LV8726TA - ON Semiconductor

LV8726TA
Advance Information
www.onsemi.jp
Bi-CDMOS IC
PWM定電流制御
ステッパモータプリドライバ
概要
LV8726TA は、定電流制御可能なバイポーラモータ用のプリド
ライバであり、Pch-Nch MOSFET を使用する。
Half ステップから 1/128 ステップまでの 16 モードを内蔵し、
様々な産業装置に最適である。
動作電圧は 9V～55V と高く、ステップ入力によって簡単にモー
タを駆動することができる。
SPI インターフェースによって、ステップモード、出力電流比、
Decay モード、ブランキング時間、チョッピング(PWM)期間な
どのデバイス操作をプログラム可能である。
動作していないときは、スタンバイモードにすることで消費電
流を削減できる。
TQFP48 EP 7×7 , 0.5P
特長
・PWM 定電流制御 Pch-Nch MOSFET 駆動ステッパモータプリドライバ１系統
・BiCDMOSプロセスIC
・1/2、1/4、1/8、1/16、1/32、1/64、1/128 ステップ駆動及び 1/3、1/6、1/12、1/36、1/5、1/10、1/20、
1/50、1/100 ステップ駆動が選択可能
・ステップ信号入力のみで、励磁ステップが進行
・8Bit 3線シリアルデータ制御
・サーマルシャットダウン回路内蔵
・減電圧保護回路内蔵
・過電流保護回路内蔵
・入力プルダウン抵抗内蔵
・リセット、イネーブル端子付き
用途/最終製品
・織物機械
・梱包機
・大型プリンター
・彫刻機
・産業装置
This document contains information on a new product. Specifications and information
herein are subject to change without notice.
ORDERING INFORMATION
See detailed ordering and shipping information on page 34 of this data sheet.
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2015
February 2015 - Rev. P0
1
Publication Order Number :
LV8726TAJP/D
LV8726TA
最大定格/Ta=25℃
項目
記号
ﾓｰﾀ電源電圧
VM max
出力電流
Iomax
条件
定格値
unit
VM
60
V
GU1,GU2,GU3,GU4,GB1,GB2,
50
mA
VCC
6
V
6
V
GB3,GB4
ﾛｼﾞｯｸ電源電圧
VCC max
ﾛｼﾞｯｸ入力電圧
VIN max
ST,SCLK,SDATA,STB,STEP,RST,OE
VREF入力電圧
VREFmax
,FR
VREF
許容消費電力
Pd max
※
動作周囲温度
保存周囲温度
6
V
3.35
W
Topr
－40～＋85
℃
Tstg
－55～＋150
℃
※指定基板付き：90mmx90mmx1.6mm, 2 層ガラスエポキシ基板、裏面実装有
注１）
絶対最大定格は、一瞬でも越えてはならない許容値を示すものです。
注２）
絶対最大定格の範囲内で使用した場合でも、高温および大電流/高電圧印加、多大な温度変化等で連続して使用
される場合、信頼性が低下するおそれがあります。
詳細につきましては、弊社窓口までご相談ください。
最大定格を超えるストレスは、デバイスにダメージを与える危険性があります。これらの定格値を超えた場合は、デバイスの機能性を損ない、ダメージが
生じたり、信頼性に影響を及ぼす危険性があります。
推奨動作条件/Ta=25℃
項目
記号
条件
ﾓｰﾀ電源電圧範囲
VM
VM
ﾛｼﾞｯｸ電源電圧範囲
VCC
ﾛｼﾞｯｸ入力電圧範囲
VIN
定格値
unit
9～55
V
VCC
2.7～5.5
V
ST,SCLK,SDATA,STB,STEP,RST,
0～VCC
V
OE,FR
VREF入力電圧範囲
VREF
3.8V≤VCC≤5.5V
0～2.0
2.7V≤VCC<3.8V
0～VCC-1.8
V
推奨動作範囲を超えるストレスでは推奨動作機能を得られません。推奨動作範囲を超えるストレスの印加は、デバイスの信頼性に影響を与える危険性があります。
www.onsemi.jp
2
LV8726TA
電気的特性/Ta=25℃,VM=48V, VCC=5.0V, VREF=1.5V
項目
記号
条件
min
typ
max
unit
IMstn
ST="L"、無負荷
1
μA
ICCstn
ST="L"、無負荷
1
μA
IM
ST="H",OE="L",RST="L",無負荷
1.6
2.3
mA
ICC
ST="H",OE="L",RST="L",無負荷
1.7
2.3
mA
ｻｰﾏﾙｼｬｯﾄﾀﾞｳﾝ温度
TSD
設計保証
180
210
℃
ｻｰﾏﾙﾋｽﾃﾘｼｽ幅
VCC 電圧
低電圧保護ｽﾚｯｼｮﾙﾄﾞ電圧
VCC 電圧
低電圧保護復帰電圧
∆TSD
設計保証
40
Vthvc
VCC端子電圧を監視
2.3
2.45
V
Vrevc
VCC端子電圧を監視
2.5
2.7
V
VthvmL
VM端子電圧を監視
7.6
8.4
V
Vrevm
VM端子電圧を監視
7.85
8.7
V
9.4
10
10.6
V
37
38
39
V
4
8
12
μA
30
50
70
μA
2.0
5.5
V
0.8
V
待機時消費電流
動作時消費電流
VM電圧
低電圧保護ｽﾚｯｼｮﾙﾄﾞ電圧
VM端子
低電圧保護復帰電圧
10Vﾚｷﾞｭﾚｰﾀ出力電圧
VREG1
VM-10Vﾚｷﾞｭﾚｰﾀ出力電圧
VREG2
150
℃
ST,SCLK,SDATA,STB,STEP,
IINL
RST,OE,FR
VIN=0.8V
ST,SCLK,SDATA,STB,STEP,
ﾛｼﾞｯｸ端子入力電流
IINH
RST,OE,FR
VIN=5V
ﾛｼﾞｯｸ入力"H"ﾚﾍﾞﾙ電圧
VINH
ST,SCLK,SDATA,STB,STEP,
ﾛｼﾞｯｸ入力"L"ﾚﾍﾞﾙ電圧
VINH
RST,OE,FR
0
Fchop1
D0=L,D1=H,D6=L,D7=L
6
8
10
μs
Fchop2
D0=L,D1=H,D6=H,D7=L
12
16
20
μs
Fchop3
D0=L,D1=H,D6=L,D7=H
18
24
30
μs
Fchop4
D0=L,D1=H,D6=H,D7=H
24
32
40
μs
Iref
VREF=1.5V
-0.5
0
μA
VRF000
D0=H,D1=L,D2=L,D3=L,D4=L
