SP8K31FRA
SP8K31
トランジスタ
4V 駆動タイプ Nch+Nch MOSFET
AEC-Q101準拠
SP8K31FRA
SP8K31
z外形寸法図 (Unit : mm)
z構造
シリコン N チャネル
MOS 型電界効果トランジスタ
SOP8
z特長
1) ゲート保護ダイオード内蔵。
2) 小型面実装パッケージ (SOP8) で省スペース。
z用途
スイッチング
Each lead has same dimensions
z包装仕様
z内部回路図
包装名
Type
(8)
テーピング
(7)
(6)
(5)
(8) (7) (6) (5)
TB
記号
基本発注単位（個）
2500
SP8K31
SP8K31FRA
∗2
∗2
(1) (2) (3) (4)
∗1
(1)
∗1
(2)
(3)
∗1 静電気保護用ダイオード
∗2 内部ダイオード
(4)
(1) Tr1 ソース
(2) Tr1 ゲート
(3) Tr2 ソース
(4) Tr2 ゲート
(5) Tr2 ドレイン
(6) Tr2 ドレイン
(7) Tr1 ドレイン
(8) Tr1 ドレイン
∗製品取り扱い時の静電気保護用にゲート・ソース間に
保護ダイオードを内蔵しています。使用回路にて、
定格電圧を超える場合には保護回路をご使用ください。
z絶対最大定格 (Ta=25°C)
<Tr1,Tr2 共通>
Parameter
ドレイン・ソース間電圧
ゲート・ソース間電圧
ドレイン電流
ソース電流
（内部ダイオード）
全許容損失
チャネル部温度
保存温度
直流
パルス
直流
パルス
Symbol
VDSS
VGSS
ID
IDP ∗1
IS
ISP ∗1
PD ∗2
Tch
Tstg
Limits
60
±20
±3.5
±14
1.0
14
2.0
150
−55~+150
Unit
V
V
A
A
A
A
W
°C
°C
∗1 Pw≦10μs, Duty cycle≦1%
∗2 セラミック基板実装時
1/4
SP8K31
SP8K31FRA
トランジスタ
z電気的特性 (Ta=25°C)
<Tr1,Tr2 共通>
Parameter
ゲート漏れ電流
ドレイン・ソース降伏電圧
ドレイン遮断電流
ゲートしきい値電圧
Symbol
IGSS
V(BR) DSS
IDSS
VGS (th)
∗
ドレイン・ソース間オン抵抗 RDS (on)
順方向アドミタンス
入力容量
出力容量
帰還容量
ターンオン遅延時間
上昇時間
ターンオフ遅延時間
降下時間
ゲート総電荷量
ゲート・ソース間電荷量
ゲート・ドレイン間電荷量
Yfs ∗
Ciss
Coss
Crss
td (on) ∗
tr ∗
td (off) ∗
tf ∗
Qg ∗
Qgs ∗
Qgd ∗
Min.
−
60
−
1.0
−
−
−
2.5
−
−
−
−
−
−
−
−
−
−
Typ.
−
−
−
−
85
100
105
−
250
60
30
7
14
25
7
3.7
1.2
1.2
Max.
±10
−
1
2.5
120
140
150
−
−
−
−
−
−
−
−
5.2
−
−
Unit
μA
V
μA
V
mΩ
mΩ
mΩ
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
Conditions
VGS= ±20V, VDS=0V
ID= 1mA, VGS=0V
VDS= 60V, VGS=0V
VDS= 10V, ID= 1mA
ID= 3.5A, VGS= 10V
ID= 3.5A, VGS= 4.5V
ID= 3.5A, VGS= 4.0V
VDS= 10V, ID= 3.5A
VDS= 10V
VGS=0V
f=1MHz
VDD 30V
ID= 1.8A
VGS= 10V
RL=17Ω
RG=10Ω
VDD 30V, VGS= 5V
ID=3.5A
RL= 8.6Ω, RG= 10Ω
Unit
V
Conditions
IS=3.5A, VGS=0V
∗パルス
z内部ダイオード特性（ソース・ドレイン間）(Ta=25°C)
<Tr1,Tr2 共通>
Parameter
順方向電圧
Symbol
VSD ∗
Min.
−
Typ.
−
Max.
1.2
∗パルス
2/4
SP8K31FRA
SP8K31
トランジスタ
10
Ta=125°C
Ta=75°C
Ta=25°C
Ta= −25°C
1
0.1
0.01
1.0
1.5
2.0
2.5
Ta=125°C
Ta=75°C
Ta=25°C
Ta= −25°C
100
10
0.01
0.1
1
10
1000
VGS=4.5V
Pulsed
Ta=125°C
Ta=75°C
Ta=25°C
Ta= −25°C
100
10
0.01
0.1
1
10
DRAIN CURRENT : ID (A)
DRAIN CURRENT : ID (A)
Fig.1 Typical Transfer Characteristics
Fig.2 Static Drain-Source
On-State Resistance
