次世代半導体微細加工技術・評価基盤技術の開発
EUVマスク検査技術開発
Key Words
概
要
EUVL, Actinic Blank Inspection, Pattered Mask Inspection
 ハーフピッチ16nm世代に対応できるEUV光を用いたEUVマスク
ブランク欠陥検査装置ならびに電子線写像投影方式を用いた
EUVマスクパターン欠陥検査装置を開発
EUVマスクブランク欠陥検査
EUVマスクパターン欠陥検査
● 露光光を利用した高感度検査技術
● 電子線を利用した高感度検査技術
EUV光（波長13.5nm）を用いた暗視野方式による
高感度EUVマスクブランク欠陥検査装置を開発。
バンプ欠陥
ピット欠陥
電子線写像投影方式を用いた高感度EUVマスク
パターン欠陥検査装置を開発。
検査光波長
パタン欠陥
Si/Mo多層膜
EUV光吸収体
(マスクパタン)
Si/Mo多層膜
(EUV光反射)
ガラス基板
200nm
Si/Mo多層膜
ガラス基板
EUVマスクブランクの多層膜位相欠陥と検査光侵入深さ
裏面コート
EUVマスクパターン欠陥
マスクパターンの電子線像
(シミュレーション)
カメラ
カメラ
Environment
Control Chamber
電子ビーム源
結像レンズ
結像光学系
結像
光学系
ビーム分離
ユニット
照明光学系
PEM
optics
System
Controller
Dual-pod EUV mask
loader
Vacuum chamber
with
load-lock Chamber
陰極レンズ
EUV光
EUVLマスク
欠陥
*PEM: Projection Electron Microscope
マスクブランク
暗視野方式EUVマスクブランク欠陥検査装置
● ハーフピッチ16nm世代用EUVマスク
ブランク検査感度の実現
電子線写像投影方式EUVマスクパターン欠陥検査装置
● ハーフピッチ16nm世代用EUVマスク
パターン検査性能の実現
Defect size nm
ハーフピッチ16nm世
代で要求される高さ
1nm、幅50nmの多層
膜位相欠陥検出感
度を検出確率100％
で達成。
ハーフピッチ16nm世
代で要求される
16nm□サイズのパタ
ーン欠陥検出感度
を確認。
28
22
16
パターン欠陥SEM像
パターン欠陥PEM像
欠陥検出結果
(検査画像を重ね合わせ)
検査感度評価結果＠バンプ欠陥
今後の展望  ハーフピッチ11nm世代に対応できるEUVマスクブランク
欠陥検査装置ならびにEUVマスクパターン欠陥検査装
置の開発
(株)ＥＵＶＬ基盤開発センター (EIDEC)
代表取締役社長 森 一朗
2014.9.3 第5回TIA-nano公開シンポジウム