0.291
0.3
0.309
V
VRF001
D0=H,D1=L,D2=H,D3=L,D4=L
0.261
0.27
0.279
V
VRF010
D0=H,D1=L,D2=L,D3=H,D4=L
0.231
0.24
0.248
V
VRF011
D0=H,D1=L,D2=H,D3=H,D4=L
0.201
0.21
0.218
V
VRF100
D0=H,D1=L,D2=L,D3=L,D4=H
0.172
0.18
0.188
V
VRF101
D0=H,D1=L,D2=H,D3=L,D4=H
0.142
0.15
0.158
V
VRF110
D0=H,D1=L,D2=L,D3=H,D4=H
0.112
0.12
0.128
V
VRF111
D0=H,D1=L,D2=H,D3=H,D4=H
0.082
0.09
0.098
V
SDO出力飽和電圧
Vsatsdo
Isdo=1mA
400
mV
MO端子飽和電圧
Vsatmo
Imo=1mA
400
mV
EMO端子飽和電圧
Vsatemo
Iemo1=1mA
400
mV
STEP1
D0=H,D1=L,D7=L
0.39
0.52
0.65
s
STEP2
D0=H,D1=L,D7=H
0.78
1.04
s
1.3
次ページへ続く。
ﾁｮｯﾋﾟﾝｸﾞ(PWM)周期
VREF端子入力電流
電流設定用コンパレータス
レッショルド電圧
(電流減衰率切り替え)
STEP信号検出時間
www.onsemi.jp
3
LV8726TA
前ページより続く。
項目
記号
RonH1
High Side 出力ｵﾝ抵抗
RonH2
RonL1
Low Side 出力ｵﾝ抵抗
RonL2
条件
min
GU1,GU2,GU3,GU4-source side
Io=-10mA
GU1,GU2,GU3,GU4-sink side
Io=10mA
GB1,GB2,GB3,GB4-source side
Io=-10mA
GB1,GB2,GB3,GB4-sink side
Io=10mA
typ
max
unit
20
32
Ω
25
40
Ω
20
32
Ω
25
40
Ω
シリアルデータ転送端子
最小SCLK"H"パルス幅
Tckh
0.125
μs
最小SCLK"L"パルス幅
Tckl
0.125
μs
Tsup1
0.125
μs
Tsup2
0.125
μs
最小STBパルス幅
Tstbw
0.125
μs
データセットアップ時間
Tds
0.125
μs
データホールド時間
Tdh
0.125
μs
最大SCLK周波数
Fclk
最小セットアップ時間
(STB→SCLK 立ち上がり)
最小セットアップ時間
(SCLK 立ち上がり→STB)
4
MHz
製品パラメータは、特別な記述が無い限り、記載されたテスト条件に対する電気的特性で示しています。異なる条件下で製品動作を行った時には、電気的特性で
示している特性を得られない場合があります。
シリアル入力タイミングチャート
www.onsemi.jp
4
LV8726TA
外形図
unit : mm
TQFP48 EP 7x7, 0.5P
CASE 932F
ISSUE C
4X 12 TIPS
NOTES:
1. DIMENSIONS AND TOLERANCING PER ASME Y14.5M, 1994.
2. CONTROLLING DIMENSION: MILLIMETERS.
3. DIMENSION b DOES NOT INCLUDE DAMBAR PROTRUSION. DAMBAR
PROTRUSION SHALL BE 0.08 MAX. AT MMC. DAMBAR CANNOT BE
LOCATED ON THE LOWER RADIUS OF THE FOOT. MINIMUM SPACE
BETWEEN PROTRUSION AND ADJACENT LEAD IS 0.07.
0.20 C A-B D
NOTE 9
D
NOTE 7
D
25
SIONS OR GATE BURRS. MOLD FLASH, PROTRUSIONS OR GATE
BURRS SHALL NOT EXCEED 0.25 PER SIDE. DIMENSIONS D1 AND E1
ARE MAXIMUM PLASTIC BODY SIZE INCLUDING MOLD MISMATCH.
5. THE TOP PACKAGE BODY SIZE MAY BE SMALLER THAN THE BOTTOM
PACKAGE SIZE BY AS MUCH AS 0.15.
6. DATUMS A-B AND D ARE DETERMINED AT DATUM PLANE H.
7. A1 IS DEFINED AS THE VERTICAL DISTANCE FROM THE SEATING
37
NOTE 7
NOTE 7
A
NOTES
4&6
B
NOTE 9
E1
E
8. DIMENSIONS D AND E TO BE DETERMINED AT DATUM PLANE C.
13
48
DIM
A
A1
A2
b
D
D1
D2
E
E1
E2
e
L
L2
M
1
D1
4X
NOTES 4 & 6
0.20 H A-B D
TOP VIEW
DETAIL A
0.08 C
A
H
L2
A2
0.05
A1
e
48X
SIDE VIEW
SEATING
PLANE
DETAIL A
C
b
0.20 C A-B D
M
L
MILLIMETERS
MIN
MAX
0.95
1.25
0.05
0.15
0.90
1.20
0.17
0.27
9.00 BSC
7.00 BSC
4.90
5.10
9.00 BSC
7.00 BSC
4.90
5.10
0.50 BSC
0.45
0.75
0.25 BSC
0°
7°
GENERIC
MARKING DIAGRAM*
NOTE 3
D2
XXXXXXXXXX
XXXXXXXXXX
AWLYYWWG
RECOMMENDED
SOLDERING FOOTPRINT*
9.36
E2
1.13
5.30
BOTTOM VIEW
1
48X
XXXXX
A
WL
YY
WW
G
9.36
5.30
1
48X
0.50
PITCH
0.29
DIMENSIONS: MILLIMETERS
*For additional information on our Pb−Free strategy and soldering
details, please download the ON Semiconductor Soldering and
Mounting Techniques Reference Manual, SOLDERRM/D.
