00
20p-P12-20
C002310
光ピックアップ型ELISA⽤抗体修飾チップと⼩型測定システムの構築
〇吉川 裕之1、芳永 真1、⺠⾕ 栄⼀1
1.阪⼤院⼯
12
12.7
Poster
3/20(⽇) 16:00 18:00
20p-P12-21
C003360
遺伝⼦情報計測における蛍光標識物質の影響
〇⼭嶋 勇樹1、古家 ⻯之輔1、奥脇 聖史1、湯沢 友之1、鶴岡 誠1
1.東京⼯科⼤
12
12.7
Poster
3/20(⽇) 16:00 18:00
20p-P12-22
C003450
12
12.7
Poster
3/20(⽇) 16:00 18:00
20p-P12-23
C003489
フォトニック結晶ナノレーザによるDNAの⾼感度検出
〇⻑⾕川 湧1、渡部 ⼯1、⾺場 俊彦1
1.横国⼤院⼯
12
12.7
Poster
3/20(⽇) 16:00 18:00
20p-P12-24
C000349
GaInAsP半導体イメージングプレートによる様々な細胞イメージング
〇酒本 真⾐1、景⼭ 達⽃1、福⽥ 淳⼆1、⾺場 俊彦1
1.横国⼤・院⼯
12
12.7
Poster
3/20(⽇) 16:00 18:00
20p-P12-25
C000933
12
12.7
Poster
3/20(⽇) 16:00 18:00
20p-P12-26
C003613
ウイルス検出のための糖鎖機能化グラフェンFETの修飾糖鎖の検討
〇林 亮太1、⼩野 尭⽣1、⾦井 康1、⼤野 恭秀1, 2、前橋 兼三1, 3、井上 恒⼀1、渡邊 洋平4、河原 敏男5、鈴⽊ 康夫5、中北 愼⼀6、松本 和彦1
1.阪⼤産研, 2.徳島⼤, 3.東京農⼯⼤, 4.京都府⽴医⼤, 5.中部⼤, 6.⾹川⼤
12
12.7
Poster
3/20(⽇) 16:00 18:00
20p-P12-27
C001431
溶解材を⽤いたシリコンウィスカ神経電極の実装技術とin vivo評価
〇ティオ ドンシュン1、澤畑 博⼈1、⼭際 翔太1、守⾕ 愛理1、⼤井 英⽣1、安東 頼⼦1、沼野 利佳1、⽯⽥ 誠1、鯉⽥ 孝和1、河野 剛⼠1
1.豊橋技科⼤⼯
12
12.7
Poster
3/20(⽇) 16:00 18:00
20p-P12-28
C003107
倒⽴型電⼦線描画を⽤いた細胞膜電気穿孔現象
〇吉岡 基1、宮廻 裕樹1、我妻 玲1、満渕 邦彦1、星野 隆⾏1
1.東⼤情理
12
12.7
Poster
3/20(⽇) 16:00 18:00
20p-P12-29
C003695
Low temperature solution-processed lead-zirconium-titanate thin film actuator for highly integrated biochip
12
12.7
Poster
3/20(⽇) 16:00 18:00
20p-P12-30
C000444
エレクトロスピニング法を⽤いた⾎液凝固性ナノファイバー
12
12.7
Poster
3/20(⽇) 16:00 18:00
20p-P12-31
C000296
12
12.7
Oral
3/21(⽉)
9:00
9:15
21a-W331-1
C000059
奨
12
12.7
Oral
3/21(⽉)
9:15
9:30
21a-W331-2
C002660
奨
12
12.7
Oral
3/21(⽉)
9:30
9:45
21a-W331-3
C003361
12
12.7
Oral
3/21(⽉)
9:45
10:00
21a-W331-4
C003320
12
12.7
Oral
休憩/Break
3/21(⽉) 10:00 10:15
21a-W331-5
C003620
21a-W331-6
C002524
E
E
E
奨
E
奨
E
顕微LSPRイメージングを⽤いた好中球の単⼀細胞解析
〇(M2)三⽥ ⼤樹1、⻄出 真之2、堀井 拓真1、吉川 裕之1、⾼松 漂太2、齋藤 真⼈1、伊賀 光博3、熊ノ郷 淳2、⺠⾕ 栄⼀1
ホルダ型ピエゾ抵抗カンチレバを⽤いたマウス受精卵質量測定
網野 慶明1、齋藤 暁⼦2、⾼城 翔太1、⾓⽥ ⼀樹3、保坂 純男1、坂⽥ 利弥2、〇曾根 逸⼈1
1.群⾺⼤院理⼯, 2.東京⼤院⼯, 3.群⾺⼤⼯
再⽣軟⾻細胞基質産⽣測定に向けた硫酸化グリコサミノグリカン計測センサの創製
〇佐⽵ 皓宇1、齋藤 暁⼦1、加治佐 平1、⽔野 秀⼀2、坂⽥ 利弥1
1.東⼤院⼯, 2.ハーバード⼤
CMOSイメージセンサを⽤いた培養細胞のオンチップ蛍光計測システム
〇(M1)⼤澤 和嵩1、⽵原 宏明1、野⽥ 俊彦1、笹川 清隆1、徳⽥ 崇1、太⽥ 淳1
1.奈良先端⼤
Development of a pattering technique for enzyme-immobilized membranes using cross-linkable polymer
1.Toyohashi Univ., 2.EIIRIS
1.広島⼤ナノデバ, 2.広島⼤分⼦⽣命
〇Shu Jiang1, Masato Saito1, Eiichi Tamiya1
1.Osaka Univ.
差動Siリングバイオセンサーの検出原理の検証
〇⾕⼝ 智哉1, 2、横⼭ 脩平1, 2、⾬宮 嘉照1、池⽥ 丈3, 1、⿊⽥ 章夫3, 1、横⼭ 新1, 2
1.広島⼤ナノデバイス・バイオ融合科学研, 2.先端研究科半導体集積科学専攻, 3.分⼦⽣命機能科学専攻
〇(D)Anek Wuthayavanich1, Makito Haruta1, Hiroaki Takehara1, Toshihiko Noda1, Kiyotaka Sasagawa1, Takashi Tokuda1, Jun Ohta1
1.Nara Inst. of Sci. and Tech.
飯塚 真理1、〇藤井 政俊1、橋本 英樹2、藤⽥ 恭久3
1.島根⼤, 2.島根⼤戦略的研究推進センター, 3.島根⼤院総合理⼯
Study on peptide-functionalized single–walled carbon nanotube field effect transistor for aptasensor
〇(M1)⻄ 七津紀1、⻄村 光太郎1、津島 幸平1、曽⽥ 将来1、陳 嘯1、村上 剛浩1、宮澤 雄弥2、加治佐 平2、加藤 ⼤3、⽶⾕ 玲皇1、千⾜ 昇平1、
丸⼭ 茂夫1、坂⽥ 利弥1
〇Tung Thanh Nguyen1, Trong Tue Phan1, Thi Ngoc Lien Truong2, Yasuhide Ohno3, Kenzo Maehashi4, Kazuhiko Matsumoto5, Manish
Biyani1, Yuzuru Takamura1
〇宇野 秀隆1, 3、王 志宏1, 3、⽯垣 診祐2, 3、浮⽥ 芳昭3, 4、⾼村 禅3, 5、宇理須 恒雄1, 3
〇(P)TUE TRONG PHAN1, 2、Reijiro Shimura1, 2、Yuki Tagashira1、Yoshiaki Ukita2, 3、Keisuke Satou4、Kazuhiro Fukada1, 2、Tatsuya
Shimoda1, 2、Yuzuru Takamura1, 2
〇(B)⾼橋 圭佑1、朴 駿容2、⽩⿃ 世明2
1.東⼤⼯, 2.(株)PROVIGATE, 3.東⼤薬
1.華東理⼯⼤院理, 2.阪⼤院⼯
1.Japan Advanced Inst. of Sci. and Tech., 2.HUST, 3.Tokushima Univ., 4.Tokyo Univ. Agr. Tech., 5.Osaka Univ. ISIR
1.名⼤ グリモ, 2.名⼤医, 3.JST-CREST, 4.⼭梨⼤, 5.北陸先端⼤
1.JAIST, 2.JST-CREST, 3.Yamanashi Uni., 4.JSR
1.慶⼤理⼯, 2.慶⼤院理⼯
〇宇⾼ 光1、福⽥ 武司1、鎌⽥ 憲彦1、鈴⽊ 美穂1
1.埼⽟⼤院理⼯
マイクロフルイディクスを⽤いたBEAMing法の基礎検討
〇⼭脇 幸也1、川本 泰⼦1、中野 毅1、⽥川 礼⼈1
1.シスメックス 中央研
遠⼼熱対流PCRの流体解析と薬剤耐性菌遺伝⼦の迅速検出
〇⾼橋 和也1、齋藤 真⼈1、⼭本 倫久2、明⽥ 幸宏2、朝野 和典3、⺠⾕ 栄⼀1
1.阪⼤院⼯, 2.阪⼤微研, 3.阪⼤院医
熱対流制御によるイムノアッセイの迅速化検討
〇⽥所 達郎1、斎藤 真⼈1、⺠⾕ 栄⼀1
1.阪⼤⼯
⾃⼰制御型遠⼼流体デバイスにおける⾃動液体置換機構の検討
〇岡本 俊哉1、浮⽥ 芳昭1
1.⼭梨⼤⼯
〇(P)Rahul Bhardwaj1, 2, Yuzuru Takamura1, 2
1.Japan Advanced Institute of Science and Technology, 2.Japan Science and Technology, CREST
〇堀 信康1、近江 みゆき2、桐村 浩哉1、⾼村 禅2
1.シスメックス, 2.JAIST
結合体の⽣細胞内への導⼊効率評価
E
1.横国⼤, 2.横市⼤
1.Toyohashi Univ.
Pressure-free nanoimprinting at room temperature for plasmonic biosensors
フローサイトメトリーを⽤いた抗CD3抗体-CdSe/ZnS 量⼦ドット
奨
Sawada1, 2
1.東北⼤⼯, 2.東北⼤院⼯, 3.東北⼤学際研, 4.東北⼤院医⼯
〇横⼭ 脩平1、⾕⼝ 智哉1、⾬宮 嘉照1、池⽥ 丈2, 1、⿊⽥ 章夫2, 1、横⼭ 新1
－細胞内容物の抽出とmRNAの定量解析－
奨
Ippei Akita1、Tatsuya Iwata1、Kazuaki Sawada1、Makoto Ishida1
〇(DC)Lee Youna1, Tomoko Horio1, Koichi Okumura1, 2, Tatsuya Iwata1, 2, Kazuhiro Takahashi1, 2, Makoto Ishida1, 2, Kazuaki
1.豊橋技科⼤, 2.JST-CREST
差動Siリング光共振器センサー温度特性のばらつき評価
プレーナーパッチクランプによる単⼀細胞解析
奨
〇(D)Yongjoon Choi1、Kazuhiro Takahashi1、Motoharu Matsuda1、Ken Hizawa1、Yu Moriwaki1、Fumihiro Dasai1、Yasuyuki Kimura1、
1.阪⼤院⼯, 2.阪⼤院医, 3.横河電機（株）
Chemical synthesis of oligonucleotides using mild reagents aiming to tag synthesis on-chip for single cell analysis with positional
information
12
12.7
Oral
3/21(⽉) 10:15 10:30
12
12.7
Oral
3/21(⽉) 10:30 10:45
12
12.7
Oral
3/21(⽉) 10:45 11:00
21a-W331-7
C001380
マイクロ⾎球分離フィルタに関する研究
〇加藤 拓真1
1.阪⼯⼤
12
12.7
Oral
3/21(⽉) 11:00 11:15
21a-W331-8
C002040
2液接触界⾯領域で⽣じるフィブリン網の分⼦透過性観察
〇井上 鈴代1、林 勝義1、岩崎 弦1、瀬⼭ 倫⼦1、⼩泉 弘1
1.ＮＴＴ先端集積デバイス研究所
12
12.7
Oral
3/21(⽉) 11:15 11:30
21a-W331-9
C002973
マイクロ流路を⽤いたナノ粒⼦の1粒⼦マルチパラメーター解析 ―濃度定量測定の検討―
〇⻤柳 知1、⾚⽊ 貴則1、⼀⽊ 隆範1
1.東⼤院⼯
12
12.7
Oral
3/21(⽉) 11:30 11:45 21a-W331-10 C003689
AFM測定を容易にする細胞外ベシクル分析⽤マイクロ流体デバイスの開発
〇住川 元延1、倉持 宏実1、⾚⽊ 貴則1、⼀⽊ 隆範1, 2
1.東⼤⼯, 2.ナノ医療イノベ
12
12.7
Oral
3/21(⽉) 11:45 12:00 21a-W331-11 C002958
共有結合による基板上へのタンパク質の⾃発的固定化技術の開発
〇若井 涼1、上野 真吾1, 2、⼀⽊ 隆範1, 2
1.東⼤⼯, 2.ナノ医療イノベーションセンター
銀ナノ粒⼦を⽤いた電気化学免疫センサの開発
休憩/Break
2016年春季講演会(東⼯⼤⼤岡⼭キャンパス)プログラム
⼤分類 中分類
形式
講演⽇
開始
終了
講演番号
【1⽉28⽇(⽊)更新】暫定版からの更新箇所は⾚字になっております。
受付番号
奨励賞 英語 招待
32 / 52 ページ
※会場、時間が変更になった場合は該当の⽅にご連絡いたします。
講演タイトル
著者
所属機関
12
12.7
Oral
3/21(⽉) 12:00 12:15 21a-W331-12 C003430
エクソソームの選択的分離に向けたマイクロフリーフロー電気泳動デバイスの開発
〇久保⽥ 涼介1、⼀⽊ 隆範1, 2
1.東⼤院⼯, 2.ナノ医療イノベーションセンター
13
13.1
Oral
3/19(⼟)
9:00
9:15
19a-S223-1
C000703
次世代TCAD(1) 複数デバイスと回路の強連成による⼀括解析
〇原⽥ 昌紀1、桑原 匠史1、⼤倉 康幸1、⼭⼝ 憲1、⼩池 秀耀1
1.アドバンスソフト
13
13.1
Oral
3/19(⼟)
9:15
9:30
19a-S223-2
C000729
次世代TCAD(2) ３次元デバイスシミュレータによる５段CMOSインバータチェーンの⼀括過渡解析
〇萩原 敦1、原⽥ 昌紀1、桑原 匠史1、⼤倉 康幸1、⼭⼝ 憲1、⼩池 秀耀1
1.アドバンスソフト（株）
13
13.1
Oral
3/19(⼟)
9:30
9:45
19a-S223-3
C000751
次世代TCAD(3) 3次元デバイスシミュレータを⽤いた並列計算
〇桑原 匠史1、⼤倉 康幸1、⼭⼝ 憲1、⼩池 秀耀1
1.アドバンスソフト
13
13.1
Oral
3/19(⼟)
9:45
10:00
19a-S223-4
C001115
次世代TCAD(4) モンテカルロイオン注⼊の畳み込み積分法の検討
〇⼤倉 康幸1、⼭⼝ 憲1、⼩池 秀耀1
1.アドバンストソフト
13
13.1
Oral
3/19(⼟) 10:00 10:15
19a-S223-5
C000408
超低電圧駆動フィン型SRAMの為のナノOPC製造考慮設計計算機シミュレーション
〇⾨⽥ 和也1
1.ナノサイエンスラボ
13
13.1
Oral
3/19(⼟) 10:15 10:30
19a-S223-6
C003262
遠くに⾶んだデルタ線によるソフトエラーに対するスケーリングの効果
〇渕⽥ 紳平1, 2、⼩林 ⼤輔1, 2、廣瀬 和之1, 2
1.東⼤院⼯, 2.宇宙研
13
13.1
Oral
3/19(⼟) 10:30 10:45
19a-S223-7
C003114
〇井辻 宏章1, 2、⼩林 ⼤輔1, 2、廣瀬 和之1, 2
1.東⼤院⼯, 2.JAXA宇宙研
13
13.1
Oral
3/19(⼟) 10:45 11:00
13
13.1
Oral
3/19(⼟) 11:00 11:15
19a-S223-8
C001318
13
13.1
Oral
3/19(⼟) 11:15 11:30
19a-S223-9
C000044
13
13.1
Oral
3/19(⼟) 11:30 11:45
19a-S223-10 C003056
13
13.1
Oral
3/19(⼟) 11:45 12:00
19a-S223-11 C000311
13
13.1
Oral
3/19(⼟) 12:00 12:15
13
13.1
Oral
3/19(⼟) 12:15 12:30
13
13.1
Poster
3/19(⼟) 13:30 15:30
19p-P2-1
C002726
13
13.1
Poster
3/19(⼟) 13:30 15:30
19p-P2-2
13
13.1
Poster
3/19(⼟) 13:30 15:30
13
13.1
Poster
13
13.1
Poster
13
13.1
13
13
⼆光⼦吸収過程を⽤いたレーザによるソフトエラーシミュレーションの
奨
焦点位置依存性の数値解析
休憩/Break
Source/Drain領域のバンドギャップ制御によるSOI-MOSFETの寄⽣バイポーラ効果の抑制
奨
〇(M1)和⽥ 雄友1、⼭本 航汰1、⾼橋 芳浩1、呉 研1
1.⽇⼤理⼯
横型Tunnel FET の閾値状態の定義についての考察
〇森 義暁1、佐藤 伸吾1、⼤村 泰久1
1.関⻄⼤
ニューラルネットワークを⽤いたナノデバイス特性の機械学習
〇古林 せなみ
早⼤
サブ10nmチャネル⻑SiナノワイヤMOSFETの量⼦輸送シミュレーション
〇平井 佑昂1、⼟屋 英昭1、⼩川 真⼈1
1.神⼾⼤⼯
19a-S223-12 C000591
単原⼦層半導体における局在不純物の電⼦輸送特性への影響
〇五⼗嵐 玲太1
1.筑波⼤理⼯
19a-S223-13 C002614
分⼦動⼒学法による低熱伝導率SiGe構造の探索
〇⾼橋 憲彦1、⾦⽥ 千穂⼦1
1.富⼠通研
⼤気中アニールを施したβ-FeSi2バルク単結晶のPL特性(2)
〇(B)⼩林 治哉1、佐藤 桂輔1、中岡 鑑⼀郎1、原 嘉昭1
1.茨城⾼専
C003097
GeコアSi量⼦ドットの発光メカニズム
〇近藤 圭悟1、池⽥ 弥央1、牧原 克典1、宮崎 誠⼀1
1.名⼤院⼯
19p-P2-3
C000343
電⼦テンション密度を⽤いた局所電気伝導特性の解析
〇瀬波 ⼤⼟1、埜崎 寛雄1、市川 和秀1、⽴花 明知1
1.京⼤⼯
3/19(⼟) 13:30 15:30
19p-P2-4
C000636
STI型ULSI素⼦の転位蓄積に伴う電気特性変化(3)
〇⽶窪 駿1、嵐 祥吾2、佐藤 満弘2、⼭⼝ 憲3、丸泉 琢也1
1.東京都市⼤⼯, 2.北⾒⼯⼤⼯, 3.アドバンスソフト
3/19(⼟) 13:30 15:30
19p-P2-5
C002119
スーパー接合構造を持つSBCDの逆回復特性シミュレーション
〇(M1)對⾺ 広隆1、⼯藤 嗣友2、菅原 ⽂彦1
1.東北学院⼤⼯, 2.神奈川⼯科⼤
Oral
3/19(⼟) 15:30 15:45
19p-S223-1
C000281
ランダム⾏列フォノンモデルに基づくNEGFシミュレーション
美⾥劫 夏南1、〇森 伸也1
1.阪⼤⼯
13.1
Oral
3/19(⼟) 15:45 16:00
19p-S223-2
C000283
フォノン輸送シミュレーションにおける境界条件の影響
上野 晃弘1、⼩池 慎治1、〇森 伸也1
1.阪⼤⼯
13.1
Oral
3/19(⼟) 16:00 16:15
19p-S223-3
C003742
GeコアSi量⼦ドットにおけるGeコアサイズがPL特性に及ぼす影響
〇(B)⼭⽥ 健太郎1、近藤 圭悟1、池⽥ 弥央1、牧原 克典1、宮崎 誠⼀1
1.名⼤院⼯
13
13.1
Oral
3/19(⼟) 16:15 16:30
19p-S223-4
C001398
誘電率ミスマッチによる⾼ドープSi薄膜中の不純物のイオン化エネルギー上昇の解析
〇⽥中 貴久1、⾼橋 綱⼰1、内⽥ 建1
1.慶應⼤理⼯ 電⼦⼯
13
13.1
Oral
3/19(⼟) 16:30 16:45
19p-S223-5
C003137
奨
⾛査型⾮線形誘電率顕微鏡を⽤いたdC/dVとdC/dz測定によるキャリア濃度の定量化に関する研究
〇劉 彬1、平永 良⾂1、茅根 慎通1、⻑ 康雄1
1.東北⼤学
13
13.1
Oral
3/19(⼟) 16:45 17:00
19p-S223-6
C002388
奨
Ar/H2熱処理によるSi(100)表⾯の原⼦レベル平坦化に関する検討
〇(D)⼯藤 聡也1、⼤⾒ 俊⼀郎1
1.東⼯⼤
13
13.1
Oral
3/19(⼟) 17:00 17:15
19p-S223-7
C000420
シリコン酸化膜熱脱離によるボイド内リング構造形成の雰囲気依存性
〇遠⽥ 義晴1、⻑内 翔⼤1、⼩笠原 崇仁1
1.弘⼤院理⼯
13
13.1
Oral
3/19(⼟) 17:15 17:30
19p-S223-8
C000684
SiO2/Si界⾯層付近での⽔素分⼦の凝集現象の解析
〇加藤 弘⼀1、福⾕ 克之1
1.東⼤⽣産研
13
13.1
Oral
3/19(⼟) 17:30 17:45
19p-S223-9
C000606
半導体プロセスのための⼈⼯知能融合吸着シミュレータの開発
13
13.1
Oral
3/19(⼟) 17:45 18:00
13
13.2
Poster
3/20(⽇) 16:00 18:00
20p-P13-1
C002338
13
13.2
Poster
3/20(⽇) 16:00 18:00
20p-P13-2
C002249
13
13.2
Poster
3/20(⽇) 16:00 18:00
20p-P13-3
C003436
13
13.2
Poster
3/20(⽇) 16:00 18:00
20p-P13-4
C003041
13
13.2
Poster
3/20(⽇) 16:00 18:00
20p-P13-5
C002603
CaSi2をテンプレートとしたクエン酸,リンゴ酸及びEDTA溶液処理によるSi系ナノ構造物の作製
〇熊澤 佑貴1、佐々⽊ 謙太2、孟 祥3、袁 佩玲3、⽴岡 浩⼀2
1.静岡⼤⼯, 2.静岡⼤院⼯, 3.静岡⼤院創造
13
13.2
Poster
3/20(⽇) 16:00 18:00
20p-P13-6
C002617
AgNO3/HF溶液の繰り返し処理によるシリコンワイヤの作製
〇中⼭ 誠1、鈴⽊ 崇倫1、⽴岡 浩⼀1
1.静⼤院⼯
13
13.2
Poster
3/20(⽇) 16:00 18:00
20p-P13-7
C000437
β-FeSi2/Siヘテロエピタキシャル構造のイオンチャネリング
〇前⽥ 佳均1、寺井 慶和1、鳴海 ⼀雅2
1.九⼯⼤, 2.原⼦⼒機構
13
13.2
Poster
3/20(⽇) 16:00 18:00
20p-P13-8
C002759
β-FeSi2エピタキシャル膜における直接遷移エネルギーの成⻑温度依存性
〇塚本 裕明1、飯沼 元輝2、⼭⼝ 陽⼰1、村社 尚紀2、⼭﨑 ⼀輝2、寺井 慶和1, 2
1.⿅児島⼤理⼯, 2.九⼯⼤情報⼯
13
13.2
Poster
3/20(⽇) 16:00 18:00
20p-P13-9
C002767
スパッタリング法で作製したβ-FeSi2多結晶薄膜内の不純物濃度分析
〇服部 哲1、東 貴彦1、池⽥ 修哉2、扇 和也2、寺井 慶和1, 2
1.⿅児島⼤理⼯, 2.九⼯⼤情報⼯
13
13.2
Poster
3/20(⽇) 16:00 18:00
20p-P13-10
C000220
シリサイド系半導体材料BaSi2を⽤いたSiベースヘテロ接合太陽電池の作製
〇塚原 ⼤地1、武内 ⼤樹1、Weijie Du1、髙部 涼太1、都甲 薫1、宇佐美 徳隆2、末益 崇1
1.筑波⼤院, 2.名古屋⼤
13
13.2
Poster
3/20(⽇) 16:00 18:00
20p-P13-11
C002486
RFスパッタリング法による多結晶BaSi2薄膜の形成
横⼭ 晟也1、召⽥ 雅実2、倉持 豪⼈2、都甲 薫1、〇末益 崇1
1.筑波⼤院, 2.東ソー株式会社
13
13.2
Poster
3/20(⽇) 16:00 18:00
20p-P13-12
C001742
スパッタ法による窒素ドープFeSi2薄膜の作製とその電気特性
⾺場 隆司1、岸本 紘宗1、〇吉武 剛1
1.九州⼤学総理⼯
13
13.2
Poster
3/20(⽇) 16:00 18:00
20p-P13-13
C000461
p型InPおよびGaN中の最近接ホッピング伝導に対するホール因⼦
〇梶川 靖友1
1.島根⼤総合理⼯
13
13.2
Poster
3/20(⽇) 16:00 18:00
20p-P13-14
C000213
MnドープGaAs中の最近接ホッピング伝導に対するホール因⼦
〇梶川 靖友1
1.島根⼤総合理⼯
奨
19p-S223-10 C000237
奨
奨
招
〇佐藤 絵美1、佐藤 愛美1、⼩原 幸⼦1、稲葉 賢⼆1、⽯澤 由紀江1、宮野 正之1、三浦 隆治1、鈴⽊ 愛1、宮本 直⼈1、畠⼭ 望1、宮本 明1、パト
リック ボノー1
1.東北⼤学
70℃希塩酸⽔溶液中におけるフィルターの除粒⼦性能評価
〇⾼倉 知征1、都築 修⼀1
1.⽇本ポール
イオンビームスパッタ蒸着法を⽤いた⾼品位Er2O3薄膜の作製
〇藤⽥ 将弥1, 2、朝岡 秀⼈2、⼭⼝ 憲司2
1.茨城⼤学, 2.原⼦⼒機構
不純物を添加した溶融マグネシウムシリサイド結晶の耐酸化性
〇(B)今野 嵩1、⼤坪 翼1、中野 浩平1、鵜殿 治彦1
1.茨城⼤⼯
短時間熱拡散で作製したMg2Si-pn接合ダイオードの電気・光学特性
〇⻤沢 雄⾺1、堀 信彦1、秋⼭ 智洋1、江坂 ⽂孝2、鵜殿 治彦1
1.茨城⼤⼯, 2.原⼦⼒機構
垂直ブリッジマン法で成⻑した⾼純度Mg2Si結晶の結晶性評価
〇(B)中野 浩平1、⼤坪 翼1、今野 嵩1、鵜殿 治彦1
1.茨城⼤⼯
「講演奨励賞受賞記念講演」（15分）
13
13.2
Oral
3/21(⽉)
9:00
9:15
21a-S223-1
I000081
13
13.2
Oral
3/21(⽉)
9:15
9:30
21a-S223-2
C001908
13
13.2
Oral
3/21(⽉)
9:30
9:45
21a-S223-3
C000516
硬X 線光電⼦分光法によるa-Si/BaSi2のバンドアライメント測定
〇⾼部 涼太1、武内 ⼤樹1、Du Weijie1、伊藤 啓太1, 2, 3、都甲 薫1、上⽥ 茂典4、⽊村 昭夫5、末益 崇1
1.筑波⼤, 2.⽇本学術振興会, 3.東北⼤, 4.NIMS, 5.広島⼤
13
13.2
Oral
3/21(⽉)
9:45
10:00
21a-S223-4
C000344
a-Si層挿⼊による表⾯電極/BaSi2間の接触抵抗低減
〇⾕内 卓1、武内 ⼤樹1、⾼部 涼太1、都甲 薫1、末益 崇1, 2
1.筑波⼤学, 2.JST-CREST
13
13.2
Oral
3/21(⽉) 10:00 10:15
21a-S223-5
C001076
BaSi2薄膜太陽電池におけるp型エミッタ層材料の探索
〇(B)⾼橋 ⼀真1、中川 慶彦1、原 康祐2、⿊川 康良1、宇佐美 徳隆1
13
13.2
Oral
3/21(⽉) 10:15 10:30
21a-S223-6
C000195
奨
光電⼦分光による Cr 添加 AlN のバンド構造の研究
〇(M1)⽴溝 信之1、園⽥ 早紀1、⼭根 宏之2、⽥中 清尚2
13
13.2
Oral
3/21(⽉) 10:30 10:45
21a-S223-7
C001737
奨
Mo6クラスター錯体化合物の電⼦構造と組成の相関性
13
13.2
Oral
3/21(⽉) 10:45 11:00
13
13.2
Oral
3/21(⽉) 11:00 11:15
21a-S223-8
C003713
磁性AFM探針を⽤いたFe3Siナノドットの電⼦輸送特性評価
〇(DC)張 海1、満⾏ 優介1、牧原 克典1、池⽥ 弥央1、⼤⽥ 晃⽣1、宮崎 誠⼀1
1.名古屋⼤学
13
13.2
Oral
3/21(⽉) 11:15 11:30
21a-S223-9
C001832
Fe/FeSi2/Fe3Siスピンバルブ素⼦の作製と評価
中嶋 ⼀敬1、⽯橋 和也1、堺 研⼀郎2、〇吉武 剛1
1.九州⼤学総理⼯, 2.久留⽶⾼専
13
13.2
Oral
3/21(⽉) 11:30 11:45
21a-S223-10 C000982
ナノアモルファス層状窒化炭素の光学的性質における⾮晶質性
〇⼭本 淳司1、平井 正明2、安井 望2、財部 健⼀2、松⽯ 清⼈1
1.筑波⼤数物, 2.岡⼭理⼤
13
13.2
Oral
3/21(⽉) 11:45 12:00
21a-S223-11 C002799
VLS成⻑法によるSi基板上へのGa添加ZnOナノワイヤの作製
〇中根 孝弥1、井川 翔太1、⽯⼭ 武1
1.豊技⼤
13
13.2
Oral
3/21(⽉) 12:00 12:15
21a-S223-12 C000056
半導体デバイス型⽔素センサの動作機構の研究
〇⾊川 芳宏1
1.物材機構
13
13.2
Oral
3/21(⽉) 12:15 12:30
21a-S223-13 C000045
Pseudo-MOSを使ったSOI基板のac 解析⼿法の検討
〇鑓⽥ 勲1、佐藤 伸吾1、⼤村 泰久1
1.関⻄⼤
13
13.2
Oral
3/21(⽉) 13:30 13:45
21p-S223-1
C000438
Ba1-xSrxSi2の電⼦構造
〇今井 基晴1、Kumar Mukesh1、梅澤 直⼈1
1.物材機構
13
13.2
Oral
3/21(⽉) 13:45 14:00
21p-S223-2
C000238
アンドープBaSi2蒸着膜へのポストアニール効果
〇須原 貴道1, 2、村⽥ 晃⼀2、Navabi Aryan2、Che Xiaoyu2、中川 慶彦1、原 康祐3、⿊川 康良1、末益 崇4、Wang Kang L.2、宇佐美 徳隆1
1.名古屋⼤, 2.UCLA, 3.⼭梨⼤, 4.筑波⼤
13
13.2
Oral
3/21(⽉) 14:00 14:15
21p-S223-3
C000514
⾼速成膜によるBaSi2蒸着膜の構造・特性変化
〇原 康祐1、Trinh Thi Cham2、⿊川 康良2、有元 圭介1、⼭中 淳⼆1、中川 清和1、末益 崇3、宇佐美 徳隆2
1.⼭梨⼤クリスタル研, 2.名⼤院⼯, 3.筑波⼤院数理物質
13
13.2
Oral
3/21(⽉) 14:15 14:30
21p-S223-4
C003194
Na内包II型Geクラスレート膜の表⾯処理および物性評価
〇杉井 南⽃1、萬條 宏⾏1、向井 哲也1、曾根 和詩1、⼤橋 史隆1、飯⽥ ⺠夫2、久⽶ 徹⼆1、ヒマンシュ シャカール ジャ1、野々村 修⼀1
13
13.2
Oral
3/21(⽉) 14:30 14:45
21p-S223-5
C000588
半導体ナノスケール構造⽋陥中の光キャリア寿命と⽋陥準位密度
〇福本 恵紀1、恩⽥ 健2、腰原 伸也2
1.⾼エネ研, 2.東⼯⼤
13
13.2
Oral
3/21(⽉) 14:45 15:00
21p-S223-6
C000496
E
Photoresponse property of BaSi2 film grown on Si substrate by vacuum evaporation
〇(P)Cham Thi Trinh1, Yoshihiko Nakagawa1, Kosuke O. Hara2, Ryota Takabe3, Takashi Suemasu3, Noritaka Usami1
1.Nagoya Univ, 2.Univ. of Yamanashi, 3.Univ. of Tsukuba
13
13.2
Oral
3/21(⽉) 15:00 15:15
21p-S223-7
C001968
E
Minority-carrier lifetime of BaSi2 formed on various multicrystalline Si substrates
〇YUNPENG LI1, Cham Thi Trinh2, Ryota Takabe1, Kaoru Toko1, Takashi Sekiguchi3, Noritaka Usami2, Takashi Suemasu1
1.Univ. Tsukuba, 2.Nagoya Univ., 3.NIMS
13
13.2
Oral
3/21(⽉) 15:15 15:30
21p-S223-8
C002806
偏光ラマンスペクトル測定によるBaSi2の分⼦振動モード解析
〇⼭⼝ 陽⼰1、村社 尚紀2、⼭﨑 ⼀輝2、尾⽅ 済⼈1、塚本 裕明1、末益 崇3、寺井 慶和1, 2
1.⿅児島⼤理⼯, 2.九⼯⼤情報⼯, 3.筑波⼤数理物質
13
13.2
Oral
3/21(⽉) 15:30 15:45
13
13.2
Oral
3/21(⽉) 15:45 16:00
21p-S223-9
C002123
13
13.2
Oral
3/21(⽉) 16:00 16:15
21p-S223-10 C000506
13
13.2
Oral
3/21(⽉) 16:15 16:30
13
13.2
Oral
3/21(⽉) 16:30 16:45
13
13.2
Oral
3/21(⽉) 16:45 17:00
13
13.2
Oral
13
13.2
Oral
13
13.2
Oral
13
13.2
13
13.3
13
13.3
13
13.3
13
13
13
E
〇⾺場 正和1、⾹⼭ 正憲2、都甲 薫1、末益 崇1, 3
1.筑波⼤院数理, 2.産総研電池技術, 3.JST-CREST
Defect Physics in BaSi2 absorber
〇(PC)Mukesh Kumar1, Naoto Umezawa1, Motoharu Imai1
1.Nat Inst. for Mat Sci
Si(111)基板上BaSi2エピタキシャル膜の双晶粒界に対する第⼀原理計算
〇(D)齋藤 典⽣1, 2, 3、コーディエ ステファン4, 5、和⽥ 芳樹2, 3、⼤澤 健男2, 3、ルモワンヌ ピエリック4, 5、グラッセ ファビアン2, 6、クロ
ス S. ジェフリ―1、⼤橋 直樹2, 3, 7
1.名⼤院⼯, 2.⼭梨⼤クリスタル研
1.京都⼯繊⼤, 2.分⼦研
1.東⼯⼤, 2.物・材機構, 3.NIMS-サンゴバンCOE, 4.仏UMR6226, 5.仏レンヌ第⼀⼤, 6.仏UMI3629, 7.東⼯⼤元素
休憩/Break
奨
1.岐⼤⼯, 2.岐⾩⾼専
休憩/Break
Si基板上の歪みGe薄膜のラマン評価
〇(B)酒井 駿也1、⼭村 和也1、⻄垣 宏1、蓮池 紀幸1、播磨 弘1、Woo Sik Yoo2
1.京⼯繊⼤, 2.WaferMasters Inc.
Effects of pulse laser annealing on the crystallinity and electrical properties of B-doped BaSi2 epitaxial thin films
〇(B)Emha Bayu Miftahullatif1, H. Urai1, Daichi Tsukahara1, Kaoru Toko1, Tetsuya Makimura1, Takashi Suemasu1
1.Univ. of Tsukuba
21p-S223-11 C002952
β-FeSi2エピタキシャル膜におけるラマンシフトの成⻑⽅位依存性
〇⼭崎 ⼀輝1、⼭⼝ 陽⼰2、寺井 慶和1, 2
1.九⼯⼤情報⼯, 2.⿅児島⼤理⼯
21p-S223-12 C002565
ネオンイオンを注⼊したシリコンのアニールによる構造変化
〇⽻渕 仁恵1、北川 淳嗣1、園原 康介1、飯⽥ ⺠夫1、⼤橋 史隆2、伴 隆幸2、久⽶ 徹⼆2、野々村 修⼀2
1.岐⾩⾼専, 2.岐⾩⼤⼯
21p-S223-13 C003144
β-FeSi2薄膜のPL発光特性に及ぼすアニール処理の影響
〇秋⼭ 賢輔1, 3、松本 佳久1、⽊⼝ 賢紀2、⾈窪 浩3
1.神奈川産技セ, 2.東北⼤⾦研, 3.東⼯⼤総理⼯
3/21(⽉) 17:00 17:15
21p-S223-14 C001014
Mg2Si―Ni電極界⾯に現れる相の結晶構造に関するエネルギー論的考察
〇今井 庸⼆1、菅原 宏治2、森 嘉久3、中村 重之4、財部 健⼀3
1.産総研, 2.⾸都⼤SD, 3.岡⼭理科⼤, 4.津⼭⾼専
3/21(⽉) 17:15 17:30
21p-S223-15 C001946
VGF法によるMg2Si結晶成⻑における原料の形状・純度と封⽌材のハロゲン処理の影響
〇(M1)和⽥ ⼤輝1、庄野 ⼤貴1、勝俣 裕1、櫻⽊ 史郎2
1.明⼤理⼯, 2.ユニオンマテリアル(株)
3/21(⽉) 17:30 17:45
21p-S223-16 C003358
MgO/Mg2Si/MgB2ナノ複合結晶の微細構造とその電気・磁気特性
上野 勝也1、⻑嶋 廉仁2、瀬⼾ 雄介1、松本 恵1、櫻井 敬博1、太⽥ 仁1、〇内野 隆司1
1.神⼾⼤, 2.⽇本板硝⼦
Oral
3/21(⽉) 17:45 18:00
21p-S223-17 C003348
Ga溶媒を⽤いて成⻑した単相MnSi1.75-x結晶の粒径観察
〇堀 俊平1、鵜殿 治彦1
1.茨城⼤院
Poster
3/19(⼟) 13:30 15:30
19p-P3-1
C002721
HfO2/GeO2/Geスタック構造におけるゲルマニウムと酸素の熱拡散に関する研究
〇⼩川 慎吾1, 2、淺原 亮平2、箕浦 佑也2、迫 秀樹1、川崎 直彦1、⼭⽥ ⼀⼦1、宮本 隆志1、細井 卓治2、志村 考功2、渡部 平司2
1.TRC, 2.阪⼤院⼯
Poster
3/19(⼟) 13:30 15:30
19p-P3-2
C003272
Radical-enhanced ALD法によるGe-MIS構造の⽋陥評価(2);熱処理効果
〇成⽥ 英史1、⼭⽥ ⼤地2、福⽥ 幸夫2、岡本 浩1
1.弘前⼤, 2.諏訪東京理科⼤
Poster
3/19(⼟) 13:30 15:30
19p-P3-3
C002887
Characterization of sol-gel derived Nb doped ZrO2 thin film
〇Joonam Kim1, Eisuke Tokumitu1
1.JAIST
13.3
Poster
3/19(⼟) 13:30 15:30
19p-P3-4
C000322
GaNパワートランジスタのためのゲート酸化膜堆積技術の開発
⾼⽊ 翔太1、荒井 哲司1、有元 圭介1、⼭中 淳⼆1、〇中川 清和1、⾼松 利⾏2、上野 勝典3
1.⼭梨⼤, 2.SST, 3.富⼠電機
13.3
Poster
3/19(⼟) 13:30 15:30
19p-P3-5
C001807
GaN MOSデバイスのゲート絶縁膜に向けたAl2O3とSiO2の混合膜の検討
〇菊⽥ ⼤悟1、伊藤 健治1、成⽥ 哲⽣1、森 朋彦1
1.豊⽥中研
13.3
Poster
3/19(⼟) 13:30 15:30
19p-P3-6
C000416
⾼温・⾼湿環境下でのシリコン窒化膜表⾯酸化
〇奥 友希1、志賀 俊彦1、⼾塚 正裕1、渡辺 ⻫1
1.三菱電機 波光電
13
13.3
Poster
3/19(⼟) 13:30 15:30
19p-P3-7
C000528
Research on passivation of semicounductor surfaces by heat treatment in liquid water
〇takayuki motoki1, tomohiko nakamura1, masahiko hasumi1, toshiyuki sameshima1, tomohisa mizuno2
1.TUAT, 2.Kanagawa Univ.
13
13.3
Oral
20a-S221-1
C000533
Siピラーの酸化におけるミッシングSiとSi放出機構の拡張
〇影島 博之1, 4、⽩⽯ 賢⼆2, 4、遠藤 哲郎3, 4
1.島根⼤, 2.名古屋⼤, 3.東北⼤, 4.JST-ACCEL
3/20(⽇)
9:00
9:15
E
E
E
2016年春季講演会(東⼯⼤⼤岡⼭キャンパス)プログラム
⼤分類 中分類
形式
講演⽇
開始
終了
9:30
【1⽉28⽇(⽊)更新】暫定版からの更新箇所は⾚字になっております。
講演番号
受付番号
13
13.3
Oral
3/20(⽇)
9:15
20a-S221-2
C001064
13
13.3
Oral
3/20(⽇)
9:30
9:45
20a-S221-3
C001699
13
13.3
Oral
3/20(⽇)
9:45
10:00
20a-S221-4
C000804
13
13.3
Oral
3/20(⽇) 10:00 10:15
20a-S221-5
C002134
13
13.3
Oral
3/20(⽇) 10:15 10:30
20a-S221-6
C000854
13
13.3
Oral
3/20(⽇) 10:30 10:45
13
13.3
Oral
3/20(⽇) 10:45 11:00
20a-S221-7
C003741
13
13.3
Oral
3/20(⽇) 11:00 11:15
20a-S221-8
13
13.3
Oral
3/20(⽇) 11:15 11:30
20a-S221-9
13
13.3
Oral
3/20(⽇) 11:30 11:45
20a-S221-10 C002347
13
13.3
Oral
3/20(⽇) 11:45 12:00
20a-S221-11 C002315
13
13.3
Oral
3/20(⽇) 12:00 12:15
20a-S221-12 C001020
13
13.3
Oral
3/20(⽇) 13:45 14:00
20p-S221-1
C000850
13
13.3
Oral
3/20(⽇) 14:00 14:15
20p-S221-2
C000427
13
13.3
Oral
3/20(⽇) 14:15 14:30
20p-S221-3
C001351
13
13.3
Oral
3/20(⽇) 14:30 14:45
20p-S221-4
C000406
13
13.3
Oral
3/20(⽇) 14:45 15:00
20p-S221-5
C001558
13
13.3
Oral
3/20(⽇) 15:00 15:15
20p-S221-6
C001349
13
13.3
Oral
3/20(⽇) 15:15 15:30
20p-S221-7
C001186
13
13.3
Oral
3/20(⽇) 15:30 15:45
20p-S221-8
C003342
13
13.3
Oral
3/20(⽇) 15:45 16:00
20p-S221-9
C002198
奨励賞 英語 招待
奨
E
33 / 52 ページ
※会場、時間が変更になった場合は該当の⽅にご連絡いたします。
講演タイトル
著者
所属機関
V-MOSFETにおけるSi/SiO2(001)界⾯における熱酸化過程、⽔素アニール効果の歪み依存性の第⼀原理計算による考察
〇(M1)川内 伸悟1、⽩川 裕規1、洗平 昌晃2, 1, 5、影島 博之3, 5、遠藤 哲郎4, 5、⽩⽯ 賢⼆2, 1, 5
電荷移動型分⼦動⼒学法により作成したSi/SiO2界⾯構造の評価
〇(D)⾼本 聡1、⼭崎 隆浩2, 3、⼤野 隆央2, 3, 4、⾦⽥ 千穂⼦3, 5、泉 聡志1、酒井 信介1
レーザーテラヘルツ放射顕微鏡によるシリコンMOS界⾯の評価
〇望⽉ 敏光1、伊藤 明2、中⻄ 英俊2、棚橋 克⼈1、川⼭ 巌3、⽃内 政吉3、⽩澤 勝彦1、⾼遠 秀尚1
1.名⼤院⼯, 2.名⼤未来研, 3.島根⼤院総合理⼯, 4.東北⼤院⼯, 5.JST-ACCEL
1.産総研, 2.SCREENホールディングス, 3.阪⼤レーザー研
Charge retention characteristics of charge trapping nonvolatile memories with silicon carbonitride (SiCN) dielectrics (II)
〇(D)SheikhRashel Al Ahmed1, Fumiya Uehara2, Kyoteru Kobayashi1, 2
1.GRAD SCH S&T, Tokai Univ, 2.GRAD SCH Eng, Tokai Univ
アモルファスシリコンTFT 閾値電圧のゲート絶縁膜依存性
1.東⼤⼯, 2.物材機構, 3.MARCEED, 4.東⼤⽣産研, 5.富⼠通研究所
〇安藤 正彦1、若⽊ 政利1、⻤沢 賢⼀2
1.⽇⽴研開, 2.古賀総研
Thermodynamic Control of GeO2 Suppression in SiGe Oxidation by pO2 and Temperature Manipulation
〇(D)Woojin Song1, Akira Toriumi1
1.Univ. Tokyo
C001953
PLDによるルチル型TiO2/Ge 作製条件の検討
〇(M1)鈴⽊ 良尚1, 2、⻑⽥ 貴弘2、⼭下 良之2、⽣⽥⽬ 俊秀2、⼩椋 厚志1、知京 豊裕2
C000430
La2xA2(1-x)O3(A=Lu, Y)/La2O3/Ge(111) MIS構造におけるC-V特性の改善
〇⾦島 岳1、銭⾼ 真⼈1、⼭本 圭介2、⼭城 陸1、只野 純平3、野平 博司3、中島 寛2、⼭⽥ 晋也1、浜屋 宏平1
1.阪⼤基礎⼯, 2.九⼤・産学連携センター, 3.東京都市⼤⼯
ゲートスタック中へのAl導⼊によるGe p-MOSFETの正孔移動度向上
〇永冨 雄太1、⽥中 慎太郎1、建⼭ 知輝1、⼭本 圭介2、王 冬1、中島 寛2
1.九⼤総理⼯, 2.九⼤産連センター
Al2O3キャップ層によるGeO脱離抑制と電気特性の評価
休憩/Break
E
奨
E
E
奨
E
1.明治⼤学⼤学院, 2.物質・材料研究機構
〇⼤⽵ 博義1
1.東京農⼯⼤・⼯
Influence of Al2O3/GeOx/Ge MOS interface structures on the slow trap density
〇(D)Mengnan Ke1, 2, Xiao Yu1, 2, Mitsuru Takenaka1, 2, Shinichi Takagi1, 2
1.Tokyo Univ., 2.JST-CREST
コンダクタンス法による⼆硫化モリブデンMOS界⾯特性評価
〇⼩澤 悠平1, 2、⽵中 充1, 2、⾼⽊ 信⼀1, 2
1.東⼤院⼯, 2.JST-CREST
Improvement of MOS Interfaces of La2O3/InGaAs by Ultra-thin ALD Al2O3 Capping Layers
〇(D)ChihYu Chang1, 2, Mitsuru Takenaka1, 2, Shinichi Takagi1, 2
1.The Univ. of Tokyo, 2.JST-CREST
Al2O3中の⽔素分布評価 ー熱処理温度依存性ー
〇清⽔ 康雄1、韓 斌1、涂 远1、井上 耕治1、⽮野 史⼦2、井上 真雄3、国宗 依信4、島⽥ 康弘4、⽚⼭ 俊治4、井⼿ 隆4、永井 康介1
1.東北⼤⾦研, 2.東⼯⼤, 3.ルネサス, 4.ルネサスセミコンダクタマニュファクチュアリング
原⼦層堆積（ALD）温度を変えて形成したAl2O3膜の電気特性
〇平岩 篤1、松村 ⼤輔2、川原⽥ 洋1, 2
1.早⼤ナノライフ, 2.早⼤理⼯
DMAHを⽤いた原⼦層堆積によるAl2O3誘電膜の形成
〇吉嗣 晃治1、⽯河 泰明1、⾼橋 清2、浦岡 ⾏治1
1.奈良先端⼤, 2.⽇本アルキルアルミ
Anomalous Flatband Voltage Shift of AlFxOy/Al2O3 MOS Capacitors: Dipole Layer Formation at Dielectric Interfaces with Different Anions 〇(D)Jiayang Fei1, Koji Kita1
1.The Univ. of Tokyo
奨
Al2O3/SiO2界⾯のダイポール層の繰り返し構造を利⽤した⼤きなフラットバンド電圧シフト(>1 V)
〇鎌⽥ 啓伸1、喜多 浩之1
1.東⼤院⼯
奨
ZrO2/Al2O3/ZrO2スタック構造を⽤いたDRAMキャパシタにおけるリーク電流特性の改善
〇(B)⼥屋 崇1, 2、⽣⽥⽬ 俊秀2、澤⽥ 朋実2、栗島 ⼀徳1, 2、⼤井 暁彦2、知京 豊裕2、⼩椋 厚志1
1.明治⼤学, 2.物材機構 WPI-MANA
ZrO2/Si構造における界⾯層作製⼿法の検討
〇杉野 優介1、岩崎 好孝1、上野 智雄1
1.農⼯⼤院⼯
不純物添加による酸化ランタン薄膜の耐湿性向上
〇安達 裕1、坂⼝ 勲1
1.物材機構
〇(M1C)國光 俊作1、稲野 基1、⽻路 伸夫1
1.横国⼤院⼯
放射光XRDによる強誘電Hf(Y)O薄膜結晶構造の温度依存性解析
〇⾼⽯ 理⼀郎1、井野 恒洋1、藤井 章輔1
1.東芝
FT-IR法を⽤いた強誘電性HfSiO膜の構造解析による電気特性のプロセス依存性に対する考察
〇上牟⽥ 雄⼀1、藤井 章輔1、⾼⽯ 理⼀郎1、井野 恒洋1、中崎 靖1、齋藤 真澄1、⼩⼭ 正⼈1
1.東芝研開セ
1.Univ. Tokyo, 2.AIST
13
13.3
Oral
3/20(⽇) 16:00 16:15
13
13.3
Oral
3/20(⽇) 16:15 16:30
13
13.3
Oral
3/20(⽇) 16:30 16:45
20p-S221-10 C000633
20p-S221-11 C002988
13
13.3
Oral
3/20(⽇) 16:45 17:00
20p-S221-12 C002993
13
13.3
Oral
3/20(⽇) 17:00 17:15
20p-S221-13 C001067
13
13.3
Oral
3/20(⽇) 17:15 17:30
20p-S221-14 C003224
New finding of ferroelectricity of N doped HfO2 films
〇(D)Lun Xu1, Tomonori Nishimular1, Shigehisa Shibayama1, Takeaki Yajima1, Shinji Migita2, Akira Toriumi1
13
13.3
Oral
3/20(⽇) 17:30 17:45
20p-S221-15 C003589
ラマン分光測定及びXRDによる強誘電性YドープHfO2の構造解析
〇厳樫 ⼀孝1、柴⼭ 茂久1, 2、⽮嶋 赳彬1、⻄村 知紀1、右⽥ 真司3、⿃海 明1
1.東⼤院⼯, 2.学振特別研究員(PD), 3.産総研
13
13.3
Oral
3/20(⽇) 17:45 18:00
20p-S221-16 C003774
多相HfO2膜における均⼀強誘電相の発現
〇柴⼭ 茂久1, 2、徐 倫1、右⽥ 真司3、⿃海 明1
1.東⼤院⼯, 2.学振特別研究員, 3.産総研
13
13.3
Oral
3/20(⽇) 18:00 18:15
20p-S221-17 C003152
強誘電性HfO2膜における分極ドメインの減衰
〇柴⼭ 茂久1, 2、徐 倫1、右⽥ 真司3、⿃海 明1
1.東⼤院⼯, 2.学振特別研究員, 3.産総研
13
13.4
Oral
3/19(⼟)
9:00
9:15
19a-S423-1
C000811
ミニマル・メガファブハイブリッドプロセスによるSOI-CMOS集積回路の作製及び電気特性評価
〇柳 永シュン1、クンプアン ソマワン1, 2、⻑尾 昌善1、原 史朗1, 2
1.産総研, 2.ミニマル
13
13.4
Oral
3/19(⼟)
9:15
9:30
19a-S423-2
C003308
ミニマル液体ドーパントプロセスによるCMOS試作（II）
〇古賀 和博1, 2、居村 史⼈1, 2、北⼭ 侑司2、クンプアン ソマワン1, 2、原 史朗1, 2
1.産総研, 2.ミニマルファブ
13
13.4
Oral
3/19(⼟)
9:30
9:45
19a-S423-3
C002552
ミニマルファブで作製したリングオシレータの発振特性
〇居村 史⼈1, 2、古賀 和博1, 2、クンプアン ソマワン1, 2、原 史朗1, 2
1.産総研, 2.ミニマルファブ
13
13.4
Oral
3/19(⼟)
9:45
10:00
19a-S423-4
C001875
チャンバー密閉式ミニマル集光加熱炉を⽤いた薄い熱酸化膜形成
13
13.4
Oral
3/19(⼟) 10:00 10:15
19a-S423-5
C002622
ミニマルレーザ加熱熱酸化膜のウェハ⾯内均⼀性評価
〇佐藤 和重1、遠江 栄希1、千葉 貴史1, 3、寺⽥ 昌男1, 3、池⽥ 伸⼀1, 2、クンプアン ソマワン1, 2、原 史朗1, 2
1.ミニマルファブ技術研究組合, 2.産総研, 3.坂⼝電熱
13
13.4
Oral
3/19(⼟) 10:15 10:30
19a-S423-6
C002825
ウェハ裏⾯からレーザ照射できるミニマルレーザ加熱装置の加熱特性
〇佐藤 和重1、遠江 栄希1、千葉 貴史1, 3、寺⽥ 昌男1, 3、池⽥ 伸⼀1, 2、クンプアン ソマワン1, 2、原 史朗1, 2
1.ミニマルファブ技術研究組合, 2.産総研, 3.坂⼝電熱
19a-S423-7
C000939
⾼速MP・CMP装置を⽤いたミニマルファブプロセス
〇梅⼭ 規男1, 2、古賀 和博1, 2、居村 史⼈1, 2、澁⾕ 和孝3、布施 貴之3、中村 由夫3、市川 浩⼀郎3、クンプアン ソマワン1, 2、原 史朗1, 2
1.産総研, 2.ミニマルファブ技術研究組合, 3.不⼆越機械⼯業
19a-S423-8
C000596
集光型⾚外線加熱炉を⽤いたハーフインチシリコンCVD装置(6)
〇李 寧1、⽻深 等1、三ケ原 孝則2、池⽥ 伸⼀2, 3、⽯⽥ ⼣起2, 3、原 史朗2, 3
1.横国⼤院⼯, 2.ミニマルファブ技術研究組合, 3.産総研
19a-S423-9
C002314
休憩/Break
液相堆積法によるSrTiO3のイオンドリフトの影響
奨
奨
E
〇三浦 典⼦1、⼭⽥ 武史1, 2、相澤 洸1, 2、池⽥ 伸⼀1, 3、⽯⽥ ⼣起1, 3、三ヶ原 孝則1, 3、⻄⾥ 洋1, 4、梅⼭ 規男1, 3、⼤⻄ 康弘1, 2、クンプ
アン ソマワン1, 3、原 史朗1, 3
1.ミニマルファブ, 2.⽶倉製作所, 3.産総研, 4.堀場エステック
13
13.4
Oral
3/19(⼟) 10:30 10:45
13
13.4
Oral
3/19(⼟) 10:45 11:00
13
13.4
Oral
3/19(⼟) 11:00 11:15
13
13.4
Oral
3/19(⼟) 11:15 11:30
ミニマル Si-CVD装置における熱対流の影響
〇三ケ原 孝則1, 2、三浦 典⼦1、⽯⽥ ⼣起2、伊藤 孝宏3、池⽥ 伸⼀2、⽻深 等4、クンプアン ソマワン2、原 史郎2
1.ミニマルファブ, 2.産総研, 3.オリエンタルモーター, 4.横浜国⽴⼤学
13
13.4
Oral
3/19(⼟) 11:30 11:45
19a-S423-10 C003205
ポイント・アレイ⽅式を⽤いた⾼分解能マスクレス露光の評価
〇北⼭ 侑司1、⽵⽥ 宣⽣3、クンプアン ソマワン1, 2、原 史朗1, 2
1.ミニマルファブ技術研究組合, 2.産総研, 3.(株)⼤⽇本科研
13
13.4
Oral
3/19(⼟) 11:45 12:00
19a-S423-11 C002029
⾼速ガススイッチングボッシュプロセスとミニマル多重露光プロセスを⽤いたエッチングパターンの解像度向上技術
〇⽥中 宏幸1, 2、⼩⽊曽 久⼈1, 2、中野 禅1, 2、速⽔ 利泰2, 3、宮崎 俊也2, 3、⼊⽥ 亮⼀2, 4、クンプアン ソマワン1, 2、原 史朗1, 2
1.産総研, 2.ミニマル, 3.SPPT, 4.PMT
13
13.4
Oral
3/19(⼟) 12:00 12:15
19a-S423-12 C002685
ミニマル平坦度検査装置を⽤いたウェハ形状評価
〇遠江 栄希1、松橋 淑光1, 2、上⽃⽶ 稔1, 2、佐藤 和寛1, 2、クンプアン ソマワン1, 3、原 史朗1, 3
13
13.4
Oral
3/19(⼟) 12:15 12:30
19a-S423-13 C001919
ウェハ表⾯パーティクル検査装置校正⽤の粒⼦数基準ウェハの開発(Ⅲ)
〇⽥島 奈穂⼦1, 2、飯⽥ 健次郎1, 2、榎原 研正1、クンプアン ソマワン1, 2、原 史朗1, 2
1.産総研, 2.ミニマルファブ技術研究組合
13
13.4
Oral
3/19(⼟) 13:45 14:00
19p-S423-1
C002501
ナノインプリント技術を⽤いた⾦属-誘電体-⾦属サブ波⻑格⼦の製作
〇満留 将⼈1、本間 浩章1, 2、伊藤 伸太郎3、⽯⽥ 誠1、澤⽥ 和明1、⾼橋 ⼀浩1
1.豊橋技科⼤, 2.特別研究員DC2, 3.名古屋⼤学
13
13.4
Oral
3/19(⼟) 14:00 14:15
19p-S423-2
C000235
⽔を原料ガスとするプラズマを⽤いたミニマルファブ⽤アッシング装置の開発
〇(M1)北野 卓也1、伊藤 卓也1、鈴⽊ 宏明1、⽯島 達夫1、⽥中 康規1、上杉 喜彦1、クンプアン ソマワン2、原 史朗2
1.⾦沢⼤, 2.産総研
13
13.4
Oral
3/19(⼟) 14:15 14:30
19p-S423-3
C003743
奨
無電解めっきを⽤いた電気泳動によるTSV埋め込み⽤シード膜の成膜
〇新⽥ 航平1、多喜川 良1、池⽥ 晃裕1、熊澤 光章2、平井 俊明2、⼩松 通郎2、浅野 種正1
1.九⼤シ情, 2.⽇揮触媒化成(株)
13
13.4
Oral
3/19(⼟) 14:30 14:45
19p-S423-4
C002996
奨
CuIを原料とするLPCVD法によるCuの選択成⻑
〇⻄川 太⼆1、⼭内 智1
1.茨⼤⼯
13
13.4
Oral
3/19(⼟) 14:45 15:00
19p-S423-5
C002699
弾道電⼦の還元効果を利⽤したCu薄膜のプリンティング堆積
〇須⽥ 隆太郎1、⼋⽊ ⿇実⼦1、⼩島 明1、⽩樫 淳⼀1、越⽥ 信義1
1.農⼯⼤・院･⼯
13
13.4
Oral
3/19(⼟) 15:00 15:15
19p-S423-6
C001996
中性無電解銅めっき液の添加剤効果
〇(M1)宇津野 仁史1、杉浦 修2
1.千葉⼯⼤院, 2.千葉⼯⼤⼯
13
13.4
Oral
3/19(⼟) 15:15 15:30
19p-S423-7
C002774
Ar+イオン照射によるSiナノワイヤのNi合⾦化反応の⾼精度制御
13
13.4
Oral
3/19(⼟) 15:30 15:45
19p-S423-8
C002941
PtHfシリサイドの形成におけるHfN保護層の効果
13
13.4
Oral
3/19(⼟) 15:45 16:00
13
13.4
Oral
3/19(⼟) 16:00 16:15
19p-S423-9
C002598
メタルS/D型Ge n-MOSFETの寄⽣抵抗低減
〇(M1)建⼭ 知輝1、永冨 雄太1、⽥中 慎太郎1、⼭本 圭介2、王 冬1、中島 寛2
1.九⼤総理⼯, 2.九⼤産連センター
13
13.4
Oral
3/19(⼟) 16:15 16:30
19p-S423-10 C001600
界⾯ダイポール密度の制御による⾦属/Ge界⾯のフェルミレベルピンニング緩和の試み
〇⻄村 知紀1、⽮嶋 赳彬1、⿃海 明1
1.東⼤院⼯
13
13.4
Oral
3/19(⼟) 16:30 16:45
19p-S423-11 C003584
⾦属/Ge界⾯へのGe1­xSnx層挿⼊によるフェルミレベルピニング位置のシフト
〇鈴⽊ 陽洋1、中塚 理1、坂下 満男1、財満 鎭明1, 2
1.名古屋⼤院⼯, 2.名古屋⼤未来研
13
13.4
Oral
3/19(⼟) 16:45 17:00
19p-S423-12 C002081
気相合成したW内包Siクラスターを単位構造とするWシリサイド薄膜の膜質評価
〇岡⽥ 直也1, 2、内⽥ 紀⾏2、⾦⼭ 敏彦2
1.JSTさきがけ, 2.産総研
13
13.4
Oral
3/19(⼟) 17:00 17:15
19p-S423-13 C000014
SiO2膜の破壊強度
〇⽯塚 典男1、佐久間 憲之1
1.⽇⽴研開
13
13.4
Oral
3/19(⼟) 17:15 17:30
19p-S423-14 C000569
ホットキャリアストレス誘起のRTNと発⽣した酸化膜トラップの評価
〇(M2)⼤澤 航1、⼟屋 敏章1
1.島⼤⼯
13
13.4
Oral
3/19(⼟) 17:30 17:45
19p-S423-15 C002403
塩素中性粒⼦ビームを⽤いたGe Finトランジスタ・チャネル加⼯
李 恩慈1、〇野⽥ 周⼀1、⽔林 亘2、遠藤 和彦2、寒川 誠⼆1, 2
1.東北⼤流体研, 2.産総研ナノエレ
13
13.4
Oral
3/19(⼟) 17:45 18:00
19p-S423-16 C001539
トランジスタプロセスへの応⽤へ向けたGe表⾯の酸素エッチング技術
〇森⽥ ⾏則1、前⽥ ⾠郎1、太⽥ 裕之1、⽔林 亘1、⼤内 真⼀1、昌原 明植1、松川 貴1、遠藤 和彦1
13
13.4
Oral
3/19(⼟) 18:00 18:15
19p-S423-17 C001002
⼈⼯知能融合超⾼速量⼦分⼦動⼒学法の開発と半導体プロセスへの応⽤
13
13.4
Oral
3/20(⽇)
9:00
9:15
20a-S423-1
C001645
奨
DRAMリテンション測定を⽤いた3DIC局所曲げ応⼒の影響評価
〇⾕川 星野1、⽊野 久志2、福島 誉史1、⽥中 徹1, 3
13
13.4
Oral
3/20(⽇)
9:15
9:30
20a-S423-2
C003764
奨
フリップチップ超⾳波接合時の歪みと温度のその場観測
〇(M1)中堂薗 賢⼀1、岩鍋 圭⼀郎1、千⽥ 洋輔1、浅野 種正1
1.九⼤シス情
13
13.4
Oral
3/20(⽇)
9:30
9:45
20a-S423-3
C002147
奨
曲げと圧⼒に⾼い選択性を持つフレキシブル触覚センサ
〇(B)中⽥ 尚吾1、⾦尾 顕⼀朗1、原⽥ 真吾1、有江 隆之1、秋⽥ 成司1、⽵井 邦晴1
1.⼤阪府⼤⼯
13
13.4
Oral
3/20(⽇)
9:45
10:00
20a-S423-4
C000173
静電型MEMSｴﾈﾙｷﾞｰﾊｰﾍﾞｽﾀにおける⾮線形発振の検討(1)
〇⼩野 ⼀善1、ユー アレクサンダー1, 2、佐藤 昇男3、⽥中 雄次郎1、阪⽥ 知⺒3、神 好⼈1, 3、⼩泉 弘1
1.NTT先端集積デバイス研究所, 2.ジョージア⼯科⼤, 3.NTT デバイスイノベーションセンタ
13
13.4
Oral
3/20(⽇) 10:00 10:15
20a-S423-5
C000369
⾼効率静電型エレクトレットMEMS変圧器の設計
〇鈴⽊ 雅⼈1、森⼭ 喬史1、橋⼝ 原1
1.静岡⼤学
20a-S423-6
C002510
スペース⾚外線望遠鏡における波⾯補正のための極低温⽤可変形鏡の開発︓実証実験について
20a-S423-7
C002943
休憩/Break
13.4
Oral
3/20(⽇) 10:15 10:30
13
13.4
Oral
3/20(⽇) 10:30 11:30
13
13.4
Oral
3/20(⽇) 11:30 11:45
13
13.4
Oral
3/20(⽇) 11:45 12:00
20a-S423-8
C003030
13
13.4
Oral
3/20(⽇) 12:00 12:15
20a-S423-9
C003762
13
13.4
Oral
3/20(⽇) 13:45 14:00
20p-S423-1
C003159
13
13.4
Oral
3/20(⽇) 14:00 14:15
20p-S423-2
C003760
13
13.4
Oral
3/20(⽇) 14:15 14:30
20p-S423-3
C000558
13
13.4
Oral
3/20(⽇) 14:30 14:45
20p-S423-4
13
13.4
Oral
3/20(⽇) 14:45 15:00
20p-S423-5
13
13.4
Oral
3/20(⽇) 15:00 15:15
20p-S423-6
13
13.4
Oral
3/20(⽇) 15:15 15:30
20p-S423-7
C002859
13
13.4
Oral
3/20(⽇) 15:30 15:45
20p-S423-8
C002827
20p-S423-9
C003031
13.4
Oral
3/20(⽇) 15:45 16:00
〇(B)⼤場 俊輔1、橋本 修⼀郎1、武井 康平1、ソン セイ1、張 旭1、徐 泰宇1、⿇⽥ 修平1、⾅⽥ 稔宏1、遠藤 清1、富⽥ 基裕1, 2, 3、徳武 寛紀
3、今井 亮佑3、⼩椋 厚志3、松川 貴4、昌原 明植4、渡邉 孝信1
〇(M2)Chen Mengyi1、政広 泰2、⼤⾒ 俊⼀郎1
1.ミニマルファブ, 2.⿊⽥精⼯, 3.産総研
1.早⼤理⼯, 2.学振PD, 3.明⼤理⼯, 4.産総研
1.東⼯⼤, 2.⽥中貴⾦属
休憩/Break
13
13
奨
〇稲葉 賢⼆1、佐藤 絵美1、佐藤 愛美1、⼩原 幸⼦1、⽯澤 由紀江1、宮野 正之1、三浦 隆治1、ボノー パトリック1、鈴⽊ 愛1、宮本 直⼈1、畠⼭
望1、張⼭ 昌論1、宮本 明1
1.産業技術総合研究所
1.東北⼤学
1.東北⼤院⼯, 2.東北⼤学際研, 3.東北⼤院医⼯
〇(M2)⾼橋 葵1、塩⾕ 圭吾2、櫨 ⾹奈恵2、Paul Bierden3、Steven Cornelissen3、Charlie Lam3、Michael Feinberg3
1.総研⼤, 2.JAXA宇宙研, 3.BMC
マイクロ流路を⽤いた微細素⼦のアレイ化
〇(M1)岡⽥ 義之1、川合 健太郎1、有⾺ 健太1、森⽥ 瑞穂1
1.阪⼤院⼯
MEMS可変単結晶シリコン回折格⼦のLSI回路上への集積
〇佐々⽊ 敬1、鈴⽊ 智⼤1、松浦 寛2、⽻根 ⼀博1
1.東北⼤⼯, 2.東北学院⼤⼯
A THz Dynamic Switch with MEMS Metamaterial Method
〇Zhengli Han1, Takuya Takahashi1, Hiroshi Toshiyoshi1
1.The Univ. of Tokyo
局所溶融液相成⻑による⽯英基板上単結晶GeSn層形成とトランジスタ応⽤
〇⼩⼭ 真広1、岡 博史1、天本 隆史1、冨永 幸平1、⽥中 章吾1、細井 卓治1、志村 孝功1、渡部 平司1
1.阪⼤院⼯
⼤気圧マイクロ熱プラズマジェットを⽤いたP+ドープa-Ge膜の結晶化及び活性化
〇原⽥ ⼤夢2、中⾕ 太⼀1、新 良太1、東 清⼀郎1
1.広島⼤学先端物質科学研究科, 2.広島⼤学⼯学部
薄膜poly-Geをチャネルに利⽤したガラス基板上の平⾯型⾃⼰整合メタルダブルゲート低温poly-Ge TFT
〇⻄村 勇哉1、中島 拓哉1、⺟⾥ 誠1、原 明⼈1
1.東北学院⼤⼯
C003746
ハイパワー⼤気圧熱プラズマジェット照射によるシリコン薄膜の⾼速溶融結晶化と連続結晶成⻑
〇中島 涼介1、花房 宏明2、東 清⼀郎2
1.広⼤⼯, 2.広⼤院先端研
C000899
YSZ結晶化誘発層と2段階パルスレーザ照射法を⽤いた固相結晶化Si薄膜のTFT特性
〇堀⽥ 將1、マイ リアン1
1.北陸先端⼤マテリアル
C001566
CWレーザーアニール法による⾮晶質基板上Si薄膜の(100)⾯配向結晶化
〇(M2)仁枝 嘉昭1、佐々⽊ 伸夫2、菱⾕ ⼤輔1、堀⽥ 昌宏3、⽯河 泰明1、浦岡 ⾏治1
スパッタSi膜へのマルチショットELAとメタルソース・ドレイン構造TFT
〇原⽥ ⼤成1、我喜屋 ⾵太1、安次富 卓哉1、岡⽥ ⻯弥1、野⼝ 隆1、野⽥ 勘治2、諏訪 明2, 3、池上 浩3、奥⼭ 哲雄4
1.琉球⼤⼯, 2.ギガフォトン, 3.九州⼤シ, 4.東洋紡
低コストのCMOSを⽬指した⾦属ソース・ドレイン電極によるpチャネル型poly Si TFTの実現
〇原⽥ ⼤成1、安次富 卓哉1、岡⽥ ⻯弥1、野⼝ 隆1、⻄⽅ 靖2、太⽥ 淳2
1.琉球⼤学⼯, 2.アルバック(株)
n+p接合太陽電池に対する⽔素アニールの最適化
〇楊 天煕1、魏 煌1、鈴⽊ 仁1、岡⽥ ⻯弥1、野⼝ 隆1、河本 直哉2
1.琉球⼤⼯, 2.⼭⼝⼤⼯
⻘⾊半導体レーザアニール中のポリイミド上Si膜の温度解析
〇岡⽥ ⻯弥1、志津 勇介1、野⼝ 隆1
1.琉⼤⼯
休憩/Break
13
13.4
Oral
3/20(⽇) 16:00 16:15
13
13.4
Oral
3/20(⽇) 16:15 16:30
13
13.4
Oral
3/20(⽇) 16:30 16:45
20p-S423-11 C001639
13
13.4
Oral
3/20(⽇) 16:45 17:00
20p-S423-12 C000956
E
奨
奨
奨
奨
20p-S423-10 C002697
1.奈良先端⼤, 2.⽇本⼥⼦⼤, 3.京⼤
休憩/Break
E
レーザーアニール技術の⾼性能パワー素⼦プロセスへの応⽤
〇陳 訳1、岡⽥ ⻯弥1、野⼝ 隆1、マッツァムト フルビオ2、ヒュエット カリム2
1.琉球⼤⼯, 2.ｽｸﾘｰﾝｾﾐｺﾝﾀﾞｸﾀ(株)
Microwave Rapid Heating Used for Diffusing Impurities in Silicon
〇Kosuke Ota1, Shunsuke Kimura1, Masahiko Hasumi1, Toshiyuki Sameshima1, Ayuta Suzuki2, Mitsuru Ushijima2
1.TUAT, 2.TEL
2016年春季講演会(東⼯⼤⼤岡⼭キャンパス)プログラム
⼤分類 中分類
形式
講演⽇
開始
終了
講演番号
【1⽉28⽇(⽊)更新】暫定版からの更新箇所は⾚字になっております。
受付番号
奨励賞 英語 招待
13
13.4
Oral
3/20(⽇) 17:00 17:15
20p-S423-13 C001138
13
13.4
Oral
3/20(⽇) 17:15 17:30
20p-S423-14 C002593
奨
13
13.4
Oral
3/20(⽇) 17:30 17:45
20p-S423-15 C000462
奨
13
13.4
Oral
3/20(⽇) 17:45 18:00
13
13.4
Oral
3/20(⽇) 18:00 18:15
13
13.4
Oral
3/20(⽇) 18:15 18:30
20p-S423-18 C000802
13
13.4
Oral
3/20(⽇) 18:30 18:45
20p-S423-19 C001860
13
13.4
Poster
3/21(⽉) 16:00 18:00
21p-P17-1
C001047
13
13.4
Poster
3/21(⽉) 16:00 18:00
21p-P17-2
C001071
13
13.4
Poster
3/21(⽉) 16:00 18:00
21p-P17-3
C001423
奨
13
13.4
Poster
3/21(⽉) 16:00 18:00
21p-P17-4
C002189
奨
13
13.4
Poster
3/21(⽉) 16:00 18:00
21p-P17-5
13
13.4
Poster
3/21(⽉) 16:00 18:00
21p-P17-6
13
13.4
Poster
3/21(⽉) 16:00 18:00
13
13.4
Poster
3/21(⽉) 16:00 18:00
13
13.4
Poster
3/21(⽉) 16:00 18:00
13
13.4
Poster
13
13.4
Poster
13
13.4
13
13.4
13
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※会場、時間が変更になった場合は該当の⽅にご連絡いたします。
講演タイトル
著者
所属機関
FLAを⽤いたn+/p接合Geにおける⾼活性化と浅い接合形成
〇⾕村 英昭1、河原崎 光1、⼩野 ⾏雄1、⼭⽥ 隆泰1、加藤 慎⼀1、⻘⼭ 敬幸1、⼩林 ⼀平1
1.SCREENセミコンダクターソリューションズ
High On-to-Off Ratio Ge n+p Junctions by Peripheral Passivation Control
〇(P)Chi Liu1, Hiroki Ikegaya1, Tomonori Nishimura1, Akira Toriumi1
1.Univ. of Tokyo
ラマン分光法及びイメージング法による低温多結晶シリコン薄膜の結晶性分布評価
〇横川 凌1、⾼橋 和也2、⼩森 克彦2、廣⽥ 良浩3、澤本 直美1、⼩椋 厚志1
1.明治⼤理⼯, 2.東京エレクトロン東北㈱, 3.東京エレクトロン㈱
20p-S423-16 C003773
中空構造SOI層を⽤いた低温転写技術におけるPET基板上⾼転写率の実現
〇⽔上 隆達1、中川 明俊2、平松 和樹2、⽵島 真治2、⼭下 知徳1、東 清⼀郎2
1.広⼤⼯, 2.広⼤先端研
20p-S423-17 C003734
イオン注⼊操作によって単結晶ゲルマニウム中に⽣じる⽋陥のDLTSによる解析
〇池⾕ ⼤樹1、⻄村 知紀1、⽮嶋 赳彬1、⿃海 明1
スパッタエピタキシーによるp+エミッタ型Si太陽電池の開発
〇森⼭ 光1、葉 ⽂昌1
1.島根⼤学
Low Temperature Cat-Doping of Phosphorous Atoms into Crystalline Silicon through Ultrathin SiO2 Layer
〇(P)ThiCamTu Huynh, Koichi Koyama, Shigeki Terashima, Hideki Matsumura
JAIST
ガラス基板上に形成された⾃⼰整合四端⼦メタルダブルゲートCLC LT poly-Si TFTを⽤いたpHセンサの検討
〇⼤澤 弘樹1、中野 道広1、鈴⽊ 仁志1、桑野 聡⼦1、原 明⼈1
1.東北学院⼤⼯
ガラス基板上のHigh-kゲート絶縁膜を有する⾃⼰整合メタルダブルゲート Ni-SPC 低温 Poly-Si TFT
〇仁部 翔太1、原 明⼈1
1.東北学院⼤⼯
Multi-Line-Beam CLC poly-Si TFTsにおけるチャネル不純物導⼊の効果
〇平岩 弘之1、平⽥ 達誠1、グエンティ トゥイ1、⼩⾕ 光司2、⿊⽊ 伸⼀郎1
1.広島⼤ナノデバイス, 2.東北⼤⼯
低温MLB-CLC poly-Si TFTsの電気特性に対する結晶粒界の影響
〇平⽥ 達誠1、グエン トゥイ1、平岩 弘之1、⼩⾕ 光司2、吉川 公麿1、⿊⽊ 伸⼀郎1
1.広島⼤学ナノデバイス, 2.東北⼤学院⼯学研
C002557
SiGeストップ層を⽤いた歪みGe-On-Insulator構造の形成技術開発
〇(M2)⽮島 佑樹1、澤野 憲太郎1
1.東京都市⼤学
C001799
DCマグネトロンスパッタによるSi(001)基板上へのGe薄膜の形成
〇(PC)⼤塚 慎太郎1、森 貴洋1、森⽥ ⾏則1、内⽥ 紀⾏1、柳 永勛1、⼤内 真⼀1、更⽥ 裕司1、右⽥ 真司1、昌原 明植1、松川 貴1
1.産総研
21p-P17-7
C000199
フラッシュランプアニール(FLA)による⾼電⼦濃度かつ⾼電⼦移動度のn+poly-Ge形成
〇⼩池 正浩1, 2、⾅⽥ 宏治1, 2、鎌⽥ 善⼰1, 2、森 貴洋2, 3、前⽥ ⾠郎2, 3、⼿塚 勉1, 2
21p-P17-8
C000256
Si-ULSI⽤の電極形成のための熱処理技術の開発
〇上村 和貴1、中家 ⼤希1、荒井 哲司1、⼭本 千綾1、有元 圭介1、⼭中 淳⼆1、中川 清和1、⾼松 利⾏2
1.⼭梨⼤, 2.株式会社SST
21p-P17-9
C000541
表⾯活性化ボンディング法によるAl箔/Si接合の電気特性評価
〇古名 克也1、梁 剣波1、松原 萌⼦2、⻄尾 佳⾼2、重川 直輝1
1.⼤阪市⼤⼯, 2.東洋アルミニウム
3/21(⽉) 16:00 18:00
21p-P17-10
C001344
3/21(⽉) 16:00 18:00
21p-P17-11
C002661
Poster
3/21(⽉) 16:00 18:00
21p-P17-12
Poster
3/21(⽉) 16:00 18:00
21p-P17-13
13.4
Poster
3/21(⽉) 16:00 18:00
21p-P17-14
C000172
13
13.4
Poster
3/21(⽉) 16:00 18:00
21p-P17-15
13
13.4
Poster
3/21(⽉) 16:00 18:00
21p-P17-16
13
13.4
Poster
3/21(⽉) 16:00 18:00
21p-P17-17
C002212
13
13.4
Poster
3/21(⽉) 16:00 18:00
21p-P17-18
C002268
13
13.4
Poster
3/21(⽉) 16:00 18:00
21p-P17-19
C002832
奨
13
13.4
Poster
3/21(⽉) 16:00 18:00
21p-P17-20
C003284
奨
13
13.4
Poster
3/21(⽉) 16:00 18:00
21p-P17-21
C003546
奨
マイクロ圧縮試験による⾦/チタン積層構造の機械的特性評価
13
13.4
Poster
3/21(⽉) 16:00 18:00
21p-P17-22
C003663
奨
マイクロサイズ圧縮試験を⽤いたAl合⾦の変形挙動における結晶粒界の研究
〇鄭 伯倫1、名越 貴志1, 2、チャン ツォーフ マーク1、細⽥ 秀樹1、⾥ 達雄1、曽根 正⼈1
13
13.4
Poster
3/21(⽉) 16:00 18:00
21p-P17-23
C003683
奨
マイクロ曲げ試験による電析⾦薄膜の機械的特性評価
〇浅野 啓介1, 2、唐 浩峻1, 2、Chen Chun-Yi1, 2、Chang Tso-Fu Mark1, 2、⼭根 ⼤輔1, 2、町⽥ 克之1, 2, 3、益 ⼀哉1, 2、曽根 正⼈1, 2
13
13.4
Poster
3/21(⽉) 16:00 18:00
21p-P17-24
C003684
奨
微⼩圧縮試験及び微⼩引張試験によるMEMS⽤Cu-Ni-Si合⾦の機械的特性評価
〇(M1)柳⽥ 佐理1, 2、荒⽊ 章好1、Chang Tso-Fu Mark1, 2、Chen Chu-Yi1, 2、名越 貴志3、⼩林 郁夫1、細⽥ 秀樹1、⾥ 達雄1、曽根 正⼈1, 2 1.東⼯⼤, 2.CREST, 3.産総研
13
13.4
Poster
3/21(⽉) 16:00 18:00
21p-P17-25
C001942
奨
マイクロ圧縮試験によるMEMS⽤⾦電気めっきの機械的特性の評価
〇葭葉 将治1, 2、Chen Chun-Yi1, 2、Chang Tso-Fu Mark1, 2、⼭根 ⼤輔1, 2、町⽥ 克之1, 2, 3、益 ⼀哉1, 2、曽根 正⼈1, 2
1.CREST, 2.東⼯⼤精研, 3.NTTAT
13
13.4
Poster
3/21(⽉) 16:00 18:00
21p-P17-26
C003127
エナジーハーベスト⽤ショットキーダイオードの検討その２
〇宮地 晃平1、松野下 誠1、岸川 諒⼦2, 3、吉⽥ 賢史4、嘉数 誠5、堀部 雅弘3、⻄川 健⼆郎4、岩室 光則6、川﨑 繁男1, 2
1.宇宙航空研究開発機構宇宙研, 2.総研⼤, 3.産総研, 4.⿅児島⼤, 5.佐賀⼤, 6.⽇⽴化成(株)
13
13.5
Poster
3/19(⼟) 13:30 15:30
19p-P4-1
C001382
13
13.5
Poster
3/19(⼟) 13:30 15:30
19p-P4-2
13
13.5
Poster
3/19(⼟) 13:30 15:30
19p-P4-3
13
13.5
Poster
3/19(⼟) 13:30 15:30
13
13.5
Poster
3/19(⼟) 13:30 15:30
13
13.5
Poster
3/19(⼟) 13:30 15:30
13
13.5
Poster
13
13.5
Poster
13
13.5
Poster
13
13.5
13
13.5
13
13.5
13
13
E
E
奨
CVD法によるMnOx拡散バリア層の形成に伴うポーラスSiOCHへの
1.東⼤院⼯
1.東芝研開セ, 2.産総研GNC, 3.産総研
〇⼩出 紘之1、王 昊1、安藤 ⼤輔1、須藤 祐司1、⼩池 淳⼀1
1.東北⼤⼯
凹凸構造を持つウェハの切削平坦化⾦バンプを⽤いた真空封⽌接合
〇平野 栄樹1、引地 広介2、⽥中 秀治1
1.東北⼤⼯, 2.テクノファイン
C001366
Si/Cu同時研削と無電解SnめっきとSiアルカリエッチングを⽤いたSi貫通電極露出⼯程
〇渡辺 直也1、⻘柳 昌宏1、坂東 翼2、三井 貴彦2、⼭本 栄⼀2
1.産業技術総合研究所, 2.岡本⼯作機械製作所
C000162
プラズモニック吸収体を⽤いた波⻑選択型⾮冷却⾚外線センサ︓不要吸収モードの除去
〇久保⼭ 貴⽂1、⾼川 陽輔1、⼩川 新平2、藤澤 ⼤介2、⽊股 雅章1
1.⽴命館⼤学, 2.三菱電機株式会社
プラズモニック吸収体を⽤いた波⻑選択型⾮冷却⾚外線センサによる⼆酸化炭素検知
〇久保⼭ 貴⽂1、⾼川 陽輔1、⼩川 新平2、藤澤 ⼤介2、安井 慎⼀2、⽊股 雅章1
1.⽴命館⼤学, 2.三菱電機株式会社
C003483
波⻑計測のためのサブ波⻑ホールアレイを有する光ナノメカニカル振動⼦の作製
後藤 雅貴1、前⽥ 悦男1、〇⽶⾕ 玲皇1
1.東⼤院⼯
C000091
容量計測型呼吸センサにおける電極配置と信号の安定化
寺澤 槙恵1、苅⽥ 桃⼦1、熊⾕ 慎也1、〇佐々⽊ 実1
1.豊⽥⼯⼤
積層メタル構造を⽤いたMEMS加速度センサのストッパーのロバスト性検討
〇⼩⻄ 敏⽂1、⼭根 ⼤輔2, 4、佐布 晃昭1、年吉 洋3, 4、曽根 正⼈2, 4、益 ⼀哉2, 4、町⽥ 克之1, 2, 4
Sub-1G検出へ向けたCMOS-MEMS加速度センサの検討
〇⼭根 ⼤輔1, 4、⼩⻄ 敏⽂2、伊藤 浩之1, 4、年吉 洋3, 4、益 ⼀哉1, 4、町⽥ 克之1, 2, 4
Mn拡散
奨
電解⾦めっきで作製したTi/Au微⼩カンチレバーの構造安定性
E
Application of Supercritical Carbon Dioxide in Electroplating of Gold Materials Used in MEMS Devices
SCM/NAND Flash Hybrid SSD の構成とエラー訂正強度を考慮した
〇寺⻄ 美波1, 2、Chang Tso-Fu Mark1, 2、Chen Chun-Yi1, 2、⼩⻄ 敏⽂3、町⽥ 克之1, 2, 3、年吉 洋2, 4、⼭根 ⼤輔1, 2、益 ⼀哉1, 2、曽根
正⼈1, 2
〇(D)Haochun Tang1, Chun-Yi Chen1, 2, Tso-Fu Mark Chang1, 2, Katsuyuki Machida1, 2, 3, Daisuke Yamane1, 2, Kazuya Masu1, 2,
Masato Sone1, 2
〇⽯塚 陽⼤1, 2、柳⽥ 佐理1, 2、Chang Tso-Fu Mark1, 2、Chen Chun-Yi1, 2、⼩⻄ 敏⽂3、町⽥ 克之1, 2, 3、年吉 洋1, 4、⼭根 ⼤輔1, 2、益
⼀哉1, 2、曽根 正⼈1, 2
1.NTT-AT, 2.東⼯⼤, 3.東⼤, 4.JST-CREST
1.東⼯⼤, 2.NTT-AT, 3.東⼤, 4.JST-CREST
1.東⼯⼤, 2.JST-CREST, 3.NTT AT, 4.東⼤
1.P&I Lab. Tokyo Tech, 2.CREST JST, 3.NTT AT Corp.
