LV8729V - ON Semiconductor

注文コード No. N A 1 7 0 2 D
データシート No.NA1702C をさしかえてください。
LV8729V
Bi-CMOS 集積回路
PWM定電流制御ステッパモータドライバ
http://onsemi.jp
概要
LV8729Vは、PWM電流制御マイクロステップ駆動ステッパモータドライバである。2相～32W1-2相ま
での8種類の励磁方法が可能で、CLK入力で簡単に駆動可能である。
機能
・PWM電流制御ステッパモータドライバ1ch内蔵
・BiCDMOSプロセスIC
・出力オン抵抗(上側0.35Ω、下側0.3Ω 上下合計0.65Ω；Ta=25℃,IO=1.8A)
・励磁モードは2相/1-2相/W1-2相/4W1-2相/8W1-2相/16W1-2相/32W1-2相の選択が可能
・ステップ信号入力のみで、励磁ステップが進行
・正逆コントロール可
・IOmax=1.8A
・過電流保護回路内蔵
・サーマルシャットダウン回路内蔵
・入力プルダウン抵抗内蔵
・リセット、イネーブル端子付き
SSOP44K (275mil)
最大定格/Ta=25℃
項目
記号
条件
定格値
unit
最大電源電圧
VM max
VM,VM1,VM2
36
V
最大出力電流
IO max
1chあたり
1.8
A
最大ロジック入力電
VIN max
ST,MD1,MD2,MD3,OE,RST,FR,STEP
6
V
最大VREF入力電圧
VREF max
6
V
最大MO入力電圧
VMO max
6
V
最大DOWN入力電圧
VDOWN max
6
V
許容消費電力
Pd max
3.85
W
動作周囲温度
Topr
－30～＋85
℃
保存周囲温度
Tstg
－55～＋150
℃
※
※ 指定基板:90.0mm×90.0mm×1.6mm,2層ガラスエポキシ基板
注1) 絶対最大定格は、一瞬でも越えてはならない許容値を示すものです。
注2) 絶対最大定格の範囲内で使用した場合でも、高温および大電流/高電圧印加、多大な温度変化等で連続して使用される
場合、信頼性が低下するおそれがあります。
詳細につきましては、弊社窓口までご相談ください。
最大定格を超えるストレスは、デバイスにダメージを与える危険性があります。最大定格は、ストレス印加に対してのみであり、推奨動作条件を超えての機能
的動作に関して意図するものではありません。推奨動作条件を超えてのストレス印加は、デバイスの信頼性に影響を与える危険性があります。
ORDERING INFORMATION
See detailed ordering and shipping information on page 22 of this data sheet.
Semiconductor Components Industries, LLC, 2014
June, 2014
61914NK/42413NK 20121220-S00010 No.A1702-1/22
LV8729V
推奨動作条件/Ta=25℃
項目
記号
条件
電源電圧範囲
VM
VM,VM1,VM2
ロジック入力電圧範囲
VIN
ST,MD1,MD2,MD3,OE,RST,FR,STEP
VREF入力電圧範囲
VREF
定格値
unit
9～32
V
0～5
V
0～3
V
推奨動作範囲を超えるストレスでは推奨動作機能を得られません。推奨動作範囲を超えるストレスの印加は、デバイスの信頼性に影響を与える危険性があります。
電気的特性/Ta=25℃,VM=24V,VREF=1.5V
項目
記号
条件
min
typ
max
unit
待機時消費電流
IMstn
ST=“L” ,VM＋VM1＋VM2
70
100
μA
消費電流
IM
ST=“H”,OE=“H”,無負荷
3.3
4.6
mA
180
200
℃
VM＋VM1＋VM2
サーマルシャットダウン温度
TSD
設計保証
サーマルヒステリシス幅
ΔTSD
設計保証
ロジック端子入力電流
IINL
ST,MD1,MD2,MD3,OE,RST,FR,
3
8
15
μA
IINH
STEP , VIN=0.8V
ST,MD1,MD2,MD3,OE,RST,FR,
30
50
70
μA
VINH
STEP ,VIN=5V
ST,MD1,MD2,MD3,OE,RST,FR,
2.0
5.0
V
VINL
STEP
0
0.8
V
チョッピング周波数
Fch
Cosc1=100pF
OSC1端子充放電電流
ロジック入力電圧
High
Low
150
40
℃
70
100
130
kHz
Iosc1
7
10
13
μA
チョッピング発振回路
Vtup1
0.8
1
1.2
V
スレッショルド電圧
Vtdown1
0.3
0.5
0.7
V
VREF端子入力電流
Iref
VREF=1.5V
DOWN出力残り電圧
VolDOWN
Idown=1mA
40
100
mV
MO端子残り電圧
VolMO
Imo=1mA
40