www.onsemi.jp
5
= Specific Device Code
= Assembly Location
= Wafer Lot
= Year
= Work Week
= Pb−Free Package
LV8726TA
Pdmax-Ta 図
3.35
2 層基板
裏面実装あり
2.20
2 層基板
裏面実装なし
1.74
1.10
ピン配置図
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
GU2
NC
GB1
GB2
NC
NC
GU3
GU4
NC
GB3
GB4
3
47
NC
GU1
NC
2
48
1
VREG1
29
9
NC
NC
28
10
NC
NC
27
11
NC
NC
26
12
NC
VCC
25
ST
13
24
VREG2
23
30
EMO
GND
22
VM
8
MO
7
21
31
SDO
NC
VREF
NC
20
6
FR
32
19
RF2
18
RF1
OE
33
RST
OUT3
17
OUT1
5
STEP
4
16
34
15
OUT4
STB
OUT2
14
35
SCLK
36
NC
SDATA
NC
www.onsemi.jp
6
LV8726TA
ブロック図
www.onsemi.jp
7
LV8726TA
端子説明
端子 No
3
4
5
7
8
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
29
30
32
33
34
37
38
40
41
44
45
47
48
1,2,6,9,
10,11,12,
26,27,28
31,35,36,
39,42,43,
46
端子記号
OUT2
OUT1
RF1
VM
VREG2
ST
SCLK
SDATA
STB
STEP
RST
OE
FR
VREF
SDO
MO
EMO
VCC
VREG1
GND
RF2
OUT3
OUT4
GB4
GB3
GU4
GU3
GB2
GB1
GU2
GU1
端子説明
OUT2 電圧検出用端子
OUT1 電圧検出用端子
1ch 出力電流検出端子
ﾓｰﾀ電源接続端子
上側 FET 駆動用電源電圧安定化ｺﾝﾃﾞﾝｻ接続端子
ﾁｯﾌﾟｲﾈｰﾌﾞﾙ入力端子
ｼﾘｱﾙﾃﾞｰﾀ転送 CLK 入力端子
ｼﾘｱﾙﾃﾞｰﾀ入力端子
ｼﾘｱﾙﾃﾞｰﾀﾗｯﾁﾊﾟﾙｽ入力端子
ｸﾛｯｸﾊﾟﾙｽ信号入力端子
RESET 信号入力端子
出力ｲﾈｰﾌﾞﾙ信号入力端子
正／逆転信号入力端子
定電流制御基準電圧入力端子
STEP 検出出力端子
位置検出ﾓﾆﾀ端子
異常状態警告出力端子
ﾛｼﾞｯｸ電源接続端子
下側 FET 駆動用電源電圧安定化ｺﾝﾃﾞﾝｻ接続端子
GND
2ch 出力電流検出端子
OUT3 電圧検出用端子
OUT4 電圧検出用端子
下側 FET ｹﾞｰﾄ駆動用出力端子 4
下側 FET ｹﾞｰﾄ駆動用出力端子 3
上側 FET ｹﾞｰﾄ駆動用出力端子 4
上側 FET ｹﾞｰﾄ駆動用出力端子 3
下側 FET ｹﾞｰﾄ駆動用出力端子 2
下側 FET ｹﾞｰﾄ駆動用出力端子 1
上側 FET ｹﾞｰﾄ駆動用出力端子 2
上側 FET ｹﾞｰﾄ駆動用出力端子 1
NC
No connect
www.onsemi.jp
8
LV8726TA
端子機能
端子
番号
13
端子名
等価回路
ST
40KΩ
60KΩ
GND
14
SCLK
15
SDATA
STB
17
STEP
18
RST
19
OE
20
FR
21
VREF
100KΩ
16
次ページへ続く。
www.onsemi.jp
9
LV8726TA
前ページより続く。
端子
番号
22
端子名
等価回路
SDO
MO
24
EMO
29
VREG1
200KΩ
23
VM
2KΩ
142KΩ
20KΩ
GND
8
VREG2
VM
100KΩ 102KΩ
2KΩ
GND
次ページへ続く。
www.onsemi.jp
10
LV8726TA
前ページより続く。
端子
番号
端子名
5
RF1
32
RF2
等価回路
VCC
500Ω
GND
40
GU4
41
GU3
47
GU2
48
GU1
VM
VREG2
37
GB4
38
GB3
44
GB2
45
GB1
VREG1
GND
3
OUT2
4
OUT1
33
OUT3
34
OUT4
60KΩ
60KΩ
www.onsemi.jp
11
LV8726TA
シリアルデータ入力仕様
1)シリアルデータ入力の設定
STB=“L”設定後、SDATA、SCLK を入力する。STB=“H”の状態では、SCLK を受け付けない。
SDATA は、D0→D1→・・・→D6→D7 の順番で入力する。
SCLK の立ち上がりエッジでデータ転送を行い、全データ転送後に、STB 信号の立ち上がりで全データをラッ
チする。
2)シリアルデータが出力に反映されるタイミング
タイプ 1：データラッチ後、次の STEP 入力の立ち上がりで出力に反映される。
励磁モードと DECAY モードの設定はタイプ 1 のタイミングで出力に反映される。
タイプ 2：データラッチの信号と同時に反映される。
基準電圧減衰比、チョッピング(PWM)周期、ブランキング時間、出力ﾄﾗﾝｼﾞｽﾀの貫通防止 OFF 時間、
STEP 信号検出時間、過電流保護動作設定、EMO 出力設定は、タイプ 2 のタイミングで出力に反映
される。
www.onsemi.jp
12
LV8726TA
シリアルデータ真理値表 1
入力
モード
設定内容
D7 D6 D5 D4 D3 D2 D1 D0
シリアルデータ
反映タイミング
STEP
-
-
0
0
0
0
1/2 Step
-
-
0
0
0
1
1/4 Step
-
-
0
0
1
0
1/8 Step
-
-
0
0
1
1
1/16 Step
-
-
0
1
0
0
1/32 Step
-
-
0
1
0
1
1/64 Step
-
-
0
1
1
0
1/128 Step
-
-
0
1
1
1
-
-
1
0
0
0
-
-
1
0
0
1
-
-
1
0
1
0
-
-
1
0
1
1
1/5 Step
-
-
1
1
0
0
1/10 Step
-
-
1
1
0
1
1/20 Step
-
-
1
1
1
0
1/50 Step
-
-
1
1
1
1
1/100 Step
0
0
-
-
-
-
過電流検出
‐
‐
-
-
-
-
1
0
-
-
-
-
1
1
-
-
-
-
‐
VM 電源
減電圧検出
TSD
-
-
-
0
0
0
100%
-
-
-
0
0
1
90%
-
-
-
0
1
0
80%
-
-
-
0
1
1
-
-
-
1
0
0
-
-
-
1
0
1
50%
-
-
-
1
1
0
40%
-
-
-
1
1
1
-
0
0
-
-
-
-
0
1
-
-
-
0
1
1
-
0
1
-
-
-
-
1
-
-
-
-
-
励磁モード
設定
1/3 Step
1/6 Step
STB
○
1/12 Step
0
0
1/36 Step
EMO 出力
設定
電流設定
基準電圧減衰比
0
1
DECAY モード
設定
STEP 信号検出時間
設定
www.onsemi.jp
13
○
70%
○
60%
30%
MIXED DECAY
(25% FAST)
MIXED DECAY
(50% FAST)
SLOW DECAY
FAST DECAY
0.52s
1.04s
○
○
LV8726TA
シリアルデータ真理値表 2
入力
モード
D1
設定内容
D7
D6
D5
D4
D3
D2
D0
-
-
-
-
0
0
-
-
-
-
0
1
-
-
-
1
0
-
-
-
1
1
4.0µs
-
-
0
0
-
0.5µs
-
-
0
1
-
-
1
0
-
-
-
1
1
-
-
4.0µs
8µs
シリアルデータ
反映タイミング
STEP
STB
0.5µs
ブランキング時間
設定
1
0
出力トランジスタ
貫通防止 OFF 時間
1.0µs
1.0µs
0
-
-
-
0
1
-
-
-
1
0
-
-
-
-
1
1
-
-
-
-
32µs
-
-
-
-
-
0
-
-
-
-
-
1
-
-
-
-
0
-
動作 ON
動作 OFF/過電流
保護リセット