1.東⼯⼤, 2.JST-CREST, 3.NTT AT, 4.東⼤
1.東⼯⼤, 2.産総研
1.CREST, 2.東⼯⼤, 3.NTTAT
〇瀧下 博⽂1、⽵内 健1
1.中⼤理⼯
C001503
プライバシー保護に向けたソリッドステートストレージシステム
〇前⽥ ⼀輝1、⽥中丸 周平1、⼭沢 裕紀1、⽵内 健1
1.中⼤理⼯
C002113
アーカイブ/コールドフラッシュ向け⻑期保存SSDの⾼信頼⼿法
〇⾼橋 知紀1、⼭﨑 泉樹1、⽵内 健1
1.中⼤理⼯
19p-P4-4
C001471
1.0 Vで動作するReRAM書き込み電圧⽣成回路の⾼速化
〇鶴⾒ 洸太1、⽥中 誠⼤1、⽯井 智也1、⽵内 健1
19p-P4-5
C000089
ストア／リストア動作のロバスト性を向上させたMTJ利⽤不揮発性フリップフロップ回路
〇宇佐美 公良1、⼯藤 優1、平賀 啓三2、屋上 公⼆郎2
1.芝浦⼯⼤⼯, 2.ソニー
19p-P4-6
C002969
UWB-CMOS集積回路を⽤いた乳がん位置検出技術
〇(B)中村 哲平1、宋 航1、河野 勇⼈1、瀬尾 裕⼆1、吉川 公麿1、アズハリ アフリーン1
1.広島⼤ナノデバイス研
3/19(⼟) 13:30 15:30
19p-P4-7
C001038
奨
多層Al ゲート構造を⽤いたSi-MOS 量⼦ドットデバイス作製プロセスの検討
〇本⽥ 拓夢1、⽶⽥ 淳2、武⽥ 健太2、川那⼦ ⾼暢1、⼩寺 哲夫4, 5、樽茶 清悟2, 3, 5、⼩⽥ 俊理1
3/19(⼟) 13:30 15:30
19p-P4-8
C001497
奨
極薄膜SOIを⽤いた量⼦ドットデバイスの作製と評価
〇⻄野 孝夫1, 2、平岡 宗⼀郎1, 2、井原 敏1, 2、⼩寺 哲夫1, 2、⼩⽥ 俊理1, 2
1.東⼯⼤電⼦物理, 2.東⼯⼤量⼦ナノ研セ
3/19(⼟) 13:30 15:30
19p-P4-9
C001853
シリコン単電⼦ポンプのppm レベル⾼精度動作
〇⼭端 元⾳1、Giblin Stephen2、⽚岡 真哉2、唐沢 毅1、藤原 聡1
1.NTT物性基礎研, 2.National Physical Lab.
Poster
3/19(⼟) 13:30 15:30
19p-P4-10
C002365
奨
極低温下連続マイクロ波照射下での単⼀量⼦ドットの電⼦輸送特性
〇(M1)前川 未知瑠1, 2、テノリオペルル ハイメ1, 2、ヘルブスレブ エルンスト1, 2、⼭岡 裕1, 2、⼩寺 哲夫1, 2、⼩⽥ 俊理1, 2
1.東⼯⼤ 電⼦物理, 2.東⼯⼤量⼦ナノ研セ
Poster
3/19(⼟) 13:30 15:30
19p-P4-11
C002594
奨
P型Si⼆重量⼦ドット内の少数正孔領域でのパウリスピンブロッケードの観測
〇(M2)岩崎 ⼀真1、⼩寺 哲夫2、⼩⽥ 俊理1, 2
1.東⼯⼤量⼦ナノ研セ, 2.東⼯⼤電⼦物理
Poster
3/19(⼟) 13:30 15:30
19p-P4-12
C002916
奨
⾼濃度ドーピングしたシリコンを⽤いた単⼀量⼦ドットの正孔輸送特性
〇(M1)⼭岡 裕1、⼩⽥ 俊理1、⼩寺 哲夫1
1.東⼯⼤
13.5
Poster
3/19(⼟) 13:30 15:30
19p-P4-13
C003058
奨
Si単電⼦トランジスタにおけるExcited Stateへの寄⽣MOSFETの影響
〇内⽥ 貴史1、佐藤 光1、福地 厚1、有⽥ 正志1、藤原 聡2、⾼橋 庸夫1
1.北⼤院情報, 2.NTT物性基礎研
13.5
Poster
3/19(⼟) 13:30 15:30
19p-P4-14
C003672
E
Tunneling-transport operation of selectively-doped dopant-atom transistors up to room temperature
Arup Samanta1, 〇Daniel Ioan Moraru1, 2, Yuki Takasu1, Takeshi Mizuno1, Michiharu Tabe1
1.RIE, Shizuoka Univ, 2.Fac. Eng.,Shizuoka U
13
13.5
Poster
3/19(⼟) 13:30 15:30
19p-P4-15
C003710
E
Effects of phonons and discrete dopants on band-to-band tunneling in two-dimensional Si pn junction diodes
13
13.5
Poster
3/19(⼟) 13:30 15:30
19p-P4-16
C001762
⼆次元Si系半導体の検証(Ⅲ)︓半導体膜厚依存性
⻑嶺 由騎1、〇⼩⼜ 祐介1、⻘⽊ 孝1、鮫島 俊之2、⽔野 智久1
1.神奈川⼤理, 2.農⼯⼤⼯
13
13.5
Poster
3/19(⼟) 13:30 15:30
19p-P4-17
C000470
パルス光伝導法による酸化膜評価技術の開発
〇⻑野 聖央1、清⽔ 公志郎1、古⽥ 正昭1、久保⽥ 弘1、橋新 剛1、吉岡 昌雄2、宮下 守也3、泉妻 宏治3、前⽥ 貴弘3
1.熊⼤院⾃, 2.熊⼤⼯, 3.GWJ
13
13.5
Oral
3/20(⽇)
9:00
9:15
20a-S422-1
C000071
界⾯トラップ数の真の値とばらつき，および従来のチャージポンピング理論による値との⽐較
〇⼟屋 敏章1
1.島根⼤総理⼯
13
13.5
Oral
3/20(⽇)
9:15
9:30
20a-S422-2
C000072
電⼦捕獲放出過程における界⾯トラップ間の相互作⽤
〇⼟屋 敏章1
1.島根⼤総理⼯
13
13.5
Oral
3/20(⽇)
9:30
9:45
20a-S422-3
C003049
ランダムテレグラフノイズに起因するSRAM誤動作のトランジスタレベル解析
〇⽔⾕ 朋⼦1、更屋 拓哉1、⽵内 潔1、⼩林 正治1、平本 俊郎1
1.東⼤⽣研
13
13.5
Oral
3/20(⽇)
9:45
10:00
20a-S422-4
C002385
結晶シリコンチャネルFinFETと集積可能な多結晶シリコンチャネルFinFETを⽤いた⾼信頼・コンパクトなPUF回路とその評価⽅法
13
13.5
Oral
3/20(⽇) 10:00 10:15
20a-S422-5
C000819
しきい値電圧制御可能な三⾓チャネルFinFETの作製及び電気特性評価
〇柳 永シュン1、松川 貴1、遠藤 和彦1、⼤内 真⼀1、塚⽥ 順⼀1、⽯川 由紀1、⽔林 亘1、森⽥ ⾏則1、右⽥ 真司1、太⽥ 裕之1、昌原 明植1
1.産総研
13
13.5
Oral
3/20(⽇) 10:15 10:30
20a-S422-6
C001599
FinFETエクステンションへの注⼊イオン種とGIDLの関係
〇松川 貴1、⼤塚 慎太郎1、森 貴洋1、森⽥ ⾏則1、柳 永勛1、⼤内 真⼀1、更⽥ 裕司1、右⽥ 真司1、昌原 明植1
1.産総研
13
13.5
Oral
3/20(⽇) 10:30 10:45
13
13.5
Oral
3/20(⽇) 10:45 11:00
20a-S422-7
C001580
13
13.5
Oral
3/20(⽇) 11:00 11:15
20a-S422-8
C001700
13
13.5
Oral
3/20(⽇) 11:15 11:30
20a-S422-9
C003745
13
13.5
Oral
3/20(⽇) 11:30 11:45
20a-S422-10 C002288
13
13.5
Oral
3/20(⽇) 11:45 12:00
20a-S422-11 C001845
13
13.5
Oral
3/20(⽇) 12:00 12:15
20a-S422-12 C002939
13
13.5
Oral
3/20(⽇) 13:45 14:00
20p-S422-1
C002106
13
13.5
Oral
3/20(⽇) 14:00 14:15
20p-S422-2
13
13.5
Oral
3/20(⽇) 14:15 14:30
13
13.5
Oral
3/20(⽇) 14:30 14:45
13
13.5
Oral
13
13.5
Oral
13
13.5
Oral
13
13.5
Oral
3/20(⽇) 15:30 15:45
13
13.5
Oral
3/20(⽇) 15:45 16:00
13
13.5
Oral
3/20(⽇) 16:00 16:15
13
13.5
Oral
3/20(⽇) 16:15 16:30
13
13.5
Oral
3/20(⽇) 16:30 16:45
20p-S422-11 C003255
13
13.5
Oral
3/20(⽇) 16:45 17:00
20p-S422-12 C001348
13
13.5
Oral
3/20(⽇) 17:00 17:15
13
13.5
Oral
3/20(⽇) 17:15 17:30
13
13.5
Oral
13
13.5
Oral
13
13.5
13
13.5
13
13.5
SSD の性能と信頼性とコストの関係解析
〇Daniel Ioan Moraru1, 2, Hoang Nhat Tan1, Ryosuke Unno1, Takeshi Mizuno1, Manoharan Muruganathan3, Le The Anh3, Ratno
Nuryadi4, Hiroshi Mizuta3, 5, Michiharu Tabe1
〇⼤内 真⼀1、柳 永勛1、堀 洋平1、⼊沢 寿史1、更⽥ 裕司1、森⽥ ⾏則1、右⽥ 真司1、森 貴洋1、中川 格1、塚⽥ 順⼀1、⼩池 汎平1、昌原 明植
1、松川 貴1
1.中⼤理⼯
1.東⼯⼤量⼦ナノ研, 2.理化学研究所, 3.東⼤, 4.東⼯⼤, 5.東⼤ナノ量⼦機構
1.RIE, Shizuoka Univ, 2.Fac.Eng, ShizuokaU, 3.JAIST, 4.AAAT, Indonesia, 5.Univ. Southampton
1.産総研
休憩/Break
ナノワイヤ型不純物偏析ショットキー接合MOSFETにおけるワイヤ幅縮⼩効果
〇遠藤 清1、橋本 修⼀郎1、武井 康平1、ソン セイ1、張 旭1、徐 泰宇1、⿇⽥ 修平1、⼤場 俊輔1、松川 貴2、昌原 明植2、渡邉 孝信1
1.早⼤理⼯, 2.産総研
奨
SiおよびGeナノワイヤにおける⾼電界正孔輸送の解析
〇⽥中 ⼀1、須⽥ 淳1、⽊本 恒暢1
1.京⼤院⼯
奨
Geにおける正孔と電⼦のフォノン周波数に対する影響の違い
〇株柳 翔⼀1, 2、⻄村 知紀1、⽮嶋 赳彬1、⿃海 明1
1.東⼤院⼯, 2.学振特別研究員DC
短チャネルMOSFETにおける、低電界移動度の異常劣化について
〇名取 研⼆1
1.東⼯⼤フロンテイア
⾼信頼性・低オン抵抗デュアルRESURF Nch-LDMOSの提案
松⽥ 順⼀1、〇⼩島 潤也1、神⼭ 雅貴1、築地 伸和1、⼩林 春夫1
1.群⾺⼤⼯
Al2O3固定電荷層適⽤における裏⾯照射型CMOSイメージセンサ暗電流低減についての検討
〇上村 昌⼰1、⼭華 雅司1、内藤 達也1
1.東芝
スパッタMoS2膜のフォーミングガス雰囲気ポストアニーリングによる電気特性向上
〇清⽔ 淳⼀1、⼤橋 匠1、松浦 賢太朗1、⾓嶋 邦之1、筒井 ⼀⽣1、若林 整1
1.東⼯⼤
C001865
S/Mo⽐増加によるMoS2膜の低キャリア濃度化
〇⼤橋 匠1、松浦 賢太朗1、⽯原 聖也2、⽇⽐野 祐介2、澤本 直美2、⾓嶋 邦之1、筒井 ⼀⽣1、⼩椋 厚志2、若林 整1
1.東⼯⼤, 2.明治⼤
20p-S422-3
C000731
3次元ICに向けた多結晶InSb MOSFETの電気特性評価
〇(M1)⾼橋 正紘1, 2、藤川 紗千恵1、藤代 博記1、⼊沢 寿史2、富永 淳⼆2、前⽥ ⾠郎1, 2
1.東理⼤院, 2.産総研
20p-S422-4
C002182
デバイスシミュレーションによる積層型CMOSインバータの構造検討
〇服部 淳⼀1、福⽥ 浩⼀1、太⽥ 裕之1、⼊沢 寿史1、前⽥ ⾠郎1
1.産総研
3/20(⽇) 14:45 15:00
20p-S422-5
C000560
VO2モットトランジスタのチャネルに形成される特異な界⾯相
〇⽮嶋 赳彬1、⻄村 知紀1、⿃海 明1
1.東⼤マテ
3/20(⽇) 15:00 15:15
20p-S422-6
C000859
SOI-FETにおける強誘電体HfO2の負性容量を利⽤した急峻スイッチングの検討︓BOX膜厚設計の重要性
〇太⽥ 裕之1, 3、右⽥ 真司1, 3、福⽥ 浩⼀1、服部 淳⼀1、⿃海 明2, 3
1.産総研, 2.東⼤⼯, 3.JST CREST
3/20(⽇) 15:15 15:30
20p-S422-7
C001218
SS=35μV/decを持つPN-Body tied SOIMOSFETの解析
〇堀井 隆史1、吉⽥ 貴⼤1、蔵本 陽介1、井⽥ 次郎1
1.⾦沢⼯⼤
20p-S422-8
C002137
離散不純物分布がもたらすT u n n e l F E T の特性ばらつきの数値解析
〇浅井 栄⼤1、右⽥ 真司1、服部 淳⼀1、福⽥ 浩⼀1、佐野 伸⾏2
1.産総研, 2.筑波⼤物⼯
20p-S422-9
C002332
平⾏電界型トンネルFETのTCADでの検討
〇福⽥ 浩⼀1、森⽥ ⾏則1、森 貴洋1、⽔林 亘1、昌原 明植1、右⽥ 真司1、太⽥ 裕之1
1.産総研
短チャネルTFET におけるソース-ドレイン間直接トンネリングのオフ電流への寄与
〇林 ⽂博1、岩⽥ 真次郎1、福⽥ 浩⼀1, 2、宮本 恭幸1
1.東⼯⼤, 2.産総研
⾦属/Ge接合及びn+/Ge接合を⽤いたGeトンネルFETの作製と評価
〇⼭本 圭介1、岡本 隼⼈2、王 冬2、中島 寛1
1.九⼤産学連携センター, 2.九⼤総理⼯
GaAsSb/InGaAs 縦型トンネルFETの動作実証
〇(D)後藤 ⾼寛1, 3、満原 学2, 3、星 拓也2, 3、杉⼭ 弘樹2, 3、⽵中 充1, 3、⾼⽊ 信⼀1, 3
20p-S422-13 C001560
⾼In組成InGaAs量⼦井⼾を⽤いたInGaAs QW TFETの電気特性における性能評価
〇安 ⼤煥1, 2、⽵中 充1, 2、⾼⽊ 信⼀1, 2
1.東⼤院⼯, 2.JST CREST
20p-S422-14 C002322
変調ドープ構造InGaAsナノワイヤ/SiトンネルFETの作製
〇冨岡 克広1, 2、⽯坂 ⽂哉1、本久 順⼀1、福井 孝志1
1.北⼤院情報科学および量⼦集積センター, 2.JSTさきがけ
3/20(⽇) 17:30 17:45
20p-S422-15 C001251
p型トンネルトランジスタにおけるNBTI劣化の解析
3/20(⽇) 17:45 18:00
20p-S422-16 C000974
短チャネルトンネルトランジスタにおける結合量⼦ドット的電⼦輸送とマイクロ波応答
Oral
3/20(⽇) 18:00 18:15
20p-S422-17 C001007
Oral
3/20(⽇) 18:15 18:30
20p-S422-18 C001057
Oral
3/21(⽉)
9:00
9:15
20p-S422-10 C000677
休憩/Break
21a-S422-1
I000025
招
〇⽔林 亘1、森 貴洋1、福⽥ 浩⼀1、⽯川 由紀1、森⽥ ⾏則1、右⽥ 真司1、太⽥ 裕之1、柳 永勛1、⼤内 真⼀1、塚⽥ 順⼀1、⼭内 洋美1、松川 貴
1、昌原 明植1、遠藤 和彦1
1.東⼤⼯, 2.NTT, 3.JST CREST
1.産総研
〇森⼭ 悟⼠1、森 貴洋2、⼤野 圭司3
1.物材機構, 2.産総研, 3.理研
TFETにおけるチャージポンピングとスピン効果
〇⼤野 圭司1、森 貴洋2、森⼭ 悟⼠3
1.理研, 2.産総研, 3.物材機構
Si-TFET中の等価電複合不純物の安定性とトンネル電流特性;第⼀原理計算に基づく検討
〇飯塚 将太1、浅⼭ 佳⼤1、⻑澤 晶⽃1、中⼭ 隆史1
1.千葉⼤理
〇遠藤 哲郎1
1.東北⼤学
「授賞式」（15分）
第7回シリコンテクノロジー分科会論⽂賞・研究奨励賞
2016年春季講演会(東⼯⼤⼤岡⼭キャンパス)プログラム
⼤分類 中分類
形式
講演⽇
開始
終了
講演番号
【1⽉28⽇(⽊)更新】暫定版からの更新箇所は⾚字になっております。
受付番号
奨励賞 英語 招待
13
13.5
Oral
3/21(⽉)
9:15
9:45
21a-S422-2
I000176
招
13
13.5
Oral
3/21(⽉)
9:45
10:15
21a-S422-3
I000160
招
13
13.5
Oral
3/21(⽉) 10:15 10:30
21a-S422-4
I000190
招
13
13.5
Oral
3/21(⽉) 10:30 10:45
21a-S422-5
I000072
招
13
13.5
Oral
3/21(⽉) 10:45 11:00
13
13.5
Oral
3/21(⽉) 11:00 11:15
21a-S422-6
C003368
奨
13
13.5
Oral
3/21(⽉) 11:15 11:30
21a-S422-7
C001695
奨
13
13.5
Oral
3/21(⽉) 11:30 11:45
21a-S422-8
C000112
奨
13
13.5
Oral
3/21(⽉) 11:45 12:00
21a-S422-9
C003257
13
13.5
Oral
3/21(⽉) 12:00 12:15
13
13.6
Oral
3/19(⼟)
9:00
9:15
19a-S224-1
C000419
E
13
13.6
Oral
3/19(⼟)
9:15
9:30
19a-S224-2
C001746
13
13.6
Oral
3/19(⼟)
9:30
9:45
19a-S224-3
C002432
3/19(⼟)
9:45
13
13.6
Oral
シリコンスピンMOSFET室温動作の実証
「第7回シリコンテクノロジー分科会論⽂賞受賞記念講演」（30分）
スピン量⼦デバイスに向けた少数電⼦シリコン量⼦ドットの研究
「第7回シリコンテクノロジー分科会研究奨励賞受賞記念講演」（15分）
TEMその場観察を⽤いたCBRAM 繰り返し抵抗変化時のフィラメント観察
「第7回シリコンテクノロジー分科会研究奨励賞受賞記念講演」（15分）
シリコンにおける直接・間接光学遷移の電気的調整
35 / 52 ページ
※会場、時間が変更になった場合は該当の⽅にご連絡いたします。
講演タイトル
「第7回シリコンテクノロジー分科会論⽂賞受賞記念講演」（30分）
著者
所属機関
〇⼩池 勇⼈1、佐々⽊ 智⽣1、安藤 裕⼀郎2, 3、⻲野 誠2、⽥原 貴之3、及川 亨1、鈴⽊ 淑男4、⽩⽯ 誠司2, 3
1.TDK, 2.阪⼤院基礎⼯, 3.京⼤院⼯, 4.AIT
堀部 浩介1、〇⼩寺 哲夫1、⼩⽥ 俊理1
1.東⼯⼤
〇⼯藤 昌輝1、有⽥ 正志2、⼤野 裕輝3、⾼橋 庸夫2
1.北⼤院情報（現 九⼤超顕微セ）, 2.北⼤院情報, 3.北⼤院情報（現 三菱⾃動⾞）
〇登坂 仁⼀郎1、⻄⼝ 克彦1、藤原 聡1
1.NTT物性研
〇嶋⽥ 絢1、中根 了昌1、⽵中 充1, 2、⾼⽊ 信⼀1, 2
1.東⼤院・⼯, 2.JST-CREST
休憩/Break
21a-S422-10 C000378
SdH振動を⽤いたひずみSi pMOSFETにおける価電⼦帯有効質量の評価
温度サイクルを減らした酸化濃縮法による⾼圧縮ひずみ極薄膜Ge-OI 構造の実現
〇⾦ 佑彊1, 2、⽵中 充1, 2、⾼⽊ 信⼀1, 2
Realization of Ge n- and p-MOSFETs by using low thermal budget ionimplantation after germanidation technique (< 400 °C)
〇(P)WENHSIN CHANG1, Hiroyuki Ota1, Tatsuro Maeda1
1.AIST
⽯英基板上のInGaAs MOSFETの⾼周波特性
〇久⽶ 英司1、⽯井 裕之2、服部 浩之2、Chang Wen-Hsin2、⼩倉 睦郎1、前⽥ ⾠郎2
1.アイアールスペック, 2.産総研ナノエレ
サブ10 nmゲート⻑III-V nMOSFETにおけるソース・ドレイントンネル電流のチャネル電⼦有効質量依存性
〇(M1)⽚⽊ 慎也1、⼤森 正規1、⼟屋 英昭1、⼩川 真⼈1
1.神⼾⼤⼯
Distribution of Single-Ion Implanted Dopants in Silicon Investigated by Atom Probe Tomography
〇(D)Yuan TU1, Bin Han1, Yasuo Shimizu1, Koji Inoue1, Maasa Yano2, Yuki Chiba2, Takashi Tanii2, Takahiro Shinada3, Yasuyoshi Nagai1 1.IMR Tohoku Univ., 2.Waseda Univ., 3.CIES Tohoku Univ.
E
Poly-Si thin film transistor on (100)-dominantly Si film using MLB-CLC with overlapping
〇(D)Thuy Thi Nguyen1, Tatsuaki Hirata1, Shin-Ichiro Kuroki1
1.The rearch institute for Nanodevice and Bio system, Hiroshima University
E
Simulation Study for Pulse Switching Probability of ReRAM
〇Ernest Mlandeli Dlamini1, Masataka Shirasawa1, Yoshinari Kamakura1
1.Osaka Univ.
E
First-principles study of the impact of inter-dopants interaction on their wavefunctions in downscaled P-B co-doped Si nanorods
〇(PC)Le The Anh1, Daniel Moraru2, Manoharan Muruganathan1, Michiharu Tabe2, Hiroshi Mizuta1, 3
1.JAIST, 2.Shizuoka Univ., 3.Univ. of Southampton
E
Investigation of Bilayer HfN Gate Insulator Formed by ECR Plasma Sputtering
〇(D)Atthi Nithi1, Shun-ichiro Ohmi1
1.Tokyo Tech
E
奨
1.東⼤院⼯, 2.JST-CREST
10:00
19a-S224-4
C002623
13
13.6
Oral
3/19(⼟) 10:00 10:15
19a-S224-5
C003103
13
13.6
Oral
3/19(⼟) 10:15 10:30
13
13.6
Oral
3/19(⼟) 10:30 10:45
19a-S224-6
C001098
E
Effect of Gate Dielectrics on Trap Density in PbS Nanocrystal Field-Effect Transistors
13
13.6
Oral
3/19(⼟) 10:45 11:00
19a-S224-7
C001542
E
InGaN Quantum Nanodisks by Fusion of Bio-nano-template and Neutral Beam Etching processes
13
13.6
Oral
3/19(⼟) 11:00 11:15
19a-S224-8
C001790
E
Temperature Dependent Operation of Different AlGaAs barrier Matrix and GaAs Quantum Nanodisks LED
13
13.6
Oral
3/19(⼟) 11:15 11:30
19a-S224-9
C002839
E
Effect of non-halide lead precursors on CH3NH3PbI3 perovskite for photovoltaic applications
13
13.6
Oral
3/19(⼟) 11:30 11:45
19a-S224-10 C002843
E
Synthesis and Solar Cell Application of Structure Controlled ZnO Nanocrystals
〇He Sun1, Lina Sun1, Takashi Sugiura2, Matthew White3, 4, Philipp Stadler4, Niyazi Sariciftci4, Akito Masuhara1, Tsukasa Yoshida1
1.Yamagata Univ., 2.Gifu Univ., 3.Univ. of Vermont, 4.Linz Univ.
13
13.7
Oral
3/20(⽇)
9:00
9:15
20a-S223-1
C001168
Znカルコゲナイドナノシート超格⼦の作製と光物性
〇(M1)草加 健太1、松⽯ 清⼈1
1.筑波⼤数物
13
13.7
Oral
3/20(⽇)
9:15
9:30
20a-S223-2
C001969
X線回折を⽤いたPbS量⼦ドット超格⼦の配列評価技術
〇藤本 智⼠1、中塚 裕⽃2、加納 朋弥2、向井 剛輝1, 2
1.横浜国⼤理⼯, 2.横浜国⼤院⼯
13
13.7
Oral
3/20(⽇)
9:30
9:45
20a-S223-3
C003409
表⾯In(Ga)As量⼦ドット仕事関数の歪依存性
〇(M1)⼩林 知弘1、⾼林 紘1、Zhang Yuwei1、⼭⽥ 郁彦1、神⾕ 格1
1.豊⽥⼯⼤
13
13.7
Oral
3/20(⽇)
9:45
10:00
20a-S223-4
C001336
単⼀InAs 量⼦リング正孔g 因⼦の⾯内異⽅性と歪・形状異⽅性
〇(M1)冨永 隆宏1、鍜治 怜奈1、呉 祐年2、巫 明帆2、鄭 舜仁2、⾜⽴ 智1
1.北⼤院⼯, 2.台湾国⽴交通⼤
13
13.7
Oral
3/20(⽇) 10:00 10:15
20a-S223-5
C002390
零磁場下における核磁場形成と検出
〇松崎 亮典1、⼭本 壮太1、⾜⽴ 智1、鍜治 怜奈1
1.北⼤院⼯
13
13.7
Oral
3/20(⽇) 10:15 10:30
20a-S223-6
C002397
Hanle 効果による単⼀量⼦ドットの⾯内核磁場検出
〇(B)⼭本 壮太1、松崎 亮典1、鍜治 怜奈1、⾜⽴ 智1
1.北⼤⼯
13
13.7
Oral
3/20(⽇) 10:30 10:45
20a-S223-7
C003528
CaF2/Si/CaF2共鳴トンネル構造の室温微分性抵抗特性
〇⽥辺 直之1、望⽉ 雅⼈1、須⽥ 慶太1、島中 智史1、渡辺 正裕1
1.東⼯⼤総理⼯
13
13.7
Oral
3/20(⽇) 13:45 14:00
20p-S223-1
C003022
配位⼦交換によるPbS量⼦ドット超格⼦の電⼦結合状態の制御
〇末続 ⽂正1、加納 朋弥2、丹⽻ 慶輔2、向井 剛輝1, 2
1.横浜国⼤理⼯, 2.横浜国⼤院⼯
13
13.7
Oral
3/20(⽇) 14:00 14:15
20p-S223-2
C003084
PbS量⼦ドット位置制御のためのSiナノ・テンプレートの改良
〇⼭下 洲造1、広⽥ 章展2、向井 剛輝1, 2
1.横浜国⼤理⼯, 2.横浜国⼤院⼯
13
13.7
Oral
3/20(⽇) 14:15 14:30
20p-S223-3
C003434
チャープパルスを⽤いた量⼦ドット集合体のロバストな量⼦制御
〇(B)⻘沼 直登1、佐藤 嘉⾼1、⾚⽻ 浩⼀2、早瀬 潤⼦1
1.慶⼤, 2.情報通信研究機構
13
13.7
Oral
3/20(⽇) 14:30 14:45
20p-S223-4
C002410
Erイオンにおける誘導ラマン断熱通過
濱⽥ 裕紀1、〇俵 毅彦1, 2、⾜⽴ 智3、アレシュ イエナス1、尾⾝ 博雄1, 2、後藤 秀樹1
1.NTT物性研, 2.NTTナノフォトニクスセンタ, 3.北⼤⼯
13
13.7
Oral
3/20(⽇) 14:45 15:00
20p-S223-5
C001179
時間分解発光強度相関測定による単⼀ナノ粒⼦中の励起⼦分⼦オージェ再結合過程の研究
〇広重 直1、井原 章之1、⾦光 義彦1
1.京⼤化研
13
13.7
Oral
3/20(⽇) 15:00 15:15
20p-S223-6
C000749
pnpn構造GaAsにおける電⼦スピン緩和の時間分解測定
〇両⾓ 篤志1, 2、伊藤 哲1, 2、市⽥ 正夫3、安藤 弘明3
1.静岡⼤電⼦研, 2.静岡⼤院総合科学, 3.甲南⼤理⼯
13
13.7
Oral
3/20(⽇) 15:15 15:30
20p-S223-7
C002537
奨
GaAs/AlGaAs/AlAsタイプIIトンネル双量⼦井⼾のスピン緩和の温度依存性
〇中⼭ 航1、有⽵ 貴紀1、Wu Hao1、ショウ サンウ1、中村 芳樹1、武藤 俊⼀2、⽵内 淳1
1.早⼤先進理⼯, 2.北⼤院⼯
13
13.7
Oral
3/20(⽇) 15:30 15:45
20p-S223-8
C002907
奨
In0.8Ga0.2As/Al0.5Ga0.5As/AlAs0.56Sb0.44結合量⼦井⼾におけるスピン緩和の観測
〇⽯川 友樹1、⽜頭 信⼀郎2、物集 照夫2、浅川 将輝1、⼤⽊ 俊介1、⽵内 淳1
1.早⼤先進理⼯, 2.産業技術総合研究所
13
13.8
Poster
3/20(⽇) 13:30 15:30
20p-P9-1
C002918
表⾯リセス型電極構造を⽤いたAlGaN系PIN型UVフォトダイオードの作製および特性評価
〇岡⽥ 真由⼦1、宮地 祐太1、三好 実⼈1、江川 孝志1
1.名⼯⼤
13
13.8
Poster
3/20(⽇) 13:30 15:30
20p-P9-2
C001743
GaN⾃⽴基板を⽤いたInAlN/AlN/GaN HEMTのデバイス特性
〇⼭下 良美1、渡邊 ⼀世1、遠藤 聡1, 2、笠松 章史1、三村 ⾼志1, 2
1.情報通信研究機構, 2.富⼠通研
13
13.8
Poster
3/20(⽇) 13:30 15:30
20p-P9-3
C000892
SiO2を⽤いたGaN基板上MOSFETのMg濃度依存性
〇上野 勝典1、⾼島 信也1、稲本 拓朗1、松⼭ 秀昭1、江⼾ 雅晴1、中川 清和2
1.富⼠電機（株）, 2.⼭梨⼤
13
13.8
Poster
3/20(⽇) 13:30 15:30
20p-P9-4
C001139
プラズマCVD SiO2/InAlN 界⾯へのAl2O3超薄膜層挿⼊の効果
〇(M1)清野 惇1、⻑⾕崎 泰⽃1、横⽥ 直茂1、⾚澤 正道1
1.北⼤ 量集センター
13
13.8
Poster
3/20(⽇) 13:30 15:30
20p-P9-5
C003100
Catalyst free direct deposition of multilayer graphene on GaN by solid phase precipitation.
〇(D)Md Sahab Uddin1, Kazuyoshi Ueno1, 2
1.Shibaura Inst. Tech., 2.SIT RCGI
13
13.8
Poster
3/20(⽇) 13:30 15:30
20p-P9-6
C001309
InAlN/GaNヘテロ構造のInAlNバリア層における成⻑速度依存性
〇浦⼭ 雄也1、渡邉 新1、江川 孝志1
1.名古屋⼯業⼤学⼤学院
13
13.8
Poster
3/20(⽇) 13:30 15:30
20p-P9-7
C000603
⼤⼝径対向縦型MOCVD炉によるGaN/AlGaN/GaNへテロエピ成⻑
〇中村 ⽂彦1、平⽥ 祥⼦1、杉浦 浩1、河合 弘治1
1.パウデック
13
13.8
Poster
3/20(⽇) 13:30 15:30
20p-P9-8
C001084
n-GaNに⽔素イオン注⼊で誘起されたトラップの評価
〇(M1)上⽥ 聖悟1、後藤 雅浩1、⾼林 洸太1、徳⽥ 豊1、塩島 謙次2、伊藤 成志3、⼋⽊ 孝秀3
1.愛知⼯⼤, 2.福井⼤院, 3.住重試験検査
13
13.8
Poster
3/20(⽇) 13:30 15:30
20p-P9-9
C003767
n型およびp型GaN中のプラズマ照射誘起⽋陥挙動
古賀 祐介1、井上 凌兵1、〇中村 成志1、奥村 次徳1
1.⾸都⼤理⼯
13
13.8
Poster
3/20(⽇) 13:30 15:30
20p-P9-10
C000135
CF4 プラズマ処理したn-GaN 膜の電気的評価
〇中野 由崇1、坂井 佑輔1、新部 正⼈2、川上 烈⽣3
1.中部⼤, 2.兵庫県⽴⼤, 3.徳島⼤
13
13.8
Poster
3/20(⽇) 13:30 15:30
20p-P9-11
C002226
Fabrication of GaN Porous Structures Using Photo-Electrochemical Etching and Electrode Response
〇Xiaoyi Zhang1, Keisuke Ito1, Hirofumi Kida1, Yusuke Kumazaki1, Taketomo Sato1
1.RCIQE,Hokkaido Univ.
13
13.8
Poster
3/20(⽇) 13:30 15:30
20p-P9-12
C002126
光電気化学反応を利⽤したGaN表⾯の陽極酸化
〇枝元 将彰1、熊崎 祐介1、佐藤 威友1
1.北海道⼤量集セ
13
13.8
Poster
3/20(⽇) 13:30 15:30
20p-P9-13
C001379
プライマー層を⽤いたCu/AlN接合界⾯の密着強度改善
〇佐藤 宏太郎1、安藤 ⼤輔1、須藤 祐司1、⼩池 淳⼀1
1.東北⼤⼯
13
13.8
Poster
3/20(⽇) 13:30 15:30
20p-P9-14
C000239
InAs系PHEMTにおけるAuger再結合
〇佐藤 宇⼈1、⻄尾 結1、平⼭ 尚美1、飯⽥ 努1、⾼梨 良⽂1
1.東理⼤基礎⼯
13
13.8
Poster
3/20(⽇) 13:30 15:30
20p-P9-15
C003112
SLS回数と成⻑温度の最適化によるInSb-HEMT構造の電気的特性向上
〇(M2)加藤 三四郎1、宮下 愛理、藤川 紗千恵、藤代 博記
1.東京理科⼤学⼤学院
13
13.8
Poster
3/20(⽇) 13:30 15:30
20p-P9-16
C000279
奨
Arプラズマエッチングを⽤いた⼆段階ゲートリセス構造を持つInGaAs系HEMTの試作とその特性
〇細⾕ 友崇1、尾辻 泰⼀1、末光 哲也1
13
13.8
Poster
3/20(⽇) 13:30 15:30
20p-P9-17
C000491
奨
InGaAsSb/InP DHBTにおけるベースコンタクト抵抗低減化⼿法
〇星 拓也1、柏尾 典秀2、⽩⿃ 悠太1、杉⼭ 弘樹1、栗島 賢⼆1、井⽥ 実1、松崎 秀昭1
1.NTT先端集積デバイス研, 2.NTTデバイスイノベーションセンタ
13
13.8
Poster
3/20(⽇) 13:30 15:30
20p-P9-18
C000443
⾼濃度Snドープbeta-Ga2O3(-2 0 1)単結晶の温度特性の検討
〇⼤⽯ 敏之1、嘉数 誠1
1.佐賀⼤院⼯
13
13.8
Poster
3/20(⽇) 13:30 15:30
20p-P9-19
C000825
⾼効率無線電⼒伝送を⽬指したダイヤモンド・レクテナデバイスの提案
〇⼤⽯ 敏之1、河野 直⼠1、嘉数 誠1
1.佐賀⼤院⼯
13
13.8
Poster
3/20(⽇) 13:30 15:30
20p-P9-20
C002581
ダイヤモンド素⼦を⽤いたレクテナ回路の作製
〇(B)河野 直⼠1、⼤⽯ 敏之1、嘉数 誠1
1.佐賀⼤院⼯
13
13.8
Poster
3/20(⽇) 13:30 15:30
20p-P9-21
C003752
GaN表⾯CARE加⼯の反応メカニズムの第⼀原理計算による解析II -表⾯キンクサイト周辺のH2O終端構造-
〇稲垣 耕司1、Pho Van Bui1、礒橋 藍1、藤 ⼤雪1、森川 良忠1、⼭内 和⼈1
13
13.8
Poster
3/20(⽇) 13:30 15:30
20p-P9-22
C000535
⼈⼯知能融合超⾼速化量⼦分⼦動⼒学法の開発と化合物半導体プロセスへの応⽤
13
13.8
Oral
3/21(⽉)
9:00
9:15
21a-W541-1
C002269
⾃⽴GaN基板上p-n接合ダイオードにおける順⽅向電流集中領域の検討
〇林 賢太郎1、太⽥ 博1、⾦⽥ 直樹2、堀切 ⽂正3、成⽥ 好伸3、吉⽥ 丈洋3、三島 友義1、中村 徹1
1.法政⼤, 2.クオンタムスプレッド, 3.サイオクス
13
13.8
Oral
3/21(⽉)
9:15
9:30
21a-W541-2
C000678
⾃⽴基板の劈開⾯に形成したn-GaNショットキー接触の評価 (2) －－表⾯処理の影響－－
〇永縄 萌1、⻘⽊ 俊親1、三島 友義2、塩島 謙次1
1.福⼤院⼯, 2.法政⼤
13
13.8
Oral
3/21(⽉)
9:30
9:45
21a-W541-3
C003206
〇塩島 謙次1、⻘⽊ 俊周1、寺地 徳之2、⼩出 康夫2
1.福井⼤院⼯, 2.物質・材料研究機構
13
13.8
Oral
3/21(⽉)
9:45
10:00
21a-W541-4
C000707
Agナノインクの印刷により形成したAg/n-GaNショットキー接触の2次元評価(2)
〇新郷 正⼈1、伊藤 尊史1、柏⽊ ⾏康2、重宗 翼3、⼩泉 淳3、児島 貴徳3、⻫藤 ⼤志2、松川 公洋2、藤原 康⽂3、塩島 謙次1
1.福井⼤院⼯, 2.⼤阪市⼯研, 3.阪⼤院⼯
13
13.8
Oral
3/21(⽉) 10:00 10:15
21a-W541-5
C002111
ICPエッチングによりGaN表⾯に導⼊された損傷の界⾯顕微光応答法による2次元評価
〇今⽴ 宏美1、寺野 昭久1、塩島 謙次1
1.福井⼤院⼯
フォトキャパシタンス測定によるGaN中のプラズマ照射誘起⽋陥の評価
折茂 ⼒都1、⼤⻄ 健太1、〇中村 成志1、奥村 次徳1
1.⾸都⼤理⼯
〇須⽥ 淳1、堀⽥ 昌宏1、前⽥ 拓也2、澤⽥ 直暉1、⽊本 恒暢1
1.京⼤院⼯, 2.京⼤⼯
奨
休憩/Break
E
E
奨
Au/p形ダイヤモンドショットキー接触の変位電流
- p形GaNショットキー接触との⽐較 -
〇(D)Mohamad Insan Nugraha1, 2, Hiroyuki Matsui1, Roger Hausermann1, Satria Zulkarnaen Bisri3, Mykhailo Sytnyk4, Wolfgang Heiss4,
Maria Antonietta Loi2, Jun Takeya1
〇Akio Higo1, Cedric Thomas2, Chang Yong Lee2, Takayuki Kiba3, Shula Chen4, Tomoyuki Tanikawa5, Shigeyuki Kuboya5, Ryuji
Katayama5, Kanako Shojiki5, Ichiro Yamashita6, Akihiro Murayama4, Seiji Samukawa1, 2
〇(PC)Cedric Thomas1, Akio Higo2, Takayuki Kiba3, Yosuke Tamura1, Junichi Takayama4, Naofumi Okamoto5, Ichiro Yamashita5, Akihiro
Murayama4, Seiji Samukawa1, 2
〇TRILOK SINGH1, Tsutomu Miyasaka1
〇⽯澤 由紀江1、稲葉 賢⼆1、⼩原 幸⼦1、佐藤 絵美1、佐藤 愛美1、宮野 正之1、ボノー パトリック1、三浦 隆治1、鈴⽊ 愛1、宮本 直⼈1、畠⼭
望1、宮本 明1
1.Univ. Tokyo, 2.Univ. Groningen, 3.RIKEN, 4.Univ. Linz
1.AIMR, Tohoku Univ., 2.IFS, Tohoku Univ., 3.Kitami Inst. Tech, 4.IST, Hokkaido Univ., 5.IMR, Tohoku Univ., 6.NAIST
1.Inst. Fluid Science, Tohoku Univ., 2.WPI-AIMR, Tohoku Univ., 3.Kitam Inst. Technology, 4.Hokkaido Univ., 5.NAIST
1.Toin Uni. of Yokohama
1.東北⼤通研
1.阪⼤院⼯
1.東北⼤学
13
13.8
Oral
3/21(⽉) 10:15 10:30
21a-W541-6
C003737
13
13.8
Oral
3/21(⽉) 10:30 10:45
13
13.8
Oral
3/21(⽉) 10:45 11:00
21a-W541-7
C001824
ホモエピタキシャル成⻑低ドープn型GaNの深さ⽅向ドナー密度分布解析における深い準位の影響
13
13.8
Oral
3/21(⽉) 11:00 11:15
21a-W541-8
C002610
過渡容量測定によるホモエピタキシャル成⻑n型GaNの深い準位密度のウェハ⾯内マッピング評価
〇堀⽥ 昌宏1、成⽥ 哲⽣2、加地 徹2、上杉 勉2、須⽥ 淳1
1.京⼤院⼯, 2.豊⽥中研
13
13.8
Oral
3/21(⽉) 11:15 11:30
21a-W541-9
C003039
GaN基板上低キャリア厚膜n-GaNショットキー接触のDLTS評価
〇塩島 謙次1、⽥中 丈⼠1, 2、三島 友義3、徳⽥ 豊4
1.福井⼤院⼯, 2.サイオクス（株）, 3.法政⼤学, 4.愛知⼯⼤
13
13.8
Oral
3/21(⽉) 11:30 11:45 21a-W541-10 C001183
⾼Nt/Nd⽐のMOCVD n-GaNの⼀定容量DLTS測定
〇(M1)上⽥ 聖悟1、宮本 ⼀輝1、徳⽥ 豊1
1.愛知⼯⼤
13
13.8
Oral
3/21(⽉) 11:45 12:00 21a-W541-11 C001789
奨
GaN基板上GaNショットキーダイオードにおける転位と深い準位の関連性評価
〇間瀬 駿1、浦⼭ 雄也1、江川 孝志1
13
13.8
Oral
3/21(⽉) 12:00 12:15 21a-W541-12 C002246
奨
逆バイアス電圧印加n型GaNショットキーバリアダイオードにおけるFranz-Keldysh効果に起因したサブバンドギャップ光吸収による光電流
〇(B)前⽥ 拓也1、岡⽥ 政也2、上野 昌紀2、⼭本 喜之2、堀⽥ 昌宏3、須⽥ 淳3
1.京⼤⼯, 2.住友電⼯, 3.京⼤院⼯
13
13.8
Oral
3/21(⽉) 13:45 14:00
奨
AlGaN/GaN HEMT オフ耐圧とEL発光との相関
〇(M1)吉⽥ 知司1、⼤井 慎太郎1、⼭崎 泰誠1、Asubar Joel1、徳⽥ 博邦1、葛原 正明1
1.福井⼤院⼯
休憩/Break
21p-W541-1
C003723
〇野崎 幹⼈1、淺原 亮平1、伊藤 丈予1、渡邉 健太1、⼭⽥ ⾼寛1、中澤 敏志2、按⽥ 義治2、⽯⽥ 昌宏2、上⽥ 哲三2、細井 卓治1、志村 考功1、
1.名⼯⼤
13
13.8
Oral
3/21(⽉) 14:00 14:15
21p-W541-2
C002677
13
13.8
Oral
3/21(⽉) 14:15 14:30
21p-W541-3
C002728
奨
AlGaN/GaN MOS-HEMTにおけるSiO2/AlON積層ゲート絶縁膜の検討
13
13.8
Oral
3/21(⽉) 14:30 14:45
21p-W541-4
C002231
奨
AlGaN/GaN系ノーマリーオフPチャネルMOS-HFETにおける基板バイアス効果
〇久保⽥ 俊介1、中島 昭2、⻄澤 伸⼀2、⼤橋 弘通1、⾓嶋 邦之1、若林 整1、筒井 ⼀⽣1
1.東⼯⼤総理⼯, 2.産総研
13
13.8
Oral
3/21(⽉) 14:45 15:00
21p-W541-5
C003625
奨
トレンチ構造をもつGaN縦型MOSFETの特性評価
〇(M1)篠倉 暁希1、徳⽥ 博邦1、江⼾ 雅晴2、上野 勝典2、葛原 正明1
1.福井⼤院⼯, 2.富⼠電機
13
13.8
Oral
3/21(⽉) 15:00 15:15
21p-W541-6
C001217
Si基板上AlGaN/GaN HEMT構造縦⽅向リーク電流のAlGaN緩衝層Al組成依存性
〇⼭岡 優哉1, 2、伊藤 和宏2、⽣⽅ 映徳1、⽮野 良樹1、⽥渕 俊也1、松本 功1、江川 孝志2
1.⼤陽⽇酸, 2.名⼯⼤
13
13.8
Oral
3/21(⽉) 15:15 15:30
13
13.8
Oral
3/21(⽉) 15:30 15:45
21p-W541-7
C003424
ノーマリオフ GaN HEMTのダイオード動作における耐圧および容量特性
〇加藤 直樹1、永井 昂哉1、成⽥ 智隆1、⻑⽥ ⼤和2、上村 隆⼀郎2、伊東 健治3、分島 彰男1、江川 孝1
1.名⼯⼤院, 2.ULVAC, 3.⾦沢⼯⼤
13
13.8
Oral
3/21(⽉) 15:45 16:00
21p-W541-8
C001145
⾃⽴GaN基板上イオン注⼊MISFETのノーマリーオフ動作
〇菅⼜ 滉⼤1、⾦⽥ 直樹2、三島 友義1、中村 徹1
1.法政⼤, 2.クオンタムスプレッド
13
13.8
Oral
3/21(⽉) 16:00 16:15
21p-W541-9
C001238
銅板平坦化によるAlGaN/GaN 転写HEMTの放熱性の改善
〇廣⽊ 正伸1、熊倉 ⼀英1、⼭本 秀樹1
1.NTT物性研
スパッタ成膜したアルミナ系絶縁膜/AlGaN界⾯のTEM観察
渡部 平司1
〇(B)渡邉 健太1、淺原 亮平1、伊藤 丈予1、野崎 幹⼈1、⼭⽥ ⾼寛1、中澤 敏志2、按⽥ 義治2、⽯⽥ 昌宏2、上⽥ 哲三2、細井 卓治1、志村 考功
1、渡部 平司1
1.阪⼤院⼯, 2.パナソニック
1.阪⼤院⼯, 2.パナソニック
休憩/Break
2016年春季講演会(東⼯⼤⼤岡⼭キャンパス)プログラム
⼤分類 中分類
形式
講演⽇
開始
終了
講演番号
【1⽉28⽇(⽊)更新】暫定版からの更新箇所は⾚字になっております。
受付番号
奨励賞 英語 招待
36 / 52 ページ
※会場、時間が変更になった場合は該当の⽅にご連絡いたします。
講演タイトル
著者
所属機関
13
13.8
Oral
3/21(⽉) 16:15 16:30 21p-W541-10 C001162
カスコード接続したサファイア基板上GaN PSJ（分極超接合）トランジスタの1,000 Vスイッチング特性
〇⼋⽊ 修⼀1、平⽥ 祥⼦1、神⼭ 祐輔1、中村 ⽂彦1、⻫藤 武尊1、河合 弘治1
1.パウデック
13
13.8
Oral
3/21(⽉) 16:30 16:45 21p-W541-11 C001763
⾼誘電率絶縁膜を⽤いたFP電極を有する縦型GaNダイオード
〇吉野 理貴1、堀切 ⽂正2、太⽥ 博1、⼭本 康博1、三島 友義1、中村 徹1
1.法政⼤, 2.サイオクス
13
13.8
Oral
3/21(⽉) 16:45 17:00 21p-W541-12 C001915
Si 基板上GaAs/GaN ヘテロ接合の縦⽅向電気特性評価
〇(M1)⼭條 翔⼆1、尹 翔⾄1、梁 剣波1、渡邉 則之2、重川 直輝1
1.⼤阪市⼤⼯, 2.NTT 先端集積デバイス研
13
13.8
Oral
3/22(⽕)
9:00
9:15
22a-W541-1
C001433
放射光を⽤いたX線光電⼦分光による成膜後アニールを施したALD-HfO2/AlGaN界⾯の評価
〇久保 俊晴1、⻄野 剛介1、江川 孝志1
1.名⼯⼤
13
13.8
Oral
3/22(⽕)
9:15
9:30
22a-W541-2
C002005
AlGaN/GaN HEMTへの凹凸AlGaN層導⼊によるコンタクト抵抗低減効果のメカニズム解明
〇武井 優典1、下⽥ 智裕1、⾼橋 昌靖1、筒井 ⼀⽣1、齋藤 渉2、⾓嶋 邦之1、若林 整1、岩井 洋1
1.東⼯⼤, 2.東芝セミコンダクター＆ストレージ社
13
13.8
Oral
3/22(⽕)
9:30
9:45
22a-W541-3
C003687
Fe層を挿⼊したTiN電極とpGaNの電流電圧特性
〇池内 勇太1、若林 整1、筒井 ⼀⽣1、岩井 洋1、⾓嶋 邦之1
1.東⼯⼤総理⼯
3/22(⽕)
9:45
13
13.8
Oral
奨
〇⼭⽥ ⾼寛1、伊藤 丈予1、淺原 亮平1、渡邉 健太1、野崎 幹⼈1、中澤 敏志2、按⽥ 義治2、⽯⽥ 昌宏2、上⽥ 哲三2、吉越 章隆3、細井 卓治1、
10:00
22a-W541-4
C003336
低⽋陥密度GaN基板の熱酸化過程の評価
13
13.8
Oral
3/22(⽕) 10:00 10:15
22a-W541-5
C003433
GaN表⾯熱酸化処理によるMOS界⾯特性の向上
13
13.8
Oral
3/22(⽕) 10:15 10:30
13
13.8
Oral
3/22(⽕) 10:30 10:45
22a-W541-6
C003316
13
13.8
Oral
3/22(⽕) 10:45 11:00
22a-W541-7
C003139
13
13.8
Oral
3/22(⽕) 11:00 11:15
22a-W541-8
C003006
奨
13
13.8
Oral
3/22(⽕) 11:15 11:30
22a-W541-9
C000611
奨
中性粒⼦ビームエッチングによるAlGaN/GaN HEMTの素⼦間リーク電流抑制効果
13
13.8
Oral
3/22(⽕) 11:30 11:45 22a-W541-10 C002909
13
13.8
Oral
3/22(⽕) 13:00 13:15
22p-W541-1
C000229
13
13.8
Oral
3/22(⽕) 13:15 13:30
22p-W541-2
C003099
13
13.8
Oral
3/22(⽕) 13:30 13:45
22p-W541-3
C003527
13
13.8
Oral
3/22(⽕) 13:45 14:00
22p-W541-4
C000902
ft > 500 GHz を有するメタルサブコレクタInP/InGaAsSb DHBT
13
13.8
Oral
3/22(⽕) 14:00 14:15
22p-W541-5
C000747
再成⻑S/Dを有するInGaAsマルチゲートMOSFETのLch=16nm動作
13
13.8
Oral
3/22(⽕) 14:15 14:30
22p-W541-6
C003014
ダブルNO2ホールドーピングを⽤いたダイヤモンド電界効果トランジスタの作製
〇嘉数 誠1、原⽥ 和也1、古賀 優太1、花⽥ 賢志1、⼤⽯ 敏之1
13
13.8
Oral
3/22(⽕) 14:30 14:45
22p-W541-7
C000808
Ga2O3 (010)上に堆積したSiO2膜におけるポストアニールの影響
〇⼩⻄ 敬太1、上村 崇史1、ワン マンホイ1、佐々⽊ 公平2, 1、倉⼜ 朗⼈2、⼭腰 茂伸2、東脇 正⾼1
1.情通機構, 2.タムラ製作所
13
13.8
Oral
3/22(⽕) 14:45 15:00
22p-W541-8
C000051
Field-Plated Ga2O3 MOSFETs With a Breakdown Voltage of Over 750 V
〇ManHoi Wong1, Kohei Sasaki2, 1, Akito Kuramata2, Shigenobu Yamakoshi2, Masataka Higashiwaki1
1.NICT, 2.Tamura Corp.