100
mV
保持通電切替え周波数
Fdown
Cosc2=1500pF
1.12
1.6
2.08
Hz
保持通電切替え発振回路
Vtup2
0.8
1.0
1.2
V
スレッショルド電圧
Vtdown2
0.3
0.5
0.7
V
VREG1出力電圧
Vreg1
4.7
5.0
5.3
V
VREG2出力電圧
Vreg2
VM=24V
18
19
20
V
出力オン抵抗
Ronu
IO=1.8A,上側オン抵抗
0.35
0.455
Ω
Rond
IO=1.8A,下側オン抵抗
0.3
0.39
Ω
出力リーク電流
Ioleak
VM=36V
50
μA
ダイオード順電圧
VD
ID=-1.8A
1
1.4
V
電流設定基準電圧
VRF
VREF=1.5V,電流比100%
0.3
0.315
V
μA
－0.5
0.285
製品パラメータは、特別な記述が無い限り、記載されたテスト条件に対する電気的特性で示しています。異なる条件下で製品動作を行った時には、電気的特性で
示している特性を得られない場合があります。
No.A1702-2/22
LV8729V
外形図
unit:mm
SSOP44K (275mil) Exposed Pad
CASE 940AF
ISSUE A
No.A1702-3/22
LV8729V
1.00
SOLDERING FOOTPRINT*
(Unit: mm)
7.00
(3.5)
(4.7)
0.65
0.32
*For additional information on our Pb−Free strategy and soldering details, please download the ON Semiconductor
Soldering and Mounting Techniques Reference Manual, SOLDERRM/D.
GENERIC
MARKING DIAGRAM*
XXXXXXXXXX
YMDDD
XXXXX = Specific Device Code
Y = Year
M = Month
DDD = Additional Traceability Data
No.A1702-4/22
LV8729V
ピン配置図
VM 1
44 OUT1A
NC 2
43 OUT1A
VREG2 3
42 PGND1
NC 4
41 NC
VREG1 5
40 NC
ST 6
39 VM1
MD1 7
38 VM1
MD2 8
37 RF1
MD3 9
36 RF1
OE 10
35 OUT1B
RST 11
NC 12
34 OUT1B
LV8729V
FR 13
33 OUT2A
32 OUT2A
STP 14
31 RF2
OSC1 15
30 RF2
OSC2 16
29 VM2
NC 17
28 VM2
EMO 18
27 NC
DOWN 19
26 NC
MO 20
25 PGND2
VREF 21
24 OUT2B
SGND 22
23 OUT2B
Top view
No.A1702-5/22
LV8729V
Pd max - Ta
5.0
4.0
3.85
3.0
2.70
2.00
2.0
1.40
1.0
0
—30
0
30
60
90
120
基板仕様(LV8729V動作推奨基板)
サイズ
:90mm×90mm×1.6mm(2層基板[2S0P])
材質
:ガラスエポキシ
銅配線密度 :L1=85%/L2=90%
L1:銅配線パターン図
L2:銅配線パターン図
注意事項
1)Exposed Die-Pad基板実装ありのデータは、Exposed Die-Pad面が90%以上濡れた状態での値である。
2)セット設計は余裕を持ったディレーティング設計をお願いする。
ディレーティングの対象になるストレスは、電圧、電流、接合部温度、電力損失、それに機械的
ストレスとして、振動、衝撃および引張りなどがある。
したがって設計に当っては、これらのストレスをできるだけ低く、あるいは小さくすること。
一般的なディレーティングの目安を示す。
(1)電圧定格に対して、最大値が80%以下
(2)電流定格に対して、最大値が80%以下
(3)温度定格に対して、最大値が80%以下
3)セット設計後は、必ず製品で検証を行うこと。
また、Exposed Die-Pad等半田接合状態の確認、および、半田接合部の信頼性検証を行うこと。
これらの部分の半田接合にボイドや劣化が認められる場合、基板への熱伝導状態が悪くなり、IC
の熱破壊に至る可能性がある。
No.A1702-6/22
SGND
VREF
VREG1
PGND2
PGND1
+
-
VM
ISD
TSD
+
-
ST
VREG2
OSC2
RF1
+
OUT1A
VM2 OUT2A
OUT2B
MD1 MD2 MD3 FR STP RST OE
OUT1B VM1
+
RF2
OSC1
EMO
DOWN
MO
LV8729V
ブロック図
No.A1702-7/22
LV8729V
端子説明
端子
No.
