複合素子 K12728-010K 広い感度波長範囲: 0.32～1.65 μm、 小型セラミックパッケージ K12728-010Kは、広い感度波長範囲を実現した小型セラミックパッケージの複合素子です。従来製品 K1713-09と同様に 透過型SiフォトダイオードとInGaAs PINフォトダイオードが同一光軸上に配置しています。低ノイズ・低暗電流を実現 し、リフローはんだ付けに対応しています。 特長 用途 広い感度波長範囲 分光測光 小型、低ノイズ、低暗電流 放射温度計 リフローはんだ付けに対応 構成 項目 窓材 パッケージ 記号 - 受光面サイズ - 条件 Si InGaAs 仕様 硼珪酸ガラス セラミック 2.4 × 2.4 ϕ1.0 単位 - 定格値 5 10 -20 ～ +70 -20 ～ +85 単位 mm 絶対最大定格 項目 逆電圧 記号 VR max 動作温度 保存温度 Topr Tstg 条件 Si, Ta=25 °C InGaAs, Ta=25 °C 結露なきこと 結露なきこと V °C °C 注) 絶対最大定格を一瞬でも超えると、製品の品質を損なう恐れがあります。必ず絶対最大定格の範囲内で使用してください。 電気的および光学的特性 (Ta=25 ℃) 項目 記号 感度波長範囲 λ 最大感度波長 λp 受光感度 S 暗電流 ID 遮断周波数 fc 端子間容量 Ct 並列抵抗 Rsh 比検出能力 D* 条件 Si InGaAs Si InGaAs Si, λ=λp InGaAs, λ=λp Si, VR=10 mV InGaAs, VR=10 mV Si, -3 dB, VR=0 V, RL=50 Ω InGaAs, -3 dB, VR=0 V, RL=50 Ω Si, VR=0 V, f=10 kHz InGaAs, VR=0 V, f=1 MHz Si, VR=10 mV InGaAs, VR=10 mV Si, λ=λp InGaAs, λ=λp Min. 0.3 0.3 1 5 100 25 5 × 1012 5 × 1011 Typ. 0.32 ～ 1.1 1.1 ～ 1.65 0.96 1.55 0.45 0.55 30 80 2 10 60 130 300 125 1.4 × 1013 3.5 × 1012 浜松ホトニクス株式会社 Max. 100 400 110 200 - 単位 μm μm A/W pA MHz pF MΩ MΩ cmăHz1/2/W 1 K12728-010K 複合素子 窓材の分光透過率 分光感度特性 (Typ. Ta=25 °C) 0.7 90 0.6 80 0.5 70 InGaAs 0.4 ൫ًၚ (%) ۜഽ (A/W) (Typ. Ta=25 °C) 100 0.3 Si 60 50 40 30 0.2 20 0.1 0 0.2 10 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 ෨ಿ (μm) 0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 ෨ಿ (μm) KIRDB0598JB KIRDB0599JA 暗電流－逆電圧 (Typ. Ta=25 °C) 10 nA InGaAs ճഩၠ 1 nA 100 pA Si 10 pA 0.01 0.1 1 10 100 ݙഩգ (V) KIRDB0600JA 2 K12728-010K 複合素子 端子間容量－逆電圧 並列抵抗－素子温度 (Typ. Ta=25 °C) 10 nF (Typ. VR=10 mV) 10 TΩ 1 TΩ 100 GΩ 10 GΩ InGaAs (f=1 MHz) Ⴅࢯ ঊۼယၾ 1 nF 100 pF 100 MΩ 10 MΩ Si (f=10 kHz) 10 pF Si 1 GΩ InGaAs 1 MΩ 100 kΩ 1 pF 0.01 0.1 1 10 100 10 kΩ -20 0 20 40 60 80 ளঊأഽ (°C) ݙഩգ (V) KIRDB0601JA KIRDB0602JA 推奨ランドマークパターン (単位: mm) 外形寸法図 (単位: mm) 6.6 2.5 ± 0.2 3.3 2.5 (0.07) 0.9 1.6 2.4 8.0 2.4 