ラッチ方式
-
-
-
-
1
-
自動復帰方式
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
過電流保護
動作設定
1
1
-
-
16µs
14
○
24µs
-
-
www.onsemi.jp
○
2.0µs
0
チョッピング(PWM)
周期設定
○
2.0µs
○
-
-
-
-
LV8726TA
動作説明
1)スタンバイ機能
ST 端子が Low になると、IC はスタンバイモードになり、すべてのロジックはリセットされ、出力も OFF
します。ST 端子が High になるとスタンバイが解除されます。
ST
Low
High
動作モード
スタンバイ
スタンバイ解除
2)ステップ端子機能
STEP 端子にステップ信号を入力することによって、励磁ステップが進行します。
入力
動作モード
ST
STEP
L
＊
スタンバイ
H
励磁ステップ送り
H
励磁ステップ保持
3)励磁モード設定(D0=“0”，D1=“0”)
D2、D3、D4、D5 の設定により、下表の通り励磁設定を行います。
入力
モード
イニシャル位置
D5
D4
D3
D2
（STEP)
1ch 電流
2ch 電流
0
0
0
0
1/2
100%
0%
0
0
0
1
1/4
100%
0%
0
0
1
0
1/8
100%
0%
0
0
1
1
1/16
100%
0%
0
1
0
0
1/32
100%
0%
0
1
0
1
1/64
100%
0%
0
1
1
0
1/128
100%
0%
0
1
1
1
1/3
100%
0%
1
0
0
0
1/6
100%
0%
1
0
0
1
1/12
100%
0%
1
0
1
0
1/36
100%
0%
1
0
1
1
1/5
100%
0%
1
1
0
0
1/10
100%
0%
1
1
0
1
1/20
100%
0%
1
1
1
0
1/50
100%
0%
1
1
1
1
1/100
100%
0%
イニシャル位置は、各励磁モードにおける、電源立ち上げ時の初期状態、カウンタリセット時の励磁位置で
す。
4)位置検出モニタ機能
位置検出モニタ端子 MO はオープンドレイン出力です。
励磁位置がイニシャル位置の場合、MO 出力はオン状態になります。
（【各励磁モードでの電流波形例】を参照してください。）
www.onsemi.jp
15
LV8726TA
5)出力電流設定方法
出力電流は、VREF 端子印加電圧と、RF1(2)端子-GND 間に接続する抵抗の値から、以下の通りに設定できま
す。
Iout ＝（VREF/5）/ RF1(2)抵抗
※上記設定値は、各励磁モードの 100%の出力電流となります。
また、VREF 端子に印加された電圧は、シリアルデータの設定によって 8 段階に切り替えることができま
す。
VREF 入力電圧の減衰機能(D0=“1”，D1=“0”)
D4
D3
D2
電流設定基準電圧減衰比
0
0
0
100%
0
0
1
90%
0
1
0
80%
0
1
1
70%
1
0
0
60%
1
0
1
50%
1
1
0
40%
1
1
1
30%
VREF 入力電圧の減衰機能を使用した場合の出力電流計算式は、以下のようになります。
Iout＝（VREF / 5）×（減衰比）/ RF 抵抗
（例）VREF＝1.5V、設定基準電圧 100%、RF 抵抗 0.1Ω 時には下記のような出力電流が設定されます。
Iout＝1.5V / 5 × 100% / 0.1Ω ＝ 3.0A
この状態で、設定基準電圧 50%とした場合、
Iout＝1.5V / 5 × 50% / 0.1Ω ＝ 1.5A
となり、モータの保持通電時の出力電流を減衰させて、省電力化を行うことが可能です。
6)リセット機能(RST)
RST 端子が High になると、出力はイニシャルモードとなり、STEP、FR 端子の入力に関わらず、励磁位置
がイニシャル位置で固定されます。イニシャル位置では、MO 端子は L 出力となります。(オープンドレイ
ン接続)
RST
Low
High
動作モード
通常動作
RST 状態
RST
STEP
MO
1ch 出力
0%
2ch 出力
ｲﾆｼｬﾙ位置
www.onsemi.jp
16
LV8726TA
7)出力イネーブル機能(OE)
OE 端子が High になると出力は強制的に OFF してハイインピーダンスとなります。ただし、内部ロジック
回路は動作しているため、STEP を入力していると、励磁位置は進行します。よって、OE を Low に戻すと、
STEP 入力によって進行した励磁位置に沿ったレベルを出力します。
OE
Low
High
動作モード
出力 ON
出力 OFF
OE
STEP
MO
1ch 出力
0%
2ch 出力
出力はﾊｲｲﾝﾋﾟｰﾀﾞﾝｽ
8)正転/逆転切り替え機能(FR)
FR
動作モード
Low
CW
High
CCW
CW ﾓｰﾄﾞ
FR
CCW ﾓｰﾄﾞ
CW ﾓｰﾄﾞ
STEP
励磁位置
①
②
③
④
⑤
⑥
⑤
④
③
④
⑤
1ch 出力
2ch 出力
IC 内部のＤＡコンバータは、STEP 端子に入力されるステップ信号の立ち上がりで 1 ビット進みます。
また、FR 端子の設定により、CW/CCW のモード切り替えを行います。
CW モードは、2ch の電流が 1ch の電流から見た場合、位相が 90°遅れます。
CCW モードは、2ch の電流が 1ch の電流から見た場合、位相が 90°進みます。
www.onsemi.jp
17
LV8726TA
9)DECAY モード設定
DECAY モードは、シリアルデータの設定によって以下の通り設定できます。
MIXED DECAY モードは 50％FAST モードの場合には、チョッピング(PWM)周期の 50％が FAST_DECAY となり、
25％FAST モードの場合には、チョッピング(PWM)周期の 25％が FAST_DECAY となります。
DECAY モード設定 (D0=“1”，D1=“0”)
D6
D5
DECAY 方式
MIXED DECAY
0
0
(25％FAST)
MIXED DECAY
0
1
(50％FAST)
1
0
SLOW DECAY
1
1
FAST DECAY
10)ブランキング時間設定
モータ電流の PWM 定電流チョッピング制御を行う際、DECAY モード→CHARGE モードへの切り替わり時に、
寄生ダイオードのリカバリー電流が電流センス抵抗に流れ込む事により、センス抵抗端子にノイズがのり、
RF1(2)端子の電圧を誤検出する可能性があります。
これを防止するために、切り替わり時のノイズを受け付けない様、ブランキング時間を設けております。
この区間では、センス抵抗にノイズがのっても、CHARGE モードから DECAY モードに切り替わることはあり
ません。
ブランキング時間は、シリアルデータの設定によって、以下の通り設定ができます。
ブランキング時間設定 (D0=“0”，D1=“1”)
D3
D2
ブランキング時間
0
0
1
1
0
1
0
1
0.5µs
1.0µs
2.0µs
4.0µs
11)出力トランジスタ貫通防止 OFF 時間設定
本 IC には、外付けの出力 FET が切り替わる際に、上下同時 ON して貫通電流が流れないよう、OFF 期間を
設けております。
貫通防止 OFF 時間は、シリアルデータの設定によって、以下の通り設定ができます。
貫通防止 OFF 時間設定 (D0=“0”，D1=“1”)
D5
D4
貫通防止 OFF 時間
0
0
1
1
0
1
0
1
0.5µs
1.0µs
2.0µs
4.0µs
12)チョッピング(PWM)周期設定
IC 内部に発振回路を内蔵しており、シリアルデータの設定によって、定電流制御のチョッピング(PWM)周
期を以下の通りに切り替えることができます。
チョッピング(PWM)周期設定 (D0=“0”，D1=“1”)
D7
D6
チョッピング(PWM)周期
0
0
1
1
0
1
0
1
8µs
16µs
24µs
32µs
www.onsemi.jp
18
LV8726TA
13)STEP 検出出力端子(SDO)
SDO 出力端子はオープンドレイン出力となっており、STEP 信号が検出時間以上入力されなかった場合に