13
13.9
Poster
3/20(⽇) 13:30 15:30
20p-P10-1
C000428
Yb3+とTm3+を添加したZn2TiO4アップコンバージョン蛍光体の焼成温度依存性
〇野中 俊宏1、⼤⼭ 渓⼈1、菖蒲 勇1、杉村 健太郎1、⼭本 伸⼀1
1.⿓⾕⼤理⼯
13
13.9
Poster
3/20(⽇) 13:30 15:30
20p-P10-2
C000429
ナノストライプ電極を⽤いた無機ELパネルの光学特性
〇野中 俊宏1、森 啓補1、⼭本 伸⼀1
1.⿓⾕⼤理⼯
13
13.9
Poster
3/20(⽇) 13:30 15:30
20p-P10-3
C003036
粉末希⼟類を添加したアップコンバージョン蛍光体の発光特性評価
〇⽊村 ⼤海1、野中 俊宏1、⼤⼭ 渓⼈1、⼭本 伸⼀1
1.⿓⾕⼤学
13
13.9
Poster
3/20(⽇) 13:30 15:30
20p-P10-4
C001854
イットリウムチオシリケート蛍光体の温度特性に関する研究
〇満澤 隆太郎1、鈴⽊ 洋介1、奥野 剛史1、七井 靖2
1.電通⼤先進理⼯, 2.⽇⼤⽂理
13
13.9
Poster
3/20(⽇) 13:30 15:30
20p-P10-5
C001144
⾼圧相SrO:Ce紫外蛍光体のカソードルミネッセンス
〇⼩松 啓志1、中村 淳2, 1、齋藤 秀俊1
1.⻑岡技科⼤, 2.中部キレスト
13
13.9
Poster
3/20(⽇) 13:30 15:30
20p-P10-6
C003510
13
13.9
Poster
3/20(⽇) 13:30 15:30
20p-P10-7
C000532
13
13.9
Poster
3/20(⽇) 13:30 15:30
20p-P10-8
13
13.9
Poster
3/20(⽇) 13:30 15:30
20p-P10-9
13
13.9
Poster
3/20(⽇) 13:30 15:30
20p-P10-10
13
13.9
Poster
3/20(⽇) 13:30 15:30
13
13.9
Poster
13
13.9
13
13.9
13
13.9
13
13
13
志村 考功1、渡部 平司1
1.阪⼤院⼯, 2.パナソニック, 3.原⼦⼒機構
〇⼭⽥ ⾼寛1、伊藤 丈予1、淺原 亮平1、渡邉 健太1、野崎 幹⼈1、細井 卓治1、志村 考功1、渡部 平司1
1.阪⼤院⼯
⾼温アニールプロセスがGaN MOSFET特性に与える影響
〇⻄⼝ 賢弥1、橋詰 保1
1.北海道⼤学量⼦集積エレクトロニクス研究センター
Al2O3あるいはAlTiOゲート絶縁膜を⽤いたInAlN-GaN⾦属/絶縁体/半導体構造における絶縁体/半導体界⾯固定電荷
〇⼭⼝ 槙也1、宇井 利昌1、⻑⾕川 貴⼤1
1.北陸先端⼤
⾼圧⽔蒸気処理を施したSiO2/GaN縦型MOSキャパシタの電気的特性評価
〇冨永 雄太1、上野 勝典2、吉嗣 晃冶1、多⽥ 雄貴1、⽯河 泰明1、浦岡 ⾏治1
1.奈良先端⼤, 2.富⼠電機
休憩/Break
奨
〇邉⾒ ふゆみ1、Thomas Cedric2、Lai Yi-Chun3、肥後 昭男3、Guo Alex4、Warnock Shireen4、del Alamo Jesus A.4、寒川 誠⼆2, 3、尾辻 泰
⼀1、末光 哲也1
1.東北⼤通研, 2.東北⼤流体研, 3.東北⼤AIMR, 4.MTL MIT
酸化・還元反応場を同⼀基板上に形成した⾦属/GaN光触媒薄膜
〇渦巻 裕也1、⼩野 陽⼦1、⼩川 重男1、⾕保 芳孝2、熊倉 ⼀英2、⼩松 武志1
1.NTT先デ研, 2.NTT物性研
奨
原⼦拡散接合で作製されたPIN-ダイオードの電気特性
〇⼭⽥ 友輝1、⿂本 幸2、島津 武仁2、名⽥ 允洋1、松崎 秀昭1
1.NTT先端集積デバイス研, 2.東北⼤学
奨
蒸着SiOx膜を⽤いたfT = 300GHz超InSb-HEMTの作製
〇(M2)辻 ⼤介1、磯野 恭佑1、⽵鶴 達哉1、藤川 紗千恵1、渡邊 ⼀世2、⼭下 良美2、遠藤 聡2、原 紳介2、笠松 章史2、藤代 博記1
1.東理⼤院基礎⼯, 2.情報通信研究機構
50 GHz帯におけるInGaAs/InAlAs HEMTの雑⾳特性
〇渡邊 ⼀世1、遠藤 聡1, 2、三村 ⾼志1, 2、笠松 章史1
1.情報通信研究機構, 2.富⼠通研究所
〇⽩⿃ 悠太1、星 拓也1、柏尾 典秀2、栗島 賢⼆1、⽇暮 栄治3、松崎 秀昭1
1.NTT先端集積デバイス研, 2.NTTデバイスイノベーションセンタ, 3.東京⼤学
〇⽊下 治紀1、⽊瀬 信和1、祢津 誠晃1、⾦澤 徹1、宮本 恭幸1
1.東⼯⼤院理⼯
E
Ce:Lu3Al5O12 結晶における電⼦スピン共鳴スペクトルの
1.佐賀⼤院⼯
〇(M2)李 守鎬1、北浦 守2、鎌⽥ 圭3、⿊澤 俊介3、⼤⻄ 彰正2、原 和彦4
1.⼭形⼤院理⼯, 2.⼭形理, 3.東北⼤NICHe, 4.静岡⼤電研
添加物によるY4(SiS4)3蛍光体の発光特性の研究
〇鈴⽊ 智⼤1、奥野 剛史1、七井 靖2
1.電通⼤先進理⼯, 2.⽇⼤⽂理
C003327
Y4(SiS4)3:Ce3+ 蛍光体の粒径および均⼀性の評価
〇⽚柳 賢祐1、奥野 剛史1、七井 靖2、御園⽣ 敏⾏3、佐藤 義孝3
1.電気通信⼤学, 2.⽇本⼤学, 3.双葉電⼦⼯業
C001648
Sr2SiO4:Euシリケート蛍光体の還元雰囲気下における相制御
⽮倉 浩太1、〇加藤 有⾏1
1.⻑岡技科⼤院⼯
C001651
液中酸化還元反応プローブ⽤KSrPO4:Eu蛍光体のポリオール法を⽤いた微細化による感度の向上
常盤 庸平1、濱⾕ 憲太1、⾼橋 ⼀匡1、佐々⽊ 徹1、菊池 崇志1、原⽥ 信弘1、〇加藤 有⾏1
1.⻑岡技科⼤院⼯
20p-P10-11
C002038
CaY2Si2S8: Eu2+ チオシリケート蛍光体の発光特性
〇⽥邊 冬夢1、加藤 有⾏1
1.⻑岡技科⼤院⼯
3/20(⽇) 13:30 15:30
20p-P10-12
C001335
Sr-Al-O系蛍光体におけるSr⽐の構造および発光特性に及ぼす影響
〇⾚堀 太⼀1、⽻⽥ 京右2、⼩南 裕⼦1、原 和彦3、中⻄ 洋⼀郎3
1.静岡⼤院, 2.静岡⼤⼯, 3.静岡⼤電⼦研
Poster
3/20(⽇) 13:30 15:30
20p-P10-13
C003658
SrAl2O4:Eu結晶における電⼦トラップの熱安定性
〇北浦 守1、鶴⾒ 祐太1、⼤⻄ 彰正1、⽯橋 知也2、古川 翔⼦2、⼩⽥ 久哉2、⼭中 明⽣2
1.⼭形⼤理, 2.千歳科技⼤
Poster
3/20(⽇) 13:30 15:30
20p-P10-14
C003486
過冷却融液の固化およびガラスの結晶化により合成した⾼温相β-SrAl2O4の⻑残光特性とB2O3添加の効果
〇篠崎 健⼆1、⼩⾼ 幹也1、本間 剛1、Affatigato Mario2、⼩松 ⾼⾏1
1.⻑岡技科⼤, 2.コー⼤学
Poster
3/20(⽇) 13:30 15:30
20p-P10-15
C000332
YVO4:Bi3+,Eu3+蛍光ナノ粒⼦の新規液相合成法の探究(II)
〇(M1)⼤野 貴之1、磯 由樹1、磯部 徹彦1
1.慶⼤理⼯
13.9
Poster
3/20(⽇) 13:30 15:30
20p-P10-16
C002600
再沈法を⽤いたEu錯体コロイド含有シリカガラスの耐光性改善
⼋巻 建樹1、〇福⽥ 武司1、鎌⽥ 憲彦1、本多 善太郎1
1.埼⽟⼤
13.9
Poster
3/20(⽇) 13:30 15:30
20p-P10-17
C001883
スピンコート法を⽤いたEu添加SnO2薄膜の作製と評価
〇澤畠 淳⼆1、秋元 伊織1
1.茨城⾼専
13.9
Poster
3/20(⽇) 13:30 15:30
20p-P10-18
C003314
ユーロピウム添加ジベンゾイルメタントリアンモニウムの応⼒発光特性に及ぼすポリビニルピロリドンの効果
ラナシンゲ マノジ1、ラジャパクセ ガーミニ2、奥⾕ 昌之3、下村 勝3、〇村上 健司3
1.静岡⼤院創造, 2.ペラデニア⼤化学, 3.静岡⼤院総合
13
13.9
Poster
3/20(⽇) 13:30 15:30
20p-P10-19
C000657
⻩⾊から⾚⾊の残光蛍光体Ca2SiS4:EuにおけるNd3+、Gd3+添加の影響
〇清⽔ 裕介1、奥野 剛史1、七井 靖2
1.電通⼤先進理⼯, 2.⽇⼤⽂理
13
13.9
Poster
3/20(⽇) 13:30 15:30
20p-P10-20
C003593
層状応⼒発光化合物Sr3Sn2O7:Sm3+の応⼒発光特性の向上機構
〇(M1)浜辺 ⻯太1, 2、塗 東2、吉⽥ 晃⼈2、徐 超男1, 2
1.九州⼤総理⼯, 2.産総研
13
13.9
Poster
3/20(⽇) 13:30 15:30
20p-P10-21
C002810
TiO2薄膜に添加したSm3+イオンの局所構造と発光特性
〇村⼭ 真理⼦1、森本 えつこ1、柳⽥ 祐嗣1、⼩室 修⼆2、趙 新為1
1.東理⼤理, 2.東洋⼤理⼯
13
13.9
Poster
3/20(⽇) 13:30 15:30
20p-P10-22
C002605
n-TiO2:Sm/p-NiO/Ni 発光素⼦の発光特性
〇柳⽥ 祐嗣1、村⼭ 真理⼦1、⼩室 修⼆2、趙 新為1
1.東理⼤理, 2.東洋⼤理⼯
13
13.9
Poster
3/20(⽇) 13:30 15:30
20p-P10-23
C002724
有機無機励起共鳴アミノアクリジン-ZnSe/CdSeナノ粒⼦複合体の光学特性評価
〇(M1)⽮幅 拓真1、越⽔ 正典1、藤本 裕1、浅井 圭介1
1.東北⼤院⼯
13
13.9
Poster
3/20(⽇) 13:30 15:30
20p-P10-24
C000338
TMAS誘導シリカに包埋されたCuInS2/ZnS/ZnS量⼦ドットの蛍光特性
〇(M1)和⽥ 知歌⼦1、磯 由樹1、磯部 徹彦1、佐々⽊ 洋和2
1.慶⼤理⼯, 2.昭栄化学⼯業
13
13.9
Poster
3/20(⽇) 13:30 15:30
20p-P10-25
C002507
量⼦ドットCu-In-S/ZnS のコアシェル構造⽐の発光特性
〇伊藤 ⾥早1、⼭本 伸⼀1、⻑久保 準基2
1.⿓⾕⼤学, 2.アルバック
13
13.9
Poster
3/20(⽇) 13:30 15:30
20p-P10-26
C000233
ガス輸送気相成⻑法によるZnSeナノワイヤーの作製と評価
〇松本 和也1、尾崎 俊⼆1
1.群⾺⼤理⼯
13
13.9
Poster
3/20(⽇) 13:30 15:30
20p-P10-27
C003679
亜酸化銅を⽤いた直流駆動無機ELの電気伝導性の検討
〇橋向 ⼀樹1、鈴⽊ 幹太朗1、三浦 登1
1.明⼤理⼯
13
13.9
Poster
3/20(⽇) 13:30 15:30
20p-P10-28
C001810
フレキシブル基板を⽤いた張り合わせ両⾯発光分散型無機ELの特性
〇森 啓輔1、⼭本 伸⼀1
1.⿓⾕⼤学
13
13.9
Poster
3/20(⽇) 13:30 15:30
20p-P10-29
C003638
⽚側絶縁直流駆動無機EL における発光位置の検討
〇佐々⽊ 翔1、⼤⻄ 雄地1、三浦 登1
1.明⼤理⼯
13
13.9
Oral
3/20(⽇) 16:15 16:30
20p-S223-9
C002479
フォトニック結晶光ナノ共振器の導⼊によるGaAs中のEr発光中⼼の発光制御
〇児島 貴徳1、櫻⽊ 寛⾄1、⼩川 雅之1、藤岡 夏輝1、⼩泉 淳1、野⽥ 進2、藤原 康⽂1
1.阪⼤院⼯, 2.京⼤院⼯
13
13.9
Oral
3/20(⽇) 16:30 16:45
20p-S223-10 C002242
〇Wanxin ZHU1, Masashi Ishii2, Atsushi Koizumi1, Yasufumi Fujiwara1
1.Osaka Univ., 2.NIMS
13
13.9
Oral
3/20(⽇) 16:45 17:00
20p-S223-11 C000522
GaN:Eu⾚⾊LED発光中⼼の三次元マッピングによる解析
〇⽯井 真史1、⼩泉 淳2、藤原 康⽂2
1.物材機構, 2.阪⼤⼯
13
13.9
Oral
3/20(⽇) 17:00 17:15
20p-S223-12 C001870
奨
Eu添加GaNにおける2価Euイオンの出現とその制御
〇布川 拓未1、⼩泉 淳1、松⽥ 将明1、朱 婉新1、藤原 康⽂1
1.阪⼤院⼯
13
13.9
Oral
3/20(⽇) 17:15 17:30
20p-S223-13 C003542
奨
微⼩光共振器によるEu添加GaNの発光特性制御
〇(D)稲葉 智宏1、児島 貴徳1、⼩泉 淳1、藤原 康⽂1
1.阪⼤院⼯
13
13.9
Oral
3/20(⽇) 17:30 17:45
20p-S223-14 C003071
13
13.9
Oral
3/20(⽇) 17:45 18:00
20p-S223-15 C003309
13
13.9
Oral
3/20(⽇) 18:00 18:15
13
13.9
Oral
3/20(⽇) 18:15 18:30
13
13.9
Oral
3/21(⽉)
9:30
9:45
21a-S423-1
C001674
13
13.9
Oral
3/21(⽉)
9:45
10:00
21a-S423-2
13
13.9
Oral
3/21(⽉) 10:00 10:15
21a-S423-3
13
13.9
Oral
3/21(⽉) 10:15 10:30
13
13.9
Oral
3/21(⽉) 10:30 10:45
13
13.9
Oral
13
13.9
13
13.9
13
13.9
13
13
アルカリ⼟類イオン共添加効果
奨
奨
E
Relationship between electrical and luminescence properties of GaN/Eu-doped GaN multiple-nanolayer structures investigated with
impedance spectroscopy
RF-MBE 法により作製したEu 添加⽴⽅晶及び六⽅晶GaN 薄膜の結晶構造
〇⼸達 新治1、北村 優天1、⼩⼭ 裕⽣1、宮⽥ 晃1、⽩⽅ 祥1、⼋⽅ 直久2、細川 伸也3、林 好⼀4
1.愛媛⼤⼯, 2.広島市⼤院情報, 3.熊本⼤院⾃然, 4.名⼯⼤院⼯
スパッタリング併⽤MOCVD法によるTm,Yb共添加ZnO薄膜の作製と発光特性
〇⻲井 勇⼈1、⾼野 翔太1、吉居 ⽞哉1、児島 貴徳1、⼩泉 淳1、藤原 康⽂1
1.阪⼤院⼯
20p-S223-16 C000009
ZnGa2O4ホスト結晶膜にドープされたEu3+の発光特性
〇⾚沢 ⽅省1、篠島 弘幸2
1.NTT DIC, 2.久留⽶⾼専
20p-S223-17 C003633
PLD法によるp型Si(111)基板上へのErドープGa2O3薄膜の成⻑と評価
〇野⽥ 真司1、陳 政委1、⻫藤 勝彦1、⽥中 徹1、⻄尾 光弘1、郭 其新1
1.佐賀⼤院⼯
La6O2F8S3:Eu3+⾚⾊蛍光体における電荷移動状態(CTS)励起帯
〇岡⽥ 将⼤1、加藤 聖也1、⽯垣 雅2、吉松 良1, 3、⼤観 光徳1, 4
1.⿃取⼤院⼯, 2.TiFREC, 3.Denka, 4.TEDREC
C000887
(La,Ce,Y)6Si4S17 蛍光体の発光帯とCe3+ 置換サイトとの関係
〇七井 靖1, 2、花輪 有紀1、上岡 隼⼈1、奥野 剛史2
1.⽇⼤⽂理, 2.電通⼤先進理⼯
C000134
Eu2+/Ce3+付活蛍光体の第⼀原理バンド計算︓結晶サイトエンジニアリング
ポンス サミュエル2、ジア ヨンチャオ2、〇三上 昌義1、ミグリオ アンナ2、ゴンゼ ザビエル2
21a-S423-4
C001978
熱ルミネッセンス励起スペクトルを利⽤したY3Al5O12:Ce3+蛍光体の消光原因の解明
〇上⽥ 純平1、Dorenbos Pieter2、J. J. Bos Adrie2、Meijerink Andries3、⽥部 勢津久1
1.京⼤⼈環, 2.デルフト⼯科⼤, 3.ユトレヒト⼤
21a-S423-5
C000192
YAG:Ce3+蛍光体の温度特性における⽋陥準位の影響の解析
〇⻑尾 宣明1、新⽥ 充1、稲⽥ 安寿1
1.パナソニック
3/21(⽉) 10:45 11:00
21a-S423-6
C000047
Lu3Al5O12;Ce3+蛍光体のパッシベーション効果における発光特性
〇⼩泉 洋1、村⼭ 幸⼤1、イスラム モニルル1、櫻井 岳暁1、秋本 克洋1、チョー ユージン2、関⼝ 隆史2、渡部 純也3、杉⼭ 伸3
1.筑波⼤学, 2.物質機構, 3.NML
Oral
3/21(⽉) 11:00 11:15
21a-S423-7
C001598
Mg2+イオン共添加によるCe:GAGG結晶中電⼦捕獲中⼼の抑制
〇(M1)稲葉 涼太1、北浦 守2、鎌⽥ 圭3、⿊澤 俊介3、⼤⻄ 彰正2、原 和彦4
1.⼭形⼤院理⼯, 2.⼭形⼤理, 3.東北⼤NICHe, 4.静岡⼤電研
Oral
3/21(⽉) 11:15 11:30
21a-S423-8
C000201
⾼効率指向性発光を実現するナノグレーティング蛍光体薄膜
〇新⽥ 充1、稲⽥ 安寿1、橋⾕ 享1、冨⽥ 昇吾1、平澤 拓1
1.パナソニック
Oral
3/21(⽉) 11:30 11:45
21a-S423-9
C001206
Y3Al2Ga3O12:Cr3+における光刺激誘起残光
〇⽚⼭ 裕美⼦1、Bruno Viana2、Didier Gourier2、許 健1、⽥部 勢津久1
1.京都⼤学, 2.パリ国⽴化学研究所
13.9
Oral
3/21(⽉) 11:45 12:00
21a-S423-10 C001965
ZnS:Cu蛍光体への⾼エネルギー電⼦線照射による⻑残光性の出現
〇稲垣 徹1, 2、⽯垣 雅3、⼤観 光徳2, 4、堀 史説5、岩瀬 彰宏5
1.宇部興産株式会社, 2.⿃⼤院⼯, 3.⿃⼤TiFREC, 4.⿃⼤TEDREC, 5.⼤阪府⽴⼤
13.9
Oral
3/21(⽉) 13:45 14:00
21p-S423-1
C002150
Rb2TiF6:Mn4+蛍光体の作製と評価
〇(M1)櫻井 翔之1、中村 俊博1、安達 定雄1
1.群⾺⼤院理⼯
13
13.9
Oral
3/21(⽉) 14:00 14:15
21p-S423-2
C001107
K2TiF6:Mn4+蛍光体の⼆波⻑励起PL測定
〇⾼塚 洋右1、福⽥ 武司1、本多 善太郎1、鎌⽥ 憲彦1、⾦吉 正実2
1.埼⼤⼯, 2.信越化学
13
13.9
Oral
3/21(⽉) 14:15 14:30
21p-S423-3
C000126
Wider Color Gamut LED Backlight using β-sialon:Eu2+ and K2SiF6:Mn4+ Phosphors
〇Rong-Jun Xie1, Le Wang2, Wang Xiaojun1, Kohsei Takahashi1, Takashi Takeda1, Naoto Hirosaki1, Makoto Izumi3, Ken-ichi Yoshimura3 1.NIMS, 2.China Jiliang Univ., 3.Sharp
13
13.9
Oral
3/21(⽉) 14:30 14:45
21p-S423-4
C000217
広⾊域ディスプレイ⽤バックライトLED －Mn2+, Mg2+共賦活&gamma;-AlON蛍光体とMn4+賦活K2SiF6蛍光体－
〇吉村 健⼀1、福永 浩史1、和泉 真1、⾼橋 向星2、解 栄軍2、広崎 尚登2
1.シャープ, 2.物材機構
13
13.9
Oral
3/21(⽉) 14:45 15:00
21p-S423-5
C000590
(Sr, Ba)Al2Si3O4N4:Eu2+蛍光体の励起・発光特性
〇吉松 良1, 2、⼭⽥ 鈴弥2、⼤観 光徳1、広崎 尚登3
1.⿃⼤院⼯, 2.デンカ, 3.物材機構
13
13.9
Oral
3/21(⽉) 15:00 15:15
21p-S423-6
C000593
蛍光寿命ゆらぎ︓蛍光体発光機構解明の新しいアプローチ
〇⽯井 真史1、吉松 良2、広崎 尚登1、⼤観 光徳3
1.物材機構, 2.デンカ株式会社, 3.⿃取⼤
13
13.9
Oral
3/21(⽉) 15:15 15:30
21p-S423-7
C000793
BaSi7N10:Eu派⽣窒化物蛍光体の⽩⾊発光(Ⅰ)
〇⾈橋 司朗1、武⽥ 隆史1、広崎 尚登1、解 栄軍1
1.物材機構
13
13.9
Oral
3/21(⽉) 15:30 15:45
21p-S423-8
C000141
BaSi7N10:Eu派⽣窒化物蛍光体の⽩⾊発光(II)
〇武⽥ 隆史1、⾈橋 司朗1、広崎 尚登1、解 栄軍1
1.物材機構
13
13.9
Oral
3/21(⽉) 15:45 16:00
21p-S423-9
C002014
Comparison of GPS and HIP methods for Si-doped AlN powders synthesis
〇(D)Yujin Cho1, 2, Kohsei Takahashi2, Benjamin Dierre2, Takashi Takeda2, Naoki Fukata2, Naoto Hirosaki2, Takashi Sekiguchi2, 1
1.Tsukuba Univ., 2.NIMS
13
13.9
Oral
3/21(⽉) 16:00 16:15
21p-S423-10 C000325
Eu2+付活ハロリン酸蛍光体の⾚⾊発光特性
〇榎本 公典1、四ノ宮 裕1、⼤⻑ 久芳1、中埜 彰俊2、澤 博2、松⽯ 聡3、細野 秀雄3
1.㈱⼩⽷製作所, 2.名古屋⼤学, 3.東京⼯業⼤学
21p-S423-11 C000336
Eu2+付活ハロリン酸⾚⾊蛍光体の放射光粉末X線構造解析
〇(M2)中埜 彰俊1、澤 博1、榎本 公典2、四ノ宮 裕2、⼤⻑ 久芳2、松⽯ 聡3、細野 秀雄3
1.名古屋⼤学, 2.(株)⼩⽷製作所, 3.東京⼯業⼤学
の蛍光X 線ホログラフィーによる評価
奨
奨
E
奨
E
1.MCHC R&Dシナジーセンター, 2.ルーヴァン・カトリック⼤
13
13.9
Oral
3/21(⽉) 16:15 16:30
13
13.9
Oral
3/21(⽉) 16:30 16:45
13
13.9
Oral
3/21(⽉) 16:45 17:00
21p-S423-12 C001031
近⾚外無機蛍光体を分散させた農業⽤波⻑変換フィルム
〇宮崎 裕介1、永⼭ 凌1、上原 航1、⽯垣 雅2、⼤倉 央3、⻄原 英治1、⼤観 光徳1
1.⿃取⼤学, 2.TiFREC, 3.メルク(株)
13
13.9
Oral
3/21(⽉) 17:00 17:15
21p-S423-13 C000407
結晶シリコン太陽電池のための広帯域応答アップコンバーター
〇⽵⽥ 康彦1、⽔野 真太郎1、ルイテル ホム ナト1、⾕ 俊彦1
1.豊⽥中研
13
13.9
Oral
3/21(⽉) 17:15 17:30
21p-S423-14 C001143
RE2Ba2Zn6Al2O13+δ: Yb3+, Er3+ (RE = Y, Gd) のアップコンバージョン特性
〇古川 雄亮1、佐俣 博章1、⼩澤 忠司2、松下 能孝2
1.神⼾⼤海事, 2.物材機構
休憩/Break
2016年春季講演会(東⼯⼤⼤岡⼭キャンパス)プログラム
⼤分類 中分類
形式
講演⽇
開始
終了
講演番号
【1⽉28⽇(⽊)更新】暫定版からの更新箇所は⾚字になっております。
受付番号
奨励賞 英語 招待
37 / 52 ページ
※会場、時間が変更になった場合は該当の⽅にご連絡いたします。
講演タイトル
著者
所属機関
13
13.9
Oral
3/21(⽉) 17:30 17:45
21p-S423-15 C003167
固相反応法によるYPO4:Bi蛍光体の合成および評価
〇⽮島 英樹1、野⼝ 圭佑1、芹澤 和泉1、呉 準席2, 3、古⽥ 寛2, 3、⼋⽥ 章光2, 3
1.株式会社オーク製作所, 2.⾼知⼯科⼤, 3.⾼知⼯科⼤ナノセンター
13
13.9
Oral
3/21(⽉) 17:45 18:00
21p-S423-16 C000459
RFスパッタリング法によるGd3+添加YAlO3薄膜紫外ELデバイスの作製
〇(PC)清⽔ 雄平1、植⽥ 和茂1
1.九⼯⼤
13
13.9
Oral
3/21(⽉) 18:00 18:15
21p-S423-17 C003002
中性粒⼦ビームとバイオナノテンプレートを⽤いて作製したGaAs量⼦ナノディスクのキャリア再結合とその埋め込み効果
〇(M2)近藤 清⽂1、⼤堀 ⼤介1、境 健太郎2、トーマス セドリック3、肥後 昭男4、寒川 誠⼆3、前⽥ 幸治1、碇 哲雄1、福⼭ 敦彦1
1.宮崎⼤⼯, 2.宮崎⼤産地連セ, 3.東北⼤流体研, 4.東北⼤ WPI-AIMR
13
13.9
Oral
3/21(⽉) 18:15 18:30
21p-S423-18 C000494
⼀軸性応⼒下におけるダイヤモンドのフォトルミネッセンススペクトル
〇⽯井 良太1、⿅⽥ 真⼀2、船⼾ 充1、川上 養⼀1
1.京⼤院⼯, 2.関⻄学院⼤理⼯
13
13.9
Oral
3/21(⽉) 18:30 18:45
21p-S423-19 C000559
急速熱酸化による Zn3(VO4)2 蛍光体薄膜の形成
〇川島 知之1、鷲尾 勝由1
1.東北⼤院⼯
13
13.9
Oral
3/22(⽕)
9:00
9:15
22a-S423-1
C000711
E
Luminescence of Silicon nanocrystals treated by High-pressure Water Vapor Annealing
〇Bernard Gelloz1, Firman Bagja Juangsa2, Tomohiro Nozaki2, Lianhua Jin3, Nobuyoshi Koshida4
1.Nagoya Univ., 2.Tokyo Inst. Tech., 3.Yamanashi Univ., 4.Tokyo Univ. Agr.&Tech.
13
13.9
Oral
3/22(⽕)
9:15
9:30
22a-S423-2
C000715
E
Porous Silicon Optical Constants from Photoconduction in HF
〇Bernard Gelloz1, Hiroki Fuwa2, Lianhua Jin2
1.Nagoya Univ., 2.Yamanashi Univ.
13
13.9
Oral
3/22(⽕)
9:30
9:45
22a-S423-3
C001871
光伝導効果を利⽤したフッ化⽔素酸によるポーラスシリコンの化学溶解観測
〇(M2)市村 ⼀貴1、⾦ 蓮花1、近藤 英⼀1、ジェローズ ベルナール2
1.⼭梨⼤⼯, 2.名⼤⼯
13
13.9
Oral
3/22(⽕)
9:45
10:00
22a-S423-4
C002211
シリコンナノ粒⼦上への吸着による巨⼤フォトルミネッセンス増強のメカニズムの解明
〇松本 健俊1、前⽥ 譲章1、⼩林 光1
1.阪⼤産研
13
13.9
Oral
3/22(⽕) 10:00 10:15
22a-S423-5
C002608
有機分⼦修飾した⽔分散性シリコンナノ結晶の光学特性
〇管野 天1、多⽥ 康洋1、加納 伸也1、杉本 泰1、今北 健⼆1、藤井 稔1
1.神⼾⼤院⼯
13
13.9
Oral
3/22(⽕) 10:15 10:30
13
13.9
Oral
3/22(⽕) 10:30 10:45
22a-S423-6
C001815
マイクロリアクターを⽤いた⽣体イメージング⽤近⾚外ナノ蛍光体の合成
〇稲垣 徹1, 2、⽯垣 雅3、坂⽥ 陵輔2、上原 航2、⼤観 光徳2, 4
1.宇部興産株式会社, 2.⿃⼤院⼯, 3.⿃⼤TiFREC, 4.⿃⼤TEDREC
13
13.9
Oral
3/22(⽕) 10:45 11:00
22a-S423-7
C002194
⽣体イメージング⽤Mn5+付活Ca10(PO4)6(OH)2近⾚外ナノ蛍光体の液相合成
〇上原 航1、⽯垣 雅2、岡本 優樹1、稲垣 徹1, 4、⼤観 光徳1, 3
1.⿃⼤院⼯, 2.TiFREC, 3.TEDREC, 4.宇部興産
13
13.9
Oral
3/22(⽕) 11:00 11:15
22a-S423-8
C000652
電気泳動堆積法によるY2O3:Bi3+,Eu3+蛍光ナノシートの積層膜の作製
〇(B)⼩菅 裕太1、磯 由樹1、磯部 徹彦1
1.慶⼤理⼯
13
13.9
Oral
3/22(⽕) 11:15 11:30
22a-S423-9
C000304
X線照射によるAgゼオライト蛍光ナノ粒⼦の蛍光の増強
会場 理晶1、〇磯 由樹1、磯部 徹彦1
1.慶⼤理⼯
13
13.9
Oral
3/22(⽕) 11:30 11:45
22a-S423-10 C000341
奨
マイクロ波オートクレーブ処理によるカーボンドット蛍光体の⽔熱合成
〇(B)慶⻑ 泰周1、磯 由樹1、磯部 徹彦1
1.慶⼤理⼯
13
13.9
Oral
3/22(⽕) 11:45 12:00
22a-S423-11 C000717
奨
CuInS2量⼦ドットへのZn添加による発光波⻑の短波⻑化
〇牧 純也1、菱沼 賢智1、福⽥ 武司1、鎌⽥ 憲彦1、本多 善太郎1
1.埼⽟⼤⼯
13
13.9
Oral
3/22(⽕) 12:00 12:15
22a-S423-12 C002173
ZnOナノロッドを⽤いた分散型無機ELの発光強度の向上
〇張 栖岩1、市川 洋1、本⽥ 光裕1、佐藤 利⽂2
1.名⼯⼤, 2.東芸⼤
13
13.9
Oral
3/22(⽕) 13:15 13:30
22p-S423-1
C003145
蛍光ガラスの発光特性と微細構造との相関
〇武藤 亮太1、⾚井 智⼦2、⾼⽻ 洋充1
1.⼯学院⼤⼯, 2.産総研
13
13.9
Oral
3/22(⽕) 13:30 13:45
22p-S423-2
C001320
Sol-gel 法で作製した Fe 添加 SrTiO3:Pr 蛍光体の発光特性
〇⾚尾 賢⼈1、⽥代 ⻯之2、⼩南 裕⼦1、原 和彦3、中⻄ 洋⼀郎3、Oleg Marchylo4
1.静岡⼤⼤学院, 2.静岡⼤⼯, 3.静岡⼤電⼦研, 4.ラスカリョフ半導体物理研究所
13
13.9
Oral
3/22(⽕) 13:45 14:00
22p-S423-3
C000683
Eu3+賦活Al2O3蛍光体の作製と評価
〇(B)⼤⻄ 勇也1、中村 俊博1、安達 定雄1
1.群⾺⼤院理⼯
13
13.9
Oral
3/22(⽕) 14:00 14:15
22p-S423-4
C001345
CaZrO3:Eu3+, Bi3+蛍光体の発光特性
〇(M1)折橋 拓也1、中村 俊博1、安達 定雄1
1.群⾺⼤院理⼯
β-Ga2O3:Tb3+, Eu3+蛍光体に於ける共鳴エネルギー移動
〇(M1C)澤⽥ 健⼠1、中村 俊博1、安達 定雄1
1.群⾺⼤院理⼯
休憩/Break
13
13.9
Oral
3/22(⽕) 14:15 14:30
22p-S423-5
C000623
13
13.10
Oral
3/20(⽇) 10:00 10:15
20a-S011-1
I000110
13
13.10
Oral
3/20(⽇) 10:15 10:30
20a-S011-2
C000726
13
13.10
Oral
3/20(⽇) 10:30 10:45
20a-S011-3
C000446
13
13.10
Oral
3/20(⽇) 10:45 11:00
20a-S011-4
C001148
13
13.10
Oral
3/20(⽇) 11:00 11:15
20a-S011-5
C003575
13
13.10
Oral
3/20(⽇) 11:15 11:30
20a-S011-6
C001556
13
13.10
Oral
3/20(⽇) 11:30 11:45
20a-S011-7
C003338
13
13.10
Oral
3/20(⽇) 11:45 12:00
20a-S011-8
13
13.10
Oral
3/20(⽇) 13:30 13:45
13
13.10
Oral
3/20(⽇) 13:45 14:00
13
13.10
Oral
3/20(⽇) 14:00 14:15
13
13.10
Oral
13
13.10
Oral
13
13.10
13
13.10
13
13.10
13
13
13
奨
招
「講演奨励賞受賞記念講演」（15分）
〇⽟置 亮1、庄司 靖1、菅⾕ 武芳2、岡⽥ ⾄崇1
1.東⼤先端研, 2.産総研
InAs/GaAs 量⼦ドット超格⼦太陽電池におけるミニバンド形成が2段階光吸収に与える影響
〇(M1)渡辺 翔1、朝⽇ 重雄1、加⽥ 智之1、海津 利⾏1、原⽥ 幸弘1、喜多 隆1
1.神⼾⼤院⼯
Dot-in-Well中間バンド型太陽電池における中間準位内の⻑い電⼦寿命
フーリエ変換⾚外光電流分光による量⼦ドット太陽電池における室温２段階光吸収の最適化設計
〇(D)朝⽇ 重雄1、寺⻄ 陽之1、渡辺 翔1、渡部 ⼤樹1、海津 利⾏1、喜多 隆1
1.神⼾⼤⼯
Up-converted photoluminescence in InAs QD-based structures with confined state
〇(P)Yuwei Zhang1, Itaru Kamiya1
1.Toyota Tech. Inst.
⾯内超⾼密度InAs量⼦ドット層を導⼊した太陽電池の熱処理効果
〇(M1)秋元 直⼰1、仁井 皓⼤1、南 裕太1、遠藤 航介1、⼭⼝ 浩⼀1
1.電気通信⼤学
量⼦井⼾太陽電池における電⼦と正孔の⾛⾏時間および実効移動度の評価
〇トープラサートポン カシディット1、⾕渕 泰三2、加⽥ 智之2、朝⽇ 重雄2、渡辺 健太郎1、杉⼭ 正和1、喜多 隆2、中野 義昭1
低温での量⼦井⼾および波状量⼦井⼾太陽電池におけるキャリア回収効率の評価
〇趙 博⽂1、トープラサートポン カシディット1、ソダーバンル ハッサネット2、渡辺 健太郎2、杉⼭ 正和1、中野 義昭1
1.東⼤⼯, 2.東⼤先端研
C003681
可視光励起光電⼦分光法を⽤いたGaPにおけるキャリア散乱の温度依存性評価
〇(D)市橋 史朗1、川⼝ 昂彦2、董 鑫宇1、井上 明⼈1、桑原 真⼈1、伊藤 孝寛1、原⽥ 俊太1、⽥川 美穂1、宇治原 徹1
1.名⼤院⼯, 2.名⼤VBL
20p-S011-1
C001225
テラヘルツ分光によるGaAs太陽電池内部の光励起キャリア評価
〇(D)⼭下 元気1、松原 英⼀1, 2、永井 正也1、⾦ 昌秀3、秋⼭ 英⽂3、⾦光 義彦4、芦⽥ 昌明1
1.阪⼤基礎⼯, 2.⼤阪⻭科⼤, 3.東⼤物性研, 4.京⼤化研
20p-S011-2
C001342
波⻑可変レーザーテラヘルツ放射顕微鏡による3接合太陽電池の観察
〇濱内 翔太1、酒井 裕司1、梅垣 俊仁1、川⼭ 巌1、伊藤 明2、中⻄ 英俊2、村上 博成1、⽃内 政吉1
1.阪⼤レーザー研, 2.SCREEN ホールディングス
20p-S011-3
C003693
多接合太陽電池エレクトロルミネッセンス定量計測の測定精度評価
〇吉⽥ 正裕1、朱 琳1、⾦ 昌秀1、久保⽥ 英博2、中村 徹哉3、今泉 充3、⾦光 義彦4、秋⼭ 英⽂1
3/20(⽇) 14:15 14:30
20p-S011-4
C001627
逆積み1.0 eV帯GaInAsP薄膜太陽電池における暗電流の低減
〇⼤島 隆治1、牧⽥ 紀久夫1、太野垣 健1、菅⾕ 武芳1
1.産総研
3/20(⽇) 14:30 14:45
20p-S011-5
C002247
Low Optical Reflection at Intermediate Adhesive Layer for Mechanically Stacked Multi-Junction Solar Cells
〇(B)Takashi Sugawara1, Shunsuke Kimura1, Shinya Yoshidomi1, Shosuke Saito1, Masahiko Hasumi1, Toshiyuki Sameshima1
1.TUAT
Oral
3/20(⽇) 14:45 15:00
20p-S011-6
C001565
奨
Oral
3/20(⽇) 15:00 15:15
20p-S011-7
C003435
奨
Oral
3/20(⽇) 15:15 15:30
20p-S011-8
C001909
13.10
Poster
3/20(⽇) 16:00 18:00
20p-P14-1
C000571
13.10
Poster
3/20(⽇) 16:00 18:00
20p-P14-2
C001361
13.10
Poster
3/20(⽇) 16:00 18:00
20p-P14-3
C003331
奨
13
13.10
Poster
3/20(⽇) 16:00 18:00
20p-P14-4
C002192
奨
13
13.10
Poster
3/20(⽇) 16:00 18:00
20p-P14-5
C001900
13
13.10
Poster
3/20(⽇) 16:00 18:00
20p-P14-6
13
13.10
Poster
3/20(⽇) 16:00 18:00
20p-P14-7
13
13.10
Poster
3/20(⽇) 16:00 18:00
13
13.10
Poster
3/20(⽇) 16:00 18:00
13
13.10
Poster
3/20(⽇) 16:00 18:00
13
13.10
Poster
3/20(⽇) 16:00 18:00
13
13.10
Poster
13
13.10
Poster
13
13.10
13
13
E
奨
E
超⾼効率多接合太陽電池作製に向けた表⾯活性化接合界⾯の評価
〇⼭下 ⼤之1、渡辺 健太郎1、藤野 真久1、星井 拓也1, 2、杉⼭ 正和1、岡⽥ ⾄崇1, 2、須賀 唯知1、中野 義昭1
1.東⼤⼯, 2.神⼾⼤
1.東⼤物性研, 2.アトー（株）, 3.JAXA, 4.京⼤化研
1.東⼤院⼯, 2.東⼤先端研
エピタキシャルリフトオフにより作製したGaInNAsSb薄膜太陽電池評価
〇宮下 直也1, 2、Benoît Behaghel1, 2、Jean-François Guillemoles1, 2、岡⽥ ⾄崇1, 2
1.東⼤先端研, 2.LIA-NextPV
Analysis of subcell damage in proton irradiated triple-junction solar cells with time-resolved photoluminescence
〇(P)David Michael Tex1, Toshiyuki Ihara1, Tetsuya Nakamura2, Mitsuru Imaizumi2, Takeshi Ohshima3, Yoshihiko Kanemitsu1
1.ICR Kyoto Univ., 2.JAXA, 3.JAEA
GaN 基板上InGaN/GaN MQW 太陽電池における井⼾層厚と太陽電池特性
〇渡邉 則之1、満原 学1、重川 直輝2
1.NTT先デ研, 2.⼤阪市⼤
GaAs/Si太陽電池における変換効率・発電コストのGaAs層厚依存性
〇⻑岡 恵⾥奈1、井上 智之1、トープラサートポン カシディット1、⼭下 ⼤之1、渡辺 健太郎2、杉⼭ 正和1、中野 義昭1
1.東⼤⼯, 2.東⼤先端研
低エネルギー電⼦線フラックスがGaAs太陽電池へ及ぼす影響
〇(DC)奥野 泰希1、奥⽥ 修⼀1、岡 喬1、川北 史郎1, 2、今泉 充2、⾋分 宏昌2
1.⼤阪府⽴⼤学, 2.宇宙航空研究開発機構
電気化学堆積法による Cu2O/InP ヘテロ界⾯の形成
〇(M1)近江 沙也夏1、熊崎 祐介1、佐藤 威友1
1.北⼤量集セ
薄膜太陽電池応⽤に向けた電気化学インピーダンス法による堆積時のスパッタダメージの定量化
〇(M1)中井 洋志1、坂倉 秀徳1、川出 ⼤祐1、Hüseyin Sarı2、板垣 昌幸1、杉⼭ 睦1
1.東京理科⼤学 理⼯/総研, 2.アンカラ⼤学
C001650
固相反応法を⽤いたCZTS多結晶における組成分布の均⼀性向上
〇(M1)⼩⾕ 昌⼤1、沈 ⽤球2、脇⽥ 和樹1
1.千葉⼯⼤, 2.⼤府⼤院⼯
C000107
化学量論⽐組成に近い組成を持つCu2ZnSnS4薄膜発光の組成⽐依存
〇⽥中 久仁彦1、進也 三浦1、髙松 良春1
1.⻑岡技⼤
20p-P14-8
C001222
種々の温度で合成したCu2ZnSnSe4ナノ粒⼦の光学特性
〇鈴⽊ 俊正1、鈴⽊ 吏2、堀 茂雄2、野々村 修⼀2
20p-P14-9
C000858
化合物を⽤いた連続蒸着法によるCu2ZnSnSe4薄膜へのNaF添加
〇中嶋 崇喜1、⼭⽥ ⻯也1、⼭⼝ 利幸1
1.和⾼専
20p-P14-10
C000258
スプレー熱分解法によるCu2ZnGeS4薄膜太陽電池の作製
〇(M1)藤川 祥太朗1、ヒェプ グエン ティ1、原⽥ 隆史1、中⻄ 周次1、池⽥ 茂1
1.阪⼤太エネ化研センター
20p-P14-11
C000857
セレン化法によるCu2SnSe3薄膜の作製と太陽電池への応⽤
〇中嶋 崇喜1、上北 崇弘1、⼭⼝ 利幸1
1.和⾼専
3/20(⽇) 16:00 18:00
20p-P14-12
C003552
Sn/Cu/Agプリカーサにおけるアニール温度の影響
〇⽥之上 幸輝1、荒⽊ 秀明2、中村 重之3、瀬⼾ 悟4、⼭⼝ 利幸5、⾚⽊ 洋⼆1
1.都城⾼専, 2.⻑岡⾼専, 3.津⼭⾼専, 4.⽯川⾼専, 5.和歌⼭⾼専
3/20(⽇) 16:00 18:00
20p-P14-13
C003503
Ag-Sn膜の硫化によるAg-Sn-S薄膜の評価
〇秋⽥ 駿⽃1、荒⽊ 秀明2、中村 重之3、瀬⼾ 悟4、⼭⼝ 利幸5、⾚⽊ 洋⼆1
1.都城⾼専, 2.⻑岡⾼専, 3.津⼭⾼専, 4.⽯川⾼専, 5.和歌⼭⾼専
Poster
3/20(⽇) 16:00 18:00
20p-P14-14
C001708
異なる基板温度で蒸着したSnS薄膜の熱処理の影響
〇岩崎 和也1、中村 重之2、荒⽊ 秀明3、⾚⽊ 洋⼆1
1.都城⾼専, 2.津⼭⾼専, 3.⻑岡⾼専
13.10
Poster
3/20(⽇) 16:00 18:00
20p-P14-15
C001866
硫化法を⽤いたSnS 薄膜におけるS 分圧制御およびNa 添加の効果
〇(M1)三上 俊太郎1、横井 翼1、鷲⾒ 浩貴1、相原 理1、浅野 貴⼠1、逸⾒ 章彦1、KHATRI ISHWOR1、杉⼭ 睦1
1.東京理科⼤学 理⼯/総研
13.10
Poster
3/20(⽇) 16:00 18:00
20p-P14-16
C001759
近接昇華法を⽤いたSnS薄膜の作製
〇阿部 聖⼈1、家後 和美1、⾚⽊ 洋⼆2、⽚桐 裕則1、荒⽊ 秀明1
1.⻑岡⾼専, 2.都城⾼専
13
13.10
Poster
3/20(⽇) 16:00 18:00
20p-P14-17
C003317
液相法によるSnSナノ粒⼦の合成
〇⽔野 裕貴1、濱中 泰1
1.名⼯⼤院
13
13.10
Poster
3/20(⽇) 16:00 18:00
20p-P14-18
C000457
液液界⾯を介した電気泳動法による⾼分散Iron pyrite(FeS2)量⼦ドット溶液の作製
〇⽥村 伸⼀1、⽣野 孝1
1.豊⽥中研
13
13.10
Poster
3/20(⽇) 16:00 18:00
20p-P14-19
C002492
PLD法によるCuInS2薄膜成⻑と組成制御
〇喜屋武 ⼀成1、吉⽥ 亮1、沈 ⽤球2、脇⽥ 和樹1
1.千葉⼯⼤, 2.⼤阪⼤院⼯
13
13.10
Poster
3/20(⽇) 16:00 18:00
20p-P14-20
C003744
FTPS法を⽤いた化合物薄膜太陽電池の光吸収評価
〇(M1)Nur Syazwana Binti Abd Rahman1、祖⽗江 弘志1、伊藤 貴司1、野々村 修⼀1、⼭⽥ 明2
1.岐⾩⼤⼯, 2.東⼯⼤院理⼯
13
13.10
Poster
3/20(⽇) 16:00 18:00
20p-P14-21
C001880
Moエピタキシャル膜に及ぼす低温バッファ層の効果
〇(B)⼭上 武1、寺本 真浩1、Ishwor Khatri2、杉⼭ 睦1, 2、中⽥ 時夫2
1.東京理科⼤学理⼯, 2.東京理科⼤学総研
13
13.10
Poster
3/20(⽇) 16:00 18:00
20p-P14-22
C002078
分⼦線エピタキシー法によるn-ZnS/p-CuGaS2接合の作製と評価
〇⼭⽥ 秀明1、倉掛 真弥1、松下 将也1、髙村 健1、⾺場﨑 巧1、阿部 友紀1、市野 邦男1
13
13.10
Poster
3/20(⽇) 16:00 18:00
20p-P14-23
C002356
分⼦線エピタキシー法によるTe添加CuGaS2薄膜の作製
〇松下 将也1、倉掛 真弥1、⼭⽥ 秀明1、髙村 健1、⾺場﨑 巧1、阿部 友紀1、市野 邦男1
1.⿃取⼤院⼯
13
13.10
Oral
3/21(⽉)
9:30
9:45
21a-S221-1
C003326
ACuSeF(A = Ba, Sr)/ITO 複合膜を裏⾯電極に⽤いた CdTe 太陽電池
〇北林 秀弥1、和⽥ 隆博1、⼩川 洋平2、細野 藍響2、岡本 保2
1.⿓⾕⼤理⼯, 2.⽊更津⾼専
13
13.10
Oral
3/21(⽉)
9:45
10:00
21a-S221-2
C002717
FeOOH薄膜の硫⻩アニールによるFeSOの作製
〇牧 采佳1、市村 正也1
1.名⼯⼤
13
13.10
Oral
3/21(⽉) 10:00 10:15
21a-S221-3
C000831
奨
⾦属Zn薄膜のリン化による⾼配向Zn3P2薄膜の作製
〇(D)勝部 涼司1、野瀬 嘉太郎1、⽩井 泰治1
1.京⼤院⼯
13
13.10
Oral
3/21(⽉) 10:15 10:30
21a-S221-4
C000549
奨
ラマン分光法を⽤いたZnSnP2における規則-不規則変態挙動の調査
〇(D)中塚 滋1、岩⽥ 晃樹1、野瀬 嘉太郎1、原⽥ 隆史2、池⽥ 茂2、⽩井 泰治1
13
13.10
Oral
3/21(⽉) 10:30 10:45
21a-S221-5
C003423
ZnSnP2薄膜太陽電池の光電特性の⾯内分布解析
〇(M2)湯澤 典之1、中塚 滋2、野瀬 嘉太郎2、峯元 ⾼志1
1.⽴命館⼤, 2.京都⼤
13
13.10
Oral
3/21(⽉) 10:45 11:00
21a-S221-6
C001163
Effect of NaF addition to Cu2SnS3 absorbers
〇(M1)Koichi Suzuki1、Hikaru Uegaki1、Kazuki Hamamura1、Takanori Kondo1、Takashi Minemoto1
1.Ritsumeikan Univ.
13
13.10
Oral
3/21(⽉) 11:00 11:15
21a-S221-7
C000659
Cu2SnS3バルク結晶の励起⼦発光スペクトル
13
13.10
Oral
3/21(⽉) 11:15 11:30
21a-S221-8
C003777
13
13.10
Oral
3/21(⽉) 11:30 11:45
21a-S221-9
C002349
13
13.10
Oral
3/21(⽉) 11:45 12:00
13
13.10
Oral
3/21(⽉) 12:00 12:15
E
奨
奨
1.JFCC, 2.岐⾩⼤⼯
1.⿃取⼤院⼯
1.京⼤院⼯, 2.阪⼤太陽エネ研セ
〇粟飯原 直也1、松本 祐典1、⽥中 久仁彦1
1.⻑岡技⼤
Comparative study of self-constituent buffer layers for synthesis Cu2ZnSnS4 thin films
〇(D)Shengwen Fu1, HuiJu Chen1, ChuanFeng Shih1
1.Cheng Kung Univ.
過酸化⽔素⽔によるCZTS薄膜の表⾯エッチング
〇宮崎 尚1、岸村 浩明1、⻘野 祐美1、⽚桐 裕則2
1.防衛⼤材料, 2.⻑岡⾼専
21a-S221-10 C002300
塗布型Cu2ZnSn(S,Se)4薄膜太陽電池におけるチオ尿素処理
〇桑名 潤1、江尾 卓也1、杉本 寛太1、陶⼭ 直樹1、佐⽵ 哲夫2、張 毅聞2、⼭⽥ 明1, 3
1.東⼯⼤院理⼯, 2.凸版印刷, 3.東⼯⼤PVREC
21a-S221-11 C002398
塗布型Cu2ZnSn(S,Se)4薄膜に対するVI族粉末を⽤いた焼結過程の解析
〇(M2)杉本 寛太1、桑名 潤1、陶⼭ 直樹1、佐⽵ 哲夫2、張 毅聞2、⼭⽥ 明1, 3
1.東⼯⼤院理⼯, 2.凸版印刷, 3.東⼯⼤PVREC
〇上川 由紀⼦1
1.産総研
E
招
「第6回⼥性研究者研究業績・⼈材育成賞(⼩舘⾹椎⼦賞)受賞記念講演」（30分）
13
13.10
Oral
3/21(⽉) 13:45 14:15
21p-S221-1
I000015
13
13.10
Oral
3/21(⽉) 14:15 14:30
21p-S221-2
C001477
低温製膜における単傾斜構造を有するCu(In,Ga)Se2薄膜太陽電池の界⾯価電⼦帯制御による⾼効率化
〇荻原 知寛1、サドノ アディユダ1、⼭⽥ 明1, 2
1.東⼯⼤理⼯院, 2.東⼯⼤PVREC
13
13.10
Oral
3/21(⽉) 14:30 14:45
21p-S221-3
C002360
Cu(In,Ga)Se2薄膜太陽電池の光吸収層へのチオ尿素溶液処理
〇(M2)古⽥ 健⼈1、渡辺 基1、⼟岐 爽真1、⼭⽥ 明1, 2
1.東⼯⼤院理⼯, 2.東⼯⼤PVREC
13
13.10
Oral
3/21(⽉) 14:45 15:00
21p-S221-4
C000253
⼤気下におけるCIGS太陽電池の効率劣化の解析
〇⻄永 慈郎1、上川 由紀⼦1、柴⽥ 肇1、仁⽊ 栄1
1.産総研
13
13.10
Oral
3/21(⽉) 15:00 15:15
21p-S221-5
C000351
光熱モードAFMを⽤いたCIGS単膜およびCdS/CIGS膜における⾮発光再結合特性の評価
〇⼩松 ⾥紗1、峯元 ⾼志3、⾼橋 琢⼆1, 2
1.東⼤⽣研, 2.東⼤ナノ量⼦機構, 3.⽴命館⼤理⼯
13
13.10
Oral
3/21(⽉) 15:15 15:30
21p-S221-6
C003306
CuInSe2/CuGaSe2単⼀量⼦井⼾の時間分解フォトルミネッセンス測定
〇ショウ サンウ1、Sathiabama Thiru2、中村 芳樹1、堀越 佳治1、⽵内 淳1
1.早⼤先進, 2.UTM Razak School
13
13.10
Oral
3/21(⽉) 15:30 15:45
21p-S221-7
C002965
CuGaSe2太陽電池のデバイス化⼯程の影響評価
〇⽯塚 尚吾1、上川 由紀⼦1、⻄永 慈郎1、柴⽥ 肇1
1.産総研
13
13.10
Oral
3/21(⽉) 15:45 16:00
13
13.10
Oral
3/21(⽉) 16:00 16:15
13
13.10
Oral
3/21(⽉) 16:15 16:30
13
13.10
Oral
3/21(⽉) 16:30 16:45
21p-S221-10 C003143
13
13.10
Oral
3/21(⽉) 16:45 17:00
21p-S221-11 C003123
奨
CIGS薄膜太陽電池の変換効率抑制要因の解明と⾼効率化技術の開発
休憩/Break
21p-S221-8
C001192
21p-S221-9
C003250
奨
Cu(In,Ga)Se2/CdS界⾯へのCu(In,Ga)3Se5挿⼊によるCu(In,Ga)Se2太陽電池の⾼効率化
〇(M1)⼟岐 爽真1、⻄村 昂⼈1、⼭⽥ 明1, 2
1.東⼯⼤院理⼯, 2.東⼯⼤PVREC
CuIn3Se5およびCuGa3Se5の電⼦構造
〇(PC)前⽥ 毅1、宮 イゲン1、⻄⾕ 幹彦1、和⽥ 隆博1
1.⿓⾕⼤ 理⼯
CuIn3Se5およびCuGa3Se5への硫⻩の固溶効果
〇(B)上⽥ 健太1、前⽥ 毅1、和⽥ 隆博1
1.⿓⾕⼤ 理⼯
Cu(In,Ga)S2系固溶体の光学評価とバンドラインナップ
〇細⽊ 恵1、前⽥ 毅1、⻄⾕ 幹彦1、和⽥ 隆博1
1.⿓⾕⼤理⼯
2016年春季講演会(東⼯⼤⼤岡⼭キャンパス)プログラム
⼤分類 中分類
形式
講演⽇
開始
終了
講演番号
【1⽉28⽇(⽊)更新】暫定版からの更新箇所は⾚字になっております。
受付番号
奨励賞 英語 招待
13
13.10
Oral
3/21(⽉) 17:00 17:15
21p-S221-12 C002071
13
13.10
Oral
3/21(⽉) 17:15 17:30
21p-S221-13 C002821
13
13.10
Oral
3/21(⽉) 17:30 17:45
21p-S221-14 C002690
奨
奨
15
15.1
Oral
3/19(⼟)
10:00
19a-H112-1
C003590
奨
15
15.1
Oral
3/19(⼟) 10:00 10:15
19a-H112-2
C001298
15
15.1
Oral
3/19(⼟) 10:15 10:30
19a-H112-3
C001253
15
15.1
Oral
3/19(⼟) 10:30 10:45
19a-H112-4
C001255
15
15.1
Oral
3/19(⼟) 10:45 11:00
19a-H112-5
C000746
15
15.1
Oral
3/19(⼟) 11:00 11:15
19a-H112-6
15
15.1
Oral
3/19(⼟) 11:15 11:30
19a-H112-7
15
15.1
Oral
3/19(⼟) 11:30 11:45
19a-H112-8
15
15.1
Oral
3/19(⼟) 13:15 13:30
15
15.1
Oral
3/19(⼟) 13:30 13:45
15
15.1
Oral
15
15.1
Oral
15
15.1
Oral
15
15.1
15
38 / 52 ページ
※会場、時間が変更になった場合は該当の⽅にご連絡いたします。
講演タイトル
著者
所属機関
PLD法を⽤いたCuInS2膜の作製と太陽電池への応⽤
〇川邉 利幸1、和⽥ 隆博1
1.⿓⾕⼤理⼯
対向ターゲット式反応性スパッタ法によるCuInS2薄膜及び太陽電池セルの作製と評価
〇鳴海 航太1、上⽥ 朝陽1、⼭⽥ ⼀樹1、野本 隆宏1、⽯川 亮佑1、坪井 望1
1.新潟⼤
⾼開放電圧、⾼曲線因⼦を⽬指したAg(In,Ga)Se2薄膜太陽電池の開発
〇(DC)梅原 猛1、飯沼 祥平1、ビン モハマド ズルキフリ ファリス アキラ1、⼭⽥ 明1, 2
1.東⼯⼤院理⼯, 2.東⼯⼤PVREC
ESVPE法により作製したAlN膜結晶性の膜厚依存性
〇(M1)岸元 克浩1、Wu PeiTsen1、船⼾ 充1、川上 養⼀1
1.京⼤院⼯
EFG法によるβ-Ga2O3単結晶のドーパント偏析
〇渡辺 信也1、輿 公祥1、⼭岡 優1、増井 建和1、倉⼜ 朗⼈1、⼭腰 茂伸1
1.タムラ製作所
⼀⽅向凝固β-Ga2O3 単結晶（Ⅰ）
〇⼩林 拓実1、⼤葉 悦⼦1、中村 由夫1、宮川 千宏1、澁⾕ 和孝1、柳澤 潤1、中澤 みなみ1、⼲川 圭吾2
⼀⽅向凝固β-Ga2O3単結晶（Ⅱ）
〇⼤葉 悦⼦1、⼩林 拓実1、中村 由夫1、宮川 千宏1、澁⾕ 和孝1、柳澤 潤1、中澤 みなみ1、⼲川 圭吾2
1.不⼆越機械⼯業, 2.信⼤⼯
Effect of packing structure of Si chunks on melting process and carbon contamination in Czochralski silicon crystal growth
〇(P)Xin Liu1, Bing Gao1, Satoshi Nakano1, Hirofumi Harada1, Yoshiji Miyamura1, Koichi Kakimoto1
1.RIAM, Kyushu Univ.
C002781
IR-FZ法によるシリコンの結晶育成における回転楕円鏡の傾斜効果
〇綿打 敏司1、ホサイン エムディー ムクタール1、⻑尾 雅則1、⽥中 功1
1.⼭梨⼤院クリスタル研
C002875
VB法Ge結晶育成における坩堝内壁状態とB2O3が品質に与える影響
〇(M2)荒浜 智貴1、平賀 祐希1、太⼦ 敏則1
1.信州⼤⼯
C000767
国際宇宙ステーション内InGaSb結晶成⻑に関する数値解析
〇岡野 泰則1, 2, 3、Xin Jin1、⼭本 卓也1、⾼⽊ 洋平1、早川 泰弘2、稲富 裕光3
1.阪⼤基礎⼯, 2.静⼤電研, 3.JAXA
19p-H112-1
C001637
重⼒沈降によるシリカコロイド結晶の積層⽋陥観察
〇⼤⽊ 芳正1、中野 勇⼆1、川中 智司1、今井 宏起1、内⽥ ⽂⽣1
1.富⼠化学㈱
19p-H112-2
C001957
コロイド結晶表⾯における２次元核形成メカニズム
〇野澤 純1、胡 素梦1、郭 素霞1、⼩泉 晴⽐古1、藤原 航三1、宇⽥ 聡1
1.東北⼤学
3/19(⼟) 13:45 14:00
19p-H112-3
C002178
コロイド結晶成⻑における固液界⾯形態が与える粒界偏析の変化
胡 素梦1、〇野澤 純1、郭 素霞1、⼩泉 晴⽐古1、藤原 航三1、宇⽥ 聡1
1.東北⼤
3/19(⼟) 14:00 14:15
19p-H112-4
C001843
種結晶を⽤いたタンパク質結晶内に存在する多量の局所的な歪みの解消
〇⼩泉 晴⽐古1、宇⽥ 聡1、橘 勝2、塚本 勝男3、⼩島 謙⼀4、野澤 純1
1.東北⼤・⾦研, 2.横市⼤・院⽣命ナノ, 3.阪⼤・院⼯, 4.創英⼤・教育
3/19(⼟) 14:15 14:30
19p-H112-5
C002890
タンタル酸ニオブ酸カリウム（KTN）結晶成⻑における初晶の検討
〇太⼦ 敏則1、伊藤 幸介1、細川 和也1、⼲川 圭吾1、⼩島 孝広2、⼩松 貴幸3
1.信⼤⼯, 2.オキサイド, 3.NTT-AT
Oral
3/19(⼟) 14:30 14:45
19p-H112-6
C002702
タンタル酸リチウム結晶中の転位の観察
〇梶ヶ⾕ 富男1、杉⼭ 正史1、⽯川 治男1、⽶永 ⼀郎2、⼤野 裕2
1.住友⾦属鉱⼭(株)技本, 2.東北⼤⾦研
15.1
Oral
3/19(⼟) 14:45 15:00
19p-H112-7
C001924
⾦属元素ドープLiTaO3基板の表⾯弾性波特性評価
〇杉⼭ 正史1、寺島 彰1、梶ヶ⾕ 富男1、飯⽥ 潤⼆1、宇⽥ 聡2、橋本 研也3
1.住友⾦属鉱⼭, 2.東北⼤⾦研, 3.千葉⼤院⼯
15
15.1
Oral
3/19(⼟) 15:00 15:15
19p-H112-8
C001149
コングルエント・⼆オブ酸リチウム単結晶成⻑における酸素挙動（3）
〇宇⽥ 聡1、⼩⼭ 千尋1
1.東北⼤⾦研
15
15.1
Oral
3/19(⼟) 15:15 15:30
9:45
E
1.不⼆越機械⼯業, 2.信⼤⼯
休憩/Break
19p-H112-9
C001775
E
〇(D)Xiuwei Fu1, 2, Encarnacion G. Villora1, Yuuki Kitanaka3, Yuji Noguchi3, Masaru Miyayama3, Kiyoshi Shimamura1, 2, Naoki Ohashi1,
15
15.1
Oral
3/19(⼟) 15:30 15:45
15
15.1
Oral
3/19(⼟) 15:45 16:00
19p-H112-10 C003398
Ca3Ta(Ga1-xAlx)3Si2O14(x=0,0.25,0.5,0.75)圧電単結晶における⾳響特性のAl置換量依存性
〇⼯藤 哲男1、横⽥ 有為2、⼤橋 雄⼆1、庄⼦ 育宏1, 3、鎌⽥ 圭2, 3、⿊澤 俊介2、吉川 彰1, 2, 3
1.東北⼤⾦研, 2.東北⼤ NICHe, 3.C&A
15
15.1
Oral
3/19(⼟) 16:00 16:15
19p-H112-11 C002019
GdAlO3/Al2O3共晶体の⼤⾯積化
〇鎌⽥ 圭1、⼭⼝ ⼤聡2、安居 伸浩3、⼤橋 良太3、⽥ 透3、⿊澤 俊介2, 1、庄⼦ 育宏2、横⽥ 有為1、⼤橋 雄⼆2、吉川 彰1, 2
1.東北⼤ NICHe, 2.東北⼤⾦研, 3.キヤノン
15
15.1
Oral
3/19(⼟) 16:15 16:30
19p-H112-12 C001094
ガーネット型酸化物シンチレータ結晶の作製と近⾚外発光特性評価
〇⼭路 晃広1、⿊澤 俊介2、村上 ⼒輝⽃1、⼤橋 雄⼆1、鎌⽥ 圭2、横⽥ 有為2、吉川 彰1, 2
1.東北⼤⾦研, 2.東北⼤NICHe
15
15.1
Oral
3/19(⼟) 16:30 16:45
19p-H112-13 C003175
マイクロ引き下げ法で作製したCe:Y3Al5O12単結晶における⾯内Ce偏析の改善
〇横⽥ 有為1、Zeng Zhong2、⼤橋 雄⼆3、⿊澤 俊介1、鎌⽥ 圭1, 4、川添 良幸1、吉川 彰1, 3, 4
1.東北⼤NICHe, 2.重慶⼤, 3.東北⼤⾦研, 4.C&A
15
15.1
Oral
3/19(⼟) 16:45 17:00
19p-H112-14 C002929
Na共添加Eu:LiCaAlF6中性⼦シンチレータ単結晶における蛍光およびシンチレーション特性のNa濃度依存性
〇(M1C)⽥中 智恵⼦1、横⽥ 有為2、⿊澤 俊介2、⼭路 晃広1、⼤橋 雄⼆1、鎌⽥ 圭2, 3、吉川 彰1, 2, 3
1.東北⼤⾦研, 2.東北⼤NICHe, 3.C&A
15
15.1
Oral
3/19(⼟) 17:00 17:15
19p-H112-15 C000379
フッ化物光学結晶の育成と評価
〇中畑 秀利1、中嶋 ⼒夫1
1.ナカジマ技研
15
15.1
Poster
3/20(⽇) 16:00 18:00
〇須崎 昌⼰1
1.⼤阪府⽴⼤学⾼専
15
15.2
Oral
3/21(⽉)
9:00
15
15.2
Oral
3/21(⽉)
15
15.2
Oral
3/21(⽉)
15
15.2
Oral
3/21(⽉)
15
15.2
Oral
15
15.2
Poster
3/21(⽉) 13:30 15:30
15
15.2
Poster
15
15.2
Poster
15
15.2
Poster
15
15.2
Poster
3/21(⽉) 13:30 15:30
15
15.2
Oral
3/22(⽕)
9:00
9:15
15
15.2
Oral
3/22(⽕)
9:15
9:30
22a-H116-2
C002571
15
15.2
Oral
3/22(⽕)
9:30
9:45
22a-H116-3
C002714
15
15.2
Oral
3/22(⽕)
9:45
10:00
22a-H116-4
C000518
15
15.2
Oral
3/22(⽕) 10:00 10:15
22a-H116-5
C003569
15
15.2
Oral
3/22(⽕) 10:15 10:30
22a-H116-6
C001449
15
15.2
Oral
3/22(⽕) 13:00 13:15
22p-H116-1
C000988
15
15.2
Oral
3/22(⽕) 13:15 13:30
22p-H116-2
C000993
15
15.2
Oral
3/22(⽕) 13:30 13:45
22p-H116-3
C000995
MOVPE法による(211)CdTe/Si成⻑層のエッチピット評価
〇坪⽥ 眞太郎1、杉本 宗⼀郎1、伊藤 祐葵1、⼭崎 ⼤輔1、神野 悟史1、⼩島 將弘1、北川 翔三1、安⽥ 和⼈1、ニラウラ マダン1、安形 保則1
15
15.2
Oral
3/22(⽕) 13:45 14:00
22p-H116-4
C002550
Cu2ZnSnS4バルク多結晶の作製と評価
〇⽵内 ⿇希⼦1、⼤⽯ 耕⼀郎1、⻘柳 成俊1、⻄⽥ 元記1、清⽔ 渉1、中村 謙太1、⽚桐 裕則1、⼭﨑 誠1
1.⻑岡⾼専
15
15.2
Oral
3/22(⽕) 14:00 14:15
22p-H116-5
C003534
Se蒸気圧制御アニールによるCu2ZnSn(S,Se)4の作製と太陽電池応⽤
〇梅嶋 悠⼈1、瀧 駿也1、上村 ⼀⽣1、宇留野 彩1、張 険峰2、⼩林 正和1, 3
1.早⼤先進理⼯, 2.早⼤ICSEP, 3.早⼤材研
15
15.2
Oral
3/22(⽕) 14:15 14:30
22p-H116-6
C002633
Ag2Te中間層を導⼊したSi基板上のAgGaTe2作製と太陽電池応⽤
〇(D)宇留野 彩1、⼩林 正和1, 2
1.早⼤先進理⼯, 2.早⼤材研
15
15.3
Poster
3/20(⽇) 16:00 18:00
20p-P16-1
C001297
原⼦層エピタキシー法により成⻑温度及び原料供給時間を変化させて作製したGaAsN薄膜のX線回折及びラマン分光法による結晶性の評価
〇橋本 英明1、前⽥ 幸治1、横⼭ 祐貴1、堀切 将1、鈴⽊ 秀俊1
1.宮崎⼤⼯
15
15.3
Poster
3/20(⽇) 16:00 18:00
20p-P16-2
C002196
窒素δドープGaAs上InAs量⼦ドットにおけるIn-Gaインターミキシング制御
〇海津 利⾏1, 2、喜多 隆2
15
15.3
Poster
3/20(⽇) 16:00 18:00
20p-P16-3
C003599
In1-xGaxSb量⼦井⼾構造の電気的特性の評価
〇(M1)原⽥ 義彬1、岡 直希1、藤川 紗千恵1、藤代 博記1
1.東理⼤院
15
15.3
Poster
3/20(⽇) 16:00 18:00
20p-P16-4
C002462
⾼密度GaSbドットを⽤いたSi(100)基板上のGaSb薄膜成⻑
〇(DC)町⽥ ⿓⼈1、⼾⽥ 隆介1、藤川 紗千恵1、原 紳介2、渡邊 ⼀世2、⾚⽻ 浩⼀2、笠松 章史2、藤代 博記1
1.東理⼤基礎⼯, 2.情報通信研究機構
15
15.3
Poster
3/20(⽇) 16:00 18:00
20p-P16-5
C001777
微傾斜GaAs(111)B基板上に作製したGaSbタイプⅡナノロッドの光学異⽅性
〇川津 琢也1、野⽥ 武司1、佐久間 芳樹1、榊 裕之1, 2
1.物材機構, 2.豊⽥⼯⼤
15
15.3
Poster
3/20(⽇) 16:00 18:00
20p-P16-6
C001081
As2分⼦線を⽤いて成⻑したInAs-QDによる電流注⼊型広帯域光源
〇林 佑真1、尾崎 信彦1、⼤河内 俊介2、⼤⾥ 啓孝3、渡辺 英⼀郎3、池⽥ 直樹3、杉本 喜正3
1.和歌⼭⼤シス⼯, 2.NEC, 3.物材機構
15
15.3
Poster
3/20(⽇) 16:00 18:00
20p-P16-7
C002866
中間バンド型太陽電池に向けたInAs/InAlAsSb量⼦構造の作製と評価
〇庄司 靖1、⽟置 亮1、アーサン ナズムル1、岡⽥ ⾄崇1
1.東⼤先端研
15
15.3
Poster
3/20(⽇) 16:00 18:00
20p-P16-8
C003614
⾯内超⾼密度InAs量⼦ドット層における熱処理効果
〇(B)南 裕太1、秋元 直⼰1、鮫島 ⼀樹1、⼭⼝ 浩⼀1
1.電気通信⼤学
15
15.3
Poster
3/20(⽇) 16:00 18:00
20p-P16-9
C000365
分⼦線エピタキシーによるSi(111) 基板上GaAs/GaAsBiコア-シェルナノワイヤ成⻑
〇⽯川 史太郎1、⾚松 良彦1、渡辺 健太郎2、上杉 ⽂彦3、朝⽐奈 俊輔4、Jahn Uwe5、下村 哲1
1.愛媛⼤院理⼯, 2.阪⼤基礎⼯, 3.物材機構, 4.⽇本電⼦, 5.Paul Drude Institut
15
15.3
Poster
3/20(⽇) 16:00 18:00
20p-P16-10
C002489
MBE growth for high quality GaAsBi/GaAs MQWs for longer wavelength emission
〇(D)Pallavi Patil, Fumitaroh Ishikawa, Satoshi Shimomura
Ehime Univ.
15
15.3
Poster
3/20(⽇) 16:00 18:00
20p-P16-11
C002543
In0.71Ga0.29As/AlAs/In0.35Al0.65As結合量⼦井⼾の光吸収特性の成⻑温度依存性
〇⽜頭 信⼀郎1
1.産総研
15
15.3
Poster
3/20(⽇) 16:00 18:00
20p-P16-12
C003784
ディンプル研磨した(411)A GaAs基板上のGaAs/InGaAs量⼦井⼾のMBE成⻑
〇橋本 ⾶⿃1、下村 哲1
1.愛媛⼤学院理⼯
15
15.3
Oral
3/21(⽉)
9:30
9:45
21a-H112-3
C003785
GaAs(775)B基板上におけるInAsの成⻑モード
〇(M1)佐藤 勇樹1、下村 哲1
1.愛媛⼤院理⼯
15
15.3
Oral
3/21(⽉)
9:45
10:00
21a-H112-4
C003383
GaAs(111)A基板上のInGaAs成⻑に対するInAs界⾯層の効果
〇(M2)出来 亮太1、佐々⽊ 拓⽣2、⾼橋 正光1, 2
1.兵庫県⽴⼤, 2.原⼦⼒機構
15
15.3
Oral
3/21(⽉) 10:00 10:15
21a-H112-5
C003465
InAsSb/GaAs(001)上のInAs成⻑における3次元核形成機構
〇(B)及川 信吾1、鮫島 ⼀樹1、⼭⼝ 浩⼀1
1.電通⼤
15
15.3
Oral
3/21(⽉) 10:15 10:30
21a-H112-6
C002035
結晶⽋陥を導⼊したモンテカルロシミュレーションによる⾃⼰集合量⼦ドットのモフォロジー変化
〇村松 修1、笹倉 弘理2、武藤 俊⼀1
1.北⼤院⼯, 2.北⼤創⽣研究機構
15
15.3
Oral
3/21(⽉) 10:30 10:45
15
15.3
Oral
3/21(⽉) 10:45 11:00
21a-H112-7
C001821
近⾚外広帯域光源を⽬指したInAs量⼦ドットの室温PL特性
〇沢渡 義規1、吉沢 勝美1、⾚⽻ 浩⼀2、⼭本 直克2
1.パイオニアＭＴＣ, 2.情通機構
15
15.3
Oral
3/21(⽉) 11:00 11:15
21a-H112-8
C001013
⻑波⻑発光近接積層InAs/GaAs量⼦ドットの偏光フォトルミネッセンス特性
〇⽥尻 祐介1、海津 利⾏1, 2、喜多 隆1
1.神⼾⼤院⼯, 2.神⼾⼤研究基盤セ
15
15.3
Oral
3/21(⽉) 11:15 11:30
21a-H112-9
C001596
DWell構造によるInP基板上InAs量⼦ドット発光の⻑波⻑化
〇⾚⽻ 浩⼀1、松本 敦1、梅沢 俊匡1、⼭本 直克1、橋本 圭太2、⾼井 裕司2
1.情通機構, 2.東京電機⼤
15
15.3
Oral
3/21(⽉) 11:30 11:45
21a-H112-10 C002508
部分キャップ制御による低密度InAs/GaAs量⼦ドットの光学特性向上
〇⾓⽥ 雅弘1、權 晋寛1、⾞ ⼀宏2、太⽥ 泰友1、渡邉 克之1, 2、岩本 敏1, 2、荒川 泰彦1, 2
15
15.3
Oral
3/21(⽉) 11:45 12:00
21a-H112-11 C000570
ドット密度の⾼密度化効果により障壁層を薄膜化した多層積層量⼦ドット構造の分⼦線成⻑とレーザ評価
〇影⼭ 健⽣1、ヴォ クオック フイ2、渡邉 克之2、武政 敬三3、菅原 充3、岩本 敏1, 2、荒川 泰彦1, 2
1.東⼤ナノ量⼦, 2.東⼤⽣研, 3.QDレーザ
15
15.3
Oral
3/21(⽉) 13:15 13:30
21p-H112-1
C000236
III-V化合物半導体表⾯の微量⾦属汚染の定量分析
〇⼤野 ⼒⼀1、嵯峨 幸⼀郎1
1.ソニー
15
15.3
Oral
3/21(⽉) 13:30 13:45
21p-H112-2
C001730
GaSb基板上表⾯酸化膜の純⽔⽔洗処理時間依存性
〇苫⽶地 秀⼀1、奥村 滋⼀1、鈴⽊ 僚1、松倉 祐輔1、今 純⼀1、⻄野 弘師1
1.（株）富⼠通研究所
15
15.3
Oral
3/21(⽉) 13:45 14:00
21p-H112-3
C001546
太陽電池応⽤InGaAs/GaAsP多重量⼦井⼾への緩和層導⼊効果
〇渡辺 健太郎1、井上 智之2、トープラサートポン カシディット2、アモリ デラマール2、ソダーバンル ハッサネット1、杉⼭ 正和2、中野 義昭1, 2 1.東⼤先端研, 2.東⼤⼯
15
15.3
Oral
3/21(⽉) 14:00 14:15
21p-H112-4
C002654
GaAsN薄膜のALE法によるSi供給順序がSi吸着サイトに与える影響
〇横⼭ 祐貴1、堀切 将1、原⼝ 智宏1、⼭内 俊浩1、鈴⽊ 秀俊1、碇 哲雄1、福⼭ 敦彦1
1.宮崎⼤⼯
15
15.3
Oral
3/21(⽉) 14:15 14:30
21p-H112-5
C000100
InGaAsN/GaAsSbタイプII量⼦井⼾ダイオードのアニール効果（Ⅱ）
〇河村 裕⼀1, 2、宍⼾ 郁哉1、⽥中 章1、川⼜ 修⼀1, 2
1.⼤阪府⽴⼤⼯, 2.地域連携研究機構
15
15.3
Oral
3/21(⽉) 14:30 14:45
21p-H112-6
C001006
急速熱アニールしたGaAs中のエピタキシャル窒素膜の輻射再結合寿命
〇⼩川 泰弘1、原⽥ 幸弘1、海津 利⾏1、喜多 隆1
1.神⼾⼤院⼯
15
15.3
Oral
3/21(⽉) 14:45 15:00
15
15.3
Oral
3/21(⽉) 15:00 15:15
21p-H112-7
C000674
奨
MOVPE 成⻑GaAs/Ge/Si 構造のアニールによる結晶品質の向上
〇中尾 亮1, 2、荒井 昌和1, 2、⼭本 剛1、松尾 慎治1, 2
1.NTT先端集積デバイス研, 2.ナノフォトニクスセンタ
15
15.3
Oral
3/21(⽉) 15:15 15:30
21p-H112-8
C002847
奨
Si基板上格⼦整合系GaAsPN混晶の導電性制御
〇(M1C)佐藤 健⼈1、⼭根 啓輔1、⻄尾 卓也1、⻨倉 俊1、関⼝ 寛⼈1、岡⽥ 浩1, 2、若原 昭浩1
1.豊橋技科⼤院・⼯, 2.豊橋技科⼤EIIRIS
15
15.3
Oral
3/21(⽉) 15:30 15:45
21p-H112-9
C000671
Si基板に直接接合したInP薄膜上へのInGaAsP系MQW成⻑
〇藤井 拓郎1, 2、武⽥ 浩司1, 2、菅野 絵理奈1、⻑⾕部 浩⼀1, 2、⼭本 剛1、硴塚 孝明1, 2、松尾 慎治1, 2
1.NTT先端集積デバイス研, 2.ナノフォトニクスセンタ
15
15.3
Oral
3/21(⽉) 15:45 16:00
GaN(10-10)上へのウルツ鉱構造AlInPの成⻑と緑⾊発光
〇福井 孝志1、平⾕ 佳⼤1、⽯坂 ⽂哉1、冨岡 克広1, 2
1.北⼤情報、量集センタ, 2.JSTさきがけ
Electrical resistivity, dielectric and piezoelectric properties of Ca3TaGa3-xAlxSi2O14 (CTGAS) single crystals as a function of Al content
Ag9GaS6-AgGaS2共晶反応領域でのマイクロ波合成による
4
1.NIMS, 2.Waseda Uni., 3.Uni. Tokyo, 4.Tokyo Inst. Tech.
