HDの超薄膜形成プロセス技術

HDの超薄膜形成プロセス技術
当社グループの持つ、極めて高い生産性を誇る真空成膜技術
をベースに、市場の高容量化ニーズにこたえています。
昭和電工は世界No.1シェア
●HDの世界シェア
●HDの記録容量推移
H社(内製)
15%
1400
S社(内製)
30%
1200
1000
GB/PL
W社(内製)
24%
昭和電工
27%
800
2.5inch
1.89inch
600
3.5inch
400
F社
4%
200
0
2004
記録メディア専業メーカーとして世界シェアNo.1※
(HDD出荷台数≒5億台/年、メディア生産量≒10億枚/年)
※当社調べ
2006
2008
2010
2012
2014
2016
当社は常に世界に先駆けて、
メディアの最大記録容量
および量産化を実現しています。
超薄膜技術
●ナノスケールでの多層薄膜形成技術
●原子レベルの
エピタキシャル結晶成長技術
50nm@500GB/pl
Co(hcp)
1bit
13nm
Ru(hcp)
磁気記録層(×5∼6層)
Ru中間層(×2層)
シード層(×1層)
10∼15層
Total≒100nm
軟磁性AFC(×3層)
密着層(×1層)
倍率:×800K
20nm
基 板
倍率: ×4M
5nm