ON し、Low ﾚﾍﾞﾙを出力します。一度 ON したオープンドレイン出力は、次の STEP 信号によって OFF します。
STEP 信号の検出時間(Tsdo)は、シリアルデータの設定によって、以下の通りに切り替えることができます。
STEP 信号の検出時間設定(D0=“1”，D1=“0”)
D7
STEP 信号検出時間
0
1
0.52s
1.04s
SDO 端子を用いて下記回路例のように周辺部品を接続すると、設定した検出時間 (Tsdo) 以上、STEP 信号
が入力されずにステッピングモータの位置を通電したまま保持している場合、SDO 出力が ON します。
それによって、VREF 入力電圧が下がり設定電流が低下して、消費電力を抑えることができます。
V1
R1
VREF
SDO
R3
R2
(例) V1=5V、R1=27kΩ、R2=4.7kΩ、 R3=1kΩ のとき、VREF 入力電圧は以下のようになります。
SDO 出力 OFF: VREF = V1 × R2 / (R1+R2) = 0.741V
SDO 出力 ON: VREF = V1 × (R2//R3) / (R1+ (R2//R3) ) = 0.126V
www.onsemi.jp
19
LV8726TA
14) 過電流保護回路
本 IC には、出力が天絡、地絡などによってショートした場合、IC が破壊してしまう事を防止するため
に、出力を OFF モードにし、警告出力をオンさせる、過電流保護回路が内蔵されています。
上側 Pch MOSFET のおおよその検出レベルは、ドレイン－ソース間電圧が 3V です。
下側 Nch MOSFET のおおよその検出レベルは、設定電流 Iout と RF 抵抗によって以下のように算出で
きます。
下側 Nch MOSFET 過電流検出レベル：Vocpl
Vocpl [V] ≒ Iout [A] × RF 抵抗[Ω] × 3
（例）Iout＝3.0A（減衰比 100%）、RF 抵抗 0.1Ω 時には
Vocpl ≒ 3.0A × 0.1Ω × 3 = 0.9V
また、過電流保護回路の動作設定は、シリアルデータの設定によって、以下の通り設定ができます。
過電流保護動作設定 (D0=“1”，D1=“1”)
D2
過電流保護回路
0
1
動作 ON
動作 OFF / 過電流保護ﾘｾｯﾄ
また、過電流保護回路の動作が ON 状態の時、シリアルデータの設定によって、以下のように IC の過電流
保護動作の方式を切り替えることができます。
過電流保護動作設定 (D0=“1”，D1=“1”)
D3
方式
0
1
ラッチ方式
自動復帰方式
14-1）ラッチ方式
ラッチモードでは、出力が過電流状態になると、出力を OFF させてその状態を保持します。
IC が過電流状態を 2μs 検知すると、過電流保護回路が動作し、一度出力を OFF します。
この後、タイマーラッチ時間（typ：256μs）後に再び出力を ON し、依然として過電流が検出された場合
には、出力を OFF し、出力を OFF に固定して EMO 出力を ON します。
過電流保護回路によって、出力が OFF に固定された場合、ST＝”L”にすることによってラッチを解除す
ることができます。
H-ブリッジ
出力状態
出力 ON
出力 ON
出力 OFF
出力 OFF
タイマーラッチ時
(typ:256µs)
2µs
2µs
過電流検出
過電流検出
過電流
検出状態
解除
内部カウンタ
第 1 カウンタ第 1 カウンタ第 1 カウンタ
開始
中断
開始
第 1 カウンタ
終了
第 2 カウンタ
開始
www.onsemi.jp
20
第 2 カウンタ
終了
LV8726TA
14-2）自動復帰方式
自動復帰モードでは、出力がショート状態になると出力波形がスイッチング波形に切り替わります。
ラッチ方式と同様に、過電流状態を検知すると過電流保護回路が動作します。
過電流保護回路の動作が 2μs を越えると、出力を OFF モードに切り替え、2ms (TYP)後に再び ON モー
ドに復帰します。このときに、依然として出力が過電流状態にあると、上述のスイッチングモードを、
過電流状態が解除されるまで繰り返します。
15)異常状態警告出力端子（EMO）
IC が異常状態を検出して保護回路が動作した時、この異常状態を CPU 側に出力する端子として、
EMO 端子を設けています。
この端子はオープンﾄﾞレイン出力となっており、異常状態を検出すると、
EMO 出力はオン状態（EMO=”L”）となります。
EMO 端子の出力は、シリアルデータの設定によって、以下のように切り替えることができます。
EMO 端子出力設定 (D0=“0”，D1=“0”)
D7
D6
EMO 出力
備考
(1)
0
0
過電流検出
‐
‐
‐
(2)
1
0
VM 電源減電圧検出
1
1
TSD
※備考
(1) 出力端子が天絡、地絡、または負荷短絡して過電流保護回路が動作した時
(2) VM 電圧が 8V 以下になり、減電圧保護が動作した時
16) 過熱保護回路
本 IC は過熱保護回路が内蔵されており、ジャンクション温度 Tj が 180℃を超えると出力が OFF する。
温度がヒステリシス分下がると出力は再駆動(自動復帰)する。
過熱保護回路は、ジャンクション温度の定格 Tjmax＝150℃を超えた領域での動作となるため、
セットの保護、及び破壊防止を保証するものではない。
TSD＝180℃(typ)
ΔTSD＝40℃(typ)
www.onsemi.jp
21
LV8726TA
17)各励磁モード出力電流
出力電流ベクトル軌跡
1/2,1/4,1/8,1/16,1/32,1/64,1/128 Step (1 ステップを 90 度に正規化)
100.0
θ0
θ8
θ1 6
θ2 4
θ3 2
θ4 0
θ4 8
θ5 6
θ6 4
66.7
1ch電流比（％）
θ7 2
θ8 0
θ8 8
θ9 6
33.3
θ1 0 4
θ1 1 2
θ1 2 0
θ1 2 8
0.0
0.0
33.3
66.7
2ch電流比（％）
www.onsemi.jp
22
100.0
LV8726TA
各励磁モードでの電流設定比
1/2, 1/4, 1/8, 1/16, 1/32, 1/64, 1/128 Step
STEP
θ0
θ1
θ2
θ3
θ4
θ5
θ6
θ7
θ8
θ9
θ10
θ11
θ12
θ13
θ14
θ15
θ16
θ17
θ18
θ19
θ20
θ21
θ22
θ23
θ24
θ25
θ26
θ27
θ28
θ29
θ30
θ31
θ32
θ33
θ34
θ35
θ36
θ37
θ38
θ39
θ40
θ41
θ42
θ43
θ44
θ45
θ46
θ47
θ48
θ49
θ50
θ51
θ52
θ53
θ54
θ55
θ56
θ57
θ58
θ59
θ60
θ61
θ62
θ63
θ64
1/128 Step
1ch
2ch
100
0
100
1
100
2
100
4
100
5
100
6
100
7
100
9
100
10
99
11
99
12
99
13
99
15
99
16
99
17
98
18
98
20
98
21
98
22
97
23
97
24
97
25
96
27
96
28
96
29
95
30
95
31
95
33
94
34
94
35
93
36
93
37
92
38
92
39
91
41
91
42
90
43
90
44
89
45
89
46
88
47
88
48
87
49
86
50
86
51
85
52
84
53
84
55
83
56
82
57
82
58
81
59
80
60
80
61
79
62
78
62
77
63
77
64
76
65
75
66
74
67
73
68
72
69
72
70
71
71
1/64 Step
1ch
2ch
100
0
100
5
100
7
10
99
12
99
15
99
17
98
20
98
22
97
24
96
27
96
29
95
31
94
34
93
36
92
38
91
41
90
43
89
45
88
1/16 Step
1ch
2ch
100
0