20p-P15-1
C000896
9:15
21a-H113-1
C003386
9:15
9:30
21a-H113-2
9:30
9:45
21a-H113-3
9:45
10:00
3/21(⽉) 10:00 10:15
21p-P8-1
3/21(⽉) 13:30 15:30
21p-P8-2
C002894
3/21(⽉) 13:30 15:30
21p-P8-3
C000554
Synthesis of ZnO hierarchical nanostructures using NaOH as self-capping agent and optical properties
〇SankarGanesh Ramaraj1, Navaneethan Mani1, Ponnusamy Suruttaiyaudaiyar2, Muthamizhchelvan Chellamuthu2, Yasuhiro Hayakawa1 1.RIE Shizuoka Univ, 2.SRM Univ.
3/21(⽉) 13:30 15:30
21p-P8-4
C002701
IQB理論によるII-VI族化合物混晶半導体の電⼦状態の計算
〇藤本 徳明1
1.和歌⼭⼤シス⼯
21p-P8-5
C000661
⽔素イオン注⼊KNbO3バルク単結晶中の⽔素の挙動︓弾性反跳分析評価
〇鶴岡 遼太郎1、新川 輝1、⻄村 智朗1、⽥沼 千秋1、栗⼭ ⼀男1、串⽥ ⼀雅2
1.法政⼤理⼯, 2.⼤阪教育⼤学
22a-H116-1
C002749
サファイア基板の化学処理がZnTe薄膜のドメイン構造形成に与える効果
AgGaS2多結晶のフォトルミネセンス
有機-無機ハイブリッド型ZnSe系紫外APDアレイのクロストーク特性
〇内⽥ 繁⼈1、⽥中 健太1、井上 亮⼀1、藤本 健1、⽥末 章男1、平野 弘樹1、加納 卓弥1、阿部 友紀1、笠⽥ 洋⽂1、安東 孝⽌1、市野 邦男1
1.⿃取⼤⼯
C002076
分⼦線エピタキシャル成⻑ZnMgS/GaPの構造的評価
〇⾨⽥ 匡弘1、樫⼭ 翔太1、佐橋 響真1、阿部 友紀1、市野 邦男1
1.⿃⼤院⼯
C003091
分⼦線エピタキシャル成⻑ZnSTe/GaPの構造的評価
〇難波 直1、樫⼭ 翔太1、⻑⾕川 浩康1、佐橋 響真1、阿部 友紀1、市野 邦男1
1.⿃取⼤院⼯
21a-H113-4
C002651
MBE法によるClドープZnTeOの光学特性の評価
〇堤 修治1、岡野 友紀1、寺沢 俊貴1、⽥中 徹1、⻫藤 勝彦1、郭 其新1、⻄尾 光弘1
21a-H113-5
C002809
分⼦線エピタキシー法によるZnCdO薄膜の成⻑と評価
〇潮 昇平1、寺沢 俊貴1、岡野 友紀1、⽥中 徹1、⿑藤 勝彦1、郭 其新1、⻄尾 光弘1
1.佐賀⼤院⼯
C001402
ミストCVD法を⽤いて作製したZnS薄膜の光学特性評価
〇(M1)浅野 康幸1、宇野 和⾏1、⼭崎 佑⼀郎1、⽥中 ⼀郎1
1.和歌⼭⼤学
量⼦井⼾幅の揺らぎによるCdTe無歪ドットの作製およびPLスペクトル
〇(M1)内海 駿⼈1、坂本 圭祐1、⾦澤 研1、⿊⽥ 眞司1、Lafuente-Sampietro Alban1, 2、Besombes Lucien2、Boukari Herve2
E
奨
ナノファセットを持つサファイアm⾯基板上ZnTe薄膜の成⻑過程解析
フッ酸系エッチャントによるZnTeのメサエッチングとZnMgTe/ZnTe光導波路のリッジ化
E
奨
Enhanced photocatalytic performance under visible light irradiation due to controlled morphology evolution of ZnO nanostructure
奨
E
明3
〇⾵⾒ 蕗乃1、孫 惟哲1、王 兢1、中須 ⼤蔵1、服部 翔太1、⽊津 健1、橋本 勇輝1、⽟川 陽菜1、⼩⾼ 圭佑1、⼭本 洋輔1、⼩林 正和1, 2、朝⽇ 聡
明3
〇Harish Santhanakrishnan1, Archana Jayaram1, Navaneethan mani1, Ponnusamy Suruttaiyaudaiyar2, Muthamizhchelvan
Chellamuthu2, Yasuhiro Hayakawa1
1.早⼤先進理⼯, 2.早⼤材研, 3.JX⾦属
1.早⼤先進理⼯, 2.早⼤材研, 3.JX⾦属
1.早⼤先進理⼯, 2.早⼤材研, 3.JX⾦属
1.RIE Shizuoka Univ, 2.SRM Univ.
〇瀬⼾ 悟1、鈴⽊ 和彦2
1.⽯川⾼専, 2.北海道科学⼤
⼤気中レーザーアブレーションで作製したSbドープZnOマイクロスフィアの特性評価
〇永嵜 史明1、下垣 哲也1、池渕 達也1、植⼭ 健史1、⽥中 稔伸1、藤原 優輝1、東畠 三洋1、中村 ⼤輔1、岡⽥ ⿓雄1
1.九⼤シス情
MOVPE法による(211)および(100)Si基板上のCdTe成⻑層のフォトルミネッセンス特性
〇北川 翔三1、神野 悟1、伊藤 祐葵1、杉本 宗⼀郎1、⼭崎 ⼤輔1、⼩島 將弘1、坪⽥ 眞太郎1、安形 保則1、ニラウラ マダン1、安⽥ 和⼈1
1.名⼯⼤院⼯
〇⼩島 將弘1、伊藤 祐葵1、神野 悟史1、杉本 宗⼀郎1、⼭崎 ⼤輔1、北川 翔三1、坪⽥ 眞太郎1、安⽥ 和⼈1、ニラウラ マダン1、安形 保則1
1.名⼯⼤院⼯
フォトルミネッセンス特性
奨
明3
〇中須 ⼤蔵1、服部 翔太1、⽊津 健1、橋本 勇輝1、孫 惟哲1、⾵⾒ 蕗乃1、王 兢1、⼭本 洋輔1、⽟川 陽菜1、⼩⾼ 圭佑1、⼩林 正和1, 2、朝⽇ 聡
1.筑波⼤院数理物質, 2.CNRSネール研
III族元素をドープした⾼抵抗ZnTe結晶の深い準位からの発光
MOVPE法による(211)Si基板上のAsドープCdTe層の
奨
〇中須 ⼤蔵1、⽊津 健1、服部 翔太1、橋本 勇輝1、孫 惟哲1、⾵⾒ 蕗乃1、王 兢1、⼩⾼ 圭佑1、⽟川 陽菜1、⼭本 洋輔1、⼩林 正和1, 2、朝⽇ 聡
1.佐賀⼤理⼯
1.名⼯⼤⼯
1.神⼾⼤研究基盤セ, 2.神⼾⼤院⼯
休憩/Break
1.東⼤ナノ量⼦機構, 2.東⼤⽣研
休憩/Break
21p-H112-10 C000225
2016年春季講演会(東⼯⼤⼤岡⼭キャンパス)プログラム
⼤分類 中分類
形式
講演⽇
開始
終了
講演番号
【1⽉28⽇(⽊)更新】暫定版からの更新箇所は⾚字になっております。
受付番号
奨励賞 英語 招待
39 / 52 ページ
※会場、時間が変更になった場合は該当の⽅にご連絡いたします。
講演タイトル
著者
所属機関
15
15.3
Oral
3/21(⽉) 16:00 16:15
21p-H112-11 C003573
波⻑3-5μm帯GaAs基板上InAsSbのMOVPE成⻑
〇(B)今村 優雅1、吉元 圭太1、荒井 昌和1
15
15.3
Oral
3/21(⽉) 16:15 16:30
21p-H112-12 C002940
奨
低温成⻑Cドーピングによる⾼品質InSb膜の成⻑⽅法
〇(D)吉川 陽1、森下 朋浩1、永瀬 和宏1
1.旭化成
15
15.3
Oral
3/21(⽉) 16:30 16:45
21p-H112-13 C002805
奨
Electrical characteristics of rapid heat-treated InSb film
〇(D)Charith Jayanada Koswaththage1、Takashi Noguchi1、Shinichi Taniguchi2、Shokichi Yoshitome2
1.Univ. of the Ryukyus, 2.e-tec INC.
15
15.4
Oral
3/19(⼟)
8:45
9:00
19a-H121-1
C000352
GaN単結晶における基板と冷却速度の転位密度に与える影響
〇中野 智1、⾼ 冰1、柿本 浩⼀1
1.九⼤応⼒研
15
15.4
Oral
3/19(⼟)
9:00
9:15
19a-H121-2
C003382
RF加熱式HVPE法を⽤いたサファイア基板上へのAlN成⻑
〇⼭下 泰弘1、三宅 秀⼈1, 2、平松 和政1
1.三重⼤・院⼯, 2.三重⼤・地域イノベ
15
15.4
Oral
3/19(⼟)
9:15
9:30
19a-H121-3
C002695
ハイドライド気相成⻑法におけるサファイア加⼯基板を⽤いた⾃⽴GaN基板の⾃発分離技術
〇⽯橋 直⼈1、板垣 憲広1、岡⽥ 成仁1、只友 ⼀⾏1
1.⼭⼝⼤⼯
15
15.4
Oral
3/19(⼟)
9:30
9:45
19a-H121-4
C002376
9:45
10:00
19a-H121-5
C001676
ハイドライド気相成⻑におけるGaN選択成⻑の
ファセット形状のストライプマスク周期依存性
1.宮崎⼤⼯
〇河原 慎1、⾏實 孝太1、松原 徹1、板垣 憲広1、岡⽥ 成仁1、⼭根 啓輔2、只友 ⼀⾏1
1.⼭⼝⼤学院理⼯, 2.豊橋技術科学⼤
〇傳寶 裕晶1、⻄平 貴則1、⼭根 啓輔2、岡⽥ 成仁1、葛原 正明3、只友 ⼀⾏1
1.⼭⼝⼤学院理⼯, 2.豊橋技術科学⼤学, 3.福井⼤学
〇富樫 理恵1
1.農⼯⼤
〇鎌⽥ 祥平1、⽵内 正太郎1、ディンタン カン1、三宅 秀⼈2、平松 和政2、今井 康彦3、⽊村 滋3、酒井 朗1
1.阪⼤基礎⼯, 2.三重⼤院⼯, 3.JASRI/ SPring-8
15
15.4
Oral
3/19(⼟)
15
15.4
Oral
3/19(⼟) 10:00 10:15
15
15.4
Oral
3/19(⼟) 10:15 10:45
19a-H121-6
I000014
招
15
15.4
Oral
3/19(⼟) 10:45 11:00
19a-H121-7
I000151
招
15
15.4
Oral
3/19(⼟) 11:00 11:15
19a-H121-8
C001677
3次元逆格⼦空間マップ解析による周期溝SiC基板上AlN厚膜の微視的結晶構造評価
〇鎌⽥ 祥平1、⽵内 正太郎1、ディンタン カン1、三宅 秀⼈2、平松 和政2、今井 康彦3、⽊村 滋3、酒井 朗1
1.阪⼤院基礎⼯, 2.三重⼤院⼯, 3.JASRI/ SPring-8
15
15.4
Oral
3/19(⼟) 11:15 11:30
19a-H121-9
C003520
OVPE法によるGaN成⻑におけるGaN(0001)表⾯構造の検討
〇河村 貴宏1, 2、北本 啓2、今出 完2、吉村 政志2、森 勇介2、森川 良忠2
1.三重⼤院⼯, 2.阪⼤院⼯
15
15.4
Oral
3/19(⼟) 11:30 11:45
19a-H121-10 C002051
ナノインデンテーションを⽤いたウルツ鉱構造窒化ホウ素（w-BN）の機械的特性評価
〇出浦 桃⼦1、沓掛 健太朗1、⼤野 裕1、⽶永 ⼀郎1、⾕⼝ 尚2
1.東北⼤⾦研, 2.物材機構
15
15.4
Oral
3/19(⼟) 13:15 13:45
19p-H121-1
I000007
15
15.4
Oral
3/19(⼟) 13:45 14:00
19p-H121-2
C001123
15
15.4
Oral
3/19(⼟) 14:00 14:15
19p-H121-3
C000520
15
15.4
Oral
3/19(⼟) 14:15 14:30
19p-H121-4
C001771
フーリエ変換分光法を⽤いたGaNナノワイヤ量⼦ドットにおけるフォノン相互作⽤の評価
15
15.4
Oral
3/19(⼟) 14:30 14:45
19p-H121-5
C001786
摂⽒77度で動作する単⼀光⼦源
15
15.4
Oral
3/19(⼟) 14:45 15:00
15
15.4
Oral
3/19(⼟) 15:00 15:15
19p-H121-6
C000504
InGaNナノコラムにおける成⻑機構と臨界コラム径
〇(PC)⼤⾳ 隆男1、⽔野 祐太郎1、柳原 藍1、宮川 倫1、加納 達也1、吉⽥ 純1、榊原 直樹1、岸野 克⺒1, 2
1.上智⼤理⼯, 2.上智⼤ナノテク
15
15.4
Oral
3/19(⼟) 15:15 15:30
19p-H121-7
C002689
多⾊発光InGaN系規則配列ナノコラムの微⼩領域集積化
〇榊原 直樹1、加納 達也1、吉⽥ 純1、宮川 倫1、⽔野 祐太郎1、⼤⾳ 隆男1、岸野 克⺒1, 2
1.上智⼤理⼯, 2.上智⼤ナノテク
15
15.4
Oral
3/19(⼟) 15:30 15:45
19p-H121-8
C003243
短周期配列ナノコラムの⻩⾊領域光励起レーザ発振
〇松井 祐三1、⽯沢 峻介1、本⼭ 界1、岸野 克⺒1, 2
1.上智⼤理⼯, 2.上智ナノテク
19p-H121-9
C003515
規則配列AlGaNナノコラムを⽤いた発光デバイスの作製
〇吉⽥ 純1、加納 達也1、松井 祐三1、宮川 倫1、榊原 直樹1、岸野 克⺒1, 2
1.上智⼤理⼯, 2.上智ナノテク
分⼦線エピタキシー法により成⻑したGaNナノリング微⼩光共振器による糖センサ
〇武島 歩志1、光野 徹也1、酒井 優2、岸野 克⺒3、原 和彦1
1.静岡⼤⼯, 2.⼭梨⼤医⼯, 3.上智⼤理⼯
1.上智⼤学, 2.上智⼤ナノテク研究センター
15
15.4
Oral
3/19(⼟) 15:45 16:00
ハイドライド気相成⻑法を⽤いたFe ドープGaNの成⻑
休憩/Break
招
E
「第6回⼥性研究者研究業績・⼈材育成賞(⼩舘⾹椎⼦賞)受賞記念講演」（30分）
実験と計算化学の協調によるIII族窒化物半導体気相成⻑の研究
「講演奨励賞受賞記念講演」（15分）
X 線マイクロ回折を⽤いた 3 次元逆格⼦マップ解析による窒化物半導体結晶構造評価
「第6回化合物半導体エレクトロニクス業績賞（⾚﨑勇賞）受賞記念講演」（30分）
〇天野 浩1
1.名古屋⼤学
AlGaN⺟材⾃⽴化に伴う単⼀GaN界⾯ゆらぎ量⼦ドット光学特性の変化
〇有⽥ 宗貴1, 2、加古 敏1, 2、荒川 泰彦1, 2
1.東⼤ナノ量⼦機構, 2.東⼤⽣産研
Single Photon Emission from a GaN Interface Fluctuation Quantum Dot
〇(M2)Florian LeRoux1, Mark Holmes1, 2, Munetaka Arita1, 2, Gao Kang1, Satoshi Kako1, 2, Yasuhiko Arakawa1, 2
1.IIS, Univ. of Tokyo, 2.NanoQuine, Univ. of Tokyo
〇HOLMES Mark1、加古 敏2、崔 琦鉉1、有⽥ 宗貴1、荒川 泰彦1, 2
1.東⼤ナノ量⼦, 2.東⼤⽣研
〇HOLMES Mark1、加古 敏2、崔 琦鉉1、有⽥ 宗貴1、荒川 泰彦1, 2
1.東⼤ナノ量⼦, 2.東⼤⽣研
⻘⾊及び紫外光デバイスの開発
休憩/Break
奨
15
15.4
Oral
3/19(⼟) 16:00 16:15
15
15.4
Oral
3/19(⼟) 16:15 16:30
15
15.4
Oral
3/19(⼟) 16:30 16:45
19p-H121-11 C003565
⽔素雰囲気熱処理InGaN/GaN多重量⼦井⼾層の発光特性評価及び⽔素雰囲気異⽅性熱エッチング(HEATE)法によるナノ構造の作製
〇(B)⽯嶋 駿1、⼩川 航平1、⽔⾕ 友哉1、蜂屋 諒1、菊池 昭彦1, 2
15
15.4
Oral
3/19(⼟) 16:45 17:00
19p-H121-12 C003566
⽔素雰囲気異⽅性熱エッチング(HEATE)法によるInGaN/GaN単⼀量⼦ディスクナノLEDの作製
〇⼩川 航平1、蜂屋 諒1、⽔⾕ 友哉1、⽯嶋 駿1、菊池 昭彦1, 2
1.上智⼤理⼯, 2.上智⼤学ナノテクセンター
15
15.4
Oral
3/19(⼟) 17:00 17:15
19p-H121-13 C002862
奨
Ⅲ族窒化物ナノワイヤを⽤いた端⾯発光レーザの理論的検討
〇栗崎 湧気1、上⼭ 智1、⽵内 哲也1、岩⾕ 素顕1、⾚﨑 勇1, 2
1.名城⼤・理⼯, 2.名古屋⼤・⾚﨑記念研究センター
15
15.4
Oral
3/19(⼟) 17:15 17:30
19p-H121-14 C001588
奨
異⽅性ウェットエッチングによるGaN多孔質構造の作製と光学特性評価
〇熊崎 祐介1、松本 悟1、佐藤 威友1
1.北⼤量集セ
15
15.4
Oral
3/19(⼟) 17:30 17:45
19p-H121-15 C000498
カーボンナノチューブ/GaN 界⾯の電気特性とバンド構造の評価
〇横川 俊哉1、三宅 祥太1、⼭下 輝1、⽑利 裕治1、中⼭ 雅晴1
1.⼭⼝⼤⼯
15
15.4
Oral
3/19(⼟) 17:45 18:00
19p-H121-16 C001356
バルクGaN表⾯のナノインデンテーションにおけるr⾯すべりのHRTEM観察と歪解析
〇横川 俊哉1、⼆⽊ 佐知2、前川 順⼦2、⻘⽊ 正彦2
1.⼭⼝⼤⼯, 2.イオンテクノセンター
15
15.4
Oral
3/20(⽇)
8:45
9:00
20a-H121-1
C000143
⾼キャリア濃度n型m⾯GaN単結晶におけるホットキャリアの輻射再結合ダイナミクス
〇⼩島 ⼀信1、池⽥ 宏隆2、藤⼾ 健史2、秩⽗ 重英1
1.東北⼤多元研, 2.三菱化学（株）
15
15.4
Oral
3/20(⽇)
9:00
9:15
20a-H121-2
C000144
⾼品質GaN単結晶の絶対輻射量⼦効率測定
〇⼩島 ⼀信1、⼤友 友美1、⻫藤 真1, 2、池⽥ 宏隆2、藤⼾ 健史2、秩⽗ 重英1
1.東北⼤学多元研, 2.三菱化学（株）
15
15.4
Oral
3/20(⽇)
9:15
9:30
20a-H121-3
C000266
⾃⽴GaN基板上m⾯Al1-xInxNエピタキシャル薄膜の発光特性(Ⅳ)
〇秩⽗ 重英1、⼩島 ⼀信1、⼭崎 芳樹1、佐藤 義孝2、上殿 明良3
1.東北⼤多元研, 2.双葉電⼦⼯業, 3.筑波⼤学
15
15.4
Oral
3/20(⽇)
9:30
9:45
20a-H121-4
C002372
InGaN/GaN超格⼦がInGaN 系発光ダイオードの発光特性に及ぼす効果の分離検討
〇杉本 浩平1、岡⽥ 成⼈1、只友 ⼀⾏1
1.⼭⼝⼤学院理⼯
3/20(⽇)
9:45
15
15.4
Oral
19p-H121-10 C000951
休憩/Break
10:00
20a-H121-5
C002723
レーザ散乱を⽤いたInGaN結晶成⻑表⾯粗さ回復の観察
〇(M1)⼭本 哲也1、⽥村 彰1、永松 謙太郎1、新⽥ 州吾1, 3、本⽥ 善央1, 3、天野 浩1, 2, 3
1.名⼤院⼯, 2.⾚﨑記念研究センター, 3.未来材料システム研究所
15
15.4
Oral
3/20(⽇) 10:00 10:15
20a-H121-6
C000512
InGaN 量⼦井⼾の選択領域In 拡散によるバンドギャップ制御と光導波路作製
〇横川 俊哉1、栫 拓也1、今井 康彦2、⽊村 滋2
1.⼭⼝⼤⼯, 2.JASRI
15
15.4
Oral
3/20(⽇) 10:15 10:30
15
15.4
Oral
3/20(⽇) 10:30 10:45
20a-H121-7
C003413
Core-Shell型MQWにおける発光波⻑の成⻑条件依存性
〇岩瀬 航平1、Lim Stanley1、澁⾕ 弘樹1、岩⾕ 素顕1、⽵内 哲也1、上⼭ 智1、⾚﨑 勇1, 2
1.名城⼤・理⼯, 2.名古屋⼤・⾚崎記念センター
15
15.4
Oral
3/20(⽇) 10:45 11:00
20a-H121-8
C001237
GaNナノコラムにおけるLOフォノンレプリカおよび励起⼦多体効果
〇猪瀬 裕太1、⾦城 ⼀哉1、江⾺ ⼀弘1, 2、吉⽥ 純1、⼭野 晃司1、岸野 克⺒1, 2
1.上智⼤理⼯, 2.上智ナノテク
15
15.4
Oral
3/20(⽇) 11:00 11:15
20a-H121-9
C001260
InGaN/GaN規則配列ナノコラムにおける局在深さの解析
〇⾦城 ⼀哉1、猪瀬 裕太1、佐藤 光1、江⾺ ⼀弘1, 2、中岡 俊裕1, 2、⼤⾳ 隆男1、岸野 克⺒1, 2
1.上智⼤理⼯, 2.上智ナノテク
15
15.4
Oral
3/20(⽇) 11:15 11:30
20a-H121-10 C000393
15
15.4
Oral
3/20(⽇) 11:30 11:45
20a-H121-11 C000394
15
15.4
Oral
3/20(⽇) 13:15 13:30
20p-H121-1
C002416
15
15.4
Oral
3/20(⽇) 13:30 13:45
20p-H121-2
15
15.4
Oral
3/20(⽇) 13:45 14:00
20p-H121-3
15
15.4
Oral
3/20(⽇) 14:00 14:15
15
15.4
Oral
3/20(⽇) 14:15 14:30
15
15.4
Oral
3/20(⽇) 14:30 14:45
15
15.4
Oral
15
15.4
Oral
15
15.4
Oral
3/20(⽇) 15:15 15:30
15
15.4
Oral
3/20(⽇) 15:30 15:45
15
15.4
Oral
3/20(⽇) 15:45 16:00
20p-H121-10 C002017
ステップ⾼さ制御SiC基板上AlN層の⾼分解能X線回折評価における界⾯局在ミスフィット転位に起因する横⽅向サテライトピーク
15
15.4
Oral
3/20(⽇) 16:00 16:15
20p-H121-11 C001329
SiC基板上のGaNおよびAlN薄膜のエネルギー論︓第⼀原理計算による検討
15
15.4
Oral
3/20(⽇) 16:15 16:30
20p-H121-12 C001005
C-AFMによるスパイラル成⻑したGaNの極微領域評価
〇⼩村 ⼀樹1、荒浪 誠⽣1、荒⽊ 努1、名⻄ 憓之1、⾚坂 哲也2
1.⽴命館⼤, 2.NTT物性科学基礎研
15
15.4
Oral
3/20(⽇) 16:30 16:45
20p-H121-13 C003670
c-BN薄膜のイオンビームアシストMBE成⻑における基板へのバイアス電圧印加の効果
〇平間 ⼀⾏1、⾕保 芳孝1、⼭本 秀樹1、熊倉 ⼀英1
1.NTT物性研
15
15.4
Oral
3/20(⽇) 16:45 17:00
20p-H121-14 C003313
グラフェン上GaNナノコラムの選択成⻑
〇今野 裕太1、林 宏暁1、岸野 克⺒1, 2
1.上智⼤理⼯, 2.上智⼤ナノテク研究センタ
15
15.4
Oral
3/20(⽇) 17:00 17:15
20p-H121-15 C003617
RF-MBE法を⽤いたEu添加GaNナノコラムのEu濃度依存性
〇(M1)今⻄ 智彦1、関⼝ 寛⼈1、⻄川 聡志1、尾崎 耕平1、⼭根 啓輔1、岡⽥ 浩2, 3、岸野 克⼰3、若原 昭浩1
1.豊橋技科⼤⼯, 2.EIIRIS, 3.上智⼤理⼯
15
15.4
Oral
3/20(⽇) 17:15 17:30
20p-H121-16 C002099
RF-MBE法を⽤いたInGaN成⻑時における表⾯拡散⻑の評価
〇伊達 浩平1、関⼝ 寛⼈1、柳原 藍2、⼭根 啓輔1、岡⽥ 浩1、若原 昭浩1、岸野 克⺒2
1.豊技⼤⼯, 2.上智⼤理⼯
15
15.4
Oral
3/20(⽇) 17:30 17:45
15
15.4
Oral
3/20(⽇) 17:45 18:00
20p-H121-17 C003371
奨
N極性InGaN/GaN LEDに形成されたInGaN微⼩島からの局所発光
〇⾕川 智之1、正直 花奈⼦1、⽚⼭ ⻯⼆1、窪⾕ 茂幸1、松岡 隆志1
1.東北⼤⾦研
15
15.4
Oral
3/20(⽇) 18:00 18:15
20p-H121-18 C002789
奨
Si/SiO2/GaN-LED構造を⽤いたSi-MOSFETおよびLEDのモノリシック集積
〇(DC)⼟⼭ 和晃1、宇都宮 脩1、中川 翔太1、⼭根 啓補1、関⼝ 寛⼈1、岡⽥ 浩2, 1、若原 昭浩1, 2
1.豊技⼤⼯, 2.EIIRIS
15
15.4
Oral
3/20(⽇) 18:15 18:30
20p-H121-19 C001146
奨
Si基板上GaN系LEDの素⼦構造作製に伴う応⼒の変化
〇岡⽥ 葵1、上杉 謙次郎1、⽊村 重哉1、坂野 ⻯則1、吉⽥ 学史1、布上 真也1
1.東芝研究開発センター
15
15.4
Oral
3/20(⽇) 18:30 18:45
20p-H121-20 C003015
光電流測定によるLED内部量⼦効率評価
〇(M2)宇佐美 茂佳1、本⽥ 善央1, 3、天野 浩1, 2, 3
1.名⼤院⼯, 2.⾚﨑記念研究センター, 3.未来材料・システム研究所
15
15.4
Oral
3/20(⽇) 18:45 19:00
20p-H121-21 C002533
Si3N4による⾼AlNモル分率n-AlGaN⽤V系電極の低接触⽐抵抗化
〇永⽥ 訓章1、森 ⼀喜1、武⽥ 邦宏1、草深 敏匤1、岩⾕ 素顕1、⽵内 哲也1、上⼭ 智1、⾚﨑 勇1, 2
1.名城⼤・理⼯, 2.名古屋⼤，⾚﨑記念研究センター
15
15.4
Oral
3/20(⽇) 19:00 19:15
20p-H121-22 C002595
表⾯保護膜形成によるInGaN/GaN多重量⼦井⼾構造太陽電池の⾼性能化に関する研究
〇加畑 智基1、堤 達哉1、森 拓磨1、加藤 正史1、三好 実⼈1、江川 孝志1
1.名⼯⼤
休憩/Break
奨
〇中納 隆1、河上 航平1、⼭⼝ 敦史1
1.⾦沢⼯⼤
光⾳響・発光同時計測法及び時間分解発光計測によるGaNの輻射・⾮輻射再結合寿命の測定
〇河上 航平1、中納 隆1、⼭⼝ 敦史1
1.⾦沢⼯⼤
THzエリプソメトリーによるGaN膜評価と断⾯観察による検証
〇達 紘平1、浅上 史歩1、藤井 ⾼志1, 3、荒⽊ 努1、名⻄ 憓之1、⻑島 健2、岩本 敏志3、佐藤 幸徳3、森⽥ 直威4、杉江 隆⼀4、上⼭ 智5
C002645
THzエリプソメトリーとホール効果測定によるサファイア基板上n型GaNの電気特性の⽐較検討
〇(B)浅上 史歩1、達 紘平1、藤井 ⾼志1, 3、荒⽊ 努1、名⻄ 憓之1、⻑島 健2、岩本 敏志3、佐藤 幸徳3、森⽥ 直威4、杉江 隆⼀4、上⼭ 智5
1.⽴命館⼤理⼯, 2.摂南⼤理⼯, 3.⽇邦プレシジョン, 4.東レリサーチセンター, 5.名城⼤理⼯
C000027
SiC/GaNの界⾯構造とバンドオフセットとの関係の理論的検討
〇⼩嶋 英嗣1、遠藤 賢太郎1、⽩川 裕規1、洗平 昌晃1、海⽼原 康裕2、⾦村 ⾼司2、恩⽥ 正⼀2、⽩⽯ 賢⼆1
1.名⼤, 2.デンソー
20p-H121-4
C002629
貫通転位の絶縁膜/GaN 界⾯への影響評価
〇横川 俊哉1、⼭本 雄⼤1、栫 拓也1、⻄平 貴則1、岡⽥ 成仁1、只友 ⼀⾏1
1.⼭⼝⼤⼯
20p-H121-5
C000583
PXD法によるハフニウム上へのGaN薄膜成⻑
⾦ 惠蓮1、〇太⽥ 実雄1, 2、井上 茂1、⼩林 篤1、上野 耕平1、藤岡 洋1, 3
1.東⼤ ⽣研, 2.JSTさきがけ, 3.JST-ACCEL
20p-H121-6
C002079
擬似Ⅲ-Ⅴ族窒化物半導体ZnSnN2結晶合成
〇川村 史朗1、今井 基晴1、⾕⼝ 尚1、⼭⽥ 直⾂2
1.物質・材料研究機構, 2.中部⼤⼯
3/20(⽇) 14:45 15:00
20p-H121-7
C000841
Growth and Characterizations of a pseudo-III-nitride ZnSnN2
〇(DC)Xiang Cao1, Koji Umezome1, Fumio Kawamura2, Yoshihiro Ninomiya1, Takashi Taniguchi2, Naoomi Yamada1
1.Chubu Univ., 2.NIMS
3/20(⽇) 15:00 15:15
20p-H121-8
C001175
窒化物半導体への低濃度ドーピング技術の開発
〇荒川 靖章1、上野 耕平1、太⽥ 実雄1, 2、藤岡 洋1, 3
1.東⼤⽣研, 2.JST-さきがけ, 3.JST-ACCEL
〇佐々⽊ 拓⽣1、出来 亮太2、⽯川 史太郎3、⼭⼝ 智広4、⾼橋 正光1, 2
1.原⼦⼒機構, 2.兵庫県⽴⼤, 3.愛媛⼤, 4.⼯学院⼤
〇⾦⼦ 光顕1、⽊本 恒暢1、須⽥ 淳1
1.京⼤院⼯
〇秋⼭ 亨1、中根 晴信1、中村 浩次1、伊藤 智徳1
1.三重⼤院⼯
奨
E
1.⽴命館⼤学, 2.摂南⼤学, 3.⽇邦プレシジョン, 4.東レリサーチセンター, 5.名城⼤学
休憩/Break
20p-H121-9
C001130
その場放射光X線回折によるMBE成⻑窒化物半導体のひずみ緩和観測
休憩/Break
15
15.4
Oral
3/20(⽇) 19:15 19:30
20p-H121-23 C000555
15
15.4
Oral
3/20(⽇) 19:30 19:45
20p-H121-24 C002560
15
15.4
Oral
3/21(⽉)
8:45
9:00
21a-H121-1
C001065
15
15.4
Oral
3/21(⽉)
9:00
9:15
21a-H121-2
C002493
15
15.4
Oral
3/21(⽉)
9:15
9:30
21a-H121-3
C001171
15
15.4
Oral
3/21(⽉)
9:30
9:45
21a-H121-4
C001194
9:45
光⾳響・発光同時計測法及び時間分解発光計測によるGaNの輻射・⾮輻射再結合寿命の測定
奨
15
15.4
Oral
3/21(⽉)
10:00
21a-H121-5
C001571
15
15.4
Oral
3/21(⽉) 10:00 10:15
21a-H121-6
C000282
15
15.4
Oral
3/21(⽉) 10:15 10:30
15
15.4
Oral
3/21(⽉) 10:30 10:45
21a-H121-7
C002538
15
15.4
Oral
3/21(⽉) 10:45 11:00
21a-H121-8
C000334
15
15.4
Oral
3/21(⽉) 11:00 11:15
21a-H121-9
C002258
15
15.4
Oral
3/21(⽉) 11:15 11:30
21a-H121-10 C003682
15
15.4
Oral
3/21(⽉) 11:30 11:45
21a-H121-11 C001495
15
15.4
Oral
3/21(⽉) 13:15 13:30
21p-H121-1
奨
奨
奨
奨
奨
E
P-Channel InGaN/GaN heterostructure metal-oxide-semiconductor field effect transistor based on polarization-induced two-dimensional
hole gas
〇Li-wen SANG1, kexiong Zhang1, Masatomo Sumiya1, Meiyong Liao1, Yasuo Koide1
1.NIMS
誘導結合型プラズマ反応性イオンエッチングを⽤いたGaNの逆メサ加⼯
〇(M1)板垣 憲広1、永利 圭1、岡⽥ 成仁1、井本 良1、⻄宮 智晴2、松尾 ⽂晴2、只友 ⼀⾏1
1.⼭⼝⼤学院理⼯, 2.サムコ(株)
Naフラックスポイントシード法による半極性GaN単結晶の結晶性向上
〇(B)⾦ 度勲1、今⻄ 正幸1、⼭⽥ 拓海1、本城 正智1、村上 航介1、松尾 ⼤輔1、今林 弘毅1、丸⼭ 美帆⼦1、今出 完1、吉村 政志1、森 勇介1
1.阪⼤⼯
種結晶GaN表⾯および成⻑モードを制御したNaフラックスGaNの⽋陥構造解析
〇(M1)⽔⽥ 祐貴1、⽵内 正太郎1、今⻄ 正幸2、今出 完2、森 勇介2、酒井 朗1
1.阪⼤院基礎⼯, 2.阪⼤院⼯
Naフラックス法におけるサファイア溶解を⽤いたクラックフリー⾃⽴GaN基板の作製
〇(M1)⼭⽥ 拓海1、今⻄ 正幸1、中村 幸介1、村上 航介1、今林 弘毅1、松尾 ⼤輔1、本城 正智1、丸⼭ 美帆⼦1、今出 完1、吉村 政志1、森 勇介1 1.阪⼤院⼯
炭素炭素添加によるGaN多結晶抑制効果の向上
〇(M2)⼩川 翔悟1、今⻄ 正幸1、村上 航介1、今林 弘毅1、松尾 ⼤輔1、丸⼭ 美帆⼦1、今出 完1、吉村 政志1、森 勇介1
Naフラックス結合成⻑法におけるc⾯GaN結晶の低転位化
⾼品質ポイントシード結合Na-flux成⻑GaN基板へのHVPEホモエピ成⻑
〇今⻄ 正幸1、⼭⽥ 拓海1、村上 航介1、本城 正智1、今林 弘毅1、松尾 ⼤輔1、丸⼭ 美帆⼦1、今出 完1、吉村 政志1、津坂 佳幸2、松井 純爾3、
森 勇介1
1.阪⼤⼯
1.阪⼤院⼯, 2.兵庫県⼤院理, 3.放射光ナノテク研
〇吉⽥ 丈洋1、今⻄ 正幸2、北村 寿朗1、⼤⾼ 健治1、今出 完2、森 勇介2
1.サイオクス, 2.阪⼤院⼯
Cr-Ni溶媒を⽤いたAlNの溶液成⻑におけるサファイア種結晶の結晶⾯の影響
〇⿊坂 真⼀朗1、鳴海 ⼤翔1、川⻄ 咲⼦2, 3、佐々⽊ 秀顕2、吉川 健2、前⽥ 正史2
1.東⼤⼯, 2.東⼤⽣研, 3.東北⼤多元研
アモルファス基板上に作製したInGaN薄膜トランジスタの特性
〇⼩林 篤1、伊藤 剛輝1、ライ ケーシン1、上野 耕平1、太⽥ 実雄1, 2、藤岡 洋1, 3
1.東⼤⽣研, 2.JSTさきがけ, 3.JST-ACCEL
ScAlMgO4基板上のGaN薄膜の構造安定性に関する理論的検討
〇中根 晴信1、秋⼭ 亨1、中村 浩次1、伊藤 智徳1
1.三重⼤院⼯
ScAlMgO4基板上へのGaN薄膜成⻑における不純物混⼊の抑制
〇⽮原 弘崇1、岩渕 拓也1、窪⾕ 茂幸1、⾕川 智之1、花⽥ 貴1、⽚⼭ ⻯⼆1、福⽥ 承⽣2、松岡 隆志1
1.東北⼤⾦研, 2.福⽥結晶
310nm帯紫外LED⽤Ga2O3（-201）基板上AlGaN (0001)エピタキシャル膜の成⻑
〇森島 嘉克1、平⼭ 秀樹2、飯塚 和幸1、⼭崎 進⼀1、⻄村 良男1、⼭腰 茂伸1
1.タムラ製作所, 2.理研
⾚外反射分光によるGaN薄膜の電⼦特性深さ分解評価⼿法
〇上條 隆明1、坂本 裕則1、⾺ 蓓1、森⽥ 健1、⽯⾕ 善博1
1.千葉⼤院⼯
休憩/Break
C001418
奨
2016年春季講演会(東⼯⼤⼤岡⼭キャンパス)プログラム
⼤分類 中分類
形式
講演⽇
開始
終了
【1⽉28⽇(⽊)更新】暫定版からの更新箇所は⾚字になっております。
講演番号
受付番号
奨励賞 英語 招待
40 / 52 ページ
※会場、時間が変更になった場合は該当の⽅にご連絡いたします。
講演タイトル
著者
所属機関
15
15.4
Oral
3/21(⽉) 13:30 13:45
21p-H121-2
C002067
GaNにおける⾮熱平衡系励起⼦遷移過程のフォノン・衝突・輻射モデルに基づく解析
〇岩堀 友洋1、野町 健太郎1、⼤⽊ 健輔1、⾺ 蓓1、森⽥ 健1、⽯⾕ 善博1
15
15.4
Oral
3/21(⽉) 13:45 14:00
21p-H121-3
C002401
⾼次励起⼦準位を⽤いたGaNにおける励起⼦の励起・脱励起ダイナミクス解析
〇⽵内 和真1、⼤泉 尚之1、⾺ 蓓1、森⽥ 健1、⽯⾕ 善博1、三宅 秀⼈2、平松 和政2
1.千葉⼤院⼯, 2.三重⼤院⼯
15
15.4
Oral
3/21(⽉) 14:00 14:15
21p-H121-4
C000862
和泉 平1、福地 駿平1、中村 豪仁1、倉井 聡1、三宅 秀⼈2、平松 和政2、〇⼭⽥ 陽⼀1
1.⼭⼝⼤院・理⼯, 2.三重⼤院・⼯
15
15.4
Oral
3/21(⽉) 14:15 14:30
21p-H121-5
C000145
90%を超える電⼦・正孔波動関数の重なり積分を達成可能なAlGaN量⼦井⼾の設計指針
〇⼩島 ⼀信1、⼭崎 芳樹1、古澤 健太郎1、三宅 秀⼈2、平松 和政2、秩⽗ 重英1
1.東北⼤多元研, 2.三重⼤
15
15.4
Oral
3/21(⽉) 14:30 14:45
21p-H121-6
C002582
深紫外AlGaN MQW発光層の放射再結合効率の⼤幅向上
⼤橋 隆宏1、⽩岩 佳⼦1、〇⿃⽻ 隆⼀1
1.東北⼤学⼤学院
15
15.4
Oral
3/21(⽉) 14:45 15:00
21p-H121-7
C002649
深紫外AlGaN MQW発光層のCL強度マップ温度依存性
⼤橋 隆宏1、⽩岩 佳⼦1、〇⿃⽻ 隆⼀1
1.東北⼤学⼤学院 環境科学研究科
15
15.4
Oral
3/21(⽉) 15:00 15:15
15
15.4
Oral
3/21(⽉) 15:15 15:30
21p-H121-8
C000675
〇(M1)南 琢⼈1、⼩島 ⼀信2、繁太 坂井1、秩⽗ 重英2、⼭⼝ 敦史1
1.⾦沢⼯⼤, 2.東北⼤多元研
15
15.4
Oral
3/21(⽉) 15:30 15:45
21p-H121-9
C002808
微傾斜(0001)サファイア基板上に作製したAlGaN量⼦細線構造における輻射再結合過程の増強
〇早川 峰洋1、林 佑樹1、市川 修平1、船⼾ 充1、川上 養⼀1
1.京⼤院⼯
15
15.4
Oral
3/21(⽉) 15:45 16:00
21p-H121-10 C003449
AlGaN多重量⼦井⼾成⻑におけるAlNバッファ層の効果
〇藤⽥ 直宏1、三宅 秀⼈1, 2、平松 和政1
1.三重⼤・院⼯, 2.三重⼤・地域イノベ
15
15.4
Oral
AlGaN量⼦井⼾構造における励起⼦分⼦の結合エネルギー
ー混晶障壁層の組成⽐依存性ー
1.千葉⼤院⼯
休憩/Break
組成揺らぎを考慮したAlGaNおよびInGaN量⼦井⼾における光学利得の理論的⽐較
奨
3/21(⽉) 16:00 16:15
21p-H121-11 C001332
m⾯サファイア基板上半極性AlGaN/AlN層の結晶成⻑とドーピング及び量⼦井⼾発光特性
〇(M1)⼤島 ⼀晟1, 2、定 昌史1、前⽥ 哲利1、鎌⽥ 憲彦2、平⼭ 秀樹1
1.理研, 2.埼⽟⼤
15
15.4
Oral
3/21(⽉) 16:15 16:30
21p-H121-12 C000125
無極性m⾯AlGaN/GaN量⼦井⼾サブバンド間吸収の温度特性
〇⼩⾕ 晃央1, 2, 3、有⽥ 宗貴1、荒川 泰彦1, 2
1.東⼤ナノ量⼦, 2.東⼤⽣研, 3.シャープ
15
15.4
Oral
3/21(⽉) 16:30 16:45
15
15.4
Oral
3/21(⽉) 16:45 17:00
21p-H121-13 C001476
奨
AlGaN成⻑⽤表⾯窒化α-(AlGa)2O3基板の極微構造評価と熱的安定性評価
〇武⾺ 輝1、増⽥ 直1、荒⽊ 努1、名⻄ 憓之1、織⽥ 真也2、⼈羅 俊実2
1.⽴命館⼤, 2.FLOSFIA
15
15.4
Oral
3/21(⽉) 17:00 17:15
21p-H121-14 C002826
奨
アニール処理AlN下地層上AlGaN/AlN-MQWの光学特性
〇袴⽥ 淳哉1、草深 敏匡1、千賀 崇史1、岩⾕ 素顕1、⽵内 哲也1、上⼭ 智1、三宅 秀⼈2、⾚崎 勇1, 3
1.名城⼤・理⼯, 2.三重⼤・⼯, 3.名古屋⼤・⾚崎記念研究センター
15
15.4
Oral
3/21(⽉) 17:15 17:30
21p-H121-15 C002628
奨
AlGaN多重量⼦井⼾構造のレーザ発振特性のSi濃度依存性
〇千賀 崇史1、永⽥ 訓章1、岩⾕ 素顕1、⽵内 哲也1、上⼭ 智1、⾚﨑 勇1, 2
1.名城⼤・理⼯, 2.名古屋⼤・⾚﨑記念研究センター
15
15.4
Oral
3/21(⽉) 17:30 17:45
21p-H121-16 C001306
AlGaN Deep UV LEDの光取り出し効率向上の検討
〇丹⽻ 紀隆1、稲津 哲彦2、⼀ノ倉 啓慈2、ペルノ シリル2、友澤 秀征1、⽯⿊ 永孝2、縄⽥ 晃史3、須崎 泰正3、本⽥ 善央4、天野 浩4
1.⽇機装, 2.⽇機装技研, 3.SCIVAX, 4.名⼤未来研
15
15.4
Oral
3/21(⽉) 17:45 18:00
21p-H121-17 C002822
窒化物半導体HFET型光センサの温度特性
〇⽜⽥ 彩希1、吉川 陽1, 3、⼭本 雄磨1、奥村 俊紀1、岩⾕ 素顕1、上⼭ 智1、⽵内 哲也1、⾚﨑 勇1, 2
1.名城⼤・理⼯, 2.名古屋⼤・⾚﨑記念研究センター, 3.旭化成
15
15.4
Oral
3/22(⽕)
8:45
9:00
22a-H121-1
C000828
(0001)⾯AlGaN/AlNヘテロ構造におけるすべり系と格⼦緩和モデル
〇(DC)市川 修平1、船⼾ 充1、川上 養⼀1
1.京⼤院⼯
15
15.4
Oral
3/22(⽕)
9:00
9:15
22a-H121-2
C000829
AlGaN系ヘテロ構造における格⼦不整転位の導⼊箇所制御
〇(DC)市川 修平1、熊本 恭介1、船⼾ 充1、川上 養⼀1
1.京⼤院⼯
15
15.4
Oral
3/22(⽕)
9:15
9:30
22a-H121-3
C002788
その場観察技術を⽤いたMOVPE法で作製するAlGaN/GaNヘテロ構造の観察
〇⼤⾓ 純也1、⾦⼭ 亮介1、髙⻄ 徹1、岩⾕ 素顕1、⽵内 哲也1、上⼭ 智1、⾚﨑 勇1, 2
1.名城⼤・理⼯, 2.名古屋⼤・⾚﨑記念研究センター
15
15.4
Oral
3/22(⽕)
9:30
9:45
22a-H121-4
C003438
AlN成⻑のための空気中アニールによるc⾯サファイアの原⼦ステップ形成
〇⽟置 真哉1、鈴⽊ 周平1、三宅 秀⼈1, 2、平松 和政1
1.三重⼤・院⼯, 2.三重⼤・地域イノベ
15
15.4
Oral
3/22(⽕)
9:45
10:00
22a-H121-5
C003212
Structural quality of AlN epilayer grown on atomic layer deposition (ALD)-Al2O3/ sapphire substrate
〇(PC)RYAN BANAL1, Masataka Imura1, Koide Yasuo1
1.NIMS
15
15.4
Oral
3/22(⽕) 10:00 10:15
15
15.4
Oral
3/22(⽕) 10:15 10:30
22a-H121-6
I000209
15
15.4
Oral
3/22(⽕) 10:30 10:45
22a-H121-7
C003667
15
15.4
Oral
3/22(⽕) 10:45 11:00
22a-H121-8
C003381
15
15.4
Oral
3/22(⽕) 11:00 11:15
22a-H121-9
C003096
15
15.4
Oral
3/22(⽕) 11:15 11:30
22a-H121-10 C002559
15
15.4
Oral
3/22(⽕) 11:30 11:45
22a-H121-11 C001315
15
15.4
Poster
3/22(⽕)
9:30
11:30
22a-P6-1
C000275
15
15.4
Poster
3/22(⽕)
9:30
11:30
22a-P6-2
15
15.4
Poster
3/22(⽕)
9:30
11:30
15
15.4
Poster
3/22(⽕)
9:30
11:30
15
15.4
Poster
3/22(⽕)
9:30
15
15.4
Poster
3/22(⽕)
15
15.4
Poster
3/22(⽕)
15
15.4
Poster
15
15.4
15
15.4
15
15.4
15
休憩/Break
奨
奨
E
休憩/Break
招
「講演奨励賞受賞記念講演」（15分）
歪補償AlN/AlGaN障壁層による橙⾊InGaN系LEDの発光特性
無極性m⾯AlN基板上へのAlNの流量変調エピタキシ
〇飯⽥ ⼤輔1、芦 深1、平原 颯太1、丹⽻ ⼀将2、上⼭ 智2、⼤川 和宏1
1.東京理⼤・理, 2.名城⼤・理⼯
〇⻄中 淳⼀1、⾕保 芳孝1、⾚坂 哲也1、熊倉 ⼀英1
1.NTT物性研
r⾯サファイア上へのa⾯AlN成⻑におけるバッファ層成⻑温度依存性
〇林 家弘1、三宅 秀⼈1, 2、平松 和政1
1.三重⼤・院⼯, 2.三重⼤・地域イノベ
Growth and characterization of inversion domain reduced semipolar (10\overline{1}3) GaN grown on Si (001) substrate
〇Hojun Lee1, Siyoung Bae1, Kaddour Lekhal1, Akira Tamura1, Manato Deki2, Yoshio Honda2, Hiroshi Amano2, 3
1.Nagoya Univ., 2.CIRFE, 3.ARC
MOVPE法による窒素極性(000-1)⾯InN/GaNダブルヘテロ構造の作製
〇⾚坂 哲也1、林 家弘1、⼭本 秀樹1、熊倉 ⼀英1
1.NTT物性基礎研
r⾯サファイア基板上a⾯GaInN量⼦井⼾構造に関する検討
〇新實 輝⾏1、神野 ⼤樹1、岩⾕ 素顕1、⽵内 哲也1、上⼭ 智1、⾚崎 勇1, 2
1.名城⼤理⼯, 2.名⼤⾚﨑研究記念センター
硬X線光電⼦分光法によるSiN/AlGaN界⾯評価
〇⽥中 政幸1、清井 明1、本⾕ 司1、倉橋 健⼀郎1
1.三菱電機 先端総研
C003405
強制振動⼦法による窒化物混晶の格⼦振動解析（Ⅱ）
〇(M2)南部 卓也1、⼤⼋⽊ 晋1、Md.Sherajul Islam1、橋本 明弘1
1.福井⼤学院⼯
22a-P6-3
C003730
4H-SiC(0001)上エピタキシャルグラフェン基板を⽤いたMOVPE法InNエピタキシャル成⻑
〇⼾松 侑輝1、道幸 雄真1、⽯丸 ⼤樹1、橋本 明弘1
1.福井⼤院⼯
22a-P6-4
C001108
WS2/h-AlNヘテロ構造の電⼦状態
〇太⽥ 優⼀1
1.都産技研
11:30
22a-P6-5
C003267
pin-GaN ダイオードを⽤いたα線検出特性評価
〇有川 卓弥1、杉浦 睦仁1、宇佐美 茂佳2、久志本 真希2、本⽥ 善央2、天野 浩2, 3、三村 秀典4、井上 翼1、⻘⽊ 徹4、中野 貴之1
9:30
11:30
22a-P6-6
C002938
MOVPE法を⽤いたBGaN成⻑における成⻑雰囲気の検討
〇中村 匠1、⽮野 雄⼤1、上⼭ 浩平1、⻘⽊ 徹2、井上 翼1、⼩島 ⼀信3、秩⽗ 重英3、中野 貴之1
1.静岡⼤院, 2.静岡⼤電研, 3.東北⼤多元研
9:30
11:30
22a-P6-7
C002879
GaN-MOVPE両極性同時成⻑における原料拡散に関する検討
〇⼤隅 紀之1、⼋⽊ 裕隆1、久瀬 健太1、井上 翼1、中野 貴之1
1.静岡⼤院
3/22(⽕)
9:30
11:30
22a-P6-8
C002023
⽴体チャネルトランジスタ応⽤に向けたGaN選択成⻑の検討
〇⿊岩 宏紀1、武井 優典1、⾼橋 ⾔緒2、井⼿ 利英2、清⽔ 三聡2、筒井 ⼀⽣1、⾓嶋 邦之1、若林 整1、岩井 洋1
1.東⼯⼤, 2.産総研 先進パワーエレクトロニクス研究センター
Poster
3/22(⽕)
9:30
11:30
22a-P6-9
C002063
NH3分解触媒援⽤MOVPE成⻑InxGa1-xN(x~0.35)のMgドーピング挙動
〇⼭本 ⾼勇1, 2、児⽟ 和樹1, 2、重川 直輝3、松岡 隆志4、葛原 正明1
1.福井⼤, 2.JST-CREST, 3.⼤阪市⼤, 4.東北⼤
Poster
3/22(⽕)
9:30
11:30
22a-P6-10
C002961
MgO微傾斜基板上に作製した⽴⽅晶InNドット配列構造の堆積量依存性
〇⽯井 健⼀1、⼋⽊ 修平1、⽮⼝ 裕之1
Poster
3/22(⽕)
9:30
11:30
22a-P6-11
C002850
MOCVD成⻑したInGaN/GaN MQW太陽電池における外部量⼦効率のwell厚依存性
〇堤 達哉1、加畑 智基1、森 拓磨1、三好 実⼈1、江川 孝志1
1.名⼯⼤
15.4
Poster
3/22(⽕)
9:30
11:30
22a-P6-12
C003276
MOSトランジスタ及び発光素⼦の⼀貫形成に向けたSi / SiO2 / GaN / Sapphire 構造の熱耐性に関する調査
〇(M1C)宇都宮 脩1、⽴原 佳樹1、⼟⼭ 和晃1、⼭根 啓輔1、関⼝ 寛⼈1、岡⽥ 浩2, 1、若原 昭浩1
1.豊技⼤⼯, 2.EIIRIS
15
15.4
Poster
3/22(⽕)
9:30
11:30
22a-P6-13
C003028
イオン注⼊技術を⽤いたプレーナ型GaN-LEDの作製
〇(M1C)上⽉ 誠也1、⼟⼭ 和晃1、⼭根 啓輔1、関⼝ 寛⼈1、岡⽥ 浩2, 1、若原 昭浩1, 2
15
15.4
Poster
3/22(⽕)
9:30
11:30
22a-P6-14
C003182
15
15.4
Poster
3/22(⽕)
9:30
11:30
22a-P6-15
C003130
15
15.4
Poster
3/22(⽕)
9:30
11:30
22a-P6-16
15
15.4
Poster
3/22(⽕)
9:30
11:30
22a-P6-17
15
15.4
Poster
3/22(⽕)
9:30
11:30
22a-P6-18
15
15.4
Poster
3/22(⽕)
9:30
11:30
22a-P6-19
15
15.4
Oral
3/22(⽕) 13:15 13:30
22p-H121-1
I000091
15
15.4
Oral
3/22(⽕) 13:30 13:45
22p-H121-2
C002708
15
15.4
Oral
3/22(⽕) 13:45 14:00
22p-H121-3
C002534
15
15.4
Oral
3/22(⽕) 14:00 14:15
22p-H121-4
C002613
15
15.4
Oral
3/22(⽕) 14:15 14:30
22p-H121-5
C001501
15
15.4
Oral
3/22(⽕) 14:30 14:45
22p-H121-6
C002942
15
15.4
Oral
3/22(⽕) 14:45 15:00
22p-H121-7
C003013
15
15.5
Oral
3/20(⽇)
9:00
9:15
20a-H112-1
15
15.5
Oral
3/20(⽇)
9:15
9:30
20a-H112-2
15
15.5
Oral
3/20(⽇)
9:30
9:45
20a-H112-3
C000889
15
15.5
Oral
3/20(⽇)
9:45
10:00
20a-H112-4
C002082
15
15.5
Oral
3/20(⽇) 10:00 10:15
20a-H112-5
C000211
奨
15
15.5
Oral
3/20(⽇) 10:15 10:30
20a-H112-6
C001219
奨
15
15.5
Oral
3/20(⽇) 10:30 10:45
20a-H112-7
C001193
15
15.5
Oral
3/20(⽇) 10:45 11:00
20a-H112-8
C001208
15
15.5
Oral
3/20(⽇) 11:00 11:15
20a-H112-9
C002871
15
15.5
Oral
3/20(⽇) 11:15 11:30
20a-H112-10 C000374
15
15.5
Oral
3/20(⽇) 13:15 13:30
20p-H112-1
C002678
15
15.5
Oral
3/20(⽇) 13:30 13:45
20p-H112-2
C002732
15
15.5
Oral
3/20(⽇) 13:45 14:00
20p-H112-3
C001177
15
15.5
Oral
3/20(⽇) 14:00 14:15
20p-H112-4
C002513
20p-H112-5
C002686
E
奨
1.静⼤院⼯, 2.名⼤院⼯, 3.⾚﨑リサーチセンター, 4.静⼤電研
1.埼⽟⼤院理⼯
1.豊技⼤⼯, 2.EIIRIS
Highly Efficient AlGaN-Based DUV LED by Introducing of Two Stages n-AlGaN Buffer Layer
〇(D)Noritoshi Maeda1、Tran Tinh1、Masafumi Jo1、Hideki Hirayama1
1.RIKEN
Pico-second Laser epitaxy for GaN regrowth
〇(P)Romualdo Alejandro Ferreyra1, Tomohiro Kazumoto1, Hideki Matsumura1, Asamira Suzuki2, Daisuke Ueda1
1.Kyoto Inst. of Tech., 2.R&D, Panasonic Corp.
C001082
GaN結晶成⻑メカニズムの熱⼒学解析
〇(B)関⼝ ⼀樹1、⽩川 裕規1、⼭本 芳裕1、洗平 昌晃1, 2、⽩⽯ 賢⼆1, 2
1.名⼤院⼯, 2.名⼤未来研
C000776
反応性プラズマ⽀援成膜法により形成したBN膜の構造変化と密着性
〇野間 正男1、⼭下 満2、江利⼝ 浩⼆3、⻑⾕川 繁彦4
C000154
縦型バッチ炉でのLP HVPE GaNエピタキシャル成⻑
〇梅澤 好太1
C001660
RF-MBEを⽤いたSi基板上への窒化物半導体の成⻑
E
招
「講演奨励賞受賞記念講演」（15分）
〇⼩柴 俊1、⽵⼝ 諒1、平城 ⼤輝1、⽯原 健也1、久保 ⽂寿1、藤⽥ 寛⼦1、森下 和博1、⽥中 康弘1、⾼橋 尚志1、鶴町 徳昭1、⾦ 昌秀2、吉⽥ 正
裕2、秋⼭ 英⽂2
1.神港精機株式会社, 2.兵庫県⽴⼯業技術センター, 3.京⼤院⼯, 4.阪⼤産研
1.東京エレクトロン
1.⾹川⼤, 2.東⼤物性研
〇池⼭ 和希1、⼩塚 祐吾1、吉⽥ 翔太朗1、松井 健城1、⾚⽊ 孝信1、岩⼭ 章1、⽵内 哲也1、上⼭ 智1、岩⾕ 素顕1、⾚﨑 勇1, 2
1.名城⼤理⼯, 2.名⼤⾚﨑記念研究セ
〇⾼⻄ 徹1、⼤⾓ 純也1、岩⾕ 素顕1、上⼭ 智1、⽵内 哲也1、⾚﨑 勇1, 2
1.名城⼤・理⼯, 2.名古屋⼤・⾚﨑記念研究センター
温度ステップがあるInGaN/GaN MQW成⻑の反射率変化の解析
〇家近 泰1
1.ﾆｭｰﾌﾚｱﾃｸﾉﾛｼﾞｰ
500 Torrでの、枚葉式⾼速回転MOCVD装置による200 mm Si基板上InGaN/GaN MQWの成膜特性
〇家近 泰1、⽯川 幸孝1、佐藤 裕輔1、⾼橋 英志1
1.ﾆｭｰﾌﾚｱﾃｸﾉﾛｼﾞｰ
InGaN/GaN超格⼦による広帯域発光LEDのスペクトル制御
〇荒川 達哉1、宮島 顕祐2、杉⼭ 正和1、中野 義昭1
奨
組成傾斜GaInNを⽤いた窒化物半導体トンネル接合
〇⾼須賀 ⼤貴1、井野 正貴1、⽵内 哲也1、岩⾕ 素顕1、上⼭ 智1、⾚﨑 勇1, 2
1.名城⼤, 2.名古屋⼤・⾚崎記念研究センター
奨
GaInNトンネル接合とn型GaNSbによる低温p側構造の作製
〇(M1)鈴⽊ 健太1、財部 覚1、⼩森 ⼤資1、⾼須賀 ⼤貴1、⼩出 典克1、⽵内 哲也1、岩⾕ 素顕1、上⼭ 智1、⾚﨑 勇1, 2
1.名城⼤・理⼯, 2.名古屋⼤・⾚﨑記念研究センター
C001264
⾮晶質SixGe1-x/SiO2のAu誘起成⻑に及ぼす圧縮応⼒の影響
〇草野 欽太1、⼯藤 和樹1、坂井 拓也1、本⼭ 慎⼀2、楠⽥ 豊2、古⽥ 真浩2、中 庸⾏3、沼⽥ 朋⼦3、⾼倉 健⼀郎1、⾓⽥ 功1
1.熊本⾼専, 2.サムコ, 3.堀場製作所
C000353
ガラス上Ge薄膜のAg誘起層交換成⻑
〇吉峯 遼太1、都甲 薫1、末益 崇1
1.筑波⼤院
〇甲斐 友樹1、松村 亮1, 2、佐道 泰造1、宮尾 正信1
1.九⼤院システム情報, 2.学振特別研究員
〇酒井 崇嗣1、松村 亮1, 2、佐道 泰造1、宮尾 正信1
1.九⼤院システム情報, 2.学振特別研究員
〇茂藤 健太1、松村 亮1, 2、佐道 泰造1、池上 浩1、宮尾 正信1
1.九⼤院システム情報, 2.学振特別研究員
固相成⻑によるC媒介Ge量⼦ドット形成へのGe堆積温度の効果
〇(B)武島 開⽃1、伊藤 友樹2、川島 知之2、鷲尾 勝由2
1.東北⼤⼯, 2.東北⼤院⼯
奨
Si(100)基板上C媒介Ge量⼦ドットの低温固相成⻑
〇(D)伊藤 友樹1、武島 開⽃2、川島 知之1, 2、鷲尾 勝由1, 2
1.東北⼤学院⼯, 2.東北⼤⼯
奨
C-Si反応を利⽤したGe量⼦ドット形成におけるC堆積量の最適化
〇安⽥ 康佑1、佐藤 佑紀2、伊藤 友樹2、川島 知之2、鷲尾 勝由2
1.東北⼤⼯, 2.東北⼤院⼯
液浸ラマン分光法によるSi基板上歪Si:C薄膜に印加された応⼒評価
〇⼭本 章太郎1、武内 ⼀真1、⽯原 聖也1、⼩椋 厚志1
イオン注⼊を利⽤した圧縮歪みSi/緩和Si1-xCxヘテロ構造の作製におけるイオン注⼊条件の検討
〇有澤 洋1、澤野 憲太郎2、宇佐美 徳隆1
1.名古屋⼤, 2.東京都市⼤
GeSiSn/GeSn/GeSiSn⼆重ヘテロ構造の結晶性に対するGeSiSn層の歪の影響
〇福⽥ 雅⼤1、⼭⽻ 隆1, 2、浅野 孝典1, 2、藤浪 俊介1、志村 洋介1、⿊澤 昌志1, 3、中塚 理1、財満 鎭明1, 3
1.名古屋⼤院⼯, 2.学振特別研究員, 3.名古屋⼤未来研
奨
歪制御によるGeSn系混晶薄膜中Sn原⼦の熱的安定化
〇志村 洋介1、浅野 孝典1, 2、⼭⽻ 隆1, 2、中塚 理1、財満 鎭明1, 3
1.名古屋⼤院⼯, 2.学振特別研究員, 3.名古屋⼤未来研
奨
液浸ラマン分光法による歪Ge1-xSnxのフォノン変形ポテンシャル導出
〇武内 ⼀真1、須⽥ 耕平1、⼭本 章太郎1、横川 凌1、⼩椋 厚志1
1.明治⼤理⼯
奨
分⼦動⼒学法および分⼦軌道法を⽤いたSiGe混晶内のフォノン再現に関する考察
〇富⽥ 基裕1, 2, 3、⼩椋 厚志2、渡邉 孝信1
1.早⼤理⼯, 2.明⼤理⼯, 3.学振特別研究員PD
奨
選択的イオン注⼊法で作製した⼀軸性歪Geの異⽅性応⼒評価
〇⼭本 章太郎1、武内 ⼀真1、⼩瀬村 ⼤亮1、此島 詩織2、澤野 憲太郎2、⼩椋 厚志1
1.明治⼤理⼯, 2.都市⼤総研
〇⽝塚 雄貴1、池 進⼀1, 2、鷲津 智也1、⽵内 和歌奈1、志村 洋介1、今井 康彦3、⽊村 滋3、中塚 理1、財満 鎭明1, 4
1.名古屋⼤院⼯, 2.学振特別研究員, 3.JASRI, 4.名古屋⼤未来研
15
15.5
Oral
3/20(⽇) 14:15 14:30
15
15.5
Oral
3/20(⽇) 14:30 14:45
15
15.5
Oral
3/20(⽇) 14:45 15:00
20p-H112-6
C003484
15
15.5
Oral
3/20(⽇) 15:00 15:15
20p-H112-7
C002604
15
15.5
Oral
3/20(⽇) 15:15 15:30
20p-H112-8
C003512
15
15.5
Oral
3/20(⽇) 15:30 15:45
20p-H112-9
C002590
15
15.5
Oral
3/20(⽇) 15:45 16:00
20p-H112-10 C000129
15
15.5
Oral
3/20(⽇) 16:00 16:15
20p-H112-11 C000142
15
15.5
Oral
3/20(⽇) 16:15 16:30
20p-H112-12 C000191
15
15.5
Poster
3/21(⽉) 13:30 15:30
21p-P9-1
C000638
15
15.5
Poster
3/21(⽉) 13:30 15:30
21p-P9-2
15
15.5
Poster
3/21(⽉) 13:30 15:30
15
15.5
Poster
3/21(⽉) 13:30 15:30
奨
n型AlInN/GaN DBRを有する微⼩共振器LED
半極性(10-11)⾯⾃⽴GaN基板上GaInNの成⻑機構の解析
低温固相成⻑法によるa-GeSn/絶縁膜構造の⾼移動度化
-GeSnの膜厚効果絶縁基板上におけるa-GeSnの⾦属誘起低温成⻑
-横⽅向成⻑によるGeへのSnドーピング繰り返しレーザーアニール法による⾮晶質GeSn/絶縁膜の⾮熱平衡成⻑
ー 過飽和Sn濃度の冷却速度依存性 ー
1.東⼤⼯, 2.東京理⼤理
1.明治⼤学
休憩/Break
奨
マイクロ回折法によるMOCVD-Ge1­xSnx/Ge細線構造内部の局所歪量評価
X線マイクロ回折による⾼Ge組成SiGe／組成傾斜層の結晶性断層マッピング解析
〇志⽥ 和⼰1、⽵内 正太郎1、今井 康彦2、⽊村 滋2、酒井 朗1
1.阪⼤院基礎⼯, 2.JASRI/SPring-8
MOCVD法を⽤いたin situ PドープGe薄膜のエピタキシャル成⻑
〇池 進⼀1, 2、志村 洋介1、⽵内 和歌奈1、中塚 理1、財満 鎭明1, 3
1.名古屋⼤院⼯, 2.学振特別研究員, 3.名古屋⼤未来研
固相成⻑により単結晶Si基板上に結晶SiGe薄膜のエピタキシャル成⻑に関する検討
〇(M1)ハムド アラー1、⿊岩 杏太1、⾦⼦ 哲也1、磯村 雅夫1
1.東海⼤院⼯
原⼦ステップc⾯サファイア基板上Ge(111)薄膜成⻑の検討
〇河⼝ ⼤和1、伊藤 友樹1、川島 知之1、鷲尾 勝由1
1.東北⼤院⼯
TLZ法を利⽤した均⼀組成バルクSiGe結晶（1）⼤⼝径化と⾼品質化
〇⽊下 恭⼀1、荒井 康智1
1.宇宙航空研究開発機構
TLZ法を利⽤した均⼀組成バルクSiGe結晶（2）移動度評価
〇前⽥ ⾠郎1、服部 浩之1、Chang Wen Hsin1、⽊下 恭⼀2、荒井 康智2
1.産業技術総合研究所, 2.宇宙航空研究開発機構
太陽電池⽤C，Sn添加Si結晶における原⼦配置の第⼀原理計算
〇豊崎 兼⼈1、末岡 浩治1
1.岡⼭県⼤院情報系⼯
C001770
エックス線吸収微細構造（XAFS）法によるMOCVD成⻑ゲルマニウムスズ（GeSn）薄膜の局所構造評価
〇⾅⽥ 宏治1、吉⽊ 昌彦1、須⽥ 耕平2、⼩椋 厚志2、富⽥ 充裕1
1.東芝, 2.明治⼤学
21p-P9-3
C002672
スパッタエピタキシー法を⽤いたGe基板上へのGeSiSn薄膜の形成
〇⽻⽥ ⼀暁1、塚本 貴広1、広瀬 信光2、笠松 章史2、三村 ⾼志2、松井 敏明2、須⽥ 良幸1
1.東京農⼯⼤院⼯, 2.情報通信研究機構
21p-P9-4
C001758
フレキシブル基板上のめっき法Ge膜のCu誘起低温多結晶化
〇内⽥ 恭敬1、舩⼭ 朋⼦1、⽊暮 嘉明1、葉 ⽂昌2
1.帝京科学⼤, 2.島根⼤総理⼯
奨
2016年春季講演会(東⼯⼤⼤岡⼭キャンパス)プログラム
⼤分類 中分類
形式
講演⽇
開始
終了
【1⽉28⽇(⽊)更新】暫定版からの更新箇所は⾚字になっております。
講演番号
受付番号
奨励賞 英語 招待
41 / 52 ページ
※会場、時間が変更になった場合は該当の⽅にご連絡いたします。
講演タイトル
著者
所属機関
15
15.5
Poster
3/21(⽉) 13:30 15:30
21p-P9-5
C003037
〇(M2)松尾 拓哉1、澤野 憲太郎1
1.都市⼤総研
15
15.5
Poster
3/21(⽉) 13:30 15:30
21p-P9-6
C003025
Investigation of Σ3 Generation on Random Grain Boundary in Multicrystalline Silicon
〇(P)Xianjia Luo1, Jun Chen1, Takashi Sekiguchi1
1.National Institute for Materials Science (NIMS)
15
15.5
Poster
3/21(⽉) 13:30 15:30
21p-P9-7
C001257
微傾斜基板を⽤いた伸張歪みSi/緩和SiGe/Si(110)ヘテロ構造のモフォロジー及び素⼦特性
〇宇津⼭ 直⼈1、佐藤 圭1、⼭⽥ 崇峰1、有元 圭介1、⼭中 淳⼆1、中川 清和1、原 康介1、宇佐美 徳隆2、澤野 憲太郎3
15
15.5
Poster
3/21(⽉) 13:30 15:30
21p-P9-8
C002846
伸張歪みSi/SiGe/Si(110)ヘテロ構造中のmicrotwinが表⾯モフォロジーに及ぼす影響
〇佐藤 圭1
1.⼭梨⼤学
15
15.5
Poster
3/21(⽉) 13:30 15:30
21p-P9-9
C003780
Formation of Large-grain polycrystalline Si Layer on Quartz by Al-induced Crystallization for Thin-Film Solar Cells
Joko Suwardy1, 2, Thiyagu Subramani2, 〇Wipakorn Jevasuwan2, Kaoru Toko1, Takashi Suemasu1, Naoki Fukata1, 2
1.Univ. of Tsukuba, 2.NIMS
15
15.6
Oral
3/20(⽇)
9:00
9:15
20a-H101-1
C002400
Cr溶媒を⽤いたSiC溶液成⻑におけるSiC過飽和度と成⻑速度の関係
〇宮坂 遼1、鳴海 ⼤翔1、川⻄ 咲⼦2, 3、佐々⽊ 秀顕2、吉川 健2、前⽥ 正史2
15
15.6
Oral
3/20(⽇)
9:15
9:30
20a-H101-2
C003001
SiC溶液法における溶媒への⾦属添加による炭素溶解度変化の熱⼒学計算
〇(B)畑佐 豪記1、原⽥ 俊太1、⽥川 美穂1、村⼭ 健太1、加藤 智久2、宇治原 徹1
1.名⼤, 2.産総研
15
15.6
Oral
3/20(⽇)
9:30
9:45
20a-H101-3
C002207
SiC溶液成⻑時のスパイラル成⻑とステップの競合過程のその場観察
〇川⻄ 咲⼦1, 2、吉川 健1
1.東⼤⽣研, 2.東北⼤多元研
15
15.6
Oral
3/20(⽇)
9:45
10:00
20a-H101-4
C001523
SiC溶液成⻑における基底⾯転位と表⾯モフォロジーの関係
〇堀 司紗1、村⼭ 健太1、原⽥ 俊太1、肖 世⽟1、⽥川 美穂1、宇治原 徹1
15
15.6
Oral
3/20(⽇) 10:00 10:15
20a-H101-5
C001889
4H-SiC溶液成⻑におけるステップ形状によるTED変換率向上
〇関 和明1、楠 ⼀彦1、海藤 宏志1、森⼝ 晃治1、⻲井 ⼀⼈2
15
15.6
Oral
3/20(⽇) 10:15 10:30
20a-H101-6
C003150
溶液法による4H-SiCバルク結晶成⻑と結晶品質評価
15
15.6
Oral
3/20(⽇) 10:30 10:45
15
15.6
Oral
3/20(⽇) 10:45 11:00
20a-H101-7
C003448
15
15.6
Oral
3/20(⽇) 11:00 11:15
20a-H101-8
C000918
15
15.6
Oral
3/20(⽇) 11:15 11:30
20a-H101-9
C000333
15
15.6
Oral
3/20(⽇) 11:30 11:45
20a-H101-10 C000794
15
15.6
Oral
3/20(⽇) 13:15 13:30
20p-H101-1
C001691
Si(001)上の3C-SiCエピ膜形成および積層⽋陥⽣成過程の断⾯TEM解析
〇⼭崎 順1、⽯⽥ 篤志2、秋⼭ 賢輔3、平林 康男3
1.阪⼤電顕セ, 2.名⼤⼯, 3.神奈川県産技セ
15
15.6
Oral
3/20(⽇) 13:30 13:45
20p-H101-2
C000087
超⾼耐圧パワーデバイス⽤4H-SiC C⾯エピタキシャル成⻑の検討
〇⻄尾 譲司1, 2、櫛部 光弘1, 2、浅⽔ 啓州2, 3、北井 秀憲2、児島 ⼀聡2
1.東芝 研開センター, 2.産総研, 3.ローム
15
15.6
Oral
3/20(⽇) 13:45 14:00
20p-H101-3
C000867
4H-SiC C⾯ on-axis基板上のスパイラル成⻑
〇升本 恵⼦1、⿑藤 新吾1、児島 ⼀聡1、加藤 智久1、奥村 元1
1.産総研
15
15.6
Oral
3/20(⽇) 14:00 14:15
20p-H101-4
C000200
電位コントラスト法による4H-SiCエピタキシャル層の拡張⽋陥観察
〇⽊村 嘉伸1、津野 夏規1、沖野 泰之1、⽑利 友紀1、⼤野 俊之1、⼭⽥ 廉⼀1
1.⽇⽴研究開発グループ
15
15.6
Oral
3/20(⽇) 14:15 14:30
20p-H101-5
C002148
4H-SiCにおける表⾯再結合速度の解析制度向上
〇⼩濱 公洋1、加藤 正史1、市村 正也1
1.名⼯⼤
15
15.6
Oral
3/20(⽇) 14:30 14:45
20p-H101-6
C001358
⽔溶液と接触した4H-SiCにおける表⾯再結合
〇市川 義⼈1、加藤 正史1、市村 正也1
1.名⼯⼤
15
15.6
Oral
3/20(⽇) 14:45 15:00
20p-H101-7
C002499
p型SiCの電気化学エッチングにおける酸化物除去過程についての考察
〇榎薗 太郎1、⽊本 恒暢1、須⽥ 淳1
1.京⼤⼯
15
15.6
Oral
3/20(⽇) 15:00 15:15
15
15.6
Oral
3/20(⽇) 15:15 15:30
15
15.6
Oral
3/20(⽇) 15:30 15:45
15
15.6
Oral
3/20(⽇) 15:45 16:00
20p-H101-10 C002838
15
15.6
Oral
3/20(⽇) 16:00 16:15
20p-H101-11 C001200
奨
15
15.6
Oral
3/20(⽇) 16:15 16:30
20p-H101-12 C001313
奨
15
15.6
Oral
3/20(⽇) 16:30 16:45
20p-H101-13 C002313
奨
15
15.6
Oral
3/20(⽇) 16:45 17:00
20p-H101-14 C001952
15
15.6
Oral
3/20(⽇) 17:00 17:15
15
15.6
Oral
3/20(⽇) 17:15 17:30
20p-H101-15 C001964
15
15.6
Oral
3/20(⽇) 17:30 17:45
20p-H101-16 C001956
15
15.6
Oral
3/20(⽇) 17:45 18:00
15
15.6
Oral
3/20(⽇) 18:00 18:15
15
15.6
Oral
3/20(⽇) 18:15 18:30
15
15.6
Oral
3/20(⽇) 18:30 18:45
15
15.6
Oral
3/20(⽇) 18:45 19:00
15
15.6
Oral
3/21(⽉)
9:00
9:15
21a-H101-1
15
15.6
Oral
3/21(⽉)
9:15
9:30
21a-H101-2
15
15.6
Oral
3/21(⽉)
9:30
9:45
15
15.6
Oral
3/21(⽉)
9:45
15
15.6
15
15.6
貼り合わせ法による⼀軸性歪みSiGe-on-Insulator(SGOI)の作製
E
E
奨
〇楠 ⼀彦1、関 和明1、岸⽥ 豊1、海藤 宏志1、森⼝ 晃治1、岡⽥ 信宏1、⼤⿊ 寛典2、加渡 幹尚2、⼟井 雅喜2、旦野 克典2、関 章憲2、佐藤 和明
2、別所 毅2、原⽥ 俊太3、宇治原 徹3
1.⼭梨⼤クリスタル研, 2.名古屋⼤, 3.東京都市⼤総研
1.東⼤⼯, 2.東⼤⽣研, 3.東北⼤多元研
1.名⼤院⼯
1.新⽇鐵住⾦, 2.早稲⽥⼤学
1.新⽇鐵住⾦, 2.トヨタ⾃動⾞, 3.名⼤
休憩/Break
奨
複屈折観察による単結晶4H-SiC基板の結晶転位の評価
〇⽵中 研介2、加藤 智久1、松永 達也1、武井 学2、⽶澤 喜幸1、奥村 元1
EBSD-Wilkinson法によるSiCウェハ加⼯変質層の局所歪み解析
〇着本 享1, 2、伊勢 ⽴彦1, 3、橋本 哲2、櫻⽥ 委⼤2、先崎 純寿1、加藤 智久1、児島 ⼀聡1
4H-SiC基板の⼆波⻑励起PL測定－BGE強度依存性－
〇近藤 圭太郎1、福⽥ 武司1、本多 善太郎1、鎌⽥ 憲彦1、⼋⽊ 修平1、⽮⼝ 裕之1
プロトンマイクロビーム照射によるSiC中の発光中⼼の形成
奨
奨
〇本多 智也1, 2、Kraus Hannes2, 3、加⽥ 渉4、⼩野⽥ 忍2、春⼭ 盛善2, 4、佐藤 隆博2、江夏 昌志2、神⾕ 富裕2、川端 駿介2, 4、三浦 健太4、
花泉 修4、⼟⽅ 泰⽃1、⼤島 武2
1.産総研, 2.富⼠電機
1.産総研, 2.JFEテクノリサーチ, 3.旭ダイヤモンド⼯業
1.埼⽟⼤⼯
1.埼⽟⼤学, 2.原⼦⼒機構, 3.Würzburg⼤学, 4.群⾺⼤学
休憩/Break
20p-H101-8
C002461
20p-H101-9
C001489
エピタキシャル基板を使⽤した4H-SiC MOS窒化界⾯のESR評価
奨
〇梅⽥ 享英1、⿅児⼭ 陽平1、奥⽥ 貴史2、須⽥ 淳2、⽊本 恒暢2、⼩杉 亮治3、岡本 光央3、原⽥ 信介3
1.筑波⼤数物, 2.京⼤, 3.産総研
超⾼次⾮線形誘電率顕微鏡法を⽤いた局所DLTS法の提案とSiO2/SiC界⾯評価への応⽤
〇茅根 慎通1、⼩杉 亮治2、⽥中 保宣3、原⽥ 信介2、奥村 元2、⻑ 康雄1
1.東北⼤, 2.産総研, 3.内閣府
超⾼温酸化と急速冷却によるSiC-MOS 界⾯特性改善
〇染⾕ 満1, 2、永井 ⼤介1、細井 卓治1、志村 考功1、渡部 平司1
1.阪⼤院⼯, 2.富⼠電機
広温度範囲にわたる4H-SiC熱酸化反応の⾯⽅位依存性の検証
〇(M2)永井 ⼤介1、染⾕ 満1, 2、細井 卓治1、志村 考功1、渡部 平司1
1.阪⼤院⼯, 2.富⼠電機
Thermal oxidation enhancement using barium on 4H-SiC(0001) substrates
〇(PC)Atthawut Chanthaphan1, Yoshihito Katsu1, Takuji Hosoi1, Takayoshi Shimura1, Heiji Watanabe1
1.Osaka Univ.