7.0 ± 0.1 8.0 ± 0.15 0.8 ͼϋΟΛ·ΑζȜ· 100 ࿂Si ௗ ࿂InGaAs 3.7 ± 0.2 8.0 2.4 ± 0.3 1.6 ± 0.2 0.7 ± 0.1 0.5 2.5 3.3 2.5 KIRDC0119JA 2.0 ± 0.2 2.5 ± 0.2 0.5 ± 0.1 2.0 ± 0.2 2.0 ± 0.2 2.0 ± 0.2 ΕȜΡ (Si) ͺΦȜΡ (Si) ΕȜΡ (InGaAs) ͺΦȜΡ (InGaAs) (0.15) ໐ಎպ౾ୈഽ - 0.3ɅXɅ+ 0.3 - 0.3ɅYɅ+ 0.3 KIRDA0243JA 3 K12728-010K 複合素子 当社の実験用熱風リフロー炉を用いた温度プロファイルの実測値例 300 260 °C max 250 أഽ (°C) 200 150 100 50 0 0 50 100 150 200 250 300 350 400 450 500 550 শۼġ(s) KIRDC0120JA ・ 開封後、本デバイスを温度5～30 °C、湿度60％以下の環境で保管し、4週間以内にリフローはんだ付けを行ってください。 ・ リフローはんだ付けの際にデバイスにかかる熱ストレスは、回路基板や使用するリフロー炉によって異なります。 ・ リフロー条件を設定する場合、リフローはんだ工程によってデバイスの信頼性が損なわれないことを確認してください。 4 K12728-010K 複合素子 関連情報 www.hamamatsu.com/sp/ssd/doc_ja.html 注意事項 ・ 注意事項とお願い ・ メタル・セラミック・プラスチックパッケージ製品／使用上の注意 技術情報 ・ 赤外線検出素子／技術資料 ・ 赤外線検出素子／用語の解説 本資料の記載内容は、平成26年8月現在のものです。 ୋ͈ॽအ͉Ȃ٨ၻ͈̹̈́̓͛ထ̩࣬̈́་ࢵ̳̭̦̜̳ͥ͂ͤ͘ȃུၳ͉ୃ̹̳͛ͥܢͬږਹͅै଼̯̹͈̳̦ͦ́͜Ȃͦ͘ͅࢋܱ̈́̓ͥ͢ͅࢋ̦ͤ ̜ͥાࣣ̦̜̳ͤ͘ȃུୋͬঀဥ̳ͥष͉ͅȂຈ̴ොවॽအ̮ͬဥྵ͈ષȂड૧͈ॽအ̮̞̯̺̩ͬږȃ ොවॽအ̹͉͘ϋίσ̞̤̀ͅރȂ߿ྴ͈ྎͅॻॽအͬփྙ̳ͥĩřĪȂٳอॽအͬփྙ̳ͥĩśĪ̦ັ̩ાࣣ̦̜̳ͤ͘ȃ ུୋ͈༗બ͉ȂොවࢃIJාոඤ̦ͅอࡉ̯ͦḀ̑̾২̯̹ͦͅાࣣȂུୋ͈ਘၑ̹͉͘య͈ොවͬࡠഽ̱̳͂͘ȃ̹̺̱Ȃ༗બۼܢඤ̜́̽̀͜Ȃ ഛब̤͍͢ະഐ୨̈́ঀဥ֦̳ܳͥͅఅ͉̞̀̾ͅٺȂ২̷͉͈ୣ̵̞ͬͭ͘ȃ ུၳ͈ܱशඤယ̞̾̀ͅȂ২͈ݺౄ̱̈́ͅഢश̹͉͘ໝୋ̳̭̲̳ͥ͂ͬ͘ȃ ŸŸŸįũŢŮŢŮŢŵŴŶįŤŰŮ ୵రުאਫ਼ ಆ෨ުאਫ਼ ުאނਫ਼ ಎ໐ުאਫ਼ ఱिުאਫ਼ ୌུުאਫ਼ ɧĺĹıĮııIJIJ ɧĴıĶĮıĹIJĸ ɧIJıĶĮıııIJ ɧĵĴıĮĹĶĹĸ ɧĶĵIJĮııĶij ɧĹIJijĮııIJĴ ୵రঌဩߊષIJĮķĮIJIJġĩུྵ୵ర࢙൚రΫσijٴĪ ֟ઽࡇ̩̾͊ঌࡄڠݪĶĮIJijĮIJıġĩࡄڠݪΑ·;ͿͺΫσĸٴĪ ނസࢽߊࡵΦĴĮĹĮijIJġĩࡵΦĴĴ૩ΫσĶٴĪ ຩઐঌಎߊग५ĴijĶĮķġĩུྵຩઐפஜΫσĵٴĪ ఱिঌಎ؇ߊհാijĮĴĮIJĴġĩఱि࣭षΫσIJıٴĪ ؖঌฎఉߊฎఉפIJĮIJĴĮķġĩಅ५ฎఉΫσĶٴĪ ŕņōġĩıijijĪġijķĸĮıIJijIJġġŇłřġĩıijijĪġijķĸĮıIJĴĶ ŕņōġĩıijĺĪġĹĵĹĮĶıĹıġġŇłřġĩıijĺĪġĹĶĶĮIJIJĴĶ ŕņōġĩıĴĪġĴĵĴķĮıĵĺIJġġŇłřġĩıĴĪġĴĵĴĴĮķĺĺĸ ŕņōġĩıĶĴĪġĵĶĺĮIJIJIJijġġŇłřġĩıĶĴĪġĵĶĺĮIJIJIJĵ ŕņōġĩıķĪġķijĸIJĮıĵĵIJġġŇłřġĩıķĪġķijĸIJĮıĵĶı ŕņōġĩıĺijĪġĵĹijĮıĴĺıġġŇłřġĩıĺijĪġĵĹijĮıĶĶı ࡥఘުאଔૺ໐ȁɧĵĴĶĮĹĶĶĹȁຩઐঌߊঌIJIJijķĮIJȁŕņōġĩıĶĴĪġĵĴĵĮĴĴIJIJȁŇłřġĩıĶĴĪġĵĴĵĮĶIJĹĵ Cat. No. KIRD1128J02 Aug. 2014 DN 5
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