1/8 Step
1ch
2ch
100
0
1/4 Step
1ch
2ch
100
0
2
100
100
1/32 Step
1ch
2ch
100
0
47
87
49
86
51
84
53
83
56
82
58
80
60
79
62
77
63
76
65
74
67
72
69
71
71
100
100
99
98
97
96
94
92
90
88
86
83
80
77
74
71
5
10
100
10
15
20
98
20
98
20
24
29
96
29
34
38
92
38
92
38
92
38
43
47
88
47
51
56
83
56
83
56
60
63
77
63
67
71
71
71
71
71
71
71
1/2 Step
1ch
2ch
STEP
100
0 θ65
θ66
θ67
θ68
θ69
θ70
θ71
θ72
θ73
θ74
θ75
θ76
θ77
θ78
θ79
θ80
θ81
θ82
θ83
θ84
θ85
θ86
θ87
θ88
θ89
θ90
θ91
θ92
θ93
θ94
θ95
θ96
θ97
θ98
θ99
θ100
θ101
θ102
θ103
θ104
θ105
θ106
θ107
θ108
θ109
θ110
θ111
θ112
θ113
θ114
θ115
θ116
θ117
θ118
θ119
θ120
θ121
θ122
θ123
θ124
θ125
θ126
θ127
θ128
71
71
1/128 Step
1ch
2ch
70
72
69
72
68
73
67
74
66
75
65
76
64
77
63
77
62
78
62
79
61
80
60
80
59
81
58
82
57
82
56
83
55
84
53
84
52
85
51
86
50
86
49
87
48
88
47
88
46
89
45
89
44
90
43
90
42
91
41
91
39
92
38
92
37
93
36
93
35
94
34
94
33
95
31
95
30
95
29
96
28
96
27
96
25
97
24
97
23
97
22
98
21
98
20
98
18
98
17
99
16
99
15
99
13
99
12
99
11
99
10
100
9
100
7
100
6
100
5
100
4
100
2
100
1
100
0
100
www.onsemi.jp
23
1/64 Step
1ch
2ch
69
72
67
74
65
76
63
77
62
79
60
80
58
82
56
83
53
84
51
86
49
87
47
88
45
89
43
90
41
91
38
92
36
93
34
94
31
95
29
96
27
96
24
97
22
98
20
98
17
99
15
99
12
99
10
100
7
100
5
100
2
100
0
100
1/32 Step
1ch
2ch
67
74
63
77
60
80
56
83
51
86
47
88
43
90
38
92
34
94
29
96
24
97
20
98
15
99
10
100
5
100
0
100
1/16 Step
1ch
2ch
63
77
56
83
47
88
38
92
29
96
20
98
10
100
0
100
1/8 Step
1ch
2ch
56
83
38
92
20
98
0
100
1/4 Step
1ch
2ch
38
92
0
100
1/2 Step
1ch
2ch
0
100
LV8726TA
出力電流ベクトル軌跡
1/3,1/6,1/12,1/36 Step (1 ステップを 90 度に正規化)
100.0
θ0
θ3
θ6
θ9
θ12
θ15
θ18
1ch相電流比（％）
66.7
θ21
θ24
θ27
33.3
θ30
θ33
θ36
0.0
0.0
33.3
66.7
100.0
2ch相電流比（％）
各励磁モードでの電流設定比
1/3, 1/6, 1/12, 1/36 Step
STEP
θ0
θ1
θ2
θ3
θ4
θ5
θ6
θ7
θ8
θ9
θ10
θ11
θ12
θ13
θ14
θ15
θ16
θ17
θ18
1/36 Step
1ch
2ch
100
0
100
4
100
9
99
13
98
17
98
22
97
26
95
30
94
34
92
38
91
42
89
46
87
50
84
54
82
57
79
61
77
64
74
68
71
71
1/12 Step
1ch
2ch
100
0
99
13
97
26
92
38
87
50
79
61
71
71
1/6 Step
1ch
2ch
100
0
97
87
71
26
50
1/3 Step
1ch
2ch
STEP
100
0 θ19
θ20
θ21
θ22
θ23
θ24
θ25
θ26
θ27
θ28
θ29
θ30
87
50 θ31
θ32
θ33
θ34
θ35
θ36
1/36 Step
1ch
2ch
68
74
64
77
61
79
57
82
54
84
50
87
46
89
42
91
38
92
34
94
30
95
26
97
22
98
17
98
13
99
9
100
4
100
0
100
71
www.onsemi.jp
24
1/12 Step
1ch
2ch
61
79
50
87
38
92
26
97
13
99
0
100
1/6 Step
1ch
2ch
50
87
26
97
0
100
1/3 Step
1ch
2ch
50
87
0
100
LV8726TA
出力電流ベクトル軌跡
1/5,1/10,1/20,1/50,1/100 Step (1 ステップを 90 度に正規化)
100.0
θ0
θ5 θ10
θ15
θ20
θ25
θ30
θ35
θ40
θ45
θ50
66.7
1ch相電流比（％）
θ55
θ60
θ65
θ70
θ75
33.3
θ80
θ85
θ90
θ95
θ100
0.0
0.0
33.3
66.7
2ch相電流比（％）
www.onsemi.jp
25
100.0
LV8726TA
各励磁モードでの電流設定比
1/5, 1/10, 1/20, 1/50, 1/100 Step
STEP
θ0
θ1
θ2
θ3
θ4
θ5
θ6
θ7
θ8
θ9
θ10
θ11
θ12
θ13
θ14
θ15
θ16
θ17
θ18
θ19
θ20
θ21
θ22
θ23
θ24
θ25
θ26
θ27
θ28
θ29
θ30
θ31
θ32
θ33
θ34
θ35
θ36
θ37
θ38
θ39
θ40
θ41
θ42
θ43
θ44
θ45
θ46
θ47
θ48
θ49
θ50
1/100 Step
1ch
2ch
100
0
100
2
100
3
100
5
100
6
100
8
100
9
99
11
99
13
99
14
99
16
99
17
98
19
98
20
98
22
97
23
97
25
96
26
96
28
96
29
95
31
95
32
94
34
94
35
93
37
92
38
92
40
91
41
90
43
90
44
89
45
88
47
88
48
87
50
86
51
85
52
84
54
84
55
83
56
82
58
81
59
80
60
79
61
78
63
77
64
76
65
75
66
74
67
73
68
72
70
71
71
1/50 Step
1ch
2ch
100
0
100
3
100
6
1/20 Step
1ch
2ch
100
0
100
100
9
99
13
99
16
98
19
98
22
99
97
97
25
96
28
95
31
94
34
93
37
95
92
92
40
90
43
89
45
88
48
86
51
89
85
84
54
83
56
81
59
79
61
77
64
81
76
75
66
73
68
71
71
71
1/10 Step
1ch
2ch
100
0
8
16
99
16
23
31
95
31
38
45
89
45
52
59
81
59