SiC MOSデバイスにおけるゲートリーク伝導機構と正孔捕獲挙動の相関
〇勝 義仁1、チャンタパン アタウット1、細井 卓治1、志村 考功1、渡部 平司1
1.阪⼤院⼯
4H-SiC MOSキャパシタ界⾯近傍における電⼦と正孔の膜中トラップ密度分布の⽐較
〇藤野 雄貴1、喜多 浩之1
1.東⼤院⼯
4H-SiC C⾯における⾼温・低O2分圧下ドライ酸化によるMOS界⾯特性の制御
〇梶房 裕之1、喜多 浩之1
1.東⼤院⼯
奨
4H-SiC MOSFET移動度に対する熱酸化による基板特性劣化とダメージ層除去効果の競合
〇平井 悠久1、作⽥ 良太1、喜多 浩之1
1.東⼤院⼯
20p-H101-17 C000065
奨
SiC MOS反転層におけるホール移動度のｐ型アクセプタ濃度依存性
〇野⼝ 宗隆1、岩松 俊明1、網城 啓之1、渡邊 寛1、中⽥ 修平1、⿊岩 丈晴1、喜多 浩之2、⼭川 聡1
1.三菱電機, 2.東⼤⼯
20p-H101-18 C002912
奨
界⾯準位密度を考慮したSiC-MOSFET伝達特性モデルの構築
〇国崎 愛⼦1、⻑⾕川 淳⼀1、岩崎 孝之1、野⼝ 宗隆2、古橋 壮之2、渡邊 寛2、中⽥ 修平2、⼩寺 哲夫1、波多野 睦⼦1
1.東⼯⼤, 2.三菱電機先端総研
20p-H101-19 C000778
SiC-MOSFETのSPICE⽤ドレイン電流モデル
〇鶴留 亮太1、⼭崎 武1、前川 凌雅1、濱 雄介1、村上 英⼀1
1.九産⼤⼯
20p-H101-20 C001383
実動作に則した閾値電圧変動の動的評価
〇岡本 光央1、染⾕ 満1, 2、原⽥ 信介1、⽮野 裕司3、奥村 元1
1.産総研, 2.富⼠電機, 3.筑波⼤学
20p-H101-21 C002539
SiC-MOSFETのスイッチング動作による劣化(AC-PBTI)
〇古市 貴⼤1、交易場 良輔1、靏 爽稀1、村上 英⼀1
1.九州産業⼤学
C003384
AR-XPSによる4H-SiC (0001) on-Axis, 4° Off-Axis基板の初期酸化過程の解明
〇荒井 仁1、豊⽥ 涼⾺1、礒橋 藍2、佐野 泰久2、野平 博司1
1.東京都市⼤⼯, 2.阪⼤院⼯
C003761
ウェット酸化により形成したSiO2/4H-SiCの電⼦状態評価 (II)
〇渡辺 浩成1、⼤⽥ 晃⽣1、藤村 信幸1、牧原 克典1、宮崎 誠⼀1
1.名古屋⼤学
21a-H101-3
C001831
光電⼦回折によるSiC(000-1)/SiO2界⾯の窒素の局所構造解析
〇森 ⼤輔1、広瀬 隆之1、⼤⼭ 悦輝2、松井 ⽂彦2
1.富⼠電機株式会社, 2.奈良先端⼤
10:00
21a-H101-4
C001958
Oral
3/21(⽉) 10:00 10:15
21a-H101-5
C002746
Oral
3/21(⽉) 10:15 10:30
21a-H101-6
C002873
E
休憩/Break
4H-SiC m⾯上に形成された熱酸化膜の界⾯近傍における
〇⿊⼭ 滉平1、平井 悠久1、⼭本 建策2、⾦村 髙司2、喜多 浩之1
1.東京⼤⼯, 2.デンソー
SiC熱酸化膜における界⾯近傍の膜質評価
〇永井 ⿓1、飯塚 望1、蓮沼 隆1、⼭部 紀久夫1
1.筑波⼤
SiC熱酸化膜のステップエッチングによる表⾯ラフネス増加
永井 ⿓1、〇飯塚 望1、蓮沼 隆1、⼭部 紀久夫1
1.筑波⼤
SiCのWet酸化に伴う酸化膜表⾯および界⾯のラフネス増加
微視的構造の特徴の⾚外分光法による解析
15
15.6
Oral
3/21(⽉) 10:30 10:45
21a-H101-7
C003220
〇川村 浩晃1、永井 ⿓1、蓮沼 隆1、⼭部 紀久夫1
1.筑波⼤
15
15.6
Oral
3/21(⽉) 10:45 11:00
15
15.6
Oral
3/21(⽉) 11:00 11:15
21a-H101-8
C003024
奨
堆積薄膜へのレーザ照射による4H-SiCへのAlのドーピング特性
〇⾓名 陸歩1、池⽥ 晃裕1、池上 浩1、浅野 種正1
1.九⼤シ情
15
15.6
Oral
3/21(⽉) 11:15 11:30
21a-H101-9
C002122
奨
レーザアニールによる4H-SiC C⾯上のTi-Si-Cオーミックコンタクトの形成
〇ミランタ デシルワ1、川崎 輝尚2、吉川 公麿1、⿊⽊ 伸⼀郎1
1.広島⼤学ナノデバイス, 2.住友重⼯
15
15.6
Oral
3/21(⽉) 11:30 11:45
21a-H101-10 C000098
WC電極とW2C電極によるSiCショットキーダイオードの電気特性評価
〇(M1)鈴⽊ 智之1、若林 整1、筒井 ⼀⽣1、岩井 洋1、⾓嶋 邦之1
1.東⼯⼤総理⼯
15
15.6
Oral
3/21(⽉) 11:45 12:00
21a-H101-11 C000696
界⾯顕微光応答法によるNi/p-3C-SiCショットキー接触の2次元評価
〇新郷 正⼈1、市川 尚澄2、加藤 正史2、塩島 謙次1
1.福井⼤院⼯, 2.名⼯⼤院⼯
15
15.6
Poster
3/21(⽉) 13:30 15:30
21p-P10-1
C000136
リアクタ部品表⾯保護膜物質の三フッ化塩素によるエッチング速度
塩⽥ 耕平1、〇⽻深 等1、深江 功也2
1.横浜国⼤院⼯, 2.関東電化
15
15.6
Poster
3/21(⽉) 13:30 15:30
21p-P10-2
C000599
Si雰囲気アニール法によるSiCトレンチ構造形状制御
〇⽮吹 紀⼈1、⿃⾒ 聡1、野上 暁1、⾦⼦ 忠昭2、北畠 真1
1.東洋炭素, 2.関学⼤理⼯
15
15.6
Poster
3/21(⽉) 13:30 15:30
21p-P10-3
C002420
4H-SiC光電極を⽤いたCO2還元への助触媒効果
〇⾚⽻ 俊之輔1、佐原 豪1、市川 尚澄2、加藤 正史2、前⽥ 和彦1、岩崎 孝之1、⼩寺 哲夫1、波多野 睦⼦1
1.東京⼯業⼤学, 2.名古屋⼯業⼤学
15
15.6
Poster
3/21(⽉) 13:30 15:30
21p-P10-4
C001970
表⾯n型層の形成によるp型3C-SiC光電極の性能向上
〇市川 尚澄1、加藤 正史1、市村 正也1
1.名⼯⼤
15
15.6
Poster
3/21(⽉) 13:30 15:30
21p-P10-5
C002090
界⾯顕微光応答法を⽤いたイオン注⼊n-SiCショットキー接触の2次元評価
〇村瀬 真悟1、三島 友義2、中村 徹2、塩島 謙次1
1.福井⼤院⼯, 2.法政⼤
15
15.6
Poster
3/21(⽉) 13:30 15:30
21p-P10-6
C000885
4H-SiC上⾦属多層膜界⾯の⾼温安定性
〇関 伸弥1、村松 哲郎1、菅原 徹1、⻑尾 ⾄成1、菅沼 克昭1
1.阪⼤産研
15
15.6
Poster
3/21(⽉) 13:30 15:30
21p-P10-7
C001174
SiC基板上のニッケルおよびチタン界⾯反応層の構造評価
〇⼩⾦澤 智之1、安野 聡1、⽯丸 哲1, 2
1.⾼輝度光科学研究セ, 2.SPring-8サービス
15
15.6
Poster
3/21(⽉) 13:30 15:30
21p-P10-8
C002187
Al、Nイオン注⼊したSiCのシート抵抗と結晶⽋陥との相関
〇吉⽥ 謙⼀1、前川 順⼦1、川野輪 仁1
1.イオンテクノセンター
15
15.6
Poster
3/21(⽉) 13:30 15:30
21p-P10-9
C002545
SiNx膜レーザーアブレーションによる4H-SiCへの窒素ドーピングと窒素拡散機構に関する研究
〇⼩島 遼太1、池上 浩1、諏訪 輝1、池⽥ 晃裕1、中村 ⼤輔1、浅野 種正1、岡⽥ ⿓雄1
1.九州⼤シス情
15
15.6
Poster
3/21(⽉) 13:30 15:30
21p-P10-10
C003007
フェムト秒レーザー照射によるSiC表⾯周期構造形成メカニズム
〇広瀬 雄治1、江⿓ 修1
1.名⼯⼤
15
15.6
Poster
3/21(⽉) 13:30 15:30
21p-P10-11
C003370
Si/6H-SiC貼り合わせ界⾯における漏れ電流伝導機構
〇袖岡 ⼤輝1、⽊下 博之1、⽯⽥ 秀俊1、吉本 昌広1
1.京都⼯繊⼤
15
15.6
Poster
3/21(⽉) 13:30 15:30
21p-P10-12
C003418
熱処理による4H-SiC/Si HBTの電気特性の改善
〇(M1)清⽔ 彩絵1、梁 剣波1、新井 学2、重川 直輝1
1.⼤阪市⼤⼯, 2.新⽇本無線(株)
15
15.6
Poster
3/21(⽉) 13:30 15:30
21p-P10-13
C003233
4H-SiC(0001)/SiO2 界⾯での⽋陥準位の分布の第⼀原理解析
〇⾦⼦ 智昭1, 2、⼭崎 隆浩1, 2、⽥島 暢夫1, 2, 3、奈良 純1, 2、清⽔ 達雄4、加藤 弘⼀3、⼤野 隆央1, 2, 3
1.物質・材料研究機構, 2.⾼効率電デバコンソ, 3.東⼤⽣産研, 4.東芝研究開発センター
15
15.6
Poster
3/21(⽉) 13:30 15:30
21p-P10-14
C002858
4H-SiC/SiO2界⾯酸化の第⼀原理シミュレーション 〜O2酸化による炭素凝集とCO脱離〜
〇⼭崎 隆浩1, 2、⽥島 暢夫1, 2、⾦⼦ 智昭1, 2、清⽔ 達雄3、加藤 弘⼀4、⼤野 隆央1, 2, 4
1.物材機構, 2.MARCEED, 3.東芝研究開発センター, 4.東⼤⽣産研
15
15.6
Poster
3/21(⽉) 13:30 15:30
21p-P10-15
C002380
アルカリ⼟類⾦属によるSi及び4H-SiCの増殖酸化
〇村岡 幸輔1、瀬崎 洋1, 2、⽯川 誠治1, 2、前⽥ 智徳1, 2、吉川 公麿1、⿊⽊ 伸⼀郎1
1.広島⼤学ナノデバイス, 2.フェニテックセミコンダクター
15
15.6
Poster
3/21(⽉) 13:30 15:30
21p-P10-16
C001376
奨
4H-SiC nMOSFETsによる論理インバータ回路の研究
15
15.6
Poster
3/21(⽉) 13:30 15:30
21p-P10-17
C001263
奨
4H-SiC nMOSFETによるPseudo-CMOS論理インバータの研究
15
15.6
Poster
3/21(⽉) 13:30 15:30
21p-P10-18
C002494
⾼温・⾼湿度雰囲気中γ線照射によりSiC MOSFETsに⽣成される電荷の線量依存
15
15.6
Poster
3/21(⽉) 13:30 15:30
21p-P10-19
C000910
ガンマ線照射耐性におけるSiC-MOSFETの構造最適化
15
15.6
Poster
3/21(⽉) 13:30 15:30
21p-P10-20
C000203
SiC MOSFETのガンマ線照射効果に及ぼすゲートバイアスの影響
15
15.6
Poster
3/21(⽉) 13:30 15:30
21p-P10-21
C002368
フルバンドモンテカルロ法による4H-SiCの⾼電界電⼦輸送シミュレーション
〇藤⽥ 流星1、⼩⻑ 晃輔1、⼩⾕ 岳⽣2、鎌倉 良成1、森 伸也1
1.阪⼤⼯, 2.⿃取⼤⼯
15
15.6
Poster
3/21(⽉) 13:30 15:30
21p-P10-22
C000015
SiCデバイスの⾼速スイッチング時における不完全イオン化による影響のシミュレーション検討
〇海⽼原 洪平1、川原 洸太朗1、渡邊 寛1、中⽥ 修平1、⼭川 聡1
1.三菱電機
15
15.6
Poster
3/21(⽉) 13:30 15:30
21p-P10-23
C003062
ディスクリートSiC-MOSFETのオンゴーイング⾼温放置試験
〇荒⽊ 祥和1、鈴⽊ 達広1、⼭下 真理1、⼤野 俊明2、薬丸 尚志3、澤⽥ 浩紀4、⾕本 智1
15
15.6
Poster
3/21(⽉) 13:30 15:30
21p-P10-24
C001467
低インダクタンスSiCパワー半導体モジュールの製作と解析
〇鈴⽊ 達広1、⼭下 真理1、森 哲也1、⾕本 智1、飯塚 祥太2、新妻 裕太2、⾚津 観2
1.⽇産アーク, 2.芝浦⼯業⼤学
15
15.7
Oral
3/21(⽉)
9:00
9:15
21a-H112-1
C000029
SiCにおける⽋陥誘起ポリタイプの簡単な理解
〇伊藤 智徳1、秋⼭ 亨1、中村 浩次1
1.三重⼤院⼯
15
15.7
Oral
3/21(⽉)
9:15
9:30
21a-H112-2
C002351
InAs/GaAs(001)系界⾯転位形成に関する理論的検討
〇海⽥ 諒1、秋⼭ 亨1、中村 浩次1、伊藤 智徳1
1.三重⼤院⼯
15
15.8
Oral
3/20(⽇)
9:30
9:45
20a-H113-1
C000005
シリコン結晶中の熱平衡点⽋陥︓フレンケル対かショットキー⽋陥か
〇末澤 正志1、飯島 嘉明1、⽶永 ⼀郎1
1.東北⼤⾦研
15
15.8
Oral
3/20(⽇)
9:45
10:00
20a-H113-2
C000006
ヴォロンコフモデルへのコメント（１）ステージ1＆２
〇末澤 正志1、飯島 嘉明1、⽶永 ⼀郎1
1.東北⼤⾦研
15
15.8
Oral
3/20(⽇) 10:00 10:15
20a-H113-3
C000008
ヴォロンコフモデルへのコメント（２）︓不純物効果
〇末澤 正志1、飯島 嘉明1、⽶永 ⼀郎1
1.東北⼤⾦研
15
15.8
Oral
3/20(⽇) 10:15 10:30
20a-H113-4
C000691
CZシリコン結晶の⻑時間成⻑停⽌中に発⽣する格⼦間シリコンの観察
〇阿部 孝夫1、⾼橋 徹1、⽩井 光雲2
1.信越半導体, 2.阪⼤産研
15
15.8
Oral
3/20(⽇) 10:30 10:45
20a-H113-5
C000105
格⼦間酸素が育成中Si単結晶の点⽋陥濃度に与える影響(2)
〇末岡 浩治1、中村 浩三1、ファンヘレモンｔ イアン2
1.岡⼭県⼤情報⼯, 2.ゲント⼤学
15
15.8
Oral
3/20(⽇) 10:45 11:00
20a-H113-6
C001326
n型ドーパント近傍におけるSi空孔クラスターの安定性に関する第⼀原理計算
〇河合 宏樹1、中崎 靖1、⾦村 貴永2
1.東芝研開セ, 2.東芝S&S
休憩/Break
奨
奨
〇(B)⿊瀬 達也1、⿊⽊ 伸⼀郎1、⻑妻 宏郁1、⽯川 誠治2、前⽥ 知徳2、瀬崎 洋2、吉川 公麿1、牧野 ⾼紘3、⼤島 武3、Mikael Ostling4、CarlMikael Zetterling4
〇⻑妻 宏郁1、⿊⽊ 伸⼀郎1、⿊瀬 達也1、⽯川 誠治1, 2、前⽥ 知徳1, 2、瀬崎 洋1, 2、吉川 公麿1、牧野 ⾼紘3、⼤島 武3、Mikael Östling4、
Carl-Mikael Zetterling4
〇武⼭ 昭憲1、松⽥ 拓磨1, 2、横関 貴史1, 2、三友 啓1, 2、村⽥ 航⼀1, 2、牧野 ⾼紘1、⼩野⽥ 忍1、⼤久保 秀⼀3、⽥中 雄季3、神取 幹郎3、吉
江 徹3、⼤島 武1、⼟⽅ 泰⽃2
〇(M1)三友 啓1, 2、松⽥ 拓磨1, 2、村⽥ 航⼀1, 2、横関 貴史1, 2、牧野 ⾼紘2、武⼭ 昭憲2、⼩野⽥ 忍2、⼤島 武2、⼤久保 秀⼀3、⽥中 雄季3、
神取 幹朗3、吉江 徹3、⼟⽅ 泰⽃1
〇(M1)村⽥ 航⼀1, 2、三友 啓1, 2、松⽥ 拓磨1, 2、横関 貴史1, 2、牧野 ⾼紘2、武⼭ 昭憲2、⼩野⽥ 忍2、⼤久保 秀⼀3、⽥中 雄季3、神取 幹郎
3、吉江 徹3、⼤島 武2、⼟⽅ 泰⽃1
1.広島⼤学ナノデバイス, 2.フェニテック社, 3.原⼦⼒研究開発機構, 4.KTH
1.広島⼤学ナノデバイス, 2.フェニテックセミコンダクター(株), 3.⽇本原⼦⼒研究開発機構, 4.KTH Royal Institute of Technology
1.原⼦⼒機構, 2.埼⽟⼤院理⼯研, 3.サンケン電気
1.埼⽟⼤学, 2.⽇本原⼦⼒機構, 3.サンケン電気
1.埼⽟⼤学, 2.原⼦⼒機構, 3.サンケン電気
1.⽇産アーク, 2.ﾉｰﾄﾞｿﾝ･ｱﾄﾞﾊﾞﾝｽ･ﾃｸﾉﾛｼﾞｰ, 3.⽇⽴ﾊﾟﾜｰｿﾘｭｰｼｮﾝｽﾞ, 4.岩通計測
2016年春季講演会(東⼯⼤⼤岡⼭キャンパス)プログラム
⼤分類 中分類
形式
講演⽇
開始
終了
【1⽉28⽇(⽊)更新】暫定版からの更新箇所は⾚字になっております。
講演番号
受付番号
奨励賞 英語 招待
15
15.8
Oral
3/20(⽇) 11:00 11:15
15
15.8
Oral
3/20(⽇) 11:15 11:30
20a-H113-7
C001721
15
15.8
Oral
3/20(⽇) 11:30 11:45
20a-H113-8
C000881
15
15.8
Oral
3/20(⽇) 11:45 12:00
20a-H113-9
C001367
15
15.8
Oral
3/20(⽇) 12:00 12:15
20a-H113-10 C002936
15
15.8
Oral
3/20(⽇) 12:15 12:30
20a-H113-11 C003720
15
15.8
Oral
3/20(⽇) 12:30 12:45
20a-H113-12 C003781
15
15.8
Oral
3/20(⽇) 14:15 14:30
20p-H113-1
C000382
15
15.8
Oral
3/20(⽇) 14:30 14:45
20p-H113-2
C000562
15
15.8
Oral
3/20(⽇) 14:45 15:00
20p-H113-3
C000613
15
15.8
Oral
3/20(⽇) 15:00 15:15
20p-H113-4
C000625
15
15.8
Oral
3/20(⽇) 15:15 15:30
20p-H113-5
C000656
奨
15
15.8
Oral
3/20(⽇) 15:30 15:45
20p-H113-6
C000670
奨
15
15.8
Oral
3/20(⽇) 15:45 16:00
15
15.8
Oral
3/20(⽇) 16:00 16:15
20p-H113-7
C000905
15
15.8
Oral
3/20(⽇) 16:15 16:30
20p-H113-8
C000741
15
15.8
Oral
3/20(⽇) 16:30 16:45
20p-H113-9
C002030
15
15.8
Oral
3/20(⽇) 16:45 17:00
15
15.8
Oral
3/20(⽇) 17:00 17:15
15
15.8
Oral
15
15.8
15
15.8
15
15.8
Poster
15
15.8
15
15.8
15
15
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※会場、時間が変更になった場合は該当の⽅にご連絡いたします。
講演タイトル
著者
所属機関
休憩/Break
箱庭法による半導体諸物性値の算出 -第⼀原理計算と熱統計⼒学をベースにSi結晶中の低濃度炭素の⾚外吸収測定
奨
1.岡⼭県⽴⼤情報⼯, 2.グローバルウェーハズ・ジャパン
1.ｼｽﾃﾑｽﾞｴﾝｼﾞﾆｱﾘﾝｸﾞ, 2.東京農⼯⼤, 3.ﾄﾖﾀ⾃動⾞, 4.豊⽥中研, 5.東ﾚﾘｻｰﾁ, 6.ﾅﾉｻｲｴﾝｽ, 7.住重試験, 8.ﾌﾞﾙｶｰ, 9.⼤阪府⼤
シリコン結晶の⾼感度⾚外吸収と⾚外⽋陥動⼒学（11）照射誘起複合体の挙動の結晶成⻑法依存性
〇井上 直久1, 6、後藤 安則2、杉⼭ 隆英3、関 洋⽂4、渡邉 ⾹5、河村 裕⼀6
1.東京農⼯⼤, 2.トヨタ⾃動⾞, 3.豊⽥中研, 4.東レリサーチ, 5.ｼｽﾃﾑｽﾞｴﾝｼﾞﾆｱﾘﾝｸﾞ, 6.⼤阪府⼤
フォトルミネッセンス法による⾼濃度Si結晶の不純物効果の解析
〇中川 啓1、⽥島 道夫1、⼩椋 厚志1
1.明治⼤
平⾏デュアルレーザビーム法による⾃由キャリアのバルク寿命評価︓ ⾚外レーザビーム屈折の理論
〇⾦⽥ 寛1、⼤村 ⼀郎1
1.九⼯⼤院⼯
平⾏デュアルレーザビーム法による⾃由キャリアのバルク寿命評価︓ 装置構成と平⾏デュアルビームの実現
〇⾦⽥ 寛1、⼤村 ⼀郎1
1.九⼯⼤院⼯
〇栗⽥ ⼀成1、奥⼭ 亮輔1、柾⽥ 亜由美1、⾨野 武1、廣瀬 諒1、古賀 祥泰1、奥⽥ 秀彦1
1.株式会社SUMCO
〇奥⼭ 亮輔1、廣瀬 諒1、柾⽥ 亜由美1、⾨野 武1、古賀 祥泰1、奥⽥ 秀彦1、栗⽥ ⼀成1
1.SUMCO
炭素クラスターイオン注⼊Siエピウェーハの特徴（1）
-デバイス作製⼯程の重⾦属汚染に対するゲッタリング能⼒炭素クラスターイオン注⼊Siエピウェーハの特徴（2）
奨
神⼭ 栄治1, 2、〇末岡 浩治1
〇渡邉 ⾹1、井上 直久2, 9、後藤 安則3、杉⼭ 隆英4、関 洋⽂5、⼤渕 真澄6、鵜野 浩⾏7、藤⼭ 紀之5、嶋⽥ 茂8、河村 裕⼀9
(Ⅷ) 第⼆世代技術による1014 cm­3台の測定とSIMS,放射化
-⽔素に対する注⼊領域の捕獲能⼒炭素クラスターイオン注⼊Siエピウェーハの特徴（３）
〇奥⽥ 秀彦1、廣瀬 諒1、柾⽥ 亜由美1、⾨野 武1、奥⼭ 亮輔1、古賀 祥泰1、栗⽥ ⼀成1
1.SUMCO
〇古賀 祥泰1、栗⽥ ⼀成1
1.（株）SUMCO
〇⾨野 武1、奥⼭ 亮輔1、柾⽥ 亜由美1、廣瀬 諒1、古賀 祥泰1、奥⽥ 秀彦1、栗⽥ ⼀成1
1.株式会社SUMCO
〇廣瀬 諒1、奥⼭ 亮輔1、⾨野 武1、古賀 祥泰1、奥⽥ 秀彦1、栗⽥ ⼀成1、宮本 直樹2
1.株式会社SUMCO, 2.⽇新イオン機器株式会社
Siウェーハにおける傷を起点としたSlip転位発⽣の臨界応⼒
〇藤瀬 淳1、⼩野 敏昭1
1.株式会社 SUMCO
シリコン単結晶の転位増殖に及ぼす酸素の影響
〇福島 航1、⾼ 冰2、原⽥ 博⽂2、宮村 佳児2、中野 智2、柿本 浩⼀1, 2
1.九⼤院⼯, 2.九⼤応⼒研
TEMによるGaN層中の転位芯における原⼦位置解析
〇松原 徹1, 2、杉本 浩平1、河原 慎1、岡⽥ 成仁1、只友 ⼀⾏1
1.⼭⼝⼤, 2.UBE科学分析センター
20p-H113-10 C000682
レーザーアニールSiCの結晶性評価（3）
〇⼭本 秀和1、内盛 瑞記1、マッツァムト フルビオ2、⾦ 鍾得3、⼩野 修⼀4、新井 学4
1.千葉⼯⼤⼯, 2.SCREEN/LASSE, 3.パークシステムズ, 4.新⽇本無線
20p-H113-11 C000497
スキャントポグラフィー法を⽤いたSiCウェハーの定量的な結晶歪みの検出
〇⽶⼭ 明男1、横⼭ 夏樹1、⼭⽥ 廉⼀1
1.⽇⽴製作所
3/20(⽇) 17:15 17:30
20p-H113-12 C001823
⾮弾性X線散乱法によるScNエピタキシャル膜のフォノン分散と寿命
〇内⼭ 裕⼠1、⼤島 祐⼀2、Villora Garcia2、島村 清史2
1.JASRI/SPring8, 2.物材機構
Oral
3/20(⽇) 17:30 17:45
20p-H113-13 C002706
X-Ray Determination of the Structure of Ice Confined in Carbon Nanotubes
〇(PC)Gregory A Pilgrim1, 2, Todd D Krauss1
1.Univ. of Rochester, 2.JSPS International Research Fellow
Poster
3/21(⽉) 13:30 15:30
21p-P11-1
C000152
プロトン照射と⽔素プラズマ処理による単結晶Siのドナー形成
〇清井 明1、川上 剛史1、湊 忠⽞1、多留⾕ 政良1
1.三菱電機
3/21(⽉) 13:30 15:30
21p-P11-2
C000617
Ge単結晶中のドーパントが点⽋陥の形成エネルギーに与える影響
〇⼭岡 俊太1、⼩林 弘治1、末岡 浩治1、ファンヘレモント イアン2
1.岡⼭県⼤院情報系⼯, 2.ゲント⼤学
Poster
3/21(⽉) 13:30 15:30
21p-P11-3
C000634
Si単結晶中の点⽋陥形成に与えるドーパントの影響
〇⼩林 弘治1、⼭岡 俊太1、末岡 浩治1、ファンヘレモント イアン2
1.岡⼭県⼤, 2.ゲント⼤
Poster
3/21(⽉) 13:30 15:30
21p-P11-4
C000639
Si単結晶中のドーパント近傍の⾦属拡散に関する第⼀原理計算
〇⼭⽥ 惇弘1、⽩澤 渉1、末岡 浩治1
1.岡⼭県⽴⼤学
15.8
Poster
3/21(⽉) 13:30 15:30
21p-P11-5
C002074
C3H5クラスターイオン注⼊により形成されるゲッタリングサイトとその安定性
⽩澤 渉1、〇末岡 浩治1
1.岡⼭県⼤院情報系⼯
15.8
Poster
3/21(⽉) 13:30 15:30
21p-P11-6
C000249
4H-SiC中のショックレー型積層⽋陥の起点構造解析
〇中村 勇1、古庄 智明1、⼭本 茂久1
1.三菱電機(株)
15
15.8
Poster
3/21(⽉) 13:30 15:30
21p-P11-7
C001282
⾓度分解トポグラフィーと局所ロッキングカーブ法によるAlイオン注⼊SiC基板の歪状態の観察
〇⾼橋 由美⼦1、平野 馨⼀1、志村 考功2、吉村 順⼀1、⻑町 信治3
1.KEK-PF, 2.⼤阪⼤院⼯, 3.(株)⻑町サイエンスラボ
15
15.8
Poster
3/21(⽉) 13:30 15:30
21p-P11-8
C000450
奨
レーザーアニールSiCの結晶性評価 (2)
〇内盛 瑞記1、マッツァムト フルビオ2、永井 哲也3、中居 克彦3、⼩野 修⼀4、新井 学4、⼭本 秀和1
15
15.8
Poster
3/21(⽉) 13:30 15:30
21p-P11-9
C000449
奨
パワーデバイス⽤GaNウエハのラマン散乱分光法による評価(5)
〇(M1)池⽥ 直樹1、⼭本 秀和1
1.千葉⼯業⼤学
15
15.8
Poster
3/21(⽉) 13:30 15:30
21p-P11-10
C000451
パワーデバイス⽤GaNウエハのラマン散乱分光法による評価 (6)
〇安喰 和也1、⼭本 秀和1
1.千葉⼯⼤⼯
15
15.8
Poster
3/21(⽉) 13:30 15:30
21p-P11-11
C000818
X線を照射されたアルカリハライドの光電⼦放出挙動の観察
〇⼭下 ⼤輔1
1.理研計器
16
Poster
3/21(⽉)
9:30
11:30
21a-P8-1
C000149
希⼟類--リン共ドープシリカガラスの紫外吸収端の希⼟類依存性
〇梶原 浩⼀1、⼭⼝ 栞1、⾦村 聖志1
1.⾸都⼤
16
Poster
3/21(⽉)
9:30
11:30
21a-P8-2
C001893
Na2O-TiO2-SiO2系ガラスの電気化学特性
〇本間 剛1、横⼭ 亮太1、篠崎 健⼆1、⼩松 ⾼⾏1
1.⻑岡技科⼤
16
Poster
3/21(⽉)
9:30
11:30
21a-P8-3
C002007
FLA でのa-Siの結晶化における反射防⽌膜利⽤によるパルス光エネルギー低減
〇園⽥ 裕⽣1、⼤平 圭介1
1.北陸先端⼤
16
Poster
3/21(⽉)
9:30
11:30
21a-P8-4
C002224
Ion Beam Assist法を⽤いたa-Si:H膜への過剰⽔素添加に関する研究
〇(M2)美⼭ 和樹1、⼤津 宗⼀郎2、⼩野 貴寛2、久保⽥ 弘1、橋新 剛2、吉岡 昌雄2
1.熊⼤院⾃然科学, 2.熊⼤⼯
16
Poster
3/21(⽉)
9:30
11:30
21a-P8-5
C002833
⾦属薄膜の相対反射率変化による太陽電池モジュール内の酢酸検出
〇板⼭ 知広1、浅⾹ 孝1、若⽣ 峻太郎1、⻑崎 秀昭1、岩⾒ 健太郎1、⼭本 千津⼦2、原 由希⼦2、増⽥ 淳2、梅⽥ 倫弘1
1.農⼯⼤⼯, 2.産総研
16
Poster
3/21(⽉)
9:30
11:30
21a-P8-6
C002768
太陽電池モジュール内酢酸検出のための⾦ナノコンポジットLSPRセンサの開発
〇(B)若⽣ 峻太郎1、浅⾹ 孝1、板⼭ 知広1、⻑崎 秀昭1、岩⾒ 健太郎1、梅⽥ 倫弘1、⼭本 千津⼦2、原 由希⼦2、増⽥ 淳2
1.農⼯⼤⼯, 2.産総研
16
Poster
3/21(⽉)
9:30
11:30
21a-P8-7
C002174
pH感受性蛍光⾊素を⽤いた太陽電池モジュール内酢酸検出センサの信頼性向上
〇⻑崎 秀昭1、浅⾹ 孝1、板⼭ 知宏1、若⽣ 峻太郎1、岩⾒ 健太郎1、梅⽥ 倫弘1、⼭本 千津⼦2、原 由希⼦2、増⽥ 淳2
16
Poster
3/21(⽉)
9:30
11:30
21a-P8-8
C000385
⾮対称導波路結合フォトン・フォトキャリア直交型マルチストライプ半導体太陽電池
〇⽯橋 晃1、河⻄ 剛1、近藤 憲治1、澤村 信雄1
1.北⼤電⼦研
16
Poster
3/21(⽉)
9:30
11:30
21a-P8-9
C002312
Fabrication of back-contact c-Si/PEDOT:PSS heterojunction solar cells
〇Jaker Hossain1, Koji Kasahara1, Qiming Liu1, Ryo Ishikawa1, Keiji Ueno1, Tetsuya Kaneko2, Hajime Shirai1
1.Saitama Univ., 2.Tokai Univ.
16
Poster
3/21(⽉)
9:30
11:30
21a-P8-10
C003068
霧化塗布法によるc-Si上のPEDOT:PSS製膜過程の評価
〇市川 浩気1、⼤⽊ 達也1、ホサイン ジャケル1、⽯川 良1、上野 啓司1、⽩井 肇1
1.埼⽟⼤学院理⼯
16
Poster
3/21(⽉)
9:30
11:30
21a-P8-11
C003069
プラズマCVDによるc-Si/PEDOT:PSS太陽電池反射防⽌膜⽤a-SiOH膜の作製
〇笠原 浩司1、ホサイン ジャケル2、劉 奇明2、⽯川 良2、上野 啓司2、⽩井 肇2
1.埼⽟⼤⼯, 2.埼⽟⼤理⼯研
16
Poster
3/21(⽉)
9:30
11:30
21a-P8-12
C003410
多結晶Si太陽電池評価のための顕微メスバウア分光装置の開発
〇伊野 裕司1、副島 啓義1、早川 ⼀⽣1、⾏平 憲⼀1、藤⽥ 浩享1、渡辺 富夫1、森⼝ 幸⼀2、⼩粥 啓⼦2、原⽥ 芳仁2、吉⽥ 豊1
1.静岡理⼯科⼤, 2.アプコ
16
Poster
3/21(⽉)
9:30
11:30
21a-P8-13
C002028
Cu/酸化物層/Siの密着強度と拡散バリア性
〇(D)齋藤 友⼤1
1.東北⼤院⼯
16
Poster
3/21(⽉)
9:30
11:30
21a-P8-14
C002985
光熱輻射分光法によるシリコン系薄膜の⽋陥密度評価(Ⅲ)
〇加藤 ⼤貴1、近藤 宏紀2、⽯本 雅⼈1、吉⽥ 憲充2, 3、野々村 修⼀2, 3
1.岐⾩⼤⼯, 2.岐⾩⼤院⼯, 3.岐⼤次世代エネセンタ
16
Poster
3/21(⽉)
9:30
11:30
21a-P8-15
C000687
Al誘起成⻑Ge薄膜をシードとした低不純物密度Ge層の厚膜形成
〇中⽥ 充紀1、都甲 薫1、原 康祐2、宇佐美 徳隆3、末益 崇1
1.筑波⼤ 数理物質, 2.⼭梨⼤ クリスタル研, 3.名⼤ ⼯
16
Poster
3/21(⽉)
9:30
11:30
21a-P8-16
C003719
La2O3薄膜界⾯層を⽤いたショットキー太陽電池の作製
〇和泉 慶彦1、若林 整1、筒井 ⼀⽣1、岩井 洋1、⾓嶋 邦之1
1.東⼯⼤総理⼯
16
Poster
3/21(⽉)
9:30
11:30
21a-P8-17
C003077
Novel optically-rough and physically-flat Zn1-xMgxO: Al substrate for superstrate-type thin-film solar cells
〇(D)Lei Meng1, Shinsuke Miyajima1
1.Tokyo Inst. of Tech.
16
Poster
3/21(⽉)
9:30
11:30
21a-P8-18
C002456
Siアルカリエッチングによる規則配列ピラミッドテクスチャーの作成Ⅱ
〇上原 直⼰1、福⽥ 卓也1、伊藤 和男1、野⼝ 克也1
1.群⾺⼤院理⼯
16
Poster
3/21(⽉)
9:30
11:30
21a-P8-19
C001625
N-フルオロピリジニウム塩を⽤いた光エッチングによるSi表⾯ランダムダブルテクスチャ形成
〇熊⽥ ⻯也1、川合 健太郎1、永井 隆⽂2、⾜達 健⼆2、有⾺ 健太1、森⽥ 瑞穂1
1.阪⼤院⼯, 2.ダイキン⼯業
16
Poster
3/21(⽉)
9:30
11:30
21a-P8-20
C002638
⽔添加液体ガラスを⽤いた反射防⽌ガラス薄膜の低屈折率化
〇村上 功⼀1、三和 寛之1、野⽥ 真⼀1、児⽟ 篤紀1、川⼝ 雄⼤1、野々村 修⼀1
1.岐⼤院⼯
16
Poster
3/21(⽉)
9:30
11:30
21a-P8-21
C002777
球状シリカ粒⼦および液体ガラスを⽤いた⾼光散乱性透明導電基板
〇井上 将成1、三和 寛之1、野⽥ 真⼀1、村上 功⼀1、川⼝ 雄⼤1、児⽟ 篤紀1、野々村 修⼀1
16
Poster
3/21(⽉)
9:30
11:30
21a-P8-22
C000618
⾼効率GaInP//Si低倍率集光型・波⻑スプリッティング太陽電池
〇久保⽥ 智也1、佐藤 綾祐1、澤野 憲太郎1、Sichanugrist Porponth2、⼩⻑井 誠1, 2
1.東京都市⼤学, 2.科学技術振興機構
16
Poster
3/21(⽉)
9:30
11:30
21a-P8-23
C001230
ヘテロ接合におけるa-Si:Hパッシベーション膜の⾼品質化の検討
〇(M1)坂本 潤平1、⼭本 翔太1、三和 寛之1、⻄⽥ 哲1、栗林 志頭眞1
1.岐⾩⼤学
16
Poster
3/21(⽉)
9:30
11:30
21a-P8-24
C001317
Cat-CVD a-Si パッシベーション膜へのITOスパッタダメージ
〇⼩⻄ 武雄1、⼤平 圭介1
1.北陸先端⼤
16
Poster
3/21(⽉)
9:30
11:30
21a-P8-25
C003480
Cat-CVDで形成した窒化Si膜の⾼温アニール後のパッシベーション能⼒
〇⻄川 ⻫志1、⼤平 圭介1
1.北陸先端⼤
16
Poster
3/21(⽉)
9:30
11:30
21a-P8-26
C001745
フラッシュランプアニールによるSiNx/c-Si界⾯特性の改善
〇宮浦 純⼀郎1、⼤平 圭介1
1.北陸先端⼤
16
Poster
3/21(⽉)
9:30
11:30
21a-P8-27
C001856
n型Si表⾯におけるPECVD-SiNx:Hパッシベーション性に対する光照射・熱処理の効果
〇(PC)神岡 武⽂1、岩橋 泰正1、Lee Hyunju1、佐藤 友理1、中村 京太郎2、⼤下 祥雄1
1.豊⽥⼯⼤, 2.明治⼤
〇篠崎 健⼆1、阿部 翔太1、本間 剛1、⼩松 ⾼⾏1
1.⻑岡技術科学⼤学
〇(B)張 存宇1、鈴⽊ 美明1、三⽥地 成幸1
1.東京⼯科⼤学
-酸素に対する捕獲効果炭素クラスターイオン注⼊Siエピウェーハの特徴（4）
ー 常温接合界⾯における酸素の捕獲能⼒ ―
炭素クラスターイオン注⼊Siエピウェーハの特徴（5）
-マイクロ波加熱処理がクラスター注⼊レンジに与える効果炭素クラスターイオン注⼊Siエピウェーハの特徴（6）
-多元素・分⼦イオン注⼊技術の開発検討休憩/Break
奨
E
E
E
16
16.1
Oral
3/22(⽕)
9:00
9:15
22a-W331-1
I000183
招
16
16.1
Oral
3/22(⽕)
9:15
9:30
22a-W331-2
C000388
奨
16
16.1
Oral
3/22(⽕)
9:30
9:45
22a-W331-3
C002445
奨
16
16.1
Oral
3/22(⽕)
9:45
10:00
22a-W331-4
C001723
16
16.1
Oral
3/22(⽕) 10:00 10:15
22a-W331-5
C003550
16
16.1
Oral
3/22(⽕) 10:15 10:30
22a-W331-6
16
16.1
Oral
3/22(⽕) 10:30 10:45
22a-W331-7
16
16.1
Oral
3/22(⽕) 10:45 11:00
16
16.1
Oral
3/22(⽕) 11:00 11:15
22a-W331-8
C002487
16
16.1
Oral
3/22(⽕) 11:15 11:30
22a-W331-9
C000663
16
16.1
Oral
3/22(⽕) 11:30 11:45 22a-W331-10 C001400
16
16.1
Oral
16
16.1
Oral
16
16.3
16
16
「講演奨励賞受賞記念講演」（15分）
フツホウ酸ガラス表⾯への単結晶パターニングと屈曲・交差したライン状単結晶の成⻑挙動
テルライト系ガラスを⽤いた超⾼速⼀括波⻑変換素⼦の研究
―紫外光ポーリングの時間依存性―
テルライト系ガラスを⽤いた超⾼速⼀括波⻑変換素⼦の研究
1.千葉⼯⼤⼯, 2.SCREENセミコンダクターソルーションズ/LASSE, 3.⽇鉄住⾦テクノロジー株式会社 富津事業所 解析ソリューション部, 4.新⽇本無
線(株)
1.農⼯⼤⼯, 2.産総研
1.岐⼤院⼯
〇(B)鈴⽊ 美明1、張 存宇1、三⽥地 成幸1
1.東京⼯科⼤
Ag2O-TeO2ガラスのガラス構造と線形／⾮線形光学特性
〇早川 知克1、加藤 圭⼀1、Colas Maggy2、Duclere Jean Rene2、Thomas Philippe2
1.名古屋⼯業⼤学, 2.リモージュ⼤学
MgO⽴⽅体結晶からの室温紫外レーザー発振
相⾺ 遥⾹1、上中 友紀1、浅原 彰⽂2、末元 徹2、〇内野 隆司1
1.神⼾⼤, 2.東⼤物性研
C001701
リチウムホウケイ酸塩ガラスにおけるCe3+の発光特性
〇正井 博和1、⾅井 貴昭1、岡⽥ 豪2、柳⽥ 健之2
1.京⼤化研, 2.奈良先端⼤
C001703
⾼分解能誘導ブリルアン分光によるシリカガラスにおける⾳速および超⾳波減衰の評価
三澤 七菜美1、藤井 康裕1、是枝 聡肇1、〇正井 博和2、梶原 浩⼀3
1.⽴命館⼤, 2.京⼤化研, 3.⾸都⼤
Ge-Sb-Te薄膜におけるファラデー電流と抵抗スイッチ現象の共存
〇今⻄ 佑典1、中岡 俊裕1
1.上智⼤理⼯
Cr-Ge-Te化合物薄膜の相変化挙動
〇畑⼭ 祥吾1、進藤 怜史1、安藤 ⼤輔1、須藤 祐司1、⼩池 淳⼀1
1.東北⼤⼯
SnS薄膜のキャリア濃度の制御
〇後藤 ⺠浩1
1.群⾺⼤理⼯
3/22(⽕) 11:45 12:00 22a-W331-11 C003717
変調アドミタンス法によるヘテロ接合の評価
〇岩崎 真宝1、⼤江 和顕1、酒井 作周1、清⽔ 耕作1
1.⽇⼤⽣産⼯
3/22(⽕) 12:00 12:15 22a-W331-12 C001738
前駆体a-Siの膜質制御によるFLA-poly-Si膜の⽋陥密度低減
〇野澤 尚樹1、⼤平 圭介1
1.北陸先端⼤
Oral
3/19(⼟)
9:00
9:15
19a-W321-1
C002160
レーザーテラヘルツエミッション顕微鏡による太陽電池のPID評価Ⅱ
〇北村 藤和1、松尾 清隆1、⽔端 稔1、中⻄ 英俊1、川⼭ 巌2、⽃内 政吉2、⽩澤 勝彦3、望⽉ 敏光3、⾼遠 秀尚3
1.SCREEN, 2.阪⼤レーザー研, 3.産総研
16.3
Oral
3/19(⼟)
9:15
9:30
19a-W321-2
C001740
酢酸蒸気曝露環境におけるc-Si PVセル劣化機構の解析
〇棚橋 紀悟1、坂本 憲彦1、柴⽥ 肇1、増⽥ 淳1
1.産総研
16.3
Oral
3/19(⼟)
9:30
9:45
19a-W321-3
C000961
p型結晶シリコン太陽電池モジュールにおけるPID現象とNa拡散の関係
〇城内 紗千⼦1、増⽥ 淳1
1.産総研
16
16.3
Oral
3/19(⼟)
9:45
10:00
19a-W321-4
C003403
電圧誘起劣化加速試験により拡散した太陽電池モジュール⽤部材内のNaの評価
〇⼤橋 史隆1、宮腰 悠平1、⽔野 佳貴1、イン マング マング1、吉⽥ 弘樹1、原 由希⼦2、増⽥ 淳2、野々村 修⼀1
1.岐⼤⼯, 2.産総研
16
16.3
Oral
3/19(⼟) 10:00 10:15
19a-W321-5
C000251
奨
多結晶Si太陽電池モジュールのKイオンによるPID劣化メカニズム解明に向けた光過渡吸収法の検討
〇野⼝ ⼀輝1、Islam Mohammad1、⽯河 泰明1、仲濱 秀⻫2、浦岡 ⾏治1
1.奈良先端⼤, 2.⽇清紡
16
16.3
Oral
3/19(⼟) 10:15 10:30
19a-W321-6
C000553
奨
裏⾯側にエミッターを有するn型c-Si太陽電池モジュールのPID挙動
〇⼭⼝ 世⼒1、増⽥ 淳2、⼤平 圭介1
1.北陸先端⼤, 2.産総研
電圧誘起劣化した太陽電池モジュールのレーザー加熱による回復
―ガラスサンプル厚さ依存性―
休憩/Break
16
16.3
Oral
3/19(⼟) 10:30 10:45
19a-W321-7
C003592
〇吉⽥ 弘樹1、志知 拓弥1、イン マング マング1、⼤橋 史隆1、増⽥ 淳2、野々村 修⼀1
1.岐⼤⼯, 2.産総研
16
16.3
Oral
3/19(⼟) 10:45 11:00
16
16.3
Oral
3/19(⼟) 11:00 11:15
19a-W321-8
C001025
太陽光励起レーザーと組み合わせるためのシリコン光電変換素⼦（III）
〇⼭⽥ 登1、伊藤 忠1、⽵⽥ 康彦1
1.豊⽥中研
16
16.3
Oral
3/19(⼟) 11:15 11:30
19a-W321-9
C002350
シリコンナノワイヤ太陽電池のキャリア収集特性の改善
〇加藤 慎也1、阿部 祐介2、⽩柳 裕介2、⿊川 康良3、宮島 晋介4、⼩⻑井 誠2, 5
1.名⼯⼤院⼯, 2.科学技術振興機構, 3.名⼤院⼯, 4.東⼯⼤院理⼯, 5.東京都市⼤学総研
休憩/Break
2016年春季講演会(東⼯⼤⼤岡⼭キャンパス)プログラム
⼤分類 中分類
形式
講演⽇
開始
終了
講演番号
【1⽉28⽇(⽊)更新】暫定版からの更新箇所は⾚字になっております。
受付番号
奨励賞 英語 招待
43 / 52 ページ
※会場、時間が変更になった場合は該当の⽅にご連絡いたします。
講演タイトル
著者
所属機関
16
16.3
Oral
3/19(⼟) 11:30 11:45 19a-W321-10 C001682
MACES法で作製したシリコンナノワイヤの細線化
〇(M2)⽮野 貢1、⿊川 康良2, 3、宮島 晋介1、⼭⽥ 明1
1.東⼯⼤院理⼯, 2.名⼤院⼯, 3.JST-さきがけ
16
16.3
Oral
3/19(⼟) 11:45 12:00 19a-W321-11 C000644
Si/SiO2超格⼦ワイヤー太陽電池の作製と光起電⼒効果の確認
〇⼭⽥ 繁1、⼩⻑井 誠1, 2、宮島 晋介3
1.科学技術振興機構, 2.東京都市⼤学総合研究所, 3.東⼯⼤院理⼯
16
16.3
Oral
3/19(⼟) 12:00 12:15 19a-W321-12 C000676
異⽅性ウェットエッチングによる太陽電池⽤Siナノウォールの形成
〇吉葉 修平1、平井 政和1、市川 幸美1, 2、⼩⻑井 誠1, 2
1.科学技術振興機構, 2.都市⼤
16
16.3
Oral
3/20(⽇)
9:00
9:15
20a-W611-1
C001509
奨
化学的転写法により形成した極低反射Si表⾯の光学特性と、⾼効率太陽電池への応⽤
〇今村 健太郎1, 2、⼊⿅ ⼤地1, 2、⻤塚 裕也1, 2、⼩林 光1, 2
1.阪⼤産研, 2.CREST-JST
16
16.3
Oral
3/20(⽇)
9:15
9:30
20a-W611-2
C001460
奨
〇⻤塚 裕也1, 2、⼊⿅ ⼤地1, 2、今村 健太郎1, 2、⼩林 光1, 2
1.阪⼤産研, 2.CREST-JST
16
16.3
Oral
3/20(⽇)
9:30
9:45
20a-W611-3
C000165
PERC型太陽電池⽤LTCコンタクトの電気的特性
〇⼘部 駿介1、宮島 晋介1
1.東⼯⼤院理⼯
16
16.3
Oral
3/20(⽇)
9:45
10:00
20a-W611-4
C001981
A method for removal of single-side doped layers of PERT solar cells
〇SIMAYI SHALAMUJIANG1, Yasuhiro Kida1, Katsuhiko Shirasawa1, Hidetaka Takato1
1.AIST
16
16.3
Oral
3/20(⽇) 10:00 10:15
20a-W611-5
C000876
n型結晶Si太陽電池のエミッタ形成⽅法検討
〇⻄村 邦彦1、⼩林 裕美⼦1、綿引 達郎1、時岡 秀忠1
1.三菱電機
16
16.3
Oral
3/20(⽇) 10:15 10:30
20a-W611-6
C000882
⾼変換効率（21%以上）n-PERT型単結晶シリコン太陽電池の開発
〇⻄村 慎也1、綿引 達郎1、新延 ⼤介1、林⽥ 哲郎1、湯⽥ 洋平1、森岡 孝之1、過能 慎太郎2、⻄村 邦彦1、時岡 秀忠1、⼭向 幹雄1
1.三菱電機先端技術総合研究所, 2.三菱電機⽣産技術センター
16
16.3
Oral
3/20(⽇) 10:30 10:45
16
16.3
Oral
3/20(⽇) 10:45 11:00
20a-W611-7
C002693
結晶シリコン太陽電池セルにおけるイオン注⼊によるリンエミッタの形成
〇棚橋 克⼈1、森⾕ 正昭1、⽊⽥ 康博1、福⽥ 哲⽣1、⽩澤 勝彦1、⾼遠 秀尚1
1.産総研
16
16.3
Oral
3/20(⽇) 11:00 11:15
20a-W611-8
C001391
超⾼次⾛査型⾮線形誘電率顕微鏡法を⽤いた単結晶シリコン太陽電池のリンイオン注⼊エミッタ層におけるキャリア分布の可視化
〇廣瀬 光太郎1、棚橋 克⼈2、⾼遠 秀尚2、茅根 慎通1、⻑ 康雄1
1.東北⼤通研, 2.産総研
16
16.3
Oral
3/20(⽇) 11:15 11:30
20a-W611-9
C002620
太陽電池構造断⾯試料作製時のダメージが仕事関数測定に与える影響
〇(PC)⼭⽥ 郁彦1、神岡 武⽂1、⼤下 祥雄1、神⾕ 格1
1.豊⽥⼯⼤
16
16.3
Oral
3/20(⽇) 11:30 11:45 20a-W611-10 C000214
太陽光発電セル⽤単結晶シリコンウェハの⽳明け加⼯
〇⼩野 裕道1、三瓶 義之1、⼩林 翼1、⼤野 仁嗣2、⾼島 康⽂3、渋川 達弘4、池⽥ 正則5、⽊⽥ 康博6、⽩澤 勝彦6、⾼遠 秀尚6
1.福島県ハイテクプラザ, 2.横浜⽯英, 3.東成EB東北, 4.東北電⼦, 5.⽇⼤⼯, 6.産総研福島再エネ研
16
16.3
Oral
3/20(⽇) 11:45 12:00 20a-W611-11 C001884
Al誘起成⻑法を⽤いたp型薄膜多結晶Siの太陽電池セルへの応⽤
〇⾼橋 勲1、筋原 康博1、Wibowo Jefferson1、宇佐美 徳隆1
1.名⼤院⼯
16
16.3
Oral
3/20(⽇) 12:00 12:15 20a-W611-12 C002371
〇(M1C)⽇下部 昂志1、⼤⽊ 康平1、松尾 直⼈1、部家 彰1
1.兵庫県⽴⼤院⼯
16
16.3
Oral
3/20(⽇) 13:30 13:45
20p-S611-1
C000038
〇中嶋 ⼀雄1、⼩野 聖1、⾦⼦ 弦1、村井 良多1、⽩澤 勝彦2、福⽥ 哲⽣2、⾼遠 秀尚2
1.JST FUTURE-PV, 2.FREA
16
16.3
Oral
3/20(⽇) 13:45 14:00
20p-S611-2
C002448
Noncontact crucible methodにより成⻑したSiインゴット単結晶の転位分布評価
〇村井 良多1、中嶋 ⼀雄1、⼩野 聖1、⾦⼦ 弦1
16
16.3
Oral
3/20(⽇) 14:00 14:15
20p-S611-3
C003074
撥液るつぼを⽤いて成⻑したPV⽤CZシリコン単結晶のバルク評価
〇福⽥ 哲⽣1、堀岡 佑吉2、棚橋 克彦1、沙拉⽊江 司⾺依1、⽩澤 勝彦1、⾼遠 秀尚1
1.（国）産総研, 2.FTB研究所株式会社
16
16.3
Oral
3/20(⽇) 14:15 14:30
20p-S611-4
C002668
n型CZシリコンのキャリア寿命に対する熱処理による酸素析出の影響
〇⼩島 拓⼈1、鈴⽊ 涼太1、⼩椋 厚志1、⽴花 福久2、⼤下 祥雄3、⻄島 英⼀4、正⽥ 勲4、飯⽥ 伸仁4、橘 昇⼆4
1.明⼤理⼯, 2.産総研福島, 3.豊⽥⼯⼤, 4.株式会社トクヤマ
16
16.3
Oral
3/20(⽇) 14:30 14:45
20p-S611-5
C001078
機能性⽋陥層を⽤いた太陽電池⽤結晶シリコンの不純物制御
〇(B)⽻⼭ 優介1、⾼橋 勲1、宇佐美 徳隆1
1.名⼤院⼯
16
16.3
Oral
3/20(⽇) 14:45 15:00
20p-S611-6
C001075
⽋陥マニピュレーションに向けた結晶Siの粒界構造と転位発⽣の関係
〇(M1)岩⽥ ⼤将1、⾼橋 勲1、宇佐美 徳隆1
1.名⼤院⼯
16
16.3
Oral
3/20(⽇) 15:00 15:15
20p-S611-7
C001069
Siビーズ核形成層によるハイパフォーマンス多結晶Siの育成
〇(B)村松 哲郎1、⾼橋 勲1、G. Anandha babu1、宇佐美 徳隆1
1.名⼤院⼯
16
16.3
Oral
3/20(⽇) 15:15 15:30
20p-S611-8
C002591
太陽電池⽤多結晶Siの粒界での応⼒集中
〇杉岡 翔太1、沓掛 健太朗1、出浦 桃⼦1、⼤野 裕1、⽶永 ⼀郎1
1.東北⼤⾦研
16
16.3
Oral
3/20(⽇) 15:30 15:45
20p-S611-9
C002982
⼤型多結晶Siの残留歪みイメージング
〇下村 祥⽣1、⼭⽥ 基晴1、福澤 理⾏1
1.京都⼯繊⼤
太陽電池⽤多結晶Siにおける酸素析出初期状態のフォトルミネッセンス
〇(M1)樋⼝ 史仁1、宇野 匠1、⽥島 道夫1、⼩椋 厚志1
1.明治⼤理⼯
化学的転写法による極低反射表⾯と裏⾯ナノ構造を⽤いた
結晶Si太陽電池の変換効率向上
E
休憩/Break
電界効果が太陽電池の変換効率に及ぼす影響
50 cm径ルツボを⽤いた45 cm径インゴット単結晶の
２ゾーン加熱Noncontact Crucible (NOC) 炉による成⻑
奨
16.3
Oral
3/20(⽇) 15:45 16:00
16
16.3
Oral
3/20(⽇) 16:00 16:15
16
16.3
Oral
3/20(⽇) 16:15 16:30
20p-S611-11 C002488
奨
16
16.3
Oral
3/20(⽇) 16:30 16:45
20p-S611-12 C003221
奨
16
16.3
Oral
3/20(⽇) 16:45 17:00
16
16.3
Oral
3/20(⽇) 17:00 17:15
16
16.3
Oral
3/20(⽇) 17:15 17:30
16
16.3
Oral
3/20(⽇) 17:30 17:45
20p-S611-16 C000286
16
16.3
Oral
3/20(⽇) 17:45 18:00
20p-S611-17 C001756
レーザーテラヘルツエミッション顕微鏡とC-V測定によるパッシベーション膜特性の⽐較評価
〇伊藤 明1、望⽉ 敏光3、中⻄ 英俊1、棚橋 克⼈3、川⼭ 巌2、⽃内 政吉2、⽩澤 勝彦3、⾼遠 秀尚3
1.SCREEN, 2.阪⼤レーザー研, 3.産総研
16
16.3
Oral
3/22(⽕)
9:00
22a-W321-1
C000998
a-Si/c-Siヘテロ接合太陽電池のa-Si層へのプラズマドーピング
〇⼩⼭ 晃⼀1、⼭⼝ 昇2、⽥中 美和2、鈴⽊ 英夫2、⼤平 圭介1、松村 英樹1
1.北陸先端⼤, 2.株式会社 アルバック
16
16.3
Oral
3/22(⽕)
9:15
22a-W321-2
C001155
〇瀬⼾ 純⼀1、⼤平 圭介1、松村 英樹1
1.北陸先端⼤
16
16.3
Oral
3/22(⽕)
9:30
9:45
22a-W321-3
C002046
液体Siを⽤いたSiヘテロ接合太陽電池の作製
〇過 程1、⼤平 圭介1、⾼岸 秀⾏2、増⽥ ⾼史1、下⽥ 達也1
1.JAIST, 2.Fukushima Univ.