端子名
端子機能
7
MD1
励磁モード切り替え端子
8
MD2
励磁モード切り替え端子
9
MD3
励磁モード切り替え端子
10
OE
出力イネーブル信号入力端
等価回路図
VREG1
子
11
RST
リセット信号入力端子
13
FR
正/逆転信号入力端子
14
STP
ステップクロックパルス信
号入力端子
GND
6
ST
チップイネーブル端子
VREG1
GND
23,24 OUT2B
25
PGND2
2ch OUTB出力端子
38 39
28 29
2ch パワーGND
28,29 VM2
2ch モータ電源接続端子
30,31 RF2
2ch 電流センス抵抗接続端
子
32,33 OUT2A
2ch OUTA出力端子
34,35 OUT1B
1ch OUTB出力端子
36,37 RF1
1ch 電流センス抵抗接続端
34 35
23 24
43 44
32 33
子
38,39 VM1
42
PGND2
43,44 OUT1A
1ch モータ電源接続端子
25 42
1ch パワーGND
36 37
30 31
1ch OUTA出力端子
GND
21
VREF
定電流制御基準電圧入力端
VREG1
子
GND
次ページへ続く。
No.A1702-8/22
LV8729V
前ページより続く。
端子
No.
3
端子名
端子機能
VREG2
内部レギュレータ用コンデ
等価回路図
VM
ンサ接続端子
GND
5
VREG1
内部レギュレータ用コンデ
VM
ンサ接続端子
2kΩ
78kΩ
26kΩ
GND
18
EMO
過電流検出用警告出力端子
19
DOWN
保持通電時用出力端子
20
MO
位置検出モニタ端子
VREG1
GND
15
OSC1
チョッピング周波数設定コ
VREG5
ンデンサ接続端子
16
OSC2
保持通電検出時間設定コン
デンサ接続端子
500Ω
500Ω
GND
No.A1702-9/22
LV8729V
動作説明
1.スタンバイ機能
ST端子がLowになると、ICはスタンバイモードになり、すべてのロジックはリセットされ、出力も
OFFする。ST端子がHighになるとスタンバイが解除される。
2.STEP端子機能
STP端子にステップ信号を入力することによって、励磁ステップが進行する。
入力
ST
STP
L
*
動作モード
待機モード
H
励磁ステップ送り
H
励磁ステップ保持
3. 入力タイミング
TstepH TstepL
STEP
Tdh
Tds
(md1 step) (step md1)
MD1
Tdh
Tds
(md2 step) (step md2)
MD2
Tdh
Tds
(fr step) (step fr)
FR
Tsteph／Tstepl：クロック H/L パルス幅 (min 500ns)
Tds：データセットアップ時間 (min 500ns)
Tdh：データホールド時間 (min 500ns）
4.励磁設定
MD1、MD2、MD3端子の設定により、下表の通り励磁設定を行う。
入力
モード
イニシャル位置
(励磁)
MD3
MD2
MD1
1ch電流
2ch電流
L
L
L
2相
100%
-100%
100%
L
L
H
1-2相
0%
100%
0%
L
H
L
W1-2相
100%
0%
L
H
H
2W1-2相
100%
0%
H
L
L
4W1-2相
100%
0%
H
L
H
8W1-2相
100%
0%
H
H
L
16W1-2相
100%
0%
H
H
H
32W1-2相
イニシャル位置は、各励磁モードにおける電源立上げ時の初期状態、カウンタリセット時の励磁位
置である。
No.A1702-10/22
LV8729V
5.出力電流設定方法
出力電流は、VREF端子印加電圧と、RF1(2)端子-GND間に接続する抵抗の値から、以下の通り設定で
きる。
IOUT = (VREF / 5) / RF1(2)抵抗
※上記設定値は、各励磁モードの100%の出力電流となる。
例)VREF=1.1V、RF1(2)抵抗=0.22Ωの時、設定電流は以下の通りとなる。
IOUT = (1.1V / 5) / 0.22Ω = 1.0A
6.出力イネーブル機能
OE端子がLowになると出力は強制的にOFFしてハイインピーダンスとなる。ただし、内部ロジック回
路は動作しているため、STPを入力していると、励磁位置は進行する。よって、OEをHighに戻すと、
STP入力によって進行した励磁位置に沿ったレベルを出力する。
OE
STP
MO
0%
No.A1702-11/22
LV8729V
7.リセット機能
RST端子がLowになると、出力はイニシャルモードとなり、STP、FR端子の入力に関わらず、励磁位
置がイニシャル位置で固定される。イニシャル位置では、MO端子はL出力となる(オープンドレイン