vs. Drain Current(Ι)
Fig.3 Static Drain-Source
On-State Resistance
vs. Drain Current(ΙΙ)
1000
VGS=4V
Pulsed
Ta=125°C
Ta=75°C
Ta=25°C
Ta= −25°C
100
10
0.01
0.1
1
VGS=4.0V
VGS=4.5V
VGS=10V
100
10
0.01
0.1
1
10
300
Ta=25°C
Pulsed
ID=3.5A
200
ID=1.75A
100
0
0
5
10
15
DRAIN CURRENT : ID (A)
GATE-SOURCE VOLTAGE : VGS (V)
Fig.4 Static Drain-Source
On-State Resistance
vs. Drain Current(ΙΙΙ)
Fig.5 Static Drain-Source
On-State Resistance
vs. Drain Current( )
Fig.6 Static Drain-Source
On-State Resistance vs.
Gate-Source Voltage
VGS=0V
Pulsed
1000
CAPACITANCE : C (pF)
0.1
0.01
0.0
Ta=25°C
Pulsed
DRAIN CURRENT : ID (A)
Ta=125°C
Ta=75°C
Ta=25°C
Ta= −25°C
1
10
1000
STATIC DRAIN-SOURCE
ON-STATE RESISTANCE : RDS (on) (mΩ)
GATE-SOURCE VOLTAGE : VGS (V)
10
SOURCE CURRENT : IS (A)
3.0
VGS=10V
Pulsed
0.5
1.0
1.5
Ta=25°C
f=1MHz
VGS=0V
Ciss
100
Coss
10
0.1
Crss
1
10
100
1000
Ta=25°C
VDD=30V
VGS=10V
RG=10Ω
Pulsed
tf
SWITCHING TIME : t (ns)
STATIC DRAIN-SOURCE
ON-STATE RESISTANCE : RDS (on) (mΩ)
0.001
0.5
1000
STATIC DRAIN-SOURCE
ON-STATE RESISTANCE : RDS (on) (mΩ)
VDS=10V
Pulsed
STATIC DRAIN-SOURCE
ON-STATE RESISTANCE : RDS (on) (mΩ)
DRAIN CURRENT : ID (A)
100
STATIC DRAIN-SOURCE
ON-STATE RESISTANCE : RDS (on) (mΩ)
z電気的特性曲線
100
td (off)
10
tr
td (on)
1
0.01
0.1
1
10
SOURCE-DRAIN VOLTAGE : VSD (V)
DRAIN-SOURCE VOLTAGE : VDS (V)
DRAIN CURRENT : ID (A)
Fig.7 Source Current vs.
Source-Drain Voltage
Fig.8 Typical Capacitance
vs. Drain-Source Voltage
Fig.9 Switching Characteristics
3/4
SP8K31FRA
SP8K31
トランジスタ
GATE-SOURCE VOLTAGE : VGS (V)
10
Ta=25°C
9 VDD=30V
ID=3.5A
8
RG=10Ω
7 Pulsed
6
5
4
3
2
1
0
0
1
2
3
4
5
6
7
TOTAL GATE CHARGE : Qg (nC)
Fig.10 Dynamic Input Characteristics
z測定回路図
VGS
ID
RL
90%
50%
10%
VGS
D.U.T.
RG
Pulse Width
VDS
VDS
50%
10%
10%
VDD
90%
td(on)
90%
td(off)
tr
ton
Fig.11 スイッチング時間測定回路
VGS
toff
Fig.12 スイッチング波形
VG
ID
VDS
Qg
RL
IG (Const.)
RG
tr
VGS
D.U.T.
VDD
Qgs
Qgd
Charge
Fig.13 ゲート電荷量測定回路
Fig.14 ゲート電荷量波形
4/4
Appendix
AV
OA
ROHM Customer Support System
www.rohm.co.jp
Copyright © 2007 ROHM CO.,LTD.
webmaster@ rohm.co. jp
〒615-8585 京都市右京区西院溝崎町21
TEL:(075)311-2121
FAX:(075)315-0172
Appendix1-Rev3.1

RQ5E025AT : トランジスタ

: ダイオード

資料PDF