16
16.3
Oral
3/22(⽕)
9:45
10:00
22a-W321-4
C001951
Cu2O:N/c-Siヘテロ接合太陽電池のデバイスシミュレーション
〇(M1)⽵井 雄太郎1、滝⼝ 雄貴1、宮島 晋介1
1.東⼯⼤院理⼯
16
16.3
Oral
3/22(⽕) 10:00 10:15
22a-W321-5
C002001
Cu2O:N/c-Si ヘテロ接合の作製と評価
〇滝⼝ 雄貴1、⽵井 雄太郎1、宮島 晋介1
1.東⼯⼤院理⼯
16
16.3
Oral
3/22(⽕) 10:15 10:30
22a-W321-6
C001157
デバイスシミュレーションによるペロブスカイト/ヘテロ接合結晶Siタンデム太陽電池のトンネル接合層の解析
〇(M1)中⻄ 諒1、滝⼝ 雄貴1、宮島 晋介1
1.東⼯⼤院理⼯
16
16.3
Oral
3/22(⽕) 10:30 10:45
22a-W321-7
C000321
低倍率集光型Siヘテロ接合太陽電池の動作解析
〇佐藤 綾祐1、櫻井 健太1、澤野 憲太郎1、Sichanugrist Porponth2、中⽥ 和吉2、⼩⻑井 誠1, 2
1.東京都市⼤学, 2.科学技術振興機構
16
16.3
Oral
3/22(⽕) 10:45 11:00
16
16.3
Oral
3/22(⽕) 11:00 11:15
22a-W321-8
C001295
ガス加熱トライオードプラズマCVD法による低温成⻑a-Si:Hの⾼品質化
〇新倉 ちさと1、Sichanugrist Porponth2、宮島 晋介3、市川 幸美2、⼩⻑井 誠2, 4
1.物質･材料研究機構, 2.科学技術振興機構, 3.東⼯⼤院理⼯, 4.都市⼤総研
16
16.3
Oral
3/22(⽕) 11:15 11:30
22a-W321-9
C001529
最適な3Dミクロ構造アモルファスSi太陽電池の探索
〇薮野 恭平1、新倉 ちさと2、宮島 晋介1、⼩⻑井 誠3, 4
1.東⼯⼤院理⼯, 2.物質・材料研究機構, 3.都市⼤総研, 4.FUTURE-PV Innovation
16
16.3
Oral
3/22(⽕) 11:30 11:45 22a-W321-10 C002152
⾼温製膜アモルファスシリコンにおける⽋陥密度分布と太陽電池応⽤
〇傍島 靖1, 2、⻄尾 侑典1、籠島 瑛⼆1、久保⽥ 晴⾹1、松⽥ 彰久1、岡本 博明1, 2
16
16.3
Oral
3/22(⽕) 11:45 12:00 22a-W321-11 C002185
16
16.3
Oral
3/22(⽕) 12:00 12:15 22a-W321-12 C001056
16
16.3
Oral
16
16.3
Oral
16
16.3
Oral
16
16.3
Oral
3/22(⽕) 13:00 13:15 22a-W321-16 C000503
9:30
奨
1.科学技術振興機構
16
9:15
20p-S611-10 C001290
奨
休憩/Break
E
Effect and Optimization of Chemical Cleaning before Deposition of Cat-CVD Passivation Films to Realize Extremely Low Surface
〇(PC)Cong Thanh Nguyen1, Koichi Koyama1, Shigeki Terashima1, Chikao Okamoto2, Shuichiro Sugiyama2, Keisuke Ohdaira1, Hideki
1.JAIST (Japan Adv. Inst. Sci. & Tech.), 2.SHARP Corporation
Recombination Velocity on Flat and Textured Structures
Matsumura1
結晶Si太陽電池におけるポストプラズマ処理を⽤いたSiNパッシベーション特性
〇⼭下 祥弘1、池野 成裕1、⼩島 拓⼈1、肥⼭ 卓⽮1、⼩椋 厚志1
1.明治⼤理⼯
20p-S611-13 C000158
a-Si1-xOx:Hヘテロ接合太陽電池構造に対する少数キャリアライフタイム温度依存測定
〇稲葉 真宏1、宮島 晋介1
1.東⼯⼤院理⼯
20p-S611-14 C001667
Al2O3パッシベーション膜を堆積した結晶シリコンの実効少数キャリアライフタイムの温度依存性
〇(M1)増⽥ 貴永1、稲葉 真宏1、宮島 晋介1
1.東⼯⼤院理⼯
20p-S611-15 C002228
電界効果パッシベーションにおける実効少数キャリアライフタイムの温度依存性
〇宮島 晋介1、稲葉 真宏1、増⽥ 貴永1、⼩林 裕美⼦2、綿引 達郎2、時岡 秀忠2
1.東⼯⼤院理⼯, 2.三菱電機株式会社
〇稲葉 孝⼀郎1、豊⽥ 浩司1、中 俊雄1、宮島 晋介2
1.東ソー・ファインケム, 2.東⼯⼤院理⼯
新規アルミニウム材料を⽤いたスプレー塗布法による
酸化アルミニウム薄膜の作製とそのパッシベーション特性
a-Siパッシベーション膜へのCat-dopingによる
結晶Siの少数キャリア寿命の変化
休憩/Break
表⾯にフォトニック結晶構造を有するμc-Si太陽電池
1.阪⼤院基礎⼯, 2.JST-CREST
〇元平 暉⼈1、⽯崎 賢司1、⽥中 良典1、De Zoysa Menaka1, 2、⻑⾕川 創1、野⽥ 進1
1.京⼤院⼯, 2.京⼤⽩眉
フォトニックナノ構造とMetal Assisted Chemical Etching 法を⽤いた新規光閉じ込め構造の作製
〇(B)清 美樹1、⿊川 康良1、宇佐美 徳隆1
1.名⼤院⼯
3/22(⽕) 12:15 12:30 22a-W321-13 C001248
Geドット積層条件の変調によるフォトニックナノ構造の形状制御
〇(B)古⽥ ⼤知1、⻘沼 理1、⿊川 康良1、宇佐美 徳隆1
1.名⼤院⼯
3/22(⽕) 12:30 12:45 22a-W321-14 C002667
表⾯形状のランダムネスを有するフォトニックナノ構造の光学特性解析
〇(M2)⻘沼 理1、⿊川 康良1、太野垣 健2、宇佐美 徳隆1
1.名⼤院⼯, 2.産総研
3/22(⽕) 12:45 13:00 22a-W321-15 C001111
単層Geドットマスクを⽤いたアルカリエッチングによる結晶Si太陽電池⽤新規光閉じ込め構造
〇(B)本部 惇史1、⿊川 康良1、宇佐美 徳隆1
1.名⼤院⼯
-厚膜μc-Si表⾯へのフォトニック結晶形成による効率向上の検討-
E
Mask less neutral beam texturing to make nano holes on micro pyramids; broadband optical light trapping in thin wafer based Si (<100 µ 〇(PC)Halubai Sekhar1, Tomohiro Kubota2, Yasuhiro Kida1, Tetsuo Fukuda1, Katsuto Tanahashi1, Hidetaka Takato1, Michio Kondo1, Seiji 1.Fukushima Renewable Energy Institute, AIST, Japan,, 2.Institute of Fluid Science, Tohoku University, Sendai, Japan, 3.WPI Advanced
m) solar cells
Samukawa2, 3
Institute for Materials Research, Tohoku University, Sendai, Japan
酸化グラフェン上への単層カーボンナノチューブ成⻑︓Pt，Fe，Co触媒の⽐較
〇⼩川 征悟1、⼩澤 顕成1、桐林 星光1、才⽥ 隆広1、成塚 重弥1、丸⼭ 隆浩1
1.名城⼤理⼯
新しいLSI配線のための超臨界エタノールを⽤いたカーボンナノ材料の作製
〇(M1)⻄川 慶1、本間 匠1、栖原 健太1、宇原 祥夫1、伊藤 勝利1、⼤⽵ 勝⼈1、⻫藤 茂1
1.東理⼤⼯
17
Poster
3/20(⽇)
9:30
11:30
20a-P4-1
C001092
17
Poster
3/20(⽇)
9:30
11:30
20a-P4-2
C002169
17
Poster
3/20(⽇)
9:30
11:30
20a-P4-3
C002418
ミスト触媒CVD法を⽤いたCNT成⻑における塩素ガス効果
〇⽊下 聖也1、苅⽥ 基志1、中野 貴之1、井上 翼1、⻑岡 宏⼀2、三輪 鉄春2、宮林 孝⾏2
1.静⼤院⼯, 2.JNC⽯油化学
17
Poster
3/20(⽇)
9:30
11:30
20a-P4-4
C002337
ラマンイメージングによるガスフロー成⻑単層カーボンナノチューブの評価
〇⽊原 勝也1、⽯⾕ 暁拡1、⼩⼭ 智央1、稲葉 ⼯1、本間 芳和1
1.東理⼤理
17
Poster
3/20(⽇)
9:30
11:30
20a-P4-5
C002528
多価イオン照射孤⽴多層カーボンナノチューブの構造評価
17
Poster
3/20(⽇)
9:30
11:30
20a-P4-6
C003136
Synthesis of Two Dimensional Carbon Nanosheets through C-H Activation Reaction in Solution Plasma
〇(D)Hyemin Kim1, 4, Nagahiro Saito1, 2, 3, 4
1.Nagoya univ., 2.Ecotopia Inst., 3.Green Mobility Cent., 4.JST-CREST
17
Poster
3/20(⽇)
9:30
11:30
20a-P4-7
C003722
イオン照射法による⾦属含有CNF探針の透過型電⼦顕微鏡観察
〇⾕⼭ 皓紀1、中村 恭⼀朗1、⼩⼭⽥ 賢⽃1、種村 眞幸1、北澤 正志2
1.名⼯⼤院⼯, 2.オリンパス
17
Poster
3/20(⽇)
9:30
11:30
20a-P4-8
C002439
カーボンナノチューブ薄膜電極の絶縁破壊に伴う薄膜表⾯モルフォロジの変化
〇⽔嶌 悠貴1、古松 佑介1、佐藤 英樹1
1.三重⼤院⼯
17
Poster
3/20(⽇)
9:30
11:30
20a-P4-9
C003133
単層カーボンナノチューブの蛍光強度の濃度依存性
〇(P)魏 ⼩均1、平川 琢也1、蓬⽥ 陽平1、平野 篤1、藤井 俊治郎1、⽥中 丈⼠1、⽚浦 弘道1
1.産総研ナノ材料
17
Poster
3/20(⽇)
9:30
11:30
20a-P4-10
C003319
低電流・低電圧⽔中アーク放電法による⾦属内包ナノファイバーの合成
〇⽔野 恵輔1、⾦ 勇⼀1、⻄川 英⼀1
1.東理⼤⼯
17
Poster
3/20(⽇)
9:30
11:30
20a-P4-11
C000801
4-ニトロベンゼンジアゾニウムテトラフルオロボラートによるカーボンナノチューブ・ファイバの電気的特性改善
〇(M1)楠 拓真
岡⼭⼤
17
Poster
3/20(⽇)
9:30
11:30
20a-P4-12
C001568
電解液によるMnO2-C60ハイブリッドキャパシタの特性評価
〇松久保 侑⾺1
1.⼭形⼤⼯
17
Poster
3/20(⽇)
9:30
11:30
20a-P4-13
C002299
クラウンエーテルを⽤いた半導体型カーボンナノチューブ複合紙のn型ドーピング
〇(M1)松井 洸樹1、⼤⽮ 剛嗣1
1.横国⼤院⼯
17
Poster
3/20(⽇)
9:30
11:30
20a-P4-14
C002780
⽔平配向SWNTを⽤いた圧電ポリマー被膜SWNTタッチセンサーの圧⼒応答の改善
〇吉澤 武志1、⽥代 征久1、鵜鷹 健1、⽥畑 博史1、久保 理1、⽚⼭ 光浩1
1.阪⼤院⼯
17
Poster
3/20(⽇)
9:30
11:30
20a-P4-15
C002865
塗⼯型⾊素増感太陽電池向けカーボンナノチューブ塗料の改良
〇(M1)松永 悠樹1、⼤⽮ 剛嗣1
1.横国⼤院⼯
17
Poster
3/20(⽇)
9:30
11:30
20a-P4-16
C003043
カーボンナノチューブ複合紙による電磁波シールドの遠⽅界性能向上
〇(M1)稲垣 忠光1、⼤⽮ 剛嗣1
1.横国⼤院⼯
17
Poster
3/20(⽇)
9:30
11:30
20a-P4-17
C000384
絶縁基板上多層グラフェン合成に向けた⾦属誘起層交換成⻑の検討
〇村⽥ 博雅1、都甲 薫1、末益 崇1
17
Poster
3/20(⽇)
9:30
11:30
20a-P4-18
C000669
液体⾦属触媒とパターン基板により制御されたグラフェンドメインの観察
〇今泉 雄太1、荻野 俊郎1
1.横浜国⼤
17
Poster
3/20(⽇)
9:30
11:30
20a-P4-19
C001673
サファイア基板上へのグラフェンの無触媒CVDにおける成⻑時間依存性
〇(M1)上⽥ 悠貴1、⼭⽥ 純平1、内堀 樹1、堀部 真史1、松⽥ 晋⼀1、丸⼭ 隆浩1、成塚 重弥1
1.名城⼤理⼯
17
Poster
3/20(⽇)
9:30
11:30
20a-P4-20
C001767
⼤気圧CVD法における簡易酸化プロセス導⼊によるグラフェン核⽣成の制御
〇(PC)鈴⽊ 誠也1、寺⽥ 佳史1、吉村 雅満1
1.豊⽥⼯⼤院⼯
17
Poster
3/20(⽇)
9:30
11:30
20a-P4-21
C002065
⼆軸電界印加状態での酸化グラフェン還元によるグラフェン作製
〇煙⼭ 史⼈1、⼭内 繁2、⾼⼭ 正和1、⼩宮⼭ 崇夫1、⻑南 安紀1、⼭⼝ 博之1、⻘⼭ 隆1
17
Poster
3/20(⽇)
9:30
11:30
20a-P4-22
C002602
Al2O3/Fe系複合触媒によるグラフェンの⽣成
〇中村 基訓1、平⽥ 拓⺒1、篁 耕司1
1.旭川⾼専
17
Poster
3/20(⽇)
9:30
11:30
20a-P4-23
C003277
〇シリニ ソライヤ1、アグス スバギヨ1, 2、末岡 和久1
1.北⼤院情報科学, 2.北⼤創成研
17
Poster
3/20(⽇)
9:30
11:30
20a-P4-24
C003545
エッチングフリーな単結晶グラフェンデバイスアレイの作製
〇(M1)森 祐樹1、⽣⽥ 昂1、⾦井 康1、⼩野 尭⽣1、⼤野 恭秀1, 2、前橋 兼三1, 3、井上 恒⼀1、松本 和彦1
1.阪⼤産研, 2.徳島⼤, 3.東京農⼯⼤
17
Poster
3/20(⽇)
9:30
11:30
20a-P4-25
C003704
RF誘導加熱による微傾斜Si⾯SiC(0001)上単⼀ドメインエピタキシャルグラフェンの⽋陥密度制御
〇道幸 雄真1、和⽥ 拓也2、今井 宏友1、橋本 明弘1
1.福井⼤院⼯, 2.福井⼤⼯
17
Poster
3/20(⽇)
9:30
11:30
20a-P4-26
C002084
Ni上グラフェンの⼆次電⼦コントラストにおけるエネルギー依存性
〇(B)四本松 康太1、⾼橋 惇郎1、加藤 ⼤輝1、本間 芳和1
1.東理⼤理
17
Poster
3/20(⽇)
9:30
11:30
20a-P4-27
C002118
Niパターン凝集を⽤いて作製したサファイヤ基板上グラフェン膜の評価
〇(M1)有⾺ 幸記1、三好 実⼈1、久保 俊晴1、江川 孝志1
1.名⼯⼤
17
Poster
3/20(⽇)
9:30
11:30
20a-P4-28
C003477
グラファイト/グラフェンのエッジ領域における電気化学活性の可視化
〇熊⾕ 明哉1、⾼橋 康史2、三浦 千穂3、珠玖 仁3、末永 智⼀1, 3
1.東北⼤AIMR, 2.⾦沢⼤, 3.東北⼤
17
Poster
3/20(⽇)
9:30
11:30
20a-P4-29
C000870
2層レジストを⽤いたグラフェンナノディスクの作製と光学特性評価
〇⽯⽥ 周太郎1、新宅 貴志1、笹⽊ 敬司1
1.北⼤電⼦研
17
Poster
3/20(⽇)
9:30
11:30
20a-P4-30
C002222
奨
⽔を⽤いた異⽅性エッチングによるグラフェンナノリボンの作製と評価
〇⼩川 峻1、井上 凌介1、渡邊 賢司2、⾕⼝ 尚2、真庭 豊1、宮⽥ 耕充1, 3
1.⾸都⼤理⼯, 2.物材機構, 3.JSTさきがけ
17
Poster
3/20(⽇)
9:30
11:30
20a-P4-31
C002588
奨
熱伝導率測定に向けたグラフェンの歪み制御
〇今北 悠貴1、安野 裕貴1、⽵井 邦晴1、秋⽥ 成司1、有江 隆之1
1.⼤阪府⽴⼤⼯
17
Poster
3/20(⽇)
9:30
11:30
20a-P4-32
C001090
歪み印加されたグラフェンナノリボンの過渡電気伝導現象の数値解析
〇(M1)加藤 ⼤喜1、笹岡 健⼆1、⼩川 真⼈1、相⾺ 聡⽂1
1.神⼤院⼯
奨
E
奨
Cu foil触媒を⽤いた⼤気圧化学気相成⻑法による
奨
グラフェン成⻑の系統的な評価
〇出野 ⽂哉1、⼭下 拳太郎1、関岡 嗣久1、本多 信⼀1、⻄⽥ 尚史2、徳井 太央貴2、佐々⽊ 康⼆2、宮本 貴裕2、櫻井 誠2、新部 正⼈1、寺澤 倫孝
1、平瀬 ⿓⼆3、泉 宏和3、吉岡 秀樹3、庭瀬 敬右4、⽥⼝ 英次5
1.兵庫県⽴⼤, 2.神⼾⼤, 3.兵庫県⽴⼯業技術センター, 4.兵庫教育⼤, 5.⼤阪⼤
1.筑波⼤院
1.秋⽥県⽴⼤, 2.秋⽥県⽴⼤⽊⼯研
2016年春季講演会(東⼯⼤⼤岡⼭キャンパス)プログラム
⼤分類 中分類
【1⽉28⽇(⽊)更新】暫定版からの更新箇所は⾚字になっております。
形式
講演⽇
開始
終了
講演番号
受付番号
17
Poster
3/20(⽇)
9:30
11:30
20a-P4-33
C001093
17
Poster
3/20(⽇)
9:30
11:30
20a-P4-34
C001101
17
Poster
3/20(⽇)
9:30
11:30
20a-P4-35
C001216
17
Poster
3/20(⽇)
9:30
11:30
20a-P4-36
C001938
17
Poster
3/20(⽇)
9:30
11:30
20a-P4-37
C002175
17
Poster
3/20(⽇)
9:30
11:30
20a-P4-38
C002200
17
Poster
3/20(⽇)
9:30
11:30
20a-P4-39
C002387
17
Poster
3/20(⽇)
9:30
11:30
20a-P4-40
17
Poster
3/20(⽇)
9:30
11:30
17
Poster
3/20(⽇)
9:30
11:30
17
Poster
3/20(⽇)
9:30
17
Poster
3/20(⽇)
9:30
17
Poster
3/20(⽇)
9:30
17
Poster
3/20(⽇)
17
Poster
3/20(⽇)
17
Poster
17
17
奨励賞 英語 招待
44 / 52 ページ
※会場、時間が変更になった場合は該当の⽅にご連絡いたします。
講演タイトル
著者
所属機関
グラフェンの歪み/無歪み遷移領域におけるガウス波束の伝播に関する量⼦ダイナミクスシミュレーション
〇(M1)迫⽥ 翔太郎1、笹岡 健⼆1、⼩川 真⼈1、相⾺ 聡⽂1
歪みグラフェンp-n接合ダイオードの整流特性に関する量⼦輸送シミュレーション
〇(M1)市原 圭祐1、笹岡 健⼆1、⼩川 真⼈1、相⾺ 聡⽂1
Nitrogen Doping of Graphene
Hare Ram Aryal1, 〇(PC)Sudip Adhikari1, Hideo Uchida1, Koichi Wakita1, Masayoshi Umeno1
1.Chubu Univ.
奨
⾛査プローブ顕微鏡による多層グラフェンの表⾯電位計測
〇清住 ⾹奈1、鈴⽊ 誠也1、吉村 雅満1
1.豊⽥⼯⼤院⼯
奨
光定在波による両持ち梁グラフェン機械共振の⾮線形制御
〇(B)井上 太⼀1、安野 裕貴1、⽵井 邦晴1、有江 隆之1、秋⽥ 成司1
1.⼤阪府⼤⼯
奨
グラフェンナノメッシュ構造による熱輸送制御
〇関⼝ 卓弥1、安井 悠⾺1、安野 裕貴1、⽵井 邦晴1、秋⽥ 成司1、有江 隆之1
1.⼤阪府⽴⼤⼯
多層グラフェンに対する低エネルギー窒素イオンの照射効果
〇⼤島 ⼤命1、前川 透1、吉⽥ 善⼀1、中島 義賢1、内⽥ 貴司1
1.東洋⼤
C002431
有限温度でのグラフェン内電⼦間相互作⽤によるエネルギー分散補正の計算モデル構築
〇⼩松 ⻯⼤1、尾辻 泰⼀1、Ryzhii Victor1、Svintsov Dmitry2、Vyurkov Vladimir2、佐藤 昭1
1.東北⼤, 2.ロシア物理⼯科研究所
20a-P4-41
C002898
CVD成⻑した⼆層グラフェンへのFeCl3のインターカレーション
〇⽊下 博貴1、河原 憲治2、吾郷 浩樹1, 2, 3
1.九⼤院総理⼯, 2.九⼤先導研, 3.JSTさきがけ
20a-P4-42
C003579
強制振動⼦法を⽤いたサブ2次元ナノカーボンの格⼦振動解析(Ⅱ)
〇⼤⼋⽊ 晋1、Md. Sherajul Islam1、南部 卓也1、橋本 明弘1
1.福井⼤学院⼯
11:30
20a-P4-43
C003690
11:30
20a-P4-44
C000178
11:30
20a-P4-45
C000651
9:30
11:30
20a-P4-46
C000655
9:30
11:30
20a-P4-47
C000672
3/20(⽇)
9:30
11:30
20a-P4-48
C000771
Poster
3/20(⽇)
9:30
11:30
20a-P4-49
C001310
Poster
3/20(⽇)
9:30
11:30
20a-P4-50
C001462
17
Poster
3/20(⽇)
9:30
11:30
20a-P4-51
17
Poster
3/20(⽇)
9:30
11:30
20a-P4-52
17
Poster
3/20(⽇)
9:30
11:30
20a-P4-53
17
Poster
3/20(⽇)
9:30
11:30
17
Poster
3/20(⽇)
9:30
17
Poster
3/20(⽇)
9:30
17
Poster
3/20(⽇)
9:30
17
Poster
3/20(⽇)
17
Poster
17
17
17
E
1.神⼤院⼯
1.神⼾⼤院⼯
DWNTアンジップ単層グラフェンナノリボンのクロス構造の作製電気特性の⾓度依存性評価
〇(M2)劉 柏麟1、葛⻄ 誠也3、殷 翔3、⼭⽥ 豊和2、⼩川 琢治4、福森 稔4、⽥中 啓⽂1
1.九州⼯業⼤学, 2.千葉⼤学, 3.北海道⼤学, 4.⼤阪⼤学
Solution-based formation of high quality Al2O3 gate dielectrics on graphene using microwave-assisted annealing
〇(DC)KwanSoo Kim1, Goon-Ho Park1, Hirokazu Fukidome1, Tetsuya Suemitsu1, Taiichi Otsuji1, Maki Suemitsu1
1.Tohoku Univ.
光照射を⽤いて還元した窒素ドープグラフェンの開発とスーパーキャパシタ電極への応⽤
〇中井 湧基1、仁科 勇太2, 3、林 靖彦1、⽻⽥ 真毅1
1.岡⼭⼤⾃然, 2.岡⼭⼤RCIS, 3.JSTさきがけ
Hydrogen Annealing Effect on Graphene Nanoribbon FET Covered by Silicon Dioxide Passivation Layer
〇(DC)Wenzhen WANG1, Takuya Iwasaki1, 2, Jian Sun1, Manaharan Muruganathan1, Hiroshi Mizuta1, 2
1.JAIST, 2.Univ. of Southampton
グラフェンチューブの形成とフレキシブルデバイス応⽤
〇(M1)濱⻄ 敏貴1、中村 篤志1
1.静⼤⼯
酵素/グラフェン電極の電気化学特性の評価
〇(M1)中川 典駿1、⻩ 晋⼆1
グラフェン/Siショットキー太陽電池の特性改善
〇(PC)アディカリ スディープ1、アリヤル ハレラム1、内⽥ 秀雄1、梅野 正義1
1.中部⼤
Fabrication and electrical characterization of a graphene - to - graphene crossbar device.
〇Jothiramalingam Kulothungan1, Manoharan Muruganathan1, Marek Edward Schmidt1, Hiroshi Mizuta1, 2
1.JAIST, 2.Univ. of Southampton
C002202
グラフェン上に作製したコプレーナ導波路のマイクロ波帯における伝送特性の測定
〇(B)⼩菅 祥平1、須賀 良介1、⻩ 晋⼆1、橋本 修1
1.⻘学⼤理⼯
C002236
グラフェン／電解質溶液の界⾯における電気化学相互作⽤
〇鈴⽊ ⼤輔1、⾼井 和之1, 2
1.法政⼤院 理⼯, 2.法政⼤ ⽣命科学
C002931
グラフェンのフレキシブル歪みセンサーへの応⽤
〇仲村渠 翔1、ソリス・フェルデス パブロ2、スクマ・アジ アザ1、吾郷 浩樹1, 2, 3
1.九⼤院総理⼯, 2.九⼤先導研, 3.JSTさきがけ
20a-P4-54
C003645
酸化グラフェンをホール輸送層として⽤いたペロブスカイト太陽電池
〇藤井 俊治郎1、⽥中 丈⼠1、⽚浦 弘道1
1.産総研ナノ材料
11:30
20a-P4-55
C000877
Damage mitigation of roll-transferred graphene onto arbitrary substrate
〇Bongkyun Jang1, Sejeong Won1, Kwang-Seop Kim1, Hak-Joo Lee1, Jae-Hyun Kim1
1.KIMM
11:30
20a-P4-56
C001911
SiO2/Si上酸化グラフェンのアミド化/エステル化反応における基板依存性
〇沖本 治哉1、吉井 靖剛1、佐野 正⼈1
1.⼭⼤院理⼯
11:30
20a-P4-57
C000662
単層Mo1-xRexS2における1H-1Tʼ相転移とヘテロ接合形成
〇森 勝平1、佐々⽊ 将悟1、⼩林 裕1、劉 崢2, 3、吉⽥ 昭⼆4、⽵内 ⾼広4、重川 秀実4、末永 和知3、真庭 豊1、宮⽥ 耕充1, 5
9:30
11:30
20a-P4-58
C000664
単層NbドープWS2のハライドアシストCVDと評価
〇(M1)佐々⽊ 将悟1、⼩林 佑1、劉 崢2, 3、末永 和知3、真庭 豊1、宮⽥ 耕充1, 4
1.⾸都⼤理⼯, 2.産総研無機機能材料, 3.産総研ナノ材料, 4.JST さきがけ
3/20(⽇)
9:30
11:30
20a-P4-59
C000732
Two-flow CVDによるMoSe2薄膜成⻑
〇⽥崎 直也1、上野 啓司1
1.埼⽟⼤院理⼯
Poster
3/20(⽇)
9:30
11:30
20a-P4-60
C001195
単層MoS2における多原⼦空孔の研究
〇浦崎 柊1、影島 博之1
1.島根⼤総合理⼯
Poster
3/20(⽇)
9:30
11:30
20a-P4-61
C001772
SiC 表⾯上のエピタキシャルグラフェン上へのBN 成⻑の検討
〇夏⽬ 拓弥1、村部 雅央1、才⽥ 隆広1、成塚 重弥1、丸⼭ 隆浩1
1.名城⼤理⼯
Poster
3/20(⽇)
9:30
11:30
20a-P4-62
C002913
第⼀原理計算を⽤いたMoS2の結晶成⻑理論検討
〇岡⽥ 克也1、影島 博之1
17
Poster
3/20(⽇)
9:30
11:30
20a-P4-63
C003010
PTCDAプロモータを⽤いたCVD法によるMoS2薄膜の成⻑と評価
〇⼤井 皓平1、⽥畑 博史1、久保 理1、⽚⼭ 光浩1
1.阪⼤院⼯
17
Poster
3/20(⽇)
9:30
11:30
20a-P4-64
C003469
SiC(2\sqrt{3}x2\sqrt{13})-Si上へのSn吸着
〇林 真吾1、原 剣⽃1、安藤 寛1、梶原 隆司1、Visikovskiy Anton1、⽥中 悟1
1.九⼤院⼯
17
Poster
3/20(⽇)
9:30
11:30
20a-P4-65
C003619
SiC(0001)上におけるゲルマニウム吸着構造
〇(M1C)前⽥ 裕介1、林 真吾1、梶原 隆司1、Visikovskiy Anton1、⽥中 悟1
1.九⼤院⼯
17
Poster
3/20(⽇)
9:30
11:30
20a-P4-66
C002221
スライド可能な原⼦層の作製と操作
〇(M2)⼩林 佑1、渡邊 賢司2、⾕⼝ 尚2、真庭 豊1、宮⽥ 耕充1, 3
1.⾸都⼤院理⼯, 2.物材機構, 3.JSTさきがけ
17
Poster
3/20(⽇)
9:30
11:30
20a-P4-67
C002948
⼆次元原⼦層材料の電⼦ビームナノ加⼯解析
〇多⽥ 和広1、中川 ⼒哉1、鎌仲 章1、安⽥ 雅昭2
1.富⼭⾼専, 2.⼤阪府⼤院⼯
17
Poster
3/20(⽇)
9:30
11:30
20a-P4-68
C002061
⾼品質MoS2/WS2積層型ヘテロ構造における層間励起⼦
〇⿑藤 哲輝1、⼩林 佑1、渡邊 賢司2、⾕⼝ 尚2、真庭 豊1、宮⽥ 耕充1, 3
1.⾸都⼤理⼯, 2.物材機構, 3.JSTさきがけ
17
Poster
3/20(⽇)
9:30
11:30
20a-P4-69
C002436
原⼦層薄膜MoS2 の低温フォトルミネセンス評価
〇南野 達哉1、村上 俊也2、⽊曽⽥ 賢治1、伊東 千尋2
1.和歌⼭⼤教, 2.和歌⼭⼤シス⼯
17
Poster
3/20(⽇)
9:30
11:30
20a-P4-70
C000665
アルミナ薄膜封⽌による⿊リン電界効果トランジスタの安定動作
〇(M2)中⻄ 将毅1、上野 啓司1
1.埼⽟⼤院理⼯
17
E
E
E
E
奨
1.⻘学⼤理⼯
1.⾸都⼤理⼯, 2.産総研無機機能材料, 3.産総研ナノ材料, 4.筑波⼤学, 5.JSTさきがけ
1.島根⼤総理⼯
Poster
3/20(⽇)
9:30
11:30
20a-P4-71
C001808
⾃⼰組織化単分⼦膜をゲート絶縁膜に⽤いた低電圧駆動MoS2 FETの作製
〇川那⼦ ⾼暢1、⼩⽥ 俊理1
1.東⼯⼤ 量⼦ナノ研
17
17.1
Oral
3/21(⽉)
9:15
9:30
21a-S421-1
C000086
Rh触媒を⽤いたアルコールガスソース法による400°C以下での単層カーボンナノチューブ成⻑
〇⼩澤 顕成1、桐林 星光1、⼩川 征悟1、才⽥ 隆広1、成塚 重弥1、丸⼭ 隆浩1
1.名城⼤理⼯
17
17.1
Oral
3/21(⽉)
9:30
9:45
21a-S421-2
C000763
Rh触媒を⽤いた単層カーボンナノチューブ成⻑におけるAl2O3バッファ層作製法の検討
〇桐林 星光1、⼩川 征悟1、⼩澤 顕成1、才⽥ 隆広1、成塚 重弥1、丸⼭ 隆浩1
1.名城⼤理⼯
17
17.1
Oral
3/21(⽉)
9:45
10:00
21a-S421-3
C000600
CVD法によって合成されたダイヤモンド結晶を⽤いた単層カーボンナノチューブ成⻑の試み
⻑⾕川 光⽃1、清⽔ ⼤平1、〇⽯川 豊1
1.⽇本⼯⼤⼯
17
17.1
Oral
3/21(⽉) 10:00 10:15
21a-S421-4
C002766
21a-S421-5
C001913
ナノダイヤモンドから成⻑したカーボンナノチューブの
密度・⻑さに及ぼす成⻑駆動⼒の効果
1.阪⼤院⼯, 2.⽇本化薬
〇(D)Mohamad Saufi Rosmi1, 2, Yazid Yaakob1, 3, Subash Sharma1, Mohd Zamri Mohd Yusop4, Golap Kalita1, Masaki Tanemura1
1.Nagoya Inst. of Tech., 2.Univ. Pend. Sultan Idris, 3.Univ. Putra Malaysia, 4.Univ. Tech. Malaysia
17
17.1
Oral
3/21(⽉) 10:15 10:30
17
17.1
Oral
3/21(⽉) 10:30 10:45
17
17.1
Oral
3/21(⽉) 10:45 11:00
21a-S421-6
C000509
繊維状カーボンナノホーン集合体の構造と電気的特性
〇⼸削 亮太1、⼆瓶 史⾏1、當⼭ 清彦1、湯⽥坂 雅⼦2
1.NEC, 2.AIST
17
17.1
Oral
3/21(⽉) 11:00 11:15
21a-S421-7
C000608
液中プラズマ法を⽤いた燃料電池⽤触媒の作製および評価
〇(M1)アルサイディ アブドラハマン1、庄 善之2
1.東海⼤⼯硏, 2.東海⼤⼯
17
17.1
Oral
3/21(⽉) 11:15 11:30
21a-S421-8
C000612
中空コア-シェル型Si/Cナノ複合体の作製に向けた新⼿法の確⽴
〇若林 慶1、⼭浦 ⼤地1、伊藤 和希1、荻野 俊郎1
1.横国⼤院⼯
17
17.1
Oral
3/21(⽉) 11:30 11:45
21a-S421-9
C001561
貴⾦属表⾯に形成される炭素ナノ構造の解明
〇(M1)平重 憲治1、⿊川 修1、酒井 明1
1.京都⼤⼯
17
17.1
Oral
3/21(⽉) 11:45 12:00
21a-S421-10 C002782
⻑尺CNTの分散剤レス分散処理
〇權⽥ 秀雄1、徳富 純⼀郎1、伊藤 彩2
1.⽮崎総業(株), 2.沼津⾼専
17
17.1
Oral
3/21(⽉) 12:00 12:15
21a-S421-11 C001910
ダイヤモンドへの⾼温アニールにより作製した垂直配向グラファイト
〇(DC)稲葉 優⽂1、費 ⽂茜1、平野 優1、鈴⽊ 和真1、川原⽥ 洋1
1.早⼤先進理⼯
17
17.1
Oral
3/21(⽉) 13:45 14:00
21p-S421-1
C002824
透明で伸縮可能な全カーボン薄膜トランジスタの作製と評価
⼤⻄ 健夫1、〇廣⾕ 潤1、岸本 茂1、⼤野 雄⾼1, 2
1.名⼤⼯, 2.名⼤未来研
17
17.1
Oral
3/21(⽉) 14:00 14:15
21p-S421-2
C003104
⽔蒸気およびポリマー援⽤燃焼による⾦属単層カーボンナノチューブの⻑尺除去
〇井ノ上 泰輝1、⼤塚 慶吾1、千⾜ 昇平1、丸⼭ 茂夫1, 2
1.東⼤⼯, 2.産総研
17
17.1
Oral
3/21(⽉) 14:15 14:30
21p-S421-3
C002286
奨
カーボンナノチューブを⽤いた⾼速な熱応答性を有する半透明フレキシブルヒーターの作製
〇⼩林 ⼤起1、⽵井 邦晴1、有江 隆之1、秋⽥ 成司1
1.⼤阪府⽴⼤⼯
17
17.1
Oral
3/21(⽉) 14:30 14:45
21p-S421-4
C000619
奨
17
17.1
Oral
3/21(⽉) 14:45 15:00
21p-S421-5
C002180
17
17.1
Oral
3/21(⽉) 15:00 15:15
21p-S421-6
C002784
17
17.1
Oral
3/21(⽉) 15:15 15:30
21p-S421-7
17
17.1
Oral
3/21(⽉) 15:30 15:45
21p-S421-8
17
17.1
Oral
3/21(⽉) 15:45 16:00
21p-S421-9
17
17.1
Oral
3/21(⽉) 16:00 16:15
17
17.1
Oral
3/21(⽉) 16:15 16:30
17
17.1
Oral
3/21(⽉) 16:30 16:45
21p-S421-11 C002911
奨
単分⼦吸着によって発現するカーボンナノチューブ素⼦におけるランダムテレグラフシグナルノイズ
〇藤井 逸⼈1、Setiadi Agung1、⾚井 恵1、葛⻄ 誠也2、⾦井 康3、松本 和彦3、桑原 裕司1
1.阪⼤院⼯, 2.北⼤量⼦集積センター, 3.阪⼤産研
17
17.1
Oral
3/21(⽉) 16:45 17:00
21p-S421-12 C001254
奨
カーボンナノチューブへのポリスチレンビーズの溶着
〇安⽥ 正明1、⽵井 邦晴1、有江 隆之1、秋⽥ 成司1
1.阪府⼤⼯
17
17.1
Oral
3/21(⽉) 17:00 17:15
21p-S421-13 C000157
17
17.1
Oral
3/21(⽉) 17:15 17:30
21p-S421-14 C000463
17
17.1
Oral
3/21(⽉) 17:30 17:45
21p-S421-15 C001362
17
17.1
Oral
3/21(⽉) 17:45 18:00
21p-S421-16 C001806
17
17.1
Oral
3/21(⽉) 18:00 18:15
21p-S421-17 C002753
奨
17
17.1
Oral
3/21(⽉) 18:15 18:30
21p-S421-18 C003193
奨
17
17.1
Oral
3/21(⽉) 18:30 18:45
21p-S421-19 C002022
17
17.1
Oral
3/21(⽉) 18:45 19:00
21p-S421-20 C003117
17
17.2
Oral
3/20(⽇) 16:00 16:15
17
17.2
Oral
3/20(⽇) 16:15 16:30
20p-S011-10 C001855
17
17.2
Oral
3/20(⽇) 16:30 16:45
20p-S011-11 C001269
Ir(111)/α-Al2O3(0001)基板上グラフェンのエピタキシャル成⻑および電気化学的転写
〇齋藤 祐太1、籾⼭ 佳貴1、児⽟ 英之1、澤邊 厚仁1、⻩ 晋⼆1
1.⻘学⼤理⼯
17
17.2
Oral
3/20(⽇) 16:45 17:00
20p-S011-12 C001904
固相反応を⽤いた絶縁基板上への窒素ドープグラフェンの直接合成
〇杉浦 孝俊1、若松 裕司1、Kalita Golap1、種村 眞幸1
1.名⼯⼤院⼯
17
17.2
Oral
3/20(⽇) 17:00 17:15
20p-S011-13 C002056
h-BN上へのグラフェン直接合成
〇(B)岡崎 凌1、⽣⽥ 昂1、⾦井 康1、⼩野 尭⽣1、井上 恒⼀1、渡邊 賢司2、⾕⼝ 尚2、松本 和彦1
1.阪⼤産研, 2.物材機構
17
17.2
Oral
3/20(⽇) 17:15 17:30
20p-S011-14 C000997
⾼エネルギーイオン照射によるグラフェンへのヘテロ原⼦ドーピング
〇圓⾕ 志郎1、⽔⼝ 将輝2、渡邉 英雄3、楢本 洋1、境 誠司1
1.原⼦⼒機構先端基礎, 2.東北⼤⾦研, 3.九州⼤応⼒研
17
17.2
Oral
3/20(⽇) 17:30 17:45
20p-S011-15 C001346
グラフェンCVD成⻑における核発⽣と基板形状のin-situ観察
〇平良 隆信1、寺澤 知潮2、⼩幡 誠司3、⻫⽊ 幸⼀朗1, 3
1.東⼤理, 2.筑波⼤数理, 3.東⼤新領域
17
17.2
Oral
3/20(⽇) 17:45 18:00
20p-S011-16 C002164
⾦属上の多層グラフェンのその場光学観察
〇加藤 幹⼤1、⾼橋 惇郎1、本間 芳和1、趙 新為1
1.東理⼤理
17
17.2
Oral
3/20(⽇) 18:00 18:15
20p-S011-17 C001525
銅触媒とCH4プラズマを⽤いた酸化グラフェンからのグラフェン⽣成
〇⼩幡 誠司1、⾚⽥ 圭史1、⻫⽊ 幸⼀朗1
1.東⼤新領域
17
17.2
Oral
3/20(⽇) 18:15 18:30
20p-S011-18 C002583
Wキャップ層を⽤いた析出法により直接成⻑した多層グラフェンの結晶性向上に関する検討
〇⼭⽥ 純平1、上⽥ 悠貴1、丸⼭ 隆浩1、成塚 重弥1
1.名城⼤理⼯
17
17.2
Oral
3/20(⽇) 18:30 18:45
20p-S011-19 C002740
Optimization of CVD parameters for graphene synthesis through designs of experiments
〇(D)Remi PAPON1, Christel PIERLOT2, Subash SHARMA1, Sachin M. SHINDE1, Golap KALITA1, Masaki TANEMURA1
1.Nagoya Instit. of Technol., 2.ENSCL
17
17.2
Oral
3/20(⽇) 18:45 19:00
20p-S011-20 C000190
プラズマCVDのグラフェン合成におけるガス残渣の影響
〇沖川 侑揮1, 2、加藤 隆⼀2、⼭⽥ 貴壽1, 2、⽯原 正統1, 2、⻑⾕川 雅考1, 2
「講演奨励賞受賞記念講演」（15分）
〇森川 ⽣1、増渕 覚1、守⾕ 頼1、渡邊 賢司2、⾕⼝ 尚2、Dou Ziwei3、Wang Shu-Wei3、Smith Charles3、Connolly Malcolm3、町⽥ 友樹1, 4,
⾼移動度グラフェンを⽤いたバリスティックかつコヒーレントな量⼦輸送現象の観測とその制御
5
17
17.2
Oral
3/21(⽉)
9:00
9:15
E
〇(M2)林 明⽣1、有福 達治2、清柳 典⼦2、⼩林 慶裕1
Direct observation of structural change in Au-incorporated carbon nanofibers by current-induced annealing
休憩/Break
奨
Cost-effective fabrication of high-performance flexible all-solid-state carbon micro-supercapacitors by blue-violet laser direct writing and
E
further surface treatment
〇(P)Jinguang Cai1, Akira Watanabe1
1.IMRAM, Tohoku Univ.
カーボンナノチューブ薄膜を⽤いたIgE検出における吸着サイト密度の効果
〇加瀬 寛⼈1、松井 祐司1、根岸 良太1、有福 達治2、清柳 典⼦2、⼩林 慶裕1
1.阪⼤院⼯, 2.⽇本化薬(株)
Carbon Nanotube Membranes for Simultaneous Transport of Protons and Electrons
〇(PC)Gregory A Pilgrim1, 2, Amanda Amori1, Zhentao Hou1, Fen Qiu1, Todd Krauss1
1.Univ. of Rochester, 2.JSPS International Research Fellow
C001498
カーボンナノチューブ複合紙による”熱電発電紙”の開発
〇(B)川⽥ ⼀貴1、稲垣 忠光1、⼤⽮ 剛嗣1
1.横浜国⼤理⼯
C003242
CNT/Si/Al構造における光電変換特性の評価
〇柚⽊ 健翔1、藤森 翔太郎1、ミョー タンテイ1、百瀬 成空2、橋本 佳男1
1.信州⼤⼯, 2.⻑野⾼専
C002882
カーボンナノチューブ複合紙による⾊素増感太陽電池紙の効率向上検討
〇藤原 孝史1、⼤⽮ 剛嗣1
1.横浜国⽴⼤理⼯
ラジオ波酸素プラズマ処理により表⾯修飾されたナノカーボン材料上の担持Ptナノ粒⼦のメタノール酸化活性評価
吉⽵ 晴彦1、稲⾒ 栄⼀2、王 志朋3、〇緒⽅ 啓典1, 2
1.法政⼤院理⼯学研究科, 2.法政⼤学ﾏｲｸﾛ・ﾅﾉ研, 3.信州⼤
E
21p-S421-10 C003748
休憩/Break
20p-S011-9
21a-S011-1
奨
〇(B)鈴⽊ 克弥1, 2、富沢 啓1、⼭⼝ 智弘1、秋⽥ 成司3、⻘⽊ 伸之2、⽯橋 幸治1, 4
1.理研, 2.千葉⼤⼯, 3.⼤阪府⼤⼯, 4.理研創発物性センター
直径，結晶品質に依存したカーボンナノチューブの電気伝導特性(2)
〇⻄浦 憲1、徳富 淳⼀郎1、⽥中 将嗣2、松本 凌2、⾼野 義彦2
1.⽮崎総業, 2.物材機構
SiC基板上⾼密度CNT配向膜における電気伝導機構の解明
〇(DC)松⽥ 敬太1, 2、乗松 航1、楠 美智⼦2
1.名⼤院⼯, 2.名⼤未来
単⼀カーボンナノコイルのコイル径と電⼦伝導特性の関係
〇中村 康史1、須⽥ 善⾏1、針⾕ 達1、飯⽥ ⺠夫2、滝川 浩史1、植 仁志3、島 弘幸4
1.豊技⼤⼯, 2.岐⾩⾼専, 3.東海カーボン, 4.⼭梨⼤医⼯
単層カーボンナノチューブからの電界電⼦放出電流挙動の解明
〇(D)⼊⽥ 賢1、本間 芳和1
1.Tokyo Univ. of Science
霜柱状CNTフォレストの⾚外吸収
〇宮地 弘樹1、Pander Adam1、⼋⽥ 章光1, 2、古⽥ 寛1, 2
1.⾼知⼯科⼤学, 2.⾼知⼯科⼤学総研ナノテクC.
⾦属・半導体型混合SWCNTフィルムの熱電物性
〇(M2)林 ⼤介1、上⽥ 智⼤1、中井 祐介1、客野 遥1、宮⽥ 耕充1, 2、真庭 豊1、⼭本 貴博3
1.⾸都⼤理⼯, 2.JSTさきがけ, 3.東京理科⼤
〇横倉 瑛太1、⽚岡 洋右1、緒⽅ 啓典1, 2
1.法政⼤学⼤学院 理⼯学研究科 応⽤化学専攻, 2.法政⼤学 マイクロナノテクノロジー研究センター
SiC劈開⾯の熱分解による異⽅性グラフェン成⻑
⾼崎 友也1、塩路 淳1、〇梶原 隆司1、Visikovskiy Anton1、⽥中 悟1
1.九⼤院⼯
SiC表⾯上のSi熱脱離グラフェン成⻑機構に関する第⼀原理分⼦動⼒学シミュレーション – 炭素鎖から⼆次元的構造の形成過程
〇⼩野 裕⼰1, 4、⼭崎 隆浩2, 4、奈良 純2, 4、⼤野 隆央2, 3, 4
1.⾼度情報, 2.物材機構, 3.東⼤⽣研, 4.⾼効率電デバ
単層カーボンナノチューブに内包された
ヨウ化セシウムの局所構造および物性評価
C003535
I000168
集束イオンビームを⽤いたトップゲート型多層カーボンナノチューブ量⼦ドットの作製
奨
奨
E
奨
招
1.産総研, 2.TASC
1.東⼤⽣研, 2.物材機構, 3.Cambridge⼤Cavendish研, 4.東⼤ナノ量⼦, 5.CREST-JST
2016年春季講演会(東⼯⼤⼤岡⼭キャンパス)プログラム
⼤分類 中分類
形式
講演⽇
開始
終了
9:30
【1⽉28⽇(⽊)更新】暫定版からの更新箇所は⾚字になっております。
講演番号
受付番号
奨励賞 英語 招待
45 / 52 ページ
※会場、時間が変更になった場合は該当の⽅にご連絡いたします。
講演タイトル
著者
所属機関
17
17.2
Oral
3/21(⽉)
9:15
21a-S011-2
C001249
六⽅晶窒化ホウ素(hBN)/グラフェン/hBN構造におけるゼロ磁場中⾮局所抵抗
〇(PC)⼩松 克伊1, 2、渡辺 英⼀郎1、津⾕ ⼤樹1、渡邊 賢司1、⾕⼝ 尚1、森⼭ 悟⼠1
1.物材機構, 2.東⼯⼤
17
17.2
Oral
3/21(⽉)
9:30
9:45
21a-S011-3
C000163
解離性イオン散乱を⽤いたグラフェンの弾性プローブ
〇持地 広造1、乾 徳夫1、盛⾕ 浩右1
1.兵庫県⽴⼤院⼯
17
17.2
Oral
3/21(⽉)
9:45
10:00
21a-S011-4
C001011
グラフェン-分割リング共振器
〇鈴⽊ 哲1、⼭本 秀樹1
1.NTT物性基礎研
17
17.2
Oral
3/21(⽉) 10:00 10:15
21a-S011-5
C002430
ゼーベック係数の⽋陥状態・キャリア散乱依存性
〇安野 裕貴1、⽵井 邦晴1、秋⽥ 成司1、有江 隆之1
1.⼤阪府⼤院⼯
17
17.2
Oral
3/21(⽉) 10:15 10:30
21a-S011-6
C003083
トポロジカル⽋陥のある hBN 基板のグラフェンの伝導
〇⾦⼦ 智昭1, 2、⼤野 隆央1, 2, 3
1.物質・材料研究機構, 2.⾼効率電デバコンソ, 3.東⼤⽣産研
17
17.2
Oral
3/21(⽉) 10:30 10:45
17
17.2
Oral
3/21(⽉) 10:45 11:00
21a-S011-7
C002304
電気化学的⼿法による単層グラフェン/Au(111)の物性評価
〇保⽥ 諭1、熊⾕ 諒太1、中島 浩司1、村越 敬1
1.北⼤理院
17
17.2
Oral
3/21(⽉) 11:00 11:15
21a-S011-8
C002424
グラフェン触媒を援⽤した⽔中でのGe表⾯エッチングの基礎検討
〇(M2)森 ⼤地1、中出 和希1、佐藤 慎祐1、川合 健太郎1、森⽥ 瑞穂1、有⾺ 健太1
1.阪⼤院⼯
17
17.2
Oral
3/21(⽉) 11:15 11:30
21a-S011-9
C002162
17
17.2
Oral
3/21(⽉) 11:30 11:45
21a-S011-10 C002655
17
17.2
Oral
3/21(⽉) 11:45 12:00
21a-S011-11 C001813
17
17.2
Oral
3/21(⽉) 12:00 12:15
21a-S011-12 C002974
17
17.2
Oral
3/21(⽉) 13:45 14:00
21p-S011-1
C002618
17
17.2
Oral
3/21(⽉) 14:00 14:15
21p-S011-2
C002149
17
17.2
Oral
3/21(⽉) 14:15 14:30
21p-S011-3
C001517
17
17.2
Oral
3/21(⽉) 14:30 14:45
21p-S011-4
C003275
奨
17
17.2
Oral
3/21(⽉) 14:45 15:00
21p-S011-5
C002592
奨
17
17.2
Oral
3/21(⽉) 15:00 15:15
21p-S011-6
C000216
奨
17
17.2
Oral
3/21(⽉) 15:15 15:30
21p-S011-7
C000756
17
17.2
Oral
3/21(⽉) 15:30 15:45
21p-S011-8
17
17.2
Oral
3/21(⽉) 15:45 16:00
21p-S011-9
17
17.2
Oral
3/21(⽉) 16:00 16:15
17
17.2
Oral
3/21(⽉) 16:15 16:30
17
17.2
Oral
3/21(⽉) 16:30 16:45
21p-S011-11 C001905
17
17.2
Oral
3/21(⽉) 16:45 17:00
21p-S011-12 C001693
17
17.2
Oral
3/21(⽉) 17:00 17:15
21p-S011-13 C002770
17
17.2
Oral
3/21(⽉) 17:15 17:30
21p-S011-14 C002168
17
17.2
Oral
3/21(⽉) 17:30 17:45
21p-S011-15 C002243
17
17.2
Oral
3/21(⽉) 17:45 18:00
21p-S011-16 C002050
17
17.2
Oral
3/21(⽉) 18:00 18:15
21p-S011-17 C001892
17
17.2
Oral
3/21(⽉) 18:15 18:30
21p-S011-18 C000812
17
17.2
Oral
3/21(⽉) 18:30 18:45
21p-S011-19 C001312
奨
17
17.2
Oral
3/21(⽉) 18:45 19:00
21p-S011-20 C001804
奨
17
17.2
Oral
3/22(⽕)
9:00
9:15
22a-S011-1
C002876
17
17.2
Oral
3/22(⽕)
9:15
9:30
22a-S011-2
C000963
17
17.2
Oral
3/22(⽕)
9:30
9:45
22a-S011-3
C002210
17
17.2
Oral
3/22(⽕)
9:45
10:00
22a-S011-4
C001863
17
17.2
Oral
3/22(⽕) 10:00 10:15
22a-S011-5
C002362
17
17.2
Oral
3/22(⽕) 10:15 10:30
22a-S011-6
C002830
17
17.2
Oral
3/22(⽕) 10:30 10:45
22a-S011-7
C001032
17
17.2
Oral
3/22(⽕) 10:45 11:00
22a-S011-8
C002752
17
17.2
Oral
3/22(⽕) 11:00 11:15
17
17.2
Oral
3/22(⽕) 11:15 11:30
22a-S011-9
C003215
17
17.2
Oral
3/22(⽕) 11:30 11:45
17
17.2
Oral
3/22(⽕) 11:45 12:00
17
17.2
Oral
3/22(⽕) 12:00 12:15
17
17.2
Oral
17
17.2
Oral
17
17.2
17
17
休憩/Break
E
Facile preparation and thermoelectric properties of reduced graphene oxide
Yasuhiro1, Hiroya Ikeda1
1.Shizuoka Univ, 2.Univ. of Malaya
〇根岸 良太1、伊藤 孝寛2、仲武 昌史3、⾚堀 誠志4、渡辺 義夫3、⼩林 慶裕1
1.阪⼤院⼯, 2.名⼤院⼯, 3.あいちSRセンター, 4.北陸先端⼤
〇前⽥ ⽂彦1, 2、⾼村 真琴2、⽇⽐野 浩樹3, 2
1.福岡⼯⼤⼯, 2.ＮＴＴ物性基礎研, 3.関⻄学院⼤学理⼯
グラフェン上⾦属微粒⼦の熱的挙動のその場観察
〇⾼橋 惇郎1、加藤 ⼤樹1、籾内 雄太1、本間 芳和1
1.東理⼤理
歪み誘起擬似磁場を利⽤したグラフェンFETの制御における電⼦-フォノン散乱の影響
〇相⾺ 聡⽂1、笹岡 健⼆1、⼩川 真⼈1
1.神⼾⼤院⼯
グラフェン共鳴トンネル電界効果トランジスタの素⼦性能解析
〇(M2)鈴⽊ 俊英1、ムルガナタン マノハラン1、⽔⽥ 博1, 2
1.北陸先端⼤, 2.サザンプトン⼤学
Triple Gate Graphene Nanoribbon Field Effect Transistor (TG-GNRFET)
〇(D)Ahmed Mohammed Hammam1, 3, Marek E. Schmidt1, Manoharan Muruganathan1, Hiroshi Mizuta1, 2
1.JAIST, 2.Southampton Univ, 3.Menia Univ
h-BN/2層グラフェン/h-BNゲートスタック構造でのIon/Ioff向上
〇ウワンノー ティーラユット1、⾕⼝ 尚2、渡邊 賢司2、⻑汐 晃輔1, 3
1.東⼤, 2.NIMS, 3.JST-さきがけ
グラフェンFETにおける真性トランジスタパラメータ抽出⽤モデルの評価
〇(M1)満塩 純希1、⽟⾍ 元1、菅原 健太1、佐藤 昭1、吹留 博⼀1、末光 眞希1、尾辻 泰⼀1
1.東北⼤通研
グラフェン光検出器の⾼感度化検討
〇嶋⾕ 政彰1、⼩川 新平1、藤澤 ⼤介1、奥⽥ 聡志1, 2、⾦井 康2、⼩野 尭⽣2、松本 和彦2
Pdナノドット修飾グラフェンに⽔素が及ぼす影響
〇後藤 瑛⼈1、⽵内 豪1、⼭知 亮介1、⽥中 貴久1、⾼橋 綱⼰1, 2、内⽥ 建1, 2
1.慶應⼤理⼯, 2.JST CREST
C001180
⾃⼰加熱を利⽤したPd ナノドット修飾グラフェン・ガスセンサ
〇⽵内 豪1、後藤 瑛⼈1、⼭⼝ 公平1、⼭知 亮介1、⽥中 貴久1、⾼橋 綱⼰1, 2、内⽥ 建1, 2
1.慶應⼤理⼯ 電⼦⼯, 2.JST CREST
C002704
CVDグラフェンを⽤いた⾼感度ストレスセンサの開発
〇(B)植村 孝平1、⽣⽥ 昂2、⼩野 尭⽣2、⾦井 康2、井上 恒⼀2、松本 和彦2、前橋 兼三1
1.農⼯⼤, 2.阪⼤産研
21p-S011-10 C003564
酸化グラフェンからの⾼結晶性グラフェン薄膜におけるバンド伝導の起源
〇(DC)Pandiyarasan Veluswamy1, Wanami Masaya1, Shanthi Selvaraj1, Salleh Faiz2, Archana Jeyaram1, Navaneethan Mani1, Hayakawa
⽔素終端処理したグラフェン／SiC(0001)におけるグラフェンの劣化
­電流通電が誘起した⾮常に遅い界⾯酸化­
E
奨
糖鎖機能化グラフェンFETを⽤いたノイラミニダーゼ反応計測
〇(M1)鎌⽥ 果歩1、⼩野 尭⽣1、⾦井 康1、⼤野 恭秀1, 2、前橋 兼三1, 3、井上 恒⼀1、渡邊 洋平4、河原 敏男5、鈴⽊ 康夫5、中北 愼⼀6、松本
和彦1
1.三菱電機, 2.阪⼤産研
1.阪⼤産研, 2.徳島⼤, 3.東京農⼯⼤, 4.京都府⽴医⼤, 5.中部⼤, 6.⾹川⼤
休憩/Break
奨
奨
奨
E
E
太陽電池応⽤を⽬指したグラフェン透明導電膜のp形導電性制御
〇⼤⽮ 智也1、⻘⼭ 悠⽣1、野本 隆宏1、⽯川 亮佑1、坪井 望1
1.新潟⼤
酸化グラフェン電極の仕事関数制御と有機FETへの応⽤
〇(D)⾚⽥ 圭史1、⼩幡 誠司1、⻫⽊ 幸⼀朗1
1.東⼤新領域
グラフェンの界⾯挿⼊による⾦属/p型SiCのオーミックコンタクト形成
〇藤井 健志1、佐藤 まり⼦1、稲本 拓朗1
1.富⼠電機
サスペンデッドグラフェンNEMS共振器の作製と評価
〇武市 旺⼤1、スン ジアン1、シュミット マレク1、ムルガナタン マノハラン1、⽔⽥ 博1, 2
1.北陸先端⼤, 2.サザンプトン⼤
HIMを⽤いたサブ10 nm 幅サスペンデッドグラフェンナノリボンの作製
シュミット マレク1、〇武市 旺⼤1、神崎 晃悠1、⼩川 真⼀2、⽔⽥ 博1, 3
1.北陸先端⼤, 2.産総研, 3.サザンプトン⼤
グラフェン量⼦ドットにおける近藤効果の観測
〇⾦井 康1、⽣⽥ 昂1、⼩野 尭⽣1、⼤野 恭秀2, 1、前橋 兼三3, 1、井上 恒⼀1、松本 和彦1
1.阪⼤産研, 2.徳島⼤, 3.東京農⼯⼤
グラフェン-超伝導体接触界⾯形成に対する⾦属薄膜微細構造の影響
〇津村 公平1、平林 元樹1、⼤杉 正樹1、渡辺 英⼀郎2、津⾕ ⼤樹2、⾼柳 英明3
1.東理⼤理, 2.NIMS微細加⼯プラットフォーム, 3.東理⼤総研
グラフェンナノリボン移動度のエッジ揺らぎおよびリボン幅依存性のモンテカルロシミュレーション
〇伊藤 直⼈1、三澤 太⼀1、粟野 祐⼆1
1.慶⼤理⼯
弱く結合したジグザグ端ナノリボン列の電⼦状態解析
〇(B)橋本 ⾵渡1、森 伸也1、久保 理1、⽚⼭ 光浩1
1.阪⼤⼯
⾼配向ボトムアップ・グラフェンナノリボンアレイの電荷輸送特性
〇(PC)⼤伴 真名歩1、関根 佳明1、⽇⽐野 浩樹1, 2、⼭本 秀樹1
1.NTT物性研, 2.関⻄学院⼤
酸化グラフェンのエタノール中超⾼温加熱処理で⽣成したグラフェンの積層構造解析
〇(B)⽦⽥ 裕也1、⽯⽥ 俊1、篠⽥ 佳彦2、⼩林 慶裕1
1.阪⼤院⼯, 2.若狭湾エネ研
VUV光による酸化グラフェンへの窒素ドーピング
〇(M1)曽我 正寛1、屠 宇迪1、宇都宮 徹1、⼀井 崇1、杉村 博之1
1.京⼤院⼯
多層酸化グラフェン還元体の電気特性評価
〇屠 宇迪1、中元 宏1、宇都宮 徹1、⼀井 崇1、杉村 博之1
1.京⼤院⼯
Stabilization of alloy nanoparticles on reduced graphene oxide for catalytic application: Utilization of graphene oxide as a capping agent
〇Muttaqin Muttaqin1, Takahiro Nakamura1, Shunichi Sato1
1.Tohoku Univ.
Pt表⾯上における酸化グラフェンの界⾯選択還元
〇(B)本間 弘樹1、⼩幡 誠司2、⻫⽊ 幸⼀朗2、藤川 安仁1
1.弘前理⼯, 2.東⼤新領域
Influence of Cu crystallographic orientations on graphene anisotropic etching
〇(D)Kamal Prasad Sharma, Golap Kalita1, Masaki Tanemura1
1.Nagoya Inst. Technol.
脱炭酸的アリール化によるグラフェン量⼦ドットの可溶化と発光⾊の制御
〇⼩⽥ ⼀磨1、廣⼾ 聡1、忍久保 洋1
1.名⼤院⼯
グラフェンサンドイッチ構造を利⽤した液体の透過型電⼦顕微鏡観察⼿法の開発と応⽤
〇(DC)佐々⽊ 祐⽣1、北浦 良1、Yuk Jong Min2、Zettl Alex2、篠原 久典1
1.名⼤院理, 2.UCBA
TMDCによる多結晶グラフェンのグレイン構造の可視化
〇深町 悟1、遠藤 寛⼦1、Rozan Mohamad Yunus2、辻 正治3、吾郷 浩樹1, 2, 4
1.九⼤先導研, 2.九⼤院総理⼯, 3.九⼤炭素センター, 4.JSTさきがけ
22a-S011-10 C001554
ロジウム-⼆硫化モリブデン-グラフェンヘテロ接合の電気特性に関する研究
〇楊 順涵1、有⽉ 琢哉1、⾼嶋 和也1、⼤野 恭秀1、永瀬 雅夫1
1.徳島⼤学
22a-S011-11 C000318
ゲート制御型端選択的光酸化によるグラフェンナノリボン形成
松本 守広1、〇野内 亮1
1.阪府⼤21機構
22a-S011-12 C003092
in-situ ⽔素アニールによるグラフェンのダメージ修復評価
〇岩下 晋也1、ムルガナタン マノハラン1、シュミット マレク1、⽔⽥ 博1, 2
1.北陸先端⼤, 2.サザンプトン⼤
3/22(⽕) 12:15 12:30
22a-S011-13 C001235
エピタキシャルグラフェン上の吸着⽔層
〇中村 晃⼤1、有⽉ 琢哉1、⾼嶋 和也1、永濱 拓也1、北岡 誠1、⼤野 恭秀1、永瀬 雅夫1
3/22(⽕) 12:30 12:45
22a-S011-14 C003353
CVD法により形成したSiC(3x3)界⾯層上グラフェンの電⼦状態
〇梶原 隆司1、林 真吾1、Visikovskiy Anton1、飯盛 拓嗣2、⼩森 ⽂夫2、⽥中 悟1
Oral
3/22(⽕) 12:45 13:00
22a-S011-15 C003459
SiCファセット上サブ2次元グラフェンの構造制御
17.2
Oral
3/22(⽕) 13:00 13:15
22a-S011-16 C002764
グラフェン上の⼤気由来吸着物
〇⽇⽐野 浩樹1, 2、⼩川 友以2、⾼村 真琴2、Wang Shengnan2、関根 佳明2、⾚⽯ 暁3、中村 淳3
1.関学⼤理⼯, 2.NTT物性基礎研, 3.電通⼤院先進理⼯
17.3
Oral
3/20(⽇) 13:45 14:00
20p-S421-1
C000805
シリセン-アミンヘテロ界⾯の電⼦物性に対する電界効果
〇飯⽥ 健⼆1、野⽥ 真史1、信定 克幸1
1.分⼦研
17
17.3
Oral
3/20(⽇) 14:00 14:15
20p-S421-2
C001578
奨
単結晶六⽅晶ボロンナイトライドの絶縁破壊強度の異⽅性
〇服部 吉晃1、⾕⼝ 尚2、渡邊 賢司2、⻑汐 晃輔1, 3
1.東⼤マテリアル, 2.NIMS, 3.JST-さきがけ
17
17.3
Oral
3/20(⽇) 14:15 14:30
20p-S421-3
C002204
奨
MoS2/WS2半導体ヘテロ接合界⾯におけるバンドギャップ変調
〇(M2)⼩林 佑1、吉⽥ 昭⼆2、櫻⽥ ⿓司2、⻫藤 哲輝1、渡邊 賢司3、⾕⼝ 尚3、真庭 豊1、重川 秀実2、宮⽥ 耕充1, 4
1.⾸都⼤院理⼯, 2.筑波⼤数理, 3.物材機構, 4.JSTさきがけ
17
17.3
Oral
3/20(⽇) 14:30 14:45
20p-S421-4
C002464
17
17.3
Oral
3/20(⽇) 14:45 15:00
20p-S421-5
C000919
17
17.3
Oral
3/20(⽇) 15:00 15:15
20p-S421-6
C003567
17
17.3
Oral
3/20(⽇) 15:15 15:30
20p-S421-7
C001172
17
17.3
Oral
3/20(⽇) 15:30 15:45
20p-S421-8
C001205
17
17.3
Oral
3/20(⽇) 15:45 16:00
20p-S421-9
C000361
17
17.3
Oral
3/20(⽇) 16:00 16:15
20p-S421-10 C002072
17
17.3
Oral
3/20(⽇) 16:15 16:30
20p-S421-11 C002342
17
17.3
Oral
3/20(⽇) 16:30 16:45
20p-S421-12 C002652
奨
休憩/Break
17
17.3
Oral
3/22(⽕)
9:00
9:15
22a-S421-1
I000142
17
17.3
Oral
3/22(⽕)
9:15
9:30
22a-S421-2
C001015
17
17.3
Oral
3/22(⽕)
9:30
9:45
22a-S421-3
C001028
17
17.3
Oral
3/22(⽕)
9:45
10:00
22a-S421-4
C001181
17
17.3
Oral
3/22(⽕) 10:00 10:15
22a-S421-5
C002449
22a-S421-6
C002357
電界効果ドーピングによる
〇福間 洸平1、林 真吾1、梶原 隆司1、Visikovskiy Anton1、飯盛 拓嗣2、家永 紘⼀郎2、⽮治 光⼀郎2、中辻 寛2、⼩森 ⽂夫2、⽥中 宏和3、神⽥
晶申3、⽥中 悟1
1.徳島⼤⼯
1.九⼤院⼯, 2.東⼤物性研
1.九⼤院⼯, 2.東⼤物性研, 3.筑波⼤
〇⽑利 真⼀郎1、張 ⽂⾦1、宮内 雄平1、松⽥ ⼀成1
1.京都⼤学エネ研
単層・2層GeSeおよびGeSe/MoS2ヘテロ構造の第⼀原理計算
〇⼤淵 真理1
1.富⼠通研
奨
マイルド酸素プラズマ機能化数層WSe2を⽤いた⾼性能光電⼦デバイスの開発
〇永井 黎⼈1、加藤 俊顕1、⾦⼦ 俊郎1
1.東北⼤院⼯
奨
CVD-MoS2/SiO2相互作⽤評価と完全被覆TGによるデュアルゲート変調
〇(M1)倉林 空1、⻑汐 晃輔1, 2
1.東⼤⼯, 2.JST-さきがけ
MoS2 FETの電気特性を向上させるための熱処理プロセスの検討
〇佐野 宏亮1、⾜⽴ 薫彦1、下川 慶久1、⾼橋 綱⼰1, 2、内⽥ 建1, 2
1.慶應⼤理⼯, 2.JST CREST
シリケイン及びゲルマナンをチャネルとするCMOSトランジスタのバリスティック性能解析
〇兼古 志郎1、岡 直左1、⼟屋 英昭1、⼩川 真⼈1
1.神⼾⼤⼯
数層WSe2ショットキー型太陽電池における光発電特性の⾼性能化
〇(M2)⾚間 俊紀1、加藤 俊顕1、⾦⼦ 俊郎1
1.東北⼤院⼯
MoS2ー単層グラフェンへテロ構造の局所ガス応答特性評価
〇佐藤 雄太1、⼤井 皓平1、⿇下 卓嗣1、⽥畑 博史1、久保 理1、⽚⼭ 光浩1
1.阪⼤院⼯
Ti0.87O2ナノシートの固相変態による極薄TiOxアナターゼFET
〇関崎 舜也1、⻑⽥ 実2、佐々⽊ ⾼義2、⻑汐 晃輔1, 3
1.東⼤マテリアル, 2.NIMS, 3.JST-さきがけ
遷移⾦属ダイカルコゲナイド原⼦層ヘテロ構造の発光変調
奨
奨
招
E
奨
E
「講演奨励賞受賞記念講演」（15分）
〇⼭本 真⼈1、中払 周1、上野 啓司2、塚越 ⼀仁1
1.物材機構, 2.埼⽟⼤院理⼯
単層から⼆層シリセンへの相変態
〇⼋百川 律⼦1、⼤砂 哲1、中野 秀之1, 2
1.豊⽥中研, 2.JST さきがけ
拡散・析出法によるh-BN薄膜の形成過程
WSe2表⾯酸化層のp型コンタクト・ドーパント応⽤
〇鈴⽊ 哲1、⼩川 友以1、Wang Shengnan1、⼭本 秀樹1
1.NTT物性基礎研
Synthesis of large-area hexagonal boron nitride films using chemical vapor deposition
VICTORIA HAMILTON1, 〇SHENGNAN WANG1, SATORU SUZUKI1, HIROKI HIBINO1, 2, HIDEKI YAMAMOTO1
1.NTT Basic Research Labs., 2.Kwansei Gakuin Univ.
CVD法により合成したh-BN多層膜の触媒依存性
〇近藤 ⼤雄1, 2、林 賢⼆郎1, 2、⽚岡 真紗⼦1, 2、岩井 ⼤介1, 2、佐藤 信太郎1, 2
1.富⼠通研, 2.富⼠通
Synthesis of BCN layers and anisotropic etching for nanoribbon fabrication
〇(DC)Riteshkumar Ratneshkumar Vishwakarma1, Golap Kalita1, Masaki Tanemura1
1.Nagoya Inst.Technol.
17
17.3
Oral
3/22(⽕) 10:15 10:30
17
17.3
Oral
3/22(⽕) 10:30 10:45
17
17.3
Oral
3/22(⽕) 10:45 11:00
22a-S421-7
C002025
単層単結晶 WS2の広域集積化合成
〇⾼橋 智之1、加藤 俊顕1、⾦⼦ 俊郎1
1.東北⼤院⼯
17
17.3
Oral
3/22(⽕) 11:00 11:15
22a-S421-8
C003293
GaAs基板上へのMoSe2/WSe2ヘテロ構造のMBE成⻑
〇⼩野満 恒⼆1、熊倉 ⼀英1、⼭本 秀樹1
1.NTT物性科学基礎研究所
17
17.3
Oral
3/22(⽕) 11:15 11:30
22a-S421-9
C003544
ミストCVDによる⼆硫化モリブデン(MoS2)層状薄膜作製への挑戦
〇(M1)佐藤 翔太1、川原村 敏幸1, 2
1.⾼知⼯⼤院知能機械システム⼯学コース, 2.⾼知⼯⼤総研
17
17.3
Oral
3/22(⽕) 11:30 11:45
スパッタ堆積MoS2薄膜のXPSと光学コントラスト法による層数識別
〇⽯原 聖也1、⽇⽐野 祐介1、澤本 直美1、須⽥ 耕平1、⼤橋 匠2、松浦 賢太郎2、町⽥ 英明3、⽯川 真⼈3、須藤 弘3、若林 整2、⼩椋 厚志1
1.明治⼤, 2.東⼯⼤, 3.気相成⻑(株)
〇(B)Sapna Sinha1, Yuya Takabayashi1, Haruka Omachi1, Hisanori Shinohara1, Ryo Kitaura1
1.Nagoya Univ.