接続)。
RST
STP
MO
0%
8.正転/逆転切り替え機能
FR
動作モード
L
CW
H
CCW
FR
STEP
IC内部のDAコンバータは、STP端子に入力されるSTEPパルスの立ち上がりで1ビット進む。
また、FR端子の設定により、CW/CCWのモード切替を行う。
CWモードは、2chの電流が1chの電流から見た場合、位相が90°遅れる。
CCWモードは、2chの電流が1chの電流から見た場合、位相が90°進む。
No.A1702-12/22
LV8729V
9.EMO、DOWN、MO出力端子
出力端子はオープンドレイン接続になっている。各端子は所定の状態になると、ONし、Lowレベル
を出力する。
端子状態
EMO
DOWN
MO
Low
過電流検出時
保持通電時
イニシャル位置
OFF
通常時
通常時
イニシャル以外
10.チョッピング周波数設定機能
チョッピング周波数はOSC1端子-GND間に接続されるコンデンサによって、以下の通り設定される。
Fcp = 1 / (Cosc1 / 10 х 10-6) (Hz)
例)Cosc1=200pFのとき、チョッピング周波数は以下の通りとなる。
Fcp = 1 / (200 х 10-12 / 10 х 10-6) = 50(kHz)
No.A1702-13/22
LV8729V
11.出力電流ベクトル軌跡(1ステップを90度に正規化)
100.0
66.7
33.3
0.0
0.0
33.3
66.7
100.0
各励磁モードでの電流設定比
STEP
θ0
θ1
θ2
θ3
θ4
θ5
θ6
θ7
θ8
θ9
θ10
θ11
θ12
θ13
θ14
θ15
θ16
θ17
θ18
θ19
θ20
θ21
θ22
θ23
θ24
θ25
θ26
θ27
θ28
θ29
θ30
θ31
32W1-2相(%)
1ch
2ch
100
0
100
1
100
2
100
4
100
5
100
6
100
7
100
9
100
10
99
11
99
12
99
13
99
15
99
16
99
17
98
18
98
20
98
21
98
22
97
23
97
24
97
25
96
27
96
28
96
29
95
30
95
31
95
33
94
34
94
35
93
36
93
37
16W1-2相(%)
1ch
2ch
100
0
100
2
100
5
100
7
100
10
99
12
99
15
99
17
98
20
98
22
97
24
96
27
96
29
95
31
94
34
93
36
8W1-2相(%)
1ch
2ch
100
0
100
5
100
10
99
15
98
20
97
24
96
29
94
34
4W1-2相(%)
1ch
2ch
100
0
100
10
98
20
96
29
2W1-2相(%)
1ch
2ch
100
0
98
W1-2相(%)
1ch
2ch
100
0
1-2相(%)
1ch
2ch
100
0
2相(%)
1ch
2ch
20
次ページへ続く。
No.A1702-14/22
LV8729V
前ページより続く。
STEP
θ32
θ33
θ34
θ35
θ36
θ37
θ38
θ39
θ40
θ41
θ42
θ43
θ44
θ45
θ46
θ47
θ48
θ49
θ50
θ51
θ52
θ53
θ54
θ55
θ56
θ57
θ58
θ59
θ60
θ61
θ62
θ63
θ64
θ65
θ66
θ67
θ68
θ69
θ70
θ71
θ72
θ73
θ74
θ75
θ76
θ77
θ78
θ79
θ80
θ81
θ82
θ83
θ84
θ85
θ86
θ87
θ88
θ89
θ90
θ91
θ92
θ93
θ94
θ95
θ96
θ97
32W1-2相(%)
1ch
2ch
92
38
92
39
91
41
91
42
90
43
90
44
89
45
89
46
88
47
88
48
87
49
86
50
86
51
85
52
84
53
84
55
83
56
82
57
82
58
81
59
80
60
80
61
79
62
78
62
77
63
77
64
76
65
75
66
74
67
73
68
72
69
72
70
71
71
70
72
69
72
68
73
67
74
66
75
65
76
64
77
63
77
62
78
62
79
61
80
60
80
59
81
58
82
57
82
56
83
55
84
53
84
52
85
51
86
50
86
49
87
48
88
47
88
46
89
45
89
44
90
43
90
42