65
71
71
1/5 Step
1ch
2ch
STEP
100
0 θ51
θ52
θ53
θ54
θ55
θ56
θ57
θ58
θ59
θ60
θ61
θ62
θ63
θ64
θ65
θ66
θ67
θ68
θ69
θ70
95
31 θ71
θ72
θ73
θ74
θ75
θ76
θ77
θ78
θ79
θ80
θ81
θ82
θ83
θ84
θ85
θ86
θ87
θ88
θ89
θ90
81
59 θ91
θ92
θ93
θ94
θ95
θ96
θ97
θ98
θ99
θ100
1/100 Step
1ch
2ch
70
72
68
73
67
74
66
75
65
76
64
77
63
78
61
79
60
80
59
81
58
82
56
83
55
84
54
84
52
85
51
86
50
87
48
88
47
88
45
89
44
90
43
90
41
91
40
92
38
92
37
93
35
94
34
94
32
95
31
95
29
96
28
96
26
96
25
97
23
97
22
98
20
98
19
98
17
99
16
99
14
99
13
99
11
99
9
100
8
100
6
100
5
100
3
100
2
100
0
100
71
www.onsemi.jp
26
1/50 Step
1ch
2ch
68
73
66
75
64
77
61
79
59
81
56
83
54
84
51
86
48
88
45
89
43
90
40
92
37
93
34
94
31
95
28
96
25
97
22
98
19
98
16
99
13
99
9
100
6
100
3
100
0
100
1/20 Step
1ch
2ch
65
76
59
81
52
85
45
89
38
92
31
95
23
97
16
99
8
100
0
100
1/10 Step
1ch
2ch
59
81
45
89
31
95
16
99
0
100
1/5 Step
1ch
2ch
59
81
31
95
0
100
LV8726TA
18)各励磁モードでの電流波形例
(1/2 STEP, 1/16 STEP, 1/128 SETP, 1/12 STEP, 1/50 STEP)
1/2 STEP (CW モード)
STEP
MO
(%)
100
I1
0
－100
(%)
100
I2
0
－100
1/16 STEP (CW モード)
www.onsemi.jp
27
LV8726TA
1/128 STEP (CW モード)
www.onsemi.jp
28
LV8726TA
1/12 STEP (CW モード)
STEP
MO
[%]
100
50
I1
0
-50
-100
[%]
100
50
I2
0
-50
-100
1/50 STEP (CW モード)
STEP
MO
[%]
100
50
I1
0
-50
-100
[%]
100
50
I2
0
-50
-100
www.onsemi.jp
29
LV8726TA
19)電流制御動作
MIXED DECAY 電流制御動作
MIXED DECAY 電流制御では、シリアルデータの設定によって、チョッピング (PWM) 周期の 50 ％を
FAST_DECAY で定電流制御を行うモードと、チョッピング(PWM)周期の 25％を FAST_DECAY で定電流制御行う
モードを切り替えることができます。
（正弦波増加方向）
STEP
設定電流
設定電流
コイル電流
Blanking Time
fchop
ﾁｮｯﾋﾟﾝｸﾞ周期
CHARG
SLO
CHARG
電流ﾓｰﾄﾞ
SLOW
FAST (50%
FAST (50%
(正弦波減少方向）
STEP
設定電流
Blanking Time
コイル電流
設定電流
ﾁｮｯﾋﾟﾝｸﾞ周期
fchop
電流ﾓｰﾄﾞ
CHARG
SLO
FAST (50%
Blanking Time
FAST
CHARG
SLO
FAST
MIXED DECAY 電流制御モードでは、以下のシーケンスで動作を行います。
コイル電流が検出電流に達した場合、チョッピング(PWM)周期に従い、CHARGE モード→SLOW_DECAY モード
→FAST_DECAY モードを繰り返しながら定電流制御を行います。
DECAY モードの設定により、50％FAST モードの場合にはチョッピング(PWM)周期の 50％が FAST_DECAY とな
り、25％FAST モードの場合には、チョッピング(PWM)周期の 25％が FAST_DECAY となります。
出力切り替わり時のノイズで、設定電流とコイル電流を比較するコンパレータが誤検出することを防止する
ため、CHARGE モードの最初に BLANKING 区間を設けております。
BLANKING 区間では、コイル電流が設定電流を超えても、DECAY モードには切り替わりません。
www.onsemi.jp
30
LV8726TA
SLOW DECAY 電流制御動作
（正弦波増加方向）
STEP
設定電流
設定電流
コイル電流
Blanking Time
fchop
ﾁｮｯﾋﾟﾝｸﾞ周期
CHARG
電流ﾓｰﾄﾞ
CHARG
SLO
SLO
(正弦波減少方向）
STEP
設定電流
コイル電流
設定電流
Blanking Time
ﾁｮｯﾋﾟﾝｸﾞ周期
fchop
電流ﾓｰﾄﾞ
CHARGE
SLOW
Blanking Time
SLOW
Blanking Time
SLOW
SLOW DECAY 電流制御モードは以下のシーケンスで動作を行います。
・チョッピング発振の立ち上がりで CHARGE モードとなります。コイル電流（ICOIL）と設定電流（IREF）
の大小に関係なく、強制的に CHARGE モードとなる区間(Blanking Time)があります。
・Blanking Time 区間が終わると、ICOIL≧IREF まで CHARGE モードとなり、その後 SLOW DECAY モードに
切り替わり、チョッピング１周期が終わるまで SLOW DECAY でコイル電流を減衰します。
SLOW DECAY で定電流制御を行う場合、電流の減衰が遅いため、コイル電流が設定電流に追従するのに時
間がかかる(もしくは追従しない)場合があります。
www.onsemi.jp
31
LV8726TA
FAST DECAY 電流制御動作
（正弦波増加方向）
STEP
設定電流
設定電流
コイル電流
Blanking Time
ﾁｮｯﾋﾟﾝｸﾞ周期
fchop
電流ﾓｰﾄﾞ
FAST
CHARG
FAST
CHARG
(正弦波減少方向）
STEP
設定電流
コイル電流
設定電流
Blanking Time
ﾁｮｯﾋﾟﾝｸﾞ周期
fchop
電流ﾓｰﾄﾞ
CHARGE
FAS
Blanking Time
FAS
CHARGE
FAS
FAST DECAY 電流制御モードは以下のシーケンスで動作を行います。
・チョッピング発振の立ち上がりで CHARGE モードとなります。コイル電流（ICOIL）と設定電流（IREF）
の大小に関係なく、強制的に CHARGE モードとなる区間(Blanking Time)があります。
・Blanking Time 区間が終わると、ICOIL≧IREF まで CHARGE モードとなり、その後 FAST_DECAY モードに
切り替わり、チョッピング１周期が終わるまで FAST_DECAY でコイル電流を減衰します。
FAST DECAY で定電流制御を行う場合、電流の減衰が早いため、コイル電流が設定電流に追従するのは早
いですが、電流リップルが大きくなる場合があります。
www.onsemi.jp
32
LV8726TA
応用回路例
43 NC
42 NC
41 GU3
40 GU4
39 NC
38 GB3
37 GB4
STEP
RST
OE
FR
VREF
SDO
MO
17
18
19
20
21
22
23
EMO 24
15
44 GB2
SDATA
14
16
46 NC
SCLK
13
STB
47 GU2
ST
45 GB1
48 GU1
www.onsemi.jp
33
47KΩ
47KΩ
定電流設定
VREF = 1.5V, RF= 0.1Ω の時