休憩/Break
22a-S421-10 C001814
22a-S421-11 C002190
奨
奨
奨
17
17.3
Oral
3/22(⽕) 11:45 12:00
合同K
合同K
Poster
3/19(⼟) 16:00 18:00
19p-P12-1
C003202
触媒反応⽣成⾼エネルギーH2Oビームの運動エネルギー評価
〇安井 寛治1、寺⼝ 祐介1、⽥島 諒⼀1、⽟⼭ 泰宏1
1.⻑岡技科⼤
合同K
合同K
Poster
3/19(⼟) 16:00 18:00
19p-P12-2
C002675
電気化学堆積した低温バッファ層がZnOナノロッド形状に与える効果
〇⽊⽥ 正紀1、鈴⽊ 聡1
1.⽊更津⾼専
合同K
合同K
Poster
3/19(⼟) 16:00 18:00
19p-P12-3
C001592
触媒反応⽀援CVD法による⾮極性ZnO結晶膜の成⻑
〇⽥島 諒⼀1、叶内 慎吾1、⽟⼭ 泰宏1、安井 寛治1
1.⻑岡技術科学⼤学
合同K
合同K
Poster
3/19(⼟) 16:00 18:00
19p-P12-4
C001678
UHVスパッタ法により成⻑したZnO単結晶層のアニール処理 (Ⅰ)
〇⽻⿃ 翼1、佐久間 ⼤樹1、松久 健司1、渡邊 和樹1、⽔野 愛1、安藤 毅1、篠⽥ 宏之1、六倉 信喜1
1.東京電機⼤⼯
合同K
合同K
Poster
3/19(⼟) 16:00 18:00
19p-P12-5
C002944
UHVスパッタ法により成⻑したZnO単結晶層のアニール処理(Ⅱ)
〇⽔野 愛1、安藤 毅1、篠⽥ 宏之1、六倉 信喜1
1.東京電機⼤⼯
合同K
合同K
Poster
3/19(⼟) 16:00 18:00
19p-P12-6
C001794
MOCVD法によるZnMgO:N/ZnOシングルヘテロ接合を採⽤したUV-LED
〇柳瀬 将吾1、錦織 ⼤和1、藤⽥ 恭久1
1.島根⼤院総理
合同K
合同K
Poster
3/19(⼟) 16:00 18:00
19p-P12-7
C002962
(0001)a-Al2O3基板上および(0001)GaNテンプレート上へのIn2O3膜のミストCVD成⻑
〇⼩林 拓也1、⽥沼 圭亮1、⼭⼝ 智広1、尾沼 猛儀1、本⽥ 徹1
1.⼯学院⼤
合同K
合同K
Poster
3/19(⼟) 16:00 18:00
19p-P12-8
C002348
オゾンを⽤いたβ-Ga2O3のMBE成⻑
〇中⽥ 義昭1、佐々⽊ 公平2、倉⼜ 朗⼈2、⼭腰 茂伸2、東脇 正⾼1
1.情通機構, 2.タムラ製作所
合同K
合同K
Poster
3/19(⼟) 16:00 18:00
19p-P12-9
C002355
β-Ga2O3(010)基板上へのGa照射
〇中⽥ 義昭1、佐々⽊ 公平2、倉⼜ 朗⼈2、⼭腰 茂伸2、東脇 正⾼1
1.情通機構, 2.タムラ製作所
奨
E
Passivation of Phosphorene in Ambient Conditions by Encapsulation with Monolayer Hexagonal Boron Nitride Grown by Chemical Vapor
Deposition Technique
2016年春季講演会(東⼯⼤⼤岡⼭キャンパス)プログラム
⼤分類 中分類
形式
講演⽇
開始
終了
【1⽉28⽇(⽊)更新】暫定版からの更新箇所は⾚字になっております。
講演番号
受付番号
奨励賞 英語 招待
46 / 52 ページ
※会場、時間が変更になった場合は該当の⽅にご連絡いたします。
講演タイトル
著者
所属機関
合同K
合同K
Poster
3/19(⼟) 16:00 18:00
19p-P12-10
C003505
塗布熱分解法で成膜したCa3Co2O6膜の結晶成⻑におよぼす焼成条件の影響
〇⽥橋 正浩1、⾼橋 誠1、後藤 英雄1
1.中部⼤学
合同K
合同K
Poster
3/19(⼟) 16:00 18:00
19p-P12-11
C000207
Fe⽀援CBD法によるCu2O薄膜の成⻑
〇寺迫 智昭1、⼤森 裕也2、佐伯 拓哉2、⾨⽥ 直⼰2、宮⽥ 晃2
1.愛媛⼤院理⼯, 2.愛媛⼤⼯
合同K
合同K
Poster
3/19(⼟) 16:00 18:00
19p-P12-12
C002709
分⼦プレカーサー法を⽤いたIn-Ga-Mg-O薄膜製作検討
〇⾼橋 勇貴1、後藤 良介1、安野 泰平1、尾沼 猛儀1、永井 裕⼰1、⼭⼝ 智広1、佐藤 光史1、本⽥ 徹1
1.⼯学院⼤⼯
合同K
合同K
Poster
3/19(⼟) 16:00 18:00
19p-P12-13
C002301
RF-MS法で作製したZnO系透明導電膜における結晶性の基板位置依存性
〇正⼒ 幹也1、杉浦 怜1、舩⽊ 修平1、⼭⽥ 容⼠1
1.島⼤総理⼯
合同K
合同K
Poster
3/19(⼟) 16:00 18:00
19p-P12-14
C003525
短時間アニールによるZnO系導電膜の低抵抗化
〇(M1)杉浦 怜1、宮尾 信⾏1、正⼒ 幹也1、舩⽊ 修平1、⼭⽥ 容⼠1
1.島⼤総理⼯
合同K
合同K
Poster
3/19(⼟) 16:00 18:00
19p-P12-15
C000871
ミストデポジション法ITO透明導電膜を⽤いたタッチセンサの試作
中積 誠1、〇⻄ 康孝1、堀 正和1、林⽥ 洋祐1、⻤頭 義昭1、奈良 圭1、加藤 正紀1
1.（株）ニコン
合同K
合同K
Poster
3/19(⼟) 16:00 18:00
19p-P12-16
C001424
⼆層InSiO薄膜トランジスタの⽔素還元とオゾン酸化効果
〇⽊津 たきお1、相川 慎也2、⽣⽥⽬ 俊秀1、塚越 ⼀仁1
1.物材機構, 2.⼯学院⼤
合同K
合同K
Poster
3/19(⼟) 16:00 18:00
19p-P12-17
C001686
溶液法により作製したAl添加ZnO薄膜トランジスタの焼結雰囲気によるトランジスタ特性への影響
〇佐々⽊ 祥太1、⽊村 史哉1、孫 屹1、⼩⼭ 政俊1、前元 利彦1
1.阪⼯⼤ナノ材研
合同K
合同K
Poster
3/19(⼟) 16:00 18:00
19p-P12-18
C002737
ゲート絶縁膜厚がZnO-SnO2薄膜を⽤いたTFT特性に与える影響
〇佐藤 和郎1、⽥中 剛1、⼭⽥ 義春1、村上 修⼀1、筧 芳治1、櫻井 芳昭1
1.⼤阪府⽴産技研
合同K
合同K
Poster
3/19(⼟) 16:00 18:00
19p-P12-19
C002995
High-Kゲート絶縁膜によるTFTの⾼性能化と低消費ReRAMの搭載
〇(D)鍋坂 恭平1、⼭内 祥光1、⾨ 圭佑1、藤井 茉美1、⽯河 泰明1、浦岡 ⾏治1
1.奈良先端⼤物質創成科
合同K
合同K
Poster
3/19(⼟) 16:00 18:00
19p-P12-20
C003185
1 mmチャネル⻑酸化物IGZO⾃⼰整合縦形トランジスタ
〇栗原 史昂1、中 茂樹1、岡⽥ 裕之1
1.富⼭⼤学
合同K
合同K
Poster
3/19(⼟) 16:00 18:00
19p-P12-21
C003502
ゾルゲル法を⽤いたZnO系TFTの作製と評価
〇⼤東 隆⽂1、⼤溝 悠樹1、⼩⼭ 政俊1、前元 利彦1、佐々 誠彦1
1.⼤阪⼯⼤ナノ材研
合同K
合同K
Poster
3/19(⼟) 16:00 18:00
19p-P12-22
C001736
ZnO単結晶の紫外線応答特性に及ぼす過酸化⽔素処理効果
〇柏葉 安宏1、安藤 昌広1、佐久間 実緒1、川崎 浩司1、今井 裕司1、阿部 貴美2、中川 玲2、新倉 郁⽣2、柏葉 安兵衛2、⻑⽥ 洋2
1.仙台⾼専, 2.岩⼿⼤⼯
合同K
合同K
Poster
3/19(⼟) 16:00 18:00
19p-P12-23
C000049
スパッタ堆積ZnO薄膜のキャリア⽣成とO1sスペクトルとの関係
〇(D)張 捷⽣1、佐藤 伸吾1、⼤村 泰久1、⻫藤 正1
1.関⻄⼤
合同K
合同K
Poster
3/19(⼟) 16:00 18:00
19p-P12-24
C000447
β-Ga2O3ナノワイヤーの形状制御性とフォトルミネッセンス特性
〇寺迫 智昭1、河﨑 雄樹2、⽮⽊ 正和3
1.愛媛⼤院理⼯, 2.愛媛⼤⼯, 3.⾹川⾼専
合同K
合同K
Poster
3/19(⼟) 16:00 18:00
19p-P12-25
C001443
分⼦プレカーサー法で製作した銀分散ZnO薄膜の光学的特性
〇⾼ ⼤地1、尾沼 猛儀1、澁川 貴史1、永井 裕⼰1、⼭⼝ 智広1、Ja-Soon Jang2、佐藤 光史1、本⽥ 徹1
1.⼯学院⼤, 2.嶺南⼤
合同K
合同K
Poster
3/19(⼟) 16:00 18:00
19p-P12-26
C002896
⽔素プラズマを照射した酸化亜鉛の特性
〇安部 功⼆1、秦 弘樹1
1.名古屋⼯業⼤
合同K
合同K
Poster
3/19(⼟) 16:00 18:00
19p-P12-27
C003165
硬X線光電⼦分光法を⽤いたa-IGZO/SiOx保護膜界⾯の電⼦状態評価
〇森⽥ 晋也1、越智 元隆1、林 和志1、釘宮 敏洋1
1.神⼾製鋼所
合同K
合同K
Oral
3/20(⽇)
9:00
9:15
20a-S222-1
C003733
⾶来粒⼦定量分析による反応性プラズマ蒸着Ga添加ZnO薄膜の成膜因⼦の解明
〇北⾒ 尚久1、酒⾒ 俊之1、野本 淳⼀2、牧野 久雄2, 3、⻘⽊ 康1、加藤 隆典1、⼭本 哲也2
1.住友重機械, 2.⾼知⼯科⼤総研, 3.⾼知⼯科⼤システム⼯
合同K
合同K
Oral
3/20(⽇)
9:15
9:30
20a-S222-2
C001233
ガリウム添加酸化亜鉛導電膜を感材とする⽔素センサーにおける応答速度向上のための⽔素ガス輸送制御
〇⼭本 哲也1、野本 淳⼀1、牧野 久雄1、岸本 誠⼀2
1.⾼知⼯科⼤総研, 2.⾼知⾼専
合同K
合同K
Oral
3/20(⽇)
9:30
9:45
20a-S222-3
C003213
V添加によるZnO中のキャリア⽣成メカニズムに関する検討
〇川島 知之1、安倍 ⼤1、鷲尾 勝由1
1.東北⼤院⼯
合同K
合同K
Oral
3/20(⽇)
9:45
10:00
20a-S222-4
C003770
DCスパッタ法で成膜したTi添加ZnO透明導電膜の熱安定性
北尾 寿貴1、〇牧野 久雄1, 2、野本 淳⼀2、⼭本 哲也2、中⽥ 邦彦3
1.⾼知⼯科⼤シス⼯, 2.⾼知⼯科⼤総研, 3.住友化学
合同K
合同K
Oral
3/20(⽇) 10:00 10:15
20a-S222-5
C003718
多結晶AZO透明導電膜のキャリア輸送に対する結晶粒界の影響(Ⅲ)
〇宇於崎 涼介1、渡辺 恭輔1、池永 訓昭1、宮⽥ 俊弘1、南 内嗣1
1.⾦沢⼯⼤ OEDS R&D センター
合同K
合同K
Oral
3/20(⽇) 10:15 10:30
20a-S222-6
C000708
直流マグネトロンスパッタ多結晶 Al 添加 ZnO 透明導電膜の配向秩序特性及びキャリア輸送特性に与える Al 添加量の影響
〇野本 淳⼀1、牧野 久雄1, 2、⼭本 哲也1
1.⾼知⼯科⼤総研, 2.⾼知⼯科⼤システム⼯
合同K
合同K
Oral
3/20(⽇) 10:30 10:45
合同K
合同K
Oral
3/20(⽇) 10:45 11:00
20a-S222-7
C001390
合同K
合同K
Oral
3/20(⽇) 11:00 11:15
20a-S222-8
合同K
合同K
Oral
3/20(⽇) 11:15 11:30
20a-S222-9
合同K
合同K
Oral
3/20(⽇) 11:30 11:45
20a-S222-10 C003664
合同K
合同K
Oral
3/20(⽇) 11:45 12:00
20a-S222-11 C003128
合同K
合同K
Oral
3/20(⽇) 13:00 13:15
20p-S222-1
I000221
合同K
合同K
Oral
3/20(⽇) 13:15 13:30
20p-S222-2
C003421
合同K
合同K
Oral
3/20(⽇) 13:30 13:45
20p-S222-3
合同K
合同K
Oral
3/20(⽇) 13:45 14:00
合同K
合同K
Oral
3/20(⽇) 14:00 14:15
合同K
合同K
Oral
合同K
合同K
Oral
合同K
合同K
Oral
合同K
合同K
合同K
合同K
合同K
奨
奨
奨
奨
休憩/Break
奨
プラズマ発光制御を⽤いた反応性スパッタ法によるITOおよびIZO透明導電膜の成膜
〇宮崎 裕介1、丸⼭ 恵莉1、賈 軍軍1、待永 広宣2、宮崎 司2、重⾥ 有三1
1.⻘学⼤理⼯, 2.⽇東電⼯
C000697
ミストデポジション法を⽤いたITOナノ微粒⼦透明導電膜の開発
〇中積 誠1、⻄ 康孝1、奈良 圭1、岩堀 恒⼀郎1
1.ニコン
C002098
Dyを添加した酸化物ナノ粒⼦の作製と磁気特性
〇(M1)⻄岡 正治1、柏⽊ ⾏康2、⻫藤 ⼤志2、中許 昌美2、周 逸凱3、劉 宝3、崔 ⾏恒3、太⽥ 椋也1、藤元 章1、原⽥ 義之1、神村 共住1
1.⼤阪⼯⼤, 2.⼤阪市⼯研, 3.上海師範⼤
AMZO/Ag(Al)/AMZO-DMDにおける薄膜Ag層のAlドープ効果
〇五⼗嵐 佳苗1、杉本 悠紀⼦1、菊池 昭彦1, 2
1.上智⼤・理⼯, 2.上智⼤学ナノテクセンター
ミストCVD法による菱⾯体晶ITOのヘテロエピタキシャル成⻑
〇⻄中 浩之1、吉本 昌広1
1.京⼯繊⼤
招
「講演奨励賞受賞記念講演」（15分）
〇⼯藤 徹也1、⼤島 孝仁1、吉松 公平1、⼤友 明1, 2
1.東⼯⼤院理⼯, 2.元素戦略
RFマグネトロンスパッタリング法で作製した(ZnO)x(InN)1-x膜の表⾯モフォロジー制御
〇松島 宏⼀1、井⼿ 智章1、⼭下 ⼤輔1、徐 鉉雄1、古閑 ⼀憲1、⽩⾕ 正治1、板垣 奈穂1
1.九⼤
C001989
ミストCVD法により形成したバッファ層上のZnO薄膜の結晶性
〇⽥之上 博信1、和⽥ 祥平1、⼭下 達也1、永岡 昭⼆3, 4、⾕⽥部 然治1, 2、中村 有⽔1, 4
1.熊本⼤学院, 2.熊⼤先導機構, 3.熊本産技, 4.熊本有機
20p-S222-4
C001795
c ⾯サファイア基板上V添加ZnO薄膜の初期成⻑初期過程
〇兼松 知弘1、千葉 博2、川島 知之2、鷲尾 勝由2
1.東北⼤⼯, 2.東北⼤院⼯
20p-S222-5
C003391
熱処理による固相成⻑を⽤いた単結晶化に向けたZnO積層膜の構成に関する考察
〇碓井 将也1、渡部 晃弘2、千葉 博2、川島 知之2、鷲尾 勝由2
1.東北⼤⼯, 2.東北⼤院⼯
3/20(⽇) 14:15 14:30
20p-S222-6
C001698
c⾯サファイア上アモルファスZnO/V添加ZnO積層膜の熱処理による固相成⻑
〇渡部 晃弘1、碓井 将也2、川島 知之1、鷲尾 勝由1
1.東北⼤院⼯, 2.東北⼤⼯
3/20(⽇) 14:30 14:45
20p-S222-7
C002303
バナジウムと窒素を共添加したZnO 薄膜成⻑に関する検討
〇鈴⽊ 智也1、川島 知之1、鷲尾 勝由1
1.東北⼤院⼯
3/20(⽇) 14:45 15:00
20p-S222-8
C001548
常圧⾮平衡プラズマを⽤いて作製した⾼抵抗ZnO薄膜の電⼦状態
〇野瀬 幸則1、⽊⼝ 拓也1、岩崎 裕徳1、吉村 武1、芦⽥ 淳1、上原 剛2、藤村 紀⽂1
1.阪府⼤院⼯, 2.積⽔化学
Oral
3/20(⽇) 15:00 15:15
20p-S222-9
C003223
⽔素を添加したZnO単結晶の⽋陥と電気特性
〇⼤澤 健男1、坂⼝ 勲1、上⽥ 茂典1、⼤橋 直樹1
1.物材機構
合同K
Oral
3/20(⽇) 15:15 15:30
合同K
Oral
3/20(⽇) 15:30 15:45
20p-S222-10 C000268
合同K
Oral
3/20(⽇) 15:45 16:00
20p-S222-11 C002999
合同K
合同K
Oral
3/20(⽇) 16:00 16:15
20p-S222-12 C000768
合同K
合同K
Oral
3/20(⽇) 16:15 16:30
合同K
合同K
Oral
3/20(⽇) 16:30 16:45
奨
奨
グラフォエピタキシャルZnO薄膜におけるホール移動度の向上
休憩/Break
低貫通転位密度Zn極性ZnOホモエピタキシャル薄膜への3d遷移⾦属添加によるキャリア寿命制御
〇秩⽗ 重英1、⼩島 ⼀信1、⼭崎 芳樹1、古澤 健太郎1、上殿 明良2
1.東北⼤多元研, 2.筑波⼤物理⼯
Gaドープ酸化亜鉛ランダムレーザーの発振特性
〇(B)⾼橋 ⿓平1、中村 俊博1、⼭本 泰⽣2、安達 定雄1
1.群⾺⼤院理⼯, 2.ハクスイテック
燐ドープZnOマイクロ結晶球の構造および発光特性評価
〇藤原 優輝1、池渕 達也1、植⼭ 健史1、⽥中 稔伸1、永嵜 史明1、東畠 三洋1、中村 ⼤輔1、岡⽥ ⿓雄1
1.九⼤シス情
20p-S222-13 C002905
Pt/MgxZn1-xO/n+-ZnOショットキーフォトダイオードにおける電流感度の改善
〇遠藤 治之1、⾼橋 強1、柏葉 安兵衛2
1.岩⼿県⼯技センタ, 2.岩⼿⼤
20p-S222-14 C000465
常圧MOCVD法によるCuO薄膜の作製 (2)
〇藤原 ⼀樹1、寺村 瑞樹1、⽥⼝ 健太朗1、⾕⼝ 凱1、酒井 駿吾1、⽯川 博康1, 2
奨
遠藤 剛志1、⼩野 理恵⼦1、岩城 諒1、⽵村 秀⼀郎1、〇奥⾕ 昌之1, 2、中尾 祥⼀郎3、岡崎 壮平3、坂井 延寿3、⼭⽥ 直⾂3、⼀杉 太郎4、⻑⾕川
1.芝浦⼯⼤, 2.SIT GI研究センター
合同K
合同K
Oral
3/20(⽇) 16:45 17:00
20p-S222-15 C001711
耐熱性TNO透明導電膜の導⼊による⾊素増感太陽電池の⾼効率化
合同K
合同K
Oral
3/20(⽇) 17:00 17:15
20p-S222-16 C001714
ZrO2微粒⼦光散乱層を導⼊による⾊素増感太陽電池の⾼効率化
⼩野 理恵⼦1、遠藤 剛志1、⼤塚 玲奈1、〇奥⾕ 昌之1, 2
1.静岡⼤院⼯, 2.静岡⼤グリーン研
合同K
合同K
Oral
3/20(⽇) 17:15 17:30
20p-S222-17 C001718
マイクロ波加熱法による多孔質TiO2層の作製と⾊素増感太陽電池への応⽤
⻘⼭ 貴裕1、⼤橋 拓也1、〇奥⾕ 昌之1, 2
1.静岡⼤院⼯, 2.静岡⼤グリーン研
合同K
合同K
Oral
3/21(⽉)
9:00
9:15
21a-S222-1
C001304
β-Ga2O3基板の加⼯変質層の評価
〇渡辺 信也1、輿 公祥1、⼭岡 優1、増井 建和1、倉⼜ 朗⼈1、⼭腰 茂伸1
1.タムラ製作所
合同K
合同K
Oral
3/21(⽉)
9:15
9:30
21a-S222-2
C003640
β-Ga2O3成⻑結晶の(010)における溝型⽋陥の観察
〇(PC)花⽥ 賢志1、森林 朋也1、輿 公祥2、佐々⽊ 公平2、倉⼜ 朗⼈2、上⽥ 修3、嘉数 誠1
合同K
合同K
Oral
3/21(⽉)
9:30
9:45
21a-S222-3
C003686
β-Ga2O3(010)単結晶のエッチピットの観察
〇(PC)花⽥ 賢志1、森林 朋也1、輿 公祥2、佐々⽊ 公平2、倉⼜ 朗⼈2、上⽥ 修3、嘉数 誠1
1.佐賀⼤, 2.タムラ製作所, 3.⾦沢⼯⼤
合同K
合同K
Oral
3/21(⽉)
9:45
10:00
21a-S222-4
C003270
奨
⾼品質α-Ga2O3に向けたα-(AlxGa1-x)2O3超格⼦バッファ層の作製と結晶構造評価
〇神野 莉⾐奈1、内⽥ 貴之1、⾦⼦ 健太郎1、藤⽥ 静雄1
1.京⼤院⼯
奨
α-(Al1-xGax)2O3薄膜の電⼦状態解析およびα-(Al1-xGax)2O3/ α-Ga2O3のバンドアライメント解析
〇内⽥ 貴之1、神野 莉⾐奈1、⽵本 柊2、⾦⼦ 健太郎1、藤⽥ 静雄1
1.京⼤院⼯, 2.京⼤⼯
β-Ga2O3結晶における励起⼦-LOフォノン相互作⽤
〇尾沼 猛儀1, 2、齋藤 伸吾2、佐々⽊ 公平3, 2、後藤 健3、増井 建和3、⼭⼝ 智広1、本⽥ 徹1、倉⼜ 朗⼈3、東脇 正⾼2
1.⼯学院⼤, 2.情通機構, 3.タムラ製作所
〇中込 真⼆1、久保 匠平1、國分 義弘1
1.⽯巻専修⼤理⼯
1.佐賀⼤院⼯
合同K
合同K
Oral
哲也5
1.静岡⼤院⼯, 2.静岡⼤グリーン研, 3.神奈川技術アカデミー, 4.東北⼤WPI-AIMR, 5.東⼤院理
1.佐賀⼤, 2.タムラ製作所, 3.⾦沢⼯⼤
3/21(⽉) 10:00 10:15
21a-S222-5
C003265
合同K
合同K
Oral
3/21(⽉) 10:15 10:30
21a-S222-6
C000133
合同K
合同K
Oral
3/21(⽉) 10:30 10:45
合同K
合同K
Oral
3/21(⽉) 10:45 11:00
21a-S222-7
C000937
NiO上に形成したβ-Ga2O3薄膜の結晶配向とそのヘテロ接合
合同K
合同K
Oral
3/21(⽉) 11:00 11:15
21a-S222-8
C003079
beta-Ga2O3ショットキーバリアダイオード素⼦特性の分布
〇嘉数 誠1、原⽥ 和也1、花⽥ 賢志1、⼤⽯ 敏之1
合同K
合同K
Oral
3/21(⽉) 11:15 11:30
21a-S222-9
C003404
HVPE法によるIn2O3成⻑の検討
〇沼⽥ ⾄優1、富樫 理恵1、後藤 健2、村上 尚1、倉⼜ 朗⼈2、⼭腰 茂伸2、熊⾕ 義直1
合同K
合同K
Oral
3/21(⽉) 11:30 11:45
21a-S222-10 C002142
MBE成⻑した単結晶WO3薄膜のエレクトロクロミック特性
〇(M1)村⼭ 喬之1、桒形 航⾏1、原⽥ 義之1、⼩池 ⼀歩1、佐々 誠彦1、⽮野 満明1、稲葉 克彦2、⼩林 信太郎2
1.⼤阪⼯⼤ナノ材研センタ, 2.リガクX線研
合同K
合同K
Oral
3/21(⽉) 11:45 12:00
21a-S222-11 C001536
薄膜トランジスタ構造を有するアモルファス酸化物エレクトロクロミック素⼦
〇⼩野⾥ 尚記1、⽚瀬 貴義2、太⽥ 裕道2
1.北⼤院情報科学, 2.北⼤電⼦研
合同K
合同K
Oral
3/21(⽉) 12:00 12:15
21a-S222-12 C000977
β-Ga2O3基板上へのNiO薄膜の成⻑とヘテロ接合ダイオードへの応⽤
〇國分 義弘1、久保 匠平1、中込 真⼆1
1.⽯巻専修⼤理⼯
合同K
合同K
Oral
3/22(⽕)
9:30
9:45
22a-S222-1
C003660
⾮晶質酸化物半導体ITZO薄膜のNBITS不安定性評価
〇⽥中 聡1、清⽔ 耕作1
1.⽇⼤⽣産⼯
合同K
合同K
Oral
3/22(⽕)
9:45
10:00
22a-S222-2
C002885
奨
酸化物薄膜トランジスタへ向けたCドープしたIn-W-Oチャネル材料の特性
合同K
合同K
Oral
3/22(⽕) 10:00 10:15
22a-S222-3
C002237
奨
a-IGZO薄膜の後焼成に伴う構造緩和と結晶化
〇須古 彩⾹1、賈 軍軍1、中村 新⼀1、岡島 敏浩2、重⾥ 有三1
1.⻘⼭学院⼤, 2.九州シンクロトロン光研究センター
合同K
合同K
Oral
3/22(⽕) 10:15 10:30
22a-S222-4
C001397
IGZO結晶における原⼦配置と酸素⽋損の関係
〇⾼橋 正弘1、中⼭ 智則1、菊地 彫1、中島 基1、⼭﨑 舜平1
1.半エネ研
合同K
合同K
Oral
3/22(⽕) 10:30 10:45
22a-S222-5
C000938
IGZOの結晶構造及びCAAC-IGZO物性の組成⽐依存性
〇⼭内 諒1、太⽥ 将志1、⼭⽥ 良則1、⽯⿊ 佳美1、⼭﨑 舜平1
1.半エネ研
合同K
合同K
Oral
3/22(⽕) 10:45 11:00
22a-S222-6
C000890
CAAC-IGZO薄膜の偏光XANES測定
〇⽯⿊ 佳美1、⿊澤 陽⼀1、菊地 彫1、⾼橋 正弘1、中⼭ 智則1、津吹 将志1、⼭﨑 舜平1
合同K
合同K
Oral
3/22(⽕) 11:00 11:15
22a-S222-7
C002325
超ワイドギャップアモルファス半導体a-Ga2Oxの実現とGa-Zn-O系のバンドアライメント
〇⾦ 正煥1、関⾕ 拓実1、井⼿ 啓介1、平松 秀典1、細野 秀雄1、神⾕ 利夫1
1.東⼯⼤応セラ研
合同K
合同K
Oral
3/22(⽕) 11:15 11:30
22a-S222-8
C002176
アモルファス酸化物半導体をホストとする蛍光体薄膜の室温作製
〇神⾕ 利夫1, 2、Kim Junghwan1、三代川 範彦1、井⼿ 啓介1、⼾⽥ 喜丈2、平松 秀典1, 2、細野 秀雄1, 2
1.東⼯⼤応セラ研, 2.東⼯⼤元素センター
合同K
合同K
Oral
3/22(⽕) 12:30 12:45
22p-S222-1
C003603
IGZO TFT特性における不純物の影響
〇坂本 純⼀1、武井 応樹1、⼩林 ⼤⼠1、清⽥ 淳也1、齋藤 ⼀也1
1.株式会社アルバック
合同K
合同K
Oral
3/22(⽕) 12:45 13:00
22p-S222-2
C001929
低電流動作⾮晶質InGaZnO抵抗変化メモリに関する研究
〇⾨ 圭佑1、⼭内 祥光1、鍋坂 恭平1、藤井 茉美1、Juan Paolo Bermundo1、⽯河 泰明1、浦岡 ⾏治1
1.奈良先端⼤
合同K
合同K
Oral
3/22(⽕) 13:00 13:15
22p-S222-3
C000140
間⽋駆動によるa-InGaZnO TFT pHセンサのドリフト制御
〇岩松 新之輔1、⽵知 和重2、阿部 泰1、今野 俊介1、⽮作 徹1、村上 穣1、⽥邉 浩2、加藤 睦⼈1
1.⼭形県⼯技セ, 2.NLTテクノロジー
合同K
合同K
Oral
3/22(⽕) 13:15 13:30
22p-S222-4
C000108
⾼感度a-InGaZnO TFT pHセンサのVgs応答特性
〇⽵知 和重1、⽥邉 浩1、岩松 新之輔2、今野 俊介2、⽮作 徹2、阿部 泰2、加藤 睦⼈2
1.NLTテクノロジー, 2.⼭形県⼯技セ
合同K
合同K
Oral
3/22(⽕) 13:30 13:45
22p-S222-5
C000109
a-InGaZnO TFTの光誘起トップゲート効果
〇⽵知 和重1、⽥邉 浩1
1.NLTテクノロジー
合同K
合同K
Oral
3/22(⽕) 13:45 14:00
22p-S222-6
C001411
奨
塗布型酸化物TFTにおける⽔素プラズマの効果
〇宮川 幹司1、中⽥ 充1、辻 博史1、藤崎 好英1、⼭本 敏裕1
1.NHK技研
合同K
合同K
Oral
3/22(⽕) 14:00 14:15
22p-S222-7
C003514
奨
溶液法で作製したIGZO薄膜のUV照射による不活性化と熱による回復
〇(B)落合 祐輔1、陳 東京1、森本 貴明1、福⽥ 伸⼦3、⼤⽊ 義路1, 2
1.早⼤先進理⼯, 2.早⼤材研, 3.産総研 FLEC
合同K
合同K
Oral
3/22(⽕) 14:15 14:30
22p-S222-8
C002639
奨
溶液法で作製したアモルファスIGZO薄膜の伝達特性に与えるイオン注⼊とアニールの効果
〇(M2)陳 東京1、森本 貴明1、福⽥ 伸⼦2、⼤⽊ 義路1, 3
1.早⼤先進理⼯, 2.産総研FLEC, 3.早⼤材研
合同K
合同K
Oral
3/22(⽕) 14:30 14:45
22p-S222-9
C001224
⽔系塗布型IGZO-TFTにおける塗布型有機ゲート絶縁膜の適⽤
〇中⽥ 充1、福⽥ 伸⼦2、辻 博史1、宮川 幹司1、藤崎 好英1、⼭本 敏裕1
1.NHK技研, 2.産総研
休憩/Break
奨
奨
奨
〇(M2)栗島 ⼀徳1, 2、⽣⽥⽬ 俊秀2、三苫 伸彦2、⽊津 たきお2、塚越 ⼀仁2、澤⽥ 朋実2、⼤井 暁彦2、⼭本 逸平3, 2、⼤⽯ 知司3、知京 豊裕
2、⼩椋 厚志1
1.東京農⼯⼤院⼯, 2.タムラ製作所
1.明治⼤, 2.物材機構 WPI-MANA, 3.芝浦⼯⼤
1.半エネ研
3.5と3.14のコードシェアセッション
CS
CS.1
Oral
3/21(⽉)
9:00
9:15
21a-S611-1
C001563
常温接合Nd:YAG/ダイヤモンド複合構造レーザの熱複屈折評価
〇(B)⼭⼝ 頌⽊1、奥⼭ 洋平1、市川 裕允1、庄司 ⼀郎1
1.中央⼤理⼯
CS
CS.1
Oral
3/21(⽉)
9:15
9:30
21a-S611-2
C003543
レーザーセラミックス接合技術の開発 ー 真空熱処理によるYb:YAGセラミックスの光学特性の劣化 ー
〇持⽥ 哲郎1、藤岡 加奈1、時⽥ 茂樹1、藤本 靖1、宮永 憲明1、河仲 準⼆1
1.阪⼤レーザー研
CS
CS.1
Oral
3/21(⽉)
9:30
9:45
21a-S611-3
C001649
常温接合を⽤いたレーザー結晶と銅との直接接合
〇安達 亮次1、松井 鵬樹1、庄司 ⼀郎1
1.中央⼤理⼯
CS
CS.1
Oral
3/21(⽉)
9:45
10:00
21a-S611-4
C001506
⽔晶を⽤いた⾼強度光励起波⻑変換の検討
〇⽯⽉ 秀貴1、平等 拓範1
1.分⼦研
CS
CS.1
Oral
3/21(⽉) 10:00 10:15
21a-S611-5
C001381
波⻑変換材料LaBGeO5の2次⾮線形光学定数精密測定
〇本多 勇介1、河崎 進太1、庄司 ⼀郎1
1.中央⼤理⼯
CS
CS.1
Oral
3/21(⽉) 10:15 10:30
21a-S611-6
C003046
電圧印加によるLaBGeO5周期分極反転構造作製の基礎検討
〇沖野 ⾏佑1、栖原 敏明1
1.阪⼤院⼯
2016年春季講演会(東⼯⼤⼤岡⼭キャンパス)プログラム
⼤分類 中分類
形式
講演⽇
開始
終了
【1⽉28⽇(⽊)更新】暫定版からの更新箇所は⾚字になっております。
講演番号
受付番号
CS
CS.1
Oral
3/21(⽉) 10:30 10:45
21a-S611-7
C000517
CS
CS.1
Oral
3/21(⽉) 10:45 11:00
21a-S611-8
C003607
CS
CS.1
Oral
3/21(⽉) 11:00 11:15
21a-S611-9
C002306
CS
CS.1
Oral
3/21(⽉) 11:15 11:30
奨励賞 英語 招待
奨
21a-S611-10 C003110
47 / 52 ページ
※会場、時間が変更になった場合は該当の⽅にご連絡いたします。
講演タイトル
著者
所属機関
MgO(8mol%)添加c-LiTaO3周期分極反転構造による355nm紫外光和周波発⽣
〇岡 寿治1、栖原 敏明1
1.阪⼤院⼯
周期空間反転GaAsホモ接合ダイオードの作製
〇鈴⽊ 涼介1、松下 智紀1, 2、近藤 ⾼志1, 2
1.東⼤⼯, 2.東⼤先端研
定⽐組成LiNbO3の電気光学定数精密測定
〇中野 翔太1、秋⼭ 和⼰1、庄司 ⼀郎1
1.中央⼤理⼯
圧⼒印加による⾼Q値結晶WGM共振器の周波数制御及び2次⾼調波発⽣
〇(DC)吉岐 航1, 2、Werner Christoph2、Breunig Ingo2、Buse Karsten2
1.慶應理⼯, 2.フライブルグ⼤
3.7レーザープロセシング,12.6ナノバイオテクノロジー,12.7医⽤⼯学・バイオチップのコードシェアセッション
〇冨永 勇佑1、丸⼭ 美帆⼦1、吉村 政志1、杉⼭ 成2、安達 宏昭1, 3、塚本 勝男1、松村 浩由3, 4、⾼野 和⽂3, 5、村上 聡3, 6、井上 豪1, 3、吉川
CS.2
Oral
3/21(⽉) 13:45 14:00
21p-W331-1
I000117
フェムト秒レーザーアブレーションを⽤いた成⻑機構転換によるタンパク質結晶の⾼品質化
洋史1, 7、森 勇介1, 3
CS
CS.2
Oral
3/21(⽉) 14:00 14:15
21p-W331-2
C000723
奨
フォトニック結晶ナノレーザでの電気化学センシング
〇渡部 ⼯1、古⽥ 祐樹1、髙橋 ⼤智1、⻑⾕川 湧1、⾺場 俊彦1
CS
CS.2
Oral
3/21(⽉) 14:15 14:30
21p-W331-3
C000257
奨
マイクロ流路内における⽣分解性粒⼦⽀援フェムト秒レーザー外来分⼦導⼊
〇⽯井 敦浩1、有安 和優1、三橋 ⿓樹1、Dag Heinemann2、Alexander Heisterkamp2, 3、寺川 光洋1
CS
CS.2
Oral
3/21(⽉) 14:30 14:45
21p-W331-4
C001112
奨
フェムト秒レーザー誘起衝撃⼒を⽤いたマイクロチップ中での微⼩物体の⾼速ソーティング
CS
4、細川 陽⼀郎1, 4
1.慶⼤院理⼯, 2.レーザーセンターハノーバー, 3.ライプニッツ⼤学ハノーバー
1.奈良先端⼤物質, 2.東⼤院理, 3.UCLA, 4.JST
3/21(⽉) 14:45 15:00
21p-W331-5
C001100
レーザ⾛査光触媒リソグラフィを活⽤した液中細胞パターニング
〇(M1)藤城 翔偉1、関根 浩平1、河野 翔1、池⽥ 丈2、⿊⽥ 章夫2、⼭本 英明3、⾕井 孝⾄1
1.早⼤理⼯, 2.広⼤先端研, 3.東北⼤学際研
CS.2
Oral
3/21(⽉) 15:00 15:15
21p-W331-6
C002575
マイクロ流路作製のためのLPP EUV光によるPDMSの加⼯
〇浦井 ひかり1、⼩川 瑞⽣1、深⾒ 慎太郎1、⿃居 周⼀1、牧村 哲也1、中村 ⼤輔2、⾼橋 昭彦2、岡⽥ ⿓雄2、新納 弘之3
1.筑波⼤院数理, 2.九⼤院シス情, 3.産総研
CS
CS.2
Oral
3/21(⽉) 15:15 15:30
CS
CS.2
Oral
3/21(⽉) 15:30 15:45
21p-W331-7
C001608
⾦属ナノ粒⼦を⽤いたレーザー直接描画法による3次元マイクロ構造体の形成
〇渡辺 明1、蔡 ⾦光1
1.東北⼤多元研
CS
CS.2
Oral
3/21(⽉) 15:45 16:00
21p-W331-8
C000481
Bullʼs Eye構造のプラズモニックチップを⽤いた蛍光標識ナノ粒⼦の蛍光顕微鏡観察
〇泉 章太1、細川 千絵2、當⿇ 真奈1、⽥和 圭⼦1
1.関⻄学院⼤理⼯, 2.産総研
CS
CS.2
Oral
3/21(⽉) 16:00 16:15
21p-W331-9
C001463
遺伝改変フェリチンによる離散⾦ナノ粒⼦アレイ作製技術の構築
〇信澤 和⾏1、岡本 尚⽂2、Chong Karen Siew Ling3、⼭下 ⼀郎1, 2
1.阪⼤院⼯, 2.奈良先端⼤物質, 3.IMRE A*STAR
CS
CS.2
Oral
3/21(⽉) 16:15 16:30 21p-W331-10 C003126
汎⽤グリーンレーザーによるフッ素ポリマーの微細加⼯技術開発および⽔棲微⽣物観察⽤バイオチップ作製
〇根本 佳祐1、⼩川 達也1、花⽥ 修賢1, 2
1.弘前⼤理⼯, 2.理研
CS.2
Oral
〇⼭川 健1, 4、萩原 宏規1, 4、飯野 敬矩1, 4、⽥中 直樹2, 4、芝⽥ 悠⼤2, 4、野沢 泰祐2, 4、磯崎 瑛宏2, 4、Dino Di Carlo3, 4、合⽥ 圭介2, 3,
1.阪⼤院⼯, 2.阪⼤院理, 3.創晶, 4.⽴命⼤⽣科, 5.京府⼤院⽣環, 6.東⼯⼤院⽣理⼯, 7.埼⼤理
1.横国⼤・院⼯
CS
CS
CS.2
招
「講演奨励賞受賞記念講演」（15分）
CS
Oral
休憩/Break
3/21(⽉) 16:30 16:45 21p-W331-11 C002987
集光フェムト秒レーザーを⽤いた単⼀細胞刺激による神経細胞ネットワークの活動特性
〇中川 裕太1, 2、⼯藤 卓2、⽥⼝ 隆久3、細川 千絵1
1.産総研, 2.関⻄学院⼤理⼯, 3.情通機構
CS
CS.2
Oral
3/21(⽉) 16:45 17:00 21p-W331-12 C002440
物理ストレスを受けたミトコンドアの⼒印加共焦点光学顕微鏡による活性酸素応答測定
〇本⽥ 諭志1、李 永波1、上⽥ 雅1、⻑崎 秀昭1、岩⾒ 健太郎1、太⽥ 善浩1、梅⽥ 倫弘1
1.農⼯⼤⼯
CS
CS.2
Oral
3/21(⽉) 17:00 17:15
休憩/Break
CS
CS.2
Oral
3/21(⽉) 17:15 17:30 21p-W331-13 C001785
Measuremet of Reactive Species for the Development of Plasma-on-Chip
呉 準席1, 2、⼩島 信也3、⼋⽥ 章光1, 2、佐々⽊ 実3、〇熊⾕ 慎也3
1.Kochi Univ. Technol., 2.Center Nanotechnol., 3.Toyota Technol. Inst.
CS
CS.2
Oral
3/21(⽉) 17:30 17:45 21p-W331-14 C000622
可視光照射によるバイオセンシング⽤銀ナノ構造基板の作製
〇吉川 裕之1、沈 正君1、廣納 ⿇美1、⺠⾕ 栄⼀1
1.阪⼤院⼯
CS
CS.2
Oral
3/21(⽉) 17:45 18:00 21p-W331-15 C003753
神経細胞表⾯のグルタミン酸受容体分⼦の初期集合状態に依存した光捕捉過程
〇前澤 安代1、岸本 ⿓典1, 2、⼯藤 卓2、⽥⼝ 隆久3、細川 千絵1, 2
1.産総研 バイオメディカル, 2.関⻄学院⼤ 理⼯, 3.情通機構 脳情報
CS
CS.2
Oral
3/21(⽉) 18:00 18:15 21p-W331-16 C003522
界⾯レーザー捕捉による局所的タンパク濃度上昇・結晶化促進の顕微分光
〇三浦 篤志1, 2、吉松 泉2、喜多村 曻1, 2
1.北⼤院理, 2.北⼤院総化
CS
CS.2
Oral
3/21(⽉) 18:15 18:30 21p-W331-17 C001328
光発熱集合効果を⽤いた⾼速細菌数測定法の原理構築
〇⼭本 靖之1, 2、清⽔ 恵美2、⻄村 勇姿1、床波 志保2、飯⽥ 琢也1
1.阪府⼤院理, 2.阪府⼤院⼯
CS
CS.2
Oral
3/21(⽉) 18:30 18:45 21p-W331-18 C001538
フェムト秒レーザー誘起衝撃⼒を⽤いたマイクロチップ中での単⼀細胞の⾼速操作︓操作性能の流速およびレーザー強度依存性
CS
CS.2
Oral
3/21(⽉) 18:45 19:00 21p-W331-19 C002354
フェムト秒レーザー誘起衝撃⼒を⽤いたオープンチップ中の⾼速流体からの細胞分取
〇飯野 敬矩1, 3、⼭川 健1, 3、萩原 宏規1, 3、佐久間 ⾂耶2, 3、早川 健2, 3、益⽥ 泰輔2, 3、新井 史⼈2, 3、細川 陽⼀郎1, 3
1.奈良先端⼤物質創成, 2.名⼤院⼯, 3.JST
リング状光共振器を⽤いたスピン-光軌道⾓運動量変換
〇岩本 敏1, 2、太⽥ 泰友2、荒川 泰彦1, 2
1.東⼤⽣研, 2.東⼤ナノ量⼦機構
〇萩原 宏規1, 4、⼭川 健1, 4、飯野 敬矩1, 4、⽥中 直樹2, 4、芝⽥ 悠⼤2, 4、野沢 泰佑2, 4、磯崎 瑛宏2, 4、Dino Di Carlo3, 4、合⽥ 圭介2, 3,
4、細川 陽⼀郎1, 4
1.奈良先端⼤物質, 2.東⼤院理, 3.UCLA, 4.JST
3.11 フォトニック構造・現象,13.7 ナノ構造・量⼦現象のコードシェアセッション
CS
CS.3
Oral
3/21(⽉) 13:45 14:00
21p-S621-1
C000586
CS
CS.3
Oral
3/21(⽉) 14:00 14:15
21p-S621-2
C003125
CS
CS.3
Oral
3/21(⽉) 14:15 14:30
21p-S621-3
C002609
CS
CS.3
Oral
3/21(⽉) 14:30 14:45
21p-S621-4
C000557
CS
CS.3
Oral
奨
奨
超⾼速波⻑変換素⼦に向けたInAs量⼦ドットを有するGaAs/AlAs多層膜三結合共振器
〇盧 翔孟1、熊⾕ 直⼈1、北⽥ 貴弘1、井須 俊郎1
1.徳島⼤フロンティア
量⼦ドット-ナノ共振器強結合系における時間分解発光測定
〇⾞ ⼀宏1、太⽥ 泰友2、⾓⽥ 雅弘2、岩本 敏1, 2、荒川 泰彦1, 2
1.東⼤⽣研, 2.東⼤ナノ量⼦機構
3連結合光ナノ共振器における光ラビ振動の動的反転操作の実証
〇鴻池 遼太郎1, 2、仲代 匡宏1、⽥中 良典1、浅野 卓1、野⽥ 進1
1.京⼤院⼯, 2.学振特別研究員
量⼦ドット集合体におけるチャープパルスを⽤いたロバストなフォトンエコー⽣成
〇(M1)佐藤 嘉⾼1、⻘沼 直登1、⾚⽻ 浩⼀2、早瀬 潤⼦1
1.慶⼤理⼯, 2.情報通信研究機構
結合共振器から⽣じる⼆波⻑レーザー光の時間的コヒーレンスの評価
〇北⽥ 貴弘1、太⽥ 寛⼈1、原⼭ 千穂1、盧 翔孟1、熊⾕ 直⼈1、井須 俊郎1
1.徳島⼤院フロンティア
3/21(⽉) 14:45 15:00
21p-S621-5
C002674
CS
CS.3
Oral
3/21(⽉) 15:00 15:15
21p-S621-6
C001925
CS
CS.3
Oral
3/21(⽉) 15:15 15:30
CS
CS.3
Oral
3/21(⽉) 15:30 15:45
21p-S621-7
C000904
Modulation of Dynamic Nuclear Spin Polarization in Single InAs/GaAs Quantum Dots by Photonic Bandgap Effect
〇(D)CheeFai Fong1, Yasutomo Ota2, Satoshi Iwamoto1, 2, Yasuhiko Arakawa1, 2
1.IIS, Univ. of Tokyo, 2.Nanoquine
CS
CS.3
Oral
3/21(⽉) 15:45 16:00
21p-S621-8
C002104
GaAs中の窒素発光中⼼から発⽣した光⼦の量⼦⼲渉
〇(D)張 遼1、池沢 道男1、佐久間 芳樹2、迫⽥ 和彰2、⾇本 泰章1
1.筑波⼤物理, 2.物質・材料研究機構
CS
CS.3
Oral
3/21(⽉) 16:00 16:15
21p-S621-9
C002599
ピラー型微細形状を有するQDinFを⽤いた⾼純度単⼀光⼦状態の⽣成
〇村上 ⼤輔1、⼩⽥島 聡2、中島 秀郎3、熊野 英和3、笹倉 弘理4
1.北⼤院⼯, 2.⼋⼾⼯⼤, 3.北⼤電⼦研, 4.北⼤創成
CS
CS.3
Oral
3/21(⽉) 16:15 16:30
21p-S621-10 C000962
量⼦エミッタを含む結合ナノ共振器系のダイナミクスの解析
〇上出 健仁1、岩本 敏1, 2、荒川 泰彦1, 2
1.東⼤ナノ量⼦機構, 2.東⼤⽣研
CS
CS.3
Oral
3/21(⽉) 16:30 16:45
21p-S621-11 C000475
転写プリント法による数原⼦層⿊リン－フォトニック結晶ナノ共振器結合系の作製
〇太⽥ 泰友1、守⾕ 頼2、⽮吹 直⼈2、荒井 美穂2、⾓⽥ 雅弘1、岩本 敏1, 2、町⽥ 友樹1, 2、荒川 泰彦1, 2
1.東⼤ナノ量⼦, 2.東⼤⽣研
21p-S621-12 C001210
転写プリント法を⽤いた量⼦ドットを有するプラズモニックマイクロリング共振器の作製と光学特性評価
〇⽟⽥ 晃均1、太⽥ 泰友2、⾞ ⼀宏1、Jinfa Ho2、渡邉 克之2、岩本 敏1, 2、荒川 泰彦1, 2
1.東⼤⽣研, 2.東⼤ナノ量⼦機構
〇井上 卓也1, 2、浅野 卓1、野⽥ 進1
1.京⼤院⼯, 2.学振特別研究員DC
休憩/Break
CS
CS.3
Oral
3/21(⽉) 16:45 17:00
CS
CS.3
Oral
3/21(⽉) 17:00 17:15
CS
CS.3
Oral
3/21(⽉) 17:15 17:30
21p-S621-13 C000156
CS
CS.3
Oral
3/21(⽉) 17:30 17:45
21p-S621-14 C000298
CS
CS.3
Oral
3/21(⽉) 17:45 18:00
21p-S621-15 C000335
CS
CS.3
Oral
3/21(⽉) 18:00 18:15
21p-S621-16 C000254
CS
CS.3
Oral
3/21(⽉) 18:15 18:30
CS
CS.3
Oral
3/21(⽉) 18:30 18:45
CS
CS.3
Oral
3/21(⽉) 18:45 19:00
奨
E
休憩/Break
動的熱輻射制御に伴う光源温度及び輻射パワーの過渡応答特性
奨
2波⻑切替型中⾚外熱輻射光源の設計
〇紀 安き1、井上 卓也1, 2、De Zoysa Menaka1, 3、浅野 卓1、野⽥ 進1
1.京⼤院⼯, 2.学振特別研究員DC, 3.京⼤⽩眉
電気機械フォノン導波路を⽤いた周波数多重化演算の可能な論理ゲート素⼦
〇畑中 ⼤樹1、ダラス トム1、マブーブ イムラン1、⼩野満 恒⼆1、⼭⼝ 浩司1
1.NTT物性研
GaN/AlGaN多重量⼦井⼾とフォトニック結晶に基づく中波⻑⾚外熱輻射光源の開発
〇(D)Kang Daniel Dongyeon1、井上 卓也1, 2、浅野 卓1、野⽥ 進1
1.京都⼤学, 2.学振特別研究員DC
21p-S621-17 C002172
MgO基板上の狭帯域近⾚外Siフォトニック結晶熱輻射光源の開発
〇末光 真⼤1、堤 達紀2、浅野 卓2、De Zoysa Menaka2, 3、野⽥ 進2
1.⼤阪ガス, 2.京⼤院⼯, 3.京⼤⽩眉
21p-S621-18 C001228
埋込ヘテロ構造共振器を⽤いたフォトニック結晶PT対称結合共振器導波路の解析
〇⾼⽥ 健太1, 2、納富 雅也1, 2
1.NTT物性研, 2.NTT NPC
21p-S621-19 C001003
コヒーレント状態と個数状態を⽤いたハイブリッド解析⼿法の微⼩共振器ラマン効果への応⽤
〇乾 善貴1、浅野 卓1、⾼橋 和2、野⽥ 進1
1.京⼤院⼯, 2.阪府⼤院
ベント型ナノピペットを有する⾛査型イオン伝導顕微鏡の開発と⽣体組織の観察
〇⽩澤 樹1、平⽥ 惇1、⽔⾕ 祐輔2、⽜⽊ ⾠男2、岩⽥ 太1
1.静岡⼤⼯, 2.新潟⼤医
AFMによる有機分⼦の⾼分解能室温観察
〇(DC)岩⽥ 孝太1、⼭崎 詩郎2、Mutombo Pingo3、Hapala Prokop3、Ondracek Martin3、Jelinek Pavel3、杉本 宜昭1, 4
1.阪⼤院⼯, 2.東⼯⼤総理⼯, 3.チェコ科学アカデミー, 4.東⼤新領域
⾦平坦⾯上に固定した量⼦ドット固定密度の評価
〇伊藤 裕貴1、坂上 弘之1、鈴⽊ 仁1
1.広島⼤先端研
PCBMとCuPcが形成する2D混合構造に対するアニールの影響
〇桝井 茜1、坂上 弘之1、⾼萩 隆⾏1、鈴⽊ 仁1
1.広島⼤先端研
奨
6.6プローブ顕微鏡, 12.2評価・基礎物性のコードシェアセッション
CS
CS.4
Oral
3/20(⽇)
9:00
9:15
20a-W631-1
C002256
CS
CS.4
Oral
3/20(⽇)
9:15
9:30
20a-W631-2
C000908
CS
CS.4
Oral
3/20(⽇)
9:30
9:45
20a-W631-3
C003443
CS
CS.4
Oral
3/20(⽇)
9:45
10:00
20a-W631-4
C003420
CS
CS.4
Oral
奨
奨
3/20(⽇) 10:00 10:15
20a-W631-5
C002991
KFMを⽤いたITO/Ru錯体/AuNPs構造の局所電荷分布の計測
〇丹下 直之1、⼤塚 洋⼀1、⾼⽊ ⼤敬1、⻄嶋 知史1、松本 卓也1
1.阪⼤院理
CS
CS.4
Oral
3/20(⽇) 10:15 10:30
20a-W631-6
C003375
周波数シフト法静電気⼒顕微鏡による有機薄膜太陽電池における光誘起電荷マッピング
荒⽊ 健⼈1、家 裕隆2、安蘇 義雄2、⼤⼭ 浩1、〇松本 卓也1
1.阪⼤理, 2.阪⼤産研
CS
CS.4
Oral
3/20(⽇) 10:30 10:45
CS
CS.4
Oral
3/20(⽇) 10:45 11:00
20a-W631-7
C001256
〇⼭岸 裕史1、⽊村 知⽞1、⼩林 圭1, 2、野⽥ 啓3、⼭⽥ 啓⽂1
1.京⼤⼯, 2.京⼤⽩眉セ, 3.慶應⼤理⼯
CS
CS.4
Oral
3/20(⽇) 11:00 11:15
20a-W631-8
C001791
時間分解静電気⼒顕微鏡による電極-有機半導体グレイン界⾯の局所電気特性評価
〇⽊村 知⽞1、⼩林 圭1, 2、⼭⽥ 啓⽂1
1.京⼤⼯, 2.京⼤⽩眉セ
CS
CS.4
Oral
3/20(⽇) 11:15 11:30
20a-W631-9
C000415
⾛査型プローブエレクトロスプレーイオン化質量イメージング法の⾼分解能化の検討
〇⼤塚 洋⼀1、⼩東 剛2、嶋津 亮2、岩⽥ 太3、荒川 隆⼀2、松本 卓也1
1.阪⼤院理, 2.関⼤化⽣⼯, 3.静⼤院⼯
CS
CS.4
Oral
3/20(⽇) 11:30 11:45 20a-W631-10 C003346
各濃度溶液中におけるStreptavidin 2次元結晶の液中FM-AFM⾼分解能構造観察
〇(D)崔 ⼦鵬1、⼩林 圭1, 2、平⽥ 芳樹3、⼭⽥ 啓⽂1
1.京⼤⼯, 2.京⼤⽩眉セ, 3.産総研
CS
CS.4
Oral
3/20(⽇) 11:45 12:00 20a-W631-11 C002503
biotin 結合による streptavidin 2 次元結晶の構造変化のその場評価
〇(B)濱⽥ 貴裕1、宮本 眞之1、⽊南 裕陽1、⼩林 圭1, 2、⼭⽥ 啓⽂1
1.京⼤⼯, 2.京⼤⽩眉セ
CS
CS.4
Oral
3/20(⽇) 12:00 12:15 20a-W631-12 C002687
3D-SFMを⽤いた磁気ディスク上における潤滑剤分⼦の3次元吸着構造計測
〇中嶋 脩貴1、宮澤 佳甫1、豊⽥ 真理⼦1、相⽅ 良介2、清⽔ 豪2、曽⽥ 孝雄2、福間 剛⼠1, 3
1.⾦⼤理⼯, 2.MORESCO, 3.ACT-C
CS
CS.4
Oral
3/20(⽇) 12:15 12:30 20a-W631-13 C003585
SAM膜修飾電極を⽤いたc型シトクロム単⼀分⼦の電気伝導計測
⾓⽥ 早1、⼤⼭ 浩1、〇松本 卓也1
1.阪⼤理
休憩/Break
奨
時間分解静電気⼒顕微鏡による有機薄膜トランジスタのキャリアダイナミクスの可視化
9.4熱電変換,16.2エナジーハーベスティングのコードシェアセッション
CS
CS.5
Poster
3/19(⼟) 16:00 18:00
19p-P13-1
C002049
⾼温薄膜熱電特性評価装置の開発Ⅱ
〇(M1)佐々⽊ ⼀真1、内藤 智之1、藤代 博之1
1.岩⼿⼤⼯
CS
CS.5
Poster
3/19(⼟) 16:00 18:00
19p-P13-2
C002039
Ba2NaNb5O15の輸送及び熱電特性
〇掛本 博⽂1、常盤 祐汰2、渡邉 拓哉3、⼩澤 健介3、⼊江 寛1, 2, 3
1.⼭梨⼤学 クリーンエネルギー研究センター, 2.⼯学部, 3.⼤学院 医学⼯学総合教育部
CS
CS.5
Poster
3/19(⼟) 16:00 18:00
19p-P13-3
C003517
Ca0.9Bi0.1MnO3の粒径微細化が熱電特性に及ぼす影響
〇中村 雄⼀1、⽩井 ⼩雪1、井上 光輝1
1.豊橋技科⼤
CS
CS.5
Poster
3/19(⼟) 16:00 18:00
19p-P13-4
C003736
(LaO)CuSe, (BiO)CuSeの熱電特性の違い
〇菅野 聖⼈1、東⾕ 篤志2、⽣天⽬ 博⽂3、⾕⼝ 雅樹3、佐藤 仁3、アワベクリ ルスル4、渡辺 忠孝1、⾼野 良紀1、⾼瀬 浩⼀1
1.⽇⼤理⼯, 2.摂南⼤理⼯, 3.広⼤放射光, 4.広⼤院理
CS
CS.5
Poster
3/19(⼟) 16:00 18:00
19p-P13-5
C001962
AlMgB14基熱電変換材料の熱電特性制御と⾦属サイト占有率
〇(M2)有松 英輝1、藤間 卓也1、⾼⽊ 研⼀1
1.東京都市⼤⼯
CS
CS.5
Poster
3/19(⼟) 16:00 18:00
19p-P13-6
C000478
Synthesis of clathrate K8Gax-yAlySi46-x-y with enhanced thermoelectric property
〇(PC)Shiva Kumar Singh1, Motoharu Imai1
1.National Institute for Materials Science, 1-2-1 Sengen, Tsukuba, Ibaraki, 305-0047, Japan
CS
CS.5
Poster
3/19(⼟) 16:00 18:00
19p-P13-7
C000490
⾼キャリア濃度を有するSb-doped Mg2Siの作製と熱的安定性評価
〇加藤 ⼤輔1, 2、岩崎 航太2、吉野 正⼈1、⼭⽥ 智明1、⻑崎 正雅1
1.名古屋⼤, 2.トヨタ紡織
CS
CS.5
Poster
3/19(⼟) 16:00 18:00
19p-P13-8
C002253
Si/Mg2Siコンポジットの微細組織と熱電特性
〇(DC)窪内 将隆1、林 慶1、宮﨑 讓1
1.東北⼤院⼯
CS
CS.5
Poster
3/19(⼟) 16:00 18:00
19p-P13-9
C000313
単結晶SnSeへのSb置換効果
〇秋⼭ 拓海1、宮⽥ 全展1、⻄野 俊佑1、伊藤 暢晃1、⼤島 義⽂1、⼩⽮野 幹夫1
1.北陸先端⼤
CS
CS.5
Poster
3/19(⼟) 16:00 18:00
19p-P13-10
C002328
Si系クラスレートにおけるAg置換と熱電特性
〇前島 理佐1、上⽥ 貴⼤1、岡本 和也1、阿武 宏明1
1.⼭⼝東理⼤⼯
CS
CS.5
Poster
3/19(⼟) 16:00 18:00
19p-P13-11
C002419
PLD法を⽤いたSnSe薄膜の作製と熱電性能
〇原 貴充1、内藤 智之1、藤代 博之1、伊藤 暁彦2、後藤 孝2
1.岩⼿⼤⼯, 2.東北⼤⾦研
CS
CS.5
Poster
3/19(⼟) 16:00 18:00
19p-P13-12
C000315
基板表⾯に担持したBi-Te熱電微粒⼦のAFM観察
〇林 祐司1、⽔⾕ 慎吾1、⻄野 俊佑1、宮⽥ 全展1、⼩⽮野 幹夫1、⽥中 哲史2、福⽥ 克史2
CS
CS.5
Poster
3/19(⼟) 16:00 18:00
19p-P13-13
C000316
熱電インクを⽤いたBi2Te3配向ナノバルクの低温作製
〇⽔⾕ 慎吾1、林 祐司1、⻄野 俊佑1、宮⽥ 全展1、⼩⽮野 幹夫1、⽥中 哲史2、福⽥ 克史2
1.JAIST, 2.株式会社 KELK
CS
CS.5
Poster
3/19(⼟) 16:00 18:00
19p-P13-14
C002206
ビスマスナノ構造における表⾯状態の数値解析
⻘野 友祐1、〇⼩峰 啓史1、村⽥ 正⾏2、⻑⾕川 靖洋3
1.茨城⼤, 2.産総研, 3.埼⽟⼤
CS
CS.5
Poster
3/19(⼟) 16:00 18:00
19p-P13-15
C001903
擬⼀次元伝導体マイクロリボンの熱電特性評価
〇佐久間 佑1、⻄野 俊佑1、宮⽥ 全展1、⼩⽮野 幹夫1
1.JAIST
CS
CS.5
Oral
3/20(⽇) 13:45 14:00
20p-W323-1
C001357
TiO2結晶化ガラスによる可視光照射⽔分解
髙橋 寛1、〇吉⽥ 和貴1、寺⾨ 信明1、髙橋 儀宏1、藤原 巧1、加藤 英樹2、垣花 眞⼈2
1.東北⼤院⼯, 2.東北⼤多元研
CS
CS.5
Oral
3/20(⽇) 14:00 14:15
20p-W323-2
C000970
VO2結晶化ガラス創製のための還元剤添加による析出相制御
〇村本 圭1、寺⾨ 信明1、⾼橋 儀宏1、藤原 巧1
1.東北⼤院⼯
CS
CS.5
Oral
3/20(⽇) 14:15 14:30
20p-W323-3
C000436
(001)配向したSrCuO2ナノ結晶膜における⾯内熱拡散率と構造の関係
〇寺⾨ 信明1、⾼橋 良輔1、⾼橋 儀宏1、藤原 巧1
1.東北⼤院⼯
20p-W323-4
C001041
〇⾼橋 良輔1、寺⾨ 信明1、⾼橋 儀宏1、藤原 巧1
1.東北⼤⼯
〇中川 純貴1、Jeremie Maire2、澤野 憲太郎3、野村 政宏1, 4, 5
1.東⼤⽣研, 2.LIMMS, 3.東京都市⼤総研, 4.ナノ量⼦機構, 5.JST さきがけ
CS
CS.5
Oral
3/20(⽇) 14:30 14:45
CS
CS.5
Oral
3/20(⽇) 14:45 15:00
CS
CS.5
Oral
3/20(⽇) 15:00 15:15
E
奨
奨
偏光CWレーザー光を⽤いた
スピン熱伝導性SrCuO2の異⽅的結晶化ラインの作製
1.JAIST, 2.株式会社KELK
休憩/Break
20p-W323-5
C000615
アモルファスSiGeフォノニック結晶ナノ構造の熱伝導
2016年春季講演会(東⼯⼤⼤岡⼭キャンパス)プログラム
⼤分類 中分類
形式
講演⽇
開始
終了
【1⽉28⽇(⽊)更新】暫定版からの更新箇所は⾚字になっております。
講演番号
受付番号
CS
CS.5
Oral
3/20(⽇) 15:15 15:30
20p-W323-6
C000632
CS
CS.5
Oral
3/20(⽇) 15:30 15:45
20p-W323-7
C000738
CS
CS.5
Oral
3/20(⽇) 15:45 16:00
20p-W323-8
C001562
20p-W323-9
C002154
奨励賞 英語 招待
奨
E
E
48 / 52 ページ
※会場、時間が変更になった場合は該当の⽅にご連絡いたします。
講演タイトル
著者
所属機関
フォノニック結晶におけるネック効果による熱伝導率の低減
〇柳澤 亮⼈1、アヌフリエフ ロマン1、メール ジェレミ1、野村 政宏1, 2, 3
1.東⼤⽣研, 2.ナノ量⼦機構, 3.JSTさきがけ
Thermal conduction control by thermal phononics and its mechanisms
〇(PC)Jeremie Kevin Maire1, 2, Roman Anufriev1, Ryoto Yanagisawa1, Sebastian Volz4, Masahiro Nomura1, 3, 5
1.IIS, Univ. of Tokyo, 2.LIMMS-CNRS/IIS, 3.Nanoquine, 4.EM2C CNRS, 5.JST PRESTO
Biナノワイヤーの磁場中における電気物性の解析
〇村⽥ 正⾏1、⼭本 淳1、⻑⾕川 靖洋2、⼩峰 啓史3
1.産総研, 2.埼⽟⼤, 3.茨城⼤
Thermoelectric Properties of Colloidal Quantum Dot Solids
〇Satria Zulkarnaen Bisri1, Maria Ibanez2, 3, Maksym Kovalenko2, 3, Yoshihiro Iwasa1, 4
1.RIKEN-CEMS, 2.ETH Zurich, 3.EMPA, 4.Univ. Tokyo
プラズモニクスとGe-Sn材料を融合した光熱発電システムの構築
〇⼩松 諒祐1、⻄島 喜明1、Gediminas Seniutinas2、Saulius Juodkazis2
1.横国⼤院⼯, 2.スインバーン⼯科⼤
ZnOナノ構造を⽤いたフレキシブル熱電材料の熱拡散率
〇和波 雅也1、セルバラジ シャンティ1、鈴⽊ 悠平1、ベルスワミィ パンディヤラサン1、ファイズ サレ2、下村 勝1、村上 健司1、池⽥ 浩也1
1.静⼤院⼯, 2.マラヤ⼤
エピタキシャルGeナノドット含有Si構造を⽤いたSi系熱電材料の性能向上
〇(D)⼭阪 司祐⼈1、渡辺 健太郎1, 2、澤野 憲太郎3、⽵内 正太郎1、酒井 朗1、中村 芳明1, 2
CS
CS.5
Oral
3/20(⽇) 16:00 16:15
CS
CS.5
Oral
3/20(⽇) 16:15 16:30
CS
CS.5
Oral
3/20(⽇) 16:30 16:45 20p-W323-10 C003252
CS
CS.5
Oral
3/20(⽇) 16:45 17:00 20p-W323-11 C003330
CS
CS.5
Oral
3/20(⽇) 17:00 17:15 20p-W323-12 C000990
奨
CS
CS.5
Oral
3/20(⽇) 17:15 17:30 20p-W323-13 C001628
奨
汎⽤性を向上した2&#969;法による熱電薄膜の熱伝導率測定
〇奥畑 亮1、渡辺 健太郎1, 2、池内 賢朗3、⽯⽥ 明広4、中村 芳明1, 2
1.阪⼤基礎⼯, 2.JST-CREST, 3.アドバンス理⼯, 4.静岡⼤院⼯
CS
CS.5
Oral
3/20(⽇) 17:30 17:45 20p-W323-14 C000495
奨
E
Fabrication of ultrathin Ge-on-insulator by direct wafer-bonding
〇(D)Manimuthu Veerappan1, Arivanandhan Mukannan1, Yasuhiro Hayakawa1, Hiroya Ikeda1
1.Shizuoka Univ.
奨
〇Takaaki Dohi1, Shun Kanai1, 2, Atsushi Okada1, Shunsuke Fukami2, 3, Fumihiro Matsukura4, 1, 2, Hideo Ohno1, 2, 3, 4
休憩/Break
10.1, 10.2, 10.3のコードシェアセッション「新規スピン操作⽅法および関連現象」
1.阪⼤院基礎⼯, 2.JST-CREST, 3.東京都市⼤総研
1.Laboratory for Nanoelectronics and Spintronics, RIEC, Tohoku Univ., 2.CSIS, Tohoku Univ., 3.CIES, Tohoku Univ., 4.WPI-AIMR, Tohoku
CS
CS.6
Oral
3/22(⽕)
9:00
9:15
22a-W241-1
C002886
E
Electric-field effect on domain structure in MgO/CoFeB/Ta
CS
CS.6
Oral
3/22(⽕)
9:15
9:30
22a-W241-2
C000208
E
Large voltage-induced magnetic anisotropy change in Cr/ultrathin Fe/MgO/Fe magnetic tunnel junctions Ⅱ
CS
CS.6
Oral
3/22(⽕)
9:30
9:45
22a-W241-3
C000547
E
Different effects between Al- and Zr-insertion on voltage control of PMA at CoFeB/oxide interface
〇Ryusuke Oishi1, Weidong Li1, Koji Kita1
CS
CS.6
Oral
3/22(⽕)
9:45
10:00
22a-W241-4
C001689
希⼟類⾦属超薄膜における結晶磁気異⽅性の第⼀原理計算
〇(D)名和 憲嗣1、池浦 雄志1、中村 浩次1、秋⼭ 亨1、伊藤 智徳1、⼩⼝ 多美夫2
1.三重⼤院⼯, 2.阪⼤産研
CS
CS.6
Oral
3/22(⽕) 10:00 10:15
22a-W241-5
C000530
奨
Laser-induced spin precessional dynamics in CoFeB/MgO/CoFeB magnetic tunnel junction under the electric field
〇yuta sasaki1, Kazuya Suzuki2, Satoshi Iihama1, Atsushi Sugihara2, Yasuo Ando1, Shigemi Mizukami2
1.Tohoku Univ., 2.WPI-AIMR
CS
CS.6
Oral
3/22(⽕) 10:15 10:30
22a-W241-6
C002184
奨
Fe|MgOにおける界⾯ジャロシンスキー守⾕相互作⽤の電圧変調
〇(DC)縄岡 孝平1、三輪 真嗣1、塩⽥ 陽⼀1, 2、野崎 隆⾏2、湯浅 新治2、⽔落 憲和1、鈴⽊ 義茂1
1.阪⼤院基礎⼯, 2.産総研ナノスピン
CS
CS.6
Oral
3/22(⽕) 10:30 10:45
CS
CS.6
Oral
3/22(⽕) 10:45 11:00
22a-W241-7
C000383
奨
〇Minori Goto1, Kohei Nawaoka1, Shinji Miwa1, Shohei Hatanaka1, Norikazu Mizuochi2, Yoshishige Suzuki1
1.Osaka Univ., 2.Kyoto Univ.
CS
CS.6
Oral
3/22(⽕) 11:00 11:15
22a-W241-8
C001244
CS
CS.6
Oral
3/22(⽕) 11:15 11:30
22a-W241-9
C002713
CS
CS.6
Oral
3/22(⽕) 11:30 11:45 22a-W241-10 C001453
奨
E
CS
CS.6
Oral
3/22(⽕) 11:45 12:00 22a-W241-11 C001178
奨
E
CS
CS.6
Oral
3/22(⽕) 13:15 13:30
22p-W241-1
C000906
奨
E
CS
CS.6
Oral
3/22(⽕) 13:30 13:45
22p-W241-2
C002820
奨
E
CS
CS.6
Oral
3/22(⽕) 13:45 14:00
22p-W241-3
C001751
奨
E
CS
CS.6
Oral
3/22(⽕) 14:00 14:15
22p-W241-4
C000080
E
E
〇Takayuki Nozaki1, Anna Koziol-Rachwal1, 2, Witold Skowronski1, 2, Vadym Zayets1, Yoichi Shiota1, Shingo Tamaru1, Hitoshi Kubota1,
Akio Fukushima1, Shinji Yuasa1, Yoshishige Suzuki1, 3
Univ
1.AIST, 2.AGH Univ., 3.Osaka Univ.
1.the Univ. of Tokyo
休憩/Break
Voltage modulation of interfacial spin direction at MnIr|MgO
E
with triple-Q spin state
E
Electric-Field-Induced X-ray Magnetic Circular Dichroism for Studying Perpendicularly Magnetized Ni/Cu Multilayers
〇Jun Okabayashi1, Tomoyasu Taniyama2
SrTiO3 バックゲートを⽤いたCo極薄膜の電界効果︓⾯⽅位依存性
〇中澤 新悟1、⼤⽇⽅ 絢2、千葉 ⼤地2、上野 和紀1
1.東⼤院総合, 2.東⼤院⼯
Electrical control of magnetism in electric double layer capacitors with a Co electrode
〇Takamasa Hirai1, Aya Obinata1, Yuki Hibino1, Tomohiro Koyama1, Kazumoto Miwa2, Shimpei Ono2, Makoto Kohda3, Daichi Chiba1
1.The Univ. of Tokyo, 2.CRIEPI, 3.Tohoku Univ.
Mechanical modulation of magnetic anisotropy in Pt/Co films
〇Shinya Ota1, Ryo Asai1, Takahiro Kozeki2, Hirokazu Akamine2, Tatsuya Fujii2, Takahiro Namazu2, Taishi Takenobu3, Tomohiro
1.Univ. of Tokyo, 2.Tokyo Tech.
1.Univ. of Tokyo, 2.Univ. of Hyogo, 3.Waseda Univ.
deposited on a flexible substrate
Koyama1, Daichi Chiba1
Spin-orbit torque induced magnetization switching in W/CoFeB/MgO
〇(D)Chaoliang Zhang1, Shunsuke Fukami2, 3, Samik DuttaGuptta1, Hideo Sato2, 3, Fumihiro Matsukura1, 2, 4, Hideo Ohno1, 2, 3, 4
1.RIEC, Tohoku Univ., 2.CSIS, Tohoku Univ., 3.CIES, Tohoku Univ., 4.WPI-AIMR, Tohoku Univ.
Crystal Structure Dependence of Spin-Orbit Fields in Pt/Co/AlO Trilayer Structures
〇(M1)Minsik KONG1, Hiromu Gamou1, Makoto Kohda1, Junsaku Nitta1
Dot size dependence of magnetization switching by spin-orbit torque in antiferromagnet/ferromagnet structures
〇Aleksandr Kurenkov1, Chaoliang Zhang1, Shunsuke Fukami2, 3, Samik DuttaGupta1, Hideo Ohno1, 2, 3, 4
1.Tohoku Univ.
1.Laboratory for Nanoelectronics and Spintronics, RIEC, Tohoku Univ., 2.CSIS, Tohoku Univ., 3.CIES, Tohoku Univ., 4.WPI-AIMR, Tohoku
Determination of spin-orbit torque effective field from magnetic domain wall creep velocity
〇Tomohiro Koyama1, Daichi Chiba1
Univ
1.The Univ. of Tokyo
エネルギーマネジメント︓⼩規模システムの事例に学ぶ再⽣可能エネルギーの導⼊ポテンシャル
S
S.1
Oral
3/19(⼟) 13:30 14:00
19p-W641-1
I000045
招
再⽣可能エネルギーとネガワットの導⼊に対応した次世代エネルギーマネジメントシステム⼿法の開発
〇林 泰弘1
1.早⼤理⼯ JST CREST
S
S.1
Oral
3/19(⼟) 14:00 14:30
19p-W641-2
I000004
招
宮古島市における島嶼型スマートコミュニティの取り組み
〇三上 暁1
1.宮企エコ
S
S.1
Oral
3/19(⼟) 14:30 15:00
19p-W641-3
I000149
招
供給制約・需要制約下における地域エネルギーシステム:種⼦島の事例
〇菊池 康紀1, 2, 3
1.東⼤総括プロ, 2.九⼤I2CNER, 3.千葉⼤環境センター
S
S.1
Oral
3/19(⼟) 15:00 15:15
S
S.1
Oral
3/19(⼟) 15:15 15:45
19p-W641-4
I000218
デジタルグリッドがもたらすIoET (Internet of Energy and Things)
〇阿部 ⼒也1, 2
1.東⼤技術経営, 2.東⼤総括寄付講座
S
S.1
Oral
3/19(⼟) 15:45 16:00
19p-W641-5
C000271
⽔溶液電解法による⼆酸化炭素還元
〇松本 純1、武藤 昭博1、武⽥ ⼤1、杉⼭ 正和2、藤井 克司2
1.千代⽥化⼯, 2.東⼤
S
S.1
Oral
3/19(⼟) 16:00 16:30
19p-W641-6
I000136
招
各種熱駆動ケミカルヒートポンプによる未利⽤・再⽣可能エネルギーマネジメントシステム
〇⼩倉 裕直1
1.千葉⼤院⼯
S
S.1
Oral
3/19(⼟) 16:30 17:00
19p-W641-7
C003789
招
総合討論
〇杉⼭ 正和1
1.東⼤
招
イントロダクトリートーク︓ 偏光計測制御の新展開
〇岡 和彦1、⼤⾕ 幸利2、和⽥ 篤3
1.北⼤, 2.宇都宮⼤, 3.防衛⼤
休憩/Break
招
偏光計測制御の新展開
S
S.2
Oral
3/19(⼟) 13:30 13:45
19p-S621-1
I000191
S
S.2
Oral
3/19(⼟) 13:45 14:15
19p-S621-2
I000125
S
S.2
Oral
3/19(⼟) 14:15 14:45
19p-S621-3
I000201
S
S.2
Oral
3/19(⼟) 14:45 15:15
19p-S621-4
I000153
S
S.2
Oral
3/19(⼟) 15:15 15:30
S
S.2
Oral
3/19(⼟) 15:30 16:00
19p-S621-5
I000073
招
S
S.2
Oral
3/19(⼟) 16:00 16:30
19p-S621-6
I000035
招
S
S.2
Oral
3/19(⼟) 16:30 16:45
19p-S621-7
C001948
S
S.2
Oral
3/19(⼟) 16:45 17:00
19p-S621-8
C002914
S
S.2
Oral
3/19(⼟) 17:00 17:15
19p-S621-9
C002928
E
E
招
Berry Phase, Polarization, and Point Spread Function in High Etendue Optical Systems
〇Russell A Chipman1, 2
1.Univ. of Arizona, 2.Utsunomiya Univ.
招
統計的波動場の偏光とコヒーレンスの制御
〇武⽥ 光夫1
1.宇都宮⼤CORE
招
Polarization of Skylight
〇Joseph A Shaw1, Laura M Dahl1, Nathan J Pust1
1.Montana State Univ.
休憩/Break
〇⿊⽥ 和男1
偏光の⼲渉とホログラフィー
偏光イメージングカメラを⽤いたシングルショット位相シフトディジタルホログラフィーとシングルショット偏光ディジタルホ
1.宇⼤オプト
〇粟辻 安浩1
1.京都⼯繊⼤
チャープパルスを⽤いた直線偏光の偏光⽅位の超⾼速回転
〇永井 美祐1、坂本 盛嗣2, 3、⼭根 啓作2、森⽥ 隆⼆2、岡 和彦2
1.北⼤⼯, 2.北⼤院⼯, 3.⻑岡技科⼤
6個の光強度検出器を⽤いたストークス偏光計
〇(DC)柴⽥ 秀平1、川畑 州⼀2、⼤⾕ 幸利1
1.宇⼤⼯, 2.東京⼯芸⼤
A partial Mueller matrix polarimeter using two photoelastic modulator and polarizer pairs
〇(B)Nia Natasha Tipol1, Shuichi Kawabata2, Yukitoshi Otani1
1.Utsunomiya Univ. for Utsunomiya University, 2.Tokyo Polytechnic Univ. for Tokyo Polytechnic University
招
銅酸化物⾼温超伝導体の理解の現状―実験的側⾯を中⼼に―
〇前⽥ 京剛1
1.東⼤総合⽂化
招
⾼温超伝導︓これまで、これから。
〇福⼭ 秀敏1
1.東京理科⼤学総研院
招
HTS conductors for high field magnets in the next 10 years
〇David Christopher Larbalestier1
1.Florida State U
奨
E
ログラフィー
銅酸化物超伝導体発⾒30周年記念シンポジウム
S
S.3
Oral
3/19(⼟) 13:15 13:45
19p-H101-1
I000101
S
S.3
Oral
3/19(⼟) 13:45 14:30
19p-H101-2
I000056
S
S.3
Oral
3/19(⼟) 14:30 15:15
19p-H101-3
I000005
S
S.3
Oral
3/19(⼟) 15:15 15:30
S
S.3
Oral
3/19(⼟) 15:30 16:00
19p-H101-4
I000122
S
S.3
Oral
3/19(⼟) 16:00 16:15
19p-H101-5
C003121
S
S.3
Oral
3/19(⼟) 16:15 16:45
19p-H101-6
I000094
⾼温超伝導材料のエレクトロニクス応⽤の進展と今後の展望
〇⽥辺 圭⼀1
1.超電導⼯研
S
S.3
Oral
3/19(⼟) 16:45 17:00
19p-H101-7
C002457
⾼温超伝導体Bi2212テラヘルツ光源の多機能化
〇掛⾕ ⼀弘1、エララビ アセム1、温 ⼀凡1、⼟居 卓司1、辻本 学1, 2
1.京⼤院⼯, 2.筑波⼤数理物質
S
S.3
Oral
3/19(⼟) 17:00 17:15
19p-H101-8
C000376
⾼温超伝導線材技術の船舶脱磁への応⽤
〇廣⽥ 惠1
1.艦磁研
S
S.3
Oral
3/19(⼟) 17:15 17:30
19p-H101-9
C002227
25T無冷媒超伝導マグネットの初期性能試験
〇淡路 智1、⼩⿊ 英俊1、渡辺 和雄1、宮﨑 寛史2、⼾坂 泰造2、花井 哲2、井岡 茂2
1.東北⼤⾦研, 2.東芝
E
休憩/Break
招
招
⾼度に結晶配向制御された銅酸化物系⾼温超伝導線材 〜RE123線材を中⼼に〜
〇飯島 康裕1
1.フジクラ
ナノ粒⼦APC導⼊REBCO 薄膜の磁束ピンニング特性
〇松本 要1、⻄原 匡弥1、堀出 朋哉1
1.九⼯⼤⼯
⽇韓の有機エレクトロニクス研究︓現状と次の⾶躍に向けて
S
S.4
Oral
3/19(⼟) 13:45 14:15
19p-W521-1
I000233
E
招
Trends in Evaluation of Bulk and Interface Electronic Structures of Organic Semiconductors
〇Hisao Ishii1, 2, 3
1.CFS, Chiba U., 2.AIS, Chiba U., 3.MCRC, Chiba U.