91
41
91
39
92
38
92
37
93
16W1-2相(%)
1ch
2ch
92
38
91
41
90
43
89
45
88
47
87
49
86
51
84
53
83
56
82
58
80
60
79
62
77
63
76
65
74
67
72
69
71
71
69
72
67
74
65
76
63
77
62
79
60
80
58
82
56
83
53
84
51
86
49
87
47
88
45
89
43
90
41
91
38
92
8W1-2相(%)
1ch
2ch
92
38
90
43
88
47
86
51
83
56
80
60
77
63
74
67
71
71
67
74
63
77
60
80
56
83
51
86
47
88
43
90
38
92
4W1-2相(%)
1ch
2ch
92
38
88
47
83
56
77
63
71
71
63
77
56
83
47
88
38
92
2W1-2相(%)
1ch
2ch
92
38
83
56
71
71
56
83
38
92
W1-2相(%)
1ch
2ch
92
38
1-2相(%)
1ch
2ch
2相(%)
1ch
2ch
71
71
71
100
38
92
71
100
次ページへ続く。
No.A1702-15/22
LV8729V
前ページより続く。
STEP
θ98
θ99
θ100
θ101
θ102
θ103
θ104
θ105
θ106
θ107
θ108
θ109
θ110
θ111
θ112
θ113
θ114
θ115
θ116
θ117
θ118
θ119
θ120
θ121
θ122
θ123
θ124
θ125
θ126
θ127
θ128
32W1-2相(%)
1ch
2ch
36
93
35
94
34
94
33
95
31
95
30
95
29
96
28
96
27
96
25
97
24
97
23
97
22
98
21
98
20
98
18
98
17
99
16
99
15
99
13
99
12
99
11
99
10
100
9
100
7
100
6
100
5
100
4
100
2
100
1
100
0
100
16W1-2相(%)
1ch
2ch
36
93
34
94
31
95
29
96
27
96
24
97
22
98
20
98
17
99
15
99
12
99
10
100
7
100
5
100
2
100
0
100
8W1-2相(%)
1ch
2ch
34
94
29
96
24
97
20
98
15
99
10
100
5
100
0
100
4W1-2相(%)
1ch
2ch
29
96
20
98
10
100
0
100
2W1-2相(%)
1ch
2ch
20
98
0
100
W1-2相(%)
1ch
2ch
0
100
1-2相(%)
1ch
2ch
0
2相(%)
1ch
2ch
100
No.A1702-16/22
LV8729V
12.各励磁モードでの電流波形例(2相、1-2相、4W1-2相、32W1-2相)
2相励磁(CWモード)
STP
MO
(%)
100
l1
0
-100
(%)
100
I2
0
-100
1－2相励磁(CWモード)
STP
MO
(%)
100
I1
0
-100
(%)
100
I2
0
-100
No.A1702-17/22
LV8729V
4W1-2相励磁(CWモード)
STP
MO
(%)
100
50
I1
0
-50
-100
(%)
100
50
I2
0
-50
-100
32W1-2相励磁(CWモード)
STP
MO
(%)
100
50
I1
0
-50
-100
(%)
100
50
I2
0
-50
-100
No.A1702-18/22
LV8729V
13.電流制御動作仕様
(正弦波増加方向)
STP
Blanking Time
fchop
CHARGE
SLOW
FAST
CHARGE
FAST
Blanking Time
SLOW
FAST
(正弦波減少方向)
STP
Blanking Time
fchop
CHARGE
SLOW
FAST
CHARGE
SLOW
各電流モードは以下のシーケンスで動作を行う。
・チョッピング発振立ち上がりでCHARGEモードとなる。(コイル電流(ICOIL)と設定電流(IREF)の大
小に関係なく、強制的にCHARGEモードとなる区間(Blanking Time)が約1μs存在する。
・Blanking Time区間で、コイル電流(ICOIL)と設定電流(IREF)を比較する。
(ICOIL＜IREF)が存在した場合
ICOIL≧IREFまでCHARGEモード。その後SLOW DECAYモードに切り替わり、