Iout = (VREF/5) / RF
= (1.5V/5) / 0.1Ω = 3.0A
LV8726TA
ORDERING INFORMATION
Device
LV8726TA-NH
Package
TQFP48 EP 7×7
(Pb-Free / Halogen Free)
Shipping (Qty / Packing)
1000 / Tape & Reel
ON Semiconductor and the ON logo are registered trademarks of Semiconductor Components Industries, LLC (SCILLC) or its subsidiaries in the United States
and/or other countries. SCILLC owns the rights to a number of patents, trademarks, copyrights, trade secrets, and other intellectual property. A listing of
SCILLC’s product/patent coverage may be accessed at www.onsemi.com/site/pdf/Patent-Marking.pdf . SCILLC reserves the right to make changes without
further notice to any products herein. SCILLC makes no warranty, representation or guarantee regarding the suitability of its products for any particular purpose,
nor does SCILLC assume any liability arising out of the application or use of any product or circuit, and specifically disclaims any and all liability, including
without limitation special, consequential or incidental damages. “Typical” parameters which may be provided in SCILLC data sheets and/or specifications can
and do vary in different applications and actual performance may vary over time. All operating parameters, including “Typicals” must be validated for each
customer application by customer’s technical experts. SCILLC does not convey any license under its patent rights nor the rights of others. SCILLC products are
not designed, intended, or authorized for use as components in systems intended for surgical implant into the body, or other applications intended to support or
sustain life, or for any other application in which the failure of the SCILLC product could create a situation where personal injury or death may occur. Should
Buyer purchase or use SCILLC products for any such unintended or unauthorized application, Buyer shall indemnify and hold SCILLC and its officers,
employees, subsidiaries, affiliates, and distributors harmless against all claims, costs, damages, and expenses, and reasonable attorney fees arising out of,
directly or indirectly, any claim of personal injury or death associated with such unintended or unauthorized use, even if such claim alleges that SCILLC was
negligent regarding the design or manufacture of the part. SCILLC is an Equal Opportunity/Affirmative Action Employer. This literature is subject to all
applicable copyright laws and is not for resale in any manner.
(参考訳)
ON Semiconductor及びONのロゴは、Semiconductor Components Industries, LLC (SCILLC) 若しくはその子会社の米国及び/または他の国における登録商標です。SCILLCは特許、商
標、著作権、トレードシークレット(営業秘密)と他の知的所有権に対する権利を保有します。SCILLCの製品/特許の適用対象リストについては、以下のリンクからご覧い
ただけます。www.onsemi.com/site/pdf/Patent-Marking.pdf. SCILLCは通告なしで、本書記載の製品の変更を行うことがあります。SCILLCは、いかなる特定の目的
での製品の適合性について保証しておらず、また、お客様の製品において回路の応用や使用から生じた責任、特に、直接的、間接的、偶発的な損害に対して、いかなる
責任も負うことはできません。SCILLCデータシートや仕様書に示される可能性のある「標準的」パラメータは、アプリケーションによっては異なることもあり、
実際の性能も時間の経過により変化する可能性があります。「標準的」パラメータを含むすべての動作パラメータは、ご使用になるアプリケーションに応じて、お客様
の専門技術者において十分検証されるようお願い致します。SCILLCは、その特許権やその他の権利の下、いかなるライセンスも許諾しません。SCILLC製品は、人体への
外科的移植を目的とするシステムへの使用、生命維持を目的としたアプリケーション、また、SCILLC製品の不具合による死傷等の事故が起こり得るようなアプ
リケーションなどへの使用を意図した設計はされておらず、また、これらを使用対象としておりません。お客様が、このような意図されたものではない、許可されてい
ないアプリケーション用にSCILLC製品を購入または使用した場合、たとえ、SCILLCがその部品の設計または製造に関して過失があったと主張されたとしても、そのよう
な意図せぬ使用、また未許可の使用に関連した死傷等から、直接、又は間接的に生じるすべてのクレーム、費用、損害、経費、および弁護士料などを、お客様の責任に
おいて補償をお願いいたします。また、SCILLCとその役員、従業員、子会社、関連会社、代理店に対して、いかなる損害も与えないものとします。
SCILLCは雇用機会均等/差別撤廃雇用主です。この資料は適用されるあらゆる著作権法の対象となっており、いかなる方法によっても再販することはできません。
www.onsemi.jp
34

Download Report