ダイオードモジュール Sシリーズ RM400DY-24S

<ダイオードモジュール>
RM400DY-24S
大電力スイッチング用
絶縁形
順電流 I F ..........................................
4 0 0 A
繰返しピーク逆電圧 VRRM ………............... 1 2 0 0 V
最大接合温度 T jmax ..............................
1 5 0 °C
●フラットベース形
●銅ベース板
●RoHS 指令対応
●UL Recognized under UL1557, File E323585
2素子入
用途
インバータ装置,サーボアンプ,電源装置 など
外形及び接続図
単位:mm
E2 G2
(NC)(NC)
接続図
Di1
C2E1
C1
G1 E1
(NC) (NC)
Di2
E2
2014.09 作成
1
TMH-1104
Ver.1.0
Tolerance otherwise specified
Division of Dimension
0.5
to
over
3
over
6
over
Tolerance
3
±0.2
to
6
±0.3
to
30
±0.5
30
to 120
±0.8
over 120
to 400
±1.2
<ダイオードモジュール>
RM400DY-24S
大電力スイッチング用
絶縁形
最大定格(指定のない場合,Tj=25 °C)
定格値
単位
VRRM
記号
ピーク繰返し逆電圧
項目
-
1200
V
VRSM
ピーク非繰返し逆電圧
-
1200
V
VR(DC)
直流逆電圧
-
960
V
IF
順電流
400
A
IFSM
サージ順電流
直流, T C =68 °C (注1,2)
f=60 Hz, T j =25 °C スタート, 非繰返し,
単相半波 1 サイクル波高値, VRM=0 V
2
条件
2000
A
4
1.66 × 10
A2s
2500
V
I t
電流二乗時間積
t w =8.3 ms, T j =25 °C スタート
Visol
絶縁耐電圧
全端子・ベース板間, 実効値, f=60 Hz, AC 1 分間
Tj
接合温度
-
-40 ~ +150
Tst g
保存温度
-
-40 ~ +125
°C
電気的特性(指定のない場合,Tj=25 °C)
記号
項目
規格値
条件
最小
単位
標準
最大
-
-
1.0
-
2.6
3.3
V
IRRM
逆電流
VR=VRRM, Tj=125 °C
VF
順電圧
IF=400 A, T j =25 °C
trr
逆回復時間
VR=600 V, IF=400 A, Tj=25 °C
-
-
250
ns
Qrr
逆回復電荷
di/dt=-3500 A/μs, 誘導負荷
-
16
-
μC
Err
逆回復損失
誘導負荷, 1 パルスあたり, Tj=125 °C
-
23.5
-
mJ
RAA'-KK'
内部配線抵抗
主端子-チップ間, 1 素子あたり, T C =25 °C
(注3)
mA
0.75
熱的特性
記号
項目
熱抵抗
Rt h(j -c)Q
接合・ケース間, 1 素子あたり
(注2)
ケース・ヒートシンク間, 1/2 モジュールあたり,
接触熱抵抗
Rt h(c-s)
規格値
条件
熱伝導性グリース塗布
(注2,4)
単位
最小
標準
最大
-
-
62
K/kW
-
18
-
K/kW
機械的特性
記号
項目
規格値
条件
最小
標準
最大
単位
Ms
締付けトルク
主端子
M 6 ねじ
3.5
4.0
4.5
N·m
Ms
締付けトルク
取付け
M 6 ねじ
3.5
4.0
4.5
N·m
m
質量
-
-
580
-
g
ec
ベース板平面度
X, Y 各中心線上
-100
-
+100
μm
(注5)
-:凹
+:凸
注 1. 接合温度は,最大接合温度(T j m a x )以下です。
2. ケース温度(T C )及びヒートシンク温度(T s )の定義点は,チップ直下におけるベース板及びヒートシンクの表面です。
チップ中心位置は,チップ配置図のとおりです。
3. パルス幅及び繰返し率は,素子の温度上昇が無視できる値とします。
4. 接触熱抵抗の標準値は,熱伝導率 λ=0.9 W/(m·K) の放熱用グリースを使用したときの値です。
5. ベース板(取付面)平面度測定箇所は,下図のとおりです。
X
取付面
3 mm
Y
-:凹
取付面
取付面
+:凸
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2
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<ダイオードモジュール>
RM400DY-24S
大電力スイッチング用
絶縁形
チップ配置図 (Top view)
単位:mm, 公差:±1 mm
Di1/Di2: DIODE
記号は,それぞれのチップの中心を示します。
試験回路
C1
C1
IF
G1
(NC)
G1
(NC)
Es1
(NC)
V
Es1
(NC)
C2E1
C2E1
V
G2
(NC)
IF
G2
(NC)
Es2
(NC)
Es2
(NC)
E2
E2
Di1
Di2
VF test circuit
試験回路及び試験波形
iF
DUT
C1
iF
Q r r =0.5×I r r ×t r r
vR
IFM
iF
vAK
VRM
dI F /dt
Load
IF
C2E1
+
dI F /dt
trr
VRM
t
t
0A
0A
CM400DY-24NF
C
+VGE
Irr
RG
0.5×I r r
0V
t
vGE
0
-VGE
ti
E
逆回復特性試験回路及び試験波形
2014.09 作成
逆回復損失試験波形
3
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<ダイオードモジュール>
RM400DY-24S
大電力スイッチング用
絶縁形
特性図
順特性
(代表例)
過渡熱抵抗特性
(最大値)
R t h ( j - c ) =62 K/kW
過渡熱抵抗 Z t h ( j - c )
順電流 IF (A)
(V)
---------------: T j =25 °C, - - - - -: T j =125 °C
時間 (S)
逆回復特性
逆回復特性
(代表例)
(代表例)
VR=600 V, di/dt=-3500 A/μs, T j =125 °C,
誘導負荷, 1パルスあたり
VR=600 V, di/dt=-3500 A/μs, T j =25 °C, 誘導負荷
trr
(ns), I r r
(A)
逆回復損失 (mJ)
順電圧 VF (V)
順電流 IF (A)
順電流 IF (A)
注: 特性図及び特性値は, 特に指定のない限り保証値ではなく参考値です。
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4
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RM400DY-24S
大電力スイッチング用
絶縁形
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じ さ せ な い よ う な 安 全 性 を 考 慮 し た 冗 長 設 計 ,延 焼 対 策 設 計 ,誤 動 作 防 止 設 計 な ど の 安 全 設 計 に 十 分 ご 留 意
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