最後に約1μsの区間FAST DECAYモードに切り替わる。
(ICOIL＜IREF)が存在しなかった場合
FAST DECAYモードに切り替わる、チョッピング1周期が終わるまでFAST DECAYで
コイル電流を減衰する。
上記動作を繰り返す。通常、正弦波増加方向では、SLOW(＋FAST) DECAYモード、正弦波減少方向では、
設定まで電流が減衰するまでFAST DECAYモード、その後SLOW(＋FAST) DECAYモードとなる。
No.A1702-19/22
LV8729V
14.出力短絡保護機能
本ICには、出力が天絡、地絡などによってショートした場合、ICが破壊してしまうことを防止する
ために、出力を待機モードにする、出力ショート保護回路が内蔵されている。出力ショート状態を
検知すると、短絡検出回路が動作し、一度出力をOFFする。この後、タイマーラッチ時間
(typ:256μs)後に再び出力をONし、依然として出力が短絡していた場合には、出力をOFFし、出力
を待機モードに固定して、EMO出力をONする。
出力ショート保護回路によって、出力が待機モードに固定された場合、ST=『L』にすることによっ
てラッチを解除することが出来る。
15.保持通電時電流切替え用オープンドレイン端子
出力端子はオープンドレイン接続となっており、STP立ち上がり入力から、OSC2-GND間に接続した
コンデンサによって決められた時間内に、次のSTPが入力されないとONし、Lowレベルを出力する。
一度ONしたオープンドレイン出力は、次のSTP入力の立ち上がりによってOFFする。
保持通電電流切替え時間(Tdown)はOSC2端子-GND間に接続されたコンデンサによって、以下の通り
設定される。
Tdown = Cosc2 х 0.4х109 (s)
例)Cosc2=1500pFのとき、保持通電電流切替え時間は以下の通りになる。
Tdown = 1500pF х 0.4х109 = 0.6(s)
16.過熱保護機能
本 IC には、過熱保護回路が内蔵されており、ジャンクション温度 Tj が 180℃を超えると出力が
OFF し、同時に異常状態警告出力も ON する。温度がヒステリシス分下がると出力は再駆動（自動
復帰）する。過熱保護回路は、ジャンクション温度の定格 Tjmax=150℃を越えた領域での動作と
なるため、セットの保護および破壊防止を保証するものではない。
TSD=180℃(typ)
ΔTSD=40℃(typ)
No.A1702-20/22
LV8729V
- +
応用回路例
1 VM
OUT1A 44
2 NC
OUT1A 43
3 VREG2
PGND1 42
4 NC
NC 41
5 VREG1
NC 40
6 ST
VM1 39
7 MD1
VM1 38
8 MD2
RF1 37
9 MD3
RF1 36
11 RST
12 NC
13 FR
- +
180pF
LV8729V
10 OE
OUT1B 35
OUT1B 34
OUT2A 33
OUT2A 32
14 STP
RF2 31
15 OSC1
RF2 30
16 OSC2
VM2 29
17 NC
VM2 28
18 EMO
NC 27
19 DOWN
NC 26
20 MO
PGND2 25
21 VREF
OUT2B 24
22 SGND
OUT2B 23
M
上記回路図例は、以下の設定条件となっている。
・出力イネーブル機能は出力状態に固定(OE=『H』)
・リセット機能は通常動作に固定(RST=『H』)
・チョッピング周波数：55.5kHz(Cosc1=180pF)
設定電流値は以下の通りになる。
IOUT = (電流設定基準電圧 / 5) / 0.22Ω
No.A1702-21/22
LV8729V
ORDERING INFORMATION
Device
LV8729V-TLM-H
Package
SSOP44K (275mil)
(Pb-Free / Halogen Free)
LV8729V-MPB-H
SSOP44K (275mil)
(Pb-Free / Halogen Free)
Shipping (Qty / Packing)
2000 / Tape & Reel
30 / Fan-Foldl
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(参考訳)
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PS No.A1702-22/22

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