東京大学大学院工学系研究科中野･種村研究室博士研究員（ポスドク）の募集【募集人員】 1～2 名【専門分野】半導体集積フォトニクス，光エレクトロニクス分野【概要】化合物半導体（InP，GaAs 等）を用いて，高速光スイッチ，空間光スキャナ，ビーム整形器，光モード多重器など，種々の集積光デバイスの設計・作製・評価を行う．その上で，光通信やバイオフォトニクスなどの応用分野に適用することを目指す．【応募資格】博士号取得の方．上述の専門分野で主体的に研究を行うための十分な資質と経験がある方．特に，以下の経験のある方を歓迎します．  光集積デバイスの設計・作製・評価の経験を持つ．  III-V 化合物半導体の微細加工プロセスの経験を持つ．  光ビーム波面制御などの設計や実験の経験を持つ．【職名】特任助教または特任研究員【勤務形態】常勤【任期】任期付（2015 年 3 月まで、年度毎に更新有り（但し、最長で 2019 年 3 月まで））【着任時期】 2015 年 4 月あるいはそれ以前のなるべく早い時期（要相談）【勤務地】東京都文京区本郷 7-3-1 東京大学工学部 3 号館【応募書類】履歴書，研究業績の説明（日本語または英語・A4 2 ページ以内），研究業績リスト，主要論文別刷りまたはコピー(3 編以内），研究の抱負（A4 2 ページ以内）を pdf ファイルにまとめた上，下記照会先までメールにてお送り下さい．【応募締切】 2014 年 12 月 31 日（水）注意：締め切り前でも応募状況により募集を締め切ることがあります．早めに応募書類を提出ください．【照会先】東京大学先工学系研究科電気系工学専攻教授中野義昭，准教授種村拓夫 E-mail：nakano[at]ee.t.u-tokyo.ac.jp, tanemura[at]ee.t.u-tokyo.ac.jp ([at]を＠に変えてお送りください） TEL: 03-5841-6652 【選考方法】書類審査および面接（電話またはスカイプ可）【採否の決定】書類審査の上，面接審査を行った後に採否を決定します．着任時期・期間など，詳細についてはご相談させていただきます．関連リンク：中野・種村研究室ホームページ（http://www.ee.t.u-tokyo.ac.jp/~nakano/lab/recruit/index.html ）