S
S.4
Oral
3/19(⼟) 14:15 14:45
19p-W521-2
I000011
E
招
Manipulation of Carrier Injection Barriers of Multilayer Graphene Electrode for OLED
〇Yongsup Park1, Min-Jae Maeng1, Ji-Hoon Kim1, Jong-Am Hong1, Joohyun Hwang2, Hong Kyw Choi2, Jaehyun Moon2, Jeong-Ik Lee2
1.Kyung Hee U., Korea, 2.ETRI, Korea
S
S.4
Oral
3/19(⼟) 14:45 15:15
19p-W521-3
I000187
E
招
High-performance organic transistors and printed LSIs
〇Jun Takeya1
1.the Univ. of Tokyo
S
S.4
Oral
3/19(⼟) 15:15 15:45
19p-W521-4
I000232
E
招
Highly flexible low voltage electronic devices based on ultrathin polymer dielectrics
〇Seunghyup Yoo1, Hanul Moon1, Hyejeong Sung1, Seungwon Lee1, Mincheol Kim1, Sung Gap Im1
1.KAIST
S
S.4
Oral
3/19(⼟) 15:45 16:00
S
S.4
Oral
3/19(⼟) 16:00 16:30
19p-W521-5
I000087
E
招
Recent Progress of Degradation Analysis of Organic Light Emitting Diodes
〇Hideyuki Murata1
1.JAIST
S
S.4
Oral
3/19(⼟) 16:30 17:00
19p-W521-6
I000236
E
招
High Efficiency Organic-Inorganic Hybrid Perovskite Light-Emitting Diodes
Himchan Cho1, Su-Hun Jeong1, Min-Ho Park1, Young-Hoon Kim1, Christoph Wolf1, Chang-Lyoul Lee2, Jin Hyuck Heo3, Aditya
1.Dept. of Mat. Sci.&Eng., POSTECH, 2.Gwangju Inst. of Sci.&Tech.(GIST), 3.Kyung Hee Univ., 4.Univ. of Cambridge, 5.Korea Adv.
S
S.4
Oral
3/19(⼟) 17:00 17:30
19p-W521-7
I000231
E
招
Sadhanala4, NoSoung Myoung2, Seunghyup Yoo5, Sang Hyuk Im3, Richard H. Friend4, 〇Tae-Woo Lee1, 6
Inst.of Sci.&Tech.(KAIST), 6.Dept. of Chem.Eng. Div. of Adv. Mat. Sci., Sch. of Environ. Sci.&Eng. POSTECH
Recent progress and future of organic photovoltaic cells
〇Masahiro Hiramoto1
1.IMS
S
S.4
Oral
3/19(⼟) 17:30 18:00
19p-W521-8
I000235
E
招
Environment Sensitive LSPR of Ag Nanodot Arrays Incorporated Polymer Solar Cells
〇Jin Young Kim1
1.Ulsan Nat. Inst. of Sci.& Tech. (UNIST)
休憩/Break
化合物薄膜太陽電池の⾼効率化技術の現在と未来
S
S.5
Oral
3/19(⼟) 13:15 13:45
19p-W541-1
I000021
S
S.5
Oral
3/19(⼟) 13:45 14:00
19p-W541-2
C000426
S
S.5
Oral
3/19(⼟) 14:00 14:15
19p-W541-3
C000331
招
S
S.5
Oral
3/19(⼟) 14:15 14:45
19p-W541-4
I000211
S
S.5
Oral
3/19(⼟) 14:45 15:00
19p-W541-5
C002027
S
S.5
Oral
3/19(⼟) 15:00 15:15
19p-W541-6
C000699
S
S.5
Oral
3/19(⼟) 15:15 15:45
19p-W541-7
I000095
S
S.5
Oral
3/19(⼟) 15:45 16:00
19p-W541-8
C001189
S
S.5
Oral
3/19(⼟) 16:00 16:15
S
S.5
Oral
3/19(⼟) 16:15 16:45
I000055
招
III-V族多接合型太陽電池の動向について
S
S.5
Oral
3/19(⼟) 16:45 17:15 19p-W541-10 I000085
招
量⼦ドット中間バンド太陽電池の⾼効率化メカニズム
〇岡⽥ ⾄崇1、庄司 靖1、⽟置 亮1、吉⽥ 勝尚1、曽我部 東⾺1
S
S.5
Oral
3/19(⼟) 17:15 17:30 19p-W541-11 C001243
S
S.5
Oral
3/19(⼟) 17:30 17:45 19p-W541-12 C000568
S
S.5
Oral
3/19(⼟) 17:45 18:15 19p-W541-13 I000083
S
S.5
Oral
3/19(⼟) 18:15 18:45 19p-W541-14 I000141
奨
招
E
奨
招
奨
Cu2ZnSnS4（CZTS）太陽電池の⾼効率化に関する検討
〇⽥島 伸1
Cu2ZnSn(S, Se)4薄膜のCdS層製膜前における表⾯処理の効果
〇⻄永 慈郎1、反保 衆志1、酒井 紀⾏2、加藤 拓也2、杉本 広紀2、柴⽥ 肇1、仁⽊ 栄1
1.産総研, 2.ソーラーフロンティア
バンド傾斜構造によるCu2Sn1-xGexS3 (CTGS)太陽電池の⾼効率化
〇梅原 密太郎1、⽥島 伸1、⽵⽥ 康彦1、元廣 友美1
1.豊⽥中研
1.豊⽥中研
CIGS系化合物薄膜太陽電池の⾼効率化技術の現在と未来
〇柴⽥ 肇1
Effect of Additional Indium Deposition after Cu(In,Ga)Se2 Thin Film Growth for Potassium Fluoride Post-deposition Treatment
〇Ishwor Khatri1, Mutsumi Sugiyama1, Tokio Nakada1
1.Tokyo University of Science
Zn1-xMgxOバッファー層によるCu(In,Ga)S2薄膜太陽電池の変換効率改善
〇廣井 誉1, 2, 3、岩⽥ 恭彰1, 2、杉本 広紀1, 2、⼭⽥ 明3
1.ソーラーフロンティア, 2.昭和シェル⽯油, 3.東⼯⼤院理⼯
スマートスタック異種多接合太陽電池
〇菅⾕ 武芳1、牧⽥ 紀久夫1、⽔野 英範1、⼤島 隆治1、太野垣 健1
1.産総研
In2O3:Sn/Cu(In,Ga)Se2のohmic-like接合の形成によるsuperstrate型Cu(In,Ga)Se2太陽電池の作製
〇新井 裕之1、新澤 雄⾼1、⽴野 俊史1、峯元 ⾼志1
1.⽴命館⼤
〇⾼本 達也1、鷲尾 英俊1、⼗楚 博⾏1
1.シャープ
1.産総研
休憩/Break
19p-W541-9
奨
1.東⼤先端研
量⼦ドット太陽電池の⾼効率化に向けたキャップ層厚みによる室温サブレベル間吸収制御
〇吉川 弘⽂1, 2, 3、渡邉 克之1, 2、⼩⾕ 晃央1, 2, 3、岩本 敏1, 2、和泉 真3、荒川 泰彦1, 2
1.東⼤ナノ量⼦機構, 2.東⼤⽣研, 3.シャープ(株)
GaN/Ga2O3 基板およびGaN 基板に成⻑したInGaN/GaN MQW 太陽電池特性
〇渡邉 則之1、満原 学1、重川 直輝2
1.NTT先デ研, 2.⼤阪市⼤
招
CdTe太陽電池の最近の展望
〇岡本 保1
1.⽊更津⾼専
招
ペロブスカイト太陽電池⾼効率化のための材料開発
〇若宮 淳志1, 2、⻄村 秀隆1、中池 由美1、嶋崎 愛1、村⽥ 靖次郎1
1.京⼤化研, 2.JST-さきがけ
2016年春季講演会(東⼯⼤⼤岡⼭キャンパス)プログラム
⼤分類 中分類
形式
講演⽇
開始
終了
講演番号
【1⽉28⽇(⽊)更新】暫定版からの更新箇所は⾚字になっております。
受付番号
奨励賞 英語 招待
49 / 52 ページ
※会場、時間が変更になった場合は該当の⽅にご連絡いたします。
講演タイトル
著者
所属機関
発光イメージングが切り拓く半導体結晶・デバイス評価の明るい未来
S
S.6
Oral
3/19(⼟) 13:30 13:45
19p-S011-1
C002255
S
S.6
Oral
3/19(⼟) 13:45 14:15
19p-S011-2
I000090
S
S.6
Oral
3/19(⼟) 14:15 14:30
19p-S011-3
C003075
S
S.6
Oral
3/19(⼟) 14:30 15:00
19p-S011-4
I000162
S
S.6
Oral
3/19(⼟) 15:00 15:15
19p-S011-5
C000692
S
S.6
Oral
3/19(⼟) 15:15 15:30
S
S.6
Oral
3/19(⼟) 15:30 16:00
19p-S011-6
I000100
S
S.6
Oral
3/19(⼟) 16:00 16:15
19p-S011-7
C002635
S
S.6
Oral
3/19(⼟) 16:15 16:45
19p-S011-8
I000061
S
S.6
Oral
3/19(⼟) 16:45 17:00
19p-S011-9
C000620
S
S.6
Oral
3/19(⼟) 17:00 17:15
19p-S011-10 C001587
S
S.6
3/19(⼟) 17:15 17:45
19p-S011-11
Oral
イントロダクトリートーク 〜発光イメージングから⾒えるもの〜
招
奨
招
〇沓掛 健太朗1
1.東北⼤⾦研
太陽電池の絶対エレクトロルミネッセンス画像計測法と応⽤
〇秋⼭ 英⽂1
1.東⼤物性研
PLイメージングを⽤いた強制汚染およびゲッタリングによる多結晶Si中の鉄およびニッケルの影響評価
〇鈴⽊ 涼太1、池野 成裕1, 2、⼩島 拓⼈1、⼤下 祥雄3、⼩椋 厚志1
1.明治⼤理⼯, 2.学振特別研究員, 3.豊⽥⼯⼤
フォトルミネッセンス・マッピング法によるCIGS太陽電池の評価
〇⽩⽅ 祥1
EL測定を⽤いたGaAs太陽電池の構造評価と効率向上
〇井上 智之1、トープラサートポン カシディット1、デゥラマレー アモリ1, 2、渡辺 健太郎1, 2、ギルモー ジャンフランソワ2、杉⼭ 正和1, 2、中
野 義昭1, 2
1.愛媛⼤⼯
1.東⼤⼯, 2.ネクストPV
休憩/Break
招
招
PLイメージングによる4H-SiC結晶⽋陥の評価
〇⼟⽥ 秀⼀1、鎌⽥ 功穂1、⽥沼 良平1、⻑野 正裕1
1.電中研
4H-SiC MOSFET中の単⼀表⾯⽋陥の共焦点顕微鏡観察
〇梅⽥ 享英1、阿部 裕太1、Y.-W. Zhu1、岡本 光央2、⼩杉 亮治2、原⽥ 信介2、春⼭ 盛善3、⼩野⽥ 忍3、⼤島 武3
1.筑波⼤数物, 2.産総研, 3.原⼦⼒機構
時間空間分解カソードルミネッセンスによるⅢ族窒化物半導体の評価
〇秩⽗ 重英1、⼭崎 芳樹1、⼩島 ⼀信1
1.東北⼤多元研
InGaN薄膜の分光CLマッピング像の温度依存性評価 (2)
〇倉井 聡1、⿊⾶ 雄樹1、⼭⽥ 陽⼀1
1.⼭⼝⼤院理⼯
近接場過渡レンズ法によるInGaN単⼀量⼦井⼾におけるキャリアダイナミクスの評価
〇塚本 真⼤1、⽯井 良太1、船⼾ 充1、川上 養⼀1
1.京⼤院⼯
I000203
招
Nanoprobe-CL法による半導体ナノ結晶の顕微物性評価
〇渡辺 健太郎1, 2
1.阪⼤院基礎⼯, 2.物材機構
S
S.7
Oral
3/20(⽇) 13:45 14:00
20p-W611-1
I000193
招
新たなるデバイスへのアプローチ
〇久本 ⼤1, 2
1.⽇⽴, 2.東⼯⼤院
S
S.7
Oral
3/20(⽇) 14:00 14:15
20p-W611-2
I000188
招
私のキャリア観 － 今と昔の⾃⼰分析
〇⼩路 智也1
1.旭化成エレクトロニクス
S
S.7
Oral
3/20(⽇) 14:15 14:30
20p-W611-3
I000222
招
研究からITベンチャーへ
〇⽊下 治紀1
1.東⼯⼤院理⼯
S
S.7
Oral
3/20(⽇) 14:30 14:45
20p-W611-4
I000144
招
応⽤から基礎、化学から⽣物学へ〜⾃らの興味を追い求め続けた⾼専⽣の⼀例〜
〇⻄村 亮祐1
1.東北⼤院⽣命
S
S.7
Oral
3/20(⽇) 14:45 15:00
20p-W611-5
I000229
招
〇⼩林 正治1
1.東⼤⽣研
S
S.7
Oral
3/20(⽇) 15:00 15:15
S
S.7
Oral
3/20(⽇) 15:15 15:30
20p-W611-6
I000127
招
技術と経営をつなぐ
〇吉澤 正樹1
1.経営共創基盤
S
S.7
Oral
3/20(⽇) 15:30 15:45
20p-W611-7
I000224
招
研究者としての夢に向けて －海外PhDという選択肢－
〇成⽥ 海1
1.東⼯⼤院
S
S.7
Oral
3/20(⽇) 15:45 16:00
20p-W611-8
I000197
招
理系⼯学部材料系の就職活動における思考過程
〇⽯⾙ 創1
1.奈良先端⼤
S
S.7
Oral
3/20(⽇) 16:00 16:15
20p-W611-9
I000177
招
⼤企業からベンチャーへ〜理系キャリア選択の⼀例〜
〇五⼗嵐 美樹1
1.エルピクセル
S
S.7
Oral
3/20(⽇) 16:15 16:30 20p-W611-10 I000175
招
世界⼀を⽬ざせ
〇池⽥ 修⼆1
1.ﾃｨｰｲｰｱｲｿﾘｭｰｼｮﾝｽﾞ株
Opening Address
〇Eisuke Tokumitsu1, Yongmin Kim2
1.JAIST, 2.Dankook Univ.
1.Saitama Univ.
理系学⽣のキャリア設計指針 〜これからの第⼀歩を決めるために〜
エレクトロニクス分野におけるキャリア形成について
〜海外留学・就職の経験を踏まえて〜
休憩/Break
⽇韓ジョイントシンポ︓機能性２次元材料の現状と新展開
S
S.8
Oral
3/19(⼟)
9:45
10:00
19a-S221-1
C000167
E
S
S.8
Oral
3/19(⼟) 10:00 10:30
19a-S221-2
I000052
E
招
Application of Layered Chalcogenide Materials to Atomic Layer Electronics
〇Keiji Ueno1
S
S.8
Oral
3/19(⼟) 10:30 11:00
19a-S221-3
I000063
E
招
Electronic and optical properties of monoclinic MoTe2
〇Heejun Yang1, Suyeon Cho2, Jaeyoon Baik5, K. J. Chang3, Kazu Suenaga4, Sung Wng Kim1, Young Hee Lee2
Sungkyunkwan University (SKKU), 3.Department of Physics, KAIST, 4.National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
S
S.8
Oral
3/19(⼟) 11:00 11:30
19a-S221-4
I000198
E
招
Valley physics in 2D crystals of transition metal dichalcogenides
〇Yijin Zhang1, Yoshihiro Iwasa1, 2
1.Univ. Tokyo, 2.RIKEN
S
S.8
Oral
3/19(⼟) 11:30 12:00
19a-S221-5
I000205
E
招
S
S.8
Oral
3/19(⼟) 13:45 14:15
19p-S221-1
I000071
E
招
S
S.8
Oral
3/19(⼟) 14:15 14:45
19p-S221-2
I000145
E
S
S.8
Oral
3/19(⼟) 14:45 15:15
19p-S221-3
I000109
E
S
S.8
Oral
3/19(⼟) 15:15 15:45
19p-S221-4
I000067
S
S.8
Oral
3/19(⼟) 15:45 16:00
S
S.8
Oral
3/19(⼟) 16:00 16:30
19p-S221-5
I000022
S
S.8
Oral
3/19(⼟) 16:30 16:45
19p-S221-6
C002373
奨
E
S
S.8
Oral
3/19(⼟) 16:45 17:00
19p-S221-7
C003783
奨
E
S
S.8
Oral
3/19(⼟) 17:00 17:30
19p-S221-8
I000214
Selective deformation of monolayer MoS2 by illuminating laser
1.Department of Energy Science, Sungkyunkwan University (SKKU), 2.IBS Center for Integrated Nanostructure Physics (CINAP),
(AIST), 5.Pohang Accelerator Laboratory, POSTECH
〇Sung Ho Jhang1, Sung Won Kim1, Jeong Hyeon Na1
1.Konkuk Univ.
Atomically thin hetero-structural semiconductors
〇Kazuhito Tsukagoshi1
1.NIMS
招
Oxidation of 2-Dimensional Semiconductors and Its Implication towards Applications
〇Sunmin Ryu1
1.POSTECH
招
CVD growth of atomically-thin transition metal dichalcogenides and their heterostructures
〇Yasumitsu Miyata1, 2
1.Tokyo Metropolitan Univ., 2.JST-PRESTO
E
招
Two-dimensional van der Waals Heterostructures for Advanced Electronics
〇Gwan-Hyoung Lee1
1.Yonsei Univ.
E
招
〇Young-Jun Yu1
1.Electronics and Telecommunications Research Institute (ETRI)
and magnetotransport of 2D materials probed up to 60 T
休憩/Break
E
Surface engineering of two-dimensional atomic crystals for performance enhancement and its application
Single-Layer WS2 Phototransistor with Multi-Layer Graphene Electrodes
on a Flexible Parylene Substrate
Defect position analysis in MoS2 FETs by random telegraphic signals
招
科学教育コンテストを活⽤した次世代⼈材育成
Research development of materials and innovative devices using atomically thin 2D functional films for ubiquitous
sensing
〇(D)Adha Sukma Aji1, Toshiaki Shiiba1, Kenjiro Fukuda2, 3, Hiroki Ago1, 3, 4
1.Graduate School of Engineering Sciences, Kyushu Univ., 2.Thin-Film Device Laboratory, RIKEN, 3.PRESTO-JST, 4.Institute for Materials
Chemistry and Engineering, Kyushu Univ.
〇Nan Fang1, Kosuke Nagashio1, Akira Toriumi1
1.Tokyo Univ.
〇Atsushi Ando1
1.AIST
S
S.9
Oral
3/20(⽇)
9:00
9:30
20a-W621-1
I000054
招
物理チャレンジ教育活動と国際物理オリンピックへの⽇本参加
〇⽑塚 博史1
1.東京⼯科⼤
S
S.9
Oral
3/20(⽇)
9:30
10:00
20a-W621-2
I000006
招
物理チャレンジと物理教育︓出場経験者としての視点から
〇植松 祐輝1
1.京⼤院理
S
S.9
Oral
3/20(⽇) 10:00 10:30
20a-W621-3
I000108
招
国際⽣物学オリンピックに向けた学⽣指導の経緯から〜いかにして代表⽣徒を指導したか〜
〇⽯井 規雄1
1.⽇本⽣物学オリンピック（JBO）教育⽀援部
S
S.9
Oral
3/20(⽇) 10:30 11:00
20a-W621-4
I000234
招
中学⽣のための理数探究イベント「ふくい理数グランプリ」
〇三崎 光昭1
S
S.9
Oral
3/20(⽇) 11:00 11:30
20a-W621-5
I000098
招
次世代⼈材育成における科学技術コンテストの役割
〇河崎 泰介1
1.科学技術振興機構
S
S.9
Oral
3/20(⽇) 11:30 11:45
20a-W621-6
C000276
アドバイザーの⽴場から⾒た⾼校⽣のための理数探究イベント「ふくい理数グランプリ」
〇葛⽣ 伸1
1.福井⼤院⼯
1.福井県教育庁義務教育課
医学分野におけるRI利⽤の現状と展望
S
S.10
Oral
3/20(⽇) 13:30 14:00
20p-W9-1
I000102
招
コンプトンカメラを⽤いた医学分野におけるRI イメージングの研究
〇酒井 真理1
1.群⾺⼤医
S
S.10
Oral
3/20(⽇) 14:00 14:30
20p-W9-2
I000158
招
PET 解析技術の開発
〇渡部 浩司1
1.東北⼤サイクロ
S
S.10
Oral
3/20(⽇) 14:30 15:00
20p-W9-3
I000137
招
モンテカルロシミュレーションを⽤いたRI内⽤療法における細胞⽣存率の⾒積もり
〇平野 祥之1、⻑⾕川 純崇2
1.群⼤重粒⼦, 2.放医研分イメ
S
S.10
Oral
3/20(⽇) 15:00 15:15
S
S.10
Oral
3/20(⽇) 15:15 15:45
20p-W9-4
I000066
招
診断・治療に⽤いる放射性核種の製造
〇永津 弘太郎1
1.放医研
S
S.10
Oral
3/20(⽇) 15:45 16:15
20p-W9-5
I000032
招
アイソトープ治療に対するα放射体からのアプローチ
〇鷲⼭ 幸信1
1.⾦沢⼤保健
S
S.10
Oral
3/20(⽇) 16:15 16:45
20p-W9-6
I000206
招
新しいβ－放出核種を⽤いた治療⽤放射性薬剤の開発
〇飯⽥ 靖彦1, 3、藤澤 豊1、渡邊 智2、⽯岡 典⼦2、橋本 和幸2、永井 泰樹2、⼭⼝ 藍⼦3、花岡 宏史3、樋⼝ 徹也3、遠藤 啓吾3, 4
1.鈴⿅医療⼤薬, 2.原⼦⼒機構, 3.群⾺⼤院医, 4.京都医療⼤
I000217
招
液中レーザープロセスの研究展開 －物理プロセスと化学プロセスの融合－
〇越崎 直⼈1
1.北⼤院⼯
招
休憩/Break
液中レーザープロセス技術の展開
S
S.11
Oral
3/20(⽇) 13:15 13:45
20p-W321-1
S
S.11
Oral
3/20(⽇) 13:45 14:15
20p-W321-2
I000169
⾼速度レーザーストロボビデオ撮影による液中レーザーアブレーションの可視化観察
〇伊藤 義郎1、⽥辺 ⾥枝1
S
S.11
Oral
3/20(⽇) 14:15 14:30
20p-W321-3
C003035
液体窒素中でのレーザーアブレーションによるサイアロンを⽤いたナノ粒⼦の作製と評価
〇富⾕ 統⼀郎1、王 浩浩1、武⽥ 隆史2、広崎 尚登2、佐々⽊ 浩⼀3、⽮野 哲司1、⼩⽥原 修1、和⽥ 裕之1
1.東⼯⼤, 2.物材機構, 3.北⼤
S
S.11
Oral
3/20(⽇) 14:30 14:45
20p-W321-4
C001232
液中レーザーアブレーションによる⾦属微粒⼦⽣成現象の観察︓レーザー照射回数の影響
〇倉⽥ 修吾1、⾓⾕ 悟1、⽥辺 ⾥枝1、伊藤 義郎1
1.⻑岡技科⼤
S
S.11
Oral
3/20(⽇) 14:45 15:00
S
S.11
Oral
3/20(⽇) 15:00 15:30
20p-W321-5
I000155
招
溶液中への⾼強度レーザー照射による⾦属・合⾦ナノ粒⼦合成とその特性
〇中村 貴宏1、佐藤 俊⼀1
1.東北⼤多元研
S
S.11
Oral
3/20(⽇) 15:30 16:00
20p-W321-6
I000167
招
レーザープロセスによるナノ粒⼦⽣成と光電デバイスへの活⽤
〇齋藤 健⼀1, 2
S
S.11
Oral
3/20(⽇) 16:00 16:30
20p-W321-7
I000053
招
多孔質Si の液中レーザー照射によるナノ結晶Si 粒⼦の⾼効率⽣成と発光⾊制御
〇中村 俊博1、袁 澤2、安達 定雄1
1.群⾺⼤院理⼯, 2.筑波⼤院数理物質系
S
S.11
Oral
3/20(⽇) 16:30 16:45
20p-W321-8
C002657
液中レーザー照射による亜鉛フタロシアニンナノ粒⼦の作製と評価
〇五⼗嵐 傑1、朝⽇ 剛2、⼩⽥原 修1、和⽥ 裕之1
1.東⼯⼤院総理⼯, 2.愛媛⼤院理⼯
S
S.11
Oral
3/20(⽇) 16:45 17:00
20p-W321-9
C001446
スズ-亜鉛合⾦をターゲットに⽤いた液中レーザーアブレーションによるナノ材料の創成
〇尾藤 秀甫1、近藤 崇博1、本⽥ 光裕2、クリニッチ セルゲイ1、岩森 暁1
1.東海⼤, 2.名⼯⼤
S
S.11
Oral
3/20(⽇) 17:00 17:15
S
S.11
Oral
3/20(⽇) 17:15 17:45 20p-W321-10 I000033
招
S
S.11
Oral
3/20(⽇) 17:45 18:15 20p-W321-11 I000043
招
S
S.11
Oral
3/20(⽇) 18:15 18:30 20p-W321-12 C001755
S
S.11
Oral
3/20(⽇) 18:30 18:45 20p-W321-13 C001850
1.⻑岡技科⼤⼤学院
休憩/Break
1.広島⼤⾃然セ, 2.広島⼤院理
休憩/Break
気-液界⾯レーザーアブレーションによるサブナノ、シングルナノクラスター創製
〇⻄ 哲平1、鈴⽊ 教友1、秋元 祐介1、⾼橋 直⼦1、北住 幸介1、梶⾕ 修司1、渡邊 佳英1
1.豊⽥中研
フェムト秒レーザー誘起プラズマによる液体からの親⽔性炭素ナノ粒⼦の⽣成
〇⼋ッ橋 知幸1
1.阪市⼤院理
液中レーザー溶融法により作製した銀サブミクロン球状粒⼦の内部構造と照射時間による影響
〇中村 貴宏1、真柄 英之1、榊 祥太2、越崎 直⼈2、佐藤 俊⼀1
1.東北⼤多元研, 2.北⼤院⼯
ピコ秒パルスレーザーを⽤いた液中レーザー溶融法による球状粒⼦⽣成
〇住岡 耕平1、越崎 直⼈1、齋藤 健⼀2, 3、坂本 全教3
1.北⼤⼯, 2.広⼤⾃然セ, 3.広⼤院理
S
S.12
Oral
3/21(⽉) 13:30 13:45
21p-H135-1
I000172
招
イントロ THz技術の社会実装への課題
〇寳迫 巌1
1.情報通信研究機構
S
S.12
Oral
3/21(⽉) 13:45 14:15
21p-H135-2
I000070
招
LiNbO3結晶を⽤いたテラヘルツ光技術の進展
〇川瀬 晃道1, 2
1.名⼤⼯, 2.理研
S
S.12
Oral
3/21(⽉) 14:15 14:45
21p-H135-3
I000020
招
テラヘルツ量⼦カスケードレーザの進展と今後の展望
〇平⼭ 秀樹1, 2、寺嶋 亘1, 2、林 宗澤1
1.RAP, 2.理研
S
S.12
Oral
3/21(⽉) 14:45 15:15
21p-H135-4
I000048
招
共鳴トンネルダイオードによる室温テラヘルツ発振器と応⽤に向けた⾼機能化
〇浅⽥ 雅洋1
1.東⼯⼤総理⼯
S
S.12
Oral
3/21(⽉) 15:15 15:30
21p-H135-5
C000054
差周波発⽣テラヘルツ量⼦カスケードレーザ光源の超広帯域動作
〇藤⽥ 和上1、伊藤 昭⽣1、⽇髙 正洋1、道垣内 ⿓男1、枝村 忠孝1、⼭⻄ 正道1
1.浜ホト中研
S
S.12
Oral
3/21(⽉) 15:30 15:45
S
S.12
Oral
3/21(⽉) 15:45 16:15
21p-H135-6
I000121
招
テラヘルツ波による細胞研究への可能性
〇⼩川 雄⼀1、⽩神 慧⼀郎1、鈴⽊ 哲仁1
1.京⼤院農
S
S.12
Oral
3/21(⽉) 16:15 16:45
21p-H135-7
I000097
招
励起光状態変化によるテラヘルツ波検出技術および導波路導⼊による⾼効率化
S
S.12
Oral
3/21(⽉) 16:45 17:15
21p-H135-8
I000219
招
テラヘルツ時間領域分光法によるタンパク質低振動ダイナミクスの⽔和および温度依存性
⼭本 直樹1、太⽥ 薫2、⽥村 厚夫1、〇富永 圭介1, 2
1.神⼾⼤学理学研究科, 2.神⼾⼤学分⼦フォト
S
S.12
Oral
3/21(⽉) 17:15 17:30
21p-H135-9
C000180
テラヘルツ分光を利⽤したゴム加硫反応イメージング
〇平川 靖之1、延塚 彩夏1、神野 拓也1、権藤 豊彦1
1.久留⽶⾼専
社会実装を⾒据えたテラヘルツ新技術の展開
休憩/Break
〇⽔津 光司1、⽔野 光貴1、⽊村 優基1、南部 広樹1、秋葉 拓也1、宮本 克彦2、尾松 孝茂2、諸橋 功3、⼩川 洋3、中島 慎也3、関根 徳彦3、寳迫
巌3
1.千葉⼯⼤⼯, 2.千葉⼤融合, 3.NICT
2016年春季講演会(東⼯⼤⼤岡⼭キャンパス)プログラム
⼤分類 中分類
形式
講演⽇
開始
終了
講演番号
【1⽉28⽇(⽊)更新】暫定版からの更新箇所は⾚字になっております。
受付番号
奨励賞 英語 招待
50 / 52 ページ
※会場、時間が変更になった場合は該当の⽅にご連絡いたします。
講演タイトル
著者
所属機関
S
S.12
Oral
3/21(⽉) 17:30 17:45
21p-H135-10 C000693
アレイ放射器から発せられるインコヒーレントサブテラヘルツ波を⽤いた煙霧環境でのアクティブイメージング
〇清⽔ 直⽂1、沖永 誠治2、松⼭ 賢2
1.NTT 先デ研, 2.東理⼤ ⽕災科学研究センター
S
S.12
Oral
3/21(⽉) 17:45 18:00
21p-H135-11 I000103
招
クロージング︓シンポジウム閉会にあたって
〇南出 泰亜1
1.理研
〇吉⽥ 肇1、板倉 明⼦2
1.産総研, 2.物材機構
真空・減圧プロセスにおける気体の流れの解析
S
S.13
Oral
3/20(⽇) 14:00 14:15
20p-W621-1
I000159
招
真空・減圧プロセスにおける気体の流れの解析 イントロダクトリートーク
S
S.13
Oral
3/20(⽇) 14:15 14:45
20p-W621-2
I000059
招
気体分⼦流の基礎理論と数値解析
〇松⽥ 七美男
電機⼤
S
S.13
Oral
3/20(⽇) 14:45 15:15
20p-W621-3
I000213
招
モンテカルロ法による加速器ビームダクト内の圧⼒分布計算例
〇⾕本 育律1
1.⾼エネ研
S
S.13
Oral
3/20(⽇) 15:15 15:45
20p-W621-4
I000178
招
熱CVD過程のモデル化
〇秋⼭ 泰伸1
1.東海⼤⼯
S
S.13
Oral
3/20(⽇) 15:45 16:00
S
S.13
Oral
3/20(⽇) 16:00 16:30
20p-W621-5
I000161
招
粒⼦法による希薄気体流れとプラズマシミュレーション
〇和⽥ 隆⽣1、佐橋 ⼀裕1、塩⾕ 明美1
1.(株)ウェーブフロント
S
S.13
Oral
3/20(⽇) 16:30 17:00
20p-W621-6
I000128
招
プラズマプロセスにおけるシミュレーション
〇松永 史彦1
1.ペガサスソフトウェア
S
S.13
Oral
3/20(⽇) 17:00 17:30
20p-W621-7
I000164
招
スパッタリングシステム内における圧⼒分布、および圧⼒変化の実測
〇⽥尻 修⼀1、⼤⻄ 孝則1、岡野 ⼣紀⼦1、⼩川 倉⼀2、美⾺ 宏司3
1.岡野製作所, 2.⼩川創研, 3.⼤阪市⽴⼤学
〇藤⽥ 静雄1、⾦⼦ 健太郎1
1.京⼤院⼯
休憩/Break
機能性酸化物探索の新展開 〜more oxide, beyond oxide〜
S
S.14
Oral
3/20(⽇) 13:15 14:00
20p-H111-1
I000194
招
酸化物薄膜の成膜に向けたミストCVD技術の進展
S
S.14
Oral
3/20(⽇) 14:00 14:30
20p-H111-2
I000134
招
ガスソースMBE⾼品質酸化物薄膜で拓く酸化物エレクトロニクス
S
S.14
Oral
3/20(⽇) 14:30 14:45
20p-H111-3
C000865
S
S.14
Oral
3/20(⽇) 14:45 15:00
20p-H111-4
C003440
S
S.14
Oral
3/20(⽇) 15:00 15:15
S
S.14
Oral
3/20(⽇) 15:15 16:00
20p-H111-5
I000192
招
S
S.14
Oral
3/20(⽇) 16:00 16:30
20p-H111-6
I000126
招
トポタクティック反応を⽤いた複合アニオン酸化物エピタキシー
〇近松 彰1
S
S.14
Oral
3/20(⽇) 16:30 16:45
20p-H111-7
C000345
Fe3O4薄膜の酸化還元反応を利⽤した全固体磁気特性制御デバイス
〇⼟屋 敬志1, 2、寺部 ⼀弥2、尾地 真典1、樋⼝ 透1、⻑⽥ 実2、⼭下 良之2、上⽥ 茂典2、⻘野 正和2
1.東京理⼤理, 2.物材機構
S
S.14
Oral
3/20(⽇) 16:45 17:00
20p-H111-8
C003026
可視光応答型光触媒材料としてのチタン酸窒化物の理論提案
〇(PC)⻘⽊ 祐太1、斎藤 晋1
1.東⼯⼤理
S
S.14
Oral
3/20(⽇) 17:00 17:30
1.東⼯⼤応セラ研・MCES, 2.物材機構MI2I
〇⾼橋 圭1, 2、松原 雄也1, 3、村⽥ 智城3、Bahramy Mohammad1, 3、⼩塚 裕介3、Maryenko Denis1、Falson Joseph3、塚崎 敦4、⼗倉 好紀
1, 3、川﨑 雅司1, 3
1.理研 CEMS, 2.JST さきがけ, 3.東⼤⼯, 4.東北⼤⾦研
放射光X線回折を利⽤した酸化物ヘテロ構造中の酸素⼋⾯体傾斜の評価
〇菅 ⼤介1、若林 裕助2、⽥尻 寛男3、島川 祐⼀1, 4
1.京⼤化研, 2.阪⼤基礎⼯, 3.JASRI/SPring-8, 4.JST-CREST
ツイストした三⾓格⼦層からなる新層状酸化物薄膜の作製
⼤⽻ 健太1、〇打⽥ 正輝1、⼤内 祐貴1、⼩塚 裕介1、川﨑 雅司1, 2
1.東⼤⼯, 2.理研CEMS
〇⽣⽥ 博志1
1.名⼤⼯
休憩/Break
鉄系超伝導体の薄膜成⻑
1.東⼤院理
20p-H111-9
I000069
招
半導体の物性予測と物質探索 － 先端計算科学からのアプローチ
〇⼤場 史康1, 2
S
S.15
Oral
3/20(⽇) 13:45 14:15
20p-W641-1
I000166
招
⾼信頼性強誘電体メモリ(FRAM)の進展
〇彦坂 幸信1
1.富⼠通セミコンダクター株
S
S.15
Oral
3/20(⽇) 14:15 14:45
20p-W641-2
I000003
招
先進STEM法による材料局所電磁場の実空間観察
〇柴⽥ 直哉1
1.東⼤総研
S
S.15
Oral
3/20(⽇) 14:45 15:15
20p-W641-3
I000118
招
ラマン散乱分光法による誘電体の物性評価
〇⾕⼝ 博基1
1.名⼤理
S
S.15
Oral
3/20(⽇) 15:15 15:45
20p-W641-4
I000202
招
X線回折を⽤いた誘電体・強誘電体材料の評価
〇森岡 仁1
1.ブルカーAXS
S
S.15
Oral
3/20(⽇) 15:45 16:00
誘電体・強誘電体材料評価・解析技術の最先端
休憩/Break
ニオブ酸リチウム強誘電体の⽋陥制御
S
S.15
Oral
3/20(⽇) 16:00 16:15
20p-W641-5
I000186
招
〇⽝塚 淳1、⾼橋 秀輔1、吉⽥ 光汰1、井上 亮太郎2、野⼝ 祐⼆1、宮⼭ 勝1
1.東⼤院⼯, 2.⽇⼤医
S
S.15
Oral
3/20(⽇) 16:15 16:45
20p-W641-6
I000112
招
第⼀原理計算による誘電体/圧電体材料の解析
〇岩崎 誉志紀1
1.太陽誘電
S
S.15
Oral
3/20(⽇) 16:45 17:15
20p-W641-7
I000115
招
電気特性評価のための最新AFM測定モード
〇⽯井 孝治1
1.オックスフォード・インスト
S
S.15
Oral
3/20(⽇) 17:15 17:45
20p-W641-8
I000195
招
誘電体材料の信頼性評価法
〇安藤 陽1
1.村⽥製作所
S
S.15
Oral
3/20(⽇) 17:45 18:15
20p-W641-9
I000062
招
薄膜材料の正・逆圧電特性評価
〇神野 伊策1、辻浦 裕⼀1、⿊川 ⽂弥1、肥⽥ 博隆1
1.神⼾⼤⼯
－可視光下光起電⼒の増強へ向けて－
宇宙科学・⼯学とプラズマプロセッシング
S
S.16
Oral
3/20(⽇) 13:45 14:00
20p-KD-2
I000084
招
宇宙科学・⼯学とプラズマ
〇⽩⾕ 正治1、古閑 ⼀憲1
1.九⼤シス情
S
S.16
Oral
3/20(⽇) 14:00 14:30
20p-KD-3
I000173
招
イオンエンジンによる⼩惑星探査機
〇細⽥ 聡史1、⻄⼭ 和孝1、⽉崎 ⻯童1、國中 均1
1.宇宙航空研究開発機構
S
S.16
Oral
3/20(⽇) 14:30 15:00
20p-KD-4
I000047
招
超⼩型宇宙探査機のためのプラズマ推進機
〇鷹尾 祥典1
1.横国⼤
S
S.16
Oral
3/20(⽇) 15:00 15:30
20p-KD-5
I000074
招
⼤電⼒電気推進
〇⽥原 弘⼀1
1.⼤阪⼯⼤機械
S
S.16
Oral
3/20(⽇) 15:30 16:00
20p-KD-6
I000082
招
⾼密度ヘリコンプラズマ⽣成とプラズマ推進
〇篠原 俊⼆郎1
1.農⼯⼤⼯
S
S.16
Oral
3/20(⽇) 16:00 16:15
S
S.16
Oral
3/20(⽇) 16:15 16:45
20p-KD-7
I000185
招
ジオスペース探査衛星による放射線帯観測計画について 〜プラズマ波動・粒⼦同時観測〜
〇⾼島 健1、三⾕ 烈史1、篠原 育1、三好 由純2
1.宇宙研, 2.名⼤
S
S.16
Oral
3/20(⽇) 16:45 17:15
20p-KD-8
I000220
招
宇宙⽤化合物薄膜太陽電池の開発
〇今泉 充1、⾼本 達也2、⼤島 武3
1.宇宙機構, 2.シャープ, 3.原⼦⼒機構
S
S.16
Oral
3/20(⽇) 17:15 17:45
20p-KD-9
I000050
招
無重⼒条件での炭素ナノ材料のアーク合成
〇三重野 晢1
1.静岡⼤創造科学技術
休憩/Break
様々なスピン計測技術を⽤いたスピントロニクス材料開発の最前線
S
S.17
Oral
3/20(⽇) 13:45 14:15
20p-W241-1
I000196
招
スピン分解光電⼦分光による⾼スピン偏極材料の電⼦状態の研究
〇⽊村 昭夫1
1.広⼤院理
S
S.17
Oral
3/20(⽇) 14:15 14:45
20p-W241-2
I000189
招
強磁性ナノ構造におけるスピン依存量⼦⼲渉
〇岡 博⽂1
1.東北⼤多元研
S
S.17
Oral
3/20(⽇) 14:45 15:15
20p-W241-3
I000131
招
⾼輝度・⾼スピン偏極低エネルギー電⼦顕微鏡による磁区構造の動的観察
〇安江 常夫1、鈴⽊ 雅彦1、越川 孝範1
1.阪電通⼤エレ研
S
S.17
Oral
3/20(⽇) 15:15 15:30
S
S.17
Oral
3/20(⽇) 15:30 16:00
20p-W241-4
I000089
招
放射光軟Ｘ線磁気円⼆⾊性によるスピントロニクス材料研究
〇中村 哲也1、鈴⽊ 基寛1
1.⾼輝度セ
S
S.17
Oral
3/20(⽇) 16:00 16:30
20p-W241-5
I000107
招
光誘起超⾼速スピンダイナミクスの検出と制御
〇岡本 博1、宮本 ⾠也1、貴⽥ 徳明1
1.東⼤新領域
S
S.17
Oral
3/20(⽇) 16:30 17:00
20p-W241-6
I000212
招
メスバウアー分光法を⽤いたスピントロニクス材料の研究
〇壬⽣ 攻1
1.名⼯⼤⼯
休憩/Break
計算材料科学の新潮流 -有機分⼦・バイオエレクトロニクスを中⼼にS
S.18
Oral
3/20(⽇) 13:45 14:00
20p-W631-1
I000181
招
イントロダクトリートーク︓計算材料科学の新潮流 -有機分⼦・バイオエレクトロニクスを中⼼にー
〇下位 幸弘1
1.産総研 CD-FMat
S
S.18
Oral
3/20(⽇) 14:00 14:30
20p-W631-2
I000078
招
情報統合型物質・材料研究︓解析型研究から開拓型研究へ
〇寺倉 清之1
1.物・材機構
S
S.18
Oral
3/20(⽇) 14:30 15:00
20p-W631-3
I000049
招
有機無機界⾯のハイブリッド量⼦古典法による⼤規模シミュレーション
〇尾形 修司1
S
S.18
Oral
3/20(⽇) 15:00 15:30
20p-W631-4
I000207
招
錯体／半導体複合型CO2還元触媒における電⼦移動の理論計算
〇旭 良司1、陣内 亮典1、⽩井 総⼀1、Akimov A.V.2、Prezhdo O.V.2
1.豊⽥中研, 2.南カリフォルニア⼤
S
S.18
Oral
3/20(⽇) 15:30 15:45
20p-W631-5
C002474
有機半導体に対する変形効果の計算機シミュレーション
〇島⽥ 敏宏1、⼭川 貴恵1、柳瀬 隆1、⻑浜 太郎1
1.北⼤⼯
S
S.18
Oral
3/20(⽇) 15:45 16:00
S
S.18
Oral
3/20(⽇) 16:00 16:30
20p-W631-6
I000023
招
⼩児マヒウイルスカプシドの全原⼦分⼦動⼒学シミュレーション
〇岡崎 進1
1.名⼤院⼯
S
S.18
Oral
3/20(⽇) 16:30 17:00
20p-W631-7
I000204
招
理論化学、計算化学に基づいた有機デバイス材料開発
〇志津 功將1、鈴⽊ 不律1、安達 千波⽮2, 3, 4、梶 弘典1
1.京⼤化研, 2.九⼤OPERA, 3.九⼤WPI-I2CNER, 4.JST-ERATO
S
S.18
Oral
3/20(⽇) 17:00 17:30
20p-W631-8
I000114
招
第⼀原理的な”デバイス機能”の理論予測とその材料設計への応⽤〜⾮平衡輸送特性を中⼼に〜
〇浅井 美博1
1.産総研 CD-FMat
1.名⼯⼤院
休憩/Break
有機薄膜太陽電池の現状と今後の展望
S
S.19
Oral
3/21(⽉) 13:30 14:00
21p-W531-1
I000230
招
有機半導体のpn制御と有機太陽電池への応⽤
〇平本 昌宏1
1.分⼦研
S
S.19
Oral
3/21(⽉) 14:00 14:30
21p-W531-2
I000034
招
⾼分⼦太陽電池の機構解明と⾼効率化
〇⼤北 英⽣1、辨天 宏明1、伊藤 紳三郎1
1.京⼤院⼯
S
S.19
Oral
3/21(⽉) 14:30 15:00
21p-W531-3
I000129
招
有機薄膜太陽電池の光電変換機構の理論研究
〇⽥村 宏之
東北⼤
S
S.19
Oral
3/21(⽉) 15:00 15:15
S
S.19
Oral
3/21(⽉) 15:15 15:45
21p-W531-4
I000060
招
⾼分⼦薄膜太陽電池のドナー／アクセプター界⾯構造制御
〇但⾺ 敬介1, 2
1.理研CEMS, 2.JST-PRESTO
S
S.19
Oral
3/21(⽉) 15:45 16:15
21p-W531-5
I000163
招
電⼦ドナー性と電⼦アクセプター性共役⾼分⼦で創る⾼効率全⾼分⼦型薄膜太陽電池
〇辨天 宏明1、森 ⼤輔1、⼤北 英⽣1、伊藤 紳三郎1
1.京⼤院⼯
S
S.19
Oral
3/21(⽉) 16:15 16:45
21p-W531-6
I000065
招
有機CT結晶を⽤いる⾼電圧有機太陽電池への挑戦
S
S.19
Oral
3/21(⽉) 16:45 17:00
S
S.19
Oral
3/21(⽉) 17:00 17:30
21p-W531-7
I000096
招
有機薄膜太陽電池の⾼効率化に向けた半導体ポリマーの設計
〇尾坂 格1
1.理研CEMS
S
S.19
Oral
3/21(⽉) 17:30 18:00
21p-W531-8
I000123
招
多様な⽤途に適⽤できる有機薄膜太陽電池
〇都⿃ 顕司1、⻫藤 三⻑1、早瀬 留美⼦1
1.東芝研究開発センター
〇⼭⽥ 宏之1
1.NEDO
休憩/Break
〇吉⽥ 司1、中⼭ 健⼀1、増原 陽⼈1、松井 淳1、儘⽥ 正史1、ホワイト マシュー2、スタッドラー フィリップ3、シャーバー マーカス3、ユムサッ
ク チデム3、サリチフチ ニヤジ3
1.⼭形⼤院理⼯, 2.バーモント⼤, 3.リンツ⼤
休憩/Break
次世代⾼効率・低コスト結晶シリコン太陽電池
太陽光発電開発戦略“NEDO PV Challenges”と新プロジェクト“⾼性能・⾼信頼性太陽光発電の発電コスト低減技術開発”の概要
S
S.20
Oral
3/21(⽉) 13:00 13:30
21p-KD-1
I000237
招
S
S.20
Oral
3/21(⽉) 13:30 14:00
21p-KD-2
I000223
招
について
先端複合技術型シリコン太陽電池に必要とされる技術
〇⼤下 祥雄1、⼩椋 厚志2、中村 京太郎2
1.豊⽥⼯⼤, 2.明治⼤
S
S.20
Oral
3/21(⽉) 14:00 14:30
21p-KD-3
I000092
招
CZシリコン単結晶における軽元素とバルクライフタイムの関係
〇柿本 浩⼀1、宮村 佳児1、原⽥ 博⽂1、中野 智1、⾼ 冰1
1.九⼤応⼒研
S
S.20
Oral
3/21(⽉) 14:30 15:00
21p-KD-4
I000086
招
結晶シリコン太陽電池におけるウェーハとプロセスの相性
〇⼩椋 厚志1、⼩島 拓⼈1、中村 京太郎1、⽥島 道夫1、⼤下 祥雄2、⻄島 英⼀3、正⽥ 勲3、飯⽥ 伸仁3、橘 昇⼆3
1.明⼤理⼯, 2.豊⽥⼯⼤, 3.株式会社トクヤマ
S
S.20
Oral
3/21(⽉) 15:00 15:15
S
S.20
Oral
3/21(⽉) 15:15 15:30
21p-KD-5
C000170
ボトムに単結晶Siを⽤いたスマートスタック多接合セル
〇⽔野 英範1, 2、牧⽥ 紀久夫1、菅⾕ 武芳1、太野垣 健1、望⽉ 敏光1, 2、⾼遠 秀尚1, 2
S
S.20
Oral
3/21(⽉) 15:30 15:45
21p-KD-6
C000607
裏⾯エミッタ型結晶シリコン太陽電池における基板⽐抵抗の影響
〇綿引 達郎1、⼩林 裕美⼦1、森岡 孝之1、⻄村 慎也1、新延 ⼤介1、⻄村 邦彦1、時岡 秀忠1、⼭向 幹雄1
1.三菱電機
S
S.20
Oral
3/21(⽉) 15:45 16:15
21p-KD-7
I000058
招
⾼性能結晶シリコン太陽電池の実現に向けた新規ヘテロ接合⽤材料と⾼品質シリコン結晶に関する研究
〇宇佐美 徳隆1、⾼橋 勲1、⿊川 康良1、中塚 理1
1.名⼤院⼯
S
S.20
Oral
3/21(⽉) 16:15 16:45
21p-KD-8
I000135
招
⾼効率銅電極ヘテロ接合結晶シリコン太陽電池
〇⾜⽴ ⼤輔1、⼭本 憲治1
1.カネカ
S
S.20
Oral
3/21(⽉) 16:45 17:15
21p-KD-9
I000238
招
めっき電極を適⽤したメタルラップスルー型バックコンタクトヘテロ接合太陽池
〇⽯村 史陽1、李 ⽂君1、⼩林 英治1、橋本 公⼀1、佐藤 誠治1、渡部 嘉1、Evert Bende2、Gianluca Coletti2
1.⻑州産業株式会社, 2.ECN
3/21(⽉) 13:30 14:00
21p-S222-1
I000150
招
成膜技術の⾰新が⽀えた酸化物エレクトロニクスの発展とその未来
〇川﨑 雅司1, 2
1.東⼤⼯, 2.理研CEMS
休憩/Break
1.産総研, 2.福島再エネ研
⾦属酸化物薄膜の成膜装置
S
S.21
Oral
2016年春季講演会(東⼯⼤⼤岡⼭キャンパス)プログラム
⼤分類 中分類
形式
講演⽇
開始
終了
【1⽉28⽇(⽊)更新】暫定版からの更新箇所は⾚字になっております。
講演番号
受付番号
奨励賞 英語 招待
51 / 52 ページ
※会場、時間が変更になった場合は該当の⽅にご連絡いたします。
講演タイトル
著者
所属機関
S
S.21
Oral
3/21(⽉) 14:00 14:30
21p-S222-2
I000170
招
スパッタリング併⽤有機⾦属気相堆積法と希⼟類添加ZnOへの応⽤
〇藤原 康⽂1
1.阪⼤院⼯
S
S.21
Oral
3/21(⽉) 14:30 15:00
21p-S222-3
I000010
招
ECRプラズマスパッタ法による⾦属酸化物薄膜形成
〇⾚沢 ⽅省1
1.NTT DIC
S
S.21
Oral
3/21(⽉) 15:00 15:30
21p-S222-4
I000046
招
ドイツにおけるスパッタ技術の最新動向
〇鈴⽊ 巧⼀1
1.サーフテックトランスナショナル
S
S.21
Oral
3/21(⽉) 15:30 16:00
21p-S222-5
I000200
招
反応性プラズマ蒸着 (RPD)装置
〇⽊下 公男1、前原 誠1、酒⾒ 俊之1、北⾒ 尚久1
1.住友重機械⼯業
S
S.21
Oral
3/21(⽉) 16:00 16:15
S
S.21
Oral
3/21(⽉) 16:15 16:45
21p-S222-6
I000227
招
常圧⾮平衡プラズマを⽤いた新規な酸化物薄膜の化学気相成⻑プロセス
〇藤村 紀⽂1、野瀬 幸則1、⽊⼝ 拓也1、上原 剛2、吉村 武1、芦⽥ 淳1
1.⼤阪府⽴⼤ ⼯, 2.積⽔化学⼯業㈱ R&D
S
S.21
Oral
3/21(⽉) 16:45 17:15
21p-S222-7
I000184
招
ゾル・ゲル法による酸化物半導体混晶および積層構造の作製
〇安⽥ 隆1
1.⽯専⼤理⼯
S
S.21
Oral
3/21(⽉) 17:15 17:45
21p-S222-8
I000182
招
原⼦層堆積法で作製した⾦属酸化物薄膜の電⼦デバイスへの展開
〇⽣⽥⽬ 俊秀1
1.物材機構
S
S.21
Oral
3/21(⽉) 17:45 18:15
21p-S222-9
I000171
招
分⼦線エピタキシー法を⽤いた酸化物系ヘテロ構造の作製と物性
〇塚崎 敦1, 2
1.東北⼤⾦研, 2.JSTさきがけ
〇加藤 真也1
1.早⼤理⼯
休憩/Break
「cavity-QED, circuit-QED の進展」〜様々な系で何をどこまでできるようになったのか︖〜
S
S.22
Oral
3/22(⽕)
9:00
9:30
22a-H101-1
I000088
招
ナノ光ファイバー共振器が可能にする Cavity-QED 系の新展開
S
S.22
Oral
3/22(⽕)
9:30
10:00
22a-H101-2
I000228
招
半導体量⼦ドットによるcircuit-QED
S
S.22
Oral
3/22(⽕) 10:00 10:15
22a-H101-3
C000097
S
S.22
S
S.22
S
S.22
Oral
3/22(⽕) 10:15 10:45
22a-H101-4
I000225
招
Oral
Oral
3/22(⽕) 10:45 11:00
3/22(⽕) 11:00 11:30
22a-H101-5
I000080
招
S
S.22
Oral
3/22(⽕) 11:30 12:00
22a-H101-6
I000180
S
S.22
Oral
3/22(⽕) 12:00 12:15
22a-H101-7
C002716
奨
S
S.22
Oral
3/22(⽕) 12:15 12:30
22a-H101-8
C002684
奨
S
S.22
Oral
3/22(⽕) 12:30 13:00
22a-H101-9
I000154
超伝導量⼦ビット集団とマイクロ波キャビティのコヒーレントな結合
超伝導⼈⼯原⼦・調和振動⼦ 超強結合系
〇樋⽥ 啓1
〇松崎 雄⼀郎1、⾓柳 孝輔1、コランタン デプレ1、ネイル ランバート2、⽯⽥ 夏⼦2、樋⽥ 啓1、仙場 浩⼀3、ウィリアム ムンロ1、⼭⼝ 浩司1、
⿑藤 志郎1
1.NTT物性研
1.NTT物性基礎研, 2.理研, 3.情報通信研究機構
〇布施 智⼦1、吉原 ⽂樹1、Sahel Ashhab2、⾓柳 孝輔3、齋藤 志郎3、仙場 浩⼀1
1.情報通信研究機構, 2.Qatar Environment and Energy Research Institute, 3.NTT物性基礎研
〇猪股 邦宏1、Lin Zhirong1、越野 和樹2、⼭本 剛3、中村 泰信4
1.理研創発物性, 2.東京医⻭⼤, 3.NECスマエネ研, 4.東⼤先端研
1.サクレー研究所, 2.沖縄科技⼤, 3.筑波⼤情報メディア研
休憩/Break
招
招
⼈⼯$\Lambda$型原⼦を⽤いたマイクロ波単⼀光⼦検出
Circuit-QEDとスピン︓量⼦メモリから超⾼感度磁気共鳴まで
〇久保 結丸1, 2、Grezes Cecile1、Bienfait Audrey1、磯⾕ 順⼀3、Vion Denis1、Esteve Daniel1、Bertet Patrice1
散逸のある補助系と結合したスピン系おけるスクイズドスピン状態の⽣成
〇(PC)湯川 英美1、Dooley Shane1、松崎 雄⼀郎2、Knee George2、Munro William J.2、根本 ⾹絵1
1.情報研, 2.NTT物性基礎研
ダイヤモンドNV中⼼における量⼦メディア変換
〇(B)⿊岩 良太1、関⼝ 雄平1、新倉 菜恵⼦1、⼩坂 英男1
1.横国⼤院⼯
まとめと将来展望
〇⿑藤 志郎1
1.NTT物性基礎研
1.阪⼤基礎⼯
テラヘルツ・⾚外領域強電磁場による極限⾮線形現象の光科学と応⽤展望
S
S.23
Oral
3/19(⼟) 13:00 13:15
19p-H135-1
C000272
はじめに
〇永井 正也1
S
S.23
Oral
3/19(⼟) 13:15 13:45
19p-H135-2
I000140
招
単⼀サイクル⾚外光による強相関有機⾦属の瞬時強電場効果
〇岩井 伸⼀郎1
S
S.23
Oral
3/19(⼟) 13:45 14:15
19p-H135-3
I000226
招
BIBO結晶を⽤いた超広帯域⾚外OPCPA光源の開発とアト秒・サブサイクル分光への展開
〇板⾕ 治郎1
1.東⼤物性研
S
S.23
Oral
3/19(⼟) 14:15 14:30
19p-H135-4
C001388
中⾚外超短パルス増強場による光電界電⼦放出
〇芦原 聡1、草 史野1, 2、⽵上 明伸1, 2
1.東⼤⽣研, 2.農⼯⼤院⼯
S
S.23
Oral
3/19(⼟) 14:30 14:45
S
S.23
Oral
3/19(⼟) 14:45 15:15
19p-H135-5
S
S.23
Oral
3/19(⼟) 15:15 15:45
19p-H135-6
I000064
S
S.23
Oral
3/19(⼟) 15:45 16:00
19p-H135-7
C002812
1.東北⼤理
休憩/Break
I000057
招
招
奨
原⼦スケールナノギャップ電極間に発⽣する強電界テラヘルツ電磁波とナノ構造のキャリアダイナミクス
〇平川 ⼀彦1, 2、吉⽥ 健治1、杜 少卿1、張 亜1
1.東⼤⽣研, 2.東⼤ナノ量⼦機構
⾼強度THzパルスによる電気・磁気光学応答の超⾼速制御
〇廣理 英基1, 2
1.京⼤iCeMS, 2.JSTさきがけ
スピンダイナミクスと磁気秩序の⾼強度テラヘルツ磁場による制御
〇栗原 貴之1、末元 徹1、中嶋 誠2
1.東⼤物性研, 2.阪⼤レーザー研
IoTアプリケーションと、それを⽀えるキーテクノロジ
S
S.24
Oral
3/19(⼟) 13:30 14:00
19p-W631-1
I000157
招
IoTを⽀えるデジタルものづくりのエコシステム
〇川原 圭博1
1.東⼤情理
S
S.24
Oral
3/19(⼟) 14:00 14:30
19p-W631-2
I000143
招
IoT 時代のLSI 回路技術の役割と期待
〇森村 浩季1、⼤嶋 尚⼀1、松永 賢⼀1、ムサ アハマド1、近藤 利彦1
1.⽇本電信電話
S
S.24
Oral
3/19(⼟) 14:30 15:00
19p-W631-3
I000012
招
ＩｏＴ応⽤を⽬指したＭＥＭＳ振動発電素⼦
〇年吉 洋1
1.東⼤
S
S.24
Oral
3/19(⼟) 15:00 15:30
19p-W631-4
I000124
招
IoTにおける低電⼒LSIデバイス（SOTB）の最新技術
〇⼭⼝ 泰男1、新川⽥ 裕樹1、蒲原 史朗1、⽝⽯ 昌秀1
1.ルネサスエレクトロニクス
S
S.24
Oral
3/19(⼟) 15:30 15:45
S
S.24
Oral
3/19(⼟) 15:45 16:15
19p-W631-5
I000051
招
IoTとデジタルトランスフォーメーション
〇森川 博之1
1.東⼤
S
S.24
Oral
3/19(⼟) 16:15 16:45
19p-W631-6
I000024
招
センサがもたらすIoT化と環境計測
〇松本 佳宣1
1.慶⼤理⼯
S
S.24
Oral
3/19(⼟) 16:45 17:15
19p-W631-7
I000199
招
センサネットワークに適した無線通信規格Wi-SUNについて
〇⼭⽥ 亮太1
1.オムロン
S
S.24
Oral
3/19(⼟) 17:15 17:45
19p-W631-8
I000104
招
Cognitive Computingに向けたNeuromorphic device
〇⼭道 新太郎1
1.⽇本IBM
休憩/Break
2016年春季講演会(東⼯⼤⼤岡⼭キャンパス)プログラム
⼤分類 中分類
形式
特別シンポジウム
講演⽇
開始
終了
【1⽉28⽇(⽊)更新】暫定版からの更新箇所は⾚字になっております。
講演番号
受付番号
奨励賞 英語 招待
52 / 52 ページ
※会場、時間が変更になった場合は該当の⽅にご連絡いたします。
講演タイトル
著者
所属機関
科学と産業の凋落と再興︓応⽤物理と未来社会
S
SP1
⼝頭講演
3/19(⼟) 13:00 13:10
19p-KD-1
I000036
〇
開会の辞
〇河⽥ 聡1
S
SP1
⼝頭講演
3/19(⼟) 13:10 13:50
19p-KD-2
I000037
〇
⽇本の⼤学の研究競争⼒はなぜ弱くなったのか︖
〇豊⽥ ⻑康1
1.鈴⿅医療科学⼤学学⻑
S
SP1
⼝頭講演
3/19(⼟) 13:50 14:30
19p-KD-3
I000038
〇
電⼦⽴国は，なぜ凋落したか
〇⻄村 吉雄1
1.技術ジャーナリスト
S
SP1
⼝頭講演
3/19(⼟) 14:30 15:10
19p-KD-4
I000039
〇
⼤学とアカデミアへの要望／⾃主性こそ鍵
〇⽥中 ⼀宜
S
SP1
⼝頭講演
3/19(⼟) 15:10 15:50
19p-KD-5
I000040
〇
⽇本の⼤学・公的研究機関からのグローバルベンチャー創出にむけて
〇⼟⾕ ⼤
S
SP1
⼝頭講演
3/19(⼟) 15:50 16:10
S
SP1
⼝頭講演
3/19(⼟) 16:10 17:10
19p-KD-6
I000041
〇
総合討論
〇保⽴ 和夫 、河⽥ 聡 、豊⽥ ⻑康 、⻄村 吉雄 、⽥中 ⼀宜 、⼟⾕ ⼤
S
SP1
⼝頭講演
3/19(⼟) 17:10 17:15
19p-KD-7
I000042
〇
閉会の辞
〇中野 義昭
1.東京⼤学⼤学院⼯学系研究科教授
1.東北⼤
1.⼤阪⼤学⼯学研究科教授
1
1.科学技術振興機構研究開発戦略センター特任フェロー
休憩/Break
1
2
3
4
5
1
1.東京⼤学⼤学院⼯学系研究科教授, 2.⼤阪⼤学⼯学研究科教授, 3.鈴⿅医療科学⼤学学⻑, 4.技術ジャーナリスト, 5.科学技術
振興機構研究開発戦略センター特任フェロー
産学協働シンポジウム-未来創⽣に向けてS
SP2
⼝頭講演
3/19(⼟) 13:30 13:35
19p-S222-1
C003810
開催の挨拶
〇末光 眞希1
S
SP2
⼝頭講演
3/19(⼟) 13:35 14:05
19p-S222-2
C003811
〇
変⾰の時代︓ 技術者 はデザイン⼒ を持て（仮）
〇澤⾕ 由⾥⼦1
1.東京⼯科⼤
S
SP2
⼝頭講演
3/19(⼟) 14:05 14:25
19p-S222-3
C003812
〇
役に⽴つ産学連携ソリューション （仮）
〇坂本 修⼀1
1.⽂部科学省
S
SP2
⼝頭講演
3/19(⼟) 14:25 14:45
19p-S222-4
C003813
〇
国家財政と科学技術イノベーション（仮）
〇⽚⼭ 健太郎
1.財務省
S
SP2
⼝頭講演
3/19(⼟) 14:45 15:15
19p-S222-5
C003814
〇
30年後への期待（仮）
〇暦本 純⼀1, 2
1.ソニーコンピュータサイエンス研究所, 2.東⼤
S
SP2
⼝頭講演
3/19(⼟) 15:15 15:30
S
SP2
⼝頭講演
3/19(⼟) 15:30 16:00
19p-S222-6
C003815
〇
トヨタが描く⽔素社会（仮）
〇⼩⽊曽 聡
1.アドヴィックス
S
SP2
⼝頭講演
3/19(⼟) 16:00 16:30
19p-S222-7
C003816
〇
トリリオンセンサネットワークにおける⽇本の役割 （仮）
〇神永 晉1
1.SKグローバルアドバイザーズ
S
SP2
⼝頭講演
3/19(⼟) 16:30 16:35
S
SP2
⼝頭講演
3/19(⼟) 16:35 17:25
19p-S222-8
C003818
S
SP2
⼝頭講演
3/19(⼟) 17:25 17:30
19p-S222-9
C003817
1
休憩/Break
1
休憩/Break
〇
パネルディスカッション 「未来創⽣に必要な環境づくり （仮） 」
1
2
3
4
5, 6
7
8
〇堂免 恵 、澤⾕ 由⾥⼦ 、坂本 修⼀ 、⽚⼭ 健太郎 、暦本 純⼀ 、⼩⽊曽 聡 、神永 晉
閉会の挨拶
〇堂免 恵
1
1.湧志創造, 2.東京⼯科⼤, 3.⽂部科学省, 4.財務省, 5.ソニーコンピュータサイエンス研究所, 6.東⼤, 7.アドヴィックス, 8.SK
グローバルアドバイザーズ
1.湧志創造
「Internet of Thingsを俯瞰する」-応⽤物理から実装技術、アプリ、ビッグデータまで S
SP3
⼝頭講演
3/21(⽉) 13:00 13:10
21p-W9-1
C003807
はじめに
〇森⽥ ⾏則
1.産総研
S
SP3
⼝頭講演
3/21(⽉) 13:10 14:00
21p-W9-2
I000026
〇
IoTの現状
〇徳⽥ 英幸1
1.慶応⼤
S
SP3
⼝頭講演
3/21(⽉) 14:00 14:50
21p-W9-3
I000027
〇
IoTとデバイス実装
〇折井 靖光1
1.IBM
S
SP3
⼝頭講演
3/21(⽉) 14:50 15:40
21p-W9-4
I000028
〇
1
〇⽵内 敬治
1.NTT
S
SP3
⼝頭講演
3/21(⽉) 15:40 15:50
S
SP3
⼝頭講演
3/21(⽉) 15:50 16:40
21p-W9-5
I000029
〇
IoTとセンサ
〇⽥中 秀治1
1.東北⼤
S
SP3
⼝頭講演
3/21(⽉) 16:40 17:30
21p-W9-6
I000030
〇
IoTと次世代⼈⼯知能技術
〇本村 陽⼀1
1.産総研
S
SP3
⼝頭講演
3/21(⽉) 17:30 18:20
21p-W9-7
I000031
〇
IoTと半導体テクノロジー
〇⻄⼭ 彰1
1.東芝
S
SP3
⼝頭講演
3/21(⽉) 18:20 18:30
21p-W9-8
C003808
おわりに
〇若林 整
IoTと環境発電
1
休憩/Break
1
1.東⼯⼤
応⽤物理分野で活躍する⼥性達 －第4回 プラズマと応⽤技術編－
S
SP4
⼝頭講演
3/21(⽉) 13:00 13:05
21p-H101-1
C003804
はじめに
〇増⽥ 淳1
S
SP4
⼝頭講演
3/21(⽉) 13:05 13:15
21p-H101-2
C003805
会⻑挨拶
〇保⽴ 和夫1
S
SP4
⼝頭講演
3/21(⽉) 13:15 14:15
21p-H101-3
I000208
〇
物理／⼯学／フォトニクスにおける⼥性の活躍
〇伊賀 健⼀
1.東⼯⼤
S
SP4
⼝頭講演
3/21(⽉) 14:15 14:40
21p-H101-4
I000139
〇
プラズマを応⽤したポリマー表⾯処理技術とバイオデバイス創製
〇⾼井 まどか1
1.東⼤院⼯
S
SP4
⼝頭講演
3/21(⽉) 14:40 15:05
21p-H101-5
I000099
〇
プラズマ表⾯改質による⽣体材料の⾼機能化
〇⼤⽮根 綾⼦1
1.産総研
S
SP4
⼝頭講演
3/21(⽉) 15:05 15:15
S
SP4
⼝頭講演
3/21(⽉) 15:15 15:40
21p-H101-6
I000116
〇
プラズマプロセスを⽤いたチタンおよびその合⾦の⽣体適合性向上
〇稗⽥ 純⼦1、リザ シャヒラ1、⾚坂 ⼤樹1、⼤⽵ 尚登1、堤 祐介2、永井 亜希⼦2、塙 隆夫2、松尾 誠3、岩本 喜直3
1.東⼯⼤, 2.東医⻭⼤, 3.iMott
S
SP4
⼝頭講演
3/21(⽉) 15:40 16:05
21p-H101-7
I000076
〇
プラズマ誘起気泡によるバイオメディカル応⽤
〇⼭⻄ 陽⼦1
1.芝浦⼯⼤
S
SP4
⼝頭講演
3/21(⽉) 16:05 16:30
21p-H101-8
I000179
〇
DLTS法による半導体材料へのプラズマエッチングダメージ評価
〇⽵内 和歌奈1、クスマ ンダリ1、坂下 満男1、中塚 理1、徳⽥ 豊2、財満 鎭明1, 3
1.名古屋⼤院⼯, 2.愛知⼯⼤, 3.名古屋⼤未来研
S
SP4
⼝頭講演
3/21(⽉) 16:30 16:55
21p-H101-9
I000113
〇
次世代電⼒機器開発に向けた⾼電界現象の理解とその制御
〇熊⽥ 亜紀⼦1
1.東⼤⼯
S
SP4
⼝頭講演
3/21(⽉) 16:55 17:00
S
SP4
⼝頭講演
3/21(⽉) 17:00 17:50
21p-H101-10
C003806
〇
1.産総研
1.東⼤
1
休憩/Break
休憩/Break
パネルディスカッション
1
1.NTT-AT
〇為近 恵美
『フォノンエンジニアリングの広がり』〜ナノスケール熱制御がもたらす、新しい熱伝導・断熱、蓄熱、変換技術の基礎と応⽤
S
SP5
⼝頭講演
3/22(⽕)
9:00
9:10
22a-KD-1
C003803
S
SP5
⼝頭講演
3/22(⽕)
9:10
9:15
22a-KD-2
C003802
S
SP5
⼝頭講演
3/22(⽕)
9:15
9:40
22a-KD-3
C003801
〇
S
SP5
⼝頭講演
3/22(⽕)
9:40
10:05
22a-KD-4
C003800
〇
ナノスケールデバイスのための電⼦輸送とフォノン輸送のセルフコンシステント・モンテカルロ・シミュレーション技術
伊藤 直⼈ 、〇粟野 祐⼆
S
SP5
⼝頭講演
3/22(⽕) 10:05 10:30
22a-KD-5
C003799
〇
CNTを⽤いた熱伝導材料の開発とその応⽤
〇阿多 誠介1、畠 賢治1
S
SP5
⼝頭講演
3/22(⽕) 10:30 10:40
S
SP5
⼝頭講演
3/22(⽕) 10:40 11:05
22a-KD-6
C003798
〇
Development of high performance aerogel thermal insulation materials comparable to vacuum panels
〇Rudder Wu , Raymond Virtudazo , Takao Mori
S
SP5
⼝頭講演
3/22(⽕) 11:05 11:30
22a-KD-7
C003797
〇
熱伝導度に異常な温度依存性を⽰す材料を利⽤した熱流ダイオードの開発
〇⽵内 恒博1
1.豊⽥⼯⼤
S
SP5
⼝頭講演
3/22(⽕) 11:30 11:55
22a-KD-8
C003796
〇
マイクロ機械共振器による電気的フォノン制御
〇⼭⼝ 浩司1
1.NTT物性科学基礎研
S
SP5
⼝頭講演
3/22(⽕) 12:45 13:10
22p-KD-1
C003795
〇
ナノスケール熱伝導率センシング︓フォノンスペクトロスコピー
〇⻑坂 雄次
1.慶⼤理⼯
S
SP5
⼝頭講演
3/22(⽕) 13:10 13:35
22p-KD-2
C003794
〇
単⼀ナノ材料の伝熱特性計測デバイスの量産技術の開発と展望
〇児⽟ ⾼志1
1.東⼤
S
SP5
⼝頭講演
3/22(⽕) 13:35 14:00
22p-KD-3
C003793
〇
フォノンをリアルタイム可視化するフェムト秒動画撮像法
〇合⽥ 圭介
1.東⼤, 2.UCLA
S
SP5
⼝頭講演
3/22(⽕) 14:00 14:25
22p-KD-4
C003792
〇
第⼀原理フォノン伝導計算︓その最前線とポスト「京」／マテリアルズインフォマティクス時代への展望
〇只野 央将1、常⾏ 真司1
1.東⼤
S
SP5
⼝頭講演
3/22(⽕) 14:25 14:50
22p-KD-5
C003791
〇
⻑期的に熱エネルギー保存できる蓄熱セラミックス
〇⼤越 慎⼀1
1.東⼤
S
SP5
⼝頭講演
3/22(⽕) 14:50 15:00
22p-KD-6
C003790
1
1.東⼤
1
開会の挨拶
〇塩⾒ 淳⼀郎
来賓ご挨拶
〇守屋 直⽂1
⾃動⾞における熱マネージメント
〇乾 究1
1.東⼤⼯
1.内閣府
1.トヨタ⾃動⾞
1
1
1.慶⼤理⼯
1.産総研
休憩/Break
〇
閉会の挨拶
1
1
1, 2
〇野村 政宏
1
1
1.NIMS

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京都女子大学専任教員募集要項

201207JAICOH抄録トンガ王国における歯科保健 - 南太平洋医療隊

報道発表資料はこちらをご覧ください;pdf